KR101825461B1 - 열전효과를 이용하는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법 - Google Patents

열전효과를 이용하는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101825461B1
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김태완
강상우
김용규
권수용
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한국표준과학연구원
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Abstract

본 발명은 웨이퍼(10) 상에 열전부(20)가 설치되어 웨이퍼(10)의 가장자리와 중심의 온도차에 의해 열전부(20)를 통하여 전력을 얻는 온-웨이퍼 전력공급장치(1)에 관한 것으로서, 열전부(20)는 다른 열전특성을 갖는 제1물질층(21)과 제2물질층(22)이 옆으로 교번하여 배치되면서 서로 직렬적으로 연결되어 이루어지고, 제1물질층(21)과 제2물질층(22)의 연결접점들(23)이 웨이퍼(10) 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번해 가면서 위치하도록 배치되어 열전부(20)가 구불구불한 형상을 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼(10) 상에 서로 다른 열전특성을 갖는 물질을 설치하여 전력을 얻기 때문에 배터리 없이도 동력원(예컨대 무선통신 동력원)을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 높은 온도 환경에서도 이러한 동력원의 획득이 가능하다는 장점이 있다.

Description

열전효과를 이용하는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법{On-wafer power supply using thermoelectric effect and method for fabricating the same}
본 발명은 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 열전효과를 이용하여 배터리 없이 전력을 얻는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정에서 웨이퍼는 서셉터 상에 올려 놓인 상태에서 서셉터로부터 열을 전달받아 가열된다. 이 때 서셉터에서 웨이퍼로 열이 전도되는 과정에서 열 손실이 발생되므로 서셉터와 웨이퍼 사이에 온도 차이가 나게 된다. 예컨대, 서셉터의 온도를 1000℃로 세팅하더라도 웨이퍼의 실제 온도는 이 보다 못할 수 있다는 것이다. 따라서 웨이퍼의 실제 온도를 정확히 파악할 필요가 있다.
뿐만 아니라 웨이퍼 내에서의 온도 균일성이 떨어지면 부분별로 공정조건이 달라지는 결과가 되어 공정 신뢰도 및 생산 수율이 떨어지게 된다. 따라서 웨이퍼의 전면적에 대한 온도 균일성을 파악하는 것도 매우 중요하다.
이러한 일환으로 외관상 공정 웨이퍼와 동일한 형태를 하는 여러 가지 온-웨이퍼 센서(on-wafer sensor)가 제안되었다.
일본 특개 제2000-31231호(2000.1.28.공개)에 개시된 '웨이퍼 온도측정 장치', 미국 특허 제7,540,188호(2009.6.2.등록)에 개시된 '공정조건 측정장치', 대한민국 공개특허 제2000-33717호(2000.06.15.공개)에 개시된 '온도센서용 웨이퍼', 대한민국 등록특허 제387449호(2003.06.18.공고)에 개시된 '온도분포 계측용 웨이퍼 센서' 등이 바로 그 것이다.
이 때 온-웨이퍼 센서에서 측정된 결과를 외부 메인 컨트롤러에서 받아야 하는데, 현재는 유무선으로 온-웨이퍼 센서의 출력단자와 외부 메인 컨트롤러를 연결하여 이러한 작업 이루어지도록 하고 있다. 이 때, 이러한 작업은 모두 배터리를 전력원으로 하는 기본적인 전기회로를 구성하여 진행되는 바, 배터리 용량 및 종류에 따라 온웨이퍼 센서의 가동시간이 영향을 받게 되므로 이를 해결할 수단이 요구되고 있다.
일본특개 제2000-31231호(2000.1.28.공개) 미국특허 제7,540,188호(2009.6.2.등록) 대한민국 공개특허 제2000-33717호(2000.06.15.공개) 대한민국 등록특허 제387449호(2003.06.18.공고)
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼 상에 서로 다른 열전특성을 갖는 물질을 설치함으로써 배터리 없이도 열전 효과를 이용하여 동력원(예컨대 온-웨이퍼 센서의 무선통신 동력원)을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 높은 온도 환경에서도 이러한 동력원의 획득이 이루어질 수 있는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼 상에 열전부가 설치되어 상기 웨이퍼의 가장지라와 중심의 온도차에 의해 상기 열전부를 통하여 전력을 얻는 온-웨이퍼 전력공급장치에 관한 것으로서,
상기 열전부는 다른 열전특성을 갖는 제1물질층과 제2물질층이 옆으로 교번하여 배치되면서 서로 직렬적으로 연결되어 이루어지고, 상기 제1물질층과 제2물질층의 연결접점들이 상기 웨이퍼 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번해 가면서 위치하도록 배치되어 상기 열전부가 구불구불한 형상을 하는 것을 특징으로 한다.
상기 열전부는 상기 웨이퍼의 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면에 설치될 수 있다.
상기 열전부는 상기 웨이퍼의 가장자리 면을 따라가면서 설치되는 것이 바람직하다.
상기 열전부에서 얻어지는 열기전력을 동력원으로 하여 외부통신을 하도록 통신제어부가 설치되는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼의 가운데 부분에 센싱부가 설치되고, 상기 통신제어부는 상기 열기전력을 동력원으로 하여 상기 센싱부에서 측정된 값을 외부로 송출하도록 설치되는 것이 바람직하다.
상기 센싱부는 상기 웨이퍼의 부분별 열기전력 혹은 저항값을 측정하여 상기 웨이퍼의 온도 불균일도를 간파하는 온도측정센서일 수 있으며, 상기 통신제어부는 상기 온도측정센서에 의해 측정되는 열기전력 혹은 저항값을 외부로 송출하도록 설치되는 것이 바람직하다.
상기 제1물질층과 제2물질층의 연결점접은 상기 제1물질층과 제1물질층이 연결부위에서 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻어지는 것이 바람직하다.
상기 제1물질층과 제2물질층은 두께가 10~1000㎛, 폭이 0.5~10mm, 길이가 (0.05~0.2)x D 인 것이 바람직하다. 여기서 D는 웨이퍼의 직경이다.
상기 제1물질층과 제2물질층은 서로 다른 재질의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제1물질층과 제2물질층은 서로 다른 재질의 반도체로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1물질층과 제2물질층 사이에 금속재질의 제3물질층이 더 설치되어 상기 제1물질층과 제2물질층이 상기 제3물질층을 매개로 하여 직렬적으로 연결되며, 상기 제3물질층이 상기 웨이퍼 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번해 가면서 위치하도록 설치되어 상기 열전부가 구불구불한 형상을 하는 것이 바람직하다.
상기 제1물질층과 제2물질층이 BiTe 화합물 계열, SbTe 화합물 계열, 및 BiSbTe 화합물 계열 중에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제1물질층과 제3물질층의 연결접점은 연결부위에서 상기 제1물질층과 제3물질층이 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻어지며, 상기 2물질층과 제3물질층의 연결접점은 연결부위에서 상기 제2물질층과 제3물질층이 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻어지는 것이 바람직하다.
상기 열전부는 별도의 기재 상에 설치된 후 상기 웨이퍼에 탑재될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일예에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치 제조방법은,
웨이퍼의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 또는 바깥쪽에서 안쪽을 항하여 길이를 갖는 제1물질층을 상기 웨이퍼의 가장자리 면에 복수개 나란하게 형성하는 단계;
상기 제1물질층과 나란하면서 안쪽단과 바깥쪽단이 서로 반대방향으로 절곡되며 상기 제1물질층과는 다른 열전특성을 갖는 재질로 이루어지는 제2물질층을 상기 복수개의 제1물질층 사이에 형성하되, 상기 제2물질층의 안쪽단과 바깥쪽단이 상기 제1물질층의 안쪽단과 바깥쪽단에 각각 중첩되면서 포개지도록 하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 제1물질층과 제2물질층은 다른 재질의 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예에 따른 온-웨이퍼 전력공급자치 제조방법은,
웨이퍼의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 또는 바깥쪽에서 안쪽을 항하여 길이를 갖는 제1물질층을 상기 웨이퍼의 가장자리 면에 복수개 나란하게 형성하는 단계;
상기 제1물질층과 나란하도록 제2물질층을 상기 복수개의 제1물질층 사이에 형성하는 단계; 및
상기 제1물질층과 제2물질층을 상기 웨이퍼의 안쪽과 바깥쪽에서 교번하여 가면서 연결하도록 제3물질층을 형성하여 상기 제1물질층과 제2물질층이 상기 제3물질층을 매개로 하여 직렬 연결되고, 상기 제1물질층과 상기 제3물질층은 연결부위에서 중첩되어 포개지고, 상기 제2물질층과 상기 제3물질층은 연결부위에서 중첩되어 포개지도록 하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 제1물질층과 제2물질층은 반도체 재질로 이루어지고, 상기 제3물질층은 금속재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 상에 서로 다른 열전특성을 갖는 물질을 설치하여 전력을 얻기 때문에 배터리 없이도 동력원(예컨대 무선통신 동력원)을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 높은 온도 환경에서도 이러한 동력원의 획득이 가능하다는 장점이 있다. 본 발명에서의 열전부는 웨이퍼에 직접적으로 설치되지 않고, 별도의 기재 상에 설치된 후에 웨이퍼에 탑재될 수도 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치(1)를 설명하기 위한 도면들;
도 4는 도 1의 센싱부(30)를 설명하기 위한 도면;
도 5는 도 1의 열전부(20)에 대한 제조과정을 설명하기 위한 도면;
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치(1)를 설명하기 위한 도면;
도 7은 도 6의 열전부(20)에 대한 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아래의 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예에 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.
[제1실시예]
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치(1)를 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치(1)는 웨이퍼(10) 상에 열전부(20)를 설치함으로써 웨이퍼(10)에 나타나는 온도구배를 이용하여 열기전력을 얻는 것을 특징으로 한다.
웨이퍼(10)의 가운데 부분에는 센싱부(30)가 설치될 것이므로 열전부(20)는 웨이퍼(10)의 가장자리 면에 설치되는 것이 바람직하며, 이 때 도시된 바와 같이, 열전부(20)는 웨이퍼(10)의 가장자리 면을 따라가며 스트링(string) 형태로 길게 설치되는 것이 바람직하다. 물론 센싱부(30)의 설치 없이 열전부(20)만 독자적으로 설치될 수도 있다.
열전부(20)는 다른 열전특성을 갖는 제1물질층(21)과 제2물질층(22)이 옆으로 교번하여 배치되면서 이들이 서로 직렬적으로 연결되어 이루어진다.
이 때, 열전부(20)는 제1물질층(21)과 제2물질층(22)의 연결접점(23)들이 웨이퍼(10) 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번하여 위치하도록 구불구불한 형상을 하는 것이 바람직하다. 이는 웨이퍼(10) 내에서 안쪽과 바깥쪽의 온도 차이에 의해 열기전력을 얻는 것이 효과적이기 때문이다.
본 발명에서 안쪽과 바깥쪽이라고 하는 것은 웨이퍼(10) 내에서의 상대적 위치를 말한다.
참조번호 23a는 연결접점(23) 중에서 웨이퍼(10)의 안쪽에 위치하는 것을 표시한 것이고, 참조번호 23b는 연결접점(23) 중에서 웨이퍼(10)의 바깥쪽에 위치하는 것을 표시한 것이다.
열전부(20)는 웨이퍼(10)의 앞면 및 뒷면 중 적어도 어느 한 면에 설치되면 될 것인데, 양면에 설치되면 큰 기전력을 얻을 수 있다는 측면에서 더욱 바람직하다.
열전부(20)의 양단에 연결되는 통신제어부(40)는 열전부(20)에서 얻어지는 열기전력을 동력원으로 하여 센싱부(30)에서 측정된 값을 외부로 송출하도록 설치된다. 이 때의 송출은 무선통신에 의하는 것이 바람직하다.
도 4는 도 1의 센싱부(30)를 설명하기 위한 도면이다. 센싱부(30)는 다양한 것이 선택될 수 있다. 여기서는 저항식 다점 온도측정 웨이퍼 센서의 경우를 예로 들어 설명한다.
센싱부(30)는 전극부(30a)와 저항부(30b)를 포함하여 이루어진다. 전극부(30a)는 복수개의 전극배선(33)을 포함하여 이루어지고, 저항부(30b)는 복수개의 단위저항(31)이 연결배선(32)에 의해 직렬 연결되어 이루어진다. 각 전극배선(33)의 일단은 단위저항(31)의 양단에 전기적으로 연결되며 타단은 통신제어부(40)에 취합된다.
웨이퍼(10)에 온도 불균일이 발생하면 저항부(30b)에 저항값의 변화가 발생하게 된다. 따라서 전극배선(33)들이 취합되는 통신제어부(40)를 통하여 각 포인트(P1, P2, Pn)에서의 저항값을 측정하면 어느 부분에서 온도 불균일 발생하였는지 파악할 수 있다. 물론, 이러한 저항값은 열기전력 형식으로 표현될 수도 있다.
문제는 통신제어부(40)에서 물성치를 외부의 메인 컨트롤 박스로 송출할 동력원이 필요하다는 것이다. 이 때, 본 발명에 의하면 웨이퍼(10) 내에서의 안쪽과 바깥쪽 온도 차이에 따른 열기전력을 획득하여 이를 동력원으로 사용할 수 있다.
전극부(30a)와 저항부(30b)는 집적회로 제조 시에 많이 사용되는 스크린 인쇄나 배선형성 공정 등을 통해서 얻을 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1물질층(21)과 제2물질층(22) 사이의 연결부위에서 접촉저항이 최소화되도록 연결접점(23)은 제1물질층(21)과 제2물질층(22)이 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻는 것이 바람직하다. 이렇게 제1물질층(21)과 제2물질층(22)이 중첩되어 포개지도록 하면 제1물질층(21)과 제2물질층(22)의 연결 시에 공정 마진(process margin) 확보라는 측면에서도 바람직하다.
제1물질층(21)과 제2물질층(22) 각각은 두께(d)가 10~1000㎛, 폭(w)이 0.5~10mm, 길이(L)가 (0.05~0.2)x D 인 것이 바람직하다. 여기서 D는 웨이퍼(10)의 직경을 말하고, 길이(L)라 함은 제1물질층(21)과 제2물질층(22)의 양단이 놓이는 웨이퍼(10)의 안쪽과 바깥쪽 사이의 거리를 말한다.
제1물질층(21)과 제2물질층(22)은 Ag, Cu, Ni 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 이 때 제1물질층(21)과 제2물질층(22)은 서로 다른 금속이 선택되는 것이 바람직하다. 열기전력을 얻기 위해서는 제1물질층(21)과 제2물질층(22)의 열전특성이 달라야 하기 때문이다.
안쪽에 있는 연결접점(23a)의 온도를 ti이라 하고, 바깥쪽에 있는 연결점점(23b)의 온도를 to 이라고 할 때 안쪽에 있는 연결접점(23a)과 바깥쪽에 있는 연결접점(23b) 사이의 온도차 Δt는 ti - to 로 주어지며, 이 때 열전부(20)에 의해 얻어지는 기전력 Vtot은 S x Δt x npair 로 주어진다. 여기서, S는 제백계수, npair 는 제1물질층(21)과 제2물질층(22)으로 이루어지는 한 쌍의 개수를 의미한다.
도 5를 참조하여, 도 1의 열전부(20)에 대한 제조과정의 일예를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 또는 바깥쪽에서 안쪽을 향하여 길이를 갖는 제1물질층(21)을 웨이퍼(10)의 가장자리 면에 나란하게 복수개 형성한다.
다음에, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1물질층(21)과 나란하면서 안쪽단과 바깥쪽단이 서로 반대방향으로 절곡되는 제2물질층(22)을 복수개의 제1물질층(21) 사이에 형성하되 제2물질층(22)의 안쪽단과 바깥쪽단이 제1물질층(21)의 안쪽단과 바깥쪽단에 각각 중첩되면서 포개지도록 하여 열전부(20)가 구불구불한 형상을 갖도록 한다.
마지막으로 열전부(20)를 보호하기 위하여 보호막(미도시)을 도포하는 과정이 더 포함될 수 있다.
제1물질층(21)과 제2물질층(22)은 집적회로 제조 시에 많이 사용되는 스크린 인쇄나 배선형성 공정 등을 통해서 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 열전부(20)는 복수개의 열전대가 직렬적으로 연결되어 이루어질 수도 있지만, 아래와 같이 반도체를 이용한 펠티어 소자의 직렬연결을 통하여 구현될 수도 있다.
[제2실시예]
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치(1)를 설명하기 위한 도면이다. 반복적인 설명을 생략하기 위하여 제1실시예와의 차이점인 열전부(20)에 대해서만 도시하였다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1물질층(21)과 제2물질층(22)은 BiTe 화합물 계열, SbTe 화합물 계열, 및 BiSbTe 화합물 계열 등과 같은 반도체로 이루어질 수 있다. 이 때, 제1물질층(21)과 제2물질층(22)은 서로 다른 재질의 반도체가 선택되는 것이 바람직하다. 이는 앞서 말한 바와 같이, 열기전력을 얻기 위해서는 제1물질층(21)과 제2물질층(22)의 열전특성이 달라야 하기 때문이다.
이와 같이, 제1물질층(21)과 제2물질층(22)을 서로 다른 재질의 반도체로 사용할 경우 이들의 연결이 정류접촉(rectifying contact) 되기 쉬우므로, 오믹접촉(ohmic contact)을 위하여 제1물질층(21)과 제2물질층(22) 사이에 금속재질의 제3물질층(25)을 설치하여 제1물질층(21)과 제2물질층(22)이 제3물질층(25)을 매개로 하여 직렬 연결되도록 하는 것이 바람직하다.
이 경우, 제3물질층(25)이 웨이퍼(10) 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번하여 위치하도록 열전부(20)가 구불구불한 형상을 하는 것이 바람직하다. 이는 앞서 말한 바와 같이 웨이퍼(10)의 안쪽과 바깥쪽의 온도 차이에 의해 열기전력을 얻는 것이 효과적이기 때문이다.
이 때에도 앞서 언급한 바와 같이, 접촉저항의 최소화와 공정마진의 확보를 위하여 제1물질층(21)과 제3물질층(25)의 연결접점은 연결부위에서 제1물질층(21)과 제3물질층(25)이 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻으며, 제2물질층(22)과 제3물질층(25)의 연결접점은 연결부위에서 제2물질층(22)과 제3물질층(25)이 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻는 것이 바람직하다.
제1물질층(21)과 제2물질층(22)은 실리콘 웨이퍼 상에 n형 또는 p형 도펀트를 주입하여 얻어지는 n형 반도체와 p형 반도체의 조합일 수도 있다.
도 7을 참조하여, 도 6의 열전부(20)에 대한 제조과정의 일예를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 또는 바깥쪽에서 안쪽을 향하여 길이를 갖는 제1물질층(21)을 웨이퍼(10)의 가장자리 면에 복수개 나란하게 형성한다.
다음에 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1물질층(21)과 나란하도록 제2물질층(22)을 복수개의 제1물질층(21) 사이에 형성한다.
이어서, 도 7c에 도시된 바와 같이, 제1물질층(21)과 제2물질층(22)을 웨이퍼(10)의 안쪽과 바깥쪽에서 교번하여 가면서 연결하도록 제3물질층(25)을 형성하여 제1물질층(21)과 제2물질층(22)이 제3물질층(25)을 매개로 하여 직렬 연결되도록 함으로써 열전부(20)가 구불구불한 형상을 갖도록 한다. 이 때, 제1물질층(21)과 제3물질층(25)의 연결부위는 제1물질층(21)과 제3물질층(25)이 서로 중첩되어 포개지며, 제2물질층(22)과 제3물질층(25)의 연결부위는 제2물질층(22)과 제3물질층(25)이 서로 중첩되어 포개지도록 하는 것이 바람직하다.
마지막으로, 열전부(20)를 보호하기 위하여 보호막(미도시)을 도포하는 과정이 더 포함될 수 있다.
제1물질층(21), 제2물질층(22), 제3물질층(23)은 집적회로 제조 시에 많이 사용되는 스크린 인쇄나 배선형성 공정 등을 통해서 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 온-웨이퍼 전력공급장치(1)는 웨이퍼(10) 상에 서로 다른 열전특성을 갖는 물질을 설치하여 전력을 얻기 때문에 배터리 없이도 동력원(예컨대 무선통신 동력원)을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 높은 온도 환경에서도 이러한 동력원의 획득이 가능하다는 장점이 있다.
본 발명에서의 열전부(20)는 웨이퍼(10)에 직접적으로 설치되지 않고, 별도의 기재 상에 설치된 후에 웨이퍼(10)에 탑재될 수도 있다.
1: 온-웨이퍼 전력공급장치
10: 웨이퍼
20: 열전부
21: 제1물질층
22: 제2물질층
23: 연결접점
23a: 안쪽에 위치하는 연결접점
23b: 바깥쪽에 위치하는 연결접점
25: 제3물질층
30: 센싱부
30a: 전극부
30b: 저항부
31: 단위저항
32: 연결배선
33: 전극배선
40: 통신제어부

Claims (16)

  1. 웨이퍼 상에 열전부가 설치되어 상기 웨이퍼의 가장자리와 중심의 온도차에 의해 상기 열전부를 통하여 전력을 얻는 온-웨이퍼 전력공급장치로서,
    상기 열전부에서 얻어지는 열기전력을 동력원으로 하여 외부통신을 하도록 통신제어부가 설치되며,
    상기 웨이퍼의 가운데 부분에 센싱부가 설치되고, 상기 통신제어부는 상기 열기전력을 동력원으로 하여 상기 센싱부에서 측정된 값을 외부로 송출하도록 설치되며,
    상기 열전부는 다른 열전특성을 갖는 제1물질층과 제2물질층이 옆으로 교번하여 배치되면서 서로 직렬적으로 연결되어 이루어지고, 상기 제1물질층과 제2물질층의 연결접점들이 상기 웨이퍼 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번해 가면서 위치하도록 배치되어 상기 열전부가 구불구불한 형상을 하며,
    상기 열전부가 상기 웨이퍼의 가장자리 면을 따라가면서 설치되는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열전부가 상기 웨이퍼의 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면에 설치되는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
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  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 센싱부는 상기 웨이퍼의 부분별 기전력 혹은 저항값을 측정하여 상기 웨이퍼의 온도 불균일도를 간파하는 온도측정센서이고, 상기 통신제어부는 상기 온도측정센서에 의해 측정되는 기전력 혹은 저항값을 외부로 송출하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1물질층과 제2물질층의 연결점접은 상기 제1물질층과 제1물질층이 연결부위에서 서로 중첩되어 포개지도록 하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1물질층과 제2물질층은 두께가 10~1000㎛, 폭이 0.5~10mm, 길이가 (0.05~0.2)x D 인 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치, 여기서 D는 웨이퍼의 직경임.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1물질층과 제2물질층이 서로 다른 재질의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1물질층과 제2물질층이 서로 다른 재질의 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1물질층과 제2물질층 사이에 금속재질의 제3물질층이 더 설치되어 상기 제1물질층과 제2물질층이 상기 제3물질층을 매개로 하여 직렬적으로 연결되며, 상기 제3물질층이 상기 웨이퍼 내에서 안쪽과 바깥쪽에 교번해 가면서 위치하도록 설치되어 상기 열전부가 구불구불한 형상을 하는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 열전부가 별도의 기재 상에 설치된 후 상기 웨이퍼에 탑재되는 것을 특징으로 하는 온-웨이퍼 전력공급장치.
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