KR101640400B1 - 광대역 튜너블 대역 통과 필터 - Google Patents

광대역 튜너블 대역 통과 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR101640400B1
KR101640400B1 KR1020100050907A KR20100050907A KR101640400B1 KR 101640400 B1 KR101640400 B1 KR 101640400B1 KR 1020100050907 A KR1020100050907 A KR 1020100050907A KR 20100050907 A KR20100050907 A KR 20100050907A KR 101640400 B1 KR101640400 B1 KR 101640400B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tunable
band
resonator
bandpass filter
resonance
Prior art date
Application number
KR1020100050907A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110131460A (ko
Inventor
윤상원
조영호
김철수
송인상
김덕환
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100050907A priority Critical patent/KR101640400B1/ko
Publication of KR20110131460A publication Critical patent/KR20110131460A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101640400B1 publication Critical patent/KR101640400B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/12—Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H2007/013—Notch or bandstop filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

광대역 튜너블 대역 통과 필터가 제공된다. 일 측면에 따른 광대역 튜너블 대역 통과 필터는 가변이 가능한 두개의 공진점을 갖는 튜너블 듀얼밴드 공진기와 튜너블 듀얼밴드 공진기의 공진점들 중에서 하나를 선택할 수 있는 튜너블 인버터를 포함해서 광대역을 선택적으로 필터링할 수 있다.

Description

광대역 튜너블 대역 통과 필터{Brodband tunable band-pass filter}
기술분야는 대역 통과 필터에 관한 것이다. 광대역에서 필요한 대역을 선택 할 수 있는 튜너블 대역 통과 필터에 관한 것이다.
이동통신의 발달과 인터넷의 활성화로 인해 수많은 제품에 통신모듈이 장착되기 시작했으며 모듈의 개발에 있어서 그 크기와 성능을 만족시키는 필터가 요구되고 있다.
도 1은 종래의 다중 대역 FEM(Front End Module)을 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 다중대역을 지원하는 FEM은 필요한 대역별로 필터가 구비되고, 이후 스위칭에 따라 필요한 대역을 출력하는 필터를 선택하는 방식으로 다중 대역 FEM을 구현하였다. 그러나 이러한 다중 대역 FEM은 필요한 대역의 수만큼의 필터가 구비되어야 한다는 점에서, 소형화하는데 문제점이 있었다.
일 측면에 있어서, 인가되는 전압에 따라 가변되는 두개의 공진점을 갖는 튜너블 듀얼밴드 공진기 및 인가되는 전압에 따라 상기 공진 주파수의 상기 두개의 공진점들 중에서 하나를 선택하는 튜너블 인버터를 포함하는 광대역 튜너블 대역 통과 필터가 제공된다.
이때, 상기 튜너블 인버터는, 인가되는 전압의 세기에 따라 통과시키는 주파수 대역이 다른 노치(notch)를 발생시켜서 상기 두개의 공진점들 중에서 하나의 공진점을 선택할 수 있다.
이때, 상기 튜너블 인버터는, 인덕터와 가변 커패시터가 병렬로 연결되어 구성될 수 있다.
이때, 상기 튜너블 인버터의 상기 가변 커패시터는, 상기 인가되는 전압에 따라 상기 튜너블 인버터 노치(notch)가 통과 시키는 주파수 대역을 가변시킬 수 있다.
이때, 상기 튜너블 듀얼밴드 공진기는, 인덕터와 커패시터가 직렬로 연결되어 구성된 제1 공진기와, 인덕터와 가변 커패시터가 병렬로 연결되어 구성된 제2 공진기를 포함하고, 상기 제1 공진기와 상기 제2 공진기가 병렬로 연결되어 구성될 수 있다.
이때, 상기 튜너블 듀얼밴드 공진기 상기 가변 커패시터는, 상기 인가되는 전압에 따라 상기 두개의 공진점의 주파수 대역을 가변시킬 수 있다.
이때, 상기 튜너블 듀얼밴드 공진기는 적어도 하나 이상으로 구성되고, 상기 튜너블 인버터는 적어도 두개 이상으로 구성될 수 있다.
다른 측면에 있어서, 인가되는 전압에 따라 가변되는 두개 이상의 공진점을 갖는 튜너블 멀티밴드 공진기 및 인가되는 전압에 따라 상기 공진 주파수의 상기 다수개의 공진점들 중에서 하나를 선택하는 튜너블 인버터를 포함하는 광대역 튜너블 대역 통과 필터가 제공된다.
이때, 상기 튜너블 인버터는, 인가되는 전압의 세기에 따라 통과시키는 주파수 대역이 다른 노치(notch)를 발생시켜서 상기 다수개의 공진점들 중에서 하나의 공진점을 선택할 수 있다.
튜너블 듀얼밴드 공진기와 튜너블 인버터를 이용해서 필요한 대역을 선택 할 수 있는 광대역 튜너블 대역 통과 필터에 관한 것이다. 다수개의 대역 통과 필터를 사용하지 않고서도 광대역을 선택적으로 필터링할 수 있다.
도 1은 종래의 다중 대역 FEM(Front End Module)을 나타내는 도면,
도 2는 광대역 튜너블 대역 통과 필터의 구성을 도시한 도면,
도 3은 튜너블 듀얼밴드 공진기에 의해 발생되는 주파수 특성을 도시한 도면,
도 4는 튜너블 인버터에 의해 선택되는 주파수 대역의 특성을 도시한 도면,
도 5는 광대역 튜너블 대역 통과 필터에 의해 선택되는 주파수 대역의 특성을 도시한 도면 및,
도 6는 광대역 튜너블 대역 통과 필터의 예를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시 예는 광대역에서 튜너블 듀얼밴드 공진기와 튜너블 인버터를 이용해서 필요한 대역을 선택 할 수 있는 튜너블 대역 통과 필터에 관한 것이다.
도 2는 광대역 튜너블 대역 통과 필터의 구성을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 광대역 튜너블 대역 통과 필터는 복수개의 튜너블 인버터(210, 220, 230)와 복수개의 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)를 포함한다.
튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 두개의 공진점을 가지며, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 두개의 공전점을 가변할 수 있다. 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)에 의해 가변되는 두개의 공진점을 가진 주파수 특성을 아래에서 도 3을 참조해서 설명하고자 한다.
도 3은 튜너블 듀얼밴드 공진기에 의해 발생되는 주파수 특성을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)의 주파수 특성은 두개의 공진점을 가진다. 그리고, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 인가되는 전압의 세기에 따라 전압이 낮을 때는 실선으로 표시된 두개의 공진점을 갖는다. 따라서, 인가되는 전압이 낮을 때, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 실선으로 표시된 두개의 공진점에 대응하는 주파수 대역을 통과 시킨다. 그리고, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 인가되는 전압이 높을 때 점선으로 표시된 두개의 공진점을 가질 수 있다. 따라서, 인가되는 전압이 높을 때, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 점선으로 표시된 두개의 공진점에 대응하는 주파수 대역을 통과 시킨다. 즉, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)는 듀얼밴드 공진기(250, 260)에 인가되는 전압의 세기에 따라 두개의 밴드패스(bandpass) 주파수 대역을 가변한다.
도 2의 설명에서 튜너블 대역 통과 필터의 구성으로 두개의 공진점을 가진 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)가 포함되는 예를 설명하고 있으나, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260) 대신에 튜너블 멀티밴드 공진기가 사용될 수도 있다. 이때, 튜너블 멀티밴드 공진기는 다수개의 공진점을 갖는 공진기로서, 다수개의 공진점을 가변할 수 있는 공진기이다.
튜너블 인버터(210, 220, 230)는 임피던스를 어드미턴스로 바꿔주는 역할을 하며, 인가되는 전압에 따라 발생하는 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)의 두개의 공진점 중에서 하나의 공진점을 선택한다. 즉, 튜너블 인버터(210, 220, 230)는 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)의 두개의 공진점 중에서 하나를 선택하는 스위치 역할을 수행할 수 있다. 이때, 튜너블 인버터(210, 220, 230)는 두개의 공진점 중에서 하나를 선택하기 위해서 특정 주파수 대역을 통과시키는 노치(notch)를 발생시켜서 두개의 공진점 중에서 하나의 공진점을 선택한다.
한편, 도 2 내지 도 3의 예에서, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)에 인가되는 전압은 제어부(도시 되지 않음)에 의하여 낮은 전압 또는 높은 전압이 선택될 수 있다. 마찬가지로, 튜너블 인버터(210, 220, 230)에 인가되는 전압은 제어부(도시 되지 않음)에 의하여 낮은 전압 또는 높은 전압이 선택될 수 있다.
도 4는 튜너블 인버터에 의해 선택되는 주파수 대역의 특성을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 튜너블 인버터(210, 220, 230)는 인가되는 전압이 낮으면 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)의 두개의 공진점 중에서 낮은 대역을 선택하고, 인가되는 전압이 높으면 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)의 두개의 공진점 중에서 높은 대역을 선택한다.
도 2의 설명에서 튜너블 대역 통과 필터의 구성으로 두개의 공진점에서 하나의 공진점을 선택하는 튜너블 인버터(210, 220, 230)가 포함되는 예를 설명하고 있으나, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260) 대신에 튜너블 멀티밴드 공진기가 사용되는 경우, 튜너블 인버터(210, 220, 230)는 인가되는 전압에 따라 튜너블 멀티밴드 공진기가 갖는 다수개의 공진점 중에서 하나의 공진점을 선택할 수 있다.
한편, 광대역 튜너블 대역 통과 필터에서 튜너블 인버터(210, 220, 230)와 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)를 복수개를 포함하여 구성하는 이유는 주파수 특성에서 라이징 엣지와 폴링 엣지를 줄이기 위함이다.
그러면, 도 2의 광대역 튜너블 대역 통과 필터에 의해 선택될 수 있는 주파수 대역을 아래에서 도 5를 참조해서 설명하고자 한다.
도 5는 광대역 튜너블 대역 통과 필터에 의해 선택되는 주파수 대역의 특성을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, (a)는 튜너블 인버터(210, 220, 230)와 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)에 모두 낮은 전압이 인가될 때 선택되는 공진점이다.
(b)는 튜너블 인버터(210, 220, 230)에는 낮은 전압이 인가되고, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)에는 높은 전압이 인가될 때 선택되는 공진점이다.
(c)는 튜너블 인버터(210, 220, 230)에는 높은 전압이 인가되고, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)에는 낮은 전압이 인가될 때 선택되는 공진점이다.
(d)는 튜너블 인버터(210, 220, 230)와 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)에 모두 높은 전압이 인가될 때 선택되는 공진점이다.
도 2의 광대역 튜너블 대역 통과 필터는 실시예로 아래 도 6의 회로도와 같이 구성할 수도 있다.
도 6는 광대역 튜너블 대역 통과 필터의 예를 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 튜너블 인버터(210, 220, 230)들은 서로 동일한 회로 구성을 가지고, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)들도 서로 동일한 회로 구성을 가지고 있다. 따라서, 도 6의 설명에서는 튜너블 인버터(210)와 튜너블 듀얼밴드 공진기(250)의 회로만을 설명하고자 한다.
튜너블 듀얼밴드 공진기(250)는 병렬로 연결된 두개의 인덕터(622, 624)를 포함하고, 인덕터(624)에 직렬로 연결된 커패시터(626)과 인덕터(622)에 병렬로 연결된 가변 커패시터(628)를 포함한다. 이때, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250)의 두개의 공진점들은 인덕터(622, 624)의 인덕턴스(inductance) 성분과, 커패시터(626) 및 가변 커패시터(628)의 커패시턴스 성분의 크기에 따라 달라진다. 그리고, 튜너블 듀얼밴드 공진기(250)의 두개의 공진점들은 가변 커패시터(628)에 의해 가변 된다.
튜너블 인버터(210)는 병렬로 연결된 인덕터(612)와 가변 커패시터(614)를 포함해서 특정 주파수 대역을 통과시키는 노치(notch)를 발생시킨다. 이때, 가변 커패시터(614)에 인가되는 전압의 세기에 따라 통과시키는 주파수 대역이 다른 노치가 발생될 수 있다. 즉, 튜너블 인버터(210)는 가변 커패시터(614)에 인가되는 전압에 따라 발생하는 노치를 이용해 튜너블 듀얼밴드 공진기(250, 260)의 두개의 공진점 중에서 하나를 선택한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
210; 튜너블 인버터
220; 튜너블 인버터
230; 튜너블 인버터
240; 튜너블 듀얼밴드 공진기
250; 튜너블 듀얼밴드 공진기

Claims (9)

  1. 인가되는 전압에 따라 가변되는 두개의 공진점을 갖는 튜너블 듀얼밴드 공진기; 및
    인가되는 전압에 따라 공진 주파수의 상기 두개의 공진점들 중에서 하나를 선택하는 튜너블 인버터를 포함하는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 튜너블 인버터는,
    인가되는 전압의 세기에 따라 통과시키는 주파수 대역이 다른 노치(notch)를 발생시켜서 상기 두개의 공진점들 중에서 하나의 공진점을 선택하는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 튜너블 인버터는,
    인덕터와 가변 커패시터가 병렬로 연결되어 구성되는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가변 커패시터는,
    상기 인가되는 전압에 따라 상기 튜너블 인버터 노치(notch)가 통과 시키는 주파수 대역을 가변시키는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 튜너블 듀얼밴드 공진기는,
    인덕터와 커패시터가 직렬로 연결되어 구성된 제1 공진기와,
    인덕터와 가변 커패시터가 병렬로 연결되어 구성된 제2 공진기를 포함하고,
    상기 제1 공진기와 상기 제2 공진기가 병렬로 연결되어 구성되는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가변 커패시터는,
    상기 인가되는 전압에 따라 상기 두개의 공진점의 주파수 대역을 가변시키는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 튜너블 듀얼밴드 공진기는 적어도 하나 이상으로 구성되고, 상기 튜너블 인버터는 적어도 두개 이상으로 구성되는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  8. 인가되는 전압에 따라 가변되는 두개 이상의 공진점을 갖는 튜너블 멀티밴드 공진기; 및
    인가되는 전압에 따라 공진 주파수의 상기 다수개의 공진점들 중에서 하나를 선택하는 튜너블 인버터를 포함하는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 튜너블 인버터는,
    인가되는 전압의 세기에 따라 통과시키는 주파수 대역이 다른 노치(notch)를 발생시켜서 상기 다수개의 공진점들 중에서 하나의 공진점을 선택하는
    광대역 튜너블 대역 통과 필터.
KR1020100050907A 2010-05-31 2010-05-31 광대역 튜너블 대역 통과 필터 KR101640400B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050907A KR101640400B1 (ko) 2010-05-31 2010-05-31 광대역 튜너블 대역 통과 필터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050907A KR101640400B1 (ko) 2010-05-31 2010-05-31 광대역 튜너블 대역 통과 필터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110131460A KR20110131460A (ko) 2011-12-07
KR101640400B1 true KR101640400B1 (ko) 2016-07-18

Family

ID=45499824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100050907A KR101640400B1 (ko) 2010-05-31 2010-05-31 광대역 튜너블 대역 통과 필터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101640400B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11450935B2 (en) 2019-01-03 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd Tunable radio frequency circuit, control method and electronic device including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000059105A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Murata Mfg Co Ltd 周波数可変型フィルタ、デュプレクサ及び通信機装置
US20080136560A1 (en) 2006-12-12 2008-06-12 Amit Bavisi Multi bandpass single-input single-output radio frequency filters

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100042299A (ko) * 2008-10-16 2010-04-26 삼영전자공업(주) 이중 대역통과 여파기

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000059105A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Murata Mfg Co Ltd 周波数可変型フィルタ、デュプレクサ及び通信機装置
US20080136560A1 (en) 2006-12-12 2008-06-12 Amit Bavisi Multi bandpass single-input single-output radio frequency filters

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Xuehui Guan외 5인, "Synthesis of Dual-band Bandpass Filters using Successive Frequency Transformations and Circuit Conversions", IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol-16, No-3, 2006년3월.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11450935B2 (en) 2019-01-03 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd Tunable radio frequency circuit, control method and electronic device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110131460A (ko) 2011-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6603268B2 (ja) マイクロ音響波フィルタのネットワーク合成設計
US10200012B2 (en) High-frequency filter, front-end circuit, and communication apparatus
CN108352824B (zh) 具有增强型抑制的声波滤波器
JP5896039B2 (ja) フィルタ装置
US10211799B2 (en) High-frequency filter
JP6187594B2 (ja) 共振器及び高周波フィルタ
JP6439328B2 (ja) 可変共振回路および可変フィルタ回路
JP2009130831A (ja) チューナブルフィルタ
JP6308221B2 (ja) 周波数可変フィルタ
US10840885B2 (en) Filter and method of designing an RF filter
CN105827214A (zh) 滤波器装置
US10326428B2 (en) Tunable electroacoustic RF filter with improved electric properties and method for operating such a filter
US20140354512A1 (en) Tunable filter device
JP2013239839A (ja) チューナブルフィルタ
JP2011130083A (ja) 可変フィルタ
CN107306122B (zh) 弹性波滤波器装置
JP2005192189A (ja) バラン
JP5459452B1 (ja) フィルタ装置及びデュプレクサ
KR101640400B1 (ko) 광대역 튜너블 대역 통과 필터
KR101919115B1 (ko) Ｂａｗｒ 을 이용한 필터
JP2008227729A (ja) 帯域可変フィルタ
KR101905320B1 (ko) 탄성파 필터 장치
Reinhardt et al. Acoustic technologies for advanced RF architectures
CN102064787B (zh) 一种射频带通滤波电路
KR102182259B1 (ko) 고주파 필터 및 멀티플렉서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 4