KR101830463B1 - 플라즈마 프로세싱 시스템에서 플라즈마의 한정 상태를 검출하는 방법들 및 장치 - Google Patents

플라즈마 프로세싱 시스템에서 플라즈마의 한정 상태를 검출하는 방법들 및 장치 Download PDF

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Abstract

건조용 유체 (DF) 의 습식 에칭 후의 제거를 위한 프로세싱 챔버가 개시된다. 챔버는 프로세싱 볼륨을 둘러싸는 챔버 벽 및 프로세싱 볼륨 주위에 환상으로 배치되고 적어도 하나의 노즐 로우를 포함하는 노즐 로우들의 세트로 배열된 복수의 노즐들을 포함한다. 챔버는 또한 초임계 CO2 를 복수의 노즐들로 전달하기 위해 복수의 노즐들에 커플링된 매니폴드들의 세트 및 플레넘을 포함한다. 각 노즐은 프로세싱 볼륨의 내부 부분을 향하여 지향된 노즐 배출구를 갖고, 노즐들은 재순환 루프들 및 와류들을 최소화하는 방식으로 기판들을 향하여 초임계 CO2 를 유동시키도록 구성된다.

Description

플라즈마 프로세싱 시스템에서 플라즈마의 한정 상태를 검출하는 방법들 및 장치{METHODS AND APPARATUS FOR DETECTING THE CONFINEMENT STATE OF PLASMA IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM}
반도체 제품들의 제조는 종종 수계 액체 (aqueous-based liquid) 에 기판들을 노출시키는 것을 수반하는 기판들의 습식 에칭 또는 일부 다른 형태의 습식 프로세싱을 요구한다. 습식 프로세싱 후, 기판의 표면 상에 남아있는 프로세싱 유체 및/또는 임의의 수계 린싱 유체는 통상 다음 프로세싱 단계를 위한 기판을 준비하기 위하여 제거될 필요가 있다.
일반적으로 말하면, 습식 프로세싱 유체 및/또는 린싱 유체는, 습식 프로세싱 유체를 변위시키기 위해 기판을 건조용 유체 (drying fluid; DF) 로 포화시킴으로써 제거될 수도 있다. 건조용 유체는 예를 들어 알코올계일 수도 있고, 변위 효율을 최대화하기 위해 계면활성제 및/또는 다른 부가물을 함유할 수도 있다. 모세관력으로 인한 기판 상의 부서지기 쉬운 구조들의 붕괴를 회피하기 위하여, 추가적인 습식 프로세싱 후의 단계(들)가 기판을 충분하게 건조시키기 위해 수행될 수도 있다.
더 높은 디바이스 밀도 요건들에 부응하기 위해 반도체 피처들이 점점 더 작아짐에 따라, 부서지기 쉬운 구조들의 붕괴를 방지하고 가능한 한 단시간 내에 웨이퍼를 충분히 건조시킬 수 있는 DF 제거 기법들이 대단히 필요하다.
DF 제거를 용이하게 하고 기판 상의 부서지기 쉬운 구조들의 붕괴를 회피하기 위해 초임계 CO2 가 연구되고 이용되어 왔다. 초임계 조건 (Tc = 31C, Tp = 1070psi) 에서의 CO2 는 모세관력으로부터의 붕괴를 개시하기 위한 어떠한 표면 장력도 갖지 않고, 여러 잠재적인 건조용 유체들에 대해 양호한 용해성을 갖는다.
초임계 CO2 를 이용하는 기존의 DF 제거 프로세스들은 부서지기 쉬운 구조들의 붕괴를 방지하는 것에 대하여 기대할 수 있는 결과들을 보여왔지만, 종종 DF 에이전트들 및 임의의 다른 나머지 잔류물들이 충분히 제거되게 하는데 긴시간을 요구하여, 시간 소비적이었다. 초임계 CO2 를 이용하는 기존의 DF 제거 프로세스들은 또한 기판 표면으로부터 DF 에이전트들 및 임의의 다른 나머지 잔류물들을 충분히 플러싱하기 위해 많은 수의 챔버 턴오버들을 요구하여, 요구된 총 프로세스 시간 및 CO2 의 볼륨을 바람직하지 않게 증가시키고, 제품 생산성을 감소시킨다.
전술의 관점에서, 개선된 초임계 CO2-기반 DF 제거 프로세스들 및 장치들이 요망된다.
본 발명은 첨부 도면들의 도들에서, 제한이 아닌 일 예로 도시되며, 첨부 도면들에서, 동일한 참조 부호들은 유사한 엘리먼트들을 지칭한다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 초임계 CO2 를 이용하는 DF 제거 기법의 일 예의 개관을 도시한 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 기판 표면들로부터 건조용 유체를 효율적으로 제거하기 위한 챔버의 측면도를 도시한다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 초임계 CO2 전달을 위해 노즐들을 사용하는 프로세싱 챔버의 일부의 확대 측면도를 도시한다.
도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 초임계 CO2 전달을 위해 슬릿들을 사용하는 프로세싱 챔버의 일부의 확대 측면도를 도시한다.
이제 본 발명은 첨부 도면들에 도시한 바와 같은 몇몇 실시형태들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 다음의 설명에서, 다수의 특정 상세가 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위하여 기술된다. 설명들의 대부분은 다수의 웨이퍼들이 압력 챔버 내에서 서로의 상방에 적층되는 미니-배치 (mini-batch) 건조 프로세스와 관련되지만, 설명된 원리들은 단일 웨이퍼 프로세스에도 적용가능하다. 그러나, 본 발명이 이러한 특정 상세의 일부 또는 전부 없이도 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우에, 널리 알려진 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위하여 상세히 설명되지 않았다.
본 발명은, 하나 이상의 실시형태에서, 최소 재순환 루프들 및/또는 와류들 (vortices) 에 의해 초임계 CO2 가 웨이퍼 표면들을 가로질러 유동되도록 배열된 복수의 노즐들 또는 슬릿들 중 어느 하나를 사용하는 혁신적인 기판 프로세싱 챔버 설계에 관한 것이다. 혁신적인 기판 프로세싱 챔버 설계는, 하나 이상의 실시형태들에서는, DF 에이전트들 및 임의의 다른 나머지 잔류물들이 더 적은 시간에, 그리고 더 큰 유체 린싱 효율로 초임계 CO2 에 의해 제거될 수 있게 한다.
본 발명의 실시형태들의 특징들 및 이점들은 다음에 오는 도들 및 설명들을 참조하여 더 잘 이해될 수도 있다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 초임계 CO2 를 이용하는 DF 제거 기법의 일 예의 개관을 도시한다. 단계 102 에서, 기판에 습식 프로세싱을 실시한다. 습식 에칭과 같은 습식 프로세싱 단계의 상세한 사항들은 여기에 설명되지 않을 것이지만, 단계 102 는, 기판이 후속의 단계 104 및 단계 106 에서 세정/건조되도록 요구되는 임의의 습식 프로세스를 나타낼 수도 있다.
단계 104 는 습식 프로세싱 유체 및/또는 수계 린스 용액의 제거를 돕기 위한 습식 프로세스 후의 기판의 건조용 유체에의 노출을 나타낸다. 일반적으로 말하면, 단계 104 에서 사용되는 건조용 유체는, 예를 들어, 알코올계일 수도 있지만, 기판으로부터 습식 프로세싱 유체를 변위시키기 위한 임의의 적합한 에이전트가 사용될 수도 있다.
단계 106 은 본 발명의 양태들에 따라 초임계 CO2 를 이용하는 DF 제거 단계를 나타낸다. 단계 106 에서, 초임계 CO2 의 용매 특성들 및 표면 장력의 부재가 기판 표면 상에 남아있을 수도 있는 단계 102 의 임의의 에천트 잔류물은 물론 단계 104 에서 사용되는 DF 에이전트를 제거하는데 이용된다. 하나 이상의 실시형태들에서, 단계 104 와 단계 106 모두는 기판 이송 및 총 프로세싱 시간을 최소화하기 위해 동일한 혁신적인 챔버 (후술됨) 내에서 수행될 수도 있다.
초임계 CO2 는, 그 용어가 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 그 임계 온도 (Tc = 31.1C) 및 임계 압력 (Pc = 1070psi) 모두를 동시에 넘는 CO2 를 지칭한다. 예를 들어, CO2 는 35℃ 및 1,100PSI 에서 초임계 상태에 있을 것이다. 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에서, CO2 압력은 약 2,000PSI 와 약 4,000PSI 사이에 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, CO2 압력은 약 3,000PSI 이다.
본 명세서에서 후술되는 바와 같이, 단계 106 의 초임계 CO2 는, 유체 린싱 효율을 개선시키고 기판으로부터 DF 에이전트 및 임의의 다른 나머지 잔류물을 충분히 제거하는데 요구되는 시간 및 CO2 볼륨을 감소시키기 위해 와류 (vortice) 들 및 재순환 루프들을 실질적으로 최소화하는 혁신적인 어레인지먼트들을 통해 기판으로 전달된다.
더 자세히 설명하면, 와류들 및 재순환 루프들은 초임계 CO2 의 정체 지역 (stagnant area) 들을 나타내며, 여기서 초임계 CO2 의 유체 속도는 실질적으로 감소된다. 목표는 DF 에이전트의 대부분을 가능한 한 빠르게 초임계 CO2 로 교체하는 것이기 때문에, 와류들 및 재순환 루프들은 챔버 트랜지언트 시간을 바람직하지 않게 증가시키며, 이로써 초임계 CO2 로 기판을 건조시키는데 요구된 시간 및 요구된 CO2 볼륨을 증가시킨다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 수평 매니폴드들 (212a, 212b, 212c 및 212d) 과 같은 복수의 수평 매니폴드들 (212) 과 커플링된 수직 플레넘 (210) 을 포함하는 챔버 (202) 의 측면도를 도시한다. 설명을 용이하게 하기 위해 단 4 개의 수평 매니폴드들만이 도시되지만, 임의의 수의 수평 매니폴드들이 사용될 수도 있다. 수평은, 그 용어가 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 기판이 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨 내에 배치될 때 기판에 평행한 평면을 지칭한다. 반면에, 수직은 수평 평면과 수직인 평면을 지칭한다.
수평 매니폴드들 (212a, 212b, 212c 및 212d) 각각은 DF 에이전트 제거를 위해 기판들이 배치되는 프로세싱 볼륨 주위에 환상으로 배치된 복수의 노즐들에 커플링된다. 따라서, 복수의 수평 매니폴드들에 접속된 노즐들의 로우 (row) 들이 있다. 각 노즐은 그 개별의 수평 매니폴드에 대한 일단에 접속된다. 예를 들어, 노즐 (222) 은 수평 매니폴드 (212a) 에 커플링되는 것으로 도시되는 한편, 노즐 (224) 은 수평 매니폴드 (212b) 에 커플링되는 것으로 도시된다. 적어도 하나의 노즐 배출구가 노즐의 타단에 배치되고, DF 에이전트 제거를 위해 기판들이 배치되는 프로세싱 볼륨을 향하여 내부로 포인팅한다.
노즐들의 로우들의 목적은 기판들의 표면들로 초임계 CO2 를 전달하는 것이라는 것이 이해되어야 한다. 일 실시형태에서, 노즐들의 각 로우는, 초임계 CO2 의 유동이 인접해 있는 (그러나 이격된 관계로 유지된) 기판들의 쌍 사이에 지향되도록 배치된다. 따라서, 2 개의 인접하지만 이격된 기판들의 2 개의 표면들을 세정하기 위해 노즐들의 단일 로우가 사용될 수도 있다. 그러나, 노즐들의 하나 이상의 로우들을 각 기판 표면에 대한 전용이 되게 하는 것도 가능할 수도 있다.
초임계 CO2 는 수직 플레넘 (210) 에 진입한 후, 수평 매니폴드들 (212a, 212b, 212c 및 212d) 로 유동한다. 각 수평 매니폴드는, 그것에 접속된 노즐들의 로우 안으로 압력 하의 초임계 CO2 가 유동하는 것을 허용하기 위한 도관으로서 기능한다. 노즐 및 노즐 배출구 사이즈들은 기판 표면들을 가로질러 초임계 CO2 의 안정된 스트림들이 유동할 수 있게 하기 위해 적절히 디멘져닝된다.
초임계 CO2 는 일반적으로 노즐 배출구들로부터 기판 표면을 가로질러 (통상 노즐의 타측에 배치된) 챔버의 배기 포트를 향하여 유동한다. 하나 이상의 실시형태들에서, 노즐 로우의 일부 또는 전부의 개개의 노즐들은 서로에 대하여 병렬로 배치될 수도 있다. 즉, 일부 또는 전부의 개개의 노즐들 및/또는 노즐 배출구들은, 하나 이상의 실시형태들에서는, 노즐 배출구들에 의해 방출된 초임계 CO2 의 스트림들이 기판 표면에 대한 재순환 루프들 및 와류들을 최소화하면서 기판 표면을 가로질러 챔버의 배기 포트를 향하여 실질적으로 병렬로 유동하도록, 포인팅될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 노즐 로우의 일부 또는 전부의 개개의 노즐들은, 초임계 CO2 가 수평 매니폴드의 중심 대 배기 포트 벡터에 대한 상이한 각도들에서 개개의 노즐 배출구들을 빠져나갈 수도 있도록 서로에 대하여 비병렬로 배치될 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 노즐 로우의 일부 또는 전부의 노즐들은, 초임계 CO2 가 기판의 표면과 평행인 평면으로 지향되거나 또는 기판 표면을 향하여 또는 기판 표면으로부터 멀리 지향될 수도 있도록 포인팅될 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 노즐 로우는 상이한 세그먼트들을 포함할 수도 있고, 및/또는 일 노즐 로우 내의 노즐들은, 기판 중심으로부터 수평 매니폴드를 향하는 방향에서 볼 때 비평면일 수도 있다. 본 명세서에서 제안된 시스템을 고려해볼 때, 노즐 사이즈, 노즐 배출구 사이즈, 개개의 노즐들에 의해 포인팅된 방향의 최적화는, 최소 와류들 및 재순환 루프들에 의해 초임계 CO2 가 전달되는 것을 보장하기 위해 경험적 데이터를 이용하여 수행될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 초임계 CO2 의 총 유동 질량은 이하의 식 1 에 의해 대략적으로 결정된다.
TMF = (C) × (N) × (a) 식 1
여기서 C 는 본 명세서에서 초임계 CO2 에 특정한 상수이고, N 은 노즐들의 수이며, (a) 는 각 노즐의 단면적이다. 총 질량 유동 (TMF) 은 C, N 및 a 의 곱이다.
더욱이, 임의의 주어진 총 질량 유동에 대해 N 이 크고 a 가 작은 경우 유체 린싱 효율은 개선되기 쉽다는 것이 확인되었다. 노즐 로우를 따라 배열된 노즐들에 의한 초임계 CO2 전달의 균일성과 같은 고려사항들이 고려될 필요가 있다. 일 실시형태에서, 노즐 배출구들은 상이한 사이즈들을 가질 수도 있고, 또는 수평 매니폴드들은 특정 노즐 로우의 노즐 배출구들 간에 또는 노즐 로우로부터 노즐 로우 간에 노즐 배출구 압력들에서의 압력 기울기들을 최소화하기 위해 일단에서 타단까지 및/또는 수평 매니폴드로부터 수평 매니폴드 간에 비균일한 단면들을 가질 수도 있다. 목표는, 일 배치 내의 기판 표면으로부터 기판 표면 간의 최소 순환 루프들 또는 와류들 그리고 최소 차이들에 의해 모든 기판 표면들의 모든 관련 영역들로/위로/가로질러 균일한 초임계 CO2 를 전달하는 것이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 챔버 벽 (302), 수직 플레넘 (304), 및 복수의 수평 매니폴드들 (306, 308 및 310) 을 포함하는, 프로세싱 챔버의 일부의 확대 측면도를 도시한다. 각 수평 매니폴드, 예를 들어, 수평 매니폴드 (306) 는, 노즐 로우를 형성하는 복수의 노즐들에 커플링된다. 설명을 목적으로, 노즐 (320) 은 수평 매니폴드 (306) 에 커플링되는 것으로 도시된다.
노즐 (320) 은 또한, 기판들의 세트 (단일 기판이나 이격된 관계에서 병렬로 적층된 기판들의 배치 중 어느 하나) 가 배치되는 프로세싱 볼륨 안으로 초임계 CO2 를 배출하기 위한 노즐 배출구 (322) 를 포함한다. 노즐 배출구들은 높은 충돌 속도 (impinging velocity) 들을 초래하고 유체들의 체류 시간을 감소시키도록 사이징된다. 하나 이상의 실시형태들에서, 노즐 배출구들은, 메인터넌스/세정을 간단하게 하고 미립자 오염에 대한 우려를 감소시키기 위해 챔버 벽들의 내부면과 동일 평면이 되도록 설정된다.
전술한 바와 같이, 노즐들의 수가 많을 때 (식 1 참조), 개선된 DF 에이전트 플러싱, 감소된 와류들, 감소된 재순환 루프들, 감소된 DF 에이전트 제거 시간, 및 감소된 CO2 사용량이 달성될 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 노즐 로우의 개개의 노즐들은 노즐들을 이용한 경우에서와 같은 개개의 스트림들 대신에 시트로서 초임계 CO2 를 배출하도록 구성되는 슬릿으로 교체된다. 도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 챔버 벽 (402), 수직 플레넘 (404), 및 복수의 수평 매니폴드들 (406, 408 및 410) 을 포함하는, 초임계 CO2 전달을 위해 슬릿들을 사용하는 프로세싱 챔버의 일부의 확대 측면도를 도시한다. 각 수평 매니폴드, 예를 들어, 수평 매니폴드 (406) 는, 적어도 2 개의 개구부들 : 초임계 CO2 가 배출될 수 있는 슬릿으로서 기능하도록 기판들의 세트가 배치되는 프로세싱 볼륨을 향하는 개구부, 및 슬릿을 통하여 프로세싱 볼륨을 향하여 배출되도록 초임계 CO2 가 수직 플레넘으로부터 수평 매니폴드로 유동하는 것을 허용하기 위해 수평 매니폴드를 수직 플레넘에 커플링하는 하나 이상의 개구부들을 갖는다.
설명을 목적으로, 슬릿 (420) 은 기판들의 세트 (단일 기판이나 이격된 관계에서 병렬로 적층된 기판들의 배치 중 어느 하나) 가 배치되는 프로세싱 볼륨 안으로 초임계 CO2 를 배출하기 위해 수평 매니폴드 (406) 에 커플링되거나 또는 그 수평 매니폴드 (406) 와 일체적으로 형성되는 것으로 도시된다. 하나 이상의 실시형태들에서, 슬릿들은 메인터넌스/세정을 간단하게 하고 미립자 오염에 관한 우려를 감소시키기 위해 챔버 벽의 내부면과 동일 평면이 되도록 설정된다.
슬릿이 사용되는 경우, 노즐들의 수는 슬릿들의 2 개의 단들 사이에 무한한 것으로 생각될 수도 있다. 높은 N 값의 결과로서 (식 1 참조), 슬릿 설계는 높은 유체 린싱 효율, 낮은 챔버 턴오버들, 및 초임계 CO2 유동에서의 와류들 및 재순환 루프들의 감소 또는 제거를 초래하기 쉽다는 것이 확인되었다. 하나 이상의 실시형태에서, 슬릿은 약 0.005'' 폭일 수도 있지만, 이것은 본 발명의 절대적 요건 또는 제한이 아니다.
전술로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시형태들은 재순환 루프들 및/또는 와류들이 낮거나 없이, 초임계 CO2 의 매우 균일한 유동을 초래한다. 그 결과는 충분한 DF 플러싱을 위해 요구되는 감소된 시간 및 보다 효율적인 챔버 턴오버들이다. 결과적으로, 전체 기판 프로세스 시간이 감소되며, 이는 반도체 제조자들을 위한 개선된 생산성으로 이어질 수도 있다.
예시적인 실시형태들 및 최적의 모드를 개시하였고, 다음의 청구항들에 의해 정의되는 본 발명의 대상 및 사상 내에서 유지하면서 변형들 및 변경들이 개시된 실시형태들에 대하여 행해질 수도 있다.

Claims (21)

  1. 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 챔버로서,
    상기 프로세싱은 초임계 CO2 를 이용한 적어도 하나의 기판으로부터의 건조용 유체 (drying fluid; DF) 의 적어도 습식 프로세싱 후의 제거를 포함하는, 프로세싱 챔버에 있어서,
    상기 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨을 둘러싸는 챔버 벽;
    하단 및 상단 사이에 수직으로만 연장된 플레넘으로서, 상기 플레넘은 상기 프로세싱 챔버에 대한 상기 챔버 벽을 규정하고, 상기 플레넘은 상기 하단 및 상기 상단 사이의 내부 채널을 가지고, 상기 플레넘은 상기 플레넘의 상기 하단에서 상기 초임계 CO2 에 대한 공급 연결부를 가지는, 상기 플레넘;
    상기 플레넘에 커플링된 매니폴드들의 세트로서, 상기 매니폴드들의 세트는 일렬로 (in rows) 배열되고, 로우 (row) 각각은 상기 챔버 벽을 따라서 다른 로우와 이격되고, 로우 각각은 상기 챔버 벽을 따라 개별적인 수직 위치에 배치되고, 그리고 상기 매니폴드들의 세트 각각은 상기 플레넘의 상기 내부 채널에 수평 매니폴드 연결부를 가지는, 상기 매니폴드들의 세트;
    노즐들의 세트로서, 노즐 각각은 수평 매니폴드들 중 하나에 커플링되고 노즐 각각은 상기 프로세싱 챔버의 상기 프로세싱 볼륨을 향하여 지향되는 상기 플레넘의 내부-대향면 (interior-facing surface) 상에 노즐 배출구를 가지는, 상기 노즐들의 세트를 포함하고,
    상기 노즐 배출구들은 상기 플레넘의 상기 내부-대향면과 동일 평면으로 배치되고 (disposed flush within),
    상기 노즐 배출구들 각각은 상기 챔버 벽에 수직으로 배향되는 (oriented perpendicular), 프로세싱 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판을 병렬로 그리고 다른 기판에 대하여 이격된 관계로 유지하도록 구성된 기판 지지 구조를 더 포함하며,
    상기 기판 지지 구조는, 상기 매니폴드들의 세트의 상기 로우들 중 적어도 하나가 기판들의 세트 중 둘 사이에 배향되도록 상기 기판들의 세트 중 상기 적어도 하나의 기판과 상기 다른 기판을 포지셔닝하는, 프로세싱 챔버.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판이 복수의 기판들을 포함하는, 프로세싱 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐들의 세트가 상기 챔버 벽 내에 배치되고 상기 프로세싱 챔버 주위에 환상으로 배치되는, 프로세싱 챔버.
  5. 삭제
  6. 제 4 항에 있어서,
    적어도 하나의 매니폴드들의 로우는 단지 상기 챔버 벽의 외주 (circumference) 의 일부에만 걸쳐있는, 프로세싱 챔버.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드들의 세트는 상기 챔버 벽 내에 배치되는, 프로세싱 챔버.
  8. 초임계 CO2 를 이용하여 기판들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 챔버에 있어서,
    상기 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨을 둘러싸는 챔버 벽으로서, 상기 프로세싱 볼륨은 수평 방향에 수직인 상기 챔버 벽에 대해 상기 수평 방향으로 복수의 기판들을 유지하기 위한 기판 지지부에 대해 구성되는, 상기 챔버 벽;
    상기 챔버 벽 내의 하단 및 상단 사이에 수직으로만 연장된 플레넘으로서, 상기 플레넘의 내부 표면은 상기 프로세싱 챔버를 대향하고 (facing), 상기 플레넘은 적어도 상기 하단과 상기 상단 사이에서 연장된 내부 채널을 가지고, 상기 플레넘은 상기 초임계 CO2를 수용하기 위해 상기 하단에서 공급 연결부를 가지는, 상기 플레넘;
    상기 플레넘의 상기 내부 채널에 도관들을 제공하는 복수의 수평 매니폴드들로서, 상기 복수의 수평 매니폴드들은 상기 플레넘 주위에 일렬로 배열되고, 로우 각각은 다른 로우로부터 떨어진 거리에 배치되고, 로우 각각은 상기 기판들이 상기 기판 지지부에 있을 상기 기판들 중 적어도 둘 사이에 정렬된 (align between) 상기 플레넘의 개별적인 수직 위치에서 배향되고, 그리고 상기 거리가 상기 기판들 중 하나의 두께보다 큰, 상기 복수의 수평 매니폴드들; 및
    복수의 노즐들로서, 노즐 각각은 상기 복수의 수평 매니폴드들 중 하나에 커플링된, 상기 복수의 노즐들을 포함하고,
    상기 노즐 각각은 상기 프로세싱 챔버의 상기 프로세싱 볼륨을 향하여 지향되는 노즐 배출구를 가지고,
    상기 프로세싱 볼륨을 대향하는 상기 플레넘의 상기 표면은 평면과 곡면이고 노즐 배출구들 각각을 포함하는, 프로세싱 챔버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 노즐 배출구들 각각이 상기 챔버 벽에 수직으로 배향되는, 프로세싱 챔버.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐들이 개별 노즐들 또는 슬릿 노즐 중 하나로 규정되는, 프로세싱 챔버.
  11. 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨을 둘러싸는 챔버 벽으로서, 상기 프로세싱 볼륨은 수평 방향에 수직인 상기 챔버 벽에 대해 상기 수평 방향으로 복수의 기판들을 유지하기 위한 기판 지지부에 대해 구성되는, 상기 챔버벽;
    상기 챔버 벽 내의 하단 및 상단 사이에 수직으로만 연장된 플레넘으로서, 상기 플레넘의 외부 표면은 상기 프로세싱 볼륨을 대향하는 상기 챔버 벽의 적어도 일부를 규정하고, 상기 플레넘은 적어도 상기 하단과 상기 상단 사이에서 연장된 내부 채널을 가지고, 상기 플레넘은 상기 프로세싱 챔버에 의해 프로세싱될 때 초임계 CO2 를 수용하기 위해 상기 하단에서 공급 연결부를 가지는, 상기 플레넘;
    상기 플레넘의 상기 내부 채널에 도관들을 제공하는 복수의 수평 매니폴드들로서, 상기 복수의 수평 매니폴드들은 상기 챔버 벽 주위에 일렬로 배열되고, 로우 각각은 상기 챔버 벽을 따라서 다른 로우로부터 떨어진 거리에 배치되고, 그리고 로우 각각은 상기 기판들이 상기 기판 지지부에 있을 때 상기 기판들 중 적어도 둘 사이에 정렬된 상기 챔버 벽 상의 개별적인 수직 위치에서 배향되는, 상기 복수의 수평 매니폴드들; 및
    복수의 노즐들로서, 노즐 각각은 상기 복수의 수평 매니폴드들 중 하나에 커플링된, 상기 복수의 노즐들을 포함하고,
    노즐 각각은 상기 프로세싱 챔버의 상기 프로세싱 볼륨을 향하여 배향되는 노즐 배출구를 가지고, 노즐 각각은 상기 챔버 벽에 대해 수직인 방향을 가진 상기 프로세싱 볼륨을 향해서만 배향되고,
    상기 프로세싱 볼륨을 대향하는 상기 플레넘의 상기 외부 표면은 평면과 곡면이고 노즐 배출구들 각각을 포함하는, 프로세싱 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐들이 개별 노즐들 또는 슬릿 노즐 중 하나로 규정되는, 프로세싱 챔버.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 플레넘이 상기 챔버 벽과 통합되는, 프로세싱 챔버.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 매니폴드들은 상기 챔버 벽 내에 배치되는, 프로세싱 챔버.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 노즐 배출구들은 상기 챔버 벽의 내부-대향면과 동일 평면으로 배치되는, 프로세싱 챔버.
  16. 삭제
  17. 삭제
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