KR101827658B1 - Polarizer, polarizer substrate, and optical alignment device - Google Patents

Abstract

본 발명은, 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여가 용이한 편광자의 제공을 주 목적으로 한다. 본 발명은, 직선형으로 복수개가 병렬로 배치된 세선을 갖고, 상기 세선이 편광 재료를 함유하는 편광 재료층을 갖고, 파장 250㎚의 광의 소광비가 40 이상인 것을 특징으로 하는 편광자를 제공함으로써 상기 목적을 달성한다.The main object of the present invention is to provide a polarizer that is easy to give an alignment restricting force to a photo alignment film. The present invention provides a polarizer characterized by having a thin wire having a plurality of linearly arranged linearly arranged thin wires, the thin wire having a polarizing material layer containing a polarizing material, and an extinction ratio of light having a wavelength of 250 nm of 40 or more, .

Description

편광자, 편광자용 기판 및 광 배향 장치{POLARIZER, POLARIZER SUBSTRATE, AND OPTICAL ALIGNMENT DEVICE}POLARIZER, POLARIZER SUBSTRATE, AND OPTICAL ALIGNMENT DEVICE BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은, 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여가 용이한 편광자에 관한 것이다.The present invention relates to a polarizer which is easy to give an alignment restricting force to a photo alignment film.

액정 표시 장치는, 일반적으로 구동 소자가 형성된 대향 기판과 컬러 필터를 대향 배치하여 주위를 밀봉하고, 그 간극에 액정 재료를 충전한 구조를 갖는다. 그리고, 액정 재료는 굴절률 이방성을 갖고 있으며, 액정 재료에 인가된 전압의 방향을 따르도록 정렬되는 상태와, 전압이 인가되지 않는 상태의 차이로부터, 온/오프를 전환하여 화소를 표시할 수 있다. 여기서 액정 재료를 끼움 지지하는 기판에는, 액정 재료를 배향시키기 위해 배향막이 형성되어 있다.A liquid crystal display device generally has a structure in which an opposing substrate on which a driving element is formed and a color filter are opposed to each other and the periphery is sealed and a liquid crystal material is filled in the gap. The liquid crystal material has refractive index anisotropy and can display pixels by switching on / off from a state in which the liquid crystal material is aligned to follow the direction of the voltage applied to the liquid crystal material and a state in which no voltage is applied. An alignment film is formed on the substrate for supporting the liquid crystal material so as to align the liquid crystal material.

또한, 액정 표시 장치에 사용되는 위상차 필름이나, 3D 표시용 위상차 필름의 재료로서도 배향막이 사용되고 있다.An orientation film is also used as a material for a phase difference film used for a liquid crystal display device or a phase difference film for a 3D display.

배향막으로서는, 예를 들어 폴리이미드로 대표되는 고분자 재료가 사용된 것이 알려져 있고, 이 고분자 재료를 천 등에 의해 마찰하는 러빙 처리가 이루어짐으로써 배향 규제력을 갖게 된다.As the alignment film, for example, a polymer material typified by polyimide is known, and rubbing treatment for rubbing the polymer material with a cloth or the like is performed, thereby obtaining the alignment restoring force.

그러나, 이러한 러빙 처리에 의해 배향 규제력이 부여된 배향막에서는, 천 등이 이물로서 잔존한다는 등의 문제가 있었다.However, there has been a problem that, in the alignment film to which the alignment restraining force is imparted by the rubbing treatment, cloth or the like remains as a foreign matter.

이에 반해 직선 편광을 조사함으로써 배향 규제력을 발현하는 배향막, 즉 광 배향막에서는, 상술한 바와 같이 천 등에 의한 러빙 처리를 하는 일 없이 배향 규제력을 부여할 수 있기 때문에, 천 등이 이물로서 잔존하는 문제가 없는 점에서 최근 주목받고 있다.On the other hand, in the alignment film, i.e., the photo alignment film, which exhibits the alignment regulating force by irradiating linearly polarized light, since the alignment regulating force can be imparted without rubbing treatment with cloth or the like as described above, There is no attention recently.

이러한 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여를 위한 직선 편광의 조사 방법으로서는, 편광자를 통하여 노광하는 방법이 일반적으로 사용된다. 편광자로서는, 평행하게 배치된 복수의 세선을 갖는 것이 사용되고, 세선을 구성하는 재료로서는, 알루미늄이나 산화 티타늄이 사용되고 있다(특허문헌 1 등).As a method of irradiating linearly polarized light for imparting an alignment restricting force to such a photo alignment film, a method of exposing through a polarizer is generally used. As the polarizer, those having a plurality of fine lines arranged in parallel are used, and aluminum or titanium oxide is used as a material constituting the fine lines (Patent Document 1, etc.).

일본 특허 제4968165호Japanese Patent No. 4968165

그러나, 상술한 바와 같은 재료의 세선을 구비한 편광자에서는, 자외선 영역과 같은 단파장 광의 경우에는 소광비(P파 투과율/S파 투과율), 즉, 상기 세선에 대하여 평행한 편광 성분(S파)의 투과율(출사광 중의 S파 성분/입사광 중의 S파 성분, 이하, 간단히 S파 투과율이라 하는 경우가 있음)에 대한, 상기 세선을 투과하는 상기 세선에 대하여 수직인 편광 성분(P파)의 투과율(출사광 중의 P파 성분/입사광 중의 P파 성분, 이하, 간단히 P파 투과율이라 하는 경우가 있음)의 비율이 낮아, 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여를 효율적으로 행할 수 없다는 등의 문제가 있었다.However, in the polarizer provided with the fine lines of the above-described materials, the extinction ratio (P wave transmittance / S wave transmittance), that is, the transmittance of the polarized light component (S wave) parallel to the fine line (P wave) perpendicular to the thin line passing through the thin wire with respect to the S-wave component (S wave component in the emitted light / S wave component in the incident light, hereinafter, simply referred to as S wave transmittance) The P wave component in the light / the P wave component in the incident light, hereinafter, simply referred to as the P wave transmittance) is low, and the alignment regulating force can not be efficiently imparted to the photo alignment film.

본 발명은, 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여가 용이한 편광자를 제공하는 것을 주 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and its primary object is to provide a polarizer that is easy to impart an alignment restricting force to a photo alignment film.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 연구를 거듭한 결과, 세선을 구성하는 재료의 굴절률 및 소쇠 계수가 소광비에 기여하고 있는 것, 나아가 굴절률 및 소쇠 계수가 소정의 범위인 재료를 사용한 결과, 단파장 광의 경우에도 소광비를 우수하게 할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이른 것이다.As a result of repeated studies to solve the above problems, the inventors of the present invention have found that the refractive index and the extinction coefficient of the material constituting the fine wire contribute to the extinction ratio, and furthermore, by using the material having the refractive index and the extinction coefficient within a predetermined range, It is possible to make the extinction ratio excellent even in the case of light, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은, 직선형으로 복수개가 병렬로 배치된 세선을 갖고, 상기 세선이, 편광 재료를 함유하는 편광 재료층을 갖고, 파장 250㎚의 광의 소광비가 40 이상인 것을 특징으로 하는 편광자를 제공한다.That is, the present invention provides a polarizer characterized in that a thin line has a plurality of linearly arranged thin wires, the thin wire has a polarizing material layer containing a polarizing material, and the extinction ratio of light having a wavelength of 250 nm is 40 or more .

본 발명에 따르면, 단파장 광의 소광비가 우수하기 때문에, 예를 들어 광 배향막에 대한 배향 규제력의 부여를 용이하게 할 수 있다.According to the present invention, since the extinction ratio of the short wavelength light is excellent, it is possible to easily give the alignment regulating force to the photo alignment film, for example.

본 발명에 있어서는, 상기 편광자가 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여용이며, 자외선 영역 파장의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the polarizer is for imparting an alignment restricting force to the photo alignment film, and is for generating linearly polarized light of the ultraviolet region wavelength.

본 발명의 단파장 광의 소광비도 우수하다는 효과를 더 효과적으로 발휘할 수 있기 때문이다.This is because the effect of excellent extinction ratio of the short wavelength light of the present invention can be more effectively exhibited.

본 발명에 있어서는, 상기 편광 재료의 굴절률이 2.0 내지 3.2의 범위 내이며, 상기 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 소광비로 하는 것이 용이하기 때문이다. 또한, 상기 굴절률 및 소쇠 계수가 상술한 범위 내임으로써, 폭넓은 파장 범위에서 소광비 및 P파 투과율의 양자를 우수하게 할 수 있기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the refractive index of the polarizing material is in the range of 2.0 to 3.2, and the extinction coefficient is in the range of 2.7 to 3.5. This is because it is easy to set the extinction ratio. In addition, both of the refractive index and the extinction coefficient fall within the above-mentioned range, the extinction ratio and the P-wave transmittance can be made excellent in a wide wavelength range.

본 발명에 있어서는, 상기 편광 재료의 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 상기 편광 재료의 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 굴절률 및 소쇠 계수가 상술한 범위 내임으로써, 다양한 각도로 편광자에 입사하는 광에 대하여, 편광자를 출사하는 편광광의 편광축 회전량을 작게 할 수 있어, 더욱 소광비를 우수하게 할 수 있기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the refractive index of the polarizing material is in the range of 2.3 to 2.8, and the extinction coefficient of the polarizing material is in the range of 1.4 to 2.4. By setting the refractive index and the extinction coefficient within the above-mentioned range, the polarization axis rotation amount of the polarized light emitted from the polarizer can be reduced for the light incident on the polarizer at various angles, and the extinction ratio can be further improved.

본 발명에 있어서는, 상기 편광 재료가 몰리브덴실리사이드계 재료인 것이 바람직하다. 상기 소광비로 하는 것이 용이하기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the polarizing material is a molybdenum silicide-based material. This is because it is easy to set the extinction ratio.

본 발명에 있어서는, 상기 편광 재료층의 막 두께가 40㎚ 이상이고, 상기 편광 재료층 간의 피치가 150㎚ 이하인 것이 바람직하다. 상기 소광비로 하는 것이 용이하기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the film thickness of the polarizing material layer is 40 nm or more and the pitch between the polarizing material layers is 150 nm or less. This is because it is easy to set the extinction ratio.

본 발명은, 투명 기판과, 상기 투명 기판 위에 형성되며, 편광 재료를 함유하는 편광 재료막을 갖고, 상기 편광 재료막은, 굴절률이 2.0 내지 3.2의 범위 내이며, 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 것을 특징으로 하는 편광자용 기판을 제공한다.The present invention provides a liquid crystal display comprising a transparent substrate and a polarizing material film formed on the transparent substrate and containing a polarizing material, wherein the polarizing material film has a refractive index in the range of 2.0 to 3.2 and an extinction coefficient in the range of 2.7 to 3.5 And a substrate for a polarizer.

또한, 본 발명은, 투명 기판과, 상기 투명 기판 위에 형성되며, 편광 재료를 함유하는 편광 재료막을 갖고, 상기 편광 재료막은, 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 것을 특징으로 하는 편광자용 기판을 제공한다.The polarizing material film has a refractive index in the range of 2.3 to 2.8 and an extinction coefficient in the range of 1.4 to 2.4, Wherein the polarizer substrate is a transparent substrate.

본 발명에 따르면, 상기 편광 재료막을 가짐으로써, 소광비가 우수한 편광자를 용이하게 형성할 수 있다.According to the present invention, by having the polarizing material film, a polarizer having an excellent extinction ratio can be easily formed.

본 발명에 있어서는, 상기 편광 재료가 몰리브덴실리사이드계 재료인 것이 바람직하다. 상기 재료임으로써, 소광비가 우수한 편광자의 형성에 보다 적합하게 할 수 있기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the polarizing material is a molybdenum silicide-based material. This is because this material is more suitable for forming a polarizer having an excellent extinction ratio.

본 발명은, 자외광을 편광하여 광 배향막에 조사하는 광 배향 장치이며, 상술한 편광자를 구비하고, 상기 편광자에 의해 편광된 광을 상기 광 배향막에 조사하는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치를 제공한다.The present invention provides a photo-alignment apparatus for polarizing ultraviolet light and irradiating the photo-alignment film with polarized light, characterized by comprising the above-described polarizer, and irradiating the photo-alignment film with light polarized by the polarizer .

본 발명에 따르면, 상기 편광자를 사용함으로써, 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여를 용이하게 할 수 있다.According to the present invention, by using the polarizer, the alignment restricting force can be easily given to the photo alignment layer.

본 발명에 있어서는, 상기 광 배향막을 이동시키는 기구가 구비되어 있고, 상기 편광자가 상기 광 배향막의 이동 방향 및 상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향의 양방향으로 복수개 구비되어 있고, 상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서 인접하는 상기 복수개의 편광자 간의 경계부가, 상기 광 배향막의 이동 방향으로 연속적으로 이어지지 않도록, 상기 복수개의 편광자가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 경계부가 광 배향막에 부여하는 폐해를 억제 가능하게 할 수 있기 때문이다.In the present invention, it is preferable that a mechanism for moving the photo alignment film is provided, and a plurality of polarizers are provided in both directions of the direction of movement of the photo alignment film and the direction of movement of the photo alignment film, It is preferable that the plurality of polarizers are disposed so that the boundary portion between the plurality of polarizers adjacent to each other in the direction orthogonal to the direction does not continuously extend in the moving direction of the photo alignment film. This is because it is possible to suppress the adverse effects that the boundary portion gives to the photo alignment layer.

본 발명에 있어서는, 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여가 용이한 편광자를 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.In the present invention, it is possible to provide a polarizer that is easy to give an alignment restricting force to a photo alignment film.

도 1은 본 발명의 편광자의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도이다.
도 3은 본 발명의 편광자 제조 방법의 일례를 도시하는 공정도이다.
도 4는 본 발명의 광 배향 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 광 배향 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 광 배향 장치에 있어서의 편광자의 배치 형태의 예를 도시하는 도면이다.
도 7은 실시예 8의 편광자의 편광 특성의 측정 결과를 도시하는 그래프이다.
도 8은 실시예 9의 시뮬레이션 모델을 설명하는 설명도이다.
도 9는 실시예 9의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프이다.
도 10은 실시예 10의 시뮬레이션 모델을 설명하는 설명도이다.
도 11은 실시예 10의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프이다.
도 12는 실시예 11 내지 실시예 13의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프이다.
도 13은 실시예 14의 편광자의 편광 특성의 측정 결과를 도시하는 그래프이다.1 is a schematic plan view showing an example of a polarizer of the present invention.
2 is a sectional view taken along the line AA in Fig.
3 is a process diagram showing an example of a polarizer manufacturing method of the present invention.
4 is a diagram showing a configuration example of the optical alignment device of the present invention.
5 is a diagram showing another example of the configuration of the optical alignment device of the present invention.
6 is a diagram showing an example of the arrangement of polarizers in the photo-alignment apparatus of the present invention.
7 is a graph showing the measurement results of the polarization characteristics of the polarizer of Example 8. Fig.
8 is an explanatory diagram for explaining the simulation model of the ninth embodiment.
9 is a graph showing the simulation result of the ninth embodiment.
10 is an explanatory view for explaining the simulation model of the tenth embodiment.
11 is a graph showing the simulation result of the tenth embodiment.
12 is a graph showing the simulation results of the eleventh to thirteenth embodiments.
13 is a graph showing the measurement results of the polarization characteristics of the polarizer of Example 14. Fig.

본 발명은, 편광자에 관한 것이다.The present invention relates to a polarizer.

이하, 본 발명의 편광자에 대하여 설명한다.Hereinafter, the polarizer of the present invention will be described.

본 발명의 편광자는, 직선형으로 복수개가 병렬로 배치된 세선을 갖고, 상기 세선이, 편광 재료를 함유하는 편광 재료층을 갖고, 파장 250㎚의 광의 소광비가 40 이상인 것을 특징으로 하는 것이다.The polarizer of the present invention is characterized in that a plurality of linearly linear thin wires are disposed in parallel, the thin wire has a polarizing material layer containing a polarizing material, and the extinction ratio of light having a wavelength of 250 nm is 40 or more.

이러한 본 발명의 편광자에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 편광자의 일례를 나타내는 개략 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A선 단면도이다. 도 1 및 도 2에 예시하는 바와 같이, 본 발명의 편광자(10)는, 직선형으로 복수개가 병렬로 배치된 세선(2)을 갖고, 상기 세선(2)이 편광 재료층(3)으로서 몰리브덴실리사이드계 재료를 함유하는 몰리브덴실리사이드계 재료층을 갖는 것이며, 파장 250㎚의 광의 소광비가 40 이상인 것이다.The polarizer of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 1 is a schematic plan view showing an example of a polarizer of the present invention, and Fig. 2 is a sectional view taken along the line A-A in Fig. As shown in Figs. 1 and 2, the polarizer 10 of the present invention has a thin line 2 in which a plurality of linearly arranged lines are arranged in parallel, and the thin line 2 is a molybdenum silicide Based material layer containing a molybdenum silicide-based material and an extinction ratio of light having a wavelength of 250 nm is 40 or more.

또한, 이 예에서는, 상기 세선(2)이 상기 편광 재료층(3)인 몰리브덴실리사이드계 재료층 위에 형성되고, 산화규소를 함유하는 산화규소층(4)을 갖는 것이며, 합성 석영 유리를 포함하는 투명 기판(1) 위에 형성되는 것이다.In this example, the fine wire 2 is formed on the molybdenum silicide-based material layer of the polarizing material layer 3 and has a silicon oxide layer 4 containing silicon oxide, And is formed on the transparent substrate 1.

본 발명에 따르면, 단파장 광의 소광비가 우수하기 때문에, 광 배향막에 대한 배향 규제력의 부여를 용이하게 할 수 있다. 특히 자외선 영역의 파장과 같은 단파장 광의 소광비가 우수하기 때문에, 단시간에 충분한 배향 규제력의 부여가 가능하게 되어, 생산 효율을 우수하게 할 수 있다.According to the present invention, since the extinction ratio of the short-wavelength light is excellent, it is possible to easily give the alignment regulating force to the photo alignment film. In particular, since the extinction ratio of the short wavelength light such as the wavelength of the ultraviolet ray region is excellent, sufficient alignment regulating force can be given in a short time, and the production efficiency can be improved.

본 발명의 편광자는, 세선을 갖는 것이다.The polarizer of the present invention has fine lines.

이하, 본 발명의 편광자의 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each constitution of the polarizer of the present invention will be described in detail.

1. 세선1. Fine

본 발명에 있어서의 세선은, 직선형으로 형성되며, 또한 평행하게 배치되는 것이고, 편광 재료층을 갖는 것이다.The fine lines in the present invention are linearly formed, arranged in parallel, and having a polarizing material layer.

(1) 편광 재료층(1) Polarizing material layer

상기 편광 재료층은, 편광 재료를 함유하는 것이다.The polarizing material layer contains a polarizing material.

이러한 편광 재료로서는, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니며, 상기 편광 재료층의 막 두께 등의 형상에 따라서도 상이한 것이지만, 예를 들어 소정의 굴절률 및 소쇠 계수를 만족하는 것으로부터 선택할 수 있다.Such a polarizing material is not particularly limited as long as a desired extinction ratio can be obtained. The polarizing material is also different depending on the shape such as the thickness of the polarizing material layer. For example, the polarizing material may be selected from satisfying a predetermined refractive index and an extinction coefficient have.

또한, 본 발명에서의 굴절률 및 소쇠 계수는 특별히 파장의 특정에 언급이 없는 경우에는 250㎚의 파장에 있어서의 값으로 한다.In the present invention, the refractive index and the extinction coefficient are values at a wavelength of 250 nm unless otherwise specified in the wavelength specification.

상기 편광 재료의 굴절률과 소쇠 계수의 값으로서는, 굴절률이 2.0 내지 3.2의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 것이 바람직하다. 소광비를 우수하게 할 수 있기 때문이다. 그 중에서도, 굴절률이 2.0 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 2.9 내지 3.5의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 굴절률이 2.0 내지 2.6의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 3.1 내지 3.5의 범위 내인 것이 바람직하다. 자외광 영역인 200㎚ 내지 400㎚의 파장 영역의 폭넓은 파장 범위에서 소광비 및 P파 투과율의 양자를 우수하게 할 수 있기 때문이다. 특히 250㎚ 내지 370㎚의 파장 영역의 범위에서 소광비와 투과율을 우수하게 할 수 있기 때문이다.As the values of the refractive index and the extinction coefficient of the polarizing material, it is preferable that the refractive index is in the range of 2.0 to 3.2 and the extinction coefficient is in the range of 2.7 to 3.5. The extinction ratio can be made excellent. Among them, it is preferable that the refractive index is in the range of 2.0 to 2.8 and the extinction coefficient is in the range of 2.9 to 3.5, and in particular, the refractive index is in the range of 2.0 to 2.6 and the extinction coefficient is in the range of 3.1 to 3.5 Do. Both of the extinction ratio and the P-wave transmittance can be improved in a wide wavelength range of the wavelength region of 200 nm to 400 nm which is the ultraviolet region. This is because the extinction ratio and transmittance can be improved particularly in the wavelength range of 250 nm to 370 nm.

또한, 상기 굴절률과 소쇠 계수는, 편광광의 편광축 회전량을 작게 할 수 있다는 관점에서는, 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 것이 바람직하다. 그 중에서도 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 1.7 내지 2.2의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 굴절률이 2.4 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 1.8 내지 2.1의 범위 내인 것이 바람직하다.It is also preferable that the refractive index and the extinction coefficient are in the range of 2.3 to 2.8 and the extinction coefficient is in the range of 1.4 to 2.4 from the viewpoint of decreasing the polarization axis rotation amount of the polarized light. Among them, it is preferable that the refractive index is in the range of 2.3 to 2.8 and the extinction coefficient is in the range of 1.7 to 2.2, and in particular, the refractive index is in the range of 2.4 to 2.8 and the extinction coefficient is in the range of 1.8 to 2.1 .

소광비를 양호한 값으로 하고, 또한 편광축 회전량도 작게 할 수 있기 때문이다.This is because the extinction ratio can be set to a favorable value and the polarization axis rotation amount can be made small.

특히 240㎚ 내지 280㎚의 파장 영역의 범위에서 소광비와 투과율을 우수하게 할 수 있으며, 또한 편광광의 편광축 회전량을 작게 할 수 있기 때문이다.In particular, the extinction ratio and transmittance can be made excellent in the wavelength range of 240 nm to 280 nm, and the polarization axis rotation amount of the polarized light can be reduced.

또한, 굴절률 및 소쇠 계수의 측정 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 분광 반사 스펙트럼으로부터 산출하는 방법, 엘립소미터를 사용하여 측정하는 방법 및 아베법을 들 수 있다. 엘립소미터로서는 죠반이본사 제조 UVSEL을 들 수 있다. 또한, 본건의 굴절률은 울람사 제조 VUV-VASE로 측정한 값이다.The method of measuring the refractive index and the extinction coefficient is not particularly limited, and examples thereof include a method of calculating from a spectral reflectance spectrum, a method of measuring using an ellipsometer, and an Abbe method. As the ellipsometer, Joban manufactures UVSEL manufactured by the head office. In addition, the refractive index of the present invention is a value measured by VUV-VASE manufactured by Woollam.

이러한 굴절률 및 소쇠 계수를 만족하는 편광 재료로서는, 구체적으로는, 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si)을 포함하는 몰리브덴실리사이드계 재료(이하, MoSi계 재료라 칭하는 경우가 있음), 또는 질화계 몰리브덴실리사이드 재료 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 몰리브덴실리사이드계 재료인 것이 바람직하다. 몰리브덴실리사이드계 재료에 포함되는 Mo 및 Si, 질소, 산소 등의 원소의 함유량에 따라서, 굴절률 및 소쇠 계수의 값을 조절하는 것이 용이하고, 자외선 영역의 파장에서 상기 굴절률 및 소쇠 계수를 만족할 만한 것으로 하기가 용이하기 때문이다. 또한, 자외선 영역의 단파장에 대한 내광성도 갖고, 액정 표시 장치용 광 배향막의 배향용으로서 적합하기 때문이다.Specific examples of the polarizing material that satisfies the refractive index and the extinction coefficient include molybdenum silicide-based materials (hereinafter sometimes referred to as MoSi-based materials) containing molybdenum (Mo) and silicon (Si) And the like. Of these, a molybdenum silicide-based material is preferable. It is easy to adjust the values of the refractive index and the extinction coefficient depending on the contents of Mo and Si, nitrogen, and oxygen contained in the molybdenum silicide-based material, and the refractive index and the extinction coefficient can be satisfied at the wavelength of the ultraviolet region . It is also suitable for orientation of a photo alignment film for a liquid crystal display device, because it has a light resistance against a short wavelength in the ultraviolet ray region.

또한, 몰리브덴실리사이드계 재료를 사용함으로써, 세선의 막 두께를 얇게 한 설계로 소광비를 높게 유지할 수 있고, 가공 정밀도도 우수한 것이 되어, 보다 세선화, 협피치화도 가능하게 되기 때문이다.Further, by using a molybdenum silicide-based material, the extinction ratio can be kept high by designing the thickness of the thin wire to be thinner, and the processing accuracy is also excellent, and further thinning and narrowing pitch can be achieved.

또한, 종래의 편광 재료로서 사용되고 있는 것으로 알려진 알루미늄재와 비교하여, 산이나 알칼리에 대한 내성이 우수하여, 세정하여 반복 사용할 수 있고, 액정 표시 장치용 등의 광 배향막의 배향용으로서 적합하기 때문이다.In addition, compared with an aluminum material known to be used as a conventional polarizing material, it is excellent in resistance to acid and alkali, can be used repeatedly and can be repeatedly used, and is suitable for orientation of a photo alignment film for a liquid crystal display device or the like .

상기 몰리브덴실리사이드계 재료로서는, 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si)을 포함하고, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 굴절률 및 소쇠 계수를 만족할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것이 아니며, 예를 들어 몰리브덴실리사이드(MoSi), 몰리브덴실리사이드 산화물(MoSiO), 몰리브덴실리사이드 질화물(MoSiN), 몰리브덴실리사이드 산화질화물(MoSiON) 등을 들 수 있다. 상기 재료임으로써, 소광비를 우수하게 할 수 있기 때문이다.The molybdenum silicide-based material is not particularly limited as long as it contains molybdenum (Mo) and silicon (Si) and can satisfy a refractive index and an extinction coefficient capable of obtaining a desired extinction ratio. Examples of the molybdenum silicide material include molybdenum silicide (MoSi) Molybdenum silicide oxide (MoSiO), molybdenum silicide nitride (MoSiN), molybdenum silicide oxide nitride (MoSiON), and the like. The reason for this is that the extinction ratio can be made excellent.

상기 편광 재료는, 편광 재료층의 주 원료로서 함유되는 것이다.The polarizing material is contained as a main raw material of the polarizing material layer.

여기서, 주 원료로서 함유된다는 것은, 구체적으로는, 상기 편광 재료층 중의 편광 재료의 함유량이 70질량％ 이상임을 말하는 것이며, 그 중에서도 본 발명에 있어서는 90질량％ 이상인 것이 바람직하고, 특히 100질량％, 즉, 상기 편광 재료층이 상기 편광 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 함유량임으로써, 상기 소광비로 하는 것이 용이하기 때문이다.Specifically, the content of the main raw material means that the content of the polarizing material in the polarizing material layer is 70 mass% or more, and in the present invention, it is preferably 90 mass% or more, more preferably 100 mass% That is, it is preferable that the polarizing material layer includes the polarizing material. This is because it is easy to set the extinction ratio to the above content.

또한, 상기 함유량의 측정 방법으로서는, 함유량을 고정밀도로 측정할 수 있는 방법이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 상기 세선의 단면에 대해서, XPS 표면 분석을 행하는 방법을 들 수 있다.The method for measuring the content is not particularly limited as long as the content can be measured with high accuracy. For example, XPS surface analysis may be performed on the section of the fine wire.

상기 편광 재료층에 포함되는 편광 재료의 종류로서는, 1종만으로 이루어지는 것이어도 되고, 2종류 이상을 조합한 것이어도 된다. 또한, 2종류 이상의 편광 재료를 사용하는 경우, 편광 재료층은 단일층이어도 되고, 각 편광 재료를 포함하는 층을 조합한 복수의 층을 포함하는 것이어도 된다.The type of the polarizing material contained in the polarizing material layer may be one kind alone, or two or more kinds may be combined. When two or more types of polarizing materials are used, the polarizing material layer may be a single layer, or may include a plurality of layers in which layers containing respective polarizing materials are combined.

본 발명에 있어서는, 그 중에서도, 편광 재료층이 1종류의 편광 재료를 포함하는 단일층인 것이 바람직하다. 단일층임으로써, 제조, 가공을 행하기 쉽고, 안정되게 고정밀도의 편광자를 제조할 수 있다.In the present invention, among them, the polarizing material layer is preferably a single layer containing one kind of polarizing material. By being a single layer, it is possible to manufacture a polarizer easily and stably and precisely with high precision.

상기 편광 재료층의 상기 세선 중의 함유량으로서는, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니다.The content of the polarizing material layer in the fine lines is not particularly limited as long as a desired extinction ratio can be obtained.

구체적으로는, 상기 편광 재료층의 상기 세선 중의 함유량이 80질량％ 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 90질량％ 이상인 것이 바람직하며, 특히 100질량％, 즉, 상기 세선이 상기 편광 재료층만 포함하는 것이 바람직하다. 상기 함유량임으로써, 상기 소광비로 하는 것이 용이하기 때문이다.Specifically, the content of the polarizing material layer in the fine lines is preferably 80 mass% or more, more preferably 90 mass% or more, particularly 100 mass%, that is, the thin line includes only the polarizing material layer desirable. This is because it is easy to set the extinction ratio to the above content.

또한, 상기 함유량은, 상기 세선의 폭 방향의 단면에서 차지하는 편광 재료층의 질량 비율을 말하는 것이며, 이 측정 방법으로서는, 상기 함유량을 고정밀도로 측정할 수 있는 방법이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 상기 편광 재료의 함유량의 측정 방법과 마찬가지의 방법을 사용할 수 있다.The content is the mass ratio of the polarizing material layer occupying the cross section in the width direction of the fine wire. The measuring method is not particularly limited as long as the method can measure the content with high accuracy. For example, A method similar to the method of measuring the content of the polarizing material can be used.

상기 편광 재료층의 단면으로 본 형상으로서는, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 정사각형이나 직사각형 등의 사각 형상 등으로 할 수 있다.The cross-sectional shape of the polarizing material layer is not particularly limited as long as a desired extinction ratio can be obtained. For example, it may be a quadrangular shape such as a square or a rectangle.

(2) 세선(2) Fine wire

본 발명에 있어서의 세선은, 상기 편광 재료층을 적어도 갖는 것이며, 상기 편광 재료층만을 갖는 것이어도 되지만, 필요에 따라 상기 편광 재료 이외의 다른 재료를 주원료로서 포함하는 비편광 재료층을 갖는 것이어도 된다.The fine wire in the present invention has at least the polarizing material layer and may have only the polarizing material layer, but may have a non-polarizing material layer containing a material other than the polarizing material as an essential material do.

상기 비편광 재료층에 포함되는 다른 재료로서는, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 상기 편광 재료로서 몰리브덴실리사이드계 재료를 사용하는 경우에는, 산화규소 등을 들 수 있다. 상기 편광 재료로서 몰리브덴실리사이드계 재료를 포함하는 몰리브덴실리사이드계 재료층 위에 비편광 재료로서 산화규소를 함유하는 산화규소층이 형성된 것인 경우, 몰리브덴실리사이드계 재료막을 건식 에칭하는 방법에 의해 상기 구조의 세선을 얻을 수 있고, 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층을 포함하는 세선의 형성이 용이하여 보호막으로서도 기능하기 때문이다.Other materials included in the non-polarizing material layer are not particularly limited as long as a desired extinction ratio can be obtained. For example, in the case of using a molybdenum silicide-based material as the polarizing material, silicon oxide and the like can be mentioned. When the silicon oxide layer containing silicon oxide is formed as a non-polarizing material on the molybdenum silicide-based material layer containing the molybdenum silicide-based material as the polarizing material, the molybdenum silicide-based material film is dry- This is because it is easy to form fine wires including the molybdenum silicide-based material layer and also functions as a protective film.

상기 편광 재료층이 편광 재료로서 몰리브덴실리사이드계 재료를 포함하는 몰리브덴실리사이드계 재료층이며, 상기 비편광 재료층이 비편광 재료로서 산화규소를 함유하는 산화규소층인 경우, 산화규소층의 형성 지점으로서는, 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층 위에 형성될 수 있고, 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층이 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 경우에는, 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층의 상기 투명 기판측 표면 이외의 전체 표면을 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층을 포함하는 세선의 형성이 용이하기 때문이다.When the polarizing material layer is a molybdenum silicide-based material layer containing a molybdenum silicide-based material as a polarizing material, and the non-polarizing material layer is a silicon oxide layer containing silicon oxide as a non-polarizing material, Based material layer may be formed on the molybdenum silicide-based material layer, and when the molybdenum silicide-based material layer is formed on the transparent substrate, the molybdenum silicide-based material layer is formed so as to cover the entire surface other than the transparent- . And the formation of fine lines including the molybdenum silicide-based material layer is easy.

상기 산화규소층의 막 두께로서는, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 높은 소광비로 하는 관점에서는 얇을수록 바람직하고, 예를 들어 10㎚ 이하인 것이 바람직하며, 그 중에서도 6㎚ 이하인 것이 바람직하며, 특히 4㎚ 이하인 것이 바람직하다. 상기 막 두께임으로써, 소광비를 우수하게 할 수 있기 때문이다. 또한, 상기 막 두께의 하한에 대해서는, 얇을수록 바람직하기 때문에 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제조가 용이한 점에서, 2㎚ 이상인 것이 바람직하다.The film thickness of the silicon oxide layer is not particularly limited as long as a desired extinction ratio can be obtained. From the viewpoint of achieving a high extinction ratio, the film thickness is preferably as small as possible, for example, 10 nm or less, And particularly preferably 4 nm or less. This is because the film thickness can make the extinction ratio excellent. The lower limit of the film thickness is not particularly limited because it is preferable that the thickness is thinner, but it is preferably 2 nm or more from the viewpoint of easy production.

또한, 상기 산화규소층의 막 두께는, 상기 편광 재료층 표면으로부터의 두께의 최대 두께를 말하는 것이며, 구체적으로는 도 2 중의 d로 표시되는 두께를 말하는 것이다.Further, the film thickness of the silicon oxide layer refers to the maximum thickness of the thickness from the surface of the polarizing material layer, and specifically refers to the thickness indicated by d in Fig. 2.

또한, 막 두께의 측정 방법으로서는, 편광자의 분야에 있어서의 일반적인 측정 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어 AFM에 의해 막 표층의 형상을 측정하고, 투과형 엘립소미터로 편광 특성을 측정함으로써, 막을 구성하는 조성과 각각의 막 두께를 얻을 수 있다.As a method of measuring the film thickness, a general measuring method in the field of the polarizer can be used. For example, by measuring the shape of the film surface layer by AFM and measuring the polarization characteristic by a transmission type ellipsometer, And the respective film thicknesses can be obtained.

상기 세선의 막 두께로서는, 원하는 소광비를 갖게 할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 막 두께가 두꺼울수록 소광비가 높아지고, 막 두께가 얇을수록 P파 투과율이 높아지는 경향이 있는 점에서, 소광비 및 P파 투과율의 밸런스를 고려하여 설정할 수 있다.The thickness of the fine wire is not particularly limited as long as it can provide a desired extinction ratio. However, since the extinction ratio increases as the film thickness becomes thicker and the P wave transmittance tends to increase as the film thickness becomes thinner, It can be set in consideration of the balance of transmittance.

본 발명에 있어서는, 상기 막 두께는, 60㎚ 내지 180㎚의 범위 내인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 80㎚ 내지 160㎚의 범위 내인 것이 바람직하고, 100㎚ 내지 150㎚의 범위인 것이 특히 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the film thickness is within the range of 60 nm to 180 nm. Among them, it is preferable that it is in the range of 80 nm to 160 nm, particularly preferably in the range of 100 nm to 150 nm.

또한, 막 두께를 낮게 억제함으로써, 포토리소그래피나 임프린트리소그래피 등에 의한 레지스트 패턴 형성이나, 에칭 가공 시의 정밀도가 향상되어, 정밀도가 높은 편광자를 제작 가능하게 된다. 또한, 메가소닉을 사용한 초음파 세정 등의 물리적 세정의 내성도 향상된다.Further, by suppressing the film thickness to a low level, the resist pattern formation by photolithography, imprint lithography, or the like is improved and the precision in etching processing is improved, and a polarizer with high precision can be manufactured. Also, resistance to physical cleaning such as ultrasonic cleaning using megasonic is improved.

또한, 상기 세선의 막 두께는, 세선의 길이 방향 및 폭 방향에 수직인 방향의 두께 중 최대의 두께를 말하는 것이며, 세선이 비편광 재료층을 갖는 경우에는, 비편광 재료층도 포함하는 막 두께를 말하는 것이다. 구체적으로는 도 2 중의 a로 표시되는 두께를 말하는 것이다.The thickness of the fine wire refers to the maximum thickness among the thicknesses in the direction perpendicular to the longitudinal direction and the width direction of the fine wire. In the case where the thin wire has the non-polarizing material layer, . Specifically, it refers to the thickness indicated by "a" in FIG.

또한, 상기 세선의 막 두께는 하나의 편광자 내에 상이한 막 두께의 것을 포함하는 것이어도 되지만, 통상적으로 동일 막 두께로 형성된다.Further, the thin wire may have a different film thickness in one polarizer, but is usually formed to have the same film thickness.

상기 세선의 폭으로서는, 원하는 소광비를 갖게 할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 폭이 넓을수록 소광비가 높아지고, 폭이 넓을수록 P파 투과율이 낮아지는 경향이 있는 점에서, P파의 투과율과 소광비의 밸런스를 고려하여, 예를 들어 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내로 할 수 있다.The width of the fine wire is not particularly limited as long as it can provide a desired extinction ratio. However, since the extinction ratio increases as the width increases and the P wave transmittance tends to decrease as the width increases, the transmittance and the extinction ratio For example, within a range of 30 nm to 80 nm.

또한, 상기 세선의 폭은, 세선의 길이 방향에 수직 방향의 길이를 말하는 것이며, 세선이 비편광 재료층을 포함하는 경우에는, 비편광 재료층도 포함하는 폭을 말하는 것이다. 구체적으로는 도 2 중의 b로 표시되는 길이를 말하는 것이다.In addition, the width of the fine lines refers to the length in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the fine lines, and when the fine lines include the non-polarizing material layer, it refers to the width including the non-polarizing material layer. Specifically, it refers to the length indicated by b in Fig.

또한, 상기 세선의 폭은 하나의 편광자 내에 상이한 폭의 것을 포함하는 것이어도 되지만, 통상적으로 동일 폭으로 형성된다.In addition, the width of the fine lines may be different in width within one polarizer, but is usually formed to have the same width.

상기 세선의 듀티비, 즉, 피치에 대한 세선의 폭의 비(폭/피치)로서는, 원하는 소광비를 갖게 할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 0.25 내지 0.70의 범위 내로 할 수 있고, 그 중에서도 0.30 내지 0.50의 범위 내인 것이 바람직하며, 특히 0.30 내지 0.40의 범위 내인 것이 바람직하다. 듀티비가 상기 범위임으로써, 소광비와 P파 투과율의 양쪽을 양호한 값으로 할 수 있기 때문이다.The ratio (width / pitch) of the duty ratio of the fine wire, that is, the width of the fine wire to the pitch is not particularly limited as long as it can provide a desired extinction ratio, but may be within a range of 0.25 to 0.70, Among them, it is preferable that the ratio is within the range of 0.30 to 0.50, particularly preferably within the range of 0.30 to 0.40. When the duty ratio is in the above range, both the extinction ratio and the P-wave transmittance can be made good values.

상기 세선의 피치로서는, 원하는 소광비를 갖게 할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니며, 직선 편광의 생성에 사용하는 광의 파장 등에 따라서 상이한 것이지만, 상기 광의 파장의 절반 이하로 할 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 광이 자외광일 경우에는, 상기 피치는, 예를 들어 80㎚ 내지 150㎚의 범위 내로 할 수 있고, 그 중에서도 100㎚ 내지 120㎚의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 100㎚ 내지 110㎚의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 피치임으로써, 파장 300㎚ 이하의 광에 대해서도 소광비를 우수하게 할 수 있기 때문이다.The pitch of the fine lines is not particularly limited as long as the desired extinction ratio can be obtained. The pitch of the fine lines differs depending on the wavelength of light used for generating linearly polarized light, etc., but can be set to half or less of the wavelength of the light. More specifically, when the light is ultraviolet light, the pitch may be within a range of, for example, 80 to 150 nm, and more preferably within a range of 100 to 120 nm, To 110 nm. This is because the extinction ratio can be made excellent even for light having a wavelength of 300 nm or less.

또한, 상기 세선의 피치는, 폭 방향에 인접하는 세선 간의 피치의 최대 폭을 말하는 것이며, 세선이 비편광 재료층을 포함하는 경우에는, 비편광 재료층도 포함하는 것이다. 구체적으로는 도 2 중의 c로 표시되는 폭을 말하는 것이다.The pitch of the fine lines refers to the maximum width of the pitch between the fine lines adjacent in the width direction, and when the fine lines include the non-polarizing material layer, the non-polarizing material layer is also included. Specifically, it refers to the width indicated by c in Fig.

또한, 상기 세선의 피치는 하나의 편광자 내에 상이한 피치의 것을 포함하는 것이어도 되지만, 통상적으로 동일 피치로 형성된다.In addition, the pitch of the fine lines may be one having different pitches in one polarizer, but is usually formed at the same pitch.

상기 세선의 개수 및 길이로서는, 원하는 소광비를 갖게 할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 편광자의 용도 등에 따라서 적절히 설정되는 것이다.The number and length of the fine wires are not particularly limited as long as they can provide a desired extinction ratio, and they are appropriately set in accordance with the use of the polarizer of the present invention.

2. 투명 기판2. Transparent substrate

본 발명의 편광자는 상기 세선을 갖는 것인데, 통상적으로 상기 세선이 형성되는 투명 기판을 갖는 것이다.The polarizer of the present invention is one having the fine lines, and usually has a transparent substrate on which the fine lines are formed.

상기 투명 기판으로서는, 상기 세선을 안정적으로 지지할 수 있고, 광투과성이 우수한 것이며, 노광광에 의한 열화를 적게 할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 광학 연마된 합성 석영 유리, 형석, 불화 칼슘 등을 사용할 수 있는데, 통상적으로 다용되고 있으며 품질이 안정되어 있는 합성 석영 유리를 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 그 중에서도 합성 석영 유리를 바람직하게 사용할 수 있다. 품질이 안정되어 있으며, 또한 단파장의 광, 즉, 고에너지의 노광광을 사용한 경우에도 열화가 적기 때문이다.The transparent substrate is not particularly limited as long as it can stably support the thin wires and is excellent in light transmittance and can reduce deterioration due to exposure light. Examples of the transparent substrate include optically polished synthetic quartz glass, Calcium fluoride and the like can be used, and synthetic quartz glass which is commonly used and has stable quality can be mentioned. Among them, synthetic quartz glass can be preferably used in the present invention. This is because the quality is stable and the deterioration is small even when light of short wavelength, that is, exposure light of high energy is used.

상기 투명 기판의 두께로서는, 본 발명의 편광자의 용도나 사이즈 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다.The thickness of the transparent substrate can be appropriately selected in accordance with the use and size of the polarizer of the present invention.

3. 편광자3. Polarizer

본 발명의 편광자는, 상기 세선을 갖고, 파장 250㎚의 광의 소광비가 40 이상인 것이다.The polarizer of the present invention has the above fine lines and has an extinction ratio of light having a wavelength of 250 nm of 40 or more.

상기 파장 250㎚의 광의 소광비(P파 투과율/S파 투과율)로서는, 40 이상이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 50 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 60 이상인 것이 바람직하다. 상기 범위임으로써, 광 배향층에 대한 배향 규제력을 안정적으로 부여할 수 있기 때문이다.The extinction ratio (P wave transmittance / S wave transmittance) of the light having a wavelength of 250 nm is not particularly limited as far as it is 40 or more, but is preferably 50 or more, and more preferably 60 or more. This is because the alignment regulating force for the photo alignment layer can be stably provided in the above range.

또한, 상기 소광비에 대해서는 크면 클수록 바람직하므로, 특별히 상한이 한정되는 것은 아니다.The higher the extinction ratio is, the more desirable it is, and the upper limit is not particularly limited.

또한, 상기 소광비의 측정 방법은, 편광자의 분야에 있어서의 일반적인 측정 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어 자외광의 편광 특성을 측정하는 것이 가능한 투과형 엘립소미터, 예를 들어 울람사 제조 VUV-VASE 등의 투과형 엘립소미터를 사용함으로써 측정할 수 있다.The extinction ratio can be measured by a general measuring method in the field of the polarizer. For example, a transmission type ellipsometer capable of measuring the polarizing property of ultraviolet light, for example, VUV-VASE By using a transmission type ellipsometer.

상기 편광자의 P파 투과율(출사광 중의 P파 성분/입사광 중의 P파 성분)로서는, 원하는 소광비를 얻을 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 파장 250㎚의 광에 대하여 0.3 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 0.4 이상인 것이 바람직하며, 특히 0.6 이상인 것이 바람직하다. 상기 P파 투과율임으로써, 광 배향층에 대한 배향 규제력을 효율적으로 부여할 수 있기 때문이다.The P wave transmittance (P wave component in emitted light / P wave component in incident light) of the polarizer is not particularly limited as long as a desired extinction ratio can be obtained, but is preferably 0.3 or more with respect to light having a wavelength of 250 nm, More preferably 0.4 or more, and particularly preferably 0.6 or more. This is because the P wave transmittance can efficiently impart the alignment regulating force to the photo alignment layer.

또한, P파 투과율의 측정 방법으로서는, 편광자의 분야에 있어서의 일반적인 측정 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어 자외광의 편광 특성을 측정하는 것이 가능한 투과형 엘립소미터, 예를 들어 울람사 제조 VUV-VASE 등의 투과형 엘립소미터를 사용함으로써 측정할 수 있다.As a method for measuring the P wave transmittance, a general measuring method in the field of the polarizer can be used. For example, a transmission type ellipsometer capable of measuring the polarizing characteristic of ultraviolet light, for example, VUV- Can be measured by using a transmission type ellipsometer such as VASE.

상기 편광자의 용도로서는, 자외선 영역과 같은 단파장 광의 직선 편광 생성용에 사용되는 것이 바람직하고, 그 중에서도, 파장 200㎚ 내지 400㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하다.The polarizer is preferably used for generating linearly polarized light of short wavelength light such as an ultraviolet ray region, and more preferably for producing linearly polarized light having a wavelength within a range of 200 nm to 400 nm.

광 배향막의 재료로서, 파장 260㎚ 정도의 광에서 배향되는 것, 300㎚ 정도의 광에서 배향되는 것, 365㎚ 정도의 광에서 배향되는 것이 알려져 있고, 재료에 따른 파장의 광원 램프가 사용되고 있다. 이들 광 배향막의 배향에 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층을 포함하는 편광자를 사용할 수 있기 때문이다.As materials of the photo alignment layer, it is known that they are oriented in the light having a wavelength of about 260 nm, oriented in the order of 300 nm, and oriented in the order of 365 nm, and a light source lamp having a wavelength depending on the material is used. And a polarizer including the molybdenum silicide-based material layer can be used for the alignment of these photo alignment layers.

또한, 상기 편광 재료의 굴절률이 2.0 내지 3.2의 범위 내이며, 또한 상기 편광 재료의 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 경우에는, 상기 편광자는 200㎚ 내지 400㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하고, 그 중에서도, 240㎚ 내지 400㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하고, 특히 240㎚ 내지 370㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하다. 상기 편광 재료인 경우에는, 상기 광의 파장이 상술한 범위 내에서 소광비 및 P파 투과율의 양자가 우수한 특성을 나타낼 수 있기 때문이다.When the refractive index of the polarizing material is in the range of 2.0 to 3.2 and the extinction coefficient of the polarizing material is in the range of 2.7 to 3.5, the polarizer is for generating linearly polarized light in the range of 200 nm to 400 nm Among these, it is preferable that the light is for linearly polarized light of the light in the range of 240 nm to 400 nm, particularly for the linearly polarized light of the light in the range of 240 to 370 nm. In the case of the above polarizing material, both of the extinction ratio and the P-wave transmittance can exhibit excellent characteristics within the above-mentioned range of the wavelength of the light.

자외선 영역에 있어서, 광범위하게 소광비와 P파 투과율이 양호해짐으로써, 감도 파장이 상이한 복수 종류의 광 배향막의 재료에도 동일한 재료의 편광자를 사용할 수 있기 때문이다.This is because a polarizer of the same material can be used for a material of a plurality of types of photo alignment films having different sensitivity wavelengths by making the extinction ratio and the P wave transmittance become wider in the ultraviolet region.

또한, 상기 편광 재료의 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 상기 편광 재료의 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 경우에는, 상기 편광자는 200㎚ 내지 350㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하고, 그 중에서도, 240㎚ 내지 300㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하고, 특히 240㎚ 내지 280㎚의 범위 내의 광의 직선 편광 생성용인 것이 바람직하다. 상기 편광 재료일 경우에는, 상기 광의 파장이 상술한 범위 내에서 소광비 및 P파 투과율의 양자가 우수한 특성을 나타낼 수 있고, 또한 편광광의 편광축 회전량을 작게 할 수 있기 때문이다. 특히, 파장 260㎚ 정도에서 배향하는 광 배향막의 재료에 적절하게 사용할 수 있기 때문이다.When the refractive index of the polarizing material is in the range of 2.3 to 2.8 and the extinction coefficient of the polarizing material is in the range of 1.4 to 2.4, the polarizer is for generating linearly polarized light in the range of 200 nm to 350 nm Among them, it is preferable to produce linearly polarized light with a wavelength in the range of 240 nm to 300 nm, particularly preferably to produce linearly polarized light with a wavelength in the range of 240 nm to 280 nm. In the case of the above polarizing material, both the extinction ratio and the P-wave transmittance can exhibit excellent characteristics within the above-mentioned range of the wavelength of the light, and the polarization axis rotation amount of the polarized light can be reduced. Particularly, it can be suitably used for a material of a photo alignment film oriented at a wavelength of about 260 nm.

또한, 소정의 파장 범위의 광의 직선 편광 생성용이란, 본 발명의 편광자에 조사되는 광이 상기 소정의 파장 범위의 광을 포함하는 것이면 되고, 그 중에서도, 소정의 파장 범위의 광을 주로 포함하는, 즉, 소정의 파장 범위의 광 에너지가 편광자에 조사되는 광의 전체 에너지의 50％ 이상인 것이 바람직하고, 특히 전체 에너지의 70％ 이상인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 전체 에너지의 90％ 이상인 것이 바람직하다.The ease of generating linearly polarized light in a predetermined wavelength range means that light to be irradiated to the polarizer of the present invention includes light in the above-mentioned predetermined wavelength range, and among these, light mainly containing light in a predetermined wavelength range, That is, it is preferable that the light energy in the predetermined wavelength range is 50% or more of the total energy of the light irradiated to the polarizer, more preferably 70% or more of the total energy, and particularly 90% or more of the total energy.

또한, 본 발명에 있어서는, 액정 표시 장치에 있어서 액정 재료를 끼움 지지하는 액정 표시 장치용 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여에 사용되는 것이 바람직하다. 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여를 효과적으로 행할 수 있기 때문이다.Further, in the present invention, it is preferable that the liquid crystal display device is used for imparting an alignment restricting force to a photo alignment film for a liquid crystal display device which supports and supports a liquid crystal material. It is possible to effectively apply the alignment restricting force to the photo alignment layer.

본 발명의 편광자의 제조 방법에 대하여 설명한다.A method for producing the polarizer of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 편광자의 제조 방법의 일례를 도시하는 공정도이다. 도 3에 예시하는 바와 같이, 먼저, 상기 편광자의 파장 250㎚의 광의 소광비를 40 이상으로 할 수 있는 상기 편광 재료의 굴절률 및 소쇠 계수를 시뮬레이션에 의해 결정하고, 그 굴절률 및 소쇠 계수를 만족하는 편광 재료를 선택한다(도시하지 않음). 이어서, 투명 기판(1)을 준비하고(도 3의 (a)), 상기 투명 기판 위에 스퍼터링법에 의해, 선택된 편광 재료를 포함하는 편광 재료막(3')을 형성함으로써 투명 기판 및 투명 기판 위에 형성되며, 편광 재료를 함유하는 편광 재료막을 갖는 편광자용 기판을 형성한다(도 3의 (b)).3 is a process diagram showing an example of a method for producing the polarizer of the present invention. As shown in Fig. 3, first, the refractive index and the extinction coefficient of the polarizing material, which can make the extinction ratio of the light of the wavelength of 250 nm of the polarizer 40 or more, be determined by simulation, and the polarized light satisfying the refractive index and the extinction coefficient A material is selected (not shown). Next, a transparent substrate 1 is prepared (FIG. 3A), and a polarizing film 3 'containing a selected polarizing material is formed on the transparent substrate by a sputtering method, And a polarizer substrate having a polarizing material film containing a polarizing material is formed (Fig. 3 (b)).

또한, 편광자용 기판으로서는, 편광 재료막(3') 위에 편광 재료 가공용 하드 마스크를 설치해도 된다(도시하지 않음).As the substrate for the polarizer, a hard mask for processing a polarizing material may be provided on the polarizing film 3 '(not shown).

이어서, 포토리소그래피법에 의해 패턴 형상 레지스트(11)를 형성하고, 패턴 형상 레지스트(11)를 마스크로 하여 에칭함으로써(도 3의 (c)), 편광 재료층(3)을 포함하는 세선(2)을 형성하는 것이다(도 3의 (d)).3 (c)), the patterned resist 11 is formed by the photolithography method and etched using the patterned resist 11 as a mask to form thin lines 2 (Fig. 3 (d)).

또한, 편광 재료층으로서의 몰리브덴실리사이드계 재료층(3)의 표면에 산화막을 형성함으로써 산화규소막(4)이 형성되는 것이어도 된다.Further, the silicon oxide film 4 may be formed by forming an oxide film on the surface of the molybdenum silicide-based material layer 3 as the polarizing material layer.

또한, 편광자용 기판이 편광 재료막 위에 형성된 하드 마스크를 갖는 경우에는, 레지스트(11)를 에칭 마스크로 하여 하드 마스크를 에칭하고, 패턴 형상으로 에칭된 하드 마스크를 에칭 마스크로 하여 편광 재료막을 에칭할 수 있다.When the polarizer substrate has a hard mask formed on the polarizing film, the hard mask is etched using the resist 11 as an etching mask, and the polarizing film is etched using the etched hard mask as an etching mask .

이렇게 하드 마스크를 에칭 마스크로 하여 사용함으로써, 편광 재료막의 미세한 패턴 가공이 보다 고정밀도로 가능하게 된다는 이점이 있다.By using the hard mask as an etching mask, there is an advantage that fine patterning of the polarizing film can be performed with higher accuracy.

그 후 하드 마스크를 박리함으로써 원하는 편광자가 얻어진다. 하드 마스크를 남긴 채로도 원하는 성능이 얻어지는 경우에는 하드 마스크를 남겨도 된다.Thereafter, the desired polarizer is obtained by peeling off the hard mask. If desired performance can be obtained with leaving the hard mask, a hard mask may be left.

상기 하드 마스크의 재료는, 편광 재료막이 몰리브덴실리사이드계 재료인 경우에는, 크롬계 재료를 사용할 수 있다. 크롬계 재료는 몰리브덴실리사이드계 재료의 에칭 시에 에칭 마스크로서 기능한다.When the polarizing film is a molybdenum silicide-based material, the material of the hard mask may be a chromium-based material. The chromium-based material functions as an etching mask at the time of etching the molybdenum silicide-based material.

크롬계 재료로서는, 크롬, 크롬 산화물, 크롬 질화물, 크롬 산화질화물 등을 들 수 있다.Examples of the chromium-based material include chromium, chromium oxide, chromium nitride, and chromium oxynitride.

하드 마스크의 두께는 편광 재료막의 에칭에 견디는 두께가 바람직하고, 편광 재료막이 100㎚ 정도인 경우, 5㎚ 내지 15㎚ 정도의 두께가 바람직하다.The thickness of the hard mask is preferably such that it can withstand the etching of the polarizing film, and when the polarizing film is about 100 nm, the thickness of the hard mask is preferably about 5 nm to 15 nm.

하드 마스크는 편광 재료막 위에 스퍼터링법 등으로 형성할 수 있다.The hard mask can be formed on the polarizing material film by a sputtering method or the like.

도 4는 본 발명에 따른 광 배향 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.4 is a diagram showing a configuration example of the photo-alignment apparatus according to the present invention.

도 4에 도시하는 광 배향 장치(20)는, 본 발명의 편광자(10)가 수용된 편광자 유닛(21)과 자외광 램프(22)를 구비하고 있고, 자외광 램프(22)로부터 조사된 자외광을 편광자 유닛(21)에 수용된 편광자(10)에 의해 편광하고, 이 편광된 광(편광광(24))을 워크(26)의 위에 형성된 광 배향막(25)에 조사함으로써, 광 배향막(25)에 배향 규제력을 부여하는 것이다.4 includes the polarizer unit 21 and the ultraviolet lamp 22 in which the polarizer 10 of the present invention is accommodated and the ultraviolet light irradiated from the ultraviolet lamp 22 Is polarized by the polarizer 10 housed in the polarizer unit 21 and the polarized light (polarized light 24) is irradiated to the photo alignment film 25 formed on the work 26, To give an alignment regulating force to the substrate.

또한, 광 배향 장치(20)에는, 광 배향막(25)을 형성한 워크(26)를 이동시키는 기구가 구비되어 있고, 워크(26)를 이동시킴으로써, 광 배향막(25)의 전체면에 편광광(24)을 조사할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시하는 예에 있어서, 워크(26)는 도면 중 우측 방향(도 4에 있어서의 화살표 방향)으로 이동한다.The optical alignment device 20 is provided with a mechanism for moving the work 26 on which the optical alignment film 25 is formed. By moving the work 26, (24). For example, in the example shown in Fig. 4, the work 26 moves in the right direction (arrow direction in Fig. 4) in the figure.

또한, 도 4에 도시하는 예에 있어서는, 워크(26)를 직사각 형상의 평판으로서 나타내고 있지만, 본 발명에 있어서, 워크(26)의 형태는, 편광광(24)을 조사할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 워크(26)는 필름 형상의 형태여도 되고, 또한 권취 가능하도록 띠 형상(웹 형상)의 형태여도 된다.4, the work 26 is shown as a rectangular flat plate. In the present invention, the shape of the work 26 is not particularly limited as long as it can irradiate the polarized light 24 For example, the work 26 may be in the form of a film, or may be in the form of a strip (web) so that it can be wound.

본 발명에 있어서, 자외광 램프(22)는, 파장이 240㎚ 이상 400㎚ 이하인 자외광을 조사할 수 있는 것이 바람직하고, 또한 광 배향막(25)은 파장이 240㎚ 이상 400㎚ 이하인 자외광에 대하여 감도를 갖는 것이 바람직하다. 광 배향 장치(20)는, 상기 파장 범위의 자외광에 대하여 소광비가 우수하고, 높은 P파 투과율을 갖는 본 발명에 따른 편광자(10)를 구비하고 있기 때문에, 상기 파장 범위의 자외광에 감도를 갖는 광 배향막에 배향 규제력을 부여하는 것을 효율적으로 행할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the ultraviolet light lamp 22 is capable of irradiating ultraviolet light having a wavelength of 240 nm or more and 400 nm or less, and the photo alignment film 25 is preferably an ultraviolet light having a wavelength of 240 nm or more and 400 nm or less It is preferable to have sensitivity to the above. Since the optical alignment device 20 is provided with the polarizer 10 according to the present invention having an excellent extinction ratio with respect to the ultraviolet light in the wavelength range and a high P wave transmittance, It is possible to efficiently impart the alignment regulating force to the photo alignment layer having the photo-alignment layer, and productivity can be improved.

또한, 자외광 램프(22)로부터의 광을 효율적으로 편광자에 조사하기 위해, 광 배향 장치(20)는, 자외광 램프(22)의 배면측(편광자 유닛(21)과는 반대측)이나 측면측에 자외광을 반사하는 반사경(23)을 갖고 있는 것이 바람직하다.In order to efficiently irradiate the polarizer with the light from the ultraviolet lamp 22, the photo aligner 20 is arranged on the back side (opposite to the polarizer unit 21) of the ultraviolet lamp 22, And a reflecting mirror 23 for reflecting ultraviolet light.

또한, 대면적의 광 배향막(25)에 대하여 효율적으로 배향 규제력을 부여하기 위해서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 자외광 램프(22)에 막대 형상의 램프를 사용하여, 워크(26)의 이동 방향(도 4에 있어서의 화살표 방향)에 대하여 직교하는 방향으로 긴 조사 영역이 되는 편광광(24)이 조사되도록, 광 배향 장치(20)를 구성하는 것이 바람직하다.4, in order to efficiently apply the alignment restricting force to the large-area photo alignment film 25, a rod-like lamp is used for the ultraviolet light lamp 22 to move the work 26 It is preferable to constitute the photo-alignment apparatus 20 so that the polarized light 24 that becomes a long irradiation region in a direction orthogonal to the direction (arrow direction in Figure 4) is irradiated.

이 경우, 편광자 유닛(21)도 대면적의 광 배향막(25)에 대하여 편광광(24)을 조사하기에 적합한 형태가 되지만, 대면적의 편광자를 제조하기에는 곤란성이 있기 때문에, 편광자 유닛(21) 내에 복수개의 편광자를 배치하는 것이, 기술적으로도 경제적으로도 바람직하다.In this case, the polarizer unit 21 is also suitable for irradiating the polarized light 24 with respect to the large-area photo alignment film 25. However, since there is a difficulty in manufacturing a large-area polarizer, It is technically and economically advantageous to dispose a plurality of polarizers in the liquid crystal layer.

또한, 본 발명에 따른 광 배향 장치는, 복수개의 자외광 램프를 구비하는 구성이어도 된다.Further, the photo-alignment apparatus according to the present invention may be configured to include a plurality of ultraviolet light lamps.

도 5는 본 발명에 따른 광 배향 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.5 is a diagram showing another example of the structure of the photo-alignment apparatus according to the present invention.

도 5에 도시하는 바와 같이, 광 배향 장치(30)는, 2개의 자외광 램프(32)를 구비하고 있고, 각 자외광 램프(32)와 워크(36)의 사이에는, 각각, 본 발명의 편광자(10)가 수용된 편광자 유닛(31)이 구비되어 있다. 또한, 각 자외광 램프(32)에는, 각각 반사경(33)이 구비되어 있다.5, the photo-alignment apparatus 30 is provided with two ultraviolet light lamps 32. Between the ultraviolet light lamps 32 and the workpiece 36, And a polarizer unit 31 accommodating the polarizer 10 is provided. Each of the ultraviolet lamps 32 is provided with a reflecting mirror 33.

이와 같이, 자외광 램프(32)를 복수개 구비함으로써, 자외광 램프(32)를 1개 구비하는 경우보다도, 워크(36) 위에 형성된 광 배향막(35)에 조사하는 편광광(34)의 조사량을 증가시킬 수 있다. 그로 인해, 자외광 램프(32)를 1개 구비하는 경우보다도, 워크(36)의 이동 속도를 크게 할 수 있고, 그 결과, 생산성을 향상시킬 수 있다.By providing a plurality of ultraviolet lamps 32 in this manner, the irradiation amount of the polarized light 34 irradiating the photo alignment film 35 formed on the work 36 can be made smaller than the irradiation amount of the polarizing light 34 irradiated to the work 36, . As a result, the moving speed of the work 36 can be increased more than when one ultraviolet lamp 32 is provided, and as a result, the productivity can be improved.

또한, 도 5에 도시하는 예에 있어서는, 워크(36)의 이동 방향(도 5에 있어서의 화살표 방향)으로 2개의 자외광 램프(32)를 병렬 배치한 구성을 나타내고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 예를 들어 워크(36)의 이동 방향에 직교하는 방향으로, 복수개의 자외광 램프를 배치한 구성이어도 되며, 또한 워크(36)의 이동 방향 및 그것에 직교하는 방향의 양쪽 방향으로, 복수개의 자외광 램프를 배치한 구성이어도 된다.5, the two ultraviolet lamps 32 are arranged in parallel in the moving direction of the work 36 (the arrow direction in Fig. 5). However, the present invention is not limited thereto A plurality of ultraviolet lamps may be arranged in a direction orthogonal to the moving direction of the work 36 and a plurality of ultraviolet lamps may be arranged in both directions of the moving direction of the work 36 and in a direction orthogonal thereto Or an ultraviolet lamp may be disposed.

또한, 도 5에 도시하는 예에 있어서는, 1개의 자외광 램프(32)에 대하여 1개의 편광자 유닛(31)이 배치된 구성을 나타내고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 예를 들어 복수개의 자외광 램프에 대하여 1개의 편광자 유닛이 배치된 구성이어도 된다. 이 경우, 1개의 편광자 유닛은, 복수개의 자외광 램프의 조사 영역을 포함할 수 있는 크기를 갖고 있으면 된다.In the example shown in Fig. 5, one polarizer unit 31 is disposed for one ultraviolet lamp 32. However, the present invention is not limited to this, and for example, And one polarizer unit may be disposed for an external light lamp. In this case, it suffices that one polarizer unit has a size capable of including an irradiation area of a plurality of ultraviolet light lamps.

도 6은 본 발명에 따른 광 배향 장치에 있어서의 편광자의 배치 형태의 예를 도시하는 도면이다. 또한, 도 6의 (a) 내지 (d)에 도시하는 편광자의 배치 형태는, 모두 평판 형상의 편광자(10)가 광 배향막의 막면에 대향하여 평면적으로 배열된 형태를 나타내고 있다.6 is a diagram showing an example of the arrangement of polarizers in the photo-alignment apparatus according to the present invention. The arrangements of the polarizers shown in Figs. 6 (a) to 6 (d) all show planar polarizers 10 arranged in a planar manner so as to face the film surface of the photo alignment film.

예를 들어, 도 4에 도시하는 광 배향 장치(20)에 있어서, 워크(26)의 이동 방향에 대하여 직교하는 방향으로 띠 형상의 편광광(24)을 조사하는 경우에는, 편광자 유닛(21) 내에는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 워크(26)의 이동 방향(화살표 방향)에 대하여 직교하는 방향으로, 편광자(10)를 복수개 배치하는 것이 효율적이다. 편광자(10)의 수를 적게 억제할 수 있기 때문이다.For example, in the photo-alignment apparatus 20 shown in Fig. 4, when the polarized light 24 is irradiated with the strip-shaped polarized light 24 in the direction orthogonal to the moving direction of the work 26, It is effective to arrange a plurality of polarizers 10 in a direction orthogonal to the movement direction (arrow direction) of the work 26, as shown in Fig. 6 (a). This is because the number of the polarizers 10 can be suppressed to a small degree.

한편, 편광자(10)의 면적이 작은 경우나, 광 배향 장치가 복수개의 자외광 램프를 구비하는 경우에는, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 워크의 이동 방향(화살표 방향)에 대하여 직교하는 방향 외에, 이동 방향(화살표 방향)을 따르는 방향으로도, 편광자(10)를 복수개 배치하는 것이 바람직하다. 자외광 램프로부터의 광을 낭비없이 광 배향막에 조사할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있기 때문이다.On the other hand, when the area of the polarizer 10 is small or when the photo-aligner includes a plurality of ultraviolet lamps, as shown in Fig. 6B, It is preferable to arrange a plurality of polarizers 10 also in the direction along the movement direction (the arrow direction) in addition to the orthogonal direction. The light from the ultraviolet lamp can be irradiated onto the photo alignment film without waste, and the productivity can be improved.

여기서, 본 발명에 있어서는, 도 6의 (c) 및 도 6의 (d)에 도시하는 바와 같이, 복수개 배치하는 편광자가, 워크의 이동 방향(화살표 방향)을 따라 일렬로 정렬되지 않도록, 인접하는 편광자의 위치를, 워크의 이동 방향에 직교하는 방향(도면 중의 상하 방향)으로 시프트시켜서 배치하는 것이 바람직하다.Here, in the present invention, as shown in Fig. 6 (c) and Fig. 6 (d), a plurality of polarizers are arranged so as to be aligned in the moving direction It is preferable to arrange the position of the polarizer by shifting it in a direction perpendicular to the moving direction of the work (vertical direction in the figure).

다시 말해, 본 발명에 있어서는, 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서 인접하는 복수개의 편광자 간의 경계부가, 광 배향막의 이동 방향으로 연속적으로 이어지지 않도록, 복수개의 편광자가 배치되어 있는 것이 바람직하다.In other words, in the present invention, it is preferable that a plurality of polarizers are disposed so that the boundary portion between a plurality of polarizers adjacent to each other in the direction orthogonal to the moving direction of the photo alignment film does not continuously extend in the moving direction of the photo alignment film.

편광자 간의 경계부에 있어서는, 통상적으로 편광광이 발생하지 않기 때문에, 이 경계부가 광 배향막에 주는 폐해를 억제하기 때문이다.This is because, at the boundary between the polarizers, the polarized light is not normally generated, and therefore, the boundary is prevented from adversely affecting the photo alignment film.

여기서, 도 6의 (c)에 도시하는 배치 형태는, 배치되는 복수개의 편광자가, 모두 동일한 형상, 동일한 사이즈를 갖고, 좌우 방향에 있어서 인접하는 편광자의 상하 방향의 위치가, 편광자의 상하 방향 크기의 1/2 크기의 스텝으로 상하 방향으로 시프트하고 있는 배치 형태이다.Here, the arrangement shown in Fig. 6C is a configuration in which the plurality of polarizers to be arranged have the same shape and the same size, and the vertically adjacent positions of the polarizers adjacent to each other in the left-right direction are larger than the vertical size of the polarizer In the vertical direction.

또한, 도 6의 (d)에 도시하는 배치 형태는, 배치되는 복수개의 편광자가, 모두 동일한 형상, 동일한 사이즈를 갖고, 좌우 방향에 있어서 인접하는 편광자의 상하 방향의 위치가, 편광자의 상하 방향 크기의 1/2보다도 작은 스텝으로 상하 방향으로 시프트하고 있는 배치 형태이다.6 (d), the arrangement of the plurality of polarizers all having the same shape and the same size, and the position of the polarizer adjacent in the left-right direction in the up-and-down direction is smaller than the vertical size of the polarizer In the vertical direction.

상기에 대해서, 더 자세하게 설명한다.The above will be described in more detail.

도 6의 (c)에 도시하는 배치 형태에 있어서, 상하 방향에 인접 배치된 편광자(10a)와 편광자(10b)의 경계부(41)는, 좌우 방향에 배치된 편광자(10c)와 편광자(10d)에 의해, 좌우 방향으로 뻗어가는 것이 저지되고 있다.The boundary 41 between the polarizer 10a and the polarizer 10b disposed adjacent to each other in the up and down direction has the polarizer 10c and the polarizer 10d arranged in the left- It is prevented from extending in the lateral direction.

즉, 도 6의 (c)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 상하 방향에 인접 배치된 편광자 간의 경계부가 좌우 방향으로 연속적으로 이어져 가는 것을 저지하고 있다.That is, in the arrangement shown in Fig. 6 (c), the boundary between the polarizers arranged adjacent in the vertical direction is prevented from continuing in the left-right direction.

그로 인해, 도 6의 (c)에 도시하는 배치 형태를 채용하여, 광 배향막에 편광광을 조사하는 경우, 상기 편광자 간의 경계부에 기인하는 폐해가 광 배향막에 연속적으로 미치는 것을 억제할 수 있다.6 (c) is employed, when the polarized light is irradiated to the photo alignment film, it is possible to suppress the adverse effects caused by the boundary portion between the polarizers to be continuously applied to the photo alignment film.

마찬가지로, 도 6의 (d)에 도시하는 배치 형태에 있어서도, 상하 방향에 인접 배치된 편광자 간의 경계부가 좌우 방향으로 연속적으로 이어져 가는 것이 저지되고 있다.Similarly, in the arrangement shown in Fig. 6 (d), the boundary between the polarizers arranged adjacent in the up-and-down direction is prevented from continuously extending in the left-right direction.

그로 인해, 도 6의 (d)에 도시하는 배치 형태를 채용하여, 광 배향막에 편광광을 조사하는 경우, 상기 편광자 간의 경계부에 기인하는 폐해가 광 배향막에 연속적으로 미치는 것을 억제할 수 있다.6 (d) is employed, when the polarized light is irradiated to the photo alignment film, it is possible to suppress the adverse effects caused by the boundary portion between the polarizers to be continuously applied to the photo alignment film.

또한, 도 6의 (c)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 편광자의 상하 방향 크기의 1/2 크기의 스텝으로 상하 방향으로 시프트하고 있기 때문에, 좌우 방향(워크의 이동 방향)에 대하여 편광자 2개마다 경계부(41)의 상하 방향의 위치가 정렬되게 된다.Further, in the arrangement shown in Fig. 6C, since the polarizer is shifted in the vertical direction in steps of one-half the size of the vertical direction, two polarizers The positions of the boundary portions 41 in the vertical direction are aligned.

한편, 도 6의 (d)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 편광자의 상하 방향 크기의 1/2보다도 작은 스텝으로 상하 방향으로 시프트하고 있기 때문에, 경계부(42)의 상하 방향의 위치는 보다 정렬되기 어려워진다.On the other hand, in the arrangement shown in Fig. 6 (d), since the upper and lower directions are shifted in steps smaller than ½ of the vertical size of the polarizer, the positions of the boundary portions 42 in the vertical direction are more aligned It gets harder.

그로 인해, 도 6의 (d)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 상기 편광자 간의 경계부에 기인하는 폐해가 광 배향막에 연속적으로 미치는 것을, 보다 억제할 수 있다.Therefore, in the arrangement shown in Fig. 6 (d), it is possible to further suppress the adverse effect caused by the boundary portion between the polarizers to be continuously applied to the photo alignment film.

또한, 도 6의 (a) 내지 도 6의 (d)에 도시하는 예에 있어서는, 개개의 편광자는, 그 측면이 서로 접하게 배치되어 있지만, 본 발명은 이 형태에 한정되지 않고, 인접하는 편광자 간의 경계부가 간극을 갖고 있는 형태여도 된다.In the examples shown in Figs. 6A to 6D, the respective polarizers are arranged so that their side surfaces are in contact with each other. However, the present invention is not limited to this embodiment, The boundary may have a gap.

또한, 인접하는 편광자의 단부를 서로 중첩함으로써, 편광자 간의 경계부에 간극이 생기지 않는 형태로 해도 된다.Further, by overlapping the ends of the adjacent polarizers, a gap may not be formed at the boundary between the polarizers.

또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments. The above embodiment is an example, and anything that has substantially the same structure as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibits similar operational effects is included in the technical scope of the present invention.

[실시예][Example]

이하에 실시예를 나타내고, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

[실시예 1][Example 1]

막 두께가 80㎚, 폭 및 피치가 72㎚ 및 120㎚, 편광 재료를 포함하는 편광 재료층만을 포함하는 세선 모델에 대해서, 「회절 광학 소자의 수치 해석과 그 응용」(마루젠 출판, 코다테카시코 감수)에 기재된 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)에 기초하여, 굴절률 및 소쇠 계수에 대한 파장 250㎚의 광의 소광비의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.Numerical analysis of diffractive optical element and its application " (Maruzen Publishing Co., Ltd., Kodata Co., Ltd., Japan), for a thin line model having a film thickness of 80 nm, a width and a pitch of 72 nm and 120 nm and only a polarizing material layer containing a polarizing material Based on the RCWA (Rigorous Coupled Wave Analysis) described in U.S. Pat. The results are shown in Table 1 below.

표 1로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한 굴절률이 2.0 내지 3.0의 범위 내이며 또한 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 경우에 있어서, 소광비가 40 이상(200.4 내지 1203.8의 범위 내)의 값을 나타냈다.It can be seen from Table 1 that the extinction ratio was 40 or more (within the range of 200.4 to 1203.8) when the possible refractive index by the MoSi-based material was within the range of 2.0 to 3.0 and the extinction coefficient was within the range of 2.7 to 3.5.

[실시예 2][Example 2]

세선 모델을, 막 두께가 80㎚, 폭 및 피치가 60㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.A simulation similar to that of Example 1 was performed except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 80 nm, a width and a pitch of 60 nm and a pitch of 120 nm. The results are shown in Table 2 below.

표 2로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한 굴절률이 2.0 내지 3.0의 범위 내이며 또한 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 경우에 있어서, 소광비가 40 이상(72.9 내지 263.9의 범위 내)을 나타냈다.It can be seen from Table 2 that the extinction ratio is 40 or more (within the range of 72.9 to 263.9) when the possible refractive index by the MoSi-based material is within the range of 2.0 to 3.0 and the extinction coefficient is within the range of 2.7 to 3.5.

[실시예 3][Example 3]

세선 모델을, 막 두께가 80㎚, 폭 및 피치가 48㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 3에 나타낸다.Simulations similar to those of Example 1 were conducted except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 80 nm and a width and a pitch of 48 nm and 120 nm. The results are shown in Table 3 below.

표 3으로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한 소쇠 계수가 2.7 내지 3.1의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.2 내지 3.0의 범위 내인 경우(조건 3-1), 소쇠 계수가 3.2 내지 3.3의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.1 내지 3.0의 범위 내인 경우(조건 3-2), 또는 소쇠 계수가 3.4 내지 3.5의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.0 내지 3.0의 범위 내인 경우(조건 3-3)에 있어서, 소광비가 40 이상을 나타냈다. 또한, 구체적인 소광비로서는, 조건 3-1에서는 41.8 내지 85.1의 범위 내, 조건 3-2에서는 40.9 내지 79.7의 범위 내, 조건 3-3에서는 40.0 내지 80.1의 범위 내이며, 본 세선 모델 전체의 소광비의 값으로서는 40.0 내지 85.1의 범위 내를 나타냈다.It can be seen from Table 3 that when the extinction coefficient possible by the MoSi-based material is in the range of 2.7 to 3.1 and the refractive index is in the range of 2.2 to 3.0 (Condition 3-1), the extinction coefficient is within the range of 3.2 to 3.3, The extinction ratio was 40 or more in the case of the range of 2.1 to 3.0 (condition 3-2), or in the case where the extinction coefficient was in the range of 3.4 to 3.5 and the refractive index was in the range of 2.0 to 3.0 (condition 3-3) . The specific extinction ratio is in the range of 41.8 to 85.1 in the condition 3-1, in the range of 40.9 to 79.7 in the condition 3-2, and in the range of 40.0 to 80.1 in the condition 3-3, and the extinction ratio The value is within the range of 40.0 to 85.1.

[실시예 4][Example 4]

세선 모델을, 막 두께가 60㎚, 폭 및 피치가 72㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 4에 나타낸다.A simulation similar to that of Example 1 was performed except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 60 nm, a width and a pitch of 72 nm and a pitch of 120 nm. The results are shown in Table 4 below.

표 4로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한 굴절률이 2.0 내지 3.0의 범위 내이며 또한 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 경우에 있어서, 소광비가 40 이상(52.8 내지 309.6의 범위 내)을 나타냈다.From Table 4, the extinction ratio was 40 or more (within the range of 52.8 to 309.6) when the possible refractive index by the MoSi-based material was within the range of 2.0 to 3.0 and the extinction coefficient was within the range of 2.7 to 3.5.

[실시예 5][Example 5]

세선 모델을, 막 두께가 60㎚, 폭 및 피치가 60㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 5에 나타낸다.Simulations similar to those of Example 1 were conducted except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 60 nm and a width and a pitch of 60 nm and 120 nm. The results are shown in Table 5 below.

표 5로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한 소쇠 계수가 2.7 내지 2.9의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.4 내지 3.0의 범위 내인 경우(조건 5-1), 소쇠 계수가 3.0 내지 3.3의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.3 내지 3.0의 범위 내인 경우(조건 5-2), 또는 소쇠 계수가 3.4 내지 3.5의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.2 내지 3.0의 범위 내인 경우(조건 5-3)에 있어서, 소광비가 40 이상을 나타냈다. 또한, 구체적인 소광비로서는, 조건 5-1에서는 43.4 내지 85.1의 범위 내, 조건 5-2에서는 40.2 내지 78.1의 범위 내, 조건 5-3에서는 41.2 내지 76.9의 범위 내이며, 본 세선 모델 전체적으로는, 소광비의 값은 40.2 내지 85.1의 값을 나타냈다.It can be seen from Table 5 that when the extinction coefficient possible by the MoSi-based material is within the range of 2.7 to 2.9 and the refractive index is within the range of 2.4 to 3.0 (Condition 5-1), the extinction coefficient is within the range of 3.0 to 3.3, The extinction ratio was 40 or more in the case of the range of 2.3 to 3.0 (condition 5-2), or the extinction coefficient of 3.4 to 3.5 and the refractive index of 2.2 to 3.0 (condition 5-3) . The specific extinction ratio is in the range of 43.4 to 85.1 in the condition 5-1, in the range of 40.2 to 78.1 in the condition 5-2, and in the range of 41.2 to 76.9 in the condition 5-3, Value of 40.2 to 85.1.

[실시예 6][Example 6]

세선 모델을, 막 두께가 60㎚, 폭 및 피치가 48㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 6에 나타낸다.A simulation similar to that of Example 1 was performed except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 60 nm, a width and a pitch of 48 nm and a pitch of 120 nm. The results are shown in Table 6 below.

표 6으로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한, 굴절률이 2.0 내지 3.0의 범위 내이며 또한 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 경우에는 소광비 40 이상의 영역은 없었지만, 소쇠 계수가 1.5 내지 2.4의 범위 내이며 또한 굴절률이 2.6 내지 3.0의 범위 내의 일부의 조건에서 소광비가 40 이상(41.7 내지 493.0의 범위 내)을 나타냈다.It can be seen from Table 6 that when the MoSi-based material has a refractive index in a range of 2.0 to 3.0 and an extinction coefficient in a range of 2.7 to 3.5, there is no region having an extinction ratio of 40 or more, but an extinction coefficient is in a range of 1.5 to 2.4 An extinction ratio of 40 or more (within a range of 41.7 to 493.0) was exhibited under some conditions with a refractive index of 2.6 to 3.0.

[실시예 7][Example 7]

세선 모델을, 막 두께가 40㎚, 폭 및 피치가 72㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 7에 나타낸다.Simulations similar to those of Example 1 were conducted except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 40 nm and a width and a pitch of 72 nm and 120 nm. The results are shown in Table 7 below.

표 7로부터, MoSi계 재료에 의해 가능한 소쇠 계수가 3.0 내지 3.5의 범위 내이며 또한 굴절률이 3.0인 경우에 있어서, 소광비가 40 이상(40.0 내지 42.4의 범위 내)을 나타냈다.From Table 7, the extinction ratio was 40 or more (within the range of 40.0 to 42.4) when the extinction coefficient possible with the MoSi-based material was in the range of 3.0 to 3.5 and the refractive index was 3.0.

[참고예 1][Referential Example 1]

세선 모델을, 막 두께가 40㎚, 폭 및 피치가 60㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 8에 나타낸다.Simulations similar to those of Example 1 were conducted except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 40 nm, a width and a pitch of 60 nm and a pitch of 120 nm. The results are shown in Table 8 below.

표 8로부터, 소광비 40 이상을 나타내는 조건은 얻어지지 않았다.From Table 8, conditions showing an extinction ratio of 40 or more were not obtained.

[참고예 2][Reference Example 2]

세선 모델을, 막 두께가 40㎚, 폭 및 피치가 48㎚ 및 120㎚인 세선 모델로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 행하였다. 결과를 하기 표 9에 나타낸다.Simulations similar to those in Example 1 were conducted except that the thin line model was a thin line model having a film thickness of 40 nm, a width and a pitch of 48 nm and a pitch of 120 nm. The results are shown in Table 9 below.

표 9로부터, 소광비 40 이상을 나타내는 조건은 얻어지지 않았다.From Table 9, conditions showing extinction ratio of 40 or more were not obtained.

(시뮬레이션 정리)(Simulation theorem)

표 1 내지 9의 굴절률 및 소쇠 계수와 소광비와의 상관 관계를 나타내는 표로부터, 굴절률 및 소쇠 계수의 범위를 음영 표시 부분으로부터 선택함으로써 소광비를 40 이상으로 할 수 있음이 확인되었다.From the table showing the correlation between the refractive index and the extinction coefficient and the extinction ratio in Tables 1 to 9, it was confirmed that the extinction ratio can be set to 40 or more by selecting the range of the refractive index and the extinction coefficient from the shaded portion.

예를 들어, 실시예 1(막 두께 86㎛, 폭 72㎛, 피치 120㎛)의 세선(편광 재료층)의 경우에서는, 굴절률을 2 이상, 소쇠 계수 1.5 내지 3.5의 범위 내에서 소광비를 40 이상으로 할 수 있음이 확인되었다.For example, in the case of the fine line (polarizing material layer) of Example 1 (film thickness 86 m, width 72 m, pitch 120 m), the extinction ratio is set to 40 As shown in Fig.

[실시예 8][Example 8]

투명 기판으로서 막 두께 6.35㎜의 합성 석영 유리를 준비하고, 몰리브덴과 실리콘과의 혼합 타깃(Mo:Si=1:2mol％)을 사용해 아르곤 질소의 혼합 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링법에 의해, 몰리브덴실리사이드계 재료막으로서, 막 두께 120㎚의 질화된 몰리브덴실리사이드막을 형성하였다. 또한, 질소의 양은 Mo의 함유량의 절반 정도였다.Synthetic quartz glass having a film thickness of 6.35 mm was prepared as a transparent substrate and a molybdenum silicide-based material (Mo: Si = 1: 2 mol%) mixed with molybdenum and silicon was used in a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen by reactive sputtering As the material film, a nitrided molybdenum silicide film having a thickness of 120 nm was formed. In addition, the amount of nitrogen was about half of the Mo content.

또한 몰리브덴실리사이드막 위에 하드 마스크로서 산화 질화 크롬막을 7㎚로 스퍼터링법으로 형성하였다.Further, a chromium oxynitride film was formed as a hard mask on the molybdenum silicide film at 7 nm by sputtering.

이어서, 하드 마스크 위에 피치가 100㎚인 라인 앤드 스페이스 패턴을 갖는 패턴 형상 레지스트를 형성하였다. 그 후, 에칭가스로서 염소와 산소의 혼합 가스를 사용하여 크롬계 재료의 하드 마스크를 건식 에칭하고, 계속해서 SF₆을 사용하여, 몰리브덴실리사이드계 재료막을 건식 에칭하고, 그 후 하드 마스크를 박리함으로써, 편광자를 얻었다.Subsequently, a patterned resist having a line and space pattern with a pitch of 100 nm was formed on the hard mask. Thereafter, the hard mask of the chromium-based material is dry-etched using the mixed gas of chlorine and oxygen as the etching gas, and then the molybdenum silicide-based material film is dry-etched using SF ₆ , and then the hard mask is peeled off , And a polarizer was obtained.

얻어진 편광자의 세선의 폭, 두께 및 피치를 Vistec사 제조 SEM 측정 장치LWM9000과 VEECO사 제조 AFM 장치 DIMENSION-X3D에 의해 측정한 결과, 각각 34㎚, 120㎚ 및 100㎚였다.The width, thickness, and pitch of the fine lines of the obtained polarizer were measured by an SEM measuring apparatus LWM9000 manufactured by Vistec Corporation and an AFM apparatus DIMENSION-X3D manufactured by VEECO, respectively, and found to be 34 nm, 120 nm and 100 nm, respectively.

(세선의 구조 평가)(Structure evaluation of fine wire)

실시예 8의 편광자의 세선에 대하여 투과형 엘립소미터(울람사 제조 VUV-VASE)에 의해 구조를 평가하였다.The structure of the polariser of Example 8 was evaluated by a transmission type ellipsometer (VUV-VASE manufactured by Wollams).

그 결과, 상기 세선이, 폭 및 두께가 각각 29.8㎚ 및 115.8㎚인 몰리브덴실리사이드계 재료를 포함하는 몰리브덴실리사이드계 재료층과, 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층의 상면의 막 두께 및 측면의 막 두께가 각각 4.2㎚ 및 4.2㎚인 산화규소를 포함하는 산화막을 갖는 것이 확인되었다.As a result, it was found that the thin wires had a molybdenum silicide-based material layer including a molybdenum silicide-based material having a width and a thickness of 29.8 nm and a thickness of 115.8 nm, respectively, and a film thickness of the upper surface of the molybdenum silicide- It was confirmed to have an oxide film containing silicon oxide of 4.2 nm and 4.2 nm.

또한, 몰리브덴실리사이드계 재료층의 굴절률 및 소쇠 계수, 즉, 몰리브덴실리사이드계 재료(Mo:Si=1:2mol％)의 굴절률 및 소쇠 계수를, 투과형 엘립소미터(울람사 제조 VUV-VASE)를 사용하여 측정한 결과, 파장 250㎚에 있어서의 굴절률 n은 2.30이며, 파장 250㎚에 있어서의 소쇠 계수 k는 3.24였다. 또한, 파장 365㎚에서의 굴절률 n은 3.94이며, 소쇠 계수 k는 2.85였다.Further, the refractive index and the extinction coefficient of the molybdenum silicide-based material layer, that is, the refractive index and the extinction coefficient of the molybdenum silicide-based material (Mo: Si = 1: 2 mol%) were measured using a transmission type ellipsometer (VUV- As a result, the refractive index n at a wavelength of 250 nm was 2.30, and the extinction coefficient k at a wavelength of 250 nm was 3.24. The refractive index n at a wavelength of 365 nm was 3.94 and the extinction coefficient k was 2.85.

(P파 투과율 및 S파 투과율의 측정)(Measurement of P-wave transmittance and S-wave transmittance)

실시예 8의 편광자에 대하여 투과형 엘립소미터(울람사 제조 VUV-VASE)에 의해, 파장 200㎚ 내지 700㎚의 범위 내의 자외광의 P파 투과율(출사광 중의 P파 성분/입사광 중의 P파 성분) 및 S파 투과율(출사광 중의 S파 성분/입사광 중의 S파 성분)을 측정하고, 소광비(P파 투과율/S파 투과율)를 산출하였다. 결과를 표 10 및 도 7에 나타낸다.The P wave transmittance of ultraviolet light in a wavelength range of 200 nm to 700 nm (P wave component in emitted light / P wave component in incident light) was measured by a transmission type ellipsometer (VUV-VASE manufactured by Woolam Company) ) And an S wave transmittance (S wave component in emitted light / S wave component in incident light) were measured, and the extinction ratio (P wave transmittance / S wave transmittance) was calculated. The results are shown in Table 10 and FIG.

표 10 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 파장 240㎚ 내지 400㎚의 범위에서, 편광자의 P파 투과율은 70.5％ 이상이고, 소광비는 79.5 이상이었다.As shown in Table 10 and Fig. 7, the P wave transmittance of the polarizer was 70.5% or more and the extinction ratio was 79.5 or more in the wavelength range of 240 nm to 400 nm.

또한, 파장 240㎚ 내지 260㎚의 범위에서, 편광자의 P파 투과율은 70.5％ 이상이며, 소광비는 79.5 이상이었다.Further, at a wavelength in the range of 240 nm to 260 nm, the P wave transmittance of the polarizer was 70.5% or more, and the extinction ratio was 79.5 or more.

또한, 파장 280 내지 320㎚의 범위에서 편광자의 P파 투과율은 73.7％ 이상이며, 소광비는 208.5 이상이었다.The P wave transmittance of the polarizer was 73.7% or more and the extinction ratio was 208.5 or more in the wavelength range of 280 to 320 nm.

또한, 파장 355㎚ 내지 375㎚의 범위에서, 편광자의 P파 투과율은 79.6％ 이상이며, 소광비는 346.5 이상이었다.Further, at a wavelength of 355 nm to 375 nm, the P wave transmittance of the polarizer was 79.6% or more, and the extinction ratio was 346.5 or more.

광 배향막의 재료로서, 파장 260㎚ 정도의 광에서 배향되는 것, 300㎚ 정도의 광에서 배향되는 것, 365㎚ 정도의 광에서 배향되는 것이 알려져 있고, 이상의 성능에 따라, 각 종류의 광 배향막에 사용할 수 있으며, 특히 365㎚ 정도의 광에서 배향되는 광 배향막의 재료에 적절하게 사용할 수 있음이 확인되었다.It is known that the material of the photo alignment layer is oriented in the light having a wavelength of about 260 nm, the light is oriented in a wavelength of about 300 nm, and the light is in a wavelength of about 365 nm. And it can be suitably used for a material of a photo alignment layer oriented with light of about 365 nm.

또한, 파장 200㎚ 이상 600㎚ 이하의 범위에서, 실시예 8의 편광자의 S파 투과율은 8.44％ 이하이고, 소광비는 10.9 이상이었다.Also, in the wavelength range of 200 nm to 600 nm, the S wave transmittance of the polarizer of Example 8 was 8.44% or less and the extinction ratio was 10.9 or more.

또한, 파장 220㎚ 이상 500㎚ 이하의 범위에서, 실시예 8의 편광자의 S파 투과율은 2.69％ 이하이고, 소광비는 33.5 이상이었다.Further, in the wavelength range from 220 nm to 500 nm, the S wave transmittance of the polarizer of Example 8 was 2.69% or less and the extinction ratio was 33.5 or more.

실시예 8의 편광자는 파장 200㎚ 내지 600㎚ 정도까지 10 이상의 소광비를 유지하고 있음이 확인되었다.It was confirmed that the polarizer of Example 8 maintained an extinction ratio of 10 or more at a wavelength of about 200 nm to 600 nm.

일반적으로, 광 배향막의 흡수 스펙트럼은, 특정한 파장 범위에서 피크를 갖지만, 넓은 파장 범위에서 광을 흡수하는 것이 알려져 있다.In general, it is known that the absorption spectrum of a photo alignment film has a peak in a specific wavelength range, but absorbs light in a wide wavelength range.

그로 인해, 종래의 편광자에 있어서는, 소광비가 낮아지는 파장 범위의 광을 밴드 패스 필터에 의해 커트했었다. 예를 들어, 알루미늄으로 구성되는 세선을 구비한 편광자에서는, 300㎚ 이하의 파장 범위의 광을 커트하였고, 산화 티타늄으로 구성되는 세선을 구비한 편광자에서는, 300㎚ 이상의 파장 범위의 광을 커트했었다.Therefore, in the conventional polarizer, the light in the wavelength range where the extinction ratio is lowered is cut by the band-pass filter. For example, in the case of a polarizer provided with thin wires made of aluminum, light in a wavelength range of 300 nm or less was cut, and light in a wavelength range of 300 nm or more was cut in a polarizer having thin wires composed of titanium oxide.

그러나, 상기 방법에서는, 광의 커트에 의해, 광 배향막에 배향 규제력을 부여하는 효율도 저하되어 버린다는 문제가 있었다.However, in the above method, there is a problem that the efficiency of imparting alignment restraining force to the photo alignment layer is also lowered due to cutting of light.

한편, 본 발명의 편광자는, 상기와 같이 넓은 파장 범위에서 일정 이상의 소광비를 확보할 수 있기 때문에, 밴드 패스 필터를 사용할 필요는 없어지고, 넓은 파장 범위의 광을, 광 배향막에 대한 배향 규제력의 부여에 효율적으로 사용할 수 있음이 확인되었다.On the other hand, since the polarizer according to the present invention can secure an extinction ratio equal to or more than a certain level in a wide wavelength range as described above, it is not necessary to use a bandpass filter and the light in a wide wavelength range It is confirmed that the present invention can be used efficiently.

[실시예 9][Example 9]

도 8에 도시하는 편광자(10)에 대하여, 파장 250㎚의 광이, 세선이 형성된 측으로부터 방위각 45도, 입사각 60도로 입사하는 경우에 대해서, 「회절 광학 소자의 수치 해석과 그 응용」(마루젠 출판, 코다테카시코 감수)에 기재된 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)에 기초하는 시뮬레이션 모델을 제작하여, 편광 재료의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k와, 편광자로부터 출사되는 편광광의 편광축의 회전량(°)의 관계를 산출하였다. 결과를 하기 표 11 및 도 9에 나타낸다.For the polarizer 10 shown in Fig. 8, the case where light having a wavelength of 250 nm is incident at an azimuth angle of 45 degrees and an incident angle of 60 degrees from the side on which the fine line is formed is described in " Numerical Analysis of the Diffractive Optical Element and its Application " A Rigid Coupled Wave Analysis (RCWA) described in Jensen Publishing Co., Ltd., Kodada Kashiko Co., Ltd.) was manufactured, and the refractive index n and the extinction coefficient k of the polarizing material and the rotation amount of the polarization axis of the polarized light emitted from the polarizer ) Were calculated. The results are shown in Table 11 and FIG.

또한, 이 실시예 9의 시뮬레이션 모델에 있어서는, 계산을 용이하게 하기 위해서, 도 8에 도시하는 편광자(10)의 세선은, 편광 재료를 포함하는 편광 재료층(단층 구조)의 세선 모델로 하였다. 편광자(10)의 세선의 두께는 100㎚, 폭은 33㎚, 피치는 100㎚로 하였다.In the simulation model of the ninth embodiment, in order to facilitate the calculation, the thin line of the polarizer 10 shown in Fig. 8 is a thin line model of a polarizing material layer (single layer structure) including a polarizing material. The thickness of the thin line of the polarizer 10 was 100 nm, the width was 33 nm, and the pitch was 100 nm.

또한, 편광축의 회전량은, 입사광의 입사각이 0도인 경우의 편광축의 방향을 기준으로 하여, 이 방향으로부터의 회전량(회전 각도)을 나타내고 있다.The rotation amount of the polarization axis indicates the rotation amount (rotation angle) from this direction with reference to the direction of the polarization axis when the incident angle of incident light is 0 degrees.

도 9에 나타내는 그래프에 있어서는, m, n, o, p, q 및 r로 표시되는 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위는, 각각, 방위각 45도이고 입사각 60도에 있어서의, 편광축의 회전량이 +6도 내지 +9도, +3도 내지 +6도, 0도 내지 +3도, -3도 내지 0도, -6도 내지 -3도 및 -9도 내지 -6도가 되는 범위를 나타내는 것이다. 따라서, 도 9에 나타내는 그래프에 있어서는, 방위각 45도이고 입사각 60도에 있어서의, 편광축의 회전량이 -3.0도 내지 +3.0도가 되는 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위를 백색 영역으로서 표시하고 있다. 또한, 상기 백색 영역의 대략 중앙을 통과하는 흑색선은, 편광축의 회전량이 0도가 되는 굴절률 n과 소쇠 계수 k를 나타내고 있다.9, the ranges of the refractive index n and the extinction coefficient k represented by m, n, o, p, q, and r are set such that the rotation amount of the polarization axis is +5 degrees at an azimuth angle of 45 degrees and an incident angle of 60 degrees, 6 degrees to +9 degrees, +3 degrees to +6 degrees, 0 degrees to +3 degrees, -3 degrees to 0 degrees, -6 degrees to -3 degrees, and -9 degrees to -6 degrees. Therefore, in the graph shown in Fig. 9, the range of the refractive index n and the extinction coefficient k at which the rotation amount of the polarization axis is -3.0 degrees to +3.0 degrees at an azimuth angle of 45 degrees and an incident angle of 60 degrees is shown as a white region. The black line passing substantially the center of the white region shows the refractive index n and the extinction coefficient k that the rotation amount of the polarization axis is 0 degrees.

한편, 편광축의 회전량이 -6.0도 내지 -3.0도가 되는 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위 및, 편광축의 회전량이 +3.0도 내지 +6.0도가 되는 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위는, 도 9에 나타내는 그래프에 있어서, 옅은 회색 영역으로 표시되어 있다.On the other hand, the range of the refractive index n and the extinction coefficient k in which the rotation amount of the polarization axis is -6.0 degrees to -3.0 degrees and the range of the refractive index n and the extinction coefficient k and the rotation amount of the polarization axis is +3.0 degrees to + In the graph, it is indicated by a light gray area.

표 11 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 세선(2)을 구성하는 편광 재료의 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위를 적절하게 선택함으로써, 편광자에 입사하는 광의 입사각이 커지는 경우에도, 편광광의 편광축의 회전을 억제할 수 있음이 확인되었다.As shown in Table 11 and Fig. 9, even when the incident angle of the light incident on the polarizer is increased by appropriately selecting the refractive index n and the range of the extinction coefficient k of the polarizing material constituting the fine line 2, Can be suppressed.

[실시예 10][Example 10]

이어서, 도 10에 도시하는 편광자(10)에 대하여, 파장 250㎚의 광이, 세선이 형성된 측으로부터 방위각 0도, 입사각 0도로 입사하는 경우에 대해서, 「회절 광학 소자의 수치 해석과 그 응용」(마루젠 출판, 코다테카시코 감수)에 기재된RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)에 기초하는 시뮬레이션 모델을 제작하여, 세선을 구성하는 편광 재료의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k와, 소광비의 관계를 산출하였다. 결과를 하기 표 12 및 도 11에 나타낸다.Next, with respect to the polarizer 10 shown in Fig. 10, the case where light having a wavelength of 250 nm is incident at an azimuth angle of 0 degrees and an incident angle of 0 degrees from the side on which the fine lines are formed is described in "Numerical Analysis of the Diffractive Optical Element and its Application" (Rigorous Coupled Wave Analysis) described in RCWA (Maruzen Publishing Co., Ltd., Koda Keisuke Co., Ltd.) was manufactured to calculate the relationship between the refractive index n, the extinction coefficient k and the extinction ratio of the polarizing material constituting the fine line . The results are shown in Table 12 and Fig.

또한, 이 실시예 10의 시뮬레이션 모델에 있어서는, 계산을 용이하게 하기 위해, 도 10에 도시하는 편광자(10)의 세선은, 편광 재료를 포함하는 편광 재료층(단층 구조)의 세선 모델로 하였다. 편광자(10)의 세선의 두께는 100㎚, 폭은 33㎚, 피치는 100㎚로 하였다.In the simulation model of the tenth embodiment, in order to facilitate the calculation, the thin line of the polarizer 10 shown in Fig. 10 is a thin line model of a polarizing material layer (single layer structure) including a polarizing material. The thickness of the thin line of the polarizer 10 was 100 nm, the width was 33 nm, and the pitch was 100 nm.

도 11에 있어서, s, t, u 및 v로 표시되는 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위는, 각각, 방위각 0도이고 입사각 0도에 있어서의, 소광비가 10⁴ 내지 10⁵, 10³ 내지 10⁴, 10² 내지 10³, 10 내지 10² 및 1 내지 10이 되는 범위를 나타내는 것이다.11, the ranges of the refractive index n and the extinction coefficient k represented by s, t, u, and v are set such that the extinction ratios at the azimuth angle of 0 degrees and the incident angle of 0 degrees are in the range of 10 ⁴ to 10 ⁵ , 10 ³ to 10 ⁴ , 10 ² to 10 ³ , 10 to 10 ^2, and 1 to 10.

또한, 표 11 및 표 12, 도 9 및 도 11에 기초하여, 각 굴절률 및 각 소쇠 계수와 편광축의 회전량의 관계와, 각 굴절률 및 각 소쇠 계수와 소광비의 관계를 비교하면, 굴절률이 동일하거나 또는 가까운 값에서는, 편광축 회전량이 최소가 되는 소쇠 계수보다 소쇠 계수가 높은 재료를 편광 재료로서 사용함으로써, 소광비를 높일 수 있음이 확인되었다.9 and 11, the relationship between the respective refractive indexes, the respective extinction coefficient and the rotation amount of the polarization axis, and the relationship between the respective refractive indices and the respective extinction coefficients and the extinction ratios are the same It has been confirmed that the extinction ratio can be increased by using a material having a lower extinction coefficient than the extinction coefficient at which the rotation angle of the polarization axis is minimum as a polarizing material.

몰리브덴실리사이드(MoSi)계 재료를 사용하는 경우, 조성의 조절이나, 산소나 질소의 함유량 조절에 의해, 파장 250㎚에 있어서의 굴절률 n과 소쇠 계수 k의 범위를, 2.2≤n≤3.0이며 0.7≤k≤3.5 정도의 범위로 할 수 있다. 그 중에서 높은 소광비를 실현하고, 편광축의 회전량도 동시에 억제할 수 있는 굴절률과 소쇠 계수는, 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 것이 확인되었다.When a molybdenum silicide (MoSi) -based material is used, the refractive index n and the extinction coefficient k at a wavelength of 250 nm are controlled within a range of 2.2? N? 3.0 and 0.7? k < / = 3.5. It was confirmed that the refractive index and the extinction coefficient that can realize a high extinction ratio and simultaneously suppress the rotation amount of the polarization axis are within the range of 2.3 to 2.8 and the extinction coefficient is within the range of 1.4 to 2.4.

그 중에서도 특히, 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 1.7 내지 2.2의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 굴절률이 2.4 내지 2.8의 범위 내이며, 또한 소쇠 계수가 1.8 내지 2.1의 범위 내라는 효과가 보다 현저해지는 것이 확인되었다.In particular, it is preferable that the refractive index is in the range of 2.3 to 2.8 and the extinction coefficient is in the range of 1.7 to 2.2, and in particular, the refractive index is in the range of 2.4 to 2.8 and the extinction coefficient is in the range of 1.8 to 2.1 It was confirmed that the effect becomes more remarkable.

[실시예 11][Example 11]

파장 250㎚에 있어서의 편광 재료의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k를, 각각, 2.66 및 1.94로 하고, 세선의 두께를 150㎚로 한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여, RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)에 기초하는 시뮬레이션 모델을 제작하여, 입사각(0°, 10°, 20°, 30°, 40° 및 50°)에 대한 편광자로부터 출사되는 편광광의 편광축의 회전량의 관계를 산출하였다. 결과를 도 12에 나타낸다.Rigorous Coupled Wave Analysis (RCWA) was performed in the same manner as in Example 9, except that the refractive index n and the extinction coefficient k of the polarizing material at a wavelength of 250 nm were set to 2.66 and 1.94, respectively, And the relationship of the rotation amount of the polarization axis of the polarized light emitted from the polarizer to the incident angles (0 deg., 10 deg., 20 deg., 30 deg., 40 deg. And 50 deg.) Was calculated. The results are shown in Fig.

[실시예 12][Example 12]

편광 재료의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k를, 각각 250㎚ 파장에 있어서의 굴절률 n을 2.66 및 소쇠 계수 k를 1.94로 하고, 세선의 두께를 170㎚로 한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여, 입사각(0°, 10°, 20°, 30°, 40° 및 50°)에 대한 편광자로부터 출사되는 편광광의 편광축의 회전량의 관계를 산출하였다. 결과를 도 12에 나타낸다.The refractive index n and the extinction coefficient k of the polarizing material were set to 2.66 and 250 nm respectively, and the thinning factor k was set to 1.94, and the thin line thickness was set to 170 nm. (0 DEG, 10 DEG, 20 DEG, 30 DEG, 40 DEG and 50 DEG) of the polarization axis of the polarized light emitted from the polarizer was calculated. The results are shown in Fig.

[실시예 13][Example 13]

편광 재료의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k를, 각각, 250㎚ 파장에 있어서의 굴절률 n을 2.29 및 소쇠 계수 k를 3.24로 하고, 세선의 두께를 100㎚로 한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여, 입사각(0°, 10°, 20°, 30°, 40° 및 50°)에 대한 편광자로부터 출사되는 편광광의 편광축의 회전량의 관계를 산출하였다. 결과를 도 12에 나타낸다.And the refractive index n and the extinction coefficient k of the polarizing material were set to 2.29 and 3.24, respectively, at a wavelength of 250 nm and 3.24, respectively, and the thickness of the fine line was 100 nm. The relationship of the rotation amount of the polarization axis of the polarized light emitted from the polarizer with respect to the incident angle (0 °, 10 °, 20 °, 30 °, 40 ° and 50 °) was calculated. The results are shown in Fig.

도 12로부터, 편광 재료가 몰리브덴실리사이드계 재료여도, 굴절률 및 소쇠 계수에 따라, 편광축의 회전량, 즉, 축 어긋남에 대한 영향도가 상이함이 확인되었다.It is confirmed from Fig. 12 that although the polarizing material is a molybdenum silicide-based material, the amount of rotation of the polarization axis, that is, the influence on the axis shift, differs depending on the refractive index and the extinction coefficient.

굴절률 n을 2.66 및 소쇠 계수 k를 1.94로 한 재료에서는, 폭넓은 입사 각도의 입사광에 대하여 편광축의 축 어긋남이 적은 것이 확인되었다.It was confirmed that the material having a refractive index n of 2.66 and an extinction coefficient k of 1.94 exhibited a small axial shift of the polarization axis with respect to incident light with a wide incident angle.

[실시예 14][Example 14]

투명 기판으로서 막 두께 6.35㎜의 합성 석영 유리를 준비하고, 몰리브덴과 실리콘과의 혼합 타깃(Mo:Si=1mol％:2mol％)을 사용하여, 아르곤, 질소, 산소의 혼합 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링법에 의해, 몰리브덴실리사이드계 재료막을 형성하였다. 실시예 8의 막의 성막에 비해, 굴절률을 조정하기 위해 질소를 증가시키고, 소쇠 계수의 조절을 위해 산소를 약간 도입하였다. 막 두께는 100㎚로 하였다.Synthetic quartz glass having a film thickness of 6.35 mm was prepared as a transparent substrate and a mixed target of molybdenum and silicon (Mo: Si = 1 mol%: 2 mol%) was used for reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of argon, To form a molybdenum silicide-based material film. Compared to the film formation of Example 8, nitrogen was increased to adjust the refractive index, and oxygen was slightly introduced to adjust the extinction coefficient. The film thickness was set to 100 nm.

또한 몰리브덴실리사이드계 재료막 위에, 하드 마스크로서 산화 질화 크롬막을 7㎚로 스퍼터링법으로 형성하였다.On the molybdenum silicide-based material film, a chromium oxynitride film was formed to a thickness of 7 nm as a hard mask by a sputtering method.

이후에는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 에칭함으로써, 편광자를 얻었다.Thereafter, in the same manner as in Example 8, etching was performed to obtain a polarizer.

얻어진 편광자의 세선 폭, 두께 및 피치는, 각각 36㎚, 100㎚ 및 100㎚였다.Thin line width, thickness and pitch of the obtained polarizer were 36 nm, 100 nm, and 100 nm, respectively.

(세선의 구조 평가)(Structure evaluation of fine wire)

실시예 14의 편광자의 세선에 대하여 투과형 엘립소미터(울람사 제조 VUV-VASE)에 의해 구조를 평가하였다.The structure of the polariser of Example 14 was evaluated by a transmission type ellipsometer (VUV-VASE manufactured by Wollams).

그 결과, 상기 세선이, 폭 및 두께가 각각 31.8㎚ 및 95.8㎚의 몰리브덴실리사이드계 재료를 포함하는 몰리브덴실리사이드계 재료층과, 상기 몰리브덴실리사이드계 재료층의 상면의 막 두께 및 측면의 막 두께가 각각 4.2㎚ 및 4.2㎚인 산화규소를 포함하는 산화막을 갖는 것이 확인되었다.As a result, it was found that the thin wires had a molybdenum silicide-based material layer including a molybdenum silicide-based material having a width and a thickness of 31.8 nm and a thickness of 95.8 nm, respectively, and a film thickness of the upper surface of the molybdenum silicide- It was confirmed to have an oxide film containing silicon oxide of 4.2 nm and 4.2 nm.

또한, 몰리브덴실리사이드계 재료층의 굴절률 및 소쇠 계수, 즉, 몰리브덴실리사이드계 재료(Mo:Si=1mol％:2mol％)의 250㎚ 파장에 있어서의 굴절률 n은 2.66이며, 소쇠 계수 k는 1.94였다.In addition, the refractive index and the extinction coefficient of the molybdenum silicide-based material layer, that is, the refractive index n of the molybdenum silicide-based material (Mo: Si = 1 mol%: 2 mol%) at a wavelength of 250 nm was 2.66 and the extinction coefficient k was 1.94.

(P파 투과율 및 S파 투과율의 측정)(Measurement of P-wave transmittance and S-wave transmittance)

실시예 8과 마찬가지로 하여 P파 투과율 및 S파 투과율을 측정하고, 소광비를 산출하였다. 결과를 표 13 및 도 13에 나타낸다.The P wave transmittance and S wave transmittance were measured in the same manner as in Example 8, and the extinction ratio was calculated. The results are shown in Table 13 and Fig.

표 13 및 도 13에 나타내는 바와 같이, 파장 200㎚ 내지 350㎚의 범위에서 편광자의 P파 투과율은 48％ 이상이고, 소광비는 40 이상이었다. 그 중에서도, 240㎚ 내지 300㎚의 범위 내에 있어서 편광자의 P파 투과율은 61％ 이상이며, 소광비는 142 이상이었다. 특히, 240㎚ 내지 280㎚의 범위 내에 있어서 편광자의 P파 투과율은 61％ 이상이며, 소광비는 220 이상이었다.As shown in Table 13 and Fig. 13, the P wave transmittance of the polarizer was 48% or more and the extinction ratio was 40 or more in the wavelength range of 200 nm to 350 nm. Among them, the P wave transmittance of the polarizer was 61% or more and the extinction ratio was 142 or more in the range of 240 nm to 300 nm. Particularly, in the range of 240 nm to 280 nm, the P wave transmittance of the polarizer was 61% or more, and the extinction ratio was 220 or more.

본 실시예의 편광자는 특히, 파장 260㎚ 정도에서 배향하는 광 배향막의 재료에 적절하게 사용할 수 있음이 확인되었다.It has been confirmed that the polarizer of this embodiment can be suitably used for a material of a photo alignment layer oriented at a wavelength of about 260 nm.

1: 투명 기판
2: 세선
3: 편광 재료층
4: 비편광 재료층
10, 10a, 10b, 10c, 10d: 편광자
20, 30: 광 배향 장치
21, 31: 편광자 유닛
22, 32: 자외광 램프
23, 33: 반사경
24, 34: 편광광
25, 35: 광 배향막
26, 36: 워크
41, 42: 경계부1: transparent substrate
2: Fine wire
3: polarizing material layer
4: Non-polarizing material layer
10, 10a, 10b, 10c, 10d: Polarizer
20, 30: photo-alignment device
21, 31: Polarizer unit
22, 32: Ultraviolet light lamp
23, 33: reflector
24, 34: polarized light
25, 35: photo alignment film
26, 36: Work
41, 42:

Claims (11)

직선형으로 복수개가 병렬로 배치된 세선을 갖고,
상기 세선이, 편광 재료를 함유하는 편광 재료층을 갖고,
상기 편광 재료가 몰리브덴실리사이드계 재료이고,
파장 250㎚의 광의 소광비가 40 이상인 것을 특징으로 하는 편광자.A plurality of thin wires linearly arranged in parallel,
Wherein the thin line has a polarizing material layer containing a polarizing material,
Wherein the polarizing material is a molybdenum silicide-based material,
And an extinction ratio of light having a wavelength of 250 nm is 40 or more. 제1항에 있어서,
상기 편광자가 광 배향막에 대한 배향 규제력 부여용이며,
자외선 영역 파장의 광의 직선 편광 생성용인 것을 특징으로 하는 편광자.The method according to claim 1,
Wherein the polarizer is for imparting an alignment restricting force to the photo alignment layer,
Wherein the polarizer is for generating linearly polarized light of ultraviolet region wavelength light. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 편광 재료의 파장 250nm의 광의 굴절률이 2.0 내지 3.2의 범위 내이며,
상기 편광 재료의 파장 250nm의 광의 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 것을 특징으로 하는 편광자.3. The method according to claim 1 or 2,
The refractive index of light of the wavelength of 250 nm of the polarizing material is in the range of 2.0 to 3.2,
Wherein an extinction coefficient of the light having a wavelength of 250 nm of the polarizing material is in a range of 2.7 to 3.5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 편광 재료의 파장 250nm의 광의 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며,
상기 편광 재료의 파장 250nm의 광의 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 것을 특징으로 하는 편광자.3. The method according to claim 1 or 2,
The refractive index of light of the wavelength of 250 nm of the polarizing material is in the range of 2.3 to 2.8,
Wherein an extinction coefficient of light of a wavelength of 250 nm of the polarizing material is in the range of 1.4 to 2.4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 편광 재료층의 막 두께가 40㎚ 이상이고,
상기 편광 재료층 간의 피치가 150㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 편광자.3. The method according to claim 1 or 2,
The film thickness of the polarizing material layer is 40 nm or more,
And the pitch between the polarizing material layers is 150 nm or less. 투명 기판과,
상기 투명 기판 위에 형성되며, 편광 재료를 함유하는 편광 재료막을 갖고,
상기 편광 재료가 몰리브덴실리사이드계 재료이고,
상기 편광 재료막은, 파장 250nm의 광의 굴절률이 2.0 내지 3.2의 범위 내이며, 파장 250nm의 광의 소쇠 계수가 2.7 내지 3.5의 범위 내인 것을 특징으로 하는 편광자용 기판.A transparent substrate,
A polarizing material film formed on the transparent substrate and containing a polarizing material,
Wherein the polarizing material is a molybdenum silicide-based material,
Wherein the polarizing material film has a refractive index of light with a wavelength of 250 nm within a range of 2.0 to 3.2 and an extinction coefficient of light with a wavelength of 250 nm within a range of 2.7 to 3.5. 투명 기판과,
상기 투명 기판 위에 형성되며, 편광 재료를 함유하는 편광 재료막을 갖고,
상기 편광 재료가 몰리브덴실리사이드계 재료이고,
상기 편광 재료막은, 파장 250nm의 광의 굴절률이 2.3 내지 2.8의 범위 내이며, 파장 250nm의 광의 소쇠 계수가 1.4 내지 2.4의 범위 내인 것을 특징으로 하는 편광자용 기판.A transparent substrate,
A polarizing material film formed on the transparent substrate and containing a polarizing material,
Wherein the polarizing material is a molybdenum silicide-based material,
Wherein the polarizing material film has a refractive index of light of a wavelength of 250 nm within a range of 2.3 to 2.8 and an extinction coefficient of light of a wavelength of 250 nm within a range of 1.4 to 2.4. 자외광을 편광하여 광 배향막에 조사하는 광 배향 장치이며,
제1항 또는 제2항에 기재된 편광자를 구비하고,
상기 편광자에 의해 편광된 광을 상기 광 배향막에 조사하는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치.A photo-alignment apparatus for polarizing ultraviolet light and irradiating the photo-
A liquid crystal display comprising a polarizer according to any one of claims 1 to 3,
And the light polarized by the polarizer is irradiated to the photo alignment layer. 제8항에 있어서,
상기 광 배향막을 이동시키는 기구가 구비되어 있고,
상기 편광자가 상기 광 배향막의 이동 방향 및 상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향의 양방향으로 복수개 구비되어 있고,
상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서 인접하는 상기 복수개의 편광자 간의 경계부가, 상기 광 배향막의 이동 방향으로 연속적으로 이어지지 않도록, 상기 복수개의 편광자가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치.9. The method of claim 8,
A mechanism for moving the photo alignment layer is provided,
A plurality of polarizers are provided in both directions of the direction of movement of the photo alignment layer and the direction perpendicular to the movement direction of the photo alignment layer,
Wherein the plurality of polarizers are arranged such that a boundary portion between the plurality of polarizers adjacent to each other in a direction orthogonal to the moving direction of the photo alignment film does not continuously extend in the moving direction of the photo alignment film. 삭제delete 삭제delete

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