KR101748739B1 - 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 발생을 표면 방전을 이용하고 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관을 이용하여 플라즈마 발생 효율을 높이고, 다양한 구조에 적용할 수 있도록 한 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치에 관한 것으로, 제 1 방향으로 플라즈마 발생을 위한 가스의 진행 경로가 구성되는 방전 공간을 갖는 본체;상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 방전 공간을 가로질러 구성되어 방전이 일어나는 공간을 선택하고 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관;표면 방전 플라즈마 발생 장치;를 포함하는 것이다.

Description

표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치{Atmospheric pressure plasma device with surface dielectric barrier discharge with gas flow guide}

본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로, 구체적으로 플라즈마 발생을 표면 방전을 이용하고 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관을 이용하여 플라즈마 발생 효율을 높이고, 다양한 구조에 적용할 수 있도록 한 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치에 관한 것이다.

대기압 플라즈마는 표면 처리나 의료, 환경처리 등 여러 산업에서 다양하게 쓰이고 있다. 대기압 플라즈마 기술은 플라즈마의 역사만큼 오랜 기간 동안 연구되어온 분야이다.

특히, 대기압 플라즈마 발생 기술 중 절연체 방전(DBD:Dielectric Barrier Discharge)은 오존(Ozone) 발생 장치로 개발되어 오래전부터 유럽에서는 상수처리 시설에 적용되어왔고 최근 세정 공정에서도 사용되고 있다.

대기압 플라즈마는 발생 특성상 진공 플라즈마의 사용이 불가능한 분야 특히 환경 분야에서 많은 기술 수요가 존재한다.

대기압 플라즈마는 유지 및 처리 비용이 기존의 기술에 비해 많이 소요되는 것은 사실이나 최근 구동 가스를 사용하지 않고 일반 공기 중에서 플라즈마 발생이 가능해지고 기존 기술이 발생시키는 환경오염 부산물 등을 만들지 않기 때문에 환경에 대한 우려에 비례하여 점차 수요가 늘어가고 있다.

최근 들어 대기압 플라즈마는 환경 분야뿐만 아니라 반도체 및 디스플레이 산업에서의 활용도가 급격히 진행되고 있다.

플라즈마를 발생시키기 위해서는 입자가 전계에 의해서 어느 정도 가속되어서 에너지를 가져야 한다. 에너지를 가진 입자와 중성기체가 충돌하면서 중성기체에 전달되는 에너지에 의해서 중성기체가 여기되거나 이온화가 된다.

따라서 초기에 입자의 가속이 잘되려면 자유행정거리가 상대적으로 긴 밀도가 낮은 공간에서 가속되어야 하고 대부분의 플라즈마는 진공상태에서 플라즈마가 발생된다.

일반적으로 진공챔버(chamber) 내에서 플라즈마를 유지하기 위해서는 교류 전원으로 주어야 한다. DC 펄스를 단극성(unipolar) 또는 양극성(bipolar)으로 주거나, 정현파(Sinusoidal) 전원을 준다.

주파수는 60 Hz ~ 수십 MHz 혹은 GHz대역의 마이크로파(microwave)를 이용하여 플라즈마를 발생시킨다. 산업계에서는 식각(Etching)이나 증착(Deposition)과 같은 반도체공정에 활발히 적용되고 있다.

대기압 하에서 플라즈마를 발생시키거나 또는 플라즈마를 발생시켜 활용하는 선행기술의 경우엔 일반적으로 코로나 방전법, 유전체 장벽 방전법, 대기압 글로우 방전법 등이 있다.

코로나 방전은 두 개의 전극 중 적어도 하나를 침상, 와이어 혹은 핀 형태로 구성하여 전계의 집중 효과를 이용하고 내부저항이 큰 고전압 전원 또는 전극에 저항을 이용하여 아크를 억제하고 저전류의 플라즈마를 발생시켜 여러 산업 분야에 이용되고 있다.

하지만 코로나 방전의 경우, 아크를 억제하기 위해 사용되는 저항에서의 소비전력이 크기 때문에 비효율적이며, 스트리머 형태로 발생됨으로 인해 플라즈마가 균일하지 못하고 밀도가 크지 않다.

또한, 전극손상이 쉬우며 내부저항이 큰 고전압 전원을 사용으로 장치비가 고가이며 전원장치의 운전 및 관리에 어려움이 따른다.

대기압 플라즈마 발생장치는 대부분이 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 방식으로 유전체 장벽 방전법이라고도 한다.

수십 Hz의 저주파에서 수십 MHz의 AC전원을 이용하여 플라즈마를 발생시킨다. DBD 방식으로 플라즈마를 발생시킬 경우 유전체에 의하여 방전 전류가 제한되기 때문에 글로우 방전(glow discharge)이 유지되어 발생 된 플라즈마가 안정적이다.

또한, 네온 트랜스포머(Neon Transformer)나 CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp) 구동회로 등 현재 산업계에서 광범위하게 적용되고 있는 전원장치를 사용할 수 있기 때문에 진입장벽이 낮다. 하지만 DBD 방식으로 플라즈마를 발생시킬 경우 그 구조적인 한계로, 플라즈마 방전에너지가 구조에 의해 결정된다.

즉, 유전체 사이에서 방전이 일어나기 때문에 구조적으로 커패시터(Capacitor)라고 볼 수 있다. 따라서 방전 에너지는 전극간의 면적, 간격, 방전개시전압 혹은 유지전압에 의해 결정되고 플라즈마의 출력을 조절하기가 용이하지 않게 된다.

종래 기술의 DBD(Dielectric Barrier Discharges) 대기압 플라즈마 장치는 도 1 및 도 2에서와 같다.

도 1은 유전격벽방전 플라즈마 장치를 나타낸 것으로, 대향형 평판 DBD 사이에 플라즈마가 방출되도록 제작되어 개방된 대기에서 사용하거나 전극 사이의 공간에 가스를 주입하는 방식이다.

그러나 이와 같은 구조는 전극 간격이 넓어질수록 플라즈마 양은 증가하지만 방전개시전압이 증가하는 문제가 있다.

그리고 도 2는 일명 플라즈마 제트(plasma jet) 장치로서 방전이 일어나는 공간에 가스를 흘려주며 전극의 구조는 그 공간 사이에 전기장을 발생시키도록 설계(Atmospheric Pressure Plasma Jets)된 것이다.

이와 같은 실린더 모양의 플라즈마 제트 장치는 모두 축방향으로 제트(jet)가 방출되도록 제작되어 대면적 활용성 측면에서 불리하다.

한국공개특허번호 10-2003-0074613호 한국등록특허번호 10-0861559호

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 문제를 해결하기 위한 것으로, 플라즈마 발생을 표면 방전을 이용하고 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관을 이용하여 플라즈마 발생 효율을 높이고, 다양한 구조에 적용할 수 있도록 한 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 대향형 방전을 이용하는 대기압 플라즈마 장치의 높은 방전전압과 스트리머 모드로 작동되는 단점을 극복하면서 넓은 영역에 안정적인 글로우 방전을 유지하면서도 제트(jet) 혹은 비제트 모양을 자유롭게 만들 수 있도록 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 플라즈마 발생을 표면 방전을 이용하고 주변에 기체의 흐름을 이끄는 외형 장치의 구조를 통해 플라즈마가 방출되도록 하여 방전 개시전압 증가를 해결할 수 있도록 한 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관의 표면 형태를 다르게 하는 것에 의해 용도에 맞도록 다양한 종류의 제트(jet) 장치를 개발할 수 있고, 균일하게 긴 선형 제트 장치의 개발이 가능하도록 한 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 제 1 방향으로 플라즈마 발생을 위한 가스의 진행 경로가 구성되는 방전 공간을 갖는 본체;상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 방전 공간을 가로질러 구성되어 방전이 일어나는 공간을 선택하고 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 가스 유도관은, 제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체와, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층을 사이에 두고 형성되는 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

그리고 상기 제 1 방향이 실린더형 좌표계에서 r 방향이고, 제 2 방향이 실린더 좌표계에서 방위각 방향인 경우에, 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관이 동일한 형태로 반복되어 제 3 방향인 z 방향으로의 확장이 이루어지는 것을 특징으로 한다.

그리고 상기 가스 유도관은, 평판 형태 또는 실린더 형태 또는 곡면 형태인 것을 특징으로 한다.

다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 일측에 가스 유입로가 형성되고 제 1 방향으로 플라즈마 발생을 위한 가스의 진행 경로가 구성되는 방전 공간을 갖는 본체;제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체와, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층을 사이에 두고 형성되는 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체를 포함하고, 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 방전 공간을 가로질러 구성되어 방전이 일어나는 공간을 선택하고 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관;상기 본체의 후면과 전면에 각각 결합되어 가스 유도관을 지지하고 방전 공간을 확보하는 후면 구조체 및 전면 구조체;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 방전 공간의 하측에 구성되어 가스 유입로를 통하여 공급되는 가스를 균일하게 분배하는 가스 분배 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

그리고 본체의 플라즈마 발생을 위한 방전 공간 일측에 형성되어, 가스의 진행 방향에 수직인 방향으로 발생되는 플라즈마를 방출하는 플라즈마 방출 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

그리고 상기 플라즈마 방출 가이드는, 일정 면적을 갖는 라인 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이는 단지 직선에만 국한되지 않고 원, 타원 또는 임의의 곡선 모양으로 확장될 수 있다.

그리고 가스 유입로는, 가스성분 조정 수단에 연결되어 플라즈마 발생을 위하여 공급되는 가스성분이 조정되어 가스가 유입되는 것을 특징으로 한다.

그리고 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체는, 일정 간격을 갖고 이격되는 돌기를 갖는 구조로 형성되는 것을 특징으로 한다.

그리고 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체는, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층에 일정 간격으로 트렌치가 형성되고, 트렌치가 형성되지 않은 유전체층의 표면에 형성되어 일정 간격을 갖고 이격되는 구조로 형성되는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.

첫째, 플라즈마 발생시에는 표면 방전을 이용하고 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관을 이용하여 플라즈마 이용 효율을 높일 수 있다.

둘째, 높은 방전전압과 스트리머 모드로 작동되는 단점을 극복하면서 넓은 영역에 안정적인 글로우 방전을 유지하면서도 제트(jet) 혹은 비제트 모양을 자유롭게 만들 수 있다.

셋째, 표면 방전을 이용하고 주변에 기체의 흐름을 이끄는 외형 장치의 구조를 통해 플라즈마가 방출되도록 하여 방전 개시전압 증가를 해결할 수 있다.

넷째, 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관의 표면 형태를 다르게 하는 것에 의해 용도에 맞도록 다양한 종류의 제트(jet) 장치를 개발할 수 있고, 균일하게 긴 선형 또는 곡선 모양의 제트 장치의 개발이 가능하도록 한다.

도 1과 도 2는 종래 기술의 DBD 대기압 플라즈마 장치의 구성도
도 3은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 가스 흐름 제어를 나타낸 구성도
도 4는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 전체 구성도
도 5a내지 도 5d는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 상세 구성도
도 6a내지 도 6d는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 제작 및 동작 구현의 일 예를 나타낸 구성도
도 7a내지 도 7e는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 제작에 따른 일 예를 나타낸 구성도

이하, 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 바람직한 실시 예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시 예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.

도 3은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 가스 흐름 제어를 나타낸 구성도이다.

본 발명은 플라즈마 발생을 표면 방전을 이용하고 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관을 이용하여 플라즈마 발생 효율을 높이고, 다양한 구조에 적용할 수 있도록 한 것이다.

또한, 가스 유도관을 제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체와 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층을 사이에 두고 형성되는 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체의 구조로 형성하고, 가스유도 표면구조체의 표면 형태를 적용 대상에 따라 다르게 할 수 있도록 한 것이다.

따라서, 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 대향형 방전을 이용하는 대기압 플라즈마 장치의 높은 방전전압과 스트리머 모드로 작동되는 단점을 극복하면서 넓은 영역에 안정적인 글로우 방전을 유지하면서도 제트(jet) 혹은 비제트 모양을 자유롭게 만들 수 있도록 한 것이다.

이를 위한 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 도 3에서와 같이, 본체(31)의 플라즈마 발생을 위한 방전 공간에 가스의 진행 방향에 수직인 방향으로 가스 유도관(32)이 구성되어 표면 방전이 일어나면서 가스 유도관(32)을 중심으로 가스의 흐름이 제어되도록 한 것이다.

이와 같은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 기본적으로 평판형 유전격벽 방전을 이용하나, 그 모양이 단순히 평판에 그치지 않고 실린더 및 곡면 형태 등의 기타 모양을 가질 수 있음은 당연하다.

도 3에서와 같이 가스의 흐름을 인도해주는 외부 구조체 즉, 가스 유도관을 통해 방전이 일어나는 공간을 선택하고 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어할 수 있도록 한 것이다.

그리고 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 도 3에서와 같은 구조를 기본으로 z 방향으로 길이 조절이 가능하다.

z 방향으로의 길이 조절은 같은 모양을 반복해서 확장할 수 있고, 제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체와 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층을 사이에 두고 형성되는 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체의 구조로 형성되는 가스 유도관의 형상은 평판이나 실린더에 국한되지 않고 자유롭게 변형 가능함은 당연하다.

이와 같은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 전체 구성은 다음과 같다.

도 4는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 전체 구성도이다.

그리고 도 5a내지 도 5d는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 상세 구성도이다.

기본 구조는, 일측에 가스 유입로(54)가 형성되고 내부에 표면 방전을 위한 방전 공간을 갖는 본체(51)와, 본체(51)의 내부에 플라즈마 발생을 위한 방전 공간내에 가스의 진행 방향에 수직인 방향으로 구성되는 가스 유도관(52)과, 본체(51)의 후면과 전면에 각각 결합되어 가스 유도관(52)을 지지하고 방전 공간을 확보하는 후면 구조체(53a) 및 전면 구조체(53b)을 포함한다.

여기서, 가스 유입로(54)는 가스성분 조정 수단에 연결되어 플라즈마 발생을 위하여 공급되는 가스성분이 조정되어 가스가 유입된다.

구체적으로 도 5b에서와 같이, 일측에 가스 유입로(54)가 형성되고 내부에 표면 방전을 위한 방전 공간을 갖는 본체(51)와, 본체(51)의 내부에 플라즈마 발생을 위한 방전 공간내에 가스의 진행 방향에 수직인 방향으로 구성되는 가스 유도관(52)과, 본체(51)의 후면과 전면에 각각 결합되어 가스 유도관(52)을 지지하고 방전 공간을 확보하는 후면 구조체(53a) 및 전면 구조체(53b)와, 방전 공간의 하측에 구성되어 가스 유입로(54)를 통하여 공급되는 가스를 균일하게 분배하는 가스 분배 구조체(56)와, 본체(51)의 플라즈마 발생을 위한 방전 공간 상부에 가스의 진행 방향에 수직인 상부 방향으로 발생되는 플라즈마를 방출하는 플라즈마 방출 가이드(59)를 포함하고, 가스 유도관(52)은 제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체(57)와, 가스유도 중심구조체(57)를 감싸는 유전체층을 사이에 두고 형성되어 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체(58)의 구조로 형성된다.

여기서, 플라즈마 방출 가이드(59)는 상부 방향으로 일정 면적을 갖는 라인 형태로 구성되는 것을 일 예로 하였으나, 이로 한정되지 않고 원, 타원 또는 임의의 곡선 모양의 다른 형태로 구성할 수 있음은 당연하다.

그리고 도 5c에서와 같이, 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체(58)의 구조는 일정 간격을 갖고 이격되는 돌기를 갖는 구조로 형성될 수 있는데, 이 형태로 제한되지 않고 다른 형태가 될 수 있음은 당연하다.

일례로, 가스유도 중심구조체(58)를 감싸는 유전체층에 일정 간격으로 트렌치가 형성되고, 트렌치가 형성되지 않은 유전체층의 표면에 형성되어 일정 간격을 갖고 이격되는 구조로 형성될 수 있다.

이와 같은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 제작 및 동작 구현의 일 예는 다음과 같다.

도 6a내지 도 6d는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 제작 및 동작 구현의 일 예를 나타낸 구성도이고, 도 7a내지 도 7e는 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 제작에 따른 일 예를 나타낸 구성도이다.

도 6a내지 도 6d는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치의 제작 및 동작 구현의 일 예를 나타낸 것으로, 상부 방향으로 일정 면적을 갖는 라인 형태로 구성되는 플라즈마 방출 가이드(59)를 통하여 플라즈마가 방출되는 것을 알 수 있다.

그리고 도 7a내지 도 7e는 가스 유도관의 방향을 축방향으로 설정한 경우에 제작되는 장치 구성을 나타낸 것이다.

이상에서와 같은 본 발명에 따른 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치는 플라즈마 발생을 표면 방전을 이용하고 주변 기체의 흐름을 이끄는 가스 유도관을 이용하여 플라즈마 발생 효율을 높이고, 다양한 구조에 적용할 수 있도록 한 것이다.

이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.

그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

51. 본체 52. 가스유도관
53a. 후면 구조체 53b. 전면 구조체
54. 가스 유입로 55. 방전 공간
56. 가스 분배 구조체 57. 가스유도 중심구조체
58. 가스유도 표면 구조체 59. 플라즈마 방출 가이드

Claims (11)

1. 제 1 방향으로 플라즈마 발생을 위한 전극들이 배치되는 본체;
   제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체와, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층 표면에 형성되는 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체를 포함하고, 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 방전 공간을 가로질러 구성되어 방전이 일어나는 공간에서의 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관;을 포함하고,
   제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체는, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층에 일정 간격으로 트렌치가 형성되고, 트렌치가 형성되지 않은 유전체층의 표면에 형성되어 일정 간격을 갖고 이격되는 돌기를 갖는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방향이 실린더형 좌표계에서 r 방향이고, 제 2 방향이 실린더 좌표계에서 방위각 방향인 경우에,
   래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관이 동일한 형태로 반복되어 제 3 방향인 z 방향으로의 확장이 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 유도관은, 평판 형태 또는 실린더 형태 또는 곡면 형태인 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
5. 일측에 가스 유입로가 형성되고 제 1 방향으로 플라즈마 발생을 위한 전극들이 배치되는 본체;
   제 1 전극이 되는 가스유도 중심구조체와, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층 표면에 형성되는 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체를 포함하고, 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 방전 공간을 가로질러 구성되어 방전이 일어나는 공간에서의 래디컬(Radical) 및 여기종의 흐름을 제어하는 가스 유도관;
   상기 본체의 후면과 전면에 각각 결합되어 가스 유도관을 지지하고 방전 공간을 확보하는 후면 구조체 및 전면 구조체;를 포함하고,
   제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체는, 가스유도 중심구조체를 감싸는 유전체층에 일정 간격으로 트렌치가 형성되고, 트렌치가 형성되지 않은 유전체층의 표면에 형성되어 일정 간격을 갖고 이격되는 돌기를 갖는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
6. 제 5 항에 있어서, 방전 공간의 하측에 구성되어 가스 유입로를 통하여 공급되는 가스를 균일하게 분배하는 가스 분배 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
7. 제 5 항에 있어서, 본체의 플라즈마 발생을 위한 방전 공간 일측에 형성되어, 가스의 진행 방향에 수직인 방향으로 발생되는 플라즈마를 방출하는 플라즈마 방출 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마 방출 가이드는,
   일정 면적을 갖는 라인 형태 또는 원 형태 또는 타원 형태 또는 곡선 모양의 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
9. 제 5 항에 있어서, 가스 유입로는,
   가스성분 조정 수단에 연결되어 플라즈마 발생을 위하여 공급되는 가스성분이 조정되어 가스가 유입되는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
10. 제 5 항에 있어서, 제 2 전극이 되는 가스유도 표면구조체는,
    일정 간격을 갖고 이격되는 돌기를 갖는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면방전과 가스 유도관을 이용한 유전격벽방전 대기압 플라즈마 장치.
11. 삭제

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