KR101802935B1 - In plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 투명 기판 상에 금속물질을 증착하고, 패터닝하여 게이트 배선 및 보조 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 상기 보조 공통전극을 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 상부에 같은 금속물질을 증착하고, 패터닝하여 데이터 배선을 형성하는 단계와; 투명한 전도성 물질을 증착하고, 패터닝하여 적어도 하나의 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선과 상기 화소전극의 상부에 유기물을 도포하여 유기절연막을 형성하는 단계와; 상기 유기절연막 상부에 적어도 하나의 제 1 및 제 2 공통전극을 형성하는 단계를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.
A method of manufacturing an array substrate for a lateral electric field type liquid crystal display according to the present invention includes the steps of: forming a gate wiring and an auxiliary common electrode by depositing and patterning a metal material on a transparent substrate; Forming a gate insulating film on the gate wiring and the auxiliary common electrode; Depositing a metal material on the gate insulating film and patterning the metal material to form a data line; Depositing and patterning a transparent conductive material to form at least one pixel electrode; Forming an organic insulating layer by coating an organic material on the data line and the pixel electrode; And forming at least one first and second common electrodes on the organic insulating film.

Description

횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device,

본 발명은 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보조 공통전극을 투명한 전도성 물질로 형성하여 제 1 공통 전극의 일부를 제거함에 따라 발생하는 데이터 배선 전계로 인한 데이터 배선 좌우의 빛샘을 방지함과 동시에 개구율 감소를 방지할 수 있는 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.

최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전기발광표시장치(Electro Luminescent Display device) 등이 연구되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] With the development of information society in recent years, demands for the display field have been increasing in various forms. In response to this demand, various flat panel display devices having characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption, A liquid crystal display device, a plasma display panel device, and an electro luminescent display device have been studied.

이 중에서 액정표시장치는 현재 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중 하나이며, 화소전극과 공통전극 등이 형성되는 두 기판과, 두 기판 사이의 액정층을 포함한다.Among these, a liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices, and includes two substrates on which pixel electrodes and common electrodes are formed, and a liquid crystal layer between two substrates.

이러한 액정표시장치는, 전극에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장에 따라 액정층의 액정분자들의 배향을 결정하고, 입사광의 편광을 제어하여 영상을 표시한다.Such a liquid crystal display device determines the orientation of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer according to the electric field generated by the voltage applied to the electrodes, and controls the polarization of the incident light to display an image.

그리고, 액정표시장치는 동화상 표시에 유리하고 높은 콘트라스트비(contrast ratio)로 인하여 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube)을 대체하면서 이동 단말기의 표시장치(노트북 모니터 등)뿐만 아니라 컴퓨터의 모니터, 텔레비전 등으로 다양하게 이용되고 있다.The liquid crystal display device is advantageous for moving picture display and has a high contrast ratio. Therefore, the liquid crystal display device can replace a conventional cathode ray tube (CRT) .

액정표시장치는 액정의 배열과 액정에 전계를 인가하는 전극의 배열 형태에 따라, 액정 분자가 90도 트위스트 되도록 배열한 후 전압을 인가하여 액정 분자를 제어하는 TN(Twisted Nematic)모드, 한 기판 상에 두개의 전극을 형성하여 배향막과 나란한 평면에서 수평전계에 의해 액정분자의 배향을 변화시키는 IPS(In-Plane Switching)모드, 액정분자의 초기 배향이 기판에 평행하게 배열되고 전극은 제1 및 제2기판 각각에 형성되어 액정에 수직전계를 인가하는VA(Vertical Alignment)모드 등으로 구분된다.The liquid crystal display device is classified into a TN (Twisted Nematic) mode in which liquid crystal molecules are aligned so as to twist by 90 degrees and then a voltage is applied to control the liquid crystal molecules according to the arrangement of liquid crystals and the arrangement of electrodes for applying an electric field to the liquid crystal, An IPS (In-Plane Switching) mode in which two electrodes are formed in a plane parallel to the alignment film to change the orientation of the liquid crystal molecules by a horizontal electric field, an initial alignment of the liquid crystal molecules is arranged in parallel to the substrate, And a VA (Vertical Alignment) mode in which a vertical electric field is applied to the liquid crystal.

이 중 IPS방식의 액정표시장치는, 일반적으로 서로 대향배치되며 그 사이에 액정층을 구비하는 제1기판과 제2기판을 포함하며, 액정층의 액정분자가 횡전계에 의해 수평 구동되므로 시야각이 우수하다.
Among them, the IPS-mode liquid crystal display device includes a first substrate and a second substrate which are generally opposed to each other with a liquid crystal layer therebetween, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are driven horizontally by a horizontal electric field, great.

도1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치의 단면을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a general transverse electric field type liquid crystal display device.

도1에 도시한 바와 같이, 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)이 서로 이격되어 대향하고 있으며, 어레이 기판(10) 및 컬러필터 기판(20) 사이에는 액정층(30)이 개재되어 있다.The array substrate 10 and the color filter substrate 20 are spaced apart from each other and face each other and the liquid crystal layer 30 is interposed between the array substrate 10 and the color filter substrate 20 have.

어레이 기판(10)상에는 공통전극(13)과 화소전극(9)이 동일 평면상에 형성되어 있으며, 이때, 공통전극(13)과 화소전극(9)에 전압이 인가됨에 따라 공통전극(13)과 화소전극(9) 사이에는 수평전계(L)가 형성되고, 이러한 수평전계(L)에 의해 액정층(30)의 액정분자들의 배향이 결정되어 영상을 표시할 수 있다.
The common electrode 13 and the pixel electrode 9 are formed on the same plane on the array substrate 10. At this time, the voltage is applied to the common electrode 13 and the pixel electrode 9, A horizontal electric field L is formed between the liquid crystal layer 30 and the pixel electrode 9 and the alignment of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 30 is determined by the horizontal electric field L to display an image.

도2는 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도를 도시한 도면이고, 도3은 도 2를 절단선 III-III'을 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이고, 도4는 도3의 A부분에 대한 확대도이다.FIG. 2 is a plan view of a conventional array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a portion cut along the cutting line III-III 'of FIG. 2, 4 is an enlarged view of a portion A in Fig.

도2에 도시한 바와 같이, 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판(10)에는 서로 교차하여 부화소영역(SP)을 정의하는 게이트 배선(1) 및 데이터 배선(7)이 형성되고, 게이트 배선(1)과 평행하게 공통 배선(12)이 배열되며, 그 공통 배선(12) 하부에는 공통 배선(12)과 중첩되도록 화소전극 패턴(8)이 형성된다.As shown in Fig. 2, a gate wiring 1 and a data wiring 7 which define the sub-pixel region SP are formed on the array substrate 10 for a transverse electric field type liquid crystal display device, The common wiring 12 is arranged in parallel with the common wiring 12 and the pixel electrode pattern 8 is formed under the common wiring 12 so as to overlap with the common wiring 12. [

그리고, 각 부화소영역(SP) 내에는 공통 배선(12)으로부터 분기된 적어도 하나의 제 1 공통전극(13a) 및 제 2 공통전극(13b)이 형성되며, 화소전극 패턴(8)으로부터 분기된 적어도 하나의 화소전극(9)이 형성된다. At least one first common electrode 13a and a second common electrode 13b branching from the common wiring 12 are formed in each sub pixel area SP and are branched from the pixel electrode pattern 8 At least one pixel electrode 9 is formed.

이러한 제 1 공통전극(13a) 및 제 2 공통전극(13b), 그리고 화소전극(9)은 서로 교대로 데이터 배선(7)과 평행하게 배열되며, 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 전도성 물질로 형성된다.The first common electrode 13a and the second common electrode 13b and the pixel electrode 9 are alternately arranged in parallel with the data line 7 and are formed of indium tin- ITO), which is a transparent conductive material having a relatively high light transmittance.

그리고, 각 부화소영역(SP) 내에는 게이트 배선(1) 및 데이터 배선(7)에 연결되어 제어신호에 의해 온/오프(ON/OFF)가 제어되는 박막트랜지스터(Tr)와, 박막트랜지스터(Tr)에 연결되는 스토리지 커패시터(미도시)가 형성된다.In each of the sub-pixel regions SP, a thin film transistor Tr connected to the gate wiring 1 and the data wiring 7 and controlled on / off by a control signal, (Not shown) is formed.

여기서, 박막트랜지스터(Tr)은 게이트 배선(1)으로부터 분기된 게이트전극(2)과, 데이터 배선(7)으로부터 분기된 소스전극(5a)과, 화소전극 패턴(8)과 연결되는 드레인 전극(5b) 등을 포함한다.The thin film transistor Tr includes a gate electrode 2 branched from the gate wiring 1, a source electrode 5a branched from the data wiring 7, and a drain electrode connected to the pixel electrode pattern 8 5b) and the like.

한편, 데이터 배선(7)과 평행하며, 제 1 공통전극(13a)과 중첩되도록 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금 등과 같은 금속 물질로 구성되는 보조 공통전극(3)이 배열되는데, 게이트 배선(1)과 동시에 형성되며, 공통 콘택홀(14)을 통해 제 1 공통전극(13a)과 연결된다.On the other hand, the auxiliary common electrode 3 made of a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy or the like is arranged in parallel with the data line 7 so as to overlap with the first common electrode 13a. Which is formed simultaneously with the gate wiring 1 and is connected to the first common electrode 13a through the common contact hole 14. [

이러한 보조 공통전극(3)에는 제 1 및 제 2 공통전극(13a, 13b)과 동일한 공통전압이 인가되기 때문에 보조 공통전극(3)을 통해 화소전극(9)과 데이터 배선(7) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시킬 수 있다.Since the same common voltage is applied to the auxiliary common electrode 3 as that of the first and second common electrodes 13a and 13b, it is generated between the pixel electrode 9 and the data line 7 through the auxiliary common electrode 3 It is possible to shield the transverse electric field.

도3에 도시한 바와 같이, 어레이 기판(10)상에는, 보조 공통전극(3)이 게이트 배선(1)과 동일층에 형성되고, 그 상부에는 게이트 절연막(4)이 형성되며, 게이트 절연막(4) 위에 데이터 배선(7)과 화소전극(9)이 동일층에 형성된다.The auxiliary common electrode 3 is formed on the same layer as the gate wiring 1 on the array substrate 10 and the gate insulating film 4 is formed thereon and the gate insulating film 4 The data line 7 and the pixel electrode 9 are formed on the same layer.

데이터 배선(7)과 화소전극(9) 위로 기판 전체에 걸쳐 유기절연막(11)이 도포되고, 유기절연막(11) 상부에 제 1 및 제 2 공통전극(13a, 13b)이 형성되며, 그 위로 제 1 배향막(16)이 형성된다.The organic insulating film 11 is applied over the data line 7 and the pixel electrode 9 over the whole substrate and the first and second common electrodes 13a and 13b are formed on the organic insulating film 11, A first alignment film 16 is formed.

또한, 컬러필터 기판(20)에는 데이터 배선(7) 등의 비표시영역을 가리는 블랙매트릭스(24)와, 부화소영역(SP)에 대응되게 순차적으로 반복 배열되는 컬러필터(22)가 형성되어 있으며, 그 위에는 제 2 배향막(26)이 도포된다.The color filter substrate 20 is formed with a black matrix 24 covering the non-display areas such as the data lines 7 and the color filters 22 sequentially and repeatedly arranged in correspondence with the sub pixel areas SP And a second alignment film 26 is applied thereon.

도4에 도시한 바와 같이, 컬러필터 기판(20)의 블랙매트릭스(24)는 어레이 기판(10)에 형성된 데이터 배선(7) 등의 비표시영역을 가리도록 형성되어 있다.4, the black matrix 24 of the color filter substrate 20 is formed so as to cover a non-display area such as the data line 7 formed on the array substrate 10. [

그리고, 화소전극(9)과 데이터 배선(7) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시키기는 보조 공통전극(3)은 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금 등과 같은 금속 물질(불투명 물질)로 구성된다. 따라서, 보조 공통전극(3)은 블랙매트릭스(24)와 대응되는 영역에서 벗어나면 개구율이 좁아지는 문제점이 발생하기 때문에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(24)의 양 끝단을 벗어나지 않게 형성되어 있다.The auxiliary common electrode 3 for shielding the transverse electric field generated between the pixel electrode 9 and the data line 7 is made of a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy, Material). Therefore, the auxiliary common electrode 3 is formed so as not to deviate from both ends of the black matrix 24 as shown in the drawing, because the aperture ratio is reduced when the auxiliary common electrode 3 is deviated from the region corresponding to the black matrix 24.

이와 같이 형성된 횡전계 방식 액정표시장치의 경우에는 데이터 배선(7) 위에 제 1 공통전극(13a)을 형성함으로써 개구율을 향상시킬 수 있지만, 한편으로는 제 1 공통전극(13a)이 데이터 배선(7)을 덮고 있어서 데이터 배선(7)의 불량을 검출하기 위한 검사가 용이하지 않고, 제 1 공통전극(13a)과의 커패시턴스에 의한 부하가 증가하는 문제점이 있었다.
In the transverse electric field type liquid crystal display device thus formed, the aperture ratio can be improved by forming the first common electrode 13a on the data line 7. On the other hand, the first common electrode 13a is connected to the data line 7 The inspection for detecting the defect of the data line 7 is not easy and the load due to the capacitance with the first common electrode 13a is increased.

본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전도성물질로 형성된 제 1 공통전극의 일부를 제거함으로써, 데이터 배선의 불량을 검출하기 위한 검사를 용이하게 하고, 또한, 제 1 공통전극과의 커패시턴스에 의한 부하를 감소시킬 수 있는 횡전계 방식 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems and it is an object of the present invention to facilitate inspection for detecting defective data lines by removing part of a first common electrode formed of a conductive material, And it is an object of the present invention to provide a transverse electric field type liquid crystal display device capable of reducing a load due to a capacitance.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 보조 공통전극을 투명한 전도성 물질로 형성하여 제 1 공통 전극의 일부를 제거함에 따라 발생하는 데이터 배선 전계로 인한 데이터 배선 좌우의 빛샘을 방지함과 동시에 개구율 감소를 방지할 수 있는 횡전계 방식 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
According to another embodiment of the present invention, the auxiliary common electrode is formed of a transparent conductive material to prevent light leakage from the left and right of the data line due to the data wiring electric field generated by removing a part of the first common electrode, A liquid crystal display device of a transverse electric field type which can prevent the liquid crystal display device from being deteriorated.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 횡전계형 액정표시장치는, 대향합착되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 사이에 개재되는 액정층을 포함하는 액정셀과; 상기 제1기판 상부에 형성되며, 서로 교차하여 상기 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선과; 상기 데이터 배선 위로 형성된 유기절연막과; 상기 유기 절연막 상부에 형성되며, 공통 배선으로부터 분기된 적어도 하나의 제 1 및 제 2 공통전극과; 상기 다수의 게이트 배선과 평행한 화소전극 패턴으로부터 분기되는 적어도 하나의 화소전극을 포함하며, 상기 데이터 배선의 하부층에 상기 화소전극과 상기 데이터 배선 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시키기 위한 보조 공통전극이 형성되는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal cell including a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; a liquid crystal cell including a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; and; A plurality of gate wirings and a plurality of data wirings formed on the first substrate and defining the plurality of pixel regions crossing each other; An organic insulating film formed on the data line; At least one first and second common electrodes formed on the organic insulating film and branched from the common wiring; And at least one pixel electrode branched from a pixel electrode pattern parallel to the plurality of gate wirings, wherein an auxiliary common electrode for shielding a horizontal electric field generated between the pixel electrode and the data wiring is formed in a lower layer of the data wiring Is formed.

여기서, 상기 제 1 공통전극은 상기 데이터 배선에 대응하여 형성되고, 상기 제 2 공통전극은 상기 화소전극과 소정 간격 이격하여 형성되며, 상기 제 1 공통전극은, 상기 데이터 배선과의 기생 커패시턴스에 의한 부하를 감소시키기 위하여 상기 데이터 배선과 중첩되는 일부가 제거되어 형성될 수 있다.Here, the first common electrode may be formed to correspond to the data line, the second common electrode may be spaced apart from the pixel electrode by a predetermined distance, and the first common electrode may be formed by a parasitic capacitance with the data line And a part overlapping with the data line may be removed to reduce the load.

그리고, 상기 게이트 배선으로부터 분기된 게이트전극과; 상기 다수의 게이트 배선 또는 상기 게이트전극 위로 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트전극에 대응하여 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상부로 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하며,A gate electrode branched from the gate wiring; A gate insulating film formed on the plurality of gate wirings or the gate electrode; A semiconductor layer formed on the gate insulating film in correspondence with the gate electrode; and a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer,

상기 드레인 전극 일끝단은 상기 화소전극 패턴과 연결되고, 상기 소스 전극의 일 끝단은 상기 데이터 배선과 연결될 수 있다.One end of the drain electrode may be connected to the pixel electrode pattern, and one end of the source electrode may be connected to the data line.

여기서, 상기 화소전극은 상기 데이터 배선과 동일층에 형성되거나 상기 제 1 및 제 2 공통전극과 동일층에 형성될 수 있다.Here, the pixel electrode may be formed on the same layer as the data line or on the same layer as the first and second common electrodes.

그리고, 상기 화소전극 및 상기 제 1 및 제 2 공통전극은 투명한 전도성 물질로 구성될 수 있다.The pixel electrode and the first and second common electrodes may be formed of a transparent conductive material.

또한, 상기 보조 공통전극은 투명한 전도성 물질로 구성되는 것이 바람직하다.The auxiliary common electrode may be formed of a transparent conductive material.

여기서, 상기 제 1 및 제 2 공통전극, 그리고 상기 보조 공통전극에는 동일한 공통 전압이 인가될 수 있다.
Here, the same common voltage may be applied to the first and second common electrodes and the auxiliary common electrode.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 바람직한 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 투명 기판 상에 금속물질을 증착하고, 패터닝하여 게이트 배선 및 보조 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 상기 보조 공통전극을 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 상부에 같은 금속물질을 증착하고, 패터닝하여 데이터 배선을 형성하는 단계와; 투명한 전도성 물질을 증착하고, 패터닝하여 적어도 하나의 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선과 상기 화소전극의 상부에 유기물을 도포하여 유기절연막을 형성하는 단계와; 상기 유기절연막 상부에 적어도 하나의 제 1 및 제 2 공통전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 보조 공통전극은 상기 화소전극과 상기 데이터 배선 사이에 발생하는 횡전계를 차폐하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating an array substrate for a liquid crystal display (LCD) device, comprising: depositing a metal material on a transparent substrate; ; ≪ / RTI > Forming a gate insulating film on the gate wiring and the auxiliary common electrode; Depositing a metal material on the gate insulating film and patterning the metal material to form a data line; Depositing and patterning a transparent conductive material to form at least one pixel electrode; Forming an organic insulating layer by coating an organic material on the data line and the pixel electrode; And forming at least one first and second common electrodes on the organic insulating layer, wherein the auxiliary common electrode shields a transverse electric field generated between the pixel electrode and the data line.

여기서, 상기 제 1 공통전극은 상기 데이터 배선에 대응하여 형성되고, 상기 제 2 공통전극은 상기 화소전극과 소정 간격 이격하여 형성되며, 상기 제 1 공통전극은, 상기 데이터 배선과의 커패시턴스에 의한 부하를 감소시키기 위하여 상기 데이터 배선과 중첩되는 일부가 제거되어 형성될 수 있다.Here, the first common electrode may be formed corresponding to the data line, the second common electrode may be spaced apart from the pixel electrode by a predetermined distance, and the first common electrode may include a load caused by a capacitance with the data line A part of the data line overlapping with the data line may be removed.

그리고, 상기 보조 공통전극은 투명한 전도성 물질로 구성되며, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 게이트 배선과 동시에 형성되는 것이 바람직하다.
The auxiliary common electrode may be formed of a transparent conductive material, and may be formed simultaneously with the gate wiring using a halftone mask.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에서는, 제 1 공통전극의 일부를 제거함으로써, 데이터 배선의 불량을 검출하기 위한 검사를 용이하게 하고, 또한, 데이터 배선과 제 1 공통전극과의 커패시턴스에 의한 부하를 감소시킬 수 있다.As described above, in the transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention, by removing a part of the first common electrode, the inspection for detecting the defect of the data line is facilitated, and the data line and the first common electrode The load caused by the capacitance between the capacitor and the capacitor can be reduced.

또한, 제 1 공통 전극의 일부를 제거함에 따라 발생하는 데이터 배선 전계에 의한 데이터 배선 좌우의 빛샘을 방지함과 동시에 개구율 감소를 방지할 수 있다.
In addition, it is possible to prevent light leakage from the left and right sides of the data wiring due to the data wiring electric field generated by removing a part of the first common electrode, and to prevent the aperture ratio from being reduced.

도1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치의 단면을 도시한 도면이다.
도2는 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도를 도시한 도면이다.
도3은 도2를 절단선 III-III'을 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도4는 도3의 A부분에 대한 확대도이다.
도5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도를 도시한 도면이다.
도6은 도5를 절단선 VI-VI'을 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도7a 내지 도7d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
도8은 도6의 B부분에 대한 확대도를 도시한 도면이다.
도9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 데이터 배선 부근에서 빛샘이 발생함을 나타내는 도면이다.
도10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도를 도시한 도면이다.
도11은 도10을 절단선 XI-XI'을 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도12a 내지 도12c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
도13은 도11의 C부분에 대한 확대도를 도시한 도면이다.
도14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 데이터 배선 부근에서 빛샘이 제거되었음을 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a general transverse electric field type liquid crystal display device.
2 is a plan view of a conventional array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device.
Fig. 3 is a view schematically showing a cross-sectional view of a portion cut along the cutting line III-III 'of Fig. 2. Fig.
4 is an enlarged view of a portion A in Fig.
Fig. 5 is a plan view of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view schematically showing a cross-sectional view of a portion cut along the cutting line VI-VI 'of FIG. 5; FIG.
FIGS. 7A to 7D are views for explaining a manufacturing process of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
8 is an enlarged view of the portion B in Fig.
9 is a view showing that light leakage occurs in the vicinity of a data line of an array substrate for a transverse electric field system liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention.
10 is a plan view of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
11 is a view schematically showing a cross-sectional view of a portion cut along the cutting line XI-XI 'in Fig.
12A to 12C are diagrams for explaining a manufacturing process of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.
13 is an enlarged view of the portion C in Fig.
14 is a view showing that light leakage is removed in the vicinity of a data line of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 경우에는 화소전극이 데이터 배선과 동일한 층에 형성되어 있는 것으로 가정하고 설명하고 있으나, 이에 한정되지 아니하고, 화소전극이 제1 및 제2 공통전극과 동일한 층에 형성될 수도 있으며, 그에 따라 공통 배선과, 화소전극 패턴의 위치도 달라질 수 있다.In the case of the array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device of the present invention, it is assumed that the pixel electrodes are formed on the same layer as the data lines. However, the present invention is not limited to this, The positions of the common wiring and the pixel electrode pattern may be different.

또한, 제 1 공통전극이 ITO나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 구성된다고 설명하고 있지만 이에 한정되지는 않는다.
In addition, although the first common electrode is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, it is not limited thereto.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도이고, 도6은 도 5를 절단선 VI-VI'을 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.5 is a plan view of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion cut along the cutting line VI-VI ' FIG.

도시한 바와 같이, 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판(110)에는 서로 교차하여 부화소영역(SP)을 정의하는 게이트 배선(101) 및 데이터 배선(107)이 형성되고, 게이트 배선(101)과 평행하게 공통 배선(112)이 배열되며, 그 공통 배선(112) 하부에는 공통 배선(112)과 중첩되도록 화소전극 패턴(108)이 형성된다.As shown in the figure, a gate wiring 101 and a data wiring 107 which define the sub-pixel region SP are formed on the array substrate 110 for a transverse electric field type liquid crystal display device, And a pixel electrode pattern 108 is formed under the common wiring 112 so as to overlap with the common wiring 112. [

그리고, 각 부화소영역(SP) 내에는 공통 배선(112)으로부터 분기된 적어도 하나의 제 1 공통전극(113a) 및 제 2 공통전극(113b)이 형성되며, 화소전극 패턴(108)으로부터 분기된 적어도 하나의 화소전극(109)이 형성된다.At least one first common electrode 113a and a second common electrode 113b branched from the common wiring 112 are formed in each sub pixel area SP and are branched from the pixel electrode pattern 108 At least one pixel electrode 109 is formed.

이러한 제 1 공통전극(113a) 및 제 2 공통전극(113b), 그리고 화소전극(109)은 서로 교대로 데이터 배선(107)과 평행하게 배열되며, 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 전도성 물질로 형성된다.The first common electrode 113a and the second common electrode 113b and the pixel electrode 109 are alternately arranged in parallel with the data line 107 and are formed of indium tin- ITO), which is a transparent conductive material having a relatively high light transmittance.

그리고, 각 부화소영역(SP) 내에는 게이트 배선(101) 및 데이터 배선(107)에 연결되어 제어신호에 의해 온/오프(ON/OFF)가 제어되는 박막트랜지스터(Tr)와, 박막트랜지스터(Tr)에 연결되는 스토리지 커패시터(미도시)가 형성된다.In each sub-pixel region SP, a thin film transistor Tr connected to the gate wiring 101 and the data wiring 107 and controlled ON / OFF by a control signal, (Not shown) is formed.

여기서, 박막트랜지스터(Tr)은 게이트 배선(101)으로부터 분기된 게이트전극(102)과, 데이터 배선(107)으로부터 분기된 소스전극(105a)과, 화소전극 패턴(108)과 연결되는 드레인 전극(105b) 등을 포함한다.Here, the thin film transistor Tr includes a gate electrode 102 branched from the gate wiring 101, a source electrode 105a branched from the data line 107, and a drain electrode connected to the pixel electrode pattern 108 105b and the like.

한편, 데이터 배선(107)과 평행하며, 제 1 공통전극(113a)과 중첩되도록 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금 등과 같은 금속 물질로 구성되는 보조 공통전극(103)이 배열되는데, 게이트 배선(101)과 동시에 형성되며, 공통 콘택홀(114)을 통해 제 1 공통전극(113a)과 연결된다.On the other hand, the auxiliary common electrode 103 made of a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy or the like is arranged in parallel with the data line 107 so as to overlap with the first common electrode 113a. And is formed simultaneously with the gate wiring 101 and is connected to the first common electrode 113a through the common contact hole 114. [

이러한 보조 공통전극(103)에는 제 1 및 제 2 공통전극(113a, 113b)과 동일한 공통전압이 인가되기 때문에 보조 공통전극(103)을 통해 화소전극(109)과 데이터 배선(107) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시킬 수 있다.Since the same common voltage as the first and second common electrodes 113a and 113b is applied to the auxiliary common electrode 103, it is generated between the pixel electrode 109 and the data line 107 through the auxiliary common electrode 103 It is possible to shield the transverse electric field.

도시한 바와 같이, 어레이 기판(110)상에는, 보조 공통전극(103)이 게이트 배선(101)과 동일층에 형성되고, 그 상부에는 게이트 절연막(104)이 형성되며, 게이트 절연막(104) 위에 형성되어 데이터 배선(107)과 화소전극(109)이 동일층에 형성된다.The auxiliary common electrode 103 is formed on the same layer as the gate wiring 101 on the array substrate 110 and the gate insulating film 104 is formed thereon and formed on the gate insulating film 104 So that the data line 107 and the pixel electrode 109 are formed in the same layer.

데이터 배선(107)과 화소전극(109) 위로 기판 전체에 걸쳐 유기절연막(111)이 도포되고, 유기절연막(111) 상부에 제 1 및 제 2 공통전극(113a, 113b)이 형성되며, 그 위로 제 1 배향막(116)이 형성된다. 여기서, 제 1 공통전극(113a)의 일부가 제거되어 형성된다.An organic insulating film 111 is applied over the data line 107 and the pixel electrode 109 over the entire substrate and first and second common electrodes 113a and 113b are formed on the organic insulating film 111, A first alignment layer 116 is formed. Here, a portion of the first common electrode 113a is removed and formed.

또한, 컬러필터 기판(120)에는 빛이 새는 것을 막아주는 블랙매트릭스(124)와, 컬러필터(122)가 형성되어 있으며, 그 위에는 제 2 배향막(126)이 도포된다.A color filter 122 and a black matrix 124 are formed on the color filter substrate 120 to prevent light from leaking. A second alignment layer 126 is formed on the black matrix 124 and the color filter 122.

종래의 횡전계 방식 액정표시장치의 경우에는 도3에 도시한 바와 같이, 데이터 배선(7) 위에 투명한 제 1 공통전극(13a)을 형성함으로써 개구율을 향상시킬 수 있지만, 한편으로는 제 1 공통전극(13a)이 데이터 배선(7)을 덮고 있어서 데이터 배선(7)의 불량을 검출하기 위한 검사가 용이하지 않고, 제 1 공통전극(13a)과의 커패시턴스에 의한 부하가 증가하는 문제점이 있었다.In the case of the conventional transverse electric field liquid crystal display device, the aperture ratio can be improved by forming the transparent first common electrode 13a on the data line 7 as shown in Fig. 3. On the other hand, The inspection for detecting the defect of the data line 7 is not easy because the first common electrode 13a covers the data line 7 and the load due to the capacitance with the first common electrode 13a is increased.

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 경우에는, 도시한 바와 같이, 제 1 공통전극(113a)의 일부를 제거함에 따라 데이터 배선(107)이 일부 노출되어 데이터 배선(107)의 불량을 검출하기 위한 검사를 용이해지고, 더불어 제 1 공통전극(113a)과의 커패시턴스에 의한 부하를 감소시킬 수 있다.
Therefore, in the case of the transverse electric field system liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, as shown in the figure, as part of the first common electrode 113a is removed, the data line 107 is partially exposed, The inspection for detecting the defect of the first common electrode 107 can be facilitated and the load due to the capacitance with the first common electrode 113a can be reduced.

도7a 내지 도7d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.FIGS. 7A to 7D are views for explaining a manufacturing process of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

도7a에 도시한 바와 같이, 유리와 같은 투명기판에 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속 물질을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 후, 패터닝하여 게이트 배선(101)과, 게이트전극(102)을 형성하고, 게이트 배선(101)과 수직한 방향으로 보조 공통전극(103)을 형성한다. 그리고, 게이트 배선(101) 및 보조 공통전극(103)을 포함하는 투명기판 전면에 걸쳐서 플라즈마 CVD 방법등을 이용하여 SiNx 또는 SiOx 등을 증착하여 게이트절연막(104)을 형성한다.A metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy is deposited on a transparent substrate such as glass through a sputtering method and then patterned to form a gate wiring 101, A gate electrode 102 is formed, and an auxiliary common electrode 103 is formed in a direction perpendicular to the gate wiring 101. Then, a gate insulating film 104 is formed by depositing SiNx, SiOx, or the like over the entire surface of the transparent substrate including the gate wiring 101 and the auxiliary common electrode 103 by using a plasma CVD method or the like.

다음으로, 도7b에 도시한 바와 같이, Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al 합금과 같은 금속 물질을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 다음 패터닝하여 데이터 배선(107)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7B, a metal material such as Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al alloy is deposited through a sputtering method and then patterned to form a data wiring 107.

그리고 나서 도7c에 도시한 바와 같이, ITO나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 이를 패터닝하여 적어도 하나의 화소전극(109)을 형성하고, 데이터 배선(107)과 적어도 하나의 화소전극(109)이 형성된 상부 전면에 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)나 아크릴과 같은 유기물을 도포하여 유기절연막(111)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 7C, a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited by a sputtering method and patterned to form at least one pixel electrode 109, and a data line 107 and at least one pixel electrode An organic material such as benzocyclobutene or acrylic is coated on the upper surface of the upper surface of the substrate 109 to form the organic insulating film 111.

도7d에 도시한 바와 같이, ITO나 IZO와 같은 투명한 물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 이를 패터닝하여 데이터 배선(107)에 대응되는 위치에 일부를 제거한 제 1 공통전극(113a)을 형성하고, 화소전극(109)과 소정 간격을 이격하고, 데이터 배선(107)과 평행하도록 적어도 하나의 제 2 공통전극(113b)을 형성하고, 그 상부에 제1배향막을 형성한다.
As shown in FIG. 7D, a transparent material such as ITO or IZO is deposited by a sputtering method and patterned to form a first common electrode 113a partially removed at a position corresponding to the data line 107, At least one second common electrode 113b is formed so as to be spaced apart from the first common electrode 109 by a predetermined distance and parallel to the data line 107 and a first alignment film is formed thereon.

도8은 도6의 B부분에 대한 확대도이고, 도9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 데이터 배선(107) 부근에서 빛샘이 발생함을 나타내는 도면이다.FIG. 8 is an enlarged view of part B in FIG. 6, and FIG. 9 is a view showing that light leakage occurs in the vicinity of the data line 107 of the array substrate for a transverse electric field system liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention to be.

도8에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 컬러필터 기판(120)의 블랙매트릭스(124)는 어레이 기판(110)에 형성된 데이터 배선(107) 등의 비표시영역을 가리도록 형성된다.8, the black matrix 124 of the color filter substrate 120 according to the present invention is formed so as to cover non-display areas such as the data lines 107 formed on the array substrate 110. [

그리고, 화소전극(109)과 데이터 배선(107) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시키기는 보조 공통전극(103)은 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금 등과 같은 금속 물질(불투명 물질)로 구성된다. 따라서, 보조 공통전극(103)은 블랙매트릭스(124)와 대응되는 영역에서 벗어나면 개구율이 좁아지는 문제점이 발생하기 때문에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(124)의 양 끝단을 벗어나지 않게 형성된다.The auxiliary common electrode 103 for shielding the transverse electric field generated between the pixel electrode 109 and the data line 107 is made of a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy, Material). Therefore, the auxiliary common electrode 103 is formed so as not to deviate from both ends of the black matrix 124 as shown in the drawing, because the aperture ratio is reduced when the auxiliary common electrode 103 is deviated from the area corresponding to the black matrix 124. [

특히, 본 발명에서는 데이터 배선(107)의 불량을 검출하기 위한 검사를 용이하게 하고, 또한, 데이터 배선(107)과 제 1 공통전극(113a)과의 기생 커패시턴스에 의한 부하를 감소시킬 수 있도록 제 1 공통전극(113a)의 일부를 제거한다.Particularly, in the present invention, the inspection for detecting the defect of the data line 107 is facilitated, and the data line 107 and the first common electrode 113a are formed so as to reduce the load due to the parasitic capacitance between the data line 107 and the first common electrode 113a 1 part of the common electrode 113a is removed.

본 발명의 제 1실시예에서는 제 1 공통전극(113a)의 일부를 제거함으로써, 데이터 배선(107)이 일부 노출되어 데이터 배선(107)의 불량을 검출하기 위한 검사를 용이해지고, 더불어 제 1 공통전극(113a)과의 커패시턴스에 의한 부하를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.In the first embodiment of the present invention, by removing a part of the first common electrode 113a, it is easy to inspect for detecting the defect of the data line 107 by partially exposing the data line 107, There is an advantage that the load due to the capacitance with the electrode 113a can be reduced.

예를 들면, 종래의 데이터 배선(7)과 제 1 공통전극(3a)에 기인한 기생 커패시턴스가 2.31E-16(F/㎛)이라면, 본 발명에 따르면, 데이터 배선(107)과 제 1 공통전극(3a)에 기인한 기생 커패시턴스가 1.93E-16(F/㎛)가 되어 종래보다 16.5% 감소한다.For example, if the parasitic capacitance due to the conventional data line 7 and the first common electrode 3a is 2.31E-16 (F / 占 퐉), the data line 107 and the first common electrode The parasitic capacitance due to the electrode 3a becomes 1.93E-16 (F / 占 퐉), which is 16.5% lower than that of the conventional case.

그러나, 제 1 공통전극(113a)의 일부를 제거함에 따라 데이터 배선(107)의 전계에 의해 데이터 배선(107) 좌우의 빛샘이 발생하는 문제점이 발생한다.However, as a part of the first common electrode 113a is removed, there arises a problem that light leakage occurs in the right and left of the data line 107 due to the electric field of the data line 107. [

즉, 도9에 도시한 바와 같이, 데이터 배선(107)의 좌우 부근에서 투과율(transmittance)이 급격히 증가하고 있어 데이터 배선(107) 좌우로 빛샘이 발생함을 알 수 있다.That is, as shown in FIG. 9, the transmittance of the data line 107 is rapidly increased near the right and left, and light leakage occurs to the right and left of the data line 107.

위와 같이 발생되는 빛샘을 방지 하기 위해 제 1 공통전극(113a)과 보조 공통전극(103)의 폭을 확장하게 되면, 개구율이 감소하는 문제점이 발생한다.
If the widths of the first common electrode 113a and the auxiliary common electrode 103 are increased to prevent light leakage, the aperture ratio is reduced.

도10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 평면도이고, 도11은 도 10을 절단선 XI-XI'을 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 10 is a plan view of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion cut along the cutting line XI-XI ' FIG.

도10에 도시한 바와 같이, 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판(210)에는 서로 교차하여 부화소영역(SP)을 정의하는 게이트 배선(201) 및 데이터 배선(207)이 형성되고, 게이트 배선(201)과 평행하게 공통 배선(212)이 배열되며, 그 공통 배선(212) 하부에는 공통 배선(212)과 중첩되도록 화소전극 패턴(208)이 형성된다.10, gate wirings 201 and data wirings 207, which define the sub-pixel regions SP, are formed so as to intersect with each other on the array substrate 210 for a transverse electric field type liquid crystal display, A common wiring 212 is arranged in parallel with the common wiring 212 and a pixel electrode pattern 208 is formed under the common wiring 212 so as to overlap with the common wiring 212.

그리고, 각 부화소영역(SP) 내에는 공통 배선(212)으로부터 분기된 적어도 하나의 제 1 공통전극(213a) 및 제 2 공통전극(213b)이 형성되며, 화소전극 패턴(208)으로부터 분기된 적어도 하나의 화소전극(209)이 형성된다.At least one first common electrode 213a and a second common electrode 213b branched from the common line 212 are formed in each sub pixel area SP and are branched from the pixel electrode pattern 208 At least one pixel electrode 209 is formed.

이러한 제 1 공통전극(213a) 및 제 2 공통전극(213b), 그리고 화소전극(209)은 서로 교대로 데이터 배선(207)과 평행하게 배열되며, 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명전도성 물질로 형성된다.The first common electrode 213a and the second common electrode 213b and the pixel electrode 209 are alternately arranged in parallel with the data line 207 and are formed of indium tin- ITO), which is a transparent conductive material having a relatively high light transmittance.

그리고, 각 부화소영역(SP) 내에는 게이트 배선(201) 및 데이터 배선(207)에 연결되어 제어신호에 의해 온/오프(ON/OFF)가 제어되는 박막트랜지스터(Tr)와, 박막트랜지스터(Tr)에 연결되는 스토리지 커패시터(미도시)가 형성된다.In each sub-pixel region SP, a thin film transistor Tr connected to the gate wiring 201 and the data wiring 207 and controlled ON / OFF by a control signal, (Not shown) is formed.

여기서, 박막트랜지스터(Tr)은 게이트 배선(201)으로부터 분기된 게이트전극(202)과, 데이터 배선(207)으로부터 분기된 소스전극(205a)과, 화소전극 패턴(208)과 연결되는 드레인 전극(205b) 등을 포함한다.Here, the thin film transistor Tr includes a gate electrode 202 branched from the gate wiring 201, a source electrode 205a branched from the data line 207, and a drain electrode connected to the pixel electrode pattern 208 205b, and the like.

한편, 데이터 배선(207)과 평행하며, 제 1 공통전극(213a)과 중첩되도록 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 구성되는 보조 공통전극(203)이 배열되는데, 하프톤 마스크를 이용하여 게이트 배선(201)과 동시에 형성되며, 공통 콘택홀(214)을 통해 제 1 공통전극(213a)과 연결된다. 하프톤 마스크를 이용한 제조공정에 대해서는 도12a 내지 도12c에서 자세히 설명하기로 한다.On the other hand, an auxiliary common electrode 203 (not shown) which is formed of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or IZO so as to be in parallel with the data line 207 and overlapped with the first common electrode 213a Is formed simultaneously with the gate wiring 201 using a halftone mask and is connected to the first common electrode 213a through the common contact hole 214. [ The manufacturing process using the halftone mask will be described in detail with reference to FIGS. 12A to 12C.

이러한 보조 공통전극(203)에는 제 1 및 제 2 공통전극(213a, 213b)과 동일한 공통전압이 인가되기 때문에 보조 공통전극(203)을 통해 화소전극(209)과 데이터 배선(207) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시킬 수 있다.Since the same common voltage is applied to the auxiliary common electrode 203 as the first and second common electrodes 213a and 213b, the auxiliary common electrode 203 is generated between the pixel electrode 209 and the data line 207 It is possible to shield the transverse electric field.

도시한 바와 같이, 어레이 기판(210)상에는, 보조 공통전극(203)이 게이트 배선(201)과 동일층에 형성되고, 그 상부에는 게이트 절연막(204)이 형성되며, 게이트 절연막(204) 위에 형성되어 데이터 배선(207)과 화소전극(209)이 동일층에 형성된다.The auxiliary common electrode 203 is formed on the same layer as the gate wiring 201 on the array substrate 210 and the gate insulating film 204 is formed thereon and formed on the gate insulating film 204 And the data line 207 and the pixel electrode 209 are formed in the same layer.

데이터 배선(207)과 화소전극(209) 위로 기판 전체에 걸쳐 유기절연막(211)이 도포되고, 유기절연막(211) 상부에 제 1 및 제 2 공통전극(213a, 213b)이 형성되며, 그 위로 제 1 배향막(216)이 형성된다.An organic insulating film 211 is applied over the data line 207 and the pixel electrode 209 over the entire substrate and first and second common electrodes 213a and 213b are formed on the organic insulating film 211, A first alignment layer 216 is formed.

또한, 컬러필터 기판(220)에는 빛이 새는 것을 막아주는 블랙매트릭스(224)와, 컬러필터(222)가 형성되어 있으며, 그 위에는 제 2 배향막(226)이 도포된다.A color filter 222 and a black matrix 224 are formed on the color filter substrate 220 to prevent light from leaking. A second alignment film 226 is applied on the black matrix 224.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 경우에는, 도시한 바와 같이, 제 1 공통전극(113a)의 일부를 제거함에 따라 데이터 배선(107)의 전계에 의해 데이터 배선(107) 좌우의 빛샘이 발생하는 문제점이 발생하고, 위와 같이 발생되는 빛샘을 방지 하기 위해 제 1 공통전극(113a)과 보조 공통전극(103)의 폭을 확장하게 되면, 개구율이 감소하는 문제점이 발생한다In the case of the transverse electric field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, as shown in the figure, by removing a part of the first common electrode 113a, the data line 107 ) Of the first common electrode 113a and the auxiliary common electrode 103. When the widths of the first common electrode 113a and the auxiliary common electrode 103 are enlarged in order to prevent the light leakage generated as described above,

따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 경우에는, 보조 공통전극(203)을 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금 등과 같은 금속 물질로 아니라, 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 형성하고, 보조 공통전극(203)의 폭을 확장함에 따라 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에서 발생하는 빛샘도 방지할 수 있고, 개구율이 감소를 방지할 수 있다.
Therefore, in the transverse electric field type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, the auxiliary common electrode 203 is made of a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy, (ITO) or IZO, and the width of the auxiliary common electrode 203 is increased, the liquid crystal display device of the lateral electric field type according to the first embodiment generates It is possible to prevent light leakage, and the aperture ratio can be prevented from decreasing.

도12a 내지 도12c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.12A to 12C are diagrams for explaining a manufacturing process of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.

참고로, 하프톤 마스크(half tone mask)은 투과영역, 하프톤 영역, 차단영역으로 이루어져 있으며, 하프톤 영역은 그 두께에 따라 빛의 투과량을 조절할 수 있는 금속물질(예를 들면, 몰리브덴 실리사이드:MoSi)이 형성되어 있으며, 하프톤 영역을 통해 조사되는 노광량은 투과영역보다 적기 때문에, 포토레지스트막(PR)을 도포한 후, 하프톤 마스크를 이용하여 노광하게 되면, 하프톤 영역에 남아있는 포토레지스트막(PR)의 두께와 차단영역에 남아있는 포토레지스트막(PR)의 두께가 다르게 형성된다. 이와 같은 하프톤 마스크(half tone mask)를 이용하게 되면 제조공정을 단순화시킬 수 있다.For example, a half tone mask is composed of a transmissive region, a halftone region, and a blocking region. The halftone region is formed of a metal material (for example, molybdenum silicide: MoSi) is formed. Since the amount of exposure irradiated through the halftone region is smaller than that of the transmissive region, when the photoresist film PR is applied and then exposed using a halftone mask, The thickness of the resist film PR is different from the thickness of the photoresist film PR remaining in the blocking region. The use of such a half tone mask can simplify the manufacturing process.

먼저, 투명기판에 ITO나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질을 증착하고, 다시 그 상부에 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 메탈을 증착한 후에, 포토레지스터(PR)를 도포한다.First, a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on a transparent substrate, a metal such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy is deposited on the transparent substrate, do.

다음으로 하프톤 마스크(half tone mask)를 이용하여 노광 및 현상을 하는데, 이때, 하프톤 마스크(half tone mask)의 차단영역은 게이트 배선(201) 또는 게이트전극(202)이 형성될 부분과 대응되고, 하프톤영역은 보조 공통전극(203)이 형성될 부분에 대응되고, 투과영역은 나머지 부분에 대응되도록 구성된다.Next, a half tone mask is used for exposure and development. At this time, the blocking region of the half tone mask corresponds to the portion where the gate wiring 201 or the gate electrode 202 is to be formed The halftone region corresponds to the portion where the auxiliary common electrode 203 is to be formed, and the transmissive region corresponds to the remaining portion.

도12a에 도시한 바와 같이, 게이트 배선이 형성될 부분과 보조 공통전극이 형성될 부분에 대응되는 영역의 포토레지스터(PR)만 남아 있고, 나머지 부분의 포토레지스터(PR)는 제거된다.Only the photoresist PR in the region corresponding to the portion where the gate wiring is to be formed and the auxiliary common electrode is to be formed remains, and the photoresist PR of the remaining portion is removed, as shown in Fig. 12A.

그리고, 메탈과 ITO를 에칭하게 되면, 도12b에 도시한 바와 같이, 게이트 배선이 형성될 부분과 보조 공통전극(Vcom 전극)이 형성될 부분만 남게 된다.When the metal and the ITO are etched, only the portion where the gate wiring is to be formed and the portion where the auxiliary common electrode (Vcom electrode) is to be formed are left as shown in FIG. 12B.

다음으로, 보조 공통전극(Vcom 전극)을 형성하기 위하여 다시 노광 및 현상을 한 후, 메탈을 에칭하게 되면, 도12c에 도시한 바와 같이, ITO나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 구성되는 보조 공통전극(Vcom 전극)이 형성된다.Next, when the metal is etched after exposure and development to form the auxiliary common electrode (Vcom electrode), as shown in FIG. 12C, an auxiliary common electrode made of a transparent conductive material such as ITO or IZO (Vcom electrode) is formed.

그 후 노광 및 현상을 하게 되면 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 메탈로 구성되는 게이트 배선이 형성된다.Then, when exposure and development are performed, a gate wiring made of a metal such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy is formed.

이와 같이 본 발명의 제 2 실시예에서는 게이트 배선의 하부층에 투명한 보조 공통전극(Vcom 전극)을 형성함에 따라 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에서 발생하는 빛샘도 방지할 수 있고, 개구율이 감소를 방지할 수 있다.As described above, according to the second embodiment of the present invention, since a transparent auxiliary common electrode (Vcom electrode) is formed in the lower layer of the gate wiring, light leakage generated in the transverse electric field type liquid crystal display device according to the first embodiment can be prevented, This reduction can be prevented.

이후의 과정은 도7b 내지 도7d에 설명한 것과 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
Since the subsequent steps are the same as those described with reference to FIGS. 7B to 7D, detailed description will be omitted.

도13은 도11의 C부분에 대한 확대도이고, 도14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판(210)의 데이터 배선(207) 부근에서 빛샘이 제거되었음을 나타내는 도면이다.Fig. 13 is an enlarged view of part C in Fig. 11, and Fig. 14 is a cross-sectional view showing that light leakage is removed in the vicinity of the data line 207 of the array substrate 210 for a transverse electric field system liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention Fig.

도13에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 컬러필터 기판(220)의 블랙매트릭스(224)는 어레이 기판(210)에 형성된 데이터 배선(207) 등의 비표시영역을 가리도록 형성된다.13, the black matrix 224 of the color filter substrate 220 according to the present invention is formed so as to cover a non-display area such as the data line 207 formed on the array substrate 210. [

그리고, 화소전극(209)과 데이터 배선(207) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시키기는 보조 공통전극(203)은 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 구성되기 때문에 블랙매트릭스(224)와 대응되는 영역에서 벗어나더라도 개구율이 좁아지는 문제점이 발생하지 않기 때문에 도시한 바와 같이, 보조 공통전극(203)은 블랙매트릭스(224)의 양 끝단을 벗어나도록 형성될 수 있다.The auxiliary common electrode 203 for shielding the transverse electric field generated between the pixel electrode 209 and the data line 207 is formed of a transparent conductive material such as Indium-Tin-Oxide (ITO) or IZO The auxiliary common electrode 203 is arranged so as to be out of both ends of the black matrix 224, as shown in the drawing, since there is no problem that the aperture ratio is narrowed even if it deviates from the region corresponding to the black matrix 224. [ .

다시 말해서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 경우에는, 보조 공통전극(203)을 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금 등과 같은 금속 물질로 아니라, 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide: ITO)나 IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 형성하고, 보조 공통전극(203)의 폭을 확장함에 따라 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에서 발생하는 빛샘도 방지할 수 있고, 개구율 감소를 방지할 수 있다.In other words, in the transverse electric field type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, the auxiliary common electrode 203 is made of a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy, A transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or IZO is formed and the width of the auxiliary common electrode 203 is enlarged, so that the liquid crystal display device of the lateral electric field type according to the first embodiment It is possible to prevent a light leak which occurs and to prevent the decrease of the aperture ratio.

도14를 살펴보면, 데이터 배선(207)의 좌우 부근에서 투과율(transmittance)이 감소하고 있어 데이터 배선(207) 좌우로 빛샘이 제거되었음을 알 수 있다.
Referring to FIG. 14, it can be seen that the transmittance decreases near the right and left of the data line 207, and the light leakage is removed to the right and left of the data line 207.

이상과 같은 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiments of the present invention as described above are merely illustrative, and those skilled in the art can make modifications without departing from the gist of the present invention. Accordingly, the protection scope of the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

101: 게이트 배선 102: 게이트전극
103: 보조 공통전극 105a: 소스전극
105b: 드레인전극 107: 데이터 배선
108: 화소전극 패턴 109: 화소전극101: gate wiring 102: gate electrode
103: auxiliary common electrode 105a: source electrode
105b: drain electrode 107: data line
108: pixel electrode pattern 109: pixel electrode

Claims (13)

대향합착되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 개재되는 액정층을 포함하는 액정셀과;
상기 제1기판 상부에 위치하며, 하부전극과 상부전극의 이중층 구조로 이루어지는 게이트배선과, 상기 게이트배선으로부터 분기된 게이트전극과;
상기 게이트전극 및 상기 게이트배선 상부로 위치하는 게이트절연막과;
상기 게이트절연막 상부의 상기 게이트전극에 대응하여 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층 상부로 위치하는 소스 및 드레인전극과, 상기 게이트배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;
상기 데이터 배선 상부로 위치하는 유기절연막과;
상기 유기절연막 상부로 위치하며, 공통배선으로부터 분기된 적어도 하나의 제 1 및 제 2 공통전극과;
상기 데이터 배선과 동일층에 위치하며, 상기 게이트 배선과 평행한 화소전극 패턴으로부터 분기되는 적어도 하나의 화소전극
을 포함하며,
상기 데이터 배선의 하부로 상기 데이터 배선과 상기 게이트절연막을 사이에 두고 위치하며, 상기 게이트전극의 상기 하부전극으로 이루어지는 보조 공통전극을 포함하며, 상기 제 1 공통전극은 상기 데이터 배선에 대응하여 위치하는 횡전계형 액정표시장치.
A liquid crystal cell including a first substrate and a second substrate facing each other and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate;
A gate electrode formed on the first substrate and having a double layer structure of a lower electrode and an upper electrode; a gate electrode branched from the gate wiring;
A gate insulating film located above the gate electrode and the gate wiring;
A source electrode and a drain electrode located above the semiconductor layer; a data line crossing the gate line and defining a plurality of pixel regions;
An organic insulating layer located above the data line;
At least one first and second common electrodes located above the organic insulating film and branched from the common wiring;
At least one pixel electrode that is located on the same layer as the data line and branches from the pixel electrode pattern parallel to the gate line,
/ RTI >
And an auxiliary common electrode which is located under the data line with the data line and the gate insulating film therebetween and the lower electrode of the gate electrode, and the first common electrode is located corresponding to the data line Lateral electric field type liquid crystal display device.
제1항에 있어서,
상기 제 2 공통전극은 상기 화소전극과 소정 간격 이격하는 횡전계형 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And the second common electrode is spaced apart from the pixel electrode by a predetermined distance.
제1항에 있어서,
상기 드레인 전극 일끝단은 상기 화소전극 패턴과 연결되고, 상기 소스 전극의 일 끝단은 상기 데이터 배선과 연결되는 횡전계형 액정표시장치.
The method according to claim 1,
One end of the drain electrode is connected to the pixel electrode pattern, and one end of the source electrode is connected to the data line.
제1항에 있어서,
상기 보조 공통전극은 상기 데이터 배선과 중첩되지 않도록 양측으로 위치하며, 상기 제 1 공통전극은 상기 데이터 배선과 중첩되는 일부가 제거되어 상기 데이터 배선의 양측으로 각각 위치하며, 각각은 상기 데이터 배선과 일부 중첩되는
횡전계형 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary common electrode is located on both sides so as not to overlap with the data line, the first common electrode is located on both sides of the data line with a part thereof overlapping with the data line, Overlapping
Lateral electric field type liquid crystal display device.
제1항에 있어서,
상기 화소전극 및 상기 제 1 및 제 2 공통전극은 투명한 전도성 물질로 이루어지는 횡전계형 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the pixel electrode and the first and second common electrodes are made of a transparent conductive material.
제1항에 있어서,
상기 보조 공통전극은 투명한 전도성 물질로 이루어지는 횡전계형 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary common electrode is made of a transparent conductive material.
제1항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 공통전극, 그리고 상기 보조 공통전극에는 동일한 공통 전압이 인가되는 횡전계형 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And the same common voltage is applied to the first and second common electrodes and the auxiliary common electrode.
투명 기판 상에 제 1 금속물질과 제 2 금속물질을 순차적으로 증착하고, 패터닝하여 하부전극과 상부전극의 이중층 구조로 이루어지는 게이트배선 및 상기 게이트배선으로부터 분기된 게이트전극과, 상기 하부전극으로 이루어지는
보조 공통전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 배선 및 상기 보조 공통전극 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트절연막 상부로 상기 게이트전극에 대응하는 위치에 반도체층과, 상기 반도체층 상부로 소스 및 드레인전극과, 상기 보조 공통전극에 대응하는 위치에 데이터 배선을 형성하는 단계;
상기 데이터 배선과 동일층에, 투명한 전도성 물질을 증착하고, 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계;
상기 데이터 배선과 상기 화소전극의 상부에 유기물을 도포하여 유기절연막을 형성하는 단계;
상기 유기절연막 상부에 제 1 및 제 2 공통전극을 형성하는 단계
를 포함하며,
상기 제 1 공통전극은 상기 데이터 배선에 대응하여 위치하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
A gate electrode made of a double layer structure of a lower electrode and an upper electrode, a gate electrode branched from the gate electrode, and a lower electrode formed of a lower electrode and a lower electrode, wherein the first metal material and the second metal material are sequentially deposited on the transparent substrate and patterned,
Forming an auxiliary common electrode;
Forming a gate insulating film on the gate wiring and the auxiliary common electrode;
Forming a data line at a position corresponding to the auxiliary common electrode; forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; forming a data line at a position corresponding to the auxiliary common electrode;
Depositing a transparent conductive material on the same layer as the data line and patterning the transparent conductive material to form a pixel electrode;
Forming an organic insulating layer by coating an organic material on the data line and the pixel electrode;
Forming first and second common electrodes on the organic insulating layer
/ RTI >
Wherein the first common electrode is positioned corresponding to the data line.
제8항에 있어서,
상기 제 2 공통전극은 상기 화소전극과 소정 간격 이격하여 형성되며,
상기 제 1 공통전극은상기 데이터 배선과 중첩되는 일부가 제거되어 형성되는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the second common electrode is spaced apart from the pixel electrode by a predetermined distance,
Wherein the first common electrode is formed by removing a part of the first common electrode overlapping the data line.
제8항에 있어서,
상기 보조 공통전극은 투명한 전도성 물질로 구성되며, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 게이트 배선과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the auxiliary common electrode is formed of a transparent conductive material and is formed simultaneously with the gate wiring using a halftone mask. 제 8 항에 있어서,
상기 보조 공통전극은 상기 데이터 배선과 중첩되지 않도록 양측으로 위치하며, 상기 제 1 공통전극은 상기 데이터 배선과 중첩되는 일부가 제거되어 상기 데이터 배선의 양측으로 각각 위치하며, 각각은 상기 데이터 배선과 일부 중첩되는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the auxiliary common electrode is located on both sides so as not to overlap with the data line, the first common electrode is located on both sides of the data line with a part thereof overlapping with the data line, Wherein said method comprises the steps of:
제 8 항에 있어서,
상기 보조 공통전극은 공통콘택홀을 통해 상기 제 1 공통전극과 연결되는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
And the auxiliary common electrode is connected to the first common electrode through a common contact hole.
제 1 항에 있어서,
상기 보조 공통전극은 공통콘택홀을 통해 상기 제 1 공통전극과 연결되는 횡전계형 액정표시장치.The method according to claim 1,
And the auxiliary common electrode is connected to the first common electrode through a common contact hole.
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