KR101795029B1 - Led package for increasign view angle - Google Patents

Led package for increasign view angle Download PDF

Info

Publication number
KR101795029B1
KR101795029B1 KR1020110038430A KR20110038430A KR101795029B1 KR 101795029 B1 KR101795029 B1 KR 101795029B1 KR 1020110038430 A KR1020110038430 A KR 1020110038430A KR 20110038430 A KR20110038430 A KR 20110038430A KR 101795029 B1 KR101795029 B1 KR 101795029B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fine pattern
light
led
led package
sealing portion
Prior art date
Application number
KR1020110038430A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120120695A (en
Inventor
노건호
백지흠
조현석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110038430A priority Critical patent/KR101795029B1/en
Publication of KR20120120695A publication Critical patent/KR20120120695A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101795029B1 publication Critical patent/KR101795029B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Abstract

본 발명은 광소자 패키지를 제공한다. 상기 광소자 패키지는 광소자, 상기 광소자가 실장되는 몸체부, 및 상기 몸체부를 봉지하며, 상기 광소자로부터 광이 입사하는 일면 및 상기 광이 출사하는 다른 면을 포함하는 봉지부를 포함하는데, 상기 봉지부는 상기 다른 면 상에 형성된 미세 패턴을 포함한다. 이에 의해 LED 패키지의 봉지부의 표면 상에 형성된 미세 패턴, 바람직하게는 나노 패턴에 의해 LED 칩으로부터의 빛이 굴절하게 되고 이로 인하여 전체 뷰 각도는 증가하게 된다. 따라서, 더욱 저렴한 비용으로 더욱 소형화되고 공정의 단순화를 꾀할 수 있는 LED 패키지를 제조할 수 있다.The present invention provides an optical device package. The optical device package includes an optical element, a body portion on which the optical element is mounted, and an encapsulation portion that encapsulates the body portion, the encapsulation portion including one surface on which light is incident from the optical element and another surface on which the light is emitted, The portion includes a fine pattern formed on the other side. As a result, the light from the LED chip is refracted by a fine pattern, preferably a nano pattern, formed on the surface of the encapsulant of the LED package, thereby increasing the total view angle. Therefore, it is possible to manufacture an LED package that can be further miniaturized and simplify the process at a lower cost.

Description

뷰 각도를 증가시키기 위한 광소자 패키지{LED PACKAGE FOR INCREASIGN VIEW ANGLE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an optical device package for increasing a viewing angle,

본 발명은 뷰 각도를 증가시키기 위한 광소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an optical device package for increasing the view angle.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체의 P-N 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. 발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비하여 소비 전력이 적고 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하다. 또한, 협소한 공간에 설치 가능하고, 진동에 강한 특성을 제공한다.A light emitting diode (LED) refers to a device that generates a small number of injected carriers (electrons or holes) using a P-N junction structure of a compound semiconductor and emits a predetermined light by recombination of the carriers. The light emitting diode has lower power consumption and lifespan of several to several tens of times that of conventional light bulbs or fluorescent lamps, and is superior in terms of power consumption and durability. Further, it can be installed in a narrow space and provides a vibration-resistant characteristic.

이러한 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있기 때문에, 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기에 사용되고 있다. 최근에는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, 발광 다이오드 역시 인쇄 회로 기판 등에 직접 실장되기 위하여 표면 실장 소자(SMD;Surface Mount Device)형으로 제조되고 있다. 이러한 SMD 방식의 발광 다이오드는 용도에 따라 탑 뷰(Top View) 방식과 사이드 뷰(Side View) 방식으로 제조된다.Such a light emitting diode is used for home appliances, remote controllers, electric sign boards, displays, and various automation devices because it can irradiate light with high efficiency at a low voltage. In recent years, various components such as resistors, capacitors, and noise filters have become more compact due to the miniaturization and slimming of information communication devices. In order to mount the light emitting diodes directly on a printed circuit board or the like, a surface mount device (SMD) . Such SMD type light emitting diodes are manufactured by a Top View method and a Side View method depending on applications.

도 1a 및 도 1b를 참조하여, 일반적인 탑 뷰(top view) 방식의 발광 다이오드 패키지를 살펴본다.A general top view LED package will be described with reference to FIGS. 1A and 1B.

상기 도 1a 및 도 1b에 도시된 탑 뷰 방식의 발광 다이오드 패키지는 반사홀(25)이 형성된 기판(20)과, 상기 반사홀(25) 내부에 실장된 발광 다이오드 칩(10)과, 상기 기판(20) 상부에 형성된 제 1 리드 및 제 2 리드(30, 40)과, 상기 발광 다이오드 칩(10)을 봉지하는 몰딩부(50)와, 제 1 와이어 및 제 2 와이어(60, 70)를 포함한다.1A and 1B includes a substrate 20 on which a reflective hole 25 is formed, a light emitting diode chip 10 mounted on the reflective hole 25, (50) for sealing the LED chip (10), a first wire and a second wire (60, 70) formed on the first and second leads (30, 40) .

상기와 같은 구성을 갖는 탑 뷰 방식의 발광 다이오드 패키지에 의하면, 상기 발광 다이오드 칩(10)으로부터 방출되는 빛은 반사홀(25)에 의해 상부로 반사되며, 상기 몰딩부(50)를 거쳐 외부로 방출된다.According to the top view type light emitting diode package having the above configuration, the light emitted from the LED chip 10 is reflected upward by the reflection hole 25, and is transmitted to the outside through the molding part 50 .

도 2는 종래 탑 뷰 방식의 발광 다이오드 패키지(LED)의 뷰 각도를 나타낸 도면으로서, 도 2(a)는 종래 탑 뷰 방식의 LED 패키지의 뷰 각도들을 나타낸 도면이고, 도 2(b)는 종래 탑 뷰 방식의 LED 패키지가 어둠속에서 빛을 방출하였 때의 발광 상태를 나타내는 사진이다.FIG. 2 is a view showing a view angle of a conventional top view type light emitting diode package (LED), wherein FIG. 2 (a) is a view showing view angles of a conventional top view type LED package, and FIG. 2 5 is a photograph showing the light emitting state when the top view type LED package emits light in the dark.

도 2(a)에 도시된 바와 같이, 종래 탑 뷰 방식의 LED로부터 광은 LED 패키지의 전면에 대해 빛의 대부분이 90도의 방향(도 2(b)에서는 0도)으로 방출되기 때문에, 측면 방향으로는 광이 거의 진행하지 않았다. 따라서, 종래 탑 뷰 방식의 LED의 뷰 각도가 작은 문제점이 있었다. As shown in Fig. 2 (a), since the light from the conventional top view type LED is emitted in the direction of 90 degrees (0 degree in Fig. 2 (b)) with respect to the front surface of the LED package, The light was hardly progressed. Accordingly, there has been a problem that the view angle of the LED of the conventional top view method is small.

이와 같이, 탑 뷰 방식의 LED를 적용한 직하형 백라이트 유닛(BLU)에서 LED의 뷰 각도(view angle)가 작으면 빛의 분산을 위하여 두께가 두꺼워지는 문제가 발생된다. 또한, 탑 뷰 방식의 LED를 적용한 직하형 백라이트 유닛(BLU)에서 LED의 뷰 각도(view angle)가 작으면 빛의 분산을 위하여 두께가 두꺼워지는 문제가 발생된다. 이를 해결하기 위하여 발광 다이오드의 봉지부를 여러가지 모양으로 성형하여 뷰 각도(view angle)를 향상시키는 방안이 제시되었다. 그러나, 발광 다이오드의 봉지부를 다양한 모양으로 성형하는 것은 비용이 비싸고, 제조 공정을 복잡하게 했다.As described above, in a direct-type backlight unit (BLU) to which a top view type LED is applied, if the view angle of the LED is small, there arises a problem that the thickness becomes thick to disperse the light. Also, in a direct-type backlight unit (BLU) to which a top view type LED is applied, if the view angle of the LED is small, a problem that the thickness becomes thick for dispersion of light occurs. In order to solve this problem, a method of improving the view angle by molding the sealing portion of the LED into various shapes has been proposed. However, molding the sealing portion of the light emitting diode into various shapes is expensive and complicates the manufacturing process.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 발광 다이오드의 봉지부를 성형할 필요 없이 뷰 각도를 증가시킬 수 있는 광소자 패키지를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide an optical device package capable of increasing a view angle without molding an encapsulation portion of a light emitting diode.

상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따라 뷰 각도를 증가시키기 위한 광소자 패키지는 광소자; 상기 광소자가 실장되는 몸체부; 상기 몸체부를 봉지하며, 상기 광소자로부터 광이 입사하는 일면 및 상기 광이 출사하는 다른 면을 포함하는 봉지부를 포함하는데, 상기 봉지부는 상기 다른 면 상에 형성된 미세 패턴을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an optical device package for increasing a viewing angle, comprising: an optical device; A body portion on which the optical device is mounted; And an encapsulation part encapsulating the body part, the encapsulation part including one surface on which light is incident from the optical element and another surface on which the light is emitted, wherein the encapsulation part comprises a fine pattern formed on the other surface.

상기 미세 패턴은 진공 상태에서 상기 봉지부의 다른 면 상에 플라즈마 이온 빔을 인가함으로써 형성될 수 있다. The fine pattern may be formed by applying a plasma ion beam onto the other side of the sealing portion in a vacuum state.

상기 미세 패턴은 상기 봉지부의 다른 면 상에 얼마나 조밀하게 형성되는 지를 나타내는 거칠기를 가지며, 상기 거칠기는 상기 이온 빔이 상기 봉지부의 다른 면에 인가되는 인가 각도에 종속적일 수 있다.The fine pattern has a roughness indicating how closely the fine pattern is formed on the other side of the sealing portion, and the roughness may be dependent on an applied angle at which the ion beam is applied to the other side of the sealing portion.

상기 미세 패턴은 상기 인가 각도가 클수록 덜 조밀하게 형성될 수 있다.The fine pattern may be formed less densely as the applied angle is larger.

상기 미세 패턴은 상기 봉지부의 다른 면 상에 얼마나 조밀하게 형성되는 지를 나타내는 거칠기를 가지며, 상기 거칠기는 상기 이온 빔의 이온 농도 및 인가 속도 중 어느 하나에 종속적일 수 있다. The fine pattern may have a roughness indicating how closely the fine pattern is formed on the other side of the sealing portion, and the roughness may be dependent on either the ion concentration of the ion beam or the application speed.

상기 미세 패턴은 나노 스케일의 나노 패턴일 수 있다.The fine pattern may be a nanoscale nano pattern.

본 발명에 의하면, LED 패키지의 봉지부의 표면 상에 형성된 미세 패턴, 바람직하게는 나노 패턴에 의해 LED 칩으로부터의 빛이 굴절하게 되고 이로 인하여 전체 뷰 각도는 증가하게 된다. 따라서, 더욱 저렴한 비용으로 더욱 소형화되고 공정의 단순화를 꾀할 수 있는 LED 패키지를 제조할 수 있다.According to the present invention, light from the LED chip is refracted by a fine pattern, preferably a nanopattern, formed on the surface of the encapsulant of the LED package, thereby increasing the total view angle. Therefore, it is possible to manufacture an LED package that can be further miniaturized and simplify the process at a lower cost.

도 1a는 종래 기술의 일 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 1b는 종래 기술의 또 다른 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2는 종래 탑 뷰 방식의 발광 다이오드 패키지(LED)의 뷰 각도를 나타낸 도면으로서, 도 2(a)는 종래 탑 뷰 방식의 LED 패키지의 뷰 각도들을 나타낸 도면이고, 도 2(b)는 종래 탑 뷰 방식의 LED 패키지가 어둠속에서 빛을 방출하였 때의 발광 상태를 나타내는 사진이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따른 LED 패키지의 사시도를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 봉지부의 미세 패턴들의 실시예들을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 LED 패키지의 뷰 각도를 나타낸 도면으로서, 도 5(a)는 본 발명의 LED 패키지의 뷰 각도들을 나타낸 도면이고, 도 5(b)는 본 발명의 LED 패키지가 어둠속에서 빛을 방출하였 때의 발광 상태를 나타내는 사진이다.1A is a cross-sectional view of an LED package according to an embodiment of the prior art.
1B is a cross-sectional view of an LED package according to another embodiment of the prior art.
FIG. 2 is a view showing a view angle of a conventional top view type light emitting diode package (LED), wherein FIG. 2 (a) is a view showing view angles of a conventional top view type LED package, and FIG. 2 5 is a photograph showing the light emitting state when the top view type LED package emits light in the dark.
3 is a perspective view of an LED package according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a view showing embodiments of fine patterns of the sealing portion according to the present invention.
FIG. 5 is a view showing a view angle of the LED package according to the present invention, wherein FIG. 5 (a) is a view showing view angles of the LED package of the present invention, FIG. 2 is a photograph showing the light emitting state when light is emitted from the light emitting layer. FIG.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the above-described embodiments. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description, and elements denoted by the same symbols in the drawings denote the same elements.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따른 LED 패키지의 사시도를 도시한 도면이다. 3 is a perspective view of an LED package according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, LED 패키지(100)는 리드 프레임(110), 몰딩을 이용하여 성형된 몸체부(120), LED 칩(130) 및 봉지부(140)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the LED package 100 includes a lead frame 110, a body portion 120 molded using molding, an LED chip 130, and an encapsulant 140.

리드 프레임(110)은 금속재와 같은 전도성 물질로 이루어지며 일반적으로 판의 형태를 갖는다. 리드 프레임(110) 상에 LED 칩(130)이 실장되는 몸체부(120)가 위치한다. 몸체부(120)는 LED 칩(130)을 실장하기 위해 함몰 부분을 갖도록 형성된다. 몰딩법에 의해 형성될 수 있다. LED 칩(130)은 몸체부(120) 상에 실장되며, 본딩 와이어(도시 생략)에 의해 리드 프레임(110)에 전기적으로 연결된다.The lead frame 110 is made of a conductive material such as a metal material and generally has a plate shape. A body portion 120 on which the LED chip 130 is mounted is positioned on the lead frame 110. The body portion 120 is formed to have a depressed portion for mounting the LED chip 130. Can be formed by a molding method. The LED chip 130 is mounted on the body portion 120 and is electrically connected to the lead frame 110 by a bonding wire (not shown).

봉지부(140)는 LED 칩(130)이 실장되는 몸체부(120)를 봉지하도록 몸체부(120)의 함몰부를 커버한다. 봉지부(140)는 LED의 봉지제(Encapsulate material)로 쓰이는 실리콘(Silicone) 계열의 물질, 바람직하게는 PDMS(Polydimethylsiloxane)로 형성된다. The sealing part 140 covers the depression of the body part 120 to seal the body part 120 on which the LED chip 130 is mounted. The encapsulant 140 is formed of a silicon-based material, preferably PDMS (Polydimethylsiloxane), which is used as an encapsulate material of an LED.

봉지부(140)는 뷰 각도를 향상시키기 위한 미세 패턴(fine patterns), 바람직하게는 나노 스케일의 나노 패턴(nano pattenrs)을 갖는다. 봉지부(140)의 미세패턴은 봉지부(140)의 빛이 출사하는 면 상에 형성되어 있으며, 플라즈마 표면 처리에 의해 생성될 수 있다. 구체적으로, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 봉지부(140)에 대해 진공상태에서 플라즈마 처리가 수행된다. 봉지부(140)에 대한 플라즈마 처리는 진공 상태에서 플라즈마 가스를 생성하여 봉지부(140)의 광 출사면에 인가함으로써 수행된다. 상기 플라즈마 가스는 이온 빔의 형태로 봉지부(140)의 광 출사면에 인가된다. The encapsulant 140 has fine patterns, preferably nanoscale nanopatterns, to enhance the view angle. The fine pattern of the sealing portion 140 is formed on the surface from which the light of the sealing portion 140 is emitted and can be generated by plasma surface treatment. Specifically, as shown in Fig. 3 (b), plasma processing is performed on the sealing portion 140 in a vacuum state. The plasma treatment for the sealing portion 140 is performed by generating a plasma gas in a vacuum state and applying it to the light exit surface of the sealing portion 140. The plasma gas is applied to the light exit surface of the sealing portion 140 in the form of an ion beam.

그러면, 진공 상태의 가스 이온(gas ion)은 전압차에 의하여 봉지부(encapsulating part)의 표면에 충동하게 되고 이로 인하여 봉지부(140)의 표면에 나노 패턴이 생성되게 된다. 여기에서, 플라즈마 가스는 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 등 당업계에 공지된 가스들 중 어떠한 고압 가스(pressure gas)라도 가능하다. 또한, 플라즈마 처리는 CAPVD(Cathodic Arc Physical Vapor Deposition), rf-PACVD 등 여러가지 플라즈마 처리 방법을 이용하여 수행될 수 있다.Then, the gas ions in the vacuum state are impulsively impinged on the surface of the encapsulating part by the voltage difference, so that a nano pattern is generated on the surface of the sealing part 140. Here, the plasma gas may be any of the gases known in the art such as argon (Ar), oxygen (O 2 ), nitrogen (N 2 ), and the like. In addition, plasma processing can be performed using various plasma processing methods such as CAPVD (Cathodic Arc Physical Vapor Deposition) and rf-PACVD.

도 4는 본 발명에 따른 봉지부의 미세 패턴들의 실시예들을 나타낸 도면이다. 4 is a view showing embodiments of fine patterns of the sealing portion according to the present invention.

도 4의 (a)는 봉지부(140)의 일 면에 대해 플라즈마 처리가 수행되는 경우를 도식적으로 나타낸 도면이다. 전술한 바와 같이, 봉지부(140)의 표면 상에 탄화수소 이온 빔(Hydrocarbon ion beam)을 인가하면, 봉지부(140)의 표면은 탄소 이온들이 증착되어 미세 패턴이 형성된다. 이 경우, 이온 빔을 봉지부(140)의 표면 상에 인가하는 각도에 따라 미세 패턴이 상이하게 형성된다. 여기에서, 이온 빔의 인가 각도는 봉지부(140)의 표면에 대해 90도인 각도로부터 시작하여 측정된다.4A is a diagram schematically showing a case where a plasma process is performed on one surface of the sealing part 140. FIG. As described above, when a hydrocarbon ion beam is applied on the surface of the sealing portion 140, carbon ions are deposited on the surface of the sealing portion 140 to form a fine pattern. In this case, fine patterns are formed differently depending on the angle at which the ion beam is applied on the surface of the sealing portion 140. [ Here, the application angle of the ion beam is measured starting from an angle of 90 degrees with respect to the surface of the sealing portion 140.

도 4(b) 내지 도 4(d)는 본 발명에 따라 이온 빔의 인가 각도에 따라 다른 형상을 갖는 미세 패턴을 나타낸다. 여기에서, 도 4(b) 내지 도 4(d)는 봉지부(140)의 표면을 수 μm 단위 및 500 nm 단위로 확대한 것이다. 4 (b) to 4 (d) show fine patterns having different shapes according to the application angle of the ion beam according to the present invention. 4 (b) to 4 (d) are enlarged views of the surface of the sealing portion 140 in units of several micrometers and 500 nm.

도 4(b)는 이온 빔이 봉지부(140)의 표면에 대해 0도의 각도로 인가된 경우에 생성된 미세 패턴을 나타내고, 도 4(c)는 이온 빔이 봉지부(140)의 표면에 대해 45도의 각도로 인가된 경우에 생성된 미세 패턴을 나타내며, 도 4(d)는 이온 빔이 봉지부(140)의 표면에 대해 75도의 각도로 인가된 경우에 생성된 미세 패턴을 나타낸다. 도 4(b) 내지 도 4(d)에 도시된 바와 같이, 이온 빔의 인가 각도가 증가할수록 봉지부(140)의 표면 상에 형성되는 미세 패턴의 거칠기가 증가한다. 여기에서 미세 패턴의 거칠기는 미세 패턴이 봉지부(140)의 표면 상에 얼마나 조밀하게 형성되는 지를 나타낸다. 미세 패턴의 거칠기가 클수록 미세 패턴들의 조밀도가 감소한다. 즉, 미세 패턴의 거칠기가 클수록 미세 패턴이 덜 조밀하게 형성된 것이며, 미세 패턴의 거칠기가 작을수록 미세 패턴이 더 조밀하게 형성된 것이다.4 (b) shows a fine pattern generated when the ion beam is applied at an angle of 0 degree to the surface of the sealing portion 140, and FIG. 4 (c) shows a fine pattern generated when the ion beam is applied to the surface of the sealing portion 140 FIG. 4 (d) shows a fine pattern generated when the ion beam is applied at an angle of 75 degrees with respect to the surface of the sealing portion 140. FIG. As shown in Figs. 4 (b) to 4 (d), as the angle of application of the ion beam increases, the roughness of the fine pattern formed on the surface of the sealing portion 140 increases. Here, the roughness of the fine pattern indicates how closely the fine pattern is formed on the surface of the sealing portion 140. The greater the roughness of the fine pattern, the smaller the density of the fine pattern. That is, the larger the roughness of the fine pattern, the less the fine pattern is formed, and the smaller the roughness of the fine pattern, the finer the fine pattern is formed.

이러한 미세 패턴의 거칠기는 전술한 바와 같이, 이온 빔의 인가 각도에 의해 결정될 수 있다. 이러한 미세 패턴의 거칠기를 조절함으로써 빛이 봉지부의 표면에서 굴절하는 정도인 굴절률을 조절할 수 있다. 이러한 봉지부의 표면에서의 빛의 굴절률을 조절하게 되면 LED 패키지(100)의 뷰 각도를 조절할 수 있다. 다른 실시예에서, 미세 패턴의 거칠기는 이온 빔의 이온 농도와 이온 빔의 인가 속도 등을 조절함으로써 조절될 수도 있다. The roughness of such a fine pattern can be determined by the angle of application of the ion beam, as described above. By controlling the roughness of such a fine pattern, the refractive index can be adjusted to such a degree that light refracts at the surface of the sealing portion. The viewing angle of the LED package 100 can be adjusted by controlling the refractive index of light on the surface of the sealing portion. In another embodiment, the roughness of the fine pattern may be adjusted by adjusting the ion concentration of the ion beam, the application speed of the ion beam, and the like.

그에 따라, LED 칩(130)으로부터 방출되는 빛이 봉지부(140)를 통과할 때, 봉지부(140)의 미세 패턴은 LED의 빛을 굴절시켜 뷰 각도(view angle)를 향상시킬 수 있다. 다시 말해, 봉지부(140)의 광 출사면에 생성된 나노 패턴에 의하여 LED의 빛이 미세 패턴의 모양에 따라 굴절하게 되고 이로 인하여 LED 패키지(100)의 전체 뷰 각도(total view angle)가 증가하게 된다. Accordingly, when the light emitted from the LED chip 130 passes through the encapsulation part 140, the fine pattern of the encapsulation part 140 can refract the light of the LED to improve the view angle. In other words, the light of the LED is refracted according to the shape of the fine pattern due to the nano pattern formed on the light emitting surface of the sealing part 140, thereby increasing the total view angle of the LED package 100 .

이와 같이, 봉지부(140)를 성형할 필요 없이 LED 패키지(100)의 뷰 각도를 증가시킬 수 있다. 또한, LED 패키지를 이용하여 백라이트 유닛(BLU) 제작 시 광학적 갭(optical gap)을 줄여 종래보다 더 슬림한 LED TV용 백라이트 유닛의 제조가 가능하다.As described above, the view angle of the LED package 100 can be increased without molding the sealing portion 140. In addition, when manufacturing a backlight unit (BLU) using an LED package, it is possible to manufacture a slimmer backlight unit for an LED TV by reducing an optical gap.

도 5는 본 발명에 따른 LED 패키지의 뷰 각도를 나타낸 도면으로서, 도 5(a)는 본 발명의 LED 패키지의 뷰 각도들을 나타낸 도면이고, 도 5(b)는 본 발명의 LED 패키지가 어둠속에서 빛을 방출하였 때의 발광 상태를 나타내는 사진이다.FIG. 5 is a view showing a view angle of the LED package according to the present invention, wherein FIG. 5 (a) is a view showing view angles of the LED package of the present invention, FIG. 2 is a photograph showing the light emitting state when light is emitted from the light emitting layer. FIG.

도 5(a) 및 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 LED 패키지로부터 광은 LED 패키지의 전면에서 특정 방향이 아니라 전체 방향들에서 균일하게 방출되기 때문에, 측면 방향으로도 광이 잘 진행된다. 이와 같이, LED 패키지의 봉지부의 표면 상에 형성된 미세 패턴, 바람직하게는 나노 패턴에 의해 LED 칩으로부터의 빛이 굴절하게 되고 이로 인하여 전체 뷰 각도는 증가하게 된다. As shown in Figs. 5 (a) and 5 (b), since the light from the LED package of the present invention is uniformly emitted in all directions, not in a specific direction from the front face of the LED package, It goes well. Thus, the light from the LED chip is refracted by the fine pattern, preferably the nanopattern, formed on the surface of the encapsulant of the LED package, thereby increasing the total view angle.

이러한 본 발명에 따르면, 봉지부를 별도로 성형할 필요 없이 LED 패키지의 뷰 각도를 증가시킬 수 있다. 또한, 백라이트 유닛의 제조시 광학적 갭을 줄여 종래보다 더 슬림한 LED TV용 백라이트 유닛을 제작할 수 있다. According to the present invention, it is possible to increase the view angle of the LED package without forming the sealing portion separately. In addition, it is possible to manufacture a slimmer backlight unit for an LED TV by reducing the optical gap in manufacturing the backlight unit.

이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.In the drawings and specification, there have been disclosed preferred embodiments. Although specific terms have been employed herein, they are used for purposes of illustration only and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments are possible without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100: LED 패키지 110: 리드 프레임
120: 몸체부 130: LED 칩
140: 봉지부100: LED package 110: lead frame
120: body part 130: LED chip
140:

Claims (6)

뷰 각도를 증가시키기 위한 광소자 패키지에 있어서,
광소자;
상기 광소자가 실장되는 몸체부; 및
상기 몸체부를 봉지하며, 상기 광소자로부터 광이 입사하는 일면 및 상기 광이 출사하는 다른 면을 포함하는 봉지부를 포함하고,
상기 봉지부는 상기 다른 면 상에 형성된 미세 패턴을 포함하며, 상기 미세 패턴은 탄소층을 포함하는 광소자 패키지.An optical element package for increasing a viewing angle,
Optical devices;
A body portion on which the optical device is mounted; And
And an encapsulating portion which encapsulates the body portion and includes one surface from which light is incident from the optical element and another surface from which the light is emitted,
Wherein the encapsulant comprises a fine pattern formed on the other surface, the fine pattern comprising a carbon layer. 청구항 1에 있어서,
상기 미세 패턴의 재질은 상기 봉지부의 재질과 다른 광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the material of the fine pattern is different from the material of the sealing portion. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 미세 패턴은 상기 봉지부 표면에 탄소 이온들을 증착한 후 진공 상태에서 탄소 이온들 상에 플라즈마 이온 빔을 인가함으로써 형성되며, 상기 이온 빔의 인가 각도에 의해 상기 미세 패턴의 거칠기를 제어하는 광소자 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the fine pattern is formed by depositing carbon ions on the surface of the sealing portion and then applying a plasma ion beam onto the carbon ions in a vacuum state and controlling the roughness of the fine pattern by the application angle of the ion beam package. 제 3 항에 있어서,
상기 미세 패턴은 상기 인가 각도가 클수록 덜 조밀하게 형성되는 광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the fine pattern is formed less densely as the applied angle is larger. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 봉지부는 PDMS 재질을 포함하는 광소자 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the encapsulant comprises a PDMS material. 삭제delete
KR1020110038430A 2011-04-25 2011-04-25 Led package for increasign view angle KR101795029B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110038430A KR101795029B1 (en) 2011-04-25 2011-04-25 Led package for increasign view angle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110038430A KR101795029B1 (en) 2011-04-25 2011-04-25 Led package for increasign view angle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120120695A KR20120120695A (en) 2012-11-02
KR101795029B1 true KR101795029B1 (en) 2017-11-07

Family

ID=47507323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110038430A KR101795029B1 (en) 2011-04-25 2011-04-25 Led package for increasign view angle

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101795029B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150261A (en) 2003-11-12 2005-06-09 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting element provided with multiplex reflection preventing structure and manufacturing method therefor
KR100638892B1 (en) * 2005-10-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 Method of fabracating light emitting diode package
JP2007227926A (en) 2006-02-21 2007-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Method of manufacturing light emitting diode package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150261A (en) 2003-11-12 2005-06-09 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting element provided with multiplex reflection preventing structure and manufacturing method therefor
KR100638892B1 (en) * 2005-10-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 Method of fabracating light emitting diode package
JP2007227926A (en) 2006-02-21 2007-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Method of manufacturing light emitting diode package

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120120695A (en) 2012-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI497746B (en) Led package and method for fabricating the same
JP5260049B2 (en) Power light emitting die package with reflective lens
US7582496B2 (en) LED package using Si substrate and fabricating method thereof
US20070018191A1 (en) Side view LED with improved arrangement of protection device
JP5596901B2 (en) Power light emitting die package having a reflective lens and method of manufacturing the same
US8545082B2 (en) Light emitting apparatus and lighting system
JP2009525614A (en) LED lighting assembly having compliant foil structure
KR101361575B1 (en) Light Emitting Diode package and method of manufacturing the same
WO2007100209A1 (en) Light-emitting diode package and manufacturing method thereof
KR20080039904A (en) Method for the production of a semiconductor component comprising a planar contact, and semiconductor component
KR100646569B1 (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
US20160056358A1 (en) Optoelectronic device
TW200744232A (en) Light emitting device and method for making the light emitting device
US8194326B2 (en) Optical device, method of producing the device and optoelectronic component comprising the device
KR101795029B1 (en) Led package for increasign view angle
US20130234184A1 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20050049066A (en) Light emitting diode and method for manufacturing light emitting diode
KR100958329B1 (en) Light emitting diode package substrate having side reflective surface coated with metals using mask and manufacturing method thereof
KR101846356B1 (en) Optical component package and manufacturing method thereof
KR20050010110A (en) Light emitting diode and method for manufacturing light emitting diode
CN105378953A (en) Light-emitting device
KR20050045042A (en) Led and method for manufacturing led
KR101195015B1 (en) Optical package and manufacturing method of the same
JP3158733U (en) Surface mount type LED package substrate
KR20110116632A (en) Light emitting diode package substrate having part of side surface coated with reflective metals using mask and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant