KR101872963B1 - Method of fabricating organic light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Device; OLED)의 제조방법은 가요성(flexible) 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 보조기판을 분리(delamination)함으로써 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE) 기술을 전면발광(top emission) 방식의 OLED에 적용하기 위한 것으로, 보조기판 위에 가요성 기판을 형성하는 단계; 상기 가요성 기판 위에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터가 형성된 보조기판 위에 점착층을 부착하는 단계; TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판 위에 박막 봉지층을 형성하여 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 단계; 상기 점착층이 부착된 가요성 기판을 상기 박막 봉지층이 형성된 TFT 기판과 대향하여 합착하는 단계; 상기 TFT 기판과 합착된 가요성 기판으로부터 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및 상기 보조기판이 분리된 가요성 기판 배면에 편광 필름을 부착하고, 상기 TFT 기판 배면에 백 필름(back film)을 부착하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting display (OLED) according to the present invention includes forming a color filter on an auxiliary substrate on which a flexible substrate is formed, adhering the color filter to the TFT substrate, forming a flexible substrate on an auxiliary substrate for applying a thin film encapsulation (TFE) technique to a top emission OLED by delamination; Forming a color filter on the flexible substrate; Attaching an adhesive layer on the auxiliary substrate on which the color filter is formed; Forming a thin film sealing layer on the TFT substrate on which the TFT array and the organic light emitting diode are formed to seal the organic light emitting diode; Bonding the flexible substrate with the adhesive layer to the TFT substrate on which the thin film encapsulation layer is formed; Separating the auxiliary substrate from the flexible substrate bonded to the TFT substrate; And attaching a polarizing film to the back surface of the flexible substrate from which the auxiliary substrate is separated, and attaching a back film to the back surface of the TFT substrate.

Description

유기발광 디스플레이 장치의 제조방법{METHOD OF FABRICATING ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of fabricating an organic light emitting display device,

본 발명은 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전면발광(top emission) 방식의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것입니다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device, and more particularly, to a method of manufacturing a top emission organic light emitting display device.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.In recent years, there has been a growing interest in information display and a demand for a portable information medium has increased, and a lightweight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 상기 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of such a flat panel display device, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes little power, has attracted the greatest attention, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, ratio and viewing angle. Therefore, a new display device capable of overcoming such drawbacks is actively developed.

새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광 디스플레이 장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.Since the organic light emitting display device, which is one of the new display devices, is self-emitting type, it has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device and does not require a backlight, . In addition, it has the advantage of being able to drive a DC low voltage and has a high response speed, and is particularly advantageous in terms of manufacturing cost.

이러한 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정에는 액정표시장치나 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel; PDP)과는 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 공정이 공정의 전부라고 할 수 있기 때문에 제조공정이 매우 단순하다. 또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 가지는 능동 매트릭스(active matrix)방식으로 유기발광 디스플레이 장치를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세 및 대형화가 가능한 장점을 가진다.Unlike a liquid crystal display device or a plasma display panel (PDP), the manufacturing process of the organic light emitting display device is very simple because the deposition and encapsulation processes are all processes. Further, if an organic light emitting display device is driven by an active matrix method including a thin film transistor (TFT) as a switching element for each pixel, even if a low current is applied, the same luminance is exhibited, And has advantages of being large and large.

이하, 상기 유기발광 디스플레이 장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the basic structure and operational characteristics of the organic light emitting display device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting display device.

일반적인 유기발광 디스플레이 장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)을 구비한다.A general organic light emitting display device includes an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode includes organic compound layers 30a, 30b, 30c, 30d and 30e formed between an anode 18, which is a pixel electrode, and a cathode 28, which is a common electrode.

이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.The hole injection layer 30a, the hole transport layer 30b, the emission layer 30c, the electron injection layer 30b, the electron injection layer 30c, and the electron injection layer 30c are formed on the organic compound layers 30a, 30b, 30c, An electron transport layer 30d, and an electron injection layer 30e.

상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to the anode 18 and the cathode 28, holes passing through the hole transport layer 30b and electrons passing through the electron transport layer 30d move to the light emitting layer 30c to form excitons, As a result, the light emitting layer 30c emits visible light.

유기발광 디스플레이 장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.An organic light emitting display device displays an image by arranging pixels having organic light emitting diodes of the above structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with a data voltage and a scan voltage.

이와 같은 상기 유기발광 디스플레이 장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 이 중 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting display device is divided into an active matrix method using a passive matrix or a switching element using a TFT. The active matrix method selectively turns on the TFT, which is an active element, to select a pixel and maintain the light emission of the pixel at a voltage held in a storage capacitor.

도 2는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도로써, 능동 매트릭스 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 일반적인 2T1C(2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함)의 화소에 대한 등가 회로도를 나타내고 있다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel in a general organic light emitting display device. In an organic light emitting display device of an active matrix type, an equivalent circuit diagram for a pixel of a general 2T1C (including two transistors and one capacitor) Respectively.

상기 도 2를 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기발광 디스플레이 장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL)과 게이트라인(GL), 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.2, the pixels of the active matrix type organic light emitting display device include organic light emitting diodes (OLED), data lines DL and gate lines GL intersecting with each other, a switching TFT SW, a driving TFT DR And a storage capacitor Cst.

이때, 상기 스위칭 TFT(SW)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT(SW)의 온-타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.At this time, the switching TFT SW is turned on in response to a scan pulse from the gate line GL, thereby conducting a current path between the source electrode and the drain electrode. The data voltage from the data line DL during the on-time period of the switching TFT SW is supplied to the gate electrode of the driving TFT DR and the storage capacitor Cst through the source electrode and the drain electrode of the switching TFT SW, .

이때, 상기 구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(VSS) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.At this time, the driving TFT DR controls a current flowing in the organic light emitting diode OLED according to a data voltage applied to its gate electrode. Then, the storage capacitor Cst stores the voltage between the data voltage and the low potential power supply voltage VSS, and keeps it constant for one frame period.

전술한 유기발광 디스플레이 장치는 전극 재료로 사용되는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO)가 산소에 의한 유기 화합물층 열화 및 유기 화합물층들 계면간의 반응에 의한 열화 등 내적 요인에 의해 열화(劣化)될 수 있으며, 외부의 수분과 산소 또는 자외선 등의 외적 요인에 의해 열화될 수 있다. 특히, 외부의 산소와 수분은 유기발광다이오드의 수명에 치명적인 영향을 미치므로 유기발광다이오드를 밀봉시키는 패키징(packaging) 기술이 매우 중요하다.Indium tin oxide (ITO) used as an electrode material may be deteriorated by internal factors such as deterioration of an organic compound layer due to oxygen and deterioration due to a reaction between interfaces of organic compound layers And may be deteriorated by external factors such as moisture and oxygen or ultraviolet rays. In particular, the external oxygen and moisture have a serious effect on the lifetime of the organic light emitting diode, so packaging technology sealing the organic light emitting diode is very important.

유기발광다이오드의 패키징 기술 중 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE) 기술이 공지되어 있다. 박막 봉지 기술은 TFT 기판의 표시영역에 형성된 유기발광다이오드들 위로 무기막과 유기막을 한층 이상 교대로 적층하여 표시영역을 박막 봉지층으로 덮는 기술이다.Thin film encapsulation (TFE) technology is well known among organic light emitting diode packaging techniques. The thin film encapsulation technology is a technique in which an inorganic film and an organic film are alternately stacked over the organic light emitting diodes formed in the display region of the TFT substrate and the display region is covered with the thin film encapsulation layer.

이러한 박막 봉지층을 구비한 유기발광 디스플레이 장치는 TFT 기판을 플렉서블 필름(flexible film)으로 형성하는 경우 쉽게 구부릴 수 있으며, 슬림화에 유리한 장점을 지닌다.The organic light emitting display device having such a thin film sealing layer can easily bend when a TFT substrate is formed of a flexible film and has an advantage of being slim.

한편, TFT 기판 쪽으로 빛이 방출되는 배면발광(bottom emission) 방식은 소자구조 및 신뢰성이 검증된 소자 구조이며, TFT 기판 반대쪽으로 빛이 방출되는 전면발광(top emission) 방식은 개구율 및 TFT 영역이 증가하는 장점이 있으나 투명한 봉지층이 필요하다.Meanwhile, the bottom emission method in which light is emitted toward the TFT substrate is a device structure that has been verified in terms of device structure and reliability. In the top emission method in which light is emitted to the opposite side of the TFT substrate, the aperture ratio and the TFT area increase But a transparent encapsulation layer is needed.

특히, 상기 전면발광 방식은 메탈 등의 불투명한 TFT 기판에도 적용할 수 있으며, TFT 구조와 관계없이 고개구율 확보가 가능하여 유기발광 디스플레이 장치의 수명 증가 및 소비전력 감소에 유리하다. 즉, 고개구율 확보가 가능한 전면발광 방식은 동일 휘도(밝기)에 대해 낮은 전류밀도, 효율 개선 및 낮은 구동전압으로 수명이 증가하는 동시에 소비전력의 소모가 감소하게 된다.Particularly, the top emission method can be applied to an opaque TFT substrate such as a metal, and it is possible to secure a high aperture ratio regardless of the TFT structure, which is advantageous in increasing the lifetime and reducing power consumption of the organic light emitting display device. That is, in the front emission type in which the high aperture ratio can be secured, the lifetime is increased due to low current density, efficiency improvement and low driving voltage for the same brightness (brightness), and consumption of power consumption is reduced.

다만, 상기 전면발광 방식은 상기 배면발광 방식과의 구조적 차이로 인해 전술한 패키징 기술 중 박막 봉지 기술을 적용하는데 한계가 있다. 즉, 일반적으로 상기 전면발광 방식은 상기 배면발광 방식과 달리 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하여야 하는데, 상기 박막 봉지층은 100℃ 이하의 온도에서 형성되기 때문에 250℃에서 증착되는 컬러필터에 의해 손상을 받을 수 있어 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하는 것은 실질적으로 어렵다.However, due to the difference in structure between the front emission type and the bottom emission type, there is a limitation in applying the thin film sealing technique among the above-described packaging techniques. In other words, in general, the top emission type is different from the bottom emission type in that a color filter is deposited on a thin film sealing layer. Since the thin sealing layer is formed at a temperature of 100 ° C or lower, It is practically difficult to deposit a color filter on the thin film sealing layer.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE) 기술을 적용하도록 한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device in which thin film encapsulation (TFE) technology is applied to an organic light emitting display device of a top emission type.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and the claims.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은 보조기판 위에 가요성 기판을 형성하는 단계; 상기 가요성 기판 위에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터가 형성된 보조기판 위에 점착층을 부착하는 단계; TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판 위에 박막 봉지층을 형성하여 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 단계; 상기 점착층이 부착된 가요성 기판을 상기 박막 봉지층이 형성된 TFT 기판과 대향하여 합착하는 단계; 상기 TFT 기판과 합착된 가요성 기판으로부터 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및 상기 보조기판이 분리된 가요성 기판 배면에 편광 필름을 부착하고, 상기 TFT 기판 배면에 백 필름(back film)을 부착하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, including: forming a flexible substrate on an auxiliary substrate; Forming a color filter on the flexible substrate; Attaching an adhesive layer on the auxiliary substrate on which the color filter is formed; Forming a thin film sealing layer on the TFT substrate on which the TFT array and the organic light emitting diode are formed to seal the organic light emitting diode; Bonding the flexible substrate with the adhesive layer to the TFT substrate on which the thin film encapsulation layer is formed; Separating the auxiliary substrate from the flexible substrate bonded to the TFT substrate; And attaching a polarizing film to the back surface of the flexible substrate from which the auxiliary substrate is separated, and attaching a back film to the back surface of the TFT substrate.

이때, 상기 가요성 기판은 투명 폴리이미드(polyimide)로 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the flexible substrate is formed of a transparent polyimide.

상기 보조기판 위에 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판을 형성하는 것을 특징으로 한다.Wherein the flexible substrate is formed after forming a sacrificial layer on the auxiliary substrate.

200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 가요성 기판으로부터 보조기판을 분리하는 것을 특징으로 한다.And irradiating a laser beam having a wavelength range of 200 nm to 1300 nm to separate the auxiliary substrate from the flexible substrate.

상기 점착층은 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물과 같은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제로 형성하는 것을 특징으로 한다.Wherein the adhesive layer is formed of a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more such as a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer.

상기 점착층 위에 상기 가요성 기판을 지지하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)로 이루어진 라이너(liner)를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 점착층과 라이너를 감싸도록 패널영역 가장자리에 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 부착하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.And forming a liner made of polyethylene terephthalate (PET) to support the flexible substrate on the adhesive layer. The method may further include attaching an ACF (Anisotropic Conductive Film) to the edge of the panel region so as to surround the adhesive layer and the liner.

이때, 상기 TFT 기판은 내열성 폴리이미드로 구성되어 유리기판 위에 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the TFT substrate is formed of a heat-resistant polyimide and is formed on a glass substrate.

이때, 상기 유리기판을 TFT 기판으로부터 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.At this time, the step of separating the glass substrate from the TFT substrate is further included.

이때, 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하는 것을 특징으로 한다.At this time, a laser beam having a wavelength range of 200 nm to 1300 nm is irradiated to separate the glass substrate from the TFT substrate.

상기 박막 봉지층은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 형성하거나 무기막의 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 한다.The thin film encapsulation layer is characterized in that the organic film and the inorganic film are formed by laminating one or more layers alternately or formed into a multilayer structure of an inorganic film.

상기 편광 필름은 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름으로 형성하는 것을 특징으로 한다.Wherein the polarizing film is formed of a circularly polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films.

상기 백 필름은 PET의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 형성하는 것을 특징으로 한다.The back film is formed of PET plastic or SUS metal.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은 가요성(flexible) 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 보조기판을 분리(delamination)함으로써 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, in the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, a color filter is formed on an auxiliary substrate on which a flexible substrate is formed, and after the color filter is attached to the TFT substrate, a delamination ), The thin film encapsulation technology can be applied to the organic light emitting display device of the top emission type.

도 1은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 다수의 패널영역이 모기판에 배치된 상태를 예를 들어 보여주는 평면도.
도 6은 본 발명의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 투명 폴리이미드의 구성 성분을 예를 들어 보여주는 구조식.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 순서도.
도 8a 내지 도 8h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 11a 내지 도 11g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting display device. Fig.
2 is an equivalent circuit diagram for one pixel in a general organic light emitting display device.
3 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing a state in which a plurality of panel regions are arranged on a mother substrate in the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention. FIG.
6 is a structural formula showing an example of a constituent component of a transparent polyimide in the organic light emitting display device of the present invention.
7 is a flowchart showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
8A to 8H are sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
9A to 9H are sectional views sequentially showing another method of manufacturing an organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view exemplarily showing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
11A to 11G are sectional views sequentially showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
12A to 12G are sectional views sequentially illustrating another method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 전면발광 방식으로 동작하는 유기발광 디스플레이 장치에 대한 하나의 화소의 구조를 개략적으로 나타내고 있다.FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, and schematically shows the structure of one pixel for an organic light emitting display device that operates in a top emission mode.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 다수의 패널영역이 모기판에 배치된 상태를 예를 들어 보여주는 평면도이다.FIG. 5 is a plan view illustrating a state in which a plurality of panel regions are disposed on a mother substrate in the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 투명 폴리이미드의 구성 성분을 예를 들어 보여주는 구조식이다.6 is a structural formula showing an example of the constituent components of the transparent polyimide in the organic light emitting display device of the present invention.

상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 휴대기기용 소형 디스플레이 패널에서 벗어나 중대형 디스플레이 시장에 대한 수요를 충족시켜 주기 위한 기술로 화이트 유기발광다이오드를 적용하게 되며, 이러한 화이트 유기발광다이오드는 적, 녹 및 청색을 구현하기 위해 컬러필터를 사용하게 된다. 다만, 본 발명이 상기 화이트 유기발광다이오드에 한정되는 것은 아니다.The organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention is applied to the white organic light emitting diode as a technique for meeting the demand for the middle / large display market, away from the small display panel for portable devices, Will use color filters to achieve red, green, and blue. However, the present invention is not limited to the white organic light emitting diode.

상기 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 대한 하나의 화소는 크게 유기발광다이오드(L)와 구동회로부로 이루어진다.As shown in FIG. 3 and FIG. 4, one pixel of the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention is largely composed of an organic light emitting diode L and a driving circuit.

상기 구동회로부는 적어도 2개의 TFT와 적어도 하나의 저장 커패시터를 포함한다. TFT는 기본적으로 스위칭 TFT(미도시)와 구동 TFT(T)를 포함한다.The driving circuit portion includes at least two TFTs and at least one storage capacitor. The TFT basically includes a switching TFT (not shown) and a driving TFT (T).

도시하지 않았지만, 상기 스위칭 TFT는 게이트라인과 데이터라인에 연결되고, 게이트라인에 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인에 입력되는 데이터 전압을 구동 TFT(T)로 전송한다. 저장 커패시터는 스위칭 TFT와 전원라인에 연결되며, 스위칭 TFT로부터 전송 받은 전압과 전원라인에 공급되는 전압의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.Although not shown, the switching TFT is connected to a gate line and a data line, and transmits a data voltage input to the data line to the driving TFT (T) in accordance with a switching voltage input to the gate line. The storage capacitor is connected to the switching TFT and the power supply line, and stores a voltage corresponding to a difference between a voltage received from the switching TFT and a voltage supplied to the power supply line.

구동 TFT(T)는 전원라인과 저장 커패시터에 연결되어 저장 커패시터에 저장된 전압과 문턱 전압의 차이의 제곱에 비례하는 출력 전류를 유기발광다이오드(L)로 공급하고, 유기발광다이오드(L)는 출력 전류에 의해 발광한다. 구동 TFT는 게이트전극(121)과 소오스전극(122) 및 드레인전극(123)에 연결될 수 있다.The driving TFT T is connected to the power supply line and the storage capacitor to supply an output current proportional to the square of the difference between the voltage stored in the storage capacitor and the threshold voltage to the organic light emitting diode L, And emits light by current. The driving TFT may be connected to the gate electrode 121, the source electrode 122, and the drain electrode 123.

그리고, 상기 유기발광다이오드(L)는 실제 발광이 이루어지는 발광층(126) 이외에 정공 또는 전자의 캐리어(carrier)를 발광층(126)까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다. 이 유기 화합물층들은 제 1 전극층(118)과 발광층(126) 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층과 상기 발광층(126)과 제 2 전극층(108) 사이에 위치하는 전자수송층 및 전자주입층을 포함한다.The organic light emitting diode L may further include a plurality of organic compound layers in order to efficiently transfer a carrier of holes or electrons to the light emitting layer 126 in addition to the light emitting layer 126 in which light is actually emitted. These organic compound layers include a hole injecting layer and a hole transporting layer positioned between the first electrode layer 118 and the light emitting layer 126 and an electron transporting layer and an electron injecting layer positioned between the light emitting layer 126 and the second electrode layer 108 do.

이러한 스위칭 TFT와 구동 TFT(T) 및 유기발광다이오드(L)는 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 TFT 기판(111) 위에 형성되거나, 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드(polyimide; PI) 재질의 TFT 기판(111) 위에 형성될 수 있다. 이때, 상기 TFT 기판(111)으로 내열성 폴리이미드 재질을 사용하는 경우 상기 TFT 기판(111) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)의 플라스틱이나 SUS(Steel Use Stainless)의 금속으로 이루어진 백 필름(back film)(119)이 부착될 수 있다.The switching TFT, the driving TFT T and the organic light emitting diode L may be formed on a transparent glass substrate 111 made of SiO 2 as a main component or a polyimide (PI) film for realizing a flexible display. And may be formed on the TFT substrate 111 made of a material. When a heat-resistant polyimide material is used as the TFT substrate 111, a PET film made of polyethylene terephthalate (PET) or a metal film made of SUS (Steel Use Stainless) back film 119 may be attached.

이때, 설명의 편의를 위해 상기 TFT와 유기발광다이오드(L)가 형성된 층을 유기 층(120)이라 지칭한다.Here, for convenience of explanation, the layer in which the TFT and the organic light emitting diode L are formed is referred to as an organic layer 120.

상기 TFT 기판(111) 위에는 게이트전극(121)이 형성되는데, 상기 게이트전극(121)은 TFT에 온/오프 신호를 인가하는 게이트라인과 연결되어 있다.A gate electrode 121 is formed on the TFT substrate 111. The gate electrode 121 is connected to a gate line for applying an on / off signal to the TFT.

이때, 상기 TFT 기판(111) 위에 불순물의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(미도시)을 형성할 수도 있다.At this time, a buffer layer (not shown) may be formed on the TFT substrate 111 in order to block the penetration of impurities.

상기 게이트전극(121)이 형성된 상기 TFT 기판(111) 위에는 게이트절연막(115a)이 개재된 상태에서 반도체층(124)이 형성된다. 이때, 상기 반도체층(124)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)과 같은 무기 반도체, 또는 유기 반도체, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer 124 is formed on the TFT substrate 111 on which the gate electrode 121 is formed with a gate insulating film 115a interposed therebetween. At this time, the semiconductor layer 124 may be formed of an inorganic semiconductor such as amorphous silicon or polycrystalline silicon, an organic semiconductor, an oxide semiconductor, or the like.

상기 반도체층(124) 위에는 에치 스타퍼(125)와 소오스전극(122) 및 드레인전극(123)이 형성된다. 이렇게 형성된 스위칭 TFT와 구동 TFT(T) 위에는 보호막(115b)이 형성되고, 상기 보호막(115b) 위에는 유기발광다이오드(L)가 구비된다.On the semiconductor layer 124, an etch stopper 125, a source electrode 122, and a drain electrode 123 are formed. A protective film 115b is formed on the switching TFT and the driving TFT T and an organic light emitting diode L is formed on the protective film 115b.

전술한 바와 같이 상기 유기발광다이오드(L)는 서로 대향된 제 1 전극층(118)과 제 2 전극층(108) 및 이 사이에 개재된 발광층(126)으로 이루어진다. 이때, 상기 유기발광다이오드(L)는 실제 발광이 이루어지는 발광층(126) 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층(126)까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode L includes a first electrode layer 118, a second electrode layer 108, and a light emitting layer 126 interposed therebetween, which are opposed to each other. The organic light emitting diode L may further include a plurality of organic compound layers to efficiently transport holes or electrons to the light emitting layer 126 in addition to the light emitting layer 126 in which light is actually emitted.

이때, 상기 제 1 전극층(118)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 형성된 반사막과 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등으로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극층(118)은 각 화소에 대응하는 형태로 패터닝(patterning)되어 형성될 수 있으며, 외부 단자와 연결되어 애노드(anode) 전극으로서 작용될 수 있다.The first electrode layer 118 may be formed of a reflective layer formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 , and the like. The first electrode layer 118 may be patterned to correspond to each pixel, and may be connected to an external terminal to serve as an anode electrode.

이와 같은 제 1 전극층(118) 위에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(pixel define layer)(115c)이 형성된다. 이때, 상기 화소 정의막(115c)에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 유기발광다이오드(L)의 발광층(126)을 포함하는 유기 화합물층이 형성된다. 물론, 본 발명의 제 1 실시예와 같이 백색광이 방출되는 화이트 유기발광 디스플레이 장치의 경우에는 상기 유기 화합물층이 반드시 개구부로 한정된 영역에만 형성될 필요는 없다.On the first electrode layer 118, a pixel defining layer 115c, which is an insulating material covering the first electrode layer 118, is formed. At this time, after a predetermined opening is formed in the pixel defining layer 115c, an organic compound layer including the light emitting layer 126 of the organic light emitting diode L is formed in a region defined by the opening. Of course, in the case of a white organic light emitting display device in which white light is emitted as in the first embodiment of the present invention, the organic compound layer is not necessarily formed only in the region defined by the openings.

상기 제 2 전극층(108)은 투과형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 등의 금속을 얇게 형성한 반 투과막일 수 있다. 물론, 이러한 금속 반 투과막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명막을 형성하여, 얇은 금속 반 투과막의 두께에서 기인하는 고저항의 문제를 보완할 수 있다. 상기 제 2 전극층(108)은 화상이 구현되는 표시영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있으며, 외부 단자와 연결되어 캐소드(cathode) 전극으로서 작용될 수 있다.The second electrode layer 108 may be a transmissive electrode. The second electrode layer 108 may be a semi-transparent film having a small work function such as Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, . Of course, a transparent film such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 is formed on the metal semi-transparent film to solve the problem of high resistance due to the thickness of the thin metal semi-transparent film. The second electrode layer 108 may be formed over the entire display region in which an image is formed, and may be connected to an external terminal to serve as a cathode electrode.

상기와 같은 제 1 전극층(118)과 제 2 전극층(108)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.The polarities of the first electrode layer 118 and the second electrode layer 108 may be opposite to each other.

이러한 유기발광다이오드(L) 위에는 박막 봉지층(130)으로 상기 유기발광다이오드(L)를 밀봉한다. 이때, 상기 박막 봉지층(130)은 유기막(130a, 130c)과 무기막(130b, 130d)을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.On the organic light emitting diode L, the organic light emitting diode L is sealed with a thin film encapsulation layer 130. At this time, the thin film encapsulation layer 130 may be formed by alternately laminating the organic layers 130a and 130c and the inorganic layers 130b and 130d in one or more layers. Alternatively, the thin layer encapsulation layer 130 may have a multilayer structure of an inorganic layer.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에서는 상기 박막 봉지층(130)으로 2층의 유기막(130a, 130c)과 2층의 무기막(130b, 130d)이 교번, 적층된 경우를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 상기 박막 봉지층(130)의 적층되는 막의 개수 및 순서는 다양한 변형이 가능함은 물론이다.In this case, in the first embodiment of the present invention, the two-layer organic films 130a and 130c and the two inorganic films 130b and 130d are alternately stacked as the thin film encapsulation layer 130 However, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that the number and order of the films stacked in the thin film encapsulation layer 130 can be variously modified.

상기 박막 봉지층(130)이 형성된 TFT 기판(111) 위에는 컬러필터(106)가 구비된 가요성 기판(101)이 점착층(adhesive layer)(141)을 통해 합착되어 있다.A flexible substrate 101 provided with a color filter 106 is bonded to the TFT substrate 111 on which the thin film encapsulation layer 130 is formed through an adhesive layer 141.

이때, 상기 점착층(141)과 박막 봉지층(130) 사이에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(101)을 지지하기 위한 라이너(liner)(142)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 점착층(141)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 상기 라이너(142)는 PET가 사용될 수 있다.A liner 142 may be further provided between the adhesive layer 141 and the thin film encapsulating layer 130 to support a flexible flexible substrate 101 during laser irradiation. As the adhesive layer 141, a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more may be used. For example, a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer may be used. Further, the liner 142 may be made of PET.

상기 도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 TFT 기판(111) 및 가요성 기판(101)은 대면적의 모기판(100)에 형성될 수 있다. 다시 말해서, 대면적의 모기판(100)에 다수의 패널영역(125)이 형성되고, 상기 패널영역(125) 각각에 구동소자인 TFT(T) 및 컬러필터(106)가 형성되게 된다.Referring to FIG. 5, the TFT substrate 111 and the flexible substrate 101 of the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention can be formed on the large-sized mother substrate 100. In other words, a plurality of panel regions 125 are formed in the large-sized mother substrate 100, and TFTs T and color filters 106, which are driving elements, are formed in each of the panel regions 125.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 터치 패널을 추가로 구비하는 경우, 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 상기 패널영역(125) 가장자리에 상기 점착층(141)과 라이너(142)를 감싸도록 ACF(Anisotropic Conductive Film)(143)를 부착할 수 있다. 상기 ACF는 미세 도전 입자를 접착수지(일반적으로 열경화성)에 혼합시켜 필름 상태로 만들고 한쪽 방향으로만 전기를 통하게 한 이방성 도전막이다. 상기 미세 도전 입자로는 Ni, C, 솔더 볼(solder ball)이 있다. 상기 솔더 볼은 부품의 부착을 자동적으로 하는 경우에 사용하는 직경 1mm 이하의 납 알갱이를 의미한다.In the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention, when the touch panel is additionally provided, the adhesive layer 141 and the liner (not shown) are formed on the edge of the panel region 125 for electrical connection with the touch panel. An ACF (Anisotropic Conductive Film) 143 may be attached so as to surround the first electrode 142. The ACF is an anisotropic conductive film in which fine conductive particles are mixed with an adhesive resin (generally, thermosetting) to form a film state and electricity is conducted in only one direction. The fine conductive particles include Ni, C, and solder balls. The solder ball means a lead particle having a diameter of 1 mm or less and used for automatically attaching parts.

또한, 상기 도 6을 참조하면, 상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드(colorless PI)(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 특성은 PI 분자구조 말단에 F가 붙어있다. F와 F간은 척력이 발생하여 분자구조가 서로 밀어내서 분자 밀집도가 넓어짐에 따라 컬러 발현이 안되게 된다.6, a transparent polyimide (product name: TPIS) may be used as the flexible substrate 101, and the characteristic is attached to the end of the PI molecule structure. F and F are repulsive and the molecular structure pushes each other out, and as the density of molecules becomes wider, the color expression becomes ineffective.

이와 같이 상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드를 사용함에 따라 기존 PI 대비 투명도가 향상되어 전면발광 방식이 가능하며, 유리기판 대신에 PI를 사용함에 따라 경량, 박형 및 플렉서블 한 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.As a result of using the transparent polyimide as the flexible substrate 101, the transparency is improved compared to the conventional PI, thereby enabling a front emission type. In addition, since PI is used instead of the glass substrate, a lightweight, thin, . ≪ / RTI >

그리고, 상기 컬러필터(106)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 상기 유기발광다이오드(L)의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드(L)의 발광층(126)으로부터 방출되는 백색광은 컬러필터(106)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.The color filter 106 includes a red color filter for passing the wavelength of the red region, a green color filter for passing the wavelength of the green region, and a blue color filter for passing the wavelength of the blue region. Each of the color filters is formed to correspond to the light emitting region of the organic light emitting diode L. Accordingly, the white light emitted from the light emitting layer 126 of the organic light emitting diode L can pass through the color filter 106 and realize a predetermined color.

상기 컬러필터(106)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.The color filter 106 can be patterned using a pigment dispersion method or a printing method.

상기 가요성 기판(101)의 배면에는 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(polarization film)(109)이 구비될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(109)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.A polarization film 109 may be provided on the back surface of the flexible substrate 101 to reduce reflection of external light of the organic light emitting display device to improve contrast. At this time, the polarizing film 109 may be a circular polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films.

한편, 전술한 바와 같이 배면발광 방식의 경우에는 TFT 기판 내에 COT(Color Filter on TFT) 방식으로 컬러필터가 형성되기 때문에 TFT 기판 위에 컬러필터를 증착할 수 있으나, 전면발광 방식의 경우에는 상기 배면발광 방식과의 구조적 차이로 인해 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하여야 하는데, 상기 박막 봉지층은 100℃ 이하의 온도에서 형성되기 때문에 250℃에서 증착되는 컬러필터에 의해 손상을 받을 수 있어 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하는 것은 실질적으로 어렵다.On the other hand, in the case of the bottom emission type as described above, since the color filter is formed in the TFT substrate by the COT (Color Filter on TFT) method, the color filter can be deposited on the TFT substrate. In the case of the front emission type, Due to the structural difference with the method, a color filter must be deposited on the thin film encapsulation layer. Since the thin encapsulation layer is formed at a temperature of 100 ° C or lower, it may be damaged by the color filter deposited at 250 ° C, It is practically difficult to deposit a color filter.

이에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 가요성 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 보조기판을 분리(delamination)함으로써 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용할 수 있게 된다.Accordingly, in the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention, a color filter is formed on an auxiliary substrate on which a flexible substrate is formed, and after the color filter is attached to the TFT substrate, the auxiliary substrate is delaminated by using a laser, Can be applied to the organic light emitting display device of the top emission type.

이와 같이 전면발광 방식이 가능함에 따라 기존에 비해 개구율이 60% 이상 향상되는 한편, 수명이 3~4배 증가하고 고해상도 및 투명 디스플레이에 적용 가능하게 된다.As such, since the front emission type can be realized, the aperture ratio is improved by 60% or more and the lifetime is increased by 3 to 4 times, so that it can be applied to high resolution and transparent displays.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

또한, 도 8a 내지 도 8h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.8A to 8H are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 8a에 도시된 바와 같이, 보조기판(102) 위에 가요성 기판(101)을 형성한다.The flexible substrate 101 is formed on the auxiliary substrate 102, as shown in Fig. 8A.

상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(102) 위에 슬릿코터(slit coater)나 스핀코터(spin coater) 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다(S110).A transparent polyimide (product name TPIS) may be used as the flexible substrate 101. To this end, a transparent polyimide is formed on a glass auxiliary substrate 102 by a slit coater or a spin coater (S110).

이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(101)을 형성한다(S120).Thereafter, the coated transparent polyimide is cured to form a flexible substrate 101 (S120).

이와 같이 상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드를 사용함에 따라 기존 PI 대비 투명도가 향상되어 전면발광 방식이 가능하며, 유리기판 대신에 PI를 사용함에 따라 경량, 박형 및 플렉서블 한 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.As a result of using the transparent polyimide as the flexible substrate 101, the transparency is improved compared to the conventional PI, thereby enabling a front emission type. In addition, since PI is used instead of the glass substrate, a lightweight, thin, . ≪ / RTI >

이때, 상기 보조기판(102) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(101)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화(hydrogenation)된 질화규소(SiNx:H)나 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트(photoresist), 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.The sacrificial layer may be formed of hydrogenated silicon nitride (SiNx: H) or hydrogenated amorphous silicon (SiNx) (a-Si: H), or may be formed by coating a photodegradable polymer material such as a photoresist, a urethane resin, an epoxy resin, and an acrylic resin.

다음으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(101) 위에 컬러필터(106)를 형성한다(S130).Next, as shown in FIG. 8B, a color filter 106 is formed on the flexible substrate 101 (S130).

상기 컬러필터(106)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 TFT 기판에 형성될 유기발광다이오드의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드의 발광층으로부터 방출되는 백색광은 상기 컬러필터(106)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.The color filter 106 includes a red color filter for passing the wavelength of the red region, a green color filter for passing the wavelength of the green region, and a blue color filter for passing the wavelength of the blue region. Each color filter as described above is formed to correspond to the light emitting region of the organic light emitting diode to be formed on the TFT substrate. Therefore, the white light emitted from the light emitting layer of the organic light emitting diode can pass through the color filter 106 and realize a predetermined color.

상기 컬러필터(106)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.The color filter 106 can be patterned using a pigment dispersion method or a printing method.

다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(106)가 형성된 보조기판(102) 위에 점착층(141)을 부착한다(S140). 상기 점착층(141)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8C, the adhesive layer 141 is attached on the auxiliary substrate 102 on which the color filter 106 is formed (S140). As the adhesive layer 141, a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more may be used. For example, a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer may be used.

이때, 상기 점착층(141) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(101)을 지지하기 위한 라이너(142)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(142)는 PET가 사용될 수 있다.At this time, a liner 142 may be further provided on the adhesive layer 141 to support a flexible flexible substrate 101 during laser irradiation, which will be described later. The liner 142 may be PET.

한편, 유기발광 디스플레이 장치에 터치 패널을 추가로 구비하는 경우, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 패널영역 가장자리에 상기 점착층(141)과 라이너(142)를 감싸도록 ACF(143)를 부착할 수 있다.8D, the adhesive layer 141 and the liner 142 are wrapped around the edge of the panel region in order to electrically connect the touch panel to the organic light emitting display device. It is possible to attach the ACF 143.

전술한 바와 같이 상기 ACF는 미세 도전 입자를 접착수지(일반적으로 열경화성)에 혼합시켜 필름 상태로 만들고 한쪽 방향으로만 전기를 통하게 한 이방성 도전막이다. 상기 미세 도전 입자로는 Ni, C, 솔더 볼이 있다. 상기 솔더 볼은 부품의 부착을 자동적으로 하는 경우에 사용하는 직경 1mm 이하의 납 알갱이를 의미한다.As described above, the ACF is an anisotropic conductive film in which fine conductive particles are mixed with an adhesive resin (generally, thermosetting) to form a film state and electricity is conducted in only one direction. The fine conductive particles include Ni, C, and solder balls. The solder ball means a lead particle having a diameter of 1 mm or less and used for automatically attaching parts.

이후, 도 8e에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(141)이 부착된 보조기판(102)을 TFT 기판(111)과 대향하여 합착 한다(S150, S160).8E, the auxiliary substrate 102 to which the adhesive layer 141 is attached is adhered to the TFT substrate 111 so as to face each other (S150, S160).

이때, 상기 TFT 기판(111)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(111)은 전술한 가요성 기판(101)과 동일한 방식으로 유리기판(112) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(112) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(111)을 형성할 수 있다.In this case, the TFT substrate 111 may be formed of a heat-resistant polyimide to realize a flexible display. In this case, the TFT substrate 111 may be a glass substrate 112 in the same manner as the above-described flexible substrate 101, As shown in FIG. At this time, the TFT substrate 111 may be formed after a predetermined sacrificial layer is formed on the glass substrate 112.

상기 TFT 기판(111) 위에는 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(120)을 구비하는데, 이하 도시하지 않았지만 상기 TFT 기판(111) 위에 TFT 어레이와 유기발광다이오드를 형성하는 과정을 상세히 설명한다.A process of forming the TFT array and the organic light emitting diode on the TFT substrate 111 will be described in detail below although the organic layer 120 having the TFT array and the organic light emitting diode is formed on the TFT substrate 111.

먼저, 상기 TFT 기판(111) 위에 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극을 형성한다.First, a sustain electrode including a gate line including a first gate electrode and a second gate electrode is formed on the TFT substrate 111.

이때, 상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극은 제 1 도전막을 상기 기판 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.At this time, the sustain electrode including the gate line including the first gate electrode and the second gate electrode is formed by selectively depositing a first conductive film on the entire surface of the substrate, and then patterning it through a photolithography process.

여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.Here, the first conductive film may be formed of an aluminum-based metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, a series metal such as silver or silver alloy, a copper-based metal such as copper (Cu) or a copper alloy, molybdenum A low resistance opaque conductive material such as molybdenum metal, chromium (Cr), tantalum (Ta), or titanium (Ti) may be used. However, they may have a multilayer structure including two conductive films having different physical properties. One of the conductive films may be made of a metal having a low resistivity, for example, an aluminum-based metal, a silver-based metal, a copper-based metal, or the like so as to reduce signal delay or voltage drop. Alternatively, the other conductive film may be made of a material having excellent physical, chemical and electrical contact properties with other materials, particularly ITO and IZO, such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like.

상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극의 측면은 TFT 기판(111) 면에 대하여 경사질 수 있으며, 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.The side surface of the sustain electrode including the gate electrode including the first gate electrode and the second gate electrode may be inclined with respect to the surface of the TFT substrate 111 and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 ° .

전술한 바와 같이 상기 게이트라인은 게이트 신호를 전달하며 가로 방향으로 뻗어 있다. 이때, 상기 게이트라인은 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함하며, 제 1 게이트전극은 상기 게이트라인으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동회로가 TFT 기판(111) 위에 집적되어 있는 경우 상기 게이트라인이 연장되어 게이트 구동회로와 직접 연결될 수 있다.As described above, the gate line transmits a gate signal and extends in the horizontal direction. At this time, the gate line includes an end portion having a large area for connection to another layer or an external driving circuit, and the first gate electrode extends upward from the gate line. When the gate driving circuit for generating the gate signal is integrated on the TFT substrate 111, the gate line can be extended and directly connected to the gate driving circuit.

상기 유지전극은 게이트라인과 분리되어 있으며, 세로 방향으로 길게 뻗다가 왼쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 뻗어 상기 제 2 게이트전극에 연결된다.The sustain electrode is separated from the gate line, extends in the longitudinal direction, turns to the left for a while, and extends upward to be connected to the second gate electrode.

이후, 상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극이 형성된 TFT 기판(111) 전면에 게이트절연막과 산화물 반도체로 이루어진 반도체 박막을 형성한다.Thereafter, a semiconductor thin film made of a gate insulating film and an oxide semiconductor is formed on the entire surface of the TFT substrate 111 on which the sustain electrode including the gate line including the first gate electrode and the second gate electrode is formed.

이때, 상기 게이트절연막으로 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2)와 같은 무기절연막 또는 하프늄(hafnium; Hf) 옥사이드, 알루미늄 옥사이드와 같은 고유전성 산화막을 사용할 수 있다.At this time, an inorganic insulating film such as silicon nitride (SiNx) or silicon dioxide (SiO 2 ) or a high dielectric oxide film such as hafnium (Hf) oxide or aluminum oxide may be used as the gate insulating film.

이후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 산화물 반도체를 선택적으로 제거함으로써 상기 제 1 게이트전극 및 제 2 게이트전극 상부에 상기 산화물 반도체로 이루어진 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층을 각각 형성한다. 다만, 본 발명은 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층을 구성하는 물질 및 그에 따른 박막 트랜지스터의 구조에 관계없이 적용 가능하다.Then, a first active layer and a second active layer made of the oxide semiconductor are formed on the first gate electrode and the second gate electrode, respectively, by selectively removing the oxide semiconductor through a photolithography process. However, the present invention is applicable irrespective of the structure of the material constituting the first active layer and the second active layer and accordingly the thin film transistor.

다음으로, 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층이 형성된 TFT 기판(111) 전면에 소정의 절연막을 형성한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 절연막을 선택적으로 제거함으로써 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층 상부에 각각 제 1 에치 스타퍼 및 제 2 에치 스타퍼를 형성한다.Next, a predetermined insulating film is formed on the entire surface of the TFT substrate 111 on which the first active layer and the second active layer are formed, and then the insulating film is selectively removed through a photolithography process, A first etch stopper and a second etch stopper are formed on the active layer, respectively.

이때, 상기 제 1 액티브층과 제 2 액티브층 및 상기 제 1 에치 스타퍼와 제 2 에치 스타퍼는 하프-톤 마스크 또는 회절마스크를 이용함으로써 한번의 포토리소그래피공정을 통해 동시에 형성할 수도 있다.At this time, the first active layer and the second active layer, and the first etch stopper and the second etch stopper may be simultaneously formed through a single photolithography process by using a half-tone mask or a diffraction mask.

다음으로, 상기 제 1 액티브층과 제 2 액티브층 및 상기 제 1 에치 스타퍼와 제 2 에치 스타퍼가 형성된 TFT 기판(111) 전면에 제 2 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극을 형성한다.Next, a second conductive layer is formed on the entire surface of the TFT substrate 111 on which the first active layer, the second active layer, the first etch stopper, and the second etch stopper are formed, and then the second conductive layer is formed through a photolithography process. A data line, a driving voltage line, a first source / drain electrode, and a second source / drain electrode are formed by selectively removing the film.

이때, 상기 제 2 도전막으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.Here, the second conductive layer may be formed of an aluminum-based metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, a series metal such as silver (Ag) or silver alloy, a copper-based metal such as copper (Cu) A low resistance opaque conductive material such as molybdenum metal, chromium (Cr), tantalum (Ta), or titanium (Ti) may be used. However, they may have a multilayer structure including two conductive films having different physical properties. One of the conductive films may be made of a metal having a low resistivity, for example, an aluminum-based metal, a silver-based metal, a copper-based metal, or the like so as to reduce signal delay or voltage drop. Alternatively, the other conductive film may be made of a material having excellent physical, chemical and electrical contact properties with other materials, particularly ITO and IZO, such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like.

상기 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극 또한 그 측면이 TFT 기판(111) 면에 대하여 약 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.It is preferable that the data line, the driving voltage line, the first source / drain electrode and the second source / drain electrode are also inclined at an angle of about 30 to 80 degrees with respect to the TFT substrate 111 surface.

상기 데이터라인은 데이터 신호를 전달하며 세로 방향으로 뻗어 상기 게이트라인과 교차한다. 이때, 상기 데이터라인은 제 1 게이트전극을 향하여 뻗은 제 1 소오스전극과 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동회로가 TFT 기판(111) 위에 집적되어 있는 경우, 상기 데이터라인이 연장되어 데이터 구동회로와 직접 연결될 수 있다.The data lines carry data signals and extend in the longitudinal direction to intersect the gate lines. At this time, the data line includes a first source electrode extending toward the first gate electrode and an end portion having a large area for connection to another layer or an external driving circuit. When the data driving circuit for generating the data signal is integrated on the TFT substrate 111, the data line can be extended and directly connected to the data driving circuit.

상기 구동 전압라인은 구동 전압을 전달하며 세로 방향으로 뻗어 상기 게이트라인과 교차한다. 이때, 상기 구동 전압라인은 제 2 게이트전극을 향하여 뻗은 제 2 소오스전극을 포함한다. 상기 구동 전압라인은 유지 전극과 중첩하며, 서로 연결될 수 있다.The driving voltage line transmits a driving voltage and extends in the longitudinal direction to cross the gate line. At this time, the driving voltage line includes a second source electrode extending toward the second gate electrode. The driving voltage lines overlap the sustain electrodes and can be connected to each other.

이때, 상기 제 1 소오스전극과 제 1 드레인전극은 상기 제 1 게이트전극을 중심으로 서로 마주보고, 상기 제 2 소오스전극과 제 2 드레인전극은 상기 제 2 게이트전극을 중심으로 서로 마주본다.At this time, the first source electrode and the first drain electrode face each other with respect to the first gate electrode, and the second source electrode and the second drain electrode face each other with respect to the second gate electrode.

다음으로, 이렇게 형성된 스위칭 TFT와 구동 TFT 위에는 보호막이 형성되고, 상기 보호막 위에는 유기발광다이오드가 구비된다.Next, a protective film is formed on the switching TFT and the driving TFT thus formed, and an organic light emitting diode is provided on the protective film.

전술한 바와 같이 상기 유기발광다이오드는 서로 대향된 제 1 전극층과 제 2 전극층 및 이 사이에 개재된 발광층으로 이루어진다. 이때, 상기 유기발광다이오드는 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층(126)까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode includes a first electrode layer and a second electrode layer opposed to each other and a light emitting layer interposed therebetween. Here, the organic light emitting diode may further include a plurality of organic compound layers in order to efficiently transfer carriers of holes or electrons to the light emitting layer 126, in addition to the light emitting layer that actually emits light.

이때, 상기 제 1 전극층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 형성된 반사막과 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등으로 형성된 투명막을 포함할 수 있다.The first electrode layer may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function and a reflective layer formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, And a transparent film formed thereon.

이와 같은 제 1 전극층 위에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막이 형성된다. 이때, 상기 화소 정의막에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 유기발광다이오드의 발광층을 포함하는 유기 화합물층이 형성된다. 물론, 본 발명의 제 1 실시예와 같이 백색광이 방출되는 화이트 유기발광 디스플레이 장치의 경우에는 상기 유기 화합물층이 반드시 개구부로 한정된 영역에만 형성될 필요는 없다.On the first electrode layer, a pixel defining layer, which is an insulating material covering the first electrode layer, is formed. At this time, a predetermined opening is formed in the pixel defining layer, and an organic compound layer including the light emitting layer of the organic light emitting diode is formed in the region defined by the opening. Of course, in the case of a white organic light emitting display device in which white light is emitted as in the first embodiment of the present invention, the organic compound layer is not necessarily formed only in the region defined by the openings.

상기 제 2 전극층은 투과형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 등의 금속을 얇게 형성한 반 투과막일 수 있다. 물론, 이러한 금속 반 투과막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명막을 형성하여, 얇은 금속 반 투과막의 두께에서 기인하는 고저항의 문제를 보완할 수 있다.The second electrode layer may be a transmissive electrode. The second electrode layer may be a semi-transmissive film formed of a thin metal such as Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg or Ag. Of course, a transparent film such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 is formed on the metal semi-transparent film to solve the problem of high resistance due to the thickness of the thin metal semi-transparent film.

이렇게 구성된 유기발광다이오드 위에는 박막 봉지층(130)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(130)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.A thin sealing layer 130 is formed on the organic light emitting diode thus configured to seal the organic light emitting diode. At this time, the thin film encapsulation layer 130 may be formed by laminating the organic layer and the inorganic layer more than one layer alternately, and as another example, the thin film encapsulation layer 130 may have a multilayer structure of an inorganic layer.

이후, 도 8f 및 도 8g에 도시된 바와 같이, 보조기판(102)과 유리기판(112)을 각각 가요성 기판(101)과 TFT 기판(111)으로부터 분리하게 된다(S170).Subsequently, the auxiliary substrate 102 and the glass substrate 112 are separated from the flexible substrate 101 and the TFT substrate 111, respectively, as shown in FIGS. 8F and 8G (S170).

이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(102)과 유리기판(112)을 분리할 수 있다.The auxiliary substrate 102 and the glass substrate 112 may be separated from each other by using a laser having a wavelength of 200 nm to 1300 nm, for example, laser irradiation or chemical dissolution depending on the material used for the sacrificial layer. have.

일 예로, 보조기판(102)과 유리기판(112) 측에서 파장이 308nm인 엑시머 계열의 레이저를 조사하여 보조기판(102)과 유리기판(112)을 분리함으로써 가요성 디스플레이를 얻을 수 있다.For example, a flexible display can be obtained by irradiating an excimer laser beam having a wavelength of 308 nm on the auxiliary substrate 102 and the glass substrate 112 side to separate the auxiliary substrate 102 and the glass substrate 112.

이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(102)과 유리기판(112)이 분해될 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 기판(101, 111)들 사이의 접착력이 약해져 보조기판(102)과 유리기판(112)이 각각 가요성 기판(101)과 TFT 기판(111)으로부터 분리된다.When the sacrificial layer is made of a photodegradable polymer material, the covalent bond of the photodegradable polymer material is broken or carbonized according to the intensity and irradiation time of the laser, that is, the total energy applied to the sacrificial layer by the laser, The glass substrate 112 can be disassembled. When the sacrificial layer is made of hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, when the laser is irradiated on the surface of the sacrificial layer, the hydrogen contained in the hydrogenated silicon nitride or the hydrogenated amorphous silicon is released, The auxiliary substrate 102 and the glass substrate 112 are separated from the flexible substrate 101 and the TFT substrate 111, respectively.

다음으로, 도 8h에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(101)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(109)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(109)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8H, a polarizing film 109 may be attached to the back surface of the flexible substrate 101 on which the auxiliary substrate is separated, in order to reduce reflection of external light of the organic light emitting display device to improve contrast . At this time, the polarizing film 109 may be a circular polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films.

또한, 유리기판이 분리된 상기 TFT 기판(111) 배면에 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(119)이 부착될 수 있다.Further, a back film 119 made of plastic of polyethylene terephthalate or metal of SUS may be attached to the back surface of the TFT substrate 111 from which the glass substrate is separated.

한편, 상기 도 8a 내지 도 8h에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용하기 위해 가요성 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 상기 가요성 기판과 TFT 기판으로부터 보조기판과 유리기판을 분리하게 되는데, 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하고 나서 가요성 기판과 TFT 기판을 합착한 후에 보조기판을 분리할 수 있으며, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.8A to 8H, in order to apply the thin film encapsulation technique to the organic light emitting display device of the top emission type, the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention has a color After the filter is formed and attached to the TFT substrate, the auxiliary substrate and the glass substrate are separated from the flexible substrate and the TFT substrate using a laser, but the present invention is not limited thereto. The present invention can separate the glass substrate from the TFT substrate and then separate the auxiliary substrate after the flexible substrate and the TFT substrate are bonded together and will be described in detail with reference to the drawings.

도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.9A to 9H are cross-sectional views sequentially illustrating another method of manufacturing an organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention.

도 9a에 도시된 바와 같이, 보조기판(202) 위에 가요성 기판(201)을 형성한다.The flexible substrate 201 is formed on the auxiliary substrate 202, as shown in Fig.

상기 가요성 기판(201)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(202) 위에 슬릿코터나 스핀코터 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다.A transparent polyimide (product name TPIS) may be used as the flexible substrate 201. To this end, a slit coater or a transparent polyimide is coated on an auxiliary substrate 202 made of glass by a spin coating method.

이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(201)을 형성한다.Thereafter, the coated transparent polyimide is cured to form a flexible substrate 201.

이때, 상기 보조기판(202) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(201)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화된 질화규소나 수소화된 비정질 실리콘을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.At this time, the flexible substrate 201 may be formed after forming a predetermined sacrificial layer on the auxiliary substrate 202. The sacrificial layer may be formed by depositing hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, A photoresist, a urethane-based resin, an epoxy-based resin, and an acrylic-based resin.

다음으로, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(201) 위에 컬러필터(206)를 형성한다.Next, as shown in Fig. 9B, a color filter 206 is formed on the flexible substrate 201. Then, as shown in Fig.

상기 컬러필터(206)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 TFT 기판에 형성될 유기발광다이오드의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드의 발광층으로부터 방출되는 백색광은 상기 컬러필터(206)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.The color filter 206 includes a red color filter for passing the wavelength of the red region, a green color filter for passing the wavelength of the green region, and a blue color filter for passing the wavelength of the blue region. Each color filter as described above is formed to correspond to the light emitting region of the organic light emitting diode to be formed on the TFT substrate. Therefore, the white light emitted from the light emitting layer of the organic light emitting diode can pass through the color filter 206 to realize a predetermined color.

상기 컬러필터(206)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.The color filter 206 may be patterned using a pigment dispersion method or a printing method.

다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(206)가 형성된 보조기판(202) 위에 점착층(241)을 부착한다. 상기 점착층(241)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.Next, as shown in Fig. 9C, an adhesive layer 241 is attached on the auxiliary substrate 202 on which the color filter 206 is formed. As the adhesive layer 241, a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more may be used. For example, a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer may be used.

이때, 상기 점착층(241) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(201)을 지지하기 위한 라이너(242)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(242)는 PET가 사용될 수 있다.At this time, a liner 242 may be further provided on the adhesive layer 241 to support a flexible flexible substrate 201 during laser irradiation, which will be described later. The liner 242 may be PET.

전술한 바와 같이, 유기발광 디스플레이 장치에 터치 패널을 추가로 구비하는 경우, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 패널영역 가장자리에 상기 점착층(241)과 라이너(242)를 감싸도록 ACF(243)를 부착할 수 있다.9D, the adhesive layer 241 and the liner 242 are provided on the edge of the panel region for electrical connection with the touch panel, as described above, The ACF 243 can be attached.

다음으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 전술한 바와 같은 방식으로 TFT 기판(211) 위에 TFT 어레이와 유기발광다이오드를 형성한다.Next, as shown in FIG. 9E, a TFT array and an organic light emitting diode are formed on the TFT substrate 211 in the manner described above.

이때, 상기 TFT 기판(211)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(211)은 전술한 가요성 기판(201)과 동일한 방식으로 유리기판(212) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(212) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(211)을 형성할 수 있다.In this case, the TFT substrate 211 may be formed of a heat-resistant polyimide to realize a flexible display. In this case, the TFT substrate 211 may be formed of a glass substrate 212 in the same manner as the above-described flexible substrate 201, As shown in FIG. At this time, the TFT substrate 211 may be formed after a predetermined sacrificial layer is formed on the glass substrate 212.

그리고, 상기 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(220) 위에는 박막 봉지층(230)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(230)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.A thin film sealing layer 230 is formed on the organic layer 220 on which the TFT array and the organic light emitting diode are formed to seal the organic light emitting diode. At this time, the thin film encapsulation layer 230 may be formed by alternately laminating the organic film and the inorganic film in one or more layers. Alternatively, the thin film encapsulation layer 230 may have a multilayer structure of an inorganic film.

이후, 상기 유리기판(212)을 TFT 기판(211)으로부터 분리하게 된다.Thereafter, the glass substrate 212 is separated from the TFT substrate 211.

이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 유리기판(212)을 분리할 수 있다.At this time, laser irradiation or chemical dissolution may be used depending on the material used for the sacrificial layer. For example, the glass substrate 212 may be separated using a laser having a wavelength of 200 nm to 1300 nm.

다음으로, 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(241)이 부착된 보조기판(202)을 유리기판이 분리된 TFT 기판(211)과 대향하여 합착 한다.Next, as shown in FIG. 9F, the auxiliary substrate 202 to which the adhesive layer 241 is attached is adhered to the TFT substrate 211 on which the glass substrate has been separated so as to face each other.

이후, 도 9g에 도시된 바와 같이, 상기 보조기판(202)을 가요성 기판(201)으로부터 분리하게 된다.Then, as shown in FIG. 9G, the auxiliary substrate 202 is separated from the flexible substrate 201.

이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(202)을 분리할 수 있다.At this time, laser irradiation or chemical dissolution may be used depending on the material used for the sacrificial layer. For example, the auxiliary substrate 202 may be separated using a laser having a wavelength of 200 nm to 1300 nm.

이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(202)을 분리할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 가요성 기판(201) 사이의 접착력이 약해져 보조기판(202)이 상기 가요성 기판(201)으로부터 분리된다.In this case, when the sacrificial layer is made of a photodegradable polymer material, the covalent bond of the photodegradable polymer material is broken or carbonized according to the intensity and irradiation time of the laser, that is, the total energy applied to the sacrificial layer by the laser, Can be separated. In the case where the sacrificial layer is made of hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, when the laser is irradiated on the surface of the sacrificial layer, hydrogen contained in the hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon is released and the sacrificial layer and the flexible substrate 201 The auxiliary board 202 is separated from the flexible board 201. In this case,

다음으로, 도 9h에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(201)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(209)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(209)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 9H, a polarizing film 209 may be attached to the back surface of the flexible substrate 201 on which the auxiliary substrate is separated, in order to reduce reflection of external light of the organic light emitting display device to improve contrast . At this time, the polarizing film 209 may be a circular polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films.

또한, 상기 TFT 기판(211) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(219)이 부착될 수 있다.A back film 219 made of polyethylene terephthalate plastic or SUS metal may be attached to the back surface of the TFT substrate 211.

한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 터치 패널을 추가로 구비함에 따라 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 패널영역 가장자리에 점착층과 라이너를 감싸도록 ACF를 부착하게 되는데, 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 ACF가 부착되지 않은 경우에도 적용 가능하며, 이를 다음의 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 통해 상세히 설명한다.The organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention may further include a touch panel to attach an ACF to surround the adhesive layer and the liner at the edge of the panel region for electrical connection with the touch panel However, the present invention is not limited thereto. The present invention is also applicable to the case where the ACF is not attached, and this will be described in detail through the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 대한 하나의 화소는 크게 유기발광다이오드와 구동회로부로 이루어진다.As in the first embodiment of the present invention, one pixel of the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode and a driving circuit.

상기 구동회로부는 적어도 2개의 TFT와 적어도 하나의 저장 커패시터를 포함한다. TFT는 기본적으로 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함한다.The driving circuit portion includes at least two TFTs and at least one storage capacitor. The TFT basically includes a switching TFT and a driving TFT.

이때, 상기 스위칭 TFT는 게이트라인과 데이터라인에 연결되고, 게이트라인에 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인에 입력되는 데이터 전압을 구동 TFT로 전송한다. 저장 커패시터는 스위칭 TFT와 전원라인에 연결되며, 스위칭 TFT로부터 전송 받은 전압과 전원라인에 공급되는 전압의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.At this time, the switching TFT is connected to the gate line and the data line, and transmits the data voltage inputted to the data line to the driving TFT according to the switching voltage inputted to the gate line. The storage capacitor is connected to the switching TFT and the power supply line, and stores a voltage corresponding to a difference between a voltage received from the switching TFT and a voltage supplied to the power supply line.

상기 구동 TFT는 전원라인과 저장 커패시터에 연결되어 저장 커패시터에 저장된 전압과 문턱 전압의 차이의 제곱에 비례하는 출력 전류를 유기발광다이오드로 공급하고, 유기발광다이오드는 출력 전류에 의해 발광한다. 구동 TFT는 게이트전극과 소오스전극 및 드레인전극에 연결될 수 있다.The driving TFT is connected to a power supply line and a storage capacitor, and supplies an output current proportional to a square of a difference between a voltage stored in the storage capacitor and a threshold voltage to the organic light emitting diode, and the organic light emitting diode emits light by an output current. The driving TFT may be connected to the gate electrode and the source electrode and the drain electrode.

그리고, 상기 유기발광다이오드는 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다. 이 유기 화합물층들은 제 1 전극층과 발광층 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층과 상기 발광층과 제 2 전극층 사이에 위치하는 전자수송층 및 전자주입층을 포함한다.The organic light emitting diode may further include a plurality of organic compound layers in order to efficiently transfer holes or electrons to the light emitting layer in addition to the light emitting layer in which light is actually emitted. The organic compound layers include a hole injecting layer and a hole transporting layer disposed between the first electrode layer and the light emitting layer, and an electron transporting layer and an electron injecting layer disposed between the light emitting layer and the second electrode layer.

이러한 스위칭 TFT와 구동 TFT 및 유기발광다이오드는 도면에 도시된 바와 같이, 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드 재질의 TFT 기판(311) 위에 형성될 수 있다. 이때, 상기 TFT 기판(311)으로 내열성 폴리이미드 재질을 사용하는 경우 상기 TFT 기판(311) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(319)이 부착될 수 있다.Such a switching TFT, a driving TFT, and an organic light emitting diode may be formed on a TFT substrate 311 made of a heat resistant polyimide material to realize a flexible display, as shown in the figure. At this time, when the heat-resistant polyimide material is used as the TFT substrate 311, a back film 319 made of polyethylene terephthalate plastic or SUS metal may be attached to the back surface of the TFT substrate 311.

상기 스위칭 TFT와 구동 TFT 및 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(320) 위에는 박막 봉지층(330)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(330)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.A thin film sealing layer 330 is formed on the organic layer 320 on which the switching TFT, the driving TFT, and the organic light emitting diode are formed to seal the organic light emitting diode. At this time, the thin film encapsulation layer 330 may be formed by laminating the organic film and the inorganic film one more layer alternately, and as another example, the thin film encapsulation layer 330 may have a multilayer structure of an inorganic film.

상기 박막 봉지층(330)이 형성된 TFT 기판(311) 위에는 컬러필터(306)가 구비된 가요성 기판(301)이 점착층(341)을 통해 합착되어 있다.A flexible substrate 301 provided with a color filter 306 is bonded to the TFT substrate 311 on which the thin film encapsulation layer 330 is formed through an adhesive layer 341. [

이때, 상기 점착층(341)과 박막 봉지층(330) 사이에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(301)을 지지하기 위한 라이너(342)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 점착층(341)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 상기 라이너(342)는 PET가 사용될 수 있다.A liner 342 may be further provided between the adhesive layer 341 and the thin-film encapsulating layer 330 to support a flexible flexible substrate 301 during laser irradiation, which will be described later. The adhesive layer 341 may be a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more. For example, a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer may be used. Further, the liner 342 may be made of PET.

전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 가요성 기판(301)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 특성은 PI 분자구조 말단에 F가 붙어있다. F와 F간은 척력이 발생하여 분자구조가 서로 밀어내서 분자 밀집도가 넓어짐에 따라 컬러 발현이 안되게 된다.As in the first embodiment of the present invention described above, a transparent polyimide (product name: TPIS) can be used as the flexible substrate 301, and the characteristic is attached to the end of the PI molecule structure with F attached thereto. F and F are repulsive and the molecular structure pushes each other out, and as the density of molecules becomes wider, the color expression becomes ineffective.

그리고, 상기 컬러필터(306)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 상기 유기발광다이오드의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드의 발광층으로부터 방출되는 백색광은 컬러필터(306)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.The color filter 306 includes a red color filter for passing the wavelength of the red region, a green color filter for passing the wavelength of the green region, and a blue color filter for passing the wavelength of the blue region. Each of the color filters is formed to correspond to the light emitting region of the organic light emitting diode. Accordingly, the white light emitted from the light emitting layer of the organic light emitting diode can pass through the color filter 306 to realize a predetermined color.

상기 컬러필터(306)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.The color filter 306 may be patterned using a pigment dispersion method or a printing method.

상기 가요성 기판(301)의 배면에는 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(309)이 구비될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(309)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.A polarizing film 309 may be provided on the back surface of the flexible substrate 301 to reduce reflection of external light of the organic light emitting display device to improve contrast. At this time, as the polarizing film 309, a circular polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films may be used.

또한, 상기 TFT 기판(311) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(319)이 부착될 수 있다.The back surface of the TFT substrate 311 may be coated with a plastic film of polyethylene terephthalate or a back film 319 made of SUS metal.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an OLED display device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 11a 내지 도 11g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.11A to 11G are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 11a에 도시된 바와 같이, 보조기판(302) 위에 가요성 기판(301)을 형성한다.As shown in Fig. 11A, the flexible substrate 301 is formed on the auxiliary substrate 302. Fig.

상기 가요성 기판(301)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(302) 위에 슬릿코터나 스핀코터 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다.A transparent polyimide (product name TPIS) may be used as the flexible substrate 301. To this end, a transparent polyimide is coated on a glass auxiliary substrate 302 by a slit coater or a spin coating method.

이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(301)을 형성한다.Thereafter, the coated transparent polyimide is cured to form a flexible substrate 301.

이때, 상기 보조기판(302) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(301)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화된 질화규소나 수소화된 비정질 실리콘을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.At this time, the flexible substrate 301 may be formed after a predetermined sacrificial layer is formed on the auxiliary substrate 302. The sacrificial layer may be formed by depositing hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, A photoresist, a urethane-based resin, an epoxy-based resin, and an acrylic-based resin.

다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(301) 위에 컬러필터(306)를 형성한다.Next, as shown in Fig. 11B, a color filter 306 is formed on the flexible substrate 301. Then, as shown in Fig.

상기 컬러필터(306)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.The color filter 306 may be patterned using a pigment dispersion method or a printing method.

다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(306)가 형성된 보조기판(302) 위에 점착층(341)을 부착한다. 상기 점착층(341)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 11C, an adhesive layer 341 is attached on the auxiliary substrate 302 on which the color filter 306 is formed. The adhesive layer 341 may be a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more. For example, a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer may be used.

이때, 상기 점착층(341) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(301)을 지지하기 위한 라이너(342)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(342)는 PET가 사용될 수 있다.At this time, a liner 342 may be further provided on the adhesive layer 341 to support a flexible flexible substrate 301 during laser irradiation, which will be described later. The liner 342 may be PET.

다음으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(341)이 부착된 보조기판(302)을 TFT 기판(311)과 대향하여 합착 한다.Next, as shown in FIG. 11D, the auxiliary substrate 302 to which the adhesive layer 341 is attached is bonded to the TFT substrate 311 so as to be opposite to each other.

이때, 상기 TFT 기판(311)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(311)은 전술한 가요성 기판(301)과 동일한 방식으로 유리기판(312) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(312) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(311)을 형성할 수 있다.In this case, the TFT substrate 311 may be formed of a heat-resistant polyimide to realize a flexible display. In this case, the TFT substrate 311 may be formed of a glass substrate 312 in the same manner as the above-described flexible substrate 301, As shown in FIG. At this time, the TFT substrate 311 can be formed after a predetermined sacrificial layer is formed on the glass substrate 312.

상기 TFT 기판(311) 위에는 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(320)을 구비하며, 이러한 유기 층(320) 위에는 박막 봉지층(330)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(330)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.An organic layer 320 having a TFT array and an organic light emitting diode is formed on the TFT substrate 311. A thin sealing layer 330 is formed on the organic layer 320 to seal the organic light emitting diode. At this time, the thin film encapsulation layer 330 may be formed by laminating the organic film and the inorganic film one more layer alternately, and as another example, the thin film encapsulation layer 330 may have a multilayer structure of an inorganic film.

이후, 도 11e 및 도 11f에 도시된 바와 같이, 상기 보조기판(302)과 유리기판(312)을 각각 가요성 기판(301)과 TFT 기판(311)으로부터 분리하게 된다.11E and 11F, the auxiliary substrate 302 and the glass substrate 312 are separated from the flexible substrate 301 and the TFT substrate 311, respectively.

이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(302)과 유리기판(312)을 분리할 수 있다.The auxiliary substrate 302 and the glass substrate 312 may be separated from each other using a laser having a wavelength in the range of 200 nm to 1300 nm, for example, laser irradiation or chemical dissolution depending on the material used for the sacrificial layer. have.

이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(302)과 유리기판(312)을 분리할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 기판(301, 311)들 사이의 접착력이 약해져 보조기판(302)과 유리기판(312)이 각각 가요성 기판(301)과 TFT 기판(311)으로부터 분리된다.When the sacrificial layer is made of a photodegradable polymer material, the covalent bond of the photodegradable polymer material is broken or carbonized according to the intensity and irradiation time of the laser, that is, the total energy applied to the sacrificial layer by the laser, The glass substrate 312 can be separated. In the case where the sacrificial layer is made of hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, irradiation of the laser to the surface of the sacrificial layer causes hydrogen contained in hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon to be released, The auxiliary substrate 302 and the glass substrate 312 are separated from the flexible substrate 301 and the TFT substrate 311, respectively.

다음으로, 도 11g에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(301)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(309)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(309)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 11G, a polarizing film 309 may be attached to the rear surface of the flexible substrate 301 on which the auxiliary substrate is separated, in order to reduce reflection of external light of the organic light emitting display device to improve contrast . At this time, as the polarizing film 309, a circular polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films may be used.

또한, 유리기판이 분리된 상기 TFT 기판(311) 배면에 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(319)이 부착될 수 있다.Further, a plastic film of polyethylene terephthalate or a back film 319 made of SUS metal may be attached to the back surface of the TFT substrate 311 from which the glass substrate is separated.

한편, 상기 도 11a 내지 도 11g에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용하기 위해 가요성 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 상기 가요성 기판과 TFT 기판으로부터 보조기판과 유리기판을 분리하게 되는데, 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하고 나서 가요성 기판과 TFT 기판을 합착한 후에 보조기판을 분리할 수 있으며, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.11A to 11G, a method of fabricating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention includes a step of forming a flexible substrate in order to apply the thin film encapsulation technology to the organic light emitting display device of the top emission type, A color filter is formed on a substrate and is attached to a TFT substrate. Then, the auxiliary substrate and the glass substrate are separated from the flexible substrate and the TFT substrate using a laser, but the present invention is not limited thereto. The present invention can separate the glass substrate from the TFT substrate and then separate the auxiliary substrate after the flexible substrate and the TFT substrate are bonded together and will be described in detail with reference to the drawings.

도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.12A to 12G are cross-sectional views sequentially illustrating another method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 12a에 도시된 바와 같이, 보조기판(402) 위에 가요성 기판(401)을 형성한다.The flexible substrate 401 is formed on the auxiliary substrate 402, as shown in Fig.

상기 가요성 기판(401)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(402) 위에 슬릿코터나 스핀코터 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다.A transparent polyimide (product name TPIS) may be used as the flexible substrate 401. To this end, a slit coater or a transparent polyimide is coated on an auxiliary substrate 402 made of glass by a spin coating method.

이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(401)을 형성한다.Thereafter, the coated transparent polyimide is cured to form a flexible substrate 401.

이때, 상기 보조기판(402) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(401)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화된 질화규소나 수소화된 비정질 실리콘을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.At this time, the flexible substrate 401 may be formed after a predetermined sacrificial layer is formed on the auxiliary substrate 402. The sacrificial layer may be formed by depositing hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, A photoresist, a urethane-based resin, an epoxy-based resin, and an acrylic-based resin.

다음으로, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(401) 위에 컬러필터(406)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 12B, a color filter 406 is formed on the flexible substrate 401.

상기 컬러필터(406)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.The color filter 406 may be patterned using a pigment dispersion method or a printing method.

다음으로, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(406)가 형성된 보조기판(402) 위에 점착층(441)을 부착한다. 상기 점착층(441)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 12C, an adhesive layer 441 is attached on the auxiliary substrate 402 on which the color filter 406 is formed. The adhesive layer 441 may be a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more. For example, a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer may be used.

이때, 상기 점착층(441) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(401)을 지지하기 위한 라이너(442)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(442)는 PET가 사용될 수 있다.At this time, a liner 442 may be further provided on the adhesive layer 441 to support a flexible flexible substrate 401 during laser irradiation, which will be described later. The liner 442 may be PET.

다음으로, 도 12d에 도시된 바와 같이, 전술한 바와 같은 방식으로 TFT 기판(411) 위에 TFT 어레이와 유기발광다이오드를 형성한다.Next, as shown in Fig. 12D, the TFT array and the organic light emitting diode are formed on the TFT substrate 411 in the above-described manner.

이때, 상기 TFT 기판(411)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(411)은 전술한 가요성 기판(401)과 동일한 방식으로 유리기판(412) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(412) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(411)을 형성할 수 있다.In this case, the TFT substrate 411 may be formed of a heat-resistant polyimide to realize a flexible display. In this case, the TFT substrate 411 may be formed of a glass substrate 412 in the same manner as the above-described flexible substrate 401, As shown in FIG. At this time, the TFT substrate 411 can be formed after a predetermined sacrificial layer is formed on the glass substrate 412.

그리고, 상기 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(420) 위에는 박막 봉지층(430)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(430)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.On the organic layer 420 on which the TFT array and the organic light emitting diode are formed, a thin film sealing layer 430 is formed to seal the organic light emitting diode. At this time, the thin film encapsulation layer 430 may be formed by laminating the organic film and the inorganic film in more than one layer alternately, and as another example, the thin film encapsulation layer 430 may have a multilayer structure of an inorganic film.

이후, 상기 유리기판(412)을 TFT 기판(411)으로부터 분리하게 된다.Thereafter, the glass substrate 412 is separated from the TFT substrate 411.

이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 유리기판(412)을 분리할 수 있다.At this time, laser irradiation or chemical dissolution may be used depending on the material used for the sacrificial layer. For example, the glass substrate 412 can be separated using a laser having a wavelength range of 200 nm to 1300 nm.

다음으로, 도 12e에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(441)이 부착된 보조기판(402)을 유리기판이 분리된 TFT 기판(411)과 대향하여 합착 한다.Next, as shown in FIG. 12E, the auxiliary substrate 402 to which the adhesive layer 441 is attached is bonded to the TFT substrate 411 on which the glass substrate has been separated so as to face each other.

이후, 도 12f에 도시된 바와 같이, 상기 보조기판(402)을 가요성 기판(401)으로부터 분리하게 된다.Then, as shown in FIG. 12F, the auxiliary substrate 402 is separated from the flexible substrate 401.

이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(402)을 분리할 수 있다.At this time, laser irradiation or chemical dissolution may be used depending on the material used for the sacrificial layer. For example, the auxiliary substrate 402 may be separated using a laser having a wavelength of 200 nm to 1300 nm.

이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(402)을 분리할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 가요성 기판(401) 사이의 접착력이 약해져 보조기판(402)이 상기 가요성 기판(401)으로부터 분리된다.When the sacrificial layer is made of a photodegradable polymer material, the covalent bond of the photodegradable polymer material is broken or carbonized according to the intensity and irradiation time of the laser, that is, the total energy applied to the sacrificial layer by the laser, Can be separated. In the case where the sacrificial layer is made of hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, when a laser is irradiated on the surface of the sacrificial layer, hydrogen contained in the hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon is released and the sacrificial layer and the flexible substrate 401 The auxiliary substrate 402 is separated from the flexible substrate 401. In this case,

다음으로, 도 12g에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(401)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(409)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(409)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 12G, a polarizing film 409 may be attached to the rear surface of the flexible substrate 401 on which the auxiliary substrate is separated, in order to reduce reflection of external light of the organic light emitting display device to improve contrast . At this time, the polarizing film 409 may be a circular polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films.

또한, 상기 TFT 기판(411) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(419)이 부착될 수 있다.A backing film 419 made of polyethylene terephthalate plastic or SUS metal may be attached to the back surface of the TFT substrate 411.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

101,201,301,401 : 가요성 기판 102,202,302,402 : 보조기판
106,206,306,406 : 컬러필터 111,211,311,411 : TFT기판
119,219,319,419 : 유리기판 120,220,320,420 : 유기 층
130,230,330,430 : 박막 봉지층 141,241,341,441 : 점착층
142,242,342,442 : 라이너 143,243 : ACF101, 201, 301, 401: Flexible substrates 102, 202, 302, 402:
106, 206, 306, 406: color filters 111, 211, 311, 411:
119, 219, 319, 419: glass substrate 120, 220, 320, 420:
130, 230, 330, 430: Thin film sealing layers 141, 241, 341, 441:
142, 242, 342, 442: liner 143, 243: ACF

Claims (13)

보조기판 위에 가요성 기판을 형성하는 단계;
상기 가요성 기판 위에 컬러필터를 형성하는 단계;
상기 컬러필터가 형성된 보조기판 위에 점착층을 부착하는 단계;
TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판 위에 박막 봉지층을 형성하여 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 단계;
상기 점착층이 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 상기 박막 봉지층과 마주보도록 상기 가요성 기판을 상기 TFT 기판과 대향하여 합착하는 단계;
상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 상기 박막 봉지층이 형성된 상기 TFT 기판과 합착된 가요성 기판으로부터 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및
상기 보조기판이 분리된 가요성 기판 배면에 편광 필름을 부착하고, 상기 TFT 기판 배면에 백 필름(back film)을 부착하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.Forming a flexible substrate on the auxiliary substrate;
Forming a color filter on the flexible substrate;
Attaching an adhesive layer on the auxiliary substrate on which the color filter is formed;
Forming a thin film sealing layer on the TFT substrate on which the TFT array and the organic light emitting diode are formed to seal the organic light emitting diode;
Bonding the flexible substrate to the TFT substrate so that the adhesive layer faces the thin film sealing layer sealing the organic light emitting diode;
Separating the auxiliary substrate from a flexible substrate bonded to the TFT substrate on which the thin film sealing layer sealing the organic light emitting diode is formed; And
Attaching a polarizing film to the back surface of the flexible substrate from which the auxiliary substrate is separated, and attaching a back film to the back surface of the TFT substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 가요성 기판은 투명 폴리이미드(polyimide)로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the flexible substrate is formed of a transparent polyimide. 제 1 항에 있어서, 상기 보조기판 위에 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The manufacturing method of an organic light emitting display device according to claim 1, wherein the flexible substrate is formed after forming a sacrificial layer on the auxiliary substrate. 제 1 항에 있어서, 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 가요성 기판으로부터 보조기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the auxiliary substrate is separated from the flexible substrate by irradiating a laser beam having a wavelength of 200 nm to 1300 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 점착층은 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물과 같은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the adhesive layer is formed of a low refractive index adhesive having a transmittance of 5% or more, such as a mixture of an acryl-based polymer and a urethane-based polymer. 제 1 항에 있어서, 상기 점착층 위에 상기 가요성 기판을 지지하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)로 이루어진 라이너(liner)를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The organic light emitting display device according to claim 1, further comprising a step of forming a liner made of polyethylene terephthalate (PET) to support the flexible substrate on the adhesive layer ≪ / RTI > 제 6 항에 있어서, 상기 점착층과 라이너를 감싸도록 패널영역 가장자리에 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 부착하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 6, further comprising the step of attaching an ACF (Anisotropic Conductive Film) to the edge of the panel region so as to surround the adhesive layer and the liner. 제 1 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT 기판은 내열성 폴리이미드로 구성되어 유리기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to any one of claims 1 to 7, wherein the TFT substrate is formed of a heat resistant polyimide and formed on a glass substrate. 제 8 항에 있어서, 상기 유리기판을 TFT 기판으로부터 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 8, further comprising separating the glass substrate from the TFT substrate. 제 9 항에 있어서, 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.10. The method according to claim 9, wherein the glass substrate is separated from the TFT substrate by irradiating a laser beam having a wavelength of 200 nm to 1300 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 박막 봉지층은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 형성하거나 무기막의 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method of manufacturing an organic light emitting display device according to claim 1, wherein the thin film encapsulation layer is formed by laminating an organic film and an inorganic film in one or more alternating layers or by forming a multilayer structure of an inorganic film. 제 1 항에 있어서, 상기 편광 필름은 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the polarizing film is formed of a circularly polarizing film produced by bonding multiple linear polarizing films or retardation films. 제 1 항에 있어서, 상기 백 필름은 PET의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the back film is formed of plastic of PET or metal of SUS.
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