JP6631451B2

JP6631451B2 - Processing equipment

Info

Publication number: JP6631451B2
Application number: JP2016183716A
Authority: JP
Inventors: 飯塚　和孝; 和孝飯塚; 孝池尻; 正一郎熊本
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2016-09-21
Filing date: 2016-09-21
Publication date: 2020-01-15
Anticipated expiration: 2036-09-21
Also published as: JP2018048366A

Description

本発明は、処理装置に関する。 The present invention relates to a processing device.

プラズマを用いて処理室内のワークに成膜を行う装置として、処理室内で、ワークに電気的に接続されたワーク側の導電体を、搬送方向に位置する電源部側の導電体に接触させて、電源部側の導電体からワーク側の導電体を介してワークに電力を印加することによって成膜を行う装置が知られている（例えば、特許文献１）。 As an apparatus for forming a film on a work in a processing chamber using plasma, a conductor on a work side electrically connected to the work is brought into contact with a conductor on a power supply unit side located in a transport direction in the processing chamber. An apparatus that forms a film by applying power from a conductor on a power supply unit side to a work via a conductor on the work side is known (for example, Patent Document 1).

特開２０１５−９４０２２号公報JP 2015-94022 A

特許文献１記載の装置では、ワーク側の導電体及び電源部側の導電体は、処理室内で発生する成膜カス等の異物が付着すると異常放電が発生する場合があることから、その一部が絶縁体によって覆われている。しかし、ワーク側の導電体を搬送して、電源部側の絶縁体の開口を通じて電源部側の導電体に接触させようとする際に、接触させようとする箇所に対するワーク側の導電体の搬送ズレが生じた場合には、ワーク側の導電体又は絶縁体と電源部側の絶縁体とが接触して損傷するおそれがあった。また、このような搬送ズレに起因する損傷を抑制するために、電源部側の絶縁体の開口を単純に大きくすると、開口からプラズマが侵入して異常放電が発生するおそれがあった。なお、同様の構成を備える装置においてエッチングを行う場合にも、このような問題が生じるおそれがあった。そのため、プラズマを用いてワークに成膜又はエッチングを行う処理装置において、搬送ズレが生じた場合であってもワーク側の導電体又は絶縁体と電源部側の絶縁体とが接触することによる損傷を抑制しつつ、異常放電の発生を抑制可能な技術が望まれていた。 In the apparatus described in Patent Literature 1, the conductor on the workpiece side and the conductor on the power supply unit side may have an abnormal discharge when foreign matter such as film residue generated in the processing chamber adheres. Are covered with an insulator. However, when the conductor on the work side is transported and is brought into contact with the conductor on the power supply unit side through the opening of the insulator on the power supply unit side, the conductor on the work side is transported to the place to be contacted. When the displacement occurs, the conductor or insulator on the work side and the insulator on the power supply unit side may be damaged due to contact. Further, if the opening of the insulator on the power supply section side is simply enlarged in order to suppress the damage due to such a transfer deviation, there is a possibility that plasma may enter from the opening and abnormal discharge may occur. Note that such a problem may occur when etching is performed in an apparatus having a similar configuration. Therefore, in a processing apparatus that performs film formation or etching on a workpiece using plasma, even if a transfer error occurs, damage caused by contact between the conductor or insulator on the workpiece side and the insulator on the power supply unit side. There has been a demand for a technique capable of suppressing abnormal discharge while suppressing the occurrence of abnormal discharge.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
本発明の第１の形態は、プラズマを用いて導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置であって、前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と、前記処理室内に前記ワークを搬送する搬送部であって、前記ワークを保持する導電性の保持部に電気的に接続され前記搬送の方向である搬送方向に延びるワーク側導電体と、少なくとも前記ワーク側導電体の前記搬送方向の端部を露出させた状態で前記ワーク側導電体を覆うワーク側絶縁体とを有する搬送部と、前記処理室内に少なくとも一部が設けられ電力が印加される電源部側導電体と、前記処理室内において前記電源部側導電体を覆い、前記処理室内の前記電源部側導電体と前記ワーク側導電体とが接触する箇所に開口部を有する電源部側絶縁体と、を備え、前記開口部は、前記搬送方向に沿った筒状の第１部位と、前記第１部位よりも前記ワーク側絶縁体側に位置し、前記搬送方向に交差する方向に沿って前記第１部位よりも外側に広がる鍔状の第２部位と、を有し、前記搬送部が前記搬送方向に移動して前記ワーク側導電体が前記電源部側導電体に前記開口部の前記第１部位を通じて接触したときに、前記第２部位の前記ワーク側絶縁体側の面と前記ワーク側絶縁体とは離間し、かつ、前記第１部位内に前記処理室内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する、処理装置である。
また、本発明は、以下の形態として実現することも可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following embodiments.
A first embodiment of the present invention is a processing apparatus that performs film formation or etching on a conductive work using plasma, and includes a processing chamber in which the film formation or the etching is performed, and the work in the processing chamber. A transfer unit for transferring, the work-side conductor being electrically connected to a conductive holding unit that holds the work and extending in a transfer direction that is the transfer direction; and at least the transfer direction of the work-side conductor. A transfer unit having a work-side insulator covering the work-side conductor in a state where the end of the work-side conductor is exposed, a power supply unit-side conductor at least partially provided in the processing chamber, and power is applied, A power supply unit side insulator that covers the power supply unit side conductor in the processing chamber, and has an opening at a position where the power supply unit side conductor and the work side conductor in the processing chamber come into contact with each other; Department is in front A first cylindrical portion along the transport direction, and a flange-shaped portion located closer to the work side insulator than the first portion and extending outward from the first portion along a direction intersecting the transport direction. And a second part, wherein when the transfer unit moves in the transfer direction and the work-side conductor contacts the power supply unit-side conductor through the first part of the opening, the second part is connected to the second part. A processing apparatus, wherein a surface of the portion on the side of the work-side insulator and the work-side insulator are separated from each other, and are opposed to each other so that plasma in the processing chamber can be prevented from entering the first portion. .
Further, the present invention can be realized as the following modes.

本発明の一形態によれば、プラズマを用いて導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置が提供される。この処理装置は、前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と；前記処理室内に前記ワークを搬送する搬送部であって、前記ワークを保持する導電性の保持部に電気的に接続され前記搬送の方向である搬送方向に延びるワーク側導電体と、少なくとも前記ワーク側導電体の前記搬送方向の端部を露出させた状態で前記ワーク側導電体を覆うワーク側絶縁体とを有する搬送部と；前記処理室内に少なくとも一部が設けられ電力が印加される電源部側導電体と；前記処理室内において前記電源部側導電体を覆い、前記処理室内の前記電源部側導電体と前記ワーク側導電体とが接触する箇所に開口部を有する電源部側絶縁体と、を備え；前記開口部は、前記搬送方向に沿った筒状の第１部位と、前記第１部位よりも前記ワーク側絶縁体側に位置し、前記搬送方向に交差する方向に沿って前記第１部位よりも外側に広がる鍔状の第２部位と、を有し；前記搬送部が前記搬送方向に移動して前記ワーク側導電体が前記電源部側導電体に前記開口部の前記第１部位を通じて接触したときに、前記第２部位の前記ワーク側絶縁体側の面と前記ワーク側絶縁体とは、前記第１部位内に前記処理室内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する。このような処理装置であれば、電源部側絶縁体の第１部位内にプラズマが侵入することが抑制されるので、第１部位の搬送方向に交差する方向の幅を広く設計することができる。その結果、異常放電の発生を抑制しつつ、搬送部に搬送ズレが生じた場合であっても搬送部と電源部側絶縁体とが接触して損傷することを抑制することができる。 According to one embodiment of the present invention, a processing apparatus for performing film formation or etching on a conductive work using plasma is provided. A processing chamber in which the film formation or the etching is performed; and a transfer unit configured to transfer the work into the processing chamber, wherein the transfer unit is electrically connected to a conductive holding unit that holds the work. A transfer unit including a work-side conductor extending in a transfer direction that is a transfer direction, and a work-side insulator that covers the work-side conductor with at least an end of the work-side conductor in the transfer direction exposed. A power supply unit-side conductor at least partially provided in the processing chamber to which power is applied; the power supply unit-side conductor in the processing chamber covering the power supply unit-side conductor in the processing chamber, and the work A power-source-side insulator having an opening at a position where the side-conductor is in contact with the power-supply-portion-side insulator; the opening is a cylindrical first portion along the transport direction, and the work is larger than the first portion. Located on the side insulator side A flange-shaped second portion that extends outward from the first portion along a direction that intersects the transport direction. The transport portion moves in the transport direction and the work-side conductor is When contacting the power-supply-side conductor through the first portion of the opening, the surface of the second portion on the side of the work-side insulator and the work-side insulator are located within the first portion in the processing chamber. Are opposed to each other so as to suppress the intrusion of the plasma. With such a processing apparatus, it is possible to suppress the invasion of plasma into the first portion of the power supply unit side insulator, so that the width of the first portion in the direction intersecting the transport direction can be designed to be wide. . As a result, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed, and even if the conveyance section is displaced, the conveyance section and the power supply unit side insulator can be prevented from being damaged by contact.

本発明は、上述した処理装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理方法等の形態で実現することができる。 The present invention can be realized in various forms other than the above-described processing device. For example, the present invention can be realized in a mode such as a processing method of forming a film or etching on a conductive work.

本発明の一実施形態における処理装置の構成を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 処理装置の部分拡大断面図。FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the processing apparatus. ワーク側導電体と電源部側導電体とが接触した状態を示す部分拡大断面図。FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which a work-side conductor and a power supply-side conductor are in contact with each other.

Ａ．実施形態：
図１は、本発明の一実施形態における処理装置１００の構成を示す概略構成図である。図１には、互いに直交するＸＹＺ軸が図示されている。Ｘ方向の正方向を＋Ｘ方向、負方向を−Ｘ方向とし、Ｙ方向の正方向を＋Ｙ方向、負方向を−Ｙ方向とし、Ｚ方向の正方向を＋Ｚ方向、負方向を−Ｚ方向とする。本実施形態では、Ｙ方向は鉛直方向を示し、＋Ｙ方向は鉛直方向上方であり、−Ｙ方向は鉛直方向下方である。また、本実施形態では、Ｘ方向及びＺ方向は水平方向を示す。このことは、以降の図においても同様である。 A. Embodiment:
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 illustrates XYZ axes orthogonal to each other. The positive direction of the X direction is the + X direction, the negative direction is the -X direction, the positive direction of the Y direction is the + Y direction, the negative direction is the -Y direction, the positive direction of the Z direction is the + Z direction, and the negative direction is the -Z direction. I do. In the present embodiment, the Y direction indicates the vertical direction, the + Y direction is above the vertical direction, and the −Y direction is below the vertical direction. In the present embodiment, the X direction and the Z direction indicate a horizontal direction. This is the same in the following drawings.

処理装置１００は、プラズマを用いて導電性のワークＷに成膜又はエッチングを行う装置である。処理装置１００は、いわゆるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、ワークＷに薄膜を形成する。本実施形態では、ワークＷは、燃料電池のセパレータの基材として用いられる板状の金属板である。処理装置１００は、ワークＷの表面に、例えば導電性の炭素系薄膜を形成する。 The processing apparatus 100 is an apparatus that forms or etches a conductive work W using plasma. The processing apparatus 100 forms a thin film on the work W by a so-called plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. In the present embodiment, the work W is a plate-shaped metal plate used as a base material of a fuel cell separator. The processing apparatus 100 forms, for example, a conductive carbon-based thin film on the surface of the work W.

処理装置１００は、処理室１０と、電源部側導電体３０と、電源部側絶縁体４０と、搬送部８０と、を備える。本実施形態では、処理装置１００は、さらに、電源部２０と、ガス供給装置９１と、排気装置９２と、搬送装置７５と、制御部９０と、を備える。 The processing apparatus 100 includes a processing chamber 10, a power supply unit-side conductor 30, a power supply unit-side insulator 40, and a transfer unit 80. In the present embodiment, the processing apparatus 100 further includes a power supply unit 20, a gas supply device 91, an exhaust device 92, a transfer device 75, and a control unit 90.

処理室１０は、ワークＷを処理室１０内に搬入及び処理室１０内から搬出可能な開口部１５を有し下方に底を有する箱状の導電性の部材である。処理室１０では、ワークＷに成膜又はエッチングが行われる。処理室１０には、処理室１０内にガス供給装置９１からガスを供給するための供給口１１と、処理室１０内を排気装置９２によって排気するための排気口１２と、電源部側絶縁体４０が挿入される挿入口１３とを備える。本実施形態において、処理室１０は、アースに接続されている。 The processing chamber 10 is a box-shaped conductive member having an opening 15 through which the work W can be loaded into and out of the processing chamber 10 and having a bottom below. In the processing chamber 10, a film is formed or etched on the work W. The processing chamber 10 has a supply port 11 for supplying gas from the gas supply device 91 into the processing chamber 10, an exhaust port 12 for exhausting the processing chamber 10 from the processing chamber 10 with an exhaust device 92, and a power supply side insulator. And an insertion slot 13 into which the insertion slot 40 is inserted. In the present embodiment, the processing chamber 10 is connected to the ground.

搬送部８０は、保持部７１に電気的に接続されたワーク側導電体５０とワーク側絶縁体６０とを備える。搬送部８０は、処理室１０の＋Ｙ方向に位置しており、Ｙ方向に沿って移動可能である。搬送部８０は、成膜又はエッチング時にワークＷを−Ｙ方向に搬送して、処理室１０内にワークＷを搬送する。本実施形態では、−Ｙ方向を「搬送方向」とも呼ぶ。本実施形態では、搬送部８０は、さらに、絶縁体７７と、蓋７８と、シール部材７６と、を備える。 The transport unit 80 includes a work-side conductor 50 and a work-side insulator 60 that are electrically connected to the holding unit 71. The transport unit 80 is located in the + Y direction of the processing chamber 10 and is movable along the Y direction. The transport unit 80 transports the workpiece W in the −Y direction during film formation or etching, and transports the workpiece W into the processing chamber 10. In the present embodiment, the −Y direction is also referred to as a “transport direction”. In the present embodiment, the transport unit 80 further includes an insulator 77, a lid 78, and a seal member 76.

蓋７８は、−Ｙ方向に移動して処理室１０に接触したときに、処理室１０の開口部１５を覆うように形成された板状の導電性の部材である。蓋７８には、ワーク側絶縁体６０と接続された絶縁体７７が設けられている。また、蓋７８には、−Ｙ方向に移動したときに、処理室１０に接触して処理室１０内の気密を保つためのシール部材７６が−Ｙ方向側の面に設けられている。本実施形態では、シール部材７６は、オーリングを用いている。 The lid 78 is a plate-shaped conductive member formed so as to cover the opening 15 of the processing chamber 10 when it moves in the −Y direction and comes into contact with the processing chamber 10. An insulator 77 connected to the work-side insulator 60 is provided on the lid 78. The cover 78 is provided with a seal member 76 on the surface in the −Y direction for keeping the airtight inside the processing chamber 10 by contacting the processing chamber 10 when moving in the −Y direction. In this embodiment, the seal member 76 uses an O-ring.

保持部７１は、ワークＷを保持する導電性の部材である。本実施形態では、保持部７１の−Ｙ方向端部はフック形状を有しており、保持部７１は、このフック形状の部分をワークＷに設けられた孔に引っ掛けることによって、ワークＷを保持する。保持部７１は、ワーク側絶縁体６０内においてワーク側導電体５０と電気的に接続される。一方、保持部７１は、ワーク側絶縁体６０及び絶縁体７７によって蓋７８と絶縁されている。 The holding section 71 is a conductive member that holds the work W. In the present embodiment, the end in the −Y direction of the holding portion 71 has a hook shape, and the holding portion 71 holds the work W by hooking the hook-shaped portion into a hole provided in the work W. I do. The holding section 71 is electrically connected to the work-side conductor 50 in the work-side insulator 60. On the other hand, the holding portion 71 is insulated from the lid 78 by the work-side insulator 60 and the insulator 77.

搬送装置７５は、アクチュエータを備える装置である。本実施形態では、搬送部８０は、搬送装置７５と接続されており、制御部９０（後述）が搬送装置７５のアクチュエータを制御することによってＹ方向に沿って移動可能である。 The transfer device 75 is a device including an actuator. In the present embodiment, the transport unit 80 is connected to the transport device 75, and can be moved in the Y direction by the control unit 90 (described later) controlling the actuator of the transport device 75.

なお、本実施形態では、処理装置１００は、処理室１０の＋Ｙ方向に予備室２００を備える。予備室２００は、真空ポンプと、ヒータと、扉と、を備える。ワークＷは、扉から予備室２００に搬入されて保持部７１に保持される。予備室２００では、処理室１０で成膜又はエッチングが行われる前に、真空状態においてヒータによってワークＷが加熱されることで、ワークＷに付着した水分や有機物が除去される。本実施形態では、搬送部８０は、−Ｙ方向に移動したときにワークＷを予備室２００から処理室１０内へ搬送し、＋Ｙ方向に移動したときにワークＷを処理室１０から予備室２００へ搬送する。 In the present embodiment, the processing apparatus 100 includes a preliminary chamber 200 in the + Y direction of the processing chamber 10. The preliminary chamber 200 includes a vacuum pump, a heater, and a door. The work W is carried into the preliminary room 200 from the door, and is held by the holding unit 71. In the preliminary chamber 200, before the film formation or the etching is performed in the processing chamber 10, the work W is heated by the heater in a vacuum state, so that moisture and organic substances attached to the work W are removed. In the present embodiment, the transport unit 80 transports the workpiece W from the preliminary chamber 200 into the processing chamber 10 when moving in the −Y direction, and transports the workpiece W from the processing chamber 10 to the preliminary chamber 200 when moving in the + Y direction. Transport to

ガス供給装置９１は、供給口１１を介して、処理室１０内にキャリアガス及び原料ガスを供給する。本実施形態では、ガス供給装置９１は、キャリアガスとして例えば窒素（Ｎ_２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し、原料ガスとして例えばピリジン（Ｃ_５Ｈ_５Ｎ）ガスを供給する。また、ガス供給装置９１は、エッチングガスとしてアルゴンガスを供給することも可能である。 The gas supply device 91 supplies a carrier gas and a source gas into the processing chamber 10 through the supply port 11. In the present embodiment, the gas supply device 91 supplies, for example, a nitrogen (N ₂ ) gas or an argon (Ar) gas as a carrier gas, and supplies, for example, a pyridine (C ₅ H ₅ N) gas as a source gas. Further, the gas supply device 91 can supply an argon gas as an etching gas.

排気装置９２は、排気口１２を介して処理室１０内のガスを排気可能な装置である。排気装置９２は、例えば、ロータリポンプや拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等により構成される。排気装置９２は、成膜又はエッチングが行われる前に、排気口１２を介して処理室１０内を排気し真空化する。 The exhaust device 92 is a device that can exhaust gas in the processing chamber 10 through the exhaust port 12. The exhaust device 92 includes, for example, a rotary pump, a diffusion pump, a turbo molecular pump, and the like. The exhaust device 92 exhausts the inside of the processing chamber 10 via the exhaust port 12 to evacuate the vacuum chamber before film formation or etching is performed.

電源部２０は、処理室１０外に設けられた装置である。電源部２０は、電源部側導電体３０に電力を印加し、処理室１０内に供給された原料ガス等をプラズマ化する。本実施形態では、電源部２０は、成膜又はエッチング時に、電源部側導電体３０に−３ｋＶの電力を印加する。電源部側導電体３０に印加された電力は、電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介して、ワークＷに印加される。 The power supply unit 20 is a device provided outside the processing chamber 10. The power supply unit 20 applies electric power to the power supply unit-side conductor 30 to turn the raw material gas and the like supplied into the processing chamber 10 into plasma. In the present embodiment, the power supply unit 20 applies a power of −3 kV to the power supply unit-side conductor 30 during film formation or etching. The power applied to the power supply unit side conductor 30 is applied to the work W via the power supply unit side conductor 30, the work side conductor 50, and the holding unit 71.

制御部９０は、処理装置１００全体の動作を制御する。制御部９０は、ＣＰＵとメモリーとを含む。ＣＰＵは、メモリーに格納されたプログラムを実行することによって、処理装置１００の制御を行う。このプログラムは、各種記録媒体に記録されていてもよい。本実施形態では、制御部９０は、搬送装置７５を制御して搬送部８０を−Ｙ方向に移動させることによって処理室１０内に保持部７１、ワーク側導電体５０、ワーク側絶縁体６０及びワークＷを搬入させるとともに、蓋７８（シール部材７６）を処理室１０に接触させて処理室１０内の気密を保つ。また、制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内を排気させ、ガス供給装置９１を制御して処理室１０内に原料ガス等を供給させ、電源部２０を制御して電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介してワークＷに電力を印加させる。 The control unit 90 controls the operation of the entire processing device 100. Control unit 90 includes a CPU and a memory. The CPU controls the processing device 100 by executing a program stored in the memory. This program may be recorded on various recording media. In the present embodiment, the control unit 90 controls the transfer unit 75 to move the transfer unit 80 in the −Y direction, so that the holding unit 71, the work-side conductor 50, the work-side insulator 60, The work W is carried in, and the lid 78 (seal member 76) is brought into contact with the processing chamber 10 to keep the processing chamber 10 airtight. The control unit 90 controls the exhaust unit 92 to exhaust the inside of the processing chamber 10, controls the gas supply unit 91 to supply the source gas and the like into the processing chamber 10, and controls the power supply unit 20 to control the power supply. Electric power is applied to the work W via the unit-side conductor 30, the work-side conductor 50, and the holding unit 71.

以下、処理装置１００の部分拡大断面図を用いて、ワーク側導電体５０、ワーク側絶縁体６０、電源部側導電体３０及び電源部側絶縁体４０について、図２及び図３を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, the work-side conductor 50, the work-side insulator 60, the power-supply-side conductor 30, and the power-supply-side insulator 40 will be described in detail with reference to FIGS. Will be described.

図２は、処理装置１００の部分拡大断面図である。図３は、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とが接触した状態を示す部分拡大断面図である。図２及び図３では、図示を省略しているが、ワークＷは、電源部側絶縁体４０の−Ｘ方向に位置している。 FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the processing apparatus 100. FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which the work-side conductor 50 and the power supply unit-side conductor 30 are in contact with each other. Although not shown in FIGS. 2 and 3, the workpiece W is located in the −X direction of the power supply unit side insulator 40.

ワーク側導電体５０は、保持部７１（図１）に電気的に接続された導電性の部材である。ワーク側導電体５０の端部５１は−Ｙ方向を向く。本実施形態では、ワーク側導電体５０は、第１導電体５７と第１導電体５７の−Ｙ方向側の内部に配置された第２導電体５５とバネ５３とにより構成されている。第１導電体５７の−Ｙ方向側と第２導電体５５とは、Ｙ方向に沿って延びる略棒形状を有している。第１導電体５７の＋Ｙ方向側は、保持部７１から分岐して形成されておりワークＷと電気的に接続されている。第２導電体５５は、第１導電体５７と電気的に接続されている。バネ５３は導電性を有しており、第２導電体５５が電源部側導電体３０に接触したときの衝撃を吸収する。 The work-side conductor 50 is a conductive member that is electrically connected to the holding unit 71 (FIG. 1). The end 51 of the work-side conductor 50 faces in the −Y direction. In the present embodiment, the work-side conductor 50 includes a first conductor 57, a second conductor 55 disposed inside the first conductor 57 on the −Y direction side, and a spring 53. The −Y direction side of the first conductor 57 and the second conductor 55 have a substantially rod shape extending along the Y direction. The + Y direction side of the first conductor 57 is formed to branch off from the holding portion 71 and is electrically connected to the work W. The second conductor 55 is electrically connected to the first conductor 57. The spring 53 has conductivity, and absorbs an impact when the second conductor 55 contacts the power supply unit side conductor 30.

ワーク側絶縁体６０は、ワーク側導電体５０及び保持部７１（図１）を覆う部材である。ワーク側絶縁体６０からは、保持部７１のフック形状部分が露出している（図１）。本実施形態では、ワーク側絶縁体６０は、Ｙ方向に沿って延びる筒状の突出部６０ｂと、搬送方向に交差する方向に延びる基部６０ａと、を有する。基部６０ａは、突出部６０ｂに接続されており、ＸＺ平面に沿って広がる。基部６０ａはワーク側導電体５０の＋Ｙ方向側を覆う。突出部６０ｂは、ワーク側導電体５０の−Ｙ方向側を覆う。突出部６０ｂは、−Ｙ方向の端部において開口した開口部６１を備えている。開口部６１からは、ワーク側導電体５０の−Ｙ方向の端部５１が−Ｙ方向に露出している。 The work-side insulator 60 is a member that covers the work-side conductor 50 and the holding unit 71 (FIG. 1). The hook-shaped portion of the holding portion 71 is exposed from the work-side insulator 60 (FIG. 1). In the present embodiment, the work-side insulator 60 has a cylindrical protrusion 60b extending in the Y direction and a base 60a extending in a direction intersecting the transport direction. The base 60a is connected to the protrusion 60b and extends along the XZ plane. The base 60a covers the + Y direction side of the work-side conductor 50. The projecting portion 60b covers the −Y direction side of the work-side conductor 50. The protrusion 60b has an opening 61 that is open at the end in the -Y direction. From the opening 61, the end 51 in the -Y direction of the work-side conductor 50 is exposed in the -Y direction.

電源部側導電体３０は、処理室１０内に少なくとも一部が設けられ、電力が印加される導電性の部材である。電源部側導電体３０は、＋Ｙ方向の面である上面３１を有する。本実施形態では、電源部側導電体３０は、先端部３２と本体部３４とを有し、成膜又はエッチング時には、処理室１０外の電源部２０から本体部３４に電力が印加される。 The power supply unit-side conductor 30 is a conductive member provided at least in part in the processing chamber 10 and to which power is applied. The power supply unit side conductor 30 has an upper surface 31 which is a surface in the + Y direction. In the present embodiment, the power-supply-side conductor 30 has a distal end portion 32 and a main body 34, and power is applied to the main body 34 from the power supply 20 outside the processing chamber 10 during film formation or etching.

電源部側絶縁体４０は、処理室１０内において電源部側導電体３０を覆い、処理室１０内の電源部側導電体３０とワーク側導電体５０とが接触する箇所に開口部４１を有する絶縁体である。本実施形態では、開口部４１は、電源部側導電体３０の先端部３２の上面３１において開口する。本実施形態では、電源部側絶縁体４０は、開口部４１を備える第１絶縁体４３と、電源部側導電体３０の本体部３４を覆う第２絶縁体４４とが接続されて構成されている。第１絶縁体４３は、＋Ｙ方向の端部と＋Ｘ方向の端部とを備える筒状の絶縁体である。第２絶縁体４４は、Ｘ方向に沿って延びる筒状の絶縁体である。第１絶縁体４３の＋Ｙ方向の端部には開口部４１が設けられており、第１絶縁体４３の＋Ｘ方向の端部には、第２絶縁体４４の−Ｘ方向の端部が嵌め込まれる。開口部４１は、第１部位４３ｂと第２部位４３ａとを有する。第１部位４３ｂは、搬送方向に沿った筒状の部位である。第１部位４３ｂの搬送方向に交差する方向（Ｘ方向又はＺ方向）の幅は、搬送部８０にＸ方向又はＺ方向の搬送ズレが生じた場合に、ワーク側導電体５０の少なくとも一部が第１部位４３ｂの内側に位置してワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に接触可能なように設定されている。なお、第１部位４３ｂの幅とは、Ｘ方向及びＺ方向の寸法である。また、第１部位４３ｂの幅とは、開口部４１の開口の幅でもある。第２部位４３ａは、第１部位４３ｂよりもワーク側絶縁体６０の側（＋Ｙ方向側）に位置し、Ｘ方向及びＺ方向に沿って第１部位４３ｂよりも外側に広がる鍔状の部位である。本実施形態では、第２部位４３ａは、第１部位４３ｂに接続されている。第１絶縁体４３、第２絶縁体４４、ワーク側絶縁体６０及び絶縁体７７は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等のセラミックスで形成することができる。 The power-supply-side insulator 40 covers the power-supply-side conductor 30 in the processing chamber 10, and has an opening 41 at a position in the processing chamber 10 where the power-supply-side conductor 30 and the work-side conductor 50 come into contact with each other. It is an insulator. In the present embodiment, the opening 41 is opened on the upper surface 31 of the distal end portion 32 of the power supply unit side conductor 30. In the present embodiment, the power-source-side insulator 40 is configured by connecting a first insulator 43 having an opening 41 and a second insulator 44 that covers the main body 34 of the power-supply-side conductor 30. I have. The first insulator 43 is a cylindrical insulator having an end in the + Y direction and an end in the + X direction. The second insulator 44 is a cylindrical insulator extending along the X direction. An opening 41 is provided at an end of the first insulator 43 in the + Y direction, and an end of the second insulator 44 in the -X direction is fitted into an end of the first insulator 43 in the + X direction. It is. The opening 41 has a first portion 43b and a second portion 43a. The first portion 43b is a cylindrical portion along the transport direction. The width of the first portion 43b in the direction (X direction or Z direction) intersecting the transport direction is such that at least a part of the work-side conductor 50 is provided when the transport portion 80 is displaced in the X direction or Z direction. The work-side conductor 50 is set inside the first portion 43b so as to be able to contact the power supply-side conductor 30. Note that the width of the first portion 43b is a dimension in the X direction and the Z direction. Further, the width of the first portion 43b is also the width of the opening of the opening 41. The second portion 43a is a flange-shaped portion that is located closer to the work-side insulator 60 (+ Y direction side) than the first portion 43b and spreads outside the first portion 43b in the X and Z directions. is there. In the present embodiment, the second portion 43a is connected to the first portion 43b. The first insulator 43, the second insulator 44, the work-side insulator 60, and the insulator 77 can be formed of, for example, ceramics such as alumina (Al ₂ O ₃ ) and silicon dioxide (SiO ₂ ).

処理装置１００では、図３に示すように搬送部８０が−Ｙ方向に移動して、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触することで、電源部側導電体３０に印加される電力が５０及び保持部７１を介してワークＷに印加される。なお、本実施形態では、蓋７８（シール部材７６）が処理室１０に接触したときに、ワーク側導電体５０の端部５１が電源部側導電体３０の先端部３２の上面３１に接触するように、各部の寸法が設定されている。 In the processing apparatus 100, as illustrated in FIG. 3, the transport unit 80 moves in the −Y direction, and the work-side conductor 50 contacts the power-supply-side conductor 30 through the first portion 43 b of the opening 41. The power applied to the power supply unit side conductor 30 is applied to the work W via the holding unit 71 and the power 50. In the present embodiment, when the lid 78 (seal member 76) comes into contact with the processing chamber 10, the end 51 of the work-side conductor 50 comes into contact with the upper surface 31 of the tip 32 of the power supply-side conductor 30. Thus, the dimensions of each part are set.

図３に示すように、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触したときに、第２部位４３ａのワーク側絶縁体６０側の面とワーク側絶縁体６０とは第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する。具体的には、第２部位４３ａの＋Ｙ方向側の面と基部６０ａの−Ｙ方向側の面とは、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能な間隔（幅及び距離）で対向する。図３には、対向する第２部位４３ａと基部６０ａとの間のＹ方向に沿った幅Ｗ１及びＸ方向に沿った距離Ｌ１が示されている。幅Ｗ１及び距離Ｌ１で形成される間隔は、予め定められた間隔であり、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能な間隔である。また、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入可能な間隔よりも狭い間隔である。また、第２部位４３ａと基部６０ａとの間に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能な間隔である。幅Ｗ１は、例えば３．０ｍｍ以下であり、距離Ｌ１は、例えば１．０ｍｍ以上である。本実施形態では、幅Ｗ１は、１．５ｍｍ以下であり、距離Ｌ１は３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０が接触する箇所や、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０が接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制される。また、処理室１０内で発生した絶縁性の異物が、開口部４１内に落下した場合であっても、異物と電源部側導電体３０又は異物とワーク側導電体５０との接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制される。その結果、これらの箇所において異常放電が発生することが抑制される。本実施形態では、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０（第１導電体５７）との間には幅Ｗ２の隙間が設けられている。幅Ｗ２は、例えば３．０ｍｍ以下であり、本実施形態では０ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ２の隙間部分のＹ方向に沿った距離Ｌ２は、例えば１．０ｍｍ以上であり、本実施形態では３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、仮に幅Ｗ１の隙間部分にプラズマが侵入した場合であっても、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０（第１導電体５７）との接触する箇所にまでプラズマが侵入することが抑制されるので、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０とが接触する箇所において異常放電が発生することがより抑制される。さらに、本実施形態では、第１絶縁体４３及び第２絶縁体４４と電源部側導電体３０との間には幅Ｗ３の隙間が設けられている。幅Ｗ３は、例えば３．０ｍｍ以下であり、本実施形態では０ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ３の隙間部分のＸ方向に沿った距離Ｌ３は、例えば１．０ｍｍ以上であり、本実施形態では３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、仮に幅Ｗ１の隙間部分にプラズマが侵入した場合であっても、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０との接触する箇所にまでプラズマが侵入することが抑制されるので、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０とが接触する箇所において異常放電が発生することがより抑制される。なお、上記の値は一例であり、幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３と、距離Ｌ１、距離Ｌ２及び距離Ｌ３の値は、上述のプラズマの侵入が抑制可能な幅及び距離（寸法）に設定されていればよい。 As shown in FIG. 3, when the work-side conductor 50 contacts the power supply unit-side conductor 30 through the first portion 43b of the opening 41, the surface of the second portion 43a on the work-side insulator 60 side and the work-side conductor The insulator 60 faces the first portion 43b so that the plasma in the processing chamber 10 can be prevented from entering the first portion 43b. Specifically, an interval between the surface of the second portion 43a on the + Y direction side and the surface of the base portion 60a on the −Y direction side can suppress the plasma in the processing chamber 10 from entering the first portion 43b ( Width and distance). FIG. 3 shows a width W1 along the Y direction and a distance L1 along the X direction between the opposing second portion 43a and the base 60a. The interval formed by the width W1 and the distance L1 is a predetermined interval, and is an interval that can prevent the plasma in the processing chamber 10 from entering the first portion 43b. The interval is smaller than the interval at which plasma in the processing chamber 10 can enter the first portion 43b. Further, the interval is such that the plasma in the processing chamber 10 can be prevented from entering between the second portion 43a and the base 60a. The width W1 is, for example, 3.0 mm or less, and the distance L1 is, for example, 1.0 mm or more. In the present embodiment, the width W1 is 1.5 mm or less, and the distance L1 is 3.0 mm or more. By doing so, it is possible to suppress plasma from entering a place where the work-side insulator 60 contacts the work-side conductor 50 and a place where the power-supply-side conductor 30 contacts the power-supply-side insulator 40. You. Further, even when the insulating foreign matter generated in the processing chamber 10 falls into the opening 41, the insulating foreign matter may be located at a place where the foreign matter contacts the power supply unit side conductor 30 or the foreign matter and the work side conductor 50. Intrusion of plasma is suppressed. As a result, occurrence of abnormal discharge in these locations is suppressed. In the present embodiment, a gap having a width W2 is provided between the work-side insulator 60 and the work-side conductor 50 (first conductor 57). The width W2 is, for example, 3.0 mm or less, and is greater than 0 mm and 1.5 mm or less in the present embodiment. The distance L2 along the Y direction of the gap portion having the width W2 is, for example, 1.0 mm or more, and is 3.0 mm or more in the present embodiment. By doing so, even if the plasma enters the gap portion having the width W1, the plasma is extended to the position where the work-side insulator 60 contacts the work-side conductor 50 (the first conductor 57). Is suppressed, so that abnormal discharge is suppressed from being generated at a position where the work-side insulator 60 and the work-side conductor 50 are in contact with each other. Further, in the present embodiment, a gap having a width W3 is provided between the first insulator 43 and the second insulator 44 and the power supply unit side conductor 30. The width W3 is, for example, 3.0 mm or less, and is greater than 0 mm and 1.5 mm or less in the present embodiment. Further, a distance L3 along the X direction of the gap portion having the width W3 is, for example, 1.0 mm or more, and is 3.0 mm or more in the present embodiment. By doing so, even if the plasma invades into the gap portion having the width W1, the plasma can penetrate into the contact portion between the power supply unit side conductor 30 and the power supply unit side insulator 40. Since this is suppressed, the occurrence of abnormal discharge at the place where the power supply unit side conductor 30 and the power supply unit side insulator 40 are in contact is further suppressed. The above values are merely examples, and the values of the width W1, the width W2, and the width W3, and the values of the distance L1, the distance L2, and the distance L3 are set to the width and the distance (dimension) that can suppress the above-described plasma intrusion. It should just be.

以上で説明した処理装置１００では、搬送部８０の保持部７１にワークＷが保持されると、制御部９０は搬送装置７５を制御して搬送部８０を−Ｙ方向に移動させ、ワーク側導電体５０を電源部側導電体３０の上面３１に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触させるとともに、蓋７８（シール部材７６）を処理室１０に接触させる。次に、制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内を排気して真空化させ、ガス供給装置９１を制御して処理室１０内に原料ガス又はエッチングガスを供給させ、電源部２０を制御して電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介してワークＷに電力を印加させて成膜又はエッチングを行う。制御部９０は、ガス供給装置９１を制御して原料ガス等の供給を停止させ、電源部２０を制御して電力の印加を停止させて成膜又はエッチングを終了する。次に制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内の圧力を復圧させ、搬送装置７５を制御して搬送部８０を＋Ｙ方向に移動させワーク側導電体５０を上面３１から離間させてワーク側導電体及びワークＷを処理室１０外に搬送させる。以上のようにして、処理装置１００による成膜又はエッチングが行われる。 In the processing apparatus 100 described above, when the work W is held by the holding unit 71 of the transfer unit 80, the control unit 90 controls the transfer device 75 to move the transfer unit 80 in the −Y direction, and The body 50 is brought into contact with the upper surface 31 of the power supply unit side conductor 30 through the first portion 43 b of the opening 41, and the lid 78 (seal member 76) is brought into contact with the processing chamber 10. Next, the control unit 90 controls the exhaust device 92 to evacuate and evacuate the processing chamber 10, and controls the gas supply device 91 to supply the source gas or the etching gas into the processing chamber 10. The unit 20 is controlled to apply electric power to the work W via the power supply unit side conductor 30, the work side conductor 50, and the holding unit 71 to perform film formation or etching. The control unit 90 controls the gas supply device 91 to stop the supply of the raw material gas and the like, and controls the power supply unit 20 to stop the application of the electric power to terminate the film formation or the etching. Next, the control unit 90 controls the exhaust device 92 to restore the pressure in the processing chamber 10, controls the transfer device 75 to move the transfer unit 80 in the + Y direction, and moves the work-side conductor 50 from the upper surface 31. The work-side conductor and the work W are transported to the outside of the processing chamber 10 while being separated from each other. As described above, the film formation or the etching by the processing apparatus 100 is performed.

以上で説明した本実施形態の処理装置１００では、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触したときに、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能なように第２部位４３ａの＋Ｙ方向側の面とワーク側絶縁体６０とが対向する。そのため、第１部位４３ｂ内にプラズマが侵入することが抑制されるので、第１部位４３ｂの搬送方向に交差する方向の幅を広く設計することができる。その結果、異常放電の発生を抑制しつつ、搬送部８０に搬送ズレが生じた場合であっても搬送部８０と電源部側絶縁体４０とが接触して損傷することを抑制することができる。 In the processing apparatus 100 of the present embodiment described above, when the work-side conductor 50 comes into contact with the power supply unit-side conductor 30 through the first portion 43b of the opening 41, the processing chamber 10 is placed in the first portion 43b. The work-side insulator 60 faces the surface of the second portion 43a on the + Y direction side so as to suppress the intrusion of the plasma. Therefore, the intrusion of the plasma into the first portion 43b is suppressed, so that the width of the first portion 43b in the direction intersecting the transport direction can be designed to be wide. As a result, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge and to prevent the transport unit 80 and the power supply unit side insulator 40 from contacting and damaging even if a transport shift occurs in the transport unit 80. .

なお、搬送部８０が搬送方向に移動してワーク側絶縁体６０と電源部側絶縁体４０とが接触して損傷することを抑制するために、電源部側絶縁体４０をワーク側絶縁体６０よりも硬度の低い材料で形成することも考えられる。例えば、ワーク側絶縁体６０をアルミナにより形成し、電源部側絶縁体４０をＰＴＦＥにより形成することも考えられる。しかし、ＰＴＦＥは硬度が低いために分解温度が低く、電源部側絶縁体４０の開口部４１部分（第１絶縁体４３）をＰＴＦＥで形成した場合には、成膜又はエッチング処理が繰り返されると処理室１０内で発生するプラズマ及びワークＷからの輻射熱によって、電源部側絶縁体４０が変形するおそれがある。本実施形態の処理装置１００では、搬送部８０に搬送方向に交差する方向の搬送ズレが生じた場合であってもワーク側絶縁体６０と電源部側絶縁体４０とが接触して損傷することが抑制されるので、電源部側絶縁体４０を硬度が高く融点の高いアルミナ等の絶縁体により形成することができる。そのため、ワークＷからの輻射熱等によって電源部側絶縁体４０（第１絶縁体４３）が変形することを抑制することができる。 In order to prevent the transfer unit 80 from moving in the transfer direction and causing the work-side insulator 60 and the power-supply-side insulator 40 to contact and be damaged, the power-supply-side insulator 40 is moved to the work-side insulator 60. It is also conceivable to use a material having a lower hardness than the above. For example, it is conceivable that the work-side insulator 60 is formed of alumina and the power-source-side insulator 40 is formed of PTFE. However, PTFE has a low decomposition temperature due to low hardness, and when the opening 41 portion (first insulator 43) of the power supply side insulator 40 is formed of PTFE, the film formation or etching process is repeated. The plasma generated in the processing chamber 10 and the radiant heat from the work W may deform the power supply unit side insulator 40. In the processing apparatus 100 according to the present embodiment, even when the transfer unit 80 is displaced in a direction crossing the transfer direction, the work side insulator 60 and the power supply unit side insulator 40 may be damaged by contact. Therefore, the power supply unit side insulator 40 can be formed of an insulator such as alumina having a high hardness and a high melting point. Therefore, it is possible to prevent the power-source-side insulator 40 (the first insulator 43) from being deformed due to radiant heat from the work W or the like.

また、本実施形態の処理装置１００では、第１部位４３ｂの搬送方向に交差する方向の幅を広くすることができるので、搬送部８０と電源部側絶縁体４０とが接触することによってワーク側導電体５０と電源部側導電体３０との間に導通不良が発生することを抑制することができる。 Further, in the processing apparatus 100 according to the present embodiment, the width of the first portion 43b in the direction intersecting the transport direction can be increased, so that the transport unit 80 and the power supply unit side insulator 40 come into contact with each other so that Occurrence of a conduction failure between the conductor 50 and the power supply unit side conductor 30 can be suppressed.

Ｂ．変形例：
上述の実施形態において、第２部位４３ａは、Ｘ方向及びＺ方向に沿って第１部位４３ｂよりも外側に広がる。これに対し、第２部位４３ａは、少なくとも処理室１０内においてプラズマが発生する側に向けて広がっていればよい。例えば、第２部位４３ａは、図２及び図３においてワークＷが位置しプラズマが発生する側（−Ｘ方向）に向けて広がり＋Ｘ方向に広がっていなくてもよい。例えば、電源部側絶縁体４０は、図２及び図３における＋Ｘ方向に第２部位４３ａを有しない構成であってもよい。 B. Modification:
In the above-described embodiment, the second portion 43a extends outside the first portion 43b along the X direction and the Z direction. On the other hand, the second portion 43a only needs to extend at least toward the side where plasma is generated in the processing chamber 10. For example, the second portion 43a does not have to spread toward the side (−X direction) where the work W is located and the plasma is generated in FIGS. 2 and 3 and does not spread in the + X direction. For example, the power supply unit side insulator 40 may have a configuration that does not have the second portion 43a in the + X direction in FIGS.

上述の実施形態では、図３に示すように、第２部位４３ａと基部６０ａとは幅Ｗ１の隙間を空けて対向している。これに対し、第２部位４３ａと基部６０ａとは当接していてもよい。 In the above-described embodiment, as shown in FIG. 3, the second portion 43a and the base portion 60a face each other with a gap having a width W1. On the other hand, the second portion 43a may be in contact with the base 60a.

上述の実施形態において、ワーク側絶縁体６０は突出部６０ｂを備えており、突出部６０ｂの開口部６１からワーク側導電体５０を露出させている。これに対し、ワーク側絶縁体６０は突出部６０ｂを備えていなくともよく、基部６０ａからワーク側導電体５０を露出させてもよい。 In the above-described embodiment, the work-side insulator 60 includes the protrusion 60b, and the work-side conductor 50 is exposed from the opening 61 of the protrusion 60b. On the other hand, the work-side insulator 60 does not have to include the protrusion 60b, and the work-side conductor 50 may be exposed from the base 60a.

上述の実施形態において、Ｙ方向が鉛直方向であり、Ｘ方向及びＺ方向が水平方向である。これに対し、Ｘ方向が鉛直方向であってもよいし、Ｚ方向が鉛直方向であってもよい。すなわち、搬送部８０は、水平方向に沿って移動可能であってもよい。 In the above embodiment, the Y direction is the vertical direction, and the X direction and the Z direction are the horizontal directions. On the other hand, the X direction may be a vertical direction, and the Z direction may be a vertical direction. That is, the transport unit 80 may be movable in the horizontal direction.

上述の実施形態において、保持部７１の−Ｙ方向端部はフック形状を有している。これに対し、保持部７１の−Ｙ方向端部は、ワークＷを保持可能な形状であれば、他の形状であってもよく、例えば、クリップ形状であってもよい。 In the above-described embodiment, the end in the −Y direction of the holding unit 71 has a hook shape. On the other hand, the end in the −Y direction of the holding unit 71 may have another shape as long as it can hold the work W, and may have a clip shape, for example.

上述の実施形態において、電源部２０は、電源部側導電体３０に電力を印加しており、処理室１０はアースに接続されている。これに対し、電源部２０は、電源部側導電体３０及び処理室１０に電力を印加して処理室１０内にプラズマを発生させるための電場を生成してもよい。 In the above-described embodiment, the power supply unit 20 applies power to the power supply unit-side conductor 30, and the processing chamber 10 is connected to the ground. On the other hand, the power supply unit 20 may generate an electric field for generating plasma in the processing chamber 10 by applying power to the power supply unit-side conductor 30 and the processing chamber 10.

本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and modified examples, and can be implemented with various configurations without departing from the spirit thereof. For example, the technical features in the embodiments and modifications corresponding to the technical features in each embodiment described in the Summary of the Invention section may be used to solve some or all of the above-described problems, or In order to achieve some or all of the effects, replacements and combinations can be made as appropriate. Elements other than the elements described in the independent claims among the constituent elements in the above-described embodiment and each modified example are additional elements and can be omitted as appropriate.

１０…処理室
１１…供給口
１２…排気口
１３…挿入口
１５…開口部
２０…電源部
３０…電源部側導電体
３１…上面
３２…先端部
３４…本体部
４０…電源部側絶縁体
４１…開口部
４３…第１絶縁体
４３ａ…第２部位
４３ｂ…第１部位
４４…第２絶縁体
５０…ワーク側導電体
５１…端部
５３…バネ
５５…第２導電体
５７…第１導電体
６０…ワーク側絶縁体
６０ａ…基部
６０ｂ…突出部
６１…開口部
７１…保持部
７５…搬送装置
７６…シール部材
７７…絶縁体
７８…蓋
８０…搬送部
９０…制御部
９１…ガス供給装置
９２…排気装置
１００…処理装置
２００…予備室
Ｌ１…距離
Ｌ２…距離
Ｌ３…距離
Ｗ…ワーク
Ｗ１…幅
Ｗ２…幅
Ｗ３…幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Processing chamber 11 ... Supply port 12 ... Exhaust port 13 ... Insertion port 15 ... Opening 20 ... Power supply part 30 ... Power supply part side conductor 31 ... Top surface 32 ... Tip part 34 ... Body part 40 ... Power supply part side insulator 41 ... Opening part 43 ... First insulator 43a ... Second part 43b ... First part 44 ... Second insulator 50 ... Work side conductor 51 ... End 53 ... Spring 55 ... Second conductor 57 ... First conductor 60 Work-side insulator 60a Base 60b Projection 61 Opening 71 Holding part 75 Transfer device 76 Seal member 77 Insulator 78 Cover 80 Transfer part 90 Control part 91 Gas supply device 92 ... Exhaust device 100 ... Processing device 200 ... Preparatory room L1 ... Distance L2 ... Distance L3 ... Distance W ... Work W1 ... Width W2 ... Width W3 ... Width

Claims

プラズマを用いて導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置であって、
前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と、
前記処理室内に前記ワークを搬送する搬送部であって、前記ワークを保持する導電性の保持部に電気的に接続され前記搬送の方向である搬送方向に延びるワーク側導電体と、少なくとも前記ワーク側導電体の前記搬送方向の端部を露出させた状態で前記ワーク側導電体を覆うワーク側絶縁体とを有する搬送部と、
前記処理室内に少なくとも一部が設けられ電力が印加される電源部側導電体と、
前記処理室内において前記電源部側導電体を覆い、前記処理室内の前記電源部側導電体と前記ワーク側導電体とが接触する箇所に開口部を有する電源部側絶縁体と、を備え、
前記開口部は、前記搬送方向に沿った筒状の第１部位と、前記第１部位よりも前記ワーク側絶縁体側に位置し、前記搬送方向に交差する方向に沿って前記第１部位よりも外側に広がる鍔状の第２部位と、を有し、
前記搬送部が前記搬送方向に移動して前記ワーク側導電体が前記電源部側導電体に前記開口部の前記第１部位を通じて接触したときに、前記第２部位の前記ワーク側絶縁体側の面と前記ワーク側絶縁体とは離間し、かつ、前記第１部位内に前記処理室内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する、
処理装置。 A processing apparatus for performing film formation or etching on a conductive work using plasma,
A processing chamber in which the film formation or the etching is performed,
A transfer unit that transfers the work into the processing chamber, the work-side conductor being electrically connected to a conductive holding unit that holds the work, and extending in a transfer direction that is the transfer direction; and at least the work A transfer unit having a work-side insulator that covers the work-side conductor in a state where an end of the side conductor in the transfer direction is exposed,
A power supply unit side conductor at least partially provided in the processing chamber and power is applied,
A power-supply-unit-side insulator that covers the power-supply-unit-side conductor in the processing chamber, and has an opening at a position where the power-supply-unit-side conductor and the work-side conductor in the processing chamber come into contact with each other;
The opening is located at a position closer to the work-side insulator than the first portion and the first cylindrical portion along the transport direction. The opening is located closer to the work-side insulator than the first portion along a direction intersecting the transport direction. And a flange-shaped second portion extending outward,
When the transfer unit moves in the transfer direction and the work-side conductor contacts the power supply unit-side conductor through the first portion of the opening, a surface of the second portion on the work-side insulator side. And the work-side insulator are separated from each other, and are opposed to each other so that plasma in the processing chamber can be prevented from entering the first portion.
Processing equipment.