KR101668063B1 - Stripper composition for removing photoresist and stripping mthod of photoresist using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토레지스트에 대한 우수한 제거 및 박리 성능을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상의 얼룩 또는 이물의 발생 또는 잔류를 효과적으로 억제할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물은 1종 이상의 아민 화합물; 극성 유기 용매; 알킬렌글리콜계 용매; 및 부식 방지제를 포함하는 것이다. The present invention relates to a stripper composition for removing a photoresist which is capable of effectively suppressing the generation or remaining of unevenness or foreign matter on a lower film containing copper or the like while exhibiting excellent removal and peeling performance of the photoresist, ≪ / RTI > The photoprotective stripper composition may comprise one or more amine compounds; Polar organic solvents; Alkylene glycol-based solvents; And a corrosion inhibitor.
Description
본 발명은 포토레지스트에 대한 우수한 제거 및 박리 성능을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상의 얼룩 또는 이물의 발생 또는 잔류를 효과적으로 억제할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a stripper composition for removing a photoresist which is capable of effectively suppressing the generation or remaining of unevenness or foreign matter on a lower film containing copper or the like while exhibiting excellent removal and peeling performance of the photoresist, ≪ / RTI >
액정표시소자의 미세회로 공정 또는 반도체 직접 회로 제조공정은 기판 상에 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 포크아크릴 절연막 등의 절연막과 같은 각종 하부막을 형성하고, 이러한 하부막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 이를 마스크로 하부막을 패터닝하는 여러 공정을 포함하게 된다. 이러한 패터닝 공정 후 하부막 상에 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 공정을 거치게 되는데, 이를 위해 사용되는 것이 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물이다. The microcircuit process of a liquid crystal display device or the process of manufacturing a semiconductor integrated circuit may be a process of forming a conductive metal film or silicon oxide film such as aluminum, aluminum alloy, copper alloy, molybdenum or molybdenum alloy on the substrate or an insulating film such as a silicon nitride film or a fork acrylic insulating film Forming a photoresist pattern uniformly on the lower film, selectively exposing and developing the photoresist to form a photoresist pattern, and patterning the lower film using the photoresist pattern as a mask. After the patterning process, the photoresist remaining on the lower film is removed. For this purpose, a stripper composition for removing photoresist is used.
이전부터 아민 화합물, 양자성 극성 용매 및 비양자성 극성 용매 등을 포함하는 스트리퍼 조성물이 널리 알려져 왔으며, 이중에서도 특히 극성 양자성 용매로서 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매 등이 주로 사용되어 왔다. 이러한 스트리퍼 조성물은 포토레지스트에 대한 어느 정도의 제거 및 박리력을 나타내는 것으로 알려진 바 있다. BACKGROUND ART [0002] Stripper compositions containing an amine compound, a protonic polar solvent and an aprotic polar solvent have been widely known, and in particular, alkylene glycol monoalkyl ether solvents have been mainly used as a polar protic solvent. Such a stripper composition is known to exhibit some degree of removal and peel force on the photoresist.
한편, 최근 들어서는 TFT-LCD가 대면적화, 초미세화 및 고해상도로 됨에 따라, 구리를 함유하는 배선 패턴을 게이트 전극 또는 신호 전극 등으로 사용하고자 시도되고 있다. 그런데, 이러한 구리의 특성상 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 구리 함유막을 패터닝한 후, 기존에 알려진 스트리퍼 조성물을 이용하여 구리 함유막 상의 잔류 포토레지스트 패턴을 박리 및 제거하면, 구리 함유막 상에 미세한 얼룩 또는 이물이 발생하여 잔류하는 경우가 많았다. 이는 구리가 갖는 소수성에 기인한 것으로 예측된다. On the other hand, as the TFT-LCD has become large-sized, ultrafine and high-resolution in recent years, attempts have been made to use a wiring pattern containing copper as a gate electrode or a signal electrode. However, if the remaining photoresist pattern on the copper-containing film is peeled off and removed by using a conventional stripper composition after patterning the copper-containing film through a photolithography process using a photoresist pattern, Fine stains or foreign matter were generated and remained in many cases. This is presumably due to the hydrophobicity of copper.
이러한 미세한 얼룩 또는 이물은 TFT-LCD의 표시 특성을 저하시킬 수 있고, 특히 해상도가 매우 높아지고 화소가 초미세화된 최근의 TFT-LCD에서 더욱 큰 문제로 대두되고 있다. Such minute specks or foreign objects may deteriorate the display characteristics of the TFT-LCD, and in particular, in recent TFT-LCDs in which the resolution is extremely high and the pixels are miniaturized, they are becoming more serious problems.
이에 따라, 상기 구리를 함유하는 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 발생 및 잔류시키지 않으면서도, 포토레지스트에 대한 우수한 박리력을 갖는 스트리퍼 조성물 또는 관련 기술의 개발이 계속적으로 요구되고 있다.Accordingly, there is a continuing need for development of a stripper composition or related art having excellent peelability against photoresist, without causing or leaving stains or foreign matter on the copper-containing lower film.
본 발명은 포토레지스트에 대한 우수한 제거 및 박리 성능을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상의 얼룩 또는 이물의 발생 또는 잔류를 효과적으로 억제할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법을 제공하는 것이다. The present invention relates to a stripper composition for removing a photoresist which is capable of effectively suppressing the generation or remaining of unevenness or foreign matter on a lower film containing copper or the like while exhibiting excellent removal and peeling performance of the photoresist, Method.
본 발명은 1종 이상의 아민 화합물; 극성 유기 용매; 알킬렌글리콜계 용매; 및 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물을 제공한다.The present invention relates to a composition comprising at least one amine compound; Polar organic solvents; Alkylene glycol-based solvents; And a photoresist stripper composition comprising a corrosion inhibitor.
본 발명은 또한, 구리가 함유된 하부막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴으로 상기 하부막을 패터닝하는 단계; 및 상기 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a photoresist pattern on a substrate on which a copper-containing bottom film is formed; Patterning the lower film with the photoresist pattern; And peeling the photoresist using the stripper composition.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, a stripper composition for removing photoresist according to a specific embodiment of the present invention and a method for stripping a photoresist using the stripper composition will be described.
발명의 일 구현예에 따르면, 1종 이상의 아민 화합물; 극성 유기 용매; 알킬렌글리콜계 용매; 및 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물이 제공된다. According to one embodiment of the invention, one or more amine compounds; Polar organic solvents; Alkylene glycol-based solvents; And a photoresist stripper composition comprising a corrosion inhibitor.
본 발명자들의 실험 결과, 아민 화합물, 양자성 극성 용매 및/또는 비양자성 극성 용매 등의 극성 유기 용매와 함께, 비스(2-히드록시에틸) 에테르 등의 알킬렌글리콜계 용매를 함께 사용하여, 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 실질적으로 발생 및 잔류시키지 않음을 확인하고 발명을 완성하였다. As a result of experiments conducted by the present inventors, it has been found that by using an alkylene glycol solvent such as bis (2-hydroxyethyl) ether together with a polar organic solvent such as an amine compound, a proton polar solvent and / or an aprotic polar solvent, It has been confirmed that it does not cause generation or remnant of stains or foreign matter on the lower film containing copper or the like while exhibiting excellent peeling and removing ability against the resist and completed the invention.
보다 구체적으로, 상기 알킬렌글리콜계 용매는 기본적으로 상기 스트리퍼 조성물의 표면 장력을 낮추어 포토레지스트에 대한 습윤성(젖음성)을 향상시킬 수 있으며, 포토레지스트에 대한 우수한 용해성을 나타낼 수 있다. 더구나, 이러한 알킬렌글리콜계 용매는 스트리퍼 조성물을 이루는 다른 유기물 등과의 우수한 상용성을 나타낼 수 있다. 따라서, 이러한 알킬렌글리콜계 용매를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타낼 수 있다. More specifically, the alkylene glycol-based solvent can basically improve the wettability (wettability) of the photoresist by lowering the surface tension of the stripper composition, and can exhibit excellent solubility in the photoresist. Furthermore, such an alkylene glycol-based solvent can exhibit excellent compatibility with other organic materials and the like which constitute the stripper composition. Accordingly, the stripper composition of one embodiment comprising such an alkylene glycol-based solvent can exhibit excellent peel and remove ability to the photoresist.
더구나, 상기 알킬렌글리콜계 용매는 구리 등을 함유한 소수성 하부막에 대해서도, 스트리퍼 조성물의 젖음성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 구리 함유 하부막에 대해 우수한 린스력을 나타내어 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다. In addition, the alkylene glycol-based solvent can improve the wettability of the stripper composition even for a hydrophobic lower film containing copper or the like. Accordingly, the stripper composition of one embodiment comprising the same exhibits excellent rinsing power against the copper-containing lower film, so that after the stripper composition treatment, it is possible to effectively remove such stains and foreign matter have.
따라서, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 기존의 스트리퍼 조성물이 갖는 문제점을 해결하고, 구리 함유 하부막 상에도 얼룩 또는 이물을 실질적으로 발생 및 잔류시키지 않으면서, 포토레지스트에 대한 우수한 박리력을 나타낼 수 있다. Thus, the stripper composition of one embodiment solves the problems of conventional stripper compositions and can exhibit good peel strength to photoresist, without substantially creating and leaving stains or foreign bodies on the copper-containing bottom film.
부가하여, 상기 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 성분과 함께 부식 방지제를 포함함에 따라, 이를 사용해 포토레지스트를 박리하는 과정에서, 상기 스트리퍼 조성물, 예를 들어 아민 화합물로 인해, 구리 등을 함유한 하부막에 부식이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이로서, 구리 배선 패턴 등의 전기적 특성이 저하되는 것을 억제하고, 보다 향상된 특성을 갖는 소자를 제공할 수 있게 된다.
In addition, since the stripper composition of the embodiment includes the corrosion inhibitor together with the above-mentioned components, in the process of peeling the photoresist using the same, the stripper composition, for example, an amine compound, It is possible to suppress the occurrence of corrosion in the film. This makes it possible to suppress deterioration of the electrical characteristics of the copper wiring pattern and the like, and to provide a device having more improved characteristics.
이하, 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 각 구성 성분별로 보다 구체적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, the stripper composition of one embodiment will be described more specifically for each component.
상기 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 기본적으로 포토레지스트에 대한 박리력을 나타내는 성분인 아민 화합물을 포함한다. 이러한 아민 화합물은 포토레지스트를 녹여 이를 제거하는 역할을 할 수 있다. The stripper composition of this embodiment basically comprises an amine compound which is a component that exhibits a peel force against the photoresist. Such an amine compound can dissolve the photoresist and remove it.
일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 등을 고려하여, 상기 아민 화합물은 사슬형 아민 화합물 및 고리형 아민 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 사슬형 아민 화합물로는 (2-아미노에톡시)-1-에탄올 [(2-aminoethoxy)-1-ethanol; AEE ], 아미노에틸에탄올아민(aminoethyl ethanol amine; AEEA), 모노메탄올 아민, 모노에탄올 아민, N-메틸에틸아민 (N-methylethylamine; N-MEA), 1-아미노이소프로판올 (1-aminoisopropanol; AIP), 메틸 디메틸아민 (methyl dimethylamine; MDEA), 디에틸렌 트리아민 (Diethylene triamine; DETA) 및 트리에틸렌 테트라아민 (Triethylene tetraamine; TETA)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 이중에서도 (2-아미노에톡시)-1-에탄올 또는 아미노에틸에탄올아민을 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 고리형 아민 화합물로는 이미다졸릴-4-에탄올(Imidazolyl-4-ethanol; IME), 아미노 에틸 피페라진 (Amino ethyl piperazine; AEP) 및 히드록시 에틸피페라진 (hydroxyl ethylpiperazine; HEP)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있고, 이미다졸릴-4-에탄올을 적절히 사용할 수 있다. The amine compound may include at least one member selected from the group consisting of a chain type amine compound and a cyclic amine compound in consideration of the excellent peel strength of the stripper composition of one embodiment. More specifically, examples of the chain amine compound include (2-aminoethoxy) -1-ethanol; AEE ) , aminoethyl ethanolamine (AEEA), monomethanolamine, monoethanolamine, N-methylethylamine (N-MEA), 1-aminoisopropanol There may be used one or a mixture of two or more selected from the group consisting of methyl dimethyl amine (MDEA), diethylene triamine (DETA) and triethylene tetraamine (TETA) (2-aminoethoxy) -1-ethanol or aminoethylethanolamine can be suitably used. Examples of the cyclic amine compound include imidazolyl-4-ethanol (IME), aminoethyl piperazine (AEP), and hydroxyl ethylpiperazine (HEP) And mixtures of two or more thereof. Imidazolyl-4-ethanol can be suitably used.
이러한 아민 화합물 중 고리형 아민 화합물은 포토레지스트에 대한 보다 우수한 박리력을 나타낼 수 있으며, 사슬형 아민 화합물은 포토레지스트에 대한 박리력과 함께 하부막, 예를 들어, 구리 함유막 상의 자연 산화막(구리 산화막 등)을 적절히 제거하여 구리 함유막과 그 상부의 절연막, 예를 들어, 실리콘 질화막 등과의 막간 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. Among these amine compounds, the cyclic amine compound may exhibit a better peeling force against the photoresist, and the chain amine compound may be peeled off from the underlying film, for example, a natural oxide film on the copper-containing film Oxide film, etc.) are appropriately removed to further improve the interfacial adhesion between the copper-containing film and the insulating film thereon, for example, a silicon nitride film or the like.
일 구현예의 스트리퍼 조성물이 나타내는 보다 우수한 박리력 및 자연 산화막 제거 성능을 고려하여, 상기 사슬형 아민 화합물과 고리형 아민 화합물의 혼합 비율은 사슬형 아민 화합물 : 고리형 아민 화합물의 중량비가 약 5 : 1 내지 1 : 5, 혹은 약 3 : 1 내지 1 : 3으로 될 수 있다. The mixing ratio of the chain amine compound and the cyclic amine compound is preferably in the range of from about 5: 1 to about 10: 1, more preferably from about 5: 1 To 1: 5, or from about 3: 1 to 1: 3.
상술한 아민 화합물은 전체 조성물에 대해 약 0.1 내지 10 중량%, 혹은 약 0.5 내지 7 중량%, 혹은 약 1 내지 5 중량%, 혹은 약 1.5 내지 3 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 이러한 아민 화합물의 함량 범위에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 우수한 박리력 등을 나타낼 수 있으면서도, 과량의 아민으로 인한 공정의 경제성 및 효율성 저하를 줄일 수 있고, 폐액 등의 발생을 줄일 수 있다. 만일, 지나치게 큰 함량의 아민 화합물이 포함되는 경우, 이에 의한 하부막, 예를 들어, 구리 함유 하부막의 부식이 초래될 수 있고, 이를 억제하기 위해 많은 양의 부식 방지제를 사용할 필요가 생길 수 있다. 이 경우, 많은 양의 부식 방지제에 의해 하부막 표면에 상당량의 부식 방지제가 흡착 및 잔류하여 구리 함유 하부막 등의 전기적 특성을 저하시킬 수 있다. The amine compound may be included in an amount of about 0.1 to 10 wt%, or about 0.5 to 7 wt%, or about 1 to 5 wt%, or about 1.5 to 3 wt%, based on the total composition. According to the content range of the amine compound, the stripper composition of one embodiment can exhibit excellent peel force and the like, but can also reduce the economical efficiency and the efficiency of the process due to an excessive amount of amine, and can reduce the generation of waste liquid. If an excessively large amount of amine compound is included, corrosion of the underlying film, such as a copper-containing bottom film, may be caused, and it may be necessary to use a large amount of corrosion inhibitor to suppress it. In this case, a large amount of the corrosion inhibitor may adsorb and remain on the surface of the lower film due to a large amount of the corrosion inhibitor, which may deteriorate the electrical characteristics of the copper-containing lower film and the like.
한편, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 극성 유기 용매를 포함한다. 이러한 극성 유기 용매는 상기 아민 화합물을 양호하게 용해시킬 수 있으면서, 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 제거될 포토레지스트 패턴 및 그 하부막 상에 적절히 스며들게 하여, 상기 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 및 린스력 등을 담보할 수 있다. On the other hand, the stripper composition of one embodiment comprises a polar organic solvent. Such a polar organic solvent is capable of dissolving the amine compound well while allowing the stripper composition of one embodiment to be appropriately impregnated on the photoresist pattern to be removed and the lower film thereof to provide excellent peeling force and rinse force of the stripper composition can do.
보다 구체적으로, 상기 극성 유기 용매는 비양자성 극성 용매, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매 등의 양자성 극성 용매 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. More specifically, the polar organic solvent may include a protonic polar solvent such as an aprotic polar solvent, an alkylene glycol monoalkyl ether solvent, or a mixture thereof.
이중 비양자성 극성 용매로는, N-메틸포름아미드(NMF), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디에틸설폭사이드(diethylsulfoxide), 디프로필설폭사이드(dipropylsulfoxide), 설포란(sulfolane), N-메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone, NMP), 피롤리돈(pyrrolidone), N-에틸피롤리돈(N-ethyl pyrrolidone), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(DPE) 및 N, N'-디알킬카복스아미드로 이루어진 군에서, 선택된 1종 이상의 용매를 사용할 수 있으며, 기타 스트리퍼 조성물에 사용 가능한 것으로 알려진 다양한 비양자성 극성 용매를 사용할 수 있다. Examples of the double aprotic polar solvent include N-methylformamide (NMF), dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylacetamide (DMAc), dipropylene glycol monomethyl ether (DPM), diethylsulfoxide, di N-methyl pyrrolidone, N-methyl pyrrolidone, pyrrolidone, N-ethyl pyrrolidone, N-methyl pyrrolidone, , Dipropylene glycol monoethyl ether (DPE), and N, N'-dialkyl carboxamide, and it is also possible to use a variety of non-polar polar solvents known to be usable in other stripper compositions Can be used.
다만, 이중에서도 N, N'-디에틸카복스아미드 등의 N, N'-디알킬카복스아미드, 혹은 N-메틸포름아미드 등을 바람직하게 사용할 수 있고, 특히 N, N'-디에틸카복스아미드를 가장 바람직하게 사용할 수 있다. However, N, N'-dialkylcarboxamides such as N, N'-diethylcarboxamide and N-methylformamide can be preferably used, and N, N'-diethylcarboxamide Vaxamide can be most preferably used.
상기 N, N'-디알킬카복스아미드, 혹은 N-메틸포름아미드 등을 사용함에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 하부막 상에 보다 잘 스며들게 하여 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 보다 우수한 포토레지스트 박리력 및 린스력 등을 나타내게 할 수 있다. By using the N, N'-dialkylcarboxamide, N-methylformamide, or the like, the stripper composition of one embodiment may be better impregnated on the bottom film such that the stripper composition of one embodiment has better photoresist stripping power And a rinse force.
그런데, 이중 N-메틸포름아미드 및 N, N'-디메틸카복스아미드는 생체에 독성을 나타내는 것으로 알려진 바 있고, 또 경시적으로 아민의 분해를 유발하여 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 박리력 및 린스력을 경시적으로 저하시킬 수 있다. 이에 비해, 상기 N, N'-디에틸카복스아미드를 포함하는 스트리퍼 조성물은 상기 N-메틸포름아미드나 N, N'-디메틸카복스아미드를 포함하는 조성물에 준하거나 이보다도 우수한 포토레지스트 박리력 및 린스력을 나타낼 수 있으면서도, 실질적으로 생체 독성을 나타내지 않는다. However, it has been known that N-methylformamide and N, N'-dimethylcarboxamide are toxic to living bodies and cause degradation of amine with time, and the peeling force and rinse force of the stripper composition of one embodiment Can be lowered over time. On the other hand, the stripper composition containing N, N'-diethylcarboxamide is superior to or superior to the composition comprising N-methylformamide or N, N'-dimethylcarboxamide, And rinse force, but does not exhibit substantially any biotoxicity.
더 나아가, 상기 N, N'-디에틸카복스아미드는 아민 화합물의 분해를 거의 유발하지 않으며, 잔류 포토레지스트가 스트리퍼 조성물 내에 용해된 경우에도, 실질적으로 아민 화합물의 분해를 거의 일으키지 않는다. 따라서, 이를 포함하는 스트리퍼 조성물은 경시적인 박리력 등의 저하가 줄어들 수 있으므로, 이러한 N, N'-디에틸카복스아미드가 비양자성 극성 용매로서 가장 바람직하게 사용될 수 있다. Furthermore, the N, N'-diethylcarboxamide hardly causes decomposition of the amine compound, and substantially does not cause decomposition of the amine compound even when the residual photoresist is dissolved in the stripper composition. Therefore, the stripper composition containing the N, N'-diethylcarboxamide can be most preferably used as the aprotic polar solvent since the deterioration of peel strength and the like over time can be reduced.
이러한 N, N'-디에틸카복스아미드와 비교하여, 기존부터 스트리퍼 조성물에 많이 사용되던 N-메틸포름아미드, N, N'-디메틸카복스아미드 및 디메틸아세트아미드와 같은 다른 비양자성 극성 용매의 경우, 생식 또는 생체 독성 문제로 인해 디스플레이 또는 소자 공정 중에 사용이 규제되고 있으며, 특히, N, N'-디메틸카복스아미드는 생식독성 및 특정 표적 장기 독성 물질로서 백혈병에 관련된 것으로 확인되어 사용이 규제되고 있다. 또한, 기존에 스트리퍼 조성물에 사용되던 N-메틸피롤리돈 (NMP; N-methylpyrrolidone)의 비양자성 극성 용매 역시도, 유럽 내에서 N, N'-디메틸카복스아미드 및 디메틸아세트아미드 등과 함께 SVHC(고위험성물질)로 분류 되어 있으며, 사용 규제 여부에 대한 심사가 진행 중에 있다. 부가하여, 국내에서도, N-메틸포름아미드, N, N'-디메틸카복스아미드 및 디메틸아세트아미드와, N-메틸피롤리돈 등은 생식 독성을 나타내는 Category 1B(GHS 기준) 물질로서 분류 및 관리되고 있다. 이에 비해, N, N'-디에틸카복스아미드의 비양자성 유기 용매는 이러한 생식 및 생체 독성을 나타내지 않으면서도, 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 등 뛰어난 물성을 달성할 수 있게 한다.Compared with such N, N'-diethylcarboxamide, there is a tendency for the use of other aprotic polar solvents such as N-methylformamide, N, N'-dimethylcarboxamide and dimethylacetamide, In particular, N, N'-dimethylcarboxamide has been found to be associated with leukemia as reproductive toxicity and certain target organ toxicants, and its use is regulated . Also, N-methylpyrrolidone (NMP) polar aprotic solvents used in conventional stripper compositions can be used in combination with N, N'-dimethylcarboxamide and dimethylacetamide in SVHC Hazardous substances), and examination of whether the use is regulated is in progress. In addition, N-methylformamide, N, N'-dimethylcarboxamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone are classified and managed as Category 1B (GHS standard) . On the other hand, the non-protonic organic solvent of N, N'-diethylcarboxamide makes it possible to achieve excellent physical properties such as excellent peeling force of the stripper composition without exhibiting such reproductive and biotoxicity.
한편, 극성 유기 용매로서, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매 등의 양자성 극성 용매를 포함할 수도 있는데, 이러한 양자성 극성 용매는 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 하부막 상에 보다 잘 스며들게 하여 상기 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력을 보조할 수 있다. 단, 이러한 양자성 극성 용매는 후술하는 알킬렌글리콜계 용매과 상이한 종류의 용매로 될 수 있다. On the other hand, the polar organic solvent may include a protonic solvent such as an alkylene glycol monoalkyl ether solvent. Such a protonic solvent may allow the stripper composition of one embodiment to better impregnate on the underlying film, It is possible to assist the excellent peeling force of the substrate. However, such a protonic polar solvent may be a solvent of a different kind from the alkylene glycol solvent described later.
이러한 양자성 극성 용매로는, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르 또는 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매를 사용할 수 있으며, 이들 중에 선택된 2종 이상을 사용할 수도 있다. 그리고, 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 젖음성 및 이에 따른 향상된 박리력 등을 고려하여, 상기 양자성 극성 용매로는 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG) 또는 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG) 등을 적절히 사용할 수 있다. Examples of such a protonic polar solvent include diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether , Triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monopropyl ether, or tri And alkylene glycol monoalkyl ether solvents such as propylene glycol monobutyl ether. Two or more selected from these may be used. In view of the excellent wettability of the stripper composition of one embodiment and thus the improved peeling force, diethylene glycol monomethyl ether (MDG) or diethylene glycol monobutyl ether (BDG) and the like are suitably used as the protonic polar solvent Can be used.
상술한 비양자성 극성 용매 또는 양자성 극성 용매 등을 포함하는 극성 유기 용매는 전체 조성물에 대해 약 20 내지 80 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 그리고, 상기 비양자성 극성 용매 및 양자성 극성 유기 용매가 함께 포함될 경우, 비양자성 극성 용매가 약 10 내지 65 중량%, 혹은 약 15 내지 60 중량%의 함량으로 포함될 수 있고, 양자성 극성 용매가 약 5 내지 60 중량%, 혹은 약 10 내지 55 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 이러한 극성 용매의 함량 범위에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 등이 담보될 수 있다. The polar organic solvent including the above-mentioned aprotic polar solvent or the protonic polar solvent and the like may be contained in an amount of about 20 to 80% by weight based on the total composition. When the non-protonic polar solvent and the proton polar organic solvent are included together, the aprotic polar solvent may be contained in an amount of about 10 to 65 wt%, or about 15 to 60 wt%, and the protonic polar solvent 5 to 60% by weight, or about 10 to 55% by weight. Depending on the content range of such a polar solvent, excellent peeling force and the like of the stripper composition of one embodiment can be ensured.
한편, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 극성 유기 용매 외에 물을 더 포함하여 수계 스트리퍼 조성물로서 사용될 수도 있고, 이러한 물이 선택적으로 포함될 경우 이의 함량은 상기 극성 유기 용매의 함량 범위 중 적절한 범위 내에서 결정될 수 있다. Meanwhile, in one embodiment, the stripper composition may further comprise water in addition to the above-mentioned polar organic solvent, and may be used as a water-based stripper composition. When such water is optionally contained, its content is determined within an appropriate range of the content range of the polar organic solvent .
또, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 아민 화합물 및 극성 유기 용매 외에, 알킬렌글리콜계 용매를 더 포함한다. 이러한 알킬렌글리콜계 용매는 일종의 양자성 유기 용매이나, 상술한 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 등의 양자성 극성 용매와는 상이한 종류로서 포함된다. 이미 상술한 바와 같이, 상기 알킬렌글리콜계 용매가 일 구현예의 스트리퍼 조성물에 포함됨에 따라, 스트리퍼 조성물의 표면 장력을 낮추고 제거할 포토레지스트 및 구리 등을 함유한 하부막에 대한 습윤성 및 젖음성을 향상시킬 수 있다. 또, 이러한 알킬렌글리콜계 용매는 포토레지스트에 대한 우수한 용해성을 나타낼 수 있고, 스트리퍼 조성물을 이루는 다른 유기물 등과의 우수한 상용성을 나타낼 수 있다. 따라서, 이러한 알킬렌글리콜계 용매를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타낼 수 있으며, 이와 동시에 상기 하부막에 대해 우수한 린스력을 나타내어 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다. In addition, the stripper composition of one embodiment further comprises an alkylene glycol-based solvent in addition to the amine compound and the polar organic solvent described above. Such an alkylene glycol solvent is included as a kind of a quantum organic solvent and a kind different from a quantum-polar solvent such as the alkylene glycol monoalkyl ether described above. As already mentioned above, as the alkylene glycol-based solvent is included in the stripper composition of one embodiment, the surface tension of the stripper composition is lowered and the wettability and wettability of the lower film containing the photoresist and copper etc. to be removed are improved . In addition, such alkylene glycol-based solvents can exhibit excellent solubility in photoresist and exhibit excellent compatibility with other organic materials and the like which constitute the stripper composition. Thus, the stripper composition of this embodiment comprising such an alkylene glycol-based solvent can exhibit excellent peel and remove power to the photoresist, while at the same time exhibiting excellent rinse power over the bottom film, It is possible to effectively remove such stains and foreign matter without generating or retaining spots or foreign matter.
이러한 알킬렌글리콜계 용매로는 비스(2-히드록시에틸) 에테르, 글리콜 비스(히드록시에틸) 에테르 및 [2-(2-히드록시에톡시)에톡시]에탄올로 이루어진 그룹에서 선택된 양자성 유기 용매 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 기타 다양한 알킬렌글리콜계 용매를 사용할 수도 있다. 이 중에서도, 포토레지스트 및 하부막에 대한 보다 우수한 젖음성과, 이로부터 발현되는 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 및 린스력 등을 고려하여, 상기 비스(2-히드록시에틸) 에테르가 바람직하게 사용될 수 있다. Examples of such alkylene glycol-based solvents include quantum-organic solvents selected from the group consisting of bis (2-hydroxyethyl) ether, glycol bis (hydroxyethyl) ether and [2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy] A solvent or a mixture of two or more kinds may be used, and various other alkylene glycol solvents may be used. Among them, the bis (2-hydroxyethyl) ether can be preferably used in consideration of the better wettability to the photoresist and the lower film, the excellent peeling force and the rinsing force of the stripper composition to be developed therefrom, and the like.
상술한 알킬렌글리콜계 용매는 전체 조성물에 대해 약 10 내지 70 중량%, 혹은 약 20 내지 60 중량%, 혹은 약 30 내지 50 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 이러한 함량 범위에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 및 린스력, 특히, 구리 등을 함유한 하부막 상의 우수한 얼룩 및 이물 제거 성능이 담보될 수 있다. The above-mentioned alkylene glycol-based solvent may be contained in an amount of about 10 to 70% by weight, or about 20 to 60% by weight, or about 30 to 50% by weight based on the total composition. Depending on this content range, good peel strength and rinse power of the stripper composition of one embodiment can be assured, especially good stain and deodorization performance on the bottom film containing copper and the like.
한편, 상술한 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 부식 방지제를 더 포함하는데, 이러한 부식 방지제는 스트리퍼 조성물을 사용한 포토레지스트 패턴의 제거시 구리 함유막 등의 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하여 상기 스트리퍼 조성물, 특히, 이에 포함된 아민 화합물에 의한 하부막의 전기적 특성 저하 등을 억제할 수 있다.Meanwhile, the stripper composition of one embodiment described above further includes a corrosion inhibitor, which effectively inhibits the corrosion of the metal-containing bottom film such as the copper-containing film during the removal of the photoresist pattern using the stripper composition, , Deterioration of the electrical characteristics of the lower film due to the amine compound contained therein, and the like can be suppressed.
이러한 하부막의 부식을 효과적으로 억제하기 위해, 상기 부식방지제로는 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 하기 화학식 1 또는 2의 화합물 등을 사용할 수 있다:In order to effectively suppress the corrosion of such a lower film, the corrosion inhibitor may be a triazole-based compound, a tetrazole-based compound, a compound represented by the following formula (1) or (2)
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 식에서, R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,Wherein R9 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
R10 및 R11은 서로 동일하거나 상이하고 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,R10 and R11 are the same or different and each is a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
a는 1 내지 4의 정수이고,a is an integer of 1 to 4,
[화학식 2](2)
상기 식에서, R12은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,Wherein R12 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
b는 1 내지 4의 정수이다.and b is an integer of 1 to 4.
이러한 부식 방지제의 보다 구체적인 예로서, 벤조트리아졸 또는 테트라하이드로톨릴트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 5-아미노테트라졸 또는 이의 수화물과 같은 테트라졸계 화합물, 상기 화학식 1에서 R9는 메틸기이고, R10 및 R11은 각각 히드록시에틸이며, a는 1인 화합물, 또는 상기 화학식 2에서 R12는 메틸기이고, b는 1인 화합물 등을 들 수 있고, 이들 화합물을 사용하여, 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하면서도, 스트리퍼 조성물의 박리력 등을 우수하게 유지할 수 있다.More specific examples of such corrosion inhibitors include tetrazole compounds such as benzotriazole or tetrahydrotolyltriazole, tetrazole compounds such as 5-aminotetrazole or a hydrate thereof, R9 in the formula 1 is a methyl group, R10 and R11 Are each hydroxyethyl, and a is 1, or a compound in which R12 is a methyl group and b is 1 in the above formula (2). These compounds can be used to effectively inhibit the corrosion of the metal- The peeling force and the like of the stripper composition can be kept excellent.
또한, 이러한 부식 방지제는 전체 조성물에 대해 약 0.01 내지 0.5중량%, 혹은 약 0.05 내지 0.3중량%, 혹은 약 0.1 내지 0.2중량%로 포함될 수 있다. 이러한 함량 범위로 인해, 하부막 상의 부식의 효과적으로 억제할 수 있으면서도, 이러한 부식 방지제의 과량 함유로 인해 스트리퍼 조성물의 물성이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 만일, 이러한 부식 방지제가 과량 함유되는 경우, 하부막 상에 상당량의 부식 방지제가 흡착 및 잔류하여 구리 함유 하부막 등의 전기적 특성을 저하시킬 수도 있다. In addition, such corrosion inhibitors may be included in an amount of about 0.01 to 0.5 wt%, or about 0.05 to 0.3 wt%, or about 0.1 to 0.2 wt%, based on the total composition. Such a content range can effectively suppress the corrosion on the lower film, but can prevent the deterioration of the physical properties of the stripper composition due to the excessive content of such a corrosion inhibitor. If such an anticorrosion agent is contained in an excessive amount, a considerable amount of the anticorrosion agent may be adsorbed and remained on the lower film, thereby lowering the electrical characteristics of the copper-containing lower film and the like.
그리고, 상술한 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 세정 특성 강화를 위해 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the stripper composition of one embodiment described above may further comprise a surfactant for enhancing the cleaning property.
이러한 계면 활성제로는 실리콘계 비이온성 계면활성제를 사용할 수 있는데, 이러한 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 아민 화합물 등이 포함되어 염기성이 강한 스트리퍼 조성물 내에서도 화학적 변화, 변성 또는 분해를 일으키지 않고 안정하게 유지될 수 있으며, 상술한 비양자성 극성 용매, 양자성 극성 용매 또는 알킬렌 글리콜계 용매 등과의 상용성이 우수하게 나타날 수 있다. 이에 따라, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 다른 성분과 잘 섞여 스트리퍼 조성물의 표면 장력을 낮추고 상기 스트리퍼 조성물이 제거될 포토레지스트 및 그 하부막에 대해 보다 우수한 습윤성 및 젖음성을 나타내게 할 수 있다. 그 결과, 이를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 보다 우수한 포토레지스트 박리력을 나타낼 수 있을 뿐 아니라, 하부막에 대해 우수한 린스력을 나타내어 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다. As such a surfactant, a silicone-based nonionic surfactant can be used. Such a silicone-based nonionic surfactant can be stably maintained without chemical change, denaturation or decomposition even in a basic strong stripper composition containing an amine compound and the like, It can exhibit excellent compatibility with the above-mentioned aprotic polar solvent, protonic polar solvent or alkylene glycol solvent. Thus, the silicone-based nonionic surfactant can be mixed well with other components to lower the surface tension of the stripper composition and to provide better wettability and wettability to the photoresist and underlying film from which the stripper composition is to be removed. As a result, the stripper composition according to an embodiment of the present invention can exhibit a superior photoresist stripping force, and exhibits excellent rinsing force with respect to the lower film, so that even after the stripper composition treatment, almost no stains or foreign matters are formed on the lower film, It is possible to effectively remove such stains and foreign matter.
더구나, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 매우 낮은 함량의 첨가로도 상술한 효과를 나타낼 수 있고, 이의 변성 또는 분해에 의한 부산물의 발생이 최소화될 수 있다. Furthermore, the silicone-based nonionic surfactant can exhibit the above-mentioned effects even with a very low addition amount, and the occurrence of by-products due to denaturation or decomposition thereof can be minimized.
이러한 계면 활성제로는, 이전부터 알려지거나 상용화된 통상적인 실리콘 함유 비이온성 계면 활성제, 예를 들어, 폴리실록산계 중합체를 포함하는 계면 활성제를 별다른 제한 없이 모두 사용할 수 있다. 이러한 계면 활성제의 구체적인 예로는, 폴리에테르 변성 아크릴 관능성 폴리디메틸실록산, 폴리에테르 변성 실록산, 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에틸알킬실록산, 아르알킬 변성 폴리메틸알킬실록산, 폴리에테르 변성 히드록시 관능성 폴리디메틸셀록산, 폴리에테르 변성 디메틸폴리실록산 또는 변성 아크릴 관능성 폴리디메틸실록산이나 이들의 용액 등을 들 수 있다. 또, 이러한 계면 활성제는 스트리퍼 조성물의 포토레지스트 및 하부막에 대한 젖음성 등을 보다 향상시킬 수 있도록, 스트리퍼의 표면 장력을 감소시키고 하부막의 표면 에너지를 증가시키는 등의 특성을 나타낼 수 있다. As such a surfactant, any conventional non-ionic surfactant known in the art or commercialized, for example, a surfactant containing a polysiloxane-based polymer may be used without any limitation. Specific examples of such surfactants include polyether-modified acrylic functional polydimethylsiloxane, polyether-modified siloxane, polyether-modified polydimethylsiloxane, polyethylalkylsiloxane, aralkyl-modified polymethylalkylsiloxane, polyether-modified hydroxy- Polydimethylcellulose, polydimethylcellulose, polyether-modified dimethylpolysiloxane or modified acryl-functional polydimethylsiloxane, and solutions thereof. In addition, such a surfactant can exhibit properties such as reducing the surface tension of the stripper and increasing the surface energy of the lower film so that the wettability of the stripper composition to the photoresist and the lower film can be further improved.
또, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 전체 조성물에 대해 약 0.0005 내지 0.1 중량%, 혹은 약 0.001 내지 0.09 중량%, 혹은 약 0.001 내지 0.01 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 만일, 계면 활성제의 함량이 지나치게 낮아지는 경우, 계면 활성제 첨가에 따른 스트리퍼 조성물의 박리력 및 린스력 향상 효과를 충분히 거두지 못할 수 있고, 계면 활성제가 지나치게 높은 함량으로 포함될 경우, 스트리퍼 조성물을 사용한 박리 공정 진행시 고압에서 버블이 발생하여 하부막에 얼룩이 발생하거나, 장비 센서가 오작동을 일으키는 등의 문제점이 발생할 수 있다. The silicone-based nonionic surfactant may be contained in an amount of about 0.0005 to 0.1% by weight, or about 0.001 to 0.09% by weight, or about 0.001 to 0.01% by weight based on the total composition. If the content of the surfactant is too low, the stripper composition and the rinse-enhancing effect of the stripper composition may not be sufficiently obtained when the surfactant is added. When the surfactant is contained in an excessively high content, Bubbles may be generated at a high pressure during the process, resulting in unevenness in the lower film, malfunction of the equipment sensor, and the like.
또한, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 필요에 따라 통상적인 첨가제를 추가로 포함할 수 있고, 그 종류나 함량은 이 분야의 당업자에게 잘 알려져 있다. In addition, the stripper composition of one embodiment may further include conventional additives as required, and the type and content thereof are well known to those skilled in the art.
그리고, 상술한 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 각 성분을 혼합하는 일반적인 방법에 따라 제조될 수 있고, 이의 제조 방법이 특히 제한되지 않는다. 이러한 스트리퍼 조성물은 포토레지스트에 대한 우수한 박리력 등을 나타내면서도, 구리 함유 하부막 상에 얼룩 및/또는 이물이 발생 및 잔류하는 것을 실질적으로 방지할 수 있다. 이로서, 상기 얼룩 및/또는 이물에 의해 고해상도 TFT-LCD 등의 소자의 표시 특성이 저하되는 것을 억제할 수 있다. And, the above-described stripper composition of one embodiment can be produced by a general method of mixing the respective components described above, and the production method thereof is not particularly limited. Such a stripper composition can substantially prevent stains and / or foreign matter from being generated and remained on the copper-containing lower film, while exhibiting excellent peel force and the like for the photoresist. Thus, it is possible to suppress deterioration in the display characteristics of devices such as a high-resolution TFT-LCD due to the smear and / or foreign matter.
이에 발명의 다른 구현예에 따르면, 상술한 스트리퍼 조성물을 이용한 포토레지스트의 박리 방법이 제공된다. 이러한 박리 방법은 구리가 함유된 하부막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴으로 상기 하부막을 패터닝하는 단계; 및 상기 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함한다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for stripping a photoresist using the stripper composition described above. Such a stripping method includes: forming a photoresist pattern on a substrate on which a lower film containing copper is formed; Patterning the lower film with the photoresist pattern; And stripping the photoresist using the stripper composition of one embodiment.
이러한 박리 방법에 있어서는, 먼저 패터닝될 구리 함유 하부막이 형성된 기판 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이때 구리 함유 하부막은 구리막의 단일막으로 되거나 기타 구리막 및 몰리브덴막 등의 다른 금속막을 포함하는 다중막 구조로 될 수도 있다. 이후, 이러한 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부막을 패터닝한 후, 상술한 스트리퍼 조성물 등을 이용해 포토레지스트를 박리할 수 있다. 상술한 공정에서, 포토레지스트 패턴의 형성 및 하부막의 패터닝 공정은 통상적인 소자 제조 공정에 따를 수 있다. In such a peeling method, a photoresist pattern can be formed on a substrate on which a copper-containing lower film to be patterned is first formed through a photolithography process. At this time, the copper-containing bottom film may be a single film of a copper film or a multi-film structure including another copper film and another metal film such as a molybdenum film. Thereafter, the photoresist pattern is used as a mask to pattern the lower film, and then the photoresist can be peeled off using the above-described stripper composition or the like. In the above-described process, the formation of the photoresist pattern and the patterning process of the lower film may be performed according to a conventional device manufacturing process.
한편, 상기 스트리퍼 조성물을 이용해 포토레지스트를 박리하면, 하부막 상에 미세한 이물 및/또는 얼룩이 실질적으로 발생 및 잔류하지 않고, 이러한 박리 과정에서 하부막 상에 부식이 발생하는 것이 억제될 수 있다. On the other hand, when the photoresist is peeled off using the stripper composition, fine foreign matter and / or unevenness do not substantially occur and remain on the lower film, and the occurrence of corrosion on the lower film in the peeling process can be suppressed.
본 발명에 따르면, 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 실질적으로 발생 및 잔류시키지 않는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물이 제공될 수 있다. 즉, 이러한 스트리퍼 조성물을 사용해, 구리 등을 함유한 하부막 상의 포토레지스트를 효과적으로 제거하면서도, 우수한 린스력을 발현하여 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다. According to the present invention, there can be provided a stripper composition for removing photoresist which shows excellent peeling and removing power against the photoresist but does not substantially generate and retain stains or foreign matter on the lower film containing copper or the like. That is, by using such a stripper composition, it is possible to effectively remove the photoresist on the lower film containing copper or the like, and to exhibit excellent rinsing force, so that even after the stripper composition treatment, unevenness or foreign matter rarely occurs or remains on the lower film, And foreign matter can be effectively removed.
또한, 상기 스트리퍼 조성물을 사용한 처리시에 하부막의 부식 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. Further, corrosion of the lower film can be effectively suppressed during the treatment using the stripper composition.
도 1 및 2 는 실시예 2 및 9의 스트리퍼 조성물을 사용해 구리 게이트 패턴을 처리한 후의 표면 형상을 나타내는 FE-SEM 사진이다.Figs. 1 and 2 are FE-SEM photographs showing the surface morphology after treating the copper gate pattern using the stripper compositions of Examples 2 and 9. Fig.
이하 발명의 실시예 및 비교예를 참고하여 발명의 작용, 효과를 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 이러한 실시예 및 비교예는 발명의 예시에 불과하며, 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The functions and effects of the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, these examples and comparative examples are merely examples of the invention, and the scope of the invention is not limited thereto.
<실시예 및 비교예> 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물의 제조<Examples and Comparative Examples> Preparation of stripper composition for removing photoresist
하기 표 1 및 2의 조성에 따라, 각 성분을 혼합하여 실시예 1 내지 11, 비교예 1 및 2에 따른 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물을 각각 제조하였다. According to the compositions shown in Tables 1 and 2, the respective components were mixed to prepare the stripper compositions for photoresist stripping according to Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 and 2, respectively.
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(wt%)Example 11
(wt%)
* LGA: 이미다졸릴-4-에탄올(Imidazolyl-4-ethanol; IME)LGA: Imidazolyl-4-ethanol (IME)
* AEE: (2-아미노에톡시)-1-에탄올* AEE: (2-aminoethoxy) -1-ethanol
* DMAC: 디메틸아세트아미드DMAC: dimethylacetamide
* NMF : N-메틸포름아미드 * NMF : N-methylformamide
* DCA: N, N'-디에틸카복스아미드 * DCA: N, N'-diethylcarboxamide
* BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르* BDG: diethylene glycol monobutyl ether
* HEE: 비스(2-히드록시에틸) 에테르 * HEE: bis (2-hydroxyethyl) ether
* 부식 방지제 1: 2,2'-[(Methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino]bisethanol* Corrosion inhibitor 1: 2,2 '- [(Methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino]
* 부식 방지제 2: 5-aminotetrazole monohydrate* Corrosion inhibitor 2: 5-aminotetrazole monohydrate
* 부식 방지제 3: benzotriazole
* Corrosion inhibitor 3: benzotriazole
[실험예] 스트리퍼 조성물의 물성 평가[Experimental Example] Evaluation of physical properties of the stripper composition
1. 스트리퍼 조성물의 박리력 평가1. Evaluation of peel strength of stripper composition
실시예 및 비교예의 스트리퍼 조성물의 박리력을 다음의 방법으로 평가하였다. The peel strengths of the stripper compositions of Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.
먼저, 100mm x 100mm 유리 기판에 포토레지스트 조성물(제품명: JC-800; 비교적 강한 강도를 갖는 포토레지스트의 형성을 가능케 하는 것으로 알려짐) 3.5ml를 적하하고, 스핀 코팅 장치에서 400rmp의 속도 하에 10 초 동안 포토레지스트 조성물을 도포하였다. 이러한 유리 기판을 핫 플레이트에 장착하고 165℃의 온도에서 10분간 하드베이크하여 포토레지스트를 형성하였다. First, 3.5 ml of a photoresist composition (product name: JC-800, which is known to enable the formation of a photoresist having a relatively strong strength) was dropped on a 100 mm x 100 mm glass substrate, and the substrate was spin coated in a spin coating apparatus at a speed of 400 rpm for 10 seconds The photoresist composition was applied. The glass substrate was mounted on a hot plate, and hard baked at 165 DEG C for 10 minutes to form a photoresist.
상기 포토레지스트가 형성된 유리 기판을 상온에서 공냉한 후, 30mm x 30mm 크기로 잘라 박리력 평가용 시료를 준비하였다. The glass substrate on which the photoresist was formed was air-cooled at room temperature, and cut into a size of 30 mm x 30 mm to prepare a sample for peelability evaluation.
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 스트리퍼 조성물 500g을 준비하고, 50℃로 승온시킨 상태에서 스트리퍼 조성물로 유리 기판 상의 포토레지스트를 처리하였다. 상기 포토레지스트가 완전히 박리 및 제거되는 시간을 측정하여 박리력을 평가하였다. 이때, 포토레지스트의 박리 여부는 유리 기판 상에 자외선을 조사하여 포토레지스트가 잔류하는지 여부를 관찰하여 확인하였다. 500 g of the stripper composition obtained in the above Examples and Comparative Examples was prepared and the photoresist on the glass substrate was treated with the stripper composition in the state that the temperature was raised to 50 캜. The peeling force was evaluated by measuring the time at which the photoresist was completely peeled off and removed. At this time, whether or not the photoresist was peeled off was confirmed by observing whether or not the photoresist remained by irradiating ultraviolet rays onto the glass substrate.
위와 같은 방법으로 실시예 1 내지 9, 비교예 1 및 2의 스트리퍼 조성물의 박리력을 평가하여 하기 표 3에 나타내었다. 이러한 평가 결과는 포토레지스트의 하드베이크 조건 별로 각각 평가하여 나타내었다.
The peel strengths of the stripper compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated in the same manner as described above and shown in Table 3 below. These evaluation results were evaluated by the hard bake conditions of the photoresist.
상기 표 3을 참고하면, 실시예의 스트리퍼 조성물은 비교예의 스트리퍼 조성물에 비해 우수한 포토레지스트 박리력(빠른 박리 시간)을 나타내는 것으로 확인되었다.
Referring to Table 3 above, it was confirmed that the stripper composition of the examples exhibited excellent photoresist stripping power (fast stripping time) as compared with the stripper composition of the comparative example.
2. 스트리퍼 조성물의 린스력 평가2. Evaluation of rinse power of stripper composition
실시예 및 비교예의 스트리퍼 조성물의 린스력을 다음의 방법으로 평가하였다. The rinse power of the stripper compositions of Examples and Comparative Examples was evaluated by the following method.
스트리퍼 조성물의 500g을 준비하여 50℃의 온도로 승온하고, 150℃에서 4 시간 동안 하드베이크한 포토레지스트 파우더를 0 내지 5 중량%로 용해시켰다. 실리콘 질화물로 구성된 절연막 유리 기판 상에 구리 단일막을 형성하고 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 이를 상기 스트리퍼 조성물로 처리하였다. 이후, 상기 유리 기판을 액절하고 초순수를 몇 방울 적하하고 30 내지 90초간 대기하였다. 초순수로 다시 세정하고, 구리 단일막 상의 얼룩 및 이물을 광학 현미경으로 관찰하여 3x3cm2 면적 내의 얼룩 및 포토레지스트 유래 이물이 발생하는 포토레지스트 농도를 측정하였다. 500 g of the stripper composition was prepared and heated to a temperature of 50 캜, and the photoresist powder hard-baked at 150 캜 for 4 hours was dissolved in an amount of 0 to 5% by weight. An insulating film composed of silicon nitride, a copper single film was formed on the glass substrate, and a photoresist pattern was formed and then treated with the stripper composition. Thereafter, the glass substrate was subjected to lapping, and a few drops of ultrapure water were dropped thereon and left to stand for 30 to 90 seconds. Washed again with ultrapure water, and spots and foreign matter on the copper single film were observed with an optical microscope to measure the concentration of the photoresist in which spots and photoresist-derived foreign matter within a 3 x 3 cm 2 area were generated.
위와 같은 방법으로 실시예 1 내지 9, 비교예 1 및 2의 스트리퍼 조성물의 린스력을 평가하여 하기 표 4에 나타내었다.
The rinse powers of the stripper compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated in the same manner as described above, and are shown in Table 4 below.
상기 표 4를 참고하면, 실시예의 스트리퍼 조성물을 사용할 경우, 비교예에 비해 구리 단일막 상에 얼룩 및 이물이 매우 작은 개수로 발생 및 잔류하여 향상된 린스력을 나타냄이 확인되었다. 특히, 알킬렌글리콜계 용매와, BDG와 같은 양자성 극성 용매를 각각 20 내지 30 중량%으로 함께 사용함에 따라 린스력의 향상이 보다 두드러짐이 확인되었다. 그리고, 전체 알킬렌글리콜계 용매 및 양자성 극성 용매 함량이 45 내지 55 중량% 일 경우의 린스력이 보다 우수하게 나타남이 확인되었다.
Referring to Table 4, when the stripper composition of the example was used, it was confirmed that unevenness and foreign matter were generated and remained on the copper single film in comparison with the comparative example, indicating an improved rinse force. In particular, improvement in rinse power is more noticeable when the alkylene glycol solvent and the quantum-polar solvent such as BDG are used in an amount of 20 to 30% by weight, respectively. Further, it was confirmed that the rinsing power when the total alkylene glycol solvent and the quantitative polar solvent content were 45 to 55 wt%, was more excellent.
3. 구리막 표면 부식 발생 여부 평가 3. Assessment of copper surface corrosion
구리 게이트 패턴이 형성된 유리 기판 상에 실시예 2 및 9의 스트리퍼 조성물을 70℃ 온도에서 10분간 처리하였다. 처리 후, 주사전자 현미경(FE-SEM)으로 표면 형상을 분석하였다. 이러한 표면 형상 분석과 함께 구리 게이트 패턴 표면의 거칠기를 측정하여 부식 여부를 판단하였다. 상기 표면 형상 분석 및 거칠기 측정 방법과, 구체적인 평가 기준은 다음과 같다. The stripper compositions of Examples 2 and 9 were treated for 10 minutes at a temperature of 70 DEG C on a glass substrate having a copper gate pattern formed thereon. After the treatment, the surface shape was analyzed by a scanning electron microscope (FE-SEM). The roughness of the surface of the copper gate pattern was measured with this surface shape analysis to determine corrosion. The surface shape analysis and roughness measurement method and specific evaluation criteria are as follows.
(1) 구리 게이트 표면 거칠기 분석(1) Analysis of copper gate surface roughness
AFM을 이용하여 구리 게이트 표면의 거칠기를 측정하여 부식 여부를 판단하였다. 스트리퍼 조성물 처리 전후의 게이트 표면을 AFM 측정하였고, 측정 조건은 측정 면적 5x5cm2, 스캔속도 1Hz로 설정하였다. 처리 후에, 표면 거칠기가 2.3nm 이내인 경우 부식이 없는 것으로 평가하였고, 2.3~3.0nm인 경우 낮은 수준의 부식이 발생한 것으로 평가하였으며, 3.0~4.0nm인 경우 중간 수준의 부식이 발생한 것으로 평가하였고, 4.0~5.0nm인 경우 높은 수준의 부식이 발생한 것으로 평가하였으며, 5.0nm이상인 경우 심한 부식이 발생한 것으로 평가하였다. 이러한 평가 결과는 하기 표 5에 정리하여 나타내었다. The roughness of the copper gate surface was measured using AFM to determine corrosion. The AFM was measured on the gate surface before and after the stripper composition treatment, and the measurement conditions were set to a measurement area of 5 x 5 cm 2 and a scan speed of 1 Hz. After the treatment, it was evaluated that there was no corrosion when the surface roughness was within 2.3 nm, and low level corrosion was observed in the case of 2.3 to 3.0 nm. In the case of 3.0 to 4.0 nm, In the case of 4.0 ~ 5.0nm, it was evaluated that high level of corrosion occurred, and in case of 5.0nm or more, severe corrosion was evaluated. These evaluation results are summarized in Table 5 below.
(2) 구리 게이트 표면 형상 분석(2) Analysis of copper gate surface morphology
FE-SEM 사진을 육안 관찰하여 표면 damage가 발생하였는지를 확인하였다. 이하의 그림과 같이 표면 damage의 발생 여부를 육안 확인하여, 표면 부식 발생 여부를 평가하였다. 실시예 2 및 9의 스트리퍼 조성물 처리 후의 FE-SEM 사진은 각각 도 1 및 2에 도시된 바와 같다. FE-SEM photographs were visually inspected to see if surface damage occurred. As shown in the following figure, the occurrence of surface damage was visually checked to evaluate whether surface corrosion occurred. The FE-SEM photographs of Examples 2 and 9 after the stripper composition treatment are as shown in Figs. 1 and 2, respectively.
상기 (1)의 결과를 주로 고려하고, (2)의 결과를 보조적으로 고려하여 부식 발생 여부를 판단하였다. The results of (1) above were taken into consideration and the results of (2) were supplementarily considered to determine whether or not corrosion occurred.
상기 표 5, 도 1 및 2에서 확인되는 바와 같이, 실시예의 스트리퍼 조성물은 구리 게이트 패턴 처리시 이의 부식을 실질적으로 발생시키지 않음이 확인되었다. As can be seen in Table 5, Figures 1 and 2, it was found that the stripper compositions of the Examples did not substantially cause their corrosion during copper gate pattern processing.
Claims (18)
극성 유기 용매;
비스(2-히드록시에틸) 에테르, 글리콜비스(히드록시에틸)에테르 및 [2-(2-히드록시에톡시)에톡시]에탄올로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함한 알킬렌글리콜계 용매; 및
부식 방지제를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.
At least one amine compound;
Polar organic solvents;
An alkylene glycol solvent containing at least one member selected from the group consisting of bis (2-hydroxyethyl) ether, glycol bis (hydroxyethyl) ether and [2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy] ethanol; And
A photoprotective stripper composition comprising a corrosion inhibitor.
The stripper composition according to claim 1, wherein the amine compound comprises at least one selected from the group consisting of a chain type amine compound and a cyclic amine compound.
The method of claim 2, wherein the cyclic amine compound is selected from the group consisting of Imidazolyl-4-ethanol (IME), Amino ethyl piperazine (AEP), and hydroxyl ethylpiperazine. HEP). ≪ / RTI >
The stripper composition according to claim 1, wherein the amine compound is contained in an amount of 0.1 to 10% by weight based on the total composition.
The stripper composition of claim 1, wherein the polar organic solvent comprises an aprotic polar solvent, a protonic polar solvent, or a mixture thereof.
7. The process of claim 6 wherein the aprotic polar solvent is selected from the group consisting of N-methylformamide (NMF), dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylacetamide (DMAc), dipropylene glycol monomethyl ether (DPM), diethylsulfoxide ), Dipropylsulfoxide, sulfolane, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), pyrrolidone, N-ethylpyrrolidone (N- ethyl pyrrolidone, dipropylene glycol monoethyl ether (DPE), and N, N'-dialkyl carboxamide.
The method of claim 6, wherein the protonic polar solvent is selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, di Ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, triethylene Glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monopropyl ether And at least one alkylene glycol monoalkyl ether solvent selected from the group consisting of propylene glycol monobutyl ether and tripropylene glycol monobutyl ether.
The stripper composition according to claim 1, wherein the polar organic solvent is contained in an amount of 20 to 80% by weight based on the total composition.
The stripper composition according to claim 1, wherein the alkylene glycol solvent is contained in an amount of 10 to 70% by weight based on the total composition.
[화학식 1]
상기 식에서, R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R10 및 R11은 서로 동일하거나 상이하고 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,
a는 1 내지 4의 정수이고,
[화학식 2]
상기 식에서, R12은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
b는 1 내지 4의 정수이다.
The stripper composition according to claim 1, wherein the corrosion inhibitor comprises a triazole-based compound, a tetrazole-based compound, and a compound represented by the following formula (1) or (2).
[Chemical Formula 1]
Wherein R9 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
R10 and R11 are the same or different and each is a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
a is an integer of 1 to 4,
(2)
Wherein R12 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
and b is an integer of 1 to 4.
2. The stripper composition according to claim 1, wherein the corrosion inhibitor is contained in an amount of 0.01 to 0.5% by weight based on the total composition.
The stripper composition of claim 1, further comprising a silicone-based nonionic surfactant.
15. The stripper composition according to claim 14, wherein the silicone-based nonionic surfactant comprises a polysiloxane-based polymer.
15. The method of claim 14, wherein the silicone-based nonionic surfactant is selected from the group consisting of polyether modified acrylic functional polydimethylsiloxane, polyether modified siloxane, polyether modified polydimethylsiloxane, polyethylalkylsiloxane, aralkyl modified polymethylalkylsiloxane, polyether A modified hydroxy functional polysiloxane, a modified hydroxy functional polysiloxane, a modified hydroxy functional polysaccharide, a modified hydroxy functional polysaccharide, a modified hydroxy functional polysaccharide, a modified hydroxy functional polysaccharide, a modified hydroxy functional polysaccharide, a modified hydroxy functional polysaccharide, a modified hydroxy functional polysaccharide,
15. The stripper composition according to claim 14, wherein the silicon-based nonionic surfactant is contained in an amount of 0.0005 to 0.1% by weight based on the total composition.
상기 포토레지스트 패턴으로 상기 하부막을 패터닝하는 단계; 및
제 1 항에 따른 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
Forming a photoresist pattern on a substrate on which a copper-containing bottom film is formed;
Patterning the lower film with the photoresist pattern; And
A stripping method of a photoresist comprising stripping a photoresist using the stripper composition according to claim 1.
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| CN111458990A (en) * | 2020-02-12 | 2020-07-28 | 惠州达诚微电子材料有限公司 | Photoresist stripping liquid for copper process of advanced panel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100286860B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-07-12 | 주식회사 동진쎄미켐 | Photoresist Remover Composition |
| KR100846057B1 (en) | 2005-05-13 | 2008-07-11 | 주식회사 엘지화학 | Stripper composition for photoresist |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5988186A (en) * | 1991-01-25 | 1999-11-23 | Ashland, Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
| US6531436B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
| JP3953476B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-08-08 | ドングウー ファイン−ケム カンパニー、 リミテッド | Photoresist stripping liquid composition and photoresist stripping method using the same |
| KR101082018B1 (en) * | 2004-05-07 | 2011-11-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | Composition for removing a (photo)resist |
| WO2005109108A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Composition for removing a (photo) resist |
| KR20050110955A (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | 금호석유화학 주식회사 | Stripper composition for photoresist and using method thereof |
| ATE450595T1 (en) * | 2004-08-03 | 2009-12-15 | Mallinckrodt Baker Inc | CLEANING AGENT FOR MICROELECTRONICS SUBSTRATES |
| KR20060024478A (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | Composition for removing a photoresist |
| JP4741315B2 (en) * | 2005-08-11 | 2011-08-03 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | Polymer removal composition |
| KR20070074746A (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | Composition for removing a (photo)resist |
| CN101454872B (en) * | 2006-05-26 | 2011-04-06 | Lg化学株式会社 | Stripper composition for photoresist and method for stripping photoresist stripping composition using the composition |
| JP5236217B2 (en) * | 2006-06-22 | 2013-07-17 | 東進セミケム株式会社 | Resist removing composition |
| JP2008248209A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nippon Zeon Co Ltd | Thinner composition for eliminating composition containing cyclic olefin-based polymer |
| KR20090072546A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | Composition for removing photoresist and method of manufacturing array substrate using the same |
| KR20100070087A (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 삼성전자주식회사 | Composition for photoresist stripper and method of fabricating thin film transistor array substrate |
| KR101579846B1 (en) * | 2008-12-24 | 2015-12-24 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Composition for removing a photoresist pattern and method of forming a metal pattern using the composition |
| US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| KR20100125108A (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-30 | 동우 화인켐 주식회사 | Stripper composition for copper or copper alloy |
| KR100950779B1 (en) * | 2009-08-25 | 2010-04-02 | 엘티씨 (주) | Composition of stripper for all tft-lcd process photoresist |
| JP5279921B2 (en) * | 2009-11-26 | 2013-09-04 | エルジー・ケム・リミテッド | Photoresist stripper composition and photoresist stripping method using the same |
| KR101089211B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-02 | 엘티씨 (주) | Composition of stripping solution for liquid crystal display process photoresist comprising primary alkanolamine |
| CN103782368B (en) * | 2011-06-01 | 2017-06-09 | 安万托特性材料有限责任公司 | The semi-aqueous polymer to copper, tungsten and porous low-k dielectrics with enhanced compatibility removes composition |
-
2014
- 2014-04-25 KR KR1020140050060A patent/KR101668063B1/en active IP Right Grant
- 2014-04-28 CN CN201480004032.7A patent/CN104903794B/en active Active
- 2014-04-28 JP JP2015560109A patent/JP6367842B2/en active Active
- 2014-04-30 TW TW103115627A patent/TWI539249B/en active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100286860B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-07-12 | 주식회사 동진쎄미켐 | Photoresist Remover Composition |
| KR100846057B1 (en) | 2005-05-13 | 2008-07-11 | 주식회사 엘지화학 | Stripper composition for photoresist |
Also Published As
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