KR101897376B1 - Semiconductor-processing pressure-sensitive adhesive tape - Google Patents

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아끼라 야부끼
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요해지는 견고한 접착성을 구비함과 함께, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하고 있던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 묻은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없으면서, 또한 스텔스 다이싱에 필요한 레이저를 투과하여, 반도체 웨이퍼에 레이저광을 입사시켜 개질층을 형성시켜, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화할 수 있는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공한다. 본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프이며, 상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°내지 60°이며, 상기 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064㎚의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만이다.Even when a cleaning liquid for cleaning the adhesive residue bonded to the semiconductor wafer is adhered to the pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive is dissolved and the pressure of the semiconductor element There is provided a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing which can transmit a laser required for stealth dicing without causing contamination of the semiconductor wafer and can form a modified layer by irradiating a laser beam onto the semiconductor wafer, thereby separating the semiconductor wafer into semiconductor chips. The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing having a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer formed on at least one surface of a base resin film. The contact angle with respect to methyl isobutyl ketone before irradiation of the pressure- To 60 °, and a parallel light ray transmittance of a light ray having a wavelength of 1064 nm incident from the base resin film side is 88% or more and less than 100%.

Description

반도체 가공용 점착 테이프{SEMICONDUCTOR-PROCESSING PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing,

본 발명은, 반도체 디바이스를 제조하는 공정에서의 반도체 웨이퍼의 다이싱에 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 화학 약품을 사용한 반도체 소자 표면의 세정 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing used for dicing a semiconductor wafer in a process of manufacturing a semiconductor device. More particularly, the present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing used for manufacturing a semiconductor device including a cleaning process of a surface of a semiconductor device using a chemical agent.

배선 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 박형 가공하는 데 있어서는, 반도체 웨이퍼의 패턴면의 보호와 반도체 웨이퍼 자체의 고정을 행하기 위하여, 패턴면에 보호 시트를 부착한 후에, 이면에 연마, 연삭 등의 박형 가공을 실시하는 것이 일반적이다. 이와 같은 보호 시트로서는, 플라스틱 필름을 포함하는 기재 상에 아크릴계 점착제 등이 도포되어 이루어지는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 최근들어 IC 카드나 휴대 전화의 박형화, 소형화에 의해, 반도체 칩의 두께도 50㎛ 이하의 레벨이 요구되고 있고, 종래의 보호 시트를 사용한 공정에서는, 보호 시트만으로는 반도체 웨이퍼를 지지할 수 없어, 연삭 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 휨이나, 웨이퍼 카세트에의 수납 시에 있어서의 휨 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 취급이 어려워져 핸들링이나 반송의 자동화를 곤란하게 하고 있었다.In order to protect the pattern surface of the semiconductor wafer and to secure the semiconductor wafer itself, a protective sheet is attached to the pattern surface, and then the back surface of the semiconductor wafer having the wiring pattern formed thereon is polished and ground It is common to perform thinning processing. As such a protective sheet, it is generally used that a substrate comprising a plastic film is coated with an acrylic pressure-sensitive adhesive or the like. However, in recent years, the thickness of the semiconductor chip is required to be 50 占 퐉 or less due to the thinning and miniaturization of the IC card and the cellular phone. In the conventional process using the protective sheet, the protective sheet alone can not support the semiconductor wafer , Warping of the semiconductor wafer after grinding and warping at the time of being stored in the wafer cassette make it difficult to handle the semiconductor wafer, which makes it difficult to automate handling and transportation.

이 문제에 대하여, 반도체 웨이퍼에 유리 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 웨이퍼 기판 등을, 접착제를 개재하여 접합하여, 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이와 같이 보호 시트 대신에 유리 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 웨이퍼 기판 등의 서포트 부재를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼의 핸들링성은 크게 향상되어, 반송의 자동화가 가능해진다.To solve this problem, a method has been proposed in which a glass substrate, a ceramic substrate, a silicon wafer substrate, or the like is bonded to a semiconductor wafer with an adhesive interposed therebetween to give support to the semiconductor wafer (see, for example, Patent Document 1) . By using a support member such as a glass substrate, a ceramic substrate, or a silicon wafer substrate in place of the protective sheet in this way, the handling property of the semiconductor wafer is greatly improved, and automation of transportation can be achieved.

서포트 부재를 사용하여 반도체 웨이퍼를 핸들링한 경우, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 후에, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리하는 공정이 필요해진다. 서포트 부재의 박리는, (1) 서포트 부재와 반도체 웨이퍼 사이의 접착제를 화학 약품으로 용해 또는 분해하거나, (2) 서포트 부재와 반도체 웨이퍼 사이의 접착제에 레이저광을 조사하여 광 분해하는 등의 방법으로 행해지는 것이 일반적이다. 그러나, (1)의 방법에서는, 접착제 중에 화학 약품을 확산시키는 데 장시간의 처리가 필요해지고, 또한 (2)의 방법에서는, 레이저의 스캔에 장시간의 처리가 필요하다는 문제가 있었다. 또한, 어느 방법이든, 서포트 부재로서 특수한 기판을 준비할 필요가 있다는 문제가 있었다.In the case where the semiconductor wafer is handled using the support member, a step of peeling the support member from the semiconductor wafer after the back grinding of the semiconductor wafer becomes necessary. The separation of the support member can be performed by (1) dissolving or dissolving the adhesive between the support member and the semiconductor wafer with a chemical agent, or (2) by irradiating the adhesive between the support member and the semiconductor wafer with laser light It is common to be done. However, in the method (1), it takes a long time to diffuse chemicals in the adhesive, and in the method (2), there is a problem that a long time treatment is required for laser scanning. In any case, there is a problem in that it is necessary to prepare a special substrate as the support member.

이로 인해, 서포트 부재의 박리 시에, 박리의 계기를 형성한 후, 물리적·기계적으로 박리시키는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2, 3 참조). 이 방법은, 종래의 접착제의 화학 약품에 의한 용해 또는 분해나 레이저 스캐닝에 의한 광 분해에서 필요로 하였던 장시간의 처리가 불필요해져, 단시간에의 처리가 가능해진다. 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리한 후, 서포트 부재의 박리 시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제의 잔사는, 그 후 화학 약품으로 세정된다.As a result, a method of physically and mechanically peeling the support member after forming the peeling mechanism at the time of peeling the support member has been proposed (see, for example, Patent Documents 2 and 3). This method eliminates the need for long-time processing required for dissolution or decomposition by a conventional chemical agent in a chemical agent or photodegradation by laser scanning, and enables processing in a short time. After removing the support member from the semiconductor wafer, the residue of the adhesive on the semiconductor wafer, which is generated at the time of peeling off the support member, is then cleaned with a chemical agent.

이면이 연삭된 반도체 웨이퍼는, 그 후, 다이싱 공정으로 옮겨져, 개개의 칩으로 절단되지만, 상술한 바와 같이, 반도체 칩의 두께가 50㎛ 이하가 되면, 반도체 웨이퍼 단독으로는, 연삭 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 휨이나, 웨이퍼 카세트에의 수납 시에 있어서의 휨 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 취급이 매우 곤란해지는 점에서, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 직후에 서포트 부재의 박리에 앞서, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 다이싱 테이프가 접합되어, 링 프레임에 지지 고정되는 것이 일반적이다. 따라서, 서포트 부재의 박리 시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정은, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼가 부착된 상태에서 행하여지게 되어, 다이싱 테이프에는 높은 내용제성이 요구된다.The back-side semiconductor wafer is then transferred to the dicing step and cut into individual chips. However, if the thickness of the semiconductor chip is 50 mu m or less as described above, Since the handling of the semiconductor wafer becomes very difficult due to the warping of the semiconductor wafer and the warping at the time of being accommodated in the wafer cassette, before the separation of the support member immediately after the back grinding of the semiconductor wafer, It is common that the dicing tape is joined and fixed to the ring frame. Therefore, the cleaning of the residue of the adhesive agent on the semiconductor wafer, which is caused when the support member is peeled off, is carried out with the semiconductor wafer adhered to the dicing tape, and the dicing tape is required to have high solvent resistance.

높은 내용제성을 갖는 다이싱 테이프로서는, 점착제층에 에너지선 경화형 아크릴 수지 조성물을 포함하면서, 또한 겔 분율을 70％ 이상으로 하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 4 참조).As a dicing tape having a high solvent resistance, it has been proposed to include an energy radiation curable acrylic resin composition in a pressure-sensitive adhesive layer, and further to make the gel fraction 70% or more (for example, see Patent Document 4).

한편, 반도체 칩의 박막화에 수반하여, 다이싱 공정에 있어서는 절삭 저항에 의해 반도체 칩에는 미소한 절결이 발생하는 치핑이라고 불리는 현상이 점점 문제시되어 오고 있다. 이 치핑을 해결하는 방법으로서 레이저에 의해 반도체 웨이퍼를 절단하는 방식이 다양하게 제안되어 있다. 예를 들어, 이면에 다이싱 테이프가 부착된 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추어, 다이싱 테이프에 대하여 투과성을 갖는 레이저광을, 다이싱 테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 입사시켜, 반도체 웨이퍼의 절단 예정 라인을 따라 반도체 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역을 기점으로 하여 절단 예정 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 분할함으로써 반도체 웨이퍼를 절단하는 스텔스 다이싱이라고 불리는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 5 참조). 이 방법에 따르면, 비교적 작은 힘으로 기판을 절단할 수 있으므로, 기판의 표면에 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 깨짐, 즉 치핑을 발생시키지 않고 반도체 웨이퍼의 절단이 가능해진다.On the other hand, with the thinning of the semiconductor chip, in the dicing process, a phenomenon referred to as chipping, in which minute cutout occurs in the semiconductor chip due to cutting resistance, has been increasingly problematic. As a method for solving this chipping, various methods of cutting a semiconductor wafer by a laser have been proposed. For example, laser light having transmittance with respect to the dicing tape is incident on the back surface of the semiconductor wafer via a dicing tape by aligning the light-converging point inside the semiconductor wafer with the dicing tape on the back surface, A method called stealth dicing for cutting a semiconductor wafer by dividing a semiconductor wafer along a line along which a material is to be cut from the modified region as a starting point and forming a modified region by multiphoton absorption inside the semiconductor wafer along a line along which the object is intended to be cut (See, for example, Patent Document 5). According to this method, since the substrate can be cut with a relatively small force, it is possible to cut the semiconductor wafer without causing unnecessary breakage, that is, chipping off the surface of the substrate on the surface of the substrate.

이와 같은 스텔스 다이싱에 사용되는 다이싱 테이프로서, 23℃에서의 영률이 30 내지 600MPa이며, 파장 1064㎚에 있어서의 평행 광선 투과율이 80％ 이상이며, 파장 1064㎚에 있어서의 위상차가 100㎚ 이하인 다이싱 테이프가 제안되어 있다(특허문헌 6 참조).As the dicing tape used for such stealth dicing, it is preferable that the dicing tape has a Young's modulus at 23 占 폚 of 30 to 600 MPa, a parallel light transmittance at a wavelength of 1064 nm of 80% or more, and a retardation at a wavelength of 1064 nm of 100 nm or less A dicing tape has been proposed (see Patent Document 6).

일본 특허 공개 제2006-135272호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-135272 일본 특허 공표 제2011-510518호 공보Japanese Patent Publication No. 2011-510518 미국 특허 출원 공개 제2011/0272092호 명세서U.S. Patent Application Publication No. 2011/0272092 일본 특허 공개 제2009-224621호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-224621 일본 특허 공개 제2002-192367호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192367 일본 특허 공개 제2011-139042호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-139042

그러나, 특허문헌 4에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프는, 전술한 특허문헌 2, 3에 기재된 바와 같은 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요해지는 견고한 접착성을 구비하고 있지 않아, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리할 때에, 반도체 가공용 점착 테이프로부터 반도체 웨이퍼가 박리되어 버린다는 문제가 있었다. 또한, 특허문헌 4에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프는, 특허문헌 5에 기재된 바와 같은 스텔스 다이싱에 필요해지는 레이저 투과성을 구비하고 있지 않아, 스텔스 다이싱에 사용할 수 없다는 문제가 있었다.However, the adhesive tape for semiconductor processing disclosed in Patent Document 4 does not have the solid adhesion required for the physical and mechanical peeling of the support member as described in the above-mentioned Patent Documents 2 and 3, and the support member There is a problem that the semiconductor wafer is peeled off from the adhesive tape for semiconductor processing when peeling off. In addition, the adhesive tape for semiconductor processing disclosed in Patent Document 4 has no laser permeability required for stealth dicing as described in Patent Document 5, and has a problem that it can not be used for stealth dicing.

또한, 특허문헌 6에 기재된 다이싱 테이프도, 전술한 특허문헌 2, 3에 기재된 바와 같은 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요해지는 견고한 접착성을 구비하고 있지 않아, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재가 박리되는 대신, 반도체 가공용 점착 테이프로부터 반도체 웨이퍼가 박리되어 버린다는 문제가 있었다. 또한, 특허문헌 6에 기재된 다이싱 테이프는, 특허문헌 1 내지 3에 기재되는 공정에 있어서 필요해지는 내용제성을 구비하고 있지 않다는 문제가 있었다.In addition, the dicing tape described in Patent Document 6 does not have the solid adhesion required for physical and mechanical peeling of the support member as described in the above-described Patent Documents 2 and 3, and the support member is peeled off from the semiconductor wafer There is a problem that the semiconductor wafer is peeled off from the adhesive tape for semiconductor processing. Further, the dicing tape described in Patent Document 6 has a problem in that it does not have the solvent resistance required in the processes described in Patent Documents 1 to 3.

따라서, 본 발명은, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요해지는 견고한 접착성을 구비함과 함께, 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하고 있던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 묻은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없으면서, 또한 스텔스 다이싱에 필요한 레이저를 투과하여, 반도체 웨이퍼에 레이저광을 입사시켜 개질층을 형성시켜, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화할 수 있는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device, which has solid adhesion required for physical and mechanical peeling of a support member, Even when the cleaning liquid for cleaning is adhered to the pressure-sensitive adhesive, the laser beam required for stealth dicing is transmitted while the pressure-sensitive adhesive is dissolved and the semiconductor element is not contaminated, laser light is incident on the semiconductor wafer to form a modified layer, And it is an object of the present invention to provide a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing which is capable of separating a semiconductor wafer into semiconductor chips.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 기재 수지 필름 상에 점착제층을 갖고 이루어지는 반도체 가공용 점착 테이프이며, 점착제층에 대한 메틸이소부틸케톤의 접촉각을 특정한 값으로 함으로써, 점착제에 세정액이 묻은 경우에도 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없으면서, 또한 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064㎚의 광선의 평행 광선 투과율을 특정한 값으로 함으로써, 반도체 테이프 너머 입사된 레이저광선이 확산되지 않고, 반도체 웨이퍼에 도달하여, 레이저에 의한 가공이 가능해지는 것을 발견했다. 본 발명은 이 지견에 기초하여 이루어진 것이다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The inventors of the present invention have made intensive investigations to achieve the above object. As a result, they have found that when the contact angle of methyl isobutyl ketone with respect to the pressure-sensitive adhesive layer is a specific value, It is possible to prevent the semiconductor element from being contaminated even when the cleaning liquid adheres to the surface of the base material resin film and to prevent the semiconductor device from being contaminated by the laser beam incident on the semiconductor tape, It is not diffused, reaches the semiconductor wafer, and can be processed by the laser. The present invention is based on this finding.

즉, 본원 발명에 의한 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프이며, 상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°내지 60°이며, 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064㎚의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만인 것을 특징으로 한다.That is, the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, in which a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is formed on at least one surface of a base resin film. The contact angle with respect to methyl isobutyl ketone Is 25.1 DEG to 60 DEG and a parallel light ray transmittance of a light beam having a wavelength of 1064 nm incident from the base resin film side is 88% or more and less than 100%.

상기 점착제층은 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머를 함유하고, 상기 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머의 함유량이, 상기 점착제층의 전체 고형분에 대하여 0질량％보다도 많고 5질량％보다도 적은 것이 바람직하다.It is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer contains silicon acrylate or fluorine-containing oligomer, and the content of the silicone acrylate or the fluorine-containing oligomer is more than 0 mass% and less than 5 mass% with respect to the total solid content of the pressure-sensitive adhesive layer.

상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 상기 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하다.In the adhesive tape for semiconductor processing, it is preferable that the gel fraction of the pressure-sensitive adhesive layer to the methylisobutyl ketone prior to irradiation with radiation is 65% or more and 100% or less.

상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 상기 방사선 경화성 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa인 것이 바람직하다.It is preferable that the peak value of the probe tack test of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer before ultraviolet irradiation of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is 200 to 600 kPa.

본 발명에 따르면, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요해지는 견고한 접착성을 구비함과 함께, 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하고 있던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 묻은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없으면서, 또한 스텔스 다이싱에 필요한 레이저를 투과하여, 반도체 웨이퍼에 레이저광을 입사시켜 개질층을 형성시켜, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device which has a solid adhesive property required for physical and mechanical peeling of a support member, and which, in a process of manufacturing a semiconductor device using a support member, The laser beam necessary for stealth dicing is transmitted so that the laser beam is incident on the semiconductor wafer to form a modified layer so as to form a modified semiconductor layer on the semiconductor wafer, The wafer can be divided into semiconductor chips.

이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 편측에, 적어도 1층의 점착제층이 형성되어 있다.In the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to the embodiment of the present invention, at least one pressure-sensitive adhesive layer is formed on at least one side of the base resin film.

본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 점착 테이프는, 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25° 이상, 바람직하게는 28° 이상, 더욱 바람직하게는 30° 이상이다. 일반적으로, 서포트 부재의 박리 시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정은, 다이싱 테이프를 개재하여 링 프레임에 접착된 반도체 웨이퍼를 스핀 회전하면서, 반도체 웨이퍼의 상방으로부터 화학 약품을 샤워 형상으로 분사함으로써 행하여지고, 화학 약품의 액적은 회전하는 반도체 웨이퍼의 중앙부로부터 원심력에 의해 방사상으로 배출된다. 이때, 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25° 이상이면, 점착제층에 대한 메틸이소부틸케톤의 습윤성이 낮고, 점착제층과 메틸이소부틸케톤의 접촉 면적이 작아져, 화학 약품의 액적 배출을 효율적으로 행할 수 있기 때문에, 점착제층이 메틸이소부틸케톤으로부터 받는 용해 작용이 작아져, 반도체 가공용 점착 테이프가 메틸이소부틸케톤 및 그 유도체 등의 약품에 노출될 가능성이 있는 반도체 소자의 제조 공정에 있어서는, 상기 약품에 의해 점착제가 용융되어 반도체 칩을 오염시키는 일이 없다. 한편, 접촉각이 25°보다 작으면, 점착제층에 대한 메틸이소부틸케톤의 습윤성이 높고, 점착제층과 메틸이소부틸케톤의 접촉 면적이 커져, 점착제층이 메틸이소부틸케톤으로부터 받는 용해 작용이 커져, 반도체 가공용 점착 테이프가 메틸이소부틸케톤 및 그 유도체 등의 약품에 노출될 가능성이 있는 반도체 소자의 제조 공정에 있어서는, 상기 약품에 의해 용융된 점착제가 반도체 칩을 오염시켜 버린다.In the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to the embodiment of the present invention, the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone is 25 ° or more, preferably 28 ° or more, more preferably 30 ° or more. Generally, cleaning of adhesive residues on a semiconductor wafer caused by peeling of a support member by chemicals is performed by spinning a semiconductor wafer bonded to a ring frame via a dicing tape, And the liquid droplets of the chemical liquid are radially discharged from the central portion of the rotating semiconductor wafer by centrifugal force. At this time, if the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone is 25 DEG or more, the wettability of methyl isobutyl ketone to the pressure-sensitive adhesive layer is low and the contact area between the pressure-sensitive adhesive layer and methyl isobutyl ketone becomes small, The pressure-sensitive adhesive layer is less soluble in methyl isobutyl ketone so that the pressure-sensitive adhesive layer for semiconductor processing can be exposed to chemicals such as methyl isobutyl ketone and derivatives thereof. In this case, the pressure-sensitive adhesive is melted by the medicine, and the semiconductor chip is not contaminated. On the other hand, when the contact angle is less than 25 °, the wettability of methyl isobutyl ketone to the pressure-sensitive adhesive layer is high and the contact area between the pressure-sensitive adhesive layer and methyl isobutyl ketone becomes large, In a manufacturing process of a semiconductor device in which a pressure sensitive adhesive tape for semiconductor processing is likely to be exposed to chemicals such as methyl isobutyl ketone and its derivatives, the pressure sensitive adhesive melted by the chemical causes the semiconductor chip to be contaminated.

또한, 본 발명에 있어서, 점착제층 표면의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이란, 점착제층 표면과 메틸이소부틸케톤의 접촉 직후의 접촉각을 의미한다. 이 접촉각은 온도 23℃, 습도 50％에서 측정한 값이다. 측정은 시판되고 있는 접촉각 측정 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 점착제층 표면의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이란, 방사선 조사 전의 점착제층에 대하여 측정된 것으로 한다.In the present invention, the contact angle with respect to methyl isobutyl ketone on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer means the contact angle immediately after contact between the pressure-sensitive adhesive layer surface and methyl isobutyl ketone. This contact angle is a value measured at a temperature of 23 DEG C and a humidity of 50%. The measurement can be performed using a commercially available contact angle measuring apparatus. The contact angle of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone in the present invention is measured with respect to the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with radiation.

또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064㎚의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만이다. 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064㎚의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 미만인 경우, 반도체 가공용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 접합한 후, 반도체 웨이퍼에 반도체 가공용 점착 테이프 너머 레이저광을 입사했을 때에, 레이저광이 반도체 웨이퍼에 도달하기 전에 감쇠 혹은 확산되어, 반도체 웨이퍼 내부에 개질층을 형성할 수 없어, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화할 수 없다.Further, in the adhesive tape for semiconductor processing according to the embodiment of the present invention, the parallel light ray transmittance of a light beam having a wavelength of 1064 nm incident from the base resin film side is 88% or more and less than 100%. When the parallel light ray transmittance of a light beam with a wavelength of 1064 nm incident from the base resin film side is less than 88%, when the adhesive tape for semiconductor processing is bonded to a semiconductor wafer and then laser light is incident on the semiconductor wafer beyond the adhesive tape for semiconductor processing, The light can not be attenuated or diffused before reaching the semiconductor wafer and the modified layer can not be formed inside the semiconductor wafer, so that the semiconductor wafer can not be divided into semiconductor chips.

점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25° 이상이면서, 또한 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하인 것에 의해, 서포트 부재의 박리 시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정 시, 만일, 장치 고장 등의 문제가 발생하여, 다이싱 테이프의 점착제가 장시간 화학 약품에 노출되는 사태가 발생한 경우에 있어서도, 상기 약품에 의해 점착제가 용융되어 반도체 칩을 오염시키는 일이 없다.It is preferable that the gel fraction of methyl isobutyl ketone before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer is 65% or more and 100% or less. When the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone is 25 ° or more and the gel fraction is 65% or more and 100% or less, when the chemical residue of the adhesive residue on the semiconductor wafer, Even when a problem such as a device breakdown occurs and the adhesive of the dicing tape is exposed to the chemical for a long period of time, the adhesive does not melt due to the chemical and the semiconductor chip is not contaminated.

본 발명에 있어서 겔 분율이란, 점착제층 중의 피가교 성분을 제외한 가교한 점착제 성분의 비율을 의미한다. 겔 분율의 산출에는, 이하에 설명하는 방법을 사용했다. 또한, 본 발명에 있어서, 겔 분율은 점착제층 형성 직후에, 세퍼레이터 등으로 점착제층 표면을 보호한 상태이며, 에너지선 조사 전의 점착제층에 대하여 측정된 것으로 한다.In the present invention, the gel fraction means the ratio of crosslinked pressure-sensitive adhesive component excluding the crosslinked component in the pressure-sensitive adhesive layer. For the calculation of the gel fraction, the following method was used. In the present invention, the gel fraction is measured in the state that the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is protected with a separator or the like immediately after the pressure-sensitive adhesive layer is formed, and the pressure-sensitive adhesive layer before the energy ray irradiation.

(겔 분율의 산출) (Calculation of gel fraction)

50㎜×50㎜의 크기로 커트한 반도체 가공용 점착 테이프로부터, 세퍼레이터를 제거하고, 그 질량 A를 칭량했다. 다음으로 이 칭량된 반도체 가공용 점착 테이프의 샘플을, 예를 들어 메틸이소부틸케톤(MIBK) 100g 중에 침지한 상태에서 48시간 방치한 후, 50℃의 항온층에서 건조하고, 그 질량 B를 칭량했다. 또한 100g의 아세트산에틸을 사용하여 샘플의 점착제층을 닦아내어 제거한 후, 샘플의 질량 C를 칭량하고, 하기 식 (1)에 의해 겔 분율을 산출했다.The separator was removed from the adhesive tape for semiconductor processing cut into a size of 50 mm x 50 mm, and the mass A thereof was weighed. Next, a sample of the weighed adhesive tape for semiconductor processing was left in a state of being immersed in, for example, 100 g of methyl isobutyl ketone (MIBK) for 48 hours, dried in a constant temperature layer at 50 캜, and its mass B was weighed. The pressure sensitive adhesive layer of the sample was wiped off using 100 g of ethyl acetate, and the mass C of the sample was weighed, and the gel fraction was calculated by the following equation (1).

겔 분율(％)=(B-C)/(A-C) (1)Gel fraction (%) = (B-C) / (A-C) (1)

또한, 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa인 것이 바람직하다. 프로브 태크 시험의 피크값이 지나치게 작으면, 점착제층의 피착체에 대한 밀착성이 불충분하여, 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하기 위하여 반도체 웨이퍼에 접착제를 개재하여 접착된 서포트 부재를 박리할 때, 반도체 웨이퍼와 점착 테이프 사이에서 박리되어 버려, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리하는 것이 곤란해진다. 프로브 태크 시험의 피크값이 지나치게 크면, 반도체 웨이퍼를 분할하여 픽업한 칩에 점착제층의 잔사가 부착되는 점착제 잔류나, 칩을 픽업할 때에 칩과 칩이 접촉하여 치핑이 발생하기 쉬워진다. 프로브 태크의 측정에는 이하에 설명하는 방법을 사용한다.It is also preferable that the peak value of the probe tack test before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer is 200 to 600 kPa. When the peak value of the probe tack test is too small, the adhesive property of the pressure sensitive adhesive layer to the adherend is insufficient, so that when the support member adhered to the semiconductor wafer through the adhesive is peeled off to give support to the semiconductor wafer, And the adhesive tape, and it becomes difficult to separate the support member from the semiconductor wafer. If the peak value of the probe tack test is too large, the residual adhesive of the adhesive layer adhering to the chip picked up by dividing the semiconductor wafer, or the chip and chips come into contact with each other when picking up the chip, and chipping easily occurs. For the measurement of the probe tag, the following method is used.

(프로브 태크의 측정) (Measurement of probe tag)

프로브 태크의 측정은, 예를 들어 가부시키가이샤 레스카의 태킹 시험기 TAC-II를 사용하여 행한다. 측정 모드는, 설정된 가압값까지 프로브를 압입하고, 설정된 시간이 경과할 때까지 가압값을 유지하도록 계속하여 컨트롤하는 "Constant Load"를 사용한다. 세퍼레이터를 박리한 후, 점착 테이프의 점착제층을 위로 하고, 상측으로부터 직경 3.0㎜의 SUS304제의 프로브를 접촉시킨다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 스피드는 30㎜/min이며, 접촉 하중은 0.98N이며, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600㎜/min의 박리 속도로 상방으로 박리하고, 박리하는 데 필요로 하는 힘을 측정한다. 프로브 온도는 23℃이고, 플레이트 온도는 23℃로 한다.The measurement of the probe tack is performed using, for example, a TAC-II tacking machine of Resuka Corporation. In the measurement mode, "Constant Load" is used to push the probe up to the set pressure value and to continue to maintain the pressure value until the set time elapses. After the separator is peeled off, the pressure sensitive adhesive layer of the adhesive tape is raised, and a probe made of SUS304 having a diameter of 3.0 mm is brought into contact from the upper side. The speed at which the probe is brought into contact with the measurement sample is 30 mm / min, the contact load is 0.98 N, and the contact time is 1 second. Thereafter, the probe is peeled upward at a peeling speed of 600 mm / min, and the force required for peeling is measured. The probe temperature is 23 占 폚, and the plate temperature is 23 占 폚.

이하, 본 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component of the adhesive tape for semiconductor processing of the present embodiment will be described in detail.

(기재 수지 필름) (Base resin film)

기재 수지 필름은, 반도체 가공용 점착 테이프 너머 레이저를 입사시킴으로써 반도체 웨이퍼에 개질 영역을 형성시키기 위해서는, 광투과성인 것이 필요하다. 반도체 가공용 점착 테이프 너머 레이저를 입사시키기 위해서는, 반도체 가공용 점착 테이프의 평행 광선 투과율이 88％ 이상, 100％ 미만일 필요가 있지만, 점착제층 도포에 의해 확산광을 저감시킬 수 있기 때문에, 기재 수지 필름 단독으로는 확산광을 고려할 필요는 없어, 기재 수지 필름의 평행 광선 투과율은 반드시 88％ 이상, 100％ 미만일 필요는 없다.The base resin film needs to be light-transmissive in order to form a modified region on a semiconductor wafer by introducing a laser beyond the adhesive tape for semiconductor processing. The adhesive tape for semiconductor processing needs to have a parallel light transmittance of 88% or more and less than 100% in order to allow the laser beam to enter the adhesive tape for semiconductor processing. However, since the diffused light can be reduced by applying the adhesive layer, It is not necessary to consider diffused light, and the parallel light transmittance of the base resin film does not necessarily have to be more than 88% and less than 100%.

기재 수지 필름을 구성하는 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화비닐, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 천연 고무 및 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다. 또한 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 혹은 복층화된 것이어도 되고, 점착제층과의 접착성에 의해 임의로 선택할 수 있다. 기재 수지 필름으로서는, 에틸렌-아크릴산 공중합체의 아이오노머를 사용하여 이루어지는 필름인 것이 더욱 바람직하다.Examples of the material constituting the base resin film include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer and polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer and ethylene- (meth) Ethylene copolymer such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, engineering plastic such as methyl polymethacrylate, flexible polyvinyl chloride, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, poly Amide, polyimide natural rubber, and synthetic rubber. Further, a mixture of two or more kinds selected from these groups may be mixed or a layered structure may be selected, and it may be arbitrarily selected depending on the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive layer. As the base resin film, a film made of an ionomer of an ethylene-acrylic acid copolymer is more preferable.

기재 수지 필름의 두께는, 특별히 제한하는 것은 아니지만, 바람직하게는 10 내지 500㎛이며, 보다 바람직하게는 40 내지 400㎛, 특히 바람직하게는 70 내지 250㎛이다.The thickness of the base resin film is not particularly limited, but is preferably 10 to 500 占 퐉, more preferably 40 to 400 占 퐉, and particularly preferably 70 to 250 占 퐉.

기재 수지 필름의 점착제가 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도(산술 평균 거칠기 Ra)는 0.1 내지 0.3㎛인 것이 바람직하고, 0.12 내지 0.18㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재 수지 필름의 점착제가 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도는, T다이법, 캘린더법의 경우에는 필름 압출 시의 냉각 롤의 표면 조도를 조절에 따라, 용액 유연법의 경우에는 드럼이나 벨트의 표면 조도를 조절함으로써 제어할 수 있다. 또한, 임의의 표면 조도를 갖는 필름에 각종 수지를 코팅함으로써도 제어 가능하다. 기재 수지 필름의 점착제가 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도가 0.3㎛보다 크면, 반도체 가공용 점착 테이프의 평행 광선 투과율이 저하되고, 반도체 가공용 점착 테이프 너머 레이저를 입사시킴으로써 반도체 웨이퍼에 개질 영역을 형성시키는 것이 곤란해진다. 기재 수지 필름의 점착제가 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도가 0.1㎛보다 작으면, 기재 수지 필름의 점착제가 접하는 면과는 반대측의 면의 미끄럼성이 극도로 악화되어, 각종 장치에 있어서의 반송 공정에서 문제가 발생한다.The surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) of the surface of the base resin film opposite to the surface contacting with the pressure-sensitive adhesive is preferably 0.1 to 0.3 탆, more preferably 0.12 to 0.18 탆. The surface roughness of the surface of the base resin film opposite to the side contacting with the pressure-sensitive adhesive can be controlled by controlling the surface roughness of the cooling roll at the time of film extrusion in the case of the T-die method or the calendering method, Can be controlled by adjusting the surface roughness of the substrate. It can also be controlled by coating various resins with a film having an arbitrary surface roughness. If the surface roughness of the surface of the base resin film opposite to the side contacting with the pressure-sensitive adhesive is larger than 0.3 탆, the parallel light transmittance of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is lowered and a modified region is formed on the semiconductor wafer . If the surface roughness of the surface of the base resin film opposite to the side contacting with the pressure-sensitive adhesive is less than 0.1 탆, the slidability of the surface of the base resin film opposite to the side contacting with the pressure-sensitive adhesive is extremely deteriorated, A problem occurs in the conveying process.

기재 수지 필름의 점착제층에 접하는 면에는 밀착성을 향상시키기 위하여, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머 등의 처리를 실시해도 된다.The surface of the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer may be subjected to a corona treatment or a treatment such as a primer in order to improve the adhesion.

(점착제층) (Pressure-sensitive adhesive layer)

점착제층을 구성하는 점착제는, 자외선 경화형 점착제이며, 점착제층 표면의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°내지 60°이며, 파장 1064㎚에 있어서의 전체 광투과율이 88％ 이상 100％보다도 작은 한은 특별히 제한은 없고, 종래 공지의 점착제 중으로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 천연 고무나 합성 고무 등을 사용한 고무계 점착제, 폴리(메트)아크릴산알킬에스테르나 (메트)아크릴산알킬에스테르와 다른 단량체의 공중합체 등을 사용한 아크릴계 점착제, 기타 폴리우레탄계 점착제나 폴리에스테르계 점착제나 폴리카르보네이트계 점착제 등의 일반적인 점착제를 사용할 수 있고, 이들 일반적인 점착제에 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합한 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 중합체를 사용하는 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다. 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 중합체를 사용한 경우는, 반드시 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합할 필요는 없다.The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer has a contact angle of 25.1 to 60 ° with respect to methyl isobutyl ketone before irradiation of ultraviolet rays, and a total light transmittance of 88% As long as it is less than 100%, there is no particular limitation, and it can be appropriately selected from known pressure-sensitive adhesives and used. For example, rubber-based pressure-sensitive adhesives using natural rubber or synthetic rubber, acrylic pressure-sensitive adhesives using poly (meth) acrylic acid alkyl esters, copolymers of (meth) acrylic acid alkyl esters and other monomers, other polyurethane pressure sensitive adhesives, And polycarbonate-based pressure-sensitive adhesives. In addition to ultraviolet curable pressure-sensitive adhesives prepared by blending an ultraviolet curable resin such as an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component with these general pressure sensitive adhesives, carbon-carbon double bonds An ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive using a carbon-carbon double bond-introduced acrylic polymer in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal may be exemplified. When a carbon-carbon double bond-introduced acrylic polymer having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal is used as the base polymer, an ultraviolet curable resin such as an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component must be mixed You do not have to.

점착제층을 구성하는 점착제로서는, 폴리(메트)아크릴산에스테르나 (메트)아크릴산에스테르와 다른 단량체의 공중합체 등(이후, 총칭하여 아크릴 중합체라고 기재함)을 사용한 아크릴계 점착제가 바람직하다.As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer, an acrylic pressure-sensitive adhesive using a poly (meth) acrylic acid ester, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester and other monomers (hereinafter collectively referred to as an acrylic polymer) is preferable.

상기 아크릴 중합체의 구성 성분으로서, (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르; (메트)아크릴산시클로헥실 등의 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르; (메트)아크릴산페닐 등의 (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the (meth) acrylic esters include acrylic esters such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, s-butyl (meth) acrylate, t- (Meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid such as dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl Alkyl esters; (Meth) acrylic acid cycloalkyl esters such as cyclohexyl (meth) acrylate; And (meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylate. (Meth) acrylic acid esters may be used alone or in combination of two or more.

상기 아크릴 중합체를 제조하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 가교제에 의해 중량 평균 분자량을 높이거나, 축합 반응 또는 부가 반응에 의해 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 도입하거나 하기 위하여, 수산기나 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기를 갖는 것이 바람직하다.The method for producing the acrylic polymer is not particularly limited. However, in order to increase the weight average molecular weight by a cross-linking agent or to introduce an ultraviolet-curable carbon-carbon double bond by a condensation reaction or an addition reaction, a hydroxyl group, a carboxyl group, It is preferable to have a functional group such as a deuteride.

아크릴 중합체에의 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입은, 아크릴 중합체의 구성 성분과, 관능기를 갖는 단량체를 사용하여 공중합하여, 관능기를 갖는 아크릴 중합체를 제조한 후, 관능기를 갖는 아크릴 중합체 중의 관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 관능기를 갖는 아크릴 중합체에, 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성(자외선 중합성)을 유지한 상태에서, 축합 반응 또는 부가 반응시킴으로써, 제조할 수 있다.Introduction of an ultraviolet ray-curable carbon-carbon double bond to an acrylic polymer can be carried out by copolymerizing a constituent component of an acrylic polymer with a monomer having a functional group to prepare an acrylic polymer having a functional group and then reacting the functional group in the acrylic polymer having a functional group A compound having a functional group capable of reacting and a compound having a carbon-carbon double bond is subjected to condensation reaction or addition reaction in an acrylic polymer having a functional group while maintaining the ultraviolet curing property (ultraviolet polymerizing property) of the carbon- can do.

관능기를 갖는 아크릴 중합체는, 구성 성분인 (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하면서, 또한 수산기, 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기를 갖는 단량체(공중합성 단량체)를 공중합함으로써 얻을 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하면서, 또한 수산기를 갖는 단량체로서는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하면서, 또한 카르복실기를 갖는 단량체로서는, (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하면서, 또한 글리시딜기를 갖는 단량체로서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The acrylic polymer having a functional group can be obtained by copolymerizing a monomer (copolymerizable monomer) having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group and a glycidyl group while being copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester constituting the component. Examples of the monomer capable of copolymerization with (meth) acrylic acid ester and having hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (Meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, and glycerin mono (meth) acrylate. (Meth) acrylic acid (acrylic acid, methacrylic acid), itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, and isocrotonic acid, which can be copolymerized with the (meth) acrylic acid ester and have a carboxyl group . (Meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate as the monomer having a glycidyl group.

관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 축합 반응 또는 부가 반응의 대상으로 되는 관능기가 수산기인 경우에는, 2-이소시아나토에틸(메트)아크릴레이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 축합 반응 또는 부가 반응의 대상으로 되는 관능기가 카르복실기인 경우에는, 글리시딜메타크릴레이트나 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 축합 반응 또는 부가 반응의 대상으로 되는 관능기가 글리시딜기인 경우에는, (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산 등을 들 수 있다.As the compound having a functional group capable of reacting with a functional group and a carbon-carbon double bond, 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate, 1,1- (Bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate, and the like. When the functional group to be subjected to the condensation reaction or addition reaction is a carboxyl group, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether and the like can be given. When the functional group to be subjected to the condensation reaction or the addition reaction is a glycidyl group, unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid and the like can be mentioned.

아크릴 중합체는, 반도체 디바이스 등의 피가공물의 오염 방지 등의 관점에서, 저분자량물의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이 관점에서, 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량으로서는, 10만 이상인 것이 바람직하고, 나아가 20만 내지 200만인 것이 적합하다. 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량이 지나치게 작으면, 반도체 디바이스 등의 피가공물에 대한 오염 방지성이 저하되고, 지나치게 크면 점착제층(5)을 형성하기 위한 점착제 조성물의 점도가 매우 높아져, 반도체 가공용 점착 테이프의 제조가 곤란해진다.From the viewpoint of prevention of contamination of a workpiece such as a semiconductor device and the like, the acrylic polymer preferably has a low content of a low molecular weight water. From this viewpoint, the weight average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, and more preferably 200,000 to 2,000,000. If the weight average molecular weight of the acrylic polymer is too small, the antifouling property of the workpiece such as a semiconductor device is deteriorated. If the acrylic polymer is too large, the viscosity of the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 5 becomes extremely high, Making manufacture difficult.

또한, 아크릴 중합체는 점착성 발현의 관점에서, 유리 전이점이 -70℃ 내지 0℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 -65℃ 내지 -20℃이다. 유리 전이점이 지나치게 낮으면, 중합체의 점도가 낮아져, 안정된 도막 형성이 곤란해지고, 유리 전이점이 지나치게 높으면, 점착제가 단단해져, 피착체에 대한 습윤성이 악화된다.The acrylic polymer preferably has a glass transition point of -70 캜 to 0 캜, more preferably -65 캜 to -20 캜, from the viewpoint of tacky appearance. When the glass transition point is too low, the viscosity of the polymer is lowered, and stable film formation becomes difficult. When the glass transition point is too high, the pressure-sensitive adhesive becomes hard and the wettability to the adherend deteriorates.

상기 아크릴 중합체는 단독으로 사용해도 되고, 상용성이 허용하는 한 2종 이상의 아크릴 중합체를 혼합하여 사용해도 된다.The acrylic polymer may be used alone or in admixture of two or more kinds of acrylic polymers so long as compatibility permits.

일반적인 점착제에 배합하여 점착제층에 사용하는 자외선 경화형 수지는 특별히 한정되는 것은 아니나, 예로서, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산올리고머 및 이타콘산올리고머와 같이 수산기 혹은 카르복실기 등의 관능기를 갖는 올리고머를 들 수 있다.The ultraviolet curable resin used in the pressure sensitive adhesive layer in combination with a general pressure sensitive adhesive is not particularly limited, and examples thereof include urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, Acrylate, (meth) acrylic acid oligomer, itaconic acid oligomer and the like, and oligomers having a functional group such as a hydroxyl group or a carboxyl group.

또한 본 발명에 사용되는 점착제 중에 광중합 개시제를 배합할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탄올, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 들 수 있다. 이들 중 적어도 1종을 점착제 중에 첨가함으로써, 점착제층(5)의 경화 반응을 효율적으로 진행시킬 수 있고, 그것에 의하여 반도체 디바이스의 고정 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있다.Further, a photopolymerization initiator can be incorporated into the pressure-sensitive adhesive used in the present invention. Examples of the photopolymerization initiator include isopropylbenzoin ether, isobutylbenzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethylketone Ethanol,? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane, and the like. By adding at least one of them to the pressure-sensitive adhesive, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive layer (5) can be efficiently advanced, whereby the fixed adhesive force of the semiconductor device can be appropriately lowered.

광중합 개시제의 첨가량은, 상기 자외선 경화형 수지 100질량부에 대하여 0.5 내지 10질량부로 하는 것이 좋다. 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 중합체를 사용한 경우는, 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여 0.5 내지 10질량부로 하는 것이 좋다.The amount of the photopolymerization initiator to be added is preferably 0.5 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the ultraviolet curable resin. As the base polymer, when a carbon-carbon double bond-introduced acrylic polymer having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal is used, 10 parts by mass.

본 발명에 사용되는 점착제에는 필요에 따라 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 더 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.The pressure-sensitive adhesive to be used in the present invention may further contain a pressure-sensitive adhesive, a pressure-sensitive adhesive, a surfactant or the like, if necessary. Further, an inorganic compound filler may be appropriately added.

점착제층의 점착성은, 점착 재료의 가교 밀도를 제어함으로써 적절히 제어 가능하다. 점착 재료의 가교 밀도 제어는, 예를 들어 다관능 이소시아네이트계 화합물이나 에폭시계 화합물, 멜라민계 화합물이나 금속 염계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물이나 아미노 수지계 화합물이나 과산화물 등의 적당한 가교제를 개재하여 가교 처리하는 방식, 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물을 혼합하고, 에너지선의 조사 등에 의해 가교 처리하는 방식 등의 적절한 방식으로 행할 수 있다.The tackiness of the pressure-sensitive adhesive layer can be suitably controlled by controlling the crosslinking density of the pressure-sensitive adhesive material. The crosslinking density control of the adhesive material can be carried out by, for example, a method of crosslinking through a suitable crosslinking agent such as a polyfunctional isocyanate compound, an epoxy compound, a melamine compound or a metal salt compound, a metal chelate compound, an amino resin compound or a peroxide, , A method of mixing a compound having two or more carbon-carbon double bonds and crosslinking treatment by irradiation of an energy ray or the like.

점착제층의 자외선 조사 전의 점착제층 표면의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각은, 아크릴 중합체의 공단량체 비율을 조정하는 것 외에, 첨가제로서 실리콘 수지, 불소 수지 등을 배합함으로써 조정 가능하다. 또한, 이들에 자외선 경화 수지의 수 평균 분자량에 의한 조정을 조합함으로써도 가능하다. 아크릴 중합체의 공단량체 비율에 의한 조정에서는, 알킬쇄의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르, 보다 바람직하게는, 알킬쇄의 탄소수가 8 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 사용하는 것이 효과적이고, 알킬쇄의 탄소수가 4 이상, 보다 바람직하게는, 알킬쇄의 탄소수가 8 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 공단량체 전체의 50질량％ 이상 포함하는 것이 바람직하다. 첨가제로서 사용하는 실리콘 수지로서는, 실리콘 변성 아크릴레이트, 불소 수지로서는 불소 함유 올리고머를 사용 가능하고, 특히 실리콘 변성 아크릴레이트를 적절하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 점착제층의 전체 고형분에 대하여 0질량％보다도 많고 6질량부 이하가 바람직하고, 5.1질량부 이하가 보다 바람직하고, 나아가 5질량부 이하가 바람직하다.The contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer before ultraviolet ray irradiation can be adjusted by adding a silicone resin, a fluororesin or the like as an additive in addition to adjusting the comonomer content of the acrylic polymer. It is also possible to combine these with adjustment by the number average molecular weight of the ultraviolet curing resin. In the adjustment by the comonomer ratio of the acrylic polymer, it is effective to use (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl chain, more preferably alkyl (meth) acrylate having 8 or more carbon atoms in the alkyl chain, It is preferable that the alkyl chain has 4 or more carbon atoms, and more preferably, the (meth) acrylic acid alkyl ester having the alkyl chain of 8 or more contains 50 mass% or more of the entire comonomer. As the silicone resin to be used as an additive, silicone-modified acrylate and fluorine-containing oligomer can be used as the fluorine resin, and silicone-modified acrylate can be suitably used. Among them, it is preferable to contain silicon acrylate or a fluorine-containing oligomer. The content thereof is preferably more than 0 mass% and not more than 6 mass parts, more preferably not more than 5.1 mass parts, relative to the total solid content of the pressure- And preferably 5 parts by mass or less.

점착제층의 두께는 바람직하게는 5㎛ 이상 70㎛ 이하, 보다 바람직하게는 8㎛ 이상 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 점착제층이 지나치게 얇으면 전극의 요철에 추종할 수 없어, 다이싱 가공 시에 절삭수나 절삭 칩이 침입해 버린다는 문제가 발생하고, 반대로 지나치게 두꺼우면 다이싱 가공 시에 있어서 치핑이 커져, 반도체 소자의 품질이 떨어진다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably from 5 탆 to 70 탆, more preferably from 8 탆 to 50 탆, and further preferably from 10 탆 to 30 탆. If the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, it is impossible to follow the irregularities of the electrode, thereby causing a problem that cutting water or cutting chips enter during dicing. On the other hand, The quality of the product deteriorates.

반도체 가공용 점착 테이프의 파장 1064㎚에 있어서의 평행 광선 투과율을 88％ 이상 100％ 미만으로 하기 위해서는, 점착제층에 사용하는 재료의 파장 1064㎚에 있어서의 전체 광투과율이 88％ 이상 100％ 미만임과 함께, 점착제층 표면의 표면 조도(산술 평균 거칠기 Ra)가 0.3㎛ 이하인 것이 바람직하다.In order to make the parallel light transmittance of the adhesive tape for semiconductor processing at a wavelength of 1064 nm not less than 88% and less than 100%, the total light transmittance of the material used for the pressure-sensitive adhesive layer at a wavelength of 1064 nm is not less than 88% It is also preferable that the surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is 0.3 탆 or less.

본 발명에 있어서, 점착제층을 경화시키는 에너지선으로서는, 방사선이 바람직하고, 방사선으로서는 자외선(UV) 등의 광선, 전자선 등을 들 수 있다.In the present invention, as the energy ray for curing the pressure-sensitive adhesive layer, radiation is preferable, and examples of radiation include light rays such as ultraviolet rays (UV), electron rays and the like.

기재 수지 필름 상에 점착제층을 형성하는 방법은 특별히 한정은 없고, 예를 들어 상기한 아크릴 수지 조성물을 통상 사용되는 도포 방법에 의해 기재 수지 필름 상에 도포, 건조시켜 형성하는 것 외에, 세퍼레이터 상에 도포한 점착제층을 기재 수지 필름과 접합함으로써 기재 수지 필름에 전사함으로써 제작할 수 있다.The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer on the base resin film is not particularly limited. For example, the acrylic resin composition described above is applied onto a base resin film by a commonly used coating method and dried to form the pressure- And then transferring the applied pressure-sensitive adhesive layer to a base resin film by bonding it to a base resin film.

또한, 필요에 따라, 실용에 제공할 때까지의 동안, 점착제층을 보호하기 위하여 통상 세퍼레이터로서 사용되는 합성 수지 필름을 점착제층측에 부착해 두어도 된다. 합성 수지 필름의 구성 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름이나 종이 등을 들 수 있다. 합성 수지 필름의 표면에는, 점착제층(3)으로부터의 박리성을 높이기 위하여, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 합성 수지 필름의 두께는, 통상 10 내지 100㎛, 바람직하게는 25 내지 50㎛ 정도이다.Further, if necessary, a synthetic resin film, which is usually used as a separator, may be adhered to the pressure-sensitive adhesive layer side to protect the pressure-sensitive adhesive layer until it is provided for practical use. Examples of the constituent material of the synthetic resin film include synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate, and paper. The surface of the synthetic resin film may be subjected to a peeling treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, or a fluorine treatment, if necessary, in order to improve the peeling property from the pressure-sensitive adhesive layer (3). The thickness of the synthetic resin film is usually about 10 to 100 占 퐉, preferably about 25 to 50 占 퐉.

계속해서, 서포트 부재에 대하여 설명한다.Next, the support member will be described.

(서포트 부재) (Support member)

서포트 부재는, 규소, 사파이어, 수정, 금속(예를 들어, 알루미늄, 구리, 강), 다양한 유리 및 세라믹스로 이루어지는 군으로부터 선택된 소재로 구성된다. 이 서포트 부재의 접착제를 부착하는 면에는 퇴적된 다른 소재를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼 상에 질화규소를 증착하는 것도 가능하고, 이에 의해 접합 특성을 바꿀 수 있다.The support member is made of a material selected from the group consisting of silicon, sapphire, quartz, metal (for example, aluminum, copper, steel), various glasses and ceramics. The surface of the support member on which the adhesive is adhered may include another material deposited. For example, it is also possible to deposit silicon nitride on a silicon wafer, thereby changing the bonding characteristics.

(서포트 부재의 부착) (Attachment of Support Member)

상기 서포트 부재를 부착하는 데 있어서는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 후술하는 접착제의 접착제액을 도포한 후, 도포된 접착제를 오븐 또는 핫 플레이트로 건조시킨다. 또한, 접착제(접착제층)의 필요한 두께를 얻기 위하여, 접착제액의 도포와 예비 건조를 복수회 반복해도 된다.In attaching the support member, an adhesive agent solution of an adhesive described later is applied to the circuit formation surface of the semiconductor wafer, and then the applied adhesive is dried in an oven or a hot plate. Further, in order to obtain a necessary thickness of the adhesive (adhesive layer), the application of the adhesive liquid and the preliminary drying may be repeated plural times.

또한, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제의 접착제액을 도포하는 데 있어서는, 접착제의 접착제액의 도포를 행하기 전에, 일본 특허 공표 제2009-528688호 공보에 개시되는 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 회로면에 플라즈마 중합체 분리층을 퇴적시킴으로써, 서포트 부재의 박리 시에 반도체 웨이퍼의 회로 형성면과 플라즈마 중합체 분리층의 사이에서 박리시키는 경우가 있다.Further, in applying the adhesive liquid of the adhesive to the circuit forming surface of the semiconductor wafer, before application of the adhesive liquid of the adhesive, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-528688, The plasma polymer separation layer may be peeled off between the circuit formation surface of the semiconductor wafer and the plasma polymer separation layer during the separation of the support member.

또한, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제액을 스핀 코터로 도포하면 주연부에 한층 높아진 비드부가 생기는 경우가 있다. 이 경우에는, 당해 접착제액을 예비 건조하기 전에, 비드부를 용제에 의해 제거하는 것이 바람직하다.Further, when the adhesive liquid is coated on the circuit formation surface of the semiconductor wafer by a spin coater, there is a case where a bead portion having a higher level is formed on the periphery. In this case, it is preferable to remove the bead portion with a solvent before the adhesive solution is preliminarily dried.

(접착제) (glue)

접착제로서는, 본 발명에 있어서는 시판하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 브루어 사이언스사(미주리주(州) 롤라)로부터 판매되고 있는 WaferBONDTM 재료(슬라이드 본딩 프로세스용 WaferBONDTM HT 10.10, 케미컬 본딩 프로세스용 WaferBONDTM CR200)나, WACKER사제의 버그하우젠의 재료인 ELASTOSIL LR 3070 등을 들 수 있다.As the adhesive, commercially available ones can be used in the present invention. For example, a WaferBONDTM material (WaferBONDTM HT 10.10 for slide bonding process, WaferBONDTM CR200 for chemical bonding process) marketed by Brewer Science (Lola, MO) or ELASTOSIL LR 3070 And the like.

또한, 반도체 소재, 유리 또는 금속에 대하여 높은 접착력을 나타내는 수지 혹은 중합체류도 바람직하고, 특히 바람직하게는, 예를 들어 (가) 고(高)고형분으로, 반응성 에폭시류 및 아크릴류와 같은 UV 경화 수지, (나) 2액성 에폭시 또는 실리콘 접착제와 같은 동족의 열경화 수지, (다) 열가소성의 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 할로겐화비닐(불소계 불함유) 수지 또는 비닐에스테르의 중합체류나 공중합체류를, 폴리아미드류, 폴리이미드류, 폴리술폰류, 폴리에테르술폰류 또는 폴리우레탄류로, 용융 상태 또는 용액 도막으로서 도포하고, 도포 시공 후에 가열함으로써 건조시켜 서포트 부재와 반도체 웨이퍼를 한층 치밀하게 하거나, 또한 (라) 환상 올레핀류, 폴리올레핀 고무류(예를 들어 폴리이소부틸렌) 또는 (마) 탄화수소를 베이스로 한 점착 부여 수지류를 들 수 있다.A resin or a polymer which exhibits a high adhesive force to a semiconductor material, glass or metal is also preferably used. Particularly preferably, (A) is a (A) high solid content and is UV curable (B) a thermosetting resin of the same kind as (b) a two-liquid epoxy or a silicone adhesive, (c) a polymer or copolymer of thermoplastic acrylic resin, styrene resin, vinyl halide (fluorine- The coating layer is applied in a molten state or as a solution coating film with a polyamide, a polyimide, a polysulfone, a polyether sulfone, or a polyurethane, and is dried by heating after the application to make the support member and the semiconductor wafer more dense, (D) adhesion based on cyclic olefins, polyolefin rubbers (for example, polyisobutylene) or (e) hydrocarbons It may be the tributaries.

접착제로서는, 연마 시에 물을 사용하므로 비수용성의 고분자 화합물이 바람직하고, 또한 연화점이 높은 것이 바람직하다. 이와 같은 고분자 화합물로서는, 노볼락 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리스티렌, 폴리비닐에테르, 폴리아세트산비닐 및 그 변성물 또는 그들의 혼합물을 용제에 용해한 것을 들 수 있다. 그 중에서도 아크릴계 수지 재료는 200℃ 이상의 내열성이 있고, 발생하는 가스도 적고, 크랙이 발생하기 어려우므로 바람직하다. 또한 노볼락 수지도 스컴이 없고, 내열성, 발생 가스량 및 크랙의 발생에 대해서는 아크릴계 수지 재료에 떨어지지만 실용적인 범위이며, 연화점이 높고, 접착 후의 박리에 대해서도 용제 박리가 용이한 점에서 바람직하다. 이 외에, 성막 시의 크랙 방지에 가소제를 혼합해도 된다.As the adhesive, since water is used at the time of polishing, a water-insoluble polymer compound is preferable, and a high softening point is preferable. Examples of such a polymer compound include novolak resins, epoxy resins, amide resins, silicone resins, acrylic resins, urethane resins, polystyrene, polyvinyl ethers, polyvinyl acetate and modified products thereof or mixtures thereof in a solvent. Among them, the acrylic resin material is preferable because it has a heat resistance of 200 占 폚 or higher, generates less gas, and is less prone to cracking. The novolak resin also has no scum, and heat resistance, generated gas amount, and cracks are reduced in the acrylic resin material, but it is a practical range. The soft novolak resin is preferable because of its high softening point and peeling of the solvent after peeling. In addition, a plasticizer may be mixed to prevent cracking during film formation.

또한, 용제로서는 상기한 수지를 용해할 수 있고, 또한 균일하게 웨이퍼에 성막할 수 있는 것이 바람직하고, 케톤류(예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산, 메틸이소부틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등), 다가 알코올류 혹은 그 유도체(예를 들어, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트 혹은 이들의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등), 환식 에테르류(예를 들어, 디옥산), 에스테르류(예를 들어, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등) 또는 방향족 탄화수소류(예를 들어, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등)를 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 상기한 케톤류 혹은 그 유도체가 바람직하다.As the solvent, those capable of dissolving the above-mentioned resin and uniformly forming a film on the wafer are preferable, and ketones (e.g., acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, methyl isobutyl ketone, Diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, or monomethyl (meth) acrylate such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, (For example, ethyl lactate, methyl lactate, ethyl acetate, butyl acetate, and the like), alcohols such as methyl ethyl ketone, methyl ethyl ketone, , Methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate) or aromatic hydrocarbons (for example, benzene , Toluene, xylene, etc.). Of these, ketones or derivatives thereof are particularly preferable.

이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 막 두께의 균일성을 향상시키기 위하여 이들에 활성제를 첨가해도 된다.These may be used alone or in combination of two or more. In order to improve the uniformity of the film thickness, an activator may be added to these.

(접착제 잔사의 세정액) (Cleaning liquid for adhesive residues)

반도체 웨이퍼로부터 접착제와 서포트 부재를 박리한 후에, 반도체 웨이퍼 상에 잔존하는 접착제 잔사를 제거하기 위한 세정액으로서는, 상기한 접착제에 사용되는 유기 용제 외에, 1가 알코올류(예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 등), 락톤류(예를 들어, γ-부티로락톤 등), 락탐류(예를 들어, γ-부티로락탐 등), 에테르류(예를 들어, 디에틸에테르나 아니솔 등), 알데히드류(예를 들어, 디메틸포름알데히드, 디메틸아세트알데히드 등)를 사용해도 된다. 이들 중에서도 특히 전술한 케톤류 혹은 그 유도체가 바람직하다.As the cleaning liquid for removing the adhesive residue remaining on the semiconductor wafer after peeling off the adhesive agent and the support member from the semiconductor wafer, an organic solvent used for the above-mentioned adhesive agent, a monohydric alcohol (for example, methanol, ethanol, (E.g., propanol, isopropanol, butanol, etc.), lactones (e.g.,? -Butyrolactone), lactams Etc.), aldehydes (for example, dimethylformaldehyde, dimethylacetaldehyde, etc.) may be used. Among them, the aforementioned ketones or derivatives thereof are particularly preferable.

이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 접착제 잔사의 세정을 효율적으로 행하기 위하여, 이들에 활성제를 첨가해도 된다.These may be used alone or in combination of two or more. Further, in order to efficiently perform cleaning of the adhesive residue, an activator may be added to these.

다음에 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail based on examples. Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

(실시예 1) (Example 1)

아크릴산메틸, 아크릴산2-에틸헥실 및 2-히드록시에틸아크릴레이트를 5:14:1의 비율로, 아세트산에틸 중에서 통상의 방법에 의해 공중합시켜, 아크릴계 중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 계속해서, 상기 아크릴계 중합체를 포함하는 용액에, 자외선 경화성 화합물로서, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 및 디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머 50질량부와, 광중합 개시제로서 이르가큐어 651(상품명, BASF사제) 2.5질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트를 1.0질량부, 또한 실리콘 변성 아크릴레이트를 0.15질량 부가하여, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 제조했다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 점착제층이 맞대어지는 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.12가 되도록 제조된 에틸렌-아크릴산 공중합체의 아이오노머 필름(기재 수지 필름)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Methyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized in a ratio of 5: 14: 1 in ethyl acetate by a conventional method to obtain a solution containing an acrylic polymer. Subsequently, 50 parts by mass of an ultraviolet-curable oligomer obtained by reacting a solution containing the acrylic polymer with pentaerythritol triacrylate and diisocyanate as an ultraviolet curable compound and 50 parts by mass of Irgacure 651 (trade name, manufactured by BASF ), 1.0 part by mass of trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate as a polyisocyanate compound, and 0.15 parts by mass of silicone-modified acrylate were added to prepare a resin composition which is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The resin composition was coated on the releasably treated surface of the polyethylene terephthalate separator previously subjected to the releasing treatment so that the thickness of the pressure sensitive adhesive layer after drying was 10 占 퐉 and dried at 80 占 폚 for 10 minutes, (Base resin film) of the ethylene-acrylic acid copolymer prepared so that the corrugated surface was subjected to corona treatment and the surface roughness on the opposite side thereof was made to be 0.12 to transfer the pressure-sensitive adhesive to the base resin film Thereby producing a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing.

(실시예 2) (Example 2)

실리콘 변성 아크릴레이트를 0.77질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1 except that 0.77 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(실시예 3) (Example 3)

실리콘 변성 아크릴레이트를 8.08질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1 except that 8.08 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(참고예 1) (Reference Example 1)

2-에틸헥실아크릴레이트(70mol％), 메타크릴산(1mol％), 2-히드록시프로필아크릴레이트(29mol％)의 공중합체의 3-히드록시프로필아크릴레이트 측쇄 말단 OH기에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물로서, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 NCO기를 부가 반응시킨 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물(A1: 분자량 700000)을 얻었다. 이 화합물(A1) 100질량부에 대하여, 폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 1질량부, 광중합 개시제로서 이르가큐어 184(상품명, BASF사제)를 5.0질량부가하여, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 제조했다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 점착제층이 맞대어지는 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.18㎛로 되도록 제조된 저밀도 폴리에틸렌(기재 수지 필름)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Hydroxypropyl acrylate side chain OH group of a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate (70 mol%), methacrylic acid (1 mol%) and 2-hydroxypropyl acrylate (29 mol% (A1: molecular weight 700000) having a photopolymerizable carbon-carbon double bond in which an NCO group of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was subjected to addition reaction was obtained as a compound having a carbon double bond and a functional group. 1 part by mass of trimethylolpropane-modified hexamethylene diisocyanate as a polyisocyanate and 5.0 parts by mass of Irgacure 184 (trade name, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator were added to 100 parts by mass of the compound (A1) to obtain a radiation curable pressure- To prepare a resin composition. The resin composition was coated on the releasably treated surface of the polyethylene terephthalate separator previously subjected to the releasing treatment so that the thickness of the pressure sensitive adhesive layer after drying was 10 占 퐉 and dried at 80 占 폚 for 10 minutes, (Base resin film) prepared so as to have a surface roughness of 0.18 mu m on the surface opposite to the corona treated surface, and transferring the pressure-sensitive adhesive onto the base resin film to bond the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing to the corona- .

(실시예 4) (Example 4)

실리콘 변성 아크릴레이트를 0.11질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 4 except that 0.11 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(실시예 5) (Example 5)

실리콘 변성 아크릴레이트를 0.53질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 4 except that 0.53 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(실시예 6) (Example 6)

실리콘 변성 아크릴레이트를 5.58질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 4 except that 5.58 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(실시예 7) (Example 7)

불소 함유 올리고머를 0.15질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that 0.15 parts by mass of a fluorine-containing oligomer was blended.

(실시예 8) (Example 8)

아크릴산에틸, 아크릴산부틸 및 2-히드록시에틸아크릴레이트를 10:9:1의 비율로, 아세트산에틸 중에서 통상법에 의해 공중합시켜, 아크릴계 중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 계속해서, 상기 아크릴계 중합체를 포함하는 용액에, 자외선 경화성 화합물로서, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 및 디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머 50질량부와, 광중합 개시제로서 이르가큐어 651(상품명, BASF사제) 2.5질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트를 1.0질량부, 또한 실리콘 변성 아크릴레이트를 0.31질량 부가하여, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 제조했다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 점착제층이 맞대어지는 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.3이 되도록 제조된 에틸렌-메타크릴산 공중합체(기재 수지 필름)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Ethyl acrylate, butyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized in a ratio of 10: 9: 1 in ethyl acetate by a conventional method to obtain a solution containing an acrylic polymer. Subsequently, 50 parts by mass of an ultraviolet-curable oligomer obtained by reacting a solution containing the acrylic polymer with pentaerythritol triacrylate and diisocyanate as an ultraviolet curable compound and 50 parts by mass of Irgacure 651 (trade name, manufactured by BASF ), 1.0 part by mass of trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate as a polyisocyanate compound, and 0.31 part by mass of silicone-modified acrylate were added to prepare a resin composition which is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The resin composition was coated on the releasably treated surface of the polyethylene terephthalate separator previously subjected to the releasing treatment so that the thickness of the pressure sensitive adhesive layer after drying was 10 占 퐉 and dried at 80 占 폚 for 10 minutes, (Base resin film) prepared so as to have a surface roughness of 0.3 on the side opposite to the side subjected to the corona treatment and transferring the pressure-sensitive adhesive onto the base resin film, A pressure-sensitive adhesive tape for processing was produced.

(실시예 9) (Example 9)

실리콘 변성 아크릴레이트를 0.77질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 9 except that 0.77 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(참고예 2) (Reference Example 2)

폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 0.1질량부 배합한 것 이외에는, 참고예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that 0.1 part by mass of trimethylolpropane-modified hexamethylene diisocyanate was blended as polyisocyanate.

(실시예 10) (Example 10)

펜타에리트리톨트리아크릴레이트 및 디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머를 30질량부로 한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 2, except that the ultraviolet-curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate was changed to 30 parts by mass.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

실리콘 변성 아크릴레이트를 배합하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that silicone-modified acrylate was not blended.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

실리콘 변성 아크릴레이트를 0.15질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.Sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 9 except that 0.15 parts by mass of silicone-modified acrylate was blended.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

기재 수지 필름의, 점착제층이 맞대어지는 표면과는 반대측의 면의 표면 조도를 1.1㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the surface roughness of the surface of the base resin film opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer was brought into contact was 1.1 탆.

실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 3의 각 샘플에 대하여 접촉각, 프로브 태크, 겔 분율, 내용제성, 서포트 부재의 박리성에 대하여, 평가 시험을 이하와 같이 행했다. 얻어진 결과를 통합하여 하기 표 1 및 2에 나타낸다.For each of the samples of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3, an evaluation test was conducted as follows for the contact angle, the probe tack, the gel fraction, the solvent resistance, and the peelability of the support member. The obtained results are collectively shown in Tables 1 and 2 below.

<점착제층 표면의 접촉각>&Lt; Contact angle of pressure-sensitive adhesive layer surface &

평평한 면에서 측정을 행할 필요가 있기 때문에, 기재 수지 필름의 점착제층이 형성되어 있지 않은 쪽의 면을, 양면 테이프를 사용하여 표면이 평평한 유리판에 고정했다. 세퍼레이터를 박리한 후, 메틸에틸케톤을 적하하고, 접촉각 θ를 교와 가가쿠 가부시키가이샤제 FACE 접촉각계 CA-S150형을 사용하여 측정했다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50％이다. 점착제층 표면의 접촉각의 측정은 점착 테이프에의 자외선 조사를 행하기 전의 상태에서 행했다.The surface of the base resin film on which the pressure-sensitive adhesive layer was not formed was fixed to a glass plate whose surface was flat using a double-sided tape. After the separator was peeled off, methyl ethyl ketone was dropped and the contact angle? Was measured using a FACE contact angle meter CA-S150 manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd. The measurement temperature is 23 占 폚, and the measurement humidity is 50%. The measurement of the contact angle of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer was carried out before the ultraviolet ray irradiation on the pressure-sensitive adhesive tape was carried out.

<프로브 태크><Probe tag>

가부시키가이샤 레스카의 태킹 시험기 TAC-II를 사용하여 행했다. 측정 모드는, 설정된 가압값까지 프로브를 압입하여, 설정된 시간이 경과할 때까지 가압값을 유지하도록 계속하여 컨트롤하는 "Constant Load"를 사용했다. 세퍼레이터를 박리한 후, 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제층을 위로 하고, 상측으로부터 직경 3.0㎜의 SUS304제의 프로브를 접촉시켰다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 스피드는 30㎜/min이며, 접촉 하중은 0.98N이며, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600㎜/min의 박리 속도로 상방으로 박리하고, 박리하는 데 필요로 하는 힘을 측정하여, 그 피크값을 판독했다. 프로브 온도는 23℃이고, 플레이트 온도는 23℃로 했다.Was carried out using a tacking tester TAC-II of Resuka Corporation. In the measurement mode, "Constant Load" was used to push the probe to the set pressure value and to continue to maintain the pressure value until the set time elapsed. After peeling the separator, the pressure sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was raised, and a probe made of SUS304 having a diameter of 3.0 mm was contacted from above. The speed at which the probe is brought into contact with the measurement sample is 30 mm / min, the contact load is 0.98 N, and the contact time is 1 second. Thereafter, the probe was peeled upward at a peeling rate of 600 mm / min, and the force required for peeling was measured, and the peak value was read. The probe temperature was 23 占 폚, and the plate temperature was 23 占 폚.

<겔 분율><Gel fraction>

50㎜×50㎜의 크기로 커트한 반도체 가공용 점착 테이프로부터, 세퍼레이터를 제거하고, 그 질량 A를 칭량했다. 다음으로 이 칭량한 반도체 가공용 다이싱 테이프의 샘플을 100g의 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 침지한 상태에서 48시간 방치한 후, 50℃의 항온층에서 건조시켜, 그 질량 B를 칭량했다. 또한 100g의 아세트산에틸을 사용하여 샘플의 점착제층을 닦아내어 제거한 후, 샘플의 질량 C를 칭량하여, 하기 식 (1)에 의해 겔 분율을 산출했다.The separator was removed from the adhesive tape for semiconductor processing cut into a size of 50 mm x 50 mm, and the mass A thereof was weighed. Next, this weighed sample of the dicing tape for semiconductor processing was left in a state immersed in 100 g of methyl isobutyl ketone (MIBK) for 48 hours, dried in a constant temperature layer at 50 DEG C, and its mass B was weighed. Further, the pressure sensitive adhesive layer of the sample was wiped off using 100 g of ethyl acetate, and the mass C of the sample was weighed, and the gel fraction was calculated by the following equation (1).

겔 분율(％)=(B-C)/(A-C) (1) Gel fraction (%) = (B-C) / (A-C) (1)

<표면 조도 Ra><Surface roughness Ra>

실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프의, 점착제가 도포 시공되는 면측을 평활한 미러 웨이퍼에 접합함으로써 고정하고, 점착제의 도포 시공되지 않는 면측의 산술 표면 조도 Ra를 표면 조도 측정기(가부시키가이샤 미츠토요사제, 상품명: 서프 테스트 SJ-301)를 사용하여 기재 수지 필름의 압출 방향(MD 방향)으로 임의의 5개소에서 측정하여 평균값을 구했다.EXAMPLES The adhesive tapes for semiconductor processing obtained in Examples and Comparative Examples were fixed by bonding the adhesive side to the mirror wafer on which the applied side was smoothed and the arithmetic surface roughness Ra on the side not coated with the adhesive was measured with a surface roughness meter Ltd., product name: Surf Test SJ-301, manufactured by Mitsutoyo Co., Ltd.) at an arbitrary five locations in the extrusion direction (MD direction) of the base resin film.

<평행 광선 투과율><Parallel light transmittance>

실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제가 도포 시공되지 않는 면측으로부터 파장 1064㎚에서의 평행 광선 투과율을 투과율 측정기(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제, 상품명: UV3101PC & MPC-3100)를 사용하여 임의의 5개소에서 측정하여 평균값을 구했다. 이 장치는 적분구 방식의 수광부를 갖는 전체 광선 투과율 측정이 가능한 장치로 되어 있지만, 샘플의 고정 위치를 적분구 입사창으로부터 70㎜ 분리함으로써, 평행 광선 투과율을 측정했다.EXAMPLES The pressure transmittance at a wavelength of 1064 nm was measured using a transmittance meter (trade name: UV3101PC & MPC-3100, manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd.) from the side where the adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing obtained in Examples was not applied And measured at five arbitrary positions to obtain an average value. This device is a device capable of measuring the total light transmittance with an integrating sphere type light receiving unit, but the parallel light ray transmittance was measured by separating the fixed position of the sample by 70 mm from the incidence window of the integrating sphere.

<내용제성 1><Solvent resistance 1>

8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 반도체 웨이퍼측으로부터 유기 용제로서 메틸이소부틸케톤(MIBK)을 분사하면서, 20rpm으로 회전시켜 스핀 세정을 실시했다. 세정·건조 종료 후에 반도체 가공용 다이싱 테이프의 반도체 웨이퍼가 부착되어 있지 않은 영역의 점착제층을 관찰하여, 점착제의 용해 또는 팽윤이 보이지 않은 것을 ○, 일부 점착제의 팽윤이 보이기는 하지만 실용상 문제가 없는 경미한 것을 △로 하여 합격이라고 판정, 점착제의 용해가 보인 것, 실용상 문제가 되는 레벨의 중도(重度)의 팽윤이 보인 것을 ×로 하여 불합격으로 했다.The adhesive tape for semiconductor processing obtained in Examples and Comparative Examples was bonded to an 8-inch semiconductor wafer, fixed to the ring frame, and then rotated at 20 rpm while spraying methylisobutylketone (MIBK) as an organic solvent from the semiconductor wafer side Spin cleaning was carried out. After the completion of washing and drying, the pressure-sensitive adhesive layer in the region where the semiconductor wafer was not adhered on the dicing tape for semiconductor processing was observed to show no dissolution or swelling of the pressure-sensitive adhesive, and there was no problem in practical use although some swelling of the pressure- The test was judged to be satisfactory, the dissolution of the pressure-sensitive adhesive was observed, and the degree of swelling of the level at which the test was problematic in practice.

<내용제성 2><Solvent resistance 2>

8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 1시간 침지했다. 그 후, 20rpm으로 회전시켜 스핀 건조를 실시한 후에 반도체 가공용 다이싱 테이프의 반도체 웨이퍼가 부착되어 있지 않은 영역의 점착제층을 관찰하여, 점착제의 용해 또는 팽윤이 보이지 않은 것을 ○, 일부 점착제의 팽윤이 보이기는 하지만 실용상 문제가 없는 경미한 것을 △로 하여 합격이라고 판정, 점착제의 용해가 보인 것, 실용상 문제가 되는 레벨의 중도의 팽윤이 보인 것을 ×로 하여 불합격으로 했다.The adhesive tape for semiconductor processing obtained in Examples and Comparative Examples was bonded to an 8-inch semiconductor wafer, fixed to a ring frame, and immersed in methylisobutylketone (MIBK) for 1 hour. Thereafter, spinning was carried out at 20 rpm to spin-dry the adhesive layer of the dicing tape for semiconductor processing, where the adhesive layer was not adhered to the semiconductor wafer, and the adhesive was not observed to show dissolution or swelling. But the test results were rated as acceptable and the test results showed that the adhesive was dissolved and that the level swelling at a level that was practically problematic was found to be a failure.

<서포트 부재 박리성>&Lt; Support member peelability >

미국 특허 출원 공개 제2011/0272092호 명세서에 개시되는 방법을 사용함으로써, 두께 약 700㎛의 6인치의 실리콘 웨이퍼 상에 플라즈마 중합체 분리층, 실리콘 고무 접착제층, 서포트 부재로서 두께 2.5㎜의 유리판이, 순서대로 적층된 구조체를 얻었다. 상기한 바와 같이 하여 얻어진 구조체의 웨이퍼 배면(플라즈마 중합체 분리층 등이 적층되어 있지 않은 면)에 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임 상에 고정한 후, Suss사제 De-Bonder DB12T에 제공함으로써, 서포트 부재의 박리성을 평가했다. 서포트 부재의 플라즈마 중합체 분리층과 웨이퍼 표면의 사이에서 박리하여, 서포트 부재를 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 있던 것을 ○, 일부에서 웨이퍼 배면과 반도체 가공용 점착 테이프의 사이에서의 박리가 발생하기는 했지만, 서포트 부재를 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 있어, 실용상 허용할 수 있는 것을 △로 하여, 합격이라고 판정, 서포트 부재의 플라즈마 중합체 분리층과 웨이퍼 표면의 사이에서 박리하지 않고, 웨이퍼 배면과 반도체 가공용 점착 테이프의 사이에서 박리하고, 서포트 부재를 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 없었던 것을 ×로 하여 불합격으로 했다.By using the method disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2011/0272092, a plasma polymer separation layer, a silicone rubber adhesive layer, and a glass plate having a thickness of 2.5 mm as a support member are formed on a silicon wafer of 6 inches, And a laminated structure was obtained in this order. The adhesive tape for semiconductor processing obtained in Examples and Comparative Examples was bonded to the back surface of the wafer (the surface on which the plasma polymer separation layer and the like were not laminated) of the structure obtained as described above, fixed on the ring frame, Bonder DB 12T to evaluate the releasability of the support member. The separation between the plasma polymer separation layer of the support member and the surface of the wafer peeled off and the support member could be removed from the wafer surface. In some cases, peeling occurred between the back surface of the wafer and the adhesive tape for semiconductor processing, The member can be removed from the surface of the wafer, and it is judged as DELTA that which can be practically allowed, and it is judged that the wafer is acceptable. The adhesion between the back surface of the wafer and the adhesive tape for semiconductor processing , And the support member could not be removed from the wafer surface.

<칩 분할률>&Lt; Chip Partition Ratio >

100㎛ 두께의 8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 하기에 기재하는 스텔스 다이싱 조건에서, 반도체 가공용 점착 테이프 너머 레이저를 조사하여 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 익스팬드 장치(가부시키가이샤 디스코제, DDS2300)를 사용하여, 300㎜/초, 10㎜ 연신의 조건에서 반도체 가공용 점착 테이프를 익스팬드하고, 웨이퍼를 칩 단위로 분할했다. 그 후, 육안으로 완전히 개편화된 칩의 수를 세어, 전체의 98％ 이상이 분할되어 있던 것을 ○, 90％ 이상 98％ 미만의 것을 실용상 허용할 수 있는 △로 하여, 합격이라고 판정, 90％ 미만의 것을 ×로 하여 불합격으로 했다.The adhesive tape for semiconductor processing obtained in Examples and Comparative Examples was bonded to an 8-inch semiconductor wafer having a thickness of 100 mu m and fixed to a ring frame. Thereafter, under the stealth dicing conditions described below, , A modified region was formed inside the semiconductor wafer, and then a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was expanded under the conditions of 300 mm / sec and 10 mm of elongation using an expanding apparatus (DDS2300, manufactured by Kabushiki Kaisha Disco Co., Ltd.) Is divided into chip units. After that, the number of chips completely separated by the naked eye was counted to find that not less than 98% of the whole chips were divided, and 90% or more and less than 98% % &Quot; was evaluated as &quot; x &quot;

<스텔스 다이싱 조건><Stealth Dicing Condition>

·장치 : Nd-YAG 레이저 · Device: Nd-YAG laser

·파장 : 1064㎚ · Wavelength: 1064 nm

·반복 주파수 : 100㎑ · Repetition frequency: 100 kHz

·펄스폭 : 30ns · Pulse width: 30ns

·커트 속도 : 100㎜/초 Cutting speed: 100 mm / sec

·커트 칩 사이즈 : 5㎜×5㎜Cut chip size: 5 mm x 5 mm

Figure 112016051066223-pct00001
Figure 112016051066223-pct00001

Figure 112016051066223-pct00002
Figure 112016051066223-pct00002

표 1, 2에 나타낸 바와 같이, 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1° 이상이며 60° 이하인 실시예 1 내지 10, 참고예 1, 2는 내용제성의 평가 항목에 있어서 합격 판정이며, 화학 약품을 사용한 반도체 소자 표면의 세정 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에 있어서 실용상 문제없이 사용할 수 있다. 또한, 동일하게 실시예 1 내지 10, 참고예 1, 2에서는, 반도체 가공용 점착 테이프의 파장 1064㎚에 있어서의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만이고, 양호한 칩 분할 성능을 나타냈다.As shown in Tables 1 and 2, Examples 1 to 10 and Reference Examples 1 and 2, in which the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone before irradiation with ultraviolet light was 25.1 ° or more and 60 ° or less, And can be used without any problem in practical use in the production of a semiconductor device including a cleaning step of the surface of a semiconductor element using a chemical agent. Similarly, in Examples 1 to 10 and Reference Examples 1 and 2, the parallel light ray transmittance at a wavelength of 1064 nm of the adhesive tape for semiconductor processing was 88% or more and less than 100%, showing good chip splitting performance.

실시예 1 및 실시예 7과 비교예 1의 비교에서는, 점착제층이, 실리콘 아크릴레이트 혹은 불소 함유 올리고머를 함유함으로써 내용제성을 향상시킬 수 있었다. 특히 태크력이 200 내지 600kPa인 실시예 1, 실시예 2, 실시예 4, 5, 실시예 7 내지 10, 참고예 1, 2에서는 서포트 부재의 박리 시험에 있어서 더욱 우수한 결과이었다. 또한, 겔 분율이 65％ 이상인 실시예 4 내지 6, 실시예 10, 참고예 1, 2에서는, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 1시간 침지한 경우의 내용제성(내용제성 2)도 우수한 것을 알 수 있다.In comparison between Example 1 and Example 7 and Comparative Example 1, the solvent resistance was improved by containing the silicone acrylate or the fluorine-containing oligomer in the pressure-sensitive adhesive layer. In particular, in Example 1, Example 2, Examples 4 and 5, Examples 7 to 10, and Reference Examples 1 and 2, in which the tack force was 200 to 600 kPa, the results were excellent in the peeling test of the support member. In Examples 4 to 6 and 10 and Reference Examples 1 and 2 having a gel fraction of 65% or more, excellent solvent resistance (solvent resistance 2) when immersed in methyl isobutyl ketone (MIBK) for 1 hour .

한편, 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1° 미만인 비교예 1, 비교예 2에서는 어느 내용제성 시험에 있어서 점착제의 용해 또는 중도의 팽윤이 보여, 화학 약품을 사용한 반도체 소자 표면의 세정 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에는 적합하지 않은 것이 나타났다. 또한, 다이싱 테이프의 파장 1064㎚에 있어서의 평행 광선 투과율이 88％ 미만인 비교예 3에서는 충분한 칩 분할 성능을 얻을 수 없었다.On the other hand, in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, in which the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone before irradiation with ultraviolet light was less than 25.1 °, dissolution of the pressure-sensitive adhesive or swelling of the pressure- It has been found that it is not suitable for the production of a semiconductor element including a cleaning step of the element surface. In Comparative Example 3 in which the parallel light transmittance at the wavelength of 1064 nm of the dicing tape was less than 88%, sufficient chip dividing performance could not be obtained.

Claims (3)

기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프로서,
상기 점착제층이, 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머를 함유하고, 상기 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머의 함유량이, 상기 점착제층의 전체 고형분에 대하여 0질량％보다도 많고 6질량％ 이하이고,
상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°내지 60°이며,
상기 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064㎚의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만이고,
상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa인 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 점착 테이프.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing having a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer formed on at least one surface of a base resin film,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains silicon acrylate or a fluorine-containing oligomer and the content of the silicone acrylate or the fluorine-containing oligomer is more than 0 mass% and not more than 6 mass% with respect to the total solid content of the pressure-
The contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to methyl isobutyl ketone before irradiation with radiation is 25.1 DEG to 60 DEG,
A parallel light ray transmittance of a light beam having a wavelength of 1064 nm which is incident from the base resin film side is not less than 88% and less than 100%
Characterized in that the peak value of the probe tack test before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer is 200 to 600 kPa. 제1항에 있어서, 상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 상기 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하인 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 점착 테이프.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a gel fraction of not less than 65% and not more than 100% with respect to methylisobutyl ketone before irradiation with radiation. 삭제delete
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