KR100431357B1 - 진공척 - Google Patents

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KR100431357B1
KR100431357B1 KR10-2001-0034284A KR20010034284A KR100431357B1 KR 100431357 B1 KR100431357 B1 KR 100431357B1 KR 20010034284 A KR20010034284 A KR 20010034284A KR 100431357 B1 KR100431357 B1 KR 100431357B1
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유기룡
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로체 시스템즈(주)
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

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Abstract

본 발명은 처리되는 기판에 오염을 유발하지 않는 진공척을 제공하기 위한 것으로서, 각각 일정한 크기의 메쉬를 갖는 다수의 메쉬 플레이트를 적층(積層)하고 가열, 압축하여 형성되는 진공척을 특징으로 한다.
또한 상기 메쉬 플레이트의 메쉬 크기는 가열, 압축후에도 변하지 않는 것을 특징으로 하며, 메쉬 플레이트의 재료는 SUS304, 스틸, PE 중에 하나인 것이 바람직하다.
이와 같은 진공척은 소결 입자가 아닌 메쉬 플레이트로 형성되어 입자에 의한 기판의 오염이 없고 저렴하며, 특히 레이저 조사시에 산화가 없는 효과가 있다.

Description

진공척{VACUUM CHUCK}
본 발명은 반도체 또는 LCD 등의 제조에 있어서 워크 테이블로 사용되는 진공척에 관한 것으로서, 특히 메쉬 형태의 플레이트를 다층으로 적층하여 이루어지는 다층 진공척에 관한 것이다.
종래의 진공척은 금속 입자를 판(板)의 형태로 압착하여 소결(燒結)시켜 이루어진다. 이러한 진공척은 입자와 입자의 사이를 통하여 공기의출입이 이루어져 진공 또는 진공해제 상태가 되어 진공척 상에 놓여지는 반도체 기판 또는 유리 기판을 고정시켜 기판을 가공하게 된다.
그러나 진공 또는 진공해제 상태를 반복하게 되면 진공척을 구성하는 소결된 입자 사이의 소결력이 약해져 진공척에서 입자가 떨어져 나오게 된다. 떨어진 입자는 기판에 붙어 기판에 손상을 주거나 기판의 오염원이 된다. 이러한 기판의 손상 또는 오염은 반도체나 LCD의 수율에 치명적인 해를 가져 온다.
또한 종래의 진공척은 금속 소결체로 이루어져 그 크기에 제한이 있었다. 즉이 압착, 소결하는 데에 있어서의 기술적인 어려움으로 인하여 최대 500 x 500 정도의 진공척을 만드는 데에 불과하다. 이러한 크기로서는 대구경화 및 대형화하는 반도체 및 LCD의 기판에 대응하기 어렵다.
또한 최근 LCD 기판인 유리를 커팅하는 데에 레이저빔이 많이 사용하는 데, 종래의 진공척은 구성하는 금속 소결체가 레이저빔을 흡수하여 산화하여 버린다. 이에 따라 진공척  표면의  불규칙한  표면형태가  발생할  수  있으며  계속적인 레이저 조사시에 전체적인 표면의 평탄도에 영향을 끼친다. 예를 들어 세라믹 소결인 경우에 레이저빔의 흡수율로 인한 산화 등이다.
또 분말 소결 제작시 필요한 진공로 사이즈에 제한이 있는 생산시설에 의하여 제작되는 진공척은 고가라는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위한 것으로서 기판을 오염시키지 않는 진공척을 제공하기 위한 것이다. 또 대형화하는 기판의 크기에 유연하게 대처할 수 있고 저렴한 진공척을 제공하고자 하는 것이다.
도1은 본 발명의 진공척의 제조방법을 나타내는 도면,
도2는 완성된 본 발명의 진공척을 나타내는 도면,
도3은 본 발명의 진공척의 다른 형태를 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 메쉬 플레이트 2 : 진공척
3 : 진공척
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 각각 일정한 크기의 메쉬를 갖는 다수의 메쉬 플레이트를 적층(積層)하고 가열, 압축하여 형성되는 진공척을 제공한다.
또한, 상기 메쉬 플레이트의 메쉬 크기는 가열, 압축후에도 변하지 않는 것이 바람직하다.
메쉬 플레이트의 재료로서는 SUS304, 스틸, PE 중에 하나인 것이 바람직하다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
본 발명의 진공척은 도1에 나타내는 바와 같이 메쉬 플레이트를 다층으로 적층하여 진로로 내에서 가열하면서 가압하여 하나의 플레이트(도2)를 형성함으로써 이루어진다.
이 때의 가열 온도는 메쉬 플레이트의 각 메쉬가 변형되지 않을 정도의 온도가 적당하다. 메쉬가 변형될 정도의 온도로 가열하면, 메쉬가변형되어 진공척상에 놓여지는 기판을 균등한 압력으로 지지할 수 없기 때문이다.
메쉬 플레이트의 층수는 특별히 제한되지 않고 메쉬의 크기에 따라서 적당히 조절할 수 있다. 여기에서 메쉬의 단위는 공기의 입자 통과구 크기나 평방인치당 홀의 수를 나타낸다.
또한 메쉬 플레이트의 메쉬 크기는 각각 다르게 할 수 있다.
예를 들어 맨 위의 메쉬 플레이트의 메쉬를 100mesh으로 하고 맨 밑의 메쉬 플레이트의 메쉬를 20mesh 등으로 할 수 있다.
또한 메쉬 플레이트의 재료로서는 SUS304, 강철(Steel), PE(Polyestere) 등을 사용할 수 있다. 이러한 재료는 레이저빔에 의하여 산화되지 않는다.
도1, 2에서는 진공척의 형태를 4각형으로 하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 도3과 같이 원형으로 하여 반도체 기판에 대한 진공척으로 사용될 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 진공척은 메쉬 플레이트를 사용하여 제조됨으로써 파티클을 발생하지 않아 기판을 오염시키지 않는 우수한 효과가 있다. 또한 메쉬의 크기를 요구사양에 맞춰 일정하게 유지할 수 있으므로 진공척의 전 표면에 걸쳐서 동일한 압력을 인가할 수 있으므로 기판을정확하게 지지할 수 있고 따라서 기판의 변형이 없다. 특히 전면 흡착 효과를 발휘하는 곳에 알맞제 사용될 수 있다.
또한 메쉬 플레이트의 재질로서 SUS304 등을 사용함으로써 레이저빔에 의하여도 산화되지 않는 진공척을 제공할 수 있다.
또한 메쉬 플레이트를 사용하여 제조됨으로서 그 크기에 대한 제한이 크게 없어 기판의 대형화에 유연하게 대응할 수 있다.
또한 메쉬 플레이트를 사용함으로써 기존의 금속 소결체를 사용하는 진공척보다 가격이 저렴하다. 단판 메쉬 플레이트는 방충망의 제조와 같이 직물제조와 같은 공정으로 제작됨으로 저렴하게 제작할 수 있기 때문이다.

Claims (3)

  1. 각각 일정한 크기의 메쉬를 갖는 다수의 메쉬 플레이트를 적층(積層)하고 가열, 압축하여 형성되는 진공척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메쉬 플레이트의 메쉬 크기는 가열, 압축후에도 변하지 않는
    것을 특징으로 하는 진공척.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 메쉬 플레이트의 재료는 SUS304, 스틸, PE 중에 하나인
    것을 특징으로 하는 진공척.
KR10-2001-0034284A 2001-06-18 2001-06-18 진공척 KR100431357B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5350479A (en) * 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
JPH07273164A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Ngk Insulators Ltd 電極埋設品及びその製造方法
JPH09134951A (ja) * 1995-09-06 1997-05-20 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JPH09223729A (ja) * 1996-02-19 1997-08-26 Kyocera Corp 静電チャック
JPH1072260A (ja) * 1995-11-01 1998-03-17 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム焼結体、金属包含材、静電チャック、窒化アルミニウム焼結体の製造方法および金属包含材の製造方法
JP2000158275A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Kyocera Corp 静電チャック

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5350479A (en) * 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
JPH07273164A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Ngk Insulators Ltd 電極埋設品及びその製造方法
JPH09134951A (ja) * 1995-09-06 1997-05-20 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JPH1072260A (ja) * 1995-11-01 1998-03-17 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム焼結体、金属包含材、静電チャック、窒化アルミニウム焼結体の製造方法および金属包含材の製造方法
JPH09223729A (ja) * 1996-02-19 1997-08-26 Kyocera Corp 静電チャック
JP2000158275A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Kyocera Corp 静電チャック

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220040341A (ko) 2020-09-23 2022-03-30 주식회사 디에프에이 웨이퍼용 투명 진공척
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