KR101842195B1 - Light unit and light emitting apparatus having thereof - Google Patents

Light unit and light emitting apparatus having thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101842195B1
KR101842195B1 KR1020110054222A KR20110054222A KR101842195B1 KR 101842195 B1 KR101842195 B1 KR 101842195B1 KR 1020110054222 A KR1020110054222 A KR 1020110054222A KR 20110054222 A KR20110054222 A KR 20110054222A KR 101842195 B1 KR101842195 B1 KR 101842195B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frame
light emitting
light
disposed
cavity
Prior art date
Application number
KR1020110054222A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120134957A (en
Inventor
박준석
김민철
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110054222A priority Critical patent/KR101842195B1/en
Publication of KR20120134957A publication Critical patent/KR20120134957A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101842195B1 publication Critical patent/KR101842195B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

실시 예는 라이트 유닛 및 이를 구비한 발광 장치에 관한 것이다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 제1캐비티를 갖는 몸체, 상기 제1캐비티 내에 배치된 제1발광 칩을 포함하는 복수의 발광 소자; 상기 제1캐비티 내에서 상기 제1발광 칩과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 복수의 프레임부를 포함하는 연결 프레임; 및 상기 제1캐비티로부터 이격되며, 상기 복수의 발광 소자의 몸체 내부를 관통하여 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 루프 프레임을 포함하는 라이트 유닛을 포함한다.The embodiment relates to a light unit and a light emitting device having the light unit.
A light unit according to an embodiment includes: a body having a first cavity; a plurality of light emitting elements including a first light emitting chip disposed in the first cavity; A connection frame electrically connected to the first light emitting chip in the first cavity and including a plurality of frame parts connecting between the plurality of light emitting devices; And a light unit spaced apart from the first cavity and including a loop frame passing through the inside of the plurality of light emitting devices and connecting the plurality of light emitting devices.

Description

라이트 유닛 및 이를 구비한 발광 장치{LIGHT UNIT AND LIGHT EMITTING APPARATUS HAVING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light unit,

실시 예는 라이트 유닛 및 이를 구비한 발광 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light unit and a light emitting device having the light unit.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used outside the room, a lighting device such as a liquid crystal display device, a display board, and a streetlight.

실시 예는 몸체 내에 발광 칩 및 적어도 2개의 열로 배치된 복수의 프레임을 포함하는 발광 소자를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device comprising a light emitting chip and a plurality of frames arranged in at least two rows in a body.

실시 예는 복수의 발광 소자 사이를 프레임으로 연결하여 배열한 라이트 유닛 및 이를 구비한 발광 장치를 제공한다.Embodiments provide a light unit in which a plurality of light emitting elements are connected by a frame, and a light emitting device having the light unit.

실시 예는 복수의 발광 소자를 통해 배치된 제1전도성 프레임과 상기 제1전도성 프레임의 적어도 일단부에 연결된 제2전도성 프레임을 포함하는 라이트 유닛 및 이를 구비한 발광 장치를 제공한다. An embodiment provides a light unit including a first conductive frame disposed through a plurality of light emitting elements and a second conductive frame connected to at least one end of the first conductive frame, and a light emitting device having the same.

실시 예는 복수의 발광 소자를 관통하는 루프 프레임을 구비한 라이트 유닛을 접착 부재를 이용하여 부착한 발광 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device in which a light unit having a loop frame passing through a plurality of light emitting elements is attached using an adhesive member.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 제1캐비티를 갖는 몸체, 상기 제1캐비티 내에 배치된 제1발광 칩을 포함하는 복수의 발광 소자; 상기 제1캐비티 내에서 상기 제1발광 칩과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 복수의 프레임부를 포함하는 연결 프레임; 및 상기 제1캐비티로부터 이격되며, 상기 복수의 발광 소자의 몸체 내부를 관통하여 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 루프 프레임을 포함한다. A light unit according to an embodiment includes: a body having a first cavity; a plurality of light emitting elements including a first light emitting chip disposed in the first cavity; A connection frame electrically connected to the first light emitting chip in the first cavity and including a plurality of frame parts connecting between the plurality of light emitting devices; And a roof frame spaced apart from the first cavity and passing through the inside of the plurality of light emitting devices to connect the plurality of light emitting devices.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 발광 칩을 갖는 복수의 제1발광 소자; 상기 제1발광 소자의 각 발광 칩에 연결되는 적어도 2개의 프레임부를 갖는 제1연결 프레임; 상기 복수의 제1발광 소자를 통해 배치되고 상기 제1연결 프레임으로부터 이격된 제1루프 프레임을 포함하는 제1라이트 유닛; 및A light unit according to an embodiment includes: a plurality of first light emitting elements having light emitting chips; A first connection frame having at least two frame portions connected to respective light emitting chips of the first light emitting device; A first light unit disposed through the plurality of first light emitting elements and including a first loop frame spaced apart from the first connection frame; And

발광 칩을 갖는 복수의 제2발광 소자; 상기 제2발광 소자의 각 발광 칩에 연결되는 적어도 2개의 프레임부를 갖는 제2연결 프레임; 상기 복수의 제2발광 소자를 통해 관통되고 상기 제2연결 프레임으로부터 이격된 제2루프 프레임을 포함하는 제2라이트 유닛을 포함하며, 상기 제1라이트 유닛의 제1연결 프레임과 상기 제1루프 프레임의 타 단부는 서로 연결되며, 상기 제1라이트 유닛의 제1루프 프레임과 상기 제2라이트 유닛의 제2연결 프레임의 일 단부는 서로 연결되는 발광 장치.A plurality of second light emitting elements having light emitting chips; A second connection frame having at least two frame portions connected to the light emitting chips of the second light emitting device; And a second light unit passing through the plurality of second light emitting devices and including a second loop frame spaced apart from the second connection frame, wherein the first connection frame of the first light unit and the first loop frame Wherein one end of the first loop frame of the first light unit and one end of the second connection frame of the second light unit are connected to each other.

실시 예에 따른 발광 장치는, 제1캐비티를 갖는 몸체, 상기 제1캐비티 내에 배치된 제1발광 칩을 포함하는 복수의 발광 소자; 상기 제1캐비티 내에서 상기 제1발광 칩과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 복수의 프레임부를 포함하는 연결 프레임; 및 상기 제1캐비티로부터 이격되며, 상기 복수의 발광 소자의 몸체 내부를 관통하여 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 루프 프레임을 포함하는 라이트 유닛; 상기 라이트 유닛의 발광 소자 아래에 금속 플레이트; 및 상기 복수의 발광 소자와 상기 금속 플레이트 사이에 접착 부재를 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes: a body having a first cavity; a plurality of light emitting elements including a first light emitting chip disposed in the first cavity; A connection frame electrically connected to the first light emitting chip in the first cavity and including a plurality of frame parts connecting between the plurality of light emitting devices; And a roof frame spaced apart from the first cavity, the loop unit passing through the inside of the plurality of light emitting devices and connecting the plurality of light emitting devices; A metal plate under the light emitting element of the light unit; And an adhesive member between the plurality of light emitting devices and the metal plate.

실시 예는 패키지 제조 공정을 간단하게 할 수 있다.The embodiment can simplify the package manufacturing process.

실시 예는 개별 발광 소자의 탑재하는 과정(SMT 과정)을 생략할 수 있다.Embodiments can omit the process of mounting individual light emitting devices (SMT process).

실시 예는 루프 프레임을 갖고 있어, 루프 패턴을 갖는 보드를 사용하지 않을 수 있다.The embodiment has a loop frame, and a board having a loop pattern may not be used.

실시 예는 개별 발광 소자를 배열하고 탑재하는 일련의 공정을 생략할 수 있어, 제조 시간을 단축할 수 있다.The embodiment can omit a series of steps of arranging and mounting the individual light emitting elements, thereby shortening the manufacturing time.

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting device and the light unit having the light emitting device.

실시 예는 발광 소자 간을 보드의 패턴이 아닌 자체 프레임을 이용하여 연결함으로써, 라이트 유닛 및 이를 구비한 발광 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light unit and the light emitting device having the light unit by connecting the light emitting elements using the own frame instead of the pattern of the board.

도 1은 제1실시 예에 따른 라이트 유닛의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 일 예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A 측 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 배면도이다.
도 5는 도 2의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 6은 도 2의 발광 소자의 제1측면도이다.
도 7은 도 2의 발광 소자의 제2측면도이다.
도 8의 (A)(B)는 도 2의 발광 소자의 제3측면도 및 제4측면도이다.
도 9는 제2실시 예에 따른 라이트 유닛의 평면도이다.
도 10은 도 9의 라이트 유닛의 측 단면도이다.
도 11은 도 9의 라이트 유닛의 배면도이다.
도 12 내지 제14는 제3실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 15는 제4실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 16 및 도 17은 제5실시 예에 따른 라이트 유닛 간의 결합 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 제6실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 도면이다.
도 19는 제7실시 예에 따른 도 1의 라이트 유닛을 갖는 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 20은 제8실시 예에 따른 도 1의 라이트 유닛을 갖는 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 21은 제9실시 예에 따른 도 1의 라이트 유닛을 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
도 22 및 도 23은 제10실시 예에 따른 라이트 유닛 및 이의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 24 및 도 25는 제11실시 예에 따른 라이트 유닛 및 이의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 26 및 도 27는 제12실시 예에 따른 라이트 유닛 및 이의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 28는 제13실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 29는 도 28의 라이트 유닛 간의 접속 부재를 나타낸 도면이다.
도 30은 제14실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 31 내지 도 39는 실시 예에 따른 라이트 유닛의 발광 소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 40 내지 도 46은 실시 예에 따른 발광 소자에 있어서, 방열 프레임의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 47은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 발광 소자에 탑재된 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 48은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 발광 소자에 탑재된 다른 발광 칩을 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a light unit according to the first embodiment.
2 is a plan view showing an example of the light emitting device of FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line AA in Fig.
4 is a rear view of the light emitting device of Fig.
5 is a cross-sectional view of the light-emitting device of Fig. 2 on the BB side.
FIG. 6 is a first side view of the light emitting device of FIG. 2; FIG.
FIG. 7 is a second side view of the light emitting device of FIG. 2; FIG.
8A and 8B are a third side view and a fourth side view of the light emitting device of Fig.
9 is a plan view of the light unit according to the second embodiment.
10 is a side sectional view of the light unit of Fig.
11 is a rear view of the light unit of Fig.
Figs. 12 to 14 are views showing a light unit according to the third embodiment. Fig.
15 is a view showing a light unit according to the fourth embodiment.
16 and 17 are views showing examples of coupling between the light units according to the fifth embodiment.
18 is a view showing a light emitting device according to the sixth embodiment.
19 is a cross-sectional view showing a display device having the light unit of FIG. 1 according to the seventh embodiment.
20 is a cross-sectional view showing a display device having the light unit of FIG. 1 according to the eighth embodiment.
Fig. 21 is a diagram showing a lighting apparatus having the light unit of Fig. 1 according to the ninth embodiment.
22 and 23 are views showing a light unit according to the tenth embodiment and its light emitting element.
24 and 25 are views showing a light unit according to the eleventh embodiment and its light emitting element.
26 and 27 are views showing a light unit according to the twelfth embodiment and its light emitting element.
28 is a view showing a light unit according to the thirteenth embodiment.
Fig. 29 is a view showing a connection member between the light units in Fig. 28; Fig.
30 is a view showing a light unit according to the fourteenth embodiment.
31 to 39 are views showing a modification of the light emitting element of the light unit according to the embodiment.
40 to 46 are views showing a modification of the heat radiation frame in the light emitting device according to the embodiment.
47 is a view showing a light emitting chip mounted on a light emitting element of a light unit according to the embodiment.
48 is a view showing another light emitting chip mounted on the light emitting element of the light unit according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 제1실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1의 발광 소자의 일 예를 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 2의 A-A 측 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광 소자의 배면도이며, 도 5는 도 2의 발광 소자의 B-B측 단면도이며, 도 6은 도 2의 발광 소자의 제1측면도이고, 도 7은 도 2의 발광 소자의 제2측면도이며, 도 8의 (A)(B)는 도 2의 발광 소자의 제3측면도 및 제4측면도이다.1 is a plan view showing a light unit according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in Fig. 2, Fig. 4 is a rear view of the light emitting device of Fig. 2, and Fig. 5 is a cross- 7 is a second side view of the light emitting device of Fig. 2, and Figs. 8 (A) and 8 (B) are cross-sectional side views of the light emitting device of Fig. A side view and a fourth side view.

도 1을 참조하면, 라이트 유닛(100)은 복수의 발광 소자(11:1~n)를 포함하며, 상기 복수의 발광 소자(11)는 서로 연결되도록 배열된다. 1, the light unit 100 includes a plurality of light emitting devices 11: 1 to n, and the plurality of light emitting devices 11 are arranged to be connected to each other.

상기 복수의 발광 소자(11)는 n개(n>1)가 미리 설정된 간격(T1)을 갖고 순차적으로 연결되며, 상기 각 발광 소자(1~n)는 적어도 하나의 발광부(110)를 포함한다. 상기 발광부(110)는 상기 각 발광 소자(1~n)의 센터 일측에 배치된 광 출사 영역을 포함하며, 제1방향(X)을 따라 열(row) 또는 라인 형태로 배열된다. 여기서, 상기 n은 2이상의 정수이며, 전체 구동전압(예: 110V 또는 220V)을 각 발광 칩의 구동 전압으로 나눈 개수이거나 수 개 ~ 수백 개를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광소자(11)는 전체 구동 전압 또는 개별 발광 칩의 순 방향 전압보다 적어도 2배 이상 높은 직류 전압에 의해 동작하게 된다. The plurality of light emitting devices 11 are sequentially connected with n (n> 1) with a predetermined interval T1, and each of the light emitting devices 1 to n includes at least one light emitting unit 110 do. The light emitting unit 110 includes a light emitting region disposed at one side of the center of each of the light emitting devices 1 to n and is arranged in a row or a line along the first direction X. Here, n is an integer equal to or greater than 2, and may be a number obtained by dividing the total driving voltage (for example, 110 V or 220 V) by the driving voltage of each light emitting chip, or may include several to several hundreds. The plurality of light emitting devices 11 are operated by a total driving voltage or a DC voltage at least two times higher than the forward voltage of the individual light emitting chips.

상기 발광 소자(1~n) 간의 간격(T1)은 일정 간격으로 이격되거나, 랜덤한 간격, 또는 불규칙한 간격으로 이격될 수 있다. 상기 간격 T1은 0.1mm 이상의 범위를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 발광 소자(11)의 발광부(110) 간의 주기(T2)는 일정 주기 또는 불규칙한 주기로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The intervals T1 of the light emitting devices 1 to n may be spaced apart at regular intervals, or may be spaced at random intervals or irregular intervals. The interval T1 may include a range of 0.1 mm or more, but is not limited thereto. The period T2 between the light emitting units 110 of the plurality of light emitting devices 11 may be arranged at a predetermined period or at an irregular period, but is not limited thereto.

여기서, n개의 발광 소자(1~n) 중 첫 번째 발광 소자는 제1발광 소자(1)이고, 두 번째 발광 소자는 제2발광 소자(2)이며, n번째 발광 소자는 제n발광소자(n)로 정의될 수 있다. 상기 제1발광 소자(1)의 일단 부는 제1극성의 전원이 공급되는 전원 단이 될 수 있고, 상기 제n발광 소자(n)의 다른 단부는 제2극성의 전원이 공급되는 전원 단이 될 수 있다.Here, the first light emitting element among the n light emitting elements 1 to n is the first light emitting element 1, the second light emitting element is the second light emitting element 2, n). < / RTI > One end of the first light emitting device 1 may be a power supply end to which a power of a first polarity is supplied and the other end of the nth light emitting device n may be a power supply end to which a power of a second polarity is supplied .

상기 n개의 발광 소자(1~n)에는 복수의 전도성 프레임이 배치되며, 하나의 전도성 프레임은 상기 복수의 발광 소자(11)를 전기적으로 연결해 주는 연결 프레임(120)이고, 다른 하나의 전도성 프레임은 루프 회로를 위한 루프 프레임(140)이 될 수 있다. 상기 연결 프레임(120)은 복수로 분할된 프레임부(121,122,124)를 포함하며, 제1전도성 프레임, 제1리드 프레임, 또는 제1연결 프레임으로 정의될 수 있다. 상기 루프 프레임(140)은 적어도 하나의 프레임을 포함하며, 복귀 프레임, 피드백 프레임, 제2전도성 프레임, 제2리드 프레임 또는 제2연결 프레임으로 정의될 수도 있다. A plurality of conductive frames are disposed in the n light emitting devices 1 to n and one conductive frame is a connection frame 120 for electrically connecting the plurality of light emitting devices 11, Loop frame 140 for the loop circuit. The connection frame 120 includes a plurality of divided frame parts 121, 122, and 124, and may be defined as a first conductive frame, a first lead frame, or a first connection frame. The loop frame 140 includes at least one frame and may be defined as a return frame, a feedback frame, a second conductive frame, a second lead frame, or a second connection frame.

상기 연결 프레임(120)과 상기 루프 프레임(140)은 상기 복수의 발광 소자(11)가 배열되는 제1방향(X)으로 형성된다. 상기 연결 프레임(120)의 열과 상기 루프 프레임(140)의 열은 위에서 볼 때, 나란히 또는 평행하게 배치될 수 있다. 상기 라이트 유닛(100)에서 전원 단(P1,P2)은 상기 제1발광 소자(1)에 연결될 수 있다. 상기 제n발광 소자(n)에는 연결 부재(145)가 연결되며, 상기 연결 부재(145)는 상기 제n발광 소자(n)에 연결된다. The connection frame 120 and the loop frame 140 are formed in a first direction X in which the plurality of light emitting devices 11 are arranged. The rows of the connection frame 120 and the rows of the roof frame 140 may be arranged side by side or parallel when viewed from above. Power terminals P1 and P2 in the light unit 100 may be connected to the first light emitting device 1. [ A connection member 145 is connected to the nth light emitting device n and the connection member 145 is connected to the nth light emitting device n.

상기 연결 프레임(120)과 상기 루프 프레임(140)의 재질은 금속 재질을 포함하며, 상기 금속 재질은 예컨대, 리드 프레임과 같은 전도성 재질일 수 있다. 상기 금속 재질은 Cu, Au, Al, Ag, Ni 및 이들 중 적어도 2개의 합금 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The connection frame 120 and the roof frame 140 may be made of a metal material, and the metal material may be a conductive material such as a lead frame. The metal material is selected from Cu, Au, Al, Ag, Ni, and at least two alloys thereof, and may be formed of at least one layer, but is not limited thereto.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 연결 프레임(120)은 상기 제1발광 소자(1)의 제1측면부(S1)로 돌출된 제1프레임부(121), 상기 각 발광 소자(1~n)의 내부에서 인접한 발광 소자들(1~n) 사이로 돌출되어 인접한 발광 소자들(1~n)을 서로 연결해 주는 복수의 제2프레임부(122), 및 상기 제n발광 소자(n)의 제2측면부(S2)로 돌출된 제1종단 프레임부(124)를 포함한다. 상기 제1프레임부(121)는 상기 제1발광 소자(1)의 발광 칩(150)과 연결되며, 상기 제2프레임부(122)는 상기 각 발광 소자(1~n)의 발광 칩들(150)에 연결되어 인접한 발광 칩(150)들을 직렬로 연결시켜 준다. 상기 제2프레임부(122)는 인접한 2개의 발광 소자를 전기적으로 연결해 준다. 상기 제1종단 프레임부(124)는 상기 제n발광 소자(n)의 제2측면부(S2)로부터 돌출된다. 상기 제1프레임부(121), 제2프레임부(122) 및 제1종단 프레임부(124)는 물리적으로 분리된다.1 to 3, the connection frame 120 includes a first frame portion 121 protruding from a first side portion S1 of the first light emitting device 1, A plurality of second frame portions 122 protruding from adjacent ones of the light emitting elements 1 to n to connect the adjacent light emitting elements 1 to n to each other, And a first end frame portion 124 protruding from the two side portions S2. The first frame part 121 is connected to the light emitting chip 150 of the first light emitting device 1 and the second frame part 122 is connected to the light emitting chips 150 To connect the adjacent light emitting chips 150 in series. The second frame part 122 electrically connects two adjacent light emitting devices. The first end frame part 124 protrudes from the second side surface S2 of the nth light emitting device n. The first frame portion 121, the second frame portion 122, and the first end frame portion 124 are physically separated.

상기 루프 프레임(140)은 상기 제1발광 소자(1)의 제1측면부(S1)에 돌출된 제3프레임부(141), 상기 각 발광 소자들(1~n) 사이에 배치된 제4프레임부(142), 상기 각 발광 소자(1~n)의 내부에 배치된 제5프레임부(143), 및 상기 제n발광 소자(n)의 제2측면부(S2)로 돌출된 제2종단 프레임부(144)를 포함한다. 상기 제3프레임부(141), 제4프레임부(142), 제5프레임부(143) 및 제2종단 프레임부(144)는 물리적으로 연결된 하나의 프레임으로 이루어진다.The loop frame 140 includes a third frame portion 141 protruding from the first side portion S1 of the first light emitting device 1 and a third frame portion 141 projecting from the fourth frame A second frame part 143 disposed in each of the light emitting devices 1 to n and a second frame part 143 protruding from the second side surface part S2 of the nth light emitting device n, (144). The third frame portion 141, the fourth frame portion 142, the fifth frame portion 143, and the second end frame portion 144 are formed of one frame physically connected to each other.

상기 제1프레임부(121)는 상기 라이트 유닛(100)의 입력 단이 되며, 상기 제3프레임부(141)는 상기 라이트 유닛(100)의 출력 단이 될 수 있다. 상기 입력 단 및 출력 단은 상기 전원 단(P1,P2)으로 사용된다.The first frame unit 121 may be an input terminal of the light unit 100 and the third frame unit 141 may be an output terminal of the light unit 100. The input and output terminals are used as the power terminals P1 and P2.

상기 제2프레임부(122)와 상기 제4프레임부(142)는 상기 발광 소자들(1~n) 사이를 지지하게 된다.The second frame part 122 and the fourth frame part 142 support between the light emitting elements 1 to n.

상기 연결 프레임(120)의 제1종단 프레임부(124)는 상기 제n발광 소자(n)의 발광 칩(150)과 연결되며, 상기 루프 프레임(140)의 제2종단 프레임부(144)와 상기 연결 프레임(120)의 제1종단 프레임부(124)는 상기 연결 부재(145)에 의해 연결될 수 있다. 상기 연결 부재(145)는 상기 연결 프레임(120) 및 상기 루프 프레임(140)의 재질과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 연결 부재(145)는 상기 루프 프레임(140)의 제2종단 프레임부(144)와 상기 연결 프레임(120)의 제1종단 프레임부(124)에 일체로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 연결 프레임(120)의 제1종단 프레임부(124)와 상기 루프 프레임(140)의 제2종단 프레임부(144)는 서로 오픈되도록 이격되고, 와이어 또는 전도성 테이프로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 와이어 또는 전도성 테이프는 연결 부재로 사용될 수 있다. The first end frame portion 124 of the connection frame 120 is connected to the light emitting chip 150 of the nth light emitting device n and the second end frame portion 144 of the loop frame 140 The first end frame portion 124 of the connection frame 120 may be connected by the connection member 145. The connection member 145 may be formed of the same material as the connection frame 120 and the loop frame 140. The connecting member 145 may be integrally formed with the second terminal frame portion 144 of the roof frame 140 and the first terminal frame portion 124 of the connection frame 120. As another example, the first end frame portion 124 of the connection frame 120 and the second end frame portion 144 of the loop frame 140 may be spaced apart from each other and connected by a wire or a conductive tape . Here, the wire or the conductive tape may be used as a connecting member.

상기 루프 프레임(140)은 상기 제n발광 소자(n)의 제2종단 프레임부(144)와 상기 제1발광 소자(1)의 제3프레임부(141)를 전기적으로 연결시켜 주어, 루프 회로를 형성하게 된다. The loop frame 140 electrically connects the second terminal frame portion 144 of the nth light emitting element n and the third frame portion 141 of the first light emitting element 1, .

상기 연결 프레임(120)의 제1프레임부(121)로 입력되는 전원은 상기 제1발광 소자(1)부터 상기 제n발광 소자(n)까지 공급되고, 상기 제n발광소자(n)에 공급된 전원은 상기 루프 프레임(140)을 통해 상기 제1발광 소자(1)에 연결된 제3프레임부(141)로 출력된다.The power supplied to the first frame part 121 of the connection frame 120 is supplied from the first light emitting device 1 to the nth light emitting device n and supplied to the nth light emitting device n The power is output to the third frame part 141 connected to the first light emitting device 1 through the loop frame 140.

상기 복수의 발광 소자(11)는 보드(예: PCB) 상에 솔더로 본딩하여 전기적으로 연결하지 않더라도, 상기 전원 단(P1,P2)을 통해 입력되는 전원에 의해 구동될 수 있다. 또한 상기 복수의 발광 소자(11)는 상기 라이트 유닛(100)의 양 단부를 통해 전원을 공급받을 수 있다. The plurality of light emitting devices 11 may be driven by a power source input through the power supply terminals P1 and P2 without being electrically connected by solder bonding on a board (e.g., PCB). The plurality of light emitting devices 11 may be supplied with power through both ends of the light unit 100.

도 1, 2 및 도 4를 참조하면, 상기 제1프레임부(121)와 상기 제3프레임부(141) 사이의 간격(D1)은 상기 제2프레임부(122)와 상기 제4프레임부(142) 사이의 간격(D1)과 동일할 수 있다. 상기 간격 D1은 0.5mm 이상 이격될 수 있다. 상기 간격 D1은 공급되는 전압으로부터 상기 제1프레임부(121)와 상기 제3프레임부(141) 또는 상기 제2프레임부(122)와 상기 제4프레임부(142) 간의 전기적인 간섭이 발생되지 않는 거리일 수 있다. Referring to FIGS. 1, 2 and 4, the distance D1 between the first frame part 121 and the third frame part 141 is greater than the distance D1 between the second frame part 122 and the fourth frame part 142 of the first and second plates. The distance D1 may be spaced by 0.5 mm or more. The interval D1 is set such that electrical interference between the first frame part 121 and the third frame part 141 or between the second frame part 122 and the fourth frame part 142 does not occur It can be a distance that does not.

도 2와 같이, 상기 발광부(110)와 상기 제5프레임부(143) 사이의 간격(D2)은 상기 간격 D1과 같거나 다를 수 있으며, 예컨대 상기 간격 D1은 상기 간격 D2보다 크거나 같을 수 있다.
2, the distance D2 between the light emitting portion 110 and the fifth frame portion 143 may be equal to or different from the distance D1. For example, the distance D1 may be equal to or greater than the distance D2 have.

도 2 내지 도 5는 복수의 발광 소자 중 제1발광 소자의 일 예를 나타낸 도면이며, 다른 발광 소자들은 제1발광 소자를 참조하기로 한다. 2 to 5 are views showing an example of a first light emitting device among a plurality of light emitting devices, and the other light emitting devices refer to a first light emitting device.

도 2내지 도 5를 참조하면, 발광 소자(1)는 몸체(111), 상기 몸체(111)의 상면 일부가 개방된 캐비티(112), 상기 몸체(111)의 제1측면부(S1)로 돌출된 제1프레임부(121) 및 제3프레임부(141), 상기 몸체(111)의 제2측면부(S2)로 돌출된 제2프레임부(122) 및 제4프레임부(142), 상기 캐비티(111) 내에 배치된 방열 프레임(125), 및 상기 방열 프레임(125) 위에 배치된 상기 발광 칩(150)을 포함한다.상기 몸체(111)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.2 to 5, the light emitting device 1 includes a body 111, a cavity 112 in which a part of a top surface of the body 111 is opened, a protrusion 112 protruding from a first side portion S1 of the body 111, A second frame part 122 and a fourth frame part 142 protruding from the second side face part S2 of the body 111, And a light emitting chip 150 disposed on the heat radiating frame 125. The body 111 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA) , Silicon (Si), a metal material, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and a printed circuit board (PCB).

상기 몸체(111)는 적어도 4개의 측면부(S1,S2,S3,S4)를 갖는 형상을 포함하며, 예컨대 6면체와 같은 다면체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 111 includes a shape having at least four side faces S1, S2, S3, S4, and may include, for example, a polyhedron such as a hexahedron, but is not limited thereto.

상기 캐비티(112)는 상기 몸체(111) 상면의 제1영역이 개방되며, 상기 몸체(111)의 개방된 제1영역은 위에서 바라볼 때, 원형, 다각형, 타원형과 같은 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(112)의 형상은 컵 형상 또는 용기 형상을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광부(110)는 상기 캐비티(112) 영역일 수 있다.The first area of the upper surface of the body 111 is open and the first open area of the body 111 may have a shape such as a circular shape, a polygonal shape, and an elliptical shape when viewed from above. , But is not limited thereto. The shape of the cavity 112 includes a cup shape or a container shape, but is not limited thereto. The light emitting unit 110 may be a region of the cavity 112.

도 3 및 도 5와 같이, 상기 캐비티(112)의 제1측면(112A)은 상기 캐비티 바닥에 대해 경사지게 배치될 수 있으며, 그 경사 각도는 상기 캐비티(112)의 깊이에 따라 달라질 수 있다. 상기 캐비티(112)의 제1측면(112A)은 계단 구조를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(112)의 제1측면(112A)과 이에 인접한 제2측면(112B) 사이의 영역은 소정 각도로 형성되거나 소정의 곡률로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 캐비티(112)의 제1 및 제2측면(112A,112B)은 서로 다른 각도로 경사지게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As shown in FIGS. 3 and 5, the first side 112A of the cavity 112 may be inclined with respect to the bottom of the cavity, and the inclination angle thereof may vary according to the depth of the cavity 112. The first side 112A of the cavity 112 may include a stepped structure, but is not limited thereto. The area between the first side 112A of the cavity 112 and the second side 112B adjacent thereto may be formed at a predetermined angle or may have a predetermined curvature. Here, the first and second side surfaces 112A and 112B of the cavity 112 may be inclined at different angles, but the present invention is not limited thereto.

상기 캐비티(112) 내에는 상기 제1프레임부(121)의 제1본딩부(121A), 방열 프레임(125), 제2프레임부(122)의 제2본딩부(122A)가 배치된다. 상기 방열 프레임(125)은 상기 제1프레임부(121)의 제1본딩부(121A)와 상기 제2프레임부(122)의 제2본딩부(122A) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1프레임부(121)의 제1본딩부(121A), 방열 프레임(125), 및 상기 제2프레임부(122)의 제2본딩부(122A)의 위치는 패키지의 효율이나 전기적인 신뢰성을 위해 변경될 수 있다.The first bonding part 121A of the first frame part 121, the heat radiation frame 125 and the second bonding part 122A of the second frame part 122 are disposed in the cavity 112. [ The heat dissipation frame 125 may be disposed between the first bonding portion 121A of the first frame portion 121 and the second bonding portion 122A of the second frame portion 122. [ The position of the first bonding portion 121A of the first frame portion 121 and the position of the second bonding portion 122A of the second frame portion 122 can be determined by the efficiency of the package, Lt; / RTI >

상기 제1프레임부(121)는 상기 몸체(111)의 제1측면부(S1)에서 상기 몸체(111)의 내부를 통해 상기 캐비티(112)의 바닥까지 연장되며, 상기 제2프레임부(122)는 상기 몸체(111)의 제2측면부(S2)에서 상기 몸체(111)의 내부를 통해 상기 캐비티(112)의 바닥까지 연장된다.
The first frame part 121 extends from the first side part S1 of the body 111 to the bottom of the cavity 112 through the interior of the body 111, Extends from the second side portion S2 of the body 111 through the interior of the body 111 to the bottom of the cavity 112. [

상기 방열 프레임(125)은 도 3과 같이 몸체(111)의 하면에 노출될 수 있다. 상기 방열 프레임(125)의 하면은 상기 몸체(111)의 하면과 동일한 평면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 방열 프레임(125)의 둘레에는 단차진 구조를 포함할 수 있으며, 상기 단차진 구조는 상기 방열 프레임(125)과 상기 몸체(111) 사이의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1프레임부(121)의 제1본딩부(121A) 및 상기 제2프레임부(122)의 제2본딩부(122A)의 하면은 상기 몸체(111)의 하면으로부터 이격될 수 있다. The heat radiating frame 125 may be exposed on the lower surface of the body 111 as shown in FIG. The lower surface of the heat radiating frame 125 may be disposed on the same plane as the lower surface of the body 111, but the present invention is not limited thereto. The heat dissipating frame 125 may include a stepped structure. The stepped structure may improve the adhesion between the heat dissipating frame 125 and the body 111. The lower surfaces of the first bonding portion 121A of the first frame portion 121 and the second bonding portion 122A of the second frame portion 122 may be spaced apart from the lower surface of the body 111. [

상기 발광 칩(150)은 상기 방열 프레임(125) 위에 배치되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있으며, 예컨대 UV LED, 적색 LED, 청색 LED, 녹색 LED을 포함한다. 상기 발광 칩(150)은 상기 각 발광 소자(1~n)에 적어도 하나 또는 그 이상이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light emitting chip 150 is disposed on the heat radiating frame 125. The light emitting chip 150 can emit a predetermined peak wavelength within a range of the ultraviolet band to the visible light band. For example, a UV LED, a red LED, a blue LED, . At least one or more of the light emitting chips 150 may be disposed in each of the light emitting devices 1 to n, but the present invention is not limited thereto.

도 2 및 도 3과 같이, 상기 발광 칩(150)은 상기 제1프레임부(121)의 제1본딩부(121A)에 제1와이어(151)로 연결되며, 상기 제2프레임부(122)의 제2본딩부(122A)에 제2와이어(152)로 연결된다. 상기 캐비티(112)에는 몰딩 부재(115)가 배치된다. 상기 몰딩 부재(115)는 상기 캐비티(112) 내부를 덮어, 상기 발광 칩(150)을 보호하게 된다. 상기 몰딩 부재(115)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투명한 수지 재질을 포함한다. 상기 몰딩 부재(115) 내에는 형광체가 첨가될 수 있으며, 상기 형광체는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리게이트(Silicate)계 형광체, 질화물(Nitride) 계 형광체, 산화질화물 (Oxynitride)계를 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 형광체는 다른 예로서, 상기 발광 칩(150)의 표면에 도포되거나, 상기 몰딩 부재(115) 상에 형광 시트로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(115)의 상면은 플랫하거나, 오목 또는/및 볼록한 형상으로 형성될 수 있다.2 and 3, the light emitting chip 150 is connected to the first bonding portion 121A of the first frame portion 121 by a first wire 151, and the second frame portion 122 is connected to the first bonding portion 121A of the first frame portion 121, And the second wire 152 is connected to the second bonding portion 122A. A molding member 115 is disposed in the cavity 112. The molding member 115 covers the inside of the cavity 112 to protect the light emitting chip 150. The molding member 115 includes a transparent resin material such as epoxy or silicone. A fluorescent material may be added to the molding member 115. The fluorescent material may include a garnet fluorescent material, a silicate fluorescent material, a nitride fluorescent material, and an oxynitride fluorescent material. can do. As another example, the phosphor may be applied to the surface of the light emitting chip 150 or may be disposed on the molding member 115 as a fluorescent sheet, but the present invention is not limited thereto. The upper surface of the molding member 115 may be flat, concave and / or convex.

도 1과 같이, 상기 라이트 유닛(100)은 상기 복수의 발광 소자(11)가 상기 연결 프레임(120)에 의해 서로 연결된 구조로 제조됨으로써, 형광체의 양이나 상기 각 발광 칩(150)의 파장 분포에 따라 서로 다른 색좌표 분포를 가질 수 있다. 이를 위해, 상기 발광 칩(150)의 표면에 형광체를 도포하여 서로 다른 발광 소자간의 색 좌표 분포를 원하는 컬러 범위 예컨대, 백색 컬러 범위의 색 좌표 분포로 조절할 수 있다.
1, the light unit 100 is manufactured such that the plurality of light emitting devices 11 are connected to each other by the connection frame 120, so that the amount of the phosphors and the wavelength distribution of the light emitting chips 150 It is possible to have different color coordinate distributions according to the color distribution. For this, the phosphor may be coated on the surface of the light emitting chip 150 to adjust the color coordinate distribution between the different light emitting devices to a desired color range, for example, a color coordinate distribution of a white color range.

상기 제1프레임부(121)의 제1본딩부(121A)와 상기 제2프레임부(122)의 제2본딩부(122A)의 일부는 상기 방열 프레임(125)의 하면보다 더 높게 배치될 수 있다. 또한 상기 제1본딩부(121A) 및 제2본딩부(122A) 중 적어도 하나의 일부는 상기 몸체(111)의 상면을 기준으로 상기 방열 프레임(125)과 다른 깊이로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first bonding portion 121A of the first frame portion 121 and the second bonding portion 122A of the second frame portion 122 may be disposed higher than the lower surface of the heat radiating frame 125 have. At least a part of at least one of the first bonding part 121A and the second bonding part 122A may be disposed at a different depth from the heat radiating frame 125 with respect to the upper surface of the body 111, It is not limited.

상기 방열 프레임(125)은 상기 제1 및 제2 프레임부(121,122)와 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The heat radiating frame 125 may be formed of the same material as the first and second frame parts 121 and 122, but is not limited thereto.

도 3 및 도 6을 참조하면, 상기 제1발광 소자(1)의 제1 및 제2측면부(S1,S2)로 돌출된 제1프레임부(121) 및 제2프레임부(122)는 상기 몸체(111)의 하면으로부터 간격(T5)으로 이격된다. 상기 간격 T5은 상기 방열 프레임(125)의 두께(T3)보다 더 두꺼운 간격으로 이격될 수 있으며, 0.15mm 이상일 수 있다. 3 and 6, the first frame part 121 and the second frame part 122 protruding from the first and second side parts S1 and S2 of the first light emitting device 1 are formed in the body Is spaced apart from the lower surface of the lower surface 111 by an interval T5. The interval T5 may be spaced apart by a greater thickness than the thickness T3 of the heat-radiating frame 125, and may be 0.15 mm or more.

상기 간격 T5는, 도 1과 같이 상기 발광 소자들(1~n)의 측면부로 돌출된 상기 각 프레임부(121,122,124,141,142,144)와 상기 발광 소자(1~n)의 하면 사이의 간격일 수 있다. 상기 제1프레임부(121)와 상기 제2프레임부(122)는 상기 제1발광 소자(1)의 하면으로부터 이격됨으로써, 보드 상의 회로 패턴에 상기 발광 소자(1~n)를 표면실장기술(SMT: surface mount technology)로 탑재되는 과정을 생략할 수 있다. 이에 따라 도 1과 같은 라이트 유닛(100)은 접착 부재를 이용하여 바텀 커버와 같은 금속 플레이트 상에 고정될 수 있다.
The interval T5 may be an interval between the frame portions 121, 122, 124, 141, 142, and 144 protruding from the side portions of the light emitting devices 1 to n and the bottom surface of the light emitting devices 1 to n as shown in FIG. The first frame part 121 and the second frame part 122 are separated from the lower surface of the first light emitting device 1 so that the light emitting devices 1 to n are mounted on the circuit pattern on the board SMT: surface mount technology) can be omitted. Accordingly, the light unit 100 as shown in FIG. 1 can be fixed on a metal plate such as a bottom cover using an adhesive member.

도 4와 같이, 상기 제1발광 소자(1)는 제1변의 길이(L1)와 제2변의 길이(L2)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1변의 길이(L1)와 제2변의 길이(L2)가 다른 경우 L1>L2일 수 있다. 여기서, 상기 제2프레임부(121)와 상기 제3프레임부(141)는 상기 몸체(1)의 제1변의 길이(L1) 내에서 나란히 배치될 수 있다. 4, the length L1 of the first side and the length L2 of the second side of the first light emitting device 1 may be the same or different from each other. For example, the length L1 of the first side and the length L2 of the second side If the length L2 is different, L1 > L2. Here, the second frame part 121 and the third frame part 141 may be arranged side by side within the length L1 of the first side of the body 1.

도 2, 도 3 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 내지 제4프레임부(121,122,141,142)의 두께(T4)는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 0.1mm~0.3mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 방열 프레임(125)의 두께(T3)는 상기 제1프레임부(121)의 두께(T4)와 동일한 두께이거나, 상기 제1프레임부(121)의 두께(T4)보다 더 두껍게 형성될 수 있다. 상기 방열 프레임(125)의 상면 면적은 방열 효율을 고려하여 상기 발광 칩(150)의 하면 면적보다 4배 이상 넓은 면적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Referring to FIGS. 2, 3 and 6, the thickness T4 of the first through fourth frame portions 121, 122, 141 and 142 may be the same and may range from 0.1 mm to 0.3 mm. The thickness T3 of the heat radiating frame 125 may be the same as the thickness T4 of the first frame portion 121 or may be thicker than the thickness T4 of the first frame portion 121 . The top surface area of the heat dissipating frame 125 may be formed to be four times or more larger than the bottom surface area of the light emitting chip 150 in consideration of heat radiation efficiency.

도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 제1프레임부(121)의 너비(W1)는 상기 제2프레임부(122)의 너비와 동일한 너비일 수 있고, 상기 방열 프레임(125)의 하면 너비(W3)의 너비와는 동일하거나 다른 너비로 형성될 수 있다. 상기 제1프레임부(121)의 너비(W1)는 상기 제3프레임부(141)의 너비(W2)와 동일한 너비(W1=W2)이거나, 다른 너비 예컨대 더 넓은 너비(W1>W2)로 형성될 수 있다. 여기서, W1은 0.2mm 이상일 수 있다. 도 1에 도시된 루프 프레임(140)의 너비는 상기 제3프레임부(141)의 너비(W2)일 수 있으며, 상기 연결 프레임의 너비는 상기 제1프레임부(121)의 너비(W1)로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제3 내지 제5프레임부(141,142,143)의 너비(W2)는 상기 제1프레임부(121)의 너비(W1)보다 더 좁게 형성될 수 있으며, 이는 상기 제3 내지 제5프레임부(141,142,143)에는 상기 발광 칩(150)이 탑재되거나 상기 캐비티(112)가 형성되지 않기 때문에 상기 제1프레임부(121)의 너비(W1)보다 더 좁게 형성될 수 있다.
4 and 6, the width W1 of the first frame part 121 may be the same as the width of the second frame part 122, and the width W1 of the heat radiating frame 125 W3 may be the same or different in width. The width W1 of the first frame part 121 may be equal to the width W2 of the third frame part 141 or may be formed to have a different width such as W1 W2 . Here, W1 may be 0.2 mm or more. The width of the loop frame 140 shown in FIG. 1 may be a width W2 of the third frame part 141 and the width of the connection frame may be a width W1 of the first frame part 121 . As another example, the width W2 of the third to fifth frame parts 141, 142, and 143 may be narrower than the width W1 of the first frame part 121, The width W1 of the first frame part 121 may be smaller than the width W1 of the first frame part 121 because the light emitting chip 150 is mounted or the cavity 112 is not formed.

상기 방열 프레임(125)의 하면 너비(W3)는 상기 발광 소자의 하면에 노출된 영역의 너비로서, 상기 제1 및 제2프레임부(121,122)의 너비(W1)와 동일하거나 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 방열 프레임(125)은 열 전도성 테이프와 같은 접착 부재로 금속 플레이트 상에 접착되거나, 솔더와 같은 본딩 물질로 금속 플레이트 상에 본딩될 수 있다. 상기 라이트 유닛(100)은 열 전도성 테이프와 같은 접착 부재에 의해 탈/부착될 수 있어, 재 사용할 수 있으며, 교체가 간단하다.
The bottom width W3 of the heat dissipating frame 125 may be equal to or wider than the width W1 of the first and second frame portions 121 and 122 have. The heat radiating frame 125 may be bonded to a metal plate with an adhesive material such as a thermally conductive tape, or may be bonded to a metal plate with a bonding material such as solder. The light unit 100 can be detached / attached by an adhesive member such as a thermally conductive tape, and can be reused, and replacement is simple.

도 5를 참조하면, 상기 방열 프레임(125)과 상기 제5프레임부(143)는 서로 이격되며, 상기 몸체(111)의 하면으로부터 서로 다른 높이로 배치된다. 상기 제5프레임부(143)는 상기 발광 소자(1)의 상면과 하면에 노출되지 않는 깊이로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 몸체(111)의 두께(H1)는 0.4mm 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.5, the heat radiating frame 125 and the fifth frame part 143 are spaced apart from each other and are disposed at different heights from the lower surface of the body 111. The fifth frame part 143 may be formed to have a depth that is not exposed to the top and bottom surfaces of the light emitting device 1. Here, the thickness H1 of the body 111 may be 0.4 mm or more, but is not limited thereto.

도 6을 참조하면, 상기 제1프레임부(121)는 상기 몸체(111)의 제3측면부(S2)와 간격 D4로 이격되고, 상기 제3프레임부(141)는 상기 몸체(111)의 제4측면부(S4)와 간격 D5로 이격된다. 여기서, 상기 간격 D4와 간격 D5는 동일하거나 다를 수 있다. 여기서, 상기 간격 D4와 간격 D5 중 어느 하나는 존재하지 않을 수 있다. 즉, 프레임부의 일부가 몸체(111)의 측면에 노출될 수 있다. 상기 제1프레임부(121)와 상기 제3프레임부(141)는 상기 몸체(111)의 하면으로부터 동일한 높이를 갖고 서로 평행하게 배치될 수 있다.6, the first frame part 121 is spaced apart from the third side part S2 of the body 111 by an interval D4, and the third frame part 141 is separated from the third side part S2 of the body 111, And is spaced apart from the four side portions S4 by an interval D5. Here, the interval D4 and the interval D5 may be the same or different. Here, either the interval D4 or the interval D5 may not exist. That is, a part of the frame part may be exposed on the side surface of the body 111. [ The first frame part 121 and the third frame part 141 may be arranged at the same height from the lower surface of the body 111 and parallel to each other.

도 7을 참조하면, 상기 제2프레임부(122)와 상기 제4프레임부(142)는 상기 몸체(111)의 하면으로부터 동일한 높이를 갖고 서로 평행하게 배치될 수 있다.
Referring to FIG. 7, the second frame part 122 and the fourth frame part 142 may be disposed at the same height from the lower surface of the body 111 and parallel to each other.

도 8의 (A)(B)를 참조하면, 발광 소자의 외측에 돌출된 상기 제1프레임부(121), 상기 제2프레임부(122), 상기 제3프레임부(141)와 제4프레임부(142)는 상기 몸체(111)의 하면으로부터 동일한 높이로 형성될 수 있다.
8A and 8B, the first frame part 121, the second frame part 122, the third frame part 141, and the fourth frame part 121 protruding outside the light emitting device, The portion 142 may be formed at the same height from the lower surface of the body 111.

도 9 내지 도 11은 제2실시 예이다. 도 9는 라이트 유닛의 평면도이며, 도 10은 도 9의 측 단면도이고, 도 11은 도 9의 배면도이다. 9 to 11 are the second embodiment. Fig. 9 is a plan view of the light unit, Fig. 10 is a side sectional view of Fig. 9, and Fig. 11 is a rear view of Fig.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 라이트 유닛은 복수의 발광 소자(1,2)를 단위 클러스터로 구비하고, 제2프레임부(122)는 복수의 발광 소자(1,2) 사이에 직렬로 연결되며, 연결 부재(145)는 마지막 발광 소자(2)로부터 돌출된 종단 프레임부(124,144) 사이를 서로 연결시켜 줄 수 있다. 여기서, 단위 클러스터는 2개, 4개 또는 6개씩 단위로 직렬로 연결한 그룹을 나타낼 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.9 to 11, the light unit includes a plurality of light emitting devices 1 and 2 as unit clusters, and the second frame unit 122 includes a plurality of light emitting devices 1 and 2 connected in series And the connecting member 145 may connect the end frame portions 124 and 144 protruded from the last light emitting element 2 to each other. Here, the unit clusters may represent groups connected in series by 2, 4, or 6 units, but the present invention is not limited thereto.

다른 예로서, 상기 발광 소자(1,2)의 타 단부에 배치된 종단 프레임부(124,144)들은 서로 연결되지 않고 오픈된 구조로 배치되고, 전도성 테이프, 와이어와 같은 연결 부재로 연결될 수 있다.
As another example, the terminal frame portions 124 and 144 disposed at the other end of the light emitting device 1 and 2 may be connected to each other through a connection member such as a conductive tape or a wire.

도 12 내지 도 14는 제3실시 예이다. 도 12 내지 도 14는 인접한 발광 소자 간의 각도를 변형한 예를 나타낸 도면이다.12 to 14 are the third embodiment. 12 to 14 are views showing an example in which the angle between adjacent light emitting elements is modified.

도 12를 참조하면, 제1발광 소자(1)와 제2발광 소자(2)는 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제1발광 소자(1)는 상기 제2발광 소자(2)를 기준으로 10°~ 80°사이의 제1각도(θ1)로 어긋나게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1발광 소자(1)와 상기 제2발광 소자(2) 사이의 제4프레임부(142)와 제2프레임부(122)는 제1각도(θ1)로 절곡되거나, 소정 곡률로 휘어질 수 있다. 여기서, 상기 제1각도(θ1)의 범위는 서로 어긋나게 배치된 상기의 발광 소자들(1,2)이 서로 접촉되지 않는 각도이다. Referring to FIG. 12, the first light emitting device 1 and the second light emitting device 2 may be arranged to be shifted from each other. The first light emitting device 1 may be disposed at a first angle? 1 between 10 ° and 80 ° with respect to the second light emitting device 2. The fourth frame portion 142 and the second frame portion 122 between the first light emitting device 1 and the second light emitting device 2 are bent at a first angle? It can be bent. Here, the range of the first angle [theta] 1 is an angle at which the light emitting devices 1 and 2 are not in contact with each other.

상기 제1발광 소자(1)가 상기 제2발광 소자(2)로부터 제1각도(θ1)로 절곡됨으로써, 상기 제1발광 소자(1)의 발광부(110)와 상기 제2발광 소자(2)의 발광부(110)는 서로 다른 영역으로 광을 조사하게 된다. 도 1과 같은 라이트 유닛(100)은 각 발광 소자(1~n) 사이의 영역 중 적어도 한 영역을 상기 제1각도(θ1)로 한 번 이상 절곡시켜 주어, 링 형상, 반구 형상, 또는 다각으로 절곡된 형상으로 배치될 수 있다.
The first light emitting device 1 is bent at a first angle? 1 from the second light emitting device 2 so that the light emitting part 110 of the first light emitting device 1 and the second light emitting device 2 The light emitting unit 110 emits light to different areas. The light unit 100 as shown in Fig. 1 may be formed by bending at least one region among the regions between the light emitting elements 1 to n at the first angle? 1 more than once and forming a ring shape, a hemisphere shape, And can be arranged in a bent shape.

도 13을 참조하면, 제1발광 소자(1)와 제2발광 소자(2) 사이에 배치된 제4프레임부(142)의 내각(θ3)은 91~180° 범위로 형성될 수 있으며, 이러한 내각(θ3)은 인접한 발광부(110)의 지향각 분포에 따라 변경될 수 있다. 여기서, 상기 제2프레임부(122)의 내각은 상기 제4프레임부(142)의 절곡된 각도에 따라 절곡된다. 도 1과 같은 라이트 유닛(100)은 각 발광 소자(1~n) 사이의 영역 중 적어도 한 영역을 상기의 내각(θ3)으로 한 번 이상 절곡시켜 주어, 링 형상, 반구 형상, 또는 다각으로 절곡된 형상으로 배치될 수 있다.
13, the internal angle? 3 of the fourth frame portion 142 disposed between the first light emitting element 1 and the second light emitting element 2 may be in the range of 91 to 180 degrees, 3 can be changed according to the directivity angle distribution of the adjacent light emitting portion 110. [ Here, the inner angle of the second frame part 122 is bent according to the bent angle of the fourth frame part 142. The light unit 100 as shown in Fig. 1 can bend at least one region among the regions between the light emitting elements 1 to n at least once by the internal angle? 3, and form a ring shape, a hemisphere shape, As shown in FIG.

도 14를 참조하면, 제1발광 소자(1)와 제2발광 소자(2) 사이에 배치된 제4프레임부(142) 및 제2프레임부(122)의 내각(θ4)은 90도의 각도로 배치될 수 있으며, 상기 내각(θ4)은 상기 제1발광 소자(1)와 제2발광 소자(2)가 서로 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 여기서, 도 1과 같은 라이트 유닛은 각 발광소자들(1~n) 사이의 영역들 중 적어도 한 영역 또는 서로 다른 영역을 상기의 내각(θ4)을 갖도록 한 번 이상 절곡시켜 배치될 수 있다.
14, the internal angle? 4 of the fourth frame portion 142 and the second frame portion 122 disposed between the first light emitting device 1 and the second light emitting device 2 is set at an angle of 90 degrees And the internal angle? 4 may be arranged in a direction in which the first light emitting device 1 and the second light emitting device 2 are orthogonal to each other. Here, the light unit as shown in FIG. 1 may be arranged by bending one or more of the regions between the light emitting elements 1 to n at least once so as to have the above-mentioned inner angle? 4.

도 15는 제4실시 예이다.15 is a fourth embodiment.

도 15를 참조하면, 라이트 유닛은 서로 연결된 복수의 라이트 유닛(100,101,102)을 포함한다.Referring to FIG. 15, the light unit includes a plurality of light units 100, 101, and 102 connected to each other.

제1라이트 유닛(100)의 출력 단(또는 제3프레임부)과 제2라이트 유닛(101)의 입력 단(또는, 제1프레임부)은 연결 부재(146)에 의해 서로 연결되고, 상기 제2라이트 유닛(101)의 출력 단과 제3라이트 유닛(102)의 입력 단은 연결 부재(147)에 의해 연결된다. 이에 따라 상기 제1 내지 제3라이트 유닛(100,101,102)은 직렬로 연결된 발광 장치로 제공된다. 상기 제1라이트 유닛(100)의 제1프레임부(121)는 제1전원 단(P1)이 되고, 상기 제3라이트 유닛(103)의 제3프레임부(141)는 제2전원 단(P2)이 된다.The output end (or the third frame portion) of the first light unit 100 and the input end (or the first frame portion) of the second light unit 101 are connected to each other by the connecting member 146, The output end of the second light unit 101 and the input end of the third light unit 102 are connected by a connecting member 147. Accordingly, the first through third light units 100, 101, and 102 are provided as light emitting devices connected in series. The first frame part 121 of the first light unit 100 becomes the first power terminal P1 and the third frame part 141 of the third light unit 103 becomes the second power terminal P2 ).

실시 예는 상기 복수의 라이트 유닛(100,101,102)을 직렬로 연결한 구조에 대해 설명하였으나, 다른 예로서, 상기 복수의 라이트 유닛(100,101,102)을 병렬 구조로 연결할 수 있으며, 상기 병렬 구조는 각 라이트 유닛(100,101,102)의 양 단부의 프레임들을 서로 연결하여 병렬 회로를 구성할 수 있다. In the embodiment, the plurality of light units 100, 101, and 102 are connected in series. Alternatively, the plurality of light units 100, 101, and 102 may be connected in parallel. 100, 101, and 102 may be connected to each other to form a parallel circuit.

상기 제1내지 제3라이트 유닛들(100,101,102)은 서로 평행하게 배치되거나 서로 소정의 각도로 틀어지게 배치될 수 있다.
The first to third light units 100, 101, and 102 may be disposed parallel to each other or may be disposed at an angle with respect to each other.

도 16 및 도 17은 제5실시 예로서, 서로 다른 라이트 유닛의 결합 예를 나타낸 도면이다.Figs. 16 and 17 are views showing an example of combining different light units as a fifth embodiment. Fig.

도 16의 (A)(B)는 라이트 유닛(100,100A)들을 서로 접속하는 발광 장치의 예를 나타낸 도면이며, 도 17은 도 16의 발광 소자들의 결합 프레임 예를 나타낸 도면이다. 16A and 16B are views showing an example of a light emitting device connecting the light units 100 and 100A to each other, and FIG. 17 is a view showing an example of a combined frame of the light emitting elements of FIG.

도 16 및 도 17을 참조하면, 라이트 유닛(100)의 양 단부에 배치된 제1프레임부(121) 및 제1종단 프레임부(124)에 제1 및 제2걸림 돌기(131,132)를 각각 형성해 준다. 또한 도 17과 같이, 라이트 유닛(100)의 양 단부에 배치된 제3프레임부(141) 및 제2종단 프레임부(144)에 제3 및 제4걸림 돌기(133,134)를 각각 형성해 준다.16 and 17, first and second latching projections 131 and 132 are formed in the first frame part 121 and the first terminal frame part 124 disposed at both ends of the light unit 100 give. As shown in FIG. 17, third and fourth latching protrusions 133 and 134 are formed in the third frame portion 141 and the second end frame portion 144 disposed at both ends of the light unit 100, respectively.

제1라이트 유닛(100)의 일단부에 배치된 상기 제1프레임부(121)의 제1걸림 돌기(131) 및 상기 제3프레임부(141)의 제3걸림 돌기(133)는 제2라이트 유닛(100)의 타단부에 배치된 상기 제1 및 제2종단 프레임부(124,144)의 제2걸림 돌기(132) 및 제4걸림 돌기(134)에 대응된다. 상기 제1걸림 돌기(131)와 상기 제2걸림 돌기(132)는 서로 반대 방향으로 절곡되어 결합될 수 있고, 상기 제3걸림 돌기(133)와 상기 제4걸림 돌기(134)는 서로 반대 방향으로 절곡되어 결합될 수 있다. 상기 걸림 돌기들(131~134)의 결합 영역에 결합력을 보강하기 위한 접착 부재가 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The first latching projection 131 of the first frame portion 121 and the third latching projection 133 of the third frame portion 141 disposed at one end of the first light unit 100 are inserted into the second light- And corresponds to the second latching protrusion 132 and the fourth latching protrusion 134 of the first and second terminal frame portions 124 and 144 disposed at the other end of the unit 100. [ The first latching protrusion 131 and the second latching protrusion 132 may be bent in a direction opposite to each other and the third latching protrusion 133 and the fourth latching protrusion 134 may be bent in opposite directions As shown in Fig. An adhesive member for reinforcing a bonding force may be further disposed on the engagement region of the latching protrusions 131 to 134. However, the present invention is not limited thereto.

도 17과 같이, 상기 제1내지 제4걸림 돌기(131,132,133,134)는 프레임의 트리밍 및 포밍 과정을 통해 절곡되어 형성될 수 있다. 다른 예로서, 제1라이트 유닛(100A)과 제2라이트 유닛(100)은 와이어 또는 전도성 테이프로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As shown in FIG. 17, the first to fourth latching protrusions 131, 132, 133, and 134 may be formed by bending through a trimming and forming process of a frame. As another example, the first light unit 100A and the second light unit 100 may be connected by a wire or a conductive tape, but the invention is not limited thereto.

도 18은 제6실시 예이다. 도 18을 참조하면, 발광 장치는 라이트 유닛(100), 접착 부재(175), 및 금속 플레이트(170)를 포함하며, 상기 라이트 유닛(100)의 발광 소자(1~n)들은 상기 접착 부재(175)에 의해 상기 금속 플레이트(170) 상에 부착된다. 상기 발광 소자(1~n)와 상기 금속 플레이트(170) 사이에 배치된 접착 부재(175)는 열 전도성 부재 예컨대, 열 전도성 테이프를 포함한다. 상기 접착 부재(175)는 전도성 재질일 수 있으며, 상기 각 발광 소자(1~n)의 방열 프레임(125)을 상기 금속 플레이트(170) 상에 부착시켜 준다. 다른 예로서, 상기 접착 부재(175)는 절연성 재료일 수 있으며, 상기 금속 플레이트(170)와 상기 각 발광 소자(1~n)의 방열 프레임(125)을 전기적으로 절연시켜 줄 수 있다. 상기 금속 플레이트(170)는 Cu, Cu-Alloy, Al, 및 Al-Alloy과 같이 방열이 우수한 금속 재질일 수 있다.18 is a sixth embodiment. 18, the light emitting device includes a light unit 100, an adhesive member 175, and a metal plate 170, and the light emitting elements 1 to n of the light unit 100 are connected to the adhesive member 175 on the metal plate 170. The adhesive member 175 disposed between the light emitting elements 1 to n and the metal plate 170 includes a thermally conductive member such as a thermally conductive tape. The adhesive member 175 may be made of a conductive material and attaches the heat dissipating frame 125 of each of the light emitting devices 1 to n on the metal plate 170. As another example, the adhesive member 175 may be an insulating material, and may electrically insulate the metal plate 170 from the heat dissipating frame 125 of each of the light emitting devices 1 to n. The metal plate 170 may be a metal material having excellent heat dissipation such as Cu, Cu-Alloy, Al, and Al-Alloy.

상기 라이트 유닛(100)의 제1프레임부(121)에는 제1접속부(L1)로 연결되고, 도 1에 도시된 루프 프레임(140)의 제3프레임부(141)는 제2접속부(L2)로 연결될 수 있다. 상기 제1접속부(L1) 및 상기 제2접속부(L2)는 와이어 또는 커넥터를 포함할 수 있다.The first frame part 121 of the light unit 100 is connected to the first connection part L1 and the third frame part 141 of the loop frame 140 shown in FIG. Lt; / RTI > The first connection part L1 and the second connection part L2 may include a wire or a connector.

상기 라이트 유닛(100)은 보드 상에 배치될 수 있으며, 상기 보드의 종류는 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light unit 100 may be disposed on a board, and the type of the board may include a resin-made PCB, a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), or the like , But is not limited thereto.

도 19는 제7실시 예로서, 도 1의 라이트 유닛 또는 도 18과 같은 발광 장치를 갖는 표시 장치이다. 19 is a seventh embodiment, which is a display unit having the light unit shown in Fig. 1 or the light-emitting device shown in Fig.

도 19를 참조하면, 표시 장치(200)는 바텀 커버(201), 반사시트(205), 라이트 유닛(100), 접착 부재(211), 도광판(220), 광학 시트(230), 및 표시 패널(240)을 포함한다.19, the display device 200 includes a bottom cover 201, a reflective sheet 205, a light unit 100, an adhesive member 211, a light guide plate 220, an optical sheet 230, (240).

상기 바텀 커버(201)는 양 측면(202,203)을 갖고 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(201A)를 포함할 수 있으며, 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 201 may include a housing part 201A having a box shape having upper and lower sides 202 and 203 and may be coupled to the top cover and is not limited thereto.

상기 바텀 커버(201)의 수납부(201A)에는 상기 도광판(220), 상기 라이트 유닛(100) 및 상기 반사 시트(205)가 수납되며, 이에 대해 한정되지는 않는다. 상기 바텀 커버(201), 반사 시트(205), 도광판(220), 및 광학 시트(230)는 백 라이트 유닛 또는 발광장치로 정의될 수 있다.
The light guide plate 220, the light unit 100, and the reflection sheet 205 are accommodated in the receiving portion 201A of the bottom cover 201, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 201, the reflective sheet 205, the light guide plate 220, and the optical sheet 230 may be defined as a backlight unit or a light emitting device.

상기 바텀 커버(201)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(201)는 열 전도성이 좋은 금속 플레이트이거나 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 201 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. Also, the bottom cover 201 may be a metal plate having good thermal conductivity or a non-metal material, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(220)은 상기 바텀 커버(201) 위에 배치되며 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(220)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 220 is disposed on the bottom cover 201 and diffuses light to form a surface light source. The light guide plate 220 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC) and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 라이트 유닛(100)은 상기 도광판(220)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light unit 100 provides light to at least one side of the light guide plate 220, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 라이트 유닛(100)은 상기 도광판(220)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 라이트 유닛(100)은 상기에 개시된 실시 예의 라이트 유닛을 포함할 수 있다. 상기 라이트 유닛(100)은 상기 바텀 커버(201)의 일 측면(202)에 상기 접착 부재(211)로 접착된다. 상기 접착 부재(211)는 전도성 또는 비 전도성 재질을 포함하며, 그 너비는 상기 발광 소자(1)의 하면 너비보다 더 넓게 형성될 수 있다.The light unit 100 may provide light directly or indirectly from one side of the light guide plate 220. The light unit 100 may include a light unit of the above-described embodiment. The light unit 100 is adhered to the one side surface 202 of the bottom cover 201 with the adhesive member 211. The adhesive member 211 may be formed of a conductive or non-conductive material, and the width of the adhesive member 211 may be wider than the bottom width of the light emitting device 1.

상기 도광판(220)의 일 측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Light may be directly or indirectly provided to the light-incident portion on one side of the light guide plate 220, but the present invention is not limited thereto.

상기 반사 시트(205)는 상기 도광판(220) 과 상기 바텀 커버(201)의 바닥면 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 시트(205)는 상기 도광판(220)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(100)의 휘도를 향상시켜 줄 수 있다. 상기 반사 시트(205)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 시트(205)는 상기 바텀 커버(201)의 상면에 코팅된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 205 may be disposed between the light guide plate 220 and the bottom surface of the bottom cover 201. The reflection sheet 205 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 220 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 100. The reflective sheet 205 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective sheet 205 may be a reflective layer coated on the top surface of the bottom cover 201, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(240)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(240)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(240)은 상기 광학 시트(230)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(200)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시장치 등에 적용될 수 있다. The display panel 240 is, for example, an LCD panel including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 240, and the present invention is not limited thereto. The display panel 240 displays information by the light passing through the optical sheet 230. Such a display device 200 can be applied to various kinds of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, video display devices such as televisions, and the like.

상기 광학 시트(230)는 상기 표시 패널(240)과 상기 도광판(220) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트(231,232)를 포함한다. 상기 광학 시트(230)는 예컨대 확산 시트(231), 프리즘 시트(232)를 포함하며, 휘도 강화 시트를 더 포함할 수 있다. 상기 확산 시트(231)는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트(232)는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(240) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 230 is disposed between the display panel 240 and the light guide plate 220 and includes at least one light transmitting sheet 231 and 232. The optical sheet 230 includes, for example, a diffusion sheet 231 and a prism sheet 232, and may further include a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet 231 diffuses the incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet 232 condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet reuses the lost light, . A protective sheet may be disposed on the display panel 240, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 라이트 유닛(100)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(220), 및 광학 시트(230)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Here, the light guide plate 220 and the optical sheet 230 may be disposed on the optical path of the light unit 100 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 20은 제8실시 예로서, 도 1의 라이트 유닛 또는 도 18과 같은 발광 장치를 갖는 다른 표시 장치이다. Fig. 20 shows an eighth embodiment, which is a light unit of Fig. 1 or another display device having a light emitting device as shown in Fig.

도 20을 참조하면, 표시 장치는 바텀 커버(201), 라이트 유닛(100), 접착 부재(212), 광학 시트(230) 및 표시 패널(240)을 포함한다. 상기 바텀 커버(201), 라이트 유닛(100), 접착 부재(212), 광학 시트(230)는 백라이트 유닛 또는 발광 장치로 정의될 수 있다.20, the display device includes a bottom cover 201, a light unit 100, an adhesive member 212, an optical sheet 230, and a display panel 240. The bottom cover 201, the light unit 100, the adhesive member 212, and the optical sheet 230 may be defined as a backlight unit or a light emitting device.

상기 라이트 유닛(100)은 상기에 개시된 실시 예의 라이트 유닛을 포함하며, 복수개가 상기 바텀 커버(201)의 바닥면 상에 배열된다. 상기 라이트 유닛(100)은 직하 방식으로 배치된다. The light unit 100 includes a light unit of the above-described embodiment, and a plurality of light units 100 are arranged on the bottom surface of the bottom cover 201. [ The light unit 100 is disposed in a direct-down manner.

상기 라이트 유닛(100)과 상기 바텀 커버(201)의 바닥면 사이에는 접착 부재(212)가 배치되고, 상기 접착 부재(212)는 상기 라이트 유닛(100)을 상기 바텀 커버(201)에 고정시켜 준다. 상기 접착 부재(212)는 전도성 재질 또는 비 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 접착 부재(212)는 상기 발광 소자(1~n)로부터 방출된 열을 상기 바텀 커버(201)를 통해 전도하게 된다. 상기 접착 부재(212)의 너비는 상기 발광 소자(1~n)의 하면 너비보다 적어도 넓게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 라이트 유닛(100)은 상기 발광 소자(1~n)의 방열 프레임(125)이 상기 접착 부재(212)로 상기 바텀 커버(201)에 접착되거나, 상기 접착 부재(212)의 제거를 통해 간단하게 교체될 수 있다. An adhesive member 212 is disposed between the bottom surface of the light unit 100 and the bottom cover 201 and the adhesive member 212 fixes the light unit 100 to the bottom cover 201 give. The adhesive member 212 may include a conductive material or a non-conductive material. The bonding member 212 conducts the heat emitted from the light emitting devices 1 through n through the bottom cover 201. The width of the adhesive member 212 may be at least wider than the bottom width of the light emitting devices 1 to n, but the present invention is not limited thereto. The light unit 100 can be easily attached to the bottom cover 201 by the adhesive member 212 or by removing the adhesive member 212 from the heat radiation frame 125 of the light emitting devices 1 to n- .

여기서, 상기 광학 시트(230)는 확산 시트(231) 및 프리즘 시트(232)를 포함한다. 상기 바텀 커버(201)와 상기 광학 시트(230) 사이에는 도광판이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 확산 시트(231)는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트(232)는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
Here, the optical sheet 230 includes a diffusion sheet 231 and a prism sheet 232. A light guide plate may be disposed between the bottom cover 201 and the optical sheet 230, but the present invention is not limited thereto. The diffusion sheet 231 diffuses the incident light, and the horizontal and vertical prism sheet 232 condenses the incident light into a display area. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will.

도 21은 제9실시 예로서, 도 1의 라이트 유닛을 갖는 조명 장치이다.Fig. 21 is a lighting apparatus having a light unit of Fig. 1 as a ninth embodiment.

도 21을 참조하면, 조명 장치는, 베이스 커버(301), 상기 베이스 커버(301)의 측면부(302,303) 내측에 배치된 라이트 유닛(100,105), 상기 베이스 커버(301)의 홈 내부에 미러 플레이트(305)를 포함한다. 상기 라이트 유닛(100,105)은 상기 베이스 커버(301)의 측면부(302,303) 내측에 접착 부재(311)로 접착되며 서로 대향되게 배치된다. 상기 라이트 유닛(100,105)으로부터 방출된 열은 상기 베이스 커버(301)의 측면부(302,303)를 통해 열 전도되어 방열된다.21, the illumination device includes a base cover 301, light units 100 and 105 disposed inside the side portions 302 and 303 of the base cover 301, 305). The light units 100 and 105 are adhered to the inside of the side portions 302 and 303 of the base cover 301 by an adhesive member 311 and disposed to face each other. The heat emitted from the light units 100 and 105 is conducted through the side portions 302 and 303 of the base cover 301 to be dissipated.

상기 미러 플레이트(205)는 다각 뿔 형상으로 형성될 수 있으며, 다른 예로서 반구 형상을 포함한다. The mirror plate 205 may be formed in a polygonal shape, and may include a hemispherical shape as another example.

상기 미러 플레이트(305)의 적어도 한 측면은 상기 베이스 커버(301)의 바닥면에 대해 10~80°의 각도로 경사지게 배치되거나 소정의 오목한 곡면으로 형성되어, 상기 라이트 유닛(100,105)의 발광 소자(1)로부터 방출된 광들을 반사시켜 준다. 상기 미러 플레이트(305)로부터 반사된 광은 상기 베이스 커버(301)의 상 방향으로 진행하게 된다.
At least one side surface of the mirror plate 305 may be inclined at an angle of 10 to 80 degrees with respect to the bottom surface of the base cover 301 or may be formed to have a predetermined concave curved surface so that the light emitting elements 100, 1). The light reflected from the mirror plate 305 travels upward in the base cover 301.

도 22 및 도 23은 제10실시 예에 따른 라이트 유닛 및 이의 발광 소자를 나타낸 도면이다.22 and 23 are views showing a light unit according to the tenth embodiment and its light emitting element.

도 22 및 도 23을 참조하면, 라이트 유닛(400)은 각 발광 소자(1~n)의 양측에 배치된 복수의 발광부(410,410A)를 포함한다. 상기 복수의 발광부(410,410A)는 서로 평행하게 배치되며, 상기 발광부(410,410A) 내의 발광 칩(450)은 동일한 파장 대의 광을 방출하거나 서로 다른 파장 대의 광을 방출할 수 있다. 22 and 23, the light unit 400 includes a plurality of light emitting portions 410 and 410A disposed on both sides of the light emitting elements 1 to n. The plurality of light emitting units 410 and 410A are arranged in parallel with each other, and the light emitting chips 450 in the light emitting units 410 and 410A may emit light of the same wavelength band or emit light of different wavelength band.

상기 라이트 유닛(400)은 상기 각 발광 소자(1~n)의 영역 내에 나란하게 배열된 복수의 연결 프레임(420,440)을 포함한다. 상기 복수의 연결 프레임(420,440)은 복수의 발광 소자(14:1~n)의 발광 칩(450)을 직렬로 연결해 준다. 상기 복수의 연결 프레임(420,440) 중 어느 하나는 루프 프레임으로 사용된다. 상기 각 연결 프레임(420,440)은 복수로 분할된 프레임부(421,422,424,441,442,444)로 이루어질 수 있다.The light unit 400 includes a plurality of connection frames 420 and 440 arranged in parallel in the regions of the light emitting devices 1 to n. The plurality of connection frames 420 and 440 connect the light emitting chips 450 of the plurality of light emitting devices 14: 1 to n in series. One of the plurality of connection frames 420 and 440 is used as a loop frame. Each of the connection frames 420 and 440 may include a plurality of divided frame parts 421, 422, 424, 441, 442, 444.

상기 발광 소자(1~n)의 구조를 보면, 제1발광부(410)의 발광 칩(450)은 제1캐비티(412) 내에 배치된 제1방열 프레임(425) 위에 탑재되며, 상기 제1캐비티(412) 내에 일부가 배치된 제1 프레임부(421)와 제2프레임부(422)에 연결된다. 제2발광부(410A)의 발광 칩(450)은 제2캐비티(412A) 내에 배치된 제2방열 프레임(435) 위에 탑재되며, 상기 제2캐비티(412A) 내에 일부가 배치된 제3프레임부(441)와 제4프레임부(442)에 연결된다. 상기 제2프레임부(422) 및 상기 제4프레임부(442)는 인접한 발광 소자(1~n)의 발광 칩(450)을 직렬로 연결시켜 준다.The light emitting chip 450 of the first light emitting part 410 is mounted on the first heat dissipating frame 425 disposed in the first cavity 412, And is connected to the first frame portion 421 and the second frame portion 422, which are partially disposed in the cavity 412. The light emitting chip 450 of the second light emitting portion 410A is mounted on the second heat dissipating frame 435 disposed in the second cavity 412A and the third chip 412A, (441) and the fourth frame portion (442). The second frame portion 422 and the fourth frame portion 442 connect the light emitting chips 450 of the adjacent light emitting devices 1 to n in series.

상기 라이트 유닛(400)의 종단 프레임부(424,444)는 연결 부재(445)에 의해 서로 연결될 수 있다.
The end frame portions 424 and 444 of the light unit 400 may be connected to each other by a connecting member 445. [

도 24 및 도 25는 제11실시 예에 따른 라이트 유닛 및 이의 발광 소자를 나타낸 도면이다.24 and 25 are views showing a light unit according to the eleventh embodiment and its light emitting element.

도 24 및 도 25를 참조하면, 라이트 유닛(500)은 센터 영역에 발광부(510)를 갖는 복수의 발광 소자(15:1~n), 상기 각 발광 소자(1~n)를 통해 상기 발광부(510)의 열을 따라 배열된 연결 프레임(520)과, 상기 연결 프레임(520)의 양측에 제1루프 프레임(540)과 제2루프 프레임(540A)을 포함한다. 24 and 25, the light unit 500 includes a plurality of light emitting elements 15: 1 to n having a light emitting portion 510 in the center region, And a first loop frame 540 and a second loop frame 540A on both sides of the connection frame 520. The first loop frame 540 and the second loop frame 540A are connected to each other.

상기 연결 프레임(520)은 제1프레임부(521), 제2프레임부(522) 및 제1종단 프레임부(524)를 포함하며, 복수의 발광 소자(1~n)를 직렬로 연결시켜 준다. The connection frame 520 includes a first frame portion 521, a second frame portion 522 and a first terminal frame portion 524 and connects the plurality of light emitting devices 1 to n in series .

상기 연결 프레임(520)의 제1종단 프레임부(524)는 상기 제1루프 프레임(540) 또는/및 상기 제2루프 프레임(540A)의 제2종단 프레임부(544) 또는 상기 제3종단 프레임부(544A)와 직접 연결되거나, 연결 부재(545,546)에 의해 선택적으로 연결된다.
The first end frame portion 524 of the connection frame 520 is connected to the first end frame portion 544 of the first loop frame 540 and / or the second end frame portion 544 of the second loop frame 540A, 544A, or selectively connected by connecting members 545,

상기 제1루프 프레임(540)과 상기 제2루프 프레임(540A)은 상기 각 발광 소자(1~n)의 발광부(510)의 양측에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2루프 프레임(540,540A)은 제3 내지 제5프레임부(541,542,543)(541A,542A,543A), 종단 프레임부(544,544A)를 포함한다.The first loop frame 540 and the second loop frame 540A may be disposed on both sides of the light emitting portion 510 of the light emitting devices 1 to n. The first and second loop frames 540 and 540A include third through fifth frame portions 541, 542 and 543, 541A, 542A and 543A, and end frame portions 544 and 544A.

상기 제1발광 소자(1)의 일단부는 3개의 프레임부(521,541,541A)가 돌출되며, 상기 3개의 프레임부(521,541,541A) 중 하나는 입력 단(P1)이며, 나머지 2개는 출력 단(P2,P3)이 될 수 있다. One frame part 521, 541 and 541A protrudes from one end of the first light emitting device 1 and one of the three frame parts 521, 541 and 541A is connected to the input end P1, , P3).

도 26 및 도 27는 제12실시 예에 따른 라이트 유닛 및 이의 발광 소자를 나타낸 도면이다.26 and 27 are views showing a light unit according to the twelfth embodiment and its light emitting element.

도 26 및 도 27을 참조하면, 라이트 유닛(600)은 각 발광 소자(1~n)의 양측에 배치된 복수의 발광부(610,610A), 상기 복수의 발광부(610,610A)의 열에 대응되게 배치된 제1 및 제2연결 프레임(620,620A), 및 상기 제1 및 제2연결 프레임(620,620A) 사이에 배치된 루프 프레임(640)을 포함한다. 26 and 27, the light unit 600 includes a plurality of light emitting units 610 and 610A disposed on both sides of the light emitting devices 1 to n, and a plurality of light emitting units 610 and 610A corresponding to the columns of the plurality of light emitting units 610 and 610A Arranged first and second connection frames 620 and 620A, and a loop frame 640 disposed between the first and second connection frames 620 and 620A.

상기 제1연결 프레임(620: 621,622,624)은 상기 각 발광 소자(1~n)의 제1영역에 배치된 제1발광부(610)의 열을 따라 형성되고, 상기 제2연결 프레임(620A: 621A,622A,624A)은 상기 각 발광 소자(1~n)의 제2영역에 배치된 제2발광부(610A)의 열을 따라 형성된다. The first connection frame 620 is formed along the row of the first light emitting portion 610 disposed in the first region of each of the light emitting devices 1 to n and the second connection frame 620A 622A, and 624A are formed along the rows of the second light emitting portions 610A disposed in the second regions of the light emitting devices 1 to n.

상기 루프 프레임(640:641,642,643,644)은 상기 제1연결 프레임(620)과 상기 제2연결 프레임(620A) 사이에 배치되며, 상기 제1연결 프레임(620)의 타 단부와 상기 제2연결 프레임(620A)의 일 단부에 연결된다. 상기 루프 프레임(640)은 루프 회로가 아닌 중간 연결 프레임으로 사용된다.
The loop frame 640 is disposed between the first connection frame 620 and the second connection frame 620A and the other end of the first connection frame 620 and the second connection frame 620A ). The loop frame 640 is used as an intermediate connection frame, not a loop circuit.

상기 제1연결 프레임(620)의 제1종단 프레임부(624)는 제1연결 부재(645)에 의해 상기 루프 프레임(640)과 연결되며, 상기 루프 프레임(640)의 제3프레임부(641)는 상기 제2연결 프레임(620A)의 일단부(621A)와 제2연결 부재(646)에 의해 연결된다. 상기 제1연결 부재(645)와 상기 제2연결 부재(646)는 서로 반대측에 배치된다. The first end frame portion 624 of the first connection frame 620 is connected to the loop frame 640 by a first connecting member 645 and the third frame portion 641 of the loop frame 640 Is connected to the one end portion 621A of the second connection frame 620A by the second connection member 646. [ The first linking member 645 and the second linking member 646 are disposed on opposite sides of each other.

복수의 발광 소자(16)는 상기 제1발광부(610)의 발광 칩들(650)과 상기 제2발광부(610A)의 발광 칩들(650)이 상기 루프 프레임(640)에 의해 직렬로 연결된다. 상기 제1발광 소자(1)의 일단부에 배치된 제1프레임부(621)는 제1전원 단(P11)이 되고, 상기 제n발광 소자(n)에 배치된 제3종단 프레임부(624A)는 제2전원 단(P12)이 된다. 상기 제1전원 단(P11)과 상기 제2전원 단(P12)는 서로 반대측에 배치된다. 도 27과 같이, 상기 각 발광 소자의 발광 칩(650)은 캐비티(612,612A) 내에 배치된 방열 프레임(625,625A) 위에 각각 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The plurality of light emitting devices 16 are connected in series with the light emitting chips 650 of the first light emitting portion 610 and the light emitting chips 650 of the second light emitting portion 610A by the loop frame 640 . The first frame part 621 disposed at one end of the first light emitting device 1 is a first power source stage P11 and the third end frame part 624A disposed at the nth light emitting device n Becomes the second power terminal P12. The first power terminal P11 and the second power terminal P12 are disposed on the opposite sides of each other. As shown in FIG. 27, the light emitting chips 650 of the respective light emitting devices may be disposed on the heat radiating frames 625 and 625A disposed in the cavities 612 and 62A, respectively, but the present invention is not limited thereto.

도 28은 제13실시 예에 따른 커넥터 부재를 갖는 라이트 유닛을 나타낸 도면이며, 도 29는 도 28의 커넥터의 C-C측 단면도이다.FIG. 28 is a view showing a light unit having a connector member according to a thirteenth embodiment, and FIG. 29 is a cross-sectional view taken on the C-C side of the connector of FIG.

도 28을 참조하면, 라이트 유닛(700)은 제1라이트 유닛(701)과 제2라이트 유닛(702) 사이에 결합된 커넥터 부재(760)를 포함한다. 상기 커넥터 부재(760)는 상기 제1라이트 유닛(701)의 제n발광 소자(n)와 상기 제2라이트 유닛(702)의 제1발광 소자(1)를 직렬로 연결시켜 준다.Referring to Fig. 28, the light unit 700 includes a connector member 760 coupled between the first light unit 701 and the second light unit 702. Fig. The connector member 760 connects the nth light emitting device n of the first light unit 701 and the first light emitting device 1 of the second light unit 702 in series.

상기 제1 및 제2라이트 유닛(701,702) 내에는 각 발광 소자(17:1~n, 17A:1~m)를 직렬로 연결해 주는 연결 프레임(720) 및 상기 연결 프레임(720)의 적어도 일 단부에 연결된 루프 프레임(740)을 포함한다. 상기 연결 프레임(720)은 복수의 프레임부(721,722,724)를 포함하며, 상기 루프 프레임(740)은 상기 각 발광 소자(1~n, 1~m)에 관통되는 프레임부(741,742,743,744)를 포함한다. 여기서, 상기 n과 m은 2이상의 정수이며, 서로 동일하거나 다를 수 있다.The first and second light units 701 and 702 include a connection frame 720 for connecting the light emitting devices 17: 1 to 17A: 1 to m in series and at least one end of the connection frame 720 RTI ID = 0.0 > 740 < / RTI > The connection frame 720 includes a plurality of frame parts 721, 722 and 724. The loop frame 740 includes frame parts 741, 742, 743 and 744 passing through the light emitting devices 1 to n and 1 to m. Here, n and m are integers of 2 or more and may be the same or different from each other.

도 29와 같이, 상기 커넥터 부재(760) 내에는 제1삽입구(761) 및 제2삽입구(762)가 배치되며, 상기 제1삽입구(761) 및 상기 제2삽입구(762)는 관통 구멍으로 형성되고 서로 이격된다. 상기 커넥터 부재(760)는 상기 발광 소자의 크기 또는 그 이하의 사이즈로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 커넥터 부재(760)는 상기 발광 소자의 몸체 재질과 같은 절연 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.29, a first insertion port 761 and a second insertion port 762 are disposed in the connector member 760, and the first insertion port 761 and the second insertion port 762 are formed as through holes. And are separated from each other. The connector member 760 may be disposed at a size equal to or less than the size of the light emitting device, but the present invention is not limited thereto. The connector member 760 may be formed of an insulating material such as a body material of the light emitting device, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1라이트 유닛(701)의 제1종단 프레임부(724)와, 상기 제2라이트 유닛(702)의 제1프레임부(721)는 상기 제1삽입구(761)에 삽입되며, 상/하 적층 구조로 결합되며 전기적으로 연결된다. The first frame portion 724 of the first light unit 701 and the first frame portion 721 of the second light unit 702 are inserted into the first insertion port 761, Are laminated and electrically connected.

상기 제1라이트 유닛(701)의 제2종단 프레임부(744)와 상기 제2라이트 유닛(702)의 제3프레임부(741)는 상기 제2삽입구(762)에 삽입되고, 상/하 적층 구조로 결합되고 전기적으로 연결된다. The second end frame portion 744 of the first light unit 701 and the third frame portion 741 of the second light unit 702 are inserted into the second insertion port 762, Structure and are electrically connected.

상기 커넥터 부재(760)는 제1라이트 유닛(701)의 발광 소자(1~n)와 상기 제2라이트 유닛(702)의 발광 소자(1~m)를 직렬로 연결시켜 주게 된다. 상기 제2라이트 유닛(702)의 제1 및 제2종단 프레임부(724,744)는 직접 연결되거나, 연결 부재(745)에 의해 서로 연결될 수 있다. The connector member 760 connects the light emitting elements 1 to n of the first light unit 701 and the light emitting elements 1 to m of the second light unit 702 in series. The first and second terminal frame portions 724 and 744 of the second light unit 702 may be directly connected to each other or may be connected to each other by a connecting member 745.

상기 제1라이트 유닛(701)의 일단부에 배치된 제1프레임부(721)와 제3프레임부(741)에 전원을 공급하여, 상기 제1라이트 유닛(701) 및 상기 제2라이트 유닛(702)의 발광 소자들(1~n, 1~m)을 구동시켜 줄 수 있다.Power is supplied to the first frame part 721 and the third frame part 741 disposed at one end of the first light unit 701 so that the first light unit 701 and the second light unit The light emitting devices 1 to n, 1 to m of the light emitting devices 702 and 702 can be driven.

상기 라이트 유닛(700)은 상기 커넥터 부재(760)에 의해 2개의 라이트 유닛(701,702)뿐만 아니라, 3개 이상의 라이트 유닛을 직렬로 연결시켜 줄 수 있다. 또한 상기 라이트 유닛(700)은 상기 루프 프레임(740)에 의해 상기 라이트 유닛(701,702)의 루프 회로를 제공할 수 있다.The light unit 700 can connect not only the two light units 701 and 702 but also three or more light units in series by the connector member 760. Further, the light unit 700 can provide a loop circuit of the light units 701 and 702 by the loop frame 740.

도 30은 제14실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.30 is a view showing a light unit according to the fourteenth embodiment.

도 30을 참조하면, 라이트 유닛(800)은 하나의 몸체(811) 내에 어레이된 복수의 발광부(810)를 포함한다. Referring to FIG. 30, the light unit 800 includes a plurality of light emitting units 810 arrayed in one body 811.

상기 복수의 발광부(810)는 상기 몸체(811)의 제1방향으로 어레이된 캐비티(812)에 의해 형성되고, 상기 각 발광부(810)의 발광 칩들(850)은 연결 프레임들(820:821,822,824)에 의해 직렬로 연결된다. 상기 각 캐비티(812) 내에는 방열 프레임(825)이 배치되며, 상기 방열 프레임(825)은 상기 발광 칩(850)으로부터 발생된 열을 방열시켜 줄 수 있다. 루프 프레임(840)의 제2종단 프레임부(842)는 상기 몸체(811)의 타 측면으로 돌출되며, 상기 제1종단 프레임부(824)와 연결 부재(845)로 연결된다. 상기 몸체(811)의 일 측면으로 돌출된 상기 제1프레임부(821)와 제3프레임부(841)는 전원 단(P1,P2)으로 사용된다.
The plurality of light emitting units 810 are formed by cavities 812 arranged in a first direction of the body 811 and the light emitting chips 850 of the light emitting units 810 are connected to the connection frames 820, 821, 822, 824). A heat dissipating frame 825 is disposed in each of the cavities 812 and the heat dissipating frame 825 dissipates heat generated from the light emitting chip 850. The second end frame portion 842 of the loop frame 840 protrudes from the other side of the body 811 and is connected to the first end frame portion 824 by a connecting member 845. The first frame portion 821 and the third frame portion 841 protruding from one side of the body 811 are used as the power terminals P1 and P2.

도 31 내지 도 39는 발광 소자를 다른 예들을 나타낸 도면이다. 이러한 발광 소자들은 상기에 개시된 라이트 유닛의 발광 소자에 선택적으로 적용될 수 있다. 31 to 39 are views showing other examples of the light emitting device. These light emitting elements can be selectively applied to the light emitting element of the light unit described above.

도 31은 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예를 나타낸 평면도이며, 도 32는 도 31의 측 단면도이다.31 is a plan view showing another example of the light emitting device according to the embodiment, and Fig. 32 is a side sectional view of Fig.

도 31 및 도 32를 참조하면, 발광 소자(900)는 몸체(911)의 제1영역에 상부가 개방된 캐비티(912), 및 상기 캐비티(912)에 일부가 배치된 제1 및 제2프레임부(921,922), 상기 제1 및 제2프레임부(921,922) 사이에 배치된 방열 프레임(923), 상기 방열 프레임(923) 상에 배치된 발광 칩(950), 상기 캐비티(912) 상에 배치된 몰딩 부재(915)를 포함한다.31 and 32, the light emitting device 900 includes a cavity 912 having an open upper portion in a first region of the body 911, and a cavity 912 having a cavity formed in the cavity 912, A heat dissipation frame 923 disposed between the first and second frame portions 921 and 922, a light emitting chip 950 disposed on the heat dissipation frame 923, (915).

상기 방열 프레임(923)은 상기 몸체(911)의 바닥에 배치되며, 측면부(923A,923B)가 절곡되어 컵 형상의 하부 캐비티(925)로 형성된다. 상기 방열 프레임(923)의 양 단부는 상기 제1프레임부(921)의 제1본딩부(921A)와 상기 제2프레임부(922)의 제2본딩부(922A)에 대응되게 배치된다. The heat dissipation frame 923 is disposed on the bottom of the body 911 and the side portions 923A and 923B are bent to form a cup-shaped lower cavity 925. [ Both end portions of the heat radiation frame 923 are disposed to correspond to the first bonding portion 921A of the first frame portion 921 and the second bonding portion 922A of the second frame portion 922. [

상기 몸체(911)의 캐비티(912)의 둘레면은 상기 몸체(911)의 하면에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(900)의 발광부(910)는 상기 캐비티(912) 및 그 아래의 하부 캐비티(925)의 영역을 포함한다.
The peripheral surface of the cavity 912 of the body 911 may be inclined or perpendicular to the lower surface of the body 911, but the present invention is not limited thereto. The light emitting portion 910 of the light emitting device 900 includes a region of the cavity 912 and a lower cavity 925 below the cavity 912.

상기 발광 칩(950)과 상기 제1프레임부(921)의 제1본딩부(921A)는 제1와이어(951)로 연결되며, 상기 발광 칩(950)과 상기 제2프레임부(922)의 제2본딩부(922A)는 제2와이어(952)로 연결된다. 여기서, 상기 방열 프레임(923)은 상기 제1프레임부(921) 또는 상기 제2프레임부(922)와 일체로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting chip 950 and the first bonding portion 921A of the first frame portion 921 are connected by a first wire 951 and the light emitting chip 950 is connected to the second frame portion 922 And the second bonding portion 922A is connected to the second wire 952. [ Here, the heat radiating frame 923 may be formed integrally with the first frame portion 921 or the second frame portion 922, but the present invention is not limited thereto.

루프 프레임(940)은 상기 몸체(911)의 제2영역으로 관통되고 상기 제1프레임부(921), 상기 제2프레임부(922) 및 상기 방열 프레임(923)으로부터 이격된다.The roof frame 940 is passed through the second area of the body 911 and is spaced apart from the first frame part 921, the second frame part 922 and the heat radiating frame 923.

라이트 유닛은 상기의 발광 소자(900)가 서로 이격되어 어레이되고, 중심부에 도 3보다 더 큰 면적의 방열 프레임(923)이 배치된다. 이에 따라 방열 효율은 개선될 수 있다.
In the light unit, the light emitting elements 900 are arranged apart from each other, and a heat radiating frame 923 having a larger area than that of FIG. Accordingly, the heat radiation efficiency can be improved.

도 33을 참조하면, 발광 소자(1000)는 발광 칩(1050)이 탑재된 방열 프레임(1001)과, 제1연결 프레임(1003) 및 제2연결 프레임(1005)을 포함한다. 상기 발광 소자(1000)는 3개의 프레임(1001,1003,1005)이 나란하게 배치된다. 상기 방열 프레임(1001)은 상기 각 발광 소자(1000)의 센터 영역을 관통하며, 그 일부(1001A)는 몸체(1011)의 캐비티(1012) 내에 노출된다. 상기 방열 프레임(1001)의 일부(1001A)는 상기 캐비티(1012) 바닥면에 배치되며 상기 발광 칩(1050)이 탑재된다.33, the light emitting device 1000 includes a heat dissipating frame 1001 on which the light emitting chip 1050 is mounted, and a first connection frame 1003 and a second connection frame 1005. In the light emitting device 1000, three frames 1001, 1003, and 1005 are arranged in parallel. The heat radiating frame 1001 penetrates a center region of each light emitting device 1000 and a portion 1001A of the heat radiating frame 1001 is exposed in a cavity 1012 of the body 1011. [ A part 1001A of the heat radiating frame 1001 is disposed on the bottom surface of the cavity 1012 and the light emitting chip 1050 is mounted.

상기 제1연결 프레임(1003)은 상기 방열 프레임(1001)의 일 측면으로부터 이격되게 배치되고, 상기 제2연결 프레임(1005)은 상기 방열 프레임(1001)의 타 측면으로부터 이격되게 배치된다. 즉, 상기 방열 프레임(1001)은 상기 제1연결 프레임(1003)과 제2연결 프레임(1005) 사이에 배치된다. 상기 제1연결 프레임(1003)의 일부(1003A)는 상기 캐비티(1012)와 연결된 제1서브 캐비티(1014)에 노출되며, 상기 발광 칩(1050)과 제1와이어(1051)로 연결된다. 상기 제2연결 프레임(1005)의 일부(1005A)는 상기 캐비티(1012)와 연결된 제2서브 캐비티(1016)에 노출되며 상기 발광 칩(1050)과 제2와이어(1052)로 연결된다. 상기 제1서브 캐비티(1014) 및 제2서브 캐비티(1016)는 상기 몸체(1011)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있다.The first connection frame 1003 is spaced apart from one side of the heat radiation frame 1001 and the second connection frame 1005 is spaced apart from the other side of the heat radiation frame 1001. That is, the heat radiating frame 1001 is disposed between the first connection frame 1003 and the second connection frame 1005. A part 1003A of the first connection frame 1003 is exposed to a first sub cavity 1014 connected to the cavity 1012 and connected to the light emitting chip 1050 through a first wire 1051. [ A part 1005A of the second connection frame 1005 is exposed to the second sub cavity 1016 connected to the cavity 1012 and connected to the light emitting chip 1050 through the second wire 1052. [ The first sub-cavity 1014 and the second sub-cavity 1016 may be formed at a predetermined depth from the upper surface of the body 1011.

상기 제1연결 프레임(1003)과 상기 제2연결 프레임(1005) 중 어느 하나는 루프 프레임으로 사용될 수 있다. 상기 방열 프레임(1001)과, 제1연결 프레임(1003) 및 제2연결 프레임(1005) 각각은 독립된 금속 프레임으로 형성될 수 있으며, 이들의 너비 및 길이는 서로 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.상기 제1서브 캐비티(1014)와 상기 제2서브 캐비티(1016)는 상기 캐비티(1012)의 크기보다 작게 형성될 수 있으며, 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다.
Either the first connection frame 1003 or the second connection frame 1005 can be used as a loop frame. The heat radiating frame 1001, the first connection frame 1003, and the second connection frame 1005 may be formed of independent metal frames. The width and the length of the metal frame may be the same as each other. The first sub-cavity 1014 and the second sub-cavity 1016 may be formed to be smaller than the size of the cavity 1012, and the shape viewed from above may include a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape.

라이트 유닛의 각 발광 소자(1000)에서 상기 방열 프레임(1001)으로부터 상기 제1연결 프레임(1003)과 상기 제2연결 프레임(1005)의 간격은 동일한 간격이거나 다른 간격일 수 있다. 상기 방열 프레임(1001)의 일부(1001A)는 도 32의 컵 구조와 같이 절곡되어 상기 몸체(1011)의 하부로 연장될 수 있다.
The distance between the first connection frame 1003 and the second connection frame 1005 from the heat radiation frame 1001 in each light emitting device 1000 of the light unit may be the same or different. A part 1001A of the heat radiating frame 1001 may be bent like the cup structure of FIG. 32 and extend to a lower portion of the body 1011. [

도 34를 참조하면, 발광 소자(1100)는 캐비티(1112)를 갖는 몸체(1111), 상기 몸체(1111) 양측부에 돌출된 제1프레임부(1121)과 제2프레임부(1122), 상기 몸체(1111)의 캐비티(1112)에 배치된 제1방열 프레임(1124), 상기 제1방열 프레임(1124)으로부터 이격된 제2방열 프레임(1125), 상기 제1방열 프레임(1124)과 제2방열 프레임(1125) 사이에 패드(1123), 상기 제1방열 프레임(1124) 위에 제1발광 칩(1150), 상기 제2방열 프레임(1125) 위에 제2발광 칩(1150A), 상기 캐비티(1112)에 몰딩 부재(1115)를 포함한다. 34, the light emitting device 1100 includes a body 1111 having a cavity 1112, a first frame portion 1121 and a second frame portion 1122 protruding from both sides of the body 1111, A first heat radiation frame 1124 disposed in the cavity 1112 of the body 1111, a second heat radiation frame 1125 spaced from the first heat radiation frame 1124, a first heat radiation frame 1124, A first light emitting chip 1150 is placed on the first heat dissipating frame 1124 and a second light emitting chip 1150A is placed on the second heat dissipating frame 1125. The cavity 1112 And a molding member 1115.

상기 제1방열 프레임(1124)은 컵 형상의 제1하부 캐비티(1113)를 형성하고, 상기 제1하부 캐비티(1113) 내에는 제1발광 칩(1150)이 배치된다. 상기 제1발광 칩(1150)으로부터 방출된 광은 상기 제1하부 캐비티(1113)에 의해 반사됨으로써, 반사 광량이 증가될 수 있다. 상기 제2방열 프레임(1125)은 컵 형상의 제2하부 캐비티(1114)를 형성하게 되며, 상기 제2하부 캐비티(1114) 내에는 제2발광 칩(1150A)이 배치된다. 상기 제2발광 칩(1150A)으로부터 방출된 광은 상기 제2하부 캐비티(1114)에 의해 반사됨으로써, 반사 광량이 증가될 수 있다.The first heat dissipating frame 1124 forms a cup-shaped first lower cavity 1113 and a first light emitting chip 1150 is disposed in the first lower cavity 1113. The light emitted from the first light emitting chip 1150 is reflected by the first lower cavity 1113, so that the amount of reflected light can be increased. The second heat dissipating frame 1125 forms a cup-shaped second lower cavity 1114 and the second light emitting chip 1150A is disposed in the second lower cavity 1114. [ The light emitted from the second light emitting chip 1150A is reflected by the second lower cavity 1114, so that the amount of reflected light can be increased.

상기 제1발광 칩(1150)은 상기 제1프레임부(1121)와 제1와이어(1151)로 연결되며, 상기 패드(1123)와 제2와이어(1152)로 연결되며, 상기 제2발광 칩(1150A)은 상기 패드(1123)와 제3와이어(1153)로 연결되며, 상기 제2프레임부(1122)와 제4와이어(1154)로 연결된다. 상기 제1발광 칩(1150)과 상기 제2발광 칩(1150A)은 직렬로 연결된다.The first light emitting chip 1150 is connected to the first frame part 1121 by a first wire 1151 and is connected to the pad 1123 by a second wire 1152, 1150A are connected to the pad 1123 through a third wire 1153 and are connected to the second frame part 1122 by a fourth wire 1154. The first light emitting chip 1150 and the second light emitting chip 1150A are connected in series.

라이트 유닛은 복수의 발광 소자(1100)가 어레이되며, 상기 발광 소자(1100)의 각 발광부(1110) 내에 복수의 발광 칩(1150,1150A)을 구비하게 됨으로써, 휘도를 증가시켜 줄 수 있으며, 도 1과 같은 루프 프레임에 의해 루프 회로를 구비하게 된다.
The light unit includes a plurality of light emitting devices 1100 and a plurality of light emitting chips 1150 and 1150A in each light emitting unit 1110 of the light emitting device 1100, A loop circuit is provided by the loop frame shown in Fig.

도 35를 참조하면, 발광 소자(1200)는 캐비티(1212)를 갖는 몸체(1211), 상기 캐비티(1212)의 내에 배치되고 상기 몸체(1211)의 양 측부로 돌출된 제1프레임부(1221)와 제2프레임부(1222), 상기 제2프레임부(1222) 위에 배치된 발광 칩(1250), 상기 캐비티(1212) 내에 몰딩 부재(1215)를 포함한다.35, the light emitting device 1200 includes a body 1211 having a cavity 1212, a first frame portion 1221 disposed in the cavity 1212 and protruding to both sides of the body 1211, A light emitting chip 1250 disposed on the second frame part 1222, and a molding member 1215 in the cavity 1212. [

상기 발광 칩(1250)은 상기 제1프레임부(1221)와 제1와이어(1251)로 연결되고, 상기 제2프레임부(1222)와 제2와이어(1252)로 연결된다.The light emitting chip 1250 is connected to the first frame part 1221 by a first wire 1251 and is connected to the second frame part 1222 by a second wire 1252.

상기 발광 칩(1250)의 하부에 전극이 배치된 경우, 상기 제2프레임부(1222)와 상기 발광 칩(1250)은 별도의 와이어를 연결하지 않고 전기적으로 연결될 수 있다.When the electrode is disposed under the light emitting chip 1250, the second frame portion 1222 and the light emitting chip 1250 may be electrically connected without connecting wires.

상기 발광 소자(1200)는 별도의 방열 프레임을 구비하지 않을 수 있다. 라이트 유닛은 복수의 발광 소자(1200)를 포함하며, 방열 효율을 위해 상기 몸체(1211) 하면에 요철 구조와 같은 방열 패턴이 더 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting device 1200 may not include a separate heat radiating frame. The light unit includes a plurality of light emitting devices 1200, and a heat dissipation pattern such as a concavo-convex structure may be further provided on the bottom surface of the body 1211 for heat dissipation efficiency, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(1211)의 캐비티(1212)에 배치된 몰딩 부재(1215) 상에는 렌즈가 더 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 볼록 렌즈 또는 오목 렌즈를 포함할 수 있다.
A lens may be further disposed on the molding member 1215 disposed in the cavity 1212 of the body 1211. The lens may include a convex lens or a concave lens.

도 36을 참조하면, 발광 소자(1300)는 캐비티(1312)에 배치된 몸체(1311), 상기 몸체(1311)의 제1영역에 배치된 방열 프레임(1321), 상기 몸체(1311)의 제2영역에 배치된 제1프레임부(1322) 및 제2프레임부(1323), 상기 방열 프레임(1321) 위에 발광 칩(1350), 상기 발광 칩(1350)과 제1프레임부(1322) 및 제2프레임부(1323)을 서로 연결하는 와이어(1351,1352)를 포함한다.36, the light emitting device 1300 includes a body 1311 disposed in a cavity 1312, a heat radiating frame 1321 disposed in a first region of the body 1311, A light emitting chip 1350 on the heat radiating frame 1321, a light emitting chip 1350 and a first frame portion 1322 and a second light emitting chip 1320 on the first frame portion 1322 and the second frame portion 1323, And wires 1351 and 1352 connecting the frame portions 1323 to each other.

상기 캐비티(1312)에는 상기 방열 프레임(1321)의 일부(1321A)가 노출되며, 상기 방열 프레임(1321)의 일부(1321A)는 상기 몸체(1311)의 하면에 노출될 수 있다.A part 1321A of the heat radiating frame 1321 is exposed to the cavity 1312 and a part 1321A of the heat radiating frame 1321 is exposed to the lower surface of the body 1311. [

상기 제1프레임부(1322)는 상기 몸체(1311)의 제1서브 캐비티(1314) 내에서 상기 몸체(1311)의 제1측면부를 통해 돌출되고, 상기 제2프레임부(1323)는 상기 몸체(1311)의 제2서브 캐비티(1316) 내에서 상기 몸체(1311)의 제2측면부를 통해 돌출된다. 상기 몸체(1311)의 제1측면부는 상기 제2측면부의 반대측 부분이다.The first frame portion 1322 protrudes through the first side portion of the body 1311 in the first sub-cavity 1314 of the body 1311 and the second frame portion 1323 protrudes from the body 1311 through the second side portion of the body 1311 in the second sub-cavity 1316 of the body 1311. [ The first side portion of the body 1311 is the opposite side portion of the second side portion.

상기 제1서브 캐비티(1314)는 상기 캐비티(1312)의 측면과 제1홈(1317)을 통해 연결되며, 상기 제2서브 캐비티(1317)는 상기 캐비티(1312)의 측면과 제2홈(1318)을 통해 연결된다.The first sub cavity 1314 is connected to the side surface of the cavity 1312 through a first groove 1317 and the second sub cavity 1317 is connected to a side surface of the cavity 1312 and a side surface of the second groove 1318 Lt; / RTI >

상기 제1프레임부(1322)의 일부(1322A)는 상기 제1서브 캐비티(1314)에 노출되며 , 상기 제2프레임부(1323)의 일부(1323A)는 상기 제2서브 캐비티(1316)에 노출된다 상기 제1홈(1317), 상기 제2홈(1318), 상기 제1서브 캐비티(1314) 및 상기 제2서브 캐비티(1316)는 상기 몸체(1311)의 상면으로부터 동일한 깊이로 형성되거나, 다른 깊이로 형성될 수 있다. A portion 1322A of the first frame portion 1322 is exposed to the first sub-cavity 1314 and a portion 1323A of the second frame portion 1323 is exposed to the second sub- The first groove 1317, the second groove 1318, the first sub-cavity 1314 and the second sub-cavity 1316 may be formed at the same depth from the upper surface of the body 1311, Depth.

상기 발광 칩(1350)은 제1와이어(1314)와 상기 제1서브 캐비티(1312)의 바닥에 배치된 제1프레임부(1322)의 일부(1322A)와 연결되며, 상기 제2와이어(1352)와 상기 제2서브 캐비티(1316)의 바닥에 배치된 상기 제2프레임부(1323)의 일부(1323A)와 연결된다. 상기 제1 및 제2홈(1317,1318)은 상기 각 와이어(1351,1352)가 지나는 경로로 사용될 수 있다.The light emitting chip 1350 is connected to the first wire 1314 and a portion 1322A of the first frame portion 1322 disposed at the bottom of the first sub cavity 1312, And a portion 1323A of the second frame portion 1323 disposed at the bottom of the second sub-cavity 1316. The second sub- The first and second grooves 1317 and 1318 may be used as a path through which the wires 1351 and 1352 pass.

상기 홈(1317,1318)은 상기 몸체(1311)의 상면보다 낮고 상기 캐비티(1312)의 바닥면보다 높게 형성될 수 있다.
The grooves 1317 and 1318 may be formed lower than the upper surface of the body 1311 and higher than the bottom surface of the cavity 1312.

도 37을 참조하면, 발광 소자(1400)는 캐비티(1412)를 갖는 몸체(1411), 상기 캐비티(1412)에 배치되며 상기 몸체(1411)의 양 측면부로 돌출된 제1프레임부(1421) 및 제2프레임부(1422), 상기 몸체(1411)의 제2열에 배치된 루프 프레임(1440), 상기 루프 프레임(1440)으로부터 상기 캐비티(1412)의 바닥에 연장된 방열부(1445)를 포함한다. 37, the light emitting device 1400 includes a body 1411 having a cavity 1412, a first frame portion 1421 disposed on the cavity 1412 and protruded to both side portions of the body 1411, A second frame portion 1422, a loop frame 1440 disposed in the second row of the body 1411, and a heat radiating portion 1445 extending from the loop frame 1440 to the bottom of the cavity 1412 .

상기 루프 프레임(1440)은 상기 몸체(1411)의 양 측면부로 돌출된 제3 및 제4프레임부(1441,1442), 상기 몸체(1411) 내에 배치된 제5프레임부(1443), 상기 제5프레임부(1443)로부터 상기 캐비티(1412) 방향으로 연장된 연장부(1444), 및 상기 연장부(1444)로부터 상기 캐비티(1412)의 바닥으로 연장된 방열부(1445)를 포함한다. The roof frame 1440 includes third and fourth frame portions 1441 and 1442 protruding from both sides of the body 1411, a fifth frame portion 1443 disposed in the body 1411, An extension 1444 extending from the frame portion 1443 in the direction of the cavity 1412 and a heat dissipation portion 1445 extending from the extension 1444 to the bottom of the cavity 1412.

상기 루프 프레임(1440)의 방열부(1445)와 연장부(1444)는 일체로 형성되며 상기 연장부(1444)는 상기 몸체(1411)의 바닥에 상기 방열부(1445)와 같이 배치되거나, 상기 몸체(1411)의 내에 배치될 수 있다. 상기 방열부(1445)는 상기 제5프레임부(1443)보다 낮게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The radiating portion 1445 and the extending portion 1444 of the roof frame 1440 are integrally formed and the extending portion 1444 is disposed on the bottom of the body 1411 as the radiating portion 1445, And may be disposed within the body 1411. The heat radiating portion 1445 may be disposed lower than the fifth frame portion 1443, but the present invention is not limited thereto.

상기 루프 프레임(1440)의 방열부(1445)에 탑재된 발광 칩(1450)은 상기 캐비티(1412) 내에서 상기 제1프레임부(1421)와 제1와이어(1451)로 연결되고, 상기 제2프레임부(1442)와 제2와이어(1452)로 연결된다.
The light emitting chip 1450 mounted on the heat radiating portion 1445 of the roof frame 1440 is connected to the first frame portion 1421 and the first wire 1451 in the cavity 1412, And is connected to the frame portion 1442 and the second wire 1452.

도 38를 참조하면, 발광 소자(1550)는 캐비티(1512)를 갖는 몸체(1511), 상기 몸체(1511)의 바닥에 배치된 방열 프레임(1525), 상기 방열 프레임(1525) 위에 발광 칩(1550), 상기 몸체(1511)의 상면 일측에 상기 몸체(1511)의 하면과 반대측 방향으로 소정 높이(H2)로 돌출된 돌출부(1513)를 포함한다.38, the light emitting device 1550 includes a body 1511 having a cavity 1512, a heat radiating frame 1525 disposed on the bottom of the body 1511, and a light emitting chip 1550 And a protrusion 1513 protruding at a predetermined height H2 in a direction opposite to the lower surface of the body 1511 on one side of the upper surface of the body 1511. [

상기 돌출부(1513)는 상기 몸체(1511)의 상면과 단차지며, 그 내 측면은 상기 캐비티(1512)의 어느 한 측면으로부터 연장된다. 상기 몸체(1511)의 돌출부(1513)는 상기 캐비티(1512)에 배치된 상기 발광 칩(1550)으로부터 방출된 광을 반사시켜 주어, 광의 지향각 분포를 개선시켜 줄 수 있다.The protrusion 1513 is stepped with the upper surface of the body 1511, and the inner surface of the protrusion 1513 extends from one side of the cavity 1512. The protrusion 1513 of the body 1511 reflects the light emitted from the light emitting chip 1550 disposed in the cavity 1512 and improves the directivity angle distribution of the light.

루프 프레임(1540)은 상기 제1프레임부(1521)로부터 이격되며, 상기 몸체(1511)의 캐비티(1512)로부터 이격된 영역으로 관통된다.
The loop frame 1540 is spaced apart from the first frame part 1521 and penetrates into a region spaced from the cavity 1512 of the body 1511.

도 39를 참조하면, 발광 소자(1600)는 하나의 몸체(1611) 내에서 연결 프레임의 열에 복수의 발광부(1610,1610A)가 배치되며, 상기 복수의 발광부(1610,1610A)는 서로 이격된다. 상기 각 발광부(1610,1610A)의 발광 칩(1650,1651)은 방열 프레임(1625) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(1600)의 일단 부에는 제1프레임부(1621)이 배치되며, 다른 단부에는 제2프레임부(1623)이 배치된다. 상기 발광 소자(1600) 내에는 중간 프레임부(1622)이 배치되며, 상기 중간 프레임부(1622)의 양 단부는 각 캐비티(1612)에 연장되며 상기 발광 칩(1650,1651)과 전기적으로 연결된다. 39, a plurality of light emitting units 1610 and 1610A are arranged in a column of a connection frame in one body 1611, and the plurality of light emitting units 1610 and 1610A are spaced apart from each other do. The light emitting chips 1650 and 1651 of the light emitting units 1610 and 1610A may be disposed on the heat radiating frame 1625. The first frame portion 1621 is disposed at one end of the light emitting device 1600 and the second frame portion 1623 is disposed at the other end. An intermediate frame portion 1622 is disposed in the light emitting device 1600 and both ends of the intermediate frame portion 1622 are extended to the respective cavities 1612 and are electrically connected to the light emitting chips 1650 and 1651 .

상기 발광 칩(1650,1651)은 제1프레임부(1621), 중간 프레임부(1622) 및 제2프레임부(1623)에 의해 직렬로 연결된다. 상기 복수의 발광부(1610,1610A)는 상기 몸체(1611) 내부를 관통하는 루프 프레임(1640)과 이격되며, 상기 루프 프레임(1640)은 도 1과 같이 복수의 발광 소자 중 적어도 하나의 발광 소자 예컨대, n번째 발광 소자에 연결된 프레임 단부에 연결될 수 있다. The light emitting chips 1650 and 1651 are connected in series by the first frame portion 1621, the intermediate frame portion 1622, and the second frame portion 1623. The plurality of light emitting units 1610 and 1610A are spaced apart from a loop frame 1640 passing through the inside of the body 1611. The loop frame 1640 may include at least one light emitting element For example, it may be connected to the frame end connected to the nth light emitting device.

상기 라이트 유닛은 상기 복수의 발광부(1610,1610A)를 갖는 발광 소자(1600)를 복수로 배열함으로써, 상기 발광 소자(1600)의 광 휘도를 개선시켜 줄 수 있다. The light unit can improve the light luminance of the light emitting device 1600 by arranging a plurality of light emitting devices 1600 having the plurality of light emitting units 1610 and 1610A.

상기에 개시된 실시 예에 따른 발광부 위에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 렌즈, 볼록 렌즈, 프레넬 렌즈, 또는 오목과 볼록의 선택적인 조합을 갖는 렌즈를 선택적으로 구비할 수 있다. 상기 발광 소자와 상기 렌즈 사이는 일체로 접촉되거나 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A lens may be disposed on the light emitting portion according to the above-described embodiment, and the lens may optionally include a concave lens, a convex lens, a Fresnel lens, or a lens having an optional combination of concave and convex. The light emitting device and the lens may be integrally contacted with or spaced from each other, but the present invention is not limited thereto.

도 40 내지 도 46은 실시 예에 따른 발광 소자에 있어서, 방열 프레임의 변형 예를 나타낸 도면이다.40 to 46 are views showing a modification of the heat radiation frame in the light emitting device according to the embodiment.

도 40 내지 도 42는 제1실시 예의 방열 프레임의 다른 구조를 나타낸 도면으로서, 도 40은 발광 소자의 평면도이며, 도 41은 도 40의 발광 소자의 D-D 측 단면도이며, 도 42는 도 40의 발광 소자의 배면도이다.Fig. 40 is a plan view of the light emitting device, Fig. 41 is a cross-sectional view of the light emitting device of Fig. 40 on the DD side, Fig. 42 is a cross- Fig.

도 40내지 도 42를 참조하면, 발광 소자(1700)는 캐비티(1712) 내에 배치된 방열 프레임(1725) 및 상기 방열 프레임(1725) 위에 배치된 발광 칩(1750)을 포함한다. 상기 방열 프레임(1725)의 적어도 일측에 방열부(1725B)가 더 형성되며, 상기 방열부(1725B)는 상기 캐비티(1712)로부터 루프 프레임(1740)의 제3프레임부(1743) 또는 제4측면부(S4) 방향으로 연장된다. 상기 방열 프레임(1725)과 상기 제3프레임부(1743)는 서로 이격된다. 40 to 42, the light emitting device 1700 includes a heat dissipating frame 1725 disposed in the cavity 1712 and a light emitting chip 1750 disposed on the heat dissipating frame 1725. [ The heat radiating portion 1725B is formed on at least one side of the heat radiating frame 1725 from the cavity 1712 to the third frame portion 1743 of the roof frame 1740, (S4). The heat radiating frame 1725 and the third frame portion 1743 are spaced apart from each other.

상기 발광 칩(1750)은 상기 캐비티(1712) 내에서 제1프레임부(1721)의 일부와 제1와이어(1751)로 연결되며, 제2프레임부(1722)의 일부와 제2와이어(1752)로 연결된다.The light emitting chip 1750 is connected to a part of the first frame part 1721 and the first wire 1751 in the cavity 1712 and is connected to a part of the second frame part 1722 and the second wire 1752, Lt; / RTI >

도 42와 같이 상기 방열부(1725B)를 갖는 방열 프레임(1725)의 너비(W13)는 상기 제1프레임부(1721의 너비(W1) 또는 상기 제3프레임부(1741)의 너비(W2)보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 예컨대 너비 W1 또는 너비 W2보다는 1.5배 이상 넓을 수 있다. The width W13 of the heat radiating frame 1725 having the heat radiating portion 1725B is larger than the width W1 of the first frame portion 1721 or the width W2 of the third frame portion 1741 And may be wider than, for example, 1.5 times wider than W1 or W2.

상기 방열부(1725B)는 상기 몸체(1711) 내에 배치되거나 상기 몸체(1711)의 바닥에 배치될 수 있다.The heat dissipation unit 1725B may be disposed within the body 1711 or may be disposed at the bottom of the body 1711. [

상기 루프 프레임(1740)의 제3내지 제5프레임부(1741,1742,1743)는 제1 및 제2프레임부(1721,1722)과 미리 설정된 간격(D1)으로 이격된다. The third through fifth frame portions 1741, 1742, and 1743 of the loop frame 1740 are spaced apart from the first and second frame portions 1721 and 1722 by a preset distance D1.

발광부(1710) 내의 발광 칩(1750)으로부터 발생된 열은 상기 방열 프레임(1725)에 의해 효과적으로 방열됨으로써, 상기 발광 소자(1700)의 열에 대한 신뢰성은 개선될 수 있다. 상기 방열 프레임(1725)의 면적이 더 넓어짐으로써, 접착 부재와의 접착력은 더 개선될 수 있다.
The heat generated from the light emitting chip 1750 in the light emitting portion 1710 is effectively dissipated by the heat dissipating frame 1725 so that the reliability of the light emitting element 1700 with respect to heat can be improved. By making the area of the heat dissipating frame 1725 wider, the adhesion with the adhesive member can be further improved.

도 43을 참조하면, 발광 소자(1800)는 복수의 캐비티(1812,1812A)를 갖는 몸체(1811), 상기 몸체(1811)의 각 발광부(1810,1810A) 내에 배치된 발광 칩(1850), 상기 발광 칩(1850)에 연결된 프레임부(1821,1822)(1841,1842), 상기 발광 칩(1850) 아래에 방열 프레임(1825,1843), 상기 방열 프레임(1825,1843) 사이의 방열부(1825B)를 포함한다. 43, the light emitting device 1800 includes a body 1811 having a plurality of cavities 1812 and 1812A, a light emitting chip 1850 disposed in each of the light emitting portions 1810 and 1810A of the body 1811, The frame 1821 and 1822 connected to the light emitting chip 1850 and the heat radiating frames 1825 and 1843 below the light emitting chip 1850 and the heat radiating portions 1825 and 1843 between the heat radiating frames 1825 and 1843 1825B.

상기 발광 칩(1850)은 상기 각 캐비티(1812,1812A) 내에 배치된 방열 프레임(1825,1843) 위에 각각 탑재되며, 상기 프레임부(1821,1822)(1841,1842)와 전기적으로 연결된다.The light emitting chip 1850 is mounted on the heat radiating frames 1825 and 1843 disposed in the respective cavities 1812 and 1812A and is electrically connected to the frame portions 1821 and 1822 and 1841 and 1842.

상기 방열 프레임(1825,1843)은 방열부(1825B)에 의해 서로 연결되며, 상기 방열부(1825B)는 상기 각 캐비티(1812,1812A) 내에 배치된 상기 방열 프레임(1825,1843) 사이를 연결해 주며, 그 너비는 제2프레임부(1822)와 제4프레임부(1842) 사이의 간격(D1)에 대응되는 너비로 형성될 수 있다. The heat radiating frames 1825 and 1843 are connected to each other by a heat radiating portion 1825B and the heat radiating portion 1825B connects between the heat radiating frames 1825 and 1843 disposed in the respective cavities 1812 and 1812A And the width thereof may be formed to have a width corresponding to the interval D1 between the second frame portion 1822 and the fourth frame portion 1842. [

또한 상기 방열부(1825B)는 상기 몸체(1811)의 하면에 배치되거나 상기 몸체(1811) 내에 배치될 수 있다.
The heat radiating portion 1825B may be disposed on the lower surface of the body 1811 or may be disposed in the body 1811. [

도 44를 참조하면, 발광 소자(1900)는 몸체(1911)의 제1측면부에 3개의 프레임부(1921,1941,1941A)가 돌출되며, 제2측면부에 3개의 프레임부(1922,1942,1942A)가 돌출된다. 44, the light emitting device 1900 includes three frame portions 1921, 1941 and 1941A protruding from a first side portion of a body 1911 and three frame portions 1922, 1942 and 1942A .

상기 발광 소자(1900)는 몸체(1911)의 센터 측에 캐비티(1912)가 배치되며, 상기 캐비티(1912) 내에 배치된 방열 프레임(1925) 상에 발광 칩(1950)이 탑재된다.The light emitting device 1900 is provided with a cavity 1912 on the center side of the body 1911 and the light emitting chip 1950 is mounted on the heat radiating frame 1925 disposed in the cavity 1912.

연결 프레임(1920)은 상기 몸체(1911)의 센터 측에서 상기 몸체(1911)의 제 1 및 제2측면부로 돌출된 제1 및 제2프레임부(1921,1922)를 포함한다. 제1 및 제2루프 프레임(1940,1940A)은 상기 연결 프레임(1920)으로부터 이격되고, 상기 몸체(1911)의 센터 양측을 통해 관통되며 제3 내지 제5프레임부(1941,1942,1943)(1941A,1942A,1943A)를 포함한다.The connection frame 1920 includes first and second frame portions 1921 and 1922 projecting from the center side of the body 1911 to the first and second side portions of the body 1911. The first and second roof frames 1940 and 1940A are spaced apart from the connection frame 1920 and penetrate through both sides of the center of the body 1911 and have third to fifth frame portions 1941, 1942, and 1943 1941A, 1942A, and 1943A.

상기 방열 프레임(1925)은 제1방열부(1925A) 및 제2방열부(1925B)를 포함하며, 상기 제1방열부(1925A)는 상기 방열 프레임(1925)으로부터 상기 몸체(1911)의 제4측면부(S4) 방향으로 연장되며, 상기 제2방열부(1925B)는 상기 방열 프레임(1925)으로부터 상기 몸체(1911)의 제3측면부(S3) 방향으로 연장된다. 상기 제1방열부(1925A) 또는 상기 제2방열부(1925B)의 너비는 상기 제2프레임부(1922)와 상기 제4프레임부(1942,1942A) 사이의 간격 D1과 동일한 너비로 형성될 수 있다.The heat dissipation frame 1925 includes a first heat dissipation unit 1925A and a second heat dissipation unit 1925B and the first heat dissipation unit 1925A includes a first heat dissipation unit 1925A, And the second heat radiating part 1925B extends from the heat radiating frame 1925 in the direction of the third side part S3 of the body 1911. [ The width of the first heat radiating portion 1925A or the second heat radiating portion 1925B may be the same width as the interval D1 between the second frame portion 1922 and the fourth frame portions 1942 and 1942A have.

상기 방열부(1925A,1925B)를 갖는 방열 프레임(1925)의 전체 너비는 상기 제1루프 프레임(1940)과 제2루프 프레임(1940A) 사이의 간격과 동일한 너비로 형성될 수 있다. 상기 방열 프레임(1925)의 면적이 더 넓어짐으로써, 방열 효율은 개선되고, 접착 부재와의 접착력은 개선될 수 있다.
The overall width of the heat radiating frame 1925 having the heat radiating portions 1925A and 1925B may be the same width as the interval between the first and second loop frames 1940 and 1940A. By making the area of the heat radiation frame 1925 wider, the heat radiation efficiency is improved and the adhesive force with the adhesive member can be improved.

도 45를 참조하면, 발광 소자(2000)는 몸체(2011)의 양측에 복수의 발광부(2010,2010A) 및 상기 복수의 발광부(2010,2010A) 사이에 루프 프레임(2040)이 배치된다. 45, the light emitting device 2000 includes a plurality of light emitting units 2010 and 2010A on both sides of a body 2011 and a loop frame 2040 between the plurality of light emitting units 2010 and 2010A.

상기 발광부(2010,2010A)의 발광 칩(2050)은 상기 몸체(2011)의 캐비티(2012) 내에 배치된 방열 프레임(2025,2026) 위에 각각 탑재되며, 제1발광부(2010)의 발광 칩(2050)은 제1방열 프레임(2025)의 양측에 배치된 프레임부(2021,2022)와 연결되며, 제2발광부(2010A)의 발광 칩(2050)은 제2방열 프레임(2026)의 양측에 배치된 프레임부(2021A,2022A)에 연결된다. The light emitting chips 2050 of the light emitting units 2010 and 2010A are respectively mounted on the heat dissipating frames 2025 and 2026 disposed in the cavity 2012 of the body 2011, The light emitting chip 2050 of the second light emitting portion 2010A is connected to the frame portions 2021 and 2022 disposed on both sides of the first heat dissipating frame 2025 and the light emitting chip 2050 is connected to both sides of the second heat dissipating frame 2026 And is connected to the frame portions 2021A and 2022A arranged in the frame.

상기 제1방열 프레임(2025)의 방열부(2025B)는 상기 제1방열 프레임(2025)으로부터 상기 루프 프레임(2040) 방향으로 연장되며, 상기 제2방열 프레임(2026)의 방열부(2026B)는 상기 제1방열 프레임(2026)으로부터 상기 루프 프레임(2040) 방향으로 연장된다. The heat dissipating portion 2025B of the first heat dissipating frame 2025 extends from the first heat dissipating frame 2025 toward the loop frame 2040 and the heat dissipating portion 2026B of the second heat dissipating frame 2026 And extends from the first heat radiation frame 2026 toward the roof frame 2040.

상기 제1방열 프레임(2025)의 방열부(2025B) 및 상기 제2방열 프레임(2026)의 방열부(2026B)는 상기 루프 프레임(2040)의 제5프레임부(2043)로부터 이격될 수 있다. The heat dissipating portion 2025B of the first heat dissipating frame 2025 and the heat dissipating portion 2026B of the second heat dissipating frame 2026 may be spaced apart from the fifth frame portion 2043 of the roof frame 2040.

상기 제1방열 프레임(2025) 및 제2방열 프레임(2026)의 면적이 다른 실시 예에 비해 더 넓어짐으로써, 라이트 유닛에서 발광 소자(2000)의 방열 효율은 개선되고, 접착 부재와의 접착력은 증가될 수 있다.
Since the area of the first heat-radiating frame 2025 and the second heat-dissipating frame 2026 are wider than those of the other embodiments, the heat radiation efficiency of the light-emitting device 2000 in the light unit is improved, .

도 46을 참조하면, 발광 소자(2100)는 하나의 몸체(2111) 내에 복수의 발광부(2110,2110A)가 배치되며, 상기 복수의 발광부(2110,2110A)는 상기 몸체(2111)를 관통하는 연결 프레임(2120)을 따라 배치된다. 상기 연결 프레임(2120)은 상기 몸체(2111)의 양측으로 돌출된 제1 및 제2프레임부(2121,2122) 및 상기 발광부(2110,2110A) 사이에 배치된 중간 프레임부(2124)를 포함한다.46, a plurality of light emitting portions 2110 and 2110A are disposed in a body 2111 of the light emitting element 2100, and the plurality of light emitting portions 2110 and 2110A penetrate the body 2111 As shown in FIG. The connection frame 2120 includes first and second frame portions 2121 and 2122 protruding from both sides of the body 2111 and an intermediate frame portion 2124 disposed between the light emitting portions 2110 and 2110A do.

상기 연결 프레임(2120)의 적어도 일측에는 상기 몸체(2111)에 관통된 루프 프레임(2140:2141,2142,2143)이 배치된다.Loop frames 2140 (2141, 2142, and 2143) passing through the body 2111 are disposed on at least one side of the connection frame 2120.

상기 발광 칩(2150)은 캐비티(2112) 내의 방열 프레임(2125) 위에 각각 배치되며, 상기 방열 프레임(2125) 각각은 방열부(2125B)를 포함하며, 상기 방열부(2125B)는 루프 프레임(2140) 방향으로 연장된다.The light emitting chips 2150 are respectively disposed on a heat radiating frame 2125 in a cavity 2112. Each of the heat radiating frames 2125 includes a heat radiating portion 2125B and the heat radiating portion 2125B includes a loop frame 2140 ) Direction.

상기에 개시된 도 31~도 46의 발광 소자는 상술한 실시 예의 라이트 유닛의 발광 소자에 선택적으로 적용될 수 있다.
The light emitting device of Figs. 31 to 46 disclosed above can be selectively applied to the light emitting device of the light unit of the above-described embodiment.

도 47은 도 1의 발광 칩의 일 예를 나타낸 도면이다. 실시 예는 도 1의 발광소자의 발광 칩을 중심으로 설명하기로 하며, 다른 발광 소자는 상기의 실시 예에 개시된 발광 칩을 참조하기로 한다. Fig. 47 is a diagram showing an example of the light emitting chip of Fig. 1; The embodiment will be described mainly with reference to the light emitting chip of the light emitting device of FIG. 1, and the other light emitting device shall refer to the light emitting chip disclosed in the above embodiment.

도 47을 참조하면, 발광 칩은 기판(2211), 제1반도체층(2213), 발광 구조층(2210:2214,2215,2216), 전류 확산층(2217), 제1전극(2218) 및 제2전극(2219)을 포함한다. Referring to FIG. 47, the light emitting chip includes a substrate 2211, a first semiconductor layer 2213, light emitting structure layers 2210: 2214, 22145, and 2216, a current diffusion layer 2217, a first electrode 2218, Electrode 2219 as shown in FIG.

상기 기판(2211)은 사파이어(Al2O3), Si, GaN, SiC, GaAs 재질로 형성될 수 있으며, 상기 기판(2211)의 굴절률은 질화물 반도체의 굴절률(refractive index=2.4)보다 낮은 굴절률을 갖는 재질을 포함하며, 예컨대 사파이어의 굴절률은 1.75~1.76을 가진다. 상기 기판(2211)은 전도성 재질 또는 절연성 재질을 포함할 수 있으며, 상면에 요철 구조(2212)가 형성될 수 있다. 상기 요철 구조(2212)는 상기 기판(2211)의 상부 에칭에 의해 형성되거나, 별도의 물질로 형성될 수 있다.The substrate 2211 may be made of sapphire (Al 2 O 3 ), Si, GaN, SiC or GaAs, and the refractive index of the substrate 2211 may be lower than the refractive index of the nitride semiconductor For example, sapphire has a refractive index of 1.75 to 1.76. The substrate 2211 may include a conductive material or an insulating material, and a concave-convex structure 2212 may be formed on an upper surface thereof. The concave-convex structure 2212 may be formed by etching the upper surface of the substrate 2211, or may be formed of a separate material.

상기 기판(2211) 상에는 복수의 화합물 반도체층이 형성될 수 있다. 상기 복수의 화합물 반도체층은 3족-5족 화합물 반도체를 포함하며, 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 화합물 반도체 재료로 형성될 수 있다. A plurality of compound semiconductor layers may be formed on the substrate 2211. The plurality of compound semiconductor layers include Group III-V compound semiconductors, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? y ≤ 1). < / RTI >

상기 기판(2211) 상에는 제1반도체층(2213)이 배치되며, 상기 제1반도체층(2213)은 버퍼층 또는/및 언도프트(Undoped) 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 언도프트 반도체층은 도전형 도펀트가 도핑되지 않아, 제1,2 도전형 반도체층(2214,2216)에 비해 현저히 낮은 전기 전도성을 가지는 층으로서, 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.A first semiconductor layer 2213 is disposed on the substrate 2211 and the first semiconductor layer 2213 may be formed of a buffer layer and / or an undoped semiconductor layer. The undoped semiconductor layer is a layer having conductivity which is significantly lower than that of the first and second conductivity type semiconductor layers 2214 and 2216 without being doped with a conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x - y N semiconductor material having a composition formula of (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1 ), for example, be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN However, the present invention is not limited thereto.

상기 버퍼층은 상기 언도프트 반도체층과 상기 기판(2211) 사이에 배치되며, 두 층 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층(미도시)의 격자 상수는 상기 기판(2211)의 격자 상수와 상기 언도프트 반도체층의 격자 상수의 중간 값을 갖는 것으로 선택될 수 있다. 또한 상기 버퍼층(미도시)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 버퍼층은 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The buffer layer may be disposed between the undoped semiconductor layer and the substrate 2211 and may be formed to mitigate a lattice constant difference between the two layers. The lattice constant of the buffer layer (not shown) may be selected to have an intermediate value between the lattice constant of the substrate 2211 and the lattice constant of the undoped semiconductor layer. The buffer layer (not shown) may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN and the like, but the present invention is not limited thereto. Further, the buffer layer may be formed of a compound semiconductor of Group 2 to Group 6 elements, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 구조층(2214,2215,2216)은 제1도전형 반도체층(2214), 활성층(2215) 및 제2 도전형 반도체층(2216)이 순차적으로 적층된다. 상기 제1도전형 반도체층(2214) 상에 제1 전극(2218) 및 상기 제2 도전형 반도체층(2216) 상에 전류 확산층(2217) 및 제2 전극(2219)이 배치될 수 있다. 상기 발광 구조층(2210)은 상기 제1,2 전극(2218,2219)으로부터 전원을 공급받아 광을 발생하게 된다. 상기 발광 구조층(2210)은 청색, 녹색, 또는 적색과 같은 가시 광선 대역의 광을 방출하거나, 자외선 대역의 광을 방출할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 2214, the active layer 2215, and the second conductive semiconductor layer 2216 are sequentially stacked on the light emitting structure layers 2214, A current diffusion layer 2217 and a second electrode 2219 may be disposed on the first electrode 2218 and the second conductivity type semiconductor layer 2216 on the first conductivity type semiconductor layer 2214. [ The light emitting structure layer 2210 receives power from the first and second electrodes 2218 and 2219, and generates light. The light emitting structure layer 2210 may emit light in the visible light band such as blue, green, or red, or may emit light in the ultraviolet band.

상기 발광 구조층(2210)은 제1도전형 반도체층(2214), 활성층(2215) 및 제2도전형 반도체층(2216)을 포함한다.The light emitting structure layer 2210 includes a first conductive semiconductor layer 2214, an active layer 2215, and a second conductive semiconductor layer 2216.

상기 제1도전형 반도체층(2214)은 제1반도체층(2213) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(2214)은 제1 도전형 도펀트를 포함하는 3족-5족 화합물 반도체층을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(2214)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, C 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 2214 may be disposed on the first semiconductor layer 2213. The first conductive semiconductor layer 2214 includes a Group III-V compound semiconductor layer including a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 2214 may include, for example, an n-type semiconductor layer, and the n-type semiconductor layer may include In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y InN, AlN, InN, AlInN, and the like can be selected from among Si, Ge, Sn, C, and other semiconductor materials having a composition formula of Si, Ge, Type dopant can be doped.

상기 제1도전형 반도체층(2214)은 서로 다른 두께 또는 서로 다른 도펀트 농도를 갖는 적어도 2층을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 2214 may include at least two layers having different thicknesses or different dopant concentrations, but the present invention is not limited thereto.

상기 활성층(2215)은 상기 제1도전형 반도체층(2214) 위에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체층(2214)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(2216)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 결합되고, 상기 활성층(2215)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 생성하는 층이다. The active layer 2215 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 2214 and the electrons or holes injected through the first conductivity type semiconductor layer 2214 and the second conductivity type semiconductor layer 2216, (Or electrons) injected through the active layer 2215 are coupled to each other and a light is generated by a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 2215.

또한, 상기 활성층(2215)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점(Quantum Dot) 구조 및 양자선(Quantum wire) 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(2215)은 복수의 양자우물층과 복수의 장벽층이 교대로 적층될 수 있으며, 상기 양자 우물층 및 양자 장벽층은 서로 다른 에너지 밴드 갭을 가지며, 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있다. The active layer 2215 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, and a quantum wire structure. The active layer 2215 may have a plurality of quantum well layers and a plurality of barrier layers alternately stacked, and the quantum well layer and the quantum barrier layer have different energy bandgaps, for example, In x Al y Ga 1 having a composition formula of -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) can be formed including a semiconductor material.

상기 활성층(2215)의 아래에는 n형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시) 및 위에는 P형 도펀트가 도핑된 클래드층이 형성될 수 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 상기 활성층(2215)의 양자 장벽층 또는/및 양자 우물층보다 에너지 밴드 갭이 높은 반도체 예컨대, AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.A cladding layer (not shown) doped with an n-type dopant and a cladding layer doped with a P-type dopant may be formed under the active layer 2215, and the cladding layer An AlGaN layer or an InAlGaN layer having a higher energy bandgap than the quantum barrier layer and / or the quantum well layer.

상기 활성층(2215) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(2216)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(2216)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체층을 포함하며, 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 2216 may be formed on the active layer 2215. The second conductive semiconductor layer 2216 may include a Group III-V compound semiconductor layer doped with a second conductive dopant, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba can be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(2214)은 p형 도펀트를 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층(2216)은 n형 도펀트를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(2216) 상에는 n형 또는 p형 도펀트를 포함하는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광 칩은 n-p, p-n, p-n-p 또는 n-p-n 접합 중 어느 하나의 접합 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 n은 n형 반도체층, p는 p형 반도체층, -은 두 층이 직접 또는 간접적으로 적층된 구조를 포함한다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 2214 may include a p-type dopant, and the second conductive semiconductor layer 2216 may include an n-type dopant, but the present invention is not limited thereto. A third conductive semiconductor layer (not shown) including an n-type or p-type dopant may be formed on the second conductive type semiconductor layer 2216. Thus, the light emitting chip may include np, pn, pnp Or an npn junction. Herein, n denotes an n-type semiconductor layer, p denotes a p-type semiconductor layer, and - denotes a structure in which two layers are directly or indirectly stacked.

상기 활성층(2215)에서 생성되어 방출되는 광은 상기 발광 칩의 상면 및 측면을 통해 외부로 방출될 수 있다. 비록 도시되지 않았지만, 상기 발광 칩의 상면 및/또는 측면에는 빛의 추출 효율을 향상시키기 위해 요철 구조, 러프니스(roughness) 등이 형성될 수 있다.Light generated and emitted from the active layer 2215 may be emitted to the outside through the top and side surfaces of the light emitting chip. Although not shown, a concavo-convex structure, a roughness, or the like may be formed on the upper surface and / or the side surface of the light emitting chip in order to improve light extraction efficiency.

상기 전류 확산층(2217)은 전류 퍼짐성의 향상을 위해 투명 전극층으로 형성될 수도 있다. The current diffusion layer 2217 may be formed of a transparent electrode layer for improving the current spreading property.

상기 기판(2211)과 상기 각 층의 상면 또는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The substrate 2211 and the light extracting structure such as the upper surface or the roughness of each layer may be further formed, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 칩의 표면에는 투광성 절연층(2250) 형성될 수 있으며, 상기 투광성 절연층(2250)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 절연 재질을 포함하며 상기 발광 칩의 표면을 전기적으로 보호하게 된다. 상기 투광성 절연층(2250) 내에는 형광체가 첨가될 수 있으며, 상기 형광체는 내부로부터 방출된 광의 일부를 다른 파장의 광으로 변환시켜 발광하게 된다.A light-transmitting insulating layer 2250 may be formed on the surface of the light emitting chip, and the light transmitting insulating layer 2250 may include an insulating material such as silicone or epoxy to electrically protect the surface of the light emitting chip. A fluorescent substance may be added to the light-transmitting insulating layer 2250, and the fluorescent substance converts part of the light emitted from the inside into light having a different wavelength to emit light.

상기 투광성 절연층(2250)은 형광체층일 수 있으며, 상기 형광체층으로부터 방출된 광은 발광 칩으로부터 방출된 광과 혼색될 수 있다. 상기 형광체는 적색, 녹색, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light-transmitting insulating layer 2250 may be a phosphor layer, and light emitted from the phosphor layer may be mixed with light emitted from the light emitting chip. The phosphor includes at least one of red, green, and yellow phosphors, but is not limited thereto.

상기 발광 칩의 표면에 형광체가 첨가된 절연층을 도포함으로써, 도 1과 같은 라이트 유닛(100)을 제조할 때, 각 발광 소자(1~n) 내에 탑재된 발광 칩(150)의 광 분포의 랭크가 다른 문제를 보상할 수 있다.
When the light unit 100 as shown in Fig. 1 is manufactured by applying the insulating layer to which the phosphor is added to the surface of the light emitting chip, the light distribution of the light distribution of the light emitting chip 150 mounted in each light emitting element 1 to n The rank can compensate for other problems.

도 48은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 48 is a view showing another example of the light emitting chip according to the embodiment.

도 48을 참조하면, 발광 칩은 복수의 화합물 반도체층(2311,2312,2313)을 갖는 발광 구조층(2310), 보호층(2315), 복수의 전도층(2314,2317,2318), 지지부재(2319), 및 전극(2320)을 포함한다. 48, the light emitting chip includes a light emitting structure layer 2310 having a plurality of compound semiconductor layers 2311, 2312, 2313, a protective layer 2315, a plurality of conductive layers 2314, 2317, 2318, (2319), and an electrode (2320).

상기 발광 칩은 화합물 반도체 예컨대, 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 포함하는 LED(Light emitting diode)로 구현될 수 있으며, 상기 LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 가시광선 대역의 LED이거나 UV LED일 수 있으며, 실시 예의 기술적 범위 내에서 다양하게 구현될 수 있다. The light emitting chip may be embodied as a light emitting diode (LED) including a compound semiconductor of a compound semiconductor, for example, a group III-V element, and the LED may be a visible light band emitting light such as blue, green, LEDs or UV LEDs, and may be variously embodied within the technical scope of the embodiments.

상기 발광 구조층(2310)은 제 1도전형 반도체층(2311), 활성층(2312), 및 제 2도전형 반도체층(2313)을 포함한다. The light emitting structure layer 2310 includes a first conductive semiconductor layer 2311, an active layer 2312, and a second conductive semiconductor layer 2313.

상기 제 1도전형 반도체층(2311)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형이 N형 반도체인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(2311)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first conductive semiconductor layer 2311 may be formed of a compound semiconductor of a group III-V element doped with a first conductive type dopant such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. When the first conductive type is an N type semiconductor, the first conductive type dopant includes N type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 2311 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(2311)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스 또는/및 패턴과 같은 광 추출 구조나, 전류 확산과 광 추출 위해 투명 전극층과 절연층이 등이 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A top surface of the first conductive semiconductor layer 2311 may be formed with a light extracting structure such as a roughness and / or a pattern for extracting light, a transparent electrode layer and an insulating layer for current diffusion and light extraction, And is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(2311)은 복수의 반도체층을 포함하며, 상기 복수의 반도체층은 도펀트 농도가 다르거나, 두께가 서로 다르거나, 화합물의 조성식이 서로 다를 수 있다. The first conductive semiconductor layer 2311 includes a plurality of semiconductor layers, and the plurality of semiconductor layers may have different dopant concentrations, different thicknesses, or different composition formulas of the compounds.

상기 제1도전형 반도체층(2311)은 초격자 구조(SLS: Super lattice structures)로 형성될 수 있으며, 그 재질은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, SiO2, SiOx, SiN2, SiNx, Si0xNy 또는 금속 물질로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 초격자 구조는 서로 다른 적어도 2층을 교대로 반복하여 적어도 2주기를 갖고 형성되며, 예컨대, InGaN/GaN와 같은 적층 구조를 포함한다. 상기 초격자 구조의 각 층은 수 A 이상의 두께로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 2311 has a superlattice structure: can be formed of (SLS Super lattice structures), the material is GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, SiO 2, SiO x, SiN 2 may be selected from the group consisting of SiN x, Si0 x N y or a metal material. The superlattice structure is formed with at least two periods alternately repeating at least two different layers, and includes a laminated structure such as InGaN / GaN. Each layer of the superlattice structure may be formed to a thickness of several A or more.

상기 제 1도전형 반도체층(2311) 위에는 전극(2320)이 형성될 수 있다. 상기 전극(2320)은 패드이거나, 상기 패드에 연결된 분기 구조의 전극 패턴을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 전극(2320)은 상면에 러프니스 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1도전형 반도체층(2311)의 상면 중 상기 전극(2320)이 형성되는 면은 플랫하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An electrode 2320 may be formed on the first conductive semiconductor layer 2311. The electrode 2320 may be a pad or may include a branched electrode pattern connected to the pad. However, the electrode 2320 is not limited thereto. A roughness pattern may be formed on the upper surface of the electrode 2320, but the present invention is not limited thereto. The surface of the first conductive semiconductor layer 2311 on which the electrode 2320 is formed may be flat, but the present invention is not limited thereto.

상기 전극(2320)은 상기 제1도전형 반도체층(2311)의 상면에 오믹 접촉될 수 있으며, Cr, Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, Cu 및 Au 중 어느 하나 또는 복수의 물질을 혼합하여 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 상기 전극(2320)은 제1도전형 반도체층(2311)과의 오믹 접촉, 금속층 간의 접착성, 반사 특성, 전도성 특성 등을 고려하여 상기 물질 등에서 선택될 수 있다. The electrode 2320 may be in ohmic contact with the upper surface of the first conductive semiconductor layer 2311 and may be formed of a metal such as Cr, Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Or a plurality of materials may be mixed to form a single layer or a multilayer. The electrode 2320 may be selected from the above materials in consideration of ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 2311, adhesion between the metal layers, reflection characteristics, conductivity characteristics, and the like.

상기 활성층(2312)은 상기 제1도전형 반도체층(2311) 아래에 형성되며, 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있고 또한 양자선(Quantum wire)구조, 양자점(Quantum dot)구조로 형성될 수도 있다. 상기 활성층(2312)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기, InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기, 또는 InGaN 우물층/InGaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The active layer 2312 may be formed under the first conductive semiconductor layer 2311 and may have a multiple quantum well structure or may have a quantum wire structure or a quantum dot structure . The active layer 2312 may be formed using a compound semiconductor material of Group 3 or Group 5 elements, such as a period of a well layer and a barrier layer, for example, a period of an InGaN well layer / a GaN barrier layer, a period of an InGaN well layer / Or an InGaN well layer / InGaN barrier layer, but is not limited thereto.

상기 활성층(2312)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 양자 우물층과 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 장벽층을 포함하여 형성될 수 있다. The active layer 2312 may include a quantum well layer having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + And a barrier layer having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1).

상기 활성층(2312)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 질화물계 반도체로 형성될 수 있다. 상기 장벽층의 밴드 갭은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높고, 상기 도전형 클래드층의 밴드 갭은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 높을 수 있다.A conductive clad layer may be formed on and / or below the active layer 2312, and the conductive clad layer may be formed of a nitride-based semiconductor. The band gap of the barrier layer may be higher than the band gap of the well layer and the band gap of the conductive clad layer may be higher than the band gap of the barrier layer.

상기 제 2도전형 반도체층(2313)은 상기 활성층(2312) 아래에 형성되며, 제2도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2도전형이 P형 반도체인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(2313)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second conductive semiconductor layer 2313 is formed below the active layer 2312 and is formed of a Group III-V element compound semiconductor doped with a second conductive dopant such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. When the second conductivity type is a P-type semiconductor, the second conductivity type dopant includes a P-type dopant such as Mg, Zn, or the like. The second conductivity type semiconductor layer 2313 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상기 제 2도전형 반도체층(2313) 아래에 제3도전형 반도체층을 더 포함할 수 있으며, 상기 제3도전형 반도체층은 상기 제2도전형 반도체층과 반대의 극성을 가질 수 있다. 또한 상기 제 1도전형 반도체층(2311)이 P형 반도체층이고, 상기 제 2도전형 반도체층(2313)이 N형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 상기 발광 구조층은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The third conductive type semiconductor layer may further include a third conductive type semiconductor layer below the second conductive type semiconductor layer 2313. The third conductive type semiconductor layer may have a polarity opposite to that of the second conductive type semiconductor layer. Also, the first conductivity type semiconductor layer 2311 may be a P-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 2313 may be an N-type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure layer may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(2313) 또는 제3도전형 반도체층의 아래에는 보호층(2315) 및 전도층(2314)이 형성될 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해 발광 구조층(2310)의 최하층은 제2도전형 반도체층(2313)을 일 예로 설명하기로 한다. A protective layer 2315 and a conductive layer 2314 may be formed under the second conductive type semiconductor layer 2313 or the third conductive type semiconductor layer. Hereinafter, for the convenience of explanation, the lowest layer of the light emitting structure layer 2310 will be described as an example of the second conductivity type semiconductor layer 2313.

상기 보호층(2315)은 칩의 외측 영역인 채널 영역에 배치되며, 상기 채널 영역은 칩 사이즈의 경계인 칩 둘레 영역이 된다. 상기 보호층(2315)의 상면 외측은 외부에 노출되거나 다른 물질 예컨대, 절연층에 의해 덮여질 수 있다. 또한 상기 보호층(2315)의 상면은 러프니스 또는 패턴이 형성될 수 있으며, 이러한 보호층(2315) 및 그 러프니스 또는 패턴은 채널 영역에서의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 또는 상기 러프니스 또는 패턴은 상기 보호층(2315)의 상면 외측에 상기 보호층(2315)과 다른 물질 또는 굴절률이 다른 물질을 갖는 러프니스 또는 패턴이 형성될 수 있다. 상기 러프니스 또는 패턴은 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등으로서, 아이솔레이션 에칭에 의해 형성될 수 있는 제2도전형 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. The protective layer 2315 is disposed in a channel region that is an outer region of the chip, and the channel region is a chip peripheral region that is a border of a chip size. The upper surface of the protective layer 2315 may be exposed to the outside or covered with another material, for example, an insulating layer. Also, a roughness or a pattern may be formed on the upper surface of the protective layer 2315, and the protective layer 2315 and the roughness or pattern thereof may improve light extraction efficiency in the channel region. Alternatively, the roughness or pattern may have a roughness or a pattern having a material different from that of the protective layer 2315 or having a different refractive index from the upper surface of the protective layer 2315. The roughness or pattern may be a group III-V compound semiconductor such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, 2 conductivity type semiconductor.

상기 보호층(2315)의 상면 내측은 소정 폭 정도로 상기 제2도전형 반도체층(2313)의 하면 외측에 접촉된다. 여기서, 상기 폭은 수 ~ 수십 ㎛ 이내이며, 칩 사이즈에 따라 달라질 수 있다.The inner surface of the upper surface of the protective layer 2315 contacts the outer surface of the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 2313 to a predetermined width. Here, the width is within a range of several to several tens of micrometers, and may vary depending on the chip size.

상기 보호층(2315)은 상기 제2도전형 반도체층(2313)의 하면 둘레에 루프 형상, 고리 형상, 또는 프레임 형상 등의 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(2315)은 채널층으로 정의될 수 있으며, 연속적인 패턴 형상 또는 불연속적인 패턴 형상을 포함할 수 있다. The protective layer 2315 may be formed in a loop shape, an annular shape, or a frame shape around the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 2313. The protective layer 2315 may be defined as a channel layer, and may include a continuous pattern shape or a discontinuous pattern shape.

상기 보호층(2315)은 3족-5족 화합물 반도체의 굴절률보다 낮은 물질 예컨대, 투광성 산화물, 투광성 질화물 또는 투광성 절연층의 재질 중에서 선택될 수 있다. 상기 보호층(2315)은, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 등에서 선택적으로 형성될 수 있다.The protective layer 2315 may be formed of a material having a refractive index lower than that of the Group III-V compound semiconductor, for example, a transparent oxide, a transparent nitride, or a transparent insulating layer. The protective layer 2315 may be formed of a material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2, SiO x, SiO x N y, etc. Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO 2 May be selectively formed.

상기 보호층(2315)은 SiO2인 경우, 그 굴절률은 2.3 정도이며, ITO 굴절률은 약 2.1 정도이며, GaN 굴절률은 약 2.4로서, 상기 제2도전형 반도체층(2313)을 통해 보호층(2315)으로 입사된 광은 외부로 추출될 수 있으며, 이 경우 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.When the protective layer 2315 is made of SiO 2 , the refractive index is about 2.3, the ITO refractive index is about 2.1, and the GaN refractive index is about 2.4, and the protective layer 2315 ) Can be extracted to the outside, and in this case, the light extraction efficiency can be improved.

상기 보호층(2315)은 상기 발광 구조층의 외벽이 습기에 노출되더라도, 서로 쇼트가 발생되는 것을 방지하여, 고습에 강한 LED를 제공할 수 있다. 상기 보호층(2315)을 투광성 물질로 사용하는 경우 레이저 스크라이빙시 조사되는 레이저가 투과됨으로써, 채널 영역에서 레이저로 인해 금속 물질의 파편 발생을 방지하므로, 발광 구조층의 측벽에서의 층간 단락 문제를 방지할 수 있다. 상기 보호층(2315)은 0.02~5㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 두께는 칩 사이즈에 따라 달라질 수 있다. The protection layer 2315 can prevent short-circuiting between the outer walls of the light emitting structure layer and the inner wall of the light emitting structure layer. When the protective layer 2315 is used as a light-transmitting material, the laser irradiated during the laser scribing is transmitted, thereby preventing the generation of fragments of the metal material due to the laser in the channel region. Thus, . The protective layer 2315 may have a thickness of 0.02 to 5 탆, and the thickness may vary depending on the chip size.

상기 복수의 전도층(2314,2317,2318)은 제1내지 제3전도층(2314,2317,2318)을 포함하며, 상기 제1전도층(2314)은 제2도전형 반도체층(2313)에 오믹 접촉되며, 그 재질은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO와 같은 전도성 산화물을 선택적으로 이용하여 다층으로 형성하거나, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.The plurality of conductive layers 2314, 2317 and 2318 may include first to third conductive layers 2314, 2317 and 2318, and the first conductive layer 2314 may include a second conductive semiconductor layer 2313, And the material thereof is ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al- ZnO), AGZO (Al- Ga ZnO), IGZO Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / NiO, and RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ni or the like.

또한 상기 제1전도층(2314) 내에는 전류 차단층(2316)이 배치되며, 그 물질은 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 선택된 물질이 더 형성될 수 있으며, 제2도전형 반도체층(2313)의 하면에서 상기 전극(2320)와 대응되게 배치될 수 있다.In addition, the first conductive layer 2314 is in the arrangement the current blocking layer 2316, the material is, for example, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO 2 And may be disposed on the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 2313 so as to correspond to the electrode 2320.

상기 제1전도층(2314)은 상기 제2도전형 반도체층(2313)의 하면에 배치되거나 될 수 있으며, 또는 상기 보호층(2315)의 하면 일부에 상기 보호층(2315)의 폭의 80% 이하로 형성될 수 있다. The first conductive layer 2314 may be disposed on the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 2313 or may be formed on the lower surface of the protection layer 2315 by 80% Or less.

상기 제1전도층(2314) 아래에는 제2전도층(2317)이 배치되며, 상기 제2전도층(2317)은 상기 보호층(2315)의 아래까지 연장될 수 있다. 상기 제2전도층(2317)은 반사 금속, 또는/및 씨드 금속을 포함할 수 있으며, 상기 씨드 금속은 도금 공정을 위해 사용된다. 이에 따라 상기 제2전도층(2317)은 오믹층, 씨드층, 반사층 등과 같은 층이 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A second conductive layer 2317 may be disposed under the first conductive layer 2314 and the second conductive layer 2317 may extend under the protective layer 2315. [ The second conductive layer 2317 may comprise a reflective metal, and / or a seed metal, and the seed metal is used for the plating process. Accordingly, the second conductive layer 2317 may be formed by selectively forming a layer such as an ohmic layer, a seed layer, a reflective layer, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2전도층(2317)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질을 선택적으로 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The second conductive layer 2317 may be formed as a single layer or multilayer by selectively using a material composed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, .

상기 제2전도층(2317) 아래에는 제3전도층(2318)이 형성되며, 상기 제3전도층(2318)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A third conductive layer 2318 is formed under the second conductive layer 2317 and the third conductive layer 2318 includes a barrier metal or a bonding metal and is formed of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta.

상기 제3전도층(2318)은 예컨대, 본딩층으로 기능하며, 그 아래에 지지부재(2319)가 접합된다. 상기 제3전도층(2318)을 형성하지 않고, 상기 제2전도층(2317)에 상기 지지부재(2319)를 도금이나 시트 등으로 부착시켜 줄 수 있다. The third conductive layer 2318 functions as, for example, a bonding layer, and a supporting member 2319 is bonded under the third conductive layer 2318. The supporting member 2319 may be attached to the second conductive layer 2317 by plating or a sheet without forming the third conductive layer 2318.

상기 지지부재(2319)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN 등) 등으로 구현될 수 있다. The support member 2319 may be formed of a material such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten , GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, etc.).

상기 지지부재(2319)는 상기에 개시된 방열 프레임 또는 프레임부 상에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 전극(2320)은 와이어로 다른 프레임부와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 지지부재(2319)로부터 전도된 열은 상기 프레임부로 전도됨으로써, 방열 효율은 개선시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The support member 2319 may be electrically connected to the heat dissipation frame or the frame portion described above, and the electrode 2320 may be electrically connected to the other frame portion with a wire. The heat conducted from the support member 2319 is conducted to the frame portion, thereby improving the heat radiation efficiency. Thus, the reliability of the light emitting chip can be improved.

상기 발광 구조층(2310)의 외측 면은 경사지게 형성될 수 있으며, 투광성 절연층(2350)이 형성될 수 있다. 상기 투광성 절연층(2350)은 상기 화합물 반도체의 굴절률(예: GaN: 2.4) 보다는 낮은 절연 물질 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2등으로 형성될 수 있다. The outer surface of the light emitting structure layer 2310 may be inclined and a light transmitting insulating layer 2350 may be formed. The light transmitting insulating layer 2350 may be formed of an insulating material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 or the like lower than the refractive index of the compound semiconductor (for example, GaN: As shown in FIG.

상기 발광 칩의 표면에는 형광체가 첨가된 투광성 절연층(2350)이 배치될 수 있으며, 상기 투광성 절연층(2350)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 절연 재질을 포함하며, 그 내부에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체는 적색, 녹색, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 발광시켜 준다.
A light-transmitting insulating layer 2350 to which a phosphor is added may be disposed on the surface of the light-emitting chip. The light-transmitting insulating layer 2350 may include an insulating material such as silicon or epoxy, and a phosphor may be added thereto . The phosphor may include at least one of red, green, and yellow phosphors. The phosphor excites a part of the light emitted from the light emitting chip to emit light with a different wavelength.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100,400,500,600,700,800: 라이트 유닛, 1~n: 발광 소자, 120: 연결 프레임, 121:제1프레임부, 122:제2프레임부, 124:제1종단 프레임부, 125:방열 프레임, 140: 루프 프레임, 141:제3프레임부, 142:제4프레임부, 143:제5프레임부, 144: 제2종단 프레임부, 150: 발광 칩, 175,211,212,311: 접착 부재, 200: 표시장치 The light emitting device of claim 1, wherein the light emitting element is a light emitting element. The light emitting element of claim 1, wherein the first light emitting element is a light emitting element. A third frame part, 142 a fourth frame part, 143 a fifth frame part, 144 second terminal frame part, 150 light emitting chip, 175, 211, 212, 311,

Claims (28)

제1캐비티를 갖는 몸체, 상기 제1캐비티 내에 배치된 제1발광 칩을 포함하는 복수의 발광 소자;
상기 제1캐비티 내에서 상기 제1발광 칩과 전기적으로 연결되며 상기 발광 소자의 제1측면부로 돌출된 제1프레임부와 상기 발광 소자 내부에서 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결하는 복수의 제2프레임부와 상기 발광 소자의 제2측면부에서 돌출된 제1종단 프레임부를 포함하는 연결프레임;
상기 제1캐비티로부터 이격되며 상기 발광 소자의 제1측면부로 돌출된 제3프레임부와 상기 제3프레임으로부터 연장되어 상기 발광 소자 내부에 배치된 제5프레임부와 상기 제5프레임으로부터 연장되어 상기 발광 소자 사이에 배치되어 상기 발광 소자들을 연결하는 제4프레임부와 상기 발광 소자의 제2측면부로 돌출된 제2종단 프레임부를 포함하는 루프 프레임; 및
상기 제1종단 프레임부와 상기 제2종단 프레임부를 연결하는 연결부재를 포함하는 라이트 유닛.A body having a first cavity, a plurality of light emitting elements including a first light emitting chip disposed in the first cavity;
A first frame portion electrically connected to the first light emitting chip in the first cavity and projecting to a first side portion of the light emitting device, and a plurality of second frame portions connecting the plurality of light emitting devices in the light emitting device, And a first end frame portion protruding from a second side surface portion of the light emitting element;
A third frame portion spaced from the first cavity and protruding from the first side portion of the light emitting device, a fifth frame portion extending from the third frame and disposed in the light emitting device, A roof frame including a fourth frame part disposed between the elements and connecting the light emitting elements, and a second terminal frame part protruding from the second side surface part of the light emitting element; And
And a connecting member connecting the first end frame portion and the second end frame portion. 제1항에 있어서, 상기 루프 프레임은 상기 연결 프레임의 일부와 나란하게 배치되는 라이트 유닛.The light unit according to claim 1, wherein the loop frame is disposed in parallel with a part of the connection frame. 제1항에 있어서,
상기 제2프레임부와 상기 제4프레임부는 소정의 각도로 절곡되는 라이트 유닛.The method according to claim 1,
And the second frame part and the fourth frame part are bent at a predetermined angle. 제2항에 있어서,
상기 제2프레임부와 상기 제4프레임부는 상기 발광소자들 사이를 지지하고,
상기 연결부재는 상기 제1종단 프레임 및 상기 제2종단 프레임과 일체인 라이트 유닛.3. The method of claim 2,
The second frame portion and the fourth frame portion support between the light emitting elements,
Wherein the connecting member is integral with the first end frame and the second end frame. 제4항에 있어서,
상기 제1프레임부와 상기 제3프레임부 사이의 간격은 상기 제2프레임부와 상기 제4프레임부 사이의 간격과 동일한 라이트 유닛.5. The method of claim 4,
Wherein the interval between the first frame portion and the third frame portion is equal to the interval between the second frame portion and the fourth frame portion. 삭제delete 삭제delete 제4항에 있어서, 상기 루프 프레임은 상기 연결 프레임의 일측 또는 양측에 배치되는 라이트 유닛.The light unit according to claim 4, wherein the loop frame is disposed on one side or both sides of the connection frame. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1캐비티 내에 상기 제1발광 칩이 탑재되며 상기 복수의 프레임부와 물리적으로 분리된 방열 프레임을 포함하며,
상기 제1발광 칩은 상기 복수의 프레임부와 와이어로 연결되는 라이트 유닛.The light emitting device according to claim 1 or 2, further comprising a heat dissipation frame mounted in the first cavity and physically separated from the plurality of frame parts,
And the first light emitting chip is connected to the plurality of frame portions by a wire. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 복수의 발광 소자 중 적어도 하나는 상기 연결 프레임 및 상기 루프 프레임에 의해 다른 발광 소자와 어긋나게 배치되는 라이트 유닛.2. The light unit according to claim 1, wherein at least one of the plurality of light emitting elements is disposed to be different from the other light emitting elements by the connection frame and the loop frame. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 몸체 내에 상기 루프 프레임의 일부가 노출된 제2캐비티; 상기 제2캐비티에 제2발광 칩을 포함하며,
상기 루프 프레임은 상기 제2캐비티 내의 제2발광 칩들을 서로 연결해 주는 라이트 유닛.The light emitting device of claim 1, wherein the light emitting device comprises: a second cavity in which a part of the roof frame is exposed; And a second light emitting chip in the second cavity,
And the loop frame connects the second light emitting chips in the second cavity to each other. 제1캐비티를 갖는 몸체, 상기 제1캐비티 내에 배치된 제1발광 칩을 포함하는 복수의 발광 소자;
상기 제1발광 칩에 연결되며 제1측면으로 돌출되는 제1프레임부와 상기 발광 소자들 사이를 연결하는 제2프레임와 제2측면으로 돌출되는 제1종단 프레임부을 포함하는 연결 프레임; 및
상기 복수의 제1연결 프레임과 이격되어 배치되는 루프 프레임을 포함하고,
상기 제1프레임부의 단부는 제1걸림돌기를 포함하고 상기 제1종단 프레임부의 단부는 제2걸림돌기를 포함하는 라이트 유닛.A body having a first cavity, a plurality of light emitting elements including a first light emitting chip disposed in the first cavity;
A connection frame including a first frame part connected to the first light emitting chip and protruding to a first side, a second frame connecting between the light emitting elements, and a first end frame part protruding to a second side; And
And a loop frame spaced apart from the plurality of first connection frames,
Wherein an end of the first frame portion includes a first locking projection and an end of the first end frame portion includes a second locking projection. 발광 칩을 갖는 복수의 제1발광 소자; 상기 제1발광 소자의 각 발광 칩에 연결되는 적어도 2개의 프레임부를 갖는 제1연결 프레임; 상기 복수의 제1발광 소자를 통해 배치되고 상기 제1연결 프레임으로부터 이격된 제1루프 프레임을 포함하는 제1라이트 유닛; 및
발광 칩을 갖는 복수의 제2발광 소자; 상기 제2발광 소자의 각 발광 칩에 연결되는 적어도 2개의 프레임부를 갖는 제2연결 프레임; 상기 복수의 제2발광 소자를 통해 관통되고 상기 제2연결 프레임으로부터 이격된 제2루프 프레임을 포함하는 제2라이트 유닛을 포함하며,
상기 제1라이트 유닛의 상기 제1연결 프레임은 일측에 돌출되며 단부에 제2걸림돌기가 배치된 제1종단 프레임을 포함하고,
상기 제1라이트 유닛의 상기 제1루프 프레임은 일측에 돌출되며 단부에 제4걸림돌기가 배치된 제2종단 프레임을 포함하며,
상기 제2라이트 유닛의 상기 제2연결 프레임은 타측에 돌출되며 단부에 제1걸림돌기가 배치된 제1프레임부를 포함하고,
상기 제2라이트 유닛의 상기 제2루프 프레임은 타측에 돌출되며 단부에 제3걸림돌기가 배치된 제3프레임을 포함하며,
상기 제1걸림돌기와 상기 제2걸림돌기는 결합되고 상기 제3걸림돌기와 상기 제4걸림돌기는 결합되는 발광장치.A plurality of first light emitting elements having light emitting chips; A first connection frame having at least two frame portions connected to respective light emitting chips of the first light emitting device; A first light unit disposed through the plurality of first light emitting elements and including a first loop frame spaced apart from the first connection frame; And
A plurality of second light emitting elements having light emitting chips; A second connection frame having at least two frame portions connected to the light emitting chips of the second light emitting device; And a second light unit passing through the plurality of second light emitting elements and including a second loop frame spaced apart from the second connection frame,
The first connection frame of the first light unit includes a first end frame protruding to one side and a second end frame disposed at an end thereof,
Wherein the first loop frame of the first light unit includes a second end frame protruding to one side and having a fourth engaging projection disposed at an end thereof,
Wherein the second connection frame of the second light unit includes a first frame portion protruding to the other side and having a first locking protrusion disposed at an end thereof,
The second loop frame of the second light unit includes a third frame protruding to the other side and having a third locking projection disposed at an end thereof,
Wherein the first engaging projection and the second engaging projection are engaged with each other, and the third engaging projection and the fourth engaging projection are engaged with each other. 제23항에 있어서,
상기 제1걸림돌기와 상기 제2걸림돌기는 서로 반대방향으로 절곡되어 결합되고,
상기 제3걸림돌기와 상기 제4걸림돌기는 서로 반대방향으로 절곡되어 결합되는 발광장치.24. The method of claim 23,
Wherein the first engaging projection and the second engaging projection are bent and coupled in opposite directions,
And the third locking protrusion and the fourth locking protrusion are bent and coupled in opposite directions to each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020110054222A 2011-06-03 2011-06-03 Light unit and light emitting apparatus having thereof KR101842195B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110054222A KR101842195B1 (en) 2011-06-03 2011-06-03 Light unit and light emitting apparatus having thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110054222A KR101842195B1 (en) 2011-06-03 2011-06-03 Light unit and light emitting apparatus having thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120134957A KR20120134957A (en) 2012-12-12
KR101842195B1 true KR101842195B1 (en) 2018-05-14

Family

ID=47903071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110054222A KR101842195B1 (en) 2011-06-03 2011-06-03 Light unit and light emitting apparatus having thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101842195B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010117813A2 (en) * 2009-03-31 2010-10-14 Ventiva, Inc. Electro-hydrodynamic gas flow led cooling system
US20110096533A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 William Sekela Refractive optics to provide uniform illumination in a display case

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010117813A2 (en) * 2009-03-31 2010-10-14 Ventiva, Inc. Electro-hydrodynamic gas flow led cooling system
US20110096533A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 William Sekela Refractive optics to provide uniform illumination in a display case

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120134957A (en) 2012-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101997243B1 (en) Light emtting device and lighting system
KR20140035215A (en) Light emitting device and lighting system
KR102075561B1 (en) Light emitting device, lightr emitting module and lighting system
KR101982626B1 (en) Light emitting device and lighting device having the same
KR101786094B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR101831410B1 (en) Light emitting device package and light emitting apparatus having the same
KR101873585B1 (en) Light emitting device package and lighting system having the same
KR20130131814A (en) Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system
KR101926531B1 (en) Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system
KR20130046286A (en) Light emitting device package and light uint
KR101916025B1 (en) Light emitting module and light unit having thereof
KR101842195B1 (en) Light unit and light emitting apparatus having thereof
KR101901835B1 (en) Light emitting device and lighting apparatus
KR101906851B1 (en) Light emitting device and lighting emitting module
KR102019498B1 (en) Light emitting device and lighting system
KR20130137820A (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20130014263A (en) Light emitting device
KR101892928B1 (en) Light emitting module and light unit having the same
KR101946831B1 (en) Light emitting device package
KR101888657B1 (en) Light emitting module and light unit having the same
KR20160093370A (en) Light emitting device package and lighting device
KR101905575B1 (en) Light emitting device
KR101840031B1 (en) Light emitting apparatus
KR101872521B1 (en) Light emitting device package and lighting system having the same
KR101896691B1 (en) Light emitting device and lighting system

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant