KR101801524B1 - 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 - Google Patents

반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양방향 도전성 패턴 모듈은 절연성 재질의 상부 브래킷과; 상기 상부 브래킷과 상하 방향으로 이격된 절연성 재질의 하부 브래킷과; 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷이 상하 방향으로 상호 이격된 상태에서 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷을 탄성적으로 연결하는 탄성 연결부와; 상기 상부 브래킷의 판면 방향을 따라 이격되도록 상기 상부 브래킷의 일측 표면에 결합하는 도전성을 갖는 복수의 상부 접촉부와; 상기 하부 브래킷의 판면 방향을 따라 이격되도록 상기 하부 브래킷의 일측 표면에 결합하는 도전성을 갖는 복수의 하부 접촉부와; 상호 대응하는 상기 상부 접촉부와 상기 하부 접촉부를 상호 전기적으로 연결하는 복수의 도전 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 상부 브래킷과 하부 브래킷이 각각 독립적으로 제작되고, 상부 접촉핀과 하부 접촉핀을 도전 연결부를 통해 연결하여 상하 방향으로 도전 패턴을 형성함으로써, 미세 피치의 구현이 가능하면서도 도전성 분말의 이탈과 같은 문제로 인해 수명이 단축되는 기존 기술의 문제점을 해소할 수 있다.

Description

반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓{BY-DIRECTIONAL ELECTRICALLY CONDUCTIVE PATTERN MODULE AND SEMICONDUCTOR TEST SOCKET USING THE SAME}
본 발명은 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포고-핀 타입의 반도체 테스트 소켓이 갖는 단점을 보완할 수 있는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다.
그런데, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다. 도 1 내지 도 3은 한국공개특허 제10-2011-0065047호에 개시된 종래의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓의 예를 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면 기존이 반도체 테스트 소켓(100)은 반도체 디바이스(130)의 단자(131)와 대응되는 위치에 상하방향으로 관통공(111)이 형성된 하우징(110)과, 하우징(110)의 관통공(111) 내에 장착되어 반도체 디바이스(130)의 단자(131) 및 테스트 장치(140)의 패드(141)를 전기적으로 연결시키는 포고-핀(Pogo-pin)(120)으로 이루어진다.
포고-핀(Pogo-pin)(120)의 구성은, 포고-핀(Pogo-pin) 본체로 사용되며 내부가 비어있는 원통형 형태를 가지는 배럴(124)과, 배럴(124)의 하측에 형성되는 접촉팁(123)과, 배럴(124) 내부에서 접촉팁(123)과 연결되어 수축과 팽창 운동을 하는 스프링(122) 및 접촉팁(123)과 연결된 스프링(122) 반대편에 연결되어 반도체 디바이스(130)와의 접촉에 따라 상하운동을 수행하는 접촉핀(121)으로 구성된다.
이때, 스프링(122)은 수축 및 팽창을 하면서 접촉핀(121)과 접촉팁(123)에 전달되는 기계적인 충격을 흡수하면서 반도체 디바이스(130)의 단자(131)와 테스트 장치(140)의 패드(141)를 전기적으로 접속시켜 전기적인 불량여부를 검사하게 한다.
그런데, 상기와 같은 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓은 상하 방향으로의 탄성을 유지하기 위해 물리적인 스프링을 사용하게 되고, 배럴 내부에 스프링과 핀을 삽입하고, 배럴을 다시 하우징의 관통공 내부에 삽입하여야 하므로 그 공정이 복잡할 뿐만 아니라 공정의 복잡성으로 인해 제조 가격이 상승하는 문제가 있다.
뿐만 아니라, 상하 방향으로 탄성을 갖는 전기적 접촉 구조의 구현을 위한 물리적인 구성 자체가 미세 피치를 구현하는데 한계가 있으며, 근래에 집적화된 반도체 소자에는 적용하는데 이미 한계치까지 도달해 있는 실정이다.
포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 소자의 한계를 극복하고자 제한된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 실리콘 본체 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 패턴을 형성하는 PCR 소켓 타입의 반도체 테스트 소켓이다.
그러나, PCR 타입의 반도체 테스트 소켓은 내부에 충진되는 도전성 분말의 이탈로 인한 수명의 단축 문제 등과 같이 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓의 구조적 한계로 인해 갖는 문제점 또한 가지고 있다.
따라서, 미세 피치의 구현이 가능하면서도 높이의 제한이나 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓과 같은 다른 방식의 반도체 테스트 소켓이 갖는 문제점을 해소할 후 있는 다른 형태의 반도체 테스트 소켓의 개발이 요구되고 있다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 포고-핀 타입과 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓이 갖는 단점을 보완하여, 미세 피치의 구현이 가능하면서도 상하 방향으로 높이를 길게 또는 짧게 구현하더라도 안정적인 전기적 접촉을 보장할 수 있는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 반도체 소자의 테스트 과정에서 반도체 소자가 반도체 테스트 소켓을 하부 방향으로 가압할 때 새로운 형태의 복원력을 제공함으로써, 반도체 테스트 소켓의 수명을 연장시킬 수 있는 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈에 있어서, 절연성 재질의 상부 브래킷과; 상기 상부 브래킷과 상하 방향으로 이격된 절연성 재질의 하부 브래킷과; 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷이 상하 방향으로 상호 이격된 상태에서 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷을 탄성적으로 연결하는 탄성 연결부와; 상기 상부 브래킷의 판면 방향을 따라 이격되도록 상기 상부 브래킷의 일측 표면에 결합하는 도전성을 갖는 복수의 상부 접촉부와; 상기 하부 브래킷의 판면 방향을 따라 이격되도록 상기 하부 브래킷의 일측 표면에 결합하는 도전성을 갖는 복수의 하부 접촉부와; 상호 대응하는 상기 상부 접촉부와 상기 하부 접촉부를 상호 전기적으로 연결하는 복수의 도전 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 상부 브래킷에는 인접한 상기 상부 접촉부 사이에서 상기 상부 브래킷의 판면으로부터 돌출되어 인접한 상기 상부 접촉부 간을 공간적으로 분리하는 복수의 상부 격벽부가 형성되고; 상기 하부 브래킷에는 인접한 상기 하부 접촉부 사이에서 상기 하부 브래킷의 판면으로부터 돌출되어 인접한 상기 하부 접촉부 사이를 공간적으로 분리하는 복수의 하부 격벽부가 형성될 수 있다.
또한, 상기 상부 브래킷에는 각각의 상기 상부 접촉부에 대응하는 상부 관통공이 형성되고, 각각의 상기 상부 접촉부가 상기 상부 브래킷의 일측 표면에 배치된 상태에서 상기 상부 브래킷의 타측으로부터 상기 상부 관통공을 통해 유입되는 결합 물질의 경화에 의해 상기 상부 브래킷과 결합하며; 상기 하부 브래킷에는 각각의 상기 하부 접촉부에 대응하는 하부 관통공이 형성되고, 각각의 상기 하부 접촉부가 상기 하부 브래킷의 일측 표면에 배치된 상태에서 상기 하부 브래킷의 타측으로부터 상기 하부 관통공을 통해 유입되는 결합 물질의 경화에 의해 상기 하부 브래킷과 결합할 수 있다.
그리고, 상기 결합 물질은 탄성을 갖는 액상 실리콘을 포함하는 재질로 마련될 수 있다.
그리고, 각각의 상기 상부 접촉부는 탄성을 갖는 상기 결합 물질에 의해 상호 독립적으로 상하 방향으로 탄성적으로 이동 가능하게 마련될 수 있다.
또한, 상기 도전 연결부는 적어도 한 가닥의 도전성 와이어, 또는 복수 가닥의 도전성 와이어가 꼬여 형성될 수 있다.
그리고, 상기 도전 연결부는 중간 영역이 상기 판면 방향으로 휘어진 형상을 가질 수 있다.
그리고, 상기 탄성 연결부는 탄성을 갖는 실리콘을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 탄성 연결부는 상부 탄성부, 중간 탄성부 및 하부 탄성부로 구성되며, 상기 중간 탄성부는 상기 상부 탄성부 및 상기 하부 탄성부보다 강한 탄성을 갖는 재질로 마련될 수 있다.
또한, 상기 탄성 연결부는 메시 형태의 베이스 시트와, 상기 베이스 시트에 도포된 상태로 경화된 실리콘 재질의 탄성 도포층을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 상부 접촉부는 도전성을 갖는 상부 도전성 시트와, 상기 상부 도전성 시트에 부착되고, 상부 가장자리가 상기 상부 브래킷의 상부로 돌출되는 상부 도전핀을 포함할 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 상하 방향으로 개방된 형상을 가지며, 상호 마주하는 한 쌍의 변에 상호 대응하게 복수의 슬롯이 형성된 메인 하우징과, 상호 마주하는 한 쌍의 슬릿에 각각 삽입되는 상기의 복수의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈과, 복수의 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈이 상기 슬롯에 삽입된 상태에서 각각의 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 상부 브래킷들의 판면 방향 양측에 각각 접하는 제1 상부 지지부재 및 제2 상부 지지부재와, 상기 제1 상부 지지부재와 상기 제2 상부 지지부재를 각각 상부 방향으로 탄성적으로 지지하는 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부를 포함하며; 검사 대상인 반도체 소자에 의해 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈이 하부 방향으로 가압되어 상기 상부 브래킷이 하부 방향으로 이동하는 경우, 상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부가 상부 방향으로의 복원력을 제공할 수 있다.
여기서, 상기 메인 하우징의 양측으로부터 연장되어 상기 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부의 하부 측을 각각 지지하는 제1 하부 지지부재 및 제2 하부 지지부재를 더 포함하며; 상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부는 각각 상기 제1 상부 지지부재와 상기 제1 하부 지지부재 사이, 상기 제2 상부 지지부재와 상기 제2 하부 지지부재 사이에서 상부 방향으로 복원력을 제공할 수 있다.
또한, 상기 제1 탄성 복원부와 상기 제2 탄성 복원부는 각각 적어도 하나의 탄성 스프링을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 탄성 복원부와 상기 제2 탄성 복원부는 각각 두께 방향으로 탄성을 갖는 막대 형태로 마련되어 상기 제1 상부 지지부재와 상기 제1 하부 지지부재 사이, 상기 제2 상부 지지부재와 상기 제2 하부 지지부재 사이에 상기 슬릿의 형성 방향을 따라 배치될 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 상하 방향으로 개방된 형상을 가지며, 상호 마주하는 한 쌍의 변에 상호 대응하게 복수의 슬롯이 형성된 메인 하우징과, 상호 마주하는 한 쌍의 슬릿에 각각 삽입되는 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 복수의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈과, 두께 방향으로 탄성을 갖는 막대 형태로 마련되는 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부를 포함하고; 각각의 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 상부 브래킷과 하부 브래킷은 상기 슬릿에 삽입될 때 양측 가장자리 부분이 상기 메인 하우징의 외측으로 돌출되고; 상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부는 상기 슬릿의 형성 방향을 따라 배치되되, 상기 메인 하우징의 외측으로 돌출되는 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷 사이에 배치되며; 검사 대상인 반도체 소자에 의해 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈이 하부 방향으로 가압되어 상기 상부 브래킷이 하부 방향으로 이동하는 경우, 상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부가 상부 방향으로의 복원력을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서도 달성될 수 있다.
상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 상부 브래킷과 하부 브래킷이 각각 독립적으로 제작되고, 상부 접촉핀과 하부 접촉핀을 도전 연결부를 통해 연결하여 상하 방향으로 도전 패턴을 형성함으로써, 미세 피치의 구현이 가능하면서도 도전성 분말의 이탈과 같은 문제로 인해 수명이 단축되는 기존 기술의 문제점을 해소할 수 있는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓이 제공된다.
또한, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 복원력 외에 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부에 의한 복원력을 별도로 제공함으로써, 반도체 테스트 소켓의 수명을 연장시킬 수 있는 반도체 테스트 소켓이 제공된다.
도 1 내지 도 3은 종래의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 사시도이고,
도 5는 도 4의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 배면을 나타난 도면이고,
도 6은 도 4의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 상부 브래킷과 하부 브래킷을 나타낸 도면이고,
도 7 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 10 및 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 작동 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 12 및 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 14 및 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 사시도이고, 도 5는 도 4의 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 배면을 나타난 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 양방향 도전성 패턴 모듈(1)은 상부 브래킷(10), 하부 브래킷(20), 탄성 연결부(30), 복수의 상부 접촉부(40), 복수의 하부 접촉부(50) 및 복수의 도전 연결부(60)를 포함한다. 여기서, 하나의 상부 접촉부(40), 하나의 하부 접촉부(50) 및 하나의 도전 연결부(60)가 상호 전기적으로 연결되어 상하 방향으로 도전 라인을 형성하게 된다.
상부 브래킷(10)은 절연성 재질로 마련된다. 본 발명에서는 상부 브래킷(10)을 스테인레스 스틸 재질로 마련되는 것을 일 예로 하는데, 절연성의 다른 재질로도 제작할 수 있다.
하부 브래킷(20)은 상부 브래킷(10)과 상하 방향으로 이격된 상태로 배치된다. 여기서, 하부 브래킷(20)은 상부 브래킷(10)과 마찬가지로 절연성 재질, 예를 들어 스테인레스 스틸 재질로 마련될 수 있다.
탄성 연결부(30)는 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)이 상하 방향으로 상호 이격되도록 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)을 연결한다. 여기서, 탄성 연결부(30)는 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)이 탄성적으로 연결되도록 탄성을 갖는 재질로 마련된다. 이에 따라, 상부 브래킷(10)이 하부 방향으로 가압되면 상부 브래킷(10)이 탄성 연결부(30)의 탄서엥 의해 하부로 이동할 수 있고, 하부 방향으로의 압력이 제거되면 상부 브래킷(10)이 원래의 위치로 이동할 수 있는 복원력을 제공하게 된다.
본 발명의 일 실시예에서는 탄성 연결부(30)가 탄성을 갖는 실리콘 재질로 형성되는 것을 예로 한다. 보다 구체적으로 설명하면, 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)을 상하 방향으로 이격된 상태로 금형에 투입하고, 액상의 실리콘을 주입한 후 경화시켜 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)을 연결하는 탄성 연결부(30)를 형성할 수 있다. 다른 방법으로, 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)이 상하 방향으로 이격된 상태에서 액상의 실리콘을 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)이 연결되도록 도포한 후 경화시켜 탄성 연결부(30)를 형성할 수 있다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성 연결부(30)는, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 상부 탄성부(31), 중간 탄성부(32) 및 하부 탄성부(33)로 구성될 수 있다. 그리고, 중간 탄성부(32)는 상부 탄성부(31) 및 하부 탄성부(33)보다 강한 탄성을 갖는 재질로 마련될 수 있다.
이를 통해, 본 발명에 따른 양방향 도전성 패턴 모듈(1)이 반도체 테스트 소켓(100)에 적용되어 반도체 소자를 테스트할 때, 반도체 소자에 의해 가해지는 하부 방향으로의 압력에 상부 탄성부(31)가 반응하고, 중간 탄성부(32)는 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 상하 방향으로의 형상을 유지하게 된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 탄성 연결부(30)는 메시 형태의 베이스 시트와, 베이스 시트에 도포된 상태로 경화된 실리콘 재질의 탄성 도포층을 포함할 수 있다. 베이스 시트는 절연성 재질로 마련될 수 있고, 실리콘 재질의 탄성 도포층에 의해 탄성을 갖도록 마련될 수 있다.
상부 접촉부(40)는 상부 브래킷(10)의 판면 방향을 따라 이격되도록 상부 브래킷(10)의 일측 표면에 결합된다. 그리고, 하부 접촉부(50)는 하부 브래킷(20)의 판면 방향을 따라 이격되도록 하부 브래킷(20)의 일측 표면에 결합된다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 접촉부(40) 및 하부 접촉부(50)는 도전성 핀 형태로 마련되는 것을 예로 한다. 다른 예로, 상부 접촉부(40)는 도전성을 갖는 상부 도전성 시트와, 상부 도전성 시트에 부착되는 상부 도전핀을 포함하는 것을 예 한다. 여기서, 상부 도전핀은 상부 가장자리 부분이, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상부 브래킷(10)의 상부로 돌출되도록 부착된다.
상부 도전성 시트는 PI 필름의 일측 또는 양측에 구리 재질의 도전층의 형성된 연성회로기판을 이용하여 제작될 수 있다. 이 때 구리 재질의 도전층의 전기 전도도의 향상을 위해 니켈 도금 및 금 도금을 순차적으로 형성할 수 있다.
마찬가지로, 하부 접촉부(50)도 하부 도전성 시트와 하부 도전핀으로 구성될 수 있으며, 하부 접촉부(50)의 경우 하부 도전성 시트 만으로 구성이 가능할 것이다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서는 상부 브래킷(10)에는 복수의 상부 격벽부(11)가 형성되는 것을 예로 한다. 상부 격벽부(11)는 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 인접한 상부 접촉부(40) 사이에서 상부 브래킷(10)의 판면으로부터 돌출되어 형성된다. 이에 따라 상호 인접한 상부 접촉부(40) 간을 공간적으로 분리함으로써, 상호 인접한 상부 접촉부(40) 간의 전기적 연결을 차단할 수 있다.
마찬가지로 하부 브래킷(20)에는 복수의 하부 격벽부(21)가 형성될 수 있다. 하부 격벽부(21)는 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 인접한 하부 접축부 사이에서 하부 브래킷(20)?? ksaus으로부터 돌출되어 형성된다. 이에 따라, 상호 인접한 하부 접축부 간을 공간적으로 분리함으로써, 상호 인접한 하부 접축부 간의 전기적 연결을 차단할 수 있다.
한편, 상부 브래킷(10)에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 상부 접촉부(40)가 결합하는 위치에 각각의 상부 접촉부(40)에 대응하는 상부 관통공(12)이 형성될 수 있다. 여기서, 상부 접촉부(40)가 상부 브래킷(10)의 일측 표면에 배치된 상태에서 상부 브래킷(10)의 타측으로부터 상부 관통공(12)을 통해 유입되는 결합 물질(71)의 경화에 의해 각각의 상부 접촉부(40)가 상부 브래킷(10)에 결합될 수 있다.
마찬가지로, 하부 브래킷(20)에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 하부 접촉부(50)가 결합하는 위치에 각각의 하부 접촉부(50)에 대응하는 하부 관통공(22)이 형성될 수 있다. 여기서, 하부 접촉부(50)가 하부 브래킷(20)의 일측 표면에 배치된 상태에서 하부 브래킷(20)의 타측으로부터 하부 관통공(22)을 통해 유입되는 결합 물질(72)의 경화에 의해 각각의 하부 접촉부(50)가 하부 브래킷(20)에 결합될 수 있다.
여기서, 결합 물질(71,72)은 탄성을 갖는 액상의 실리콘을 포함하는 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 이를 통해, 탄성을 갖는 결합 물질(71,72)이 상부 접촉부(40) 및 하부 접촉부(50)를 각각 상하 방향으로 탄성적으로 지지하게 되어, 반도체 테스트 소켓(100)을 이용한 반도체 소자의 테스트 과정에서 각각의 상부 접촉부(40) 및 하부 접촉부(50)가 상하 방향으로 상호 독립적이고 탄성적으로 움직일 수 있어 보다 안정적인 접촉이 가능하게 된다.
다시, 도 4를 참조하여 설명하면, 각각의 도전 연결부(60)는 상호 대응하는 상부 접촉부(40)와 하부 접촉부(50)를 상호 연기적으로 연결시킨다. 이를 통해, 상부로부터 하나의 상부 접촉부(40), 하나의 도전 연결부(60) 및 하나의 하부 접촉부(50)가 상하 방향으로 하나의 도전 라인을 형성하게 된다. 본 발명에서는 도전 연결부(60)가 한 가닥 또는 여러 가닥의 도전성 와이어로 구성되거나, 복수 가닥의 도전성 와이어가 꼬여 형성되는 것을 예로 한다.
여기서, 도전 연결부(60)가 도전성 와이어 형태로 마련되는 경우, 일측이 상부 접촉부(40)(예를 들어, 상부 도전성 시트)에 솔더링을 통해 부착되고, 타측이 하부 접촉부(50)(예를 들어, 하부 도전성 시트)에 솔더링되어 부착될 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 도전 연결부(60)는 중간 영역이 판면 방향으로 휘어진 형상을 갖도록 마련되는 것을 예로 한다. 이를 통해, 반도체 소자의 테스트 과정에서 하부 방향으로 가해지는 압력에 의해 도전 연결부(60)가 끊어지는 현상을 방지할 수 있게 된다.
상기와 같은 구성을 통해, 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)이 각각 독립적으로 제작되고, 상부 접촉핀과 하부 접촉핀을 도전 연결부(60)를 통해 연결하여 상하 방향으로 도전 패턴을 형성함으로써, 미세 피치의 구현이 가능하면서도 도전성 분말의 이탈과 같은 문제로 인해 수명이 단축되는 기존 기술의 문제점을 해소할 수 있다.
이하에서는 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100)에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100)은, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 메인 하우징(110), 복수의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1), 제1 상부 지지부재(121), 제2 하부 지지부재(142), 제1 탄성 복원부(131) 및 제2 탄성 복원부(132)를 포함한다.
여기서, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)은 상술한 바와 같은 바 그 상세한 설명은 생략하며, 도 7 내지 도 9에 도시된 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 참조번호는 일부 생략하여 도시되어 있다.
메인 하우징(110)은 상하 방향으로 개방된 형상을 가지며, 본 발명의 제1 실시예에서는 메인 하우징(110)이 대략 사각 형상을 갖는 것을 예로 하고 있다. 그리고, 메인 하우징(110)의 사오 마주하는 한 쌍의 변에는 상호 대응하게 복수의 슬릿(111)이 형성된다.
각각의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)은 상호 마주하는 한 쌍의 슬릿(111)에 각각 삽입된다. 즉, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 하부 브래킷(20)의 양측 가장자리 부분부터 한 쌍의 슬릿(111)에 삽입되고, 상부 브래킷(10)의 양측 가장자리 부분이 해당 슬릿(111)에 삽입되어 메인 하우징(110)에 설치된다.
여기서, 메인 하우징(110)의 상부에는 내부가 빈 틀 형성의 커버(미도시)가 결합되어 복수의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)이 상부로 노출된 상태로 메인 하우징(110)의 내부에서 고정된다. 이 때, 커버를 테스트 장치에 하부 방향으로 가압하여 고정하게 되면, 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 하부 접촉부(50)가 테스트 장치의 패드와 접촉된 상태를 유지하게 된다.
여기서, 하부 접촉부(50)가 테스트 장치의 패드에 안정적인 접촉을 유지하기 위한 구성은 다양한 형태로 마련될 수 있다. 일 예로, 양방향 도전성 패턴 모듈(1)을 메인 하우징(110) 내부에 고정시킨 상태에서 커버가 메인 하우징(110)을 하부 방향으로 가압한 상태로 테스트 장치에 결합하는 구조가 적용될 수 있다. 다른 예로, 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 하부 브래킷(20)이 메인 하우징(110)의 양측으로 상부 브래킷(10) 보다 더 돌출되도록 구성하고, 커버가 하부 브래킷(20)을 하부 방향으로 가압하면서 테스트 장치에 결합하는 구조도 적용 가능할 것이다.
제1 상부 지지부재(121) 및 제2 상부 지지부재(122)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)이 슬롯에 삽입된 상태에서 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 상부 브래킷(10)들의 판면 방향 양측에 각각 접하게 된다. 본 발명의 제1 실시예에서는 제1 상부 지지부재(121) 및 제2 상부 지지부재(122)가 상부 브래킷(10)의 저면에 접촉되는 것을 예로 하고 있다.
제1 탄성 복원부(131)는 제1 상부 지지부재(121)를 상부 방향으로 탄성적으로 지지한다. 그리고, 제2 탄성 복원부(132)는 제2 상부 지지부재(122)를 상부 방향으로 탄성적으로 지지한다.
본 발명에서는 제1 탄성 복원부(131) 및 제2 탄성 복원부(132)가, 도 9에 도시된 바와 같이, 금속 재질의 탄성 스프링 형태로 마련되는 것을 예로 한다. 그리고, 제1 탄성 복원부(131) 및 제2 탄성 복원부(132) 각각이, 도 8에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 탄성 스프링으로 구성되어, 제1 상부 지지부재(121)의 길이 방향 양측과, 제2 상부 지지부재(122)의 길이 방향 양측에 배치되는 것을 예로 한다.
여기서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 메인 하우징(110)의 양측으로부터 연장되는 제1 하부 지지부재(141)와 제2 하부 지지부재(142)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 하부 지지부재(141)는 제1 탄성 복원부(131)의 하부 측을 지지하고, 제2 하부 지지부재(142)는 제2 탄성 복원부(132)의 하부측을 지지한다. 그리고, 제1 탄성 복원부(131)가 제1 상부 지지부재(121)와 제1 하부 지지부재(141) 사이에서 제1 상부 지지부재(121)에 상부 방향으로 복원력을 제공하고, 제2 탄성 복원부(132)가 제2 상부 지지부재(122)와 제2 하부 지지부 사이에서 제2 상부 지지부재(122)에 상부 방향으로 복원력을 제공한다.
이하에서는, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100)을 이용하여 반도체 소자를 테스트하는 과정에서 반도체 테스트 소켓(100)의 작동 방법을 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다.
먼저, 반도체 소자에 형성된 볼 그리드와 같은 단자는 그 크기가 일정할 수 있으나, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 상이할 수도 있다. 반도체 소자가 테스트를 위해 하강하게 되면, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 테스트 소켓(100) 방향으로 더 돌출된 단자와 접촉하는 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 상부 접촉부(40)가 압력에 의해 하강하게 되는데, 상술한 바와 같이, 각각의 상부 접촉부(40)가 독립적으로 이동 가능하게 마련되어 다른 상부 접촉부(40)와는 독립적으로 하강할 수 있다.
테스트를 위해 반도체 소자가 더 하강하게 되면, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 소자의 모든 단자가 상부 접촉부(40)와 접촉한 상태로 하강하게 되고, 일정 압력이 하부 방향으로 더 가해지게 되면, 상부 브래킷(10)이 제1 상부 지지부재(121)와 제2 상부 지지부재(122)를 하부 방향으로 가압하게 되어, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 상부 브래킷(10)이 하강하게 된다. 여기서, 도 10의 (b), 도 11의 (a) 및 도 11의 (b)의 과정에서 탄성 연결부(30)도 하부 방향으로의 압력에 대해 상부 브래킷(10)을 탄성적으로 지지하는 상태가 된다.
그리고, 테스트가 완료되어 반도체 소자가 제거되면, 제1 탄성 복원부(131) 및 제2 탄성 복원부(132)의 탄성적인 복원력에 의해 상부 브래킷(10)이 원래 위치(도 10의 (a) 참조)로 상승하게 된다.
상기와 같은 구성을 통해, 반도체 소자의 테스트 과정에서 하부 방향으로 발생하는 압력을 각각의 상부 접촉부(40), 탄성 연결부(30), 제1 탄성 복원부(131) 및 제2 탄성 복원부(132)가 탄성적으로 지지해주어, 보다 안정적인 접촉이 가능하게 된다.
또한, 지속적인 테스트 과정에 의해 상부 접촉부(40)를 지지하는 결합 물질(71)이나 탄성 연결부(30)의 탄성력이 다소 저하되더라도, 제1 탄성 복원부(131) 및 제2 탄성 복원부(132)가 상부 브래킷(10)을 원래의 위치로 복원시켜 줌으로써, 반도체 테스트 소켓(100)의 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
이하에서는 도 12 및 도 13을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100a)에 대해 설명한다. 여기서, 본 발명이 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100a)의 구성은 제1 실시예의 변형 예로서, 제1 탄성 복원부(131a) 및 제2 탄성 복원부(132a)의 구성이 상이하다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 탄성 복원부(131a) 및 제2 탄성 복원부(132a)는 각각 두께 방향으로 탄성을 갖는 박대 형태로 마련될 수 있다. 예컨대, 제1 탄성 복원부(131a) 및 제2 탄성 복원부(132a)는 실리콘 재질로 마련될 수 있다.
그리고, 제1 탄성 복원부(131a)는 제1 상부 지지부재(121)와 제1 하부 지지부재(141) 사이에 슬릿(111)의 형성 방향을 따라 배치될 수 있다. 마찬가지로, 제2 탄성 복원부(132a)는 제2 상부 지지부재(122)와 제2 하부 지지부재(142) 사이에 슬릿(111)의 형성 방향을 따라 배치될 수 있다.
상기와 같은 구성에 따라 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100)은 제1 실시예에서와 동일한 기능 및 효과를 제공하게 된다.
이하에서는 도 14 및 도 15를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100b)에 대해 설명한다. 여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(100b)의 구성은 제2 실시예의 변형 예이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(110b)은, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 메인 하우징(110), 양방향 도전성 패턴 모듈(1), 제1 탄성 복원부(131b) 및 제2 탄성 복원부(132b)를 포함한다. 여기서, 메인 하우징(110) 및 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 구성은 제1 실시예 및 제2 실시예에 대응하는 바 그 설명은 생략한다.
제1 탄성 복원부(131b) 및 제2 탄성 복원부(132b)는 제2 실시예에서와 같이, 두께 방향으로 탄성을 갖는 막대 형태로 마련되는데, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이 원기둥 형태로 마련되는 것을 예로 한다.
여기서, 각각의 양방향 도전성 패턴 모듈(1)의 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20)은 슬릿(111)에 삽입될 때 양측 가장자리 부분이 메인 하우징(110)의 외부로 돌출된다.
이 때, 제1 탄성 복원부(131b) 및 제2 탄성 복원부(132b)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 슬릿(111)의 형성 방향을 따라 메인 하우징(110)의 외측으로 돌출되는 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20) 사이에 배치된다.
즉, 본 발명의 제3 실시예에서는 제2 실시예의 제1 상부 지지부재(121), 제2 상부 지지부재(122), 제1 하부 지지부재(141) 및 제2 하부 지지부재(142)가 제거되고, 제1 탄성 복원부(131b) 및 제2 탄성 복원부(132b)가 상부 브래킷(10)과 하부 브래킷(20) 사이에서 복원력을 제공하는 것을 예로 한다. 이를 통해, 양방향 도전성 패턴 모듈(1)이 하부 방향으로 가압되어 상부 브래킷(10)이 하부 방향으로 이동하는 경우, 제1 탄성 복원부(131b) 및 제2 탄성 복원부(132b)가 상부 브래킷(10)에 직접 상부 방향으로의 복원력을 제공하게 된다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
1 : 양방향 도전성 패턴 모듈 10 : 상부 브래킷
11 : 상부 격벽부 12 : 상부 관통공
20 : 하부 브래킷 21 : 하부 격벽부
22 : 하부 관통공 30 : 탄성 연결부
31 : 상부 탄성부 32 : 중간 탄성부
33 : 하부 탄성부 40 : 상부 접촉부
50 : 하부 접촉부 60 : 도전 연결부
71,72 : 결합 물질 100,100a : 반도체 테스트 소켓
110 : 메인 하우징 111 : 슬릿
121 : 제1 상부 지지부재 122 : 제2 상부 지지부재
131,131a : 제1 탄성 복원부 132,132a : 제2 탄성 복원부
141 : 제1 하부 지지부재 142 : 제2 하부 지지부재

Claims (16)

  1. 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈에 있어서,
    절연성 재질의 상부 브래킷과;
    상기 상부 브래킷과 상하 방향으로 이격된 절연성 재질의 하부 브래킷과;
    상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷이 상하 방향으로 상호 이격된 상태에서 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷을 탄성적으로 연결하는 탄성 연결부와;
    상기 상부 브래킷의 판면 방향을 따라 이격되도록 상기 상부 브래킷의 일측 표면에 결합하는 도전성을 갖는 복수의 상부 접촉부와;
    상기 하부 브래킷의 판면 방향을 따라 이격되도록 상기 하부 브래킷의 일측 표면에 결합하는 도전성을 갖는 복수의 하부 접촉부와;
    상호 대응하는 상기 상부 접촉부와 상기 하부 접촉부를 상호 전기적으로 연결하는 복수의 도전 연결부를 포함하고,
    상기 상부 브래킷에는 각각의 상기 상부 접촉부에 대응하는 상부 관통공이 형성되고, 각각의 상기 상부 접촉부가 상기 상부 브래킷의 일측 표면에 배치된 상태에서 상기 상부 브래킷의 타측으로부터 상기 상부 관통공을 통해 유입되는 결합 물질의 경화에 의해 상기 상부 브래킷과 결합하며,
    상기 하부 브래킷에는 각각의 상기 하부 접촉부에 대응하는 하부 관통공이 형성되고, 각각의 상기 하부 접촉부가 상기 하부 브래킷의 일측 표면에 배치된 상태에서 상기 하부 브래킷의 타측으로부터 상기 하부 관통공을 통해 유입되는 결합 물질의 경화에 의해 상기 하부 브래킷과 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 브래킷에는 인접한 상기 상부 접촉부 사이에서 상기 상부 브래킷의 판면으로부터 돌출되어 인접한 상기 상부 접촉부 간을 공간적으로 분리하는 복수의 상부 격벽부가 형성되고;
    상기 하부 브래킷에는 인접한 상기 하부 접촉부 사이에서 상기 하부 브래킷의 판면으로부터 돌출되어 인접한 상기 하부 접촉부 사이를 공간적으로 분리하는 복수의 하부 격벽부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 결합 물질은 탄성을 갖는 액상 실리콘을 포함하는 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 상부 접촉부는 탄성을 갖는 상기 결합 물질에 의해 상호 독립적으로 상하 방향으로 탄성적으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전 연결부는 적어도 한 가닥의 도전성 와이어에 의해, 또는 복수 가닥의 도전성 와이어가 꼬여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도전 연결부는 중간 영역이 상기 판면 방향으로 휘어진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 탄성 연결부는 탄성을 갖는 실리콘을 포함하는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 탄성 연결부는 상부 탄성부, 중간 탄성부 및 하부 탄성부로 구성되며, 상기 중간 탄성부는 상기 상부 탄성부 및 상기 하부 탄성부보다 강한 탄성을 갖는 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 탄성 연결부는
    메시 형태의 베이스 시트와,
    상기 베이스 시트에 도포된 상태로 경화된 실리콘 재질의 탄성 도포층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 상부 접촉부는
    도전성을 갖는 상부 도전성 시트와,
    상기 상부 도전성 시트에 부착되고, 상부 가장자리가 상기 상부 브래킷의 상부로 돌출되는 상부 도전핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈.
  12. 상하 방향으로 개방된 형상을 가지며, 상호 마주하는 한 쌍의 변에 상호 대응하게 복수의 슬롯이 형성된 메인 하우징과,
    상호 마주하는 한 쌍의 슬릿에 각각 삽입되는 제1항, 제2항, 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 복수의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈과,
    복수의 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈이 상기 슬롯에 삽입된 상태에서 각각의 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 상부 브래킷들의 판면 방향 양측에 각각 접하는 제1 상부 지지부재 및 제2 상부 지지부재와,
    상기 제1 상부 지지부재와 상기 제2 상부 지지부재를 각각 상부 방향으로 탄성적으로 지지하는 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부를 포함하며;
    검사 대상인 반도체 소자에 의해 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈이 하부 방향으로 가압되어 상기 상부 브래킷이 하부 방향으로 이동하는 경우, 상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부가 상부 방향으로의 복원력을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 메인 하우징의 양측으로부터 연장되어 상기 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부의 하부 측을 각각 지지하는 제1 하부 지지부재 및 제2 하부 지지부재를 더 포함하며;
    상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부는 각각 상기 제1 상부 지지부재와 상기 제1 하부 지지부재 사이, 상기 제2 상부 지지부재와 상기 제2 하부 지지부재 사이에서 상부 방향으로 복원력을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 탄성 복원부와 상기 제2 탄성 복원부는 각각 적어도 하나의 탄성 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 탄성 복원부와 상기 제2 탄성 복원부는 각각 두께 방향으로 탄성을 갖는 막대 형태로 마련되어 상기 제1 상부 지지부재와 상기 제1 하부 지지부재 사이, 상기 제2 상부 지지부재와 상기 제2 하부 지지부재 사이에 상기 슬릿의 형성 방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  16. 상하 방향으로 개방된 형상을 가지며, 상호 마주하는 한 쌍의 변에 상호 대응하게 복수의 슬롯이 형성된 메인 하우징과,
    상호 마주하는 한 쌍의 슬릿에 각각 삽입되는 제1항, 제2항, 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 복수의 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈과,
    두께 방향으로 탄성을 갖는 막대 형태로 마련되는 제1 탄성 복원부 및 제2 탄성 복원부를 포함하고;
    각각의 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 상부 브래킷과 하부 브래킷은 상기 슬릿에 삽입될 때 양측 가장자리 부분이 상기 메인 하우징의 외측으로 돌출되고;
    상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부는 상기 슬릿의 형성 방향을 따라 배치되되, 상기 메인 하우징의 외측으로 돌출되는 상기 상부 브래킷과 상기 하부 브래킷 사이에 배치되며;
    검사 대상인 반도체 소자에 의해 상기 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈이 하부 방향으로 가압되어 상기 상부 브래킷이 하부 방향으로 이동하는 경우, 상기 제1 탄성 복원부 및 상기 제2 탄성 복원부가 상부 방향으로의 복원력을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101976028B1 (ko) * 2018-01-09 2019-05-07 (주)디팜스테크 탄성에 의해 완충작용을 수행하면서 쇼트 발생을 방지할 수 있는 반도체 소켓용 접촉핀

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102447833B1 (ko) 2018-02-09 2022-09-27 주성엔지니어링(주) 전력 인터페이스
KR101911496B1 (ko) * 2018-04-13 2018-12-28 황동원 반도체 디바이스 테스트 소켓장치
KR101930866B1 (ko) * 2018-08-08 2018-12-20 황동원 반도체 디바이스 테스트용 콘택트 및 소켓장치
JP7453891B2 (ja) * 2020-10-06 2024-03-21 日本航空電子工業株式会社 電気部品検査器具
KR102225546B1 (ko) * 2020-11-13 2021-03-10 주식회사 프로이천 프로브핀블록
KR102664074B1 (ko) * 2021-10-20 2024-05-10 주식회사 이엘피 반도체 소자 테스트 소켓 및 그 제조 방법
KR102607955B1 (ko) * 2023-07-14 2023-12-01 미르텍알앤디 주식회사 메쉬형 핀 및 다양한 크기의 블레이드 핀을 포함하는 하이브리드형 테스트 소켓

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092317A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Jsr Corp シート状コネクターおよびプローブ装置
JP2007071810A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Elpida Memory Inc Icソケット
JP2007078456A (ja) 2005-09-13 2007-03-29 Yokogawa Electric Corp Icソケット及びこれを用いたicテスタ
KR101489186B1 (ko) * 2013-11-27 2015-02-11 주식회사 이노 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092317A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Jsr Corp シート状コネクターおよびプローブ装置
JP2007071810A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Elpida Memory Inc Icソケット
JP2007078456A (ja) 2005-09-13 2007-03-29 Yokogawa Electric Corp Icソケット及びこれを用いたicテスタ
KR101489186B1 (ko) * 2013-11-27 2015-02-11 주식회사 이노 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101976028B1 (ko) * 2018-01-09 2019-05-07 (주)디팜스테크 탄성에 의해 완충작용을 수행하면서 쇼트 발생을 방지할 수 있는 반도체 소켓용 접촉핀

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