KR101907129B1 - Method for forming a pattern on a flexible substrate using ald and an apparatus for performing the method - Google Patents

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Abstract

유연기판 상에 ALD 공정으로 패턴을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성 장치에서, 상기 패턴 형성방법은 유연기판 상에 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착한다. 상기 마스크 패턴 및 상기 보호필름이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성한다. 상기 보호필름을 제거한다. 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거한다. In a method of forming a pattern by an ALD process on a flexible substrate and a pattern forming apparatus for performing the method, the pattern forming method forms a mask pattern on a flexible substrate. A protective film is attached to the side of the mask pattern. An atomic layer is formed on the flexible substrate on which the mask pattern and the protective film are formed. The protective film is removed. The mask pattern is removed by etching.

Description

유연기판 상에 ALD 공정으로 패턴을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치{METHOD FOR FORMING A PATTERN ON A FLEXIBLE SUBSTRATE USING ALD AND AN APPARATUS FOR PERFORMING THE METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a pattern by an ALD process on a flexible substrate and a pattern forming apparatus for performing the pattern forming method using the ALD process.

본 발명은 패턴 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유연기판 상에 원자층 증착법(atomic layer deposition: ALD)을 이용하여 패턴을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method and a pattern forming apparatus for performing the same, and more particularly, to a pattern forming method using atomic layer deposition (ALD) on a flexible substrate and a pattern Forming apparatus.

원자층 증착법(atomic layer deposition: ALD)이란 단원자층이 화학적으로 부착되는 현상을 이용한 나노 박막 증착 기술로서, 기판 상에 산화물 또는 금속 박막을 원자층의 단위로 증착할 수 있어 상대적으로 얇은 두께로 원자의 구성을 변화시키며 적층할 수 있는 특징을 가진다. Atomic layer deposition (ALD) is a nano thin film deposition technology that uses a phenomenon that a monolayer is chemically attached to a substrate. An oxide or a metal thin film can be deposited on a substrate in atomic layer units, So that it can be laminated by changing the configuration.

이러한 원자층 증착법은 다양한 미세 금속 패턴의 제작에 사용되는데, 특히 반도체 공정에서 웨이퍼에 박막을 증착시키는 공정으로 다수 사용되고 있다. These atomic layer deposition methods are used to fabricate various fine metal patterns, and many of them are used in a process of depositing a thin film on a wafer in a semiconductor process.

한편, 이러한 원자층 증착법을 이용한 패턴 형성과 관련하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2008-0081634호에서는 반도체 소자의 포토마스크 형성방법으로 포토마스크 패턴 위에 원자층 증착법을 이용하여 보완막을 증착하고 이를 식각하여 포토마스크 패턴의 양 측에 보완막 패턴을 형성하는 기술을 개시하고 있다. With respect to pattern formation using the atomic layer deposition method, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0081634 discloses a method of forming a photomask pattern of a semiconductor device by depositing a complementary film on a photomask pattern using atomic layer deposition, Thereby forming complementary film patterns on both sides of the photomask pattern.

또한, 대한민국 공개특허공보 제10-2009-0043335호에서는 레지스트 패턴을 형성하고 레지스트 패턴 상에 원자층 증착법으로 형성된 원자층을 식각을 통해 측부 원자층만 잔류하는 패턴 형성 방법을 개시하고 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2009-0043335 discloses a pattern forming method in which a resist pattern is formed and an atomic layer formed by atomic layer deposition on a resist pattern is etched to leave only the side atomic layer.

이상과 같이, 다양한 방법의 원자층 증착법을 이용한 패턴 형성방법들이 개발되고 있으나, 포토 레지스트 패턴 상에 원자층이 증착된 상태에서, 포토 레지스트 패턴을 식각을 통해 제거하는 공정에서 포토 레지스트 패턴만 효과적으로 제거하기는 쉽지 않으며 이에 따라 최종적으로 형성되는 패턴의 정밀도나 정확도가 감소하는 문제가 있다. As described above, pattern forming methods using atomic layer deposition methods of various methods have been developed. However, in the process of removing the photoresist pattern through etching by using an atomic layer deposited on the photoresist pattern, only the photoresist pattern is effectively removed And thus there is a problem that the precision or accuracy of the finally formed pattern is reduced.

대한민국 공개특허공보 제10-2008-0081634호Korean Patent Publication No. 10-2008-0081634 대한민국 공개특허공보 제10-2009-0043335호Korean Patent Publication No. 10-2009-0043335

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 마스크 패턴의 효과적인 제거를 통해 보다 정밀하고 정확한 패턴을 형성할 수 있는 유연기판 상에 ALD 공정으로 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of forming a pattern by an ALD process on a flexible substrate capable of forming a more precise and precise pattern through effective removal of a mask pattern will be.

본 발명의 다른 목적은 상기 패턴을 형성하는 방법을 수행하기 위한 패턴 형성 장치에 관한 것이다. It is another object of the present invention to provide a pattern forming apparatus for performing the method of forming the pattern.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 패턴 형성방법은 유연기판 상에 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착한다. 상기 마스크 패턴 및 상기 보호필름이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성한다. 상기 보호필름을 제거한다. 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거한다. According to one embodiment of the present invention for realizing the object of the present invention, a mask pattern is formed on a flexible substrate. A protective film is attached to the side of the mask pattern. An atomic layer is formed on the flexible substrate on which the mask pattern and the protective film are formed. The protective film is removed. The mask pattern is removed by etching.

일 실시예에서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 마스크 패턴은 상기 유연기판 상에 서로 연결되도록 형성될 수 있다. In one embodiment, in the step of forming the mask pattern, the mask pattern may be formed to be connected to each other on the flexible substrate.

일 실시예에서, 상기 보호필름을 부착하는 단계에서, 상기 보호필름은 상기 마스크 패턴의 가장자리에 상기 마스크 패턴과 측부가 접촉되도록 부착되거나, 상기 마스크 패턴과 측부의 일부가 중첩되도록 부착될 수 있다. In one embodiment, in the step of attaching the protective film, the protective film may be adhered to the edge of the mask pattern so as to be in contact with the side of the mask pattern, or may be adhered such that a part of the side of the mask pattern overlaps.

일 실시예에서, 상기 보호필름을 제거하는 단계에서, 상기 보호필름은 상기 유연기판의 외부로 연장되는 탈착부를 포함하며, 상기 탈착부를 통해 상기 유연기판으로부터 탈착되어 제거될 수 있다. In one embodiment, in the step of removing the protective film, the protective film includes a detachable portion extending to the outside of the flexible substrate, and may be detached and removed from the flexible substrate through the detachable portion.

일 실시예에서, 상기 보호필름을 제거하는 단계에서 상기 보호필름이 제거됨에 따라, 상기 마스크 패턴의 측부는 외부로 노출되어 제거공간을 형성할 수 있다. In one embodiment, as the protective film is removed in the step of removing the protective film, the side of the mask pattern may be exposed to the outside to form a removing space.

일 실시예에서, 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계에서, 상기 제거공간으로 식각액이 유입되어 상기 마스크 패턴이 제거될 수 있다. In one embodiment, in the step of removing the mask pattern by etching, the etching liquid may flow into the removal space to remove the mask pattern.

일 실시예에서, 상기 원자층을 형성하는 단계에서, 상기 원자층은 원자층 증착법으로 증착될 수 있다. In one embodiment, in the step of forming the atomic layer, the atomic layer may be deposited by atomic layer deposition.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 패턴 형성장치는 인쇄유닛, 제1 건조유닛, 부착유닛, 증착유닛, 제거유닛, 식각유닛 및 제2 건조유닛을 포함한다. 상기 인쇄유닛은 유연기판 상에 마스크 패턴을 형성한다. 상기 제1 건조유닛은 상기 유연기판 상에 형성된 상기 마스크 패턴을 건조한다. 상기 부착유닛은 상기 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착한다. 상기 증착유닛은 상기 마스크 패턴 및 상기 보호필름이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성한다. 상기 제거유닛은 상기 보호필름을 제거한다. 상기 식각유닛은 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거한다. 상기 제2 건조유닛은 상기 마스크 패턴이 식각되어 잔류한 상기 원자층을 건조한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a pattern forming apparatus including a printing unit, a first drying unit, an attachment unit, a deposition unit, a removal unit, an etching unit, and a second drying unit. The printing unit forms a mask pattern on a flexible substrate. The first drying unit dries the mask pattern formed on the flexible substrate. The attaching unit attaches a protective film to the side of the mask pattern. The deposition unit forms an atomic layer on the flexible substrate on which the mask pattern and the protective film are formed. The removal unit removes the protective film. The etching unit etches the mask pattern. The second drying unit etches the mask pattern to dry the remaining atomic layer.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 패턴 형성방법은 유연기판 상에 마스크 패턴이 형성되는 영역에 접착물질을 도포한다. 상기 접착물질의 상부에 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성한다. 상기 접착물질을 제거하여 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 유격부를 형성한다. 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거한다. According to another embodiment of the present invention for realizing the object of the present invention, an adhesive material is applied to a region where a mask pattern is formed on a flexible substrate. A mask pattern is formed on the adhesive material. An atomic layer is formed on the flexible substrate on which the mask pattern is formed. The adhesive material is removed to form a clearance between the flexible substrate and the mask pattern. The mask pattern is removed by etching.

일 실시예에서, 상기 접착물질을 제거하여 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 유격부를 형성하는 단계에서, 상기 접착물질은 상기 유연기판의 외부로 연장되는 탈착부를 포함하며, 상기 탈착부를 통해 상기 접착물질이 상기 유연기판으로부터 탈착되어 제거될 수 있다. In one embodiment, in the step of removing the adhesive material to form a clearance between the flexible substrate and the mask pattern, the adhesive material includes a detachable portion extending to the outside of the flexible substrate, Material can be desorbed from the flexible substrate and removed.

일 실시예에서, 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계에서, 상기 유격부로 식각액이 유입되어 상기 마스크 패턴이 제거될 수 있다. In one embodiment, in the step of removing the mask pattern by etching, the etchant may be introduced into the clearance portion to remove the mask pattern.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 패턴 형성장치는 도포유닛, 제1 건조유닛, 인쇄유닛, 제2 건조유닛, 증착유닛, 제거유닛, 식각유닛 및 제3 건조유닛을 포함한다. 상기 도포유닛은 유연기판 상에 마스크 패턴이 형성되는 영역에 접착물질을 도포한다. 상기 제1 건조유닛은 상기 유연기판 상에 도포된 상기 접착물질을 건조한다. 상기 인쇄유닛은 상기 접착물질의 상부에 마스크 패턴을 형성한다. 상기 제2 건조유닛은 상기 마스크 패턴을 건조한다. 상기 증착유닛은 상기 마스크 패턴이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성한다. 상기 제거유닛은 상기 접착물질을 제거하여 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 유격부를 형성한다. 상기 식각유닛은 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거한다. 상기 제3 건조유닛은 상기 마스크 패턴이 식각되어 잔류한 상기 원자층을 건조한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a pattern forming apparatus including a coating unit, a first drying unit, a printing unit, a second drying unit, a deposition unit, a removal unit, an etching unit, . The coating unit applies an adhesive material to a region where a mask pattern is formed on a flexible substrate. The first drying unit dries the adhesive material applied on the flexible substrate. The printing unit forms a mask pattern on the adhesive material. The second drying unit dries the mask pattern. The deposition unit forms an atomic layer on the flexible substrate on which the mask pattern is formed. The removal unit removes the adhesive material to form a clearance between the flexible substrate and the mask pattern. The etching unit etches the mask pattern. The third drying unit etches the mask pattern to dry the remaining atomic layer.

본 발명의 실시예들에 의하면, 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착하고, 상기 보호필름을 제거한 후 식각하므로, 상기 마스크 패턴으로 식각액이 용이하게 인입되어 상기 마스크 패턴에 대한 식각이 보다 효과적으로 수행되며, 마스크 패턴 및 유연기판에 전체적으로 원자층이 형성된 경우 마스크 패턴만을 선택적으로 식각하기 어려운 문제를 해결하여, 최종적으로 유연기판 상에 잔류하는 금속 패턴의 정밀도 및 정확도가 향상된다. According to the embodiments of the present invention, since the protective film is attached to the side of the mask pattern, and the protective film is removed, the etchant is easily introduced into the mask pattern to perform etching more effectively on the mask pattern The problem that only the mask pattern is difficult to selectively etch when an atomic layer is formed entirely on the mask pattern and the flexible substrate is solved and the precision and accuracy of the metal pattern remaining on the flexible substrate finally is improved.

특히, 상기 마스크 패턴은 서로 연결되도록 형성되므로, 상기 마스크 패턴의 일부만 외부로 노출되더라도 상기 마스크 패턴 전체에 대한 식각을 효과적으로 수행할 수 있다. In particular, since the mask patterns are formed to be connected to each other, etching of the entire mask pattern can be effectively performed even if only a part of the mask pattern is exposed to the outside.

또한, 상기 보호필름은 탈착부를 통해 물리적으로 제거되므로 보호필름의 제거를 위한 별도의 식각액을 사용하지 않아, 공정의 편의성이 향상될 수 있다. In addition, since the protective film is physically removed through the desorbing portion, a separate etching solution for removing the protective film is not used, and the convenience of the process can be improved.

이와 달리, 마스크 패턴의 형성 전에 접착물질이 도포된 후, 상기 접착물질을 제거하여 마스크 패턴과 유연기판 사이에 유격부를 형성함으로써, 상기 유격부로 식각액의 인입이 가능하여 상기 마스크 패턴에 대한 식각이 보다 효과적으로 수행되며, 마스크 패턴 및 유연기판에 전체적으로 원자층이 형성된 경우 마스크 패턴만을 선택적으로 식각하기 어려운 문제를 해결하여, 최종적으로 유연기판 상에 잔류하는 금속 패턴의 정밀도 및 정확도가 향상된다. Alternatively, after the adhesive material is applied before the formation of the mask pattern, the adhesive material is removed to form a clearance between the mask pattern and the flexible substrate, so that the etchant can be drawn into the clearance portion, The present invention solves the problem that it is difficult to selectively etch only the mask pattern when the entirety of the atomic layer is formed on the mask pattern and the flexible substrate and finally the precision and accuracy of the metal pattern remaining on the flexible substrate are improved.

이 경우, 상기 접착물질은 탈착부를 통해 물리적으로 제거되거나, 접착력이 약한 접착물질을 사용하여 마스크 패턴과 유연기판 사이의 접착력이 완화될 수 있으므로, 마스크 패턴과 유연기판 사이에 식각액이 유입될 수 있는 유격부를 효과적으로 형성할 수 있다. In this case, the adhesive material may be physically removed through the desorbing portion, or the adhesive force between the mask pattern and the flexible substrate may be reduced by using an adhesive material having a weak adhesive force, so that the etchant may flow between the mask pattern and the flexible substrate The clearance portion can be effectively formed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 패턴 형성방법을 도시한 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2g들은 도 1의 패턴 형성방법을 도시한 공정도들이다.
도 3은 도 1의 패턴 형성방법을 수행하기 위한 패턴 형성장치를 도시한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 패턴 형성방법을 도시한 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5f들은 도 4의 패턴 형성방법을 도시한 공정도들이다.
도 6은 도 4의 패턴 형성방법을 수행하기 위한 패턴 형성장치를 도시한 모식도이다. 1 is a flowchart showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention.
2A to 2G are process drawings showing the pattern forming method of FIG.
3 is a schematic diagram showing a pattern forming apparatus for performing the pattern forming method of FIG.
4 is a flowchart illustrating a pattern forming method according to another embodiment of the present invention.
5A to 5F are process drawings showing the pattern forming method of FIG.
6 is a schematic diagram showing a pattern forming apparatus for performing the pattern forming method of FIG.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms.

상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In the present application, the term "comprises" or "comprising ", etc. is intended to specify that there is a stated feature, figure, step, operation, component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 패턴 형성방법을 도시한 흐름도이다. 도 2a 내지 도 2g들은 도 1의 패턴 형성방법을 도시한 공정도들이다. 도 3은 도 1의 패턴 형성방법을 수행하기 위한 패턴 형성장치를 도시한 모식도이다. 1 is a flowchart showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention. 2A to 2G are process drawings showing the pattern forming method of FIG. 3 is a schematic diagram showing a pattern forming apparatus for performing the pattern forming method of FIG.

본 실시예에 의한 패턴 형성방법은 도 1 및 도 2a 내지 도 2g의 공정을 통해 수행되며, 각각의 공정들은 도 3의 패턴 형성장치를 통해 수행된다. 이에 따라 이하에서는 상기 패턴 형성방법과 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치를 동시에 설명한다. The pattern forming method according to this embodiment is performed through the process of FIG. 1 and FIGS. 2A to 2G, and each process is performed through the pattern forming apparatus of FIG. Accordingly, the pattern forming method and the pattern forming apparatus for performing the pattern forming method will be described below.

도 1, 도 2a 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 의한 패턴 형성방법(S10)에서는, 우선 유연기판(10) 상에 마스크 패턴(20)을 형성한다(단계 S11). 본 실시예에서는 유연기판(10)이 적용되므로, 상기 마스크 패턴(20)은 인쇄유닛(110)을 통해 인쇄될 수 있으며, 이 경우 상기 인쇄유닛(110)은 롤투롤 인쇄유닛 등과 같이 유연기판 상에 인쇄를 연속적으로 수행할 수 있는 인쇄유닛일 수 있다. Referring to FIGS. 1, 2A and 3, in the pattern forming method (S10) according to the present embodiment, a mask pattern 20 is first formed on a flexible substrate 10 (step S11). In this embodiment, since the flexible substrate 10 is applied, the mask pattern 20 can be printed through the printing unit 110, and in this case, the printing unit 110 can be formed on a flexible substrate such as a roll- The printing unit may be a printing unit capable of continuously performing printing on the recording medium.

또한, 상기 마스크 패턴(20)은 후술되는 식각 공정을 통해 제거되는 것으로, 금속으로 형성되는 것이 바람직하다. In addition, the mask pattern 20 is removed through a later-described etching process, and is preferably formed of a metal.

나아가, 상기 마스크 패턴(20)은 일반적으로, 최종적으로 상기 유연기판(10) 상에 형성되는 금속패턴이 단속적으로 형성되는 것을 고려하여, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 유연기판(10) 상에 서로 연결되도록 형성될 수 있다. 2 (b), the mask pattern 20 is formed on the flexible substrate 10 in consideration of intermittently forming a metal pattern finally formed on the flexible substrate 10 And may be formed to be connected to each other.

한편, 상기 마스크 패턴(20)이 상기 유연기판(10) 상에 형성된 후, 제1 건조유닛(120)을 통해 상기 마스크 패턴(20)을 건조할 수 있다. Meanwhile, after the mask pattern 20 is formed on the flexible substrate 10, the mask pattern 20 may be dried through the first drying unit 120.

이 후, 도 1, 도 2b, 도 2c 및 도 3을 참조하면, 상기 마스크 패턴(20)의 측부에 보호필름(30)을 부착한다(단계 S12). 1, 2B, 2C, and 3, a protective film 30 is attached to the side of the mask pattern 20 (step S12).

이 경우, 상기 보호필름(30)은 상기 유연기판(10) 상에 형성된 상기 마스크 패턴(20)의 측부에 부착되며, 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 마스크 패턴(20)의 측부와 서로 밀착하도록 상기 유연기판(10) 상에 부착될 수 있다. 이와 같이, 상기 보호필름(30)이 상기 마스크 패턴(20)에 밀착되도록 부착됨으로써, 상기 보호필름(30)과 상기 마스크 패턴(20) 사이의 공간에 후술되는 원자층 형성 공정을 통해 원자층이 형성되는 것을 방지할 수 있다. In this case, the protective film 30 is attached to the side of the mask pattern 20 formed on the flexible substrate 10 and is brought into close contact with the side of the mask pattern 20 as shown in FIG. 2C And can be attached on the flexible substrate 10. The protective film 30 is adhered to the mask pattern 20 so that an atomic layer is formed in the space between the protective film 30 and the mask pattern 20 through an atomic layer forming process, Can be prevented from being formed.

이 경우, 도면에서는 상기 보호필름(30)이 상기 마스크 패턴(20)의 양측에 각각 부착되는 것을 예시하였으나, 상기 보호필름(30)은 상기 마스크 패턴(20)의 일 측에만 부착될 수도 있으며, 상기 마스크 패턴(20)의 네 모서리 각각에 부착될 수도 있다. In this case, the protective film 30 is attached to both sides of the mask pattern 20, but the protective film 30 may be attached to only one side of the mask pattern 20, Or may be attached to each of the four corners of the mask pattern 20.

또한, 상기 보호필름(30)은 일 끝단에 탈착부(31)가 구비되어, 후술되는 제거공정에서 상기 탈착부(31)를 통해 보다 용이하게 탈착될 수 있다. 이 경우, 상기 탈착부(31)는 상기 유연기판(10)의 외측으로 연장될 수 있다. In addition, the protective film 30 has a detachable portion 31 at one end thereof, and can be more easily detached through the detachable portion 31 in a removing process to be described later. In this case, the detachable portion 31 may extend outside the flexible substrate 10.

한편, 상기 보호필름(30)은 접착 테이프와 같이 상기 유연기판(10) 상에 탈부착이 가능한 필름일 수 있으며, 별도의 부착유닛(130)을 통해 상기 유연기판(10) 상에 부착된다. The protective film 30 may be a removable film such as an adhesive tape on the flexible substrate 10 and is attached to the flexible substrate 10 through a separate attachment unit 130.

이와 달리, 도 2d를 참조하면, 상기 보호필름(30)은 상기 마스크 패턴(20)과 일부가 중첩되도록 부착될 수도 있다. Alternatively, referring to FIG. 2D, the protective film 30 may be adhered to a part of the mask pattern 20 in a superimposed manner.

즉, 상기 보호필름(30)이 상기 마스크 패턴(20)이 측부 끝단의 일부에 중첩되도록 상기 유연기판(10) 상에 부착될 수 있다. 그리하여, 상기 보호필름(30)과 상기 마스크 패턴(20) 사이의 공간이 완전히 밀폐될 수 있어, 후술되는 원자층 형성 공정을 통해 상기 보호필름(30)과 상기 마스크 패턴(20) 사이의 공간에 원자층이 형성되는 것을 방지할 수 있다. That is, the protective film 30 may be attached on the flexible substrate 10 such that the mask pattern 20 overlaps a part of the side ends. Thus, the space between the protective film 30 and the mask pattern 20 can be completely sealed, and a space between the protective film 30 and the mask pattern 20 can be formed through the atomic layer forming process, It is possible to prevent the formation of an atomic layer.

이 후, 도 1, 도 2e 및 도 3을 참조하면, 상기 마스크 패턴(20) 및 상기 보호필름(30)이 형성된 상기 유연기판(20) 상에 원자층(40)을 형성한다(단계 S13). 1, 2E and 3, an atomic layer 40 is formed on the flexible substrate 20 on which the mask pattern 20 and the protective film 30 are formed (step S13) .

이 경우, 상기 원자층(40)은 원자층 증착법(atomic layer deposition: ALD)으로 증착될 수 있다. In this case, the atomic layer 40 may be deposited by atomic layer deposition (ALD).

보다 구체적으로, 상기 원자층 증착법은 상기 증착유닛(140)을 통해 수행되며, 상기 증착유닛(140)의 내부에서 반응물질을 공급하여 상기 마스크 패턴(20) 및 상기 보호필름(30)의 상부에 흡착시키고, 상기 증착유닛(140) 내부의 잔류 반응 물질을 제거하여 원자층(40)을 형성하게 된다. More specifically, the atomic layer deposition method is performed through the deposition unit 140, and a reactive material is supplied in the deposition unit 140 to be deposited on the mask pattern 20 and the protective film 30 And the residual reaction material in the deposition unit 140 is removed to form the atomic layer 40. [

이 경우, 상기 원자층(40)을 2종류 이상의 반응물질로 형성할 수도 있으며, 이 경우, 상기 증착유닛(140)의 내부로 추가로 반응물질을 공급하여 흡착 공정을 추가로 수행하여 형성할 수 있다. In this case, the atomic layer 40 may be formed of two or more kinds of reactive materials. In this case, the reaction material may be further supplied into the deposition unit 140 to perform an adsorption process. have.

이 후, 도 1, 도 2f 및 도 3을 참조하면, 상기 보호필름(30)을 제거한다(단계 S14). Thereafter, referring to FIGS. 1, 2F and 3, the protective film 30 is removed (step S14).

상기 보호필름(30)은 제거유닛(150)을 통해 수행될 수 있으며, 상기 보호필름(30)이 제거됨에 따라, 상기 보호필름(30)의 상면에 형성된 원자층(40)도 동시에 제거되며 이에 따라, 상기 마스크 패턴(20)의 측부에는 제거공간(32)이 형성된다. The protective film 30 may be removed through the removal unit 150. As the protective film 30 is removed, the atomic layer 40 formed on the protective film 30 is simultaneously removed. Accordingly, a removal space 32 is formed on the side of the mask pattern 20.

나아가, 상기 제거공간(32)을 통해 상기 마스크 패턴(20)의 측부는 외부로 노출된다. Further, the side of the mask pattern 20 is exposed to the outside through the removal space 32.

이 경우, 상기 보호필름(30)은 상기 탈착부(31)를 통해 접착 테이프를 상기 유연기판(10)으로부터 탈착하는 형태로 제거될 수 있으며, 예를 들어, 상기 탈착부(31)에 상기 제거유닛(150)의 롤러가 부착되어 상기 롤러가 회전하며 상기 보호필름(30)을 제거할 수 있다. In this case, the protective film 30 may be removed from the flexible substrate 10 through the detachable part 31. For example, when the detachable part 31 is removed, A roller of the unit 150 may be attached, and the roller may be rotated to remove the protective film 30.

이 후, 도 1, 도 2g 및 도 3을 참조하면, 상기 마스크 패턴(20)을 식각하여 제거한다(단계 S15). 1, 2G, and 3, the mask pattern 20 is removed by etching (step S15).

상기 마스크 패턴(20)의 식각 공정은 식각유닛(160)을 통해 수행되며, 상기 식각유닛(160)에서는 예를 들어, 건식식각 또는 습식식각이 수행될 수 있다. The etching process of the mask pattern 20 is performed through the etching unit 160. In the etching unit 160, for example, dry etching or wet etching may be performed.

이 경우, 상기 마스크 패턴(20)의 측부는 상기 제거공간(32)에 의해 외부로 노출되므로, 상기 식각공정을 통해 제공되는 식각액(50)은 상기 제거공간(32)을 통해 상기 마스크 패턴(20)으로 인입될 수 있다. In this case, since the side of the mask pattern 20 is exposed to the outside by the removal space 32, the etching solution 50 provided through the etching process is transferred to the mask pattern 20 ). ≪ / RTI >

한편, 상기 마스크 패턴(20)은 도 2b에 도시된 바와 같이, 서로 연결되도록 형성되므로, 상기 마스크 패턴(20)의 일 측부로부터 인입되는 상기 식각액(50)은 상기 마스크 패턴(20) 전체에 대하여 보다 효과적인 식각을 수행하게 된다. 2B, the etchant 50 introduced from one side of the mask pattern 20 is formed on the entirety of the mask pattern 20, Thereby performing more effective etching.

이와 같이, 상기 마스크 패턴(20)에 대한 식각이 수행됨에 따라 상기 마스크 패턴(20)은 상기 유연기판(10)으로부터 제거되며, 이에 따라 상기 마스크 패턴(20)의 상면에 형성된 원자층(40)도 동시에 제거된다. The mask pattern 20 is removed from the flexible substrate 10 and the atomic layer 40 formed on the upper surface of the mask pattern 20 is removed, Are simultaneously removed.

그리하여, 도 2g를 참조하면, 상기 유연기판(10) 상에는 원자층(40)만 잔류하게 되며, 상기 원자층(40)이 제2 건조유닛(170)을 통해 건조되면, 결국 상기 유연기판(10) 상에 금속 패턴(41)이 형성된다. Referring to FIG. 2G, only the atomic layer 40 remains on the flexible substrate 10, and when the atomic layer 40 is dried through the second drying unit 170, the flexible substrate 10 The metal pattern 41 is formed.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 패턴 형성방법을 도시한 흐름도이다. 도 5a 내지 도 5f들은 도 4의 패턴 형성방법을 도시한 공정도들이다. 도 6은 도 4의 패턴 형성방법을 수행하기 위한 패턴 형성장치를 도시한 모식도이다. 4 is a flowchart illustrating a pattern forming method according to another embodiment of the present invention. 5A to 5F are process drawings showing the pattern forming method of FIG. 6 is a schematic diagram showing a pattern forming apparatus for performing the pattern forming method of FIG.

본 실시예에 의한 패턴 형성방법은 도 4 및 도 5a 내지 도 5f의 공정을 통해 수행되며, 각각의 공정들은 도 5의 패턴 형성장치를 통해 수행된다. 이에 따라, 이하에서는 상기 패턴 형성방법과 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치를 동시에 설명한다. The pattern forming method according to this embodiment is performed through the process of Figs. 4 and 5A to 5F, and each process is performed through the pattern forming apparatus of Fig. Accordingly, the pattern forming method and the pattern forming apparatus for performing the pattern forming method will be described below.

한편, 본 실시예에 의한 패턴 형성방법 및 패턴 형성장치에서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 패턴 형성방법 및 패턴 형성장치와 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하며 중복되는 설명은 생략한다. In the pattern forming method and the pattern forming apparatus according to the present embodiment, the same reference numerals as those of the pattern forming method and the pattern forming apparatus described with reference to Figs. 1 to 3 are used, and redundant description is omitted.

도 4, 도 5a, 도 5b 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에 의한 패턴 형성방법(S20)에서는, 우선 유연기판(10) 상에 마스크 패턴이 형성되는 영역과 동일한 영역에 접착물질(60)을 도포한다(단계 S21). Referring to FIGS. 4, 5A, 5B, and 6, in the pattern forming method (S20) according to the present embodiment, first, an adhesive material 60 (Step S21).

상기 접착물질(60)의 도포는 도포유닛(210)을 통해 수행되며, 상기 접착물질(60)은 예를 들어, 접착 테이프이거나 접착력이 상대적으로 약한 접착제일 수 있다. The application of the adhesive material 60 is performed through the application unit 210, and the adhesive material 60 may be, for example, an adhesive tape or an adhesive having a relatively weak adhesive force.

이렇게 도포된 상기 접착물질(60)은 제1 건조유닛(220)을 통해 건조된다. The adhesive material 60 thus applied is dried through the first drying unit 220.

상기 접착물질(60)이 접착 테이프인 경우, 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 유연기판(10)의 외측으로 연장된 탈착부(61)를 포함할 수 있으며, 후술되는 공정에서 상기 탈착부(61)를 통해 상기 접착물질(60)이 제거될 수 있다. In the case where the adhesive material 60 is an adhesive tape, it may include a detachable portion 61 extending outwardly of the flexible substrate 10 as shown in FIG. 5A. In the process described below, the detachable portion 61 The adhesive material 60 may be removed.

이와 달리, 상기 접착물질(60)이 접착제인 경우라면, 상기 접착물질(60)은 접착력이 상대적으로 약한 물질인 것이 바람직하다. Alternatively, if the adhesive material 60 is an adhesive, it is preferable that the adhesive material 60 has a relatively weak adhesive force.

이 후, 도 4, 도 5c 및 도 6을 참조하면, 상기 접착물질(60)의 상부에 마스크 패턴(20)을 형성한다(단계 S22). 4, 5C and 6, a mask pattern 20 is formed on the adhesive material 60 (step S22).

본 실시예에서는 유연기판(10)이 적용되므로, 상기 마스크 패턴(20)은 인쇄유닛(230)을 통해 인쇄될 수 있으며, 이 경우 상기 인쇄유닛(230)은 롤투롤 인쇄유닛 등과 같이 유연기판 상에 인쇄를 연속적으로 수행할 수 있는 인쇄유닛일 수 있다. In this embodiment, since the flexible substrate 10 is applied, the mask pattern 20 can be printed through the printing unit 230. In this case, the printing unit 230 can be formed on a flexible substrate such as a roll- The printing unit may be a printing unit capable of continuously performing printing on the recording medium.

또한, 상기 마스크 패턴(20)은 후술되는 식각 공정을 통해 제거되는 것으로, 금속으로 형성되는 것이 바람직하다. In addition, the mask pattern 20 is removed through a later-described etching process, and is preferably formed of a metal.

나아가, 상기 마스크 패턴(20)은 일반적으로, 최종적으로 상기 유연기판(10) 상에 형성되는 금속패턴이 단속적으로 형성되는 것을 고려하여, 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 유연기판(10) 상에 서로 연결되도록 형성될 수 있다. 5A, the mask pattern 20 is formed on the flexible substrate 10 in consideration of intermittently forming a metal pattern finally formed on the flexible substrate 10 And may be formed to be connected to each other.

한편, 상기 마스크 패턴(20)이 상기 유연기판(10) 상에 형성된 후, 제2 건조유닛(240)을 통해 상기 마스크 패턴(20)을 건조할 수 있다. Meanwhile, after the mask pattern 20 is formed on the flexible substrate 10, the mask pattern 20 can be dried through the second drying unit 240.

이 후, 도 4, 도 5d 및 도 6을 참조하면, 상기 접착물질(60) 및 상기 마스크 패턴(20)이 형성된 상기 유연기판(10) 상에 원자층(40)을 형성한다(단계 S23). 4, 5D and 6, an atomic layer 40 is formed on the flexible substrate 10 on which the adhesive material 60 and the mask pattern 20 are formed (step S23) .

이 경우, 상기 원자층(40)은 원자층 증착법(atomic layer deposition: ALD)으로 증착될 수 있으며, 증착유닛(250)에 의해 수행되고, 상기 원자층 증착법에 대하여는 앞서 설명한 바와 같으므로 중복되는 설명은 생략한다. In this case, the atomic layer 40 can be deposited by atomic layer deposition (ALD) and is performed by the deposition unit 250, and since the atomic layer deposition method is as described above, Is omitted.

이 후, 도 4, 도 5e 및 도 6을 참조하면, 상기 접착물질(60)을 제거하여 상기 유연기판(10)과 상기 마스크 패턴(20)의 사이에 유격부(62)를 형성한다(단계 S24). 4, 5E, and 6, the adhesive material 60 is removed to form a clearance portion 62 between the flexible substrate 10 and the mask pattern 20 S24).

상기 접착물질(60)의 제거는 제거유닛(260)을 통해 수행될 수 있다. 상기 접착물질(60)이 예를 들어, 접착 테이프인 경우, 상기 탈착부(61)를 통해 상기 접착물질(60)이 제거될 수 있다. The removal of the adhesive material 60 may be performed through the removal unit 260. If the adhesive material 60 is, for example, an adhesive tape, the adhesive material 60 may be removed through the detachable portion 61.

이 경우, 상기 접착물질(60)을 하나의 탈착부(61)를 통해 제거하는 것이 어려운 경우라면, 복수의 탈착부들(61)이 필요한 위치에 연장되어 상기 접착물질(60)을 제거할 수 있다. In this case, if it is difficult to remove the adhesive material 60 through one detachable portion 61, a plurality of detachable portions 61 may be extended to a required position to remove the adhesive material 60 .

이와 같이, 상기 접착물질(60)이 제거되면, 상기 유연기판(10)과 상기 마스크 패턴(20)의 사이에는 유격부(62)가 발생하게 된다. When the adhesive material 60 is removed, a clearance portion 62 is formed between the flexible substrate 10 and the mask pattern 20.

이 경우, 상기 유격부(62)가 발생하게 되면 상기 마스크 패턴(20)이 상기 유연기판(10)으로 밀착되며 상기 유격부(62)가 소멸될 수 있으나, 상기 마스크 패턴(20)이 상기 유연기판(10) 상에 직접 형성된 것이 아니므로, 상기 유연기판(10)과 상기 마스크 패턴(20)의 사이에는 미세한 공간들이 발생하게 된다. In this case, when the clearance portion 62 is generated, the mask pattern 20 is brought into close contact with the flexible substrate 10 and the clearance portion 62 may be destroyed. However, Fine spaces are generated between the flexible substrate 10 and the mask pattern 20 because the flexible substrate 10 is not formed directly on the substrate 10.

한편, 상기 접착물질(60)이 접착력이 약한 접착제인 경우, 상기 접착물질(60)은 접착력이 약하므로 상기 마스크 패턴(20)과 상기 유연기판(10)은 밀착된 상태로 접착하지 않게 되며, 이에 따라 상기 마스크 패턴(20)과 상기 유연기판(10)의 사이에도 미세한 공간들, 즉 유격부(62)가 발생하게 된다. When the adhesive material 60 is an adhesive having a weak adhesive force, the adhesive material 60 has a weak adhesive force so that the mask pattern 20 and the flexible substrate 10 are not adhered to each other in a close contact state, As a result, minute spaces, that is, the clearance portions 62 are formed between the mask pattern 20 and the flexible substrate 10.

특히, 상기 접착물질(60)이, 상기 제거유닛(260)에 의해 별도의 제거 물질로 제거된다면, 상기 유격부(62)는 더욱 커져 상기 마스크 패턴(20)과 상기 유연기판(10)의 사이의 미세한 공간들은 더욱 확대된다. Particularly, if the adhesive material 60 is removed by a separate removing material by the removing unit 260, the clearance part 62 becomes larger and the space between the mask pattern 20 and the flexible substrate 10 The fine spaces of

이 후, 상기 마스크 패턴(20)을 식각하여 제거한다(단계 S25). Thereafter, the mask pattern 20 is removed by etching (step S25).

상기 마스크 패턴(20)의 식각공정은 식각유닛(270)을 통해 수행되며, 상기 식각유닛(270)에서는 예를 들어, 건식식각 또는 습식식각이 수행될 수 있다. The etching process of the mask pattern 20 is performed through the etching unit 270. In the etching unit 270, for example, dry etching or wet etching may be performed.

이 경우, 상기 마스크 패턴(20)과 상기 유연기판(10)의 사이에는 유격부(62)가 형성되어 미세한 공간들이 형성되므로, 상기 식각공정을 통해 식각액(50)은 상기 유격부(62)로 인입된다. 그리하여, 상기 식각액(50)은 상기 유격부(62)를 통해 상기 마스크 패턴(20)으로 보다 쉽게 제공될 수 있다. In this case, since the clearance portion 62 is formed between the mask pattern 20 and the flexible substrate 10 to form fine spaces, the etchant 50 is transferred to the clearance portion 62 through the etching process Lt; / RTI > Thus, the etchant 50 can be more easily provided to the mask pattern 20 through the clearance 62.

한편, 상기 마스크 패턴(20)은 도 5a에 도시된 바와 같이, 서로 연결되도록 형성되므로, 상기 유격부(62)로 인입되는 상기 식각액(50)은 상기 마스크 패턴(20) 전체에 대하여 보다 효과적인 식각을 수행하게 된다. 5A, the etchant 50 introduced into the clearance part 62 is more effectively etched with respect to the entirety of the mask pattern 20, as shown in FIG. 5A, .

이와 같이, 상기 마스크 패턴(20)에 대한 식각이 수행됨에 따라 상기 마스크 패턴(20)은 상기 유연기판(10)으로부터 제거되며, 이에 따라 상기 마스크 패턴(20)의 상면에 형성된 원자층(40)도 동시에 제거된다. The mask pattern 20 is removed from the flexible substrate 10 and the atomic layer 40 formed on the upper surface of the mask pattern 20 is removed, Are simultaneously removed.

그리하여, 도 5f를 참조하면, 상기 유연기판(10) 상에는 원자층(40)만 잔류하게 되며, 상기 원자층(40)이 제3 건조유닛(280)을 통해 건조되면, 결국 상기 유연기판(10) 상에 금속 패턴(41)이 형성된다. 5F, only the atomic layer 40 remains on the flexible substrate 10, and when the atomic layer 40 is dried through the third drying unit 280, the flexible substrate 10 The metal pattern 41 is formed.

본 발명의 실시예들에 의하면, 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착하고, 상기 보호필름을 제거한 후 식각하므로, 상기 마스크 패턴으로 식각액이 용이하게 인입되어 상기 마스크 패턴에 대한 식각이 보다 효과적으로 수행되며, 마스크 패턴 및 유연기판에 전체적으로 원자층이 형성된 경우 마스크 패턴만을 선택적으로 식각하기 어려운 문제를 해결하여, 최종적으로 유연기판 상에 잔류하는 금속 패턴의 정밀도 및 정확도가 향상된다. According to the embodiments of the present invention, since the protective film is attached to the side of the mask pattern, and the protective film is removed, the etchant is easily introduced into the mask pattern to perform etching more effectively on the mask pattern The problem that only the mask pattern is difficult to selectively etch when an atomic layer is formed entirely on the mask pattern and the flexible substrate is solved and the precision and accuracy of the metal pattern remaining on the flexible substrate finally is improved.

특히, 상기 마스크 패턴은 서로 연결되도록 형성되므로, 상기 마스크 패턴의 일부만 외부로 노출되더라도 상기 마스크 패턴 전체에 대한 식각을 효과적으로 수행할 수 있다. In particular, since the mask patterns are formed to be connected to each other, etching of the entire mask pattern can be effectively performed even if only a part of the mask pattern is exposed to the outside.

또한, 상기 보호필름은 탈착부를 통해 물리적으로 제거되므로 보호필름의 제거를 위한 별도의 식각액을 사용하지 않아, 공정의 편의성이 향상될 수 있다. In addition, since the protective film is physically removed through the desorbing portion, a separate etching solution for removing the protective film is not used, and the convenience of the process can be improved.

이와 달리, 마스크 패턴의 형성 전에 접착물질이 도포된 후, 상기 접착물질을 제거하여 마스크 패턴과 유연기판 사이에 유격부를 형성함으로써, 상기 유격부로 식각액의 인입이 가능하여 상기 마스크 패턴에 대한 식각이 보다 효과적으로 수행되며, 마스크 패턴 및 유연기판에 전체적으로 원자층이 형성된 경우 마스크 패턴만을 선택적으로 식각하기 어려운 문제를 해결하여, 최종적으로 유연기판 상에 잔류하는 금속 패턴의 정밀도 및 정확도가 향상된다. Alternatively, after the adhesive material is applied before the formation of the mask pattern, the adhesive material is removed to form a clearance between the mask pattern and the flexible substrate, so that the etchant can be drawn into the clearance portion, The present invention solves the problem that it is difficult to selectively etch only the mask pattern when the entirety of the atomic layer is formed on the mask pattern and the flexible substrate and finally the precision and accuracy of the metal pattern remaining on the flexible substrate are improved.

이 경우, 상기 접착물질은 탈착부를 통해 물리적으로 제거되거나, 접착력이 약한 접착물질을 사용하여 마스크 패턴과 유연기판 사이의 접착력이 완화될 수 있으므로, 마스크 패턴과 유연기판 사이에 식각액이 유입될 수 있는 유격부를 효과적으로 형성할 수 있다. In this case, the adhesive material may be physically removed through the desorbing portion, or the adhesive force between the mask pattern and the flexible substrate may be reduced by using an adhesive material having a weak adhesive force, so that the etchant may flow between the mask pattern and the flexible substrate The clearance portion can be effectively formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

본 발명에 따른 패턴 형성방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치는 유연기판 상에 금속 패턴을 형성하여 미세 소자 등의 제조에 사용될 수 있는 산업상 이용 가능성을 갖는다. The pattern forming method and the pattern forming apparatus for performing the same according to the present invention have industrial applicability that can be used for manufacturing fine elements by forming a metal pattern on a flexible substrate.

10 : 유연기판 20 : 마스크 패턴
30 : 보호필름 31 : 탈착부
40 : 원자층 41 : 금속패턴
60 : 접착물질 61 : 탈착부
100, 200 : 패턴 형성장치 110, 230 : 인쇄유닛
120, 220 : 제1 건조유닛 130 : 부착유닛
140, 250 : 증착유닛 150, 260 : 제거유닛
160, 270 : 식각유닛 170, 240 : 제2 건조유닛
210 : 도포유닛 280 : 제3 건조유닛10: flexible substrate 20: mask pattern
30: protective film 31:
40: atomic layer 41: metal pattern
60: adhesive material 61:
100, 200: pattern forming apparatus 110, 230: printing unit
120, 220: first drying unit 130: attachment unit
140, 250: deposition unit 150, 260: removal unit
160, 270: etching unit 170, 240: second drying unit
210: Coating unit 280: Third drying unit

Claims (12)

유연기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착하는 단계;
상기 마스크 패턴 및 상기 보호필름이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성하는 단계;
상기 보호필름을 제거하는 단계; 및
상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성방법. Forming a mask pattern on the flexible substrate;
Attaching a protective film to the side of the mask pattern;
Forming an atomic layer on the flexible substrate on which the mask pattern and the protective film are formed;
Removing the protective film; And
And removing the mask pattern by etching. 제1항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계에서,
상기 마스크 패턴은 상기 유연기판 상에 서로 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. The method according to claim 1, wherein, in the step of forming the mask pattern,
Wherein the mask pattern is formed to be connected to the flexible substrate. 제1항에 있어서, 상기 보호필름을 부착하는 단계에서,
상기 보호필름은 상기 마스크 패턴의 가장자리에 상기 마스크 패턴과 측부가 접촉되도록 부착되거나,
상기 마스크 패턴과 측부의 일부가 중첩되도록 부착되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. The method according to claim 1, wherein, in the step of attaching the protective film,
The protective film may be attached to an edge of the mask pattern so that the mask pattern and the side portion are in contact with each other,
Wherein the mask pattern and the side portion are partially overlapped with each other. 제3항에 있어서, 상기 보호필름을 제거하는 단계에서,
상기 보호필름은 상기 유연기판의 외부로 연장되는 탈착부를 포함하며, 상기 탈착부를 통해 상기 유연기판으로부터 탈착되어 제거되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. 4. The method of claim 3, wherein in the step of removing the protective film,
Wherein the protective film includes a detachable portion extending to the outside of the flexible substrate, and is detached and removed from the flexible substrate through the detachable portion. 제4항에 있어서,
상기 보호필름을 제거하는 단계에서 상기 보호필름이 제거됨에 따라, 상기 마스크 패턴의 측부는 외부로 노출되어 제거공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. 5. The method of claim 4,
Wherein the protective film is removed in the step of removing the protective film, and a side of the mask pattern is exposed to the outside to form a removing space. 제5항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계에서,
상기 제거공간으로 식각액이 유입되어 상기 마스크 패턴이 제거되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. 6. The method of claim 5, wherein, in the step of etching and removing the mask pattern,
Wherein the etching solution is introduced into the removal space to remove the mask pattern. 제1항에 있어서, 상기 원자층을 형성하는 단계에서,
상기 원자층은 원자층 증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. The method according to claim 1, wherein, in the step of forming the atomic layer,
Wherein the atomic layer is deposited by atomic layer deposition. 유연기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 인쇄유닛;
상기 유연기판 상에 형성된 상기 마스크 패턴을 건조하는 제1 건조유닛;
상기 마스크 패턴의 측부에 보호필름을 부착하는 부착유닛;
상기 마스크 패턴 및 상기 보호필름이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성하는 증착유닛;
상기 보호필름을 제거하는 제거유닛;
상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 식각유닛; 및
상기 마스크 패턴이 식각되어 잔류한 상기 원자층을 건조하는 제2 건조유닛을 포함하는 패턴 형성장치. A printing unit for forming a mask pattern on a flexible substrate;
A first drying unit for drying the mask pattern formed on the flexible substrate;
An attaching unit attaching a protective film to the side of the mask pattern;
A deposition unit for forming an atomic layer on the flexible substrate on which the mask pattern and the protective film are formed;
A removal unit for removing the protective film;
An etching unit for etching and removing the mask pattern; And
And a second drying unit for drying the atomic layer remaining after the mask pattern is etched. 유연기판 상에 마스크 패턴이 형성되는 영역에 접착물질을 도포하는 단계;
상기 접착물질의 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성하는 단계;
서로 중첩된 상기 마스크 패턴과 상기 접착물질 중 상기 접착물질만을 제거하여, 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 유격부를 형성하는 단계; 및
상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계를 포함하고,
상기 유격부가 형성됨에 따라 상기 마스크 패턴은 상기 유연기판과 접촉되되, 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 미세한 공간들이 형성되고,
상기 미세한 공간들로 식각액이 인입되어 상기 마스크 패턴이 식각되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.Applying an adhesive material to a region where a mask pattern is formed on a flexible substrate;
Forming a mask pattern on the adhesive material;
Forming an atomic layer on the flexible substrate on which the mask pattern is formed;
Removing only the adhesive material from the mask pattern and the adhesive material overlapped with each other to form a clearance between the flexible substrate and the mask pattern; And
Etching the mask pattern to remove the mask pattern,
The mask pattern is brought into contact with the flexible substrate, and fine spaces are formed between the flexible substrate and the mask pattern,
And the mask pattern is etched by the etching solution introduced into the fine spaces. 제9항에 있어서, 상기 접착물질을 제거하여 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 유격부를 형성하는 단계에서,
상기 접착물질은 상기 유연기판의 외부로 연장되는 탈착부를 포함하며, 상기 탈착부를 통해 상기 접착물질이 상기 유연기판으로부터 탈착되어 제거되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법. 10. The method of claim 9, wherein in the step of forming the clearance between the flexible substrate and the mask pattern by removing the adhesive material,
Wherein the adhesive material includes a detachable portion extending to the outside of the flexible substrate, and the adhesive material is detached and removed from the flexible substrate through the detachable portion. 삭제delete 유연기판 상에 마스크 패턴이 형성되는 영역에 접착물질을 도포하는 도포유닛;
상기 유연기판 상에 도포된 상기 접착물질을 건조하는 제1 건조유닛;
상기 접착물질의 상부에 마스크 패턴을 형성하는 인쇄유닛;
상기 마스크 패턴을 건조하는 제2 건조유닛;
상기 마스크 패턴이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성하는 증착유닛;
서로 중첩된 상기 마스크 패턴과 상기 접착물질 중 상기 접착물질만을 제거하여 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 유격부를 형성하는 제거유닛;
상기 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 식각유닛; 및
상기 마스크 패턴이 식각되어 잔류한 상기 원자층을 건조하는 제3 건조유닛을 포함하고,
상기 유격부가 형성됨에 따라 상기 마스크 패턴은 상기 유연기판과 접촉되되, 상기 유연기판과 상기 마스크 패턴 사이에 미세한 공간들이 형성되고,
상기 미세한 공간들로 식각액이 인입되어 상기 마스크 패턴이 식각되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성장치. An application unit for applying an adhesive material to a region where a mask pattern is formed on a flexible substrate;
A first drying unit for drying the adhesive material applied on the flexible substrate;
A printing unit for forming a mask pattern on the adhesive material;
A second drying unit for drying the mask pattern;
A deposition unit for forming an atomic layer on the flexible substrate on which the mask pattern is formed;
A removal unit for removing only the adhesive material from the mask pattern and the adhesive material overlapped with each other to form a clearance between the flexible substrate and the mask pattern;
An etching unit for etching and removing the mask pattern; And
And a third drying unit for drying the atomic layer remaining after the mask pattern is etched,
The mask pattern is brought into contact with the flexible substrate, and fine spaces are formed between the flexible substrate and the mask pattern,
And the mask pattern is etched by the etching liquid introduced into the fine spaces.
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