KR101748063B1 - 메모리 디바이스 내의 감지 증폭기용 셀프 타이머 - Google Patents

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Abstract

메모리 디바이스 내의 감지 증폭기용 셀프 타이머가 개시된다.

Description

메모리 디바이스 내의 감지 증폭기용 셀프 타이머{SELF-TIMER FOR SENSE AMPLIFIER IN MEMORY DEVICE}
메모리 디바이스 내의 감지 증폭기용 셀프 타이머가 개시된다.
플로팅 게이트(floating gate)를 사용하여 전하들을 저장하는 비휘발성 반도체 메모리 셀들 및 반도체 기판에 형성되는 그러한 비휘발성 메모리 셀들의 메모리 어레이들은 당업계에 주지되어 있다. 전형적으로, 그러한 플로팅 게이트 메모리 셀들은 스플릿 게이트 타입(split gate type) 또는 스택 게이트 타입(stacked gate type)의 것이었다.
판독 동작들은 대개 감지 증폭기들을 사용하여 플로팅 게이트 메모리 셀들에 대해 수행된다. 이러한 목적을 위한 감지 증폭기는 미국 특허 제5,386,158호("'158 특허")에 개시되며, 이 특허는 모든 목적들을 위해 참고로서 본 명세서에 포함된다. '158 특허는 알고 있는 양의 전류를 인입하는 기준 셀을 사용하는 것을 개시한다. '158 특허는 기준 셀에 의해 인입되는 전류를 미러링(mirroring)하는 전류 미러(current mirror), 및 선택된 메모리 셀(selected memory cell)에 의해 인입되는 전류를 미러링하는 다른 전류 미러에 의존한다. 이어서, 각각의 전류 미러 내의 전류가 비교되고, 메모리 셀에 저장된 값(예컨대, 0 또는 1)이 어떤 전류가 더 큰지에 기초하여 결정될 수 있다.
다른 감지 증폭기가 미국 특허 제5,910,914호("'914 특허")에 개시되며, 이 특허는 모든 목적들을 위해 참고로서 본 명세서에 포함된다. '914 특허는 1 비트를 초과하는 데이터를 저장할 수 있는 다중-레벨 플로팅 게이트 메모리 셀 또는 MLC를 위한 감지 회로를 개시한다. 그것은 메모리 셀에 저장된 값(예컨대, 00, 01, 10, 또는 11)을 결정하는 데 활용되는 다수의 기준 셀들의 사용을 개시한다.
감지 증폭기들은 종종 선택된 메모리 셀과 비교되는 기준 메모리 셀을 활용하여 선택된 메모리 셀의 내용들을 판정한다. 선택된 메모리 셀은 대응 비트 라인의 인가를 통해 부분적으로 선택된다. 비트 라인은 고유 커패시턴스를 포함할 것이다. 이는 감지 증폭기의 타이밍 및 정확도에 영향을 줄 수 있다.
비트 라인의 고유 커패시턴스를 보상하여 플래시 메모리 디바이스 내의 감지 증폭기들의 정확도를 개선하는 개선된 감지 증폭기가 필요하다.
전술한 문제들 및 필요성들은 후술하는 실시예들을 통해 다루어진다. 타이밍 발생기(generator)가 개시된다. 타이밍 발생기는 사전충전 비트 라인, 및 실제 선택된 메모리 셀을 에뮬레이트(emulate)하는 기준 셀을 수용한다. 타이밍 발생기는 감지 데이터 동작을 가능하게 하는 데 이용될 수 있는 신호를 생성한다.
비트 라인의 고유 커패시턴스를 보상하여 플래시 메모리 디바이스 내의 감지 증폭기들의 정확도를 개선하는 개선된 감지 증폭기를 제공한다.
도 1은 타이밍 발생기를 사용하여 감지 증폭기 제어 신호를 생성하기 위한 일 실시예를 도시한다.
도 2는 감지 증폭기와 함께 사용하기 위한 타이밍 발생기의 일 실시예를 도시한다.
도 3은 감지 증폭기와 함께 사용하기 위한 타이밍 발생기의 다른 실시예를 도시한다.
도 4는 감지 증폭기와 함께 사용하기 위한 타이밍 발생기의 다른 실시예를 도시한다.
이제 도 1을 참조하여 일 실시예가 설명될 것이다. 제어 회로(10)는 ATD 신호(90)를 수신하는데, 이러한 신호는 플래시 메모리 어레이(도시되지 않음)로부터의 판독 동작을 위해 어드레스가 제공되었음을 나타내는 "어드레스 전이 검출(Address Transition Detection)" 신호이다. 제어 회로(10)는 사전충전 블록(30)을 포함하는데, 이러한 블록은 전압원인 전압 바이어스(20)를 수용한다. 사전충전 블록은 노드(40)에 전압을 출력한다. 제어 회로(10)는 기준 셀(60)을 추가적으로 포함하는데, 이러한 셀은 감지 증폭기가 사용될 플래시 메모리 어레이(도시되지 않음) 내의 메모리 셀들을 에뮬레이트하는 "더미(dummy)" 메모리 셀이다. 기준 메모리 셀(60)은 YMUX(Y 멀티플렉서)(50)에 커플링되는데, 이러한 YMUX는 이어서 노드(40)에 접속된다. YMUX(50)는 플래시 메모리 어레이로부터 데이터를 판독하는 데 사용되는 동일한 유형의 멀티플렉서이다.
제어 회로(10)는 입력으로서 노드(40)를 수용하는 타이밍 발생기(100)를 추가적으로 포함한다. 타이밍 발생기(100)의 출력은 로직 제어부(70)에 커플링되고, 로직 제어부(70)의 출력은 감지 증폭기 제어 신호(80)이다. 감지 증폭기 제어 신호(80)는 플래시 메모리 어레이로부터의 판독 동작을 트리거시키는 데 이용된다.
(종래 기술에서의 경우와 같은) ATD 신호(90) 대신에 감지 증폭기 제어 신호(80)를 이용하는 것은 더 정확한 감지 동작을 이끌어 낼 수 있는데, 그 이유는 감지 증폭기 제어 신호(80)의 타이밍이 메모리 어레이로부터의 판독 동작 동안에 선택된 메모리 셀 및 비트 라인의 효과를 에뮬레이트하는 기준 셀(60)의 기준 셀 전류 및 YMUX(50)의 커패시턴스에 의한 영향을 받기 때문이다. 이와 같이, 감지 증폭기 제어 신호(80)는 메모리 어레이로부터의 데이터의 감지에 있어서 고유한 동일한 타이밍 변동(variation)을 포괄하고, 그에 따라 데이터 감지 동작에 더 양호하게 매칭될 수 있다.
도 2를 참조하면, 타이밍 발생기(100)의 일 실시예가 도시되어 있다. 타이밍 발생기(100)는 사전충전 블록(35), 커패시터(120), 커패시터(130), 트랜지스터(160), 트랜지스터(170), 및 인버터(150)를 포함한다. 타이밍 발생기(100)는 입력(40)(도 1의 노드(40)에 대응함)을 수신한다. 타이밍 발생기(100)는 출력(140)을 생성하는데, 이러한 출력은 이어서 감지 증폭기 제어 신호(80)를 생성하도록 도 1에서와 같은 로직 제어부(70)에 제공될 수 있다.
동작 동안, ATD(90)가 하이 상태일 때, 인버터(150)는 등화(equalize)되고, 노드(190)는 트랜지스터(160)를 통해 접지에 결부된다. 입력(40)은 전압 바이어스(20)로 바이어싱된다. ATD의 하강 에지가 발생한 후, 노드(190)는 하이 상태로 충전되고, 인버터(150)로의 입력은 커패시터(130)에 대한 커패시터(120)의 비(즉, C1/C2)에 노드(190)의 전압을 곱한 것이다. 입력(40)은 기준 셀(60)을 통과한 전류에 의해 풀다운될 것인데, 이러한 전류는 인버터(150)로의 입력을 추가적으로 풀다운시켜 출력(140)이 하이 상태로 트리거하게 할 것이다. 출력(140)은 감지 동작의 시작을 시그널링할 것인데, 이는 로직 제어부(70)가 감지 증폭기 제어 신호(80)로 변환하게 될 것이다.
도 3은 타이밍 발생기의 다른 실시예를 도시한다. 타이밍 발생기(200)가 도 1 및 도 2의 실시예들에서의 타이밍 발생기(100) 대신에 사용될 수 있다. 타이밍 발생기(200)는 연산 증폭기(240)를 포함한다. 연산 증폭기(240)로의 반전 입력은 전압 기준인 VREF(220)이다. 연산 증폭기(240)로의 비반전 입력은 입력(40)이다. 출력(230)은 감지 증폭기 제어 신호(80)를 생성하도록 로직 회로(70)로 입력될 수 있다.
도 4는 타이밍 발생기의 다른 실시예를 도시한다. 타이밍 발생기(300)가 도 1 및 도 2의 실시예들에서의 타이밍 발생기(100) 대신에 사용될 수 있다. 타이밍 발생기(300)는 인버터(320)를 포함한다. 인버터(320)로의 입력은 입력(40)이다. 인버터(320)의 출력은 출력(330)인데, 이러한 출력은 이어서 감지 증폭기 제어 신호(80)를 생성하도록 로직 회로(70)로 입력될 수 있다.
당업자는, 감지 동작이 플래시 메모리 어레이로부터의 판독 동작 동안에 사용되는 비트 라인 및 기준 셀의 고유 커패시턴스를 에뮬레이트하는 타이밍 발생기에 의해 제어될 것이기 때문에, 전술한 실시예들이 플래시 메모리 어레이들에 대한 판독 동작들의 성능을 개선할 것이라는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서의 본 발명에 대한 언급은 임의의 청구항 또는 청구항 용어의 범주를 제한하려는 것이 아니라, 대신, 청구항들 중 하나 이상에 의해 포괄될 수 있는 하나 이상의 특징들에 대해 언급하는 것일 뿐이다. 전술한 재료들, 공정들, 및 수치 예들은 단지 예시적일 뿐이며, 청구범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어들 "~ 위에" 및 "~ 상에" 둘 모두는 포괄적으로 "~ 상에 직접적으로"(사이에 어떠한 중간의 재료들, 요소들 또는 공간도 배치되지 않음)와 "~ 상에 간접적으로"(사이에 중간의 재료들, 요소들 또는 공간이 배치됨)를 포함한다는 것에 주의하여야 한다. 마찬가지로, 용어 "인접한"은 "직접적으로 인접한"(사이에 어떠한 중간의 재료들, 요소들 또는 공간도 배치되지 않음) 및 "간접적으로 인접한"(사이에 중간의 재료들, 요소들 또는 공간이 배치됨)을 포함한다. 예를 들어, "기판 위에" 요소를 형성하는 것은 어떠한 중간의 재료들/요소들도 사이에 두지 않고 기판 상에 직접적으로 요소를 형성하는 것뿐만 아니라 하나 이상의 중간의 재료들/요소들을 사이에 두어 기판 상에 간접적으로 요소를 형성하는 것을 포함할 수 있다.

Claims (13)

  1. 감지 증폭기 제어 신호를 생성하기 위한 회로로서,
    기준 메모리 셀;
    상기 기준 메모리 셀에 커플링되는 멀티플렉서;
    상기 멀티플렉서의 출력에 커플링되는 사전충전 블록;
    상기 멀티플렉서의 출력에 커플링되는 타이밍 발생기; 및
    상기 타이밍 발생기의 출력에 커플링되어 상기 타이밍 발생기의 출력에 응답하여 감지 증폭기를 제어하는 감지 증폭기 제어 신호를 생성하는 로직 제어부를 포함하고,
    상기 타이밍 발생기의 출력은 판독 동작을 위한 어드레스의 수신을 나타내는 신호의 상태의 변화 및, 상기 멀티플렉서 및 상기 기준 메모리 셀에 의한 전류의 흐름에 응답하여 변하는 것을 특징으로 하는 회로.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기준 메모리 셀은 플래시 메모리 셀인, 회로.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 기준 메모리 셀은 플래시 메모리 어레이 내의 하나 이상의 메모리 셀들을 에뮬레이트(emulate)하는, 회로.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 타이밍 발생기는 복수의 커패시터들을 포함하는, 회로.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 타이밍 발생기는 인버터를 포함하는, 회로.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 타이밍 발생기는 상기 인버터와 병렬로 트랜지스터를 추가적으로 포함하는, 회로.
  7. 메모리 시스템에서 감지 증폭기 동작을 개시하는 방법으로서,
    멀티플렉서를 통하여 노드에 커플링되는 기준 메모리 셀에 의해, 상기 노드를 통과하는 전류를 생성하는 단계;
    사전충전 회로를 사용하여 상기 노드를 충전하는 단계; 및
    판독 동작을 위한 어드레스의 수신을 나타내는 신호의 상태의 변화 및, 상기 멀티플렉서를 통한 상기 기준 메모리 셀에 의한 전류의 흐름에 응답하여, 타이밍 발생기 및 로직 제어부에 의해, 상기 노드에 응답하여 감지 증폭기를 제어하기 위한 감지 증폭기 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하는,방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 기준 메모리 셀은 플래시 메모리 셀인, 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 기준 메모리 셀은 플래시 메모리 어레이 내의 하나 이상의 메모리 셀들을 에뮬레이트하는, 방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 타이밍 발생기는 복수의 커패시터들을 포함하는, 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 타이밍 발생기는 인버터를 포함하는, 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 타이밍 발생기는 상기 인버터와 병렬로 트랜지스터를 포함하는, 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 전류를 생성하는 단계 전에 상기 트랜지스터가 상기 인버터를 등화시키는 단계를 추가적으로 포함하는, 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3496829A4 (en) * 2016-08-15 2020-04-22 Quarry Trail, LLC SNOWSHOE
US10199112B1 (en) * 2017-08-25 2019-02-05 Silicon Storage Technology, Inc. Sense amplifier circuit for reading data in a flash memory cell
CN108492840B (zh) * 2018-03-12 2020-11-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 灵敏放大器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020145918A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Saifun Semiconductors Ltd. Architecture and scheme for a non-strobed read sequence
JP2005267744A (ja) 2004-03-18 2005-09-29 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置、及びタイミング制御方法
JP2006031752A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
US20090175074A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Em Microelectronic-Marin S.A. Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198997A (en) 1989-08-11 1993-03-30 Sony Corporation Ultraviolet erasable nonvolatile memory with current mirror circuit type sense amplifier
JPH0371495A (ja) * 1989-08-11 1991-03-27 Sony Corp 紫外線消去型不揮発性メモリ装置
WO1993018412A1 (en) 1992-03-13 1993-09-16 Silicon Storage Technology, Inc. A sensing circuit for a floating gate memory device
US5910914A (en) 1997-11-07 1999-06-08 Silicon Storage Technology, Inc. Sensing circuit for a floating gate memory device having multiple levels of storage in a cell
US6128226A (en) * 1999-02-04 2000-10-03 Saifun Semiconductors Ltd. Method and apparatus for operating with a close to ground signal
JP4455433B2 (ja) * 2000-04-11 2010-04-21 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
JP3957469B2 (ja) * 2000-04-11 2007-08-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US6490204B2 (en) * 2000-05-04 2002-12-03 Saifun Semiconductors Ltd. Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array
US20110286271A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Mediatek Inc. Memory systems and methods for reading data stored in a memory cell of a memory device
JP2012160218A (ja) * 2011-01-28 2012-08-23 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020145918A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Saifun Semiconductors Ltd. Architecture and scheme for a non-strobed read sequence
JP2005267744A (ja) 2004-03-18 2005-09-29 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置、及びタイミング制御方法
JP2006031752A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
US20090175074A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Em Microelectronic-Marin S.A. Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

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Publication number Publication date
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US20160019972A1 (en) 2016-01-21
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