KR101828085B1 - NiCu ALLOY TARGET MATERIAL FOR Cu ELECTRODE PROTECTIVE FILM AND LAMINATED FILM - Google Patents

NiCu ALLOY TARGET MATERIAL FOR Cu ELECTRODE PROTECTIVE FILM AND LAMINATED FILM Download PDF

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Abstract

본 발명은, Cu 전극의 보호막으로서 사용할 수 있고, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 습식 에칭에 의해 고정밀도의 패터닝이 가능하고, 투명전극과의 밀착성이 양호한 보호막을 형성할 수 있고, 더욱이, 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재, 및 이를 사용하여 제조되는 적층막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤(Cr, Ti)≤10.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재, 및 이를 사용하여 제조되는 적층막에 관한 것이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as a protective film for a Cu electrode and can suppress deterioration of electric characteristics due to electrolytic corrosion and atom diffusion of a Cu electrode and enables high precision patterning by wet etching, And an object of the present invention is to provide a NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film capable of forming this good protective film and capable of efficiently performing sputtering, and a laminated film manufactured using the same.
The present invention relates to a NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film comprising 15.0? Cu? 55.0 mass% and 0.5? (Cr, Ti)? 10.0 mass%, the balance being Ni and inevitable impurities, To a laminated film to be manufactured.

Figure 112011067200528-pat00001
Figure 112011067200528-pat00001

Description

Ｃｕ 전극 보호막용 ＮｉＣｕ 합금 타겟재 및 적층막{NiCu ALLOY TARGET MATERIAL FOR Cu ELECTRODE PROTECTIVE FILM AND LAMINATED FILM}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a NiCu alloy target material and a laminated film for a Cu electrode protective film,

본 발명은, Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재 및 적층막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 터치 패널이나 액정 패널의 전극으로서 사용되는 Cu 전극의 보호막을 형성하기 위해 사용되는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재, 및 이를 사용하여 제조되는 적층막에 관한 것이다.The present invention relates to a NiCu alloy target material and a laminated film for a Cu electrode protective film and more particularly to a NiCu alloy target material and a laminated film for a Cu electrode protective film used for forming a protective film of a Cu electrode used as an electrode of a touch panel or a liquid crystal panel A target material, and a laminated film manufactured using the same.

터치 패널, 박형 대화면 텔레비전 등에 사용되는 액정 패널은, 2장의 투명기판의 사이에 액정이 주입된 구조를 갖는다. 투명기판의 내측(액정측의 면)에는, 액정의 동작 전극이 되는 투명전극이 형성된다. 투명전극에는, 일반적으로, 산화인듐주석(ITO)이 사용되고 있다. 또한, 투명전극이 형성된 기판 표면의 일부에는, 외부출력 단자가 되는 금속 전극이나 금속 배선(이하, 이들을 총칭하여 그냥 "금속 전극"으로 칭한다)이 형성된다. 금속 전극은, 기판 표면 중의, 광을 투과시킬 필요가 없는 부분(예를 들면, 기판의 외주부)에 형성된다.A liquid crystal panel used for a touch panel, a thin large-screen television, or the like has a structure in which liquid crystal is injected between two transparent substrates. A transparent electrode serving as a working electrode of the liquid crystal is formed on the inner side (liquid crystal side) of the transparent substrate. In general, indium tin oxide (ITO) is used for the transparent electrode. A metal electrode or a metal wiring (hereinafter collectively referred to simply as a "metal electrode") to be an external output terminal is formed on a part of the surface of the substrate on which the transparent electrode is formed. The metal electrode is formed on a part of the surface of the substrate which does not need to transmit light (for example, the outer peripheral part of the substrate).

투명전극의 표면에 금속 전극을 직접 형성한 경우에 있어서, 투명전극과 금속 전극 사이의 표준 전위의 차(전위차)가 클 때에는, 금속 전극의 전해부식이 일어난다. 또한, 기판 표면에 형성된 하지층(下地層)과 금속 전극 사이에서 원자의 상호확산이 일어나, 금속 전극의 전기적 특성이 열화하는 경우가 있다. 그 때문에, 금속 전극의 양면에는, 일반적으로, 금속 전극을 보호하기 위한 보호막(배리어층)이 형성되어 있다. 종래의 액정 패널에 있어서는, 금속 전극으로서 Al-Nd계 합금을 사용하여, 보호막으로서 Mo-Nb계 합금을 사용하는 것이 일반적이다.In the case where the metal electrode is directly formed on the surface of the transparent electrode, when the difference (standard deviation) between the standard potential between the transparent electrode and the metal electrode is large, electrolytic corrosion of the metal electrode occurs. In addition, mutual diffusion of atoms occurs between the underlayer (lower layer) formed on the substrate surface and the metal electrode, and the electrical characteristics of the metal electrode may deteriorate in some cases. Therefore, a protective film (barrier layer) for protecting the metal electrode is generally formed on both surfaces of the metal electrode. In a conventional liquid crystal panel, an Al-Nd-based alloy is used as a metal electrode and a Mo-Nb-based alloy is generally used as a protective film.

이와 같은 액정 패널에 사용되는 금속 전극, 보호막, 및 이들을 형성하기 위한 재료에 대해서는, 종래로부터 다양하게 제안되어 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, V와 Nb에서 선택되는 1종 이상을 합계로 2∼50원자% 함유하고, 잔부가 Mo 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 상대밀도가 95% 이상인 박막 형성용 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 1에는, Nb나 V를 함유하는 Mo 합금 타겟을 사용하면, 유해한 Cr을 함유하지 않고, 저저항이면서 높은 내식성을 갖는 금속 박막을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.A variety of metal electrodes, protective films, and materials for forming such metal electrodes used in such liquid crystal panels have been proposed. For example, Patent Document 1 discloses a sputtering method for forming a thin film having a total of 2 to 50 atomic% selected from V and Nb, the balance being Mo and inevitable impurities, and having a relative density of 95% The target is started. Patent Document 1 discloses that when a Mo alloy target containing Nb or V is used, a metal thin film containing no harmful Cr and having low resistance and high corrosion resistance can be obtained.

또한, 특허문헌 2에는, Mo를 주체로 하고, (Ti, Zr, V, Nb, Cr)에서 선택되는 금속 원소 M을 0.5∼50원자% 함유하고, 소정의 조직을 갖는 스퍼터링 타겟재가 개시되어 있다. 상기 특허문헌 2에는, 원료분말의 혼합물을 압축 성형하여 성형체로 하고, 성형체를 분쇄하여 다시 분말로 하고, 이 분말을 가압 소결하는 것에 의해, 성분의 편석(偏析)이 억제되고, 소결체의 소성가공성도 향상하는 점이 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses a sputtering target material containing Mo as a main component and 0.5 to 50 atomic% of a metal element M selected from (Ti, Zr, V, Nb, Cr) and having a predetermined structure . In Patent Document 2, the segregation of components is suppressed by compression-molding a mixture of raw powder to obtain a compact, and the compact is pulverized to powder, and the powder is pressed and sintered, Is also improved.

또한, 특허문헌 3에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, Ni: 70∼85중량%, Cu: 2∼10중량%, 및 Mo: 1∼6중량% 및/또는 Cr: 0.5∼3중량%를 함유하고, 잔부가 실질적으로 Fe로 이루어지고, 스퍼터링되는 면의 결정 입도가 JIS 오스테나이트 결정 입도 번호 No.3보다 작은 타겟 부재가 개시되어 있다. 상기 특허문헌 3에는, 이와 같은 타겟을 사용하면, 낮은 보자력(Coercivity)이면서 균일한 Fe-Ni 합금 박막을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 3 discloses that the target material for the protective film of the metal electrode is not the target material but is composed of 70 to 85 wt% of Ni, 2 to 10 wt% of Cu, 1 to 6 wt% of Mo and 0.5 to 3 wt% of Cr, And the remainder is substantially Fe, and the crystal grain size of the surface to be sputtered is smaller than the JIS austenite grain size No. 3. Patent Document 3 discloses that when such a target is used, a Fe-Ni alloy thin film having a low coercivity and uniformity can be obtained.

또한, 특허문헌 4에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, Ni: 35∼85중량%, Mo, Cr, Cu 및 Nb에서 선택되는 1종 이상: 3∼15중량%, Al: 1중량% 이하, Ca 및/또는 Mg: 300ppm 이하, O: 30ppm 이하, N: 30ppm 이하를 함유하고, 잔부가 실질적으로 Fe인 증착용 Ni-Fe기(基) 합금이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 4에는, 이와 같은 타겟재를 사용하는 것에 의해, 매우 고순도이면서 높은 특성의 자성박막을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 4 discloses that 35 to 85 wt% of Ni, 3 to 15 wt% of at least one selected from Mo, Cr, Cu and Nb, 1 wt% or less of Al (Ni) Fe alloy containing no more than 300 ppm of Ca and / or Mg, no more than 30 ppm of O, and no more than 30 ppm of N and the balance being substantially Fe. Patent Document 4 discloses that a magnetic thin film having extremely high purity and high characteristics can be obtained by using such a target material.

또한, 비특허문헌 1에는, Cu-2wt% Zr 합금, Cu-1wt% Mo 합금 또는 Cu-0.7wt% Mg 합금으로 이루어지는 타겟을 Ar+O2 혼합 가스를 사용하여 스퍼터링하는 방법이 개시되어 있다. 상기 비특허문헌 1에는, 이와 같은 방법을 사용하는 것에 의해, Cu계 재료로 이루어지는 층(금속 전극)과 하지(下地)의 계면에, 하지(下地)와의 밀착성이 양호한 배리어층(산화층)이 형성되는 점이 기재되어 있다.Non-Patent Document 1 discloses a method of sputtering a target made of a Cu-2 wt% Zr alloy, a Cu-1 wt% Mo alloy, or a Cu-0.7 wt% Mg alloy using an Ar + O 2 mixed gas. Non-Patent Document 1 discloses that a barrier layer (oxide layer) having a good adhesion to a base (ground) is formed on the interface between a layer (metal electrode) made of a Cu-based material and a base .

또한, 특허문헌 5에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, Ni-7.5질량% Ti-4∼40질량% Cu 합금으로 이루어지고, 칩 저항기용 전극을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 5에는, Ni-Ti 합금에 Cu를 첨가하면, 포화자화가 작아지므로, 장수명의 타겟을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.Patent Document 5 discloses a sputtering target which is not a target material for a protective film of a metal electrode but is formed of a Ni-7.5 mass% Ti-4 to 40 mass% Cu alloy and used for forming an electrode for a chip resistor . Patent Document 5 discloses that when Cu is added to a Ni-Ti alloy, the saturation magnetization becomes small, so that a long-life target can be obtained.

또한, 특허문헌 6에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, (a) Ni-25at% Cu-2at% Cr 합금(Ni-26.6mass% Cu-1.7mass% Cr 합금), 또는 (b) Ni-25at% Cu-12at% Ti 합금(Ni-27.1mass% Cu-9.8mass% Ti 합금)으로 이루어지는 배리어층 형성용 니켈 합금 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 6에는, 이와 같은 조성을 갖는 타겟을 사용하여 배리어층을 형성하면, Sn의 확산을 억제할 수 있는 점이 기재되어 있다.(A) a Ni-25 at% Cu-2 at% Cr alloy (Ni-26.6 mass% Cu-1.7 mass% Cr alloy), or (b) a Ni- (Ni-27.1 mass% Cu-9.8 mass% Ti alloy) of 25 at% Cu-12 at% Ti alloy. Patent Document 6 discloses that when a barrier layer is formed using a target having such a composition, the diffusion of Sn can be suppressed.

액정 패널의 대형화에 동반하여, Al계 재료보다 저저항의 재료가 요구되고 있다. 또한, Al계 배선의 보호막에 사용되는 Mo-Nb계 합금은 고가이고, 액정 패널의 저비용화의 장해가 되고 있다. 이에 대하여, Cu계 재료는, Al계 재료에 비해 저저항이고, Al계 재료를 대체하는 저저항 배선 재료로서 기대되고 있다.Along with the enlargement of the liquid crystal panel, materials having lower resistance than Al-based materials are required. In addition, the Mo-Nb-based alloy used for the protective film of the Al-based wiring is expensive and has been a bottleneck for lowering the cost of the liquid crystal panel. On the other hand, Cu-based materials have lower resistance than Al-based materials and are expected as low-resistance wiring materials replacing Al-based materials.

Cu계 재료를 사용한 금속 전극 및 Cu 전극 보호막의 형성 방법으로서는, 비특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, Cu계 합금으로 이루어지는 타겟을 Ar+O2 분위기하에서, 스퍼터링하는 방법이 알려져 있다. 상기 비특허문헌 1에 기재된 방법은, 한번의 스퍼터에 의해 Cu 전극과 보호막을 동시에 형성할 수 있는 이점이 있다. 하지만, Ar+O2 분위기하에서의 반응성 스퍼터는, Cu 전극막 자체의 전기저항을 증가시키고, 특성 열화를 초래한다. 또한, O2는, 진공 장치 챔버에 트랩되기 쉽기 때문에, 산소분압의 제어가 곤란하고, 제품의 품질 편차의 원인이 된다.As a method for forming a metal electrode and a Cu electrode protective film using a Cu-based material, there is known a method of sputtering a target made of a Cu-based alloy under an Ar + O 2 atmosphere, as disclosed in Non-Patent Document 1. [ The method described in Non-Patent Document 1 has an advantage that a Cu electrode and a protective film can be simultaneously formed by a single sputtering. However, the reactive sputter under the Ar + O 2 atmosphere increases the electrical resistance of the Cu electrode film itself and causes deterioration of characteristics. Further, since O 2 is easily trapped in the vacuum chamber, it is difficult to control the partial pressure of oxygen, which causes the quality deviation of the product.

또한, 금속 전극 및 보호막은, 일반적으로, 투명전극이 형성된 기판 표면 전면에 보호막 및 전극층을 형성하고, 소정의 형상으로 패터닝하는 것에 의해 형성e되어 있다. 액정 패널을 저비용화하기 위해서는, 패터닝은, 습식 에칭에 의해 행하는 것이 바람직하다. 나아가, 습식 에칭으로, 고정밀도의 패터닝을 하기 위해서는, 보호막 및 전극층의 에칭 레이트가 거의 동일한 것이 바람직하다. 하지만, 비특허문헌 1에 개시되어 있는 방법에 의해 얻어지는 금속 전극 및 보호막은, 서로 에칭 레이트의 차이가 크기 때문에, 고정밀도의 패터닝을 할 수 없는 문제가 있다.The metal electrode and the protective film are generally formed by forming a protective film and an electrode layer on the entire surface of the substrate on which the transparent electrode is formed and patterning the film in a predetermined shape. In order to reduce the cost of the liquid crystal panel, the patterning is preferably performed by wet etching. Further, in order to perform high-precision patterning by wet etching, it is preferable that the etch rates of the protective film and the electrode layer are substantially the same. However, since the metal electrode and the protective film obtained by the method disclosed in the non-patent document 1 have a large difference in etch rate from one another, there is a problem that high-precision patterning can not be performed.

또한, 액정 패널의 경우, Cu 전극 보호막은, ITO로 이루어지는 투명전극 상에 형성된다. 그 때문에, Cu 전극 보호막에는, ITO와의 높은 밀착성이 요구된다. 또한, 스퍼터링을 효율적으로 하기 위해서는, 타겟은, 투자율(Magnetic Permeability)이 낮을 것이 요구된다. 하지만, 이와 같은 조건을 모두 겸비한 Cu 전극 보호막용 타겟, 및 이와 같은 타겟을 사용하여 제조되는 적층막이 제안된 예는, 종래에는 없다.In the case of a liquid crystal panel, the Cu electrode protective film is formed on a transparent electrode made of ITO. Therefore, the Cu electrode protective film is required to have high adhesion with ITO. Further, in order to efficiently perform sputtering, it is required that the target has a low magnetic permeability. However, there has been no conventionally proposed target for a Cu electrode protective film having both of these conditions and a laminated film produced using such a target.

일본 특허출원공개 2002-327264호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-327264 일본 특허출원공개 2005-290409호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-290409 일본 특허출원공개 S62-186511호 공보Japanese Patent Application Laid Open No. S62-186511 일본 특허출원공개 S63-100148호 공보Japanese Patent Application Laid-open No. S63-100148 일본 특허출원공개 2005-171341호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-171341 국제공개 W0 2005/041290호International Publication No. WO 2005/041290

高澤悟(Takasawa Satoru) 외, Ulvac Technical Journal, No69, P7, 2009Takasawa Satoru et al., Ulvac Technical Journal, No69, P7, 2009

본 발명은, (a) Cu 전극의 보호막으로서 사용할 수 있고, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 또한, 습식 에칭에 의해 고정밀도의 패터닝이 가능한 보호막을 형성할 수 있고, (b) 투명전극과의 밀착성이 양호한 보호막을 형성할 수 있고, 나아가, (c) 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있는, Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재, 및 이를 사용하여 제조되는 적층막을 제공하는 것을 과제로 한다.(A) a protective film which can be used as a protective film for a Cu electrode and which can suppress deterioration of electrical characteristics due to electrolytic corrosion and atom diffusion of a Cu electrode and which can be patterned with high accuracy by wet etching; (B) a NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film, which can form a protective film having good adhesion to a transparent electrode, and (c) can efficiently perform sputtering, and And to provide a laminated film.

상기 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재의 1번째는, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤(Cr, Ti)≤10.0mass%(단, Cr>0, Ti>0)를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 요지로 한다.The first object of the present invention is to provide a NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film in which 15.0? Cu? 55.0 mass% and 0.5? (Cr, Ti)? 10.0 mass% Ti > 0), and the balance of Ni and inevitable impurities.

본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재의 2번째는, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤Cr≤10.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 요지로 한다.The second target of the NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film according to the present invention is characterized in that it contains 15.0? Cu? 55.0 mass% and 0.5? Cr? 10.0 mass%, with the balance being Ni and inevitable impurities.

본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재의 3번째는, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤Ti≤10.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 요지로 한다. 또한, 본 발명에 따른 적층막은, Cu 전극과, 상기 Cu 전극의 한쪽 면 또는 양면에 형성된 보호막을 구비하고, 상기 보호막은, 본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재를 사용하여 성막된 박막으로 이루어진다.The third object of the NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film according to the present invention is that it contains 15.0? Cu? 55.0 mass% and 0.5? Ti? 10 mass%, and the remainder is Ni and inevitable impurities. The laminated film according to the present invention includes a Cu electrode and a protective film formed on one or both surfaces of the Cu electrode, and the protective film is a thin film formed by using the NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film according to the present invention Lt; / RTI >

Ni-15∼55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, Cu 전극과의 에칭 레이트의 차이가 작아짐과 동시에, Cu 전극이나 ITO 등의 주변부재와의 전위차가 작아진다. 그 때문에, 이를 액정 패널에 사용되는 Cu 전극의 보호막으로서 이용하면, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 습식 에칭에 의한 고정밀도의 패터닝도 가능해진다.When a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, the difference in etching rate between the Cu and the Cu electrode is reduced, and the potential difference between the Cu electrode and the surrounding members such as ITO is reduced. Therefore, when this is used as a protective film for a Cu electrode used in a liquid crystal panel, electrolytic corrosion of the Cu electrode and deterioration of electrical characteristics due to atom diffusion can be suppressed, and patterning with high accuracy by wet etching becomes possible.

또한, Ni-15∼55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, 투명전극과의 밀착성이 향상한다. 또한, Ni-15∼55 Cu 합금은, 최대 투자율이 작으므로, 이를 타겟에 사용하면, 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있다.Further, when a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, adhesion with the transparent electrode improves. In addition, the Ni-15 to 55 Cu alloy has a small maximum magnetic permeability, and therefore, when it is used for a target, sputtering can be efficiently performed.

도 1(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과, ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 1(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과, ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 2(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 2(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 3(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면. 도 3(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면.
도 4(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 4(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 5(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 5(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 6(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 6(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 7(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 7(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 8(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 최대 투자율 μ의 관계를 나타내는 도면. 도 8(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0∼11) 합금의 Cr 함유량과 최대 투자율 μm의 관계를 나타내는 도면.
도 9(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과, ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 9(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과 ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 10(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 10(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 11(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면. 도 11(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면.
도 12(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 12(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 13(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 13(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 14(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 14(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 15(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 15(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 16(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10∼60) 합금의 Cu 함유량과 최대 투자율 μ의 관계를 나타내는 도면. 도 16(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0∼7) 합금의 Ti 함유량과 최대 투자율 μm의 관계를 나타내는 도면.1 (A) is a view showing a relationship between a Cu content of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and a potential difference? V with respect to ITO. 1B is a view showing the relationship between the Cr content of a Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and a potential difference DELTA V with respect to ITO.
2 (A) is a view showing the relationship between the Cu content of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and a potential difference? V with respect to Cu. Fig. 2 (B) is a graph showing the relationship between the Cr content of a Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and a potential difference?
3 (A) is a view showing the relationship between the Cu content of the Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and the etching rate difference. Fig. 3 (B) is a view showing the relationship between the Cr content of the Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the etching rate difference.
4 (A) is a view showing the relationship between the Cu content and the peeling ratio (ITO: 20 nm, NiCuCr: 50 nm) of Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. 4 (B) is a view showing the relationship between the Cr content of the Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the peeling rate (ITO: 20 nm, NiCuCr: 50 nm).
5 (A) is a view showing the relationship between the Cu content and the peeling ratio (ITO: 20 nm, NiCuCr: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. 5B is a graph showing the relationship between the Cr content and the removal rate (ITO: 20 nm, NiCuCr: 200 nm) of a Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy.
6 (A) is a view showing the relationship between the Cu content and the peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuCr: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. 6B is a view showing the relationship between the Cr content and the peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuCr: 50 nm) of a Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy.
7 (A) is a view showing the relationship between a Cu content and a peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuCr: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. 7B is a view showing the relationship between the Cr content and the removal rate (ITO: 150 nm, NiCuCr: 200 nm) of a Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy.
8 (A) is a view showing the relationship between the Cu content of the Ni-xmass% Cu-3 mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and the maximum magnetic permeability. 8 (B) is a graph showing the relationship between the Cr content of the Ni-35 mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the maximum permeability m.
9 (A) is a view showing a relationship between a Cu content of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and a potential difference? V with respect to ITO; 9 (B) is a view showing the relationship between the Ti content of a Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy and a potential difference? V with respect to ITO;
10 (A) is a view showing a relationship between a Cu content of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and a potential difference? V with respect to Cu; 10 (B) is a view showing the relationship between the Ti content of a Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy and a potential difference?
11 (A) is a view showing a relationship between a Cu content of an Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and an etching rate difference. 11 (B) is a view showing the relationship between the Ti content of the Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy and the etching rate difference.
12 (A) is a view showing the relationship between a Cu content and a peeling ratio (ITO: 20 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. 12 (B) is a view showing the relationship between the Ti content of the Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy and the removal rate (ITO: 20 nm, NiCuTi: 50 nm).
13 (A) is a view showing the relationship between a Cu content and a peeling ratio (ITO: 20 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. 13 (B) is a view showing the relationship between the Ti content and the peeling ratio (ITO: 20 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy.
14 (A) is a view showing the relationship between a Cu content and a peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. 14 (B) is a view showing the relationship between the Ti content and the peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy.
15 (A) is a view showing the relationship between a Cu content and a peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. 15 (B) is a view showing the relationship between the Ti content and the peeling ratio (ITO: 150 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy.
16 (A) is a view showing the relationship between the Cu content of a Ni-xmass% Cu-3 mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and the maximum magnetic permeability. 16 (B) is a view showing the relationship between the Ti content of the Ni-35 mass% Cu-x mass% Ti (x = 0 to 7) alloy and the maximum permeability m.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. [1. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟 (1): NiCuCr 합금] [1.1. 성분] 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟은, 하기와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류 및 첨가량의 한정 이유는, 다음과 같다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail. [One. NiCu alloy target for Cu electrode protective film (1): NiCuCr alloy] [1.1. Component] The NiCu alloy target for a Cu electrode protective film according to the first embodiment of the present invention contains the following elements, the remainder being Ni and inevitable impurities. The reason for limiting the kind and amount of the added element is as follows.

(1) 15.0≤Cu≤55.0mass%. NiCu 합금 중의 Cu 함유량은, Cu 전극이나 ITO와의 표준 전위의 차(전위차)나, Cu 전극과의 에칭 레이트 차이에 영향을 미친다. 또한, Cu 함유량은, NiCu 합금의 투자율에 영향을 미친다. 일반적으로, Cu 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 늦어지고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 늦으면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 요상(凹狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 적어질수록 보호막의 전기저항이 증대하고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 또한, Cu 함유량이 적어질수록, 최대 투자율 μm이 증대한다. 따라서, Cu 함유량은, 15.0mass% 이상일 필요가 있다. Cu 함유량은, 더욱 바람직하게는 25.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 30.0mass% 이상이다.(1) 15.0? Cu? 55.0 mass%. The Cu content in the NiCu alloy affects the difference (potential difference) between the standard potential with the Cu electrode or ITO and the difference in the etching rate with respect to the Cu electrode. Further, the Cu content affects the magnetic permeability of the NiCu alloy. Generally, the lower the Cu content is, the larger the potential difference with the peripheral members becomes, and the electrolytic corrosion resistance decreases. In addition, the etching rate is lower than that of the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too low, the cross section of the protective film / electrode / protective film after the wet etching becomes concave. Furthermore, as the Cu content is decreased, the electrical resistance of the protective film increases and the reliability of the electrode decreases. Further, the smaller the Cu content is, the more the maximum permeability 占 increases. Therefore, the Cu content is required to be 15.0 mass% or more. The Cu content is more preferably 25.0 mass% or more, particularly preferably 30.0 mass% or more.

한편, Cu 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 빠르면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 철상(凸狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 과잉해지면, 금속간 화합물의 석출에 의해 가공성이 저하한다. 따라서, Cu 함유량은, 55.0mass% 이하일 필요가 있다. Cu 함유량은, 바람직하게는 45.0mass% 이하, 더욱 바람직하게는 40.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 35.0mass% 이하이다.On the other hand, if the Cu content is excessively large, the potential difference with the peripheral member becomes large. Further, the etching rate becomes too high as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too high, the cross section of the protective film / electrode / protective film after wet etching becomes convex. Moreover, if the Cu content becomes excessive, the workability is deteriorated by precipitation of the intermetallic compound. Therefore, the Cu content needs to be 55.0 mass% or less. The Cu content is preferably 45.0 mass% or less, more preferably 40.0 mass% or less, particularly preferably 35.0 mass% or less.

(2) 0.5≤Cr≤10.0mass%. 상대적으로 다량의 Cu를 포함하는 NiCu 합금은, 주변부재(특히, Cu 전극)와의 전위차가 크고, 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 빠르다. Cr은, 이와 같은 NiCu 합금과 주변부재와의 전위차를 작게 하면서, NiCu 합금의 에칭 레이트를 늦추는(Cu 전극에 근접시킴) 작용이 있다. 또한, Cr은, 투명전극(ITO)과의 밀착성을 높이는 작용이 있다.(2) 0.5? Cr? 10.0 mass%. The NiCu alloy containing a relatively large amount of Cu has a large potential difference with peripheral members (in particular, a Cu electrode), and has a higher etching rate than the Cu electrode. Cr acts to slow the etching rate of the NiCu alloy (bring it closer to the Cu electrode) while reducing the potential difference between the NiCu alloy and the peripheral member. Cr has an effect of enhancing adhesion with the transparent electrode (ITO).

일반적으로, Cr의 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 더욱이, Cr 함유량이 적어질수록, 투명전극과의 밀착성이 저하한다. 따라서, Cr의 함유량은, 0.5mass% 이상일 필요가 있다. Cr의 함유량은, 더욱 바람직하게는 1.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 3.0mass% 이상이다.Generally, the lower the Cr content is, the greater the potential difference with the peripheral members becomes, and the electrolytic corrosion resistance decreases. Further, the etching rate becomes too high as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Further, the smaller the Cr content is, the lower the adhesion to the transparent electrode is. Therefore, the Cr content needs to be 0.5 mass% or more. The content of Cr is more preferably 1.0 mass% or more, and particularly preferably 3.0 mass% or more.

한편, Cr의 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 늦어져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 따라서, Cr의 함유량은, 10.0mass% 이하일 필요가 있다. Cr의 함유량은, 더욱 바람직하게는 7.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 5.0mass% 이하이다.On the other hand, if the Cr content is excessive, the potential difference with the peripheral member becomes large. In addition, the etching rate is too slow as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Therefore, the Cr content needs to be 10.0 mass% or less. The content of Cr is more preferably 7.0 mass% or less, and particularly preferably 5.0 mass% or less.

[1.2. 용도] 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 타겟은, Cu 전극을 보호하기 위한 보호막을 형성하기 위해 사용된다. 여기서, "Cu 전극"이란, 순Cu 또는 이와 동등한 전기비저항(구체적으로는, 약 2∼3μΩcm)을 갖는 Cu 합금으로 이루어지는 전극을 말한다. 또한, 본 실시형태에 따른 타겟은, Cu 전극 보호막 이외의 용도에도 사용할 수 있다. 기타 용도로서는, 구체적으로는 전극막, 반사막 등이 있다.[1.2. Use] The target according to the first embodiment of the present invention is used for forming a protective film for protecting the Cu electrode. Here, the "Cu electrode" refers to an electrode made of pure Cu or a Cu alloy having an equivalent electrical resistivity (specifically, about 2 to 3 μΩcm). The target according to the present embodiment can also be used for applications other than the Cu electrode protective film. Specific examples thereof include an electrode film and a reflective film.

Cu 전극 보호막은, 일반적으로, Cu 전극의 양면에 형성된다. 예를 들면, 액정 패널의 경우, 투명전극이 형성된 기판 표면에, 소정의 조성을 갖는 타겟을 사용하여, Cu 전극 보호막, Cu 전극, 및 Cu 전극 보호막을 이 순서로 성막한다. 그 다음, 습식 에칭에 의해 Cu 전극 보호막/Cu 전극/Cu 전극 보호막을 소정의 형상으로 패터닝한다. 한편, 용도에 따라서는, Cu 전극의 한쪽 면에만 보호막이 형성되는 경우도 있다. 예를 들면, TFT의 경우, 투명전극이 형성된 기판 표면에, 소정의 조성을 갖는 타겟을 사용하여, Cu 전극 보호막 및 Cu 전극을 이 순서로 성막한다. 그 다음, 습식 에칭에 의해 Cu 전극 보호막/Cu 전극을 소정의 형상으로 패터닝한다.The Cu electrode protective film is generally formed on both sides of the Cu electrode. For example, in the case of a liquid crystal panel, a Cu electrode protective film, a Cu electrode, and a Cu electrode protective film are formed in this order on a substrate surface on which a transparent electrode is formed using a target having a predetermined composition. Then, the Cu electrode protective film / Cu electrode / Cu electrode protective film is patterned into a predetermined shape by wet etching. On the other hand, depending on the application, a protective film may be formed only on one side of the Cu electrode. For example, in the case of a TFT, a Cu electrode protective film and a Cu electrode are formed in this order on a substrate surface on which a transparent electrode is formed, using a target having a predetermined composition. Then, the Cu electrode protective film / Cu electrode is patterned into a predetermined shape by wet etching.

[2. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟 (2): NiCuTi 합금] [2.1. 성분] 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟은, 하기와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류 및 첨가량의 한정 이유는, 다음과 같다.[2. NiCu alloy target for Cu electrode protective film (2): NiCuTi alloy] [2.1. Component] A NiCu alloy target for a Cu electrode protective film according to a second embodiment of the present invention comprises the following elements, the balance being Ni and inevitable impurities. The reason for limiting the kind and amount of the added element is as follows.

(1) 15.0≤Cu≤55.0mass%. NiCu 합금 중의 Cu 함유량은, Cu 전극이나 ITO와의 표준 전위의 차(전위차)나, Cu 전극과의 에칭 레이트 차이에 영향을 미친다. 또한, Cu 함유량은, NiCu 합금의 투자율에 영향을 미친다. 일반적으로, Cu 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 늦어지고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 늦으면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 요상(凹狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 적어질수록 보호막의 전기저항이 증대하고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 또한, Cu 함유량이 적어질수록, 최대 투자율 μm이 증대한다. 따라서, Cu 함유량은, 15.0mass% 이상일 필요가 있다. Cu 함유량은, 더욱 바람직하게는 25.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 30.0mass% 이상이다.(1) 15.0? Cu? 55.0 mass%. The Cu content in the NiCu alloy affects the difference (potential difference) between the standard potential with the Cu electrode or ITO and the difference in the etching rate with respect to the Cu electrode. Further, the Cu content affects the magnetic permeability of the NiCu alloy. Generally, the lower the Cu content is, the larger the potential difference with the peripheral members becomes, and the electrolytic corrosion resistance decreases. In addition, the etching rate is lower than that of the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too low, the cross section of the protective film / electrode / protective film after the wet etching becomes concave. Furthermore, as the Cu content is decreased, the electrical resistance of the protective film increases and the reliability of the electrode decreases. Further, the smaller the Cu content is, the more the maximum permeability 占 increases. Therefore, the Cu content is required to be 15.0 mass% or more. The Cu content is more preferably 25.0 mass% or more, particularly preferably 30.0 mass% or more.

한편, Cu 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 빠르면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 철상(凸狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 과잉해지면, 금속간 화합물의 석출에 의해 가공성이 저하한다. 따라서, Cu 함유량은, 55.0mass% 이하일 필요가 있다. Cu 함유량은, 바람직하게는 45.0mass% 이하, 더욱 바람직하게는 40.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 35.0mass% 이하이다.On the other hand, if the Cu content is excessively large, the potential difference with the peripheral member becomes large. Further, the etching rate becomes too high as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too high, the cross section of the protective film / electrode / protective film after wet etching becomes convex. Moreover, if the Cu content becomes excessive, the workability is deteriorated by precipitation of the intermetallic compound. Therefore, the Cu content needs to be 55.0 mass% or less. The Cu content is preferably 45.0 mass% or less, more preferably 40.0 mass% or less, particularly preferably 35.0 mass% or less.

(2) 0.5≤Ti≤10.0mass%. 상대적으로 다량의 Cu를 포함하는 NiCu 합금은, 주변부재(특히, Cu 전극)와의 전위차가 크고, 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 빠르다. Ti는, 이와 같은 NiCu 합금과 주변부재와의 전위차를 작게 하면서, NiCu 합금의 에칭 레이트를 늦추는(Cu 전극에 근접시킴) 작용이 있다. 또는, Ti는, 투명전극(ITO)과의 밀착성을 높이는 작용이 있다.(2) 0.5? Ti? 10.0 mass%. The NiCu alloy containing a relatively large amount of Cu has a large potential difference with peripheral members (in particular, a Cu electrode), and has a higher etching rate than the Cu electrode. Ti acts to slow the etching rate of the NiCu alloy (approach the Cu electrode) while reducing the potential difference between the NiCu alloy and the peripheral member. Alternatively, Ti has an effect of enhancing adhesion with the transparent electrode (ITO).

일반적으로, Ti의 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 더욱이, Ti 함유량이 적어질수록, 투명전극과의 밀착성이 저하한다. 따라서, Ti의 함유량은, 0.5mass% 이상일 필요가 있다. Ti의 함유량은, 더욱 바람직하게는 1.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 3.0mass% 이상이다.Generally, the lower the Ti content is, the higher the potential difference with the peripheral member becomes, and the electrolytic corrosion resistance decreases. Further, the etching rate becomes too high as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Further, the smaller the Ti content is, the lower the adhesion with the transparent electrode is. Therefore, the Ti content needs to be 0.5 mass% or more. The content of Ti is more preferably 1.0 mass% or more, particularly preferably 3.0 mass% or more.

한편, Ti의 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 늦어져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 따라서, Ti의 함유량은, 10.0mass% 이하일 필요가 있다. Ti의 함유량은, 더욱 바람직하게는 7.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 5.0mass% 이하이다.On the other hand, if the content of Ti becomes excessive, the potential difference with the peripheral member becomes large. In addition, the etching rate is too slow as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Therefore, the content of Ti should be 10.0 mass% or less. The content of Ti is more preferably 7.0 mass% or less, and particularly preferably 5.0 mass% or less.

[2.2. 용도] 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 타겟의 용도에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일하므로, 상세한 설명을 생략한다.[2.2. Usage] Since the use of the target according to the second embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment, detailed description is omitted.

[3. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟 (3): NiCuCrTi 합금] [3.1. 성분] 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟은, 하기와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류 및 첨가량의 한정 이유는, 다음과 같다.[3. NiCu alloy target for Cu electrode protective film (3): NiCuCrTi alloy] [3.1. Component] A NiCu alloy target for a Cu electrode protective film according to a third embodiment of the present invention comprises the following elements, the balance being Ni and inevitable impurities. The reason for limiting the kind and amount of the added element is as follows.

(1) 15.0≤Cu≤55.0mass%. NiCu 합금 중의 Cu 함유량은, Cu 전극이나 ITO와의 표준 전위의 차(전위차)나, Cu 전극과의 에칭 레이트 차이에 영향을 미친다. 또한, Cu 함유량은, NiCu 합금의 투자율에 영향을 미친다. 일반적으로, Cu 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 늦어지고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 늦으면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 요상(凹狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 적어질수록 보호막의 전기저항이 증대하고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 또한, Cu 함유량이 적어질수록, 최대 투자율 μm이 증대한다. 따라서, Cu 함유량은, 15.0mass% 이상일 필요가 있다. Cu 함유량은, 더욱 바람직하게는 25.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 30.0mass% 이상이다.(1) 15.0? Cu? 55.0 mass%. The Cu content in the NiCu alloy affects the difference (potential difference) between the standard potential with the Cu electrode or ITO and the difference in the etching rate with respect to the Cu electrode. Further, the Cu content affects the magnetic permeability of the NiCu alloy. Generally, the lower the Cu content is, the larger the potential difference with the peripheral members becomes, and the electrolytic corrosion resistance decreases. In addition, the etching rate is lower than that of the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too low, the cross section of the protective film / electrode / protective film after the wet etching becomes concave. Furthermore, as the Cu content is decreased, the electrical resistance of the protective film increases and the reliability of the electrode decreases. Further, the smaller the Cu content is, the more the maximum permeability 占 increases. Therefore, the Cu content is required to be 15.0 mass% or more. The Cu content is more preferably 25.0 mass% or more, particularly preferably 30.0 mass% or more.

한편, Cu 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 빠르면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 철상(凸狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 과잉해지면, 금속간 화합물의 석출에 의해 가공성이 저하한다. 따라서, Cu 함유량은, 55.0mass% 이하일 필요가 있다. Cu 함유량은, 바람직하게는 45.0mass% 이하, 더욱 바람직하게는 40.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 35.0mass% 이하이다.On the other hand, if the Cu content is excessively large, the potential difference with the peripheral member becomes large. Further, the etching rate becomes too high as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too high, the cross section of the protective film / electrode / protective film after wet etching becomes convex. Moreover, if the Cu content becomes excessive, the workability is deteriorated by precipitation of the intermetallic compound. Therefore, the Cu content needs to be 55.0 mass% or less. The Cu content is preferably 45.0 mass% or less, more preferably 40.0 mass% or less, particularly preferably 35.0 mass% or less.

(2) 0.5≤(Cr, Ti)≤10.0mass%. 단, Cr>0, Ti>0. 상술한 바와 같이, Cr 및 Ti는 모두, (a) NiCu 합금과 주변부재와의 전위차를 작게 하는 작용, (b) NiCu 합금의 에칭 레이트를 늦추는(Cu 전극에 근접시킴) 작용, 및 (c) 투명전극(ITO)과의 밀착성을 높이는 작용이 있다. 이와 같은 Cr 및 Ti를 NiCu 합금에 동시에 첨가하면, 에칭 레이트 및 밀착성을 동등하게 유지하면서, 주변부재와의 전위차를 더욱 줄이는 작용이 있다.(2) 0.5? (Cr, Ti)? 10.0 mass%. However, Cr > 0, Ti > 0. As described above, both Cr and Ti act to (a) reduce the potential difference between the NiCu alloy and the peripheral member, (b) slow down the etching rate of the NiCu alloy (approach the Cu electrode) And has an effect of improving the adhesion with the transparent electrode (ITO). When such Cr and Ti are simultaneously added to the NiCu alloy, there is an effect of further reducing the potential difference with the peripheral member while maintaining the etching rate and the adhesiveness at the same level.

일반적으로, Cr 및/또는 Ti의 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 따라서, Cr 및 Ti의 함유량은, 총량으로 0.5mass% 이상일 필요가 있다. Cr 및 Ti의 총함유량은, 더욱 바람직하게는 1.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 3.0mass% 이상이다. 한편, Cr 및/또는 Ti의 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 늦어져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 따라서, Cr 및 Ti의 함유량은, 총량으로 10.0mass% 이하일 필요가 있다. Cr 및 Ti의 총함유량은, 더욱 바람직하게는 7.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 5.0mass% 이하이다.Generally, the lower the content of Cr and / or Ti, the larger the potential difference with peripheral members and the lower the electrolytic corrosion resistance. Further, the etching rate becomes too high as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Therefore, the total amount of Cr and Ti should be 0.5 mass% or more. The total content of Cr and Ti is more preferably 1.0 mass% or more, and particularly preferably 3.0 mass% or more. On the other hand, if the content of Cr and / or Ti is excessive, the potential difference with the peripheral member becomes large. In addition, the etching rate is too slow as compared with the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Therefore, the total content of Cr and Ti should be 10.0 mass% or less. The total content of Cr and Ti is more preferably 7.0 mass% or less, particularly preferably 5.0 mass% or less.

[3.2. 용도] 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 타겟의 용도에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일하므로, 상세한 설명을 생략한다.[3.2. Usage] Since the use of the target according to the third embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment, detailed description is omitted.

[4. 적층막] 본 발명에 따른 적층막은, Cu 전극과, 상기 Cu 전극의 한쪽 면 또는 양면에 형성된 보호막을 구비하는 적층막이고, 상기 보호막은, 본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재를 사용하여 성막된 박막으로 이루어진다.[4. Laminated film] The laminated film according to the present invention is a laminated film including a Cu electrode and a protective film formed on one or both surfaces of the Cu electrode. The protective film is made of a NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film according to the present invention And the like.

[4.1. Cu 전극] Cu 전극의 두께는, 목적에 따라 최적의 두께를 선택하는 것이 바람직하다. 일반적으로, Cu 전극이 두꺼워질수록, 동작은 안정화된다. 하지만, Cu 전극이 너무 두꺼워지면, 에칭성이나 밀착성이 저하할 뿐만 아니라, 막의 균열을 일으킨다. 따라서, Cu 전극의 두께는, 50∼500㎚가 바람직하다. Cu 전극의 두께는, 더욱 바람직하게는 100∼400㎚, 특히 바람직하게는 150∼250㎚이다. Cu 전극에 관한 기타 사항에 관해서는, 상술한 바와 동일하므로, 설명을 생략한다.[4.1. Cu electrode] The thickness of the Cu electrode is preferably selected to be an optimum thickness depending on the purpose. In general, the thicker the Cu electrode, the more stable the operation. However, if the Cu electrode is too thick, not only the etching property and the adhesion are lowered but also the film is cracked. Therefore, the thickness of the Cu electrode is preferably 50 to 500 nm. The thickness of the Cu electrode is more preferably 100 to 400 nm, and particularly preferably 150 to 250 nm. Other matters related to the Cu electrode are the same as those described above, and thus description thereof will be omitted.

[4.2. 보호막] 보호막의 두께는, 목적에 따라 최적의 두께를 선택하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 보호막이 두꺼워질수록, 내구성은 향상한다. 하지만, 보호막이 너무 두꺼워지면, 에칭성이나 밀착성이 저하한다. 따라서, 보호막의 두께는, 5∼100㎚가 바람직하다. 보호막의 두께는, 더욱 바람직하게는 5∼70㎚, 특히 바람직하게는 5∼50㎚이다.4.2. Protective film] It is preferable to select the optimum thickness of the protective film depending on the purpose. Generally, the thicker the protective film, the better the durability. However, if the protective film becomes too thick, the etching property and the adhesion property deteriorate. Therefore, the thickness of the protective film is preferably 5 to 100 nm. The thickness of the protective film is more preferably 5 to 70 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.

Cu 전극의 양면에 보호막을 형성하는 경우, 각 면의 보호막의 조성은, 서로 동일해도 좋고, 또는 상이해도 좋다. 즉, Cu 전극의 양면에 보호막이 형성되는 경우, 동일 조성의 타겟을 사용하여 각 면의 보호막을 형성해도 좋다. 또는, 이중 한쪽의 보호막을 제 1 타겟을 사용하여 성막하고, 다른 한 보호막을 제 1 타겟과 상이한 조성을 갖는 제 2 타겟을 사용하여 성막해도 좋다. 보호막의 성막 방법에 대해서는, 특히 한정되지 않고, 목적에 따라 다양한 방법을 사용할 수 있다. 타겟을 사용한 보호막의 성막 방법으로서는, 구체적으로는, 스퍼터법이 있지만, 이외에 나노 입자를 사용한 나노 임프린트법이나 습식 도금법 등이 있다. 보호막, 및 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재에 관한 기타 사항에 대해서는, 상술한 바와 동일하므로, 설명을 생략한다.When a protective film is formed on both surfaces of the Cu electrode, the protective film of each surface may have the same composition or different from each other. That is, when a protective film is formed on both surfaces of the Cu electrode, a protective film of each surface may be formed using a target of the same composition. Alternatively, one of the two protective films may be formed using a first target, and the other protective film may be formed using a second target having a composition different from that of the first target. The method of forming the protective film is not particularly limited, and various methods may be used depending on the purpose. Specific examples of the method for forming a protective film using a target include a sputtering method, but also a nanoimprint method using a nanoparticle and a wet plating method. The protective film and the other matters related to the NiCu alloy target material for the Cu electrode protective film are the same as those described above, and therefore, the description thereof is omitted.

[5. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재 및 적층막의 작용] Ni-15∼55 Cu 합금은, 주변부재(특히, Cu 전극)와의 전위차가 크고, 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 빠르다. 이에 대해, Ni-15∼55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, 에칭 레이트가 늦어지는(Cu 전극의 에칭 레이트에 접근함) 동시에, Cu 전극이나 ITO 등의 주변부재와의 전위차가 작아진다. 그 때문에, 이를 액정 패널에 사용되는 Cu 전극의 보호막으로서 이용하면, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 습식 에칭에 의한 고정밀도의 패터닝도 가능해진다.[5. Action of NiCu alloy target material and laminated film for Cu electrode protective film] The Ni-15 to 55 Cu alloy has a large potential difference with peripheral members (in particular, a Cu electrode) and has a higher etching rate than the Cu electrode. On the other hand, when a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, the etching rate is lowered (approaching the etching rate of the Cu electrode) and the peripheral members such as the Cu electrode and ITO . Therefore, when this is used as a protective film for a Cu electrode used in a liquid crystal panel, electrolytic corrosion of the Cu electrode and deterioration of electrical characteristics due to atom diffusion can be suppressed, and patterning with high accuracy by wet etching becomes possible.

또한, Ni-15∼55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, 투명전극과의 밀착성이 향상한다. 더욱이, Ni-15∼55 Cu 합금은, 최대 투자율이 작으므로, 이를 타겟에 사용하면, 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있다.Further, when a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, adhesion with the transparent electrode improves. Moreover, since the Ni-15 to 55 Cu alloy has a small maximum magnetic permeability, if it is used for a target, sputtering can be efficiently performed.

[실시예] (실시예 1) [1. 시료의 제작] 용해/주조법을 사용하여, 소정의 조성을 갖는 Ni-Cu-Cr 합금 타겟을 제작하였다. Cu 함유량은 10∼60mass%로 하였다. Cr 함유량은 0∼11mass%로 하였다. 또한, 용해/주조법을 사용하여, Ni-35mass% Cu-1.5mass% Cr-1.5mass% Ti 합금 타겟을 제작하였다. 나아가, 비교로서, 순Cu 및 ITO를 사용하였다.[Examples] (Example 1) [1. Preparation of Sample] A Ni-Cu-Cr alloy target having a predetermined composition was produced by using the dissolution / casting method. The Cu content was 10 to 60 mass%. The Cr content is set to 0 to 11 mass%. Further, a Ni-35 mass% Cu-1.5 mass% Cr-1.5 mass% Ti alloy target was produced by using the dissolution / casting method. Further, as a comparison, pure Cu and ITO were used.

[2. 시험 방법] [2.1. 전위차] Ni-Cu-Cr 합금, Ni-Cu-Cr-Ti 합금, Cu, 및 ITO에 대하여, 각각, 표준 전위를 측정하였다. 표준 전위는, 반대극에 카본 전극, 참조 전극에 칼로멜 전극을 사용하고, 40℃로 유지한 200g/L 황산암모늄 수용액 중에서 Potentio/Galvanostat에 의해 측정하였다. 얻어진 각 재료의 표준 전위를 사용하여, Ni-Cu-Cr 합금 또는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금과 Cu와의 전위차 △V(V), 및 Ni-Cu-Cr 합금 또는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금과 ITO와의 전위차 △V(V)를 산출하였다. 또, 전위차는, 종래의 것과 대비하여 작은 것이 더욱 바람직하지만, 동등 또는 약간 큰 것은 실용상 문제가 없다. 구체적으로는, ITO와의 전위차는 0.35V 이하, Cu와의 전위차는 1.0V 이하이면 좋다. [2.2. 에칭 레이트 차이] 형상을 가지런히 한 각 재료의 테스트 피스를, 40℃의 황산암모늄 200g/L 수용액에 소정 시간 침지하였다. 침지 후, 두께의 감소량으로부터 에칭 레이트를 산출하였다. 나아가, 얻어진 에칭 레이트를 사용하여, Cu와의 에칭 레이트 차이(㎚/sec)를 산출하였다. 또, 에칭 레이트 차이는, 종래의 것과 대비하여 작은 것이 더욱 바람직하지만, 동등 또는 약간 큰 것은 실용상 문제가 없다. 구체적으로는, 에칭 레이트 차이는 1.2㎚/sec면 좋다.[2. Test method] [2.1. Potential difference] Standard potentials were measured for Ni-Cu-Cr alloy, Ni-Cu-Cr-Ti alloy, Cu, and ITO. The standard potential was measured by Potentio / Galvanostat in a 200 g / L aqueous solution of ammonium sulfate maintained at 40 캜 using a carbon electrode as a counter electrode and a calomel electrode as a reference electrode. Using a standard potential of each material obtained, a potential difference DELTA V (V) between Cu and Ni-Cu-Cr alloy or Ni-Cu-Cr alloy and Ni-Cu- A potential difference? V (V) between the alloy and ITO was calculated. It is more preferable that the potential difference is smaller than that of the conventional one. Specifically, the potential difference with ITO is 0.35 V or less, and the potential difference with Cu is 1.0 V or less. [2.2. Etching Rate Difference] A test piece of each material having a uniform shape was immersed in a 200 g / L aqueous solution of ammonium sulfate at 40 占 폚 for a predetermined time. After immersion, the etching rate was calculated from the amount of decrease in thickness. Further, the etching rate difference (nm / sec) with Cu was calculated using the obtained etching rate. It is more preferable that the etch rate difference is smaller than that of the conventional one, but the same or slightly larger etch rate is not practically problematic. Specifically, the etching rate difference may be 1.2 nm / sec.

[2.3. 박리율] 유리 기판 상에 ITO막(두께: 20㎚ 또는 150㎚)을 형성하였다. 그 다음, ITO막 상에, Ni-Cu-Cr 합금막 또는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금막(두께: 50㎚ 또는 200㎚)을 더 형성하였다. 얻어진 막을 사용하여, 스크래치 시험을 하였다. 시험 조건은, JIS K5600에 준거하였다. 즉, 막표면에 1㎜피치의 크로스컷(cross cut)을 긋고, 100개의 칸(square)을 형성했다. 막표면에 테이프를 부착하여, 테이프를 벗겨낸 후, 박리된 칸의 개수 n(=박리율(%))를 계측하였다. 또, 박리율은 0%인 것이 가장 좋지만, 10% 미만(한자리수대)이 바람직하다. [2.4. 최대 투자율] 형상을 가지런히 한 테스트 피스를 사용하여, 시료진동형 자력계(VSM)에 의해 최대 투자율 μ를 측정하였다. 측정시의 자계 Hm은 20 [MOe]로 하였다. 또, 최대 투자율은 100 이하이면 실용상 문제가 없다.[2.3. Peeling Rate] An ITO film (thickness: 20 nm or 150 nm) was formed on a glass substrate. Next, a Ni-Cu-Cr alloy film or a Ni-Cu-Cr-Ti alloy film (thickness: 50 nm or 200 nm) was further formed on the ITO film. Using the obtained film, a scratch test was conducted. The test conditions were in accordance with JIS K5600. That is, a cross cut having a pitch of 1 mm was drawn on the surface of the film to form 100 squares. A tape was attached to the surface of the film, and the tape was peeled off. Then, the number n (= peeling rate (%)) of peeled cells was measured. The peel ratio is most preferably 0%, but it is preferably less than 10% (single digit number). [2.4. Maximum permeability] The maximum permeability μ was measured by a sample vibrating magnetometer (VSM) using a test piece having a uniform shape. The magnetic field Hm at the time of measurement was set at 20 [MOe]. If the maximum permeability is 100 or less, there is no practical problem.

[3. 결과] [3.1. 전위차 △V] 도 1에, Ni-Cu-Cr 합금과 ITO와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 1에 있어서, 파선은, Al계 배선 재료의 보호막으로서 종래 사용되고 있는 Mo-10 Nb와 ITO와의 전위차 △V(0.16V)를 나타낸다. 도 2에, Ni-Cu-Cr 합금과 Cu와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 2에 있어서, 파선은, Mo-10 Nb와, Al계 배선 재료로서 종래 사용되고 있는 Al-3 Nd와의 전위차 △V(0.62V)를 나타낸다. 또, 도 1 및 도 2에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3. Results] [3.1. Potential Difference DELTA V] Fig. 1 shows the potential difference DELTA V between the Ni-Cu-Cr alloy and ITO. In Fig. 1, the broken line indicates a potential difference DELTA V (0.16 V) between ITO and Mo-10 Nb which is conventionally used as a protective film for an Al-based wiring material. Fig. 2 shows the potential difference DELTA V between the Ni-Cu-Cr alloy and Cu. 2, the broken line indicates the potential difference? V (0.62 V) between Mo-10 Nb and Al-3 Nd conventionally used as an Al-based wiring material. 1 and Fig. 2 also show the results of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy.

도 1로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Cr 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, ITO에 대한 전위차 △V가 작아진다. (2) ITO에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(0.35V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%, 또는 20mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 55mass%, 또는 50mass%로 하는 것이 바람직하다. (3) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23.5mass%, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 44mass%, 40mass%, 또는 38mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) ITO에 대한 전위차를 실용상 문제가 없는 값(0.35V) 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 상한은, 10mass%, 8mass%, 또는 7mass%로 하는 것이 바람직하다. (5) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.5mass%, 또는 1mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cr 함유량의 상한은, 6.5mass%, 6mass%, 또는 5mass%로 하는 것이 바람직하다. (6) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 ITO에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Cr 합금에 비해 작아진다.From Fig. 1, it can be seen that: (1) As compared with the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO), when a combination of Ni-Cu-Cr alloy / Cu / ITO is used as a combination of protective film / The potential difference DELTA V becomes small. (2) The lower limit of the Cu content is preferably 15 mass% or 20 mass% in order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO to be a value (0.35 V) which is practically no problem. The upper limit of the Cu content is preferably 55 mass% or 50 mass%. (3) The lower limit of the Cu content is preferably 23.5 mass%, 24 mass% or 25 mass% in order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO equal to or less than that of the conventional combination. The upper limit of the Cu content is preferably 44% by mass, 40% by mass or 38% by mass. (4) The upper limit of the Cr content is preferably 10% by mass, 8% by mass, or 7% by mass in order to make the potential difference with respect to ITO to be a value (0.35 V) (5) In order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO equal to or less than that of the conventional combination, the lower limit of the Cr content is preferably 0.2 mass%, 0.5 mass%, or 1 mass%. The upper limit of the Cr content is preferably 6.5 mass%, 6 mass%, or 5 mass%. (6) The electric potential difference ΔV of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy with respect to ITO becomes smaller than that of the Ni-35 Cu-3 Cr alloy.

도 2로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Cr 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, Cu에 대한 전위차 △V가 작아진다. (2) Cu에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(1.0V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%, 또는 20mass%로 하는 것이 바람직하다. (3) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23mass%, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 45mass%, 42mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.5mass%, 또는 1mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cr 함유량의 상한은, 5.5mass%, 5mass%, 또는 4mass%로 하는 것이 바람직하다. (5) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 Cu에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Cr 합금과 거의 동등하다.From FIG. 2, it can be seen that: (1) As compared with the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO), when a combination of Ni-Cu-Cr alloy / Cu / ITO is used as a combination of protective film / The potential difference DELTA V becomes small. (2) The lower limit of the Cu content is preferably 15% by mass or 20% by mass in order to make the potential difference DELTA V with respect to Cu less than a value (1.0 V) which is practically problematic. (3) In order to make the potential difference DELTA V with respect to Cu equal to or less than the conventional combination, the lower limit of the Cu content is preferably 23 mass%, 24 mass%, or 25 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 45 mass%, 42 mass% or 40 mass%. (4) In order to make the potential difference DELTA V with respect to Cu equal to or less than that of the conventional combination, the lower limit of the Cr content is preferably 0.2 mass%, 0.5 mass%, or 1 mass%. The upper limit of the Cr content is preferably 5.5 mass%, 5 mass%, or 4 mass%. (5) The potential difference ΔV of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy with respect to Cu is almost equal to that of the Ni-35 Cu-3 Cr alloy.

[3.2. 에칭 레이트 차이] 도 3에, Ni-Cu-Cr 합금과 Cu와의 에칭 레이트 차이를 나타낸다. 도 3에 있어서, 파선은, Cu의 에칭 레이트의 1/2의 값(0.6㎚/sec)을 나타낸다. 각 재료의 에칭 레이트 R1과 Cu의 에칭 레이트 R2의 차이(=R1-R2)의 절대값은 작을수록 좋지만, 실용상, 에칭 레이트 차이는 꼭 제로(0)일 필요는 없다. 각 재료의 에칭 레이트 R1과 Cu의 에칭 레이트 R2의 차이의 절대값이 Cu의 에칭 레이트 R2의 1/2 이하인 경우(즉, |R1-R2|≤R2/2인 경우), 습식 에칭에 의해 상대적으로 요철(凹凸)이 적은 양호한 단면을 얻을 수 있다. 또, 도 3에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3.2. Etching rate difference] Fig. 3 shows the etching rate difference between Ni-Cu-Cr alloy and Cu. In Fig. 3, the broken line represents a value (0.6 nm / sec) of the etching rate of Cu. The absolute value of the difference (= R 1 -R 2 ) between the etching rate R 1 of each material and the etching rate R 2 of Cu is as small as possible, but practically, the etching rate difference need not necessarily be zero. If the etching rate R 1 and 1/2 or less of Cu etching rate R 2 etching rate R 2 of the absolute value of the difference of the Cu of the materials (i.e., | R 1 -R 2 | ≤R 2/2 If) , It is possible to obtain a good cross section with a relatively small unevenness by wet etching. In addition, the results of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy are also shown in Fig.

도 3으로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Cr 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 그 에칭 레이트 차이는, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)의 값(1.2㎚/sec)보다 작아진다. (2) 에칭 레이트 차이를 실용상 문제가 없는 값(1.2㎚/sec) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%, 또는 20mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 55mass%, 50mass%, 또는 47mass%로 하는 것이 바람직하다. (3) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 24mass%, 24.5mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 42mass%, 40mass%, 또는 38mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) 에칭 레이트 차이를 실용상 문제가 없는 값(1.2㎚/sec) 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 상한은, 10mass%, 9mass%, 또는 8mass%로 하는 것이 바람직하다. (5) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 하한은, 0.5mass%, 1mass%, 또는 2mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cr 함유량의 상한은, 6.5mass%, 6mass%, 또는 5mass%로 하는 것이 바람직하다. (6) Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 에칭 레이트 차이는, Ni-Cu-Cr 합금보다 약간 높지만, Ni-Cu 합금에 비해 현저하게 작다.From FIG. 3, it can be seen that: (1) When a combination of Ni-Cu-Cr alloy / Cu / ITO is used as a combination of protective film / electrode / transparent electrode, ) (1.2 nm / sec). (2) The lower limit of the Cu content is preferably 15 mass% or 20 mass% in order to make the etching rate difference to a value (1.2 nm / sec) which is practically problematic. The upper limit of the Cu content is preferably 55% by mass, 50% by mass or 47% by mass. (3) In order to make the etching rate difference equal to or less than Cu / 2, the lower limit of the Cu content is preferably 24 mass%, 24.5 mass%, or 25 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 42% by mass, 40% by mass or 38% by mass. (4) The upper limit of the Cr content is preferably 10% by mass, 9% by mass or 8% by mass in order to make the etching rate difference less than a value (1.2 nm / sec) (5) In order to make the etching rate difference equal to or less than Cu / 2, the lower limit of the Cr content is preferably 0.5 mass%, 1 mass%, or 2 mass%. The upper limit of the Cr content is preferably 6.5 mass%, 6 mass%, or 5 mass%. (6) The etching rate difference of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy is slightly higher than that of the Ni-Cu-Cr alloy, but is significantly smaller than that of the Ni-Cu alloy.

[3.3. 박리율] 도 4∼도 7에, 두께 20㎚ 또는 150㎚의 ITO막 상에 형성된, 두께 50㎚ 또는 200㎚의 Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율을 나타낸다. 또, 도 4∼도 7에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.3.3. Peel Ratio] Figs. 4 to 7 show peeling ratios of a Ni-Cu-Cr alloy film having a thickness of 50 nm or 200 nm formed on an ITO film having a thickness of 20 nm or 150 nm. In Figs. 4 to 7, results of Ni-Cu-Cr-Ti alloy are also shown.

도 4∼도 7로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율은, Ni-Cu 합금막에 비해 현저하게 작다. 또한, Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율은, 막두께에 그다지 의존하지 않는다. (2) Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율은, Cu 함유량에 상관없이 양호한 값을 나타냈다. 특히, Cu 함유량이 15∼40mass%의 범위에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다. Cu 함유량은, 더욱 바람직하게는 23∼25mass%가다. (3) Cr을 첨가하는 것에 의해, 내박리성은 대폭 개선된다. 1mass%의 첨가에서도 충분히 그 효과를 확인할 수 있고, 3mass% 이상에서는 거의 박리하지 않았다. 특히 3∼7mass%의 범위에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다. (4) Ni-Cu-Cr 합금에 Ti를 첨가하면, 박리율은, Ni-Cu-Cr 합금에 비해 약간 증대하지만, Ni-Cu 합금에 비해 현저하게 감소한다.The following can be seen from Figs. 4 to 7. (1) The peeling rate of the Ni-Cu-Cr alloy film is significantly smaller than that of the Ni-Cu alloy film. Further, the peeling rate of the Ni-Cu-Cr alloy film does not depend much on the film thickness. (2) The peeling rate of the Ni-Cu-Cr alloy film showed a good value regardless of the Cu content. Particularly, good results were obtained in the range of Cu content of 15 to 40 mass%. The Cu content is more preferably 23 to 25 mass%. (3) By adding Cr, the peeling resistance is greatly improved. The effect can be sufficiently confirmed even with the addition of 1 mass%, and almost no peeling occurs at 3 mass% or more. In particular, good results were obtained in the range of 3 to 7 mass%. (4) When Ti is added to the Ni-Cu-Cr alloy, the peeling ratio is slightly increased compared with that of the Ni-Cu-Cr alloy, but is significantly reduced compared with that of the Ni-Cu alloy.

[3.4. 최대 투자율] 도 8에, Ni-Cu-Cr 합금의 최대 투자율을 나타낸다. 또, 도 8에는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다. 도 8로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 최대 투자율 μ를 100 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 50mass%로 하는 것이 바람직하다. (2) 최대 투자율 μ를 20 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 47mass%, 또는 45mass%로 하는 것이 바람직하다. (3) Cr 함유량을 0∼11mass%로 변화시켜도, 최대 투자율 μ는 거의 변화하지 않는다.[3.4. Maximum permeability] Fig. 8 shows the maximum permeability of Ni-Cu-Cr alloy. The results of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy are also shown in Fig. From FIG. 8, it can be seen that: (1) In order to set the maximum magnetic permeability 占 to 100 or less, the lower limit of the Cu content may be 15 mass%. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 50% by mass. (2) In order to set the maximum magnetic permeability 占 to 20 or less, the lower limit of the Cu content is preferably 24 mass% or 25 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 47 mass% or 45 mass%. (3) Even when the Cr content is changed to 0 to 11 mass%, the maximum magnetic permeability 占 varies little.

(실시예 2) [1. 시료의 제작] 용해/주조법을 사용하여, 소정의 조성을 갖는 Ni-Cu-Ti 합금 타겟을 제작하였다. Cu 함유량은 10∼60mass%로 하였다. Ti 함유량은 0∼7mass%로 하였다. 또한, 비교로서, 순Cu 및 ITO를 사용하였다.(Example 2) [1. Preparation of Sample] A Ni-Cu-Ti alloy target having a predetermined composition was produced by using the dissolution / casting method. The Cu content was 10 to 60 mass%. The Ti content is 0 to 7 mass%. For comparison, pure Cu and ITO were used.

[2. 시험 방법] 실시예 1과 동일한 절차에 따라, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 전위차 △V, Ni-Cu-Ti 합금과 ITO와의 전위차 △V, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 에칭 레이트 차이, 박리율, 및 최대 투자율 μ를 측정하였다.[2. A potential difference ΔV between the Ni-Cu-Ti alloy and Cu, a potential difference ΔV between the Ni-Cu-Ti alloy and ITO, a difference in etching rate between the Ni-Cu-Ti alloy and Cu, , The peeling rate, and the maximum permeability 占 were measured.

[3. 결과] [3.1. 전위차 △V] 도 9에, Ni-Cu-Ti 합금과 ITO와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 9에 있어서, 파선은, Al계 배선 재료의 보호막으로서 종래 사용되고 있는 Mo-10 Nb와 ITO와의 전위차 △V(0.16V)를 나타낸다. 도 10에, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 10에 있어서, 파선은, Mo-10 Nb와, Al계 배선 재료로서 종래 사용되고 있는 Al-3 Nd와의 전위차 △V(0.62V)를 나타낸다. 또, 도 9 및 도 10에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3. Results] [3.1. Potential Difference DELTA V] Fig. 9 shows the potential difference DELTA V between the Ni-Cu-Ti alloy and ITO. In Fig. 9, the broken line indicates the potential difference DELTA V (0.16 V) between ITO and Mo-10 Nb which is conventionally used as a protective film for an Al-based wiring material. Fig. 10 shows the potential difference DELTA V between the Ni-Cu-Ti alloy and Cu. 10, the broken line indicates the potential difference? V (0.62 V) between Mo-10 Nb and Al-3 Nd conventionally used as an Al-based wiring material. 9 and 10 also show the results of a Ni-Cu-Cr-Ti alloy.

도 9로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Ti 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, ITO에 대한 전위차 △V가 작아진다. (2) ITO에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(0.35V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%, 또는 23mass%가 더욱 바람직하다. (3) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23.5mass%, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 50mass%, 45mass%, 또는 42mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) Ti는, 그 함유량에 관계없이, ITO에 대한 전위차 △V는, 양호한 값을 나타낸다. (5) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.3mass%, 또는 0.5mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Ti 함유량의 상한은, 5.5mass%, 5mass%, 또는 4.5mass%로 하는 것이 바람직하다. (6) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 ITO에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Ti 합금에 비해 작아진다.The following can be seen from Fig. (1) As compared with the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO), when a combination of Ni-Cu-Ti alloy / Cu / ITO is used as a combination of protective film / The potential difference DELTA V becomes small. (2) The lower limit of the Cu content may be 15 mass% in order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO to be a value (0.35 V) which is practically problematic. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass% or 23 mass%. (3) The lower limit of the Cu content is preferably 23.5 mass%, 24 mass% or 25 mass% in order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO equal to or less than that of the conventional combination. The upper limit of the Cu content is preferably 50% by mass, 45% by mass or 42% by mass. (4) Regardless of the content of Ti, the potential difference? V with respect to ITO shows a good value. (5) In order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO equal to or less than that of the conventional combination, the lower limit of the Ti content is preferably 0.2 mass%, 0.3 mass%, or 0.5 mass%. The upper limit of the Ti content is preferably 5.5 mass%, 5 mass%, or 4.5 mass%. (6) The electric potential difference ΔV of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy with respect to ITO is smaller than that of the Ni-35 Cu-3 Ti alloy.

도 10으로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Ti 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, Cu에 대한 전위차 △V가 작아진다. (2) Cu에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(1.0V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. (3) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23.5mass%, 또는 24mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 46mass%, 45mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) Ti는, 그 함유량에 관계없이, Cu에 대한 전위차 △V는, 양호한 값을 나타낸다. (5) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.5mass%, 또는 1mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Ti 함유량의 상한은, 5.5mass%, 5mass%, 또는 45mass%로 하는 것이 바람직하다. (6) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 Cu에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Ti 합금과 거의 동등하다.From Fig. 10, it can be seen that: (1) As compared with the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO), when a combination of Ni-Cu-Ti alloy / Cu / ITO is used as a combination of protective film / The potential difference DELTA V becomes small. (2) The lower limit of the Cu content may be 15 mass% in order to make the potential difference DELTA V with respect to Cu less than a value (1.0 V) which is practically problematic. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%. (3) In order to make the potential difference DELTA V with respect to Cu equal to or less than the conventional combination, the lower limit of the Cu content is preferably 23.5 mass% or 24 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 46 mass%, 45 mass%, or 40 mass%. (4) Regardless of the content of Ti, the potential difference? V with respect to Cu shows a good value. (5) The lower limit of the Ti content is preferably 0.2 mass%, 0.5 mass%, or 1 mass% in order to make the potential difference DELTA V with respect to Cu equal to or less than the conventional combination. The upper limit of the Ti content is preferably 5.5 mass%, 5 mass%, or 45 mass%. (6) The potential difference DELTA V of Cu with respect to Cu of the Ni-35Cu-1.5Cr-1.5Ti alloy is almost equal to that of the Ni-35Cu-3Ti alloy.

[3.2. 에칭 레이트 차이] 도 11에, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 에칭 레이트 차이를 나타낸다. 도 11에 있어서, 파선은, Cu의 에칭 레이트의 1/2의 값(0.6㎚/sec)을 나타낸다. 또, 도 11에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3.2. Etching Rate Difference] FIG. 11 shows the etching rate difference between Ni-Cu-Ti alloy and Cu. In Fig. 11, the broken line indicates a value (0.6 nm / sec) of the etching rate of Cu. 11, the results of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy are also shown.

도 11로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Ti 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 그 에칭 레이트 차이는, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)의 값(1.2㎚/sec)보다 작아진다. (2) 에칭 레이트 차이를 실용상 문제가 없는 값(1.2㎚/sec) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 55mass%이면 좋다. Cu 함유량의 상한은, 50mass%, 또는 45mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. (3) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 24mass%, 또는 25mass% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 40mass%, 또는 38mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) Ti는, 그 함유량에 관계없이, 양호한 에칭 레이트 차이를 나타낸다. (5) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 1.5mass%, 또는 2mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Ti 함유량의 상한은, 5mass%, 또는 4.5mass%로 하는 것이 바람직하다. (6) Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 에칭 레이트 차이는, Ni-Cu-Ti 합금보다 작아진다.From Fig. 11, it can be seen that: (1) When a combination of Ni-Cu-Ti alloy / Cu / ITO is used as a combination of protective film / electrode / transparent electrode, ) (1.2 nm / sec). (2) The lower limit of the Cu content may be 15 mass% in order to make the etch rate difference less than a value (1.2 nm / sec) at which there is no practical problem. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%. The upper limit of the Cu content may be 55 mass%. The upper limit of the Cu content is more preferably 50% by mass or 45% by mass. (3) In order to make the etching rate difference equal to or less than Cu / 2, the lower limit of the Cu content is preferably 24 mass% or 25 mass% or more. The upper limit of the Cu content is preferably 40% by mass or 38% by mass. (4) Ti shows a good etching rate difference irrespective of its content. (5) In order to make the etching rate difference equal to or less than Cu / 2, the lower limit of the Ti content is preferably 1.5 mass% or 2 mass%. The upper limit of the Ti content is preferably 5 mass% or 4.5 mass%. (6) The etching rate difference of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy becomes smaller than that of the Ni-Cu-Ti alloy.

[3.3. 박리율] 도 12∼도 15에, 두께 20㎚ 또는 150㎚의 ITO막 상에 형성된, 두께 50㎚ 또는 200㎚의 Ni-Cu-Ti 합금막의 박리율을 나타낸다. 또, 도 12∼15에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.3.3. Peeling Ratio] Figs. 12 to 15 show peeling ratios of a Ni-Cu-Ti alloy film having a thickness of 50 nm or 200 nm formed on an ITO film having a thickness of 20 nm or 150 nm. 12 to 15 also show the results of a Ni-Cu-Cr-Ti alloy.

도 12∼도 15로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) Ni-Cu-Ti 합금막의 박리율은, 막두께에 의존하고, Ni-Cu-Ti 합금막의 막두께가 두꺼워질수록, 박리율은 증대한다. (2) Ni-Cu-Ti 합금막의 막두께가 50㎚인 경우에 있어서, 박리율을 10% 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은 20mass%, 23mass%, 24mass%또는, 25mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 바람직하게는 47mass%, 45mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 좋다. (3) Ni-Cu-Ti 합금막의 막두께가 50㎚인 경우에 있어서, 박리율을 10% 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 1.0mass%, 1.5mass%, 2mass%, 또는 3mass%로 하는 것이 바람직하다. (4) Ni-Cu-Ti 합금에 Cr을 첨가하면, 박리율은 Ni-Cu-Ti 합금과 동등 이하로 된다.The following can be seen from Figs. 12 to 15. Fig. (1) The peeling rate of the Ni-Cu-Ti alloy film depends on the film thickness, and the greater the film thickness of the Ni-Cu-Ti alloy film, the greater the peeling rate. (2) In the case where the film thickness of the Ni-Cu-Ti alloy film is 50 nm, the lower limit of the Cu content may be 15 mass% in order to reduce the peeling ratio to 10% or less. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%, 23 mass%, 24 mass% or 25 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 47 mass%, 45 mass%, or 40 mass%. (3) In the case where the film thickness of the Ni-Cu-Ti alloy film is 50 nm, the lower limit of the Ti content is 1.0% by mass, 1.5% by mass, 2% by mass, or 3% by mass, . (4) When Cr is added to the Ni-Cu-Ti alloy, the peeling ratio becomes equal to or less than that of the Ni-Cu-Ti alloy.

[3.4. 최대 투자율] 도 16에, Ni-Cu-Ti 합금의 최대 투자율을 나타낸다. 또, 도 16에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다. 도 16으로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 최대 투자율 μ를 100 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은 24mass%로 하는 것이 바람직하다. (2) 최대 투자율 μ를 20 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은 24.5mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은 47mass%, 45mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 바람직하다. (3) Ti 함유량을 0∼11mass%로 변화시켜도, 최대 투자율 μ는 거의 변화하지 않는다.[3.4. Maximum permeability] Fig. 16 shows the maximum permeability of Ni-Cu-Ti alloy. 16, the results of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy are also shown. The following can be seen from Fig. (1) In order to set the maximum magnetic permeability 占 to 100 or less, the lower limit of the Cu content is preferably 24 mass%. (2) In order to set the maximum magnetic permeability 占 to 20 or less, the lower limit of the Cu content is preferably 24.5 mass% or 25 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 47 mass%, 45 mass%, or 40 mass%. (3) Even when the Ti content is changed to 0 to 11 mass%, the maximum magnetic permeability 占 varies little.

(실시예 3) [1. 시료의 제작] 실시예 1 또는 2에서 제작한 타겟을 사용하여, 터치 패널용 적층막을 제작하였다. 즉, 스퍼터법을 사용하여, 기판 표면에 배리어층, 전극층, 및 캡층을 이 순서(밑에서부터의 순서)로 형성하였다. 기판에는, ITO/하지막(下地膜)/PET 기판, 또는 ITO/하지막/유리 기판(모두 시판품)을 사용하였다. 배리어층 및 캡층에는, 각각, 소정량의 Cu 또는 Ti를 포함하는 NiCu 합금을 사용하고, 전극층에는 Cu(5N)를 사용하였다. 비교로서, 배리어층 및 캡층에 각각 Mo-10 Nb 합금을 사용하고, 전극층에 Al-3 Nd를 사용한 적층막도 제작하였다. 표 1에, 터치 패널용 적층막의 성막 조건을 나타낸다.(Example 3) [1. Preparation of sample] A laminate film for a touch panel was produced using the target produced in Example 1 or 2. [ That is, the barrier layer, the electrode layer, and the cap layer were formed in this order (in order from the bottom) on the substrate surface by the sputtering method. As the substrate, an ITO / underlying film / PET substrate or an ITO / underlying film / glass substrate (both commercially available) was used. A NiCu alloy containing Cu or Ti in a predetermined amount was used for each of the barrier layer and the cap layer, and Cu (5N) was used for the electrode layer. As a comparison, a laminated film using Al-3 Nd as the electrode layer and Mo-10 Nb alloy was used for the barrier layer and the cap layer, respectively. Table 1 shows the film forming conditions of the laminated film for a touch panel.

재질material 출력Print 가스gas 스퍼터 RateSputter Rate 성막 두께Film Thickness NiCu 합금NiCu alloy DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 55㎚/min55 nm / min 20㎚20 nm Cu(5N)Cu (5N) RF500WRF500W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 48㎚/min48 nm / min 200㎚200 nm MoNbMoNb DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 31㎚/min31 nm / min 20㎚20 nm AlNdAlNd DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 60㎚/min60 nm / min 200㎚200 nm

[2. 시험 방법] [2.1. 밀착성] 실시예 1과 동일 조건하에서 스크래치 시험(JIS K 5600에 준거)을 하여, 박리율을 측정하였다. [2.2. 내후성] 적층막을 갖는 기판을 65℃, 습도 95%의 조건하에서 1000시간 유지하였다. 시험 종료 후, 변색이 있는지 여부를 눈으로 관할하여 판정하였다. [2.3. 에칭성] 적층막을 갖는 기판을 40℃의 과황산암모늄 200g/L 수용액에 침지하여, 적층막을 용해시켰다. 기판이 투명해질 때까지(적층막 전체가 용해될 때까지) 걸린 시간을 측정하였다. [2.4. 전극부 시트 저항] 전극부 시트 저항을 4단자법에 의해 측정하였다.[2. Test method] [2.1. Adhesion] A scratch test (in accordance with JIS K 5600) was conducted under the same conditions as in Example 1, and the peel ratio was measured. [2.2. Weatherability] The substrate having the laminated film was maintained at a temperature of 65 캜 and a humidity of 95% for 1000 hours. After the completion of the test, whether or not there was discoloration was judged by visual observation. [2.3. Etching property] The substrate having the laminated film was immersed in an aqueous solution of 200 g / L ammonium persulfate at 40 占 폚 to dissolve the laminated film. The time taken for the substrate to become transparent (until the entire laminated film was dissolved) was measured. [2.4. Electrode section sheet resistance] The electrode sheet resistance was measured by the four-terminal method.

[3. 결과] 표 2 및 표 3에 결과를 나타낸다. 표 2 및 표 3으로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 전극부 시트 저항은, 배리어층/전극층/캡층의 조성에 상관없이 모두 낮다. (2) NiCuCr 합금의 Cu량이 일정한 경우, Cr 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 내후성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuCr 합금의 Cr량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 내후성이 저하한다. 즉, Ni-25∼40 Cu-3∼5 Cr 합금을 배리어층 및 캡층에 사용하면, 밀착성, 내후성, 및 에칭성에 우수한 터치 패널용 적층막을 얻을 수 있다. (3) NiCuTi 합금의 Cu량이 일정한 경우, Ti 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 내후성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuTi 합금의 Ti량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 내후성이 저하한다. 즉, Ni-25∼40 Cu-3∼5 Ti 합금을 배리어층 및 캡층에 사용하면, 밀착성, 내후성, 및 에칭성에 우수한 터치 패널용 적층막을 얻을 수 있다.[3. Results The results are shown in Tables 2 and 3. Table 2 and Table 3 show the following. (1) The electrode sheet resistance is low regardless of the composition of the barrier layer / electrode layer / cap layer. (2) When the amount of Cu in the NiCuCr alloy is constant, the more the Cr content is increased, the better the adhesion and the weather resistance but the lower the etching property. Further, when the amount of Cr of the NiCuCr alloy is constant, if the Cu content is excessive, the weather resistance is lowered. Namely, when a Ni-25 to 40 Cu-3 to 5 Cr alloy is used for the barrier layer and the cap layer, a laminated film for a touch panel excellent in adhesion, weather resistance, and etching property can be obtained. (3) When the Cu content of the NiCuTi alloy is constant, the higher the Ti content is, the better the adhesion and weather resistance are, but the etching property is lowered. Further, when the amount of Ti of the NiCuTi alloy is constant, if the Cu content becomes excessive, the weather resistance decreases. Namely, when a Ni-25 to 40 Cu-3 to 5 Ti alloy is used for the barrier layer and the cap layer, a laminated film for a touch panel excellent in adhesion property, weather resistance, and etching property can be obtained.

No.No. 기판Board 배리어층Barrier layer 전극층Electrode layer 캡층Cap layer 밀착성Adhesiveness 내후성Weatherability 에칭성Etchability 전극부
시트저항The electrode portion
Sheet resistance 1One ITO/하지층/PETITO / ground layer / PET Ni-10CuNi-10Cu CuCu Ni-10CuNi-10Cu ×× ×× ○○ <0.5Ω/□<0.5 Ω / □ 22 Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr ×× ×× ○○ 33 Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 44 Ni-25CuNi-25Cu Ni-25CuNi-25Cu ×× ×× ○○ 55 Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr △△ ×× ○○ 66 Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 77 Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 88 Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 99 Ni-35CuNi-35Cu Ni-35CuNi-35Cu ×× ×× ○○ 1010 Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1111 Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1212 Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1313 Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1414 Ni-40CuNi-40Cu Ni-40CuNi-40Cu ×× ×× ○○ 1515 Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1616 Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1717 Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1818 Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1919 Ni-60CuNi-60Cu Ni-60CuNi-60Cu ×× ×× ○○ 2020 Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr △△ ×× ○○ 2121 Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr ○○ ×× ○○ 2222 Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 2323 Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti ×× ×× ○○ 2424 Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti ○○ ○○ ×× 2525 Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 2626 Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti △△ ×× ○○ 2727 Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 2828 Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 2929 Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3030 Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3131 Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3232 Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3333 Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3434 Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3535 Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3636 Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3737 Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3838 Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti ×× ×× ○○ 3939 Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti ○○ ×× ○○ 4040 Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 4141 Mo-10NbMo-10Nb Al-3NdAl-3Nd Mo-10NbMo-10Nb ○○ ×× ××

밀착성(박리율): ○=3% 미만, △=3% 이상 10% 미만, ×=10% 이상 내후성: ○=변색 없음, ×=변색 있음 에칭성(기판이 투명해질 때까지 걸리는 시간): ○=1분 미만, ×=1분 이상Adhesion (peeling ratio): Less than 3%,? = 3% or more and less than 10%, X: 10% or more Weatherability: ○ = less than 1 minute, × = more than 1 minute

No.No. 기판Board 배리어층Barrier layer 전극층Electrode layer 캡층Cap layer 밀착성Adhesiveness 내후성Weatherability 에칭성Etchability 전극부
시트저항The electrode portion
Sheet resistance 1One ITO/하지층/glassITO / foundation layer / glass Ni-10CuNi-10Cu CuCu Ni-10CuNi-10Cu ×× ×× ○○ <0.5Ω/□<0.5 Ω / □ 22 Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr ×× ×× ○○ 33 Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 44 Ni-25CuNi-25Cu Ni-25CuNi-25Cu ×× ×× ○○ 55 Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr △△ ×× ○○ 66 Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 77 Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 88 Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 99 Ni-35CuNi-35Cu Ni-35CuNi-35Cu ×× ×× ○○ 1010 Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1111 Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1212 Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1313 Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1414 Ni-40CuNi-40Cu Ni-40CuNi-40Cu ×× ×× ○○ 1515 Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1616 Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1717 Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1818 Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1919 Ni-60CuNi-60Cu Ni-60CuNi-60Cu ×× ×× ○○ 2020 Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr △△ ×× ○○ 2121 Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr ○○ ×× ○○ 2222 Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 2323 Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti ×× ×× ○○ 2424 Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti ○○ ○○ ×× 2525 Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 2626 Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti △△ ×× ○○ 2727 Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 2828 Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 2929 Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3030 Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3131 Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3232 Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3333 Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3434 Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3535 Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3636 Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3737 Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3838 Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti ×× ×× ○○ 3939 Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti ○○ ×× ○○ 4040 Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 4141 Mo-10NbMo-10Nb Al-3NdAl-3Nd Mo-10NbMo-10Nb ○○ ×× ××

밀착성(박리율): ○=3% 미만, △=3% 이상 10% 미만, ×=10% 이상 내후성: ○=변색 없음, ×=변색 있음 에칭성(기판이 투명해질 때까지 걸리는 시간): ○=1분 미만, ×=1분 이상Adhesion (peeling ratio): Less than 3%,? = 3% or more and less than 10%, X: 10% or more Weatherability: ○ = less than 1 minute, × = more than 1 minute

(실시예 4) [1. 시료의 제작] 실시예 1 또는 2에서 제작한 타겟을 사용하여, TFT용 적층막을 제작하였다. 즉, 스퍼터법을 사용하여, 기판 표면에 배리어층 및 전극층을 이 순서(밑에서부터의 순서)로 형성하였다. 기판에는, ITO/하지막/유리 기판(시판품)을 사용하였다. 배리어층에는 소정량의 Cu 또는 Ti를 포함하는 NiCu 합금을 사용하고, 전극층에는 Cu(5N)를 사용하였다. 비교로서, 배리어층에 Mo-50 Ti 합금을 사용하고, 전극층에 Cu를 사용한 적층막도 제작하였다. 표 4에, TFT용 적층막의 성막 조건을 나타낸다.(Example 4) [1. Preparation of Sample] A laminate film for a TFT was prepared using the target prepared in Example 1 or 2. [ That is, the barrier layer and the electrode layer were formed in this order (in order from the bottom) on the substrate surface by the sputtering method. As the substrate, an ITO / base film / glass substrate (commercially available) was used. A NiCu alloy containing Cu or Ti in a predetermined amount was used for the barrier layer, and Cu (5N) was used for the electrode layer. As a comparison, a Mo-50 Ti alloy was used for the barrier layer, and a laminated film using Cu for the electrode layer was also produced. Table 4 shows the film forming conditions of the laminated film for TFT.

재질material 출력Print 가스gas 스퍼터 RateSputter Rate 성막 두께Film Thickness NiCu 합금NiCu alloy DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 55㎚/min55 nm / min 20㎚20 nm Cu(5N)Cu (5N) RF500WRF500W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 48㎚/min48 nm / min 200㎚200 nm MoTiMoTi DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3 Pa 28㎚/min28 nm / min 20㎚20 nm

[2. 시험 방법] [2.1. 밀착성, 에칭성, 및 전극부 시트 저항] 실시예 3과 동일 조건하에서, 밀착성, 에칭성, 및 전극부 시트 저항을 측정하였다. [2.2. 배리어성] 적층막을 갖는 기판을 250℃×30min의 진공열처리를 하였다. 열처리 후, AES(Auger Electron Spectroscopy)에 의해, 계면 부근에 있어서의 Cu, Si의 확산을 조사하였다. 배리어성의 양호 여부는, AES에 의한 깊이 방향에서의 Cu, Si 검출량의 경사에 의해 판정하였다. 배리어성의 평가에 관하여, 「○」는 열처리 전후의 깊이 방향의 Cu, Si 검출량의 경사의 차가 3% 이하인 경우를 나타내고, 「×」는 3%보다 큰 경우를 나타낸다.[2. Test method] [2.1. Adhesiveness, Etching Property, and Resistance of Electrode Section Sheet] Under the same conditions as in Example 3, adhesiveness, etchability, and electrode sheet resistance were measured. [2.2. Barrier property] The substrate having the laminated film was subjected to a vacuum heat treatment at 250 캜 for 30 minutes. After the heat treatment, diffusion of Cu and Si near the interface was examined by AES (Auger Electron Spectroscopy). Whether the barrier property was good or not was judged by the slope of Cu and Si detection depth in the depth direction by AES. With respect to the evaluation of the barrier property, &quot;? &Quot; indicates a case where the difference in inclination of Cu and Si detection depth in the depth direction before and after the heat treatment is 3% or less, and &quot; x &quot;

[3. 결과] 표 5에 결과를 나타낸다. 표 5로부터 하기하는 바를 알 수 있다. (1) 전극부 시트 저항은, 배리어층/전극층의 조성에 상관없이, 모두 낮다. (2) NiCuCr 합금의 Cu량이 일정한 경우, Cr 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 배리어성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuCr 합금의 Cr량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 배리어성이 저하한다. 즉, Ni-25∼40 Cu-3∼5 Cr 합금을 배리어층에 사용하면, 밀착성, 배리어성, 및 에칭성에 우수한 TFT용 적층막을 얻을 수 있다. (3) NiCuTi 합금의 Cu량이 일정한 경우, Ti 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 배리어성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuTi 합금의 Ti량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 배리어성이 저하한다. 즉, Ni-25∼40 Cu-3∼5 Ti 합금을 배리어층에 사용하면, 밀착성, 배리어성, 및 에칭성에 우수한 TFT용 적층막을 얻을 수 있다.[3. Results The results are shown in Table 5. Table 5 shows the following. (1) The electrode sheet resistance is low regardless of the composition of the barrier layer / electrode layer. (2) When the Cu content of the NiCuCr alloy is constant, the more the Cr content is, the better the adhesion and barrier property, but the lower the etching property. Further, when the amount of Cr of the NiCuCr alloy is constant, if the Cu content is excessive, the barrier property is deteriorated. That is, when a Ni-25 to 40 Cu-3 to 5 Cr alloy is used for the barrier layer, a laminated film for a TFT excellent in adhesion, barrier property, and etching property can be obtained. (3) When the Cu amount of the NiCuTi alloy is constant, the more the Ti content is increased, the better the adhesion and the barrier property, but the lower the etching property. Further, when the amount of Ti of the NiCuTi alloy is constant, if the Cu content becomes excessive, the barrier property deteriorates. That is, when a Ni-25 to 40 Cu-3 to 5 Ti alloy is used for the barrier layer, a laminated film for a TFT excellent in adhesion, barrier property, and etching property can be obtained.

No.No. 기판Board 배리어층Barrier layer 전극층Electrode layer 밀착성Adhesiveness 배리어성Barrier property 에칭성Etchability 전극부
시트저항The electrode portion
Sheet resistance 101101 ITO/하지층/glassITO / foundation layer / glass Ni-10CuNi-10Cu CuCu ×× ×× ○○ <0.5Ω/□<0.5 Ω / □ 102102 Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr ×× ×× ○○ 103103 Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 104104 Ni-25CuNi-25Cu ×× ×× ○○ 105105 Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr △△ ×× ○○ 106106 Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 107107 Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 108108 Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 109109 Ni-35CuNi-35Cu ×× ×× ○○ 110110 Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr △△ ×× ○○ 111111 Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 112112 Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 113113 Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 114114 Ni-40CuNi-40Cu ×× ×× ○○ 115115 Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr △△ ×× ○○ 116116 Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 117117 Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 118118 Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 119119 Ni-60CuNi-60Cu ×× ×× ○○ 120120 Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr △△ ×× ○○ 121121 Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr ○○ ×× ○○ 122122 Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 123123 Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti ×× ×× ○○ 124124 Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti ○○ ○○ ×× 125125 Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 126126 Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti △△ ×× ○○ 127127 Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 128128 Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 129129 Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 130130 Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti △△ ×× ○○ 131131 Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 132132 Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 133133 Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 134134 Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti △△ ×× ○○ 135135 Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 136136 Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 137137 Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 138138 Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti ×× ×× ○○ 139139 Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti ○○ ×× ○○ 140140 Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 141141 Mo-50TiMo-50Ti CuCu ○○ ×× ××

밀착성(박리율): ○=3% 미만, △=3% 이상 10% 미만, ×=10% 이상 배리어성(열처리 전후의 깊이 방향의 Cu, Si 검출량의 경사의 차): ○=3% 이하, ×=3% 넘음 에칭성(기판이 투명해질 때까지 걸리는 시간): ○=1분 미만, ×=1분 이상3% or less, 10% or less, X: 10% or more Barrier property (difference in inclination of Cu and Si detection depth in the depth direction before and after heat treatment):? = 3% or less , X = over 3% Etchability (time required for substrate to be transparent): O = less than 1 minute, X = more than 1 minute

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 사상의 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible within the scope of the spirit of the present invention.

본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재는, 터치 패널 전극부, 액정 패널 TFT부, 유기 EL 패널 전극부, 플라즈마 디스플레이 패널 전극부, 태양 전지 패널 전극부, 반도체 전극부 등에 사용되는 Cu 전극의 양면에 보호막을 형성하기 위한 스퍼터링용 타겟으로서 사용할 수 있다.The NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film according to the present invention is a NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film which is used for a touch panel electrode portion, a liquid crystal panel TFT portion, an organic EL panel electrode portion, a plasma display panel electrode portion, a solar cell panel electrode portion, And can be used as a sputtering target for forming a protective film on both surfaces.

Claims (7)

30.0≤Cu≤55.0mass%, 및
3.0≤(Cr, Ti)≤5.0mass%(단, Cr>0, Ti>0)를 포함하고, 잔부(殘部)가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재.30.0? Cu? 55.0 mass%, and
Wherein the NiCu alloy target contains 3.0? (Cr, Ti)? 5.0 mass% (where Cr> 0, Ti> 0) and the remainder is Ni and inevitable impurities. 삭제delete 30.0≤Cu≤55.0mass%, 및
3.0≤Cr≤5.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재.30.0? Cu? 55.0 mass%, and
3.0 &amp;le; Cr &amp;le; 5.0 mass%, and the balance Ni and inevitable impurities. 삭제delete 25.0≤Cu≤55.0mass%, 및
3.0≤Ti≤5.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재.25.0? Cu? 55.0 mass%, and
3.0 &lt; = Ti &lt; = 5.0% by mass, and the balance of Ni and inevitable impurities. 제 5항에 있어서,
30.0≤Cu≤55.0mass%인 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재.6. The method of claim 5,
NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film having a composition of 30.0? Cu? 55.0 mass%. Cu 전극과,
상기 Cu 전극의 한쪽 면 또는 양면에 형성된 보호막을 구비하는 적층막이고,
상기 보호막은, 제 1항, 제3항, 제5 항 및 제 6항 중의 하나에 기재의 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재를 사용하여 성막된 박막으로 이루어지는 적층막.A Cu electrode,
And a protective film formed on one or both surfaces of the Cu electrode,
The protective film is a thin film formed of a thin film formed by using the NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film according to any one of claims 1, 3, 5, and 6.
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