KR101895162B1

KR101895162B1 - Plasma apparatus

Info

Publication number: KR101895162B1
Application number: KR1020170050813A
Authority: KR
Inventors: 다쿠야 요시무라; 마사후미 고이즈미; 고타로 이데; 유 아시타카
Original assignee: 도요타지도샤가부시키가이샤
Priority date: 2016-04-25
Filing date: 2017-04-20
Publication date: 2018-09-04
Also published as: CN107452588A; JP2017197837A; KR20170121701A; JP6394641B2; CN107452588B

Abstract

플라스마 CVD법에 의해 워크(W)의 일부에 성막 또는 에칭을 행하도록 구성된 플라스마 장치(200)는, 제1 오목부(114)와 상기 제1 오목부(114)의 주위에 배치된 제1 평면부(111)를 구비하는 제1 형(110)과, 상기 제1 형(110)에 대향하여 배치된 제2 형(120)을 구비하는 진공 용기(100)와, 상기 제1 형(110)의 상기 제1 평면부(111)와 상기 제2 형(120) 사이에 배치되고, 상기 워크(W)의 피처리 대상 부분(10A)을 상기 제1 오목부(114) 내의 공간을 향하게 함과 함께 상기 워크(W)를 상기 제1 평면부(111)로부터 이격시킨 상태에서 상기 워크(W)에 접촉하는 절연 부재(30)와, 상기 워크(W)에 전력을 인가하는 전력 인가부(70)를 포함하고, 상기 워크(W)와 상기 절연 부재(30)의 접촉점(P1)과, 상기 제1 평면부(111)의 거리(A1)는, 상기 워크(W)와 상기 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리(B1)보다 작다.The plasma apparatus 200 configured to perform film formation or etching on a part of the work W by the plasma CVD method includes a first concave portion 114 and a first concave portion 114 disposed around the first concave portion 114 A vacuum container 100 having a first mold 110 having a first mold 110 and a second mold 120 disposed opposite to the first mold 110, (10A) of the work (W) is directed to a space in the first concave portion (114), and a second concave portion An insulating member 30 contacting the work W in a state where the work W is separated from the first planar portion 111 and a power applying portion 70 for applying electric power to the work W Wherein a contact point P1 between the work W and the insulating member 30 and a distance A1 between the first plane portion 111 and the work W are substantially equal to each other, Is smaller than the distance B1 of the bottom portion 113 of the base plate 114.

Description

플라스마 장치 {PLASMA APPARATUS}PLASMA APPARATUS

본 발명은, 플라스마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma apparatus.

플라스마 CVD법에 의해, 기판에 성막을 행하는 장치가 알려져 있다. 일본 특허 공개 제2013-206652호에는, 진공 용기 내에 기판을 보유 지지하는 홀더를 설치하고, 바이어스 전원으로부터 홀더에 바이어스 전압을 인가하여, 성막을 행하는 장치가 기재되어 있다. 이 장치에서는, 진공 용기와 바이어스 전원은, 절연 부재에 의해 절연되어 있다.An apparatus for forming a film on a substrate by a plasma CVD method is known. Japanese Patent Laying-Open No. 2013-206652 discloses a device in which a holder for holding a substrate in a vacuum container is provided and a bias voltage is applied to a holder from a bias power source to perform film formation. In this apparatus, the vacuum container and the bias power source are insulated by an insulating member.

일본 특허 공개 제2013-206652호에 기재된 장치에서는, 바이어스 전원으로부터 홀더로 이어지는 전압선과 절연 부재가 접촉하는 개소에 있어서 전계가 집중되므로, 그 개소에 플라스마가 침입하면, 이상 방전이 발생하는 경우가 있었다. 또한, 플라스마 CVD법에 의해 에칭을 행하는 경우에 있어서도 마찬가지로 이상 방전이 발생하는 경우가 있었다. 그로 인해, 플라스마 CVD법에 의해 성막 또는 에칭을 행하는 장치에 있어서, 이러한 이상 방전의 발생을 억제 가능한 기술이 요망되고 있었다.In the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-206652, an electric field is concentrated at a portion where a voltage line extending from a bias power source to a holder and an insulating member are in contact with each other, so that an abnormal discharge occurs when a plasma enters the spot . Also, when etching is performed by the plasma CVD method, an abnormal discharge may occur in some cases. Therefore, a technique capable of suppressing the occurrence of such an abnormal discharge has been desired in an apparatus for performing film formation or etching by the plasma CVD method.

본 발명은, 이상 방전의 발생을 억제하는 플라스마 장치를 제공한다.The present invention provides a plasma apparatus for suppressing the generation of abnormal discharge.

본 발명의 일 형태에 따르면, 플라스마 CVD법에 의해 워크의 일부에 성막 또는 에칭을 행하도록 구성된 플라스마 장치가 제공된다. 이 플라스마 장치는, 제1 오목부와 상기 제1 오목부의 주위에 배치된 제1 평면부를 구비하는 제1 형과, 상기 제1 형에 대향하여 배치된 제2 형을 갖는 진공 용기와, 상기 제1 형의 상기 제1 평면부와 상기 제2 형 사이에 배치되고, 상기 워크의 피처리 대상 부분을 상기 제1 오목부 내의 공간을 향하게 함과 함께 상기 워크를 상기 제1 평면부로부터 이격시킨 상태에서 상기 워크에 접촉하는 절연 부재와, 상기 워크에 전력을 인가하는 전력 인가부를 구비하고, 상기 워크와 상기 절연 부재의 접촉점과, 상기 제1 평면부의 거리는, 상기 워크와 상기 제1 오목부의 저부의 거리보다 작다. 이러한 플라스마 장치이면, 워크와 접촉하는 절연 부재는 제1 평면부와 제2 형 사이에 배치되고, 워크와 절연 부재의 접촉점과, 제1 평면부의 거리는, 워크와 제1 오목부의 저부의 거리보다 작기 때문에, 워크와 제1 평면부로 형성되는 공간에 제1 오목부로부터 플라스마가 침입하는 것이 억제된다. 그로 인해, 워크와 절연 부재의 접촉점에 있어서의 플라스마의 양이 저감되므로, 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a plasma apparatus configured to perform film formation or etching on a part of a work by a plasma CVD method. The plasma apparatus includes a vacuum container having a first mold having a first concave portion and a first planar portion arranged around the first concave portion and a second mold arranged opposite to the first mold, A first concave portion disposed between the first planar portion and the second concave portion of the first type and configured to direct a portion to be processed of the work to a space in the first concave portion and to separate the work from the first planar portion Wherein a distance between a contact point of the work and the insulating member and a distance between the first plane portion and the contact portion between the work and the bottom portion of the first concave portion Less than distance. In this plasma apparatus, the insulating member in contact with the work is arranged between the first plane portion and the second mold, and the distance between the contact point of the work and the insulating member and the first plane portion is smaller than the distance between the work and the bottom portion of the first concave portion Therefore, invasion of the plasma from the first concave portion into the space formed by the work and the first plane portion is suppressed. As a result, the amount of plasma at the contact point between the work and the insulating member is reduced, so that occurrence of abnormal discharge can be suppressed.

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 제1 오목부와 상기 제1 평면부의 접속 개소로부터 상기 접촉점까지의 상기 제1 평면부를 따른 거리는 0보다 커도 된다. 이러한 플라스마 장치이면, 제1 오목부로 형성되는 플라스마가 발생하는 공간과, 워크와 절연 부재의 접촉점이 이격되어 있기 때문에, 접촉점에 있어서의 플라스마의 양이 더 저감되므로, 이상 방전의 발생을 더 억제할 수 있다.In the above-described plasma apparatus, the distance from the connection point of the first concave portion and the first plane portion to the contact point along the first plane portion may be larger than zero. In such a plasma apparatus, since the space in which the plasma formed by the first concave portion is generated and the contact point between the work and the insulating member are spaced apart from each other, the amount of plasma at the contact point is further reduced, .

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 접촉점과 상기 제1 평면부의 거리는, 상기 워크와 상기 제1 평면부 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧아도 된다. 이러한 플라스마 장치이면, 워크와 절연 부재의 접촉점과, 제1 평면부의 거리는, 워크와 제1 평면부 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧기 때문에, 워크와 제1 평면부 사이에 플라스마를 발생시키지 않도록 할 수 있다. 그로 인해, 접촉점에 있어서의 플라스마의 양이 효과적으로 저감되므로, 이상 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.In the above-described plasma apparatus, the distance between the contact point and the first plane portion may be shorter than the distance between the sheath formed between the work and the first plane portion. In such a plasma apparatus, the distance between the contact point of the work and the insulating member and the distance between the first plane portion and the work is shorter than the distance between the work and the first plane portion, so that plasma is not generated between the work and the first plane portion . As a result, the amount of plasma at the contact point is effectively reduced, so that the occurrence of the abnormal discharge can be effectively suppressed.

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 접촉점과 상기 제1 평면부의 거리는 2.0㎜ 이하여도 된다. 이러한 플라스마 장치이면, 워크와 제1 평면부로 형성되는 공간에 제1 오목부로부터 플라스마가 침입하는 것이 한층 억제된다. 또한, 워크와 제1 평면부 사이에 플라스마를 발생시키지 않도록 할 수 있다. 그로 인해, 접촉점에 있어서의 플라스마의 양이 한층 저감되므로, 이상 방전의 발생을 한층 억제할 수 있다.In the above-described plasma apparatus, the distance between the contact point and the first plane portion may be 2.0 mm or less. With such a plasma device, invasion of the plasma from the first concave portion into the space formed by the work and the first plane portion is further suppressed. Further, the plasma can be prevented from being generated between the work and the first plane portion. As a result, the amount of plasma at the contact point is further reduced, so that occurrence of anomalous discharge can be further suppressed.

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 워크는, 피처리 대상물과, 상기 피처리 대상물의 비피처리 대상 부분을 덮는 마스킹 부재를 구비하고, 상기 제1 오목부와 상기 제1 평면부의 접속 개소는, 상기 피처리 대상 부분의 단부로부터 상기 절연 부재측으로 이격되어 위치하고 있어도 된다. 전력이 인가되는 워크와 진공 용기 사이에 플라스마를 발생시켜 피처리 대상 부분에 성막 또는 에칭을 행하기 위해, 피처리 대상 부분과 진공 용기 사이는, 이른바 시스의 거리보다 이격되어 있는 것이 바람직하고, 피처리 대상 부분과 진공 용기가 근접하고 있는 개소에서는 플라스마가 발생하지 않아, 피처리 대상 부분의 단부에 있어서 성막 불량 또는 에칭 불량이 발생할 우려가 있다. 그러나, 이러한 형태의 플라스마 장치이면, 진공 용기의 제1 오목부와 제1 평면부의 접속 개소는, 피처리 대상물의 피처리 대상 부분의 단부로부터 절연 부재측으로 이격되어 위치하고 있으므로, 피처리 대상 부분과 진공 용기의 거리를 확보할 수 있다. 그로 인해, 피처리 대상 부분의 단부에 있어서의 성막 불량 또는 에칭 불량을 억제할 수 있다.In the above-described plasma apparatus, the work includes a to-be-treated object and a masking member that covers the to-be-treated portion of the to-be-treated object, and the connection portion of the first concave portion and the first plane portion includes And may be located apart from the end of the part to be processed to the insulating member side. It is preferable that the part to be treated and the vacuum container are spaced from the so-called distance of the sheath in order to generate plasma between the work to which power is applied and the vacuum container to perform film formation or etching on the part to be treated, Plasma is not generated in a portion where the portion to be treated and the vacuum container are in close proximity to each other, and there is a possibility that poor film formation or poor etching occurs at the end portion of the portion to be processed. However, with this type of plasma apparatus, since the connection portion between the first concave portion and the first plane portion of the vacuum container is located away from the end portion of the to-be-treated portion of the to-be-treated object toward the insulating member side, The distance of the container can be secured. As a result, it is possible to suppress film formation defects or etching defects at the ends of the portion to be processed.

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 마스킹 부재는, 상기 피처리 대상 부분측의 단부에 상기 제1 오목부측을 향해 경사진 경사면을 갖고 있어도 된다. 이러한 형태의 플라스마 장치이면, 마스킹 부재의 피처리 대상 부분측의 단부에 전계가 집중되는 것을 억제할 수 있으므로, 피처리 대상 부분의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.In the plasma apparatus of the above-described type, the masking member may have an inclined surface inclined toward the first concave portion at the end portion on the side of the part to be processed. With this type of plasma apparatus, it is possible to suppress concentration of the electric field on the end portion of the masking member on the side of the to-be-processed portion, so that the film density or the etching density at the end portion of the to-be- .

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 피처리 대상물과 접촉하는 상기 마스킹 부재의 접촉면과 상기 경사면이 이루는 각은, 30°이하여도 된다. 이러한 형태의 플라스마 장치이면, 마스킹 부재의 피처리 대상 부분측의 단부에 전계가 집중되는 것을 더 억제할 수 있으므로, 피처리 대상 부분의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 더 억제할 수 있다.In the above-described plasma apparatus, the angle formed by the contact surface of the masking member in contact with the object to be processed and the inclined surface may be 30 degrees or less. This type of plasma apparatus can further suppress the concentration of the electric field on the end portion of the masking member on the side of the portion to be treated, so that the lowering of the film forming density or the etching density at the end portion of the portion to be processed is further suppressed .

상기 형태의 플라스마 장치에 있어서, 상기 제2 형은, 제2 오목부와 상기 제2 오목부의 주위에 배치된 제2 평면부를 갖고, 플라스마 장치는, 상기 제1 오목부 내에 배치된 제1 전극과, 상기 제2 오목부 내에 배치된 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전력 인가부를 더 구비하고, 상기 워크는, 상기 제1 오목부 내의 공간과 상기 제2 오목부 내의 공간을 분리해도 된다. 이러한 형태의 플라스마 장치이면, 워크에 의해 제1 오목부 내의 공간과 제2 오목부 내의 공간이 분리되어 있고, 이들 공간은 전기적으로 절연되므로, 제1 전극에 인가된 고주파와, 제2 전극에 인가된 고주파의 위상이 간섭하는 것이 억제되므로, 인가된 전력을 효율적으로 이용하여, 워크를 성막 또는 에칭할 수 있다.In the plasma apparatus of the above-described type, the second mold has a second concave portion and a second planar portion disposed around the second concave portion, and the plasma device includes a first electrode disposed in the first concave portion, A second electrode disposed in the second concave portion, and a high-frequency power applying unit for applying a high-frequency power to the first electrode and the second electrode, wherein the work includes a space in the first concave portion, The space in the second concave portion may be separated. In this type of plasma apparatus, the space in the first concave portion and the space in the second concave portion are separated by the work, and these spaces are electrically insulated, so that the high frequency applied to the first electrode, It is possible to efficiently form a film or to etch the work using the applied electric power.

본 발명은, 상술한 플라스마 장치 이외의 다양한 형태로 실현하는 것도 가능하다. 예를 들어, 플라스마 CVD법에 의해 워크의 일부에 성막 또는 에칭을 행하는 방법이나, 플라스마 장치의 제어 방법 및 제어 장치, 그들 장치 또는 방법의 기능을 실현하기 위한 컴퓨터 프로그램, 그 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체 등의 형태로 실현할 수 있다.The present invention can be realized in various forms other than the above-described plasma apparatus. For example, a method of performing film formation or etching on a part of a work by the plasma CVD method, a control method and a control apparatus of the plasma apparatus, a computer program for realizing the functions of those apparatuses or methods, a recording medium And the like.

본 발명의 예시적인 실시예의 특징, 이점 및 기술적 및 산업적 의의는 유사 요소들을 유사 도면 부호로 나타낸 첨부 도면을 참조로 하여 후술된다.The features, advantages, and technical and industrial significance of the exemplary embodiments of the present invention are described below with reference to the accompanying drawings, in which like elements are represented by like reference numerals.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치의 구성을 도시하는 개략 단면도.
도 2는 플라스마 장치의 분해 사시도.
도 3은 플라스마 장치의 부분 확대도.
도 4는 플라스마 장치에 의한 플라스마 처리 방법에 대해 나타내는 공정도.
도 5는 제1 실시 형태의 변형예 1에 있어서의 플라스마 장치를 도시하는 도면.
도 6은 제1 실시 형태의 변형예 2에 있어서의 플라스마 장치를 도시하는 도면.
도 7은 제1 실시 형태의 변형예 3에 있어서의 플라스마 장치를 도시하는 도면.
도 8은 제1 실시 형태의 변형예 4에 있어서의 플라스마 장치를 도시하는 도면.
도 9는 제1 실시 형태의 변형예 6에 있어서의 플라스마 장치를 도시하는 도면.
도 10은 제2 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도.
도 11은 제3 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도.
도 12는 각도 D에 대한 실험 결과를 나타내는 도면.
도 13은 각도 D와 접촉 저항값의 관계를 나타내는 도면.
도 14는 제3 실시 형태의 변형예 1에 있어서의 플라스마 장치의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도.
도 15는 제3 실시 형태의 변형예 2에 있어서의 플라스마 장치의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도.
도 16은 제4 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치를 도시하는 도면.
도 17은 제4 실시 형태의 변형예에 있어서의 플라스마 처리 방법을 나타내는 공정도.1 is a schematic sectional view showing a configuration of a plasma apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of a plasma apparatus;
3 is a partial enlarged view of the plasma apparatus;
4 is a process chart showing a plasma processing method by a plasma apparatus.
5 is a view showing a plasma apparatus according to a first modification of the first embodiment;
6 is a view showing a plasma apparatus according to a second modification of the first embodiment;
7 is a view showing a plasma apparatus according to a modification 3 of the first embodiment;
8 is a view showing a plasma apparatus according to a fourth modification of the first embodiment;
9 is a view showing a plasma apparatus according to a sixth modification of the first embodiment;
10 is a partial schematic cross-sectional view partially showing a configuration of the plasma apparatus according to the second embodiment.
11 is a partial schematic cross-sectional view partially showing the configuration of the plasma apparatus according to the third embodiment.
12 is a view showing an experimental result on an angle D. Fig.
13 is a view showing the relationship between the angle D and the contact resistance value.
14 is a partial schematic cross-sectional view partially showing a configuration of a plasma apparatus according to a modification 1 of the third embodiment;
15 is a partial schematic cross-sectional view partially showing a configuration of a plasma apparatus according to a second modification of the third embodiment;
16 is a view showing a plasma apparatus according to a fourth embodiment;
17 is a process chart showing a plasma processing method in a modified example of the fourth embodiment.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200)의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. 도 2는, 플라스마 장치(200)의 분해 사시도이다. 도 1 및 도 2에는, 서로 직교하는 XYZ축이 도시되어 있다. Y축 방향은 연직 방향을 나타내고, X축 방향은 수평 방향을 나타내고, Z축 방향은 Y축 및 X축에 수직인 방향을 나타낸다. 이것은, 이후의 도면에 있어서도 마찬가지이다.Fig. 1 is a schematic sectional view showing a configuration of the plasma apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention. Fig. 2 is an exploded perspective view of the plasma apparatus 200. Fig. In Figs. 1 and 2, XYZ axes orthogonal to each other are shown. The Y-axis direction indicates a vertical direction, the X-axis direction indicates a horizontal direction, and the Z-axis direction indicates a direction perpendicular to the Y-axis and the X-axis. This also applies to the subsequent drawings.

플라스마 장치(200)는, 이른바 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해, 도전성을 갖는 워크(W)의 피처리 대상 부분(10A)에 박막을 형성하는 장치이다. 본 실시 형태에서는, 워크(W)는, 피처리 대상물(10)과 마스킹 부재(20)를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 피처리 대상물(10)은, 연료 전지의 세퍼레이터의 기재로서 사용되는 판상의 금속이다. 플라스마 장치(200)는, 피처리 대상물(10)의 피처리 대상 부분(10A)에, 예를 들어 도전성의 탄소계 박막을 형성한다.The plasma apparatus 200 is an apparatus for forming a thin film on a to-be-processed portion 10A of a workpiece W having conductivity by a so-called plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. In this embodiment, the workpiece W includes a to-be-treated object 10 and a masking member 20. In this embodiment, the object to be treated 10 is a plate-like metal used as a base material of a separator of a fuel cell. The plasma apparatus 200 forms a conductive carbon-based thin film, for example, on the to-be-treated portion 10A of the object 10 to be processed.

플라스마 장치(200)는, 진공 용기(챔버)(100)와, 절연 부재(30)와, 전력 인가부(70)를 구비한다. 플라스마 장치(200)는, 개폐 장치(50)와, 반송 장치(55)와, 가스 공급 장치(80)와, 배기 장치(90)와, 제어부(95)와, 팰릿(130)과, 시일 부재(60)를 더 구비한다. 또한, 도 2에서는, 개폐 장치(50)와, 반송 장치(55)와, 전력 인가부(70) 및 그 전력 도입부(71)와, 가스 공급 장치(80) 및 그 공급구(81)와, 배기 장치(90) 및 배기구(91)와, 제어부(95)는 도시를 생략하고 있다.The plasma apparatus 200 includes a vacuum chamber (chamber) 100, an insulating member 30, and a power applying unit 70. The plasma apparatus 200 includes an opening / closing apparatus 50, a transfer apparatus 55, a gas supply apparatus 80, an exhaust apparatus 90, a control unit 95, a pallet 130, (60). 2 shows the opening and closing device 50, the carrying device 55, the power applying part 70 and the power receiving part 71, the gas supplying device 80 and its supply port 81, The exhaust device 90, the exhaust port 91, and the control unit 95 are not shown.

진공 용기(100)는, 분할 가능한 금속제 용기이다. 진공 용기(100)는, 제1 형(110)과, 제1 형(110)에 대향하여 배치된 제2 형(120)을 구비한다. 제1 형(110)은, 제1 오목부(114)와 제1 오목부(114)의 주위에 배치된 제1 평면부(111)를 구비한다. 제1 오목부(114)는 워크(W)로부터 이격되는 방향으로 오목하게 들어가 있고, 본 실시 형태에서는 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)으로부터 보아 상방(+Y축 방향)으로 오목하게 들어가 있다. 또한, 제1 오목부(114)는, 측부(112)와 저부(113)를 구비한다. 제1 평면부(111)는, 제1 오목부(114)의 측부(112)로부터 연장되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 오목부(114)와 제1 평면부(111)의 접속 개소는, 피처리 대상 부분(10A)의 단부와, 동일한 YZ 평면 상에 위치하고 있다. 제2 형(120)은, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)으로부터 보아 하방(-Y축 방향)으로 오목하게 들어간 제2 오목부(124)와, 제2 오목부(124)의 주위에 배치된 제2 평면부(121)를 구비한다. 제2 오목부(124)는, 측부(122)와 저부(123)를 구비한다. 제2 평면부(121)는, 제1 형(110)의 제1 평면부(111)에 대응하는 부분에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 오목부(124)와 제2 평면부(121)의 접속 개소는, 피처리 대상 부분(10A)의 단부와, 동일한 YZ 평면 상에 위치하고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 평면부(111) 및 제2 평면부(121)는 XZ 평면과 평행하다. 제1 형(110) 및 제2 형(120)은, 진공 용기(100) 내에 가스 공급 장치(80)로부터 가스를 공급하기 위한 공급구(81)와, 진공 용기(100) 내를 배기 장치(90)에 의해 배기하기 위한 배기구(91)를 구비한다. 공급구(81) 및 배기구(91)에는, 개폐 가능한 밸브가 설치되어 있다. 또한, 제2 형(120)은, 워크(W)에 전압을 인가하기 위한 전력 도입부(71)를 구비한다. 제2 형(120)과 전력 도입부(71) 사이는, 절연 부재(35)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 진공 용기(100)는 접지 전위를 갖고 있다. 진공 용기(100) 내에 있어서, 워크(W)는, 제1 평면부(111)로부터 이격되고, 또한 워크(W)의 피처리 대상 부분(10A)은 진공 용기(100)가 폐쇄된 상태에 있어서 제1 오목부(114) 내의 공간을 향해 있다.The vacuum container 100 is a separable metal container. The vacuum container 100 includes a first mold 110 and a second mold 120 disposed opposite to the first mold 110. The first mold 110 has a first concave portion 114 and a first planar portion 111 disposed around the first concave portion 114. The first concave portion 114 is recessed in a direction away from the workpiece W and in the upper direction (+ Y-axis direction) as viewed from the portion 10A to be processed on the upper surface side of the workpiece W in this embodiment, . The first concave portion 114 also has a side portion 112 and a bottom portion 113. The first plane portion 111 extends from the side portion 112 of the first concave portion 114. In this embodiment, the connecting portion between the first concave portion 114 and the first plane portion 111 is located on the same YZ plane as the end portion of the to-be-processed portion 10A. The second mold 120 includes a second concave portion 124 recessed in the downward direction (-Y axis direction) as viewed from the portion 10A to be processed on the lower surface side of the work W, And a second flat surface portion 121 disposed around the second flat surface portion 124. The second concave portion 124 includes a side portion 122 and a bottom portion 123. The second flat surface portion 121 is disposed at a portion corresponding to the first flat surface portion 111 of the first mold 110. In this embodiment, the connecting portion between the second concave portion 124 and the second flat surface portion 121 is located on the same YZ plane as the end portion of the to-be-processed portion 10A. In the present embodiment, the first plane portion 111 and the second plane portion 121 are parallel to the XZ plane. The first mold 110 and the second mold 120 are provided with a supply port 81 for supplying gas from the gas supply device 80 into the vacuum container 100, 90 for exhausting the exhaust gas. The supply port (81) and the discharge port (91) are provided with valves that can be opened and closed. The second mold 120 also has a power supply portion 71 for applying a voltage to the work W. The second type (120) and the power supply portion (71) are electrically insulated by the insulating member (35). In the present embodiment, the vacuum container 100 has a ground potential. In the vacuum container 100, the work W is separated from the first flat surface portion 111 and the to-be-processed portion 10A of the work W is in a state in which the vacuum container 100 is closed And is directed toward the space in the first concave portion 114.

또한, 본 실시 형태에서는, 워크(W) 중 제1 오목부(114) 내 및 제2 오목부(124) 내에 위치하는 부분에는, 워크(W)의 상면측과 하면측을 관통하는 구멍이 마련되어 있지 않다. 그러나, 워크(W) 중 제1 오목부(114) 내 및 제2 오목부(124) 내에 위치하는 부분에는, 진공 용기(100)가 폐쇄된 상태에 있어서 워크(W)의 상면측과 하면측을 관통하는 구멍이 마련되어 있어도 된다.In the present embodiment, the work W is provided with a hole penetrating the upper surface side and the lower surface side of the work W in the portion located in the first recess 114 and the second recess 124 It is not. However, in the portion of the work W located in the first recess 114 and the second recess 124, the upper surface side of the work W and the lower surface side of the work W in the state in which the vacuum container 100 is closed Hole may be provided.

마스킹 부재(20)는, 피처리 대상물(10)의 비피처리 대상 부분(10B)을 덮는 부재이다. 바꾸어 말하면, 마스킹 부재(20)는, 피처리 대상물(10)의 피처리 대상 부분(10A)에 있어서 개구되는 부재이다. 본 실시 형태에서는, 마스킹 부재(20)는 상측 마스킹 부재(21)와 하측 마스킹 부재(22)를 갖는다. 상측 마스킹 부재(21)는, 피처리 대상물(10)의 제1 형(110)측에 배치되어 있다. 하측 마스킹 부재(22)는, 피처리 대상물(10)의 제2 형(120)측에 배치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 하측 마스킹 부재(22)는 피처리 대상물(10)을 지지한다. 마스킹 부재(20)는, 도전성 부재로 형성되어 있다. 피처리 대상물(10)과 마스킹 부재(20)는, 접촉함으로써 전기적으로 접속되어 있다.The masking member 20 is a member that covers the part to be treated 10B of the object 10 to be treated. In other words, the masking member 20 is a member that opens in the to-be-processed portion 10A of the to-be-processed object 10. [ In the present embodiment, the masking member 20 has the upper masking member 21 and the lower masking member 22. The upper masking member 21 is disposed on the first die 110 side of the object 10 to be processed. The lower masking member 22 is disposed on the second die 120 side of the object 10 to be processed. In the present embodiment, the lower masking member 22 supports the object 10 to be processed. The masking member 20 is formed of a conductive member. The object to be processed 10 and the masking member 20 are electrically connected by being in contact with each other.

절연 부재(30)는, 제1 형(110)의 제1 평면부(111)와 제2 형(120) 사이에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 절연 부재(30)는, 제1 평면부(111)와 제2 평면부(121) 사이에 배치되어 있다. 절연 부재(30)는, 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)을 제1 오목부(114) 내의 공간을 향하게 함과 함께, 워크(W)를 제1 평면부(111)로부터 이격시킨 상태에서, 워크(W)에 접촉한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 절연 부재(30)는 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)이 제2 오목부(124) 내의 공간을 향하고 있음과 함께, 워크(W)가 제2 평면부(121)로부터 이격된 상태에서, 워크(W)에 접촉한다. 본 실시 형태에서는, 절연 부재(30)는, 워크(W) 중 하측 마스킹 부재(22)에 접촉하여 하측 마스킹 부재(22)를 지지한다. 절연 부재(30)는, 예를 들어 알루미나(Al₂O₃)나 이산화규소(SiO₂) 등의 세라믹스로 형성되어 있다.The insulating member 30 is disposed between the first planar portion 111 and the second planar portion 120 of the first die 110. In the present embodiment, the insulating member 30 is disposed between the first planar portion 111 and the second planar portion 121. The insulating member 30 directs the workpiece W to the first flat surface portion 111 while allowing the portion W to be processed 10A on the upper surface side of the work W to face the space in the first concave portion 114, And contacts the work W in a state where the work W is separated from the work W. In the present embodiment, the insulating member 30 is arranged such that the to-be-treated portion 10A on the lower surface side of the work W faces the space in the second concave portion 124, 2 plane portion 121 of the workpiece W. In the present embodiment, the insulating member 30 contacts the lower masking member 22 of the work W to support the lower masking member 22. The insulating member 30 is made of, for example, ceramics such as alumina (Al ₂ O ₃ ) or silicon dioxide (SiO ₂ ).

팰릿(130)은, 금속제의 판상 부재이다. 팰릿(130)은, 워크(W)를 진공 용기(100) 내로 반송하는 부재이기도 하다. 팰릿(130)에는, 절연 부재(30), 하측 마스킹 부재(22), 피처리 대상물(10) 및 상측 마스킹 부재(21)가, 이 순서로 +Y축 방향으로 적재된다. 본 실시 형태에 있어서, 팰릿(130)은 접지 전위를 갖고 있다.The pallet 130 is a metal plate member. The pallet 130 is also a member for carrying the work W into the vacuum container 100. [ The insulating member 30, the lower masking member 22, the object to be processed 10 and the upper masking member 21 are stacked in the + Y-axis direction in this order on the pallet 130. In this embodiment, the pallet 130 has a ground potential.

시일 부재(60(61, 62))는, 제1 형(110)의 제1 평면부(111)와 제2 형(120) 사이에 배치되어 있다. 시일 부재(60)는, 진공 용기(100) 내의 기밀을 유지하기 위한 부재이다. 시일 부재(60)는, 절연성 부재이며, 본 실시 형태에서는 고무제의 환상 부재이다. 본 실시 형태에서는, 시일 부재(60)는 O링을 사용하고 있다. 본 실시 형태에서는, 시일 부재(61)는 제1 형(110)에 마련된 홈부에 끼움 삽입되어 있다. 시일 부재(62)는, 제2 형(120)에 마련된 홈부에 끼움 삽입되어 있다.The seal member 60 (61, 62) is disposed between the first plane portion 111 of the first die 110 and the second die 120. The seal member 60 is a member for maintaining airtightness in the vacuum container 100. The seal member 60 is an insulating member, and in the present embodiment, it is an annular member made of rubber. In the present embodiment, the seal member 60 uses an O-ring. In the present embodiment, the seal member 61 is inserted into the groove portion provided in the first die 110. The seal member 62 is inserted into the groove portion provided in the second die 120.

개폐 장치(50)는, 진공 용기(100)를 개폐하기 위한 장치이다. 본 실시 형태에서는, 개폐 장치(50)는, 제1 형(110)을 +Y축 방향으로 이동시켜 진공 용기(100)를 개방하고, 제1 형(110)을 -Y축 방향으로 이동시켜 진공 용기(100)를 폐쇄한다.The opening and closing device 50 is a device for opening and closing the vacuum container 100. In the present embodiment, the opening / closing device 50 moves the first mold 110 in the + Y axis direction to open the vacuum container 100, moves the first mold 110 in the -Y axis direction, The container 100 is closed.

반송 장치(55)는, 팰릿(130)을 진공 용기(100) 내로 반송하고, 팰릿(130)을 진공 용기(100) 밖으로 반송하기 위한 장치이다. 본 실시 형태에서는, 반송 장치(55)는, 팰릿(130)의 단부(130t)에 접촉하여, 진공 용기(100)가 개방된 상태에 있어서, 팰릿(130) 및 팰릿(130)에 적재된 절연 부재(30), 마스킹 부재(20), 피처리 대상물(10)을 진공 용기(100) 내로 반송한다. 또한, 반송 장치(55)는, 반송한 팰릿(130)을 하방으로 이동시킴으로써 팰릿(130)을 시일 부재(62)를 통해 제2 형(120) 상에 설치한다. 또한, 반송 장치(55)는, 상방으로 이동시킨 팰릿(130)을 XZ 평면을 따라 이동시켜 진공 용기(100) 밖으로 반송하는 것도 가능하다.The transfer device 55 is a device for transferring the pallet 130 into the vacuum container 100 and transferring the pallet 130 out of the vacuum container 100. In this embodiment, the conveying device 55 is in contact with the end portion 130t of the pallet 130, and in a state in which the vacuum container 100 is opened, The member 30, the masking member 20 and the object to be processed 10 into the vacuum container 100. The transfer device 55 also moves the pallet 130 to move the pallet 130 downward so that the pallet 130 is placed on the second mold 120 through the seal member 62. It is also possible that the transfer device 55 moves the pallet 130 moved upward along the XZ plane and out of the vacuum container 100.

전력 인가부(70)는, 플라스마를 발생시키기 위한 장치이다. 전력 인가부(70)는, 워크(W)에 전력을 인가한다. 전력 인가부(70)는, 진공 용기(100) 내에 공급된 원료 가스를 플라스마화하기 위한 전기장을 생성한다. 본 실시 형태에서는, 전력 도입부(71)와 피처리 대상물(10) 및 마스킹 부재(20)는 음극이고, 제1 형(110), 제2 형(120) 및 팰릿(130)은 양극이다. 본 실시 형태에서는, 전력 인가부(70)는, 하측 마스킹 부재(22)를 통해 피처리 대상물(10)에 바이어스 전압을 인가한다. 전력 인가부(70)는, 예를 들어 전력 도입부(71)에 -3000V의 전압을 인가할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 진공 용기(100) 및 팰릿(130)은 접지(0V)에 접속되어 있다.The power applying section 70 is a device for generating plasma. The power applying section 70 applies electric power to the work W. The power applying section 70 generates an electric field for plasmatizing the raw material gas supplied into the vacuum container 100. In the present embodiment, the power inlet portion 71, the object 10 and the masking member 20 are cathodes, and the first die 110, the second die 120, and the pallet 130 are the positive electrodes. In the present embodiment, the power applying section 70 applies a bias voltage to the object to be processed 10 via the lower masking member 22. The power applying section 70 can apply, for example, a voltage of -3000 V to the power introducing section 71. [ In this embodiment, the vacuum container 100 and the pallet 130 are connected to the ground (0 V).

가스 공급 장치(80)는, 공급구(81)를 통해, 진공 용기(100) 내에 캐리어 가스 및 원료 가스를 공급한다. 본 실시 형태에서는, 가스 공급 장치(80)는 캐리어 가스로서 예를 들어 질소(N₂) 가스나 아르곤(Ar) 가스를 공급하고, 원료 가스로서 예를 들어 피리딘(C₅H₅N) 가스를 공급한다. 가스 공급 장치(80)는, 상이한 종류의 가스를 저류하는 탱크와 접속되어 있다. 가스 공급 장치(80)는, 각 탱크와 공급구(81) 사이에 설치된 전환 밸브가 조작됨으로써, 공급구(81)에 공급되는 가스의 종류를 전환하는 것이 가능하다. 또한, 가스 공급 장치(80)는, 진공 용기(100) 내의 압력을, 개폐 장치(50)가 진공 용기(100)를 개방하는 것이 가능할 정도의 압력으로 되돌리기 위해, 플라스마 장치(200)에 의한 성막 후나 에칭 후에 진공 용기(100) 내에 예를 들어 질소 가스를 공급한다.The gas supply device 80 supplies the carrier gas and the raw material gas into the vacuum container 100 through the supply port 81. In the present embodiment, the gas supply device 80 supplies, for example, nitrogen (N ₂ ) gas or argon (Ar) gas as a carrier gas and a gas such as pyridine (C ₅ H ₅ N) Supply. The gas supply device 80 is connected to a tank for storing different kinds of gas. The gas supply device 80 is capable of switching the kind of gas supplied to the supply port 81 by operating a switch valve provided between each tank and the supply port 81. [ The gas supply device 80 is configured so that the pressure in the vacuum container 100 is lowered to a pressure enough to allow the opening and closing device 50 to open the vacuum container 100, After the post-etching, nitrogen gas, for example, is supplied into the vacuum chamber 100.

배기 장치(90)는, 배기구(91)를 통해, 진공 용기(100) 내를 배기한다. 배기 장치(90)는, 예를 들어 로터리 펌프나 확산 펌프, 터보 분자 펌프 등에 의해 구성된다.The exhaust device 90 evacuates the interior of the vacuum container 100 through the exhaust port 91. The exhaust device 90 is constituted by, for example, a rotary pump, a diffusion pump, a turbo molecular pump or the like.

제어부(95)는, 플라스마 장치(200) 전체의 동작을 제어한다. 제어부(95)는, CPU와 메모리를 포함한다. CPU는, 메모리에 저장된 프로그램을 실행함으로써, 플라스마 장치(200)의 제어를 행한다. 이 프로그램은, 각종 기록 매체에 기록되어 있어도 된다. 예를 들어, 제어부(95)는, 개폐 장치(50)를 제어하여 진공 용기(100)를 개폐하고, 반송 장치(55)를 제어하여 팰릿(130)을 반송한다. 또한, 제어부(95)는, 배기 장치(90)를 제어하여 진공 용기(100) 내를 배기하고, 가스 공급 장치(80)를 제어하여 진공 용기(100) 내에 가스를 공급하고, 전력 인가부(70)를 제어하여 워크(W)에 전력을 인가한다.The control unit 95 controls the operation of the plasma apparatus 200 as a whole. The control unit 95 includes a CPU and a memory. The CPU executes control of the plasma apparatus 200 by executing a program stored in the memory. This program may be recorded on various recording media. For example, the control unit 95 controls the opening / closing device 50 to open and close the vacuum container 100, and controls the conveying device 55 to convey the pallet 130. The control unit 95 controls the exhaust device 90 to exhaust the inside of the vacuum container 100 and controls the gas supply device 80 to supply the gas into the vacuum container 100 and to supply the power to the power application unit 70 so as to apply electric power to the work W.

도 3은, 플라스마 장치(200)의 부분 확대도이다. 도 3에는, 도 1에 파선으로 나타낸 X 부분이 나타나 있다. 도 3에는, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P1과, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P2가 나타나 있다. 접촉점 P1은, 워크(W)와 절연 부재(30)가 접촉하는 개소 중, 제1 평면부(111)에 대향하는 개소이다. 접촉점 P1은, 플라스마 장치(200)의 단면(도 3)에 있어서, 워크(W)와 절연 부재(30)가 접촉하는 개소 중, 제1 평면부(111)에 가장 가까운 접촉 개소이다. 접촉점 P2는, 워크(W)와 절연 부재(30)가 접촉하는 개소 중, 제2 평면부(121)에 대향하는 개소이다. 접촉점 P2는, 플라스마 장치(200)의 단면(도 3)에 있어서, 워크(W)와 절연 부재(30)가 접촉하는 개소 중, 제2 평면부(121)에 가장 가까운 접촉 개소이다. 도 3에는 또한, 접촉점 P1과 제1 평면부(111)의 거리 A1과, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리 B1이 나타나 있다. 거리 A1은, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉 개소와, 제1 평면부(111)의 최단 거리이다. 거리 B1은, 제1 오목부(114)와 대향하는 워크(W)와, 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리이며, 제1 오목부(114)의 저부(113)와 워크(W)의 최단 거리이다. 또한, 도 3에는, 접촉점 P2와 제2 평면부(121)의 거리 A2와, 워크(W)와 제2 오목부(124)의 저부(123)의 거리 B2가 나타나 있다. 거리 A2는, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉 개소와, 제2 평면부(121)의 최단 거리이다. 거리 B2는, 제2 오목부(124)와 대향하는 워크(W)와, 제2 오목부(124)의 저부(123)의 거리이며, 제2 오목부(124)의 저부(123)와 워크(W)의 최단 거리이다. 플라스마 장치(200)에 있어서, 거리 A1은 거리 B1보다 작다. 바꾸어 말하면, 워크(W)와 제1 평면부(111)로 형성되는 공간은, 워크(W)와 제1 오목부(114)로 형성되는 공간보다 작다. 또한, 본 실시 형태에서는, 거리 A2는, 거리 B2보다 작다. 바꾸어 말하면, 워크(W)와 제2 평면부(121)로 형성되는 공간은, 워크(W)와 제2 오목부(124)로 형성되는 공간보다 작다.3 is a partial enlarged view of the plasma apparatus 200. Fig. In Fig. 3, an X portion indicated by a broken line in Fig. 1 is shown. 3 shows the contact point P1 between the work W and the insulating member 30 and the contact point P2 between the work W and the insulating member 30. As shown in Fig. The contact point P1 is a portion opposed to the first flat surface portion 111 among the portions where the work W and the insulating member 30 are in contact with each other. The contact point P1 is the closest point to the first plane portion 111 among the portions where the work W and the insulating member 30 contact with each other in the cross section of the plasma device 200 (Fig. 3). The contact point P2 is a portion opposed to the second flat surface portion 121 among the portions where the work W and the insulating member 30 are in contact with each other. The contact point P2 is the closest point to the second flat surface portion 121 among the portions where the work W and the insulating member 30 contact with each other in the cross section of the plasma device 200 (Fig. 3). 3 also shows the distance A 1 between the contact point P 1 and the first plane portion 111 and the distance B 1 between the work W and the bottom portion 113 of the first concave portion 114. The distance A1 is the shortest distance between the contact point of the work W and the insulating member 30 and the first plane portion 111. [ The distance B1 is a distance between the work W opposed to the first concave portion 114 and the bottom portion 113 of the first concave portion 114. The distance B1 is a distance between the bottom portion 113 of the first concave portion 114, (W). 3 shows the distance A2 between the contact point P2 and the second plane portion 121 and the distance B2 between the work W and the bottom portion 123 of the second concave portion 124. [ The distance A2 is the shortest distance between the contact point between the work W and the insulating member 30 and the second flat surface portion 121. [ The distance B2 is the distance between the work W opposed to the second concave portion 124 and the bottom 123 of the second concave portion 124 and the distance between the bottom 123 of the second concave portion 124, (W). In the plasma apparatus 200, the distance A1 is smaller than the distance B1. In other words, the space formed by the work W and the first plane portion 111 is smaller than the space formed by the work W and the first concave portion 114. In the present embodiment, the distance A2 is smaller than the distance B2. In other words, the space formed by the work W and the second flat surface portion 121 is smaller than the space formed by the work W and the second concave portion 124.

본 실시 형태에서는, 거리 A1 및 거리 A2는, 워크(W)와 진공 용기(100) 사이에 전력을 인가한 경우에, 워크(W)와 진공 용기(100)(제1 평면부(111), 제2 평면부(121)) 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧다. 본 실시 형태에서는, 거리 A1 및 거리 A2는, 2.0㎜ 이하이다. 또한, 진공 용기(100)와 워크(W)의 절연성을 충분히 유지하는 관점에서, 거리 A1 및 거리 A2는, 0.5㎜ 이상인 것이 바람직하다.The distance A1 and the distance A2 are set so that the distance between the work W and the vacuum container 100 when the electric power is applied between the work W and the vacuum container 100 (the first plane portion 111, The second plane portion 121). In the present embodiment, the distance A1 and the distance A2 are 2.0 mm or less. From the viewpoint of sufficiently maintaining the insulating property between the vacuum container 100 and the work W, it is preferable that the distance A1 and the distance A2 are 0.5 mm or more.

도 3에는 또한, 제1 오목부(114)의 측부(112)와 제1 평면부(111)의 접속 개소 Q1 및 제2 오목부(124)와 제2 평면부(121)의 접속 개소 Q2로부터 접촉점 P1, P2까지의 X축을 따른 최단 거리 C가 나타나 있다. 거리 C는, 제1 오목부(114)의 측부(112) 및 제2 오목부(124)의 측부(122)로부터, 접촉점 P1, P2까지의 X축을 따른 최단 거리이기도 하다. 본 실시 형태에서는, 거리 C는, 0(제로)보다 크다. 본 실시 형태에서는, 거리 C는, 10㎜ 이상이다.3 also shows that the connecting portion Q1 between the side portion 112 of the first concave portion 114 and the first plane portion 111 and the connecting portion Q2 between the second concave portion 124 and the second plane portion 121 The shortest distance C along the X axis from the contact points P1 and P2 is shown. The distance C is also the shortest distance along the X axis from the side portion 112 of the first recess 114 and the side portion 122 of the second recess 124 to the contact points P1 and P2. In the present embodiment, the distance C is larger than 0 (zero). In the present embodiment, the distance C is 10 mm or more.

도 4는, 플라스마 장치(200)에 의한 플라스마 처리 방법에 대해 나타내는 공정도이다. 이하에서는, 플라스마 장치(200)에 의해 워크(W)의 일부에 성막을 행하는 방법을 예로 들어 설명한다. 플라스마 장치(200)에 의한 성막에서는, 먼저, 워크(W)가 진공 용기(100) 내로 반송된다(스텝 S10). 본 실시 형태에서는, 팰릿(130) 상에, 절연 부재(30), 하측 마스킹 부재(22), 피처리 대상물(10)이 적재되고, 또한 피처리 대상물(10) 상에 상측 마스킹 부재(21)가 적재된다. 이와 같이 함으로써, 피처리 대상물(10)의 비피처리 대상 부분(10B)이, 마스킹 부재(20)에 의해 덮인다. 그 후, 진공 용기(100)의 제1 형(110)이 개폐 장치(50)에 의해 +Y축 방향으로 이동되고, 절연 부재(30), 마스킹 부재(20) 및 피처리 대상물(10)이 적재된 팰릿(130)이, 반송 장치(55)에 의해 진공 용기(100) 내로 반송된다. 반송된 팰릿(130)은, 시일 부재(62)를 통해 제2 형(120) 상에 배치된다.Fig. 4 is a process chart showing a plasma processing method by the plasma apparatus 200. Fig. Hereinafter, a method of forming a film on a part of the work W by the plasma apparatus 200 will be described as an example. In the film formation by the plasma apparatus 200, first, the work W is transported into the vacuum container 100 (step S10). In this embodiment, the insulating member 30, the lower masking member 22, and the object to be treated 10 are mounted on the pallet 130 and the upper masking member 21 is placed on the object to be processed 10, Is loaded. By doing so, the portion 10B to be treated of the to-be-treated object 10 is covered with the masking member 20. Thereafter, the first mold 110 of the vacuum container 100 is moved in the + Y axis direction by the opening / closing device 50, and the insulating member 30, the masking member 20, The loaded pallet 130 is conveyed into the vacuum container 100 by the conveying device 55. The transported pallet 130 is disposed on the second mold 120 through the seal member 62.

다음으로, 진공 용기(100)가 폐쇄된다(스텝 S20). 본 실시 형태에서는, 진공 용기(100) 내로 팰릿(130)이 반송된 후, 개폐 장치(50)에 의해 제1 형(110)이 -Y축 방향으로 이동된다. 진공 용기(100)가 폐쇄되면, 피처리 대상 부분(10A)은, 진공 용기(100)의 제1 오목부(114) 및 제2 오목부(124) 내의 공간을 향한 상태가 된다. 워크(W)는, 제1 평면부(111) 및 제2 평면부(121)로부터 이격된 상태가 된다. 또한, 접촉점 P1과 제1 평면부(111)의 거리 A1은, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 거리 B1보다 작아진다. 접촉점 P2와 제2 평면부(121)의 거리 A2는, 워크(W)와 제2 오목부(124)의 거리 B2보다 작아진다.Next, the vacuum container 100 is closed (step S20). In the present embodiment, after the pallet 130 is conveyed into the vacuum container 100, the first mold 110 is moved in the -Y axis direction by the opening / closing device 50. When the vacuum container 100 is closed, the to-be-treated portion 10A is directed to the space in the first concave portion 114 and the second concave portion 124 of the vacuum container 100. [ The work W is spaced apart from the first plane portion 111 and the second plane portion 121. The distance A1 between the contact point P1 and the first flat surface portion 111 becomes smaller than the distance B1 between the work W and the first concave portion 114. [ The distance A2 between the contact point P2 and the second flat surface portion 121 becomes smaller than the distance B2 between the work W and the second concave portion 124. [

다음으로, 진공 용기(100) 내의 가스가 배기된다(스텝 S30). 본 실시 형태에서는, 플라스마 장치(200)는, 예를 들어 질소 가스 분위기에 설치되어 있다. 스텝 S30에서는, 배기 장치(90)에 의해 배기구(91)를 통해 진공 용기(100) 내의 질소 가스가 배기되어, 진공 용기(100) 내가 진공화된다.Next, the gas in the vacuum container 100 is exhausted (step S30). In the present embodiment, the plasma apparatus 200 is installed in, for example, a nitrogen gas atmosphere. In step S30, the nitrogen gas in the vacuum container 100 is exhausted through the exhaust port 91 by the exhaust device 90, and the vacuum container 100 is evacuated.

진공 용기(100) 내의 가스가 배기되면, 진공 용기(100) 내에 원료 가스가 공급된다(스텝 S40). 스텝 S40에서는, 가스 공급 장치(80)에 의해 공급구(81)를 통해 캐리어 가스 및 원료 가스가 공급된다. 진공 용기(100) 내에는, 캐리어 가스로서, 예를 들어 수소 가스 및 아르곤 가스가 공급된다. 또한, 원료 가스로서, 질소 가스 및 피리딘 가스가 공급된다. 스텝 S40에서는, 진공 용기(100) 내의 압력값은, 예를 들어 11㎩이다. 또한, 예를 들어 성막 속도를 높이기 위해, 원료 가스가 공급되기 전에, 전력 인가부(70)에 의해 워크(W)(피처리 대상물(10), 마스킹 부재(20))와 진공 용기(100) 사이에 전력을 인가하여, 워크(W)의 온도를 승온시켜도 된다.When the gas in the vacuum container 100 is exhausted, the source gas is supplied into the vacuum container 100 (step S40). In step S40, the carrier gas and the source gas are supplied through the supply port 81 by the gas supply device 80. [ In the vacuum container 100, for example, hydrogen gas and argon gas are supplied as a carrier gas. Further, nitrogen gas and pyridine gas are supplied as the raw material gas. In step S40, the pressure value in the vacuum container 100 is, for example, 11 Pa. The work W (the object to be treated 10, the masking member 20) and the vacuum container 100 are heated by the electric power applying unit 70 before the raw material gas is supplied, The temperature of the work W may be raised.

다음으로, 워크(W)에 전력이 인가된다(스텝 S50). 전력 인가부(70)에 의해 워크(W)와 진공 용기(100) 사이에 전력이 인가되면, 제1 오목부(114) 내, 및 제2 오목부(124) 내에 플라스마가 발생하여, 피처리 대상물(10)의 피처리 대상 부분(10A)에 박막이 형성된다. 이상과 같이 하여, 플라스마 장치(200)에 의한 성막이 행해진다. 스텝 S50에서는, 전력 인가부(70)에 의해, 워크(W)에 예를 들어 -3000V의 전력이 인가된다. 스텝 S50이 종료되면, 원료 가스의 공급과 전력의 인가가 정지되어 성막이 종료된다.Next, electric power is applied to the work W (step S50). When electric power is applied between the work W and the vacuum container 100 by the electric power applying section 70, a plasma is generated in the first concave section 114 and the second concave section 124, A thin film is formed on the portion 10A to be processed of the object 10. In this manner, film formation by the plasma apparatus 200 is performed. In step S50, a power of -3000 V, for example, is applied to the work W by the power applying section 70. When the step S50 is finished, the supply of the raw material gas and the application of electric power are stopped, and the film formation is terminated.

성막이 종료되면, 진공 용기(100) 내의 압력이 조정된다(스텝 S55). 본 실시 형태에서는, 진공 용기(100) 내의 압력을, 개폐 장치(50)에 의해 진공 용기(100)를 개방하는 것이 가능할 정도의 압력으로 되돌리기 위해, 가스 공급 장치(80)에 의해 진공 용기(100) 내에 질소 가스가 공급된다. 또한, 진공 용기(100) 내의 압력이 조정되면, 제1 형(110)이 개폐 장치(50)에 의해 +Y축 방향으로 이동되고, 반송 장치(55)에 의해 절연 부재(30), 마스킹 부재(20) 및 피처리 대상물(10)이 적재된 팰릿(130)이 진공 용기(100)로부터 반출된다. 이상과 같이 하여 플라스마 장치(200)에 의한 일련의 플라스마 처리 방법이 종료된다.When the film formation is completed, the pressure in the vacuum container 100 is adjusted (step S55). The pressure in the vacuum container 100 is returned to the vacuum container 100 by the gas supply device 80 in order to return the pressure in the vacuum container 100 to a pressure enough to open the vacuum container 100 by the opening / Is supplied with nitrogen gas. When the pressure in the vacuum container 100 is adjusted, the first mold 110 is moved in the direction of the + Y axis by the opening / closing device 50, and the transfer device 55 moves the insulating member 30, The pallet 130 on which the object 20 and the object to be processed 10 are loaded is taken out of the vacuum container 100. In this manner, a series of plasma processing methods by the plasma apparatus 200 is completed.

제1 실시 형태의 플라스마 장치(200)에 의하면, 진공 용기(100)가 폐쇄된 상태에 있어서, 워크(W)와 접촉하는 절연 부재(30)는 제1 형(110)의 제1 평면부(111)와 제2 형(120) 사이에 배치되고, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P1과, 제1 평면부(111)의 거리 A1은, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리 B1보다 작으므로, 워크(W)와 제1 평면부(111)로 형성되는 공간에 제1 오목부(114)나 제2 오목부(124)로부터 플라스마가 침입하는 것이 억제된다. 그로 인해, 접촉점 P1에 있어서의 플라스마의 양이 저감되므로, 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.According to the plasma apparatus 200 of the first embodiment, when the vacuum container 100 is closed, the insulating member 30 which contacts the workpiece W contacts the first flat surface portion The contact point P1 between the work W and the insulating member 30 and the distance A1 between the first plane portion 111 and the second workpiece 120 are set so that the distance between the work W and the first concave portion 111, Is smaller than the distance B1 of the bottom portion 113 of the first concave portion 114 and the second concave portion 124 in the space defined by the work W and the first plane portion 111, Invasion is inhibited. As a result, the amount of plasma at the contact point P1 is reduced, so that occurrence of abnormal discharge can be suppressed.

마찬가지로, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P2와, 제2 평면부(121)의 거리 A2는, 워크(W)와 제2 오목부(124)의 저부(123)의 거리 B2보다 작다. 이로 인해, 워크(W)와 제2 평면부(121)로 형성되는 공간에 제2 오목부(124)나 제1 오목부(114)로부터 플라스마가 침입하는 것이 억제된다. 그로 인해, 접촉점 P2에 있어서의 플라스마의 양이 저감되므로, 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.The contact point P2 between the work W and the insulating member 30 and the distance A2 between the second plane portion 121 and the workpiece W are smaller than the distance B2 between the work W and the bottom portion 123 of the second concave portion 124 small. This prevents the plasma from entering the space formed by the work W and the second flat surface portion 121 from the second concave portion 124 or the first concave portion 114. As a result, the amount of plasma at the contact point P2 is reduced, so that occurrence of abnormal discharge can be suppressed.

또한, 제1 오목부(114)와 제1 평면부(111)의 접속 개소 Q1 및 제2 오목부(124)와 제2 평면부(121)의 접속 개소 Q2로부터, 절연 부재(30)까지의 X축을 따른 거리 C는 0(제로)보다 크다. 이로 인해, 제1 오목부(114) 및 제2 오목부(124)로 형성되는 플라스마가 발생하는 공간과, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P1, P2가 이격되어 있다. 그로 인해, 접촉점 P1, P2에 있어서의 플라스마의 양이 더 저감되므로, 이상 방전의 발생을 더 억제할 수 있다.The connection portion Q1 between the first concave portion 114 and the first planar portion 111 and the connection portion Q2 between the second concave portion 124 and the second planar portion 121 extend from the connection portion Q1 to the insulation member 30 The distance C along the X axis is greater than zero (zero). As a result, the space where the plasma formed by the first concave portion 114 and the second concave portion 124 is generated and the contact points P1, P2 of the work W and the insulating member 30 are spaced apart from each other. As a result, the amount of plasma at the contact points P1 and P2 is further reduced, so that the occurrence of the abnormal discharge can be further suppressed.

또한, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P1과, 제1 평면부(111)의 거리 A1은, 워크(W)와 제1 평면부(111) 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧기 때문에, 워크(W)와 제1 평면부(111) 사이에 플라스마를 발생시키지 않도록 할 수 있다. 또한, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P2와, 제2 평면부(121)의 거리 A2는, 워크(W)와 제2 평면부(121) 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧기 때문에, 워크(W)와 제2 평면부(121) 사이에 플라스마를 발생시키지 않도록 할 수 있다. 그로 인해, 접촉점 P1, P2에 있어서의 플라스마의 양이 효과적으로 저감되므로, 이상 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.The contact point P1 between the work W and the insulating member 30 and the distance A1 between the first planar portion 111 are shorter than the distance between the work W and the first planar portion 111 Therefore, plasma can be prevented from being generated between the work W and the first plane portion 111. [ The contact point P2 between the work W and the insulating member 30 and the distance A2 between the second planar portion 121 are shorter than the distance between the work W and the second planar portion 121 Therefore, plasma can be prevented from being generated between the work W and the second flat surface portion 121. As a result, the amount of plasma at the contact points P1 and P2 is effectively reduced, so that the occurrence of anomalous discharge can be effectively suppressed.

또한, 거리 A1 및 거리 A2는 2.0㎜ 이하이므로, 워크(W)와 제1 평면부(111)로 형성되는 공간 및 워크(W)와 제2 평면부(121)로 형성되는 공간에, 제1 오목부(114) 및 제2 오목부(124)로부터 플라스마가 침입하는 것이 한층 억제된다. 또한, 워크(W)와 제1 평면부(111) 사이에 플라스마를 발생시키지 않도록 할 수 있다. 또한, 워크(W)와 제2 평면부(121) 사이에 플라스마를 발생시키지 않도록 할 수 있다. 그로 인해, 접촉점 P1, P2에 있어서의 플라스마의 양이 한층 저감되므로, 이상 방전의 발생을 한층 억제할 수 있다.The distance A 1 and the distance A 2 are equal to or smaller than 2.0 mm so that the space formed by the work W and the first planar portion 111 and the space formed by the work W and the second planar portion 121, Invasion of the plasma from the concave portion 114 and the second concave portion 124 is further suppressed. In addition, plasma can be prevented from being generated between the work W and the first plane portion 111. In addition, plasma can be prevented from being generated between the work W and the second plane portion 121. As a result, the amount of plasma at the contact points P1 and P2 is further reduced, so that occurrence of anomalous discharge can be further suppressed.

또한, 플라스마 장치(200)에 있어서, 워크(W)의 피처리 대상 부분(10A)은, 제1 오목부(114) 내의 공간, 및 제2 오목부(124) 내의 공간을 향해 있고, 절연 부재(30)와 워크(W)의 단부는, 제1 평면부(111)와 제2 평면부(121) 사이에 위치하고 있다. 그로 인해, 워크(W) 전체를 플라스마가 발생하는 공간 내에 수용하는 경우와 비교하여, 플라스마 장치(200)를 소형화할 수 있다. 또한, 플라스마 장치(200)에서는, 성막 또는 에칭을 위해 배기가 행해지는 공간이 작으므로, 배기에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있어, 워크(W)에 성막 또는 에칭을 행하기 위해 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다.In the plasma apparatus 200, the to-be-treated portion 10A of the workpiece W is directed to the space in the first concave portion 114 and the space in the second concave portion 124, The ends of the workpiece 30 and the workpiece W are located between the first plane portion 111 and the second plane portion 121. [ Thereby, the plasma device 200 can be miniaturized as compared with the case where the entire workpiece W is accommodated in the space in which the plasma is generated. Further, since the plasma apparatus 200 has a small space for exhausting the film for film formation or etching, the time required for exhausting can be shortened, and the time required for film formation or etching for the work W can be shortened Time can be shortened.

도 5는, 제1 실시 형태의 변형예 1에 있어서의 플라스마 장치(200m)를 도시하는 도면이다. 도 5 및 이후의 도면에서는, 개폐 장치(50), 반송 장치(55), 전력 인가부(70), 가스 공급 장치(80), 배기 장치(90) 및 제어부(95)는 도시를 생략하고 있다. 본 변형예의 플라스마 장치(200m)에서는, 제1 오목부(114m)와 제1 평면부(111m)의 접속 개소 Q1 및 제2 오목부(124m)와 제2 평면부(121m)의 접속 개소 Q2로부터, 워크(W)와 절연 부재(30)의 접촉점 P1, P2까지의 제1 평면부(111m)를 따른 최단 거리가, 0(제로)이다. 본 변형예에서는, 접속 개소 Q2와 접촉점 P2는, 동일한 YZ 평면에 위치하고 있다. 그로 인해, 도 5에 도시하는 바와 같이, 진공 용기(100m)에서는, 상측 마스킹 부재(21)가 제1 형(110m)의 제1 오목부(114m) 내에 노출되어 있고, 하측 마스킹 부재(22)의 일부가, 제2 형(120m)의 제2 오목부(124m) 내에 노출되어 있다. 또한, 본 변형예에 있어서도, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 접촉점 P1과 제1 평면부(111m)의 거리는, 워크(W)와 제1 오목부(114m)의 저부(113m)의 거리보다 작다. 또한, 접촉점 P2와 제2 평면부(121m)의 거리는, 워크(W)와 제2 오목부(124m)의 저부(123m)의 거리보다 작다. 이러한 플라스마 장치(200m)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.Fig. 5 is a diagram showing the plasma apparatus 200m in the first modification of the first embodiment. 5 and the subsequent figures, the opening / closing device 50, the conveying device 55, the power applying section 70, the gas supply device 80, the exhaust device 90 and the control section 95 are not shown . In the plasma apparatus 200m of this modification example, the connecting portion Q1 between the first concave portion 114m and the first plane portion 111m, the connecting portion Q2 between the second concave portion 124m and the second plane portion 121m And the shortest distance along the first plane portion 111m to the contact points P1 and P2 of the work W and the insulating member 30 is 0 (zero). In this modified example, the connection point Q2 and the contact point P2 are located in the same YZ plane. 5, the upper masking member 21 is exposed in the first recessed portion 114m of the first mold 110m and the lower masking member 22 is exposed in the second recessed portion 114m of the vacuum container 100m. Is exposed in the second concave portion 124m of the second mold 120m. The distance between the contact point P1 and the first flat surface portion 111m is longer than the distance between the work W and the bottom portion 113m of the first concave portion 114m as in the first embodiment described above small. The distance between the contact point P2 and the second flat surface portion 121m is smaller than the distance between the work W and the bottom portion 123m of the second concave portion 124m. With this plasma device 200m, it is possible to suppress the occurrence of anomalous discharge as in the above-described first embodiment.

도 6은, 제1 실시 형태의 변형예 2에 있어서의 플라스마 장치(200a)를 도시하는 도면이다. 본 변형예에 있어서의 플라스마 장치(200a)는, 제1 실시 형태의 플라스마 장치(200)가 X축 방향으로 90°회전한 구성을 갖는다. 본 변형예에서는, 진공 용기(100)는 X축 방향으로 개폐된다. 또한, 본 변형예에서는, 절연 부재(30), 마스킹 부재(20), 팰릿(130)은, 탈락하지 않는 결합력으로 각각 끼워 맞추어져 있는 것이 바람직하다. 또는, 절연 부재(30), 마스킹 부재(20), 팰릿(130)은, 각각 예를 들어 볼트 등에 의해 체결되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 플라스마 장치(200a)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.Fig. 6 is a diagram showing the plasma apparatus 200a according to the second modification of the first embodiment. The plasma apparatus 200a according to the present modification has a configuration in which the plasma apparatus 200 according to the first embodiment is rotated by 90 degrees in the X-axis direction. In this modification, the vacuum container 100 is opened and closed in the X-axis direction. In this modification, it is preferable that the insulating member 30, the masking member 20, and the pallet 130 are each fitted with a coupling force that does not fall off. Alternatively, the insulating member 30, the masking member 20, and the pallet 130 are each preferably fastened with a bolt or the like. With this plasma device 200a, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge as in the first embodiment described above.

도 7은, 제1 실시 형태의 변형예 3에 있어서의 플라스마 장치(200b)를 도시하는 도면이다. 플라스마 장치(200b)는, 제1 실시 형태의 플라스마 장치(200)와는 달리, 피처리 대상물(10)의 제1 오목부(114)측에만 성막 또는 에칭을 행한다. 그로 인해, 본 변형예에서는, 진공 용기(100b)의 제2 형(120b)과 피처리 대상물(10) 사이에 공간이 없어, 제2 형(120b) 상에 절연 부재(30b)가 접촉하고, 절연 부재(30b) 상에 하측 마스킹 부재(22b)가 접촉하고, 하측 마스킹 부재(22b) 상에 피처리 대상물(10)의 하측 전체면이 접촉한다. 또한, 본 변형예에서는, 플라스마 장치(200b)가 팰릿(130)을 구비하고 있지 않다. 또한, 본 변형예에서는, 제1 형(110b)측에 전력 도입부(71)가 구비되어 있다. 또한, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 워크(W)와 절연 부재(30b)의 접촉점 P1b와, 제1 평면부(111)의 거리는, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리보다 작다. 이러한 플라스마 장치(200b)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.Fig. 7 is a diagram showing the plasma apparatus 200b according to the third modification of the first embodiment. Unlike the plasma apparatus 200 according to the first embodiment, the plasma apparatus 200b performs film formation or etching only on the first concave portion 114 side of the object 10 to be processed. Thereby, in this modification, there is no space between the second die 120b of the vacuum container 100b and the to-be-processed object 10, the insulating member 30b contacts the second die 120b, The lower masking member 22b is brought into contact with the insulating member 30b and the entire lower side of the object to be processed 10 is brought into contact with the lower masking member 22b. Furthermore, in this modification, the plasma device 200b does not have the pallet 130. Further, in this modification, the power-introducing portion 71 is provided on the side of the first die 110b. The distance between the contact point P1b between the work W and the insulating member 30b and the distance from the first plane portion 111 is equal to the distance between the work W and the bottom portion of the first recess portion 114 (113). With this plasma device 200b, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge as in the first embodiment described above.

도 8은, 제1 실시 형태의 변형예 4에 있어서의 플라스마 장치(200c)를 도시하는 도면이다. 본 변형예에 있어서의 플라스마 장치(200c)와 상술한 제1 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200)가 상이한 주된 점은, 팰릿(130)을 사용하지 않고 워크(W)가 배치되는 점이다. 그로 인해, 본 변형예에서는, 진공 용기(100c)에 있어서, 제2 형(120c)의 제2 평면부(121c)가 절연 부재(30c)와 접촉하면서, 워크(W)와 제2 형(120c)을 이격시키고 있다. 또한, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 본 변형예에 있어서도, 워크(W)와 절연 부재(30c)의 접촉점 P1c와, 제1 평면부(111)의 거리는, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리보다 작다. 또한, 워크(W)와 절연 부재(30c)의 접촉점 P2c와, 제2 평면부(121c)의 거리는, 워크(W)와 제2 오목부(124)의 저부(123)의 거리보다 작다. 본 변형예의 그 밖의 구성은, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 이러한 플라스마 장치(200c)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.Fig. 8 is a diagram showing the plasma apparatus 200c according to the fourth modification of the first embodiment. The main difference between the plasma apparatus 200c of the present modified example and the plasma apparatus 200 of the first embodiment described above is that the workpiece W is disposed without using the pallet 130. [ The second flat surface portion 121c of the second mold 120c is in contact with the insulating member 30c in the vacuum container 100c so that the work W and the second mold 120c ). The distance between the contact point P1c between the work W and the insulating member 30c and the distance between the first plane portion 111 and the contact point P1c between the work W and the first concave portion Is smaller than the distance of the bottom part (113) of the part (114). The distance between the contact point P2c between the work W and the insulating member 30c and the second flat surface portion 121c is smaller than the distance between the work W and the bottom portion 123 of the second concave portion 124. The other configuration of this modification is the same as that of the above-described first embodiment. With this plasma device 200c, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge as in the first embodiment described above.

상술한 제1 실시 형태에서는, 플라스마 장치(200)에 의해 워크(W)의 일부에 성막을 행하고 있다. 이에 대해, 제1 실시 형태의 변형예 5에서는 플라스마 장치(200)에 의해, 워크(W)의 일부에 에칭을 행해도 된다. 에칭을 행하는 경우에는, 상술한 플라스마 처리 중, 가스가 공급되는 공정(도 4, 스텝 S40)에 있어서, 진공 용기(100) 내에 예를 들어 주로 아르곤을 포함하는 가스가 공급되어도 된다.In the first embodiment described above, a film is formed on a part of the work W by the plasma apparatus 200. On the other hand, in the fifth modification of the first embodiment, a part of the work W may be etched by the plasma apparatus 200. [ In the case of performing etching, a gas containing mainly argon may be supplied into the vacuum container 100, for example, in the step of supplying gas during the above-described plasma treatment (Fig. 4, step S40).

도 9는, 제1 실시 형태의 변형예 6에 있어서의 플라스마 장치(200n)를 도시하는 도면이다. 플라스마 장치(200n)에서는, 팰릿(130) 및 절연 부재(30)가 사용되어 있지 않고, 워크(W)(피처리 대상물(10n))가 반송 장치(55)에 의해 진공 용기(100) 내로 반송된다. 플라스마 장치(200n)에서는, 상술한 실시 형태의 절연 부재(30) 대신에, 절연성 시일 부재(60n)가 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10nA)을 제1 오목부(114) 내의 공간을 향하게 함과 함께, 워크(W)를 제1 평면부(111)로부터 이격시킨 상태에서, 워크(W)에 접촉한다. 시일 부재(61n)는, 제1 형(110)의 제1 평면부(111) 및 피처리 대상물(10n)의 비피처리 대상 부분(10nB)에 접촉하고 있다. 시일 부재(62n)는, 제2 형(120)의 제2 평면부(121) 및 비피처리 대상 부분(10nB)에 접촉하고 있다. 도 9에는, 워크(W)와 시일 부재(60n)의 접촉점 P1n과, 워크(W)와 시일 부재(60n)의 접촉점 P2n이 나타나 있다. 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 접촉점 P1n과 제1 평면부(111)의 거리는, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리보다 작다. 또한, 접촉점 P2n과 제2 평면부(121)의 거리는, 워크(W)와 제2 오목부(124)의 저부(123)의 거리보다 작다. 이러한 플라스마 장치(200n)에 의해서도, 상술한 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 본 변형예에 있어서, 워크(W)는, 피처리 대상물(10n)과 마스킹 부재(20)에 의해 구성되어 있어도 된다.Fig. 9 is a diagram showing the plasma apparatus 200n in the sixth modification of the first embodiment. The pallet 130 and the insulating member 30 are not used in the plasma apparatus 200n and the work W (the substance to be treated 10n) is transported into the vacuum container 100 by the transport device 55 do. The insulating seal member 60n is formed on the top surface side of the work W in the plasma device 200n in place of the insulating member 30 in the above embodiment in the state in which the portion to be treated 10nA is the first concave portion 114, And comes into contact with the work W in a state where the work W is separated from the first plane portion 111. [ The seal member 61n is in contact with the first flat surface portion 111 of the first die 110 and the portion to be treated 10nB of the to-be-treated object 10n. The seal member 62n is in contact with the second flat surface portion 121 of the second die 120 and the portion to be untreated 10nB. 9 shows a contact point P1n between the work W and the seal member 60n and a contact point P2n between the work W and the seal member 60n. The distance between the contact point P1n and the first flat surface portion 111 is smaller than the distance between the work W and the bottom portion 113 of the first concave portion 114 as in the first embodiment described above. The distance between the contact point P2n and the second flat surface portion 121 is smaller than the distance between the work W and the bottom portion 123 of the second concave portion 124. [ With this plasma device 200n, it is possible to suppress occurrence of abnormal discharge as in the above-described embodiment. Further, in this modification, the workpiece W may be constituted by the to-be-treated object 10n and the masking member 20.

상술한 제1 실시 형태의 변형예 7에 있어서, 플라스마 장치(200)는, 제1 오목부(114) 내와 제2 오목부(124) 내 중 적어도 한쪽에, 고주파 전력을 인가 가능한 전극과, 전극에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전력 인가부를 구비하고 있어도 된다. 이러한 구성이면, 전극에 인가된 고주파에 의해, 제1 오목부 내나 제2 오목부 내에 발생하는 플라스마의 밀도를 증가시킬 수 있으므로, 성막 밀도나 에칭 밀도를 향상시킬 수 있어, 막 두께나 에칭량을 증가시킬 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.In the seventh modification of the first embodiment described above, the plasma apparatus 200 is provided with at least one of an electrode capable of applying a high-frequency electric power to at least one of the first recess 114 and the second recess 124, And a high-frequency power applying unit for applying a high-frequency power to the electrode. With such a configuration, the density of the plasma generated in the first concave portion and the second concave portion can be increased by the high frequency applied to the electrode, so that the film density and the etching density can be improved, . In addition, as in the first embodiment, it is possible to suppress occurrence of abnormal discharge.

상술한 제1 실시 형태의 변형예 8에서는, 접촉점 P1과 제1 평면부(111)의 거리 A1은, 워크(W)와 제1 평면부(111) 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧고, 접촉점 P2와 제2 평면부(121)의 거리 A2는, 워크(W)와 제2 평면부(121) 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧다. 이에 대해, 거리 A1과 거리 A2 중, 어느 한쪽이 시스의 거리보다 커도 되고, 양쪽이 시스의 거리보다 커도 된다. 또한, 상술한 제1 실시 형태에서는, 거리 A1 및 거리 A2는 2.0㎜ 이하이다. 이에 대해, 거리 A1과 거리 A2 중, 어느 한쪽이 2.0㎜보다 커도 되고, 양쪽이 2.0㎜보다 커도 된다.In the modification 8 of the first embodiment described above, the distance A1 between the contact point P1 and the first plane portion 111 is shorter than the distance between the work W and the first plane portion 111, The distance A2 between the work P2 and the second flat surface portion 121 is shorter than the distance between the work W and the second flat surface portion 121. [ On the other hand, either one of the distance A1 and the distance A2 may be larger than the distance of the sheath, or both may be larger than the distance of the sheath. In the above-described first embodiment, the distance A1 and the distance A2 are 2.0 mm or less. On the other hand, either one of the distance A1 and the distance A2 may be larger than 2.0 mm, and both sides may be larger than 2.0 mm.

상술한 제1 실시 형태의 변형예 9에서는, 워크(W)는 피처리 대상물(10)과 마스킹 부재(20)를 포함하고 있지만, 워크(W)는 마스킹 부재(20)를 포함하고 있지 않아도 된다.In the modification 9 of the first embodiment described above, the work W includes the object to be treated 10 and the masking member 20, but the work W does not need to include the masking member 20 .

상술한 제1 실시 형태의 변형예 10에서는, 제1 오목부(114)는, 측부(112)와 저부(113)를 구비하고 있지만, 제1 오목부(114)는, 제1 평면부(111)로부터 피처리 대상물(10)과 이격되는 방향으로 오목하게 들어가 있으면 되고, 예를 들어 반구상이어도 된다. 이 경우에는, 제1 오목부(114)의 저부(113)는, 제1 오목부(114)와 대향하는 워크(W)로부터 가장 이격된 개소여도 되고, 워크(W)와 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리 B1은, 제1 오목부(114)와 대향하는 워크(W)와, 제1 오목부(114)의 워크(W)로부터 가장 이격된 개소의 거리여도 된다.The first concave portion 114 is provided with the side portion 112 and the bottom portion 113 and the first concave portion 114 is formed by the first plane portion 111 For example, in a semi-spherical form, as shown in Fig. In this case, the bottom portion 113 of the first concave portion 114 may be the portion most distant from the work W opposed to the first concave portion 114, or may be a portion separated from the work W by the first concave portion The distance B1 of the bottom portion 113 of the first concave portion 114 may be the distance between the work W facing the first concave portion 114 and the portion of the first concave portion 114 most distant from the work W.

상술한 제1 실시 형태의 변형예 11에서는, 진공 용기(100) 및 팰릿(130)은 접지 전위이지만, 진공 용기(100) 및 팰릿(130)은 접지 전위가 아니어도 된다. 전력 인가부(70)는, 진공 용기(100)와 피처리 대상물(10) 사이에 피처리 대상물(10)을 성막 또는 에칭하기 위한 전력을 인가할 수 있으면 된다.In the modification 11 of the first embodiment described above, the vacuum container 100 and the pallet 130 are at the ground potential, but the vacuum container 100 and the pallet 130 do not have to be the ground potential. The electric power applying section 70 needs only to be able to apply electric power for forming or etching the object 10 between the vacuum container 100 and the object to be processed 10.

도 10은, 제2 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200d)의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도이다. 도 10에는, 도 1의 X 부분에 상당하는 부분 X1이 나타나 있다. 본 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200d)는, 제1 형(110d)의 제1 오목부(114d)(측부(112d))와 제1 평면부(111d)의 접속 개소 Q1이, 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있다. 또한, 제2 형(120d)의 제2 오목부(124d)(측부(122d))와 제2 평면부(121d)의 접속 개소 Q2가, 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있다.10 is a partial schematic cross-sectional view partially showing the configuration of the plasma apparatus 200d according to the second embodiment. In Fig. 10, a portion X1 corresponding to the portion X in Fig. 1 is shown. The plasma device 200d according to the present embodiment is configured such that the connection portion Q1 between the first concave portion 114d (side portion 112d) of the first die 110d and the first planar portion 111d, From the end of the portion 10A to the side of the insulating member 30. The connecting portion Q2 between the second concave portion 124d (the side portion 122d) of the second die 120d and the second flat surface portion 121d extends from the end of the to-be-processed portion 10A to the insulating member 30 As shown in Fig.

도 10에는, 제1 오목부(114d)와 제1 평면부(111d)의 접속 개소 Q1과, 피처리 대상 부분(10A)의 단부의 X축을 따른 거리 L1이 나타나 있다. 또한, 제2 오목부(124d)와 제2 평면부(121d)의 접속 개소 Q2와, 피처리 대상 부분(10A)의 단부의 X축을 따른 거리 L2가 나타나 있다. 본 실시 형태에서는, 거리 L1과 거리 L2는 동등하다. 예를 들어, 전력 인가부(70)에 의해 워크(W)에 인가되는 전력이 -1000V이고, 진공 용기(100d) 내의 압력이 10㎩인 경우에는, 거리 L1, L2는 약 3㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어 전력 인가부(70)에 의해 워크(W)에 인가되는 전력이 -3000V이고, 진공 용기(100d) 내의 압력이 10㎩인 경우에는, 거리 L1, L2는 약 9㎜ 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이, 거리 L1, L2는, 전력 인가부(70)에 의해 인가되는 전력과, 진공 용기(100d) 내의 압력(진공도)에 따라서 변경 가능하다. 본 실시 형태의 플라스마 장치(200d)의 그 밖의 구성은, 상술한 제1 실시 형태의 플라스마 장치(200)와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.10 shows a connection point Q1 between the first concave portion 114d and the first flat surface portion 111d and a distance L1 along the X axis of the end portion of the to-be-processed portion 10A. Further, a connecting portion Q2 between the second concave portion 124d and the second flat surface portion 121d and a distance L2 along the X axis of the end portion of the to-be-processed portion 10A are shown. In this embodiment, the distance L1 and the distance L2 are equal. For example, when the power applied to the workpiece W by the power applying section 70 is -1000 V and the pressure in the vacuum container 100d is 10 Pa, the distances L1 and L2 are preferably about 3 mm or more Do. When the power applied to the work W by the power applying section 70 is -3000 V and the pressure in the vacuum container 100d is 10 Pa, for example, the distances L1 and L2 are about 9 mm or more desirable. As described above, the distances L1 and L2 can be changed according to the electric power applied by the power applying section 70 and the pressure (vacuum degree) in the vacuum container 100d. The other configuration of the plasma apparatus 200d of the present embodiment is the same as that of the plasma apparatus 200 of the first embodiment described above, and thus description thereof is omitted.

전력이 인가되는 워크(W)와 진공 용기(100d) 사이에 플라스마를 발생시켜 피처리 대상 부분(10A)에 성막 또는 에칭을 행하기 위해, 피처리 대상 부분(10A)과 진공 용기(100d) 사이는, 이른바 시스의 거리보다 이격되어 있는 것이 바람직하고, 피처리 대상 부분(10A)과 진공 용기(100d)가 근접하고 있는 개소에서는 플라스마가 발생하지 않아, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서 성막 불량 또는 에칭 불량이 발생할 우려가 있다. 그러나, 본 실시 형태의 플라스마 장치(200d)에 의하면, 진공 용기(100d)의 제1 오목부(114d)와 제1 평면부(111d)의 접속 개소 Q1은, 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있으므로, 피처리 대상 부분(10A)과 진공 용기(100d)의 거리를 확보할 수 있다. 그로 인해, 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서 성막 불량 또는 에칭 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.Between the to-be-treated portion 10A and the vacuum container 100d in order to generate plasma between the work W and the vacuum container 100d to which electric power is applied and to perform film formation or etching on the to-be-treated portion 10A Plasma is not generated in a portion where the to-be-treated portion 10A and the vacuum vessel 100d are in close proximity to each other, and the plasma is not generated at the end portion of the to-be-treated portion 10A There is a possibility that film formation failure or etching failure occurs. According to the plasma apparatus 200d of the present embodiment, however, the connection portion Q1 between the first concave portion 114d and the first flat surface portion 111d of the vacuum container 100d is formed on the upper surface side of the workpiece W The distance between the part to be treated 10A and the vacuum container 100d can be ensured because it is located away from the end of the part to be treated 10A to the side of the insulating member 30. [ As a result, it is possible to suppress the occurrence of film formation defects or etching defects at the end portions of the to-be-processed portions 10A on the upper surface side of the work W.

또한, 진공 용기(100d)의 제2 오목부(124d)와 제2 평면부(121d)의 접속 개소 Q2는, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있으므로, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)과 진공 용기(100d)의 거리를 확보할 수 있다. 그로 인해, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서 성막 불량 또는 에칭 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.The connecting portion Q2 between the second concave portion 124d and the second flat surface portion 121d of the vacuum container 100d is connected from the end of the to-be-processed portion 10A on the lower surface side of the work W to the insulating member 30, the distance between the portion to be treated 10A on the underside of the work W and the vacuum container 100d can be secured. As a result, it is possible to suppress the occurrence of film formation defects or etching defects at the ends of the portion 10A to be processed on the lower surface side of the work W.

또한, 본 실시 형태의 플라스마 장치(200d)에 의하면, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지의 구성을 가지므로, 제1 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.Further, according to the plasma apparatus 200d of the present embodiment, since it has the same configuration as that of the first embodiment described above, it is possible to suppress occurrence of abnormal discharge as in the first embodiment.

상술한 제2 실시 형태에서는, 제1 오목부(114d)와 제1 평면부(111d)의 접속 개소 Q1과, 피처리 대상 부분(10A)의 단부의 거리 L1과, 제2 오목부(124d)와 제2 평면부(121d)의 접속 개소 Q2와, 피처리 대상 부분(10A)의 단부의 거리 L2는 동등하다. 이에 대해, 거리 L1과 거리 L2는 상이해도 된다. 예를 들어, 제1 오목부(114d)와 제1 평면부(111d)의 접속 개소 Q1만이, 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있어도 되고, 제2 오목부(124d)와 제2 평면부(121d)의 접속 개소 Q2만이, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있어도 된다.The distance L1 between the connecting portion Q1 of the first concave portion 114d and the first flat portion 111d and the end portion of the to-be-processed portion 10A and the distance L1 between the connecting portion Q1 of the first concave portion 114d and the first concave portion 124d, And the distance L2 between the connection portion Q2 of the second flat surface portion 121d and the end portion of the to-be-processed portion 10A are equal to each other. On the other hand, the distance L1 and the distance L2 may be different. For example, only the connecting portion Q1 between the first concave portion 114d and the first flat surface portion 111d is separated from the end portion of the to-be-processed portion 10A on the upper surface side of the work W to the insulating member 30 side And only the connecting portion Q2 between the second concave portion 124d and the second flat surface portion 121d is located on the side of the insulating member 30 from the end of the portion 10A to be processed on the lower surface side of the work W Or may be spaced apart.

상술한 제2 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200d)는, 상술한 제1 실시 형태의 변형예 1∼8, 10, 11과 마찬가지의 변형이 가능하다.The plasma apparatus 200d according to the second embodiment described above can be modified in the same manner as Modifications 1 to 8, 10 and 11 of the first embodiment.

도 11은, 제3 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200e)의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도이다. 도 11에는, 도 1의 X 부분에 상당하는 부분 X2가 나타나 있다. 본 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200e)와 제1 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200)가 상이한 점은, 마스킹 부재(20e(21e, 22e))가 경사면(23e, 24e)을 갖는 점이다. 구체적으로는, 상측 마스킹 부재(21e)는 피처리 대상 부분(10A)측의 단부에, 제1 오목부(114d)측을 향해 경사진 경사면(23e)을 갖는다. 또한, 하측 마스킹 부재(22e)는, 피처리 대상 부분(10A)측의 단부에, 제2 오목부(124d)측을 향해 경사진 경사면(24e)을 구비한다. 경사면(23e, 24e)은, 마스킹 부재(20e(21e, 22e))에 있어서, 비피처리 대상 부분(10B)과 접촉하는 접촉면(S)에 대해 경사지는 면이다. 본 실시 형태에서는, 경사면(23e, 24e)은 피처리 대상 부분(10A)의 단부와 접촉하고 있다.11 is a partial schematic cross-sectional view partially showing a configuration of the plasma apparatus 200e according to the third embodiment. In Fig. 11, a portion X2 corresponding to the portion X in Fig. 1 is shown. The plasma device 200e of the present embodiment is different from the plasma device 200 of the first embodiment in that the masking members 20e (21e and 22e) have inclined surfaces 23e and 24e . Specifically, the upper masking member 21e has an inclined surface 23e inclined toward the first concave portion 114d at the end on the side of the to-be-processed portion 10A. The lower masking member 22e has an inclined surface 24e inclined toward the second concave portion 124d at the end of the portion 10A to be processed. The inclined surfaces 23e and 24e are inclined surfaces with respect to the contact surface S which is in contact with the non-peeling target portion 10B in the masking members 20e (21e and 22e). In the present embodiment, the inclined surfaces 23e and 24e are in contact with the end portion of the to-be-treated portion 10A.

본 실시 형태에 있어서도, 상술한 제2 실시 형태와 마찬가지로, 제1 오목부(114d)와 제1 평면부(111d)의 접속 개소 Q1 및 제2 오목부(124d)와 제2 평면부(121d)의 접속 개소 Q2는, 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 절연 부재(30)측으로 이격되어 위치하고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200e)의 그 밖의 구성은, 상술한 제2 실시 형태의 플라스마 장치(200d)와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.The connecting portion Q1 and the second concave portion 124d of the first concave portion 114d and the first plane portion 111d and the second plane portion 121d are connected to each other in the same manner as in the second embodiment, Is located away from the end of the part to be treated 10A to the side of the insulating member 30. [ The other configuration of the plasma apparatus 200e in this embodiment is the same as that of the plasma apparatus 200d of the second embodiment described above, so that the description is omitted.

본 실시 형태의 플라스마 장치(200e)에 의하면, 피처리 대상 부분(10A)과 접촉하는 상측 마스킹 부재(21e)는, 제1 오목부(114d)측을 향해 경사진 경사면(23e)을 구비하므로, 상측 마스킹 부재(21e)의 단부에 전계가 집중되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 하측 마스킹 부재(22e)는, 제2 오목부(124d)측을 향해 경사진 경사면(24e)을 구비하므로, 하측 마스킹 부재(22e)의 단부에 전계가 집중되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.According to the plasma apparatus 200e of the present embodiment, the upper masking member 21e, which is in contact with the to-be-treated portion 10A, has the inclined surface 23e inclined toward the first concave portion 114d, It is possible to prevent the electric field from concentrating on the end portion of the upper masking member 21e. Therefore, it is possible to suppress the film density or the etching density from being lowered at the end portion of the to-be-processed portion 10A on the upper surface side of the work W. Since the lower masking member 22e has the inclined surface 24e inclined toward the second recessed portion 124d, the electric field can be prevented from concentrating on the end portion of the lower masking member 22e. Therefore, it is possible to suppress the film density or the etching density from being lowered at the end portion of the portion 10A to be processed on the lower surface side of the work W.

또한, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 더 억제하는 관점에서, 경사면(23e, 24e)과 접촉면(S)이 이루는 각인 각도 D는, 30°이하인 것이 바람직하다.The angle D between the inclined surfaces 23e and 24e and the contact surface S is preferably 30 degrees or less from the viewpoint of further suppressing the film density or the etching density from being lowered at the end of the part to be processed 10A .

이하, 경사면(23e, 24e)과 접촉면(S)의 각도 D가 30°이하인 것이 바람직한 근거에 대해, 실험 결과에 기초하여 설명한다.Hereinafter, a description will be given on the basis of experimental results on a preferable basis that the angle D between the inclined surfaces 23e and 24e and the contact surface S is 30 degrees or less.

도 12는, 각도 D에 대한 실험 결과를 나타내는 도면이다. 본 실험에서는, 각도 D가 6, 15, 25, 30, 45, 90°로 상이한 6종류의 마스킹 부재를 준비하였다. 각도 D가 90°인 마스킹 부재는, 경사면을 구비하고 있지 않고, 피처리 대상 부분(10A)과 접촉하는 단부가 직사각형이다. 다음으로, 각 마스킹 부재를 사용하여, 플라스마 장치(200e)에 의해 피처리 대상물(10)에 대해 성막을 행하여, 샘플 1∼6을 제작하였다. 성막은, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지의 방법으로, 각 샘플 1∼6의 성막 조건(가스종, 가스 유량, 전력량 등)을 동일하게 하여 행하였다. 다음으로, 각 샘플을 120℃ 내지 140℃의 프레셔 쿠커에 약 1시간 설치하여, 가속 시험을 행하였다. 그 후, 각 샘플의 표면 상태를 관찰하고, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서의 막의 박리의 유무를 평가하였다. 박리가 관찰되지 않은 샘플은 내 박리성이 「양호」라고 평가하고, 박리가 관찰된 샘플은 내 박리성이 「불량」이라고 평가하였다. 박리가 관찰되지 않은 샘플은, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막의 불균일이 억제되어 있어, 충분한 성막 밀도를 갖는다고 할 수 있다. 또한, 가속 시험 후, 4 단자법에 의해 각 샘플에 있어서, 피처리 대상 부분(10A)의 단부 부근의 접촉 저항값을 측정하였다. 접촉 저항값이 낮은 샘플도 또한, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 충분한 성막 밀도를 갖는다고 할 수 있다. 도 12에는, 각 샘플의 막의 박리의 유무와, 접촉 저항값이 나타나 있다.12 is a diagram showing an experimental result on an angle D. Fig. In this experiment, six kinds of masking members having angles D of 6, 15, 25, 30, 45 and 90 degrees were prepared. The masking member with the angle D of 90 占 has no inclined surface and has an end portion that is in contact with the to-be-treated portion 10A is rectangular. Subsequently, each of the masking members was used to form a film on the object 10 to be processed by the plasma apparatus 200e to prepare Samples 1 to 6. Film forming conditions (gas species, gas flow rate, power amount, etc.) of the samples 1 to 6 were the same in the same manner as in the above-described first embodiment. Next, each sample was placed in a pressure cooker at 120 占 폚 to 140 占 폚 for about 1 hour, and an acceleration test was performed. Thereafter, the surface state of each sample was observed, and the presence or absence of peeling of the film at the end portion of the to-be-treated portion 10A was evaluated. A sample in which peeling was not observed was evaluated as " good peeling resistance ", and a sample in which peeling was observed was evaluated as " poor peeling resistance ". It can be said that unevenness of the film formation is suppressed at the end portion of the part to be treated 10A and the film forming density is sufficient. After the acceleration test, the contact resistance value in the vicinity of the end portion of the portion 10A to be processed in each sample was measured by the four-terminal method. A sample having a low contact resistance value can also be said to have a sufficient film forming density at the end of the part to be treated 10A. Fig. 12 shows the presence or absence of peeling of the film of each sample and the contact resistance value.

도 13은, 각도 D와 접촉 저항값의 관계를 나타내는 도면이다. 도 13에는, ○표와 ×표에 의해 각 샘플의 막의 박리의 유무가 아울러 나타나 있다. ○표는, 샘플의 막의 박리가 관찰되지 않은 것을 나타내고, ×표는 샘플의 막의 박리가 관찰된 것을 나타낸다. 도 12 및 도 13에 나타내는 바와 같이, 각도 D가 45°인 샘플 5에서는, 막의 박리가 관찰되고, 접촉 저항값은 10.4(mΩ·㎠)였다. 또한, 각도 D가 90°인 샘플 6에서는, 막의 박리가 관찰되고, 접촉 저항값은 11.19(mΩ·㎠)로 샘플 5보다 높았다. 한편, 각도 D가 6°, 15°, 25°, 30°인 샘플 1∼4에서는, 막의 박리가 관찰되지 않고, 접촉 저항값이 5.44∼5.91(mΩ·㎠)로 샘플 5, 6에 비해 의미 있게 낮았다. 이 결과로부터, 각도 D가 30°이하이면, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막의 불균일이 더 억제되어, 충분한 성막 밀도를 갖는 것이 나타났다. 또한, 이 결과는, 플라스마 장치(200e)에 의하면, 마스킹 부재(21e, 22e)의 단부에 전계가 집중되는 것을 억제할 수 있는 것을 나타내고 있다. 그로 인해, 이 결과는, 플라스마 장치(200e)에 의해 에칭을 행하는 경우에 있어서도 마찬가지로, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 에칭의 불균일이 억제되어, 충분히 에칭이 행해지는 것을 나타내고 있다.13 is a diagram showing the relationship between the angle D and the contact resistance value. In Fig. 13, the presence or absence of peeling of the film of each sample is also shown by the marks & cir & The table shows that no peeling of the film of the sample was observed, and the mark of x shows that peeling of the film of the sample was observed. As shown in Fig. 12 and Fig. 13, in the sample 5 having the angle D of 45 degrees, peeling of the film was observed, and the contact resistance value was 10.4 (m? 占㎠). In Sample 6 having an angle D of 90 °, peeling of the film was observed, and the contact resistance value was 11.19 (m? 占㎠ 2) higher than that of Sample 5. On the other hand, in the samples 1 to 4 having the angles D of 6, 15, 25 and 30, no peeling of the film was observed and the contact resistance was 5.44 to 5.91 (m? 占㎠ 2) Respectively. From this result, when the angle D is 30 DEG or less, the unevenness of the film formation is further suppressed at the end portion of the to-be-processed portion 10A, and the film has a sufficient film forming density. This result also shows that the plasma apparatus 200e can prevent the electric field from concentrating on the end portions of the masking members 21e and 22e. Therefore, this result also shows that even when etching is performed by the plasma apparatus 200e, the unevenness of the etching is suppressed at the end of the part to be treated 10A, and the etching is sufficiently performed.

도 14는, 제3 실시 형태의 변형예 1에 있어서의 플라스마 장치(200f)의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도이다. 도 14에는, 도 11의 X2 부분에 상당하는 부분 X3이 나타나 있다. 본 변형예에 있어서의 플라스마 장치(200f)와 상술한 제3 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200e)가 상이한 주된 점은, 마스킹 부재(20f(21f, 22f))의 경사면(23f, 24f)이, 피처리 대상 부분(10A)의 단부와 직접 접촉하고 있지 않은 점이다. 본 변형예에서는, 경사면(23f)은 워크(W)의 상면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부와 접촉하는 면(27f)에 접속되어 있다. 또한, 경사면(24f)은, 워크(W)의 하면측의 피처리 대상 부분(10A)의 단부와 접촉하는 면(28f)에 접속되어 있다. 본 변형예의 플라스마 장치(200f)의 그 밖의 구성은, 상술한 제3 실시 형태의 플라스마 장치(200e)와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.Fig. 14 is a partial schematic cross-sectional view partially showing a configuration of a plasma apparatus 200f according to a modification 1 of the third embodiment. In Fig. 14, a portion X3 corresponding to the portion X2 in Fig. 11 is shown. The plasma device 200f in this modified example differs from the plasma device 200e in the third embodiment in that the inclined surfaces 23f and 24f of the masking members 20f (21f and 22f) And does not directly contact the end of the part to be treated 10A. In this modification, the inclined surface 23f is connected to a surface 27f which is in contact with an end of the to-be-processed portion 10A on the upper surface side of the work W. The inclined surface 24f is connected to a surface 28f which is in contact with an end portion of the portion 10A to be processed on the lower surface side of the work W. The other configuration of the plasma apparatus 200f of the present modification example is the same as that of the plasma apparatus 200e of the third embodiment described above, and thus description thereof is omitted.

이러한 플라스마 장치(200f)에 의해서도, 경사면(23f, 24f)을 구비하고 있으므로, 상술한 제3 실시 형태와 마찬가지로, 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.The plasma apparatus 200f also includes the inclined surfaces 23f and 24f so that the film density or the etching density is lowered at the end portion of the portion 10A to be processed as in the third embodiment .

도 15는, 제3 실시 형태의 변형예 2에 있어서의 플라스마 장치(200g)의 구성을 부분적으로 도시하는 부분 개략 단면도이다. 도 15에는, 도 11의 X2 부분에 상당하는 부분 X4가 나타나 있다. 본 변형예에 있어서의 플라스마 장치(200g)와 상술한 제3 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200e)가 상이한 점은, 상측 마스킹 부재(21g)가 제1 형(110d)의 측부(112d)에 근접하는 개소에 판부(27g)를 구비하고, 하측 마스킹 부재(22g)가 제2 형(120d)의 측부(122d)에 근접하는 개소에 판부(28g)를 구비하는 점이다. 판부(27g, 28g)의 X축을 따른 두께는, 약 2.0㎜이고, Y축을 따른 길이는, 약 20∼30㎜이고, 측부(112d)와 판부(27g), 측부(122d)와 판부(28g)의 X축을 따른 거리는, 약 1.0㎜이다. 판부(27g)는, 워크에 성막이 행해짐으로써 측부(112d)에 오염물이 부착되는 것을 방지한다. 또한, 판부(28g)는, 워크에 성막이 행해짐으로써 측부(122d)에 오염물이 부착되는 것을 방지한다.15 is a partial schematic cross-sectional view partially showing the configuration of the plasma apparatus 200g in the second modification of the third embodiment. In Fig. 15, a portion X4 corresponding to the portion X2 in Fig. 11 is shown. The difference between the plasma apparatus 200g of this modification and the plasma apparatus 200e of the third embodiment is that the upper masking member 21g is provided on the side portion 112d of the first mold 110d And the lower masking member 22g is provided with the plate portion 28g at a position near the side portion 122d of the second die 120d. The thickness of the plate portions 27g and 28g along the X axis is about 2.0 mm and the length along the Y axis is about 20 to 30 mm. The side portions 112d and the plate portions 27g, the side portions 122d and the plate portions 28g, The distance along the X axis is about 1.0 mm. The plate portion 27g prevents deposition of contaminants on the side portion 112d by performing film formation on the work. Further, the plate portion 28g prevents deposition of contaminants on the side portion 122d by performing film formation on the work.

이러한 플라스마 장치(200g)에 의해서도, 경사면(23e, 24e)을 구비하고 있으므로, 상술한 제3 실시 형태와 마찬가지로 피처리 대상 부분(10A)의 단부에 있어서, 성막 밀도 또는 에칭 밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 진공 용기(100d)의 측부(112d, 122d)에 오염물이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 판부(27g, 28g)는, 상측 마스킹 부재(21g)와 하측 마스킹 부재(22g) 중 한쪽에만 구비되어 있어도 된다.Since the inclined surfaces 23e and 24e are also provided by the plasma apparatus 200g, the film density or the etching density is prevented from being lowered at the end portion of the to-be-processed portion 10A as in the third embodiment described above can do. It is also possible to prevent the contaminants from adhering to the side portions 112d and 122d of the vacuum container 100d. The plate portions 27g and 28g may be provided only on one of the upper masking member 21g and the lower masking member 22g.

상술한 제3 실시 형태에서는, 마스킹 부재(20e(21e, 22e))는, 경사면(23e, 24e)을 구비하고 있다. 이에 대해, 상측 마스킹 부재(21e)와 하측 마스킹 부재(22e) 중 어느 한쪽이, 경사면을 구비하고 있어도 된다.In the third embodiment described above, the masking members 20e (21e, 22e) have inclined surfaces 23e, 24e. On the other hand, either the upper masking member 21e or the lower masking member 22e may have an inclined surface.

상술한 제3 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200g)는, 상술한 제1 실시 형태의 변형예 1∼8, 10, 11과 마찬가지의 변형이 가능하다. 또한, 플라스마 장치(200g)는, 상술한 제2 실시 형태의 변형예와 마찬가지의 변형이 가능하다.The plasma apparatus 200g according to the third embodiment described above can be modified in the same manner as the first to eighth, tenth, and eleventh modifications of the first embodiment. Further, the plasma device 200g can be modified in the same manner as the modification of the second embodiment described above.

도 16은, 제4 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200r)를 도시하는 도면이다. 플라스마 장치(200r)는, 전력 인가부(70)에 의해 인가되는 전력(DC(Direct Current) 전력)과 고주파 전력 인가부(70r)에 의해 인가되는 전력(RF(Radio Frequency) 전력)을 이용하여, 워크(W)의 피처리 대상 부분(10rA)에 플라스마 처리를 행하는 것이 가능한 장치이다. 그로 인해, 플라스마 장치(200r)는, 제1 전극(75)과, 제2 전극(76)과, 고주파 전력 인가부(70r)를 구비한다. 제1 전극(75)은, 제1 오목부(114r) 내의 저부(113r)측에 배치되어 있다. 제2 전극(76)은, 제2 오목부(124r) 내의 저부(123r)측에 배치되어 있다. 고주파 전력 인가부(70r)는, 제어부(95r)의 제어에 의해, 제1 전극(75) 및 제2 전극(76)에 전력을 인가한다. 또한, 고주파 전력 인가부(70r)는, 제1 전극(75)에 인가하는 고주파 전력의 크기와, 제2 전극(76)에 인가하는 고주파 전력의 크기를 상이하게 하는 것도 가능하다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 형(110r)은, 제1 전극(75)에 고주파 전력을 인가하기 위한 전력 도입부(71r)와, 진공 용기(100r) 내를 배기하기 위한 배기구(91r)를 구비한다. 제2 형(120r)은, 제2 전극(76)에 고주파 전력을 인가하기 위한 전력 도입부(72r)와, 진공 용기(100r) 내를 배기하기 위한 배기구(91r)를 구비한다. 전력 도입부(71r)와 제1 형(110r) 사이, 및 전력 도입부(72r)와 제2 형(120r) 사이는, 절연 부재(35)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 전극(75)과 제1 형(110r)의 거리, 및 제2 전극(76)과 제2 형(120r)의 거리는, 시스의 거리보다 짧다. 그로 인해, 제1 전극(75)과 제1 형(110r) 사이, 및 제2 전극(76)과 제2 형(120r) 사이에는, 플라스마는 발생하지 않는다.Fig. 16 is a diagram showing the plasma apparatus 200r in the fourth embodiment. The plasma apparatus 200r uses the power (direct current power) applied by the power applying section 70 and the power (RF (Radio Frequency) power applied by the high-frequency power applying section 70r) , And the plasma processing can be performed on the to-be-processed portion 10rA of the work W. Therefore, the plasma apparatus 200r includes the first electrode 75, the second electrode 76, and the high-frequency power applying section 70r. The first electrode 75 is disposed on the bottom 113r side in the first concave portion 114r. The second electrode 76 is disposed on the bottom 123r side in the second concave portion 124r. The high frequency power applying section 70r applies electric power to the first electrode 75 and the second electrode 76 under the control of the control section 95r. In addition, the high-frequency power applying section 70r can make the magnitude of the high-frequency power applied to the first electrode 75 and the magnitude of the high-frequency power applied to the second electrode 76 different. In the present embodiment, the first mold 110r includes a power inlet portion 71r for applying a high-frequency power to the first electrode 75 and an exhaust port 91r for exhausting the inside of the vacuum container 100r do. The second mold 120r has a power introducing portion 72r for applying a high frequency power to the second electrode 76 and an exhaust port 91r for exhausting the inside of the vacuum container 100r. The insulation between the power input portion 71r and the first mold 110r and between the power input portion 72r and the second mold 120r are electrically insulated by the insulating member 35. [ In the present embodiment, the distance between the first electrode 75 and the first mold 110r and the distance between the second electrode 76 and the second mold 120r are shorter than the distance between the sheaths. Thereby, no plasma is generated between the first electrode 75 and the first mold 110r, and between the second electrode 76 and the second mold 120r.

본 실시 형태에 있어서, 워크(W) 중, 제1 오목부(114r) 내 및 제2 오목부(124r) 내에 위치하는 부분에는, 워크(W)의 상면측과 하면측을 관통하는 구멍이 마련되어 있지 않고, 진공 용기(100r)가 폐쇄된 상태에 있어서, 워크(W)는 제1 오목부(114r) 내의 공간과 제2 오목부(124r) 내의 공간을 분리(구획)한다. 그로 인해, 이들 공간은, 전기적으로 절연된다. 즉, 워크(W)에 의해, 제1 오목부(114r) 내에 발생하는 플라스마와, 제2 오목부(124r) 내에 발생하는 플라스마가 분리된다. 본 실시 형태의 플라스마 장치(200r)의 그 밖의 구성은, 상술한 제1 실시 형태의 플라스마 장치(200)와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.In the present embodiment, the work W is provided with a hole penetrating the upper surface side and the lower surface side of the work W in the portion located in the first recess portion 114r and the second recess portion 124r The work W separates (divides) the space in the first concave portion 114r and the space in the second concave portion 124r while the vacuum container 100r is closed. As a result, these spaces are electrically insulated. That is, the plasma generated in the first concave portion 114r and the plasma generated in the second concave portion 124r are separated by the work W. The other configuration of the plasma apparatus 200r of the present embodiment is the same as that of the plasma apparatus 200 of the first embodiment described above, and thus description thereof is omitted.

본 실시 형태의 플라스마 장치(200r)에 의한 플라스마 처리에서는, 상술한 제1 실시 형태의 플라스마 처리 방법(도 4)의 전력이 인가되는 공정(도 4, 스텝 S50)에 있어서, 워크(W)에 전력이 인가되는 것 외에도, 또한 고주파 전력 인가부(70r)에 의해 제1 전극(75) 및 제2 전극(76)에 고주파 전력이 인가된다. 본 실시 형태의 그 밖의 플라스마 처리 방법은, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.In the plasma processing by the plasma apparatus 200r of the present embodiment, in the step of applying the electric power of the plasma processing method (Fig. 4) of the first embodiment described above (Fig. 4, step S50) In addition to power being applied, high-frequency power is also applied to the first electrode 75 and the second electrode 76 by the high-frequency power applying section 70r. The other plasma processing method of this embodiment is the same as the above-described first embodiment, and a description thereof will be omitted.

본 실시 형태의 플라스마 장치(200r)에 의하면, 워크(W)에 의해 제1 오목부(114r) 내의 공간과 제2 오목부(124r) 내의 공간이 분리되어 있고, 이들 공간은 전기적으로 절연된다. 이로 인해, 제1 전극(75)에 인가된 고주파와 제2 전극(76)에 인가된 고주파의 위상이 간섭하는 것이 억제된다. 또한, 제1 전극(75)에 인가된 고주파와 제2 전극(76)에 인가된 고주파의 위상이 간섭하는 것이 억제되므로, 인가된 전력을 효율적으로 이용하여, 워크(W)의 피처리 대상 부분(10rA)을 성막 또는 에칭할 수 있다. 그로 인해, 제1 오목부(114r) 내 및 제2 오목부(124r) 내의 플라스마 밀도를 증가시켜, 피처리 대상 부분(10rA)의 성막 밀도나 에칭 밀도를 높일 수 있다. 또한, 플라스마 장치(200r)에 의해 피처리 대상 부분(10rA)에 성막을 행하는 경우에는 막 두께를 두껍게 할 수 있고, 플라스마 장치(200r)에 의해 피처리 대상 부분(10rA)에 에칭을 행하는 경우에는, 피처리 대상 부분(10rA)의 에칭량을 많게 할 수 있다.According to the plasma apparatus 200r of the present embodiment, the space in the first concave portion 114r and the space in the second concave portion 124r are separated by the work W, and these spaces are electrically insulated. This prevents the high frequency applied to the first electrode 75 from interfering with the phase of the high frequency applied to the second electrode 76. Since the interference of the high frequency applied to the first electrode 75 and the high frequency applied to the second electrode 76 is suppressed, the applied electric power can be efficiently used, (10rA) can be formed or etched. As a result, the plasma density in the first concave portion 114r and the second concave portion 124r can be increased to increase the deposition density and the etching density of the portion 10rA to be processed. Further, in the case of performing film formation on the part to be treated 10rA by the plasma device 200r, it is possible to increase the film thickness, and when the part to be treated 10rA is etched by the plasma device 200r , The amount of etching of the part to be treated 10rA can be increased.

또한, 본 실시 형태의 플라스마 장치(200r)에 의하면, 워크(W)에 의해 제1 오목부(114r) 내의 공간과 제2 오목부(124r) 내의 공간이 분리되고, 고주파 전력 인가부(70r)는 제1 전극(75)에 인가하는 고주파 전력의 크기와, 제2 전극(76)에 인가하는 고주파 전력의 크기를 상이하게 하는 것이 가능하므로, 상면측의 피처리 대상 부분(10rA)과 하면측의 피처리 대상 부분(10rA)의 성막 밀도나 에칭 밀도, 막 두께나 에칭량을 상이하게 할 수 있다. 예를 들어, 피처리 대상물(10r)이 연료 전지에 사용되는 세퍼레이터이며, 피처리 대상 부분(10rA)의 상면측에 냉각수 유로가 형성되어 있고, 하면측에 연료 가스의 유로가 형성되어 있는 경우에는, 연료 전지의 성능을 높이기 위해, 적어도 하면측의 성막 밀도를 높이는 것이 바람직하다. 본 실시 형태의 플라스마 장치(200r)에 의하면, 제1 전극(75)에 인가하는 전력은 유지한 채, 제2 전극(76)에 인가하는 전력을 크게 함으로써 하면측만 성막 밀도를 높일 수 있다. 그로 인해, 피처리 대상물(10r)의 한쪽 면의 성막 밀도나 에칭 밀도를 높이는 경우에 있어서, 소비되는 전력을 억제할 수 있다.According to the plasma apparatus 200r of the present embodiment, the space in the first concave portion 114r and the space in the second concave portion 124r are separated by the work W, and the high frequency electric power applying portion 70r, It is possible to make the magnitude of the high-frequency power applied to the first electrode 75 different from the magnitude of the high-frequency power applied to the second electrode 76, so that the upper surface side target portion 10rA and the lower surface side The film density, the etching density, the film thickness, and the etching amount of the part to be treated 10rA of the substrate 10a can be made different. For example, when the object to be treated 10r is a separator used in a fuel cell, a cooling water flow path is formed on the upper surface side of the part to be treated 10rA, and a flow path of the fuel gas is formed on the lower surface side , It is desirable to increase the film deposition density at least on the lower surface side in order to improve the performance of the fuel cell. According to the plasma apparatus 200r of the present embodiment, by increasing the power applied to the second electrode 76 while maintaining the power applied to the first electrode 75, it is possible to increase the side-only film density. Therefore, the power consumption can be suppressed when the deposition density and the etching density on one surface of the object to be treated 10r are increased.

또한, 발명자들은, 진공 용기(100r) 내의 압력이 30㎩이고, 진공 용기(100r) 내에 공급되는 가스가 피리딘 가스이고, 전력 인가부(70)에 의해 워크(W)에 인가되는 전력이 -2500V인 경우에 있어서, 제1 전극(75)과 제2 전극(76)에 인가하는 전력을 상이하게 하여 피처리 대상물(10r)에 성막을 행하였다. 그 결과, 고주파 전력 인가부(70r)에 의해 제1 전극(75)에 13.56㎒로 -100W의 전력을 인가하고, 제2 전극(76)에 13.56㎒로 -1000W의 전력을 인가함으로써, 피처리 대상 부분(10rA)의 상면측에 50㎚의 두께의 막이 형성되고, 하면측에 80㎚의 두께의 막이 형성되는 것을 확인하였다. 또한, 발명자들은, 성막 후에 FE-SEM(Field Emission-Scanning Electron Microscope: 전계 방사형 주사 전자 현미경)에 의해 피처리 대상 부분(10rA)의 상면측과 하면측을 관찰한바, 하면측에서는 상면측에 비해 더 치밀한 막이 형성되어 있는 것을 확인하였다.The inventors have also found that when the pressure in the vacuum container 100r is 30Pa and the gas supplied into the vacuum container 100r is pyridine gas and the power applied to the workpiece W by the power applying section 70 is -2500V , The electric charges to be applied to the first electrode 75 and the second electrode 76 are made different from each other, and the object to be processed 10r is film-formed. As a result, by applying a power of -100 W at 13.56 MHz to the first electrode 75 by the high-frequency power applying section 70r and applying a power of -1000 W at 13.56 MHz to the second electrode 76, It was confirmed that a film with a thickness of 50 nm was formed on the upper surface side of the target portion 10rA and a film with a thickness of 80 nm was formed on the lower surface side. The inventors also observed the upper and lower surfaces of the portion to be treated 10rA by FE-SEM (Field Emission-Scanning Electron Microscope) after film formation, It was confirmed that a dense film was formed.

또한, 본 실시 형태의 플라스마 장치(200r)에 의하면, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지의 구성을 가지므로, 제1 실시 형태와 마찬가지로 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.Furthermore, the plasma apparatus 200r of the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment described above, so that the occurrence of abnormal discharge can be suppressed as in the first embodiment.

도 17은, 제4 실시 형태의 변형예에 있어서의 플라스마 처리 방법을 나타내는 공정도이다. 본 변형예에 있어서의 플라스마 처리 방법은, 플라스마 장치(200r)에 의한 성막 후(도 4, 스텝 S10∼스텝 S55)에 진공 용기(100r) 내가 에칭(또는 청정화)되는 공정을 구비한다. 본 변형예에서는, 성막이 종료되면, 먼저, 워크(W)가 진공 용기(100r)로부터 반출된다(스텝 S80).17 is a process chart showing a plasma processing method in a modified example of the fourth embodiment. The plasma processing method in this modification includes a step of etching (or purifying) the vacuum container 100r after film formation by the plasma device 200r (Fig. 4, step S10 to step S55). In this modified example, when the film formation is completed, first, the work W is carried out of the vacuum container 100r (step S80).

다음으로, 더미 워크가 진공 용기(100r) 내로 반송된다(스텝 S110). 스텝 S110에서는, 예를 들어 워크(W) 대신에, 더미 워크가 진공 용기(100r) 내로 반송된다. 더미 워크는, 제1 오목부(114r) 내의 공간과 제2 오목부(124r) 내의 공간을 분리하는 금속판이다. 스텝 S110에서는, 더미 워크가 적재된 팰릿(130)이 진공 용기(100r) 내로 반송된다. 반송된 팰릿(130)은, 시일 부재(62)를 통해 제2 형(120r) 상에 배치된다. 다음으로, 진공 용기(100r)가 폐쇄되고(스텝 S120), 진공 용기(100r) 내의 가스가 배기 장치(90)에 의해 배기구(91r)를 통해 배기된다(스텝 S130).Next, the dummy work is transported into the vacuum container 100r (step S110). In step S110, for example, instead of the work W, the dummy work is transported into the vacuum container 100r. The dummy work is a metal plate for separating the space in the first concave portion 114r from the space in the second concave portion 124r. In step S110, the pallet 130 on which the dummy work is loaded is conveyed into the vacuum container 100r. The conveyed pallet 130 is disposed on the second mold 120r through the seal member 62. [ Next, the vacuum container 100r is closed (step S120), and the gas in the vacuum container 100r is exhausted by the exhaust device 90 through the exhaust port 91r (step S130).

진공 용기(100r) 내가 배기되면, 진공 용기(100r) 내에 에칭 가스가 공급된다(스텝 S140). 스텝 S140에서는, 가스 공급 장치(80)에 의해 공급구(81)를 통해 진공 용기(100r) 내에, 예를 들어 아르곤 가스나 수소 가스, 질소 가스 등이 공급된다.When the vacuum container 100r is evacuated, an etching gas is supplied into the vacuum container 100r (step S140). In step S140, for example, argon gas, hydrogen gas, nitrogen gas, or the like is supplied into the vacuum container 100r through the supply port 81 by the gas supply device 80. [

다음으로, 전력 인가부(70)에 의해 워크(W)에 전력이 인가되고, 고주파 전력 인가부(70r)에 의해 제1 전극(75) 및 제2 전극(76)에 전력이 인가된다(스텝 S150). 전력 인가부(70)는, 예를 들어 워크(W)에 -2500V의 전력을 인가하고, 고주파 인가부(70r)는 제1 전극(75) 및 제2 전극에 13.56㎒로 -1000W의 고주파 전력을 인가한다. 이와 같이 함으로써, 성막에 의해 제1 오목부(114r) 및 제2 오목부(124r)에 퇴적된 이물이 청정화(또는 에칭)된다.Next, power is applied to the work W by the power applying section 70 and power is applied to the first electrode 75 and the second electrode 76 by the high-frequency power applying section 70r S150). The power applying section 70 applies a power of -2500 V to the work W and the high frequency applying section 70r applies a high frequency power of 13.56 MHz to the first electrode 75 and the second electrode . By doing so, foreign matters deposited on the first recess 114r and the second recess 124r are cleaned (or etched) by film formation.

전력의 인가와, 가스의 공급이 정지되고, 플라스마 장치(200r)에 의한 청정화가 종료되면, 진공 용기(100r)를 개방하기 위해, 진공 용기(100r) 내의 압력이 조정된다(스텝 S155). 이와 같이 하여 진공 용기(100r) 내가 청정화되면, 다시 스텝 S10으로 되돌아가, 워크(W)에 성막이 행해진다.When the supply of electric power and the supply of gas are stopped and the cleaning by the plasma device 200r is completed, the pressure in the vacuum container 100r is adjusted to open the vacuum container 100r (step S155). When the vacuum container 100r is cleaned in this manner, the process returns to step S10 to perform film formation on the work W.

본 변형예에 의하면, 성막이 행해진 후, 진공 용기(100r) 내가 청정화되므로, 진공 용기(100r)에 퇴적된 이물을 제거할 수 있다. 그로 인해, 청정화 후에 진공 용기(100r) 내로 반송된 워크(W)의 성막 밀도나 에칭 밀도, 막 두께나 에칭량을 향상시킬 수 있다.According to this modified example, since the vacuum vessel 100r is cleaned after the film formation, the foreign matter deposited in the vacuum vessel 100r can be removed. Therefore, the film density, the etching density, the film thickness and the etching amount of the workpiece W conveyed into the vacuum container 100r after the purification can be improved.

또한, 제1 전극(75)에 인가되는 전력과 제2 전극(76)에 인가되는 전력을 상이하게 하여 제1 오목부(114r)와 제2 오목부(124r)를 청정화할 수 있으므로, 이물의 퇴적의 정도에 따라서 제1 오목부(114r)와 제2 오목부(124r)를 적절하게 청정화할 수 있다. 또한, 제1 오목부(114r)와 제2 오목부(124r)의 이물의 퇴적의 정도가 상이한 경우에 있어서, 청정화를 위해 소비되는 전력을 억제할 수 있다.In addition, since the first concave portion 114r and the second concave portion 124r can be cleaned by making the electric power applied to the first electrode 75 different from the electric power applied to the second electrode 76, The first concave portion 114r and the second concave portion 124r can be appropriately cleaned depending on the degree of deposition. In addition, when the degree of deposition of the foreign matter between the first concave portion 114r and the second concave portion 124r is different, the power consumed for purifying can be suppressed.

상술한 제4 실시 형태에 있어서의 플라스마 장치(200r)는, 상술한 제1 실시 형태의 변형예 1, 2, 4∼7, 9∼11과 마찬가지의 변형이 가능하다. 또한, 플라스마 장치(200r)는, 상술한 제2 실시 형태 및 제2 실시 형태의 변형예와 마찬가지의 변형이 가능하다. 또한, 플라스마 장치(200r)는, 상술한 제3 실시 형태 및 제3 실시 형태의 변형예와 마찬가지의 변형이 가능하다.The plasma apparatus 200r in the fourth embodiment described above can be modified in the same manner as the first, second, fourth, and seventh and ninth to eleventh modifications of the first embodiment. Further, the plasma apparatus 200r can be modified in the same manner as the modification of the second embodiment and the second embodiment described above. Further, the plasma device 200r can be modified in the same manner as the modification of the third embodiment and the third embodiment described above.

상술한 다양한 실시 형태에서는, 피처리 대상물(10)은 세퍼레이터이지만, 피처리 대상물(10)은 도전성을 갖는 부재이면 된다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 플라스마 장치(200∼200r)는, 탄소계 박막을 성막하고 있지만, 성막을 행하는 경우에는, 금(Au), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 실리콘(Si) 등 다른 도전성 원소의 박막을 형성하는 것으로 해도 된다.In the various embodiments described above, the object to be processed 10 is a separator, but the object to be processed 10 may be a conductive material. In the above embodiments, the plasma devices 200 to 200r are formed of a carbon-based thin film. However, when the film is formed, gold (Au), platinum (Pt), tantalum (Ta) A thin film of another conductive element may be formed.

상술한 실시 형태에 있어서, 제1 형(110, 110b, 110d, 110m, 110r)과 제2 형(120, 120b, 120d, 120m, 120r)은 교체해도 된다.The first molds 110, 110b, 110d, 110m, and 110r and the second molds 120, 120b, 120d, 120m, and 120r may be replaced in the above-described embodiment.

본 발명은, 상술한 실시 형태나 변형예에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양한 구성으로 실현할 수 있다. 예를 들어, 발명의 내용의 란에 기재된 각 형태 중의 기술적 특징에 대응하는 실시 형태나 변형예 중의 기술적 특징은, 상술한 과제의 일부 또는 전부를 해결하기 위해, 혹은 상술한 효과의 일부 또는 전부를 달성하기 위해, 적절하게 치환이나, 조합을 행하는 것이 가능하다. 또한, 전술한 실시 형태 및 각 변형예에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에서 기재된 요소 이외의 요소는 부가적인 요소이며, 적절하게 생략 가능하다.The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be realized in various configurations within the scope not departing from the gist of the present invention. For example, the technical features of the embodiments and the modifications corresponding to the technical features of the respective aspects described in the description of the invention may be applied to solve some or all of the problems described above, or to solve some or all of the effects It is possible to appropriately perform substitution or combination. Furthermore, among the constituent elements in the above-described embodiments and modifications, elements other than the elements described in the independent claims are additional elements, and can be suitably omitted.

Claims

플라스마 CVD법에 의해 워크(W)의 일부에 성막 또는 에칭을 행하도록 구성된 플라스마 장치(200)이며,
제1 오목부(114)와 상기 제1 오목부(114)의 주위에 배치된 제1 평면부(111)를 구비하는 제1 형(110)과, 상기 제1 형(110)에 대향하여 배치된 제2 형(120)을 구비하는 진공 용기(100)와,
상기 제1 형(110)의 상기 제1 평면부(111)와 상기 제2 형(120) 사이에 배치되고, 상기 워크(W)의 피처리 대상 부분(10A)을 상기 제1 오목부(114) 내의 공간을 향하게 함과 함께 상기 워크(W)를 상기 제1 평면부(111)로부터 이격시킨 상태에서 상기 워크(W)에 접촉하는 절연 부재(30)와,
상기 워크(W)에 전력을 인가하는 전력 인가부(70)를 포함하고,
상기 워크(W)와 상기 절연 부재(30)의 접촉점(P1)과, 상기 제1 평면부(111)의 거리(A1)는, 상기 워크(W)와 상기 제1 오목부(114)의 저부(113)의 거리(B1)보다 작은, 플라스마 장치(200).A plasma apparatus (200) configured to perform film formation or etching on a part of a work (W) by a plasma CVD method,
(110) having a first concave portion (114) and a first plane portion (111) arranged around the first concave portion (114), and a second type A vacuum container 100 having a first mold 120 and a second mold 120,
The first concave portion 114 is disposed between the first planar portion 111 and the second concave portion 120 of the first mold 110 and the to-be-processed portion 10A of the work W, , An insulating member (30) which contacts the work (W) in a state where the work (W) is separated from the first plane portion (111)
And a power applying unit (70) for applying electric power to the work (W)
The contact point P1 between the work W and the insulating member 30 and the distance A1 between the first flat surface 111 and the second flat surface 111 are smaller than the distance A1 between the work W and the bottom of the first recess 114 Is less than the distance (B1) of the first electrode (113).

제1항에 있어서,
상기 제1 오목부(114)와 상기 제1 평면부(111)의 접속 개소(Q1)로부터, 상기 접촉점(P1)까지의 상기 제1 평면부(111)를 따른 거리는 0보다 큰, 플라스마 장치(200).The method according to claim 1,
The distance from the connection point Q1 of the first recessed portion 114 to the first planar portion 111 to the contact point P1 along the first planar portion 111 is greater than zero, 200).

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접촉점(P1)과 상기 제1 평면부(111)의 거리(A1)는, 상기 워크(W)와 상기 제1 평면부(111) 사이에 형성되는 시스의 거리보다 짧은, 플라스마 장치(200).3. The method according to claim 1 or 2,
The distance A1 between the contact point P1 and the first planar portion 111 is shorter than the distance between the workpiece W and the first planar portion 111, .

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접촉점(P1)과 상기 제1 평면부(111)의 거리(A1)는 2.0㎜ 이하인, 플라스마 장치(200).3. The method according to claim 1 or 2,
, Wherein a distance (A1) between the contact point (P1) and the first plane portion (111) is 2.0 mm or less.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 워크(W)는, 피처리 대상물(10)과, 상기 피처리 대상물(10)의 비피처리 대상 부분(10B)을 덮는 마스킹 부재(20)를 구비하고,
상기 제1 오목부(114)와 상기 제1 평면부(111)의 접속 개소(Q1)는, 상기 피처리 대상 부분(10A)의 단부로부터 상기 절연 부재측으로 이격되어 위치하고 있는, 플라스마 장치(200).3. The method according to claim 1 or 2,
The workpiece W includes a to-be-treated object 10 and a masking member 20 covering the portion 10B to be processed of the to-be-processed object 10,
The connection portion Q1 of the first recessed portion 114 and the first planar portion 111 is located apart from the end portion of the to-be-processed portion 10A toward the insulating member side. .

제5항에 있어서,
상기 마스킹 부재(20)는, 상기 피처리 대상 부분(10A)측의 단부에 상기 제1 오목부(114)를 향해 경사진 경사면(23e)을 갖는, 플라스마 장치(200).6. The method of claim 5,
The masking member 20 has an inclined surface 23e inclined toward the first concave portion 114 at an end of the portion 10A.

제6항에 있어서,
상기 마스킹 부재(20)의 접촉면과 상기 경사면(23e)이 이루는 각은 30°이하이고, 상기 접촉면은 상기 피처리 대상물(10)과 접촉하도록 구성되는, 플라스마 장치(200).The method according to claim 6,
Wherein the angle formed between the contact surface of the masking member 20 and the inclined surface 23e is equal to or less than 30 degrees and the contact surface is configured to contact the object to be processed 10. [

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 오목부(114) 내에 배치된 제1 전극(75)과, 제2 오목부(124) 내에 배치된 제2 전극(76)과, 상기 제1 전극(75) 및 상기 제2 전극(76)에 고주파 전력을 인가하도록 구성되는 고주파 전력 인가부(70r)를 더 구비하고,
상기 제2 형(120)은, 상기 제2 오목부(124)와, 상기 제2 오목부(124)의 주위에 배치된 제2 평면부(121)를 구비하고,
상기 워크(W)는, 상기 제1 오목부(114) 내의 공간과 상기 제2 오목부(124) 내의 공간을 분리하도록 구성되는, 플라스마 장치(200).3. The method according to claim 1 or 2,
A first electrode 75 disposed in the first concave portion 114 and a second electrode 76 disposed in the second concave portion 124. The first electrode 75 and the second electrode 76, And a high-frequency power applying unit (70r) configured to apply a high-frequency power to the plurality of high-
The second mold 120 has the second recess 124 and a second plane 121 disposed around the second recess 124,
Wherein the workpiece (W) is configured to separate a space in the first recess (114) and a space in the second recess (124).