KR101813891B1 - Light emitting diode - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광소자는 전극이 위치할 영역을 전부 식각하는 것 아니고, 보조핑거전극이 연결될 부분만 일부 식각하므로 외부에 노출되는 활성층의 영역이 감소하게 되어 전류누설을 줄일 수 있으며 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 되고, 전극 전극패드로부터 보조핑거전극이 제1반도체층에 연결되는 홈이 이격되어 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 발광소자가 보호될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment does not entirely etch a region where the electrode is to be formed but only a portion to which the auxiliary finger electrode is to be connected is partially etched, thereby reducing the area of the active layer exposed to the outside, The light efficiency is increased and the groove connecting the auxiliary finger electrode to the first semiconductor layer is separated from the electrode pad so that the light emitting device can be protected from ESD (Electrostatic Discharge).

Description

발광소자{Light emitting diode}[0001]

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광소자를 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 보호하고, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device that protects a light emitting device from ESD (Electrostatic Discharge) and can improve light extraction efficiency.

형광등은 흑점 현상, 짧은 수명 등으로 잦은 교체와 형광물질 사용으로 친환경을 지향하는 미래 조명시장의 흐름에 반하므로 점차 타 광원으로 대치되고 있는 추세이다.Fluorescent lamps are gradually replacing with other light sources because of the frequent replacement of black spots and short life span and the use of fluorescent materials, which is against the trend of the future lighting market which is aiming for environment friendly.

이에 타 광원으로 가장 주목받고 있는 것은 LED(Light Emitting Diode)로써, 반도체의 빠른 처리 속도와 낮은 전력 소모 등의 장점과 함께, 환경 친화적이면서도 에너지 절약 효과가 높아서 차세대 광원으로 꼽히고 있다. 따라서, 기존의 형광등을 대체하기 위한 LED의 활용은 활발히 진행 중에 있다.As the other light source, LED (Light Emitting Diode) is one of the next generation light sources because of its high processing speed and low power consumption of semiconductors, as well as environment friendly and energy saving effect. Therefore, utilization of LEDs to replace conventional fluorescent lamps is actively underway.

현재, LED와 같은 반도체 발광 소자는 텔레비전, 모니터, 노트북, 휴대폰, 및 기타 디스플레이장치를 구비하는 다양한 장치에 적용되고 있으며, 특히 기존의 CCFL을 대체하여 백 라이트 유닛으로도 널리 사용되고 있다.Currently, semiconductor light emitting devices such as LEDs are applied to various apparatuses including televisions, monitors, notebooks, mobile phones, and other display devices, and are widely used as backlight units in place of conventional CCFLs.

발광소자의 광추출 효율을 향상시키기 위한 연구가 진행 중이고, 발광소자는 ESD에 취약하여 ESD로부터 보호하기 위한 연구가 진행 중이다.Research is underway to improve the light extraction efficiency of the light emitting device, and the light emitting device is susceptible to ESD and research is underway to protect it from ESD.

실시예는, 실시예에 따른 발광소자는 전극이 위치할 영역을 전부 식각하는 것 아니고, 보조핑거전극이 연결될 부분만 일부 식각하므로 외부에 노출되는 활성층의 영역이 감소하게 되어 전류누설을 줄일 수 있으며 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 되는 발광소자를 제공한다.In the embodiment, the light emitting device according to the embodiment does not entirely etch an area where an electrode is to be formed, but only a part to be connected with the auxiliary finger electrode is partially etched, thereby reducing the area of the active layer exposed to the outside, The light extraction efficiency and the light efficiency are increased.

실시예는, 핑거전극부가 발광소자의 중심부분에서 대칭으로 형성되어 전류확산효과가 향상된 발광소자를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device in which a finger electrode portion is formed symmetrically in a central portion of a light emitting element to improve a current diffusion effect.

실시예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 제2 반도체층 상의 일측에 배치되는 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드에 연결되어 타측 방향으로 확장되는 제1 핑거전극부를 포함하는 제1 전극, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 형성되는 절연층 및 상기 제2 반도체층의 타측에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제1 핑거전극부에 연결되어 상기 제1 반도체층에 연결된 적어도 하나의 보조핑거전극을 더 포함하며, 상기 발광구조물은 상기 제1 핑거전극부에서 상기 제1 반도체층까지 이어지며 상기 보조핑거전극보다 큰 폭을 가지는 홈을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, the light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; A first electrode including a first electrode pad disposed on one side of the semiconductor layer and a first finger electrode portion connected to the first electrode pad and extending in the other direction; a first electrode formed between the second semiconductor layer and the first electrode, And a second electrode disposed on the other side of the second semiconductor layer, wherein the first electrode further includes at least one auxiliary finger electrode connected to the first finger electrode portion and connected to the first semiconductor layer And the light emitting structure includes a groove extending from the first finger electrode part to the first semiconductor layer and having a greater width than the auxiliary finger electrode.

여기서, 상기 제1 핑거전극부는 제1 핑거전극 및 상기 제1 핑거전극과 대칭되는 제2 핑거전극을 포함할 수 있다.Here, the first finger electrode unit may include a first finger electrode and a second finger electrode that is symmetric with the first finger electrode.

또한, 상기 보조핑거전극은 복수 개가 형성되며, 상기 복수 개의 보조핑거전극은 서로 인접한 두개의 보조핑거전극 사이의 간격이 서로 동일할 수 있다. In addition, a plurality of the auxiliary finger electrodes may be formed, and the plurality of auxiliary finger electrodes may have the same interval between two adjacent auxiliary finger electrodes.

실시예는 발광소자의 전극이 위치할 영역을 전부 식각하는 것 아니고, 보조핑거전극이 연결될 부분만 일부 식각하므로 외부에 노출되는 활성층의 영역이 감소하게 되어 전류누설을 줄일 수 있으며 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 되는 장점이 있다.The present embodiment is not to entirely etch the region where the electrode of the light emitting device is to be formed but only the portion to which the auxiliary finger electrode is to be connected is partly etched so that the area of the active layer exposed to the outside is reduced and current leakage can be reduced, Is increased.

또한, 실시예는 보조핑거전극이 제1 반도체층에 연결되는 홈이 전극패드로부터 이격되어 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 발광소자가 보호될 수 있다.In addition, in the embodiment, the groove connecting the auxiliary finger electrode to the first semiconductor layer is spaced apart from the electrode pad, so that the light emitting element can be protected from ESD (Electrostatic Discharge).

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 전극을 나타낸 배치도이다.
도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도1의 B-B선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 발광소자의 ESD 파괴실험 데이터를 나타낸 도면이다.
도 5는 발광소자의 발광실험 데이터를 나타낸 도면이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자의 전극을 나타낸 배치도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is a layout diagram showing electrodes of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along the line AA in Fig.
3 is a cross-sectional view taken along line BB in Fig.
4 is a view showing ESD destruction experiment data of the light emitting device.
5 is a diagram showing emission experiment data of the light emitting device.
6 is a layout view of an electrode of a light emitting device according to another embodiment.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

실시 예에 대한 설명에 앞서, 실시 예에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 전극패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든 것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Before the description of the embodiments, the terms "on", "below", or "above" the substrate, layer (film) region, electrode pad or patterns of each layer quot ;, " on ", "under ", " directly ", or " indirectly" In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시 예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자의 전극을 나타낸 배치도이고, 도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이며, 도 3은 도1의 B-B선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이고, 도 4는 발광소자의 ESD 파괴실험 데이터를 나타낸 도면이며, 도 5는 발광소자의 발광실험 데이터를 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1, and FIG. FIG. 5 is a graph showing experimental data of ESD breakdown of a light emitting device. FIG.

도 1 내지 도 3를 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 버퍼층(112), 제1 반도체층(120), 제2 반도체층(140) 및 제1, 2 반도체층(120, 140) 사이에 활성층(130)을 포함할 수 있다.1 to 3, a light emitting device 100 includes a substrate 110, a buffer layer 112, a first semiconductor layer 120, a second semiconductor layer 140, and first and second semiconductor layers 120, And 140 may include an active layer 130.

기판(110)은 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며 사파이어 이외에, 기판(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.The substrate 110 is preferably formed using a transparent material including sapphire. In addition to sapphire, the substrate 110 may include zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN) gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), and aluminum nitride (AlN).

기판(110) 상에는 기판(110)과 제1 반도체층(120) 간의 격자 부정합을 완화하는 버퍼층(112)이 위치할 수 있다. 버퍼층(112)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있다.A buffer layer 112 may be disposed on the substrate 110 to mitigate lattice mismatch between the substrate 110 and the first semiconductor layer 120. The buffer layer 112 can be formed in a low-temperature atmosphere and can be selected from materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN.

버퍼층(112) 상에는 제1 반도체층(120)이 형성될 수 있다. 제1 반도체층(120)은 n형 반도체층을 포함하여 형성되어 활성층(130)에 전자를 제공할 수 있으며, 제1 반도체층(120)은 제1 도전형 반도체층으로만 형성되거나, 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정을 두지 않는다.The first semiconductor layer 120 may be formed on the buffer layer 112. The first semiconductor layer 120 may include an n-type semiconductor layer to provide electrons to the active layer 130. The first semiconductor layer 120 may be formed of only the first conductive semiconductor layer, (Not shown) under the conductive type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto.

n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The n-type semiconductor layer may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) , AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and n-type dopants such as Si, Ge, and Sn can be doped.

상기 언도프트 반도체층은 제1 도전형 반도체층의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 도전형 반도체층에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 도전형 반도체층과 같을 것이다.The non-conductive semiconductor layer is a layer formed for improving the crystallinity of the first conductivity type semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer has a lower electrical conductivity than that of the first conductivity type semiconductor layer because the n-type dopant is not doped. Type semiconductor layer.

따라서, 제1 반도체층(120)에는 활성층(130) 및 제2 반도체층(140)이 순차적으로 적층될 수 있다.Accordingly, the active layer 130 and the second semiconductor layer 140 may be sequentially stacked on the first semiconductor layer 120. [

먼저, 활성층(130)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.First, the active layer 130 is a region where electrons and holes are recombined. As the electrons and the holes are recombined, the active layer 130 transits to a low energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto.

활성층(130)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 130 includes a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) And may be formed of a single quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure. Therefore, more electrons are collected at the lower energy level of the quantum well layer, and as a result, the recombination probability of electrons and holes is increased, and the luminous efficiency can be improved. It may also include a quantum wire structure or a quantum dot structure.

제2 반도체층(140)은 상술한 활성층(130)에 정공을 주입하며, 제2 반도체층(140)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.A second semiconductor layer 140, and injects holes to the above-described active layer 130, a second There semiconductor layer 140 is, for example, be implemented as a p-type semiconductor layer, the semiconductor layer p is In x Al y Ga 1-x y N (For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc.) having a composition formula of 0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + A p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba can be doped.

상술한 제1 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 반도체층(140)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 120, the active layer 130 and the second semiconductor layer 140 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), a molecular beam epitaxy (MBE), and a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) It is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(120) 및 제2 반도체층(140) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the doping concentrations of the conductive dopants in the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 140 can be uniformly or nonuniformly formed. That is, the structure of the plurality of semiconductor layers may be variously formed, but the structure is not limited thereto.

또한, 상술한 바와는 달리 제1 반도체층(120)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(140)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 즉, 제1 반도체층(120)과 제2 반도체층(140)은 활성층(130)을 중심으로 서로 형성되는 위치가 바뀌어도 무방하나, 하기에서는 제1 반도체층(120)이 n형 반도체층을 포함하여 형성되고 기판(110) 상에 적층되는 것으로 기술한다.In addition, unlike the above, the first semiconductor layer 120 may include a p-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 140 may include an n-type semiconductor layer. That is, the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 140 may be formed at different positions with respect to the active layer 130, but the first semiconductor layer 120 may include an n-type semiconductor layer And are stacked on the substrate 110. In this embodiment,

다시 도 2를 참조하면, 제2 반도체층(140) 상에는 투광성전극층(150)이 형성될 수 있다.Referring again to FIG. 2, a light-transmitting electrode layer 150 may be formed on the second semiconductor layer 140.

투광성전극층(150)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 따라서, 활성층(130)에서 발생한 광을 외부로 발산할 수 있으며, 제2 반도체층(140)의 외측 일면 전체 또는 일부에 형성됨으로써, 전류군집현상을 방지할 수 있다.The transparent electrode layer 150 is ITO, IZO (In-ZnO) , GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrO x, RuO x , RuO x / ITO, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO. Accordingly, the light generated in the active layer 130 can be diverted to the outside, and the light can be prevented from being formed in the entire one or the entire outer surface of the second semiconductor layer 140, thereby preventing current clustering.

제2 반도체층(1400) 상에는 제 1전극(160)이 배치될 수 있다.The first electrode 160 may be disposed on the second semiconductor layer 1400.

제 1전극(160)은 제2 반도체층(140)의 어느 일측에 배치되는 제 1전극패드(162)와 제 1전극패드(162)에 연결되어 타측으로 확장되는 제 1핑거전극부(164, 166)를 포함할 수 있다.The first electrode 160 may include a first electrode pad 162 disposed on one side of the second semiconductor layer 140 and a first finger electrode portion 164 connected to the first electrode pad 162, 166).

제 1전극(160)은 전도성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들면, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The first electrode 160 may include a conductive material such as nickel, platinum, ruthenium, iridium, rhodium, tantalum, molybdenum, (Mo), titanium (Ti), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), palladium (Pd), vanadium (V), cobalt (Co), niobium (Zr), indium tin oxide (ITO), aluminum zinc oxide (AZO), and indium zinc oxide (IZO). However, the present invention is not limited thereto.

제2 반도체층(140)과 제 1전극(160) 사이에는 전기적 쇼트를 방지하는 절연층(190)이 형성될 수 있다.An insulating layer 190 may be formed between the second semiconductor layer 140 and the first electrode 160 to prevent electrical short-circuiting.

절연층(190)의 배치 형상은 제 1전극(160)과 대응하여 형성될 수 있고, 바람직하게는 제 1전극(160)의 폭보다 큰 폭을 가지게 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The arrangement of the insulating layer 190 may be formed corresponding to the first electrode 160 and may be formed to have a width larger than the width of the first electrode 160, but is not limited thereto.

절연층(190)은 비전도성의 유기물질 또는 무기물질을 포함하며, 바람직하게는 유기물질로써 예를 들면, 우레탄, 폴리에스터 또는 아크릴로 형성될 수 있고, 또한 단층, 다층 구조로도 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않는 것은 당연하다.The insulating layer 190 comprises a nonconductive organic or inorganic material, preferably an organic material, for example, urethane, polyester or acrylic, and may also be a single layer, have. But it is natural that it is not limited thereto.

또한, 제 1전극(160)은 제1 핑거전극부(164, 166)에 연결되어 제1 반도체층(120)에 연결된 적어도 하나의 보조핑거전극(168)을 더 포함할 수 있다. 다시 설명하면, 제1 핑거전극부(164, 166)에 연결된 보조핑거전극(168)이 절연층(190), 제2 반도체층(140) 및 활성층(130)을 관통하여 제1 반도체층(120)에 연결되는 것이다. The first electrode 160 may further include at least one auxiliary finger electrode 168 connected to the first finger electrode unit 164 and 166 and connected to the first semiconductor layer 120. The auxiliary finger electrode 168 connected to the first finger electrode portions 164 and 166 penetrates the insulating layer 190, the second semiconductor layer 140 and the active layer 130 to form the first semiconductor layer 120 .

이때에, 상기 발광구조물에는 보조핑거전극(168)에 대응하여, 제1 반도체층(120)이 노출되도록 제1 핑거전극부(164, 166)에서 제1 반도체층(120)까지 이어지며 홈(180)이 형성될 수 있다. 즉, 보조핑거전극(168)이 제1 반도체층(120)과 연결되도록 그 사이에 형성된 제2 반도체층(140), 활성층(130)및 제1 반도체층(120)의 일부영역에 홈(180)이 형성되는 것이다.At this time, the first semiconductor layer 120 is extended from the first finger electrode parts 164 and 166 to the first semiconductor layer 120 to correspond to the auxiliary finger electrode 168, 180 may be formed. That is, a portion of the second semiconductor layer 140, the active layer 130, and the first semiconductor layer 120 formed between the auxiliary finger electrode 168 and the first semiconductor layer 120, Is formed.

홈(180)은 습식식각(wet etching), 건식식각(dry etching) 또는 LLO(laser lift off) 방법에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The grooves 180 may be formed by wet etching, dry etching, or laser lift off (LLO), but are not limited thereto.

홈(180)의 크기 또는 형상은 제한이 없으나, 바람직하게는 전기적 쇼트를 방지하기 위해서 보조핑거전극(168) 의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.The size or shape of the groove 180 is not limited, but may preferably be greater than the width of the auxiliary finger electrode 168 to prevent electrical shorting.

그리고, 제1 반도체층(120)이 n형 반도체라면, 제 1전극(160)은 n형 전극으로 작동한다.If the first semiconductor layer 120 is an n-type semiconductor, the first electrode 160 operates as an n-type electrode.

보조핑거전극(168)의 개수는 제한이 없고, 발광소자(100)의 크기, 면적, 발광용량에 따라 적당한 개수로 형성될 수 있다.The number of the auxiliary finger electrodes 168 is not limited and may be formed in a suitable number according to the size, area, and light emitting capacity of the light emitting device 100.

보조핑거전극(168)은 복수 개가 형성될 수 있으며, 복수 개의 보조핑거전극(168)은 서로 인접한 두개의 보조핑거전극(168) 사이의 간격(d1)이 서로 동일할 수 있다. 보조핑거전극(168)의 간격이 동일하여서, 전류확산이 발광소자(100) 전체에 고루 이루어질 수 있다.A plurality of auxiliary finger electrodes 168 may be formed and a plurality of auxiliary finger electrodes 168 may have the same interval d1 between two auxiliary finger electrodes 168 adjacent to each other. The intervals of the auxiliary finger electrodes 168 are the same so that the current diffusion can be uniformly performed throughout the light emitting element 100. [

또한, 보조핑거전극(168)은 복수 개가 형성되며 서로 인접한 두 개의 보조핑거전극(168) 사이의 거리는 제1 전극패드(162)에서 멀어질수록 가까워질 수 있다. 따라서, 보조핑거전극(168)이 제1 전극패드(162)에서 멀리 형성되어도 전류 공급을 원활하게 할 수 있다.In addition, a plurality of auxiliary finger electrodes 168 may be formed, and the distance between two adjacent auxiliary finger electrodes 168 may be closer to the first electrode pad 162. Therefore, even if the auxiliary finger electrode 168 is formed far from the first electrode pad 162, current supply can be smoothly performed.

그리고, 보조핑거전극(168)의 두께는 제1 전극패드(162)에서 멀어질수록 두꺼워질 수 있다. 따라서, 보조핑거전극(168)이 제1 전극패드(162)에서 멀리 형성되어도 전류 공급을 원활하게 할 수 있다.The thickness of the auxiliary finger electrode 168 may become thicker as the distance from the first electrode pad 162 increases. Therefore, even if the auxiliary finger electrode 168 is formed far from the first electrode pad 162, current supply can be smoothly performed.

실시예는 전극패드에서 직접 반도체층으로 전류를 공급하는 것이 아니고, 전극패드로부터 이격된 부분에 메사식각하고 보조핑거전극을 통행 전류를 공급함으로써 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 발광소자가 보호될 수 있다. 도 4를 참조하면, 종래 발명의 ESD 파괴실험에서는 52%의 양품률을 보인 반면, 실시예에서는 84%의 양품률을 보임으로써 훨씬 더 향상된 ESD 내성을 가지게 된다.Embodiments can protect the light emitting device from electrostatic discharge (ESD) by supplying a current to the auxiliary finger electrode by performing a mesa etching on a portion spaced apart from the electrode pad, instead of supplying current from the electrode pad directly to the semiconductor layer. Referring to FIG. 4, in the ESD breakdown test of the prior art, 52% of the defect rate is shown, whereas in the embodiment, the defect rate is 84%, which is much improved ESD tolerance.

실시예는 제1 전극(160)이 위치할 모든 영역을 메사식각하는 것이 아니고, 제 1전극(160)과 제2 반도체층(140) 사이에 절연층(190)을 형성하고, 제1 핑거전극부(164, 166)에 연결된 보조핑거전극(168)이 제1 반도체층(120)에 연결될 수 있도록 발광소자(100)의 일부영역만 식각되므로, 외부에 노출되는 활성층(130)의 영역이 감소하게 되어 전류누설이 방지되고, 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 된다. 도 5를 참조하면, 도 5에서 도시한 발광실험 데이터를 보면 종래발명은 발광영역률(Emission area ratio)이 76%인 반면, 실시예는 79%로 3% 향상되는 효과를 가진다.The insulating layer 190 may be formed between the first electrode 160 and the second semiconductor layer 140 and the first electrode 160 may be formed by etching the first electrode 160. [ Only a part of the light emitting device 100 is etched so that the auxiliary finger electrode 168 connected to the first and second semiconductor layers 160 and 164 can be connected to the first semiconductor layer 120. As a result, The current leakage is prevented, and the light extraction efficiency and the light efficiency are increased. Referring to FIG. 5, the emission experiment data shown in FIG. 5 shows that the emission area ratio of the prior art is 76%, while the embodiment has an effect of improving the emission area ratio by 79% to 3%.

다시 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면, 보조핑거전극(168)과 홈(180)의 내측면은 이격되어 형성될 수 있다.1 to 3, the auxiliary finger electrode 168 and the inner surface of the groove 180 may be spaced apart from each other.

따라서 보조핑거전극(168)과 제2 반도체층(140) 및 활성층(130) 간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.Therefore, electrical shorting between the auxiliary finger electrode 168 and the second semiconductor layer 140 and the active layer 130 can be prevented.

또한, 절연층(190)은 보조핑거전극(168)의 외주면을 감싸도록 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 절연층(190)은 홈(180)의 내측면과 보조핑거전극(168) 사이의 공간에 형성될 수 있다. 따라서, 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating layer 190 may extend to surround the outer peripheral surface of the auxiliary finger electrode 168. That is, the insulating layer 190 may be formed in the space between the inner surface of the groove 180 and the auxiliary finger electrode 168. Therefore, electrical shorting can be prevented.

제 1핑거전극부(164, 166)의 개수는 제한이 없으나 바람직하게는 제1 핑거전극(164)과 제2 핑거전극(166)를 포함할 수 있다. 즉, 발광소자(100)의 크기에 따라 다양하게 배치될 수 있다.The number of the first finger electrode portions 164 and 166 is not limited, but may include a first finger electrode 164 and a second finger electrode 166. That is, the light emitting device 100 may be variously arranged according to the size of the light emitting device 100.

제1 핑거전극(164)과 제2 핑거전극(166) 서로 대칭으로 배치될 수 있다. 제1 핑거전극(164)과 제2 핑거전극(166)가 서로 대칭으로 배치됨으로써 효율적인 전류확산을 기대할 수 있다.The first finger electrode 164 and the second finger electrode 166 may be disposed symmetrically with respect to each other. The first finger electrode 164 and the second finger electrode 166 are disposed symmetrically with respect to each other, so that efficient current diffusion can be expected.

또한, 제1 핑거전극(164)과 제2 핑거전극(166)중 어느 하나 이상은 절곡을 포함 할 수 있다. 절곡은 발광소자(100)의 형상과 전류확산을 고려하여 다양한 형태로 배치될 수 있다. 그리고 상기 절곡은 곡률을 가질 수도 있지만 이에 한정되지 않는다.In addition, at least one of the first finger electrode 164 and the second finger electrode 166 may include a bend. The bending can be arranged in various forms in consideration of the shape of the light emitting device 100 and current diffusion. The bending may have a curvature, but is not limited thereto.

제 2 반도체층(140)은 제 2전극(170)을 포함할 수 있다.The second semiconductor layer 140 may include a second electrode 170.

제 2전극(170)은 제 2반도체층의 일측에 배치되는 제2 전극패드(172) 및 제2 전극패드(172)에 연결되어 제1 전극패드 방향(162)으로 확장되는 적어도 하나의 제 2 핑거전극부(174, 176, 178)를 포함할 수 있다.The second electrode 170 is connected to the second electrode pad 172 and the second electrode pad 172 disposed on one side of the second semiconductor layer and includes at least one second Finger electrode portions 174, 176, and 178, respectively.

제 2 핑거전극부(174, 176, 178)는 적어도 하나가 배치될 수 있고, 개수의 제한이 없지만, 바람직하게는 도 1에서 도시한 바와 같이 제3 핑거전극(174), 제4 핑거전극(176) 및 제5 핑거전극(178)를 포함할 수 있다. 즉, 발광소자(100)의 크기에 따라 전류확산을 고려하여 다양하게 배치될 수 있다.At least one of the second finger electrode units 174, 176, and 178 may be disposed, and the number of the second finger electrode units 174, 176, and 178 is not limited. Preferably, the third finger electrode 174, 176 and a fifth finger electrode 178. That is, the light emitting device 100 may be variously arranged in consideration of current diffusion according to the size of the light emitting device 100.

제3 핑거전극(174)은 제1 핑거전극(164)과 제2 핑거전극(166)의 사이에 배치되고, 제1 핑거전극(164) 및 제2 핑거전극(166)과 일정거리로 이격하여 배치된다. 제1 핑거전극(164)과 제3 핑거전극(174)의 이격거리(d2)는 제2 핑거전극(166)과 제3 핑거전극(174)의 이격거리(d3)와 동일할 수 있다. 이는 제3 핑거전극(174)을 기준으로 다른 핑거들이 대칭을 배치됨으로써 전류확산효과를 향상시킬 수 있기 때문이다. 다만, 제1 핑거전극(164)과 제3 핑거전극(174)의 이격거리(d2)는 제2 핑거전극(166)과 제3 핑거전극(174)의 이격거리(d3)와 다를 수 도 있다. 당연히 이에 한정되지 않는다.The third finger electrode 174 is disposed between the first finger electrode 164 and the second finger electrode 166 and spaced apart from the first finger electrode 164 and the second finger electrode 166 by a predetermined distance . The distance d2 between the first finger electrode 164 and the third finger electrode 174 may be the same as the separation distance d3 between the second finger electrode 166 and the third finger electrode 174. [ This is because the fingers are symmetrical with respect to the third finger electrode 174 to improve the current diffusion effect. The distance d2 between the first finger electrode 164 and the third finger electrode 174 may be different from the distance d3 between the second finger electrode 166 and the third finger electrode 174 . But is not limited thereto.

제4 핑거전극(176)과 제5 핑거전극(178)은 제3 핑거전극(174)을 기준으로 서로 대칭으로 배치될 수 있다. 또한, 제4 핑거전극(176)과 제5 핑거전극(178)은 제1 핑거전극(164), 제2 핑거전극(166)의 외측에 일정거리로 이격하여 배치될 수 있다.The fourth finger electrode 176 and the fifth finger electrode 178 may be disposed symmetrically with respect to the third finger electrode 174. The fourth finger electrode 176 and the fifth finger electrode 178 may be spaced apart from the first finger electrode 164 and the second finger electrode 166 by a predetermined distance.

제3 핑거전극(174)과 제4 핑거전극(176)의 이격거리는 제3 핑거전극(174)과 제5 핑거전극(178)의 이격거리와 동일하게 배치될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The distance between the third finger electrode 174 and the fourth finger electrode 176 may be the same as the distance between the third finger electrode 174 and the fifth finger electrode 178, but is not limited thereto.

제1 핑거전극(164)과 제4 핑거전극(176)의 이격거리(d4)는 제1 핑거전극(164)과 제5 핑거전극(178)의 이격거리(d5)와 다르게도 배치될 수 있지만 동일하게 배치될 수 있다. The separation distance d4 between the first finger electrode 164 and the fourth finger electrode 176 may be different from the separation distance d5 between the first finger electrode 164 and the fifth finger electrode 178 Can be arranged identically.

즉 각 핑거간의 거리가 일정하고 서로 대칭되게 배치됨으로써 전류확산효과를 향상시킬 수 있다.That is, the distances between the fingers are constant and are symmetrically arranged to improve the current diffusion effect.

그리고, 제3 핑거전극(174) 내지 제5 핑거전극(178) 중 적어도 하나 이상은 절곡을 포함하고, 상기 절곡은 곡률을 가지게 형성될 수 있다.At least one of the third finger electrode 174 to the fifth finger electrode 178 includes a bend, and the bend may be formed to have a curvature.

도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자의 전극을 나타낸 배치도이다. 도 6을 참조하여 설명하면, 실시예의 발광소자(200)은 다른 실시예의 발광소자(100)와 핑거의 배치만 다르고 다른 구성은 동일하다.6 is a layout view of an electrode of a light emitting device according to another embodiment. Referring to FIG. 6, the light emitting device 200 of the embodiment is different from the light emitting device 100 of the other embodiment only in the arrangement of the fingers, and the other components are the same.

발광소자(200)는 발광소자(200)의 중앙면에 제 1핑거전극부(264)가 배치되고, 제 1핑거전극부(264)를 기준으로 서로 대칭되는 두개의 제 2 핑거전극부(274, 276)가 배치된다. 실시예는 발광소자(200)의 크기에 따라 핑거의 배치가 달라질 수 있는 일 예를 보이는 것뿐이며 이에 한정되지 않고 다양하게 핑거의 배치가 가능하다.The light emitting device 200 includes a first finger electrode unit 264 disposed at the center of the light emitting device 200 and two second finger electrode units 274 symmetrical with respect to the first finger electrode unit 264 , 276 are disposed. The embodiment is merely an example in which the arrangement of the fingers can be changed according to the size of the light emitting device 200, but the fingers can be arranged in various ways without being limited thereto.

실시예에서는 수평형 발광소자를 기준으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형 발광소자, 플립형 발광소자 또는 비아홀 구조의 발광소자에도 적용될 수 있다. Although the horizontal emitting type light emitting device is described as an example in the embodiment, the present invention is not limited thereto, and may be applied to a vertical type light emitting device, a flip type light emitting device, or a light emitting device having a via hole structure.

도 7은 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.

도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 몸체(320)와, 몸체(320)에 설치된 제1 전극층(331) 및 제2 전극층(332)과, 몸체(320)에 설치되어 제1 전극층(331) 및 제2 전극층(332)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광소자(350)와, 발광소자(350)를 밀봉하는 몰딩부재(340)를 포함한다.7, the light emitting device package 300 includes a body 320, a first electrode layer 331 and a second electrode layer 332 provided on the body 320, A light emitting device 350 according to an embodiment electrically connected to the first electrode layer 331 and the second electrode layer 332 and a molding member 340 sealing the light emitting device 350.

몸체(320)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광소자(350)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 320 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 350.

제1 전극층(331) 및 제2 전극층(332)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(350)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 전극층(331) 및 제2 전극층(332)은 발광소자(350)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(350)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 331 and the second electrode layer 332 are electrically isolated from each other and provide power to the light emitting device 350. The first electrode layer 331 and the second electrode layer 332 may reflect the light generated by the light emitting device 350 to increase the light efficiency and may be configured to discharge heat generated from the light emitting device 350 to the outside It can also play a role.

발광소자(350)는 몸체(320) 상에 설치되거나 제1 전극층(331) 또는 제2 전극층(332) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 350 may be mounted on the body 320 or on the first electrode layer 331 or the second electrode layer 332.

발광소자(350)는 제1 전극층(331) 및 제2 전극층(332)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 350 may be electrically connected to the first electrode layer 331 and the second electrode layer 332 by a wire, flip chip, or die bonding method.

몰딩부재(340)는 발광소자(350)를 밀봉하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩부재(340)에는 형광체가 포함되어 발광소자(350)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 340 can protect the light emitting device 350 by sealing. In addition, the molding member 340 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 350.

상기 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one of the light emitting devices of the above-described embodiments may be mounted on one or more than one light emitting device package, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Still another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, and a lighting system including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting system may include a lamp and a streetlight.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광소자 110: 기판
112: 버퍼층 120: 제1 반도체층
130: 활성층 140: 제2 반도체층
150: 투광성전극층 160: 제1 전극
162: 제1 전극패드 164: 제1 핑거전극
166: 제2 핑거전극 168: 보조핑거전극
170: 제2 전극 172: 제2 전극패드
174: 제3 핑거전극 176: 제4 핑거전극
178: 제5 핑거전극 180: 홈
190: 절연층100: light emitting device 110: substrate
112: buffer layer 120: first semiconductor layer
130: active layer 140: second semiconductor layer
150: Transparent electrode layer 160: First electrode
162: first electrode pad 164: first finger electrode
166: second finger electrode 168: auxiliary finger electrode
170: second electrode 172: second electrode pad
174: Third finger electrode 176: Fourth finger electrode
178: fifth finger electrode 180: groove
190: insulating layer

Claims (15)

기판;
상기 기판상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
상기 제2 반도체층 상의 일측에 배치되는 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드에 연결되어 타측 방향으로 확장되는 제1 핑거전극부를 포함하는 제1 전극;
상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 형성되는 절연층; 및
상기 제2 반도체층의 타측에 배치되는 제2 전극;을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제1 핑거전극부에 연결되어 상기 제1 반도체층에 연결된 적어도 하나의 보조핑거전극을 더 포함하며,
상기 발광구조물은 상기 제1 핑거전극부에서 상기 제1 반도체층까지 이어지며 상기 보조핑거전극보다 큰 폭을 가지는 홈을 포함하고,
상기 제1 핑거전극부는,
제1 핑거전극; 및
상기 제1 핑거전극과 대칭되는 제2 핑거전극을 포함하고,
상기 제1 핑거전극과 상기 제2 핑거전극의 이격거리는 동일하게 형성되고,
상기 홈은,
상기 제1 핑거전극 및 제2 핑거전극에 동일한 간격으로 복수 개가 형성되며,
상기 보조핑거전극은,
복수 개가 형성되며, 서로 인접한 두 개의 상기 보조핑거전극 사이의 거리는 상기 제1 전극패드에서 멀어질수록 가까워지고, 상기 보조핑거전극의 두께는, 제1 전극패드에서 멀어질 수록 두꺼워지 발광소자.Board;
A light emitting structure disposed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer;
A first electrode including a first electrode pad disposed on one side of the second semiconductor layer and a first finger electrode portion connected to the first electrode pad and extending in the other direction;
An insulating layer formed between the second semiconductor layer and the first electrode; And
And a second electrode disposed on the other side of the second semiconductor layer,
Wherein the first electrode further comprises at least one auxiliary finger electrode connected to the first finger electrode portion and connected to the first semiconductor layer,
Wherein the light emitting structure includes a groove extending from the first finger electrode portion to the first semiconductor layer and having a width larger than that of the auxiliary finger electrode,
Wherein the first finger electrode portion includes:
A first finger electrode; And
And a second finger electrode symmetrical with the first finger electrode,
Wherein a distance between the first finger electrode and the second finger electrode is the same,
The groove
A plurality of first finger electrodes and second finger electrodes are formed at equal intervals,
Wherein the auxiliary finger electrode comprises:
Wherein a distance between two adjacent auxiliary finger electrodes is closer to the first electrode pad, and a thickness of the auxiliary finger electrode increases as the distance from the first electrode pad increases. 제1항에 있어서,
상기 보조핑거전극은,
복수 개가 형성되며,
상기 복수 개의 보조핑거전극은 서로 인접한 두개의 보조핑거전극 사이의 간격이 서로 동일한 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary finger electrode comprises:
A plurality of electrodes are formed,
Wherein the plurality of auxiliary finger electrodes are spaced apart from each other by two auxiliary finger electrodes adjacent to each other. 제1항에 있어서,
상기 보조핑거전극은,
상기 홈의 내측면과 이격되어 형성되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary finger electrode comprises:
And is spaced apart from an inner surface of the groove. 제1항에 있어서,
상기 절연층은,
상기 보조핑거전극과 상기 홈의 내측면사이의 공간에 형성되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the insulating layer
And a space between the auxiliary finger electrode and the inner surface of the groove. 제1항에 있어서,
제2 전극은,
제2 전극패드 및 상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 제1 전극패드 방향으로 연장되는 제 2 핑거전극부를 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
The second electrode,
And a second finger electrode part connected to the second electrode pad and extending in the first electrode pad direction. 제5항에 있어서,
상기 제2 핑거전극부는,
상기 제1, 2 핑거전극의 사이에 배치되는 제3 핑거전극; 및
상기 제1, 2 핑거전극의 외측에 일정거리로 이격하여 배치되는 제4 핑거전극과 제5 핑거전극을 포함하는 발광소자.6. The method of claim 5,
The second finger electrode unit
A third finger electrode disposed between the first and second finger electrodes; And
And a fourth finger electrode and a fifth finger electrode disposed apart from the first and second finger electrodes by a predetermined distance. 제6항에 있어서,
상기 제1 내지 제5 핑거전극 중 적어도 하나는 곡률을 갖는 발광소자.The method according to claim 6,
And at least one of the first to fifth finger electrodes has a curvature. 제6항에 있어서,
상기 홈은 상기 제3 핑거전극을 기준으로 대칭으로 배치되는 발광소자.The method according to claim 6,
And the groove is symmetrically arranged with respect to the third finger electrode. 제6항에 있어서,
상기 제1 핑거전극과 상기 제3 핑거전극의 이격거리는 상기 제2 핑거전극과 상기 제3 핑거전극의 이격거리와 동일한 발광소자.The method according to claim 6,
Wherein a distance between the first finger electrode and the third finger electrode is equal to a distance between the second finger electrode and the third finger electrode. 제6항에 있어서,
상기 제1 핑거전극과 제4 핑거전극의 이격거리는 상기 제2 핑거전극과 제5 핑거전극의 이격거리와 동일한 발광소자.The method according to claim 6,
Wherein a distance between the first finger electrode and the fourth finger electrode is equal to a distance between the second finger electrode and the fifth finger electrode. 제6항에 있어서,
상기 제3 핑거전극과 제4 핑거전극 사이의 거리는 상기 제3 핑거전극과 제5 핑거전극 사이의 거리와 동일하게 배치되는 발광소자.The method according to claim 6,
And a distance between the third finger electrode and the fourth finger electrode is equal to a distance between the third finger electrode and the fifth finger electrode. 제7항에 있어서,
상기 제4 핑거전극과 제5 핑거전극은 상기 제3 핑거전극을 기준으로 서로 대칭으로 배치되는 발광소자.8. The method of claim 7,
Wherein the fourth finger electrode and the fifth finger electrode are disposed symmetrically with respect to the third finger electrode. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.A light emitting device package comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 12. 삭제delete 삭제delete
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