KR101862771B1 - 텍스타일 기반 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

텍스타일 기반 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법 Download PDF

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임지영
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Abstract

본 발명은 웨어러블 기기 전력공급원 적용을 위한 텍스타일 기반 페로브스카이트(perovskite) 태양전지 구조 설계와 이의 적층 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 텍스타일에 방수성 및 공정성을 부여하는 PU 코팅층, 전극 및 정공 전달층인 PEDOT:PSS층, 광활성층인 페로브스카이트 물질(CH3NH3PbI3)층, 전자수송층인 PCBM층, Ag 또는 Au로 구성된 상대전극층으로 적층하여 텍스타일 기반 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 방법, 및 이런 제조 방법으로 제조된 텍스타일 기판 상에 기능성 물질들이 적층된 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지에 관한 것이다.

Description

텍스타일 기반 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법{Textile-based perovskite solar cell and its manufacturing method}
본 발명은 기존의 단단한(rigid) 기판의 태양전지나 고분자 필름 기판의 플렉서블 태양전지에서 진일보하여 웨어러블 기기 및 스마트 텍스타일 제품 적용을 목적으로 한 텍스타일 기반 페로브스카이트(perovskite) 태양전지의 구조 설계와 적층 및 제조 방법에 대한 발명으로서, 일반적인 텍스타일을 태양전지의 기판 역할로 사용하고 텍스타일 기판 상에 기능성 물질들을 적층하여 제조된 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지에 대한 것이다.
태양전지는 태양광으로부터 전기에너지를 생산하는 장치로써 실리콘, 반도체, 폴리머, 염료감응형 태양전지 등이 이미 개발되어 널리 활용되고 있다. 제품화된 태양전지의 대부분은 딱딱한 평면 기판에 제조된 태양전지이며, 최근 수년간 고분자 필름을 기판으로 한 플렉서블 태양전지의 개발이 이루어져 새로이 산업을 주도하는 시점에 있다.
웨어러블 기기, 스마트 텍스타일, IoT 기반 기술의 발전으로 플렉서블 태양전지의 수요가 증가하고 있지만, 기존의 플렉서블 태양전지는 필름이라는 형태적인 한계로 인해 웨어러블 기기, 스마트 텍스타일 등과의 커넥팅에 한계점을 드러내고 있다. 또한, 여가 생활에 대한 중요도가 높아지는 시대적 흐름으로 레져, 스포츠 등의 야외 활동이 활발해지며 웨어러블 기기 및 스마트 텍스타일에 대한 수요도는 더욱 성장할 것으로 예측된다. 이뿐 아니라 100세 시대, 초고령화 사회의 도래로 안전, 케어에 대한 수요도 증가하는 시점에서 태양광으로부터 변환된 에너지를 전원으로 이용하여 인체 주변 상황 및 안전에 대한 진단이 가능하게 하는 케어 제품 산업의 발전 역시 예상이 가능하다.
상기 언급한 제품군 및 텍스타일 기반의 태양전지가 요구되는 분야는 그 시장이 빠른 속도로 성장하고 있지만 이에 반해 텍스타일 기반 태양전지, 에너지 하베스팅 기술이 상업화한 바는 전무하다 할 수 있다.
텍스타일 또는 섬유형의 태양전지 구조와 그에 대한 적층 및 제조 방법에 관한 선행문헌 중 출원번호 제 10-2012-0002517호의 “섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 섬유형 태양전지”의 경우 고분자 또는 금속의 유연기판 상에 투명전극, N형 전도막, 광활성층, P형 전도막, 금속전극을 차례로 적층하고 이를 절단(Slitting, cutting)하여 섬유형으로 직조하여 제조한 섬유형 태양전지에 관한 것이다. 그러나 해당 선행문헌은 광활성층으로서 페로브스카이트 물질에 대한 언급이 없으며, 일반적인 텍스타일 상에 태양전지를 제조한 것이 아니고 제조된 태양전지를 절단하여 직조함으로써 섬유형의 태양전지를 제조한 것이다.
또한, 선행문헌 중 출원번호 제 10-2013-0004959호의 “섬유편조를 이용한 염료감응형 태양전지”의 경우 금속와이어 외표면에 상대전극이 형성되고, 이를 심재로 하고 그 외부에 편조되는 절연체 와이어, 이의 외부에 광전극 금속와이어로 구성된 섬유편조물과, 상기 섬유편조물과 전해질이 충전된 투명 실링부재를 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다. 그러나 해당 선행문헌은 광활성층으로서 페로브스카이트를 사용하지 않았으며, 기판을 섬유로 사용한 것 외에 일반적인 염료감응형 태양전지의 구조 설계와 구조 형성 방법을 사용하여 금속 사형태의 태양전지를 제조한 것이다.
기술적인 측면에서 기존의 단단한(rigid) 기판의 태양전지나 고분자 필름 기판의 플렉서블 태양전지는 그 구조와 형태적인 한계로 인해 웨어러블 기기 및 스마트 텍스타일 제품의 소재와의 커넥팅에 있어 그 한계가 있다. 또한, 염료감응형 태양전지의 경우 액체 전해질 사용 시 누액 문제로 효율 저하를 야기할 수 있으며, 고분자 태양전지는 내구성 및 공정성이 낮아서 텍스타일 기반 태양전지에 적용하는데 난점이 있다. 경제적 측면으로는 기존 태양전지에 사용되는 소재들의 높은 단가 및 복잡한 공정으로 인해 가격 경쟁력이 낮다.
이에 본 발명자들은 웨어러블 기기 전력공급원 적용에 있어서 야기되는 종래 태양전지의 커넥팅, 효율성, 내구성 및 공정성에 대한 문제점을 해결하기 위해 노력한 결과, 일반적인 텍스타일을 태양전지의 기판 역할로 사용하고 텍스타일 기판 상에 기능성 물질들을 간단한 용액공정을 통해 적층하여 제조된 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지를 제조함으로써 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 웨어러블 기기 전력공급원 적용을 위한 텍스타일 기반 페로브스카이트(perovskite) 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
텍스타일 기판;
상기 텍스타일 기판 상에 폴리우레탄(Polyurethane, PU) 코팅 층;
상기 PU 코팅 층 상에 전극 및 정공 전달 층인 PEDOT:PSS 층;
상기 PEDOT:PSS 층 상에 광활성 층인 페로브스카이트 물질 층;
상기 페로브스카이트 물질 층 상에 전자수송층인 PCBM 층; 및
상기 PCBM 층 상에 상대전극 층인 Ag 또는 Au 층;
을 포함하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지를 제공한다.
또한, 본 발명은
i) 텍스타일 기판 상에 폴리우레탄(Polyurethane, PU)을 코팅시켜 PU 층을 형성하는 단계;
ii) 상기 PU 층 상에 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS로 코팅하여 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS 층을 형성하는 단계;
iii) 상기 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS 층 상에 광활성 층인 페로브스카이트 물질을 스핀 코팅한 후 열처리하여 페로브스카이트 물질 층을 형성하는 단계;
iv) 상기 페로브스카이트 물질 층 상에 PCBM을 스핀 코팅한 후 열처리하여 PCBM 층을 형성하는 단계; 및
v) 상기 PCBM 층 상에 Ag 또는 Au 전극을 열 증착하여 Ag 또는 Au 전극 층을 형성하는 단계;
를 포함하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 웨어러블 기기 및 스마트 텍스타일의 전력공급원 적용을 위해 텍스타일 기반 페로브스카이트 태양전지의 구조 설계 및 제조함으로써 웨어러블 기기 및 스마트 텍스타일 등에 전력공급원으로 적용할 수 있다.
고분자 필름 기판의 플렉서블 태양전지는 유연하다는 장점은 있지만, 의류, 웨어러블 기기 소재와의 커넥팅에 있어 그 한계점을 가지는 반면, 본 발명의 텍스타일을 기반으로 하는 태양전지의 경우, 일반적인 텍스타일 소재 상에 적층 형식으로 제조되기 때문에 의류 제품과의 스마트 텍스타일, 웨어러블 기기 등 무선 모바일 전자기기와의 커넥팅이 매우 용이하며 사용 환경에서 배터리 충전을 보완하고, 나아가서는 원하는 곳에 전력원으로 활용 가능한 혁신성을 가지고 있다.
또한, 본 발명의 적용 제품은 야외 활동에서 유용성이 높아 레져, 스포츠를 포함한 인체 생활의 활성화가 기대되며, 태양광으로부터 변환된 에너지로부터 인체 주변 상황 및 안전에 대한 진단이 가능해짐으로써 건강을 위한 생활 방식 개선에 장려, 기여 효과가 크다.
도 1은 본 발명의 웨어러블 기기 전력공급원 적용을 위한 텍스타일 기반 페로브스카이트(perovskite) 태양전지의 구조 모식도를 나타낸 그림이다.
도 2는 본 발명의 페로브스카이트 태양전지의 적층 공정 중 전극 및 정공 전달층인 PEDOT:PSS 층까지 적층된 상태에서의 (a) 단면 및 (b) 표면의 FE-SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 페로브스카이트 태양전지의 적층 공정 중 광활성층인 페로브스카이트 물질층까지 적층된 상태에서의 (a) 광학 이미지(optical image), (b, c) 전계방사 전자현미경 이미지(FE-SEM image)이며, (d) X-선회절 분석법(XRD) 분석을 통해 표면에 적층된 페로브스카이트 물질의 결정 피크 분석 결과를 나타낸 사진 및 그림이다.
도 4는 본 발명의 텍스타일 기반 페로브스카이트 태양전지의 완성된 형태와 그때의 J-V curve 분석 결과를 나타낸 사진 및 그림이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 일반적인 텍스타일을 태양전지의 기판 역할로 사용하고 텍스타일 기판 상에 기능성 물질들을 적층한 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지를 제공한다.
구체적으로, 본 발명은
텍스타일 기판;
상기 텍스타일 기판 상에 폴리우레탄(Polyurethane, PU) 코팅 층;
상기 PU 코팅 층 상에 전극 및 정공 전달 층인 PEDOT:PSS 층;
상기 PEDOT:PSS 층 상에 광활성 층인 페로브스카이트 물질 층;
상기 페로브스카이트 물질 층 상에 전자수송층인 PCBM 층; 및
상기 PCBM 층 상에 상대전극 층인 Ag 또는 Au 층;
을 포함하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지를 제공한다.
상기 기판 역할의 텍스타일은 면 등의 천연섬유나 나일론, 폴리에스터 등의 합성섬유 등 섬유의 종류와 형태에 관계없이 사용할 수 있다.
상기 층들은 바 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 또는 열증착 등 다양한 방법으로 코팅할 수 있다.
상기 PU 코팅 층은 보다 평평한 기질 표면(substrate surface)를 얻기 위함과 이어질 용액 공정을 위한 것으로써 방수성 및 공정성을 부여한다.
상기 PU가 코팅된 텍스타일 상에 용액 공정으로 바 코팅, 스핀코팅, 스프레이 코팅, 열증착 등의 코팅법을 사용하여 PEDOT:PSS/CNT 층을 전극 및 정공 전달층으로 형성한다.
일반적인 페로브스카이트 태양 전지(perovskite solar cell)의 경우 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 또는 플루오린 적하 주석 산화물(fluorine-doped thin oxide, FTO)를 애노드 물질(anode material)로 주로 사용하여 매우 높은 온도에서 소결(sintering) 공정을 거치지만, 텍스타일 기반 태양전지의 경우에는 높은 온도의 소결 공정을 섬유가 견딜 수 없기 때문에 ITO나 FTO 대신 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)(PEDOT:PSS, PH1000)을애노드로 사용한다. PEDOT:PSS는 낮은 온도에서 PU층에 여러 가지 방법으로 적층 가능하다.
상기 전극 및 정공 전달층은 PEDOT:PSS에 단일벽 탄소나노튜브(single walled carbon nanotube, SWCNT)을 혼합한 PEDOT:PSS/CNT 층을 사용할 수 있고, PEDOT:PSS/CNT 층의 시트 저항은 약 60 Ω/□이고, 이는 CNT가 없는 PEDOT:PSS와 비교하여 약 40% 향상된 값을 나타낼 수 있다.
상기 전극 및 정공 전달층은 전도성이 높은 PEDOT:PSS/CNT 층 위에 저 전도성의 PEDOT:PSS 층을 코팅하여 복합 애노드 층을 형성함으로써, 비정상적인 캐리어 이동과 결과적으로 장치의 단락을 방지하고, 표면을 더욱 부드러워지게 하며, 결함 부위의 핀홀을 덮을 수 있다
상기 페로브스카이트 물질 층은 400 내지 1200 nm의 두께인 것이 바람직하고, 600 내지 1000 nm의 두께인 것이 더욱 바람직하며, 이는 두꺼운 페로브스카이트 층이 높은 VOC, JSC 및 FF 값에 기인하여 향상된 태양광 전환 효율을 나타낼 수 있다.
상기 페로브스카이트 물질 층은 두께가 두꺼울수록 페로브스카이트가 빛을 많이 흡수할 수 있어 생성되는 전자의 수가 많아지기 때문에 효율향상에 유리한 반면, 전자의 확산 길이보다 페로브스카이트 두께가 길어지면 전자가 전극으로 원활히 이동하지 못하고 전자 재결합이 일어나서 효율이 낮아진다. 따라서 본 발명에 따른 태양전지 구조에서 페로브스카이트의 두께는 400-1200nm 두께가 바람직하며, 600-1000nm의 두께가 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명은 텍스타일에 방수성 및 공정성을 부여하는 PU 코팅층, 전극 및 정공 전달 층인 PEDOT:PSS층, 광활성 층인 페로브스카이트 물질(CH3NH3PbI3)층, 전자수송 층인 PCBM층, 상대전극 층인 Ag 또는 Au로 구성되도록, 바 코팅, 스핀코팅 또는 열증착 등의 코팅법으로 순차적으로 적층하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법을 제공한다.
구체적으로, 본 발명은
i) 텍스타일 기판 상에 폴리우레탄(Polyurethane, PU)을 코팅시켜 PU 층을 형성하는 단계;
ii) 상기 PU 층 상에 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS로 코팅하여 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS 층을 형성하는 단계;
iii) 상기 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS 층 상에 광활성 층인 페로브스카이트 물질을 스핀 코팅한 후 열처리하여 페로브스카이트 물질 층을 형성하는 단계;
iv) 상기 페로브스카이트 물질 층 상에 PCBM을 스핀 코팅한 후 열처리하여 PCBM 층을 형성하는 단계; 및
v) 상기 PCBM 층 상에 Ag 또는 Au 전극을 열 증착하여 Ag 또는 Au 전극 층을 형성하는 단계;
를 포함하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법을 제공한다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 i)의 텍스타일은 면 등의 천연섬유나 나일론, 폴리에스터 등의 합성섬유 등 섬유의 종류와 형태에 관계없이 사용할 수 있다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 i)의 PU 층의 경우, 일반적인 텍스타일에 친수성(Hydrophilic)한 성질 부여를 통한 공정성 확보와 방수성을 부여하고 표면을 평평하게 만들기 위해 적층하였으며, 얇은 두께의 박막만으로도 그 기능이 충분히 주어지기 때문에 두께가 너무 두꺼울 필요는 없다. 그러나 PU 층의 두께가 매우 얇을 경우, 텍스타일의 요철에 의해 매끄러운 표면을 형성할 수 없어 충분한 두께가 필요하다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 ii)의 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS는 1 내지 5 μm의 두께로 코팅하는 것이 바람직하고, 3 내지 5 μm의 두께로 코팅하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 따른 태양전지 구조에서는 애노드 층의 투명성이 필요하지 않기 때문에 투명성을 위하여 최대한 얇게 하려는 시도 보다는 전도도가 충분한 정도의 두께가 필요한 반면, 너무 두꺼운 경우 강성(rigidity)이 커져서 스트레쳐블, 플렉서블한 기판과의 상용성이 떨어지고 외부 충격에 크랙(crack)이 생길 수 있어서 절충적인 두께를 형성하는 것이 필요하다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 ii)에서 전도성이 높은 PEDOT:PSS/CNT 층 위에 저 전도성의 PEDOT:PSS 층을 코팅하여 복합 애노드 층을 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 iii)에서 페로브스카이트 물질 층은
a) CH3NH3I·PbI2·DMSO 용액을 제조하는 단계;
b) CH3NH3I·PbI2·DMSO 용액을 애노드층 위에 스핀 코팅하는 단계;
c) 디에틸 에테르를 적하하는 단계; 및
d) 60 내지 100℃에서 가열하는 단계;를 포함하는 방법으로 필름을 형성할 수 있다.
상기 페로브스카이트 물질 층은 400 내지 1200 nm의 두께인 것이 바람직하고, 600 내지 1000 nm의 두께인 것이 더욱 바람직하다.
상기 페로브스카이트 물질 층은 두께가 두꺼울수록 페로브스카이트가 빛을 많이 흡수할 수 있어 생성되는 전자의 수가 많아지기 때문에 효율향상에 유리한 반면, 전자의 확산 길이보다 페로브스카이트 두께가 길어지면 전자가 전극으로 원활히 이동하지 못하고 전자 재결합이 일어나서 효율이 낮아진다. 따라서 본 발명에 따른 태양전지 구조에서 페로브스카이트의 두께는 400-1200nm 두께가 바람직하며, 600-1000nm의 두께가 더욱 바람직하다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 iv)의 PCBM 층의 두께는 일반적인 페로브스카이트 태양전지에 이용되는 PCBM 층의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.
상기 제조 방법에 있어서, 단계 v)의 상대전극 층의 경우, 본 발명에 따른 태양전지는 기존 태양전지의 역구조로 설계되어 상대전극 층 방향에서 태양광을 받아들이므로 효율 극대화를 위해 상대전극 층은 투명한 상태여야 하며, 따라서 기존의 다른 태양전지와 달리 매우 얇은 5 nm 정도의 두께로 적층하여 투명한 상대전극을 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 실시예 및 실험예에 의해 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> 페로브스카이트 태양전지의 제조
텍스타일에 방수성 및 공정성을 부여하는 PU 코팅층, 전극 및 정공 전달층인 PEDOT:PSS층, 광활성층인 페로브스카이트 물질(CH3NH3PbI3)층, 전자수송층인 PCBM층, 상대전극층인 Ag 또는 Au로 구성되도록, 바 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 또는 열증착 등의 코팅법으로 적층하여 제조하였다.
구체적으로, 폴리우레탄(Polyurethane, PU)을 종이 전사법(paper transfer method)(R/P lamination)을 통해 텍스타일로서 폴리에스테르 새틴(polyester satin) 원단 위에 PU 코팅층을 형성시켰다.
그런 다음, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌 설포네이트)[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)](PEDOT:PSS, PH1000)을 애노드(anode)로 사용하여 PU 층에 적층하였다. 2 중량%의 단일벽 탄소나노튜브(single walled carbon nanotube, SWCNT)을 PEDOT:PSS와 혼합한 후, 뚜렷한 핀홀이나 결함 부위 없이 5 μm 이하의 두께로 얇은 층의 PEDOT:PSS/CNT 층을 코팅하였다. 층의 시트 저항은 60 Ω/□이었고, 이는 CNT가 없는 PEDOT:PSS와 비교하여 40% 향상된 값이었다.
그런 다음, 복합 애노드 층의 표면 특성을 더욱 향상시키기 위해, 전도성이 높은 PEDOT:PSS/CNT 층 위에 저 전도성의 PEDOT:PSS(AI4083) 층을 코팅하여 비정상적인 캐리어 이동과 결과적으로 장치의 단락을 방지하였다. 저 전도성의 PEDOT:PSS가 PEDOT:PSS/CNT 층 위에 코팅됨에 따라 표면이 더욱 부드러워졌으며, 복합 애노드 층의 결함 부위의 핀홀의 가능성을 덮을 수 있었다.
그런 다음, 600 mg의 DMF 용액에 461 mg의 PbI2, 159 mg의 CH3NH3I, 및 78 mg의 DMSO(몰랄 비율 1:1:1)을 실온에서 혼합한 후 1시간 동안 저어서 CH3NH3IPbI2DMSO 부가 용액을 제조한 다음, 완전히 용해된 용액을 PEDOT:PSS 층 위에 4000 rpm으로 25초간 스핀-코팅하고, 0.5 ml의 디에틸 에테르를 10초 동안 회전 기판 상에 적하하여 DMF의 빠른 기화에 의한 표면 탁화를 방지하였다. 투명한 CH3NH3IPbI2 부가 필름은 65℃에서 1분간, 100℃에서 2분 간 가열하여 치밀한 CH3NH3IPbI2 필름을 획득하였다.
그런 다음, PCBM(2 wt% in chlorobenzene)을 2000 rpm으로 스핀-코팅으로 코팅한 후 80℃에서 10분 간 열처리하였다.
마지막으로, Ag 또는 Au 전극을 열 증착기(thermal evaporator)를 사용하여 0.03 nm/s의 일정한 증착 속도로 증착하였다.
< 실험예 1> 페로브스카이트 태양전지의 적층 공정 중 이미지 및 구조 분석
텍스타일(polyester satin) 위에 PU와 PEDOT:PSS:CNT 층을 적층한 후 단면(a, 배율 100배)과 표면(b, 배율 200배)을 FE-SEM(SU-8010, Hitachi)을 이용하여 FE-SEM 이미지를 분석하였다.
그 결과, 도 2에 나타낸 바와 같이, 일반적인 텍스타일에 폴리우레탄과 PEDOT:PSS:CNT 층이 잘 적층되어 있는 것을 확인하였다(도 2).
또한, 광활성층인 페로브스카이트 물질층까지 적층된 상태에서의 (a) 광학 현미경(IMS-345, SOMETECH)을 이용한 광학 이미지(optical image), (b, c) FE-SEM(SU-8010, Hitachi)을 이용한 FE-SEM image)이미지, (d) X-선회절 분석법(XRD) 분석을 통한 결정 피크를 각각 분석하였다.
그 결과, 도 3에 나타낸 바와 같이, 표면에 적층된 페로브스카이트 결정(crystal)이 매우 잘 형성되었음을 확인하였다(도 3).
< 실험예 2> 페로브스카이트 태양전지의 태양광 전환 효율 측정
완성된 텍스타일 기반 태양전지의 효율을 확인하기 위해, J-V curve 분석을 수행하였다.
측정 방법은 모의 태양광(Solar Simulator)으로 실제 지구로 들어오는 태양광과 유사한 빛을 태양전지에 일정한 에너지로 조사하고 I-V 곡선(curve) 측정기로 측정하였다. 측정 원리는 빛을 받았을 때 태양 전지에 생기는 전류를 외부 저항이 없을 때부터 역으로 전압을 걸어 전류가 0이 되는 시점까지 측정하여 그래프를 얻는다. 그리고 정해진 전지(cell) 면적으로 전류 값을 나누어 전류 밀도로 환산한다. 태양전지의 변환 효율은 입사 전력에 대해 출력에 나타나는 최대 전력 에너지의 비를 말한다.일정한 에너지로 조사하였으므로 최대 출력으로 효율을 비교할 시 Voc*Jsc*FF로 계산할 수 있다.
페로브스카이트의
두께 [nm]		 Voc
[V]		 Jsc
[mA/cm2]		 FF PCE
[%]
400 0.28 1.66 0.18 0.08
600 0.51 8.42 0.35 1.53
개방 회로 전압(open-circuit voltage, Voc): 회로 개방 전압으로 무한대의 저항이 걸린 상태에서 빛을 받았을 때 태양전지의 양단에 형성되는 전위차.
단락 전류 밀도(Short-circuit current density, Jsc): 회로 단락 전류 밀도로 회로가 단락된 상태, 즉 외부저항이 없는 상태에서 빛을 받았을 때 나타나는 전류를 cell의 면적으로 나눈 값.
충전율(Fill factor, FF): 최대 전력 점에서의 전류 밀도와 전압 값의 곱을 Voc와 Jsc의 곱으로 나눈 값으로, 즉, 최대 전력을 개방 전압과 단락 전류로 나눈 값. 충전율은 빛이 가해진 상태에서 I-V 곡선의 모양이 사각형에 얼마나 가까운가를 나타냄.
그 결과, 표 1 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 페로브스카이트를 400 nm의 두께로 코팅한 경우 장치 성능은 0.1 % 미만으로 매우 낮았으며 600 nm 두께로 코팅한 경우 0.51 V의 개방 회로 전압(VOC)으로 1.53 %의 전력 변환 효율(PCE), 단락 전류 밀도(JSC)는 8.42 mA/cm2, 충전 인자(FF)는 0.35이다. 두꺼운 페로브스카이트 층이 향상된 PCE를 나타내었으며 이는 높은 VOC, JSC 및 FF 값에 기인한 것이다(표 1 및 도 4).

Claims (11)

  1. 텍스타일 기판;
    상기 텍스타일 기판 상에 폴리우레탄(Polyurethane, PU) 코팅 층;
    상기 PU 코팅 층 상에 전극 및 정공 전달 층인 PEDOT:PSS 층;
    상기 PEDOT:PSS 층 상에 광활성 층인 페로브스카이트 물질 층;
    상기 페로브스카이트 물질 층 상에 전자수송층인 PCBM 층; 및
    상기 PCBM 층 상에 상대전극 층인 Ag 또는 Au 층;
    을 포함하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 텍스타일은 천연섬유 또는 합성섬유인 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 층들은 바 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 또는 열증착으로 적층하는 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전극 및 정공 전달층은 PEDOT:PSS에 단일벽 탄소나노튜브(single walled carbon nanotube, SWCNT)을 혼합한 PEDOT:PSS/CNT 층인 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전극 및 정공 전달층은 PEDOT:PSS/CNT 층 위에 PEDOT:PSS 층을 코팅한 복합층인 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 페로브스카이트 물질 층은 400 내지 1200 nm의 두께인 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지.
  7. i) 텍스타일 기판 상에 폴리우레탄(Polyurethane, PU)을 코팅시켜 PU 층을 형성하는 단계;
    ii) 상기 PU 층 상에 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS로 코팅하여 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS 층을 형성하는 단계;
    iii) 상기 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS 층 상에 광활성 층인 페로브스카이트 물질을 스핀 코팅한 후 열처리하여 페로브스카이트 물질 층을 형성하는 단계;
    iv) 상기 페로브스카이트 물질 층 상에 PCBM을 스핀 코팅한 후 열처리하여 PCBM 층을 형성하는 단계; 및
    v) 상기 PCBM 층 상에 Ag 또는 Au 전극을 열 증착하여 Ag 또는 Au 전극 층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 단계 ii)에서 PEDOT:PSS/CNT 또는 PEDOT:PSS는 1 내지 5 μm의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 단계 ii)에서 PEDOT:PSS/CNT 층 위에 PEDOT:PSS 층을 코팅한 복합층인 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 단계 iii)에서 페로브스카이트 물질 층은
    a) CH3NH3I·PbI2·DMSO 용액을 제조하는 단계;
    b) CH3NH3I·PbI2·DMSO 용액을 애노드층 위에 스핀 코팅하는 단계;
    c) 디에틸 에테르를 적하하는 단계; 및
    d) 60 내지 100℃에서 가열하는 단계;를 포함하는 방법으로 필름을 형성하는 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 단계 iii)에서 페로브스카이트 물질 층은 400 내지 1200 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 텍스타일 기반 박막형 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.


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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200049318A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 섬유 기재를 이용하는 태양전지 및 그의 제조방법
KR20210112128A (ko) * 2020-03-04 2021-09-14 한양대학교 산학협력단 산을 이용한 후처리에 기반하는 전자소자의 제조방법
CN113421974A (zh) * 2021-07-09 2021-09-21 合肥工业大学 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN117673185A (zh) * 2024-02-02 2024-03-08 西安电子科技大学 包芯纱工艺封装的叠层电池组件及制备方法、可穿戴织物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150106858A (ko) * 2014-03-12 2015-09-22 한국화학연구원 복합 페로브스카이트계 소재 및 이를 포함하는 반도체 소자
KR20170002967A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 광주과학기술원 페로브스카이트 기반 태양전지
JP2017135377A (ja) * 2016-01-22 2017-08-03 三菱ケミカル株式会社 有機薄膜太陽電池モジュール
KR101773972B1 (ko) * 2016-04-01 2017-09-04 한국과학기술연구원 플렉시블 페로브스카이트 태양전지용 전자 수송층 및 이를 이용한 플렉시블 페로브스카이트 태양전지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150106858A (ko) * 2014-03-12 2015-09-22 한국화학연구원 복합 페로브스카이트계 소재 및 이를 포함하는 반도체 소자
KR20170002967A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 광주과학기술원 페로브스카이트 기반 태양전지
JP2017135377A (ja) * 2016-01-22 2017-08-03 三菱ケミカル株式会社 有機薄膜太陽電池モジュール
KR101773972B1 (ko) * 2016-04-01 2017-09-04 한국과학기술연구원 플렉시블 페로브스카이트 태양전지용 전자 수송층 및 이를 이용한 플렉시블 페로브스카이트 태양전지

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200049318A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 섬유 기재를 이용하는 태양전지 및 그의 제조방법
KR102276605B1 (ko) * 2018-10-31 2021-07-13 한국생산기술연구원 섬유 기재를 이용하는 태양전지 및 그의 제조방법
KR20210112128A (ko) * 2020-03-04 2021-09-14 한양대학교 산학협력단 산을 이용한 후처리에 기반하는 전자소자의 제조방법
KR102379726B1 (ko) * 2020-03-04 2022-03-28 한양대학교 산학협력단 산을 이용한 후처리에 기반하는 전자소자의 제조방법
CN113421974A (zh) * 2021-07-09 2021-09-21 合肥工业大学 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN117673185A (zh) * 2024-02-02 2024-03-08 西安电子科技大学 包芯纱工艺封装的叠层电池组件及制备方法、可穿戴织物
CN117673185B (zh) * 2024-02-02 2024-05-03 西安电子科技大学 包芯纱工艺封装的叠层电池组件及制备方法、可穿戴织物

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