KR101659139B1 - 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 - Google Patents
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- KR101659139B1 KR101659139B1 KR1020140011778A KR20140011778A KR101659139B1 KR 101659139 B1 KR101659139 B1 KR 101659139B1 KR 1020140011778 A KR1020140011778 A KR 1020140011778A KR 20140011778 A KR20140011778 A KR 20140011778A KR 101659139 B1 KR101659139 B1 KR 101659139B1
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- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 82
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 101
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 claims description 6
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NTNWKDHZTDQSST-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC2=C(N)C(N)=CC=C21 NTNWKDHZTDQSST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XBTRYWRVOBZSGM-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)methanediamine Chemical compound CC1=CC=C(C(N)N)C=C1 XBTRYWRVOBZSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- SLFVYFOEHHLHDW-UHFFFAOYSA-N n-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)NC1=CC=CC=C1 SLFVYFOEHHLHDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VBEGHXKAFSLLGE-UHFFFAOYSA-N n-phenylnitramide Chemical compound [O-][N+](=O)NC1=CC=CC=C1 VBEGHXKAFSLLGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- DYFXGORUJGZJCA-UHFFFAOYSA-N phenylmethanediamine Chemical compound NC(N)C1=CC=CC=C1 DYFXGORUJGZJCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KEBXGLIHHLGNJH-UHFFFAOYSA-N n-methylsulfanylaniline Chemical compound CSNC1=CC=CC=C1 KEBXGLIHHLGNJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 28
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 101100446326 Caenorhabditis elegans fbxl-1 gene Proteins 0.000 description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 7
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IOYQOOUTHXXDIC-UHFFFAOYSA-N CSc1cccc(CC(C)N)c1 Chemical compound CSc1cccc(CC(C)N)c1 IOYQOOUTHXXDIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethanethiol Chemical compound CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- SUVIGLJNEAMWEG-UHFFFAOYSA-N propane-1-thiol Chemical compound CCCS SUVIGLJNEAMWEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- LJZYEPXPMRRXTA-UHFFFAOYSA-N (2,4,6-trimethylphenyl)methanethiol Chemical class CC1=CC(C)=C(CS)C(C)=C1 LJZYEPXPMRRXTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMVFMBMIMRXHDS-UHFFFAOYSA-N (3,4-difluorophenyl)methanethiol Chemical class FC1=CC=C(CS)C=C1F PMVFMBMIMRXHDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZGGJCLPBGARD-UHFFFAOYSA-N (3-fluorophenyl)methanethiol Chemical compound FC1=CC=CC(CS)=C1 PMZGGJCLPBGARD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFLFVJFHVJJIU-UHFFFAOYSA-N (4-bromo-2-fluorophenyl)methanethiol Chemical compound FC1=CC(Br)=CC=C1CS VOFLFVJFHVJJIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUCKXDPCCYHFMQ-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)methanethiol Chemical compound SCC1=CC=C(Br)C=C1 CUCKXDPCCYHFMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKTRHMNWVZRZJQ-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl)methanethiol Chemical class FC1=CC=C(CS)C=C1 RKTRHMNWVZRZJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACFHLWCEZHYYKX-UHFFFAOYSA-N (4-nitrophenyl)methanethiol Chemical class [O-][N+](=O)C1=CC=C(CS)C=C1 ACFHLWCEZHYYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZZBJCFNHPYNKO-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylethane-1-thiol Chemical compound CC(S)C1=CC=CC=C1 QZZBJCFNHPYNKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDFKLHUGZMERDE-UHFFFAOYSA-N 2,4-bis(aminomethyl)-2,6,6-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound NCC1CC(C(C(C1)(C)C)N)(C)CN IDFKLHUGZMERDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical group CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMRFRBHYXOQLDK-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethanethiol Chemical compound SCCC1=CC=CC=C1 ZMRFRBHYXOQLDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEILKFZTLVMHRR-UHFFFAOYSA-N 2-phosphonooxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOP(O)(O)=O SEILKFZTLVMHRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIUDTWATMPPKEL-UHFFFAOYSA-N 3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 VIUDTWATMPPKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFROQCFVXOUPW-UHFFFAOYSA-N 4-(methylthio) aniline Chemical compound CSC1=CC=C(N)C=C1 YKFROQCFVXOUPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 4-nitroaniline Chemical compound NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODGIMMLDVSWADK-UHFFFAOYSA-N 4-trifluoromethylaniline Chemical compound NC1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 ODGIMMLDVSWADK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSBPNWBGNOWCCU-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.S.S.S Chemical compound OB(O)O.S.S.S PSBPNWBGNOWCCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000005700 Putrescine Substances 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQJJLIIRJIYBBO-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO.OC(=O)C1=CC=CC=C1 SQJJLIIRJIYBBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UENWRTRMUIOCKN-UHFFFAOYSA-N benzyl thiol Chemical compound SCC1=CC=CC=C1 UENWRTRMUIOCKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-N methyl dihydrogen phosphate Chemical compound COP(O)(O)=O CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHNLPLHJUPMEOI-UHFFFAOYSA-N oxolane;trifluoroborane Chemical compound FB(F)F.C1CCOC1 CHNLPLHJUPMEOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNZJJSYHZBXQSM-UHFFFAOYSA-N propane-2,2-diamine Chemical compound CC(C)(N)N ZNZJJSYHZBXQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- ZDIZVOYIUYVPCG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-ethyl-3-hydroxypiperidine-1-carboxylate Chemical compound CCC1CCN(C(=O)OC(C)(C)C)CC1O ZDIZVOYIUYVPCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 삼불화붕소와 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는, 이방 도전성 필름, 및 이에 의해 접속된 반도체 장치가 제공된다.
Description
본 발명은 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
최근 전자 기기의 소형화, 고기능화에 따른 구성 부품 접속 단자의 협소화가 가속화되고 있기 때문에 전자 패키징(electronic packaging) 분야에서는 그와 같은 단자 사이의 접속을 용이하게 행할 수 있는 여러 가지의 필름 형상 접착제가 IC 칩과 연성 프린트 배선판(FPC), IC 칩과 ITO(Indium-Tin-Oxide) 전극 회로가 형성된 유리 기판, 등의 접합에 사용되고 있는 추세이다.
필름 형상 접착제의 하나로 수지 조성물 내에 도전성 입자를 함유하고 있는 이방 도전성 접착제(ACF : Anisotropic Conductive Film)는 가열, 가압에 의해 접착제 내의 수지가 유동하여, 접속 대상상의 서로 대치하는 전극 사이의 간극을 밀봉하는 동시에 도전성 입자의 일부가 대치하는 전극 사이에 채워져 전기적 접속을 가능하게 한다. 최근 전자기기의 경박단소와 함께 기판 두께가 얇아지고 그에 따른 접합열과 압에 의한 기판의 변형으로 신뢰성과 성능의 저하를 가져오는 문제들이 발생하게 되었다. 또한 120oC 이하에서 접속을 가능하게 하는 기술이 대두되었고 이러한 문제를 해결하는 기술로서 열접합이 아닌 UV 노광을 사용하여 필름을 경화시키는 방법들이 제안되고 있으나 이러한 방법들은 공정의 변경이 불가피하고 접착력 저하의 문제점이 있다.
최근 전자기기의 경박단소와 함께 기판 두께가 얇아지고 그에 따른 접합열과 압에 의한 기판의 변형을 만들어 그 결과 신뢰성과 성능의 저하와 같은 불량이 발생하는 문제가 우려되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 기존의 관련 기술에서는 경화제로서 술포늄 보레이트 착체를 사용하거나 (일본 특허 출원 공개 2008-303167), 알루미늄 킬레이트계 경화제 (일본 특허 출원 공개 2010-168449)를 사용한 기술 등이 제안되고 있다. 그러나 이러한 경화제들은 120oC 이하에서 접속온도에서는 경화도가 떨어지고 속경화를 위해 과량 첨가가 필요하며, 이에 따른 안정성이 저하되어 신뢰성이 불량해지며 접속 후 박리를 야기할 가능성이 높다.
없음
본 발명의 목적은 열경화를 활용하여 초저온 속경화를 달성하면서도 보관 안정성 및 접착력 보존성이 우수한 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 120oC 이하의 접속온도에서도 접속이 가능한 한편 우수한 안정성, 접착력 및 신뢰성이 우수한 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치를 제공하고자 한다.
본 발명은 삼불화붕소 착화합물 함유 접착층을 별도로 구비한 이방 도전성 필름을 제공함으로써 초저온 속경화를 달성하면서도 보관 안정성의 확보가 가능하다.
따라서, 본 발명의 일 예에서, 삼불화붕소와 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는, 이방 도전성 필름이 제공된다.
상기 착화합물은 다음 화학식 1의 착화합물일 수 있다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, A은 탄소수 6 내지 18의 방향족 탄화수소 고리이고, 상기 고리는 치환되지 않거나, OH, C1 -6의 직쇄 또는 분지된 알킬, NO2, NH2 및 CF3으로 이루어진 치환기로 1회 이상 치환될 수 있다.
본 발명의 다른 예에서, 바인더, 경화부 및 도전성 입자를 포함하는 도전층; 및
상기 도전층에 적층되고, 상기 화학식 1의 삼불화붕소 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름이 제공된다.
상기 일 예 혹은 상기 다른 예에 따른 이방 도전성 필름은 상기 접착층 또는 상기 도전층에 적층되고, 바인더를 포함하되 도전성 입자는 포함하지 않는 비도전층을 추가로 포함할 수 있다. 여기서, 상기 비도전층은 경화부를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 비도전층은 경화제를 함유하지 않을 수 있다.
상기 일 예 혹은 상기 다른 예에서, 상기 접착층의 두께는 3 내지 10 μm의 범위일 수 있고, 상기 도전층의 두께는 3 내지 12 μm의 범위일 수 있다. 상기 접착층의 전체 고형 함량 중 상기 착화합물은 30 내지 80중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 또 다른 예에서,
제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재;
제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및
상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 상기 일 예 혹은 다른 예에 따른 이방 도전성 필름을 포함하는 반도체 장치가 제공된다.
상기 제1 피접속부재는 COF(chip on film) 또는 fPCB(flexible printed circuit board)일 수 있고, 상기 제2 피접속부재는 유리 패널, 또는 PCB(printed circuit board)일 수 있다.
본 발명의 일 예 혹은 다른 예에 따른 이방 도전성 필름은 삼불화붕소 착화합물을 별도의 접착층으로 둠으로써, 초저온 속경화를 달성하면서도 보관 안정성이 우수하고 접착력 및 접속 신뢰성이 우수한 이점이 있다.
도 1는 접착층(1)과, 도전성 입자(3) 함유 도전층(2)을 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방 도전성 필름(10)의 단면도이다.
도 2는 접착층(1'), 도전층(2')에, 비도전층(4)을 추가로 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방 도전성 필름(10)의 단면도이다.
도 3은 비도전층(4), 도전층(2') 및 접착층(1') 순으로 적층된 본 발명의 다른 실시예에 따른 이방 도전성 필름(10)의 단면도이다.
도 4는 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60), 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 본원에 기재된 이방 도전성 필름을 포함하는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(30)의 단면도이다.
도 2는 접착층(1'), 도전층(2')에, 비도전층(4)을 추가로 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 이방 도전성 필름(10)의 단면도이다.
도 3은 비도전층(4), 도전층(2') 및 접착층(1') 순으로 적층된 본 발명의 다른 실시예에 따른 이방 도전성 필름(10)의 단면도이다.
도 4는 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60), 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 본원에 기재된 이방 도전성 필름을 포함하는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(30)의 단면도이다.
본 발명의 일 예는, 삼불화붕소와 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는, 이방 도전성 필름이 제공된다.
상기 착화합물은 다음 화학식 1의 착화합물일 수 있다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, A는 탄소수 6 내지 18의 방향족 탄화수소 고리이고, 상기 고리는 치환되지 않거나, OH, C1 -6의 직쇄 또는 분지된 알킬, NO2, NH2 및 CF3으로 이루어진 치환기로 1회 이상 치환될 수 있다.
본 발명의 다른 예에서, 바인더, 경화부 및 도전성 입자를 포함하는 도전층; 및
상기 도전층에 적층되고, 삼불화붕소와 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 착화합물, 예를 들어, 상기 화학식 1의 삼불화붕소 착화합물, 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는, 이방 도전성 필름이 제공된다.
상기 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 예로는 상기 화학식 1에서 A가 일환 혹은 다환 방향족 탄화수소 고리이고, 상기 고리는 OH, C1 -6의 직쇄 또는 분지된 알킬, NO2, NH2 및 CF3으로 이루어진 치환기로 1회 이상 치환될 수 있는 화합물을 들 수 있다. 상기 일환 방향족 탄화수소 고리는 탄소수 5 내지 12의 방향족 탄화수소 고리, 예를 들어, 벤젠일 수 있고, 상기 다환 방향족 탄화수소 고리는, 2개 이상의 고리들이 서로 융합되어 있는 방향족 탄화수소 고리, 예를 들어, 나프탈렌기이거나, 하나 이상의 방향족 고리들이 직접 결합을 통해 연결된, 예를 들어, 바이페닐기일 수 있다. 방향족 탄화수소 고리에 치환될 수 있는 치환기로는, 구체적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, NO2, OH, NH2 및 CF3 등을 들 수 있다.
상기 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 예로는 페닐메탄아민, N-메틸아닐린, 아닐린, N,N-디메틸아닐린, 벤젠아민, 자일렌디아민, 디아미노페닐메탄, 아미노페놀, 파라톨루이딘, 메틸사이오아닐린, 트리플루오로메틸아닐린, 니트로아닐린, 디아미노나프탈렌 등을 들 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 아민 화합물의 pKb는 구체적으로 5 내지 13, 보다 구체적으로는 7 내지 10의 범위일 수 있다. 상기 범위의 pKb를 갖는 아민 화합물을 사용하면, 삼불화붕소 착화제의 저온 속경화 반응성 및 안정성 측면에서 유리할 수 있다.
본 발명은 접착층이 별도로 구비된, 또는 접착층과 도전층이 분리된 이방 도전성 필름을 제공함으로써 초저온 속경화가 가능하면서도 보관 안정성이 양호하다. 상기 접착층은 도전층과 압착될 때 비로소 경화가 개시되므로 상온, 즉, 25℃에서의 장시간, 예를 들어, 1개월간, 구체적으로 14일간, 보다 구체적으로 7일간 방치하더라도 경화가 진행되지 않아 보관 안정성이 우수하다.
상기 일 예 혹은 상기 다른 예에서, 접착층의 두께는 3 내지 10 μm의 범위일 수 있다. 구체적으로, 접착층의 두께는 4 내지 8 μm의 범위일 수 있고, 보다 구체적으로 접착층의 두께는 5 내지 7 μm의 범위일 수 있다. 접착층이 두께가 상기 범위인 것은, 속경화성과 가교도의 측면에서 유리할 수 있다.
상기 도전층의 두께는 3 내지 12 μm의 범위일 수 있다. 구체적으로, 상기 도전층의 두께는 3 내지 9 μm의 범위일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 도전층의 두께는 3 내지 7 μm의 범위일 수 있다.
본원에서 접착층은 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물과 삼불화붕소의 착화합물, 보다 구체적으로 화학식 1의 착화합물 및 바인더를 포함할 수 있으며, 상기 착화합물은 상기 접착층의 전체 고형 함량 중 30 내지 80중량%로 포함될 수 있다. 구체적으로 40 내지 75 중량%, 보다 구체적으로 45 내지 70 중량%로 포함될 수 있으며, 상기 범위에서 양호한 경화반응 속도에 따른 우수한 본 압착 특성을 보일 수 있다.
접착층에 사용될 수 있는 바인더는 예를 들어, 열가소성 수지를 포함할 수 있다. 열가소성 수지로는 아크릴로니트릴계, 페녹시계, 부타디엔계, 아크릴계, 우레탄계, 폴리아미드계, 올레핀계, 실리콘계 및 NBR(Nitrile butadiene rubber)계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 접착층에 사용될 수 있는 바인더는 에폭시기를 갖지 않는 바인더 수지를 사용할 수 있다.
열가소성 수지는 중량평균분자량이 1,000-1,000,000g/mol인 것이 좋다. 상기 범위 내에서, 적절한 필름 강도를 가질 수 있고 상분리가 일어나지 않으며 도전층 혹은 비도전층과의 밀착성이 떨어져 접착력이 저하되지 않는다.
바인더는 접착층 중 고형분 중량 기준으로 20-70 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내인 것이 필름 형성성 면에서 유리할 수 있다.
본원의 접착층은 필요에 따라 소수성 실리카 및/또는 기타 첨가제를 추가로 포함할 수 있으며, 추가로 포함하는 경우 그 함량은 고형분 중량 기준으로 1-10 중량%의 범위일 수 있다.
본원에 기재된 삼불화붕소 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층은 도전층 또는 비도전층에 적층될 수 있다. 본원에서 도전층은 바인더, 경화부 및 도전성 입자를 포함할 수 있다. 구체적으로, 본원에서 도전층은 바인더, 경화부 및 도전성 입자는 포함하되, 경화제는 포함하지 않을 수 있다. 경화부와 반응할 수 있는 경화제를 함유하지 않음으로써 보관 안정성이 양호하며, 상기 도전층과 접착층이 압착될 때 비로소 경화가 개시되므로 상온 안정성을 개선할 수 있다.
도전층 바인더는 예를 들어 열가소성 수지를 포함할 수 있다. 열가소성 수지로는 아크릴로니트릴계, 페녹시계, 부타디엔계, 아크릴계, 우레탄계, 폴리아미드계, 올레핀계, 실리콘계 및 NBR(Nitrile butadiene rubber)계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 도전층 바인더는 접착층 바인더와 동일하거나 상이할 수 있다.
열가소성 수지는 중량평균분자량이 1,000-1,000,000g/mol인 것이 좋다. 상기 범위 내에서, 적절한 필름 강도를 가질 수 있고 상분리가 일어나지 않으며 접속 부재와의 밀착성이 떨어져 접착력이 저하되지 않는다.
바인더는 도전층 중 고형분 중량 기준으로 20-70 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내인 것이 필름 형성성 면에서 유리하다.
도전층 경화부는 접착층 내의 삼불화붕소 착화제와의 반응에 의해 경화가 진행되는 물질이면 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, (메타)아크릴레이트 단량체, 프로필렌 옥사이드계 에폭시 수지, 우레탄 아크릴레이트, 말단에 -NH가 결합된 아민계 화합물, 말단에 -SH가 결합된 티올계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 저온 속경화를 위해 아민계 화합물을 사용할 수 있다. 상기 아민계 화합물의 구체적인 예로, 1,2-디아미노에탄, 1,2- 또는 1,3-디아미노프로판, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 피페라진, N-N'-비스-(2-아미노에틸)피페라진, 1-아미노-3-아미노메틸-3,5,5-트리메틸-시클로헥산(이소포론디아민), 비스-(4-아미노시클로헥실)메탄, 비스-(4-아미노-3-부틸시클로헥실)메탄, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-디아미노시클로헥산 및 1,3-디아미노프로판 등의 디아민류, 디에틸렌트리아민 및 트리에틸렌테트라아민 등이 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 티올계 화합물로 에틸 머캅탄, 프로필 머캅탄, 벤질 머캅탄, 페닐에틸 머캅탄, 4-프로모벤질 머캅탄, 1-페닐에틸 머캅탄, n-도데실 머캅탄, t-tert-부틸벤질 머캅탄, 4-플루오로벤질 머캅탄, 2,4,6-트리메틸벤질 머캅탄, (4-니트로벤질) 머캅탄, 2-트리플루오로메틸벤질 머캅탄, 3,4-디플루오로벤질 머캅탄, 3-플루오로벤질 머캅탄, 4-트리플루오로메틸벤질 머캅탄, 및 4-브로로모-2-플루오로벤질 머캅탄으로 이루어진 군에서 선택된 단독 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (메타)아크릴레이트 단량체는 특별히 제한되지는 않지만, 1,6-헥산디올 모노(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐옥시프로필 (메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴로일포스페이트, 4-히드록시사이클로헥실 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨
헥사(메타)아크릴레이트, 글리세린 디(메타)아크릴레이트, 히드로퍼퓨릴 (메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시)에틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 에톡시 부가형 노닐페놀 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 에톡시 부가형 비스페놀-A 디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 페녹시-t-글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-메타아크릴로일록시메틸 포스페이트, 2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트, 디메틸올 트리시클로데케인 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 벤조에이트 아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 될 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 프로필렌 옥사이드계 에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 분자 체인 중에 프로필렌 옥사이드기가 포함된 것이면 제한없이 사용할 수 있다. 프로필렌 옥사이드계 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 아크릴레이트 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀계 에폭시 화합물; 폴리글리시딜 에테르 에폭시 수지, 폴리글리시딜 에스테르 에폭시 수지 등의 방향족 에폭시 화합물; 지환식 에폭시 화합물; 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 화합물; 글리시딜 아민계 에폭시 화합물; 글리시딜 에스테르계 에폭시 화합물; 비페닐 디글리시딜 에테르 에폭시 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 우레탄 아크릴레이트는 우레탄 결합 및 양 말단에 이중 결합을 포함한다. 우레탄 아크릴레이트 제조를 위한 중합 반응은 특별히 제한되지 않는다. 우레탄 아크릴레이트는 중량평균분자량이 1000 - 50000g/mol이 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 필름 형성이 제대로 될 수 있고 상용성이 좋을 수 있다.
경화부는 아세탈계, 카르보디이미드계 등을 더 포함할 수 있다.
상기 경화부는 도전층 중 고형분 중량 기준으로 10-50 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 우수한 접착력과 높은 접속 신뢰성을 나타낼 수 있고, 경화 구조가 치밀하여 장기 접속 신뢰성이 좋으며 접착력이 저하되지 않을 수 있다. 구체적으로는, 15-40 중량%로 포함될 수 있다.
도전성 입자는 도전층 내 분산되어 접속부재를 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
상기 도전성 입자로는 종래 공지되어 있는 도전성 입자를 제한없이 사용할 수 있다. 구체예에서는 Au, Ag, Ni, Cu, Pb을 포함하는 금속 입자; 탄소 입자; 고분자 수지에 금속이 코팅된 입자; 또는 고분자 수지에 금속이 코팅된 입자 표면에 절연화 처리된 입자 등이 사용될 수 있다. 상기 고분자 수지로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 수지를 코팅하는 금속으로는 Au, Ag, Ni, Cu, Pb 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
구체적으로 살펴보면, OLB(Outer Lead Bonding)의 경우에는 피착제가 ITO(Indium Tin Oxide) 글래스면이므로 이방성 도전 필름의 접속공정에서 발생하는 압력에 의해 ITO에 손상을 입히지 않도록 코어 부분이 플라스틱 성분으로 된 도전성 입자를 사용할 수 있으며, PCB 기판을 접속하는 경우에는 Ni 등의 금속 입자를 사용할 수 있고, PDP(Plasma Display Panel)의 경우에는 회로에 가해지는 전압이 매우 높으므로 Ni 등의 금속 입자에 금(Au)이 도금된 도전성 입자를 사용할 수 있고, COG(Chip On Glass) 또는 피치가 좁은 COF(Chip On Film)의 경우에는 도전성 입자 표면에 열가소성 수지가 피복된 절연도전입자를 사용할 수 있다.
상기 도전성 입자의 크기는, 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 1 내지 30 ㎛, 바람직하게는 3 내지 20 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 한편, 상기 도전성 입자는 도전층의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 10 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있으며, 열압착시 도전성 입자들이 피치 사이에 뭉쳐서 발생하는 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.
본원의 도전층은 필요에 따라 소수성 실리카 및/또는 기타 첨가제를 추가로 포함할 수 있으며, 추가로 포함하는 경우 그 함량은 도전층의 고형분 중량 기준으로 1-10 중량%의 범위일 수 있다.
상기 예에 따른 이방 도전성 필름은 도 1은 참조하면 도전성 입자(3) 함유 도전층(2) 상에 접착층(1)이 적층될 수 있다.
본 발명의 다른 예에 따른 이방 도전성 필름은, 본원에 기술된 도전층과 접착층 외에, 상기 접착층 또는 도전층에 적층되고, 바인더를 포함하되 도전성 입자는 함유하지 않는 비도전층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 비도전층은 바인더 외에 경화부를 추가로 포함할 수 있다. 또는, 상기 비도전층은 바인더 및 경화부는 포함하되 경화제를 포함하지 않을 수 있다.
비도전층의 바인더 및 경화부는 도전층의 바인더 및 경화부와 동일하거나 상이할 수 있다. 도전층에서 설명한 것과 같은 바인더 및 경화부가 비도전층에 서도 사용될 수 있으므로 이에 대한 자세한 기재는 생략한다. 비도전층의 100℃에서의 용융점도는 도전층의 용융 점도에 비해 낮을 수 있고, 구체적으로 약 3배 내지 약 15배 낮을 수 있다. 상기와 같은 용융점도 차에 의해 도전성 입자의 포집율을 개선할 수 있으며, 또한, 비도전층에 적당한 흐름성을 부여할 수 있다.
비도전층 바인더는 비도전층 중 고형분 중량 기준으로 30-80 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내인 것이 필름 형성성 면에서 유리하다. 상기 비도전층 경화부는 비도전층 중 고형분 중량 기준으로 20-60 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 우수한 접착력과 높은 접속 신뢰성을 나타낼 수 있고, 경화 구조가 치밀하여 장기 접속 신뢰성이 좋으며 접착력이 저하되지 않을 수 있다. 구체적으로는, 25-45 중량%로 포함될 수 있다.
상기 다른 예에 따른 이방 도전성 필름은 도 2를 참조하면, 도전층(2'), 접착층(1') 및 비도전층(4) 순으로 적층된 구조일 수 있다.
또 다른 예에 따른 이방 도전성 필름은 도 3을 참조하면, 접착층(1'), 도전층(2'), 및 비도전층(4)의 순으로 적층된 구조일 수 있다.
본 발명의 또 다른 예에서,
제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재;
제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및
상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하며 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 본원에 기재된 이방 도전성 필름을 포함하는 반도체 장치가 제공된다.
상기 제1 피접속부재는 COF(chip on film) 또는 FPCB(flexible printed circuit board)일 수 있고, 상기 제2 피접속부재는 유리 패널, 또는 PCB(printed circuit board)일 수 있다. 예를 들어, 이방 도전성 필름이 2층 구조일 때, 접착층은 상기 제1 피접속부재에 대향되고, 도전층은 유리 패널 또는 PCB에 대향되게 배치될 수 있다. 이방 도전성 필름이 접착층-도전층-비도전층, 또는 비도전층-접착층-도전층의 순으로 적층된 구조일 경우, 접착층, 비도전층, 또는 도전층은 각각 COF(chip on film), fPCB(flexible printed circuit board), 반도체 칩, 유리 패널, 또는 PCB(printed circuit board)에 대향되도록 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60), 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 본원에 기재된 이방 도전성 필름을 포함하는 반도체 장치(30)가 제공된다.
본원의 접착층, 비도전층 또는 도전층에 사용될 수 있는 기재필름은 특별한 제한은 없다. 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 에틸렌/초산비닐 공중합체, 폴리에틸렌/스티렌부타디엔 고무의 혼합물, 폴리비닐클로라이드 등의 폴리올레핀계 필름이 주로 사용될 수 있다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리(메틸메타크릴레이트) 등의 고분자나 폴리우레탄, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 기재필름의 두께는 적절한 범위에서 선택할 수 있는데, 예를 들면 10-50㎛가 될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 1]
교반기가 달린 500ml 둥근 라운드 플라스크에 아닐린 0.1mole (9.3)을 메틸렌 클로라이드 100ml에 용해시킨 후 교반되고 있는 이 용액에 Boron trifluoride tetrahydrofuran 0.11mole (15.3g)을 서서히 적가하면서 4시간 동안 반응 시켰다. 이 얻어진 반응혼합물을 감압증류한 후 ether로 충분히 세척 및 감압증류를 반복하여 고상의 BF3-아닐린 (BF3-AN)을 수득하였다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 2]
아닐린 0.1mole (0.93) 대신 1.8-디아미노 나프탈렌 0.1mole (15.8g)을 사용하는 것 외에는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 고상의 BF3-디아미노 나프탈렌 (BF3-DN)을 수득하였다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 3]
1.8-디아미노 나프탈렌의 mole 비를 0.1mole (15.8g) 대신 0.05mole (7.9g)을 사용한 것 외에는 상기 합성예 2와 동일한 방법으로 합성하여 고상의 BF3-디아미노 나프탈렌 (BF3-DN2)을 수득하였다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 4]
아닐린 0.1mole (0.93) 대신 4-(메틸티오)아닐린 0.1mole (13.9g)을 사용하는 것 외에는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 고상의 BF3-톨루이딘 (BF3-MTA)을 수득하였다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 5]
아닐린 0.1mole (0.93) 대신 4-(트리플루오로메틸)아닐린 0.1mole (16.1g)을 사용하는 것 외에는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 고상의 BF3-트리플루오로메틸아닐린 (BF3-TFA)을 수득하였다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 6]
아닐린 0.1mole (0.93) 대신 4-아미노페놀 0.1mole (10.9g)을 사용하는 것 외에는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 고상의 BF3-아미노페놀 (BF3-AP)을 수득하였다.
[삼불화붕소 착화합물의 합성예 7]
아닐린 0.1mole (0.93) 대신 4- 니트로아닐린 0.1mole (13.8g)을 사용하는 것 외에는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 고상의 BF3-니트로아닐린 (BF3-NA)을 수득하였다.
[접착층 제조예 1]
상기 합성예 1에서 얻어진 BF3-AN과 페녹시 수지인 PKHH (InChem 사 제조)의 고형분 함량을 2:1 혼합하고 PEGEMEA(Polyethylene glycol methyl ether mathacrylate macromer) 용매를 사용하여 전체 고형분 함량이 50%인 필름 제조용 조액을 얻었다. 이 조액을 이형 필름 위에 블레이드 코터를 이용하여 도포하고, 60 ℃에서 5분간 건조하여 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-1을 제조하였다.
[접착층 제조예 2]
상기 합성예 2에서 얻어진 BF3-DN을 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-2를 제조하였다.
[접착층 제조예 3]
상기 합성예 3에서 얻어진 BF3-DN2를 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-3를 제조하였다.
[접착층 제조예 4]
상기 합성예 1에서 얻어진 BF3-AN와 상기 합성예 2에서 얻어진 BF3-DN을 1:1 중량비로 혼합하여 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-4를 제조하였다.
[접착층 제조예 5]
상기 합성예 1에서 얻어진 BF3-AN와 상기 합성예 3에서 얻어진 BF3-DN2를 1:2 중량비로 혼합하여 이용한 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-5를 제조하였다.
[접착층 제조예 6]
상기 합성예 4에서 얻어진 BF3-MTA을 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-6를 제조하였다.
[접착층 제조예 7]
상기 합성예 5에서 얻어진 BF3-TFA을 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-7를 제조하였다.
[접착층 제조예 8]
상기 합성예 6에서 얻어진 BF3-AP 을 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-8를 제조하였다.
[접착층 제조예 9]
상기 합성예 7에서 얻어진 BF3-NA을 이용하는 것 외에는 접착층 제조예 1과 동일한 방법으로 두께 6 ㎛의 접착층 CFL-9를 제조하였다.
[도전층 제조예 1]
페녹시 수지인 FX-293 (신일철화학(주)사 제조)을 PEGEMEA 용매를 사용하여 전체 고형분 함량이 50%로 제조한 후 수첨 비스페놀 A 형 액상 에폭시 수지인 YX-8000 (미쯔비시 화학(주)사 제조) 와 함량비 6:4로 혼합하고, 이 조액에 도전 성능을 부여하기 위해 4㎛의 크기인 도전성 입자(23GNR4.0-MX, NCI사)를 절연화 처리한 후 5 중량%를 첨가하여 혼합한 후 이형 필름 위에 블레이드 코터를 이용하여 도포하고, 60 ℃에서 5분간 건조하여 두께 6 ㎛의 도전층 RL-1을 제조하였다.
[비도전층 제조예 1]
도전성 입자를 포함시키지 않는 것을 제외하고는 상기 도전층 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하여 도전성 입자를 함유하지 않은 두께 6 ㎛의 비도전층 RL-2를 제조하였다.
[실시예 1]
도전층 제조예 1에서 제조된 도전성 입자 포함 시트 RL-1에 합성예 1에서 얻어진 BF3-AN으로 제조된 접착층 제조예 1의 CFL-1을 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 2층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 2]
도전층 제조예 1에서 제조된 도전성 입자 포함 시트 RL-1에 합성예 1에서 얻어진 BF3-AN으로 제조된 접착층 제조예 1의 CFL-1을 적층하고, 그 위에 다시 비도전층 제조예 1에서 제조된 RL-2를 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 3]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 2의 CFL-2를 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 4]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 3의 CFL-3을 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 5]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 4의 CFL-4을 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 6]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 5의 CFL-5를 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 7]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 6의 CFL-6을 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 8]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 7의 CFL-7을 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 9]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 8의 CFL-8을 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[실시예 10]
실시예 2에서 CFL-1 대신 접착층 제조예 9의 CFL-9을 적층하는 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방법으로 적층하고 라미네이트를 실시하여, 삼불화붕소 착화합물을 이용한 저온경화형 다층구조 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[비교예 1]
도전층 제조예 1에서 경화제로 HX3941HP (아사히카세이 (주)사 제조)를 에폭시 수지 100 중량부 대비 40중량부를 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 도전성 입자를 포함하는 두께 9 ㎛의 도전층을 제조하고, 그 위에 비도전층 제조예 1에서 경화제로 HX3941HP (아사히카세이 (주)사 제조)를 에폭시 수지 100 중량부 대비 40중량부를 첨가하는 것을 제외하고는 비도전층 제조예 1과 동일한 방법으로 제조된 두께 9 ㎛의 비도전층을 제조하여 적층하고 라미네이트를 실시하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 | 실시예 5 | 실시예 6 | 실시예 7 | 실시예 8 | 실시예 9 | 실시예 10 | 비교예 1 | ||
가압착성 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | △ | |
저온 경화성 |
100℃ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | × |
135℃ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | × | |
150℃ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | |
본딩 후 압흔 균일성 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | × | |
보관 안정성 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ○ | × | |
필 강도 | 100℃ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ○ | ◎ | × |
135℃ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | × | |
150℃ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | △ |
상기 실시예 1 내지 10 및 비교예 1의 이방 도전성 필름에 대해 하기와 같이 가압착성, 저온 경화성, 보관 안정성 및 필 강도를 각각 측정하고 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[가압착성]
이방 도전성 접착 필름의 가압착성을 평가하기 위해, 피접착자재로는 범프면적 1430㎛ IC 칩(제조원: 삼성 LSI)와 5000Å의 두께를 갖는 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판을 (제조원: 네오뷰 코오롱) 사용하였다. 상기 제조한 이방 도전성 접착 필름을 상기 유기 기판에 놓고 각각 60℃에서, 1초 동안 1MPa로 가압착하였다. 상기 가압착한 후, 이형 필름을 제거하고 현미경(제조사: 올림푸스)으로 단자와 단자간의 버블 유무를 관찰하였다. 압착 부위 중 버블형성의 면적비율이 3개의 관찰 위치에 대해 0 내지 5% 이하일때 매우 양호 이미지 (○), 6내지 10% 미만일때 양호 이미지 (△), 그 이상일때는 불량 이미지 (×)로 평가하였다.
[저온 경화성]
상기 가압착 후 이형 필름을 제거하고 드라이버 IC를 대치시킨 후, 100℃, 135℃ 및 150℃ 5초 50MPa로 각각 본압착하고 경화 가능 여부를 초기 접착력 측정 시 칩이 흔들림 없이 붙어있는 경우를 경화 가능 (○)로 경화 칩이 떨어지거나 밀리는 경우를 불가능 (×)로 평가하였다.
[본딩 후 압흔 균일성]
상기 저온 경화성 평가에서 135℃로 본 압착된 압흔의 균일성을 육안 관찰하여 판별하였다. 구체적으로, 드라이버 IC의 양쪽 측면부의 압흔이 중앙 부분의 압흔과 동등한 정도로 선명할 때 이를 압흔이 균일하다고 판단하여 양호 (○)로, 드라이버 IC 양쪽 측면부의 압흔이 중앙 부분의 압흔에 비해 흐리거나 불분명할 때 이를 불균일 (×)로 평가하였다.
[보관 안정성]
상온 7일 방치 후 DSC 발열량이 초기 대비 20%이내일 경우 매우 양호 (◎)로 20% 이상 30% 이내일 경우 양호 (○)로 30%이상일 경우 불량 (×)으로 평가하였다.
[필 강도 (peel strength)]
상기 100℃, 135℃ 및 150℃ 5초 50MPa로 본압착된 시편을 Maximum load: 200kgf, Test speed : 100um/sec의 조건으로 필 강도 측정기(Bond tester Dage Series-4000)를 이용하여 각 시편당총 3회 이상 측정하였다. 측정된 접착력이 20MPa 이상을 (◎)로, 10MPa 이상 20MPa 이하를 (○)로, 5MPa 이상 10MPa 이하를 (△)로, 접착력 측정 불가를 (×)로 평가하였다.
상기 표 1에서 접착층이 별도로 구비된 실시예 1 내지 10의 분리형 이방 도전성 필름은 저온 속경화가 가능할 뿐 아니라, 저온 속경화 조건에서 가압착 및 본압착 시 접착력 및 압흔 균일성이 우수하고, 상온 7일 보관 후 DSC 발열량이 초기 대비 30% 이내로 보관 안정성이 우수한 반면, 별도의 접착층이 없는 비교예 1은 경화 반응의 진행에 의해 발열량의 차이가 커 보관 안정성이 떨어지고, 저온 속경화가 가능하지 않을 뿐 아니라 접착력 물성도 저하되었다.
Claims (20)
- 삼불화붕소와 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는, 이방 도전성 필름이고,
상기 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물은 페닐메탄아민, N-메틸아닐린, 아닐린, N,N-디메틸아닐린, 벤젠아민, 자일렌디아민, 디아미노페닐메탄, 아미노페놀, 파라톨루이딘, 메틸사이오아닐린, 트리플루오로메틸아닐린, 니트로아닐린, 및 디아미노나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는, 이방 도전성 필름.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 바인더는 에폭시기를 갖지 않은 바인더 수지인 이방 도전성 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 바인더는 아크릴로니트릴계, 페녹시계, 부타디엔계, 아크릴계, 우레탄계, 폴리아미드계, 올레핀계, 실리콘계 및 NBR(Nitrile butadiene rubber)계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는, 이방 도전성 필름.
- 제1항, 제4항, 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름이, 바인더, 경화부 및 도전성 입자를 포함하는 도전층을 추가로 포함하는 이방 도전성 필름.
- 제6항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름이, 상기 접착층의 편면 또는 상기 도전층의 편면에 적층되고, 바인더를 포함하되 도전성 입자는 포함하지 않는 비도전층을 추가로 포함하는, 이방 도전성 필름.
- 제7항에 있어서, 상기 비도전층이 경화부를 추가로 포함하는 이방 도전성 필름.
- 제1항, 제4항, 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착층의 두께가 3 내지 10 μm인, 이방 도전성 필름.
- 제6 항에 있어서, 상기 도전층의 두께가 3 내지 12 μm인, 이방 도전성 필름.
- 제1항, 제4항, 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착층의 전체 고형 함량 중 상기 착화합물이 30 내지 80중량%인, 이방 도전성 필름.
- 제6항에 있어서, 반도체 장치 제조시 상기 접착층은 COF(chip on film), fPCB(flexible printed circuit board) 또는 반도체 칩에 대향되고, 상기 도전층은 유리 패널, 또는 PCB(printed circuit board)에 대향되는, 이방 도전성 필름.
- 제7항에 있어서, 반도체 장치 제조시 상기 접착층, 도전층 또는 비도전층이 각각 COF(chip on film), FPCB(flexible printed circuit board), 반도체 칩, 유리 패널, 또는 PCB(printed circuit board)에 대향되는, 이방 도전성 필름.
- 바인더, 경화부 및 도전성 입자를 포함하는 도전층; 및
상기 도전층에 적층되고, 삼불화붕소 착화합물 및 바인더를 포함하는 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름이고,
상기 삼불화붕소 착화합물은 삼불화붕소와 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물의 착화합물이고, 상기 pKb가 4 내지 14인 아민 화합물은 페닐메탄아민, N-메틸아닐린, 아닐린, N,N-디메틸아닐린, 벤젠아민, 자일렌디아민, 디아미노페닐메탄, 아미노페놀, 파라톨루이딘, 메틸사이오아닐린, 트리플루오로메틸아닐린, 니트로아닐린, 및 디아미노나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고,
상기 접착층의 전체 고형 함량 중 상기 삼불화붕소 착화합물이 30 내지 80중량%인, 이방 도전성 필름.
- 제14항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름이, 상기 접착층의 편면 또는 상기 도전층의 편면에 적층되고, 바인더를 포함하되 도전성 입자는 함유하지 않는 비도전층을 추가로 포함하는, 이방 도전성 필름.
- 제15항에 있어서, 상기 비도전층이 경화부를 추가로 포함하는, 이방 도전성 필름.
- 제14항 내지 제16항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착층의 두께가 3 내지 10 μm인, 이방 도전성 필름.
- 삭제
- 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재;
제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및
상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 제1항, 제4항, 제5항 중 어느 하나의 항에 따른 이방 도전성 필름 또는 제14항 내지 제16항 중 어느 하나의 항에 따른 이방 도전성 필름을 포함하는 반도체 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 제1 피접속부재가 COF(chip on film) 또는 FPCB(flexible printed circuit board)이고, 상기 제2 피접속부재가 유리 패널, 또는 PCB(printed circuit board)인, 반도체 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140011778A KR101659139B1 (ko) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 |
PCT/KR2014/007087 WO2015115712A1 (ko) | 2014-01-29 | 2014-08-01 | 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140011778A KR101659139B1 (ko) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150090771A KR20150090771A (ko) | 2015-08-06 |
KR101659139B1 true KR101659139B1 (ko) | 2016-09-22 |
Family
ID=53757267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140011778A KR101659139B1 (ko) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101659139B1 (ko) |
WO (1) | WO2015115712A1 (ko) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4878978A (en) * | 1986-06-19 | 1989-11-07 | Ashland Oil, Inc. | Bonding method employing high performance induction curable two-component structural adhesive with nonsagging behavior |
JP2008303167A (ja) | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | 新規なスルホニウムボレート錯体 |
JP5067355B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2012-11-07 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続材料及び回路部材の接続構造 |
JP5321082B2 (ja) | 2009-01-21 | 2013-10-23 | デクセリアルズ株式会社 | アルミニウムキレート系潜在性硬化剤及びその製造方法 |
KR20110016538A (ko) * | 2009-08-12 | 2011-02-18 | 주식회사 이그잭스 | 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 화합물을 함유하는 이방 도전성 접착제 |
KR20110021097A (ko) * | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 교세라 케미카르 가부시키가이샤 | 접착제 부착 플렉시블 편면 금속장판 및 다층 플렉시블 배선판 및 이의 제조 방법 |
JP4752986B1 (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-17 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体 |
KR102259384B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2021-06-02 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름의 제조 방법 및 이방성 도전 필름 |
-
2014
- 2014-01-29 KR KR1020140011778A patent/KR101659139B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-01 WO PCT/KR2014/007087 patent/WO2015115712A1/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150090771A (ko) | 2015-08-06 |
WO2015115712A1 (ko) | 2015-08-06 |
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