KR101675066B1 - 포토레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents

포토레지스트 패턴의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101675066B1
KR101675066B1 KR1020100041433A KR20100041433A KR101675066B1 KR 101675066 B1 KR101675066 B1 KR 101675066B1 KR 1020100041433 A KR1020100041433 A KR 1020100041433A KR 20100041433 A KR20100041433 A KR 20100041433A KR 101675066 B1 KR101675066 B1 KR 101675066B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delete delete
pattern
alkyl
surfactant
photoresist layer
Prior art date
Application number
KR1020100041433A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110121917A (ko
Inventor
수브라만야 마야
타카히로 야스에
오석환
강율
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020100041433A priority Critical patent/KR101675066B1/ko
Priority to US13/099,910 priority patent/US8735053B2/en
Publication of KR20110121917A publication Critical patent/KR20110121917A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101675066B1 publication Critical patent/KR101675066B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상시켜 예비 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 예비 패턴의 표면을 코팅 폴리머를 포함하는 처리제로 표면 처리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 이용하면 LWR이 현저하게 개선되는 효과가 있다.

Description

포토레지스트 패턴의 형성 방법{Method of forming a photoresist pattern}
본 발명은 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 LWR이 현저하게 개선된 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
포토레지스트 패턴을 형성하고 그에 따라 형성된 패턴을 식각 마스크로 이용하는 방법은 반도체 소자의 제조에 널리 응용되고 있다. 그러나, 패턴의 크기가 작아지고, 특히 라인-앤-스페이스(line-and-space) 패턴에 있어서 라인의 폭과 라인들 사이의 간격이 극도로 좁아짐에 따라 라인폭 거칠기(LWR: line width roughness)가 문제되고 있으며 이를 감소시킬 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성 방법이 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 LWR이 현저하게 개선될 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일부 실시예들은 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상시켜 예비 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 예비 패턴의 표면을 코팅 폴리머를 포함하는 처리제로 표면 처리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 일부 실시예들은 표면 처리된 상기 예비 패턴을 계면활성제를 함유하는 세정제로 처리하여 상기 예비 패턴보다 LWR(line width roughness)이 개선된 최종 패턴을 얻는 단계를 더 포함할 수 있다. 특히, 상기 예비 패턴은 라인-앤-스페이스 패턴일 수 있다.
이 때, 상기 코팅 폴리머는 수용성 폴리머일 수 있다. 또한, 상기 코팅 폴리머는 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 폴리에틸렌이민, 폴리(아크릴산), 폴리히드록시스티렌, 폴리비닐피롤리돈, 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드, 및 이들의 공중합체로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기 계면활성제는 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 및/또는 양쪽성 계면활성제일 수 있는데, 알킬 트리메틸 암모늄 클로라이드, 알킬트리메틸 암모늄 브로마이드, 알킬 트리메틸 플루오라이드, 디알킬 디메틸 암모늄 클로라이드, 수소화 탈로우 알킬 트리메틸 암모늄 클로라이드, 디탈로우 알킬 디메틸 암모늄 클로라이드, 코카아미도프로필 디메틸아민, 스테아르아미도프로필 디메틸아민, 베헤니르아미도프로필 디메틸아민, 올레아미도프로필 디메틸아민, 이소스테아르아미도프로필 디메틸아민, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 틸트리메틸암모늄 클로라이드, 스테아릴트리메틸암모늄 클로라이드, 디스테아릴디메틸암모늄 클로라이드, 디세틸디메틸암모늄 클로라이드, 알지네이트계 고분자, 술폰산염계의 소디움 도데실 설페이트, 직쇄 알킬벤젠 술폰산염, 알파올레핀 술폰산염, 알킬황산 에스테르염, 폴리옥시에틸렌 알킬 에스테르 황산염, 알파설포지방산 에스테르염, 알킬 벤젠 술포네이트, 알킬 설페이트, 알킬 에테르 설페이트, 알파-올레핀 술포네이트, 알칸 술포네이트, 히드록시알칸 술포네이트, 지방산 모노글리세라이드 설페이트, 알킬 글리세롤 에테르 설페이트, 알칼리 금속염, 알칼리토금속염, 아실 글루타메이트, 아실 타우레이트, 아실 이세티오네이트(SCI: acyl isethionate), 소디움 라우릴 설페이트(SLS), 소디움 라우릴 에테르 설페이트(SLES), 직쇄알킬벤젠 술폰산염(LAS), 모노알킬포스페이트(MAP), 알킬아미도프로필베타인, 알킬디메틸베타인, 알킬암포아세테이트, 및 알킬암포디아세테이트로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 코팅 폴리머가 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 폴리히드록시스티렌, 및 폴리(아크릴산)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 상기 계면활성제가 양이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제일 수 있다.
다른 선택적인 일부 실시예들에 있어서, 상기 코팅 폴리머가 폴리에틸렌이민, 폴리비닐피롤리돈, 및 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 상기 계면활성제가 음이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 코팅 폴리머가 폴리스티렌술포네이트, 폴리(아크릴산), 및 폴리히드록시스티렌으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 상기 계면활성제가 CTAB (cetyltrimethylammonium bromide)일 수 있다.
또한, 상기 처리제와 상기 세정제는 각각 알코올을 더 포함할 수 있는데, 상기 알코올은 1차 알코올 또는 2차 알코올일 수 있다.
상기 세정제 중의 상기 계면활성제의 농도는 1 ppm 내지 50 ppm일 수 있고, 상기 처리제 중의 상기 코팅 폴리머의 농도는 0.1 중량% 내지 5 중량%일 수 있다.
선택적으로, 상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일부 다른 실시예들은 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 및 예비 패턴을 형성하기 위하여 현상 화합물과 코팅 폴리머를 포함하는 현상제를 이용하여 상기 포토레지스트층을 현상시키는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들은 상기 예비 패턴을 계면활성제를 함유하는 세정제로 처리하여 상기 예비 패턴보다 LWR(line width roughness)이 개선된 최종 패턴을 얻는 단계를 더 포함할 수 있다. 특히, 상기 예비 패턴은 라인-앤-스페이스 패턴일 수 있다.
특히, 상기 포토레지스트층을 현상시키는 단계는 상기 현상 화합물에 의하여 현상되고 잔존하는 상기 포토레지스트층의 표면에 상기 코팅 폴리머가 결합된 예비 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 코팅 폴리머는 수용성 폴리머일 수 있다. 또한, 상기 코팅 폴리머는 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 폴리에틸렌이민, 폴리(아크릴산), 폴리히드록시스티렌, 폴리비닐피롤리돈, 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드, 및 이들의 공중합체로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
선택적으로, 일부 실시예들은 상기 포토레지스트층을 형성하는 단계의 직후에 상기 포토레지스트층을 베이크(bake)하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들은 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계의 직후에 상기 포토레지스트층을 베이크(bake)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 이용하면 LWR이 현저하게 개선되는 효과가 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일부 실시예에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 순서에 따라 나타낸 도면들이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 순서에 따라 나타낸 도면들이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되어지지 않는다. 어떤 층이 다른 층 또는 반도체 칩 “위”에 있다라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 반도체 반도체 칩에 직접 접촉하여 존재할 수도 있고, 또는, 그 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다.
본 발명의 제 1 실시예는 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상시켜 예비 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 예비 패턴의 표면을 코팅 폴리머를 포함하는 처리제로 표면 처리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 순서에 따라 나타낸 도면들이다.
도 1a를 참조하면, 기판(101) 위에 포토레지스트 층(110)을 형성한다. 상기 기판(101)은 반도체 기판으로서 실리콘 단결정 기판일 수도 있지만, SOI(silicon-on-insulator) 기판, 저매늄(Ge) 기판, 갈륨-인(GaP) 기판, 갈륨-비소(GaAs) 기판 등일 수 있으며 특별히 한정되지 않는다. 또한, 상기 기판(101)은 베어(bare) 기판일 수도 있지만 소자 분리막(미도시)으로 활성영역이 정의된 기판일 수도 있고, 트랜지스터와 같은 소정의 반도체 소자가 표면에 형성되어 있을 수도 있다.
상기 포토레지스트 층(110)은 감광 물질로서 소정 파장의 빛을 조사함으로써 화학적 특성이 변화하는 물질을 적절히 선택하여 사용할 수 있으며 특별히 한정되지 않는다. 상기 기판(101) 위에 포토레지스트 층(110)을 형성하는 방법은, 예를 들면, 스핀 코팅 방법, 스프레이 코팅 방법, 딥(dip) 코팅 방법에 의할 수 있는데, 여기에 한정되는 것은 아니다.
선택적으로, 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 포토레지스트 층(110)을 형성한 후에는 소위 PAB(post applied bake)라고도 불리는 베이크가 수행될 수 있다. 상기 베이크를 통하여 상기 포토레지스트 층(110) 내의 용매가 일부 제거되고 상기 기판(101) 위에 상기 포토레지스트 층(110)이 안정적으로 정착된다.
도 1b를 참조하면, 상기 기판(101)에 대하여 노광 마스크(195)를 정렬하고 상기 포토레지스트층(110)을 노광시켜 감광된 예비 패턴(112) 부분과 감광되지 않은 포토레지스트층(110a) 부분을 형성한다. 도 1b에서는 상기 예비 패턴(112)을 라인-앤-스페이스(line-and-space) 형태의 패턴을 예시하였지만, 여기에 한정되지 않고 비아홀 패턴 등의 다른 패턴일 수도 있다.
선택적으로, 상기 포토레지스트층(110)을 노광시킨 후에는 소위 PEB(post exposure bake)라고도 불리는 베이크가 수행될 수 있다. 상기 PEB는 약 100 ℃ 내지 120 ℃에서 20초 내지 3분 정도 수행될 수 있다. PEB를 수행함으로써 포토레지스트층(110)의 응력을 완화하고 PAG(photo acid generator)에 의하여 생성된 산을 제거하며 층의 부착성을 보다 개선할 수 있다.
도 1c의 (i)을 참조하면, 노광된 상기 포토레지스트층(110a, 112)을 현상시켜 예비 패턴(112)을 형성할 수 있다. 도 1b 및 도 1c에서는 노광된 부분(112에 대응)이 기판(101) 위에 잔존하고 노광되지 않은 부분(110a에 대응)이 현상되어 사라지는 네가티브 포토레지스트의 예를 들었지만, 포지티브 포토레지스트도 이용될 수 있다. 상기 포토레지스트층(110a, 112)을 현상시키기 위한 현상 화합물로서는 포토레지스트의 구성 물질에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH: tetramethylammonium hydroxide)와 같은 물질을 이용할 수 있다.
도 1c의 (ii)는 (i)에 나타낸 구조의 평면도로서, 형성된 예비 패턴(112)의 폭이 균일하지 않고 애초에 의도하였던 목표 패턴(112a)과는 다소 차이가 있음을 알 수 있다. 실제로 형성된 패턴과 목표 패턴 사이의 차이는 종종 LWR(line width roughness), LER(line edge roughness) 등으로 정량화될 수 있다. 일반적으로, LWR은 라인의 전체 선폭이 갖는 불규칙성의 정도이고, LER은 실제로 형성된 패턴의 가장자리가 목표 패턴의 가장자리로부터 벗어나는 정도를 나타내는 것으로 알려져 있다.
LWR과 LER의 계산 방법은 당업계의 통상을 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있기 때문에 여기서는 자세한 설명을 생략한다. 다만, 이들을 정성적으로 설명하면 도 1c의 (ii)에 있어서 예비 패턴(112)의 가장자리가 목표 패턴(112a)에 가까울수록 LWR과 LER이 개선되는 것이며, 예비 패턴(112)의 가장자리가 목표 패턴(112a)으로부터 멀어질수록 LWR과 LER은 나빠진다.
도 1d를 참조하면, 상기 예비 패턴(112)의 표면을 처리제로 표면 처리하여 상기 예비 패턴(112)의 표면에 주로 코팅 폴리머로 구성되는 평탄화 폴리머층(smoothing polymer layer)(120)을 형성한다. 상기 평탄화 폴리머층(120)은 상기 예비 패턴(112)과의 계면(122)에서 상기 예비 패턴(112)과 소정의 분자간 결합 또는 이온 결합을 하는 것으로 추측된다. 다시 말해, 상기 평탄화 폴리머층(120)은 상기 예비 패턴(112)과 공유 결합을 하는 것은 아니며, 수소 결합, 판 데르 발스(van der Waals) 결합 또는 이온 결합을 이루는 것으로 생각된다. 그러나, 본 발명이 위의 이론에 한정되는 것은 아니다.
상기 코팅 폴리머는 수용성 폴리머인 것이 바람직하고, 예를 들면 상기 코팅 폴리머는 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 폴리에틸렌이민, 폴리히드록시스티렌, 폴리(아크릴산), 폴리비닐피롤리돈, 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드, 이들의 혼합물 및 이들의 공중합체로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기 처리제는 상기 코팅 폴리머와 이를 분산시키고 유동성을 부여하기 위한 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 용매는 예를 들면 물일 수 있지만 상기 코팅 폴리머와 상용성(相溶性)을 지니면서 반응은 하지 않는 극성 유기 용매일 수도 있다. 상기 처리제에 있어서 상기 코팅 폴리머의 농도는 0.1 중량% 내지 5 중량%일 수 있고, 0.5 중량% 내지 4 중량%일 수 있으며, 또는 1 중량% 내지 3 중량%일 수도 있다. 상기 처리제에 있어서 상기 코팅 폴리머의 농도가 너무 낮으면 평탄화 폴리머층이 잘 형성되지 않을 수 있고, 상기 코팅 폴리머의 농도가 너무 높으면 평탄화 폴리머층이 과도하게 두껍게 형성될 뿐만 아니라 경제적으로도 불리하다.
선택적으로, 상기 처리제는 알코올을 더 포함할 수 있다. 상기 알코올은 1차 알코올 또는 2차 알코올일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 알코올은, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-프로판올, 1-부탄올, 이소부탄올 등일 수 있다.
상기 알코올은 코팅 폴리머가 예비 패턴(112)의 표면에 더 잘 부착되도록 하며 평탄화 폴리머층이 보다 컴팩트하게 형성될 수 있도록 한다. 상기 처리제 중의 알코올의 함량은 약 0.5 부피% 내지 약 3 부피%일 수 있다.
도 1e의 (i)을 참조하면, 상기 평탄화 폴리머층(120)이 표면에 형성된 예비 패턴(112)을 세정제로 처리하여 상기 예비 패턴(112)보다 LWR이 개선된 최종 패턴(130)을 얻을 수 있다. 도 1e의 (i)에서 볼 수 있는 바와 같이 최종 패턴(130)의 프로파일은 예비 패턴(112)의 프로파일에 비하여 약간 작을 수 있다. 상기 평탄화 폴리머층(120)은 상기 세정제에 의하여 대부분 제거되는데, 상기 예비 패턴(112)의 표면 일부는 상기 평탄화 폴리머층(120)의 제거와 함께 제거되는 것으로 생각된다. 그러나 본 발명이 이러한 이론에 한정되는 것은 아니다.
도 1e의 (i)에서는 예비 패턴(112)의 상부 표면과 좌우 표면이 동일한 정도로 축소되어 최종 패턴(130)에 이르는 것으로 도시되었지만, 축소되는 정도가 각 표면에 있어서 반드시 동일한 정도로 이루어지는 것은 아님에 유의하여야 한다.
도 1e의 (ii)는 도 1e의 (i)을 위에서 바라본 평면도로서, 도 1c의 (ii)와 비교해 볼 때 LWR이 상대적으로 개선된 것을 알 수 있다.
상기 세정제는 계면활성제를 포함할 수 있는데, 특히 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 또는 양쪽성 계면활성제일 수 있다. 상기 세정제 내의 계면활성제의 농도는 약 1 ppm 내지 약 50 ppm일 수 있고, 약 5 ppm 내지 45 ppm일 수 있고, 또는 약 10 ppm 내지 40 ppm일 수 있다. 상기 세정제 내의 계면활성제의 농도가 너무 낮으면 세정 작용이 불충분하여 평탄화 폴리머층(120)의 제거가 충분하지 않을 수 있고, 상기 세정제 내의 계면활성제의 농도가 너무 높으면 경제적으로 불리하다.
양이온성 계면활성제로서는 알킬 트리메틸 암모늄 클로라이드, 알킬트리메틸 암모늄 브로마이드, 알킬 트리메틸 플루오라이드, 디알킬 디메틸 암모늄 클로라이드, 수소화 탈로우 알킬 트리메틸 암모늄 클로라이드, 디탈로우 알킬 디메틸 암모늄 클로라이드와 같은 4급 암모늄 화합물; 코카아미도프로필 디메틸아민, 스테아르아미도프로필 디메틸아민, 베헤니르아미도프로필 디메틸아민, 올레아미도프로필 디메틸아민, 이소스테아르아미도프로필 디메틸아민과 같은 3급 아미도아민 등이 이용될 수 있다. 특히, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 틸트리메틸암모늄 클로라이드, 스테아릴트리메틸암모늄 클로라이드, 디스테아릴디메틸암모늄 클로라이드, 디세틸디메틸암모늄 클로라이드 등이 이용될 수 있다.
음이온성 계면활성제로는 알지네이트계 고분자, 술폰산염계의 소디움 도데실 설페이트, 직쇄 알킬벤젠 술폰산염, 알파올레핀 술폰산염, 알킬황산 에스테르염, 폴리옥시에틸렌 알킬 에스테르 황산염, 알파설포지방산 에스테르염, 알킬 벤젠 술포네이트, 알킬 설페이트, 알킬 에테르 설페이트, 알파-올레핀 술포네이트, 알칸 술포네이트, 히드록시알칸 술포네이트, 지방산 모노글리세라이드 설페이트, 알킬 글리세롤 에테르 설페이트, 알칼리 금속염, 알칼리토금속염, 아실 글루타메이트, 아실 타우레이트, 아실 이세티오네이트(SCI: acyl isethionate), 소디움 라우릴 설페이트(SLS), 소디움 라우릴 에테르 설페이트(SLES), 직쇄알킬벤젠 술폰산염(LAS), 모노알킬포스페이트(MAP) 등이 이용될 수 있다.
양쪽성(amphoteric) 계면활성제로는 알킬아미도프로필베타인, 알킬디메틸베타인, 알킬암포아세테이트, 알킬암포디아세테이트 등이 이용될 수 있다.
위에서 언급된 양이온성 계면활성제들, 음이온성 계면활성제들 및 양쪽성 계면활성제들은 모두 예시적인 것으로서 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
더욱 우수한 LWR 개선 효과를 얻기 위해서, 상기 코팅 폴리머와 계면활성제를 임의로 조합하기보다는 상기 코팅 폴리머와 계면활성제를 적절하게 조합하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 또는 폴리(아크릴산)과 같이 음전하를 띨 수 있는 코팅 폴리머와 양이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제를 조합할 수 있다. 또한, 예를 들면, 폴리에틸렌이민, 폴리비닐피롤리돈, 또는 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드와 같이 양전하를 띨 수 있는 코팅 폴리머와 음이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제를 조합할 수 있다. 특히, 코팅 폴리머가 폴리스티렌술포네이트이고, 계면활성제가 CTAB인 조합으로 구성할 수 있다.
상기 세정제는 알코올을 더 포함할 수 있다. 상기 알코올은 1차 알코올 또는 2차 알코올일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 알코올은, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-프로판올, 1-부탄올, 이소부탄올 등일 수 있다.
상기 세정제 내의 알코올은 세정 작용을 보다 강화하는 역할을 한다. 상기 세정제 중의 알코올의 함량은 약 0.5 부피% 내지 약 3 부피%일 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예는 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 및 예비 패턴을 형성하기 위하여 현상 화합물과 코팅 폴리머를 포함하는 현상제를 이용하여 상기 포토레지스트층을 현상시키는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 순서에 따라 나타낸 도면들이다.
도 2a를 참조하면, 기판(201) 위에 포토레지스트층(210)을 형성한다. 상기 기판(201)과 포토레지스트층(210), 및 상기 기판(201) 위에 상기 포토레지스트층(210)을 형성하는 방법은 본 발명의 제 1 실시예에서 설명한 바와 동일하기 때문에 여기서는 자세한 설명을 생략한다. 포토레지스트층(210)을 상기 기판(201) 위에 형성한 후에는 상기 포토레지스트층(210) 내의 용매가 일부 제거되고 상기 기판(201) 상에 포토레지스트층(210)이 안정적으로 정착될 수 있도록 PAB가 수행될 수 있다.
제 1 실시예에서와 마찬가지로, 포토레지스트 층(210)을 형성한 후에 PAB가 수행될 수 있다. 상기 PAB를 통하여 상기 포토레지스트 층(210) 내의 용매가 일부 제거되고 상기 기판(201) 위에 상기 포토레지스트 층(210)이 안정적으로 정착된다.
도 2b를 참조하면, 상기 기판(201)에 대하여 노광 마스크(295)를 정렬하고 상기 포토레지스트층(210)을 노광시켜 감광된 예비 패턴(212) 부분과 감광되지 않은 포토레지스트층(210a) 부분을 형성한다. 도 2b에서는 제 1 실시예에서와 마찬가지로 상기 예비 패턴(212)을 라인-앤-스페이스(line-and-space) 형태의 패턴을 예시하였지만, 여기에 한정되지 않고 비아홀 패턴 등의 다른 패턴일 수도 있다.
제 1 실시예에서와 마찬가지로 상기 포토레지스트층(210)을 노광시킨 후에 PEB를 수행할 수 있다. 상기 PEB는 약 100 ℃ 내지 120 ℃에서 20초 내지 3분 정도 수행될 수 있다. PEB를 수행함으로써 포토레지스트층(110)의 응력을 완화하고 노광시 PAG에 의하여 생성되었던 산을 제거하며 부착성을 보다 개선할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 노광된 상기 포토레지스트층(210a, 212)을 현상제로 현상시켜 예비 패턴(212)을 형성한다. 상기 현상제는 현상 화합물과 코팅 폴리머를 포함할 수 있다. 도 2c에서도 노광된 부분(212에 대응)이 기판(201) 위에 잔존하고 노광되지 않은 부분(210a에 대응)이 현상되어 사라지는 네가티브 포토레지스트의 예를 들었지만, 포지티브 포토레지스트도 적절히 이용될 수 있다.
상기 현상제 내에 포함되는 현상 화합물은 포토레지스트의 구성 물질에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH: tetramethylammonium hydroxide)와 같은 물질을 이용할 수 있다.
도 2c에서와 같이 네거티브 포토레지스트를 이용하는 경우, 상기 현상 화합물이 노광되지 않은 부분(210a에 대응)을 현상시켜 제거하는 한편, 상기 현상제 내에 포함되어 있는 코팅 폴리머는 상기 포토레지스트층의 노광된 부분(212에 대응)의 표면에 부착되어 평탄화 폴리머층(220)을 형성한다. 제 1 실시예에서와 마찬가지로 상기 평탄화 폴리머층(220)은 상기 예비 패턴(212)과의 계면(222)에서 상기 예비 패턴(212)과 소정의 분자간 결합 또는 이온 결합을 하는 것으로 추측된다. 다시 말해, 상기 평탄화 폴리머층(120)은 상기 예비 패턴(112)과 공유 결합을 하는 것은 아니며, 수소 결합, 판 데르 발스(van der Waals) 결합 또는 이온 결합을 이루는 것으로 생각된다. 그러나, 본 발명이 위의 이론에 한정되는 것은 아니다.
상기 코팅 폴리머는 앞서 제 1 실시예에 관한 설명에서와 동일한 폴리머들을 이용할 수 있기 때문에 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
상기 현상제는 현상 화합물과 코팅 폴리머 외에 이들을 분산시키고 유동성을 부여하기 위한 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 용매는 예를 들면 물일 수 있지만 상기 현상 화합물 및 코팅 폴리머와 상용성을 지니면서 서로 반응은 하지 않는 극성 유기 용매일 수도 있다. 상기 현상제에 있어서 상기 코팅 폴리머의 농도는 0.1 중량% 내지 5 중량%일 수 있고, 0.5 중량% 내지 4 중량%일 수 있으며, 또는 1 중량% 내지 3 중량%일 수도 있다. 상기 처리제에 있어서 상기 코팅 폴리머의 농도가 너무 낮으면 평탄화 폴리머층이 잘 형성되지 않을 수 있고, 상기 코팅 폴리머의 농도가 너무 높으면 평탄화 폴리머층이 과도하게 두껍게 형성될 뿐만 아니라 경제적으로도 불리하다.
선택적으로, 상기 현상제는 알코올을 더 포함할 수 있다. 상기 알코올은 1차 알코올 또는 2차 알코올일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 알코올은, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-프로판올, 1-부탄올, 이소부탄올 등일 수 있다. 상기 알코올은 코팅 폴리머가 예비 패턴(112)의 표면에 더 잘 부착되도록 하며 평탄화 폴리머층이 보다 컴팩트하게 형성될 수 있도록 한다. 상기 처리제 중의 알코올의 함량은 약 0.5 부피% 내지 약 3 부피%일 수 있다.
선택적으로, 도 2c에 나타낸, 현상제로 현상시켜 예비 패턴(212)을 형성하는 단계의 이전 및/또는 이후에 RRC(reducing resist consumption) 처리를 수행하여 세정하는 공정을 더 포함할 수 있다. 상기 RRC 처리는 탈이온수를 이용하여 수행할 수 있다.
도 2d의 (i)을 참조하면, 상기 평탄화 폴리머층(220)이 표면에 형성된 예비 패턴(212)을 세정제로 처리하여 상기 예비 패턴(212)보다 LWR이 개선된 최종 패턴(230)을 얻을 수 있다. 도 2d의 (i)에서 볼 수 있는 바와 같이 최종 패턴(230)의 프로파일은 예비 패턴(212)의 프로파일에 비하여 약간 작을 수 있다. 상기 평탄화 폴리머층(220)은 상기 세정제에 의하여 대부분 제거되는데, 상기 예비 패턴(212)의 표면 일부는 상기 평탄화 폴리머층(220)의 제거와 함께 제거되는 것으로 생각된다. 그러나 본 발명이 이러한 이론에 한정되는 것은 아니다. 도 2d의 (i)에서는 예비 패턴(212)의 상부 표면과 좌우 표면이 동일한 정도로 축소되어 최종 패턴(230)에 이르는 것으로 도시되었지만, 축소되는 정도가 각 표면에 있어서 반드시 동일한 정도로 이루어지는 것은 아님에 유의하여야 한다.
도 2d의 (ii)는 도 2d의 (i)을 위에서 바라본 평면도로서, 본 발명의 방법에 의하지 않고 종래의 방법에 의하여 포토레지스트 패턴을 형성할 때에 비하여 현저히 개선된 LWR이 개선된 것으로 밝혀졌다.
상기 세정제는 계면활성제를 포함할 수 있는데, 이에 관하여는 제 1 실시예에서 상세히 설명하였으므로 여기서는 설명을 생략한다.
제 1 실시예에서와 마찬가지로, 더욱 우수한 LWR 개선 효과를 얻기 위해서, 상기 코팅 폴리머와 계면활성제를 임의로 조합하기보다는 상기 코팅 폴리머와 계면활성제를 적절하게 조합하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 또는 폴리(아크릴산)과 같이 음전하를 띨 수 있는 코팅 폴리머와 양이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제를 조합할 수 있다. 또한, 예를 들면, 폴리에틸렌이민, 폴리비닐피롤리돈, 또는 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드와 같이 양전하를 띨 수 있는 코팅 폴리머와 음이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제를 조합할 수 있다. 특히, 코팅 폴리머가 폴리스티렌술포네이트이고, 계면활성제가 CTAB인 조합으로 구성할 수 있다.
상기 세정제는 알코올을 더 포함할 수 있는데, 알코올의 종류, 역할 및 조성에 관해서는 제 1 실시예에 대하여 설명하였던 바와 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다.
<실험예>
실리콘 기판 상에 표준 ArF 포토레지스트 층을 도포한 후 80 ℃에서 1분간 소프트 베이크를 수행한 후 라인-앤-스페이스 패턴을 형성하였다. 그런 다음, 코팅 폴리머로서 폴리스티렌술포네이트, 계면활성제로서 CTAB을 이용하고 현상 및 세정 단계에서 이소프로필알코올을 이용하되, 각각의 함량을 하기와 같이 변화시키며 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
폴리스티렌
술포네이트
(중량%)		 IPA (현상)
(부피%)		 CTAB
(중량%)		 IPA (세정)
(부피%)
실험예 1 0.1 - 0.01 2
실험예 2 0.1 - 0.02 2
실험예 3 0.1 1 0.01 2
실험예 4 0.1 2 0.02 2
상기와 같이 포토레지스트 패턴을 형성한 후 각각에 대하여 LWR을 측정하였다. 그 결과 하기 표 2와 같은 LWR 개선 효과를 관찰할 수 있었다.
ΔLWR (nm)
실험예 1 -2.7
실험예 2 -3.4
실험예 3 -3.8
실험예 4 -2.7
위에서 볼 수 있는 바와 같이 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 이용하면 LWR이 현저하게 개선되는 것을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
본 발명은 반도체 제조 산업에 유용하게 쓰일 수 있다.
101, 201: 기판 110, 210: 포토레지스트층
110a, 210a: 감광되지 않은 포토레지스트층
112, 212: 예비 패턴 112a, 212a: 목표 패턴
120, 220: 평탄화 폴리머층 130, 230: 최종 패턴
195, 295: 노광 마스크

Claims (33)

  1. 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계;
    노광된 상기 포토레지스트층을 현상시켜 예비 패턴을 형성하는 단계;
    상기 예비 패턴의 표면을 코팅 폴리머를 포함하는 처리제로 표면 처리하는 단계; 및
    표면 처리된 상기 예비 패턴을 계면활성제를 함유하는 세정제로 처리하여 상기 예비 패턴보다 LWR(line width roughness)이 개선된 최종 패턴을 얻는 단계;
    를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리제로 표면 처리하는 단계는 상기 코팅 폴리머와 상기 예비 패턴의 표면 사이에 수소 결합, 판 데르 발스 결합 또는 이온 결합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 계면활성제가 알킬 트리메틸 암모늄 클로라이드, 알킬트리메틸 암모늄 브로마이드, 알킬 트리메틸 플루오라이드, 디알킬 디메틸 암모늄 클로라이드, 수소화 탈로우 알킬 트리메틸 암모늄 클로라이드, 디탈로우 알킬 디메틸 암모늄 클로라이드, 코카아미도프로필 디메틸아민, 스테아르아미도프로필 디메틸아민, 베헤니르아미도프로필 디메틸아민, 올레아미도프로필 디메틸아민, 이소스테아르아미도프로필 디메틸아민, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 틸트리메틸암모늄 클로라이드, 스테아릴트리메틸암모늄 클로라이드, 디스테아릴디메틸암모늄 클로라이드, 디세틸디메틸암모늄 클로라이드, 알지네이트계 고분자, 술폰산염계의 소디움 도데실 설페이트, 직쇄 알킬벤젠 술폰산염, 알파올레핀 술폰산염, 알킬황산 에스테르염, 폴리옥시에틸렌 알킬 에스테르 황산염, 알파설포지방산 에스테르염, 알킬 벤젠 술포네이트, 알킬 설페이트, 알킬 에테르 설페이트, 알파-올레핀 술포네이트, 알칸 술포네이트, 히드록시알칸 술포네이트, 지방산 모노글리세라이드 설페이트, 알킬 글리세롤 에테르 설페이트, 알칼리 금속염, 알칼리토금속염, 아실 글루타메이트, 아실 타우레이트, 아실 이세티오네이트(SCI: acyl isethionate), 소디움 라우릴 설페이트(SLS), 소디움 라우릴 에테르 설페이트(SLES), 직쇄알킬벤젠 술폰산염(LAS), 모노알킬포스페이트(MAP), 알킬아미도프로필베타인, 알킬디메틸베타인, 알킬암포아세테이트, 및 알킬암포디아세테이트로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅 폴리머가 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술포네이트, 폴리히드록시스티렌, 폴리(아크릴산), 이들의 혼합물들 및 이들의 공중합체들로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 상기 계면활성제가 양이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅 폴리머가 폴리에틸렌이민, 폴리비닐피롤리돈, 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드, 이들의 혼합물들 및 이들의 공중합체들로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 상기 계면활성제가 음이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅 폴리머가 폴리스티렌술포네이트, 폴리(아크릴산), 폴리히드록시스티렌, 이들의 혼합물들 및 이들의 공중합체들로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 상기 계면활성제가 CTAB (cetyltrimethylammonium bromide)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리제가 알코올을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 및
    예비 패턴을 형성하기 위하여 현상 화합물과 코팅 폴리머를 포함하는 현상제를 이용하여 상기 포토레지스트층을 현상시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 포토레지스트층을 현상시키는 단계는
    상기 현상 화합물에 의하여 현상되고 잔존하는 상기 포토레지스트층의 표면에 상기 코팅 폴리머가 결합된 예비 패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 제 16 항에 있어서,
    상기 현상제가 알코올을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
KR1020100041433A 2010-05-03 2010-05-03 포토레지스트 패턴의 형성 방법 KR101675066B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100041433A KR101675066B1 (ko) 2010-05-03 2010-05-03 포토레지스트 패턴의 형성 방법
US13/099,910 US8735053B2 (en) 2010-05-03 2011-05-03 Methods of forming photoresist patterns

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100041433A KR101675066B1 (ko) 2010-05-03 2010-05-03 포토레지스트 패턴의 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110121917A KR20110121917A (ko) 2011-11-09
KR101675066B1 true KR101675066B1 (ko) 2016-11-11

Family

ID=44902162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100041433A KR101675066B1 (ko) 2010-05-03 2010-05-03 포토레지스트 패턴의 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8735053B2 (ko)
KR (1) KR101675066B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101311447B1 (ko) * 2012-06-15 2013-09-25 금호석유화학 주식회사 아민 염 및 아민을 함유하는 중합체를 함유하는 미세패턴 형성용 수용성 수지 조성물 및 이를 이용한 미세패턴의 형성방법
KR101481464B1 (ko) * 2013-05-29 2015-01-15 한국산업기술대학교산학협력단 금속 패턴 형성 방법
US10684549B2 (en) * 2016-12-31 2020-06-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern-formation methods

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100877873B1 (ko) * 2002-03-05 2009-01-13 후지쯔 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 개선화 재료 및 그것을 이용한 패턴의 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4701390A (en) * 1985-11-27 1987-10-20 Macdermid, Incorporated Thermally stabilized photoresist images
JPH0943838A (ja) 1995-07-31 1997-02-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 水溶性パターン形成材料
US6764946B1 (en) * 2003-10-01 2004-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method of controlling line edge roughness in resist films
US7214474B2 (en) 2004-06-29 2007-05-08 Intel Corporation Wash composition with polymeric surfactant
KR100594940B1 (ko) 2004-12-31 2006-06-30 매그나칩 반도체 유한회사 포토레지스트 세정용 수용액 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성 방법
JP4933063B2 (ja) * 2005-06-24 2012-05-16 東京応化工業株式会社 パターン形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100877873B1 (ko) * 2002-03-05 2009-01-13 후지쯔 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 개선화 재료 및 그것을 이용한 패턴의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8735053B2 (en) 2014-05-27
KR20110121917A (ko) 2011-11-09
US20110275020A1 (en) 2011-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106324998B (zh) 光刻图形的形成方法
KR101675066B1 (ko) 포토레지스트 패턴의 형성 방법
TWI596435B (zh) 用以使用二次曝光界定多個層圖案的方法
TWI681021B (zh) 阻劑圖型被覆用塗佈液
TWI443742B (zh) 降低凹槽側壁上之條痕的方法
TW200949464A (en) Processing agent composition for semiconductor surfaces and method for processing semiconductor surfaces using the same
US10394123B2 (en) Blocking layer material composition and methods thereof in semiconductor manufacturing
Servin et al. Contact hole shrink by directed self-assembly: Process integration and stability monitored on 300 mm pilot line
KR20160123217A (ko) 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법
US20050054216A1 (en) Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates
WO2015152223A1 (ja) 半導体の製造方法およびウエハ基板の洗浄方法
US8518634B2 (en) Cleaning process for semiconductor device fabrication
US20150219996A1 (en) Composition for removing substances from substrates
EP2872948B1 (en) Compositions for anti pattern collapse treatment comprising gemini additives
TWI603378B (zh) 形成圖案的方法
TWI725432B (zh) 微影方法
US20130302985A1 (en) Method of removing residue during semiconductor device fabrication
US20210408070A1 (en) Array substrate and method for fabricating same
JP2023502837A (ja) レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法
US10269645B2 (en) Fin field-effect transistor and fabrication method thereof
KR20070006044A (ko) 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 트렌치 형성 방법
CN105573045B (zh) 光掩膜、半导体器件的制作方法及半导体器件
US20170186615A1 (en) Rinse solution and method of fabricating integrated circuit device by using the same
JP5966808B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR101096208B1 (ko) 반도체 소자의 소자 분리용 패턴 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191031

Year of fee payment: 4