KR101476433B1 - Organic Light Emitting Display Device And Method For Manufacturing Of The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 두 개의 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원라인에 의해 정의되며, 배면발광 영역 및 전면발광 영역을 포함하는 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 배면발광 영역 및 전면발광 영역에 각각 위치하며, 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 다수개의 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 배면발광 영역에 위치하는 제 1 발광소자 및 상기 전면발광 영역에 위치하는 제 2 발광소자를 포함하며, 상기 제 1 발광소자는 제 1 하부전극, 제 1 발광층, 제 1 상부전극 및 제 1 반사막을 포함하고, 상기 제 2 발광소자는 투명도전막 및 제 2 반사막을 포함하는 제 2 하부전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부전극을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention provides a semiconductor light emitting device including a substrate including a pixel region defined by two scan lines, a data line, and a power source line and including a bottom emission region and a top emission region, A plurality of thin film transistors each including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a first light emitting device electrically connected to the thin film transistor and located in the bottom emission region, Wherein the first light emitting device includes a first lower electrode, a first light emitting layer, a first upper electrode, and a first reflective film, and the second light emitting device includes a second lower electrode including a transparent conductive film and a second reflective film, A second light emitting layer, and a second upper electrode.

유기전계발광표시장치 Organic electroluminescent display device

Description

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Display Device And Method For Manufacturing Of The Same}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting display device,

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 영역의 회로도.1 is a circuit diagram of a pixel region of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.FIGS. 3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

200 : 기판 205 : 버퍼층200: substrate 205: buffer layer

210a, 210b : 반도체층 215 : 게이트 절연막210a, 210b: semiconductor layer 215: gate insulating film

220a, 220b : 게이트 전극 225 : 층간 절연막220a, 220b: gate electrode 225: interlayer insulating film

235a, 235c : 소오스 전극 235b, 235d : 드레인 전극235a and 235c: source electrodes 235b and 235d: drain electrodes

240 : 평탄화막 250a : 제 1 하부전극240: planarization film 250a: first lower electrode

250b : 투명도전막 260 : 제 2 반사막250b: Transparent conductive film 260: Second reflective film

270 : 제 2 하부전극 275 : 뱅크층270: second lower electrode 275: bank layer

280a, 280b : 발광층 290a, 290b : 제 1 및 제 2 상부전극280a and 280b: light emitting layers 290a and 290b: first and second upper electrodes

295 : 제 1 반사막295: first reflection film

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the importance of flat panel displays (FPDs) has been increasing with the development of multimedia. In response to this, various kinds of devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an organic light emitting display A planar display of a branch has been put into practical use.

특히, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Particularly, the organic light emitting display device has a response speed of 1 ms or less, a high response speed, low power consumption, and self light emission. In addition, there is no problem in the viewing angle, which is advantageous as a moving picture display medium regardless of the size of the apparatus. In addition, since it can be manufactured at a low temperature and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology, it is attracting attention as a next generation flat panel display device.

따라서, 전술한 유기전계발광표시장치의 장점으로 인해 휴대용 기기에 많이 사용되고 있다. 최근의 추세에 따르면 휴대용 기기의 전면에는 서브 표시창이 구비되고, 후면에는 메인 표시창이 구비되어 사용자들의 편리성을 추구하고 있다.Therefore, the organic electroluminescence display device is widely used in portable devices due to its advantages. According to recent trends, a sub display window is provided on a front surface of a portable device, and a main display window is provided on a rear surface of the portable device.

상기와 같은, 유기전계발광표시장치의 양면발광을 구현하는 방법으로는, 일 방향으로 빛을 방출하는 두 장의 패널을 붙여서 양면발광을 구현하거나, 하나의 패널 내에 전면발광 소자와 배면발광 소자를 구비하여 양면발광을 구현할 수 있다.As a method of realizing the two-sided emission of the organic light emitting display device as described above, there is a method in which two panels emitting light in one direction are attached to realize both-side light emission, or a front light emitting device and a back light emitting device Thereby realizing both-side light emission.

그러나, 두 장의 패널을 붙여서 양면발광을 구현하는 방법은 표시장치의 두께가 두꺼워 박형경량을 추구할 수 없다는 문제점이 있었다. However, there has been a problem in that a method of implementing two-sided light emission by attaching two sheets of panels has a problem that a thickness of a display device is too thick to pursue a thin and light weight.

또한, 하나의 패널 내에 전면발광 소자와 배면발광 소자를 형성하여 양면발광을 구현하는 유기전계발광표시장치의 경우에는 박막 트랜지스터와 연결된 하부 전극의 구조가 전면발광 구조와 배면발광 구조에서 서로 상이하기 때문에, 하부 전극을 형성하는 공정이 복잡한 문제점이 있었다.In addition, in the case of an organic light emitting display in which a front light emitting element and a back light emitting element are formed in one panel to realize both-side light emission, the structure of the lower electrode connected to the thin film transistor is different in the front light emitting structure and the back light emitting structure And the process of forming the lower electrode is complicated.

따라서, 종래의 양면발광형 유기전계발광표시장치는 공정이 복잡하고, 제조원가가 상승되며, 제조수율이 저하되는 문제점이 있었다. Therefore, the conventional double-sided emission type organic light emitting display device has a problem in that the process is complicated, the manufacturing cost is increased, and the manufacturing yield is lowered.

따라서, 본 발명은 공정을 단순화하고 제조원가를 절감할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.Accordingly, the present invention provides an organic electroluminescence display device and a method of manufacturing the same, which can simplify a process and reduce manufacturing cost.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 두 개의 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원라인에 의해 정의되며, 배면발광 영역 및 전면발광 영역을 포함하는 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 배면발광 영역 및 전면발광 영역에 각각 위치하며, 반 도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 다수개의 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 배면발광 영역에 위치하는 제 1 발광소자 및 상기 전면발광 영역에 위치하는 제 2 발광소자를 포함하며, 상기 제 1 발광소자는 제 1 하부전극, 제 1 발광층, 제 1 상부전극 및 제 1 반사막을 포함하고, 상기 제 2 발광소자는 투명도전막 및 제 2 반사막을 포함하는 제 2 하부전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부전극을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a substrate including a pixel region defined by two scan lines, a data line, and a power source line and including a bottom emission region and a top emission region, A plurality of thin film transistors each including a semi-conductor layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and a first light emitting element electrically connected to the thin film transistor, the first light emitting element being located in the bottom emission region, Wherein the first light emitting device includes a first lower electrode, a first light emitting layer, a first upper electrode, and a first reflective film, the second light emitting device includes a transparent conductive film, And a second lower electrode including a second reflective layer, a second light emitting layer, and a second upper electrode.

또한, 본 발명은 배면발광 영역 및 전면발광 영역을 포함하는 화소 영역을 포함하는 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 다수개의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 기판 상의 배면발광 영역 및 전면발광 영역 전면에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 각각 연결되는 제 1 투명도전층을 적층하는 단계, 상기 제 1 투명도전층 상에 반사층을 적층하는 단계, 상기 반사층 상에 제 2 투명도전층을 적층하는 단계, 상기 제 1 투명도전층, 반사층 및 제 2 투명도전층을 패터닝하여 상기 전면발광 영역에 투명도전막, 제 2 반사막 및 제 2 하부전극을 형성하는 단계, 상기 전면발광 영역의 투명도전막, 제 2 반사막 및 제 2 하부전극을 제외한 상기 배면발광 영역의 반사층 및 제 2 투명도전층을 제거하여, 배면발광 영역에 제 1 하부전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극의 일정 영역을 노출시키는 뱅크층을 형성하는 단계, 상기 노출된 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극 상에 발광층을 형성하는 단계, 상기 발광층 상에 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극을 형성하는 단계 및 상기 제 1 상부전극 상에 제 1 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a plurality of thin film transistors including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on a substrate including a pixel region including a bottom emission region and a top emission region; Laminating a first transparent conductive layer electrically connected to the drain electrode on the entire surface of the light emitting region and the front light emitting region, stacking a reflective layer on the first transparent conductive layer, forming a second transparent conductive layer on the reflective layer, Forming a transparent conductive film, a second reflective film, and a second lower electrode in the front emission region by patterning the first transparent conductive layer, the reflective layer, and the second transparent conductive layer, The reflective layer and the second transparent conductive layer of the back light emitting region except for the reflective film and the second lower electrode are removed, Forming a bank layer exposing a predetermined region of the first lower electrode and the second lower electrode, forming a light emitting layer on the exposed first lower electrode and the second lower electrode, Forming a first upper electrode and a second upper electrode on the light emitting layer, and forming a first reflective layer on the first upper electrode, .

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<실시예><Examples>

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 영역의 회로도이다. 1 is a circuit diagram of a pixel region of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 두 개의 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원라인에 의해 정의되며, 배면발광 영역 및 전면발광 영역을 포함하는 다수개의 화소 영역을 포함할 수 있다.The organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of pixel regions including a back emission region and a top emission region, which are defined by two scan lines, a data line, and a power source line.

도 1을 참조하면, 유기전계발광표시장치를 이루는 하나의 화소 영역은 제 1 스캔 라인(10), 제 2 스캔 라인(20), 상기 제 1 및 제 2 스캔 라인(10, 20)과 수직방향으로 교차되는 데이터 라인(30) 및 전원 라인(40)에 의해 정의된다.Referring to FIG. 1, one pixel region constituting the organic light emitting display device includes a first scan line 10, a second scan line 20, a first and a second scan lines 10 and 20, Are defined by the data line 30 and the power supply line 40 which intersect with each other.

화소 영역은 배면발광이 가능한 제 1 발광소자가 형성된 배면발광 영역(I) 및 전면발광이 가능한 제 2 발광소자가 형성된 전면발광 영역(II)을 포함할 수 있다.The pixel region may include a back light emitting region I formed with a first light emitting element capable of emitting back light and a front light emitting region II formed with a second light emitting element capable of front light emission.

배면발광 영역(I)은 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 제 1 캐패시터(C1) 및 제 1 발광소자(D1)를 포함할 수 있다.The back emission region I may include a switching thin film transistor T1, a driving thin film transistor T2, a first capacitor C1, and a first light emitting element D1.

여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 제 1 스캔 라인(10)과 데이터 라인(30)에 의해 인가되는 신호에 따라 온(On)/오프(Off) 되고, 제 1 캐패시터(C1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)가 온(On) 상태로 됨에 따라 전원 라인(40)과 연결되어 전압이 충전된다. 그리고, 구동 박막 트랜지스터(T2)는 제 1 캐패시터(C1)에서 인가되는 전압에 의해 전류가 흐르게 되며, 이에 따라, 제 1 발광소자(D1)로 전류가 흐르게 되어 제 1 발광소자(D1)를 구동시킨다.Here, the switching thin film transistor T1 is turned on / off according to a signal applied by the first scan line 10 and the data line 30, and the first capacitor C1 is turned on / (T1) is turned on to be connected to the power supply line (40) to charge the voltage. The driving thin film transistor T2 is driven by the voltage applied from the first capacitor C1 so that the current flows to the first light emitting element D1 to drive the first light emitting element D1 .

전면발광 영역(II)은 스위칭 박막 트랜지스터(T3), 구동 박막 트랜지스터(T4), 제 2 캐패시터(C2) 및 제 2 발광소자(D2)를 포함할 수 있다.The front emission region II may include a switching thin film transistor T3, a driving thin film transistor T4, a second capacitor C2 and a second light emitting element D2.

여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(T3)는 제 2 스캔 라인(20)과 데이터 라인(30)에 의해 인가되는 신호에 따라 온(On)/오프(Off) 되고, 제 2 캐패시터(C2)는 스위칭 박막 트랜지스터(T3)가 온(On) 상태로 됨에 따라 전원 라인(40)과 연결되어 전압이 충전된다. 그리고, 구동 박막 트랜지스터(T4)는 제 2 캐패시터(C2)에서 인가되는 전압에 의해 전류가 흐르게 되며, 이에 따라, 제 2 발광소자(D2)로 전류가 흐르게 되어 제 2 발광소자(D2)를 구동시킨다.Here, the switching thin film transistor T3 is turned on / off according to a signal applied by the second scan line 20 and the data line 30, and the second capacitor C2 is turned on / (T3) is turned on to be connected to the power supply line 40 to charge the voltage. The driving thin film transistor T4 is turned on by the voltage applied from the second capacitor C2 so that current flows to the second light emitting element D2 to drive the second light emitting element D2 .

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 영역은 두 개의 스캔 라인에 의해 배면발광 영역의 제 1 발광소자와 전면발광 영역의 제 2 발광소자가 개별적으로 구동할 수 있으며, 이때, 제 1 발광소자와 제 2 발광소자는 데이터 라인과 전원 라인을 공유할 수 있다. 따라서, 제 1 발광소자와 제 2 발광소자는 개별 구동이 가능하고, 이에 따라 서로 다른 화상을 표시부에 표시할 수 있다.In the pixel region of the organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention, the first light emitting device of the back light emitting region and the second light emitting device of the front light emitting region may be individually driven by two scan lines, The first light emitting device and the second light emitting device may share a data line and a power supply line. Therefore, the first light emitting element and the second light emitting element can be driven separately, and thus different images can be displayed on the display unit.

또한, 상기 제 1 발광소자와 제 2 발광소자는 동일색을 발광할 수 있으며, 이와는 달리, 서로 다른 색을 발광할 수도 있다.In addition, the first light emitting device and the second light emitting device may emit the same color or may emit different colors.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 배면발광 영역(I) 및 전면발광 영역(II)을 포함하는 기판(100) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105) 상에 반도체층(110a, 110b)이 위치한다. 반도체층(110a, 110b)을 덮도록 게이트 절연막(115)이 위치하며, 게이트 절연막(115) 상에 반도체층(110a, 110b)의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극(120a, 120b)이 위치한다. Referring to FIG. 2, a buffer layer 105 is disposed on a substrate 100 including a bottom emission region I and a top emission region II. The semiconductor layers 110a and 110b are located on the buffer layer 105. [ The gate insulating layer 115 is positioned to cover the semiconductor layers 110a and 110b and the gate electrodes 120a and 120b corresponding to a certain region of the semiconductor layers 110a and 110b are positioned on the gate insulating layer 115. [

게이트 전극(120a, 120b)을 포함하는 기판(100) 전면에 층간 절연막(125)이 위치하며, 층간 절연막(125) 및 게이트 절연막(115) 내에 반도체층(120a, 120b)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(130a, 130b, 130c, 130d)이 위치한다. An interlayer insulating layer 125 is formed on the entire surface of the substrate 100 including the gate electrodes 120a and 120b and a contact hole exposing a part of the semiconductor layers 120a and 120b in the interlayer insulating layer 125 and the gate insulating layer 115 Holes 130a, 130b, 130c, and 130d are located.

층간 절연막(125)의 콘택홀들(130a, 130b, 130c, 130d)을 통하여 반도체층(110a, 110b)과 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인 전극(135a, 135b, 135c, 135d)이 위치함으로써, 박막 트랜지스터를 구성한다. The source and drain electrodes 135a, 135b, 135c, and 135d are electrically connected to the semiconductor layers 110a and 110b through the contact holes 130a, 130b, 130c, and 130d of the interlayer insulating layer 125, And constitutes a transistor.

박막 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극(135a, 135b, 135c, 135d)을 포함하는 기판(100) 전면에 평탄화막(140)이 위치한다. 평탄화막(140) 내에 소오스 및 드레인 전극(135a, 135b, 135c, 135d) 중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(145a, 145b)이 위치한다. The planarizing film 140 is disposed on the entire surface of the substrate 100 including the source and drain electrodes 135a, 135b, 135c, and 135d of the thin film transistor. The via holes 145a and 145b for exposing any one of the source and drain electrodes 135a, 135b, 135c and 135d are located in the planarizing film 140. [

배면발광 영역(I)의 평탄화막(140) 상에 비어홀(145a)을 통하여 소오스 및 드레인 전극(135a, 135b) 중 어느 하나, 즉 드레인 전극(135b)과 전기적으로 연결 되는 제 1 하부전극(150a)이 위치한다.A first lower electrode 150a electrically connected to one of the source and drain electrodes 135a and 135b, that is, the drain electrode 135b, via a via hole 145a on the planarization film 140 of the back emission region I, ).

전면발광 영역(II)의 평탄화막(140) 상에 비어홀(145b)을 통하여 소오스 및 드레인 전극(135c, 135d) 중 어느 하나, 즉 드레인 전극(135d)과 전기적으로 연결되는 투명도전막(150b)이 위치한다.A transparent conductive film 150b electrically connected to one of the source and drain electrodes 135c and 135d, that is, the drain electrode 135d, via the via hole 145b is formed on the planarization film 140 of the front emission region II Located.

전면발광 영역(II)의 투명도전막(150b) 상에 제 2 반사막(160)이 위치하고, 제 2 반사막(160) 상에 제 2 하부전극(170)이 위치한다.The second reflective film 160 is positioned on the transparent conductive film 150b of the front emission region II and the second lower electrode 170 is positioned on the second reflective film 160. [

배면발광 영역(I) 및 전면발광 영역(II)의 제 1 하부전극(150a) 및 제 2 하부전극(170) 상에 뱅크층(175)이 위치한다. 뱅크층(175)은 배면발광 영역(I)의 제 1 하부전극(150a)과 전면발광 영역(II)의 제 2 하부전극(170)의 일정 영역을 노출시키는 개구부(175a, 175b)를 구비한다.The bank layer 175 is located on the first lower electrode 150a and the second lower electrode 170 of the back emission region I and the front emission region II. The bank layer 175 has openings 175a and 175b that expose certain regions of the first lower electrode 150a of the back emission region I and the second lower electrode 170 of the front emission region II .

배면발광 영역(I)의 제 1 하부전극(150a) 및 전면발광 영역(II)의 제 2 하부전극(170) 상에 제 1 발광층(180a) 및 제 2 발광층(180b)이 위치한다. The first light emitting layer 180a and the second light emitting layer 180b are positioned on the first lower electrode 150a of the bottom emission region I and the second lower electrode 170 of the front emission region II.

배면발광 영역(I)의 제 1 발광층(180a) 상에 제 1 상부전극(190a)이 위치하고, 전면발광 영역(II)의 제 2 발광층(180b) 상에 제 2 상부전극(190b)이 위치한다. The first upper electrode 190a is located on the first light emitting layer 180a of the backlight emitting region I and the second upper electrode 190b is located on the second light emitting layer 180b of the front emitting region II .

여기서, 배면발광 영역(I)의 제 1 하부전극(150a)과 제 1 발광층(180a) 사이에 정공수송층 또는 정공주입층을 더 포함할 수 있고, 제 1 발광층(180a)과 제 1 상부전극(190a) 사이에는 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.Here, a hole transport layer or a hole injection layer may be further disposed between the first lower electrode 150a of the back emission region I and the first emission layer 180a, and the first emission layer 180a and the first upper electrode 190a may further include an electron transporting layer or an electron injecting layer.

또한, 전면발광 영역(II)의 제 2 하부전극(170)과 제 2 발광층(180b) 사이에 정공수송층 또는 정공주입층을 더 포함할 수 있고, 제 2 발광층(180b)과 제 2 상부 전극(190b) 사이에는 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.A hole transporting layer or a hole injecting layer may be further disposed between the second lower electrode 170 and the second emitting layer 180b of the front emission region II and the second emission layer 180b and the second upper electrode 190b may further include an electron transporting layer or an electron injecting layer.

배면발광 영역(I)의 제 1 상부전극(190a) 상에 제 1 반사막(195)이 위치한다.The first reflective film 195 is located on the first upper electrode 190a of the back light emitting region I.

이하에서는 도 3a 내지 도 3f를 참조하여, 상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display device having the above-described structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3F.

도 3a를 참조하면, 배면발광 영역(I) 및 전면발광 영역(II)이 정의된 기판(200) 상에 버퍼층(205)을 형성한다. 이때, 기판(200)은 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 버퍼층(205)은 기판(200)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.3A, a buffer layer 205 is formed on a substrate 200 on which a bottom emission region I and a top emission region II are defined. At this time, the substrate 200 may be made of glass, plastic, or metal. The buffer layer 205 is formed to protect a thin film transistor formed in a subsequent process from an impurity such as an alkali ion or the like flowing out from the substrate 200. The buffer layer 205 may be formed of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x) As shown in FIG.

이어, 상기 버퍼층(205) 상에 반도체층(210a, 210b)을 형성한다. 반도체층(210a, 210b)은 비정질 실리콘을 사용할 수 있으며, 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘을 사용할 수 도 있다.Next, semiconductor layers 210a and 210b are formed on the buffer layer 205. The semiconductor layers 210a and 210b may be formed of amorphous silicon or polycrystalline silicon obtained by crystallizing amorphous silicon.

다음, 상기 반도체층(210a, 210b)을 덮도록 게이트 절연막(215)을 형성한다. 게이트 절연막(215)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 이중층으로 형성할 수 있다. Next, a gate insulating layer 215 is formed to cover the semiconductor layers 210a and 210b. The gate insulating film 215 may be formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a double layer thereof.

이어서, 상기 게이트 절연막(215) 상에 반도체층(210a, 210b)의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극(220a, 220b)을 형성한다. 게이트 전극(220a, 220b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금일 수 있다. Next, gate electrodes 220a and 220b are formed on the gate insulating layer 215 to correspond to a predetermined region of the semiconductor layers 210a and 210b. The gate electrodes 220a and 220b may be formed of one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chrome (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni) Or an alloy thereof.

다음으로, 게이트 전극(220a, 220b)을 포함하는 기판(200) 상에 층간 절연막(225)을 형성한 다음, 층간 절연막(225) 및 게이트 절연막(215)을 식각하여, 반도체층(210a, 210b)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(230a, 230b, 230c, 230d)을 형성한다.Next, an interlayer insulating film 225 is formed on the substrate 200 including the gate electrodes 220a and 220b and then the interlayer insulating film 225 and the gate insulating film 215 are etched to form semiconductor layers 210a and 210b (230a, 230b, 230c, 230d) exposing a part of the contact hole (230a, 230b, 230c, 230d).

이어, 상기 층간 절연막(225) 상에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 소오스 전극(235a, 235c) 및 드레인 전극(235b, 235d)를 형성하여 박막 트랜지스터를 완성한다.Next, a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chrome (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and copper (Cu) is deposited on the interlayer insulating film 225 Then, the source electrodes 235a and 235c and the drain electrodes 235b and 235d are formed by patterning to complete the thin film transistor.

본 발명의 일 실시예에서는 반도체층 상부에 게이트 전극이 위치하는 탑(Top) 게이트형 박막 트랜지스터를 개시하였지만, 이와는 달리 게이트 전극이 반도체층 하부에 위치하는 바텀(Bottom) 게이트형 박막 트랜지스터를 사용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a top gate type thin film transistor in which a gate electrode is disposed on a semiconductor layer is disclosed. Alternatively, a bottom gate type thin film transistor in which a gate electrode is positioned below a semiconductor layer may be used have.

이어, 도 3b를 참조하면, 소오스 전극(235a, 235c) 및 드레인 전극(235b, 235d)을 포함하는 기판(200) 상에 평탄화막(240)을 형성한다. 평탄화막(240)은 하부 구조의 단차를 완화시키는 역할을 할 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조 사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물 또는 실리콘 산화물을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 SOG(spin on glass)와 같은 무기물을 사용하여 형성할 수도 있다.3B, the planarization layer 240 is formed on the substrate 200 including the source electrodes 235a and 235c and the drain electrodes 235b and 235d. The planarization layer 240 may function to alleviate the step of the lower structure and may be formed of an organic material such as polyimide, benzocyclobutene series resin, or acrylate, Or a spin on glass (SOG), which is then cured.

그런 다음, 평탄화막(240)을 식각하여, 소오스 전극(235a, 235c) 및 드레인 전극(235b, 235d) 중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(245a, 245b)을 형성한다. Then, the planarization layer 240 is etched to form via holes 245a and 245b for exposing any one of the source electrodes 235a and 235c and the drain electrodes 235b and 235d.

이어, 비어홀(245a, 245b)을 포함하는 기판(200) 상에 제 1 투명도전층, 반사층 및 제 2 투명도전층을 순차적으로 적층한다. 이때, 제 1 투명도전층은 ITO, IZO 또는 ITZO를 사용할 수 있고, 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금을 사용할 수 있고, 제 2 투명도전층은 제 1 투명도전층과 동일한 물질을 사용할 수 있다.Next, the first transparent conductive layer, the reflective layer, and the second transparent conductive layer are sequentially stacked on the substrate 200 including the via holes 245a and 245b. The first transparent conductive layer may be made of ITO, IZO or ITZO, and the reflective layer may be made of silver (Ag), aluminum (Al), nickel (Ni), or an alloy thereof. The same material as the whole layer can be used.

이어, 기판(200) 상에 적층된 제 1 투명도전층, 반사층 및 제 2 투명도전층을 일괄 식각하여 전면발광 영역(II)에 투명도전막(250b), 제 2 반사막(260) 및 제 2 하부전극(270)을 형성하고, 배면발광 영역(I)에는 추후 제 1 하부전극이 형성될 크기로 패터닝한다.Next, the first transparent conductive layer, the reflective layer, and the second transparent conductive layer stacked on the substrate 200 are collectively etched to form a transparent conductive film 250b, a second reflective film 260, and a second lower electrode (not shown) 270, and the bottom emission region I is patterned such that the first lower electrode is formed later.

다음, 도 3c를 참조하면, 기판(200)의 전면에 포토레지스트(Photo Resist : PR)를 도포하고 패터닝하여 전면발광 영역(II) 상에 형성된 투명도전막(250b), 제 2 반사막(260) 및 제 2 하부전극(270)을 덮도록 형성하고, 배면발광 영역(I)은 노출시킨다.3C, a photoresist (PR) is applied and patterned on the entire surface of the substrate 200 to form a transparent conductive layer 250b, a second reflective layer 260, Is formed to cover the second lower electrode 270, and the back light emitting region I is exposed.

이어, 도 3d와 같이, 배면발광 영역(I)에 노출된 제 1 투명도전층, 반사층 및 제 2 투명도전층 중 제 1 투명도전층을 제외한 반사층 및 제 2 투명도전층을 제거하여, 배면발광 영역(I) 상에 제 1 하부전극(250a)을 형성한다.3D, the reflective layer and the second transparent conductive layer except for the first transparent conductive layer of the first transparent conductive layer, the reflective layer, and the second transparent conductive layer exposed in the back light emitting region I are removed to form the back light emitting region I, The first lower electrode 250a is formed.

이러한 공정은 종래 배면발광 영역 및 전면발광 영역에 서로 다른 하부 전극을 각각 형성하기 위해 2번의 패터닝 공정을 거쳤던 것을 하나의 패터닝 공정으로 줄일 수 있는 이점이 있다.Such a process has an advantage in that a patterning process that has undergone two times of patterning in order to form different lower electrodes in the conventional bottom emission region and the entire emission region can be reduced to one patterning process.

이어, 도 3e를 참조하면, 제 1 하부전극(250a) 및 제 2 하부전극(270)이 형성된 기판(200) 상에 뱅크층(275)을 형성한다. 이때, 뱅크층(275)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin) 또는 아크릴레이트(acrylate)를 스핀 코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3E, a bank layer 275 is formed on a substrate 200 having a first lower electrode 250a and a second lower electrode 270 formed thereon. At this time, the bank layer 275 may be formed of polyimide, benzocyclobutene series resin, or acrylate by spin coating.

다음, 상기 뱅크층(275)의 일정 영역을 식각하여 배면발광 영역(I)의 제 1 하부전극(250a) 및 전면발광 영역(II)의 제 2 하부전극(270)의 일정 영역을 노출시키는 개구부(275a, 275b)를 형성한다.A predetermined region of the bank layer 275 is etched to expose a predetermined region of the first lower electrode 250a of the back emission region I and the second lower electrode 270 of the front emission region II, (275a, 275b) are formed.

이어, 상기 개구부(275a, 275b)에 의해 노출된 제 1 하부전극(250a) 및 제 2 하부전극(270) 상에 발광층(280a, 280b)을 형성한다. 발광층(280a, 280b)은 진공증착법, 레이저 열 전사법, 스크린 프린팅법 등을 이용하여 형성할 수 있다. The light emitting layers 280a and 280b are formed on the first lower electrode 250a and the second lower electrode 270 exposed by the openings 275a and 275b. The light emitting layers 280a and 280b can be formed by a vacuum evaporation method, a laser thermal transfer method, a screen printing method, or the like.

이때, 발광층(280a, 280b)은 동일색 또는 서로 상이한 색을 발광할 수 있는 물질들로 이루어질 수 있다.At this time, the light emitting layers 280a and 280b may be made of materials capable of emitting the same color or different colors.

다음, 발광층(280a, 280b)이 형성된 기판(200) 상에 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘-은(MgAg) 합금을 적층하여, 배면발광 영역(I)에 제 1 상부전극(290a)을 형성하고 전면발광 영역(II)에 제 2 상부전극(290b)을 형성한다.Next, magnesium (Mg), silver (Ag) or magnesium-silver (MgAg) alloys are laminated on the substrate 200 on which the light emitting layers 280a and 280b are formed to form the first upper electrodes 290a And a second upper electrode 290b is formed in the front emission region II.

여기서, 배면발광 영역(I)의 제 1 하부전극(250a)과 제 1 발광층(280a) 사이에 정공수송층 또는 정공주입층을 더 형성할 수 있고, 제 1 발광층(280a)과 제 1 상부전극(290a) 사이에는 전자수송층 또는 전자주입층을 더 형성할 수 있다.A hole transporting layer or a hole injecting layer may be further formed between the first lower electrode 250a of the back emission region I and the first emission layer 280a and the first emission layer 280a and the first upper electrode 290a, an electron transporting layer or an electron injecting layer may be further formed.

또한, 전면발광 영역(II)의 제 2 하부전극(270)과 제 2 발광층(280b) 사이에 정공수송층 또는 정공주입층을 더 형성할 수 있고, 제 2 발광층(280b)과 제 2 상부전극(290b) 사이에는 전자수송층 또는 전자주입층을 더 형성할 수 있다.A hole transporting layer or a hole injecting layer may be further formed between the second lower electrode 270 of the front emission region II and the second emission layer 280b and the second emission layer 280b and the second upper electrode 290b may further include an electron transporting layer or an electron injecting layer.

이어, 도 3f를 참조하면, 배면발광 영역(I)의 제 1 상부전극(290a)이 형성된 기판(200) 상에 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 어느 하나를 적층하여 제 1 반사막(295)을 형성한다. Referring to FIG. 3F, on the substrate 200 on which the first upper electrode 290a of the bottom emission region I is formed, silver (Ag), aluminum (Al), nickel (Ni) And a first reflective film 295 is formed.

따라서, 기판(200) 상에 배면발광이 가능한 제 1 발광소자와 전면발광이 가능한 제 2 발광소자를 포함하는 유기전계발광표시장치를 완성한다.Thus, an organic light emitting display device including a first light emitting device capable of emitting light on the back surface and a second light emitting device capable of emitting light on the front surface is completed on the substrate 200.

상기와 같은 공정을 통해 제조된 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 하나의 화소 영역 내에 배면발광이 가능한 제 1 발광소자 및 전면발광이 가능한 제 2 발광소자를 형성할 수 있다.The organic light emitting display according to an embodiment of the present invention manufactured through the above-described process may form a first light emitting device capable of emitting light in a backlight mode and a second light emitting device capable of emitting a front light in one pixel region.

상기 제 1 발광소자는 투명한 제 1 하부전극, 발광층, 제 1 상부전극 및 제 1 반사막이 순차적으로 적층되어, 발광층에서 취출되는 빛이 상부의 제 1 반사막에 의해 반사되어 기판이 위치하는 배면으로 나아가게 되어 배면발광을 구현할 수 있다. 또한, 상기 제 2 발광소자는 제 2 하부전극 하부에 제 2 반사막이 위치함으로써, 발광층에서 취출되는 빛이 제 2 상부전극이 위치하는 전면으로 나아가게 되어 전면발광을 구현할 수 있다.The first light emitting device includes a transparent first lower electrode, a light emitting layer, a first upper electrode, and a first reflective layer sequentially laminated so that light emitted from the light emitting layer is reflected by the upper first reflective layer, So that the back emission can be realized. In addition, since the second reflective layer is disposed under the second lower electrode of the second light emitting device, the light emitted from the light emitting layer is directed to the front surface where the second upper electrode is located, thereby realizing the front emission.

또한, 종래 양면발광을 구현하기 위한 유기전계발광표시장치는 전면발광 영역과 배면발광 영역의 하부 전극을 서로 다르게 형성해야 하기 때문에, 전면발광 영역 및 배면발광 영역의 하부 전극을 각각 따로 형성하여 공정이 복잡하였지만, 본 발명의 일 실시 예에서는 전면발광 영역 및 배면발광 영역의 하부 전극을 동시에 형성함으로써, 공정이 단순화될 수 있는 이점이 있다.In addition, since the lower electrodes of the front emission region and the back emission region are formed differently from each other, the lower electrodes of the front emission region and the back emission region are separately formed, However, in an embodiment of the present invention, the lower electrodes of the front emission region and the rear emission region are formed at the same time, which simplifies the process.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은 서로 다른 표시부에 동일 또는 상이한 화상을 표시할 수 있는 양면발광형 유기전계발광표시장치를 제공할 수 있는 이점이 있다.Accordingly, an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can provide a double-sided light emitting organic light emitting display device capable of displaying the same or different images on different display portions.

또한, 제조공정을 단순화하여 제조수율을 높이고, 제조원가를 절감할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 제공할 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof can be provided which can simplify the manufacturing process to increase the manufacturing yield and reduce the manufacturing cost.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명의 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은 개별 구동이 가능한 양면발광형 유기전계발광표시장치를 제공할 수 있고, 유기전계발광표시장치의 제조공정을 단순화하여 제조수율을 높이고, 제조원가를 절감할 수 있는 이점이 있다.As described above, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same of the present invention can provide a double-sided light emitting organic light emitting display device capable of individually driving, simplifying the manufacturing process of the organic light emitting display device, And the manufacturing cost can be reduced.

Claims (10)

두 개의 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원라인에 의해 정의되며, 배면발광 영역 및 전면발광 영역을 포함하는 화소 영역을 포함하는 기판;A substrate including a pixel region defined by two scan lines, a data line, and a power source line, the pixel region including a bottom emission region and a top emission region; 상기 배면발광 영역 및 전면발광 영역에 각각 위치하며, 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 다수개의 박막 트랜지스터; 및A plurality of thin film transistors located in the bottom emission region and the top emission region and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; And 상기 박막 트랜지스터와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 배면발광 영역에 위치하는 제 1 발광소자 및 상기 전면발광 영역에 위치하는 제 2 발광소자를 포함하며, And a second light emitting device electrically connected to the thin film transistor, the first light emitting device being located in the bottom emission region and the second light emitting device being located in the top emission region, 상기 제 1 발광소자는 제 1 하부전극, 제 1 발광층, 제 1 상부전극 및 제 1 반사막을 포함하고,The first light emitting device includes a first lower electrode, a first light emitting layer, a first upper electrode, and a first reflective layer, 상기 제 2 발광소자는 투명도전막, 제 2 반사막, 제 2 하부전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부전극을 포함하고, 상기 투명도전막 상에 상기 제 2 반사막이 위치하고, 상기 제 2 반사막 상에 상기 제 2 하부전극이 위치하고,Wherein the second light emitting device includes a transparent conductive film, a second reflective film, a second lower electrode, a second light emitting layer, and a second upper electrode, wherein the second reflective film is positioned on the transparent conductive film, 2 lower electrode is positioned, 상기 배면발광 영역에 위치하는 상기 제 1 하부전극은 상기 배면발광 영역에 위치하는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 직접 연결되며, 상기 전면발광 영역에 위치하는 상기 투명도전막은 상기 전면발광 영역에 위치하는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 직접 연결되며, The first lower electrode positioned in the bottom emission region is electrically connected directly to the thin film transistor located in the bottom emission region, and the transparent conductive film positioned in the front emission region is connected to the thin film transistor Directly connected to the transistor electrically, 상기 제 1 하부전극과 상기 투명도전막은 동일층에서 동일물질로 형성되는 유기전계발광표시장치.Wherein the first lower electrode and the transparent conductive film are formed of the same material in the same layer. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극은 ITO, IZO 또는 ITZO인 유기전계발광표시장치.Wherein the first lower electrode and the second lower electrode are ITO, IZO, or ITZO. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘-은(MgAg) 합금인 유기전계발광표시장치.Wherein the first upper electrode and the second upper electrode are magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium-silver (MgAg) alloy. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 반사막 및 제 2 반사막은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 이들의 합금인 유기전계발광표시장치.Wherein the first reflective film and the second reflective film are made of silver (Ag), aluminum (Al), nickel (Ni), or an alloy thereof. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 발광층 및 제 2 발광층과 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극 사이에 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함하고, 상기 제 1 발광층 및 제 2 발광층과 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극 사이에 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함하는 유기전계발광표시장치.And a hole injection layer or a hole transport layer between the first light emitting layer and the second light emitting layer and between the first lower electrode and the second lower electrode. The first light emitting layer, the second light emitting layer, the first upper electrode, And an electron transport layer or an electron injection layer. 배면발광 영역 및 전면발광 영역을 포함하는 화소 영역을 포함하는 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 다수개의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;Forming a plurality of thin film transistors including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on a substrate including a pixel region including a bottom emission region and a top emission region; 상기 기판 상의 배면발광 영역 및 전면발광 영역 전면에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 각각 연결되는 제 1 투명도전층을 적층하는 단계;Depositing a first transparent conductive layer, which is electrically connected to the drain electrode, on the front emission region and the front emission region of the substrate; 상기 제 1 투명도전층 상에 반사층을 적층하는 단계;Stacking a reflective layer on the first transparent conductive layer; 상기 반사층 상에 제 2 투명도전층을 적층하는 단계;Laminating a second transparent conductive layer on the reflective layer; 상기 제 1 투명도전층, 반사층 및 제 2 투명도전층을 패터닝하여 상기 전면발광 영역에 투명도전막, 제 2 반사막 및 제 2 하부전극을 형성하는 단계;Patterning the first transparent conductive layer, the reflective layer, and the second transparent conductive layer to form a transparent conductive layer, a second reflective layer, and a second lower electrode in the front emission region; 상기 전면발광 영역의 투명도전막, 제 2 반사막 및 제 2 하부전극을 제외한 상기 배면발광 영역의 반사층 및 제 2 투명도전층을 제거하여, 배면발광 영역에 제 1 하부전극을 형성하는 단계, 상기 투명도전막 및 상기 제 1 하부전극은 동일 공정에서 동일물질로 형성되고;Removing the reflective layer and the second transparent conductive layer of the bottom emission region except for the transparent conductive film, the second reflective film, and the second lower electrode in the front emission region to form a first lower electrode in the back emission region, The first lower electrode is formed of the same material in the same process; 상기 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극의 일정 영역을 노출시키는 뱅크층을 형성하는 단계;Forming a bank layer exposing a predetermined region of the first lower electrode and the second lower electrode; 상기 노출된 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극 상에 발광층을 형성하는 단계;Forming a light emitting layer on the exposed first lower electrode and the exposed second lower electrode; 상기 발광층 상에 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극을 형성하는 단계; 및Forming a first upper electrode and a second upper electrode on the light emitting layer; And 상기 제 1 상부전극 상에 제 1 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.And forming a first reflective layer on the first upper electrode. 제 6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극은 ITO, IZO 또는 ITZO인 유기전계발광표시장치의 제조방법.Wherein the first lower electrode and the second lower electrode are made of ITO, IZO or ITZO. 제 6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘-은(MgAg) 합금인 유기전계발광표시장치의 제조방법.Wherein the first upper electrode and the second upper electrode are magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium-silver (MgAg) alloy. 제 6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제 1 반사막 및 제 2 반사막은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 이들의 합금인 유기전계발광표시장치의 제조방법.Wherein the first reflective film and the second reflective film are made of silver (Ag), aluminum (Al), nickel (Ni), or an alloy thereof. 제 6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제 1 발광층 및 제 2 발광층과 제 1 하부전극 및 제 2 하부전극 사이에 정공주입층 또는 정공수송층을 형성하고, 상기 제 1 발광층 및 제 2 발광층과 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극 사이에 전자수송층 또는 전자주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.A hole injecting layer or a hole transporting layer is formed between the first and second light emitting layers and between the first and second lower electrodes and between the first and second light emitting layers and between the first and second upper electrodes, And forming an electron transporting layer or an electron injection layer on the organic light emitting layer.
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