KR101714042B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티 내에 위치하는 발광 소자; 및 상기 몸체 위에 위치하는 렌즈를 포함한다. 상기 렌즈는, 렌즈 몸체부, 및 상기 렌즈 몸체부의 표면에 형성되는 반사 방지막을 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes a body including a cavity; A light emitting element located in the cavity; And a lens positioned on the body. The lens includes a lens body portion and an anti-reflection film formed on a surface of the lens body portion.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

본 기재는 발광 소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 다이오드를 사용하는 경우가 증가되고 있는 추세이다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and there is an increasing tendency to use a light emitting diode as a light source of various lamps, liquid crystal display devices, electric sign boards, to be.

실시예는 반사 손실을 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing reflection loss.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티 내에 위치하는 발광 소자; 및 상기 몸체 위에 위치하는 렌즈를 포함한다. 상기 렌즈는, 렌즈 몸체부, 및 상기 렌즈 몸체부의 표면에 형성되는 반사 방지막을 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes a body including a cavity; A light emitting element located in the cavity; And a lens positioned on the body. The lens includes a lens body portion and an anti-reflection film formed on a surface of the lens body portion.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 렌즈가 반사 방지막을 포함하여 렌즈 표면에서 발생하는 반사에 의한 손실을 줄일 수 있다. 렌즈가 유리로 이루어진 경우 표면에서의 반사 손실이 4%를 초과하는데, 이 반사 손실을 0.5% 이내로 대폭 줄일 수 있다. 이에 의하여 발광 소자 패키지의 특성을 향상할 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, the lens includes the antireflection film to reduce the loss due to the reflection occurring on the surface of the lens. When the lens is made of glass, the reflection loss on the surface exceeds 4%, and this reflection loss can be greatly reduced to within 0.5%. Thus, the characteristics of the light emitting device package can be improved.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 5는 제조예에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈의 반사율을 나타낸 도면이다.
도 6는 비교예에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈의 반사율을 나타낸 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면이다.
1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the second embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the third embodiment.
5 is a view showing the reflectance of a lens of a light emitting device package according to a manufacturing example.
6 is a graph showing the reflectance of a lens of a light emitting device package according to a comparative example.
7 is a view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.
8 is a view for explaining a lighting unit including the light emitting device package according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 2 is a sectional view cut along a line II-II in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 캐비티(20)를 구비한 몸체(10), 캐비티(20) 내에 위치하는 발광 소자(50), 발광 소자(50)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(41) 및 제2 전극(42), 캐비티(20) 내에서 발광 소자(50)를 감싸는 몰딩 부재(60), 그리고 발광 소자(50) 위에 위치한 렌즈(70)를 포함한다. 1 and 2, a light emitting device package 100 according to the present embodiment includes a body 10 having a cavity 20, a light emitting device 50 disposed in the cavity 20, A molding member 60 surrounding the light emitting device 50 in the cavity 20 and a lens (not shown) disposed on the light emitting device 50. The first electrode 41 and the second electrode 42 are electrically connected to the light emitting device 50 70).

이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. This will be described in more detail as follows.

몸체(10)는 폴리프탈아미드(polyphthal amide,PPA), 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP), 폴리아미드9T(polyamid9T, PA9T) 등과 같은 수지, 금속, 감광성 유리(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 세라믹, 인쇄회로기판(PCB) 등을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이러한 물질에 한정되는 것은 아니다. The body 10 may be formed of a resin such as polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T or PA9T, a metal, a photo sensitive glass, a sapphire 2 O 3 ), ceramics, printed circuit boards (PCB), and the like. However, this embodiment is not limited to these materials.

이러한 몸체(10)는 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다. 일례로, 몸체(10)의 평면 형상은 사각형, 원형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. The body 10 may have various shapes depending on the use and design of the light emitting device package 100. For example, the planar shape of the body 10 may have various shapes such as a rectangular shape and a circular shape.

이 몸체(10)에는 상부가 개방되는 캐비티(20)가 형성된다. 도면에서는 이 캐비티(20)의 평면 형상을 원형으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 캐비티(20)는 사각형을 포함하는 다각형 형태의 평면 형상을 가질 수도 있다. The body (10) is provided with a cavity (20) having an open top. In the drawing, the planar shape of the cavity 20 is shown as a circle, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, the cavity 20 may have a planar shape of a polygonal shape including a quadrangle.

캐비티(20)의 측면은 캐비티(20)의 바닥면에 수직하거나 경사질 수 있다. 캐비티(20)가 경사진 측면을 가지는 경우에 캐비티(20)의 측면과 바닥면이 이루는 각도(A)가 100도 내지 170도 일 수 있다. 이때, 각도(A)를 120도 이상으로 하여, 발광 소자(50)로부터 방출되는 광이 잘 반사되도록 할 수 있다. The side surface of the cavity (20) may be perpendicular or inclined to the bottom surface of the cavity (20). The angle A between the side surface and the bottom surface of the cavity 20 may be 100 to 170 degrees when the cavity 20 has an inclined side surface. At this time, the angle A may be 120 degrees or more so that the light emitted from the light emitting element 50 can be well reflected.

이러한 캐비티(20)를 가지는 몸체(10)는 복수의 층을 적층하여 형성되거나, 사출 성형 등을 통하여 형성될 수 있다. 그 외 다양한 방법으로 몸체(10)를 형성할 수 있음은 물론이다. The body 10 having such a cavity 20 may be formed by laminating a plurality of layers or may be formed through injection molding or the like. It is needless to say that the body 10 can be formed by various other methods.

이러한 몸체(10)에는 발광 소자(50)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)이 배치된다. 이러한 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)은 소정 두께를 가지는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 이 표면에 다른 금속층이 도금될 수도 있다. 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)은 전도성이 우수한 금속으로 구성될 수 있다. 이러한 금속으로는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 등이 있다. A first electrode 41 and a second electrode 42 electrically connected to the light emitting device 50 are disposed in the body 10. The first electrode 41 and the second electrode 42 may be formed of a metal plate having a predetermined thickness, and another metal layer may be plated on the surface of the first electrode 41 and the second electrode 42. The first electrode 41 and the second electrode 42 may be formed of a metal having excellent conductivity. Examples of such metals include titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin .

이러한 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)의 일부는 캐비티(20)를 통하여 노출되며, 나머지 부분은 몸체(10) 내부를 관통하여 외부에 노출될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)이 캐비티(20)의 바닥면에 접하여 형성되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)이 몸체(10)의 상면에 접하여 형성되는 것도 가능하다. A part of the first electrode 41 and the second electrode 42 may be exposed through the cavity 20 and the remaining part may pass through the inside of the body 10 and be exposed to the outside. In this embodiment, the first electrode 41 and the second electrode 42 are formed in contact with the bottom surface of the cavity 20, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first electrode 41 and the second electrode 42 may be formed in contact with the upper surface of the body 10.

캐비티(20) 내에는 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)과 전기적으로 연결되면서 발광 소자(50)가 위치한다. 발광 소자(50)는 와이어(52)를 통한 와이어 본딩에 의하여 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)과 전기적으로 연결될 수 있다. In the cavity 20, the light emitting device 50 is positioned while being electrically connected to the first electrode 41 and the second electrode 42. The light emitting device 50 may be electrically connected to the first electrode 41 and the second electrode 42 by wire bonding through the wire 52.

발광 소자(50)는 두 개의 전극층(도시하지 않음)이 상측 방향으로 노출되도록 배치된 수평형 칩 또는 두 개의 전극층이 서로 발광층의 반대쪽에 위치한 수직형 칩으로 구성될 수 있다. 이때, 수평형 칩은 제1 전극(41) 및 제2 전극(42)에 각기 와이어(52)에 의해 연결될 수 있다. 수직형 칩은 제1 전극(41) 및 제2 전극(42) 중 하나의 전극에는 서로 접촉하여 형성되고, 다른 하나의 전극에는 와이어(52)에 의해 연결될 수 있다. 도 2에서는 일례로 수평형 칩을 기준으로 도시하였다. The light emitting device 50 may be a horizontal chip disposed such that two electrode layers (not shown) are exposed in the upward direction, or a vertical chip having two electrode layers disposed on opposite sides of the light emitting layer. At this time, the horizontal chip may be connected to the first electrode 41 and the second electrode 42 by wires 52, respectively. The vertical chip may be formed in contact with one electrode of the first electrode 41 and the second electrode 42, and may be connected to the other electrode by a wire 52. In FIG. 2, a horizontal chip is used as an example.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 와이어 본딩 이외에 다이 본딩(die bonding) 또는 플립 칩(flip chip) 방식 등에 의해 발광 소자(50)와 제1 및 제2 전극(41, 42)이 전기적으로 연결될 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto. That is, the light emitting device 50 and the first and second electrodes 41 and 42 may be electrically connected by die bonding or a flip chip method in addition to wire bonding.

발광 소자(50)는 발광 다이오드(LED)를 포함할 수 있는데, LED 칩은 적색 LED, 청색 LED, 녹색 LED와 같은 유색의 LED로 구현되거나, 자외선(UV) LED로 구현될 수 있다. 실시예가 이러한 LED의 종류 및 개수에 한정되는 것은 아니다. 또한, 몸체(10)에는 LED를 보호하기 위한 보호 소자(예를 들어, 제너 다이오드, 배리스터)(도시하지 않음) 등이 탑재될 수도 있다. The light emitting device 50 may include a light emitting diode (LED), which may be a colored LED, such as a red LED, a blue LED, a green LED, or an ultraviolet (UV) LED. The embodiments are not limited to the types and the numbers of LEDs. A protective element (for example, a zener diode, a varistor) (not shown) for protecting the LED may be mounted on the body 10.

그리고 이 캐비티(20) 내에 발광 소자(50)를 밀봉하면서 몰딩 부재(60)가 채워진다. 이 몰딩 부재(60)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 재료로 이루어질 수 있다. 이 몰딩 부재(60)는 발광 소자(50)부터 방출된 광을 흡수하여 다른 파장을 방출하는 형광 물질을 포함할 수 있다. The molding member 60 is filled in the cavity 20 while sealing the light emitting element 50 therein. The molding member 60 may be made of a light-transmitting material such as silicone or epoxy. The molding member 60 may include a fluorescent material that absorbs light emitted from the light emitting device 50 and emits another wavelength.

이 발광 소자(50)를 감싸는 몰딩 부재(60) 위에 광 추출 효율을 향상하는 렌즈(70)가 위치할 수 있다. 본 실시예에서 렌즈(70)는 볼록 형상을 가지는 렌즈 몸체부(72)와, 렌즈 몸체부(72)의 표면에 위치하는 반사 방지막(74)을 포함할 수 있다. A lens 70 for improving the light extraction efficiency may be disposed on the molding member 60 surrounding the light emitting device 50. In this embodiment, the lens 70 may include a lens body portion 72 having a convex shape and an antireflection film 74 positioned on the surface of the lens body portion 72.

렌즈 몸체부(72)는 광 추출 효율을 최대화하기 위하여 반구형의 형상을 가질 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 렌즈 몸체부(72)는 유리로 형성될 수 있다. The lens body portion 72 may have a hemispherical shape in order to maximize the light extraction efficiency. However, the embodiment is not limited thereto. The lens body portion 72 may be formed of glass.

반사 방지막(74)은 렌즈 몸체부(72)의 상면에 위치할 수 있다. 이러한 반사 방지막(74)은 티타늄 산화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 불화물, 탄탈륨 산화물, 아연 산화물 등의 산화물을 포함할 수 있다. 좀더 구체적으로는, 서로 다른 굴절률을 가지는 산화물로 형성된 층을 복수로 적층하여 특정 파장대의 빛이 반사되지 않도록 할 수 있다. The antireflection film 74 may be positioned on the upper surface of the lens body portion 72. The antireflection film 74 may include an oxide such as titanium oxide, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium fluoride, tantalum oxide, and zinc oxide. More specifically, a plurality of layers formed of oxides having different refractive indices may be stacked to prevent light of a specific wavelength band from being reflected.

일례로, 도 2에서는 반사 방지막(74)이, 티타늄 산화물로 형성된 제1 층(741), 규소 산화물로 형성된 제2 층(742), 티타늄 산화물로 형성된 제3 층(743) 및 규소 산화물로 형성된 제4 층(744)을 포함하는 것을 도시하였다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 원하는 파장대의 반사를 방지할 수 있도록 다양한 물질 및 적층 순서로 형성될 수 있다. 2, the antireflection film 74 is formed of a first layer 741 formed of titanium oxide, a second layer 742 formed of silicon oxide, a third layer 743 formed of titanium oxide, and a silicon oxide formed of silicon oxide And a fourth layer (744). However, the embodiment is not limited thereto, and may be formed in various materials and stacking order so as to prevent reflection at a desired wavelength band.

실시예에서는 유리로 구성되는 렌즈(70)가 반사 방지막(74)을 포함하여, 렌즈(70)의 표면에서 발생하는 반사에 의한 광의 손실을 줄일 수 있다. 이러한 반사에 의한 광 손실이 4%를 초과하는데, 본 실시예에서는 반사 방지막(74)에 의해 반사 손실을 0.5% 이내로 줄일 수 있다. 이에 의하여 발광 소자 패키지(100)의 특성을 향상할 수 있다. In the embodiment, the lens 70 made of glass includes the antireflection film 74, so that loss of light due to reflection caused on the surface of the lens 70 can be reduced. The optical loss due to such reflection exceeds 4%. In this embodiment, the reflection loss can be reduced to 0.5% or less by the antireflection film 74. Thus, the characteristics of the light emitting device package 100 can be improved.

상술한 실시예에서는 반사 방지막(74)이 렌즈 몸체부(72)의 상면 전체에 형성되는 것을 예시로 하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 이에 반사 방지막(72)의 렌즈 몸체부(72)의 상면에서 부분적으로 형성될 수 있다.
In the above embodiment, the anti-reflection film 74 is formed on the entire upper surface of the lens body portion 72, but the embodiment is not limited thereto. And may be partially formed on the upper surface of the lens body portion 72 of the antireflection film 72.

이하, 제2 및 제3 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도 3 및 도 4를 참조하여 각기 설명한다. 간략하고 명확한 설명을 위하여 제1 실시예와 동일 또는 극히 유사한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 구성에 대해서만 상세하게 설명한다. Hereinafter, the light emitting device package according to the second and third embodiments will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. For the sake of simplicity and clarity, the same or extremely similar components as those of the first embodiment will not be described in detail and only different configurations will be described in detail.

도 3은 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the second embodiment.

도 3을 참조하면, 렌즈(70a)는, 사각 렌즈인 렌즈 몸체부(72a)와, 이 렌즈 몸체부(72a)의 양면에 형성된 반사 방지막(74a)를 포함한다. 이와 같이 다양한 형상의 렌즈(70a)를 사용할 수 있다. 3, the lens 70a includes a lens body 72a which is a quadrangular lens and an antireflection film 74a formed on both sides of the lens body 72a. The lens 70a having various shapes can be used.

본 실시예에서는 렌즈(70a)의 양면에 반사 방지막(74a)을 형성하므로 렌즈(70a)의 양면에서의 반사 손실을 모두 방지할 수 있다. 이에 의하여 렌즈 몸체부(72a)의 한 면에만 반사 방지막을 형성한 경우보다 반사 손실을 대략 두 배 저감할 수 있다. In this embodiment, since the antireflection film 74a is formed on both surfaces of the lens 70a, both reflection loss on both surfaces of the lens 70a can be prevented. Thus, the reflection loss can be reduced to about twice that of the case where the antireflection film is formed on only one side of the lens body portion 72a.

도 4는 제3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the third embodiment.

도 4를 참조하면, 렌즈(70b)는, 오목부(76)가 형성된 렌즈 몸체부(72b)와, 이 오목부(76) 내에 형성된 반사 방지막(74b)를 포함한다. Referring to Fig. 4, the lens 70b includes a lens body portion 72b having a recess 76 and an antireflection film 74b formed in the recess 76. Fig.

이러한 오목부(76)는 캐비티(20)의 바닥면을 향하여 함몰된 형태를 가지고 있으며, 렌즈(70b)의 다른 부분과 완만한 곡면을 이루면서 연결될 수 있다. 이러한 오목부(76)는 광이 렌즈(70b)의 주변부를 통해서 외부로 방출되도록 유도한다. 즉, 이러한 렌즈(70b)를 사용하여 지향각을 넓힐 수 있다. The concave portion 76 is recessed toward the bottom surface of the cavity 20 and may be connected to another portion of the lens 70b while forming a gentle curved surface. The concave portion 76 induces light to be emitted to the outside through the peripheral portion of the lens 70b. That is, it is possible to widen the directivity angle by using such a lens 70b.

이 오목부(76) 내에 반사 방지막(74b)이 형성되어 오목부(76)의 표면에서 발생될 수 있는 반사 손실을 저감할 수 있다. 즉 반사 방지막(74b)은 렌즈(70b)의 표면 전체에 형성되는 것에 한정되는 것은 아니며 렌즈(70b)의 표면의 일부에만 형성될 수도 있다.
The antireflection film 74b is formed in the concave portion 76 so that the reflection loss that can be generated on the surface of the concave portion 76 can be reduced. That is, the antireflection film 74b is not limited to the one formed on the entire surface of the lens 70b but may be formed on only a part of the surface of the lens 70b.

이하, 제조예 및 비교예에 의하여 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 제조예는 실시예를 상세하게 설명하게 설명하기 위하여 예시한 것에 불과하며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described in more detail with reference to manufacturing examples and comparative examples. These production examples are merely illustrative for the purpose of illustrating the embodiments in detail, and the embodiments are not limited thereto.

제조예Manufacturing example

유리 렌즈에 반사 방지막을 형성하였다. 반사 방지막은, 티타늄 산화물로 형성된 제1 층, 규소 산화물로 형성된 제2 층, 티타늄 산화물로 형성된 제3 층 및 규소 산화물로 형성된 제4 층을 포함하였다. 이때, 제1 층의 두께가 18.58nm, 제2 층의 두께가 44.31nm, 제3 층의 두께가 28.83nm, 제4 층의 두께가 111.03nm 이었다. An anti-reflection film was formed on the glass lens. The antireflection film included a first layer formed of titanium oxide, a second layer formed of silicon oxide, a third layer formed of titanium oxide, and a fourth layer formed of silicon oxide. At this time, the thickness of the first layer was 18.58 nm, the thickness of the second layer was 44.31 nm, the thickness of the third layer was 28.83 nm, and the thickness of the fourth layer was 111.03 nm.

비교예Comparative Example

제조예의 유리 렌즈와 동일한 특성의 유리 렌즈를 준비하였다.
A glass lens having the same characteristics as those of the glass lens of Production Example was prepared.

제조예에 따른 렌즈의 반사율을 측정하여 도 5에 나타내었고, 비교예에 따른 렌즈의 반사율을 측정하여 도 6에 나타내었다. The reflectance of the lens according to the manufacturing example was measured and shown in FIG. 5, and the reflectance of the lens according to the comparative example was measured and shown in FIG.

도 5를 참조하면 제조예에 따른 렌즈는 450nm 내지 700nm의 파장대에서 반사율이 0.5% 미만인 반면, 도 6을 참조하면 비교예에 따른 렌즈는 반사율이 4%을 초과하는 것을 알 수 있다. 즉, 제조예에 따른 렌즈는 비교예에 따른 렌즈에 비하여 약 4% 정도의 반사 손실을 저감할 수 있음을 알 수 있다.
Referring to FIG. 5, the reflectance of a lens according to a manufacturing example is less than 0.5% at a wavelength range of 450 nm to 700 nm, whereas the reflectance of a lens according to a comparative example exceeds 4%. That is, it can be seen that the lens according to the manufacturing example can reduce the reflection loss by about 4% as compared with the lens according to the comparative example.

상술한 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 백라이트 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등과 같은 조명 시스템으로 기능할 수 있다. 이를 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. The light emitting device package according to the above-described embodiments may function as an illumination system such as a backlight unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight. This will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

도 7은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 7의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 한정되지 않는다. 7 is a view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment. However, the backlight unit 1100 of Fig. 7 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

도 7을 참조하면, 백라이트 유닛(1100)은, 바텀 커버(1140), 이 바텀 커버(1140) 내에 배치된 광 가이드 부재(1120), 이 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 7, the backlight unit 1100 includes a bottom cover 1140, a light guide member 1120 disposed in the bottom cover 1140, a light guide member 1120 disposed on at least one side or bottom surface of the light guide member 1120 A light emitting module 1110 may be included. Further, a reflective sheet 1130 may be disposed below the light guide member 1120.

바텀 커버(1140)는 광가이드 부재(1120), 발광 모듈(1100) 및 반사 시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. The bottom cover 1140 may be formed in a box shape having an opened upper surface to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1100 and the reflective sheet 1130, . However, the present invention is not limited thereto.

발광 모듈(1110)은, 기판(700)에 탑재된 복수의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자 패키지(600)는 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공한다. The light emitting module 1110 may include a plurality of light emitting device packages 600 mounted on the substrate 700. A plurality of light emitting device packages (600) provide light to the light guide member (1120).

도시된 것처럼, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다. As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom cover 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120 .

다만, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140) 내에서 광가이드 부재(1120)의 아래에 배치되어, 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있다. 이는 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하다. The light emitting module 1110 may be disposed under the light guide member 1120 in the bottom cover 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120. It can be variously modified according to the design of the backlight unit 1100.

광가이드 부재(1120)는 바텀 커버(1140) 내에 배치될 수 있다. 광가이드 부재(1120)는 발광 모듈(1110)으로부터 제공받은 빛을 면광원화하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom cover 1140. The light guide member 1120 can guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel (not shown) by converting the light into a surface light source.

이러한 광가이드 부재(1120)는, 예를 들어, 도광판(light guide panel, LGP) 일 수 있다. 이 도광판을 예를 들어, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl metaacrylate, PMMA)와 같은 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 고리형 올레핀 공중합체(COC), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. Such a light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guiding plate may be made of, for example, acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC) , And polyethylene naphthalate resin.

이 광가이드 부재(1120)의 상측에 광학 시트(1150)이 배치될 수 있다. The optical sheet 1150 can be disposed on the upper side of the light guide member 1120.

이 광학 시트(1150)는, 예를 들어, 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 시트(1150)이 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트, 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 확산 시트(1150)는 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 이 확산된 광이 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때, 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광이다. 휘도 상승 시트는 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 집광 시트는, 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 그리고 휘도 상승 시트는, 예를 들어, 조도 강화 필름(dual brightness enhancement film) 일 수 있다. 또한, 형광 시트는 형광체가 푸함된 투광성 플레이트 또는 필름일 수 있다. This optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by laminating a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 spreads the light emitted from the light emitting module 1110 evenly, and the diffused light can be condensed by the condensing sheet into a display panel (not shown). At this time, the light emitted from the light condensing sheet is randomly polarized light. The brightness increasing sheet can increase the degree of polarization of the light emitted from the light condensing sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and a vertical prism sheet. The brightness enhancement sheet may be, for example, a dual brightness enhancement film. Further, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film in which the phosphor is spun.

광가이드 부재(1120)의 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 반사 시트(1130)는 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. 이 반사 시트(1130)는 반사율이 좋은 수지, 예를 들어, PET, PC, 폴리비닐클로라이드(poly vinyl chloride), 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. A reflective sheet 1130 may be disposed below the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 can reflect light emitted through the lower surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may be formed of a resin having high reflectance, for example, PET, PC, poly vinyl chloride, resin, or the like, but is not limited thereto.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 8의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.8 is a view for explaining a lighting unit including the light emitting device package according to the embodiment. However, the illumination unit 1200 of Fig. 8 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

도 8을 참조하면, 조명 유닛(1200)은, 케이스 몸체(1210), 이 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230), 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.8, the lighting unit 1200 includes a case body 1210, a light emitting module 1230 installed in the case body 1210, a connection terminal 1220 installed in the case body 1210, (1220).

케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal or a resin.

발광 모듈(1230)은, 기판(700) 및 이 기판(700)에 탑재되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. The light emitting module 1230 may include a substrate 700 and at least one light emitting device package 600 mounted on the substrate 700.

상기 기판(700)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 메탈 코아(metal core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 700 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 700 may be a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . ≪ / RTI >

또한, 기판(700)은 빛을 효율적으로 반사하는 물질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.Further, the substrate 700 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface is efficiently reflected, for example, white, silver, or the like.

기판(700) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)가 탑재될 수 있다.At least one light emitting device package 600 may be mounted on the substrate 700.

발광 소자 패키지(600)는 각각 적어도 하나의 발광 소자(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 소자는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 소자 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 소자를 포함할 수 있다.The light emitting device package 600 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting device may include a colored light emitting device that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting device that emits ultraviolet (UV) light.

발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 소자, 적색 발광 소자 및 녹색 발광 소자를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have various combinations of light emitting elements to obtain color and brightness. For example, a white light emitting element, a red light emitting element, and a green light emitting element may be disposed in combination in order to secure a high color rendering index (CRI). Further, a fluorescent sheet may be further disposed on the path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of the light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 may be seen through the fluorescent sheet as white light do.

연결 단자(1220)는 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 8에 도시된 것에 따르면, 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. 8, the connection terminal 1220 is connected to the external power supply by being inserted into the socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source by wiring.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the above-described illumination system, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet is disposed on the path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 조명 시스템은 반사 손실이 저감된 발광 소자 패키지를 포함함으로써, 우수한 특성을 가질 수 있다.
As described above, the illumination system can have excellent characteristics by including the light emitting device package with reduced reflection loss.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (11)

캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 내에 위치하는 발광 소자; 및
상기 몸체 위에 위치하는 렌즈
를 포함하고,
상기 렌즈는, 렌즈 몸체부, 및 상기 렌즈 몸체부의 표면에 형성되는 반사 방지막을 포함하고,
상기 렌즈 몸체부가 볼록 렌즈이며,
상기 렌즈 몸체부의 상부에 오목부가 형성되고, 상기 오목부 내에 상기 반사 방지막이 형성되는 발광 소자 패키지.
A body including a cavity;
A light emitting element located in the cavity; And
A lens positioned on the body,
Lt; / RTI >
Wherein the lens includes a lens body portion and an antireflection film formed on a surface of the lens body portion,
Wherein the lens body portion is a convex lens,
Wherein a concave portion is formed on an upper portion of the lens body portion, and the anti-reflection film is formed in the concave portion.
제1항에 있어서,
상기 반사 방지막은 산화물을 포함하는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the antireflection film comprises an oxide.
제2항에 있어서,
상기 반사 방지막은, 티타늄 산화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 불화물, 탄탈륨 산화물 및 아연 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein the antireflection film comprises at least one of titanium oxide, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium fluoride, tantalum oxide, and zinc oxide.
제3항에 있어서,
상기 반사 방지막은 굴절률이 서로 다른 층을 복수로 적층하여 형성되는 발광 소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the antireflection film is formed by laminating a plurality of layers having different refractive indexes.
제4항에 있어서,
상기 반사 방지막은 티타늄 산화물층과 규소 산화물층이 적층되어 형성되는 발광 소자 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the antireflection film is formed by stacking a titanium oxide layer and a silicon oxide layer.
제1항에 있어서,
상기 오목부는 상기 렌즈에서 상기 발광 소자를 향하는 방향으로 함몰된 형태를 가지는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the concave portion is recessed in a direction from the lens toward the light emitting element.
제1항에 있어서,
상기 렌즈 몸체부가 사각 렌즈이고, 상기 반사 방지막이 상기 사각 렌즈의 양면에 형성되는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the lens body is a quadrilateral lens, and the anti-reflection film is formed on both sides of the quadrangular lens.
제1항에 있어서,
상기 반사 방지막이 상기 렌즈 몸체부의 일부에 형성되는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the antireflection film is formed on a part of the lens body.
제1항에 있어서,
상기 캐비티에 몰딩 부재가 채워지는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the molding material is filled in the cavity.
제1항에 있어서,
상기 렌즈 몸체부는 유리를 포함하는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the lens body portion comprises glass.
제1항에 있어서,
상기 발광 소자 패키지는 조명 시스템에 이용되는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting device package is used in an illumination system.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100611922B1 (en) 2005-09-27 2006-08-11 엘지전자 주식회사 Lens for use in light emitting device and package using the lens
JP2006295054A (en) 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source
JP2007208041A (en) * 2006-02-02 2007-08-16 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100965744B1 (en) * 2006-09-28 2010-06-24 주식회사 엘지화학 Method for preparing substrate having textured surface thereon by dry etching, substrate prepared thereby, and optoelectronic device using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295054A (en) 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source
KR100611922B1 (en) 2005-09-27 2006-08-11 엘지전자 주식회사 Lens for use in light emitting device and package using the lens
JP2007208041A (en) * 2006-02-02 2007-08-16 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100965744B1 (en) * 2006-09-28 2010-06-24 주식회사 엘지화학 Method for preparing substrate having textured surface thereon by dry etching, substrate prepared thereby, and optoelectronic device using the same

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