KR101722117B1 - 반도체 발광소자를 제조하는 방법 - Google Patents

반도체 발광소자를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1); 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2); 패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3); 그리고, 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자를 제조하는 방법{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 기판을 눌러 캐비티를 형성하고, 간단한 제조방법으로 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 한국 공개특허공보 제 10-2011-0000830호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 1에서는 열 전달율이 높은 금속기판(30,32)을 사용하여 반도체 발광소자 칩(25)의 열을 전달하도록 한다. 세라믹 기판(34) 위에 전기가 흐르는 배선(24b)을 하여 반도체 발광소자 칩(25)과 연결한다. 세라믹 기판(34)은 소성을 해야하는 공정이 있고, 배선(24b)을 한 후 금속기판(30,32)과 세라믹 기판(34)을 접합해야 하므로 공정이 단순하지 않다.
도 2는 한국 등록특허공보 제 10-0616692호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 금속기판(11)을 관통하여 절연층(10)이 형성되어 있고, 기판에 반도체 발광소자 칩(12)의 전극을 연결하였다. 절연층(10)은 금속기판(11)에 틈을 생성하고, 틈 내부에 절연재를 충전하여 형성할 수 있다. 틈에 충전하기 때문에 틈 안에서 기포가 생성되거나, 틈 내부에 절연재가 확실히 들어갔는지 확인할 수 없는 문제점이 있고, 상부 기판(13)을 따로 제작하여 설치해야한다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1); 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2); 패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3); 그리고, 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 한국 공개특허공보 제 10-2011-0000830호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 등록특허공보 제 10-0616692호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 순서도,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결한 반도체 발광소자의 사시도의 일 예,
도 13은 본 개시에 따른 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결한 반도체 발광소자의 사시도의 다른 예.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 순서도이다.
반도체 발광소자의 제조 방법에서, 먼저, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2도전부 및 절연층의 일부를 제거한 기판을 준비한다(S1). 이후, 기판 상부에 패턴을 형성한다(S2). 다음으로, 패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성한다(S3). 그리고, 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하여(S4) 반도체 발광소자를 제조한다.
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4a와 같은 기판(100) 하부의 일부가 제거된 기판(100)을 준비한다. 기판(100)은 제1 도전부(101), 제2 도전부(102) 및 절연층(110)을 포함한다.
도 4b와 같이 패턴(300)을 기판(100) 상부에 형성한다. 패턴(300)은 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 마스크를 이용하여 패턴(300)을 증착하고, 마스크는 제거될 수 있다. 이후, 패턴(300)을 형성하고, 패턴(300) 위에 도금할 수 있다. 또한, 전극 부분만 패턴(300)을 형성하고, 도금하여 형성할 수 있다.
도 4a와 도 4b의 순서는 바뀔 수 있다.
이후, 도 4c와 같이 패턴(300)측을 눌러 제1 캐비티(301)를 형성한다. 기판(100) 상부에 형성된 패턴(300)측을 눌러 제1 캐비티(301)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 프레스(900)를 이용하여 제1 캐비티(301)를 형성할 수 있다. 또한, 기계 가공을 이용하여 기판(100)의 일부를 제거하여, 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성할 수 있다.
이후, 도 4d와 같이 제1 캐비티(301) 내에 반도체 발광소자 칩(200)을 실장할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(200)은 레터럴칩, 버티컬칩, 플립칩을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 발광소자 칩(200)은 자외선, 적외선, 가시광선 등을 발광할 수 있다.
제조 방법의 순서가 변경되어도 발명의 특징이 변하지 않는 내에서 당업자가 변경할 수 있다.
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 반도체 발광소자는 기판(100), 패턴(300), 제1 캐비티(301) 및 반도체 발광소자 칩(200)을 포함한다. 기판(100)은 제1 도전부(101), 제2 도전부(102), 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102) 사이에 있는 절연층(110)을 포함한다. 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)는 서로 닿지 않도록 하고, 전기가 통하는 재료로 형성한다. 바람직하게는 금속으로 형성될 수 있다. 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)는 같은 재료로 형성될 수 있으며, 각자 다른 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)의 재료는 알루미늄(AL)으로 형성될 수 있다. 절연층(110)은 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102) 사이에 형성되며, 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)가 전기적으로 통하지 않도록 절연한다. 절연층(110)의 두께(l)는 50um~300um 정도로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연층(110)은 에폭시 계열로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 에폭시에 세라믹 파우더가 포함될 수 있다.
제1 캐비티(301)는 기판(100) 상부에 형성된다. 제1 캐비티(301) 내에 반도체 발광소자 칩(200)이 실장되며, 옆으로 퍼지는 빛을 모아줄 수 있다. 제1 캐비티(301) 내부에 패턴(300)이 형성될 수 있다. 기판(100)을 눌러 제1 캐비티(301)를 형성할 때, 패턴(300)이 있는 기판(100) 상부를 눌러 형성하기 때문이다. 패턴(300)은 은으로 형성될 수 있다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 5에서 형성된 반도체 발광소자에는 봉지재(310)가 형성될 수 있다. 패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결하는 단계(도 3:S4) 후에 제1 캐비티(301)를 봉지재(310)로 봉지할 수 있다. 봉지재(310)에 파장변환재를 섞어 반도체 발광소자 칩(200)에서 나오는 빛의 색을 바꾸거나 파장을 바꿀 수 있다. 봉지재(310)는 반도체 발광소자 칩(200)을 외부의 습기, 먼지 등으로부터 보호할 수 있다. 또한, 반도체 발광소자가 자외선을 발광할 때에는, 바람직하게는, 봉지재(310)는 사용하지 않고, 제1 캐비티(301)를 유리로 밀봉할 수 있다. 또한,보호소자(200)는 와이어 본딩칩 및 플립칩으로 형성될 수 있다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 캐비티(301) 내에 봉지재(310)가 형성되어 있고, 봉지재(310) 위에 반사방지막(320)이 형성된 예이다. 반도체 발광소자 칩(200)에서 발광된 빛이 봉지재(310)를 통해 제1 캐비티(301)의 외부로 나갈 때, 봉지재(310)와 외부의 경계에서 빛의 일부는 내부로 반사될 수 있다. 빛이 내부로 반사되는 만큼 외부로 나가는 빛의 세기가 줄어들고, 내부에 열이 발생한다. 이를 방지하기 위해, 봉지재(310) 위에 반사방지막(320)을 구비할 수 있다. 반사방지막(320)에는 많은 돌기나 굴절율이 다른 층으로 이루어져 반사 없이 빛이 통과할 수 있다. 또한, 봉지재(310) 없이 반사방지막(320)을 사용하여 제1 캐비티(301)를 밀봉 할 수 있다. 또한, 제1 캐비티(301)는 봉지재(310) 없이 유리로 밀봉된 후 유리에 반사방지막(320)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 반사방지막(320)은 AR 처리(Anti Reflection)나 AG처리(Anti-Glare) 한 필름을 사용할 수 있다. 패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결한(도 3:S4) 후에 제1 캐비티(301)에 봉지재(310)를 봉지하고, 봉지재(310) 위에 반사방지막(320)을 구비하는 반도체 발광소자를 제조할 수 있다. 또한 절연층(110)은 그림과 같이 바닥면(150)에 수직 하지 않고, 비스듬하게 형성될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자가 자외선을 발광할 때에는, 바람직하게는, 제1 캐비티는 봉지재(310) 없이 유리로 밀봉된 후 유리 위에 반사방지막(320)을 형성할 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 8과 같이 제1 캐비티(301)는 반사층(330)을 포함한다. 반사층(330)은 제1 캐비티(301)에 형성된다. 반사층(330)은 반도체 발광소자 칩(200)에서 나오는 빛 중 제1 캐비티(301) 내부로 향하는 빛을 반사한다. 반사층(330)은 빛의 파장에 따라 반사율이 다르고, 빛의 파장에 따라 다른 재료를 사용할 수 있다. 예를 들면, 반사층(330)은 절연반사층으로 형성될 수 있다. 반도체 발광소자를 제조할 때, 기판(100) 상부에 패턴(300)을 형성(도 4:S2) 한 후, 패턴(300) 주위에 절연반사층을 형성할 수 있다.
제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)가 알루미늄(AL)으로 형성되면, 알루미늄(AL)은 자외선 반사율이 높기 때문에, 제1 도전부와 제2 도전부가 반사층이 될 수 있다. 하지만 적외선이나 가시광선을 발광하는 반도체 발광소자 칩(200)은 적절한 반사층(330)을 사용할 수 있다.
절연층(110)은 두께가 일정하지 않게 형성될 수 있다. 절연층(110)의 두께는 반도체 발광소자 칩(200)의 종류에 따라서 달라질 수 있다. 플립칩을 실장할 때, 절연층(110)의 두께는 150um~250um로 형성될 수 있다. 레터럴칩과 버티컬칩을 실장할 때는 와이어로 연결할 수 있기 때문에 절연층(110)의 두께는 상관없다. 하지만, 절연층(110)이 300um이상이 되면 열저항이 높아지고, 절연층(110)이 50um이하가 되면 쇼트가 발생할 수 있다. 바람직하게 절연층(110)의 두께는 50um~300um로 형성될 수 있다. 도 8에서 l1과 l2는 50um~300um로 형성될 수 있다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 일반적으로 반도체 발광소자를 외부에 연결할 때, 솔더를 반도체 발광소자에 형성한다. 이때, 솔더와 솔더가 닿으면 쇼트가 될 수 있기 때문에, 솔더와 솔더 사이에 솔더레지스터를 사용하여 쇼트를 방지할 수 있다. 알루미늄(AL)으로 형성된 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)를 가질 때, 알루미늄(AL)은 솔더와 접촉력이 좋지 않아서 솔더를 알루미늄(AL)에 형성할 수 없다. 접착력을 높이기 위해서 제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부에 전극층(400)을 형성한다. 이때, 전극층(400) 사이의 거리(l3)는 400um 이상 떨어져야 한다.
제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부에 형성되는 전극층(400)은 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 전극층(400)은 증착되어 형성될 수 있다. 전극층(400)의 재료는 은으로 형성될 수 있다.
패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결한(S4) 이후, 제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부에 전극층(400)을 형성하고, 전극층(400) 사이의 거리(l3)가 400um 이상이 되도록 한다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 10은 제2 캐비티(302)가 형성된 반도체 발광소자이다. 제2 캐비티(302)는 제1 캐비티(301)가 형성되는 단계에서 함께 형성될 수 있다. 프레스(도 4: 900)로 기판(101,102,110)을 누를 때, 바닥까지 누르지 않고 제2 캐비티(302)의 높이를 남겨두고 눌러, 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 동시에 형성할 수 있다. 또한, 제2 캐비티(302) 높이의 돌출부를 가진 판을 기판(101,102,110) 아래에 두고, 프레스(도 4:900)로 기판(101,102,110)을 눌러 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성할 수 있다. 제2 캐비티(302)를 형성함으로써 전극층(400)이 형성되는 제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부의 거리(l3)가 충분히 멀어질 수 있다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 10에서 형성한 제2 캐비티(302)에 절연체(311)를 채운 것이다. 절연체(311)는 절연층(110)에서 사용된 재료일 수 있고, 봉지재로 제2 캐비티(302)를 봉지할 수 있다. 제2 캐비티(302)를 채울 때는 전기가 통하지 않는 재료가 바람직하다. 전극층(400) 사이의 거리(l3)가 제2 캐비티(302)의 너비만큼 멀어질 수 있다.
도 12는 본 개시에 따른 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결한 반도체 발광소자의 사시도의 일 예이다. 본 예는 제1 캐비티(301)를 절연층(110)을 따라 길게 형성된 예이다. 제1 캐비티(301)에 다수의 반도체 발광소자 칩(200)이 구비되어, 바(bar) 형태의 반도체 발광소자가 제조될 수 있다. 이때, A-A'방향으로 잘라내어 바(bar) 형태의 반도체 발광소자로 사용될 수 있다. 또한 제1 캐비티(301)에 다수의 반도체 발광소자 칩(302)이 구비되고, A-A'방향과 반도체 발광소자 칩 사이를 B-B' 방향으로 잘라서 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.
도 13은 본 개시에 따른 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결한 반도체 발광소자의 사시도의 다른 예이다.
기판(100)의 제1 캐비티(301)는 기판(100)의 절연층(110)을 따라 형성되며, 기판(100) 내에 다수의 제1 캐비티(301)가 형성된다. 도 13a에는 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)가 형성될 수 있다. 도 13a와 같은 캡슐모양의 제1 캐비티(301)가 형성될 수 있으며, 도 13b와 같은 원형 제1 캐비티(301)가 형성될 수 있다. 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)의 모양은 다양하게 형성될 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1) 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2) 패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3) 그리고, 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(2) 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4) 후에 제1 캐비티에 봉지재를 봉지하고, 봉지재 위에 반사방지막을 구비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(3) 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2) 후에 기판 상부에 절연반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(4) 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4) 후에 제1 캐비티에 봉지재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(5) 패턴은 제1 캐비티 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 반도체 발광소자 칩은 자외선을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(7) 절연층의 두께는 50um~300um사이인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(8) 제1 도전부와 제2 도전부는 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(9) 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4) 후에 제1 도전부 하부와 제2 도전부 하부에 거리가 400um이상으로 전극층이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(10) 패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3)에서 제1 캐비티 아래에서 기판 하부에 형성되는 제2 캐비티를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(11) 패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3)후에, 제2 캐비티를 절연체로 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(12) 패턴은 은으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
본 개시에 의하면, 열 방출이 쉽고, 상부기판 없이 간단한 제조공정을 통해 제조할 수 있는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 기판에 패턴을 형성하여 반도체 발광소자 칩의 접촉력이 향상되도록 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 반도체 발광소자와 회로기판을 연결하기 위해 솔더를 형성할 때, 솔더가 쇼트되지 않도록 전극층 사이의 거리를 400um이상으로 형성하여 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.

Claims (12)

  1. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1);
    기판 상부에 기판과 직접 전기적으로 연결되고, 반도체 발광소자와 기판의 접촉력 향상을 위한 패턴을 형성하는 단계(S2);
    패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3); 그리고,
    패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 후에
    제1 캐비티에 봉지재를 봉지하고, 봉지재 위에 반사방지막을 구비하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2); 후에
    기판 상부에 절연반사층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 후에
    제1 캐비티에 봉지재를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    패턴은 제1 캐비티 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    반도체 발광소자 칩은 자외선을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    절연층의 두께는 50um~300um사이인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    제1 도전부와 제2 도전부는 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 후에
    제1 도전부 하부와 제2 도전부 하부에 거리가 400um이상으로 전극층이 형성되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3);에서
    제1 캐비티 아래에서 기판 하부에 형성되는 제2 캐비티를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    패턴측을 눌러 제1 캐비티를 형성하는 단계(S3);후에,
    제2 캐비티를 절연체로 채우는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    패턴은 은으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
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