KR101921639B1 - 미세패턴 또는 미세채널 형성을 위한 직접 열가압 임프린트 방법 - Google Patents

미세패턴 또는 미세채널 형성을 위한 직접 열가압 임프린트 방법 Download PDF

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Abstract

미세패턴 또는 미세채널 형성을 위한 직접 열가압 임프린트 방법에서, 템플릿과 기판의 표면을 세정한다. 상기 템플릿을 척에 고정하여 상기 기판과 함께 챔버의 내부공간으로 위치시킨다. 상기 템플릿을 기판에 접촉시킨다. 상기 템플릿을 상기 척으로부터 분리한다. 상기 기판에 접촉한 상기 템플릿의 상면을 가압한다. 고온 고압으로 상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시킨다.

Description

미세패턴 또는 미세채널 형성을 위한 직접 열가압 임프린트 방법{DIRECT IMPRINT METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OR FINE CHANNEL}
본 발명은 직접 열가압 임프린트 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하드 기판 상에 미세패턴 또는 미세채널을 형성하기 위해 고온 상태에서 가압하는 임프린트 방법으로 접합공정을 수행하는 직접 열가압 임프린트 방법에 관한 것이다.
기판 상에 미세 패턴 또는 미세 채널 등을 형성하기 위한 종래의 임프린트 (imprint) 공정의 경우, 레지스트를 사용하여야 하므로, 기판의 전사를 위해서는 후공정 단계에서 식각 공정 또는 레지스트 제거 공정을 추가로 수행하여야 하며, 이에 따른 공정 시간의 증가 및 생산성 저하의 문제가 야기된다.
그리하여, 임프린트 공정에서 레지스트의 사용을 배제하여 공정 단계를 줄이기 위한 직접(direct) 임프린트(imprint) 공정이 적용되고 있으나, 직접 임프린트 공정의 경우 접합성 향상을 위한 환경 조건을 최적화할 필요가 있다.
관련 선행기술로 대한민국 등록특허 제10-1061555호에서는 어닐링을 통한 완전 접합을 수행하는 직접 임프린트 공정을 개시하고 있으며, 대한민국 공개특허 제10-2013-0123376호에서는 임프린트 공정에서 밀착층을 개재시켜 접착력을 향상시키는 공정을 개시하고 있다.
그러나, 임프린트 공정에서 후공정을 생략하면서도 보다 높은 접합성 또는 보다 정밀한 패턴 형성을 수행할 수 있는 공정에 대하여는 추가적인 연구가 필요한 상황이다.
대한민국 등록특허 제10-1061555호 대한민국 공개특허 제10-2013-0123376호
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 보다 정교한 미세패턴을 형성하거나 또는 보다 접합성을 향상시킨 미세채널을 형성할 수 있는 직접 열가압 임프린트 방법에 관한 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 직접 열가압 임프린트 방법에서, 템플릿과 기판의 표면을 세정한다. 상기 템플릿을 척에 고정하여 상기 기판과 함께 챔버의 내부공간으로 위치시키고 진공분위기를 만든다. 상기 템플릿을 기판에 접촉시킨다. 상기 템플릿을 상기 척으로부터 분리한다. 상기 기판에 접촉한 상기 템플릿의 상면을 가압한다. 고온 고압으로 상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시킨다.
일 실시예에서, 상기 템플릿과 기판의 표면을 세정하는 단계에서, 습식 식각(wet etch) 공정 또는 건식 산소 플라즈마 노출 공정을 통해 상기 템플릿과 상기 기판의 표면의 이물질을 제거할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 챔버의 내부공간으로 위치시키는 단계에서, 상기 템플릿을 상기 척의 진공 흡착판에 고정하여 상기 내부공간으로 위치시키고, 상기 기판은 상기 내부공간에 위치한 베이스 프레임 상에 위치시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 챔버의 내부공간으로 위치시키는 단계에서, 상기 내부공간을 진공 분위기로 형성하고, 상기 템플릿 및 상기 기판의 표면을 산소플라즈마로 친수성 처리할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 템플릿을 상기 척으로부터 분리하는 단계에서, 상기 척으로 인가되는 진공을 해제시켜 상기 척만 상승시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판에 접촉한 상기 템플릿의 상면을 가압하는 단계에서, 상기 내부공간의 진공을 해제하고, 롤 프레스를 상기 템플릿의 상면에서 이송시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계는, 상기 내부공간을 진공 분위기로 형성하여 온도를 상승시키는 단계, 및 상기 척을 하강하여 상기 템플릿을 가압하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계는, 상기 척을 상승시켜 상기 템플릿에 인가된 가압력을 해제하는 단계, 및 상기 내부공간의 온도를 하강시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 템플릿과 상기 기판은 서로 다른 재질을 포함하며, 상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시킨 후, 상기 템플릿을 상기 기판으로부터 이형하여 상기 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 템플릿과 상기 기판은 동일한 재질을 포함하며, 상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시켜, 상기 기판과 상기 템플릿이 서로 접합된 접합 기판을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 임프린트 공정에서 식각 공정이나 레지스트 제거 공정 등의 후처리 공정을 생략할 수 있어, 공정을 단축시켜 공정 효율성을 향상시키며 생산성도 향상시킬 수 있다.
특히, 템플릿과 기판의 표면을 세정한 후 직접 열가압 임프린트 공정을 수행하므로 접합면의 이물질 제거 및 표면 거칠기를 낮게 유지함으로써 접합력을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 롤 프레스로 템플릿의 상면을 가압함으로써 접합력을 향상시키는 것은 물론, 진공 분위기에서 온도 상승, 템플릿 가압, 가압력 해제 및 온도 하강의 순서로 접합력을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다. 특히, 이와 같은 순차적인 공정을 수행함으로써, 척, 템플릿 및 기판 사이의 서로 다른 열팽창계수로 인한 온도 상승/하강에 있어서의 열충격(thermal shock)을 최소화할 수 있다.
이에 따라, 템플릿과 기판의 서로 접합되어 하나의 접합 기판을 형성하며 미세 채널을 형성하는 경우 내구성을 향상시킬 수 있으며, 템플릿을 기판으로부터 이형하는 경우에도 기판에 형성되는 미세 패턴의 정밀도 및 나노 패턴의 형성이 가능하게 된다.
또한, 마지막 공정만 서로 다르게 수행함으로써, 상기 미세 채널의 형성 또는 상기 미세 패턴의 형성을 선택적으로 수행할 수 있어 이형 또는 접합 공정을 하나의 공정으로 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 직접 열가압 임프린트 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 도 1의 기판과 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 표면을 세정하는 단계를 도시한 공정도들이다.
도 4는 도 1의 템플릿과 기판을 챔버 내로 위치시키고 진공분위기를 만드는 단계를 도시한 공정도이다.
도 5는 도 1의 템플릿을 기판에 접촉시키는 단계를 도시한 공정도이다.
도 6은 도 1의 템플릿으로부터 척을 분리하는 단계, 및 템플릿의 상면을 가압하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 7은 도 1의 기판과 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계를 도시한 공정도이다.
도 8은 도 1의 직접 열가압 임프린트 방법으로 미세패턴을 형성하는 공정을 도시한 모식도이다.
도 9는 도 1의 직접 열가압 임프린트 방법으로 미세채널을 형성하는 공정을 도시한 모식도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 직접 열가압 임프린트 방법을 도시한 흐름도이다. 도 2는 도 1의 기판과 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계를 도시한 흐름도이다. 도 3a 및 도 3b는 도 1의 표면을 세정하는 단계를 도시한 공정도들이다. 도 4는 도 1의 템플릿과 기판을 챔버 내로 위치시키는 단계를 도시한 공정도이다. 도 5는 도 1의 템플릿을 기판에 접촉시키는 단계를 도시한 공정도이다. 도 6은 도 1의 템플릿으로부터 척을 분리하는 단계, 및 템플릿의 상면을 가압하는 단계를 도시한 공정도이다. 도 7은 도 1의 기판과 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계를 도시한 공정도이다.
도 1, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 실시예에 의한 직접 열가압 임프린트 방법에서는, 우선 기판(100)의 표면을 세정한다(단계 S10). 이 경우, 상기 기판(100) 뿐 아니라, 도시하지는 않았으나, 템플릿(200)의 표면도 동시에 세정한다.
즉, 상기 기판(100) 또는 상기 템플릿(200)의 표면에는 먼지나 유기 잔해물 등과 같은 다양한 이물질(101)이 잔류할 수 있으며, 이러한 이물질(101)은 후술되는 임프린트 공정에서 접합성을 저하시킬 수 있으므로, 선행적으로 제거되어야 한다.
이 경우, 상기 기판(100) 또는 상기 템플릿(200)의 표면은 습식 식각(wet etch) 공정 또는 건식 산소 플라즈마 노출 공정 등을 통해 세정될 수 있다.
한편, 상기 기판(100) 또는 상기 템플릿(200)의 표면은 접합성의 향상을 위해, 표면 거칠기(roughness)가 Ra=100nm 이하로 유지하는 것이 바람직하며, 이를 위해 별도의 폴리싱(polishing) 공정을 수행할 수 있다.
이 후, 도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 템플릿(200)을 척(210)에 고정하여, 상기 템플릿(200)과 상기 기판(100)을 챔버(10)의 내부공간(11)으로 위치시킨다(단계 S20).
이 경우, 상기 템플릿(200)은 상기 척(210)의 진공 흡착판에 의해 진공으로 흡착되어 고정된 상태에서, 상기 챔버(10)의 내부공간(11)으로 위치하고, 상기 기판(100)은 베이스 프레임(110)의 상면으로 로딩된다.
나아가, 상기 템플릿(200)과 상기 기판(100)이 상기 챔버(10)의 내부공간(11)으로 위치한 상태에서, 상기 내부공간(11)을 진공 분위기로 형성하고, 상기 템플릿(200) 및 상기 기판(100)의 표면을 산소 플라즈마로 최종적으로 친수성 처리한다. 그리하여, 추후 수행되는 접합 공정에서의 접합력을 향상시킬 수 있다.
이 후, 도 1 및 도 5를 참조하면, 챔버 내 진공분위기 하에서 상기 척(210)을 하강시켜 상기 템플릿(200)을 상기 기판(100)의 상면에 접촉시킨다(단계 S20).
그리하여, 도시된 바와 같이, 상기 템플릿(200)의 하면은 상기 기판(100)의 상면에 접촉하게 되며, 특히 상기 템플릿(200)의 하부에 형성된 돌출 패턴(202)은 상기 기판(100)의 상면에 접촉하게 된다.
이 후, 도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 척(210)을 상기 템플릿(200)의 상부로부터 분리하여 상승시킨다(단계 S40).
즉, 상기 템플릿(200)을 고정하던 상기 척(210)에 진공의 인가를 해제시키고 이에 따라 상기 척(210) 만을 상부방향으로 상승시켜 상기 템플릿(200)은 상기 기판(100)의 상면에 접촉한 상태를 유지하게 된다.
이 후, 마찬가지로 도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 척(210)이 상기 템플릿(200)의 상부로 이동한 후, 상기 템플릿(200)의 상면을 롤프레스 가압한다.
이 경우, 상기 내부공간(11)의 진공을 해제하고, 외부로부터 롤 프레스(300)를 도입하고, 상기 도입된 롤 프레스(300)를 상기 템플릿(200)의 상면 상에서 이송시킨다. 이 때, 상기 롤 프레스(300)는 왕복하여 반복적으로 이송시킬 수 있으며, 이를 통해 상기 템플릿(200)의 하면, 즉 돌출 패턴(202)의 하면과 상기 기판(100)의 상면 상의 계면의 접지력 또는 접합력은 향상된다.
즉, 상기와 같이 롤 프레스(300)를 통한 가압을 수행함으로써, 서로 접촉된 상기 템플릿(200)과 상기 기판(100) 사이의 공기트랩(air-trap)을 보다 효과적으로 제거하여, 계면의 접지력 또는 접합력을 향상시킬 수 있다.
이 후, 도 1, 도 2 및 도 7을 참조하면, 고온 고압 조건으로 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200)의 접합력을 향상시킨다(단계 S60).
보다 구체적으로, 상기 접합력을 향상시키는 단계에서는, 우선, 상기 챔버(10)의 내부공간(11)을 진공 분위기로 형성하고 내부공간(11)의 온도를 상승시킨다(단계 S61).
이 후, 상기 척(210)을 다시 상기 템플릿(200)의 상부로 하강하여 상기 템플릿(200)을 가압한다(단계 S62).
이 후, 일정 시간 동안 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200) 사이의 접합력을 향상시킨 이후에, 상기 척(210)을 상승시켜 상기 템플릿(200)에 인가된 가압력을 해제한다(단계 S63).
이 후, 상기 챔버(10)의 내부공간(11)의 온도를 하강시킨다(단계 S64).
즉, 이상과 같이 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200) 사이의 접합력 향상은, 내부공간 온도 상승 -> 템플릿 가압 -> 가압력 해제 -> 내부공간 온도 하강의 순서로 수행된다.
그리하여, 상기 템플릿(200)의 하면, 즉 상기 돌출 패턴(202)의 하면과 상기 기판(100)의 상면 사이의 접합력 내지 접지력을 향상된다.
한편, 본 실시예에서는, 상기 내부 공간(11)의 온도를 상승시킨 후 압력을 인가하고, 온도의 하강 전에 가압을 해제한다. 즉, 온도가 상승되어 소정 온도 이상의 환경에서 상기 척(210), 상기 템플릿(200) 및 상기 기판(100)이 열평형상태를 이룬 상태에서 가압을 수행하거나 가압을 해제함으로써, 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 척(210), 템플릿(200) 및 기판(100)이 온도의 상승 및 하강시의 열 충격(thermal shock)을 최소화할 수 있다.
이상과 같이, 직접 열가압 임프린트 방법을 통해 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200)을 직접 가압하여 접합할 수 있으며, 상기 공정을 통해서 형성할 수 있는 미세패턴 또는 미세채널에 대하여는 후술되는 도면을 참조하여 설명한다.
도 8은 도 1의 직접 열가압 임프린트 방법으로 미세패턴을 형성하는 공정을 도시한 모식도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 의한 직접 열가압 임프린트 방법을 통해, 미세 패턴을 형성하는 경우, 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200)의 접합력을 향상시키는 단계를 통해 상기 템플릿(200)의 돌출 패턴(202)은 상기 기판(100)의 상면을 통해 가압된다.
그리하여, 상기 기판(100)의 표면상에는 함입 패턴(102)이 형성된다.
이 후, 상기 템플릿(200)을 상기 척(210)을 이용하여 상기 기판(100)으로부터 이형하면, 상기 템플릿(200)의 돌출 패턴(202)이 전사된 함입 패턴(102)이 형성된 기판(100)을 제작할 수 있다.
이를 통해, 본 실시예에 의한 직접 열가압 임프린트 방법을 통해, 상기 기판(100) 상에 미세 패턴을 형성할 수 있다.
다만, 상기와 같은 미세 패턴의 형성 공정에서는, 상기 템플릿(200)과 상기 기판(100)은 서로 다른 재질을 포함하는 것이 바람직하며, 예를 들어, 상기 템플릿(200)이 메탈 재질이면 상기 기판(100)은 세라믹 재질일 수 있다.
또한, 상기 미세 패턴의 형성 공정에서는, 상기 기판(100)의 Tg(glass transition temp.)가 상기 템플릿(200)보다 충분히 낮은 것이 바람직하다. 또한, 이형을 위한 계면 표면 개질 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
도 9는 도 1의 직접 열가압 임프린트 방법으로 미세채널을 형성하는 공정을 도시한 모식도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 의한 직접 열가압 임프린트 방법을 통해, 미세 채널을 형성하는 경우, 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200)의 접합력을 향상시키는 단계를 통해 상기 템플릿(200)의 돌출 패턴(202)은 상기 기판(100)의 상면에 접합력이 향상된다.
그리하여, 상기 기판(100)과 상기 템플릿(200)은 서로 접합되어 접합 기판(400)을 형성하게 되며, 상기 접합 기판(400)은 일체로서 내부에 미세 채널(401)이 형성되는 형태로 제작된다.
다만, 상기와 같은 미세 채널의 형성 공정에서는, 상기 템플릿(200)과 상기 기판(100)은 서로 동일한 재질을 포함하는 것이 바람직하며, 예를 들어, 상기 템플릿(200)이 세라믹 재질이면 상기 기판(100)은 세라믹 재질, 상기 템플릿(200)이 메탈 재질이면 상기 기판(100)은 메탈 재질일 수 있다.
또한, 상기 미세 채널의 형성 공정에서는, 상기 기판(100)의 Tg(glass transition temp.) 및 녹는점은 상기 템플릿(200)과 유사하거나 같은 것이 바람직하다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 임프린트 공정에서 식각 공정이나 레지스트 제거 공정 등의 후처리 공정을 생략할 수 있어, 공정을 단축시켜 공정 효율성을 향상시키며 생산성도 향상시킬 수 있다.
특히, 템플릿과 기판의 표면을 세정한 후 직접 열가압 임프린트 공정을 수행하므로 접합면의 이물질 제거 및 표면 거칠기를 낮게 유지함으로써 접합력을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 롤 프레스로 템플릿의 상면을 가압함으로써 접합력을 향상시키는 것은 물론, 진공 분위기에서 온도 상승, 템플릿 가압, 가압력 해제 및 온도 하강의 순서로 접합력을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다. 특히, 이와 같은 순차적인 공정을 수행함으로써, 척, 템플릿 및 기판 사이의 서로 다른 열팽창계수로 인한 온도 상승/하강에 있어서의 열충격(thermal shock)을 최소화할 수 있다.
이에 따라, 템플릿과 기판의 서로 접합되어 하나의 접합 기판을 형성하며 미세 채널을 형성하는 경우 내구성을 향상시킬 수 있으며, 템플릿을 기판으로부터 이형하는 경우에도 기판에 형성되는 미세 패턴의 정밀도 및 나노 패턴의 형성이 가능하게 된다.
또한, 마지막 공정만 서로 다르게 수행함으로써, 상기 미세 채널의 형성 또는 상기 미세 패턴의 형성을 선택적으로 수행할 수 있어 이형 또는 접합 공정을 하나의 공정으로 수행할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 직접 열가압 임프린트 방법은 미세패턴의 형성 또는 미세채널의 형성에 사용될 수 있는 산업상 이용 가능성을 갖는다.
10 : 챔버 11 : 내부 공간
100 : 기판 101 : 이물질
110 : 베이스 프레임 102 : 함입 패턴
200 : 템플릿 202 : 돌출 패턴
210 : 척 300 : 롤 프레스
400 : 접합 기판 401 : 미세채널

Claims (10)

  1. 템플릿과 기판의 표면을 세정하는 단계;
    상기 템플릿을 척에 고정하여 상기 기판과 함께 진공 분위기로 형성된 챔버의 내부공간으로 위치시키는 단계;
    상기 템플릿을 기판에 접촉시키는 단계;
    상기 템플릿을 상기 척으로부터 분리하는 단계;
    상기 내부공간의 진공을 해제하고 롤 프레스를 상기 템플릿의 상면에서 이송시켜 상기 기판에 접촉한 상기 템플릿의 상면을 가압하는 단계; 및
    상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시키는 단계를 포함하고,
    상기 접합력을 향상시키는 단계는,
    상기 내부공간을 진공 분위기로 다시 형성하고 온도를 상승시키는 단계;
    상기 척을 다시 하강하여 상기 템플릿을 가압하는 단계;
    상기 척을 다시 상승시켜 상기 템플릿에 인가된 가압력을 해제하는 단계; 및
    상기 내부공간의 온도를 하강시키는 단계를 포함하는 직접 열가압 임프린트 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 템플릿과 기판의 표면을 세정하는 단계에서,
    습식 식각(wet etch) 공정 또는 건식 산소 플라즈마 노출 공정을 통해 상기 템플릿과 상기 기판의 표면의 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 직접 열가압 임프린트 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 챔버의 내부공간으로 위치시키는 단계에서,
    상기 템플릿을 상기 척의 진공 흡착판에 고정하여 상기 내부공간으로 위치시키고, 상기 기판은 상기 내부공간에 위치한 베이스 프레임 상에 위치시키는 것을 특징으로 하는 직접 열가압 임프린트 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 챔버의 내부공간으로 위치시키는 단계에서,
    상기 템플릿 및 상기 기판의 표면을 산소플라즈마로 친수성 처리하는 것을 특징으로 하는 직접 열가압 임프린트 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 템플릿을 상기 척으로부터 분리하는 단계에서,
    상기 척으로 인가되는 진공을 해제시켜 상기 척만 상승시키는 것을 특징으로 하는 직접 열가압 임프린트 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 템플릿과 상기 기판은 서로 다른 재질을 포함하며,
    상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시킨 후, 상기 템플릿을 상기 기판으로부터 이형하여 상기 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 직접 열가압 임프린트 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 템플릿과 상기 기판은 동일한 재질을 포함하며,
    상기 기판과 상기 템플릿의 접합력을 향상시켜, 상기 기판과 상기 템플릿이 서로 접합된 접합 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 직접 열가압 임프린트 방법.



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