KR101742647B1 - Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component - Google Patents

Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component Download PDF

Info

Publication number
KR101742647B1
KR101742647B1 KR1020167010280A KR20167010280A KR101742647B1 KR 101742647 B1 KR101742647 B1 KR 101742647B1 KR 1020167010280 A KR1020167010280 A KR 1020167010280A KR 20167010280 A KR20167010280 A KR 20167010280A KR 101742647 B1 KR101742647 B1 KR 101742647B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
film
ionomer
resin
copolymer
Prior art date
Application number
KR1020167010280A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160049041A (en
Inventor
시게노리 나카노
마사히로 니시코리
요시에 하시모토
유스케 미야시타
Original Assignee
듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤 filed Critical 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤
Publication of KR20160049041A publication Critical patent/KR20160049041A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101742647B1 publication Critical patent/KR101742647B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F210/00—Copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
    • C08F210/02—Ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/04—Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C08F220/06—Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/44—Preparation of metal salts or ammonium salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08—Copolymers of ethene
    • C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
    • C08L23/0869—Acids or derivatives thereof
    • C08L23/0876—Neutralised polymers, i.e. ionomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C09J7/0267—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2323/08—Copolymers of ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2423/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2423/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2423/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2423/08—Copolymers of ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08—Copolymers of ethene
    • C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
    • C08L23/0853—Vinylacetate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/414—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of a copolymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/04—Presence of homo or copolymers of ethene
    • C09J2423/046—Presence of homo or copolymers of ethene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이고, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이며, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이고, 헤이즈 값이 10 이하이며, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 스텔스 다이싱용 필름 기재를 제공한다.A thickness of 50 占 퐉 or more and 200 占 퐉 or less, an initial stress of 9 MPa or more and 19 MPa or less, an expansion ratio of 102% or more and 120% or less, a haze value of 10 or less, and a total light transmittance of 90% A film substrate for stealth dicing is provided.

Description

레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법{SUBSTRATE FOR STEALTH DICING FILM, FILM FOR STEALTH DICING, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a film for laser dicing, a film for laser dicing,

본 발명은, 스텔스 다이싱용 필름 기재, 및 그것을 이용한 스텔스 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film substrate for stealth dicing, a film for stealth dicing using the same, and a method for manufacturing an electronic part.

반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에는, 냉각수 및 세정수를 이용하면서 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 절단하고, 다음의 확장 공정에 있어서, 절단된 웨이퍼에 대응하는 다이싱용 필름을 확장함으로써, 칩을 소편화(小片化)하는 것이 행하여지고 있었다. 이때, 반도체 웨이퍼를 다이싱용 필름으로 고정하여, 칩의 비산을 방지하고 있었다.When the semiconductor wafer is diced, the wafer is cut by the dicing blade while using the cooling water and the washing water, and the dicing film corresponding to the cut wafer is expanded in the next expansion process, Small-sized pieces) have been carried out. At this time, the semiconductor wafer was fixed to the dicing film to prevent chip scattering.

한편, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법으로서 레이저광에 의해 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2007-245173호 공보 참조). 레이저광을 이용한 다이싱법에 대해서는, 레이저를 웨이퍼 표면에 집광, 흡수시켜 홈을 파가는 표면 아브레이션 방식이 예로부터 알려져 있다. 최근에는, 레이저광을 웨이퍼 내부에 집광하여 개질 영역을 형성한 후, 웨이퍼와 대응하는 다이싱용 필름을 잡아당김으로써, 상기 개질 영역을 기점으로 하여 웨이퍼를 분할하는 방법(예를 들면, 스텔스 다이싱법)이 제안되고 있다.On the other hand, as a dicing method for a semiconductor wafer, a method of dicing a semiconductor wafer by laser light has been proposed (see, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-245173). With regard to the dicing method using laser light, there has been known a surface arcing method in which a laser is condensed and absorbed on the surface of a wafer to form a groove. In recent years, there has been proposed a method of dividing a wafer with the modified region as a starting point (for example, a stealth dicing method) by collecting the laser light into the wafer to form a modified region and then pulling the dicing film corresponding to the wafer, ) Have been proposed.

레이저광을 이용한 다이싱법에 있어서, 레이저광을, 다이싱용 필름을 개재하여 조사하는 경우, 조사된 레이저광을 저해하지 않고 웨이퍼를 분단하기 위해서는, 다이싱용 필름이 높은 투명성을 가지고 있는 것이 요구된다. 또한, 다이싱용 필름에는, 레이저 조사 후의 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 있는 성상(性狀)을 가지고 있는 것이 요구된다.In the dicing method using laser light, when the laser beam is irradiated via the dicing film, it is required that the dicing film has high transparency in order to separate the wafer without inhibiting the irradiated laser beam. The dicing film is required to have a property capable of satisfactorily dividing the wafer after laser irradiation.

상기 사정과의 관련에 있어서, 레이저광을 이용한 다이싱법에 관한 기술로서는, 예를 들면, 소정의 인장 탄성률이나 점착력 등을 가지는 점착층과, 소정의 인장 탄성률을 가지는 기재층을 포함하고, 확장률 및 헤이즈가 소정의 범위에 있는 다이싱 필름이 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-61097호 공보 참조). 이 다이싱 필름에 의하면, 높은 분단율이 얻어진다고 되어 있다.In relation to the above circumstances, as a technique relating to the dicing method using a laser beam, for example, a technique is known in which a pressure-sensitive adhesive layer having a predetermined tensile modulus of elasticity or adhesion and a base layer having a predetermined tensile modulus of elasticity, And a dicing film having a haze within a predetermined range (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-61097). According to this dicing film, a high breaking rate is obtained.

아이오노머를 이용한 다이싱 기술로서, 칼륨 아이오노머를 포함하는 층을 구비한 다이싱 테이프용 기재가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-40449호 공보 참조). 이 다이싱 테이프용 기재에 의하면, 대전방지 성능이 우수하다고 되어 있다. 또한, 아이오노머 수지를 베이스 폴리머로 하고, 소정의 결정 분산제가 배합된 기재 시트와, 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼용의 시트가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2000-273416호 공보 및 일본국 공개특허 특개2000-345129호 공보 참조). 이 반도체 웨이퍼용의 시트에 의하면, 익스팬드(expand) 균일성이 얻어진다고 되어 있다.As a dicing technique using an ionomer, a base for a dicing tape having a layer containing a potassium ionomer is disclosed (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-40449). The substrate for a dicing tape is said to have excellent antistatic performance. Also disclosed is a sheet for a semiconductor wafer having an ionomer resin as a base polymer and a base material sheet containing a predetermined crystal dispersing agent and a pressure-sensitive adhesive layer (see, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-273416 And Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-345129). According to the sheet for a semiconductor wafer, expansion uniformity is obtained.

또한, 아이오노머를 포함하는 가교 수지를 이용한 다이싱 기술로서는, 기재 필름으로서 비카트 연화점 및 열수축에 의한 응력의 증대를 소정의 범위로 함으로써, 가열 수축 공정 후에, 헐거움에 의한 문제를 일으키지 않는 다이싱 필름이 기재되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-216508호 공보 참조). 또한, 수염모양 절삭 부스러기의 실모양화를 방지하는 관점에서, 아연이나 마그네슘 등의 금속 이온으로 가교된 아이오노머 수지를 이용하는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-210887호 공보 참조).As a dicing technique using a crosslinked resin containing an ionomer, the increase of the stress due to the Vicat softening point and the heat shrinkage as the base film is set in a predetermined range, so that dicing that does not cause problems due to loosening (See, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-216508). It has also been disclosed that an ionomer resin crosslinked with a metal ion such as zinc or magnesium is used from the viewpoint of preventing thread-like cutting debris from becoming thread-like (for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-210887 Reference).

또한, EMAA를 이용한 30㎛ 두께의 점착제 도포층과 저밀도 폴리에틸렌을 이용한 30㎛ 두께의 익스팬드 링 접촉층의 사이에, 결정성 폴리프로필렌을 함유하는 40㎛ 두께의 중간층이 배치된 3층 구조의 웨이퍼 다이싱 테이프용 기재가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2003-158098호 공보 참조). 이 웨이퍼 다이싱 테이프용 기재에 의하면, 균일 확장성이 우수하다고 되어 있다. 또한, 저밀도 폴리에틸렌을 이용한 2층의 사이에, 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원 공중합체 또는 그 아연 아이오노머 수지를 이용한 중심층이 배치된, 3층 구조의 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개평7-230972호 공보 참조). 이 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프에 의하면, 익스팬드시의 네킹 및 픽업 핀으로의 부착이 방지된다고 되어 있다.Further, a three-layer structure wafer in which a 40 占 퐉 -thick interlayer containing crystalline polypropylene was disposed between a 30 占 퐉 thick pressure-sensitive adhesive application layer using EMAA and a 30 占 퐉 thick expanding contact layer using low density polyethylene A substrate for a dicing tape is disclosed (for example, see Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-158098). This substrate for a wafer dicing tape is said to be excellent in uniform expansion. Furthermore, a three-layer structure semiconductor wafer in which a center layer made of ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) copolymer or its zinc ionomer resin is disposed between two layers using low density polyethylene (For example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-230972). According to this adhesive tape for fixing a semiconductor wafer, it is said that the necking and the attachment to the pickup pin at the expense are prevented.

그러나, 일본국 공개특허 특개2011-61097호 공보에 기재된 다이싱용 필름에 대해서는, 효율적으로 기판을 분할하는 점에서 어느 정도의 적성(適性)을 가지고 있고, 일본국 공개특허 특개2011-40449호 공보에 기재된 다이싱 테이프용 기재에 대해서는, 칼륨 아이오노머를 이용함으로써 대전방지 성능의 향상이 기대되나, 모두 투명성 또는 웨이퍼의 분단성의 점에서 시장의 요구에 반드시 적합하지는 않은 경우가 있다. 또한, 일본국 공개특허 특개2000-273416호 공보 및 일본국 공개특허 특개2000-345129호 공보에 기재되어 있는 시트는, 다이싱 블레이드에 의한 다이싱을 상정한 것으로, 레이저광에 의한 다이싱으로의 적용은 어렵다. 또한, 일본국 공개특허 특개2011-216508호 공보에는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 아이오노머를 적용하는 것에 관한 개시가 있으나, 블레이드에 의한 다이싱시의 과제 해소를 위한 기술이며, 레이저 다이싱시의 가공성까지는 예정되어 있지 않다.However, the dicing film disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-61097 has a certain degree of suitability in terms of dividing the substrate efficiently, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-40449 With respect to the base material for a dicing tape described above, an improvement in antistatic performance is expected by using a potassium ionomer. However, in some cases, it is not always suitable for market requirements in terms of transparency or wafer segmentation. Further, the sheet described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-273416 and 2000-345129 assumes dicing by a dicing blade, and is a sheet obtained by dicing by laser light Application is difficult. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-216508 discloses an application of an ionomer to a pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing, but it is a technique for solving the problem of dicing by a blade, Are not scheduled.

일본국 공개특허 특개2011-210887호 공보에도, 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 아이오노머를 적용하는 것에 관한 개시가 있으나, 이 개시도 블레이드에 의한 다이싱시의 과제 해소를 위한 기술이며, 레이저 다이싱시의 가공성까지는 예정되어 있지 않다. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-210887 also discloses an application of an ionomer to a pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing. This disclosure is also a technique for solving the problem of dicing by a blade, No processability is planned.

상기와 같이, 다이싱용 필름의 레이저 가공성에 대해서는, 가일층의 개량이 기대되고 있다.As described above, improvements in the laser processing property of the dicing film are expected to be further improved.

또한, 일본국 공개특허 특개2003-158098호 공보에 기재되어 있는 웨이퍼 다이싱 테이프용 기재에서는, 적층 구조를 구성하는 중간층에 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀이 이용되고 있다. 일반적으로 폴리프로필렌 등은 신장시킬 때의 응력이 매우 크기 때문에, 특히 스텔스 다이싱법으로 레이저 조사 후에 다이싱용 필름을 익스팬드하면, 다이싱용 필름을 확장했을 때에 백화 현상을 초래하기 쉽다. 반대로, 3원 공중합체를 이용한 층을 중간층으로 한 3층 구조로 구성하는 일본국 공개특허 특개평7-230972호 공보에 기재된 기술에서는, 신장 초기에 있어서의 응력이 지나치게 작아지기 때문에, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행하는 것은 어렵다. 이 경우에 웨이퍼의 분단성을 높이기 위해서는, 테이프의 익스팬드량을 늘릴 필요가 있으나, 테이프의 익스팬드량을 늘리면 테이프 휨량이 증대한 결과, 반송 공정 등에 악영향을 미칠 우려가 있다.Further, in the substrate for a wafer dicing tape described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-158098, a polyolefin such as polypropylene is used as an intermediate layer constituting the laminated structure. Generally, polypropylene and the like have a very large stress to elongate. Especially when the dicing film is expanded after the laser irradiation by the stealth dicing method, the whitening phenomenon tends to occur when the dicing film is expanded. On the other hand, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-230972, which comprises a three-layer structure in which a layer using a ternary copolymer is used as an intermediate layer, the stress at the initial stage of elongation becomes too small, It is difficult to do well. In this case, in order to increase the separation of the wafer, it is necessary to increase the amount of expanse of the tape. However, if the amount of expanse of the tape is increased, the amount of tape warpage is increased.

이와 같이, 레이저광을 이용한 종래의 다이싱 기술에서는, 레이저광을, 다이싱용 필름을 개재하여 조사하는 경우, 조사된 레이저광을 그 흡수나 산란 등의 영향을 받지 않고 웨이퍼 내부에 집광시키는 관점에서, 반드시 충분한 투명성을 확보할 수 있는 것에 도달하고 있지는 않은 것이 실정이다. 또한, 레이저광 조사 위치를 결정하는 관점에서, 가시 영역의 투명성이 필요하게 된다.As described above, in the conventional dicing technique using laser light, in the case of irradiating the laser beam via the dicing film, the irradiated laser beam is focused on the inside of the wafer without being influenced by absorption or scattering , It is a reality that it has not reached the one that can surely secure sufficient transparency. Further, from the viewpoint of determining the laser light irradiation position, transparency of the visible region is required.

또한, 레이저광을 이용하는 스텔스 다이싱법에서는, 레이저 조사 후에 다이싱용 필름을 익스팬드함으로써 다이싱용 필름을 균일하게 확장하고, 다이싱용 필름에 대응하는 웨이퍼 내부의 크랙을 기점으로 분단한다. 이때의 분단성을 높이기 위해서는, 다이싱용 필름에 필요한 응력이, 백화 등 다른 성상에 악영향을 주는 일 없는 소정의 범위를 충족하고 있는 것이 요구된다. 특히, 다이싱용 필름의 응력이 부족한 경우에는, 반드시 충분한 분단성이 얻어지는 것은 아니다. 또한 다이싱용 필름에는 대전방지성을 갖추고 있는 것도 요구된다.Further, in the stealth dicing method using laser light, the dicing film is uniformly expanded by exposing the dicing film after laser irradiation, and the cracks in the wafer corresponding to the dicing film are divided based on the starting point. In order to improve the separability at this time, it is required that the stress required for the dicing film satisfies a predetermined range that does not adversely affect other properties such as whiteness. Particularly, in the case where the stress of the dicing film is insufficient, it is not always possible to obtain sufficient division property. The dicing film is also required to have antistatic properties.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 레이저광에 의한 스텔스 다이싱에 적합하고, 투명성과 웨이퍼 분단성이 우수한 스텔스 다이싱용 필름 기재 및 스텔스 다이싱용 필름, 및 웨이퍼 분단성이 우수한 전자부품의 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances and has an object of providing a film substrate for stealth dicing and a film for stealth dicing which are suitable for stealth dicing by laser light and which are excellent in transparency and wafer separability, Method.

웨이퍼의 분단성이란, 레이저광을 이용하여 형성된 웨이퍼 내부의 개질 영역에 있어서의 분할의 용이함이다. 다이싱용 필름 기재는, 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위(바람직한 하한치는 10MPa를 초과하는 범위)의 응력을 갖추면서 102% 이상의 확장성(확장률)을 가지고 있는 것이 양호한 분단성을 얻는 점에서 바람직하다.The divisional property of the wafer is easy to divide in the modified region inside the wafer formed by using laser light. The film base for dicing preferably has a stretchability (expansion ratio) of 102% or more while having a stress in the range of 9 MPa or more to 19 MPa or less (a preferable lower limit value is in a range exceeding 10 MPa) from the viewpoint of obtaining good division property.

본 발명자들은, 점착층과 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름을 제작할 때에 설치되는 상기 기재(이하, 「스텔스 다이싱용 필름 기재」라고 하는 경우가 있다.)의 웨이퍼 분단성(즉 초기 응력)과 확장성을 개선하기 위하여 검토를 거듭하였다. 본 발명은, 상기 필름 기재의 두께를 적절한 두께로 유지하고, 필름 기재의 초기 응력 및 확장률을 소정의 범위로 조절함으로써, 필름 기재의 분단성과 확장성의 밸런스를 도모할 수 있다는 식견을 얻고, 이러한 식견에 의거하여 달성된 것이다.The inventors of the present invention have found that wafer segmentation (i.e., initial stress) and expansion of the substrate (hereinafter, referred to as " stealth dicing film substrate ") provided at the time of manufacturing a stealth dicing film having a pressure- We have repeatedly reviewed it to improve the quality. It has been found that the balance between the partitionability and expandability of the film substrate can be achieved by maintaining the thickness of the film substrate at an appropriate thickness and adjusting the initial stress and expansion ratio of the film substrate to a predetermined range, It is accomplished based on insights.

상기 과제를 해결하기 위한 구체적 수단은 이하와 같다.Specific means for solving the above problems are as follows.

<1> 점착층과 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름의 상기 기재로서 이용되고, 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이며, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이고, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이며, 헤이즈 값이 10 이하이고, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.&Lt; 1 > A film for stealth dicing comprising a pressure-sensitive adhesive layer and a substrate, wherein the thickness is in the range of 50 占 퐉 to 200 占 퐉, the initial stress is in the range of 9 MPa to 19 MPa, , A haze value of 10 or less, and a total light transmittance of 90% or more.

<2> 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머 및 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 아연 아이오노머로부터 선택되고, 공중합체 중에 있어서의 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 공중합비가 7질량% 미만인 아이오노머 수지를 포함하는 <1>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.(2) a copolymer of a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester selected from a magnesium ionomer of an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer and a zinc ionomer of an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, And an ionomer resin having a copolymerization ratio of less than 7% by mass.

<3> 상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일방의, 상기 (메타)아크릴산 유래의 구성단위의 공중합체 중에 있어서의 공중합비가, 10질량% 초과 30질량% 이하인 <2>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<3> A stealth die according to <2>, wherein the copolymerization ratio of at least one of the magnesium ionomer and the zinc ionomer in the copolymer of the (meth) acrylic acid-derived structural unit is 10% by mass or more and 30% Film substrate.

<4> 상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일종은, 중화도가 0% 초과 60% 이하인 <2> 또는 <3>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<4> The at least one of the magnesium ionomer and the zinc ionomer is a film substrate for stealth dicing according to <2> or <3>, wherein the degree of neutralization is more than 0% and 60% or less.

<5> 상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일종은, 중화도가 10% 이상 40% 이하인 <2> 또는 <3>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<5> The at least one of the magnesium ionomer and the zinc ionomer is a film substrate for stealth dicing according to <2> or <3>, wherein the neutralization degree is 10% or more and 40% or less.

<6> 상기 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조, 또는 상기 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 순서대로 중층된 중층 구조를 가지고, 상기 층(X), 상기 층(Y) 및 상기 층(Z)의 두께가 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 <1>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.Layer structure in which the layer (X) in contact with the adhesive layer, the first layer (Y) and the second layer (Z) are layered in this order or the layer (X) Wherein the thickness of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) is in the range of 10 μm or more and 100 μm or less, wherein the first layer (Y) Is a film substrate for stealth dicing.

<7> 상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A의 굽힘 강성률이 100MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B의 굽힘 강성률이 5MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C의 굽힘 강성률이 50MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며,(7) The adhesive sheet according to any one of the above items (1) to (3), wherein the layer (X) in contact with the pressure-sensitive adhesive layer comprises resin A, the bending rigidity of the resin A is in a range of 100 MPa to 350 MPa, B has a flexural rigidity of 5 MPa or more and 350 MPa or less, the second layer (Z) includes a resin C, the resin C has a flexural rigidity of 50 MPa or more and 350 MPa or less,

상기 수지 A 또는 상기 수지 C의 굽힘 강성률의 각각으로부터 상기 수지 B의 굽힘 강성률을 뺀 차의 절대값이 큰 쪽의 값이 50MPa 이상 345MPa 이하의 범위 내인 <6>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.And the value obtained by subtracting the bending rigidity of the resin B from the bending rigidity of the resin A or the resin C is greater than or equal to 50 MPa and equal to or less than 345 MPa.

<8> 상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A가 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체의 아이오노머인 <6> 또는 <7>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<8> The film for stealth dicing according to <6> or <7>, wherein the layer (X) in contact with the pressure-sensitive adhesive layer comprises resin A and the resin A is an ionomer of an ethylene-unsaturated carboxylic acid bidentate copolymer to be.

<9> 상기 2원 공중합체 중에 있어서의 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유량은 1질량% 이상 35질량% 이하인 <8>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<9> The stealth dicing film substrate according to <8>, wherein the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid in the binary copolymer is 1% by mass or more and 35% by mass or less.

<10> 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B가 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 2원 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종인 <6>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.The first layer (Y) comprises a resin (B), and the resin (B) is a low density polyethylene, a linear low density polyethylene, an ethylene vinyl acetate copolymer, an ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic acid copolymer and an ionomer thereof, The stealth dicing according to any one of < 6 > to < 9 >, which is at least one selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid-unsaturated carboxylic ester terpolymer and an ionomer thereof and an ethylene / unsaturated carboxylic acid ester copolymer. Film substrate.

<11> 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C가 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머로부터 선택되는 적어도 1종인 <6>∼<10> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.The second layer (Z) comprises the resin C, the resin C is an ethylene / unsaturated carboxylic acid binary copolymer and an ionomer thereof, and an ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid ester terpolymer And an ionomer thereof. &Lt; 6 > The film substrate for stealth dicing according to any one of < 6 > to < 10 &

<12> 융점이 155℃ 이상 185℃ 이하의 대전방지제를 포함하는 <1>∼<11> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<12> The film substrate for stealth dicing according to any one of <1> to <11>, which contains an antistatic agent having a melting point of 155 ° C. or more and 185 ° C. or less.

<13> 표면 저항률이 1×109Ω/sq 이상 1×1012Ω/sq 이하인 <1>∼<12> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.<13> The film substrate for stealth dicing according to any one of <1> to <12>, wherein the surface resistivity is 1 × 10 9 Ω / sq or more and 1 × 10 12 Ω / sq or less.

<14> 점착층과, <1>∼<13> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름이다.<14> A stealth dicing film comprising the adhesive layer and the film substrate for stealth dicing according to any one of <1> to <13>.

<15> 웨이퍼의 이면에 <14>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름을 부착하는 공정과, 상기 스텔스 다이싱용 필름이 부착된 웨이퍼에 대하여, 상기 스텔스 다이싱용 필름측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광에 의해 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 포함하는 전자부품의 제조방법이다.<15> A method for manufacturing a stealth dicing film, comprising the steps of: adhering a stealth dicing film described in <14> to a back surface of a wafer; irradiating a wafer with the stealth dicing film thereon with laser light from the stealth dicing film side; And dicing the wafer with a laser beam via a film.

<16> 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이고, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이며, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이고, 헤이즈 값이 10 이하이며, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 필름 기재를, 스텔스 다이싱용 필름의 기재로서 사용하는 방법이다.<16> An optical sheet having a thickness in a range of 50 μm to 200 μm, an initial stress in a range of 9 MPa to 19 MPa, an expansion ratio in a range of 102% to 120%, a haze value of 10 or less, And a film base of 90% or more is used as a base of the stealth dicing film.

<17> 스텔스 다이싱용 필름의 제조를 위한 필름 기재의 사용에 있어서, 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이고, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이며, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이고, 헤이즈 값이 10 이하이며, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 필름 기재의 사용이다.In the use of the film substrate for the production of the stealth dicing film, it is preferable that the thickness is in the range of 50 μm or more and 200 μm or less, the initial stress is in the range of 9 MPa or more and 19 MPa or less, the expansion ratio is in the range of 102% , A haze value of 10 or less, and a total light transmittance of 90% or more.

또한, 본 명세서에 있어서 「∼」을 이용하여 나타내는 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 범위를 의미한다.In the present specification, the numerical range indicated by &quot; to &quot; means a range including numerical values before and after "to" as a lower limit value and an upper limit value.

본 발명에 의하면, 레이저광에 의한 다이싱에 적합하고, 투명성과 웨이퍼 분단성이 우수한 스텔스 다이싱용 필름 기재 및 스텔스 다이싱용 필름이 제공된다. 또한, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 분단성이 우수한 전자부품의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, there are provided a film substrate for stealth dicing and a film for stealth dicing, which are suitable for dicing by laser light and excellent in transparency and wafer separability. Further, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic part having excellent wafer division performance.

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 스텔스 다이싱용 필름의 구성례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는, 도 1의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 다른 구성례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3a는, 웨이퍼의 다이싱시에, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광을 조사하고 있는 것을 나타내는 개략도이다.
도 3b는, 웨이퍼의 다이싱시에, 웨이퍼에 개질부가 형성된 상태를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 스텔스 다이싱용 필름에 외부 응력을 부여하여 웨이퍼를 복수의 칩 으로 분리하는 것을 나타내는 개략도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a stealth dicing film according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing another configuration example of the film substrate for stealth dicing shown in Fig. 1. Fig.
3A is a schematic view showing that laser light is irradiated through a stealth dicing film during dicing of a wafer.
FIG. 3B is a schematic view showing a state in which a reforming section is formed on a wafer at the time of dicing the wafer. FIG.
Fig. 4 is a schematic view showing that the wafer is divided into a plurality of chips by applying an external stress to the stealth dicing film. Fig.

이하, 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재, 및 이것을 이용한 스텔스 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a film substrate for stealth dicing according to the present invention, a film for stealth dicing using the same, and a method of manufacturing an electronic component will be described with reference to the drawings.

[스텔스 다이싱용 필름 기재 및 스텔스 다이싱용 필름][Film for Stealth Dicing and Film for Stealth Dicing]

도 1∼도 4를 참조하여 스텔스 다이싱용 필름(1)에 대하여 설명하고, 당해 설명을 통해 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 스텔스 다이싱용 필름의 구성례를 나타내는 개략 단면도이다.The stealth dicing film 1 will be described with reference to Figs. 1 to 4, and the stealth dicing film substrate of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a stealth dicing film.

스텔스 다이싱은, 실리콘 웨이퍼의 내부에 레이저를 집광함으로써 웨이퍼 내에 개질층(크랙 등)을 형성하고, 테이프 익스팬드 등으로 외부 응력을 부여하여 칩 분할을 행하는 다이싱 방법이다.Stealth dicing is a dicing method in which a modified layer (crack or the like) is formed in a wafer by condensing a laser inside a silicon wafer, and external stress is applied by a tape expander or the like to perform chip division.

도 1에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)은 스텔스 다이싱용 필름 기재(11)(이하, 기재(11)라고 한다.)와, 기재(11) 상에 설치된 점착층(12)을 구비하고 있다.1, the stealth dicing film 1 includes a stealth dicing film base 11 (hereinafter referred to as base 11) and an adhesive layer 12 provided on the base 11 .

기재(11)는 단층 또는 다층의 어느 것으로 구성되어도 된다. 기재(11)가 다층으로 구성되는 경우, 기재(11)는, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름을 구성하는 점착층(12)과 접하는 층(11X)과 중간층(11Y 또는 11Z)과 내층(11Z 또는 11Y)을 중층한 3층 구조를 포함하는 구조로 구성할 수 있다.The base material 11 may be composed of a single layer or a multilayer. In the case where the base material 11 is composed of a plurality of layers, the base material 11 may be a layer 11X which is in contact with the adhesive layer 12 constituting the stealth dicing film and an intermediate layer 11Y Layer structure in which the inner layer 11Z or 11Y and the inner layer 11Z or 11Y are layered.

스텔스 다이싱법에서는, 다이싱용 필름의 신장력을 이용하여, 웨이퍼를 칩화한다. 최근 주목받고 있는 스텔스 다이싱법에서는, 미소 사이즈의 반도체칩을 생산하는 경우, 종래부터 널리 이용되고 있는 블레이드 다이싱이나 레이저 다이싱에 사용되고 있는 다이싱 시트가 그대로 이용되어 왔다. 그러나, 이와 같은 종래의 다이싱 시트를 사용하면, 확장 초기의 강도(초기 응력)가 지나치게 낮은 경우가 있다. 필름의 초기 응력이 너무 지나치게 낮으면, 웨이퍼 내부에 형성된 개질부에 신장력이 충분히 전달되지 않기 때문에, 웨이퍼를 칩화하는 것이 곤란해진다. 즉, 초기 응력이 충분히 얻어지지 않는 필름에서는, 각 칩을 다이싱 라인에서 분할할 수가 없고, 칩이 복수 개 연결된 상태가 되어, 반도체칩의 생산 수율이 저하될 우려가 있다. 그 때문에, 본 발명에 있어서는, 스텔스 다이싱용 필름 기재의 웨이퍼 분단성(즉 초기 강도(초기 응력이라고도 한다)) 및 확장성을 개선하기 위하여, 상기 기재의 두께를 소정의 두께로 유지하고, 상기 기재의 초기 응력 및 확장률을 소정의 범위로 조절함으로써, 분단성과 확장성의 밸런스가 도모되고 있다.In the stealth dicing method, the wafer is chipped by using the stretching force of the dicing film. In the stealth dicing method which has recently been attracting attention, a dicing sheet used for blade dicing or laser dicing, which has been widely used in the past, has been used as it is when a microsize semiconductor chip is produced. However, when such a conventional dicing sheet is used, the strength (initial stress) at the initial stage of expansion may be excessively low. If the initial stress of the film is too low, stretching force is not sufficiently transmitted to the modified portion formed inside the wafer, and it becomes difficult to chip the wafer. That is, in a film in which the initial stress can not be sufficiently obtained, each chip can not be divided by the dicing line, and a plurality of chips are connected to each other, thereby reducing the production yield of the semiconductor chip. Therefore, in the present invention, in order to improve the wafer segmentation property (i.e., initial strength (also referred to as initial stress)) and expandability of the film substrate for stealth dicing, the thickness of the substrate is maintained at a predetermined thickness, The initial stress and the expansion ratio of the steel sheet are adjusted to a predetermined range, so that the balance between the separability and the expandability is achieved.

특히 기재가 다층으로 구성되는 경우, 상기와 동일하게 웨이퍼 분단성(초기 강도) 및 확장성을 개선하기 위하여, 점착층에 접하는 층(X)에 대하여 층(11Y)(제 1 층(Y))과 층(11Z)(제 2 층(Z))을 중층하도록 하고, 기재의 초기 응력을 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위로 조정함으로써, 분단성과 확장성의 밸런스가 도모된다. 또한, 본 발명의 필름 기재는 중층 구조로 하면서, 층의 투명성은 유지되고 있고, 레이저의 확산이나 흡수가 적어, 스텔스 다이싱에 의한 가공 적성이 우수하다.Particularly, in the case where the substrate is composed of multiple layers, the layer 11Y (first layer (Y)) is formed with respect to the layer (X) in contact with the adhesive layer in order to improve wafer separability (initial strength) And the layer 11Z (second layer (Z)) are layered, and the initial stress of the substrate is adjusted to be in the range of 9 MPa or more and 19 MPa or less, balance of division and extensibility can be achieved. Further, while the film base of the present invention has a middle-layer structure, the transparency of the layer is maintained, diffusion and absorption of the laser are small, and machining suitability by stealth dicing is excellent.

스텔스 다이싱용 필름(1)은, 일방(一方)면이 점착면으로 구성되고, 레이저광의 조사에 의해 웨이퍼에 형성된 크랙을 기점으로 비접촉으로 웨이퍼를 분단(분리)하는, 소위 스텔스 다이싱에 이용된다. 구체적으로는, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 다이싱 테이블(6) 상에 두어 웨이퍼(W)의 이면에 부착하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 레이저를 조사한다. 레이저 조사에 의해 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L)을 도광하고, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 레이저광에 의해 웨이퍼(W)의 내부에 개질 영역(W1)을 복수 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)에 외부 응력을 부여하여 화살표 방향으로 확장함으로써, 상기 개질 영역(W1)을 기점으로 웨이퍼(W)를 개개의 칩으로 분리한다.The stealth dicing film 1 is used for so-called stealth dicing, in which one surface is constituted by an adhered surface and the wafer is divided (separated) from a crack formed on the wafer by irradiation with laser light in a noncontact manner . Specifically, as shown in Fig. 3A, the stealth dicing film 1 is placed on the dicing table 6 and attached to the back surface of the wafer W, and a laser beam is passed through the stealth dicing film 1 Investigate. A laser beam L is guided into the wafer W by laser irradiation and a plurality of modified regions W1 are formed in the wafer W by a laser beam as shown in Fig. Thereafter, as shown in Fig. 4, external stress is applied to the stealth dicing film 1 and expanded in the direction of the arrow, thereby separating the wafer W into individual chips from the modified region W1 as a starting point.

또한, 스텔스 다이싱용 필름(1)은, 상기의 스텔스 다이싱뿐만 아니라, 다이싱 블레이드에 의한 다이싱 방법이나 레이저광을 이용한 다른 다이싱 방법에도 적용 가능하다.The stealth dicing film 1 can be applied not only to the above stealth dicing but also to a dicing method using a dicing blade or another dicing method using laser light.

(기재)(materials)

기재는 단층 또는 2층 이상의 다층의 어느 것으로 구성되어도 된다.The substrate may be a single layer or a multilayer of two or more layers.

∼A. 단층 구성∼~ A. Single layer construction ~

먼저, 기재가 단층 구조로 구성되어 있는 경우를 설명한다.First, a case in which the substrate has a single-layer structure will be described.

도 1은 기재(11)가 단층 구조로 구성된 예를 나타낸다. 도 1에서는, 기재(11)는 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머 및/또는 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 아연 아이오노머를 이용하여 형성된 아이오노머 수지 기재이다.Fig. 1 shows an example in which the substrate 11 has a single-layer structure. In Fig. 1, the substrate 11 is an ionomer resin substrate formed by using a zinc ionomer of an ethylene · (meth) acrylic acid copolymer-based magnesium ionomer and / or an ethylene · (meth) acrylic acid copolymer.

마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다. 공중합체에 있어서는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체를 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.Examples of the magnesium ionomer include an ethylene · (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer, or an ethylene · (meth) acrylic acid · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer at least a part of which is magnesium- Ionomers are preferred. In the copolymer, any of a block copolymer, a random copolymer and a graft copolymer may be used, but in consideration of transparency, a graft copolymer of a 2-membered random copolymer, a 3-membered random copolymer, a 2-membered random copolymer, It is preferable to use a graft copolymer of a random copolymer, more preferably a binary random copolymer or a 3-membered random copolymer.

상기 아이오노머 수지 중 바람직한 마그네슘 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 마그네슘 이온으로 중화한 것이다. 마그네슘 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.Preferred magnesium ionomers among the ionomer resins are those based on a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid synthesized by high-pressure radical polymerization and have a copolymerization ratio of (meth) acrylic acid of more than 10 mass% and not more than 30 mass% , Which is neutralized with magnesium ion. The neutralization degree by the magnesium ion is in the range of more than 0% to 60%, and the expansion and breaking performance are excellent in this range. The degree of neutralization is preferably in the range of 10% or more and 60% or less, and if it is within this range, the transparency is excellent. More preferably, the degree of neutralization is in the range of 10% or more and 40% or less. When the degree of neutralization is within this range, the balance of expandability, segmentation property and transparency is excellent.

그 중에서도, 마그네슘 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.Among them, the copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the magnesium ionomer is preferably 10% by mass to 20% by mass, more preferably 10% by mass to 20% by mass, Or less.

아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다. 공중합체는 상기 마그네슘 아이오노머와 동일하게, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.Examples of the zinc ionomer include an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer or an ethylene / (meth) acrylic acid / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer at least part of which is zinc- Ionomers are preferred. The copolymer may be either a block copolymer, a random copolymer, or a graft copolymer in the same manner as the magnesium ionomer, but in consideration of transparency, a bidentate random copolymer, a ternary random copolymer, a bidentate random copolymer Of a graft copolymer or a ternary random copolymer, and more preferably a bivalent random copolymer or a ternary random copolymer.

적합한 아연 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 아연 이온으로 중화한 것이다. 아연 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.Suitable zinc ionomers are those based on a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid synthesized by high-pressure radical polymerization and have a copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the range of more than 10 mass% to 30 mass% It is neutralized with zinc ion. The neutralization degree by the zinc ion is in the range of more than 0% to 60%, and in this range, it is excellent in expandability and segmentability. The degree of neutralization is preferably in the range of 10% or more and 60% or less, and if it is within this range, the transparency is excellent. More preferably, the degree of neutralization is in the range of 10% or more and 40% or less. When the degree of neutralization is within this range, the balance of expandability, segmentation property and transparency is excellent.

그 중에서도, 아연 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.Among them, the copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the zinc ionomer is preferably from 10% by mass to 20% by mass, more preferably from 10% by mass to 20% by mass, from the viewpoint of excellent balance among expandability, moldability, Or less.

아이오노머를 구성하는 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체는, 적어도 에틸렌과 아크릴산 또는 메타크릴산이 공중합한 공중합체이고, 제 3 공중합 성분이 더 공중합된 3원 이상의 다원 공중합체여도 된다.The ethylene / (meth) acrylic acid copolymer constituting the ionomer may be a copolymer obtained by copolymerizing ethylene and acrylic acid or methacrylic acid at least, and may be a polyunsaturated copolymer of three or more members in which the third copolymerization component is further copolymerized.

다원 공중합체를 형성하는 모노머로서는, 에틸렌 및 당해 에틸렌과 공중합 가능한 상기 (메타)아크릴산 외에, 제 3 공중합 성분으로서 불포화카르본산 에스테르(예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르), 비닐에스테르(예를 들면, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등), 불포화탄화수소(예를 들면, 프로필렌, 부텐, 1,3-부타디엔, 펜텐, 1,3-펜타디엔, 1-헥센 등), 비닐황산이나 비닐질산 등의 산화물, 할로겐 화합물(예를 들면, 염화비닐, 불화비닐 등), 비닐기 함유 1, 2급 아민화합물, 일산화탄소, 이산화유황 등이 공중합되어 있어도 된다.Examples of the monomer forming the polycaprolactone include unsaturated carboxylic acid esters (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, isobutyl acrylate, n-butyl acrylate, etc.) as the third copolymerization component in addition to the (meth) acrylic acid copolymerizable with ethylene and the ethylene, (Meth) acrylic acid alkyl esters such as butyl acrylate, isooctyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isobutyl methacrylate, dimethyl maleate and diethyl maleate, vinyl esters such as vinyl acetate, (E.g., propylene, butene, 1,3-butadiene, pentene, 1,3-pentadiene, and 1-hexene), oxides such as vinyl sulfuric acid and vinyl nitric acid, Vinyl chloride and vinyl fluoride), vinyl group-containing primary and secondary amine compounds, carbon monoxide, sulfur dioxide and the like may be copolymerized.

그 중에서도, 상기 제 3 공중합 성분으로서는 불포화카르본산 에스테르가 바람직하고, (메타)아크릴산 알킬에스테르(알킬 부위의 바람직한 탄소수는 1∼4)가 보다 바람직하다.Among them, an unsaturated carboxylic acid ester is preferable as the third copolymerization component, and a (meth) acrylic acid alkyl ester (the alkyl number of the alkyl moiety preferably has 1 to 4 carbon atoms) is more preferable.

상기 제 3 공중합 성분 유래의 구성단위의 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체 중에 있어서의 함유 비율은 7질량% 미만의 범위가 바람직하다.The content ratio of the constituent unit derived from the third copolymerizable component in the ethylene / (meth) acrylic acid copolymer is preferably within a range of less than 7% by mass.

본 발명에 있어서의 아이오노머 수지는, 불포화카르본산 에스테르를 포함해도 되나, 특히 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 공중합체 중에 차지하는 함유 비율을 7질량% 미만으로 하는 것이 바람직하다. (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 함유 비율이 7질량% 미만이면, 다이싱용 필름의 응력을 유지하므로 보다 우수한 분단성이 얻어진다. (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 함유 비율로서는 5질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위를 가지지 않는(함유 비율: 0%[질량비]) 것이 보다 바람직하다.The ionomer resin in the present invention may contain an unsaturated carboxylic acid ester, but it is particularly preferable that the content of the constituent unit derived from the alkyl (meth) acrylate in the copolymer is less than 7% by mass. If the content of the constitutional unit derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester is less than 7% by mass, the stress of the dicing film is maintained, and more excellent breaking property is obtained. The content of the constituent unit derived from the alkyl (meth) acrylate is preferably 5% by mass or less, more preferably 0% (mass ratio), and no constituent unit derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester Do.

∼B. 다층 구성∼~ B. Multilayer construction ~

다음에, 기재가 다층 구조로 구성되어 있는 경우를 설명한다.Next, a case in which the substrate has a multilayer structure will be described.

기재(11)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 점착층(12)과 접하는 층(11X)과 층(11Y)(제 1 층(Y))과 층(11Z)(제 2 층(Z))이 적어도 이 순서대로 중층된 중층 구조, 및 상기 점착층(12)과 접하는 층(X)과 층(11Z)(제 2 층(Z))과 층(11Y)(제 1 층(Y))이 적어도 이 순서대로 중층된 중층 구조로부터 선택되는 3층 이상으로 이루어지는 다층 구조를 설치하여 구성할 수 있다.As shown in Fig. 2, the base material 11 includes a layer 11X, a layer 11Y (first layer Y) and a layer 11Z (second layer Z) which are in contact with the adhesive layer 12, And a layer 11Z (second layer (Z)) and a layer 11Y (first layer (Y)) in contact with the adhesive layer (12) A multi-layer structure composed of three or more layers selected from at least an intermediate layer structure which is layered in this order.

기재(11)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 그 일방측에 있어서 웨이퍼를 고정화하기 위한 점착층(12)과 접촉시킴으로써, 스텔스 다이싱용 필름을 구성할 수 있다. 스텔스 다이싱용 필름으로 한 경우, 점착층(12)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기재(11)의 중층 구조에 있어서의 「점착층과 접하는 층(11X)」과 밀착된다. 그 때문에, 점착층과 접하는 층(11X)은 중층 구조의 표층(최외층)에 위치하도록 설치되어 있다.As shown in Fig. 2, the base material 11 can be brought into contact with the adhesive layer 12 for fixing the wafer on one side thereof, whereby the stealth dicing film can be constituted. In the case of the stealth dicing film, the adhesive layer 12 is brought into close contact with the &quot; layer 11X in contact with the adhesive layer &quot; in the middle layer structure of the substrate 11 as shown in Fig. Therefore, the layer 11X in contact with the adhesive layer is provided so as to be located in the surface layer (outermost layer) of the middle layer structure.

기재(11)가, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 이 순서대로 배치된 중층 구조를 가지고 있는 경우, 제 1 층(Y)이 3층 구조를 형성하는 중간층을 이룬다. 또한, 이 중층 구조는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)의 3층에 추가로, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)의 사이 또는 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)의 사이, 혹은 점착층과 접하는 층(X)/제 1 층(Y)/제 2 층(Z)의 3층 구조의 일단(一端)인 제 2 층(Z) 상에, 다른 층이 더 설치되어 4층 이상의 중층 구조로 구성되어도 된다.When the base material 11 has an intermediate layer structure in which the layer X in contact with the adhesive layer and the first layer Y and the second layer Z are arranged in this order, Forming an intermediate layer forming the structure. This middle layer structure has a layer X in contact with the adhesive layer and a layer X in contact with the adhesive layer in addition to the three layers of the first layer Y and the second layer Z, Layer structure of the layer (X) / the first layer (Y) / the second layer (Z) in contact with the adhesive layer or between the first layer (Y) and the second layer (Z) Another layer may be further provided on the second layer (Z), which is one end of the first layer (Z).

또한, 기재(11)는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)을 가지는 중층 구조의 다른 양태로서, 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 반대로 배치되고, 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 이 순서대로 배치된 중층 구조로 구성되어도 된다. 이 경우, 제 2 층(Z)이 3층 구조를 형성하는 중간층을 이룬다. 이 중층 구조의 경우도 상기 구조의 경우와 동일하게, 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)의 사이 또는 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)의 사이, 혹은 점착층과 접하는 층(X)/제 2 층(Z)/제 1 층(Y)의 3층 구조의 일단인 제 1 층(Y) 상에, 다른 층이 더 설치되어 4층 이상의 중층 구조로 구성되어도 된다.The base material 11 is another embodiment of the middle layer structure having the layer X in contact with the adhesive layer and the first layer Y and the second layer Z. The first layer Y and the second layer Layer structure in which the layer (X), the second layer (Z) and the first layer (Y) in contact with the adhesive layer are arranged in this order. In this case, the second layer (Z) forms an intermediate layer forming a three-layer structure. In the case of this middle layer structure, as in the case of the above structure, between the layer (X) and the second layer (Z) in contact with the adhesive layer or between the second layer (Z) and the first layer (Y) (Y) which is one end of a three-layer structure of a layer (X) / a second layer (Z) / a first layer (Y) in contact with the layer .

[점착층과 접하는 층(X)][Layer (X) in contact with the adhesive layer)

점착층과 접하는 층(X)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼를 고정화하기 위한, 예를 들면 점착제로 이루어지는 점착층(12)과 밀착되는 층이고, 적어도 수지(본 명세서 중에 있어서 「수지 A」라고도 한다)를 함유한다. 밀착의 방법으로서는, 층(X) 면에 점착제를 공지의 방법, 예를 들면 그라비아 롤 코터, 리버스 롤 코터, 키스 롤 코터, 딥 롤 코터, 바 코터, 나이프 코터, 스프레이 코터 등을 이용하여 직접 도포하는 방법, 혹은 박리 시트 상에 점착제를 상기 공지의 방법으로 도포하여 점착층을 설치한 후, 이것을 층(X)에 부착하고, 점착층을 전사하는 방법 등을 이용할 수 있다. 층(X)의 수지 A로서는, 극성을 가지고, 자외선 경화성에 적합하게 구성되는 점착층(12)의 점착제와 잘 맞는 수지가 바람직하게 이용된다. 점착층(12)은 후술하는 바와 같이 자외선 경화성으로 구성된 층이 적합하고, 이와 같은 경우는 자외선 경화성의 조성과 양호한 밀착을 유지할 수 있는 수지를 이용하여 적합하게 구성할 수 있다.The layer X in contact with the adhesive layer is a layer which adheres to the adhesive layer 12 made of, for example, a pressure-sensitive adhesive for fixing the wafer as shown in Fig. 2, and at least a resin Quot;). As the adhesion method, a pressure-sensitive adhesive is directly applied to the layer (X) side by a known method such as a gravure roll coater, a reverse roll coater, a kiss roll coater, a dip roll coater, a bar coater, a knife coater, A method of applying a pressure-sensitive adhesive on the release sheet by the above-described known method to provide a pressure-sensitive adhesive layer, attaching the pressure-sensitive adhesive layer to the layer X, and transferring the pressure-sensitive adhesive layer. As the resin A of the layer (X), a resin that has a polarity and satisfies the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive layer (12) structured to be suitable for ultraviolet curing property is preferably used. As the adhesive layer 12, a layer constituted by ultraviolet curing property is suitable as described later, and in such a case, a composition capable of maintaining ultraviolet curing property and good adhesion can be suitably constructed.

점착층과 접하는 층(X)은 수지 A를 포함한다. 상기 수지 A의 굽힘 강성률로서는 100MPa 이상 350MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수지 A의 굽힘 강성률이 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합한 것을 나타낸다. 그 중에서도, 수지 A의 굽힘 강성률은, 웨이퍼 분단성의 점에서 150MPa 이상 350MPa 이하가 보다 바람직하고, 180MPa 이상 350MPa 이하가 더 바람직하다.The layer (X) in contact with the adhesive layer contains the resin (A). The bending rigidity of the resin A is preferably in the range of 100 MPa or more and 350 MPa or less. The fact that the flexural rigidity of the resin A is within the above range indicates that it is suitable for machining by the stealth dicing (division processing, especially holding of the initial stress). Among them, the flexural rigidity of the resin A is more preferably 150 MPa or more and 350 MPa or less, and more preferably 180 MPa or more and 350 MPa or less, from the viewpoint of wafer separation performance.

점착층과 접하는 층(X)에 포함되는 수지 A로서는, 열가소성 수지가 바람직하고, 보다 바람직하게는 올레핀계 중합체이며, 예를 들면 에틸렌 및 불포화카르본산을 공중합 성분으로서 포함하는 에틸렌·불포화카르본산계 공중합체이다. 이 중에서도 에틸렌과 불포화카르본산이 공중합한 2원 공중합체(에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체)의 아이오노머가 적합하게 이용된다. 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체의 아이오노머를 이용함으로써, 투명성(헤이즈 및 전체 광선 투과율) 및 분단성이 우수하다.As the resin A contained in the layer (X) in contact with the adhesive layer, a thermoplastic resin is preferable, and an olefin polymer is more preferable. Examples of the resin A include ethylene and unsaturated carboxylic acid Lt; / RTI &gt; Of these, ionomers of a binary copolymer (an ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic copolymer) in which ethylene and an unsaturated carboxylic acid are copolymerized are suitably used. By using an ionomer of an ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic copolymer, transparency (haze and total light transmittance) and segmentation property are excellent.

아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 상기 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체에 있어서, 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율은 1질량% 이상 35질량% 이하의 범위가 바람직하고, 5질량% 이상 25질량% 이하의 범위가 보다 바람직하며, 특히 바람직하게는 10질량% 이상 20질량% 이하의 범위이다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상인 것은 이 구성단위를 적극적으로 포함함을 의미하고, 불포화카르본산의 함유에 의해 투명성이나 접착성이 양호해진다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 35질량% 이하임으로써, 실용적인 내열성이 유지된다.In the ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic copolymer which is the base polymer of the ionomer, the content ratio of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is preferably from 1% by mass to 35% by mass, more preferably from 5% by mass or more More preferably 25 mass% or less, and particularly preferably 10 mass% or more and 20 mass% or less. When the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is 1% by mass or more, it means that the constituent unit is positively contained, and the incorporation of the unsaturated carboxylic acid makes the transparency and the adhesion good. When the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is 35 mass% or less, practical heat resistance is maintained.

또한, 에틸렌으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율로서는 99질량% 이상 65질량% 이하의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 90질량% 이상 80질량% 이하의 범위이다.The content of the constituent unit derived from ethylene is preferably from 99% by mass to 65% by mass, and more preferably from 90% by mass to 80% by mass.

에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 무수말레산, 말레산 모노에스테르 등을 들 수 있고, 특히, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.Examples of the unsaturated carboxylic acid constituting the ethylene-unsaturated carboxylic acid binary copolymer include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, maleic anhydride, and maleic acid monoester. Particularly, Krylic acid is preferred.

아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 2원 공중합체 중의 카르복실기를 중화하는 금속 이온으로서는, 예를 들면 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온 등의 알칼리 금속 이온;마그네슘 이온, 칼슘 이온, 아연 이온, 알루미늄 이온 등의 다가 금속의 이온 등을 들 수 있다.Examples of the metal ion for neutralizing the carboxyl group in the bidentate copolymer which is the base polymer of the ionomer include alkali metal ions such as lithium ion, sodium ion and potassium ion; and metal ions such as magnesium ion, calcium ion, zinc ion, Ions of polyvalent metals, and the like.

이들 중에서도, 마그네슘 이온 또는 아연 이온이 보다 바람직하다. 이러한 금속 이온은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 아이오노머는 2원 공중합체 중의 카르복실기의 100% 이하의 범위에서 상기 금속 이온에 의해 중화되고, 그 중화도는 90% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20% 이상 85% 이하의 범위이다.Among them, a magnesium ion or a zinc ion is more preferable. These metal ions may be used alone or in combination of two or more. The ionomer is neutralized by the metal ion in the range of 100% or less of the carboxyl group in the binary copolymer, and the degree of neutralization thereof is preferably 90% or less, and more preferably 20% or more and 85% or less.

마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다. 공중합체에 있어서는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체가 바람직하다.The magnesium ionomer is preferably a magnesium ionomer in which at least a part of the ethylene · (meth) acrylic acid copolymer is neutralized with magnesium. The copolymer may be either a block copolymer, a random copolymer or a graft copolymer, but a bicyclic random copolymer is preferable in view of transparency.

상기 아이오노머 수지 중 적합한 마그네슘 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 마그네슘 이온으로 중화한 것이다. 마그네슘 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.A suitable magnesium ionomer in the ionomer resin is a copolymer based on a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid synthesized by a high-pressure radical polymerization method and has a copolymerization ratio of (meth) acrylic acid exceeding 10 mass% to 30 mass% , Which is neutralized with magnesium ion. The neutralization degree by the magnesium ion is in the range of more than 0% to 60%, and the expansion and breaking performance are excellent in this range. The degree of neutralization is preferably in the range of 10% or more and 60% or less, and if it is within this range, the transparency is excellent. More preferably, the degree of neutralization is in the range of 10% or more and 40% or less. When the degree of neutralization is within this range, the balance of expandability, segmentation property and transparency is excellent.

그 중에서도, 마그네슘 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.Among them, the copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the magnesium ionomer is preferably 10% by mass to 20% by mass, more preferably 10% by mass to 20% by mass, Or less.

아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다. 공중합체는, 상기 마그네슘 아이오노머와 동일하게, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체가 바람직하다.The zinc ionomer is preferably a zinc ionomer in which at least a part of the ethylene / (meth) acrylic acid copolymer is neutralized with zinc. The copolymer may be either a block copolymer, a random copolymer or a graft copolymer in the same manner as the magnesium ionomer, but a bicyclic random copolymer is preferable in view of transparency.

적합한 아연 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 아연 이온으로 중화한 것이다. 아연 이온에 의한 중화도는 0% 초과 90%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 90% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다.Suitable zinc ionomers are those based on a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid synthesized by high-pressure radical polymerization and have a copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the range of more than 10 mass% to 30 mass% It is neutralized with zinc ion. The neutralization degree by the zinc ion is in the range of more than 0% to 90%, and in this range, it is excellent in expansion and division. The degree of neutralization is preferably in the range of 10% or more and 90% or less. When the degree of neutralization is within this range, the transparency is excellent.

그 중에서도, 아연 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.Among them, the copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the zinc ionomer is preferably from 10% by mass to 20% by mass, more preferably from 10% by mass to 20% by mass, from the viewpoint of excellent balance among expandability, moldability, Or less.

점착층과 접하는 층(X)을 형성하는 아이오노머로서는, 입수가 용이한 점에서 에틸렌·아크릴산 공중합체의 마그네슘(Mg) 아이오노머 또는 아연(Zn) 아이오노머, 및 에틸렌·메타크릴산 공중합체의 마그네슘(Mg) 아이오노머 또는 아연(Zn) 아이오노머가 바람직하다.As the ionomer forming the layer (X) in contact with the adhesive layer, a magnesium (Mg) ionomer or a zinc (Zn) ionomer of an ethylene / acrylic acid copolymer and an ethylene / methacrylic acid copolymer A magnesium (Mg) ionomer or a zinc (Zn) ionomer is preferable.

상기 점착층과 접하는 층(X)의 두께로서는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 이 두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 점착층과 접하는 층(X)의 바람직한 두께는 15㎛ 이상 80㎛ 이하이다.The thickness of the layer (X) in contact with the adhesive layer is preferably in the range of 10 mu m or more and 100 mu m or less. The fact that the thickness is within the above range indicates that it is suitable for machining by the stealth dicing (division processing, particularly holding of initial stress). The preferable thickness of the layer (X) in contact with the adhesive layer is 15 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less.

점착층과 접하는 층(X)의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 있어서의 두께의 비율로서는, 필름 기재로서의 안정 생산의 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 10% 이상인 것이 바람직하다. 제 1 층(Y)의 두께의 비율은, 분단성과 확장성의 밸런스를 도모하는 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 20% 이상인 것이 바람직하다.The ratio of the thickness of the layer (X) in contact with the adhesive layer to the film substrate for stealth dicing is preferably 10% or more of the thickness of the entire film substrate from the standpoint of stable production as a film substrate. The ratio of the thickness of the first layer (Y) is preferably 20% or more of the thickness of the entire film substrate from the viewpoint of balance between division and expandability.

[제 1 층(Y)][First layer (Y)]

기재(11)의 중층 구조를 구성하는 층(11Y)(제 1 층(Y))은, 상기 점착층과 접하는 층(X)과 후술하는 층(11Z)(제 2 층(Z))의 사이에 설치되는 중간층(도 2의 부호 11Y)으로서, 혹은 상기 점착층과 접하는 층(X)에 대하여 층(11Z)(제 2 층(Z))을 개재하여 설치되는 내층(도 2의 부호 11Y)으로서 배치되어 있는 것이 바람직하다.The layer 11Y (first layer Y) constituting the middle layer structure of the base 11 is formed between the layer X in contact with the adhesive layer and a layer 11Z (second layer Z) (Reference numeral 11Y in Fig. 2) provided via the layer 11Z (second layer (Z)) with respect to the layer (X) in contact with the adhesive layer, As shown in Fig.

제 1 층(Y)은 수지 B를 포함한다. 상기 수지 B의 굽힘 강성률로서는 5MPa 이상 350MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수지 B의 굽힘 강성률이 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 그 중에서도, 수지 B의 굽힘 강성률은, 확장성의 점에서 5MPa 이상 330MPa 이하가 보다 바람직하고, 10MPa 이상 270MPa 이하가 보다 바람직하다.The first layer (Y) comprises a resin (B). The bending rigidity of the resin B is preferably in the range of 5 MPa or more and 350 MPa or less. The fact that the flexural rigidity of the resin B is within the above range indicates that it is suitable for machining by the stealth dicing (division processing, particularly holding of the initial stress). Among them, the bending rigidity of the resin B is more preferably 5 MPa or more and 330 MPa or less, and more preferably 10 MPa or more and 270 MPa or less, from the viewpoint of expandability.

제 1 층(Y)에 포함되는 수지 B로서는 열가소성 수지가 바람직하고, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 2원 공중합체 등이 적합하게 이용된다.The resin B contained in the first layer (Y) is preferably a thermoplastic resin, and examples thereof include low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene- An ethylene / unsaturated carboxylic acid terpolymer and its ionomer, an ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid terpolymer and its ionomer, and an ethylene / unsaturated carboxylic acid ester terpolymer. do.

상기 수지 B의 예 중, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머는, 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상 35질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 5질량% 이상 25질량% 이하의 범위가 보다 바람직하며, 특히 바람직하게는 10질량% 이상 20질량% 이하의 범위이다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상인 것은, 이 구성단위를 적극적으로 포함함을 의미하고, 불포화카르본산의 함유에 의해 투명성이나 금속 접착성이 양호해진다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 35질량% 이하임으로써, 실용적인 내열성이 유지된다.In the examples of the resin B, the ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic acid copolymer and its ionomer, and the ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid ester terpolymer and the ionomer thereof, Is preferably in the range of 1 mass% to 35 mass%, more preferably in the range of 5 mass% or more and 25 mass% or less, and particularly preferably in the range of 10 mass% or more and 20 mass% or less. When the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is 1% by mass or more, it means that the constituent unit is positively contained, and the inclusion of the unsaturated carboxylic acid makes the transparency and the metal adhesion good. When the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is 35 mass% or less, practical heat resistance is maintained.

또한, 에틸렌으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율로서는 99질량% 이상 65질량% 이하의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 90질량% 이상 80질량% 이하의 범위이다.The content of the constituent unit derived from ethylene is preferably from 99% by mass to 65% by mass, and more preferably from 90% by mass to 80% by mass.

상기 2원 공중합체 또는 상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 무수말레산, 말레산 모노에스테르 등을 들 수 있고, 특히, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.Examples of the unsaturated carboxylic acid constituting the binary copolymer or the ternary copolymer include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, maleic anhydride, maleic acid monoester and the like, Or methacrylic acid is preferable.

상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산 에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메타)아크릴산 알킬에스테르(알킬 부위의 바람직한 탄소수는 1∼4)가 보다 바람직하다.Examples of the unsaturated carboxylic acid ester constituting the terpolymer include methyl acrylate, ethyl acrylate, isobutyl acrylate, n-butyl acrylate, isooctyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isobutyl methacrylate (Meth) acrylic acid alkyl esters such as butyl, dimethyl maleate, and diethyl maleate. Among them, the alkyl (meth) acrylate (the number of carbon atoms in the alkyl moiety is preferably 1 to 4) is more preferable.

아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 2원 공중합체 또는 3원 공중합체 중의 카르복실기를 중화하는 금속 이온으로서는 마그네슘, 아연, 나트륨, 칼륨 등이 바람직하고, 그 중에서도 마그네슘 및 아연이 보다 바람직하다. 아이오노머는 2원 공중합체 중의 카르복실기의 100% 이하의 범위에서 상기 금속 이온에 의해 중화되고, 그 중화도는 90% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20% 이상 85% 이하의 범위이다.As the metal ion for neutralizing the carboxyl group in the bidentate copolymer or ternary copolymer which becomes the base polymer of the ionomer, magnesium, zinc, sodium, potassium and the like are preferable, and magnesium and zinc are more preferable. The ionomer is neutralized by the metal ion in the range of 100% or less of the carboxyl group in the binary copolymer, and the degree of neutralization thereof is preferably 90% or less, and more preferably 20% or more and 85% or less.

마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다. 공중합체에 있어서는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체를 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.Examples of the magnesium ionomer include an ethylene · (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer, or an ethylene · (meth) acrylic acid · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer at least a part of which is magnesium- Ionomers are preferred. The copolymer may be any of a block copolymer, a random copolymer and a graft copolymer. However, in view of transparency, a graft copolymer of a 2-membered random copolymer, a 3-membered random copolymer, a 2-membered random copolymer, It is preferable to use a graft copolymer of a random copolymer, more preferably a binary random copolymer or a 3-membered random copolymer.

상기 아이오노머 수지 중 적합한 마그네슘 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 마그네슘 이온으로 중화한 것이다. 마그네슘 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.A suitable magnesium ionomer in the ionomer resin is a copolymer based on a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid synthesized by a high-pressure radical polymerization method and has a copolymerization ratio of (meth) acrylic acid exceeding 10 mass% to 30 mass% , Which is neutralized with magnesium ion. The neutralization degree by the magnesium ion is in the range of more than 0% to 60%, and the expansion and breaking performance are excellent in this range. The degree of neutralization is preferably in the range of 10% or more and 60% or less, and if it is within this range, the transparency is excellent. More preferably, the degree of neutralization is in the range of 10% or more and 40% or less. When the degree of neutralization is within this range, the balance of expandability, segmentation property and transparency is excellent.

그 중에서도, 마그네슘 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.Among them, the copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the magnesium ionomer is preferably 10% by mass to 20% by mass, more preferably 10% by mass to 20% by mass, Or less.

아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다. 공중합체는, 상기 마그네슘 아이오노머와 동일하게, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체또는 3원 랜덤 공중합체이다.Examples of the zinc ionomer include an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer or an ethylene / (meth) acrylic acid / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer at least part of which is zinc- Ionomers are preferred. The copolymer may be either a block copolymer, a random copolymer or a graft copolymer in the same manner as the magnesium ionomer, but in consideration of transparency, a bidentate random copolymer, a ternary random copolymer, a bidentate random copolymer Of a graft copolymer or a ternary random copolymer, and more preferably a bivalent random copolymer or a ternary random copolymer.

적합한 아연 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 아연 이온으로 중화한 것이다. 아연 이온에 의한 중화도는 0% 초과 90%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 90% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다.Suitable zinc ionomers are those based on a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid synthesized by high-pressure radical polymerization and have a copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the range of more than 10 mass% to 30 mass% It is neutralized with zinc ion. The neutralization degree by the zinc ion is in the range of more than 0% to 90%, and in this range, it is excellent in expansion and division. The degree of neutralization is preferably in the range of 10% or more and 90% or less. When the degree of neutralization is within this range, the transparency is excellent.

그 중에서도, 아연 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.Among them, the copolymerization ratio of (meth) acrylic acid in the zinc ionomer is preferably from 10% by mass to 20% by mass, more preferably from 10% by mass to 20% by mass, from the viewpoint of excellent balance among expandability, moldability, Or less.

상기 수지 B의 예 중, 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 공중합체는 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체가 바람직하다.In the examples of the resin B, the ethylene / unsaturated carboxylic acid ester copolymer is preferably an ethylene · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer.

에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체를 구성하는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등을 적합하게 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester constituting the ethylene / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer include methyl acrylate, ethyl acrylate, isobutyl acrylate, n-butyl acrylate, isooctyl acrylate, methyl methacrylate, methacryl Isobutyl methacrylate, dimethyl maleate, diethyl maleate, and the like are suitably used.

본 발명에 있어서는, 바람직한 양태의 하나는 제 1 층(Y)이, 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치된 양태이다. 다른 바람직한 양태의 하나는 제 2 층(Z)이, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치된 양태이다.In the present invention, one preferred embodiment is a mode in which the first layer (Y) is provided as an intermediate layer disposed between the layer (X) in contact with the adhesive layer and the second layer (Z). In another preferred embodiment, the second layer (Z) is provided as an intermediate layer disposed between the layer (X) in contact with the adhesive layer and the first layer (Y).

제 1 층(Y)이, 중층 구조를 구성하는 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치되는 경우, 점착층과 접하는 층(X) 및 제 2 층(Z)에 대하여 비교적 부드러운 층으로 구성하고, 필름 기재로서의 응력(특히 초기 응력)을 완화하여, 확장 기능을 갖게 하는 관점에서, 제 1 층(Y)에 포함되는 수지 B로서는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머가 바람직하다.When the first layer (Y) is provided as an intermediate layer disposed between the layer (X) and the second layer (Z) in contact with the adhesive layer constituting the middle layer structure, the layer (X) As the resin B contained in the first layer (Y), for example, from the viewpoint of forming a relatively soft layer with respect to the layer (Z) and relaxing the stress (particularly the initial stress) A low-density polyethylene (LDPE), a linear low-density polyethylene (LLDPE), an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene-unsaturated carboxylic acid bidentate copolymer and an ionomer thereof, And a tertiary / unsaturated carboxylic ester terpolymer and an ionomer thereof are preferable.

또한, 제 2 층(Z)이, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치되는 경우, 필름 기재로서의 응력(특히 초기 응력)을 완화하고, 확장 기능을 갖게 하며, 확장시에 층(Y)과 접하는 확장 스테이지와의 미끄럼성이나 내블로킹성을 갖게 하는 관점에서, 제 2 층(Z)에 포함되는 수지 C로서는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머가 바람직하다.When the second layer (Z) is provided as an intermediate layer disposed between the layer (X) in contact with the adhesive layer and the first layer (Y), stress (particularly initial stress) As the resin C contained in the second layer Z, for example, a low density polyethylene (low density polyethylene) (low density polyethylene) may be used as the resin C contained in the second layer Z from the viewpoint of providing slipperiness and anti- -density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene-unsaturated carboxylic acid binary copolymer and its ionomer, and ethylene-unsaturated carboxylic acid-unsaturated carboxylic ester terpolymer And an ionomer thereof are preferable.

상기 제 1 층(Y)의 두께로서는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 이 두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 제 1 층(Y)의 바람직한 두께는 15㎛ 이상 80㎛ 이하이다.The thickness of the first layer (Y) is preferably in the range of 10 占 퐉 to 100 占 퐉. The fact that the thickness is within the above range indicates that it is suitable for machining by the stealth dicing (division processing, particularly holding of initial stress). A preferable thickness of the first layer (Y) is 15 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less.

제 1 층(Y)의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 있어서의 두께의 비율로서는, 필름 기재로서의 안정 생산의 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 10% 이상인 것이 바람직하다. 제 1 층(Y)의 두께의 비율은, 분단성과 확장성의 밸런스를 도모하는 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 20% 이상인 것이 바람직하다.The ratio of the thickness of the first layer (Y) to the thickness of the film substrate for stealth dicing is preferably 10% or more of the thickness of the entire film substrate from the standpoint of stable production as a film substrate. The ratio of the thickness of the first layer (Y) is preferably 20% or more of the thickness of the entire film substrate from the viewpoint of balance between division and expandability.

[제 2 층(Z)][Second layer (Z)]

기재(11)의 중층 구조를 구성하는 층(11Z)(제 2 층(Z))은, 상기 점착층과 접하는 층(X)에 대하여 층(11Y)(제 1 층(Y))을 개재하여 설치되는 내층(도 2의 부호 11Z)으로서, 혹은 상기 점착층과 접하는 층(X)과 상기 층(11Y)(제 1 층(Y))의 사이에 설치되는 중간층(도 2의 부호 11Z)으로서 배치된다.The layer 11Z (the second layer Z) constituting the middle layer structure of the base 11 is bonded to the layer X in contact with the adhesive layer via the layer 11Y (first layer Y) (Reference numeral 11Z in Fig. 2) provided between the layer (X) in contact with the adhesive layer and the layer 11Y (first layer (Y)) as an inner layer .

제 2 층(Z)은 수지 C를 포함한다. 상기 수지 C의 굽힘 강성률로서는 50MPa 이상 350MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수지 C의 굽힘 강성률이 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 그 중에서도, 수지 C의 굽힘 강성률은, 웨이퍼 분단성의 점에서 50MPa 이상 330MPa 이하가 보다 바람직하고, 70MPa 이상 330MPa 이하가 더 바람직하다.The second layer (Z) comprises resin C. The flexural rigidity of the resin C is preferably in the range of 50 MPa or more and 350 MPa or less. The fact that the flexural rigidity of the resin C is within the above range indicates that it is suitable for machining by the stealth dicing (division processing, especially holding of the initial stress). Among them, the flexural rigidity of the resin C is preferably 50 MPa or more and 330 MPa or less, more preferably 70 MPa or more and 330 MPa or less, from the standpoint of wafer separation.

제 2 층(Z)에 포함되는 수지 C로서는 열가소성 수지가 바람직하고, 예를 들면 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머가 적합하게 이용된다.The resin C contained in the second layer (Z) is preferably a thermoplastic resin, and examples thereof include an ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic acid copolymer and its ionomer, and an ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid ester terpolymer And an ionomer thereof are suitably used.

상기 수지 C의 예 중, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머는, 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상 35질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5질량% 이상 20질량% 이하의 범위이다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상인 것은, 이 구성단위를 적극적으로 포함함을 의미하고, 불포화카르본산의 함유에 의해 투명성이나 금속 접착성이 양호해진다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 35질량% 이하임으로써, 실용적인 내열성이 유지된다.In the examples of the resin C, the ethylene / unsaturated carboxylic acid dicarboxylic acid copolymer and its ionomer, and the ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid ester terpolymer and the ionomer thereof, Is preferably in the range of 1 mass% to 35 mass%, more preferably in the range of 5 mass% or more and 20 mass% or less. When the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is 1% by mass or more, it means that the constituent unit is positively contained, and the inclusion of the unsaturated carboxylic acid makes the transparency and the metal adhesion good. When the content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid is 35 mass% or less, practical heat resistance is maintained.

또한, 에틸렌으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율로서는 99질량% 이상 65질량% 이하의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 95질량% 이상 80질량% 이하의 범위이다.The content of the constituent unit derived from ethylene is preferably from 99 mass% to 65 mass%, more preferably from 95 mass% to 80 mass%.

상기 2원 공중합체 또는 상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산, 및 상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산 에스테르의 상세에 대해서는, 이미 서술한 제 1 층(Y)에 있어서의 2원 공중합체 또는 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산, 및 불포화카르본산 에스테르와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.The details of the unsaturated carboxylic acid constituting the binary copolymer or the ternary copolymer and the unsaturated carboxylic acid ester constituting the ternary copolymer are the same as those of the 2-membered And the unsaturated carboxylic acid constituting the copolymer or the terpolymer, and the unsaturated carboxylic acid ester, and the preferred embodiments are also the same.

아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 2원 공중합체 중의 카르복실기를 중화하는 금속 이온으로서는, 예를 들면 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온 등의 알칼리 금속 이온;마그네슘 이온, 칼슘 이온, 아연 이온, 알루미늄 이온 등의 다가 금속의 이온 등을 들 수 있다.Examples of the metal ion for neutralizing the carboxyl group in the bidentate copolymer which is the base polymer of the ionomer include alkali metal ions such as lithium ion, sodium ion and potassium ion; and metal ions such as magnesium ion, calcium ion, zinc ion, Ions of polyvalent metals, and the like.

이들 중에서도, 마그네슘 이온 또는 아연 이온이 보다 바람직하다. 이러한 금속 이온은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 아이오노머는 2원 공중합체 중의 카르복실기의 100% 이하의 범위에서 상기 금속 이온에 의해 중화되고, 그 중화도는 90% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20% 이상 85% 이하의 범위이다.Among them, a magnesium ion or a zinc ion is more preferable. These metal ions may be used alone or in combination of two or more. The ionomer is neutralized by the metal ion in the range of 100% or less of the carboxyl group in the binary copolymer, and the degree of neutralization thereof is preferably 90% or less, and more preferably 20% or more and 85% or less.

상기 중, 마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다.As the magnesium ionomer, at least a part of the ethylene · (meth) acrylic acid copolymer, the ethylene · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer or the ethylene · (meth) acrylic acid · (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer is neutralized with magnesium Magnesium ionomers are preferred.

아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다.Examples of the zinc ionomer include an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer or an ethylene / (meth) acrylic acid / (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer at least part of which is zinc- Ionomers are preferred.

이러한 마그네슘 아이오노머, 아연 아이오노머의 상세에 대해서는, 이미 서술한 제 1 층(Y)의 항목에서 설명한 마그네슘 아이오노머 및 아연 아이오노머와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.Details of the magnesium ionomer and zinc ionomer are the same as those of the magnesium ionomer and the zinc ionomer described in the above-mentioned first layer (Y), and preferred embodiments are also the same.

상기 제 2 층(Z)의 두께로서는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 이 두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 제 2 층(Z)의 바람직한 두께는 15㎛ 이상 80㎛ 이하이다.The thickness of the second layer (Z) is preferably in the range of 10 μm or more and 100 μm or less. The fact that the thickness is within the above range indicates that it is suitable for machining by the stealth dicing (division processing, particularly holding of initial stress). The preferable thickness of the second layer (Z) is 15 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less.

제 2 층(Z)의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 있어서의 두께의 비율로서는, 필름 기재로서의 안정 생산의 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 10% 이상인 것이 바람직하다. 제 2 층(Z)의 두께의 비율은, 분단성과 확장성의 밸런스를 도모하는 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 20% 이상인 것이 바람직하다.The ratio of the thickness of the second layer (Z) to the thickness of the film substrate for stealth dicing is preferably 10% or more of the total thickness of the film substrate from the standpoint of stable production as a film substrate. It is preferable that the ratio of the thickness of the second layer (Z) is 20% or more of the thickness of the entire film substrate from the viewpoint of balance between division and expandability.

본 발명에 있어서는, 상기 점착층과 접하는 층(X)에 포함되는 수지 A의 굽힘 강성률 또는 상기 층(Z)에 포함되는 수지 C의 굽힘 강성률의 각각으로부터 층(Y)에 포함되는 수지 B의 굽힘 강성률을 뺀 차의 절대값(|수지 A의 굽힘 강성률－수지 B의 굽힘 강성률|, 또는 |수지 C의 굽힘 강성률－수지 B의 굽힘 강성률|)이 큰 쪽의 값이, 50MPa 이상 345MPa 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 「||」의 기호는 절대값을 나타낸다.In the present invention, the bending rigidity of the resin B included in the layer (Y) from the bending rigidity of the resin A contained in the layer (X) in contact with the adhesive layer or the bending rigidity of the resin C contained in the layer The value of the larger value of the difference (| the flexural rigidity of the resin A - the flexural rigidity of the resin B | or the flexural rigidity of the resin C - the flexural rigidity of the resin B |) of the difference obtained by subtracting the stiffness is in the range of 50 MPa or more and 345 MPa or less It is preferable that it is mine. The symbol &quot; || &quot; indicates an absolute value.

상기 값이 50MPa 이상이면, X의 강도가 낮은 경우라도 웨이퍼 분단성이 보다 우수하고, 또한 X의 강도가 높은 경우라도 확장성이 보다 우수하다. 또한, 상기 값이 345MPa 이하이면, 점착층과 접하는 층(X)의 강도(굽힘 강성률)를 분단성에 양호한 정도로 완화할 수 있는 점에서 유리하다.When the value is 50 MPa or more, even when the strength of X is low, the wafer is more easily divided, and even when the strength of X is high, the expandability is better. Further, when the value is 345 MPa or less, it is advantageous in that the strength (flexural rigidity) of the layer (X) in contact with the adhesive layer can be relaxed to a good degree of parting property.

그 중에서도, 상기 동일한 이유에서, 상기 차의 절대값이 큰 쪽의 값은 50MPa 이상 330MPa 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.Among the above, for the same reason as described above, it is more preferable that the value having the larger absolute value of the difference is in the range of 50 MPa or more and 330 MPa or less.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 스텔스 다이싱에 의한 웨이퍼의 분단성이 보다 우수한 점에서, 점착층과 접하는 층(X)의 두께가 15㎛ 이상 80㎛ 이하이고, 상기 층(Y)의 두께가 15㎛ 이상 80㎛ 이하이며, 상기 층(Z)의 두께가 15㎛ 이상 80㎛ 이하인 양태가 바람직하다.The film substrate for stealth dicing according to the present invention is characterized in that the thickness of the layer (X) in contact with the adhesive layer is 15 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less in that the wafer is more easily divided by stealth dicing, A thickness of 15 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less, and a thickness of the layer (Z) of 15 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조, 또는 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 순서대로 중층된 중층 구조를 포함하고, 상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A의 굽힘 강성률이 180MPa 이상 350MPa 이하이며, 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B의 굽힘 강성률이 10MPa 이상 270MPa 이하이며, 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C의 굽힘 강성률이 70MPa 이상 330MPa 이하인 양태가 바람직하다.The film substrate for stealth dicing according to the present invention comprises a layer (X) in contact with an adhesive layer, a middle layer structure in which a first layer (Y) and a second layer (Z) Layer structure in which a second layer (Z) and a first layer (Y) are layered in order, wherein the layer (X) in contact with the adhesive layer comprises a resin A and the bending rigidity of the resin A is not less than 180 MPa and not more than 350 MPa , The first layer (Y) comprises a resin (B), the bending rigidity of the resin (B) is not less than 10 MPa and not more than 270 MPa, the second layer (Z) comprises a resin (C) Is preferably 70 MPa or more and 330 MPa or less.

또한, 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조를 포함하고, 상기 점착층과 접하는 층(X)에 포함되는 수지 A가 에틸렌·아크릴산 공중합체의 Zn 아이오노머 또는 Mg 아이오노머, 에틸렌·메타크릴산 공중합체의 Zn 아이오노머 또는 Mg 아이오노머이며, 상기 제 1 층(Y)에 포함되는 수지 B가 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 2원 공중합체 및 그 Zn 아이오노머, 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산(바람직하게는 탄소수 1∼4의)알킬에스테르 3원 공중합체 및 그 Zn 아이오노머이고, 상기 제 2 층(Z)에 포함되는 수지 C가 에틸렌·(메타)아크릴산 2원 공중합체 및 그 Zn 아이오노머 및 Mg 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머인 양태가 바람직하다.Further, the film substrate for stealth dicing according to the present invention comprises a middle layer structure in which a layer (X) in contact with an adhesive layer, a first layer (Y) and a second layer (Z) are sequentially layered, The resin (A) contained in the layer (X) is a Zn ionomer or Mg ionomer of an ethylene / acrylic acid copolymer, a Zn ionomer or an Mg ionomer of an ethylene / methacrylic acid copolymer, Resin B is a low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene vinyl acetate copolymer, an ethylene / (meth) acrylic acid terpolymer and its Zn ionomer , An alkyl ester ternary copolymer of ethylene, (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid (preferably having 1 to 4 carbon atoms) and its Zn ionomer, and the resin C contained in the second layer (Z) (Meth) acrylic acid binary copolymer and a A Zn ionomer and a Mg ionomer, and an ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic ester terpolymer and an ionomer thereof are preferable.

스텔스 다이싱용 필름 기재를 구성하는 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)(또는 층(Y))과 제 1 층(Y)(또는 층(Z))의 층 두께(㎛)의 비율(X/Z/Y(또는 X/Y/Z))로서는, 층(X)의 비율이 10% 이상 80% 이하이고, 층(Y)의 비율이 10% 이상 70% 이하이며, 층(Z)의 비율이 10% 이상 80% 이하인 것이 바람직하다. 각 층 두께의 비율은 합계가 100%가 되도록 선택한다. 비율[%]은 「각 층의 두께/총두께×100」으로부터 구할 수 있다.(탆) of the layer (X) and the second layer (Z) (or the layer (Y)) and the first layer (Y) (or the layer (Z)) in contact with the adhesive layer constituting the film substrate for stealth dicing (X) is 10% or more and 80% or less, the ratio of the layer (Y) is 10% or more and 70% or less, and the ratio of the layer (X) (Z) is preferably 10% or more and 80% or less. The ratio of each layer thickness is selected so that the total is 100%. The ratio [%] can be obtained from "thickness of each layer / total thickness × 100".

∼물성∼~ Properties ~

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 헤이즈는, 분단성을 높이는 점에서 레이저광의 투과를 저해하지 않도록 작을수록 바람직하다. 구체적으로는, 헤이즈는 10 이하로 한다. 헤이즈가 10 이하인 것은, 레이저광을 이용한 스텔스 다이싱에 의한 가공에 적합한 투명성을 가지고 있음을 나타낸다. 그 중에서도, 헤이즈는 9.0 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 8.0 이하이다.The haze of the film substrate for stealth dicing according to the present invention is preferably as small as possible so as not to impede the transmission of the laser light from the standpoint of enhancing the separability. Specifically, the haze is set to 10 or less. A haze value of 10 or less indicates that it has transparency suitable for processing by stealth dicing using laser light. Among them, the haze is preferably 9.0 or less, and more preferably 8.0 or less.

헤이즈는, 헤이즈 미터를 이용하여 JIS K 7136에 따라 측정되는 값이다.The haze is a value measured according to JIS K 7136 using a haze meter.

또한, 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 전체 광선 투과율은, 스텔스 다이싱 공정에 있어서의 카메라를 사용한 조사 위치 정밀도를 높이는 점에서 90% 이상으로 한다. 전체 광선 투과율이 90% 이상인 것은, 레이저광을 이용한 스텔스 다이싱에 의한 가공에 적합한 광 투과성을 갖추고 있음을 나타낸다. 전체 광선 투과율은 HM-150형((주)무라카미시키사이겐큐죠제)을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, JIS K 7361에 준거하여 측정되는 값이다.Further, the total light transmittance of the stealth dicing film substrate of the present invention is set to 90% or more in order to improve the irradiation position accuracy using the camera in the stealth dicing step. The total light transmittance of 90% or more indicates that the light transmittance is suitable for machining by stealth dicing using laser light. The total light transmittance is a value measured in accordance with JIS K 7361 under an atmosphere of 23 占 폚 and 50% relative humidity using an HM-150 type (Murakami Shikisai Chemical Co., Ltd.).

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 초기 응력은 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위로 하고, 바람직한 하한치는 10MPa를 초과하는 범위이다. 또한, 초기 응력은 10MPa 이상 17MPa 미만인 것이 보다 바람직하다. 초기 응력이 9MPa 미만이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력을 유지할 수 없어, 웨이퍼의 분할을 양호하게 행할 수 없다. 또한, 초기 응력이 19MPa를 초과하면, 확장률이 악화되어, 균일하게 분단할 수 없는 등, 분단성이 떨어진다.The initial stress of the film substrate for stealth dicing of the present invention is in the range of 9 MPa to 19 MPa, and the lower limit is preferably in the range exceeding 10 MPa. The initial stress is more preferably 10 MPa or more and less than 17 MPa. If the initial stress is less than 9 MPa, the external stress at the time of dividing the wafer can not be maintained, and the wafer can not be divided satisfactorily. In addition, when the initial stress exceeds 19 MPa, the expansion rate is deteriorated and the uniformity of division can not be achieved.

본 발명에 있어서의 초기 응력은, JIS K 7127에 준거하고, 스텔스 다이싱용 필름 기재의 MD방향 및 TD방향에 대하여, 시험 속도:500mm/s, 시험편:폭 10mm×길이 200mm, 척 사이:100mm의 조건하에서, 시험편이 6% 신장했을 때에 측정되는 응력으로서 얻어지며, MD 및 TD의 측정치의 평균으로 평가한다.The initial stress in the present invention was measured in accordance with JIS K 7127 with respect to the MD direction and the TD direction of the stealth dicing film substrate at a test speed of 500 mm / s, a test piece of 10 mm width x 200 mm length, Under the conditions, the test piece is obtained as the stress measured when it is stretched 6%, and it is evaluated by the average of the measured values of MD and TD.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 확장률은 102% 이상 120% 이하로 하고, 바람직하게는 104% 이상 120% 이하이며, 보다 바람직하게는 104% 이상 110% 이하이다. 확장률이 상기 범위의 하한치(102%) 미만이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력을 유지할 수 없어, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 없다. 확장률이 상기 범위의 상한치(120%)를 초과하는 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 초기 응력 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위에서 현실적으로 존재할 수 없다.The expansion rate of the stealth dicing film base material of the present invention is 102% or more and 120% or less, preferably 104% or more and 120% or less, and more preferably 104% or more and 110% or less. If the expansion ratio is less than the lower limit (102%) of the above range, the external stress at the time of dividing the wafer can not be maintained and the wafer can not be divided well. The film substrate for stealth dicing in which the expansion ratio exceeds the upper limit (120%) of the above range can not exist in the range of the initial stress of 9 MPa or more and 19 MPa or less.

확장률은 이하의 방법에 의해 측정되는 값이다.The expansion ratio is a value measured by the following method.

즉, 제작한 스텔스 다이싱용 필름 기재로부터 세로(MD)방향 300mm이상×가로(TD)방향 300mm이상의 4각형의 시료편을 잘라낸다. 이 시료편에 141mm 모서리(角)의 정방형을 유성펜 등의 필기 용구로 그린 측정 대상 1을 작성하고, 이 측정 대상 1을, 스테이지 중심과 측정 대상 1에 그린 정방형의 중심이 맞도록, 8인치 웨이퍼용의 웨이퍼 확장 장치(테크노비전사제의 웨이퍼 확장 장치 TEX-218G GR-8)에 세팅한다. 이어서, 스테이지를 15mm 끌어올려, 스텔스 다이싱용 필름을 확장한 후 60초간 정치(靜置)하고, 측정 대상 1의 정방형의 각 변의 길이(변 길이)를 측정한다. 얻어지는 변 길이 4점에 대하여, 각각 신장률(%;＝확장 후의 변 길이/확장 전의 변 길이×100)을 계산하고, 그 평균치를 구한다.That is, a sample piece of quadrangular shape at least 300 mm in the longitudinal (MD) direction and 300 mm in the lateral (TD) direction is cut out from the produced stealth dicing film base material. An object to be measured 1 having a square of 141 mm square formed by a writing instrument such as a stationary pen was prepared on the sample piece and the object 1 to be measured was placed on an 8 inch wafer (TEX-218G GR-8, a wafer extender manufactured by Techno Vision, Japan). Subsequently, the stage is pulled up by 15 mm, the stealth dicing film is expanded, and the film is allowed to stand for 60 seconds, and the length (side length) of each side of the square of the measurement target 1 is measured. (= (Length of side after expansion / length of side before extension) × 100) is calculated for each of four obtained side lengths, and the average value is obtained.

기재(11)의 두께로서는 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이다. 기재의 총두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 적합한 기재의 두께임을 나타낸다. 또한, 기재의 두께는, 확장성과 투명성의 관점에서 150㎛ 이하가 적합하고, 또 분단성의 관점에서 80㎛ 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the substrate 11 is in the range of 50 占 퐉 to 200 占 퐉. The fact that the total thickness of the substrate is within the above range indicates that the thickness of the substrate is suitable for stealth dicing. The thickness of the substrate is preferably 150 탆 or less from the viewpoints of expandability and transparency, and is preferably 80 탆 or more from the standpoint of separability.

또한, 기재(11)는 레이저광(L)을 산란시키지 않는 것이 바람직하고, 표면 및 이면이 평활한 것이 바람직하다. 기재(11)의 표면 및 이면은, 그 표면 거칠기(Ra)(산출 평균 거칠기)가 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the base material 11 does not scatter the laser light L, and it is preferable that the surface and the back surface are smooth. The surface and back surface of the substrate 11 preferably have a surface roughness Ra (calculated average roughness) of 1.0 탆 or less.

표면 거칠기(Ra)는, 광 간섭식의 비접촉형 표면 형상 거칠기 측정기를 사용하고, JIS B 0601-2001에 준거하여 측정되는 값이다.The surface roughness (Ra) is a value measured in accordance with JIS B 0601-2001 using a light interference type non-contact type surface roughness tester.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 표면 저항률은, 대전방지 성능의 관점에서 1.0×109Ω/sq 이상 1.0×1012Ω/sq 이하인 것이 바람직하다. 표면 저항률의 조정은, 예를 들면 일본국 특허 제4606029호에 개시되어 있는 바와 같이, 폴리에테르에스테르 성분을 포함하는 대전방지제를 첨가하는 방법이나 이온 전도성 화합물을 스텔스 다이싱용 필름 기재에 미리 첨가하는 방법 등의 공지의 방법을 이용하여 행할 수 있다.The surface resistivity of the film substrate for stealth dicing of the present invention is preferably 1.0 x 10 9 Ω / sq or more and 1.0 × 10 12 Ω / sq or less from the viewpoint of antistatic performance. The adjustment of the surface resistivity can be carried out by, for example, a method of adding an antistatic agent containing a polyether ester component as disclosed in Japanese Patent No. 4606029, a method of preliminarily adding an ion conductive compound to a substrate for stealth dicing And the like can be used.

표면 저항률은 Hiresta-UP(미쓰비시가가쿠(주)제)을 이용하고, 시험 온도 23℃, 상대습도 50%의 조건에서, 인가 전압 500V로 하여 측정되는 값이다.The surface resistivity is a value measured at an applied voltage of 500 V under the conditions of a test temperature of 23 캜 and a relative humidity of 50% using a Hiresta-UP (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.).

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 폴리에테르에스테르 성분을 포함하는 대전방지제를 포함하는 것이 바람직하다. 대전방지제의 융점은 155℃ 이상 185℃ 이하인 것이 바람직하고, 160℃ 이상 185℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 160℃ 이상 180℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 대전방지제를 포함함으로써, 필름 기재의 투명성을 손상하지 않고 대전방지성을 높일 수 있다. 대전방지제의 융점이 상기 범위 내임으로써, 대전방지제를 함유한 경우의 아이오노머 수지(특히, 아연 아이오노머 또는 마그네슘 아이오노머)의 투명성을 높게 유지할 수 있다.The film substrate for stealth dicing of the present invention preferably contains an antistatic agent containing a polyether ester component. The melting point of the antistatic agent is preferably 155 占 폚 or higher and 185 占 폚 or lower, more preferably 160 占 폚 or higher and 185 占 폚 or lower, and particularly preferably 160 占 폚 or higher and 180 占 폚 or lower. By including such an antistatic agent, the antistatic property can be improved without impairing the transparency of the film base. When the melting point of the antistatic agent is within the above range, the transparency of the ionomer resin (in particular, the zinc ionomer or the magnesium ionomer) when the antistatic agent is contained can be kept high.

융점은, 시차 주사 열량 측정(Differential scanning calorimetry;DSC)에 의해 측정 시료와 기준 물질 사이의 열량의 차를 계측하여, 나타나는 피크 파형으로부터 구할 수 있다.The melting point can be determined from the peak waveform appearing by measuring the difference in the amount of heat between the measurement sample and the reference material by differential scanning calorimetry (DSC).

상기 대전방지제로서는 저분자형 대전방지제나 고분자형 대전방지제를 들 수 있으나, 고분자형 대전방지제가 바람직하고, 고분자형 대전방지제로서는 분자 내에 술폰산염을 가지는 비닐 공중합체, 알킬술폰산염, 알킬벤젠술폰산염, 베타인 등을 들 수 있다. 또한, 폴리에테르, 폴리아미드엘라스토머, 폴리에스테르엘라스토머, 폴리에테르아미드 또는 폴리에테르에스테르아미드의 무기프로톤산의 염 등을 들 수 있다. 무기프로톤산의 염으로서는 알칼리 금속염, 알칼리토류 금속, 아연염, 또는 암모늄염을 들 수 있다.Examples of the antistatic agent include a low-molecular-weight antistatic agent and a polymer-type antistatic agent. However, a polymer-type antistatic agent is preferable, and a polymeric type antistatic agent includes a vinyl copolymer having a sulfonate in a molecule, an alkylsulfonate, Betaine, and the like. In addition, salts of inorganic protonic acids such as polyether, polyamide elastomer, polyester elastomer, polyether amide or polyether ester amide can be mentioned. Examples of salts of inorganic proton acids include alkali metal salts, alkaline earth metals, zinc salts, and ammonium salts.

폴리에테르에스테르아미드로서는, 폴리아미드 블록과 폴리옥시알킬렌글리콜 블록으로 구성되고, 이러한 블록이 에스테르 결합된 블록 공중합체를 들 수 있다.Examples of the polyetheresteramide include a block copolymer composed of a polyamide block and a polyoxyalkylene glycol block, and the block is ester-bonded.

폴리에테르에스테르아미드에 있어서의 폴리아미드 블록은, 예를 들면 디카르본산(예:초산, 숙신산, 아디핀산, 세바신산, 도데칸 2산, 테레프탈산, 이소프탈산, 1,4-시클로헥산디카르본산 등)과, 디아민(예:에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디아민, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 메틸렌비스(4-아미노시클로헥산), m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민 등)의 중축합, ε-카프로락탐, ω-도데카락탐 등의 락탐의 개환 중합, 6-아미노카프론산, 9-아미노노난산, 11-아미노운데칸산, 12-아미노도데칸산 등의 아미노카르본산의 중축합, 혹은 상기 락탐과 디카르본산과 디아민의 공중합 등에 의해 얻어지는 것이다. 이와 같은 폴리아미드 세그먼트는 나일론4, 나일론6, 나일론46, 나일론66, 나일론610, 나일론612, 나일론6T, 나일론11, 나일론12, 나일론6/66, 나일론6/12, 나일론6/610, 나일론66/12, 나일론6/66/610 등이고, 특히 나일론11, 나일론12 등이 바람직하다. 폴리아미드 블록의 분자량은, 예를 들면 400∼5000 정도이다.The polyamide block in the polyether ester amide is preferably a polyamide block in which the polyamide block is a block copolymer of a dicarboxylic acid (e.g., acetic acid, succinic acid, adipic acid, sebacic acid, dodecane diacid, terephthalic acid, isophthalic acid, Etc.) and diamines (e.g., ethylenediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, decamethylenediamine, 2,2,4-trimethylhexamethylenediamine, 2,4,4-trimethylhexamethylenediamine, (3-aminomethyl) cyclohexane, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, methylene bis (4-aminocyclohexane), m- xylylenediamine, p- Ring-opening polymerization of a lactam such as ε-caprolactam or ω-dodecaractam, condensation polymerization of aminocarboxylic acids such as 6-aminocaproic acid, 9-aminononanoic acid, 11-aminoundecanoic acid, Or by copolymerization of the lactam, dicarboxylic acid and diamine. Such polyamide segments may be nylon 4, nylon 6, nylon 46, nylon 66, nylon 610, nylon 612, nylon 6T, nylon 11, nylon 12, nylon 6/66, nylon 6/12, nylon 6/610, nylon 66 / 12, nylon 6/66/610 and the like, and particularly, nylon 11, nylon 12 and the like are preferable. The molecular weight of the polyamide block is, for example, about 400 to 5,000.

또한, 폴리에테르 블록으로서는 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시프로필렌글리콜, 폴리옥시테트라메틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌글리콜 등의 폴리옥시알킬렌글리콜 혹은 이들의 혼합물 등이 예시된다. 이들의 분자량은, 예를 들면 400∼6000 정도, 나아가서는 600∼5000 정도가 좋다.Examples of the polyether block include polyoxyalkylene glycols such as polyoxyethylene glycol, polyoxypropylene glycol, polyoxytetramethylene glycol, polyoxyethylene-polyoxypropylene glycol, and mixtures thereof. The molecular weight thereof is, for example, about 400 to 6,000, and more preferably about 600 to 5,000.

대전방지제로서는 출시되어 있는 시판품을 이용해도 되고, 구체예로서, BASF재팬사제의 IRGASTAT P-16, 동(同)P-18, 동P-20, 동P-22 등, 산요가세이고교사제의 PELESTAT 230, PELESTAT HC250, PELESTAT 300, PELESTAT 2450, PELECTRON PVH, 미츠이·듀폰폴리케미칼사제의 ENTIRA MK400, MK440, SD100 등을 들 수 있다.Specific examples of the antistatic agent may include commercially available products such as IRGASTAT P-16, P-18, P-20 and P-22 manufactured by BASF Japan, 230, PELESTAT HC250, PELESTAT 300, PELESTAT 2450, PELECTRON PVH, ENTIRA MK400, MK440, SD100 manufactured by Du Pont Polychemicals Mitsui Chemicals.

상기 대전방지제는 열가소성 수지 중에 소정량을 용융 혼합하거나, 또는 대전방지제를 드라이 블렌드하여, 이것을 용융 혼합할 수 있다.The antistatic agent may be melt-mixed in a predetermined amount in a thermoplastic resin, or dry-blended with an antistatic agent to melt-mix it.

상기 대전방지제는 필름 기재를 구성하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 어느 것에 함유되어도 되고, 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 모든 층에 함유시켜도 된다. 자외선 흡수제를 함유시키는 경우, 자외선 흡수제를 반죽하여 넣는 방법 등 상기 방법에 의해 행할 수 있다.The antistatic agent may be contained in any one of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) constituting the film base and may be contained in all layers of the layer (X) do. When the ultraviolet absorber is contained, the ultraviolet absorber may be kneaded and kneaded.

상기 대전방지제를 함유하는 경우, 상기 대전방지제의 필름 기재 중에 있어서의 함유량으로서는, 아이오노머 수지에 대하여 10질량% 초과 30질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다. 대전방지제의 함유량이 10질량%를 초과함으로써, 필름 기재의 대전방지 효과가 우수하다. 대전방지제의 함유량이 30질량% 이하임으로써, 필름 기재의 투명성이 유지된다. 대전방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 필름 기재의 표면 저항률을 1.0×109Ω/sq 이상 1.0×1012Ω/sq 이하의 범위로 적합하게 조정할 수 있다.When the antistatic agent is contained, the content of the antistatic agent in the film base is preferably 10 mass% or more and 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or more and 20 mass% or less, based on the ionomer resin. When the content of the antistatic agent exceeds 10 mass%, the antistatic effect of the film substrate is excellent. When the content of the antistatic agent is 30 mass% or less, transparency of the film base material is maintained. When the content of the antistatic agent is within the above range, the surface resistivity of the film base material can be suitably adjusted within the range of 1.0 x 10 9 ? / Sq and not more than 1.0 x 10 12 ? / Sq.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재에는, 상기 성분 외에, 또한, 임의의 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 이와 같은 첨가제의 일례로서 산화방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 윤활제, 블로킹 방지제, 방청제, 항균제, 난연제, 난연조제, 가교재, 가교조제 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 스텔스 다이싱용 필름 기재에 전자선 조사를 행하여도 된다.In the film substrate for stealth dicing of the present invention, in addition to the above components, any of various additives may be added. Examples of such additives include an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antiblocking agent, an antirust agent, an antibacterial agent, a flame retardant agent, a flame retardant agent, a crosslinking agent and a crosslinking agent. In addition, the film substrate for stealth dicing may be irradiated with an electron beam if necessary.

스텔스 다이싱용 필름 기재의 제조방법으로서는, 종래 공지된 T 다이캐스트 성형법, T 다이 닙 성형법, 인플레이션 성형법, 압출 라미네이트법, 캘린더 성형법 등의 방법을 이용할 수 있다.As a production method of the steels dicing film base material, conventionally known methods such as a T die casting method, a T-die nip forming method, an inflation forming method, an extrusion lamination method, and a calender molding method can be used.

(점착층)(Adhesive layer)

점착층(12)은 특별히 한정되지 않으나, 자외선 경화성으로 구성된 층이 바람직하고, 예를 들면 자외선 경화 타입의 아크릴계 점착제 등을 이용하여 형성할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, but a layer constituted by ultraviolet curing property is preferable, and for example, it can be formed using an ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive.

자외선 경화 타입의 아크릴계 점착제의 구체예로서는, (메타)아크릴산이나 (메타)아크릴산 에스테르 등의 (메타)아크릴계 단량체의 (메타)아크릴계 중합체, 상기 (메타)아크릴계 단량체와 관능성 단량체(예를 들면, 폴리아크릴산 부틸이나 폴리아크릴산 2-에틸헥실 등의 폴리아크릴산 에스테르)의 공중합체, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 및 이러한 중합체의 혼합물과 광중합개시제를 적어도 포함하는 자외선경화성 점착제를 들 수 있다.Specific examples of the ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive include (meth) acrylic polymers of (meth) acrylic monomers such as (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid esters, (meth) acrylic monomers such as A polyacrylic acid ester such as butyl acrylate or 2-ethylhexyl polyacrylate), a urethane acrylate oligomer, and a mixture of such a polymer and a photopolymerization initiator.

상기 중합체의 평균 분자량은 50만∼100만 정도의 고분자량이 바람직하다. 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 말한다.The average molecular weight of the polymer is preferably from 500,000 to 1,000,000. The average molecular weight refers to the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

상기 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 올리고에스테르(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic esters include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa Polyethylene glycol di (meth) acrylate, oligoester (meth) acrylate, and the like.

상기 우레탄아크릴레이트계 올리고머는 적어도 2개의 탄소-탄소 불포화 이중결합을 가지는 자외선 중합성 화합물이고, 예를 들면 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들면, 2,4-트릴렌디이소시아네이트, 2,6-트릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 단말 이소시아네이트우레탄프레폴리머에, 하이드록실기를 가지는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들면, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어지는 것을 들 수 있다.The urethane acrylate oligomer is an ultraviolet polymerizable compound having at least two carbon-carbon unsaturated double bonds. For example, a polyol compound such as polyester type or polyether type and a polyisocyanate compound (for example, 2, Terminal isocyanate urethane obtained by the reaction of 4,4'-diisocyanate, 4-toluene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4- To the prepolymer, an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (e.g., 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2- Methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) .

상기 광중합개시제로서는, 예를 들면 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤진에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등을 들 수 있다. 광중합개시제는 단독으로 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 광중합개시제를 점착층에 첨가함으로써, 경화 반응 시간 또는 방사선 조사량을 억제하여 효율적으로 경화 반응을 진행시킬 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include isopropylbenzene ether, isobutylbenzene ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethylketal ,? -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane, and the like. The photopolymerization initiator may be used alone or in combination of two or more. By adding the photopolymerization initiator to the adhesive layer, the curing reaction time or the irradiation dose can be suppressed, and the curing reaction can proceed efficiently.

또한, 점착층도 이미 서술한 기재와 동일하게 투명성이 높은 것이 바람직하다.It is also preferable that the adhesive layer has high transparency as in the above-described description.

점착층에 있어서의 가시광의 광선 투과율로서는, 가시광선의 400nm∼800nm의 전체 파장 영역에 있어서, 점착층에 있어서의 광선 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.As the light transmittance of visible light in the adhesive layer, it is preferable that the light transmittance in the adhesive layer in the entire wavelength range of 400 nm to 800 nm of visible light is 90% or more.

또한, 기재의 광선 투과율이 90% 이상이 되는 파장의 가시광선을 이용한 경우에, 스텔스 다이싱용 필름 전체에서의 광선 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 400nm∼800nm의 전체 파장 영역의 광을 이용한 경우에, 스텔스 다이싱용 필름 전체의 광선 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.When a visible ray having a wavelength of 90% or more is used as the base material, the light transmittance of the entire stealth dicing film is preferably 90% or more, and more preferably 400 to 800 nm It is preferable that the light transmittance of the entire stealth dicing film is 90% or more.

또한, 광선 투과율은 분광광도계를 이용하여 측정되는 값이다.The light transmittance is a value measured by using a spectrophotometer.

점착층(12)의 두께는 5㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상이다.The thickness of the adhesive layer 12 is preferably 5 占 퐉 or more, and more preferably 10 占 퐉 or more.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름의 헤이즈는, 분단율을 높이는 점에서 레이저광의 투과를 저해하지 않도록 작을수록 바람직하다. 구체적으로는, 헤이즈는 10.0 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 9.0 이하, 더 바람직하게는 8.0 이하이다. 헤이즈의 측정 방법은 이미 서술한 바와 같다.The haze of the stealth dicing film of the present invention is preferably as small as not to hinder the transmission of laser light in terms of increasing the cutting rate. Specifically, the haze is preferably 10.0 or less, more preferably 9.0 or less, and still more preferably 8.0 or less. The measurement method of the haze is as described above.

또한, 필름 확장 후에, 필름의 전체 또는 일부분에 백화 현상이 확인되지 않는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that, after film expansion, the whitening phenomenon is not confirmed on all or a part of the film.

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름의 초기 응력은, 9MPa를 초과하는 것이 바람직하고, 10MPa 이상 19MPa 이하인 것이 보다 바람직하며, 10MPa 이상 17MPa 미만인 것이 보다 바람직하다. 초기 응력이 9MPa를 초과하는 범위이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력이 유지되어, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 초기 응력이 19MPa 이하이면, 확장성의 점에서 유리하다. 초기 응력의 측정 방법은 이미 서술한 바와 같다(JIS K 7127에 준거).The initial stress of the stealth dicing film of the present invention is preferably more than 9 MPa, more preferably 10 MPa or more and 19 MPa or less, and more preferably 10 MPa or more and less than 17 MPa. If the initial stress is in the range exceeding 9 MPa, the external stress at the time of dividing the wafer is maintained, and the wafer can be well divided. If the initial stress is 19 MPa or less, it is advantageous in view of expandability. The method of measuring the initial stress is as described (in accordance with JIS K 7127).

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름의 확장률은 102% 이상 120% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 104% 이상 120% 이하이다. 확장률이 상기 범위의 하한치 이상이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력이 유지되어, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 있다. 확장률이 상기 범위의 상한치 이하이면, 균일하게 필름이 신장하여, 확장의 불균일이나 필름 변형의 발생을 억제할 수 있다. 확장률의 측정 방법은 이미 서술한 바와 같다.The expansion ratio of the stealth dicing film of the present invention is preferably 102% or more and 120% or less, and more preferably 104% or more and 120% or less. If the expansion ratio is equal to or smaller than the lower limit of the above range, the external stress at the time of dividing the wafer is maintained, and the wafer can be well divided. When the expansion ratio is not more than the upper limit of the above range, the film is uniformly stretched, and the occurrence of uneven expansion and film deformation can be suppressed. The method of measuring the expansion rate has already been described.

[전자부품의 제조방법][Manufacturing method of electronic parts]

본 발명의 스텔스 다이싱용 필름을 이용한 전자부품의 제조방법에 대하여 상술한다.A method of manufacturing an electronic component using the stealth dicing film of the present invention will be described in detail.

본 발명의 전자부품의 제조방법은, 웨이퍼의 이면에, 이미 서술한 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름을 부착하는 공정(필름 부착 공정)과, 스텔스 다이싱용 필름이 부착된 웨이퍼에 대하여, 스텔스 다이싱용 필름측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광에 의해 웨이퍼를 스텔스 다이싱하는 공정(다이싱 공정)을 설치하여 구성되어 있다. 본 발명의 전자부품의 제조방법은, 필요에 따라 다른 공정을 더 설치하여 구성되어 있어도 된다.The method for manufacturing an electronic component of the present invention is a method for manufacturing an electronic component comprising the steps of adhering the aforementioned stealth dicing film of the present invention described above (film attaching step) to the back surface of a wafer and the wafer having the stealth dicing film attached thereto, (Dicing step) of irradiating a laser beam from the film side and stealth-dicing the wafer with the laser beam via the stealth dicing film. The electronic component manufacturing method of the present invention may be configured by further installing other steps as necessary.

도 3a에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)을 웨이퍼(W)의 이면(소자 형성면과 반대측의 면)에 고정함과 함께, 스텔스 다이싱용 필름(1)을, 그 점착층(12)의 단부(端部)가 다이싱 테이블(6)과 접하도록 두고, 점착층(12)에서 다이싱 테이블에 고정한다(필름 부착 공정).3A, the adhesive layer 12 of the stealth dicing film 1 is fixed to the back surface (the surface opposite to the element formation surface) of the wafer W, and the stealth dicing film 1 And the end portion of the adhesive layer 12 is brought into contact with the dicing table 6 and fixed on the dicing table in the adhesive layer 12 (film attaching step).

다음에, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 기재(11)측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L)을 도광함으로써, 웨이퍼(W)의 내부의 다이싱 라인을 따라, 도 3b에 나타내는 바와 같이 개질부(개질 영역)(W1)를 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 단부를 화살표방향으로 잡아당김으로써, 필름을 확장시킨다(다이싱 공정). 이로 인해, 상기 개질부(W1)를 기점으로, 웨이퍼(W)가 개질부(W1)를 따라 복수로 분할되게 된다.Next, laser light is irradiated from the substrate 11 side of the stealth dicing film 1 and the laser light L is guided into the wafer W via the stealth dicing film 1, (Modified region) W1 is formed along the dicing line inside the wafer W as shown in Fig. 3B. Thereafter, as shown in Fig. 4, the end of the stealth dicing film 1 is pulled in the direction of the arrow to extend the film (dicing step). As a result, the wafer W is divided into a plurality of portions along the modified portion W1 from the modified portion W1 as a starting point.

이어서, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)에 자외선을 조사하면, 점착층(12)이 고체화하여, 당해 층의 점착력은 저하된다. 이로 인해, 스텔스 다이싱용 필름(1)으로부터 복수의 웨이퍼, 즉 개개의 칩(전자부품)을 떼어낼 수 있어, 원하는 전자부품이 얻어진다.Subsequently, when the adhesive layer 12 of the stealth dicing film 1 is irradiated with ultraviolet rays, the adhesive layer 12 becomes solidified, and the adhesive force of the layer is lowered. As a result, a plurality of wafers, that is, individual chips (electronic parts) can be removed from the stealth dicing film 1, and a desired electronic component can be obtained.

레이저로서는, 예를 들면 펄스 레이저 광을 발생하는 Nd:YAG 레이저, Nd:YVO 레이저, Nd:YLF 레이저, 티탄사파이어 레이저, CO2 레이저, 아르곤 이온 레이저 등의 공지의 레이저를, 경우에 따라 선택할 수 있다.As the laser, for example, a known laser such as an Nd: YAG laser, an Nd: YVO laser, an Nd: YLF laser, a titanium sapphire laser, a CO 2 laser or an argon ion laser which generates pulsed laser light can be selected have.

본 발명의 전자부품의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 대상으로 하나, 예를 들면 유리 웨이퍼, 탄화규소 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 인화갈륨 웨이퍼, 비소화갈륨 웨이퍼 등의 화합물 반도체 웨이퍼 등을 이용해도 된다.The method for manufacturing an electronic component of the present invention is applied to a silicon wafer, but a compound semiconductor wafer such as a glass wafer, a silicon carbide wafer, a sapphire wafer, a gallium gallium wafer, or a gallium arsenide wafer may be used.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니다. 또한, 에틸렌 단위 함유량은 에틸렌 유래의 구성단위의 함유 비율을, 메타크릴산 단위 함유량은 메타크릴산 유래의 구성단위의 함유 비율을, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량은 아크릴산 이소부틸 유래의 구성단위의 함유 비율을, 각각 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. The content of the constituent unit derived from methacrylic acid and the content of the constituent unit derived from isobutyl acrylate are preferably in the range of 0.1 to 10 parts by weight, Respectively.

〔A〕실시예 1∼27 및 비교예 1∼4[A] Examples 1 to 27 and Comparative Examples 1 to 4

이하에 나타내는 실시예 1∼27 및 비교예 1∼4에 이용하는 원료의 조성 및 물성, 및 얻어진 필름 및 시트의 물성의 측정 방법은, 이하와 같다.The composition and physical properties of the raw materials used in Examples 1 to 27 and Comparative Examples 1 to 4 shown below and the measuring methods of the physical properties of the obtained film and sheet are as follows.

- 1. 원재료 -- 1. Material -

(1) 아이오노머(IO-1)(1) The ionomer (IO-1)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원(源):마그네슘Metal cation source (source): Magnesium

중화도:35%Neutralization degree: 35%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.9 g / 10 min

(2) 아이오노머(IO-2)(2) The ionomer (IO-2)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원:마그네슘Metal cation source: Magnesium

중화도:54%Neutralization degree: 54%

MFR(190℃, 2160g 하중):0.7g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 0.7 g / 10 min

(3) 아이오노머(IO-3)(3) Ionomer (IO-3)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:80질량%, 메타크릴산 단위 함유량:10질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:10질량%）(Ethylene unit content: 80% by mass, methacrylic acid unit content: 10% by mass, isobutyl acrylate unit content: 10% by mass) as the base polymer: ethylene-methacrylic acid-isobutyl acrylate copolymer

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:70%Neutralization degree: 70%

MFR(190℃, 2160g 하중):1.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 1.0 g / 10 min

(4) 아이오노머(IO-4)(4) Ionomer (IO-4)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:89질량%, 메타크릴산 단위 함유량:11질량%）Base polymer: Ethylene / methacrylic acid copolymer (ethylene unit content: 89% by mass, methacrylic acid unit content: 11% by mass)

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:65%Neutralization degree: 65%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.0 g / 10 min

(5) 아이오노머(IO-5)(5) Ionomer (IO-5)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:81질량%, 메타크릴산 단위 함유량:11.5질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:7.5질량%）(Ethylene unit content: 81% by mass, methacrylic acid unit content: 11.5% by mass, isobutyl acrylate unit content: 7.5% by mass) as the base polymer: ethylene / methacrylic acid / isobutyl acrylate copolymer

금속 양이온원:마그네슘Metal cation source: Magnesium

중화도:14%Neutralization degree: 14%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.9 g / 10 min

(6) 아이오노머(IO-6)(6) Ionomer (IO-6)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:82질량%, 메타크릴산 단위 함유량:13질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:5질량%）(Ethylene unit content: 82% by mass, methacrylic acid unit content: 13% by mass, isobutyl acrylate unit content: 5% by mass) as the base polymer: ethylene-methacrylic acid-isobutyl acrylate copolymer

금속 양이온원:마그네슘Metal cation source: Magnesium

중화도:27%Neutralization degree: 27%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.9 g / 10 min

(7) 아이오노머(IO-7)(7) Ionomer (IO-7)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:59%Neutralization degree: 59%

MFR(190℃, 2160g 하중):0.9g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 0.9 g / 10 min

(8) 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체(EMAA)(8) Ethylene / (meth) acrylic acid copolymer (EMAA)

에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:91질량%, 메타크릴산 단위 함유량:9질량%）Ethylene / methacrylic acid copolymer (ethylene unit content: 91% by mass, methacrylic acid unit content: 9% by mass)

MFR(190℃, 2160g 하중):3.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 3.0 g / 10 min

(9) 폴리에테르에스테르 성분(B-1)(9) Polyetherester component (B-1)

상품명:IRGASTAT P-16(융점(DSC측정):158℃, BASF재팬(주)제, 폴리에테르에스테르아미드 블록 공중합체)Trade name: IRGASTAT P-16 (melting point (DSC measurement): 158 占 폚, polyetheresteramide block copolymer made by BASF Japan Co., Ltd.)

(10) 폴리에테르에스테르 성분(B-2)(10) Polyetherester component (B-2)

상품명:IRGASTAT P-18(융점(DSC측정):173℃, BASF재팬(주)제, 폴리에테르에스테르아미드 블록 공중합체)Trade name: IRGASTAT P-18 (melting point (DSC measurement): 173 占 폚, polyetheresteramide block copolymer made by BASF Japan Co., Ltd.)

(11) 폴리에테르에스테르 성분(B-3)(11) Polyetherester component (B-3)

상품명:IRGASTAT P-20(융점(DSC측정):195℃, BASF재팬(주)제, 폴리에테르에스테르아미드 블록 공중합체)Trade name: IRGASTAT P-20 (melting point (DSC measurement): 195 占 폚, polyetheresteramide block copolymer made by BASF Japan Co., Ltd.)

- 2. 물성 측정 방법 -- 2. Measurement of physical properties -

스텔스 다이싱용 필름 기재의 물성에 대해서는, 후술하는 실시예 및 비교예에서 제조한 아이오노머 필름 기재 등을 이용하여 측정을 행하였다. 측정 결과는 하기 표 1∼표 2에 나타낸다.With regard to the physical properties of the film substrates for stealth dicing, measurements were made using the ionomer film base materials or the like prepared in Examples and Comparative Examples described later. The measurement results are shown in Tables 1 to 2 below.

(1) 초기 응력(1) initial stress

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재의 세로(MD)방향 및 가로(TD)방향에 대해, JIS K 7127에 준거하여, 하기의 조건하에서 6% 신장했을 때의 응력을 측정하였다. 하기 표 1∼표 2에 나타내는 값은 MD 및 TD의 평균치이다.The stress in the longitudinal (MD) direction and the transverse (TD) direction of each of the produced stealth dicing film substrates was measured under the following conditions under the following conditions in accordance with JIS K 7127: The values shown in Tables 1 to 2 are average values of MD and TD.

<조건><Condition>

·시험 속도:500mm/초Test speed: 500 mm / sec

·시험편:폭 10mm×길이 200mm· Test piece: width 10 mm × length 200 mm

·척 사이:100mm· Between chucks: 100 mm

(2) 헤이즈(2) Hayes

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, (주)무라카미시키사이겐큐죠제의 HM-150형을 이용하고, 온도 23℃, 상대습도 50%의 분위기하에서, JIS K 7136에 준거하여 측정하였다.Each steels dicing film substrate thus prepared was measured according to JIS K 7136 under the atmosphere of a temperature of 23 캜 and a relative humidity of 50% using the HM-150 type of Murakami Shikisai Kenshin Co.,

(3) 확장성(확장률)(3) Scalability (expansion rate)

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재로부터, 세로(필름의 MD방향) 300mm 이상×가로(필름의 TD방향) 300mm 이상의 4각형의 필름 기재편을 잘라내고, 이 잘라낸 필름 기재편에, 141mm 모서리의 정방형을 유성펜 등의 필기 용구를 이용하여 그렸다(이하, 측정 대상 1). 8인치 웨이퍼용의 웨이퍼 확장 장치(테크노비전사제의 웨이퍼 확장 장치 TEX-218G GR-8)에 측정 대상 1을 세팅하였다. 이때, 웨이퍼 확장 장치의 스테이지 중심과, 측정 대상 1에 그린 정방형의 중심이 맞도록 세팅하였다. 다음에, 스테이지를 15mm 끌어올려, 스텔스 다이싱용 필름을 확장한 후, 60초간 정치하고, 측정 대상 1의 정방형의 각 변의 길이(변 길이)를 측정하였다. 얻어진 변 길이 4점에 대하여, 각각 신장률(%;＝확장 후의 변 길이/확장 전의 변 길이×100)을 계산하고, 그 평균치를 확장률[%]로 하였다.Four square-shaped film substrate pieces having a length of 300 mm or more and a width of 300 mm or more (in the TD direction of the film) of 300 mm or more in length (in the MD direction of the film) were cut out from each of the fabricated film substrates for stealth dicing. (Hereinafter referred to as measurement object 1) using a writing instrument such as a stationary pen or the like. The object to be measured 1 was set in a wafer expander for an 8-inch wafer (wafer expander TEX-218G GR-8 manufactured by Technovision). At this time, the center of the stage of the wafer expander is set so that the center of the green square is aligned with the measurement target 1. Next, the stage was pulled 15 mm to extend the stealth dicing film, and the film was allowed to stand for 60 seconds, and the length (side length) of each side of the square of the measurement target 1 was measured. The elongation percentage (% = (length of side after expansion / length of side before expansion) × 100) was calculated for each of four obtained side lengths, and the average value was defined as expansion ratio [%].

(4) 분단성(4) Divisionality

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재의 분단 성능을, 하기의 평가기준에 따라 평가하였다. 또한, 분단율[%]이란, 「(실제로 분단된 수)/(총분할수)×100」에 의해 구해지는 값이다.The breaking performance of each of the produced steels for dicing films was evaluated according to the following evaluation criteria. The division rate [%] is a value obtained by "(number actually divided) / (total division number) × 100".

<평가기준><Evaluation Criteria>

A:분단율이 80% 이상 100% 이하였다.A: The separation rate was 80% or more and 100% or less.

B:분단율이 60% 이상 80% 미만이었다.B: The breaking rate was 60% or more and less than 80%.

C:분단율이 60% 미만이었다.C: The separation rate was less than 60%.

D:분단을 용이하게 행할 수 없었다.D: The division could not be easily carried out.

(5) 표면 저항률(5) Surface resistivity

미쓰비시가가쿠(주)제의 Hiresta-UP을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, 인가 전압 500V로 하여 측정하였다.The measurement was conducted at an applied voltage of 500 V under a condition of 23 캜 and 50% relative humidity using a Hiresta-UP manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,

(6) 전체 광선 투과율(6) Total light transmittance

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, (주)무라카미시키사이겐큐죠제의 HM-150형을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, JIS K 7361에 준거하여 측정하였다.Each steels dicing film substrate thus prepared was measured according to JIS K 7361 under the conditions of 23 ° C and 50% relative humidity using an HM-150 mold manufactured by Murakami Shikisai Sekenkyoujo Co., Ltd.

먼저, 대전방지제를 함유하지 않는 경우의 예로서, 실시예 1∼4를 비교예와 대비하여 나타낸다.First, Examples 1 to 4 are shown in comparison with Comparative Examples as an example in the case of not containing an antistatic agent.

[실시예 1][Example 1]

50mmφ 단축 압출기 인플레이션 성형기를 사용하고, 이 성형기의 수지 투입구에 상기 아이오노머(IO-1)를 투입하여, 다이스 온도 190℃로 하여, 80㎛ 두께의 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The ionomer (IO-1) was charged into the resin inlet of the molding machine and the temperature of the die was set at 190 DEG C to prepare an ionomer film base material (stealth dicing film base) having a thickness of 80 mu m Respectively. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[실시예 2][Example 2]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-6)로, 또한, 다이스 온도를 200℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.An ionomer film substrate (stealth dicing) was produced in the same manner as in Example 1, except that the ionomer (IO-1) was changed to an ionomer (IO-6) Film substrate). The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[실시예 3][Example 3]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 230℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The procedure of Example 1 was repeated except that the ionomer (IO-1) was replaced with an ionomer (IO-2) and the dice temperature was changed to 230 ° C. Film substrate for X-ray film). The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[실시예 4][Example 4]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-4)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 180℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The procedure of Example 1 was repeated except that the ionomer (IO-1) was replaced with an ionomer (IO-4) and the dice temperature was changed to 180 ° C to prepare an ionomer film base Film substrate for X-ray film). The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[비교예 1][Comparative Example 1]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-3)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 210℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The procedure of Example 1 was repeated except that the ionomer (IO-1) was changed to the ionomer (IO-3) and the dice temperature was changed to 210 ° C. Film substrate for X-ray film). The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[비교예 2][Comparative Example 2]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-5)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 180℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The procedure of Example 1 was repeated except that the ionomer (IO-1) was changed to the ionomer (IO-5) and the dice temperature was changed to 180 ° C to prepare an ionomer film substrate Film substrate for X-ray film). The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[비교예 3][Comparative Example 3]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-7)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 210℃로, 두께를 220㎛로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.Except that the ionomer (IO-1) was changed to the ionomer (IO-7) in Example 1 and the dice temperature was changed to 210 캜 and the thickness was changed to 220 탆, To prepare an ionomer film base material (stealth dicing film base material). The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

[비교예 4][Comparative Example 4]

실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 EMAA로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 180℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.(Film substrate for stealth dicing) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the ionomer (IO-1) was changed to EMAA and the die temperature was changed to 180 占 폚. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio and total light transmittance. The results are shown in Table 1 below.

다음에, 대전방지제를 함유하는 경우의 예를 실시예 5∼실시예 9에 나타낸다.Next, examples in which antistatic agents are contained are shown in Examples 5 to 9.

[실시예 5][Example 5]

실시예 1에 있어서, 사용한 아이오노머(IO-1)를, 아이오노머(IO-1) 85질량부, IRGASTAT P-16(폴리에테르에스테르 성분(B-1)) 7.5질량부 및 IRGASTAT P-18(폴리에테르에스테르 성분(B-2)) 7.5질량부로 바꾸고, 이들 성분을 드라이 블렌드하였다. 이 드라이 블렌드한 원료를, 풀플라이트 타입의 스크루(40mmφ)를 구비한 단축 압출기의 수지 투입구에 투입한 후, 용융 혼련하여 펠릿화하였다. 얻어진 펠릿을 이용하고, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.The ionomer (IO-1) used in Example 1 was dissolved in a mixture of 85 parts by mass of the ionomer (IO-1), 7.5 parts by mass of IRGASTAT P-16 (polyetherester component (B-1) (Polyether ester component (B-2)) were changed to 7.5 parts by mass, and these components were dry-blended. The dry blended raw material was poured into a resin inlet of a single screw extruder equipped with a full flight type screw (40 mm?), And melt-kneaded into pellets. Using the obtained pellets, an ionomer film base material (film substrate for stealth dicing) was produced in the same manner as in Example 1. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio, surface resistivity and total light transmittance. The results are shown in Table 2 below.

[실시예 6][Example 6]

실시예 1에 있어서, 사용한 아이오노머(IO-1)를, 아이오노머(IO-1) 85질량부 및 IRGASTAT P-18(폴리에테르에스테르 성분(B-2)) 15질량부로 바꾸고, 이들 성분을 드라이 블렌드하였다. 이 드라이 블렌드한 원료를, 풀플라이트 타입의 스크루(40mmφ)를 구비한 단축 압출기의 수지 투입구에 투입한 후, 용융 혼련하여 펠릿화하였다. 얻어진 펠릿을 이용하고, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.The ionomer (IO-1) used in Example 1 was changed to 85 parts by mass of the ionomer (IO-1) and 15 parts by mass of IRGASTAT P-18 (polyetherester component (B-2) Dry blend. The dry blended raw material was poured into a resin inlet of a single screw extruder equipped with a full flight type screw (40 mm?), And melt-kneaded into pellets. Using the obtained pellets, an ionomer film base material (film substrate for stealth dicing) was produced in the same manner as in Example 1. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio, surface resistivity and total light transmittance. The results are shown in Table 2 below.

[실시예 7][Example 7]

실시예 5에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꾼 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.An ionomer film substrate (film substrate for stealth dicing) was produced in the same manner as in Example 5 except that the ionomer (IO-1) was changed to the ionomer (IO-2) in Example 5. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio, surface resistivity and total light transmittance. The results are shown in Table 2 below.

[실시예 8][Example 8]

실시예 6에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꾼 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.An ionomer film base material (film substrate for stealth dicing) was produced in the same manner as in Example 6 except that the ionomer (IO-1) was changed to the ionomer (IO-2) in Example 6. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio, surface resistivity and total light transmittance. The results are shown in Table 2 below.

[실시예 9][Example 9]

실시예 6에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꿈과 함께, IRGASTAT P-18(15질량부)을 IRGASTAT P-16(폴리에테르에스테르 성분(B-1)) 15질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.IRGASTAT P-18 (15 parts by mass) was changed to IRGASTAT P-16 (polyether ester component (B-1)) in the same manner as in Example 6 except that the ionomer (IO- ) Was changed to 15 parts by mass, an ionomer film base material (film substrate for stealth dicing) was produced. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio, surface resistivity and total light transmittance. The results are shown in Table 2 below.

[비교예 5][Comparative Example 5]

실시예 6에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꿈과 함께, IRGASTAT P-18(15질량부)을 IRGASTAT P-20(폴리에테르에스테르 성분(B-3)) 15질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.IRGASTAT P-18 (15 parts by mass) was changed to IRGASTAT P-20 (polyether ester component (B-3)) in the same manner as in Example 6 except that the ionomer (IO- ) Was changed to 15 parts by mass, an ionomer film base material (film substrate for stealth dicing) was produced. The prepared film substrate was subjected to measurement of initial stress, haze, expansion ratio, surface resistivity and total light transmittance. The results are shown in Table 2 below.

[표 1][Table 1]

Figure 112016037662498-pat00001
Figure 112016037662498-pat00001

[표 2][Table 2]

Figure 112016037662498-pat00002
Figure 112016037662498-pat00002

[실시예 10∼18][Examples 10 to 18]

기재로서 실시예 1∼9에서 제작한 아이오노머 필름 기재를 준비하고, 점착층 형성용의 점착제로서 자외선 경화형 아크릴계 점착제(아라카와가가쿠고교사제의 빔세트 575(우레탄아크릴레이트계 올리고머))를 준비하였다.The ionomer film substrates prepared in Examples 1 to 9 were prepared as substrates, and an ultraviolet curing type acrylic pressure-sensitive adhesive (Beam Set 575 (urethane acrylate oligomer) manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) was prepared as a pressure-sensitive adhesive for forming an adhesive layer .

상기의 기재 및 점착제를 이용하여, 기재의 위에, 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 아세트산 에틸에 녹인 것을 바 코트 도포함으로써, 도 1에 나타내는 아이오노머 필름 기재(11)/건조 두께 20㎛의 점착층(12)의 중층 구조로 이루어지는 9종의 스텔스 다이싱용 필름을 제작하였다.The above-mentioned base material and the pressure-sensitive adhesive were applied on the base material by bar-coating the ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive in ethyl acetate to obtain an ionomer film base material 11 / adhesive layer 12 having a dry thickness of 20 占 퐉, Layer structure of the stealth dicing film.

[실시예 19∼27][Examples 19-27]

실시예 10∼18에서 제작한 스텔스 다이싱용 필름을 이용하여, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 각 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)을 웨이퍼(W)의 이면에 고정하고, 또한 스텔스 다이싱용 필름(1)을 그 점착층(12)의 단부를 다이싱 테이블(6)과 접촉시켜 다이싱 테이블에 고정한다. 다음에, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 기재(11)측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 도광함으로써, 도 3b에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 내부의 다이싱 라인을 따라 개질부(W1)를 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 단부를 화살표방향으로 잡아당겨 필름을 확장하고, 개질부(W1)를 기점으로 하여 복수로 분할한다. 그 후, 점착층(12)에 자외선 조사하고, 복수의 칩을 취출(取出)함으로써, 원하는 전자부품이 얻어진다.3A, the sticky layer 12 of each stealth dicing film 1 was fixed to the back surface of the wafer W using the stealth dicing films produced in Examples 10 to 18, The dicing film 1 is fixed to the dicing table by bringing the end of the adhesive layer 12 into contact with the dicing table 6. [ Next, laser light is irradiated from the base material 11 side of the stealth dicing film 1 and light is guided through the stealth dicing film 1 to form a die 1 inside the wafer W as shown in Fig. And the reforming portion W1 is formed along the sine line. Then, as shown in Fig. 4, the end portion of the stealth dicing film 1 is pulled in the direction of the arrow to extend the film, and the film is divided into a plurality of portions starting from the modified portion W1. Thereafter, the adhesive layer 12 is irradiated with ultraviolet rays, and a plurality of chips are taken out to obtain a desired electronic component.

〔B〕실시예 28∼89 및 비교예 6∼10[B] Examples 28 to 89 and Comparative Examples 6 to 10

이하에 나타내는 실시예 28∼49 및 비교예 6∼10에 이용하는 원료의 조성 및 물성, 및 얻어진 필름 및 시트의 물성의 측정 방법은, 이하와 같다.The composition and physical properties of the raw materials used in Examples 28 to 49 and Comparative Examples 6 to 10 shown below and the measuring methods of the properties of the obtained film and sheet are as follows.

- 1. 원재료 -- 1. Material -

(1) 아이오노머(IO-11)(1) The ionomer (IO-11)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원:마그네슘Metal cation source: Magnesium

중화도:35%Neutralization degree: 35%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.9 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):330MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 330 MPa

(2) 아이오노머(IO-12)(2) The ionomer (IO-12)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원:마그네슘Metal cation source: Magnesium

중화도:54%Neutralization degree: 54%

MFR(190℃, 2160g 하중):0.7g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 0.7 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):320MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 320 MPa

(3) 아이오노머(IO-13)(3) Ionomer (IO-13)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:80질량%, 메타크릴산 단위 함유량:10질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:10질량%）(Ethylene unit content: 80% by mass, methacrylic acid unit content: 10% by mass, isobutyl acrylate unit content: 10% by mass) as the base polymer: ethylene-methacrylic acid-isobutyl acrylate copolymer

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:70%Neutralization degree: 70%

MFR(190℃, 2160g 하중):1.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 1.0 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):90MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 90 MPa

(4) 아이오노머(IO-14)(4) Ionomer (IO-14)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:89질량%, 메타크릴산 단위 함유량:11질량%）Base polymer: Ethylene / methacrylic acid copolymer (ethylene unit content: 89% by mass, methacrylic acid unit content: 11% by mass)

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:65%Neutralization degree: 65%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.0 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):260MPaBending stiffness (according to JIS K 7106): 260 MPa

(5) 아이오노머(IO-15)(5) Ionomer (IO-15)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:23%Neutralization degree: 23%

MFR(190℃, 2160g 하중):5.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 5.0 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):200MPaBending stiffness (according to JIS K 7106): 200 MPa

(6) 아이오노머(IO-16)(6) Ionomer (IO-16)

베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）Base polymer: Ethylene-methacrylic acid copolymer (content of ethylene unit: 85 mass%, content of methacrylic acid unit: 15 mass%)

금속 양이온원:아연Metal cation source: zinc

중화도:59%Neutralization degree: 59%

MFR(190℃, 2160g 하중):0.9g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 0.9 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):310MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 310 MPa

(7) 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체(EMAA)(7) Ethylene / (meth) acrylic acid copolymer (EMAA)

에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:91질량%, 메타크릴산 단위 함유량:9질량%）Ethylene / methacrylic acid copolymer (ethylene unit content: 91% by mass, methacrylic acid unit content: 9% by mass)

MFR(190℃, 2160g 하중):3.0g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 3.0 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):140MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 140 MPa

(8) 에틸렌·아세트산 비닐 공중합체(EVA)(8) Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA)

에틸렌·아세트산 비닐 공중합체(에틸렌 단위 함유량:81질량%, 아세트산 비닐 단위 함유량:19질량%）Ethylene / vinyl acetate copolymer (ethylene unit content: 81% by mass, vinyl acetate unit content: 19% by mass)

MFR(190℃, 2160g 하중):2.5g/10분MFR (190 占 폚, 2160 g load): 2.5 g / 10 min

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):40MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 40 MPa

(9) 폴리올레핀(C1)(9) Polyolefin (C1)

선형상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE:(주)프라임폴리머제, EVOLUE SP2320, 밀도:919kg/㎥, MFR:1.9g/10분)Linear low density polyethylene (LLDPE: EVOLUE SP2320, manufactured by Prime Polymer Co., Ltd., density: 919 kg / m 3, MFR: 1.9 g / 10 min)

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):240MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 240 MPa

(10) 폴리올레핀(C2)(10) Polyolefin (C2)

저밀도 폴리에틸렌(LDPE:밀도:920kg/㎥, MFR:1.6g/10분)Low density polyethylene (LDPE: density: 920 kg / m 3, MFR: 1.6 g / 10 min)

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):140MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 140 MPa

(11) 폴리올레핀(C3)(11) Polyolefin (C3)

랜덤 폴리프로필렌(r-PP:(주)프라임폴리머제, PrimePolypro F219DA, 밀도:910kg/㎥, MFR:8.0g/10분)Random polypropylene (PrimePolypro F219DA, density: 910 kg / m 3, MFR: 8.0 g / 10 min, manufactured by Prime Polymer Co.,

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):960MPaBending stiffness (in accordance with JIS K 7106): 960 MPa

(12) 폴리올레핀(C4)(12) Polyolefin (C4)

호모폴리프로필렌(호모-PP:(주)프라임폴리머제, PrimePolypro F113DA, 밀도:910kg/㎥, MFR:3.0g/10분)Homopolypropylene (homo-PP: PrimePolypro F113DA, manufactured by Prime Polymer Co., Ltd., density: 910 kg / m 3, MFR: 3.0 g / 10 min)

굽힘 강성률(JIS K 7106준거):1290MPaBending stiffness (according to JIS K 7106): 1290 MPa

(13) 폴리에테르에스테르 성분(B-1)(13) The polyetherester component (B-1)

상품명:IRGASTAT P-16, BASF재팬(주)제IRGASTAT P-16, manufactured by BASF Japan Co., Ltd.

(14) 폴리에테르에스테르 성분(B-2)(14) Polyetherester component (B-2)

상품명:IRGASTAT P-18, BASF재팬(주)제Trade name: IRGASTAT P-18, manufactured by BASF Japan Co., Ltd.

(15) 폴리에테르에스테르 성분(B-4)(15) Polyetherester component (B-4)

상품명:PELESTAT 230, 산요가세이고교(주)제(융점(DSC측정):163℃)Trade name: PELESTAT 230, manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd. (melting point (DSC measurement): 163 ° C)

- 2. 물성 측정 방법 -- 2. Measurement of physical properties -

스텔스 다이싱용 필름 기재의 물성에 대해서는, 후술하는 실시예 및 비교예에서 제작한 아이오노머 필름 기재 등을 이용하여 측정을 행하였다. 측정 및 평가의 결과는, 하기 표 3∼표 5에 나타낸다.With regard to the physical properties of the film substrates for stealth dicing, measurements were made using the ionomer film substrates prepared in Examples and Comparative Examples described later. The results of measurement and evaluation are shown in Tables 3 to 5 below.

(1) 초기 응력(1) initial stress

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재의 세로(MD)방향에 대하여, JIS K 7127에 준거하고, 하기의 조건하에서 6% 신장했을 때의 응력을 측정하였다.The stress in the longitudinal (MD) direction of each of the prepared steels for dicing film substrates was measured under the following conditions in accordance with JIS K 7127 under the following conditions.

<조건><Condition>

·시험 속도:500mm/secTest speed: 500 mm / sec

·시험편:폭 10mm×길이 200mm· Test piece: width 10 mm × length 200 mm

·척 사이:100mm· Between chucks: 100 mm

(2) 헤이즈·분단성(2) Hayes · division castle

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, 상기 〔A〕에 있어서의 경우와 동일한 방법으로 측정 및 평가를 행하였다.Measurement and evaluation were carried out for each stealth dicing film substrate produced in the same manner as in the case of [A].

(3) 전체 광선 투과율(3) Total light transmittance

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, (주)무라카미시키사이겐큐죠제의 HM-150형을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, JIS K 7361에 준거하여 측정하였다.Each steels dicing film substrate thus prepared was measured according to JIS K 7361 under the conditions of 23 ° C and 50% relative humidity using an HM-150 mold manufactured by Murakami Shikisai Sekenkyoujo Co., Ltd.

(4) 확장성(확장률)(4) Scalability (expansion rate)

제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재로부터 세로(필름의 MD방향) 300mm 이상×가로(필름의 TD방향) 300mm 이상의 4각형의 필름 기재편을 잘라내고, 이 잘라낸 필름 기재편에, 141mm 모서리의 정방형을 유성펜 등의 필기 용구를 이용하여 그렸다(이하, 측정 대상 2). 상기 〔A〕와 동일한 방법으로, 측정 대상 2에 그린 정방형의 각 변의 길이(변 길이)를 측정하여, 얻어진 변 길이 4점에 대하여, 각각 신장률(%;＝확장 후의 변 길이/확장 전의 변 길이×100)을 계산하고, 그 평균치를 구하여, 확장률[%]로 하였다. 또한, 확장 후의 필름에 백화 현상이 발생한다(유), 발생하지 않는다(무)를 육안으로 확인하였다.Four square-shaped film substrate pieces having a length of 300 mm or more and a width of 300 mm or more (in the TD direction of the film) of 300 mm or more in length (in the MD direction of the film) were cut out from each stealth dicing film substrate thus produced. A writing instrument such as a stationery pen (hereinafter, referred to as measurement object 2). The length (side length) of each side of the green square on the measurement target 2 was measured in the same manner as in [A] above, and the elongation percentage (%; = side length after expansion / × 100) was calculated, and an average value thereof was determined to be an expansion ratio [%]. In addition, visual confirmation was made that no whitening occurred (no occurrence) and no occurrence (no occurrence) occurred in the expanded film.

(5) 굽힘 강성률(올젠식)(5) Bending stiffness (Allen equation)

원재료를 190℃로 설정한 프레스 성형기에서 프레스 성형하고, 250mm×250mm, 2mm 두께의 프레스 시트를 작성하였다. 작성한 2mm 두께의 시트에 대하여, JIS K 7106에 준거하여, 굽힘 강성률을 측정하였다.The raw material was press molded in a press molding machine set at 190 占 폚 to prepare a press sheet having a thickness of 250 mm 占 250 mm and a thickness of 2 mm. The sheet having a thickness of 2 mm was measured for bending stiffness according to JIS K 7106.

[실시예 28][Example 28]

스크루 직경이 45mmφ인 3종 3층 인플레이션 성형기를 사용하고, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 IO-12(Mg)를, 층(Y) 형성용 수지로서 IO-13(Zn)을, 층(Z) 형성용 수지로서 IO-12(Mg)를 이용하여, 다이스 온도:220℃의 조건에서, 점착층과 접하는 층(X)/층(Y)/층(Z)의 중층 구조를 가지는 3층 필름(총두께 80㎛;스텔스 다이싱용 필름 기재)을 제작하였다. 이 3층 필름의 점착층과 접하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께는 각각 25㎛, 30㎛ 및 25㎛이다. 이어서, 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 결과는 하기 표 3에 나타낸다.(Zn) was used as the resin for forming the layer (Y), and a 3-layer three-layer inflation molding machine having a screw diameter of 45 mm was used as the resin for forming the layer (X) Layer structure of the layer (X) / layer (Y) / layer (Z) in contact with the pressure-sensitive adhesive layer at a die temperature of 220 DEG C using IO-12 (Mg) (Total thickness: 80 mu m; film substrate for stealth dicing). The layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) in contact with the adhesive layer of the three-layer film are 25 μm, 30 μm and 25 μm, respectively. Then, initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio were measured for the prepared three-layer film. The results are shown in Table 3 below.

[실시예 29][Example 29]

아이오노머(IO-11(Mg)) 85질량부, IRGASTAT P-16(폴리에테르에스테르 성분(B-1)) 7.5질량부 및 IRGASTAT P-18(폴리에테르에스테르 성분(B-2)) 7.5질량부를, 스크루 직경이 40mmφ인 단축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 점착층과 접하는 층(X) 및 층(Z)을 형성하기 위한 아이오노머 조성물을 조제하였다. 다음에, 실시예 1에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 이 아이오노머 조성물을, 층(Y) 형성용 수지로서 IO-14(Zn)를 이용함과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다. 아울러, 표면 저항률을 측정한 바, 표면 저항률은 1.7×1014Ω/sq였다., 7.5 parts by mass of an ionomer (IO-11 (Mg)), 7.5 parts by mass of IRGASTAT P-16 (polyetherester component (B-1)) and 7.5 parts by mass of IRGASTAT P-18 (polyetherester component (B- Was melt-kneaded by a single screw extruder having a screw diameter of 40 mmφ to prepare an ionomer composition for forming a layer (X) and a layer (Z) in contact with the adhesive layer. Next, in Example 1, the ionomer composition was used as the resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer, and IO-14 (Zn) was used as the resin for forming the layer Lt; 0 &gt; C to 210 &lt; 0 &gt; C, a three-layer film was produced. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below. The surface resistivity was measured, and the surface resistivity was found to be 1.7 × 10 14 Ω / sq.

[실시예 30][Example 30]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-15(Zn)로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-15(Zn)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.The resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was changed to IO-15 (Zn), the resin for forming the layer (Z) was changed to IO-15 (Zn) To 200 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 31][Example 31]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-14(Zn)로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-14(Zn)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.The resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was changed to IO-14 (Zn), the resin for forming the layer (Z) was changed to IO-14 (Zn) To 200 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 32][Example 32]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 28㎛, 21㎛ 및 30㎛로 한 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), a resin for forming a layer (Z), and a resin for forming a layer (Z) were formed in the same manner as in Example 28, ), The die temperature was changed from 220 占 폚 to 210 占 폚 and the layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 28 占 퐉, 21 占 퐉 and 30 占 퐉 , A three-layer film was produced. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 33][Example 33]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), a resin for forming a layer (Z), and a resin for forming a layer (Z) were formed in the same manner as in Example 28, ), And the dice temperature was changed from 220 캜 to 210 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 34][Example 34]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 점착층과 접하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 20㎛, 40㎛ 및 20㎛로 한 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), a resin for forming a layer (Z), and a resin for forming a layer (Z) were formed in the same manner as in Example 28, The layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) in contact with the adhesive layer of the three-layer film were changed to 20 占 퐉, 40 占 퐉 and 40 占 퐉, respectively, A 20-μm-thick three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 35][Example 35]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 EMAA로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.The resin for forming the layer (X) was changed to IO-16 (Zn), the resin for forming the layer (Y) was changed to EMAA, the resin for forming the layer (Z) ), And the dice temperature was changed from 220 캜 to 200 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 36][Example 36]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.The resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was changed to IO-16 (Zn), the resin for forming the layer (Z) was changed to IO-16 (Zn) To 210 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 37][Example 37]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 EVA로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.(Zn), the resin for forming the layer (Y) was used as EVA, the resin for forming the layer (Z) was used as the resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer in the form of IO-16 ), And the dice temperature was changed from 220 캜 to 210 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 38][Example 38]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 28㎛, 22㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), and a resin for forming a layer (Z) in an amount of IO-16 (Zn) And the layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 28 占 퐉, 22 占 퐉 and 30 占 퐉 (3 Layer film: total thickness of layer film: 80 占 퐉), a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. [ The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 39][Example 39]

스크루 직경이 40mmφ인 3종 3층 캐스트 필름 성형기를 이용하여, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 IO-16(Zn)을, 층(Y) 형성용 수지로서 EMAA를, 층(Z) 형성용 수지로서 IO-16(Zn)을 사용하고, 다이스 온도:210℃의 조건에서, 점착층과 접하는 층(X)/층(Y)/층(Z)의 중층 구조를 가지는 3층 필름(총두께 77㎛;스텔스 다이싱용 필름 기재)을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름의 점착층과 접하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께는 각각 29㎛, 20㎛ 및 28㎛이다. 이어서, 작성한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.(Zn) as a resin for forming a layer (X) contacting with the pressure-sensitive adhesive layer, EMAA as a resin for forming a layer (Y), a layer (Z Layer structure having an intermediate layer structure of layer (X) / layer (Y) / layer (Z) in contact with the adhesive layer under the condition of IO-16 (Zn) (Total thickness 77 mu m; film substrate for stealth dicing). The layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) in contact with the adhesive layer of the three-layer film thus produced are 29 μm, 20 μm and 28 μm, respectively. Then, the prepared three-layer film was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 40][Example 40]

실시예 39에 있어서, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로 바꾼 것 이외에는 실시예 39와 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.A three-layer film was produced in the same manner as in Example 39 except that the resin for forming the layer (Y) was changed to Cl in Example 39. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below.

[실시예 41][Example 41]

아이오노머(IO-16(Zn)) 85질량부 및 PELESTAT 230(B-4) 15질량부를, 스크루 직경이 30mmφ인 2축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 점착층과 접하는 층(X) 및 층(Z)을 형성하기 위한 아이오노머 조성물을 조제하였다. 다음에, 실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 이 아이오노머 조성물을, 층(Y) 형성용 수지 C2를, 층(Z) 형성용 수지를 이 아이오노머 수지 조성물을 이용함과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다. 아울러 표면 저항률을 측정하였다. 표면 저항률은 1.3×1010Ω/sq였다.85 parts by mass of an ionomer (IO-16 (Zn)) and 15 parts by mass of PELESTAT 230 (B-4) were melted and kneaded by a twin screw extruder having a screw diameter of 30 mmφ to obtain a layer (X) Z) was prepared. Next, in the same manner as in Example 28, except that this ionomer composition was used as the resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer, the resin (C2) for forming the layer And a dice temperature was changed from 220 캜 to 210 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 3 below. The surface resistivity was measured. The surface resistivity was 1.3 × 10 10 Ω / sq.

[실시예 42][Example 42]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일한 조건에서, 층(X)/층(Z)/층(Y)의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기한다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), a resin for forming a layer (Z), and a resin for forming a layer (Z) were formed in the same manner as in Example 28, Layer film having an intermediate layer structure of layer (X) / layer (Z) / layer (Y) under the same conditions as in Example 28 except that the temperature of the die was changed from 220 캜 to 210 캜 Respectively. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below.

[실시예 43][Example 43]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 30㎛, 20㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), and a resin for forming a layer (Z) in an amount of IO-16 (Zn) The layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 30 占 퐉, 20 占 퐉 and 30 占 퐉 (3 (Z) / layer (Y) was constructed in the same manner as in Example 28 except that the total thickness of the layer film was changed to 80 占 퐉. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below.

[실시예 44][Example 44]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 20㎛, 30㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), and a resin for forming a layer (Z) in an amount of IO-16 (Zn) And the layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 20 占 퐉, 30 占 퐉 and 30 占 퐉 (3 (Z) / layer (Y) was constructed in the same manner as in Example 28 except that the total thickness of the layer film was changed to 80 占 퐉. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below.

[실시예 45][Example 45]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 20㎛, 40㎛ 및 20㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), and a resin for forming a layer (Z) in an amount of IO-16 (Zn) And the layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 20 占 퐉, 40 占 퐉 and 20 占 퐉 (3 (Z) / layer (Y) was constructed in the same manner as in Example 28 except that the total thickness of the layer film was changed to 80 占 퐉. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below.

[실시예 46][Example 46]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 15㎛, 50㎛ 및 15㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), and a resin for forming a layer (Z) in an amount of IO-16 (Zn) And the layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 15 占 퐉, 50 占 퐉 and 15 占 퐉 (3 (Z) / layer (Y) was constructed in the same manner as in Example 28 except that the total thickness of the layer film was changed to 80 占 퐉. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below.

[실시예 47][Example 47]

아이오노머(IO-16(Zn)) 85질량부 및 PELESTAT 230(B-4) 15질량부를, 스크루 직경이 30mmφ인 2축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 점착층과 접하는 층(X)을 형성 하기 위한 아이오노머 조성물을 조제하였다. 또한, 아이오노머(IO-13(Zn)) 85질량부 및 PELESTAT 230(B-4) 15질량부를, 스크루 직경이 30mmφ인 2축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 층(Z)을 형성하기 위한 아이오노머 조성물(Z)을 조제하였다.85 parts by mass of an ionomer (IO-16 (Zn)) and 15 parts by mass of PELESTAT 230 (B-4) were melted and kneaded by a twin screw extruder having a screw diameter of 30 mmφ to form a layer (X) &Lt; / RTI &gt; Further, 85 parts by mass of an ionomer (IO-13 (Zn)) and 15 parts by mass of PELESTAT 230 (B-4) were melted and kneaded by a twin screw extruder having a screw diameter of 30 mm, To prepare an ionomer composition (Z).

다음에, 실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 이 아이오노머 조성물을, 층(Y) 형성용 수지로서 C2를, 층(Z) 형성용 수지로서 이 아이오노머 수지 조성물(Z)을 이용하고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 45㎛, 15㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:90㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다. 아울러 표면 저항률을 측정하였다. 표면 저항률은 1.5×1011Ω/sq였다.Next, in Example 28, the ionomer composition was used as a resin for forming a layer (X) in contact with the adhesive layer, C2 was used as a resin for forming a layer (Y), the ionomer resin The layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 45 占 퐉, 15 占 퐉 and 15 占 퐉, respectively, by using the composition (Z) Layer film having an intermediate layer structure of layer (X) / layer (Z) / layer (Y) was produced in the same manner as in Example 28 except that the thickness of the layer Respectively. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below. The surface resistivity was measured. The surface resistivity was 1.5 × 10 11 Ω / sq.

[실시예 48][Example 48]

실시예 47에 있어서, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 35㎛, 15㎛ 및 40㎛(3층 필름의 총두께:90㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 47과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다. 아울러 표면 저항률을 측정하였다. 표면 저항률은 2.1×1011Ω/sq였다.The layer thicknesses of the layer X, the layer Y and the layer Z of the three-layer film were changed to 35 μm, 15 μm and 40 μm (total thickness of the three-layer film: 90 μm) , A three-layer film having an intermediate layer structure composed of layer (X) / layer (Z) / layer (Y) was produced. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below. The surface resistivity was measured. The surface resistivity was 2.1 × 10 11 Ω / sq.

[실시예 49][Example 49]

실시예 47에 있어서, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 40㎛, 15㎛ 및 25㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)에 바꾼 것 이외에는 실시예 47과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다. 아울러, 표면 저항률을 측정한 바, 표면 저항률은 1.7×1011Ω/sq였다.The layer thicknesses of the layer X, the layer Y and the layer Z of the three-layer film were changed to 40 μm, 15 μm and 25 μm (total thickness of the three-layer film: 80 μm) , A three-layer film having an intermediate layer structure composed of layer (X) / layer (Z) / layer (Y) was produced. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 4 below. The surface resistivity was measured, and the surface resistivity was found to be 1.7 x 10 11 ? / Sq.

[비교예 6][Comparative Example 6]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-13(Zn)으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-13(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여 필름을 제작하였다. 여기에서, 각 층은 모두 IO-13(Zn)을 이용하여 형성되어 있어, 실질적으로 제작한 필름은 단일층으로 이루어진다. 또한, 제작한 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.The resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was changed to IO-13 (Zn), the resin for forming the layer (Z) was changed to IO-13 (Zn) To 210 占 폚, the film was produced in the same manner as in Example 28. Here, each of the layers is formed using IO-13 (Zn), and the film produced substantially consists of a single layer. In addition, initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio of the produced film were measured. These results are shown in Table 5 below.

[비교예 7][Comparative Example 7]

실시예 39에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 C4로, 층(Y) 형성용 수지를 C4로, 층(Z) 형성용 수지를 C4로 바꾸고, 다이스 온도를 210℃에서 240℃로 바꾸며, 또한, 총두께를 80㎛로 한 것 이외에는 실시예 39과 동일하게 하여 필름을 제작하였다. 여기에서, 각 층은 모두 C4를 이용하여 형성되어 있어, 실질적으로 제작한 필름은 단일층으로 이루어진다. 또한, 제작한 필름에 대하여 초기 응력 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.The resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was changed to C4, the resin for forming the layer (Y) was changed to C4, the resin for forming the layer (Z) was changed to C4, A film was prepared in the same manner as in Example 39 except that the total thickness was changed to 240 占 폚 and the total thickness was 80 占 퐉. Here, all the layers are formed by using C4, and the substantially formed film is composed of a single layer. Further, initial stress and expansion ratio of the produced film were measured. These results are shown in Table 5 below.

[비교예 8][Comparative Example 8]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 70㎛, 90㎛ 및 70㎛(3층 필름의 총두께:230㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다. 또한, 확장률을 측정했으나, 웨이퍼 확장 장치 스테이지가 상승하지 않아, 측정 불가(NG)였다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), a resin for forming a layer (Z), and a resin for forming a layer (Z) were formed in the same manner as in Example 28, And the layer thicknesses of the layer (X), the layer (Y) and the layer (Z) of the three-layer film were changed to 70 占 퐉, 90 占 퐉 and 70 占 퐉 (3 Layer film: total thickness of layer film: 230 占 퐉), a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze and total light transmittance. These results are shown in Table 5 below. Further, although the expansion rate was measured, the stage of the wafer expander did not rise, and measurement was impossible (NG).

[비교예 9][Comparative Example 9]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 C2로, 층(Y) 형성용 수지를 EVA로, 층(Z) 형성용 수지를 C2로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.The resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was changed to C2, the resin for forming the layer (Y) was changed to EVA and the resin for forming the layer (Z) was changed to C2, Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 200 C, &lt; / RTI &gt; The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 5 below.

[비교예 10][Comparative Example 10]

실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C3로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.(Zn), a resin for forming a layer (Y), and a resin for forming a layer (Z) were formed in the same manner as in Example 28 except that the resin for forming the layer (X) in contact with the adhesive layer was IO-16 ), And the dice temperature was changed from 220 캜 to 210 캜, a three-layer film was produced in the same manner as in Example 28. The three-layer film thus prepared was subjected to measurement of initial stress, haze, total light transmittance and expansion ratio. These results are shown in Table 5 below.

[실시예 50∼69][Examples 50 to 69]

기재로서 실시예 28∼49에서 제작한 아이오노머 필름 기재를 준비하고, 점착층 형성용의 점착제로서 자외선 경화형 아크릴계 점착제(아라카와가가쿠고교사제의 빔세트 575(우레탄아크릴레이트계 올리고머))를 준비하였다.As the substrate, the ionomer film substrates prepared in Examples 28 to 49 were prepared and an ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive (Beam Set 575 (urethane acrylate oligomer) manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) was prepared as a pressure-sensitive adhesive for forming an adhesive layer .

상기의 기재 및 점착제를 이용하여, 기재의 위에, 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 아세트산 에틸에 녹인 것을 바 코트 도포함으로써, 도 2에 나타내는 바와 같이 아이오노머 필름 기재(11)/건조 두께 20㎛의 점착층(12)의 중층 구조로 이루어지는 스텔스 다이싱용 필름을 제작하였다.The base material and the pressure-sensitive adhesive were applied on the substrate by bar coating to obtain an ionomer film base material 11 / adhesive layer having a dry thickness of 20 占 퐉 (as shown in Fig. 2) by applying the ultraviolet curable acrylic pressure- 12) was fabricated.

[실시예 70∼89][Examples 70 to 89]

실시예 50∼69에서 제작한 스텔스 다이싱용 필름을 이용하여, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 각 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)을 웨이퍼(W)의 이면에 고정하고, 또한 스텔스 다이싱용 필름(1)을 그 점착층(12)의 단부를 다이싱 테이블(6)과 접촉시켜 다이싱 테이블에 고정한다. 다음에, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 기재(11)측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 도광함으로써, 도 3b에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 내부의 다이싱 라인을 따라 개질부(W1)를 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 단부를 화살표방향으로 잡아당겨 필름을 확장하고, 개질부(W1)를 기점으로 하여 복수로 분할한다. 그 후, 점착층(12)에 자외선 조사하고, 복수의 칩을 취출함으로써, 원하는 전자부품이 얻어진다.3A, the sticky layer 12 of each stealth dicing film 1 was fixed to the back surface of the wafer W by using the stealth dicing films produced in Examples 50 to 69, The dicing film 1 is fixed to the dicing table by bringing the end of the adhesive layer 12 into contact with the dicing table 6. [ Next, laser light is irradiated from the base material 11 side of the stealth dicing film 1 and light is guided through the stealth dicing film 1 to form a die 1 inside the wafer W as shown in Fig. And the reforming portion W1 is formed along the sine line. Then, as shown in Fig. 4, the end portion of the stealth dicing film 1 is pulled in the direction of the arrow to extend the film, and the film is divided into a plurality of portions starting from the modified portion W1. Thereafter, the adhesive layer 12 is irradiated with ultraviolet rays, and a plurality of chips are taken out to obtain a desired electronic component.

[표 3][Table 3]

Figure 112016037662498-pat00003
Figure 112016037662498-pat00003

[표 4][Table 4]

Figure 112016037662498-pat00004
Figure 112016037662498-pat00004

[표 5][Table 5]

Figure 112016037662498-pat00005
Figure 112016037662498-pat00005

상기 표 3∼표 5에 나타내는 바와 같이, 실시예에서는, 헤이즈 및 전체 광선 투과율에 대하여 양호한 결과가 얻어지고 있는 바와 같이 투명성이 높고, 또한, 초기 응력도 양호한, 스텔스 다이싱에 적합한 필름 기재 및 다이싱용 필름이 얻어졌다.As shown in Tables 3 to 5, in Examples, good results were obtained with respect to haze and total light transmittance, film substrates having high transparency and good initial stress and suitable for stealth dicing, A film was obtained.

이에 대하여 비교예 6 및 비교예 9에서는, 어느 정도의 헤이즈 값이나 광선 투과율이 얻어지지만, 초기 응력이 지나치게 작아져, 스텔스 다이싱에서의 분단성이 떨어지는 결과가 되었다. 비교예 7에서는 반대로, 초기 응력이 지나치게 높아져, 스텔스 다이싱에서의 확장시에 양호한 확장률을 없을 수 없고, 또한, 비교예 10에서는 확장할 수는 있었지만, 확장 후에 백화 현상이 생겨버렸다. 그리고, 비교예 8에서는 총두께가 지나치게 두껍기 때문에 확장성을 유지할 수 없어, 분단성이 떨어지고 있었다.On the other hand, in Comparative Examples 6 and 9, a haze value and a light transmittance were obtained to some extent, but the initial stress became too small, and the result was that the division property in stealth dicing was deteriorated. On the contrary, in Comparative Example 7, the initial stress was excessively high, and there was no satisfactory expansion ratio at the time of expansion in stealth dicing. In addition, in Comparative Example 10, the expansion could occur. In Comparative Example 8, since the total thickness was too thick, the expandability could not be maintained, and the separability was deteriorated.

일본 출원 2011-284379, 2012-053389 및 2012-122540의 개시는, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.The disclosures of Japanese applications 2011-284379, 2012-053389 and 2012-122540 are incorporated herein by reference in their entirety.

본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원 및 기술규격은, 개개의 문헌, 특허출원 및 기술규격이 참조에 의해 포함됨이 구체적으로 또한 개별적으로 기재된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 포함된다.All publications, patent applications, and technical specifications described in this specification are herein incorporated by reference to the same extent as if each individual document, patent application, and technical specification were specifically and individually indicated to be incorporated by reference.

Claims (19)

점착층과 기재를 구비한 레이저 다이싱용 필름의 상기 기재로서 이용되고, 에틸렌·불포화카르본산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머, 불포화카르본산의 함유량이 10질량%를 초과하고 20질량% 이하인 에틸렌·불포화카르본산계 공중합체 및 그 아연 아이오노머로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 초기 응력이 9MPa 이상 19 MPa 이하인, 레이저 다이싱용 필름 기재.Wherein the content of the magnesium ionomer and the unsaturated carboxylic acid in the ethylene / unsaturated carboxylic acid copolymer is 10% by mass or more and 20% by mass or less and the content of the ethylenically unsaturated A carboxylic acid copolymer and a zinc ionomer thereof, and has an initial stress of 9 MPa or more and 19 MPa or less. 제 1 항에 있어서,
상기 마그네슘 아이오노머의 공중합체 및 상기 아연 아이오노머의 공중합체 중에 있어서의 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 공중합비가 7질량% 미만인 레이저 다이싱용 필름 기재.The method according to claim 1,
Wherein the copolymerization ratio of the structural units derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester in the copolymer of the magnesium ionomer and the zinc ionomer is less than 7% by mass. 제 1 항에 있어서,
점착층과 접하는 층 X와 층 Y와 층 Z가 이 순서대로 중층된 중층 구조, 또는 상기 점착층과 접하는 층 X와 층 Z와 층 Y가 이 순서대로 중층된 중층 구조를 가지고, 층 X가 수지 A를 포함하며, 상기 수지 A가, 에틸렌·불포화카르본산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머, 또는 불포화카르본산의 함유량이 10질량%를 초과하고 20질량% 이하인 에틸렌·불포화카르본산계 공중합체의 아연 아이오노머이고, 층 Y가 수지 B를 포함하며, 상기 수지 B가, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산에스테르 2원 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종이고, 층 Z가 수지 C를 포함하며, 상기 수지 C가, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머로부터 선택되는 적어도 1종인 레이저 다이싱용 필름 기재.The method according to claim 1,
A middle layer structure in which a layer X in contact with the adhesive layer, a layer Y and a layer Z are superimposed in this order, or a middle layer structure in which a layer X in contact with the adhesive layer, a layer Z and a layer Y are superimposed in this order, A, wherein the resin A is at least one selected from the group consisting of a magnesium ionomer of an ethylene / unsaturated carboxylic acid copolymer or a zinc ion of an ethylene / unsaturated carboxylic acid copolymer having an unsaturated carboxylic acid content of more than 10 mass% and not more than 20 mass% And Y is a resin B. The resin B is at least one selected from the group consisting of low density polyethylene, linear low density polyethylene, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene / unsaturated carboxylic acid bidentate copolymer and its ionomer, ethylene / unsaturated carboxylic acid At least one kind selected from the inherent unsaturated carboxylic ester terpolymer and its ionomer and the ethylene / unsaturated carboxylic ester double-component copolymer, and the layer Z is a resin C Wherein the resin C is at least one selected from ethylene-unsaturated carboxylic acid binary copolymer and its ionomer, and ethylene-unsaturated carboxylic acid-unsaturated carboxylic ester terpolymer and its ionomer, Film substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 층 X, 상기 층 Y 및 상기 층 Z의 두께가 각각 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 레이저 다이싱용 필름 기재.The method of claim 3,
Wherein the thicknesses of the layer X, the layer Y, and the layer Z are each in the range of 10 탆 or more and 100 탆 or less. 제 3 항에 있어서,
상기 수지 A의 굽힘 강성률이 100MPa 이상 350MPa 이하의 범위이고, 상기 수지 B의 굽힘 강성률이 5MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 수지 C의 굽힘 강성률이 50MPa 이상 350MPa 이하의 범위이고, 상기 수지 A 또는 상기 수지 C의 굽힘 강성률의 각각으로부터 상기 수지 B의 굽힘 강성률을 뺀 차의 절대값이 큰 쪽의 값이 50MPa 이상 345MPa 이하의 범위 내인 레이저 다이싱용 필름 기재.The method of claim 3,
Wherein the resin A has a flexural rigidity ranging from 100 MPa to 350 MPa and a flexural rigidity of the resin B ranging from 5 MPa to 350 MPa and a flexural rigidity of the resin C ranging from 50 MPa to 350 MPa, Wherein the value of the absolute value of the difference obtained by subtracting the flexural rigidity of the resin B from each of the flexural rigidity of the resin C is within a range of 50 MPa or more and 345 MPa or less. 제 3 항에 있어서,
상기 수지 A의 마그네슘 아이오노머의 2원 공중합체 중에 있어서의 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유량은, 1질량% 이상 35질량% 이하인 레이저 다이싱용 필름 기재.The method of claim 3,
The content of the constituent unit derived from the unsaturated carboxylic acid in the binary copolymer of the magnesium ionomer of the resin A is 1% by mass or more and 35% by mass or less. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
융점이 155℃ 이상 185℃ 이하인 대전방지제를 포함하는 레이저 다이싱용 필름 기재.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And an antistatic agent having a melting point of 155 deg. C or more and 185 deg. C or less. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
표면 저항률이 1.0×109Ω/sq 이상 1.0×1012Ω/sq 이하인 레이저 다이싱용 필름 기재.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a surface resistivity of 1.0 x 10 9 ? / Sq or more and 1.0 x 10 12 ? / Sq or less. 점착층과, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 다이싱용 필름 기재를 구비한 레이저 다이싱용 필름.A laser dicing film comprising the adhesive layer and the film substrate for laser dicing according to any one of claims 1 to 6. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 웨이퍼의 이면에 제 9 항에 기재된 레이저 다이싱용 필름을 부착하는 공정과,
상기 레이저 다이싱용 필름이 부착된 웨이퍼에 대하여, 상기 레이저 다이싱용 필름측으로부터 레이저광을 조사하고, 레이저 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광에 의해 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 포함하는 전자부품의 제조방법.
A step of attaching the laser-dicing film according to claim 9 to the back surface of the wafer,
And a step of irradiating the wafer with the laser dicing film thereon with laser light from the side of the laser dicing film and dicing the wafer with the laser light via the laser dicing film Way.
KR1020167010280A 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component KR101742647B1 (en)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-284379 2011-12-26
JP2011284379 2011-12-26
JP2012053389 2012-03-09
JPJP-P-2012-053389 2012-03-09
JP2012122540 2012-05-29
JPJP-P-2012-122540 2012-05-29
PCT/JP2012/083154 WO2013099778A1 (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147019552A Division KR20140102756A (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167018806A Division KR101832297B1 (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160049041A KR20160049041A (en) 2016-05-04
KR101742647B1 true KR101742647B1 (en) 2017-06-01

Family

ID=48697267

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147019552A KR20140102756A (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component
KR1020167018806A KR101832297B1 (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component
KR1020167010280A KR101742647B1 (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147019552A KR20140102756A (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component
KR1020167018806A KR101832297B1 (en) 2011-12-26 2012-12-20 Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP6073810B2 (en)
KR (3) KR20140102756A (en)
CN (2) CN107057594B (en)
TW (2) TWI500731B (en)
WO (1) WO2013099778A1 (en)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6111827B2 (en) * 2013-04-30 2017-04-12 三星ダイヤモンド工業株式会社 Break jig
JP6482818B2 (en) * 2013-10-23 2019-03-13 リンテック株式会社 Dicing sheet
JP6472972B2 (en) * 2013-10-23 2019-02-20 三井・デュポンポリケミカル株式会社 Resin composition for dicing tape substrate and dicing tape substrate
WO2015076126A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 リンテック株式会社 Dicing-sheet base film, dicing sheet containing said base film, and method for manufacturing said base film
JP6334223B2 (en) * 2014-03-26 2018-05-30 リンテック株式会社 Adhesive sheet
JP6158753B2 (en) 2014-06-03 2017-07-05 アキレス株式会社 Base film for tape for semiconductor manufacturing process
US10438831B2 (en) * 2014-06-18 2019-10-08 Lintec Corporation Base film for dicing sheets and dicing sheet
JP6804860B2 (en) * 2016-04-05 2020-12-23 パナック株式会社 Manufacturing method of carrier sheet and cutting member
JP6980684B2 (en) * 2016-11-02 2021-12-15 リンテック株式会社 Dicing sheet
WO2018123804A1 (en) * 2016-12-27 2018-07-05 三井・デュポンポリケミカル株式会社 Dicing film base and dicing film
CN106784200B (en) * 2017-02-15 2018-10-19 西安中为光电科技有限公司 A kind of production method of stealthy cutting and back of the body plating LED chip
ES2927866T3 (en) * 2017-09-13 2022-11-11 Genuine Solutions Pte Ltd Cutting method for substrates based on polymer resin mold compounds and system thereof
JP7141924B2 (en) * 2018-02-09 2022-09-26 日東電工株式会社 dicing tape
JP7042667B2 (en) * 2018-03-28 2022-03-28 古河電気工業株式会社 Manufacturing method of semiconductor chip
CN110408334B (en) * 2018-04-27 2023-04-07 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 Adhesive film
JP6928183B2 (en) * 2018-08-08 2021-09-01 三井・ダウポリケミカル株式会社 Resin composition for dicing film base material, dicing film base material and dicing film
CN109081301A (en) * 2018-08-09 2018-12-25 烟台睿创微纳技术股份有限公司 A kind of MEMS wafer cutting method
CN108996470A (en) * 2018-08-09 2018-12-14 烟台睿创微纳技术股份有限公司 A kind of MEMS wafer cutting method
CN109599354A (en) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 A kind of structure and method of the transfer of Micro-LED flood tide
CN109599463A (en) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 A kind of pick-up structure and transfer method for the transfer of Micro-LED flood tide
EP3936535B1 (en) * 2019-03-04 2022-12-28 Japan Polyethylene Corporation Multi-component ionomer
JP2021195545A (en) * 2020-06-12 2021-12-27 エスケー イノベーション カンパニー リミテッドSk Innovation Co., Ltd. Ethylene-(meth)acrylic acid copolymer and water-dispersive composition including the same
CN112518141B (en) * 2020-11-24 2022-07-15 无锡光导精密科技有限公司 Laser induced cutting method and device
CN116802224A (en) * 2021-03-23 2023-09-22 琳得科株式会社 Substrate film and sheet for workpiece processing
CN113214746A (en) * 2021-06-29 2021-08-06 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 Ultraviolet curing adhesive tape for invisible cutting, preparation method and application
CN117716472A (en) * 2021-07-08 2024-03-15 麦克赛尔株式会社 Adhesive tape
CN117279984A (en) * 2021-09-28 2023-12-22 琳得科株式会社 Substrate film and sheet for workpiece processing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073897A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Lintec Corp Laser dicing sheet, and manufacturing method of semiconductor chip
JP2011040449A (en) * 2009-08-07 2011-02-24 Du Pont Mitsui Polychem Co Ltd Substrate for dicing tape, the dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
JP2011061097A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Mitsui Chemicals Inc Process tape for dicing

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3845129B2 (en) * 1995-06-20 2006-11-15 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for fixing semiconductor wafers
JP4780828B2 (en) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 Adhesive tape for wafer processing, method for producing the same and method for using the same
JP4578050B2 (en) * 2001-09-04 2010-11-10 グンゼ株式会社 Wafer dicing tape substrate
AU2003302667A1 (en) * 2002-11-20 2004-06-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Potassium ionomers modified with an organic acid salt and structures fabricated therefrom
JP4413499B2 (en) * 2003-01-24 2010-02-10 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for fixing semiconductor wafers
WO2005113671A1 (en) * 2004-05-12 2005-12-01 E.I. Dupont De Nemours And Company Ionomer compositions suitable for use in antifog applications
JP4712468B2 (en) * 2004-11-30 2011-06-29 古河電気工業株式会社 Dicing die bond tape
JP4526937B2 (en) * 2004-12-02 2010-08-18 アキレス株式会社 Antistatic base film for semiconductor manufacturing tape
JP4873863B2 (en) * 2005-01-14 2012-02-08 日東電工株式会社 Manufacturing method of laser processed product and pressure-sensitive adhesive sheet for laser processing
JP4744196B2 (en) * 2005-05-31 2011-08-10 電気化学工業株式会社 Adhesive sheet
JP4748518B2 (en) * 2005-07-20 2011-08-17 古河電気工業株式会社 Dicing die bond tape and dicing tape
JP4676398B2 (en) * 2006-07-26 2011-04-27 古河電気工業株式会社 Dicing adhesive tape
JP4850625B2 (en) * 2006-08-22 2012-01-11 日東電工株式会社 Adhesive sheet for laser processing
CN101889032B (en) * 2007-12-07 2012-10-24 三井-杜邦聚合化学株式会社 Ionomer, resin composition containing the ionomer, unstretched film, sheet or molded body each made from the composition, and laminate having layer of the unstretched film
JP5493460B2 (en) * 2008-08-20 2014-05-14 日立化成株式会社 Manufacturing method of semiconductor device and dicing tape integrated adhesive sheet
US8497326B2 (en) * 2008-09-09 2013-07-30 E I Du Pont De Nemours And Company Antistatic ionomer composition and articles therewith
JP2010202735A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Dainippon Printing Co Ltd Self-adhesive sheet
JP2010215256A (en) * 2009-03-16 2010-09-30 Sumitomo Chemical Co Ltd Lid material for electronic component storing container, and electronic component storing container
KR101682726B1 (en) * 2009-10-15 2016-12-12 아키레스 가부시키가이샤 Base film of tape for process of semiconductor production
JP2011210887A (en) * 2010-03-29 2011-10-20 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive tape for processing radiation curing wafer
JP5554118B2 (en) * 2010-03-31 2014-07-23 古河電気工業株式会社 Wafer processing tape
JP4976522B2 (en) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073897A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Lintec Corp Laser dicing sheet, and manufacturing method of semiconductor chip
JP2011040449A (en) * 2009-08-07 2011-02-24 Du Pont Mitsui Polychem Co Ltd Substrate for dicing tape, the dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device
JP2011061097A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Mitsui Chemicals Inc Process tape for dicing

Also Published As

Publication number Publication date
TW201333152A (en) 2013-08-16
TWI563061B (en) 2016-12-21
CN104011836A (en) 2014-08-27
KR20140102756A (en) 2014-08-22
JP6073810B2 (en) 2017-02-01
CN107057594B (en) 2021-02-09
KR20160086989A (en) 2016-07-20
WO2013099778A1 (en) 2013-07-04
JP2017063210A (en) 2017-03-30
TW201600582A (en) 2016-01-01
JP6247733B2 (en) 2017-12-13
TWI500731B (en) 2015-09-21
CN104011836B (en) 2017-07-25
JPWO2013099778A1 (en) 2015-05-07
KR20160049041A (en) 2016-05-04
KR101832297B1 (en) 2018-02-26
CN107057594A (en) 2017-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101742647B1 (en) Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component
JP6554708B2 (en) Resin composition for dicing film substrate, dicing film substrate and dicing film
JP6617215B2 (en) Dicing sheet
WO2002042389A1 (en) Wafer machining adhesive tape, and its manufacturing method and using method
CN112236469B (en) Resin composition for dicing film substrate, and dicing film
KR101845857B1 (en) Laminate film, and film for use in production of semiconductor comprising same
JP6472972B2 (en) Resin composition for dicing tape substrate and dicing tape substrate
JP6667671B2 (en) Dicing film substrate and dicing film
JP5207660B2 (en) Dicing substrate film and dicing film
JP6106526B2 (en) Adhesive sheet for semiconductor wafer processing
JP7326025B2 (en) Base film for dicing
TW202302747A (en) Resin composition for dicing film substrate, dicing film substrate, and dicing film

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant