KR101768704B1 - 포토멀티플라이어 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토 멀티플라이어 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 제 1 도전형으로 도핑된 기판의 활성 영역 상에 마스크 막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형 불순물을 상기 기판에 이온주입하여 상기 마스크막 아래의 상기 활성 영역과, 상기 마스크막으로부터 노출된 비 활성영역 내에 제 1 도핑 영역을 형성하는 단계와, 상기 비 활성 영역 상에 소자 분리막을 형성하는 단계와, 상기 마스크막을 제거하는 단계와, 상기 제 1 도핑 영역보다 높은 농도의 상기 제 2 도전형 불순물을 상기 활성 영역 내의 상기 제 1 도핑 영역 상부에 이온주입하여 상기 제 1 도핑 영역보다 얕은 제 2 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 포토멀티플라이어 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 광센서는 미약한 빛을 검출하는 애벌랜치 포토다이오드(avalanche photodiode)를 포함할 수 있다. 애벌랜치 포토다이오드는 전자-정공(electron-hole)을 가속시키는 애벌랜치 증폭(avalanche multiplication)으로 고감도의 빛 검출을 검출할 수 있다. 이러한 애벌랜치 포토다이오드를 근간으로 하여 항복 전압을 초과한 전압 영역에서 작동되며 아주 미약한 입사광까지 검출할 수 있도록 제작된 반도체 포토 멀티플라이어의 연구개발이 활발히 이루어지고 있다.
포토 멀티플라이어는 셀 다이오드들과 상기 셀 다이오드들에 직렬로 연결된 소멸 저항들을 포함할 수 있다. 상기 소멸 저항들은 상기 마이크로셀에서 전기적 항복에 의한 순간 전류가 흐를 때, 오옴 전압 강하(ohmic voltage drop)를 유발하여 각 셀 다이오드에 걸리는 전압을 항복 전압 이하로 하강시킴으로써 항복 상태를 해소시키는 역할을 한다.
일반적으로 실리콘 재질의 셀 다이오드는 고농도 도핑 층의 벌크 실리콘 층 상에 저농도의 증착(epitaxial) 실리콘 박막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로셀 다이오드들은 p+/p-/n+, p+/n-/n+, n+/n-/p+, n+/p-/p+ 등의 도핑 구조를 가질 수 있다.
이와 같은 단순 구조의 마이크로셀 다이오드들은 가장자리 현상(premature edge breakdown)에 의해 소자가 제대로 작동하지 않게 된다. 일반적인 포토 멀티플라이어는 가장자리 현상을 방지하기 위해 마이크로셀 다이오드들의 가장자리에 형성된 가드 링(guard ring)를 포함할 수 있다.
하지만, 종래의 포토 멀티플라이어의 제조방법은 가드링을 형성하기 위한 리소그래피 공정을 요구하기 때문에 생산성을 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 실리콘 마이크로셀 다이오드는 마스크 정렬 패턴, 상부 도핑층 패턴 및 가드 패턴을 포함한 약 3번의 리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 실리콘 마이크로셀 다이오드의 제작 공정을 단순화하여 생산성을 극대화할 수 있는 포토 멀티플라이어 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어의 제조방법은, 제 1 도전형으로 도핑된 기판의 활성 영역 상에 마스크 막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형 불순물을 상기 기판에 이온주입하여 상기 마스크막 아래의 상기 활성 영역과, 상기 마스크막으로부터 노출된 비 활성영역 내에 제 1 도핑 영역을 형성하는 단계; 상기 비 활성 영역 상에 소자 분리막을 형성하는 단계; 상기 마스크막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 도핑 영역보다 높은 농도의 상기 제 2 도전형 불순물을 상기 활성 영역 내의 상기 제 1 도핑 영역 상부에 이온주입하여 상기 제 1 도핑 영역보다 얕은 제 2 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 도핑 영역은 카운터 이온주입공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 카운터 이온주입공정은 다중 이온주입 방법을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 2 도핑 영역은 상기 소자분리막의 자기 정렬 이온주입공정 또는 자기정렬 확산공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자 분리막은 로커스 방법으로 형성된 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면,상기 마스크 막은 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 질화막은 인산, 불산, 또는 브롬산에 의해 제거될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 2 도핑 영역 및 상기 소자 분리막 상에 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 비 활성 영역의 상 제 1 층간 절연막 상에 소멸 저항을 형성하는 단계; 상기 제 1 층간 절연막 및 상기 소멸 저항 상에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 소멸 저항 상의 제 2 층간 절연막과, 상기 제 2 도핑 영역 상의 상기 제 1 및 제 2 층간 절연막 각각의 일부를 제거하여 콘택 홀들을 형성하는 단계; 상기 비 활성 영역의 상기 제 2 층간 절연막 상에 제 1 배선과, 상기 콘택 홀들을 통해 상기 제 2 도핑 영역과 상기 소멸 저항들을 연결하는 제 2 배선을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 바닥에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 포토 멀티플라이어는, 활성 영역과 비 활성 영역으로 정의된 기판; 상기 활성 영역의 상기 기판 하부와, 상기 활성 영역의 상부에 형성된 제 1 도핑 영역 및 제 2 도핑 영역을 포함하는 셀 다이오드; 상기 비 활성 영역 상에 형성된 소자 분리막; 상기 소자 분리막과 상기 제 2 도핑 영역 상에 형성된 제 1 층간 절연막; 및 상기 비 활성 영역의 상기 제 1 층간 절연막 상에 형성된 소멸 저항을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 도핑 영역은 상기 비 활성 영역까지 연장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 도핑 영역은 상기 비 활성 영역에서 상기 활성 영역보다 깊게 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 2 도핑 영역은 상기 활성 영역의 상기 기판 상부 표면에서부터 상기 제 1 도핑 영역 보다 얕은 상기 기판의 상부까지 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자 분리막과 상기 제 1 층간 절연막은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예적 구성에 따르면, 제 1 도전형으로 도핑된 기판의 활성 영역 상에 포토리소그래피 공정으로 마스크 막을 형성한다. 다음, 제 2 도전형 불순물을 상기 기판에 이온주입하여 상기 마스크막 아래의 상기 활성 영역과, 비 활성영역 내에 제 1 도핑 영역을 형성한다. 마스크 막으로부터 노출된 비 활성 영역 상에 소자 분리막을 형성하고, 마스크막을 제거한다. 소자 분리막으로부터 자기 정렬된 이온주입공정으로 활성 영역에 제 1 도핑 영역보다 얕은 제 2 도핑 영역을 형성한다. 활성 영역의 기판 하부, 제 1 도핑 영역, 및 제 2 도핑 영역을 포함한 셀 다이오드는 1회의 포토리소그래피 공정에 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 포토 멀티플라이어의 제조방법은 생산성을 극대화할 수 있다.
또한, 제 1 도핑 영역은 비 활성 영역에서 공핍 영역의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 포토 멀티플라이어는 활성 영역에서 비 활성 영역까지 연장된 제 1 도핑 영역에 의해 셀 다이오드들의 가장자리 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 포토 멀티플라이어의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 포토 멀티플라이어의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 포토 멀티플라이어는, 제 1 배선들(106)과 하부 전극(180)사이에 직렬로 연결된 셀 다이오드들(101)과, 소멸 저항들(quench resistors, 108)을 포함할 수 있다. 제 1 배선들(106)은 기판(100)의 비 활성 영역(104) 상에서 서로 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 하부 전극(180)은 기판(100)의 바닥에 배치될 수 있다. 셀 다이오드들(101)은 내부의 광 여기로부터 생성된 이송 전하(carrier)에 의해 전기적 항복(break down)이 발생되는 평면 다이오드 구조(planar diode structure)를 가질 수 있다.
예를 들어, 셀 다이오드들(101)은 활성 영역(102)의 기판(100) 하부와, 제 1 도핑 영역(120)과, 제 2 도핑 영역(140)을 포함할 수 있다. 활성 영역(102)의 기판(100) 하부는 고농도의 제 1 도전형 불순물로 도핑될 수 있다. 제 1 도핑 영역(120)은 저농도의 제 1 도전형 불순물 또는 제 2 도전형 불순물로 도핑될 수 있다. 제 1 도핑 영역(120)은 활성 영역(102)에서 비 활성 영역(104)까지 연장될 수 있다. 즉, 제 1 도핑 영역(120)은 전체 기판(100)의 상부에 배치될 수 있다. 제 1 도핑 영역(120)은 비 활성 영역(104) 내에서 활성 영역(102) 보다 깊게 배치될 수 있다. 비 활성 영역(104) 내의 제 1 도핑 영역(120)은 셀 다이오드들(101)의 가장자리 항복 현상을 방지할 수 있다.
제 2 도핑 영역(140)은 고농도의 제 2 도전형 불순물로 도핑될 수 있다. 제 1 도전형 불순물과 제 2 도전형 불순물은 서로 반대되는 도전형을 가질 수 있다. 제 2 도핑 영역(140)은 활성 영역(102)의 기판(100) 상부 표면에서부터, 제 1 도핑 영역(120)보다 얕은 상기 기판(100) 상부까지 배치될 수 있다. 제 2 도핑 영역(140)은 제 1 도핑 영역(120)보다 높은 고농도의 제 2 도전형 불순물로 도핑될 수 있다. 기판(100)은 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 또한, 제 1 도전형 불순물은 p형의 보론 또는 갈륨을 포함할 수 있다. 제 2 도전형 불순물은 n형의 아세닉 또는 인을 포함할 수 있다.
소멸 저항들(108)은 소자 분리막(130)과 제 1 층간 절연막(150) 상에 배치될 수 있다. 소멸 저항들(108)은 셀 다이오드들(101)에서 발생되는 항복 전압에 따른 급격한 전압 강하를 완충시킬 수 있다. 소멸 저항들(108)은 도전형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 층간 절연막(150, 160)은 활성 영역(102)의 제 2 도핑 영역(140)과 소자 분리막(130)을 덮을 수 있다. 제 2 층간 절연막(160)은 소멸 저항들(108)을 덮을 수 있다. 제 2 배선들(109)은 제 1 및 제 2 층간 절연막(150, 160)의 콘택 홀들(도 11의 170)을 통해 셀 다이오드들(101)과, 소멸 저항들(108)을 전기적으로 연결될 수 있다.
제 1 배선들(106)과 하부 전극(180)에 바이어스 전압이 인가되면, 활성 영역(102) 내의 셀 다이오드들(101)의 제 1 도핑 영역(120)에 공핍 영역(미도시)이 유도될 수 있다. 제 1 도핑 영역(120)은 활성 영역(102) 가장자리의 비 활성 영역(104)에서 공핍 영역의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어는 활성 영역(102)에서 비 활성 영역(104)까지 연장된 제 1 도핑 영역(120)에 의해 셀 다이오드들(101)의 가장자리 현상을 방지할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 포토 멀티플라이어의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(100)의 활성 영역(102) 상에 마스크 막(110)을 형성한다. 마스크 막(110)은 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 마스크 막(110)은 포토리소그래피 공정에 의해 활성 영역(102) 상에 패터닝될 수 있다. 기판(100)은 마스크 막(110)의 형성 전에 제 1 도전형 불순물에 고농도로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 고농도의 보론(B)으로 도핑된 p형 기판을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 활성 영역(102)과 비 활성 영역(104) 내에 제 1 도핑 영역(120)을 형성한다. 제 1 도핑 영역(120)은 제 2 도전형 불순물의 이온주입에 의해 기판(100)보다 낮은 저농도의 제 1 도전형 또는 제 2 도전형을 가질 수 있다. 제 1 도핑 영역(120)의 순 도핑(net doping) 농도는 제 1 도전형 불순물과, 제 2 도전형 불순물의 양에 의해 결정될 수 있다. 제 1 도전형 불순물이 제 2 불순물보다 많으면, 제 1 도핑 영역(120)은 제 1 도전형을 가질 수 있다. 반면에, 제 2 도전형 불순물이 제 1 도전형 불순물보다 많으면, 제 1 도핑 영역(120)은 제 2 도전형을 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 도핑 영역(120)은 저 농도의 p 타입 또는 n 타입으로 형성될 수 있다. 따라서, 제 2 도전형 불순물의 카운터 이온주입 공정에 의해 제 1 도핑 영역(120)의 순 도핑(net doping) 농도가 결정될 수 있다. 카운터 이온주입 공정은 서로 다른 에너지의 다중 이온 주입(multiple implantation)방법을 포함할 수 있다.
제 1 도핑 영역(120)은 활성 영역(102)보다 비 활성 영역(104)의 기판(100) 내에 깊게 형성될 수 있다. 마스크 막(110)은 이온주입 시 활성 영역(102)에서의 제 2 도전형 불순물의 양과 깊이를 조절하는 스크린으로 작용될 수 있다. 활성 영역(102)의 제 1 도핑 영역(120)은 마스크 막(110)의 두께에 반비례하여 증가되는 깊이로 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 도핑 영역(120)은 마스크 막(102)에 의해 깊이와 도핑 농도가 조절될 수 있다.
또한, 비 활성 영역(104)에서의 제 1 도핑 영역(120)은 소자의 가장자리 항복 현상을 억제할 수 있다. 이는 활성 영역(102)에서보다 비 활성 영역(104)에서 깊게 형성된 제 1 도핑 영역(120)의 전기장 강도가 약화되기 때문이다.
도 5를 참조하면, 비 활성 영역(104) 상에 소자 분리막(130)을 형성한다. 소자 분리막(130)은 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 방법으로 형성된 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 소자 분리막(130)은 마스크 막(110)으로부터 노출된 비 활성 영역(104) 상에 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 활성 영역(102) 상의 마스크 막(110)을 제거한다. 마스크 막(110)은 인산, 불산, 또는 브롬산과 같은 산성 용액 또는 가스에 의해 제거될 수 있다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 활성 영역(102)의 제 1 도핑 영역(120) 상부에 제 2 도핑 영역(140)을 형성한다. 소자 분리막(130)은 2 도핑 영역(140)의 형성 시에 이온주입마스크로 사용될 수 있다. 제 2 도핑 영역(140)은 소자 분리막(130)의 자기 정렬 이온주입 공정 또는 자기 정렬 확산 공정에 의해 형성될 수 있다.
활성 영역(102)의 기판(100), 제 1 도핑 영역(120), 및 제 2 도핑 영역(140)은 셀 다이오드들(101)이 될 수 있다. 예를 들어, 셀 다이오드들(101)은 활성 영역(102) 내에서 p+/p/n+, 또는 p+/n/n+ 구조를 가질 수 있다. 비 활성 영역(104)과 소자 분리막(130)은 소자의 동작 시에 공핍화되어 셀 다이오드들(101) 사이를 전기적으로 분리시키는 셀 분리부가 될 수 있다. 셀 다이오드들(101)은 1회의 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어의 제조방법은 종래보다 생산성을 극대화할 수 있다.
도 8을 참조하면, 기판(100) 상에 제 1 층간 절연막(150)을 형성한다. 제 1 층간 절연막(150)은 화학기상증착방법으로 형성된 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 실리콘 산화막은 외부광(미도시)을 통과시키는 투명막일 수 있다. 도시되지는 않았지만, 제 1 층간 절연막(150)은 습식식각방법 또는 건식식각방법에 의해 활성 영역(102) 상에서 제거될 수도 있다.
도 9를 참조하면, 비 활성 영역(104)의 제 1 층간 절연막(150) 상의 일부에 소멸 저항(108)을 형성한다. 소멸 저항(108)은 폴리 실리콘 또는 금속 산화막과 같은 유전체를 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 기판(100)의 전면에 제 2 층간 절연막(160)을 형성한다. 제 2 층간 절연막(160)은 화학기상증착방법으로 형성된 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 제 2 층간 절연막(160)은 보호막일 수 있다.
도 11을 참조하면, 활성 영역(102)의 제 1 및 제 2 층간 절연막(150, 160)의 일부와, 소멸 저항(108) 상의 제 2 층간 절연막(160)의 일부를 제거하여 콘택 홀들(170)을 형성한다. 콘택 홀들(170)은 제 2 도핑 영역(140)과, 소멸 저항(108)의 일부를 각각 노출시킬 수 있다.
도 12를 참조하면, 제 1 배선(106)과 제 2 배선(109)를 형성한다. 제 1 배선(106)은 비 활성 영역(104)의 제 2 층간 절연막 상에 형성될 수 있다. 제 2 배선(109)은 콘택 홀들(170)을 통해 제 2 도핑 영역(140)과 소멸 저항(108)을 전기적으로 연결할 수 있다.
도 1 및 도 13을 참조하면, 기판(100)의 바닥에 하부 전극(180)을 형성한다. 하부 전극(180)은 알루미늄 또는 텅스텐과 같은 도전성 및 반사 효율이 높은 도전성 금속을 포함할 수 있다.
결국, 본 발명의 실시예에 따른 포토 멀티플라이어의 제조방법은 1회의 포토리소그래피 공정으로 셀 다이오드들(101)을 할 수 있기 때문에 생산성을 극대화할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 101: 셀 다이오드들
102: 활성 영역 104: 비 활성 영역
106: 제 1 배선들 108: 제 2 배선들
109: 제 2 배선들 110: 마스크 막
120: 제 1 도핑 영역 130: 소자 분리막
140: 제 2 도핑 영역 150: 제 1 층간 절연막
160: 제 2 층간 절연막 170: 콘택 홀들
180; 하부 전극
102: 활성 영역 104: 비 활성 영역
106: 제 1 배선들 108: 제 2 배선들
109: 제 2 배선들 110: 마스크 막
120: 제 1 도핑 영역 130: 소자 분리막
140: 제 2 도핑 영역 150: 제 1 층간 절연막
160: 제 2 층간 절연막 170: 콘택 홀들
180; 하부 전극
Claims (12)
- 제 1 도전형으로 도핑된 기판의 활성 영역 상에 마스크 막을 형성하는 단계;
상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형 불순물을 상기 기판에 이온주입하여 상기 마스크막 아래의 상기 활성 영역과, 상기 마스크막으로부터 노출된 비 활성영역 내에 제 1 도핑 영역을 형성하는 단계;
상기 비 활성 영역 상에 소자 분리막을 형성하는 단계;
상기 마스크막을 제거하는 단계; 및
상기 제 1 도핑 영역보다 높은 농도의 상기 제 2 도전형 불순물을 상기 활성 영역 내의 상기 제 1 도핑 영역 상부에 이온주입하여 상기 제 1 도핑 영역보다 얕은 제 2 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함하는 포토멀티플라이어의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 도핑 영역은 카운터 이온주입공정에 의해 형성된 포토 멀티플라이어의 제조방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 카운터 이온주입공정은 다중 이온주입 방법을 포함하는 포토 멀티플라이어의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 도핑 영역은 상기 소자분리막의 자기 정렬 이온주입공정 또는 자기정렬 확산공정에 의해 형성되는 포토멀티플라이어의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 소자 분리막은 로커스 방법으로 형성된 실리콘 산화막을 포함하는 포토멀티플라이어의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 마스크 막은 실리콘 질화막을 포함하는 포토멀티플라이어의 제조방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 실리콘 질화막은 인산, 불산, 또는 브롬산에 의해 제거되는 포토멀티플라이어의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 도핑 영역 및 상기 소자 분리막 상에 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계;
상기 비 활성 영역의 상 제 1 층간 절연막 상에 소멸 저항을 형성하는 단계;
상기 제 1 층간 절연막 및 상기 소멸 저항 상에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계;
상기 소멸 저항 상의 제 2 층간 절연막과, 상기 제 2 도핑 영역 상의 상기 제 1 및 제 2 층간 절연막 각각의 일부를 제거하여 콘택 홀들을 형성하는 단계;
상기 비 활성 영역의 상기 제 2 층간 절연막 상에 제 1 배선과, 상기 콘택 홀들을 통해 상기 제 2 도핑 영역과 상기 소멸 저항들을 연결하는 제 2 배선을 형성하는 단계; 및
상기 기판의 바닥에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 포토 멀티플라이어의 제조방법. - 활성 영역과 비 활성 영역으로 정의된 기판;
상기 활성 영역의 상기 기판 하부와, 상기 활성 영역의 상부에 형성된 제 1 도핑 영역 및 제 2 도핑 영역을 포함하는 셀 다이오드;
상기 비 활성 영역 상에 형성된 소자 분리막;
상기 소자 분리막과 상기 제 2 도핑 영역 상에 형성된 제 1 층간 절연막; 및
상기 비 활성 영역의 상기 제 1 층간 절연막 상에 형성된 소멸 저항을 포함하되,
상기 제 1 도핑 영역은 상기 비 활성 영역까지 연장된 포토 멀티플라이어. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 도핑 영역은 상기 비 활성 영역에서 상기 활성 영역보다 깊게 배치된 포토 멀티플라이어. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 도핑 영역은 상기 활성 영역의 상기 기판 상부 표면에서부터 상기 제 1 도핑 영역 보다 얕은 상기 기판의 상부까지 배치된 포토 멀티플라이어. - 제 9 항에 있어서,
상기 소자 분리막과 상기 제 1 층간 절연막은 실리콘 산화막을 포함하는 포토 멀티플라이어.
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