KR101837780B1 - 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 - Google Patents
유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101837780B1 KR101837780B1 KR1020120078789A KR20120078789A KR101837780B1 KR 101837780 B1 KR101837780 B1 KR 101837780B1 KR 1020120078789 A KR1020120078789 A KR 1020120078789A KR 20120078789 A KR20120078789 A KR 20120078789A KR 101837780 B1 KR101837780 B1 KR 101837780B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic
- composition
- methyl
- inorganic hybrid
- group
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 13
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 11
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 4
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 1-propylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCCC1=O DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 claims description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PJEXUIKBGBSHBS-UHFFFAOYSA-N 1-(hydroxymethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCN1CCCC1=O PJEXUIKBGBSHBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 2
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 claims description 2
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N alpha-D-galactose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- 229930182830 galactose Natural products 0.000 claims description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 2
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 claims description 2
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- YFTNTMQKPLVKFQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-n,n-dimethylmethanamine Chemical compound COCN(C)C YFTNTMQKPLVKFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCOGKXLOEWLIDC-UHFFFAOYSA-N N-methylbutylamine Chemical compound CCCCNC QCOGKXLOEWLIDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- LCEDQNDDFOCWGG-UHFFFAOYSA-N morpholine-4-carbaldehyde Chemical compound O=CN1CCOCC1 LCEDQNDDFOCWGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-1-amine Chemical compound CCCNC GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-2-amine Chemical compound CNC(C)C XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQIXMZWXFFHRAQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxybutylamino)butan-2-ol Chemical compound CCC(O)CNCC(O)CC KQIXMZWXFFHRAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQXXEPZFOOTTBA-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpiperazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN1CCNCC1 IQXXEPZFOOTTBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPUIQFXZXVKZBN-UHFFFAOYSA-N 1-butoxy-n,n-dimethylmethanamine Chemical compound CCCCOCN(C)C HPUIQFXZXVKZBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 2-(morpholin-4-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCOCC1 KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEHHJSJCLNQQRH-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-butoxybutan-2-ol Chemical compound CCC(O)(N)COCCCC ZEHHJSJCLNQQRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-1-ol Chemical compound CC(N)CO BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJBCRXCAPCODGX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CNCC(C)C NJBCRXCAPCODGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZKSLWJLGAGPIU-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-ylpropan-1-ol Chemical compound OCCCN1CCOCC1 VZKSLWJLGAGPIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 4-aminobutan-1-ol Chemical compound NCCCCO BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 4-ethylmorpholine Chemical compound CCN1CCOCC1 HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJWLLQWLBMJCFD-UHFFFAOYSA-N 4-methylpiperazin-1-amine Chemical compound CN1CCN(N)CC1 RJWLLQWLBMJCFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INCLIPBTBFJYIB-UHFFFAOYSA-N COCC(C)(O)N.COCN(CCO)CCO Chemical compound COCC(C)(O)N.COCN(CCO)CCO INCLIPBTBFJYIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000005262 alkoxyamine group Chemical group 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJFLSHMHTPAZHO-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound [CH]1C=CC=C2N=NN=C21 BJFLSHMHTPAZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical class N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N diethylhydroxylamine Chemical compound CCN(O)CC FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHSSTVUDNMHOQR-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(2-methylpropoxy)methanamine Chemical compound CC(C)COCN(C)C RHSSTVUDNMHOQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVBMZKBIZUWTLV-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-propylpropan-1-amine Chemical compound CCCN(C)CCC UVBMZKBIZUWTLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 description 1
- YZTJYBJCZXZGCT-UHFFFAOYSA-N phenylpiperazine Chemical compound C1CNCCN1C1=CC=CC=C1 YZTJYBJCZXZGCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N sec-butylamine Chemical compound CCC(C)N BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
본 발명은 (A) 무기 알칼리 화합물; (B) 1종 또는 2종 이상의 유기 용제; (C) 규소화합물; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 및 상기 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 TFT 기판, 상기 TFT 기판에 대향하는 컬러필터 기판, 그리고 양 기판 사이에 개재되어 전기적인 신호가 인가됨에 따라 광의 투과 여부를 결정하는 액정을 포함하는 액정표시패널을 구비한다.
상기 TFT 기판과 컬러필터 기판 사이에 액정을 단순히 양 기판 사이에 끼우는 것 만으로는 같은 분자배열상태를 얻기가 어렵기 때문에 기판 내벽에 처리를 하여 배향막을 형성한다.
상기 배향막은 200℃ 이하에서 Film 형성이 가능하고, ITO 기판에 좋은 접착 특성이 있어야 한다. 배향막 도포 공정에 있어서 가장 중요한 점은 넓은 면적에 일정하고 균일하게 배향막을 도포하는 것이다. 보통 배향막의 두께는 500~1,000Å정도이며, 동일 기판에서는 100Å정도의 두께 차이에 의해 얼룩과 같은 불량이 발생할 수 있기 때문에 배향막의 두께 관리는 중요한 공정 관리 항목이 된다.
상기 배향막으로는 일반적으로 유기 배향막과 무기배향막으로 구분되며, 유기배향막으로는 폴리이미드계 고분자 화합물을 유기용매에 용해시킨 것을 ITO 기판위에 일정한 막두께로 도포후, 도포된 배향막을 균일하게 하기 위하여 건조과정을 거친다. 또한 무기배향막으로는 일반적으로 SiO2 산화막을 진공증착등의 방법을 통해 ITO 기판위에 도포후 사용하고 있다. 그러나 앞서 설명한 폴리이미드계등의 유기배향막은 ITO 기판위에 도포후 건조하는 과정에서 용매의 증발속도 등의 차이에 의해 균일 건조가 쉽지않고, 건조시 도포된 두께의 차이에 의해 얼룩등이 발생하기도 한다. 또한 건조 후 러빙이라는 공정을 통하여 폴리이미드계막에 러빙을 하면, 액정이 배향하게 되는데, 이러한 러빙공정 중 많은 불량을 일으키는 원인이 되기도 한다. 또한 SiO2 산화막계인 무기배향막은 러빙공정을 통하지 않고 이용이 가능하기 때문에 러빙에 따른 불량을 감소시키는 것이 가능하지만, 액정의 배향효과등 다른 문제점을 수반하고 있다. 이러한 이유로 인하여 폴리디메틸실록산이라는 유-무기계가 혼합된 물질을 이용한 유-무기 하이브리드형 배향막의 개발이 진행되고 있다. 상기의 폴리디메틸실록산은 SiOxRy(0<x=1, 0<y=1, R은 탄소원자가 1에서 10까지의 구조를 가지는 알킬기 또는 알릴기 등임)의 구조를 가지는 물질로 폴리디메틸실록산계 유-무기하이브리드형 물질을 ITO기판에 도포후 일정한 온도에서 일정시간 열처리하는 경우 ITO 기판과 접촉하는 부분에서는 실리콘(Si) 성분이 결합력을 가지며 ITO-Si간 결합력을 가지는 한편 ITO기판과 접촉하지 않는 상부층은 폴리디메틸실록산에 있는 알킬 또는 알릴기 등의 유기그룹이 존재하게 된다. 이와 같이 ITO와 접촉하는 부분에서는 무기배향막의 일종인 SiOx물질이, ITO와 접촉하지 않는 상부부분은 유기배향막의 일종인 유기물질(폴리디메틸실록산의 R 그룹에 해당)이 존재하는 유-무기하이브리형 배향막이 형성되게 된다. 이러한 유-무기 하이브리드형 배향막의 경우, 유기배향막의 제거액이 무기배향막의 성질을 가지는 SiOx계 성분까지 제거해야 하므로 만족스러운 제거효과를 기대하기 어려우며, 또한 무기배향막만을 대상으로 하는 제거액으로는 유기계 성분의 제거하는 것에 어려운 점이 있다.
상기와 같은 액정 배향막 제거를 위한 발명으로서, 한국공개특허 제10-2000-0078621호에서는 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물에 관하여 기재하고 있으나, 용도를 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물로 한정하고, 부식방지제로 트리아졸계를 사용하고 있으며, 유-무기 하이브리드 배향막에 대해서는 제거성이 없다는 문제점이 있다. 또한, 한국공개특허 제10-2006-0039352호 역시 유-무기 하이브리드 배향막에 대한 제거성이 없을 뿐만 아니라, 아민을 필수적으로 필요로 한다는 한계가 있다. 따라서, 유-무기 하이브리드 배향막에 대해서도 제거성을 갖고, 알루미늄 배선에 대한 부식 방지성을 갖는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물에 대한 개발의 필요성이 점점 커지고 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 액정 표시 패널의 액정 배향막에 대하여 우수한 제거성을 확보하기 위하여, 유기 배향막 뿐만 아니라 유-무기 하이브리드 배향막에 대해서도 제거성을 갖고, 알루미늄 배선에 대한 부식 방지성을 갖는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 (A) 무기 알칼리 화합물; (B) 1종 또는 2종 이상의 유기 용제; (C) 규소화합물 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물은 유기 배향막에 대한 제거력이 강할 뿐만 아니라, 유-무기 하이브리드 배향막의 제거력도 갖고 있어, 액정 표시 패널의 표면에 존재하는 배향막을 효과적으로 제거할 수 있으며, 알루미늄 배선에 대한 부식 방지성을 갖게 된다. 또한 본 발명의 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 사용하는 경우, 액정 표시 장치의 불량률을 감소시켜 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물은 (A) 무기 알칼리 화합물; (B) 1종 또는 2종 이상의 유기 용제; (C) 규소화합물 및 (D) 물을 포함한다.
(A) 무기 알칼리 화합물
본 발명에 있어서, 상기 무기 알칼리 화합물로서는 수산화칼륨(potassium hydroxide), 수산화나트륨(sodium hydroxide), 탄산나트륨(sodium carbonate), 탄산 칼륨(potassium carbonate)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며, 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 15.0 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.3 내지 10 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 알칼리 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 배향막 제거 속도가 늦거나 제거가 되지 않으며, 15중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 배선재료의 부식을 방지할 수가 없다.
(B) 유기 용제
본 발명에 있어서, 상기 유기 용제로서는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디메틸포름아마이드 (DMF), N-메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸아세트아마이드, 디에틸아세트아마이드(DEAc), N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈(NEP), N-프로틸 피롤리돈(NPP), N-하이드록시메틸 피롤리돈 및 N-하이드록시에틸 피롤리돈 등으로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 용제는 조성물 총 중량에 대하여 30 내지 80 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 40 내지 60 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 유기 용제가 30 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 배향막 박리 속도가 늦거나 제거가 되지 않으며, 80 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 다른 성분의 함량이 부족해져, 배선재료의 부식이 증가한다.
(C) 규소화합물
본 발명의 조성물은 배선재료의 부식을 방지하기 위하여 규소화합물을 포함한다. 상기 규소화합물로는 규산칼륨(potassium silicate), 규산칼슘(calcium silicate), 규산나트륨(sodium silicate), 규산알루미늄(aluminum silicate) 등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.5 내지 7중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 규소화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 배선재료의 부식을 방지 할 수가 없으며, 15중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 다른 성분의 함량이 부족해져, 배향막의 박리 속도가 늦거나 제거가 되지 않는다. 상기 규소화합물을 사용하면, 점도가 높은 지방족 다가 알코올을 사용하지 않거나 또는 적은 양을 사용할 수 있기 때문에 점도를 감소시키는 효과가 있다. 이에 따라 분무법과 같은 방법을 사용하는 경우, 고온뿐 아니라 상온에서도 사용이 가능하다.
(D) 물
본 발명에 있어서, 상기 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 반도체 공정용의 물로서, 비저항값이 18MΩ/cm 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 물은 전체 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량으로 포함되므로, 다른 구성성분의 함량에 따라 조정될 수 있다.
본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물은 지방족 다가 알코올을 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에 있어서, 상기 지방족 다가 알코올로서는 글리세롤, 글루코오스, 만노오스, 갈릭토오스, 솔비통, 만니톨, 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 20 내지 40 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 지방족 다가 알코올이 5 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 배선재료의 부식이 증가하게 되고, 50 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 배향막 제거성이 떨어지게 된다.
본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물은 유기 알칼리성 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 유기 알칼리 화합물로서는 테트라메틸암모늄하이드록 사이드(tetramethyl ammonium hydroxide, (CH3)4NOH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드(tetraethyl ammonium hydroxide, (C2H5)4NOH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(tetrapropyl ammonium hydroxide, (C3H7)4NOH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide, (C4H9)4NOH), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류 등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 아민류에는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, 2-아미노에탄올, 2-(에틸아미노)에탄올, 2-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있다.
본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물에 상기 유기 알칼리 화합물이 더 포함되는 경우, 상기 유기 알칼리 화합물과 상기 무기 알칼리 화합물의 혼합물이 조성물 총 중량에 대하여 0.1중량% ~ 5중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.3 내지 3.0 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 유기 알칼리 화합물과 무기 알칼리 화합물의 혼합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 배향막 제거 속도가 늦거나 제거가 되지 않을 뿐만 아니라, 방식효과가 없어지며, 5중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 배선재료의 부식을 방지할 수가 없다.
본 발명에 따른 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물은 이 분야에서 통상적으로 사용되는 계면활성제와 첨가제 Cu용 부식 방지제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 일반적으로 사용되고 있는 비이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제를 들 수 있으며, 상기 Cu용 부식 방지제로는 일반적으로 사용되고 있는 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 벤조트리아졸 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 발명의 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 사용하여 유-무기 하이브리드형 배향막을 제거하는 방법으로는 침지법이 일반적이지만 기타의 방법, 예를 들면 분무법에 의한 방법을 사용할 수도 있다. 본 발명에 의한 조성물로 처리한 후의 세정제로는 알코올과 같은 유기용제를 사용할 필요가 없고 물로 세정하는 것만으로도 충분하다.
본 발명은 지방족 다가 알코올의 미사용 또는 적은양의 사용으로 점도의 감소효과의 장점이 있어서 분무법과 같은 방법에서 고온뿐 아니라 상온에서 사용이 가능하다.
본 발명의 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물은 반도체 또는 전자제품, 특히 액정패널의 유-무기 하이브리드형 배향막의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예
실시예
1~7 및
비교예
1~8: 유-무기
하이브리드형
배향막 제거 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1~7 및 비교예 1~8의 유-무기 하이브리드형 배향막 제거용 세정제 조성물을 제조하였다.
알칼리 | 용제 | 규소화합물 | 다가올코올 | 물 | |||||
종류 | 양 | 종류 | 양 | 종류 | 양 | 종류 | 양 | ||
실시예1 | KOH | 0.1 | MTG | 30 | S.S | 0.5 | - | - | 잔량 |
실시예2 | KOH | 4 | BDG | 50 | S.S | 2 | - | - | 잔량 |
실시예3 | KOH | 6 | MTG | 30 | S.S | 5 | - | - | 잔량 |
실시예4 | NaOH | 4 | BDG | 50 | S.S | 2 | - | - | 잔량 |
실시예5 | KOH/TMAH | 2/2 | BDG | 50 | S.S | 2 | - | - | 잔량 |
실시예6 | KOH | 4 | BDG | 50 | P.S | 2 | - | - | 잔량 |
실시예7 | KOH | 4 | BDG | 50 | S.S | 0.1 | Glycein | 10 | 잔량 |
비교예1 | - | - | BDG | 50 | S.S | 2 | - | - | 잔량 |
비교예2 | KOH | 16 | BDG | 20 | S.S | 15 | - | - | 잔량 |
비교예3 | KOH | 16 | - | - | S.S | 15 | - | - | 잔량 |
비교예4 | KOH | 0.05 | BDG | 60 | - | - | - | - | 잔량 |
비교예5 | KOH | 4 | BDG | 90 | S.S | 0.1 | - | - | 잔량 |
비교예6 | KOH | 4 | BDG | 20 | S.S | 0.1 | - | - | 잔량 |
비교예7 | KOH | 4 | MTG | 40 | S.S | 17 | - | - | 잔량 |
비교예8 | KOH | 4 | BDG | 50 | S.S | 0.05 | - | - | 잔량 |
KOH: 수산화 칼륨
NaOH: 수산화 나트륨
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
MTG: 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르
TMAH: 테트라메틸암모늄하이드록 사이드(tetramethyl ammonium hydroxide)
S.S: Sodium silicate
P.S: Potassium silicate
실험예
: 유-무기
하이브리드형
배향막 제거 조성물의 특성 평가
1) 유-무기 하이브리드형 배향막의 제거력 평가
유-무기 하이브리드형 배향막 제거력 평가를 위해, 유-무기 하이브리드형 배향막 (Butyl-Si-(O-Me)3)이 코팅된 유리기판을 1.5cm × 6cm 크기로 준비하였다. 준비된 기판을 실시예1~7 및 비교예1~8의 조성물에 1분간 및 3분간 실온에서 침지하여 세정하였다. 세정 후 초순수로 30초 동안 세척하고 질소로 건조하여, 평가 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<평가 기준>
○: 유-무기 하이브리드형 배향막이 제거되었을 때,
△: 50%정도 제거되었을 때,
×: 제거가 되지 않았을 때
2) 알루미늄 에칭 속도 측정
먼저, 알루미늄이 2500Å 두께로 형성된 유리기판을 실시예1~6 및 비교예1~7의 조성물에 10분간 침지시켰다. 이 때 세정액의 온도는 25℃였다. 알루미늄 막의 두께를 침지이전 및 이후에 측정하고, 알루미늄 막의 용해속도를 알루미늄 막의 두께 변화로부터 에칭속도를 계산하여 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Al 에칭속도 (A/분) | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거력 | ||
1 분 | 3 분 | ||
실시예1 | 0.01 | △ | ○ |
실시예2 | 0.03 | ○ | ○ |
실시예3 | 0.02 | ○ | ○ |
실시예4 | 0.87 | ○ | ○ |
실시예5 | 0.03 | ○ | ○ |
실시예6 | 0.36 | ○ | ○ |
실시예7 | 0.01 | ○ | ○ |
비교예1 | 0.12 | × | × |
비교예2 | 10.7 | ○ | ○ |
비교예3 | 15.4 | ○ | ○ |
비교예4 | 1.86 | × | × |
비교예5 | 3.87 | ○ | ○ |
비교예6 | 0.11 | × | × |
비교예7 | 0.01 | × | △ |
비교예8 | 3.07 | ○ | ○ |
상기 표 2의 시험 결과로부터, 본 발명의 세정제 조성물인 실시예 1~6의 조성물은 비교예 1~7의 조성물과 비교하여, 실온에서 유-무기 하이브리드형 배향막 제거력이 우수하며, 금속에 대한 방식성도 대체적으로 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.
3) 상온에서 점도 비교
본 발명의 조성물의 점도를 상온에서 비교해 보기 위해 실시예 4와 실시예 7의 점도를 25℃에서 브룩필드 점도계(Brookfield Viscometer DV-I+,BROOKFIELD사 제조)로 측정하였다. 측정된 점도는 실시예 4는 상온에서 3mPas, 실시예 7은 26mPas 이었다. 상기 측정 결과로부터 본 발명의 세정제 조성물은 상온에서 낮은 점도를 지닌다는 것을 확인할 수 있었다.
Claims (14)
- (A) 무기 알칼리 화합물 0.1 ~ 15 중량%;
(B) 1종 또는 2종 이상의 유기 용제 30 ~ 80 중량%;
(C) 규소화합물 0.1 ~ 10 중량%; 및
(D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1에 있어서,
지방족 다가 알코올을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1에 있어서,
유기 알칼리 화합물을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 삭제
- 청구항 2에 있어서,
상기 지방족 다가 알코올이 0.1중량% ~ 5중량% 함유되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 3에 있어서,
상기 유기 알칼리 화합물과 상기 무기 알칼리 화합물의 혼합물이 0.1중량% ~ 5중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 규소화합물은 규산칼륨(potassium silicate), 규산칼슘(calcium silicate), 규산나트륨(sodium silicate), 규산알루미늄(aluminum silicate)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무기 알칼리 화합물은 수산화칼륨(potassium hydroxide), 수산화나트륨(sodium hydroxide), 탄산나트륨(sodium carbonate), 탄산 칼륨(potassium carbonate)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 용제는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디메틸포름아마이드 (DMF), N-메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸아세트아마이드, 디에틸아세트아마이드(DEAc), N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈(NEP), N-프로틸 피롤리돈(NPP), N-하이드록시메틸 피롤리돈 및 N-하이드록시에틸 피롤리돈 등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 2에 있어서,
상기 지방족 다가 알코올은 글리세롤, 글루코오스, 만노오스, 갈릭토오스, 솔비통, 만니톨, 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 3에 있어서,
상기 유기 알칼리 화합물은 테트라메틸암모늄하이드록 사이드(tetramethyl ammonium hydroxide, (CH3)4NOH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드(tetraethyl ammonium hydroxide, (C2H5)4NOH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(tetrapropyl ammonium hydroxide, (C3H7)4NOH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide, (C4H9)4NOH), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
비이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 계면활성제로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 벤조트리아졸 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 Cu용 부식 방지제로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120078789A KR101837780B1 (ko) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120078789A KR101837780B1 (ko) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140012308A KR20140012308A (ko) | 2014-02-03 |
KR101837780B1 true KR101837780B1 (ko) | 2018-03-12 |
Family
ID=50263251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120078789A KR101837780B1 (ko) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101837780B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102028484B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2019-10-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 반응성 메소젠 유기배향막 제거용 조성물 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005238789A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Seiko Epson Corp | エッチング方法、基板、電子部品、電子部品の製造方法および電子機器 |
JP2006152147A (ja) | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子部品 |
KR100617854B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2006-08-28 | 산요가세이고교 가부시키가이샤 | 알칼리 세정제 |
JP2008007660A (ja) | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤 |
-
2012
- 2012-07-19 KR KR1020120078789A patent/KR101837780B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005238789A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Seiko Epson Corp | エッチング方法、基板、電子部品、電子部品の製造方法および電子機器 |
KR100617854B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2006-08-28 | 산요가세이고교 가부시키가이샤 | 알칼리 세정제 |
JP2006152147A (ja) | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子部品 |
JP2008007660A (ja) | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140012308A (ko) | 2014-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100846057B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR101983202B1 (ko) | 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물 | |
KR101880309B1 (ko) | 세정제 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
TW439013B (en) | Photoresist stripping composition | |
KR102032321B1 (ko) | 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물 | |
KR20110007828A (ko) | 구리 또는 구리합금 배선용 박리액 조성물 | |
KR100794465B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR101880303B1 (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 | |
KR20050110955A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 포토레지스트박리에 사용하는 방법 | |
KR101837780B1 (ko) | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 | |
KR20120005374A (ko) | 폴리이미드 제거용 세정제 조성물 | |
KR101888696B1 (ko) | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 | |
KR101895621B1 (ko) | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 | |
KR20080054714A (ko) | 레지스트 박리용 알칼리 조성물 | |
KR101888695B1 (ko) | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 | |
KR20130128952A (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물 | |
KR20140044482A (ko) | 전자소자용 세정액 조성물 | |
KR20130139482A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 | |
KR102028006B1 (ko) | 전자재료용 세정액 조성물 | |
KR20100125108A (ko) | 구리용 레지스트 제거용 조성물 | |
KR20100095287A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR101584775B1 (ko) | 유기절연막 및 감광성 고분자 제거용 박리액 조성물 | |
KR20040083157A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR20130046493A (ko) | 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물 | |
KR102153087B1 (ko) | 디스플레이 장치의 기판 세정용 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
GRNT | Written decision to grant |