KR101917927B1 - Transfer method of nanostructure - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 나노구조체의 이동방법은 a) 외주면에 고분자기판이 형성된 롤러를 회전시키는 단계; 및 b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계로 이루어져, 상기 고분자기판과 상기 나노구조체 간의 정전기력으로, 상기 나노구조체를 상기 지지체 상부에서 상기 고분자기판의 일면으로 이동시키는 것을 특징으로 한다. A method of moving a nanostructure according to the present invention comprises the steps of: a) rotating a roller having a polymer substrate on its outer surface; And b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located on the support. The nanostructure is moved from the upper surface of the support to the surface of the polymer substrate by electrostatic force between the polymer substrate and the nanostructure, do.
Description
본 발명은 나노구조체의 이동방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기력을 이용한 나노구조체의 이동방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of moving a nanostructure, and more particularly, to a method of moving a nanostructure using an electrostatic force.
나노구조체는 나노 크기의 도트, 와이어, 시트 형태를 갖는 물질로서 다양한 전자 소자 분야로의 응용 가능성을 가진다. 특히 나노선 네트워크 소자는 나노선을 이용한 트랜지스터 또는 센서 등의 다양한 산업 분야에 적용할 수 있어 크게 주목 받고 있으며 현재 전세계적으로 많은 연구가 진행되고 있는 분야이다.The nanostructures are nanoscale dot, wire, and sheet-like materials and have applicability to various electronic device fields. In particular, nanowire network devices are attracting much attention because they can be applied to various industrial fields such as transistors or sensors using nanowires, and many researches are currently being carried out in the world.
기존의 실리콘 기반의 트랜지스터는 그 성능이 이미 어느 정도의 한계에 이르렀기 때문에, 기존 소자 성능의 한계를 극복할 수 있는 차세대 소자로서 나노 물질이라는 새로운 개념과 구조가 제안되었고 이에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. Since the performance of the conventional silicon-based transistor has already reached a certain limit, a new concept and structure of a nanomaterial as a next-generation device that can overcome the limitations of the existing device performance has been proposed, have.
이러한 차세대 소자로서 나노물질(nanomaterial)이 각광받고 있고, 특히 일차원(1-D) 구조를 가진 나노선에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 나노선은 우수한 전기적, 광학적 성질을 가진 동시에 화학물질과 에너지 밴드 구조(band structure)를 구별하는 데 있어서 그 선택비(selectivity)가 크고, 결정질(cryatalline quality)과 전하 운반체(charge carrier)의 이동성(mobility)이 우수하기 때문에, 센서, 트랜지스터 등 다양한 나노 소자에서 활용이 되고 있다. As a next-generation device, nanomaterials are attracting attention, and research on nanowires having a one-dimensional (1-D) structure has been actively conducted. The nanowire has excellent electrical and optical properties and has a high selectivity in distinguishing between a chemical substance and an energy band structure and has a high selectivity for cryatalline quality and charge carrier mobility mobility), it is used in various nano devices such as sensors and transistors.
나노 구조체의 또 다른 장점은 나노 물질을 성장시키고 난 후 그 물질을 저온에서 원하는 기판으로 옮길 수 있기 때문에, 기존 실리콘 기반의 높은 공정 온도로 인해 발생하는 다양한 한계에서 벗어날 수 있다. Another advantage of the nanostructures is that they can escape from the various limitations that arise from the high silicon-based process temperatures, since the nanomaterials can be grown and then transferred from the low temperature to the desired substrate.
또한 고분자와 같은 물질로 이루어진 휘어지는 플렉서블 기판(flexible substrate)을 사용하여 높은 온도에서 공정을 수행하면 기판의 변형이 발생하기 때문에 기존 실리콘 기반의 공정 방법을 적용하는데에 있어서 그 한계가 있다. In addition, when a flexible substrate made of a material such as a polymer is used to perform a process at a high temperature, deformation of the substrate occurs, which limits the application of the conventional silicon-based process.
그러나 나노물질을 플렉서블 기판에 접촉시켜 옮기는 방법을 사용하면 낮은 온도에서도 공정이 가능하기 때문에 플렉서블 기판을 사용하는 다양한 산업 분야에 있어서 이점이 있을 것으로 예상된다.However, using nanomaterials in contact with and transferring them to flexible substrates is expected to be beneficial in a variety of industries that use flexible substrates because they can be processed at lower temperatures.
나노선 트랜지스터를 제조하기 위해서, 임의적으로 위치한 나노선 하나를 찾아내서 전자-빔 리소그래피(electron beam lithography)를 사용할 수 있다. 그러나, 이 경우 소자 제조에 걸리는 시간이 너무 길고 한 번에 소자 한 개밖에 만들 수 없기 때문에 대량 생산하기가 어렵다는 점에서, 전자 산업에의 실질적으로 적용과 응용이 힘들다. To fabricate a nanowire transistor, one can locate an arbitrarily positioned nanowire and use electron beam lithography. However, in this case, it takes a long time to manufacture the device and it is difficult to apply the device practically to the electronic industry because it is difficult to mass-produce the device because only one device can be made at a time.
이를 해결하기 위해서, (예를 들어 나노선들이 서로 얽혀 있는 형태를 갖는) 나노선 네트워크를 이용한 소자를 연구하고자 하는 노력이 활발히 이루어지고 있다. In order to solve this problem, efforts have been actively made to study devices using a nanowire network (for example, nanowires intertwined).
나노선 네트워크를 형성하는 방법으로는, 나노선이 성장된 기판을 원하는 다른 기판 위에 눌러 나노선을 찍어내는 스탬핑(stamping) 공정을 이용하는 방법과, 액체 용매에 분산된 나노선을 이용하는 방법, 성장 기판을 직접 나노선에 압력을 가하여 옮겨찍어 나노선 네트워크를 형성하는 방법 등이 있다. As a method of forming the nanowire network, there are a method of using a stamping process in which a substrate on which a nanowire has been grown is pressed onto another desired substrate to print a nanowire, a method using nanowires dispersed in a liquid solvent, And a method of forming a network of nanowires by transferring the nanowire by directly pressing the nanowire.
그러나, 이러한 방법은 원하는 곳에 원하는 패턴으로 정렬시키기가 어렵고, 나노선을 옮겨찍는 과정시 나노선의 구조적 손상이 발생할 수 있고, 기판과 나노선과의 접착력 강화를 위해 접착제를 도포하므로 최종 제조된 소자의 전기적 성능, 광학적 성능이 저하되는 문제점이 있다. However, this method is difficult to align with a desired pattern in a desired place, and structural damage of the nanowire may occur during the process of transferring the nanowire. Since the adhesive is applied to enhance adhesion between the substrate and the nanowire, Performance, and optical performance are deteriorated.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 정전기력을 이용한 나노구조체의 이동방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of moving a nanostructure using an electrostatic force.
또한 본 발명은 나노구조체의 이동방법을 이용한 나노구조체 복합층의 제조방법을 제공함에 있다. The present invention also provides a method for manufacturing a nanostructure composite layer using a nanostructure migration method.
한편, 본 발명의 명시되지 않은 또 다른 목적들은 하기의 상세한 설명 및 그 효과로부터 용이하게 추론할 수 있는 범위 내에서 추가적으로 고려될 것이다.On the other hand, other unspecified purposes of the present invention will be further considered within the scope of the following detailed description and easily deduced from the effects thereof.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법은 a) 외주면에 고분자기판이 형성된 롤러를 회전시키는 단계; 및 b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계로 이루어져, 상기 고분자기판과 상기 나노구조체 간의 정전기력으로, 상기 나노구조체를 상기 지지체 상부에서 상기 고분자기판의 일면으로 이동시키는 것을 특징으로 한다. In order to accomplish the above object, a method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: a) rotating a roller having a polymer substrate on its outer surface; And b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located on the support. The nanostructure is moved from the upper surface of the support to the surface of the polymer substrate by electrostatic force between the polymer substrate and the nanostructure, do.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 a) 단계에서, 상기 롤러의 회전시 상기 고분자기판을 양전하로 대전되는 지지체에 마찰시킬 수 있다. In the method of moving the nanostructure according to an embodiment of the present invention, in the step a), the polymer substrate may be rubbed against the support which is positively charged when the roller is rotated.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 지지체는 직물 및 부직포 중에서 선택되는 하나 이상인 것일 수 있다. In the method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention, the support may be one or more selected from a fabric and a nonwoven fabric.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 고분자기판은 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 형성될 수 있다. In the method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention, the polymer substrate may be at least one selected from the group consisting of polyethylene, low density polyethylene, linear low density polyethylene, ultra high molecular weight polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, May be formed of any one or a mixture of two or more selected from the group consisting of acetal, polyamide, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyethersulfone, polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide and polyethylene naphthalate .
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 고분자기판은 상기 롤러의 외측 방향으로 돌출된 나노구조체 접촉부를 포함할 수 있다. In the method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention, the polymer substrate may include a nanostructure contact portion protruding outwardly of the roller.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 나노구조체 접촉부는 규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다. In the method of moving a nanostructure according to an exemplary embodiment of the present invention, the nanostructure contact portion may include any one or two selected from a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, or a line shape Or more.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 고분자기판 및 상기 롤러 사이에 대전방지층이 형성될 수 있다. In the method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention, an antistatic layer may be formed between the polymer substrate and the roller.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 나노구조체는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상일 수 있다. In the method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention, the nanostructure may be one or more selected from nanowires, nanorods, and nanotubes.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동방법에 있어, 상기 b) 단계에서, 상기 나노구조체를 안착시키는 기판을 더 포함하며, 상기 기판은 상기 나노구조체와 상기 지지체 사이에 위치할 수 있다.In the method of moving the nanostructure according to an embodiment of the present invention, in the step b), the substrate may be positioned between the nanostructure and the support.
또한 본 발명은 상술한 나노구조체의 이동방법을 이용한 나노구조체 복합층의 제조방법을 포함한다. The present invention also includes a method for fabricating a nanostructure composite layer using the nanostructure migration method described above.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법은, a) 외주면에 고분자기판이 형성된 롤러를 회전시키는 단계; b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계; 및 c) 상기 롤러로부터 상기 고분자기판을 분리하는 단계를 포함하며, 상기 고분자기판과 상기 나노구조체 간의 정전기력으로, 상기 나노구조체를 상기 지지체 상부에서 상기 고분자기판의 일면으로 이동시키는 것을 특징으로 한다. A method of fabricating a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention includes the steps of: a) rotating a roller having a polymer substrate on its outer surface; b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located on the support; And c) separating the polymer substrate from the roller. The electrostatic force between the polymer substrate and the nanostructure moves the nanostructure from one side of the support to the other side of the polymer substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 c) 단계 이후에, d) 상기 나노구조체의 표면을 금속 소스를 이용하여 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the method for fabricating a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, after step (c), d) coating the surface of the nanostructure using a metal source.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 a) 단계에서, 상기 롤러의 회전시 상기 고분자기판을 양전하로 대전되는 지지체에 마찰시킬 수 있다. In the method of manufacturing a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, in the step (a), the polymer substrate may be rubbed against a support which is positively charged when the roller is rotated.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 지지체는 직물 및 부직포 중에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. In the method of fabricating the nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the support may be at least one selected from a fabric and a nonwoven fabric.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 고분자기판은 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 형성될 수 있다. In the method of fabricating the nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the polymer substrate may be a high-density polyethylene, a low-density polyethylene, a linear low-density polyethylene, an ultra-high molecular weight polyethylene, a polypropylene, a polyethylene terephthalate, a polybutylene terephthalate, Is formed of any one or a mixture of two or more selected from the group consisting of esters, polyacetals, polyamides, polycarbonates, polyimides, polyether ether ketones, polyethersulfone, polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide and polyethylene naphthalate .
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 고분자기판은 상기 롤러의 외측 방향으로 돌출된 나노구조체 접촉부를 포함할 수 있다. In the method of fabricating the nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the polymer substrate may include a nanostructure contact portion protruding outwardly of the roller.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 나노구조체 접촉부는 규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다. In the method of fabricating the nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the nanostructure contact portion may be formed of any one selected from a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, or a line shape Or two or more.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 고분자기판과 상기 롤러 사이에 대전방지층이 형성될 수 있다. In the method of manufacturing a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, an antistatic layer may be formed between the polymer substrate and the roller.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 나노구조체는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상일 수 있다. In the method of fabricating a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the nanostructure may be one or more selected from nanowires, nanorods, and nanotubes.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 나노구조체 복합층은 규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다. In the method of fabricating a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the nanostructure complex layer may be formed of a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, or a line shape One or two or more.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 랜덤한 메쉬 형상은 상기 나노구조체가 불규칙적으로 얽힌 그물망 구조를 포함할 수 있다. In the method of fabricating the nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, the random mesh shape may include a network structure in which the nanostructures are irregularly intertwined.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 b) 단계에서, 상기 나노구조체를 안착시키는 기판을 더 포함하며, 상기 기판은 상기 나노구조체와 상기 지지체 사이에 위치할 수 있다.In the method for fabricating a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, in the step b), a substrate for mounting the nanostructure may be further included, and the substrate may be positioned between the nanostructure and the support have.
본 발명에 따른 나노구조체의 이동방법은 접착제를 사용하지 않고 높은 압력을 가하지 않으므로, 이동된 나노구조체는 전기적, 광학적, 및 기계적 물성이 유지될 수 있다. The method of moving the nanostructure according to the present invention does not use an adhesive and does not apply a high pressure, so that the transferred nanostructure can maintain electrical, optical, and mechanical properties.
또한 본 발명에 따른 나노구조체의 이동방법은 간소화된 공정을 이용하므로, 신속한 공정진행이 가능하며, 또한 나노구조체 분산공정 등이 요구되지 않으므로, 제조공정의 경제성이 향상된다. In addition, since the method of moving the nanostructure according to the present invention uses a simplified process, it is possible to perform a rapid process, and a nanostructure dispersion process and the like are not required, thereby improving the economical efficiency of the manufacturing process.
또한 본 발명에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법은 전기적, 광학적, 및 기계적 물성이 우수한 나노구조체의 특성을 그대로 유지하여 최농 나노구조체 복합층을 제조할 수 있다. In addition, the method for preparing a nanostructure composite layer according to the present invention can produce a nanostructure composite layer of the best concentration by maintaining the characteristics of the nanostructure excellent in electrical, optical, and mechanical properties.
한편, 여기에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 이하의 명세서에서 기재된 효과 및 그 잠정적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급됨을 첨언한다.On the other hand, even if the effects are not explicitly mentioned here, the effect described in the following specification, which is expected by the technical features of the present invention, and its potential effects are treated as described in the specification of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 이동방법의 공정 순서도이며,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 이동방법의 공정을 도시한 모식도이며,
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동 전 SEM 사진이며,
도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동 후 SEM 사진이며,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 도시한 단면도이며,
도 5(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 닷형 나노구조체 접촉부를 포함하는 롤러를 도시한 사시도이며,
도 5(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 나노구조체 접촉부를 포함하는 롤러를 도시한 사시도이며,
도 5(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬형 나노구조체 접촉부를 포함하는 롤러를 도시한 사시도이다.FIG. 1 is a process flow diagram of a method of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a schematic diagram showing a process of a nanostructure moving method according to an embodiment of the present invention,
3 (a) is a SEM image of a nanostructure before migration according to an embodiment of the present invention,
3 (b) is a SEM image of the nanostructure according to an embodiment of the present invention after movement,
4 is a cross-sectional view of a roller according to an embodiment of the present invention,
FIG. 5 (a) is a perspective view illustrating a roller including a dot-type nano structure contact portion according to an embodiment of the present invention,
5 (b) is a perspective view illustrating a roller including a linear nanostructure contact portion according to an embodiment of the present invention,
5 (c) is a perspective view illustrating a roller including a contact portion of a mesh-like nanostructure according to an embodiment of the present invention.
이하 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예 및 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 또한, 본 발명의 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail. The following embodiments and drawings are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. In addition, unless otherwise defined in the technical and scientific terms used herein, unless otherwise defined, the meaning of what is commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs is as follows, A description of known functions and configurations that may unnecessarily obscure the gist of the present invention will be omitted.
또한, 본 발명에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 발명에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계를 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.Furthermore, the singular expressions used in the present invention include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present invention, terms such as "comprising" or "comprising" and the like should not be construed as encompassing various elements or various steps of the invention, Or may further include additional components or steps.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals designate like or similar elements throughout the several views, and redundant description thereof will be omitted
본 발명을 서술함에 있어, 용어 "나노구조체"는 나노미터 크기를 가지며, 0 차원, 1차원, 2차원, 및 3차원 구조체 중 적어도 하나 이상을 가지는 구조체를 의미할 수 있다. 여기서, 0 차원 구조체로는 나노도트가 포함될 수 있으며, 1차원 구조체로는 나노와이어, 나노막대, 나노튜브 등이 포함될 수 있으며, 2차원 구조체로는 나노시트, 나노리본, 나노벨트, 나노링, 그래핀(graphene) 등이 포함될 수 있으며, 3차원 고조체로는 나노뿔, 버키볼 등이 포함될 수 있다. In describing the present invention, the term "nanostructure" refers to a structure having at least one of a zero-dimensional, one-dimensional, two-dimensional, and three-dimensional structure having a nanometer size. Here, the 0-dimensional structure may include nano-dots. The 1-dimensional structure may include nanowires, nanorods, nanotubes, and the 2-dimensional structures include nanosheets, nanoribbons, Graphene, and the like, and the three-dimensional high-level body may include nano horns, bucky balls, and the like.
본 출원인은 물리적 및 전기적 접촉에 의한 나노구조체의 이동방법을 연구함에 있어, 기존의 나노구조체 이동공정은 나노구조체를 이동시키기 위해 기판 상에 접착제를 도포하여 이동시키거나, 기판의 탄성력과 접착력을 이용한 압착방식으로 나노구조체를 이동시키는 것을 확인하였다. In studying the method of moving a nanostructure by physical and electrical contact, the present applicant has proposed a method of moving a nanostructure by moving an adhesive on a substrate to move the nanostructure, or by using the elastic force and adhesion force of the substrate It was confirmed that the nanostructure was moved by the compression method.
그러나 이와 같은 기존의 나노구조체 이동방법은 접착제에 의해 이동된 나노구조체의 성능 및 품위를 저하시키며, 또한 압착방식시 나노구조체에 강한 압력을 가하므로 나노구조체의 손상이 야기되는 문제점이 발생하였다. However, such a conventional nanostructure transfer method lowers the performance and quality of the nanostructure transferred by the adhesive, and also causes a problem in that the nanostructure is damaged due to a strong pressure on the nanostructure during the pressing method.
본 출원인은 대전된 고분자기판을 나노구조체와 접촉시키는 경우, 고분자기판과 나노구조체 간의 정전기적 인력에 의해, 나노구조체가 고분자기판의 표면으로 이동되는 현상을 발견하였다. 또한, 이러한 원리를 이용하는 경우 기존의 나노구조체 이동방법의 문제점인 나노구조체의 성능 및 품위 저하, 나노구조체의 손상 등을 해결할 수 있었다. When the charged polymer substrate is brought into contact with the nanostructure, the applicant has discovered that the nanostructure moves to the surface of the polymer substrate due to the electrostatic attraction between the polymer substrate and the nanostructure. In addition, when using this principle, the performance and degradation of the nanostructure, damage of the nanostructure, and the like, which are problems of the conventional method of moving the nanostructure, can be solved.
본 발명에 따른 나노구조체의 이동방법은 a) 외주면에 고분자기판이 형성된 롤러를 회전시키는 단계; 및 b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계를 포함한다.A method of moving a nanostructure according to the present invention comprises the steps of: a) rotating a roller having a polymer substrate on its outer surface; And b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located above the support.
이 때, 상기 나노구조체는 상기 b) 단계의 접촉 시, 상기 고분자기판과의 마찰에 의해 상기 고분자기판과 극성이 다른 전하가 형성되며, 극성이 서로 다른 전하에 의해 발생되는 정전기력에 의해 상기 나노구조체는 상기 지지체 상부에서 상기 고분자기판의 일면으로 이동될 수 있다. At this time, when the nanostructure is brought into contact with the polymer substrate in the step b), charges having different polarity from the polymer substrate are formed by friction with the polymer substrate, and electrostatic force generated by charges having different polarities causes the nanostructure Can be moved to one side of the polymer substrate on the support.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 이동방법의 공정 순서도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 이동방법의 공정을 도시한 모식도이며, 도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동 전 SEM 사진이며, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 이동 후 SEM 사진이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 도시한 단면도이며, 도 5(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 닷형 나노구조체 접촉부를 포함하는 롤러를 도시한 사시도이며, 도 5(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 나노구조체 접촉부를 포함하는 롤러를 도시한 사시도이며, 도 5(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬형 나노구조체 접촉부를 포함하는 롤러를 도시한 사시도이다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Figs. 1 to 4. Fig. 2 is a schematic diagram illustrating a process of a nanostructure moving method according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 (a) is a schematic view illustrating a process of moving a nanostructure according to an embodiment of the present invention. 3 (b) is a SEM photograph of a nanostructure according to an embodiment of the present invention after movement of the nanostructure according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross- 5 (a) is a perspective view showing a roller including a dodged nanostructure contact portion according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view showing a roller according to an embodiment of the present invention, FIG. 5C is a perspective view illustrating a roller including a mesh-type nanostructure contact portion according to an embodiment of the present invention. FIG. 5C is a perspective view illustrating a roller including a nanostructure contact portion.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체의 제조방법은 롤러 회전 단계(S10) 및 고분자기판과 나노구조체의 접촉 단계(S20)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a nanostructure according to an embodiment of the present invention may include a step of rotating a roller (S10) and a step (S20) of contacting a polymer substrate and a nanostructure.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 롤러 회전 단계(S10)는 외주면에 고분자기판(110)이 형성된 롤러(100)를 회전시키는 단계를 의미할 수 있다. 이때, 상기 롤러(100)가 구동수단(미도시)에 의해 회전됨으로써 상기 고분자기판(100)은 지지체(300)의 상부을 따라 이동할 수 있으며, 상기 고분자기판(100)은 상기 지지체(300)의 상부에 상기 롤러(100)와 이격되어 위치된 나노구조체(200)와 접촉할 수 있다. As shown in FIG. 2, the roller rotating step S10 may mean rotating the
한편, 도 2에 따로 도시하지는 않았지만, 상기 지지체(300) 및 나노구조체(200)는 상기 롤러(100)의 이동방향과 반대방향으로 이동할 수 있다. 또한, 상기 롤러(100)는 제자리에서 회전 가능하도록 배치되고, 상기 지지체(300) 및 나노구조체(200)는 도 2에 도시된 상기 롤러(100)의 이동방향과 반대방향으로 이동할 수 있다. 이때, 상기 지지체(300)의 하면에 상기 롤러(100)의 위치와 대응되게 다른 롤러(미도시)가 위치할 수 있다. 2, the
또한, 본 발명의 일 실시예에 있어, 상기 롤러 회전 단계(S10) 단계시, 상기 고분자기판(110)을 상기 고분자기판(110)과 마찰시 양전하로 대전되는 지지체(300)에 마찰시킬 수 있다. 이때, 상기 고분자기판(110)은 음전하로 대전되어 전자를 얻으며, 상기 지지체(300)는 양전하로 대전되어 전자를 잃게 된다. 이에 따라, 음전하로 대전된 고분자기판(110)은 추후 고분자기판과 나노구조체의 접촉 단계(S20)시 접촉 또는 마찰에 의해 상기 나노구조체(200)를 양전하로 대전시키며, 이로 발생한 정전기력을 이용하여 상기 나노구조체(200)를 고분자기판(110)으로 이동시킬 수 있다.Also, in one embodiment of the present invention, in the step of rotating the roller (S10), the
한편, 상기 롤러 회전 단계(S10) 단계시, 상기 고분자기판은 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 형성될 수 있다. Meanwhile, in the step of rotating the rollers (S10), the polymer substrate may be formed of polyethylene, low density polyethylene, linear low density polyethylene, ultrahigh molecular weight polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, , A polycarbonate, a polyimide, a polyether ether ketone, a polyether sulfone, a polyphenylene oxide, a polyphenylene sulfide, and a polyethylene naphthalate.
또한, 상기 롤러 회전 단계(S10) 단계에서 상기 고분자기판(110)과 상기 지지체(300)와의 접촉시, 상기 지지체(300)는 상기 고분자기판(110)과의 접촉시 쉽게 전자를 잃는 물질이면 족하다. 일 예로서, 상기 지지체는 직물 및 부직포 중에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. When the
고분자기판과 나노구조체의 접촉 단계(S20)는 상기 롤러 회전 단계(S10) 단계를 수행한 고분자기판(110)을 상술한 나노구조체(200)와 접촉시키는 단계를 의미한다. 상술한 바와 같이, 음전하로 대전된 고분자기판(110)은 상기 나노구조체(200)와 접촉에 의해 상기 나노구조체(200)를 양전하로 대전시키며, 이에 따라 상기 고분자기판(110)과 상기 나노구조체(200) 간에 정전기력이 발생하게 되어 상기 고분자기판(110)으로 상기 나노구조체(200)가 이동될 수 있다. The step S20 of contacting the polymer substrate with the nanostructure refers to a step of bringing the
또한, 본 발명의 일 실시예에 있어, 상기 나노구조체(200)는 기판(미도시) 상부에 형성될 수 있다. 상기 기판은 외력 또는 정전기력에 의해 탈착 가능한 것이면 족하며, 예를 들면 실리콘계 기판, 금속 산화물계 기판, 세라믹 기판, 그라파이트 기판 등에서 적어도 하나 또는 둘 이상 선택되는 것일 수 있다. Also, in one embodiment of the present invention, the
또한, 본 발명의 일 실시예에 있어, 상기 나노구조체(200)는 1차원 나노구조물일 수 있다. 일 예로, 상기 나노구조체(200)는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것일 수 있다. 더욱 구체적인 일 예로, 상기 나노구조체(200)는 반도체 또는 열전재료인 1차원 나노구조물일 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. Also, in one embodiment of the present invention, the
도 3(a)는 상기 나노구조체(200)가 상기 고분자기판으로 이동되기 전 모폴로지(morphology)를 도시한 SEM 사진이고, 도 3(b)는 상기 나노구조체(200)가 상기 고분자기판(110)으로 이동된 후 모폴로지(morphology)를 도시한 SEM 사진이다. 3 (a) is a SEM image showing morphology before the
도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 나노구조체의 이동방법을 통하여, 얽히거나 꼬여있는 나노구조체(201)는 상기 고분자기판의 상면에 대해 수직한 방향으로 적층된 나노구조체(202)로 형성될 수 있다. 이와 같이 적층된 나노구조체(202)를 이용하여 복합체를 제조하는 경우, 복합체의 기계적 물성 및 전기적 물성의 상승을 기대할 수 있다.3 (a) and 3 (b), through the method of moving the nanostructure according to the present invention, the entangled or
또한, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 나노구조체 이동방법은 상술한 고분자기판(110)에 접착제를 사용하지 않고 나노구조체(200)에 높은 압력을 가하지 않으므로, 최종 이동된 나노구조체의 성능 및 품위가 유지되며, 나노구조체의 손상 등을 방지할 수 있게 된다. 3 (b), since the
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 이동방법은 상기 롤러 회전 단계(S10) 시, 상기 롤러(100)의 외측 방향으로 돌출된 나노구조체 접촉부(111)를 가지는 고분자기판(110)을 이용하여, 상기 롤러(100)를 회전시킬 수 있다. 4, in the nano structure moving method according to an embodiment of the present invention, the nano
상세하게, 상기 나노구조체 접촉부(111)는 상기 고분자기판(110)과 동일한 재질일 수 있다. In detail, the nano
또한, 상기 나노구조체 접촉부(111)는 상기 고분자기판(110) 외면에 서로 일정간격 이격되어 형성될 수 있다. The
또한, 상기 나노구조체 접촉부(111)는 상기 고분자기판(110)으로부터 상기 롤러(100)의 외측 방향으로 연장되어 형성된 것일 수 있다. The
또한, 상기 고분자기판과 나노구조체의 접촉 단계(S20) 이후에, 상기 고분자기판(110)으로 이동된 나노구조체(200)가 소정의 패턴을 형성하도록, 상기 나노구조체 접촉부(111)는 상기 롤러(100)의 외측 방향을 향하여 소정 형상으로 돌출될 수 있다. The
상세하게, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 나노구조체 접촉부(111)는 규칙적인 메쉬 또는 랜덤한 매쉬 형상일 수 있다. 또한, 상기 나노구조체 접촉부(111)는 상기 고분자기판(110)의 외주면을 따라 일정간격 이격되어 형성된 닷형(dot) 또는 선형(line)의 형태를 가지는 형상일 수 있다. In detail, as shown in FIGS. 5A to 5C, the
이에 따라, 본 발명에 따른 나노구조체 이동방법은 상기 나노구조체(200)를 상기 나노구조체 접촉부(111)에 결합하여 특정 패턴의 나노구조체 복합층으로 형성시킬 수 있다.Accordingly, the method of moving a nanostructure according to the present invention can form the nanostructure composite layer having a specific pattern by bonding the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 이동방법에 있어, 상기 롤러 회전 단계(S10) 단계시, 상기 고분자기판(110) 및 상기 롤러(100) 사이에 대전방지층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 대전방지층은 상기 고분자기판(110)의 음전하가 상기 롤러(100)로 이동되는 것을 방지할 수 있다. In the method of moving the nanostructure according to an embodiment of the present invention, an antistatic layer (not shown) is formed between the
또한, 본 발명은 상술한 나노구조체 이동방법을 이용한 나노구조체 복합층의 제조방법을 포함한다. The present invention also includes a method for preparing a nanostructure composite layer using the nanostructure migration method described above.
즉, 본 발명에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법은 a) 외주면에 고분자기판이 형성된 롤러를 회전시키는 단계; That is, a method of fabricating a nanostructure composite layer according to the present invention comprises the steps of: a) rotating a roller having a polymer substrate on an outer circumferential surface thereof;
b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계; 및b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located on the support; And
c) 상기 롤러로부터 상기 고분자기판을 분리하는 단계를 포함한다. and c) separating the polymer substrate from the roller.
이 때, 상술한 바와 같이 상기 나노구조체는 상기 b) 단계의 접촉 시, 상기 고분자기판과의 마찰에 의해 상기 고분자기판과 극성이 다른 전하가 형성되며, 극성이 서로 다른 전하에 의해 발생되는 정전기력에 의해 상기 나노구조체는 상기 고분자기판의 일면으로 이동될 수 있다. At this time, as described above, when the nanostructure is brought into contact with the polymer substrate in the step b), a charge having a polarity different from that of the polymer substrate is formed by friction with the polymer substrate, and an electrostatic force The nanostructure can be moved to one side of the polymer substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 복합층의 제조방법에 있어, 상기 c) 단계 이후에, d) 상기 나노구조체의 표면을 금속 소스를 이용하여 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, in the method of fabricating a nanostructure composite layer according to an embodiment of the present invention, after step (c), d) coating the surface of the nanostructure using a metal source.
상기 d) 단계 시, 금속 소스는 이 분야에서 공지되어 있는 다양한 물질들을 사용할 수 있다. 즉, 상기 금속 소스는 코팅에 의해 상기 나노구조체 간 접촉 부위에 형성되며, 상기 나노구조체 간 물리적 및/또는 전기적 결합력을 증대시킬 수 있다. In step d), the metal source may use a variety of materials known in the art. That is, the metal source is formed at the contact area between the nanostructures by coating, and the physical and / or electrical coupling force between the nanostructures can be increased.
또한, 상기 d) 단계시 코팅 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이 분야에서 공지되어 있는 다양한 코팅 방법인 스퍼터링(Sputter deposition), 화학기상성장법(Chemical vapor deposition), ALD(Atomic layer deposition), 진공증착(evaporation deposition), PVD(Physical vapor deposition), PLD(Pulsed laser deposition) 등을 이용할 수 있다. The coating method in step d) is not particularly limited. For example, various coating methods known in the art such as sputtering, chemical vapor deposition, atomic layer deposition (ALD) Evaporation deposition, physical vapor deposition (PVD), pulsed laser deposition (PLD), or the like can be used.
또한, 본 발명에 따른 나노구조체 복합층은 상술한 나노구조체 접촉부와 대응되게 형성될 수 있다. 구체적인 일 예로, 상기 나노구조체 복합층은 규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다. In addition, the nanostructure composite layer according to the present invention may be formed to correspond to the nanostructure contact portion described above. As a specific example, the nanostructure composite layer may be any one or two or more selected from a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, or a line shape.
또한, 본 발명의 일 실시예에 있어, 상기 랜덤한 메쉬 형상은 상기 나노구조체가 불규칙적으로 얽힌 그물망 구조를 포함할 수 있다. Also, in an embodiment of the present invention, the random mesh shape may include a network structure in which the nanostructures are irregularly intertwined.
또한, 본 발명의 일 실시예에 있어, 상기 b) 단계에서, 상기 나노구조체를 안착시키는 기판을 더 포함하며, 상기 기판은 상기 나노구조체와 상기 지지체 사이에 위치할 수 있다. Further, in one embodiment of the present invention, in the step b), a substrate for mounting the nanostructure may be further disposed, and the substrate may be positioned between the nanostructure and the support.
이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will recognize that many modifications and variations are possible in light of the above teachings.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .
100: 롤러
110: 고분자기판
111: 나노구조체 접촉부
200, 201, 202: 나노구조체
300: 지지체100: roller
110: Polymer substrate
111: nano structure contact area
200, 201, 202: nanostructure
300: support
Claims (21)
b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계로 이루어지는 나노구조체의 이동방법으로,
상기 나노구조체는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것이고,
상기 a) 단계에서,
상기 롤러의 회전시 상기 고분자기판을 직물 및 부직포 중에서 선택되는 하나 이상인 지지체 상에 마찰시켜, 상기 고분자기판은 음전하로 대전되고, 상기 지지체는 양전하로 대전되며,
상기 b) 단계에서,
음전하로 대전된 상기 고분자기판과 양전하로 대전된 상기 나노구조체 간의 정전기력으로, 얽히거나 꼬여있는 상기 나노구조체를 상기 지지체 상부에서 상기 고분자기판의 일면으로 이동시켜, 상기 고분자기판의 일면에 대해 수직한 방향으로 적층된 나노구조체로 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 이동방법.
a) rotating a roller having a polymer substrate on its outer surface; And
b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located on the support,
The nanostructure may be one or more selected from nanowires, nanorods, and nanotubes,
In the step a)
Wherein the polymer substrate is rubbed on at least one support selected from a fabric and a nonwoven fabric during rotation of the roller, the polymer substrate is negatively charged, the support is positively charged,
In the step b)
The nanostructure entangled or twisted is moved from one side of the support to the other side of the polymer substrate by electrostatic force between the negatively charged polymer substrate and the positively charged nanostructure, Wherein the nanostructure is formed as a laminated nanostructure.
상기 고분자기판은
폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 형성된 것을 특징으로 하는 나노구조체의 이동방법.
The method according to claim 1,
The polymer substrate
A polyolefin, a polyethylene, a low density polyethylene, a linear low density polyethylene, an ultra high molecular weight polyethylene, a polypropylene, a polyethylene terephthalate, a polybutylene terephthalate, a polyester, a polyacetal, a polyamide, a polycarbonate, a polyimide, a polyether ether ketone, Polyphenylene oxide, polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, and polyethylene naphthalate. 2. The method of claim 1, wherein the nanostructure is formed of a mixture of one or more selected from the group consisting of polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, and polyethylene naphthalate.
상기 고분자기판은
상기 롤러의 외측 방향으로 돌출된 나노구조체 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 이동방법.
The method according to claim 1,
The polymer substrate
And a nano structure contact portion protruding outwardly of the roller.
상기 나노구조체 접촉부는
규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 나노구조체의 이동방법.
6. The method of claim 5,
The nanostructure contact portion
Wherein the nanostructure has one or more selected from a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, and a line shape.
상기 고분자기판과 상기 롤러 사이에 대전방지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 이동방법.
The method according to claim 1,
Wherein an antistatic layer is formed between the polymer substrate and the roller.
상기 b) 단계에서,
상기 나노구조체를 안착시키는 기판을 더 포함하며,
상기 기판은 상기 나노구조체와 상기 지지체 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 이동방법.
The method according to claim 1,
In the step b)
Further comprising a substrate for seating the nanostructure,
Wherein the substrate is positioned between the nanostructure and the support.
b) 상기 고분자기판을 지지체 상부에 위치한 나노구조체와 접촉시키는 단계; 및
c) 상기 롤러로부터 상기 고분자기판을 분리하는 단계를 포함하는 나노구조체 복합층의 제조방법으로,
상기 나노구조체는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것이고,
상기 a) 단계에서,
상기 롤러의 회전시 상기 고분자기판을 직물 및 부직포 중에서 선택되는 하나 이상인 지지체 상에 마찰시켜, 상기 고분자기판은 음전하로 대전되고, 상기 지지체는 양전하로 대전되며,
상기 b) 단계에서,
음전하로 대전된 상기 고분자기판과 양전하로 대전된 상기 나노구조체 간의 정전기력으로, 얽히거나 꼬여있는 상기 나노구조체를 상기 지지체 상부에서 상기 고분자기판의 일면으로 이동시켜, 상기 고분자기판의 일면에 대해 수직한 방향으로 적층된 나노구조체로 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
a) rotating a roller having a polymer substrate on its outer surface;
b) contacting the polymer substrate with a nanostructure located on the support; And
c) separating the polymer substrate from the rollers, the method comprising:
The nanostructure may be one or more selected from nanowires, nanorods, and nanotubes,
In the step a)
Wherein the polymer substrate is rubbed on at least one support selected from a fabric and a nonwoven fabric during rotation of the roller, the polymer substrate is negatively charged, the support is positively charged,
In the step b)
The nanostructure entangled or twisted is moved from one side of the support to the other side of the polymer substrate by electrostatic force between the negatively charged polymer substrate and the positively charged nanostructure, Wherein the nanostructure layer is formed of a laminated nanostructure.
상기 c) 단계 이후에,
d) 상기 나노구조체의 표면을 금속 소스를 이용하여 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
11. The method of claim 10,
After step c)
d) coating the surface of the nanostructure with a metal source. < RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >
상기 고분자기판은
고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 형성된 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
11. The method of claim 10,
The polymer substrate
A high density polyethylene, a low density polyethylene, a linear low density polyethylene, an ultra high molecular weight polyethylene, a polypropylene, a polyethylene terephthalate, a polybutylene terephthalate, a polyester, a polyacetal, a polyamide, a polycarbonate, a polyimide, a polyether ether ketone, , Polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, and polyethylene naphthalate. 2. The method of claim 1, wherein the nano-structured composite layer is formed of one or more selected from the group consisting of polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, and polyethylene naphthalate.
상기 고분자기판은
상기 롤러의 외측 방향으로 돌출된 나노구조체 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
11. The method of claim 10,
The polymer substrate
And a nano structure contact portion protruding outwardly of the roller.
상기 나노구조체 접촉부는
규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
16. The method of claim 15,
The nanostructure contact portion
Wherein the nanostructure composite layer is one or more selected from a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, and a line shape.
상기 고분자기판과 상기 롤러 사이에 대전방지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein an antistatic layer is formed between the polymer substrate and the roller.
상기 나노구조체 복합층은
규칙적인 메쉬 형상, 랜덤한 매쉬 형상, 닷형(dot) 형상, 또는 선형(line) 형상 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
11. The method of claim 10,
The nano-
Wherein the nanostructure composite layer is one or more selected from a regular mesh shape, a random mesh shape, a dot shape, and a line shape.
상기 랜덤한 메쉬 형상은
상기 나노구조체가 불규칙적으로 얽힌 그물망 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
20. The method of claim 19,
The random mesh shape
Wherein the nanostructure comprises a network structure in which the nanostructure is irregularly intertwined.
상기 b) 단계에서,
상기 나노구조체를 안착시키는 기판을 더 포함하며,
상기 기판은 상기 나노구조체와 상기 지지체 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 복합층의 제조방법.
11. The method of claim 10,
In the step b)
Further comprising a substrate for seating the nanostructure,
Wherein the substrate is positioned between the nanostructure and the support.
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