KR101629622B1 - 형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서 - Google Patents

형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서 Download PDF

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Abstract

본 발명에 관련된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법은, 실리콘 수지 (21) 의 분말과, 형광체 (22) 의 분말을 혼합한 분말 혼합물 (24) 을 가열 용융하면서 혼련하는 혼련 공정과, 혼련 공정에서 혼련한 혼련물 (25) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함한다.

Description

형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서{PRODUCTION METHOD FOR SEALING MATERIAL CONTAINING FLUORESCENT BODY, PRODUCTION METHOD FOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND DISPENSER}
본 발명은, 발광 소자를 봉지 (封止) 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 형광체 함유 봉지재, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서에 관한 것이다.
LED 칩을 구비한 백색광을 출사하는 현행의 발광 장치에서는, 청색 LED 칩과, 그 청색 LED 칩의 발광으로 여기되어 황색의 형광을 방출하는 YAG 형광체 (특허문헌 1 을 참조) 를 사용하고, 청색 LED 칩으로부터 방출된 청색광과, YAG 형광체로부터 방출된 황색광을 혼색하여 백색광을 출사하고 있다.
이와 같은 발광 장치에서는, LED 칩은, 예를 들어 실리콘 수지 등에 의해 봉지되어 있고, 이 실리콘 수지 중에 형광체가 분산되어 있다.
일본 공개특허공보 「일본 공개특허공보 평10-242513호 (1998년 09월 11일 공개)」
여기서, 기판에 형성된 캐비티 내에 실장된 LED 칩을 봉지하는 공정에 있어서, 형광체를 함유하는 액상의 실리콘 수지는 디스펜서 등을 사용하여 각 캐비티 내에 충전된다. 이 때, 실리콘 수지와 형광체의 비중차에 의해, 디스펜서의 시린지 내에 있어서 형광체가 침강하는 경우가 있다.
그 때문에, 캐비티 내에 충전된 실리콘 수지의 형광체 함유량에 차이가 생기고, 그 결과, 양산된 발광 장치 사이에서 색도의 편차가 발생한다는 과제가 있다.
본 발명은 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 형광체 함유 봉지재, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서를 제공하는 것에 있다.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법은, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과 형광체의 분말을 혼합하는 혼합 공정과, 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물을 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치로 혼련하는 혼련 공정과, 상기 혼련 공정에서 혼련한 혼련물을 적어도 1 개의 관통공이 형성된 상기 혼련 압출 장치의 배출구로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화 (全硬化) 되는 것을 특징으로 한다.
또, 상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체 함유 봉지재로서, 상기 실리콘 수지는 끈상으로 성형되어 있고, 또한 실온에서부터 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
또, 상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법은, 상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티에 발광 소자가 실장된 기판의 상방에, 상기 캐비티에 대응하는 관통공이 형성된 다공판을 대략 평행하게 설치하는 설치 공정과, 상기 다공판 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련한 형광체 함유 봉지재를 재치 (載置) 하는 재치 공정과, 상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서, 또는 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 상기 관통공으로부터 상기 기판을 향하여 사상 (絲狀) 으로 압출하는 압출 공정과, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재를 소정의 길이로 절단하여 상기 캐비티에 충전하는 충전 공정과, 상기 캐비티에 충전된 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
또, 상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 디스펜서는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 분산된 형광체 함유 봉지재를 기판에 실장된 발광 소자에 사상으로 토출하는 디스펜서로서, 상기 형광체 함유 봉지재를 수용하는 수용부를 구비하고, 상기 수용부는, 수용한 상기 형광체 함유 봉지재를 가열 가능한 가열 기구를 갖고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 형광체 함유 봉지재의 제조 방법을 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 형광체 함유 봉지재를 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 디스펜서를 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1 은 실시형태 1 에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 발광 디바이스의 외관 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2(a) ∼ 도 2(d) 는 도 1 에 나타내는 발광 디바이스의 제조 공정 중, 캐비티 (12) 내에 발광 소자를 실장하는 공정을 나타내는 개략도이다.
도 3(a) ∼ 도 3(c) 는 캐비티에 형광체 함유 봉지 수지를 충전하는 공정을 나타내는 개략도이다.
도 4 는 도 3(a) 에 나타내는 형광체 함유 봉지 수지에 함유되는 실리콘 수지의 점도 특성을 개념적으로 나타내는 그래프이다.
도 5(a) ∼ 도 5(d) 는 캐비티에 대한 형광체 함유 봉지 수지의 충전으로부터 경화시킬 때까지의 일련의 공정에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화를 개념적으로 나타내는 그래프이다.
도 6 은 도 3(c) 에 나타내는 압출 공정을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 도 6 에 나타내는 컷 플레이트를 나타내는 단면도이다.
도 8 은 다연 (多連) 캐비티 회로 기판을 분할하는 공정을 나타내는 개략도이다.
도 9(a) ∼ 도 9(c) 는 블록상의 형광체 함유 봉지 수지의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 10(a) 및 도 10(b) 는 도 9(a) ∼ 도 9(c) 에 나타내는 공정에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 11 은 충전 공정의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 12 는 디스펜서를 사용하여 형광체 함유 봉지 수지를 캐비티에 충전하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 13(a) ∼ 도 13(d) 는 실시형태 2 에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 14(a) ∼ 도 14(d) 는 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 시트상으로 가공하는 성형 방법을 나타내는 개략도이다.
도 15(a) 및 도 15(b) 는 시트상의 형광체 함유 봉지 수지를 사용한 발광 디바이스의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 16 은 실시형태 3 에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 발광 디바이스의 외관 구성을 나타내는 사시도이다.
도 17(a) ∼ 도 17(c) 는 캐비티에 형광체 함유 봉지 수지를 충전하는 공정을 나타내는 개략도이다.
도 18 은 도 17(c) 에 나타내는 압출 공정을 나타내는 단면도이다.
도 19(a) ∼ 도 19(c) 는 블록상의 형광체 함유 봉지 수지의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 20(a) 및 도 20(b) 는 도 19(a) ∼ 도 19(c) 에 나타내는 공정에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 21 은 가소제의 첨가의 유무에 의한 실리콘 수지의 점도 및 탄성률의 변화를 나타내는 표이다.
도 22 는 충전 공정의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 23 은 디스펜서를 사용하여 형광체 함유 봉지 수지를 캐비티에 충전하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 24(a) ∼ 도 24(d) 는 실시형태 4 에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 25(a) ∼ 도 25(d) 는 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 시트상으로 가공하는 성형 방법을 나타내는 개략도이다.
도 26(a) 및 도 26(b) 는 시트상의 형광체 함유 봉지 수지를 사용한 발광 디바이스의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
[실시형태 1]
본 발명에 관련된 발광 장치의 제조 방법에 관한 실시의 일 형태에 대해, 도 1 ∼ 도 12 에 기초하여 설명하면 이하와 같다.
<발광 디바이스 (1a) 의 구성>
먼저, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (발광 장치) (1a) 의 구성에 대해, 도 1 을 참조하여 설명한다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 발광 디바이스 (1a) 의 외관 구성을 나타내는 사시도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 발광 디바이스 (1a) 는, 한 변이 1 ㎜ 정도의 직방체상의 MID (Molded Interconnection Device, 사출 입체 배선 성형 기판) 인 회로 기판 (기판) (11) 에, 상방을 향해 개구하는 사각형의 캐비티 (12) 가 형성되어 있다. 환언하면, 캐비티 (12) 는 회로 기판 (11) 의 상면에 형성된 오목부이다. 이 캐비티 (12) 내에는, LED 칩 등의 발광 소자 (13) 가 실장되어 있다.
발광 소자 (13) 의 하면은, 캐비티 (12) 의 저부에 형성된 마운트용 배선 패턴 (14) 상에, 도전성 접착제 (15) 에 의해 접속되어 있다 (다이 본딩). 또, 발광 소자 (13) 의 상면은, 캐비티 (12) 의 저부에 형성된 접속용 배선 패턴 (16) 과, 금선 등에 의해 구성된 도전선 (17) 에 의해 접속되어 있다 (와이어 본딩).
회로 기판 (11) 의 캐비티 (12) 내는, 광 투과성을 갖는 실리콘 수지에 의해 구성된 형광체 함유 봉지 수지 (형광체 함유 봉지재) (20) 에 의해 봉지되어 있다.
또한, 회로 기판 (11) 의 캐비티 (12) 의 내면은, 리플렉터 기능을 가지고 있어도 된다. 이로써, 발광 디바이스 (1a) 에 있어서의 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.
발광 소자 (13) 를 회로 기판 (11) 에 실장하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 와이어 본딩법 대신에, 예를 들어, 플립 칩법 등에 의해 발광 소자 (13) 를 회로 기판 (11) 에 실장해도 된다.
또, 회로 기판 (11) 에 대해서도, 리플렉터로서 기능하는 광 반사성 수지에 의해 리드 프레임을 인서트 성형한 구성이나, 표면이 평평한 회로 기판 상에 리플렉터 부재를 첩부 (貼付) 하는 것 등에 의해 캐비티를 형성한 구성으로 치환해도 된다.
<발광 디바이스 (1a) 의 제조 방법>
다음으로, 도 1 에 나타내는 발광 디바이스 (1a) 의 제조 방법에 대해, 도 2 ∼ 도 8 을 참조하여 설명한다.
도 2(a) ∼ 도 2(d) 는 도 1 에 나타내는 발광 디바이스 (1a) 의 제조 공정 중, 캐비티 (12) 내에 발광 소자 (13) 를 실장하는 공정을 나타내는 개략도이다.
발광 디바이스 (1a) 의 제조에는, 다수의 캐비티 (12) 가 종방향 및 횡방향으로 매트릭스상으로 형성된 다연 캐비티 회로 기판 (기판) (10) 이 사용된다. 이 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 사용함으로써, 다수의 발광 디바이스 (1a) 를 동시에 제조할 수 있다. 다연 캐비티 회로 기판 (10) 은, 예를 들어, 두께가 1.0 ㎜ 이고, 각 캐비티 (12) 의 깊이는 0.6 ㎜ 이다.
본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1a) 의 제조 방법에서는, 먼저, 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 각 캐비티 (12) 의 저부에 마운트용 배선 패턴 (14) 및 접속용 배선 패턴 (16) 을 각각 나열하여 형성한다.
다음으로, 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 각 캐비티 (12) 의 저부에 형성한 마운트용 배선 패턴 (14) 상에 도전성 접착제 (15) 를 도포한다.
다음으로, 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이, 마운트용 배선 패턴 (14) 상에 도포된 도전성 접착제 (15) 상에 발광 소자 (13) 를 다이 본딩한다. 그리고 도 2(d) 에 나타내는 바와 같이, 발광 소자 (13) 의 상면과, 캐비티 (12) 의 저부에 형성한 접속용 배선 패턴 (16) 을 금선 등에 의해 구성된 도전선 (17) 에 의해 와이어 본딩한다.
이와 같이 하여, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 각 캐비티 (12) 내에, 발광 소자 (13) 를 다이 본딩 및 와이어 본딩에 의해 실장한 후, 각 캐비티 (12) 내를 형광체 함유 봉지 수지 (20) 로 봉지한다.
도 3(a) ∼ 도 3(c) 는 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 충전하는 공정을 나타내는 개략도이다. 도 4 는 도 3(a) 에 나타내는 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되는 실리콘 수지의 점도 특성을 개념적으로 나타내는 그래프이다. 도 5(a) ∼ 도 5(d) 는 캐비티 (12) 에 대한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 충전으로부터 경화시킬 때까지의 일련의 공정에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화를 개념적으로 나타내는 그래프이다.
도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트 (31) 상에 발광 소자 (13) 가 실장된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 재치하고, 이 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 상방에 컷 플레이트 (32) 와, 다공 플레이트 (33) 와, 히터 블록 (34) 을 이 순서로 적층한다 (설치 공정). 그리고 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를, 다공 플레이트 (33) 상이고, 또한 히터 블록 (34) 의 개구부 (34a) 내에 재치한다 (재치 공정).
형광체 함유 봉지 수지 (20) 는, 형광체가 실리콘 수지에 균일하게 분산된 것이다. 이 실리콘 수지는, 후술하는 2 차 가교 온도 미만의 소정의 온도, 시간의 부가에 의해 1 차 가교하고, 실리콘 수지보다 비중이 큰 입자 (예를 들어, 형광체 등) 를 함유시켜도 완전하게 침강되지 않을 정도 또한 가공이 가능한 점도 (100 ㎩·S 이상 1E + 5 ㎩·S 이하) 를 갖는 액상이 아닌 상태를 유지한다. 또한, 1 차 가교란, 가교점을 갖고, 소정의 경화 조건 (소정의 온도, 시간의 부가) 에 의해 더욱 경화가 진행될 수 있는 실온에 있어서 액상이 아닌 상태를 가리킨다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 이 실리콘 수지는, 실온 T0 (약 25 ℃) 에 있어서의 점도가 점도 V0 이다 (도면 중 P0 을 참조). 점도 V0 은, 실온 T0 에 있어서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 형상을 유지 가능한 점도이다.
이 실리콘 수지를 실온 T0 에서부터 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 T1 (약 125 ℃) 근처까지 가열했을 경우, 실리콘 수지의 점도는 저하되고, 2 차 가교 온도 T1 직전에 있어서의 점도는 점도 V1 이 된다 (도면 중 P1 을 참조). 점도 V1 은 실리콘 수지가 유동 가능하게 용융된 점도이다.
실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만의 온도 영역에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화는, 열가역적인 변화이다. 그 때문에, 2 차 가교 온도 T1 근방에서부터 실온 T0 까지 온도를 저하시켰을 경우, 실리콘 수지의 점도는 높아지고, 실온 T0 에 있어서 원래의 점도 V0 으로 되돌아간다. 따라서, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 점도 V0 에서부터 점도 V1 사이에서 반복 조정할 수 있다.
한편, 실리콘 수지를 2 차 가교 온도 T1 이상에서 가열했을 경우, 실리콘 수지에 2 차 가교가 형성되어 경화된다. 또한, 경화 후의 실리콘 수지의 점도는 실질적으로 정의할 수는 없지만, 만일 경화 후의 실리콘 수지의 점도를 점도 V2 로 개념적으로 정의했을 경우, 실리콘 수지의 점도는 점도 V1 에서부터 점도 V2 까지 상승한다 (도면 중 P2 를 참조). 즉, 점도 V2 는, 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성했을 때의 2 차 가교 온도 T1 에 있어서의 점도를 개념적으로 정의한 것이다.
2 차 가교 후에 있어서의 실리콘 수지에 대해, 2 차 가교 온도 T1 에서부터 온도를 상승 또는 하강시켰을 경우, 2 차 가교 온도 T1 에 있어서의 점도, 탄성 등의 물성에 변화가 일어나지만 (고분자 특성), 2 차 가교 전의 실리콘 수지에 비해, 점도 및 탄성률은 상대적으로 높아진다 (단, 도면 중의 P3 에서는, 편의상, 점도 V2 를 유지하는 것으로서 기재하고 있다).
또한, 2 차 가교란 이것에 한정되지 않지만 합성시와는 상이한 반응 촉매에 의한 가교 반응 등에 의해, 더욱 경화가 진행되는 것을 가리키고, 상기 서술한 바와 같이 온도에 의해 가역적인 점성 변화가 생기지 않는 상태를 말한다.
형광체 함유 봉지 수지 (20) 에는, 필요한 광학적 특성에 따라, 여러 가지 형광체가 혼련되어 형광체의 농도 (함유율) 가 조정되지만, 이 실리콘 수지를 사용하면, 2 차 가교 전의 상태이면 그 점도를 반복 조정할 수 있기 때문에, 후술하는 바와 같이, 형광체의 분산 상태가 균일한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 형성할 수 있다.
또한, 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법에 대해서는 후술한다.
히터 블록 (34) 은, 실온 T0 에서부터 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열 용융할 수 있는 2 차 가교 온도 T1 미만의 온도 범위를 포함하는 온도 조정 기능을 구비한 것이다. 히터 블록 (34) 은, 관통한 개구부 (34a) 를 갖는 프레임상 부재이고, 이 개구부 (34a) 내에 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 배치된다.
다공 플레이트 (33) 는, 복수의 다공 플레이트 관통공 (관통공) (33a) 이 형성된 것이다. 다공 플레이트 관통공 (33a) 은, 캐비티 (12) 에 대응하는 위치에 형성되어 있고, 후술하는 바와 같이, 플랜저 (35) 에 의한 가압에 의해, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 각 캐비티 (12) 를 향하여 압출된다.
컷 플레이트 (32) 는, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 소정의 길이로 절단하는 것이다. 컷 플레이트 (32) 에는, 다공 플레이트 관통공 (33a) 에 대응하는 컷 플레이트 관통공 (32a) 이 형성되어 있고, 컷 플레이트 (32) 를 도면 중의 화살표 방향으로 편심 운동시킴으로써, 컷 플레이트 관통공 (32a) 에 형성된 블레이드 (칼날) (32b) (도 7 을 참조) 로 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 소정의 길이로 절단한다.
히터 플레이트 (31) 는, 재치된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열하는 것이다. 히터 플레이트 (31) 는, 예를 들어, 2 차 가교 온도 T1 이하의 온도 영역에서 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열한다.
이와 같은 각 부재를 상기 서술한 바와 같이 설치한 후, 히터 블록 (34) 에 의해 다공 플레이트 (33) 에 재치된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열 용융하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 점도를 저하시킨다. 이 때, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 근방의 온도 T4 (예를 들어, 80 ℃ 이상 120 ℃ 미만) 까지 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열함으로써, 실리콘 수지의 점도를 형광체의 침강을 억제하면서 유동 가능한 점도 V4 까지 저하시킨다 (도면 중 P4 를 참조).
다음으로, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 플랜저 (35) 를 사용하여, 다공 플레이트 (33) 에 재치된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 향하여 가압한다. 이로써, 도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 다공 플레이트 (33) 의 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 각 캐비티 (12) 를 향하여 사상으로 압출된다 (압출 공정).
도 6 은 도 3(c) 에 나타내는 압출 공정을 나타내는 단면도이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 플랜저 (35) 의 가압에 의해, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 는, 다공 플레이트 (33) 의 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 사상으로 압출된다. 그리고 사상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 소정의 길이에 이르렀을 때, 컷 플레이트 (32) 를 편심 회전시킴으로써, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 로 절단한다. 이로써, 각 캐비티 (12) 에 소정의 길이로 절단된 형광체 함유량이 동일한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 동시에 충전할 수 있다 (충전 공정).
또한, 다공 플레이트 관통공 (33a) 의 치수 (d) 를 캐비티 (12) 의 개구부의 치수 (D) 보다 작게 함으로써, 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 충전되기 쉬워진다. 또, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 길이를 조정함으로써, 캐비티 (12) 의 용적에 맞춘 적당량의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 충전하기 쉬워진다.
도 7 은 도 6 에 나타내는 컷 플레이트 (32) 를 나타내는 단면도이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 컷 플레이트 (32) 는, 컷 플레이트 관통공 (32a) 의 다공 플레이트 (33) 측의 가장자리부가 블레이드 (칼날) (32b) 로 되어 있다. 그 때문에, 컷 플레이트 (32) 를 편심 회전시킴으로써, 블레이드 (32b) 에 의해 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단할 수 있다. 이 때, 히터 플레이트 (31) 는, 캐비티 (12) 내에 배치된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 캐비티 (12) 의 내면에 밀접하도록, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열하여 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 연화시킨다. 이 충전 공정에 있어서의 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 온도는, 2 차 가교 온도 T1 에 이르고 있을 필요는 없고, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 캐비티 (12) 의 내부에 밀접하기 쉬워질 정도로, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 연화시키는 온도이면 된다.
각 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20) 가 충전된 후, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트 (31) 에 의해 2 차 가교 온도 T1 (예를 들어, 125 ℃) 에서 가열한다 (도면 중 P1 을 참조). 이로써, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하여 경화가 시작된다 (경화 공정 : 도면 중 P2 를 참조). 이 때, 캐비티 (12) 에 충전된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 는, 히터 플레이트 (31) 에 의해 캐비티 (12) 의 저부측에서부터 경화되기 시작한다. 그 때문에, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 경화 수축에 의한 응력을 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 상부, 즉, 캐비티 (12) 의 개구부측에 분포시킬 수 있기 때문에, 크랙 등의 발생을 억제하여, 발광 디바이스 (1a) 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
그리고 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 오븐 등으로 2 차 가교 온도 T1 이상 (예를 들어, 125 ℃ 이상 170 ℃ 이하) 으로 가열함으로써, 실리콘 수지를 완전하게 경화시킨다. 그 후, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 오븐 등으로부터 취출하고, 실온 T0 까지 온도를 저하시킨다. 이 때, 도 5(d) 에 나타내는 바와 같이, 온도가 실온 T0 까지 저하되었을 경우에도, 2 차 가교가 형성된 실리콘 수지의 점도는 V2 가 된다 (도면 중 P3 을 참조).
도 8 은 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 분할하는 공정을 나타내는 개략도이다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각 캐비티 (12) 에 실장된 발광 소자 (13) 가 2 차 가교를 형성한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 의해 봉지되면, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 1 개의 캐비티 (12) 별로 각각 분할한다. 이로써, 형광체 함유량이 균일한 복수의 발광 디바이스 (1a) 를 동시에 제조할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 발광 디바이스 (1a) 간의 색도 분포 범위는, 매카담 타원 2-스텝의 색도 관리 기준을 만족할 수 있다. 매카담 타원이란, 특정한 중심색에 대한 식별 변동의 표준 편차를 xy 색도도로 나타낸 것으로, 인간의 눈으로는 색도의 편차를 식별할 수 없는 레벨을 실현할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 의하면, 발광 디바이스 (1a) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차 (색도 분포의 범위) 를 비교하여 저감시킬 수 있다.
또한, 상기 압출 공정에 있어서, 히터 블록 (34) 에 의해 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열함으로써, 실리콘 수지의 점도를 형광체의 침강을 억제하면서 유동 가능한 점도 V4 까지 저하시키고 있다. 그러나, 압출의 압력을 높임으로써, 히터 블록 (34) 의 온도를 높이지 않고 실온 T0 에서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 압출하는 것은 가능하여, 히터 블록 (34) 을 실온 T0 인 상태로 해도 된다.
<블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법>
다음으로, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 사용되는 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법에 대해, 도 9 및 도 10 을 참조하여 설명한다.
도 9(a) ∼ 도 9(c) 는 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법을 나타내는 개략도이고, 도 10(a) 및 도 10(b) 는 도 9(a) ∼ 도 9(c) 에 나타내는 공정에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
먼저, 도 9(a) 에 나타내는 바와 같이, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 충분히 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다.
다음으로, 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 분말 혼합물 (24) 을 용기에 수용하고, 도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 실온 T0 에서부터 온도 T5 (예를 들어, 40 이상 60 ℃ 미만) 까지 가열함으로써 실리콘 수지 (21) 를 용융하여, 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도 V5 까지 저하시켜 (도 10(a) 중 P5 를 참조), 실리콘 수지 (21) 에 형광체 (22) 를 혼련한다.
이 때, 가열 용융된 실리콘 수지 (21) 끼리가 융합하여, 형광체 (22) 를 휩쓸려 들어가게하면서 혼련된다. 또, 상기 서술한 바와 같이, 실리콘 수지 (21) 의 점도를 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도 V5 까지 저하시킨 상태에서 혼련함으로써, 실리콘 수지 (21) 중의 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있다.
그리고 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 온도 T5 에서부터 실온 T0 까지 온도를 저하시킴으로써, 실리콘 수지 (21) 에 형광체 (22) 를 균일하게 분산시킨 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되는 형광체 (22) 를 1 종류로 했지만, 발광색, 입경 또는 비중 등이 상이한 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 사용해도 된다. 예를 들어, 적색 발광 형광체 및 녹색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조하여, 청색의 LED 칩 (발광 소자 (13)) 에 적용해도 된다. 또, 청색 발광 형광체 및 황색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조하여, 청자색 (靑紫色) 의 LED 칩에 적용해도 된다.
이 경우에도, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다.
그 후, 실리콘 수지 (21) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하여, 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도까지 저하시켜, 실리콘 수지 (21) 에 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 혼련한다.
이 때, 가열 용융된 실리콘 수지 (21) 끼리가 융합하고, 융합한 실리콘 수지 (21) 중에 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 휩쓸려 들어가게하면서 혼련한다. 또, 상기 서술한 바와 같이, 실리콘 수지 (21) 의 점도를 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도까지 저하시킨 상태에서 혼련함으로써, 실리콘 수지 (21) 중의 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있다.
그리고 온도를 실온 T0 까지 저하시킴으로써, 실리콘 수지 (21) 에 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 균일하게 분산시킨 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 파장 변환 물질로서 형광체 (22) 를 사용했지만, 다른 파장 변환 물질을 사용해도 된다. 파장 변환 물질이란, 발광 소자 (13) 로부터 출사된 광을 파장 변환하여 상이한 파장의 광을 방출하는 기능을 갖는 것이다.
또한, 본 실시형태에서는, 다수의 캐비티 (12) 가 형성된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 사용했지만, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 대신에 평탄한 표면을 갖는 평면 회로 기판을 사용해도 된다.
<실시형태 1 의 총괄>
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1a) 의 제조 방법은, 상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티 (12) 에 발광 소자 (13) 가 실장된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 상방에, 캐비티 (12) 에 대응하는 다공 플레이트 관통공 (33a) 이 형성된 다공 플레이트 (33) 를 대략 평행하게 설치하는 설치 공정과, 다공 플레이트 (33) 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 재치하는 재치 공정과, 형광체 함유 봉지재를 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 향하여 사상으로 압출하는 압출 공정과, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 소정의 길이로 절단하여 캐비티 (12) 에 충전하는 충전 공정과, 캐비티 (12) 에 충전된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고, 실리콘 수지는, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 2 차 가교 온도 T1 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것이다.
본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1a) 의 제조 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지 (21) 에 형광체 (22) 의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지 (21) 의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지 (21) 에 혼련된 형광체 (22) 의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체 (22) 를 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산시킨 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 얻을 수 있다.
그리고 이 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 향하여 사상으로 압출하여 소정의 길이로 절단함으로써, 각 캐비티 (12) 에 동량의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 동시에 충전 (포팅) 할 수 있다. 여기서, 각 캐비티 (12) 에 충전된 소정 길이의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 있어서의 형광체 함유량은 균등하기 때문에, 이 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 발광 소자 (13) 를 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 의해 봉지할 수 있다.
그러므로, 본 실시형태에 의하면, 발광 디바이스 (1a) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 디바이스의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1a) 의 제조 방법에 의하면, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 형성된 캐비티 (12) 의 수나 치수 등에 따라, 다공 플레이트 (33) 에 다공 플레이트 관통공 (33a) 을 형성함으로써, 각종 발광 디바이스 (1a) 의 제조에 용이하게 대응하는 것이 가능해지기 때문에, 발광 디바이스 (1a) 의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
<변형예>
(변형예 1)
도 11 은 충전 공정의 변형예를 나타내는 단면도이다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 다공 플레이트 (33) 를 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 대해 수직인 방향으로 다연 캐비티 회로 기판 (10) 으로부터 이간하도록 이동시킴으로써, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단해도 된다.
이 경우, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열해 두는 것이 바람직하다. 이로써, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 도달한 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 하단부를 그 열에 의해 캐비티 (12) 의 저부에 부착시킬 수 있다. 그 때문에, 사상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 하단부가 캐비티 (12) 에 도달한 타이밍에서, 다공 플레이트 (33) 를 상승시킴으로써, 사상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단하여 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다. 또한, 다공 플레이트 (33) 대신에, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 하강시킴으로써 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단해도 된다.
이 절단 방법에 의하면, 컷 플레이트 (32) 및 컷 플레이트 (32) 를 편심 회전시키는 구동 장치 등을 사용하지 않고, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단할 수 있다.
또, 다공 플레이트 (33) 와 다연 캐비티 회로 기판 (10) 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단할 수도 있다.
이 경우에도, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열해 두고, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 하단부가 캐비티 (12) 에 도달한 타이밍에서, 다공 플레이트 (33) 와 다연 캐비티 회로 기판 (10) 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 절단하여 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다.
(변형예 2)
도 12 는 디스펜서 (36) 를 사용하여 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 캐비티 (12) 에 충전하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 12 에 나타내는 바와 같이, 시린지 (36a) 를 갖는 디스펜서 (36) 를 사용하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 캐비티 (12) 에 충전해도 된다.
디스펜서 (36) 는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 혼련된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 시린지 (36a) 에 수용 가능한 형상으로 재가공하고, 시린지 (36a) 에 수용한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 실장된 발광 소자 (13) 에 사상으로 토출하는 것이다.
디스펜서 (36) 는, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 수용하는 시린지 (수용부) (36a) 를 구비한다. 이 디스펜서 (36) 는, 시린지 (36a) 에 에어 혹은 피스톤으로 가압하여, 수용한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 토출하고, 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 충전하는 것이다 (토출 공정). 또한, 에어 혹은 피스톤으로 가압할 때에는, 실리콘 수지의 2 차 가교 온도 미만에서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열 용융하면서 토출해도 되고, 실온 T0 인 상태로 토출해도 된다.
단, 실리콘 수지의 2 차 가교 온도 미만에서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열 용융하면서 토출하는 경우에는, 시린지 (36a) 에 수용된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 점도가 형광체를 침강시키지 않을 정도가 되도록, 시린지 (36a) 에 의한 가열 온도를 제어한다. 이로써, 종래와 같이, 실리콘 수지와 형광체의 비중차에 의해, 시린지 (36a) 내에 있어서 형광체가 침강하는 것을 억제할 수 있어, 형광체의 거의 균일한 분산 상태를 유지할 수 있다.
그 때문에, 디스펜서 (36) 를 사용한 토출 공정의 처음과 마지막에서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 형광체 농도가 거의 변동되지 않고, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다. 또, 실온 T0 인 상태로 토출하는 경우에는, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 점도 저하는 발생하지 않기 때문에, 가열 용융하는 경우와 동일하게 디스펜서 (36) 를 사용한 토출 공정의 처음과 마지막에서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 형광체 농도가 거의 변동되지 않고, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다.
그리고 캐비티 (12) 에 충전한 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 히터 플레이트 (31) 및 오븐 등에 의해 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되는 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 캐비티 (12) 사이에서 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 의해, 각 발광 소자 (13) 를 봉지할 수 있다.
이와 같이, 디스펜서 (36) 를 사용한 경우에도, 발광 디바이스 (1a) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 디바이스의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또한, 디스펜서 (36) 를 사용하여, 캐비티 (12) 가 형성되어 있지 않은 표면이 평탄한 회로 기판에 실장된 복수의 발광 소자 (13) 에 대해 각 발광 소자 (13) 를 개별적으로, 혹은 수 개의 발광 소자 (13) 단위별로 봉지하도록 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 토출해도 된다.
이 경우에도, 발광 소자 (13) 의 표면에 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 밀착시킨 상태에서, 히터 플레이트 (31) 및 오븐 등에 의해 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되는 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 발광 소자 (13) 를 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 의해 봉지할 수 있다.
[실시형태 2]
본 발명에 관련된 발광 장치의 제조 방법에 관한 제 2 실시의 일 형태에 대해, 도 13 ∼ 도 15 에 기초하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의상, 상기 서술한 실시형태에서 설명한 도면과 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법은, 먼저, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조하고, 이 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가공한 것을 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지하는 점에 있어서, 실시형태 1 과 상이하다.
<끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법>
먼저, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법에 대해, 도 13 을 참조하여 설명한다.
도 13(a) ∼ 도 13(d) 는 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 13(a) 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다 (혼합 공정).
다음으로, 도 13(b) 에 나타내는 바와 같이, 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (혼련 압출 장치) (37) 에 투입하고, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서 혼련한다 (혼련 공정).
2 축 스크루 압출 장치 (37) 는, 평행하게 형성된 2 개의 스크루 (37a) 를 구비하고 있고, 이 2 개의 스크루 (37a) 가 각각 역방향으로 회전함으로써, 가열에 의해 실리콘 수지를 용융하면서, 분말 혼합물 (24) 을 혼련한다.
이 가열과 혼련에 의해, 도 13(c) 에 나타내는 바와 같이, 분말 혼합물 (24) 은 용융된 실리콘 수지에 형광체가 균일하게 분산된 혼련물 (25) 이 된다. 이 혼련물 (25) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (관통공) (37b) 로부터 끈상으로 압출함으로써, 도 13(d) 에 나타내는 바와 같이, 형광체가 실리콘 수지에 균일하게 분산된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조할 수 있다.
이와 같이, 형광체가 실리콘 수지에 균일하게 분산된 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 끈상으로 성형 (成形) (성형 (成型)) 함으로써, 예를 들어, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지함으로써, 발광 디바이스간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있다.
또, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 끈상으로 함으로써, 예를 들어, 벌크상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 비해, 가열시의 실리콘 수지의 용융 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 형광체를 침강시키지 않게 2 차 가교 온도 T1 미만에서 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열 용융함으로써, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 상태를 유지한 채로, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 원하는 형상으로 용이하게 가공할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 2 개의 스크루 (37a) 를 구비한 2 축 스크루 압출 장치 (37) 를 사용했지만, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 대신에, 1 개의 스크루 (37a) 를 구비한 1 축 스크루 압출 장치를 사용해도 된다. 또, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 대신에, 3 개 이상의 스크루 (37a) 를 구비한 다축 스크루 압출 장치를 사용해도 된다. 이로써, 분말 혼합물 (24) 의 혼련 효율, 및 혼련물 (25) 의 압출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 의 수, 치수 및 형상은 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 변경 가능하다.
또, 본 실시형태에서는, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되는 형광체 (22) 를 1 종류로 했지만, 발광색, 입경 또는 비중 등이 상이한 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 사용해도 된다. 예를 들어, 적색 발광 형광체 및 녹색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조하여, 청색의 LED 칩 (발광 소자 (13)) 에 적용해도 된다. 또, 청색 발광 형광체 및 황색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조하여, 청자색의 LED 칩에 적용해도 된다.
이 경우에도, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다.
그 후, 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (혼련 압출 장치) (37) 에 투입하고, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서 혼련한다. 2 축 스크루 압출 장치 (37) 는, 평행하게 형성된 2 개에 스크루 (37a) 를 구비하고 있고, 이 2 개의 스크루 (37a) 가 각각 역방향으로 회전함으로써, 가열에 의해 실리콘 수지 (21) 를 용융하면서, 분말 혼합물 (24) 을 혼련한다.
이 가열과 혼련에 의해, 분말 혼합물 (24) 은 용융된 실리콘 수지 (21) 에 2 종류 이상의 형광체 (22) 가 균일하게 분산된 혼련물 (25) 이 된다. 이 혼련물 (25) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출함으로써, 2 종류 이상의 형광체 (22) 가 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 파장 변환 물질로서 형광체 (22) 를 사용했지만, 다른 파장 변환 물질을 사용해도 된다. 파장 변환 물질이란, 발광 소자 (13) 로부터 출사된 광을 파장 변환하여 상이한 파장의 광을 방출하는 기능을 갖는 것이다.
<시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 성형 방법>
다음으로, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 시트상으로 가공하는 성형 방법 (가공 공정) 에 대해 도 14 를 참조하여 설명한다.
도 14(a) ∼ 도 14(d) 는 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 시트상으로 가공하는 성형 방법을 나타내는 개략도이다. 이하에서는, 히트 프레스에 의해, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 시트상으로 가공하는 성형 방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 14(a) 에 나타내는 바와 같이, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 히터 플레이트 (31) 에 배치한다. 그리고 도 14(b) 에 나타내는 바와 같이, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하여, 형광체 (22) 를 침강시키지 않을 정도로 실리콘 수지의 점도를 저하시킨다.
다음으로, 도 14(c) 에 나타내는 바와 같이, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열된 가압 플레이트 (39) 에 의해 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가압한다. 이 때, 히터 플레이트 (31) 와 가압 플레이트 (39) 사이에 배치된 스페이서 (38) 에 의해, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 두께가 조정된다. 그리고 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 온도를 실온 T0 까지 저하시킴으로써, 도 14(d) 에 나타내는 바와 같이, 형광체가 균일하게 분산된 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 얻을 수 있다.
<발광 디바이스 (1b) 의 제조 방법>
다음으로, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사용한 발광 디바이스 (발광 장치) (1b) 의 제조 방법에 대해, 도 15 를 참조하여 설명한다.
도 15(a) 및 도 15(b) 는 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사용한 발광 디바이스 (1b) 의 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 발광 디바이스 (1b) 의 제조에는, 평면 회로 기판 (10a) 의 평탄한 표면에 발광 소자 (13) 가 종방향 및 횡방향으로 매트릭스상으로 실장된 평면 회로 기판 (10a) 이 사용된다. 이 평면 회로 기판 (10a) 을 사용함으로써, 다수의 발광 디바이스 (1b) 를 동시에 제조할 수 있다.
도 15(a) 에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트 (31) 상에, 복수의 발광 소자 (13) 가 실장된 평면 회로 기판 (10a) 과, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 이 순서로 적층한다. 그리고 히터 플레이트 (31) 에 의해 평면 회로 기판 (10a) 을 가열함으로써, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되어 있는 형광체 (22) 를 침강시키지 않을 정도로 실리콘 수지의 점도를 저하시킴과 함께, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열된 가압 플레이트 (39) 에 의해 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 평면 회로 기판 (10a) 의 방향으로 가압한다. 이로써, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 발광 소자 (13) 의 상면 및 측면에 밀착시킬 수 있다.
다음으로, 이 상태에서, 히터 플레이트 (31) 에 의해 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 2 차 가교 온도 T1 에서 가열함으로써, 실리콘 수지에 2 차 가교를 형성시켜 전경화시킨다. 또한, 평면 회로 기판 (10a) 을 오븐 등으로 2 차 가교 온도 T1 이상의 온도에서 가열함으로써, 실리콘 수지를 완전하게 경화시킨 후, 평면 회로 기판 (10a) 을 취출하고, 실온 T0 까지 온도를 저하시킨다.
그리고 도 15(b) 에 나타내는 바와 같이, 평면 회로 기판 (10a) 을 1 개의 발광 소자 (13) 별로 각각 분할함으로써, 형광체 함유량이 균등화된 복수의 발광 디바이스 (1b) 를 제조할 수 있다.
또한, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사용하는 본 실시형태의 방법 (시트법) 은, 복수의 발광 디바이스가 늘어선 분할 전의 발광 디바이스에 있어서의 각 발광 소자 (13) 의 봉지에 적용된다. 한편, 플랜저 (35) 를 사용하여 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사상으로 압출하는 실시형태 1 의 방법 (플랜저법) 은, 분할 전의 발광 디바이스에 있어서의 각 발광 소자 (13) 의 봉지뿐만 아니라, 개개로 분할된 발광 디바이스에 있어서의 각 발광 소자 (13) 의 봉지에도 적용 가능하다.
<실시형태 2 의 총괄>
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법은, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 혼합하는 혼합 공정과, 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고, 실리콘 수지 (21) 는, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 2 차 가교 온도 T1 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것이다.
본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지 (21) 를 사용하고 있기 때문에, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 를 사용하여 가열 용융하면서 혼련할 때, 혼련된 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지 (21) 의 점도를 조정함으로써, 혼련물 (25) 에 있어서의 형광체 (22) 의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 혼련물 (25) 을 적어도 1 개 이상의 관통공이나 형성된 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출함으로써, 형광체 (22) 를 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산시킨 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 의하면, 예를 들어, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지함으로써, 발광 디바이스간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법에 의하면, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 끈상으로 함으로써, 예를 들어, 벌크상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 비해, 가열시의 실리콘 수지 (21) 의 용융 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 형광체를 침강시키지 않게 실리콘 수지 (21) 의 점도를 조정하면서, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열함으로써 효율적으로 용융시켜, 용도에 따른 원하는 형상으로 가공하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 형광체 (22) 를 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산시킨 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 로 가공하고, 이 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지함으로써, 발광 디바이스 (1b) 간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
그러므로, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법에 의하면, 발광 디바이스 (1b) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있는 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 제조할 수 있다.
[실시형태 3]
본 발명에 관련된 발광 장치의 제조 방법에 관한 제 3 실시의 일 형태에 대해, 도 16 ∼ 도 23 에 기초하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의상, 상기 서술한 실시형태 1, 2 에서 설명한 도면과 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법은, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 의 제조 방법이 상이한 점에서 실시형태 1 및 2 와 상이하다.
<발광 디바이스 (1c) 의 구성>
도 16 은 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 발광 디바이스 (1c) 의 외관 구성을 나타내는 사시도이다.
도 16 에 나타내는 바와 같이 발광 디바이스 (1c) 는, 도 1 에 나타낸 발광 디바이스 (1a) 에서, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 대신에, 형광체 함유 봉지 수지 (형광체 함유 봉지재) (20c) 를 구비한 구성이다. 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 는, 후술하는 바와 같이, 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제가 첨가되어 있는 점에서 형광체 함유 봉지 수지 (20) 와 상이하다.
발광 디바이스 (1c) 중, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 이외의 다른 구성은, 발광 디바이스 (1a) 와 동일하다.
회로 기판 (11) 의 캐비티 (12) 내는, 광 투과성을 갖는 실리콘 수지에 의해 구성된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 의해 봉지되어 있다.
<발광 디바이스 (1c) 의 제조 방법>
다음으로, 도 16 에 나타내는 발광 디바이스 (1c) 의 제조 방법에 대해, 주로 도 17, 도 18 을 참조하여 설명한다.
도 16 에 나타내는 발광 디바이스 (1c) 의 제조 공정에서는, 먼저, 캐비티 (12) 내에 발광 소자 (13) 를 실장한다. 이 발광 디바이스 (1c) 의 제조 공정 중, 캐비티 (12) 내에 발광 소자 (13) 를 실장하는 공정에 대해서는, 도 2(a) ∼ 도 2(d) 를 사용하여 설명한 것과 동일하므로 설명을 생략한다.
도 2(a) ∼ (d) 를 사용하여 설명한 방법에서, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 각 캐비티 (12) 내에, 발광 소자 (13) 를 다이 본딩 및 와이어 본딩에 의해 실장한 후, 각 캐비티 (12) 내를 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 로 봉지한다.
도 17(a) ∼ 도 17(c) 는 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 충전하는 공정을 나타내는 개략도이다.
형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 함유되는 실리콘 수지 및 형광체는, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되는 실리콘 수지 및 형광체와 동일하다.
즉, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 있어서도, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 와 동일하게, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 함유되는 실리콘 수지의 점도 특성은 도 4 에 나타낸 그래프로 나타낸다.
또, 동일하게, 캐비티 (12) 에 대한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 충전으로부터 경화시킬 때까지의 일련의 공정에 있어서의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 실리콘 수지의 점도 변화는, 도 5(a) ∼ 도 5(d) 로 나타낸 그래프로 나타낸다.
도 17(a) 에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트 (31) 상에 발광 소자 (13) 가 실장된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 재치하고, 이 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 상방에 컷 플레이트 (32) 와, 다공 플레이트 (33) 와, 히터 블록 (34) 을 이 순서로 적층한다 (설치 공정). 그리고 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를, 다공 플레이트 (33) 상이고, 또한 히터 블록 (34) 의 개구부 (34a) 내에 재치한다 (재치 공정).
형광체 함유 봉지 수지 (20c) 는, 실리콘 수지에 형광체가 균일하게 분산된 것이다. 이 실리콘 수지는, 후술하는 2 차 가교 온도 미만의 소정의 온도, 시간의 부가에 의해 1 차 가교하고, 실리콘 수지보다 비중이 큰 입자 (예를 들어, 형광체 등) 를 함유시켜도 완전하게 침강되지 않을 정도 또한 가공이 가능한 점도 (100 ㎩·S 이상 1E + 5 ㎩·S 이하) 를 갖는 액상이 아닌 상태를 유지한다.
형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에는, 필요한 광학적 특성에 따라, 여러 가지 형광체가 혼련되어 형광체의 농도 (함유율) 가 조정되지만, 이 실리콘 수지를 사용하면, 2 차 가교 전의 상태이면 그 점도를 반복 조정할 수 있기 때문에, 후술하는 바와 같이, 형광체의 분산 상태가 균일한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 형성할 수 있다.
또한, 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 대해서는 후술한다.
히터 블록 (34) 은, 실온 T0 에서부터 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열 용융할 수 있는 2 차 가교 온도 T1 미만의 온도 범위를 포함하는 온도 조정 기능을 구비한 것이다. 히터 블록 (34) 은, 관통한 개구부 (34a) 를 갖는 프레임상 부재이고, 이 개구부 (34a) 내에 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 가 배치된다.
다공 플레이트 (33) 는, 복수의 다공 플레이트 관통공 (관통공) (33a) 이 형성된 것이다. 다공 플레이트 관통공 (33a) 은, 캐비티 (12) 에 대응하는 위치에 형성되어 있고, 후술하는 바와 같이, 플랜저 (35) 에 의한 가압에 의해, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 가 각 캐비티 (12) 를 향하여 압출된다.
컷 플레이트 (32) 는, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 소정의 길이로 절단하는 것이다. 컷 플레이트 (32) 에는, 다공 플레이트 관통공 (33a) 에 대응하는 컷 플레이트 관통공 (32a) 이 형성되어 있고, 컷 플레이트 (32) 를 도면 중의 화살표 방향으로 편심 운동시킴으로써, 컷 플레이트 관통공 (32a) 에 형성된 블레이드 (칼날) (32b) (도 7 을 참조) 로 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 소정의 길이로 절단한다.
히터 플레이트 (31) 는, 재치된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열하는 것이다. 히터 플레이트 (31) 는, 2 차 가교 온도 T1 에서 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열한다.
이와 같은 각 부재를 상기 서술한 바와 같이 설치한 후, 히터 블록 (34) 에 의해 다공 플레이트 (33) 에 재치된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열 용융하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 점도를 저하시킨다.
이 때, 도 5(a) 에서 나타낸 바와 같이, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 근방의 온도 T4 (예를 들어, 80 ℃ 이상 120 ℃ 미만) 까지 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열함으로써, 실리콘 수지의 점도를 형광체의 침강을 억제하면서 유동 가능한 점도 V4 까지 저하시킨다 (도 5(a) 중 P4 를 참조).
다음으로, 도 17(b) 에 나타내는 바와 같이, 플랜저 (35) 를 사용하여, 다공 플레이트 (33) 에 재치된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 향하여 가압한다. 이로써, 도 17(c) 에 나타내는 바와 같이, 다공 플레이트 (33) 의 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 가 각 캐비티 (12) 를 향하여 사상으로 압출된다 (압출 공정).
도 18 은 도 17(c) 에 나타내는 압출 공정을 나타내는 단면도이다. 도 18 에 나타내는 바와 같이, 플랜저 (35) 의 가압에 의해, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 는, 다공 플레이트 (33) 의 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 사상으로 압출된다. 그리고 사상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 가 소정의 길이에 이르렀을 때, 컷 플레이트 (32) 를 편심 회전시킴으로써, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 로 절단한다. 이로써, 각 캐비티 (12) 에 소정의 길이로 절단된 형광체 함유량이 동일한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 동시에 충전할 수 있다 (충전 공정).
또한, 다공 플레이트 관통공 (33a) 의 치수 (d) 를 캐비티 (12) 의 개구부의 치수 (D) 보다 작게 함으로써, 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 가 충전되기 쉬워진다. 또, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 길이를 조정함으로써, 캐비티 (12) 의 용적에 맞춘 적당량의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 충전하기 쉬워진다.
각 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 가 충전된 후, 도 5(b) 에 나타낸 바와 같이, 히터 플레이트 (31) 에 의해 2 차 가교 온도 T1 (예를 들어, 125 ℃) 에서 가열한다 (도 5(b) 중 P1 을 참조). 이로써, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하여 경화가 시작된다 (경화 공정 : 도 5(c) 중 P2 를 참조). 이 때, 캐비티 (12) 에 충전된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 는, 히터 플레이트 (31) 에 의해 캐비티 (12) 의 저부측에서부터 경화되기 시작한다. 그 때문에, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 경화 수축에 의한 응력을 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 상부, 즉, 캐비티 (12) 의 개구부측에 분포시킬 수 있기 때문에, 크랙 등의 발생을 억제하여 발광 디바이스 (1c) 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
그리고 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 오븐 등으로 2 차 가교 온도 T1 이상 (예를 들어, 125 ℃ 이상 170 ℃ 이하) 에서 가열함으로써, 실리콘 수지를 완전하게 경화시킨다. 그 후, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 오븐 등으로부터 취출하고, 실온 T0 까지 온도를 저하시킨다. 이 때, 도 5(d) 에 나타낸 바와 같이, 온도가 실온 T0 까지 저하되었을 경우에도, 2 차 가교가 형성된 실리콘 수지의 점도는 V2 가 된다 (도 5(d) 중 P3 을 참조).
이 후, 도 8 을 사용하여 설명한 바와 같이, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 분할하는 공정을 실시한다.
즉, 각 캐비티 (12) 에 실장된 발광 소자 (13) 가 2 차 가교를 형성한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 의해 봉지되면, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 1 개의 캐비티 (12) 별로 각각 분할한다. 이로써, 형광체 함유량이 균일한 복수의 발광 디바이스 (1c) 를 동시에 제조할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 발광 디바이스 (1c) 간의 색도 분포 범위는, 매카담 타원 2-스텝의 색도 관리 기준을 만족할 수 있다. 매카담 타원이란, 특정한 중심색에 대한 식별 변동의 표준 편차를 xy 색도도로 나타낸 것으로, 인간의 눈으로는 색도의 편차를 식별할 수 없는 레벨을 실현할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 의하면, 발광 디바이스 (1c) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차 (색도 분포의 범위) 를 비교하여 저감시킬 수 있다.
또한, 상기 압출 공정에 있어서, 히터 블록 (34) 은 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열함으로써, 실리콘 수지의 점도를 형광체의 침강을 억제하면서 유동 가능한 점도 V4 까지 저하시키고 있지만, 압출의 압력을 높임으로써, 히터 블록 (34) 의 온도를 높이지 않고 실온 T0 에서 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 압출하는 것은 가능하여, 히터 블록 (34) 을 실온 T0 인 상태로 해도 된다.
<블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법>
다음으로, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법에 사용되는 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 대해, 도 19 ∼ 도 21 을 참조하여 설명한다.
도 19(a) ∼ 도 19(c) 는 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법을 나타내는 개략도이고, 도 20(a) 및 도 20(b) 는 도 19(a) ∼ 도 19(c) 에 나타내는 공정에 있어서의 실리콘 수지의 점도 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
먼저, 도 19(a) 에 나타내는 바와 같이, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 충분히 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다.
다음으로, 도 19(b) 에 나타내는 바와 같이, 분말 혼합물 (24) 에 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 (부차적으로 점도를 저하시키는) 가소제 (23) 를 첨가한다. 또한, 가소제 (23) 의 상세한 것에 대해서는 후술한다. 그리고 도 20(a) 에 나타내는 바와 같이, 실온 T0 에서부터 온도 T5 (예를 들어, 40 이상 60 ℃ 미만) 까지 가열함으로써 실리콘 수지 (21) 를 용융하여, 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도 V5 까지 저하시켜 (도면 중 P5 를 참조), 실리콘 수지 (21) 에 형광체 (22) 를 혼련한다.
이 때, 가열 용융된 실리콘 수지 (21) 끼리가 융합하여, 형광체 (22) 를 휩쓸려 들어가게하면서 혼련된다. 또, 상기 서술한 바와 같이, 실리콘 수지 (21) 의 점도를 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도 V5 까지 저하시킨 상태에서 혼련함으로써, 실리콘 수지 (21) 중의 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있다.
그리고 도 20(b) 에 나타내는 바와 같이, 온도 T5 에서부터 실온 T0 까지 온도를 저하시킴으로써, 실리콘 수지 (21) 에 형광체 (22) 를 균일하게 분산시킨 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조할 수 있다.
여기서, 1 차 가교된 실리콘 수지 (21) 는, 실온 T0 에 있어서 비교적 높은 점도를 가지고 있어, 가열에 의한 용융성이 낮고, 또, 택 (부착) 성 및 젖음성도 낮다. 그 때문에, 가열시에 실리콘 수지 (21) 끼리가 충분히 융합하지 않아 간극이 많은 상태가 된다. 이와 같은 상태에서 실리콘 수지 (21) 에 2 차 가교를 형성하여 전경화시켰을 경우, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 크랙 등이 발생하기 쉬워진다. 크랙의 발생을 억제하기 위해서는, 2 차 가교 후의 실리콘 수지 (21) 의 탄성률을 저하시키는 것이 바람직하다.
그래서, 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 드라이 믹싱하여 얻은 분말 혼합물 (24) 에, 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제 (23) 를 소량 첨가하고 있다.
이 가소제 (23) 는, 실리콘 수지 (21) 의 가교 밀도를 저하시키는 것이어도 된다. 이로써, 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 바람직하게 저하시켜, 발광 소자 (13) 를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
또, 가소제 (23) 는, 1 차 가교시의 실리콘 수지의 점도를 저하시키는 것이어도 된다. 이로써, 형광체 함유 봉지 수지의 가공 등이 용이해지고, 또, 분말 혼합물 (24) 에 상용성을 가지게 함으로써, 실리콘 수지 (21) 를 간극없이 하나로 합쳐지기 쉽게 할 수 있다.
이와 같은 가소제 (23) 로서 예를 들어, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 것으로, 무관능기성 실리콘 오일 또는 단관능기성 실리콘 오일 등을 바람직하게 사용할 수 있고, 매트릭스 실리콘과 반응하는 것이어도 되고, 반응하지 않는 것이어도 된다. 가소제 (23) 는, 발광 디바이스 (1c) 의 특성에 맞춰 적절히 선택된다.
도 21 은 가소제 (23) 의 첨가의 유무에 의한 실리콘 수지 (21) 의 점도 및 탄성률의 변화를 나타내는 표이다. 도 21 에서는 2 차 가교 전 (1 차 가교 상태) 의 실리콘 수지 (21) 의 점도, 및 2 차 가교 후의 실리콘 수지 (21) 의 탄성률을 나타내고 있다.
도 21 에 나타내는 바와 같이, 실리콘 수지 (21) 에 대해 가소제 (23) 를 첨가 (11 중량％ 의 예) 함으로써, 2 차 가교 전의 실리콘 수지 (21) 의 25 ℃ 에 있어서의 점도를 1/3 정도로까지 저하시킬 수 있다. 또, 2 차 가교 전의 실리콘 수지 (21) 의 120 ℃ 에 있어서의 점도를 1/100 정도로까지 저하시킬 수 있다.
가소제 (23) 의 첨가량에 의해 실리콘 수지 (21) 의 점성의 값은 바뀌지만, 대략 25 ℃ 에서 1 × 104 ㎩·s ∼ 1 × 105 ㎩·s 이고, 120 ℃ 에서 1 × 102 ㎩·s ∼ 1 × 104 ㎩·s 이다. 또한, 가소제 (23) 의 첨가량은, 실리콘 수지 (21) 에 대한 가소제 (23) 의 중량비로 나타내면, 5 ∼ 20 중량％ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 8 ∼ 15 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 11 중량％ 정도이다.
또한, 실리콘 수지 (21) 에 대해 가소제 (23) 를 첨가함으로써, 2 차 가교 형성 후의 실리콘 수지 (21) 의 25 ℃ 에 있어서의 탄성률을 ∼ 5 × 107 ㎩ 에서부터 ∼1 × 107 ㎩ 까지 저하시킬 수 있다. 또, 2 차 가교 형성 후의 실리콘 수지 (21) 의 125 ℃ 에 있어서의 탄성률을 ∼ 1 × 107 ㎩ 에서부터 ∼ 2 × 106 ㎩ 까지 저하시킬 수 있다.
이와 같이, 가소제 (23) 를 첨가함으로써, 2 차 가교 전의 실리콘 수지 (21) 의 점도를 저하시킬 수 있기 때문에, 1 차 가교가 형성된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 가공 등이 용이해진다.
또, 가소제 (23) 를 첨가함으로써, 실리콘 수지의 가교 밀도가 저하되기 때문에, 25 ℃ 및 125 ℃ 에 있어서의 2 차 가교 형성 후의 실리콘 수지 (21) 의 탄성률을 저하시킬 수 있다. 이로써, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시형태에서는, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 함유되는 형광체 (22) 를 1 종류로 했지만, 발광색, 입경 또는 비중 등이 상이한 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 사용해도 된다. 예를 들어, 적색 발광 형광체 및 녹색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조하여, 청색의 LED 칩 (발광 소자 (13)) 에 적용해도 된다. 또, 청색 발광 형광체 및 황색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조하여, 청자색의 LED 칩에 적용해도 된다.
이 경우에도, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다.
그 후, 분말 혼합물 (24) 에 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 (부차적으로 점도를 저하시키는) 가소제 (23) 를 첨가한다.
다음으로, 실리콘 수지 (21) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하여, 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도까지 저하시켜, 실리콘 수지 (21) 에 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 혼련한다.
이 때, 가열 용융한 실리콘 수지 (21) 끼리가 융합하고, 융합한 실리콘 수지 (21) 중에 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 휩쓸려 들어가게하면서 혼련한다. 또, 상기 서술한 바와 같이, 실리콘 수지 (21) 의 점도를 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 침강을 억제하면서 혼련 가능한 점도까지 저하시킨 상태에서 혼련함으로써, 실리콘 수지 (21) 중의 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있다.
그리고 온도를 실온 T0 까지 저하시킴으로써, 실리콘 수지 (21) 에 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 균일하게 분산시킨 블록상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 파장 변환 물질로서 형광체 (22) 를 사용했지만, 다른 파장 변환 물질을 사용해도 된다. 파장 변환 물질이란, 발광 소자 (13) 로부터 출사된 광을 파장 변환하여 상이한 파장의 광을 방출하는 기능을 갖는 것이다.
또한, 본 실시형태에서는, 다수의 캐비티 (12) 가 형성된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 사용했지만, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 대신에 평탄한 표면을 갖는 평면 회로 기판 (10a) 을 사용해도 된다.
<실시형태 3 의 총괄>
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1c) 의 제조 방법은, 상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티 (12) 에 발광 소자 (13) 가 실장된 다연 캐비티 회로 기판 (10) 의 상방에, 캐비티 (12) 에 대응하는 다공 플레이트 관통공 (33a) 이 형성된 다공 플레이트 (33) 를 대략 평행하게 설치하는 설치 공정과, 다공 플레이트 (33) 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과, 형광체의 분말을 혼합한 분말 혼합물 (24) 에 상기 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 혼련하고, 성형 (성형) 하여 얻어진 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 재치하는 재치 공정과, 형광체 함유 봉지재를 실온 T0 에 있어서, 또는 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 향하여 사상으로 압출하는 압출 공정과, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 소정의 길이로 절단하여 캐비티 (12) 에 충전하는 충전 공정과, 캐비티 (12) 에 충전된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고, 실리콘 수지는, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 2 차 가교 온도 T1 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것이다.
본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1c) 의 제조 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지 (21) 에 형광체 (22) 의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지 (21) 의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지 (21) 에 혼련된 형광체 (22) 의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체 (22) 를 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산시킨 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 얻을 수 있다.
그리고 이 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 향하여 사상으로 압출하여 소정의 길이로 절단함으로써, 각 캐비티 (12) 에 동량의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 동시에 충전 (포팅) 할 수 있다. 여기서, 각 캐비티 (12) 에 충전된 소정의 길이의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 있어서의 형광체 함유량은 균등하기 때문에, 이 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 발광 소자 (13) 를 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 의해 봉지할 수 있다.
그러므로, 본 실시형태에 의하면, 발광 디바이스 (1c) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 디바이스의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1c) 의 제조 방법에 의하면, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 형성된 캐비티 (12) 의 수나 치수 등에 따라, 다공 플레이트 (33) 에 다공 플레이트 관통공 (33a) 을 형성함으로써, 각종 발광 디바이스 (1c) 의 제조에 용이하게 대응하는 것이 가능해지기 때문에, 발광 디바이스 (1c) 의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관련된 발광 디바이스 (1c) 의 제조 방법에 의하면, 분말 혼합물 (24) 에 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 낮추기 위해 가소제 (23) 를 첨가하고 있다. 그 때문에, 발광 소자 (13) 를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 발광 디바이스 (1c) 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
<변형예>
(변형예 1)
도 22 는 충전 공정의 변형예를 나타내는 단면도이다. 도 22 에 나타내는 바와 같이, 다공 플레이트 (33) 를 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 대해 수직인 방향으로 다연 캐비티 회로 기판 (10) 으로부터 이간하도록 이동시킴으로써, 다공 플레이트 관통공 (33a) 으로부터 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 절단해도 된다.
이 경우, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열해 두는 것이 바람직하다. 이로써, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 도달한 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 하단부를 그 열에 의해 캐비티 (12) 의 저부에 부착시킬 수 있다. 그 때문에, 사상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 하단부가 캐비티 (12) 에 도달한 타이밍에서, 다공 플레이트 (33) 를 상승시킴으로써, 사상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 절단하여 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다. 또한, 다공 플레이트 (33) 대신에, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 하강시킴으로써 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 절단해도 된다.
이 절단 방법에 의하면, 컷 플레이트 (32) 및 컷 플레이트 (32) 를 편심 회전시키는 구동 장치 등을 사용하지 않고, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 절단할 수 있다.
또, 다공 플레이트 (33) 와 다연 캐비티 회로 기판 (10) 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 절단할 수도 있다.
이 경우에도, 다연 캐비티 회로 기판 (10) 을 가열해 두고, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 하단부가 캐비티 (12) 에 도달한 타이밍에서, 다공 플레이트 (33) 와 다연 캐비티 회로 기판 (10) 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 절단하여 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다.
(변형예 2)
도 23 은 디스펜서 (36) 를 사용하여 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 캐비티 (12) 에 충전하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 23 에 나타내는 바와 같이, 시린지 (36a) 를 갖는 디스펜서 (36) 를 사용하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 캐비티 (12) 에 충전해도 된다.
디스펜서 (36) 는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 혼련된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 시린지 (36a) 에 수용 가능한 형상으로 재가공하고, 시린지 (36a) 에 수용한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 다연 캐비티 회로 기판 (10) 에 실장된 발광 소자 (13) 에 사상으로 토출하는 것이다.
디스펜서 (36) 는, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 수용하는 시린지 (수용부) (36a) 를 구비한다. 이 디스펜서 (36) 는, 시린지 (36a) 에 에어 혹은 피스톤으로 가압하여, 수용한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 토출하고, 캐비티 (12) 에 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 충전하는 것이다 (토출 공정). 또한, 에어 혹은 피스톤으로 가압할 때에는, 실리콘 수지의 2 차 가교 온도 미만에서 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열 용융하면서 토출해도 되고, 실온 T0 인 상태로 토출해도 된다.
단, 실리콘 수지의 2 차 가교 온도 미만에서 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열 용융하면서 토출하는 경우에는, 시린지 (36a) 에 수용된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 점도가 형광체를 침강시키지 않을 정도가 되도록, 시린지 (36a) 에 의한 가열 온도를 제어한다. 이로써, 종래와 같이, 실리콘 수지와 형광체의 비중차에 의해, 시린지 (36a) 내에 있어서 형광체가 침강하는 것을 억제할 수 있어, 형광체의 거의 균일한 분산 상태를 유지할 수 있다.
그 때문에, 디스펜서 (36) 를 사용한 토출 공정의 처음과 마지막에서 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 형광체 농도가 거의 변동되지 않고, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다. 또, 실온 T0 인 상태로 토출하는 경우에는, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 점도 저하는 발생하지 않기 때문에, 가열 용융하는 경우와 동일하게 디스펜서 (36) 를 사용한 토출 공정의 처음과 마지막에서 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 형광체 농도가 거의 변동되지 않고, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 각 캐비티 (12) 에 충전할 수 있다.
그리고 캐비티 (12) 에 충전한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 히터 플레이트 (31) 및 오븐 등에 의해 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 함유되는 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 캐비티 (12) 사이에서 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 의해, 각 발광 소자 (13) 를 봉지할 수 있다.
이와 같이, 디스펜서 (36) 를 사용한 경우에도, 발광 디바이스 (1c) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 디바이스의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또한, 디스펜서 (36) 를 사용하여, 캐비티 (12) 가 형성되어 있지 않은 표면이 평탄한 회로 기판에 실장된 복수의 발광 소자 (13) 에 대해 각 발광 소자 (13) 를 개별적으로, 혹은 수 개의 발광 소자 (13) 단위별로 봉지하도록 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 토출해도 된다.
이 경우에도, 발광 소자 (13) 의 표면에 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 밀착시킨 상태에서, 히터 플레이트 (31) 및 오븐 등에 의해 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 함유되는 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 발광 소자 (13) 를 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 의해 봉지할 수 있다.
[실시형태 4]
본 발명에 관련된 발광 장치의 제조 방법에 관한 다른 실시의 일 형태에 대해, 도 24 ∼ 도 26 에 기초하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의상, 상기 서술한 실시형태에서 설명한 도면과 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 관련된 발광 디바이스의 제조 방법은, 먼저, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조하고, 이 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가공한 것을 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지하는 점에 있어서, 실시형태 3 과 상이하다.
<끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법>
먼저, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 대해, 도 24 를 참조하여 설명한다.
도 24(a) ∼ 도 24(d) 는 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 24(a) 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다 (혼합 공정).
다음으로, 도 24(b) 에 나타내는 바와 같이, 분말 혼합물 (24) 에 가소제 (23) 를 첨가한다 (첨가 공정). 그리고 가소제 (23) 를 첨가한 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (혼련 압출 장치) (37) 에 투입하고, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서 혼련한다 (혼련 공정).
2 축 스크루 압출 장치 (37) 는, 평행하게 형성된 2 개의 스크루 (37a) 를 구비하고 있고, 이 2 개의 스크루 (37a) 가 각각 역방향으로 회전함으로써, 가열에 의해 실리콘 수지를 용융하면서, 분말 혼합물 (24) 을 혼련한다.
이 가열과 혼련에 의해, 도 24(c) 에 나타내는 바와 같이, 분말 혼합물 (24) 은 용융된 실리콘 수지에 형광체가 균일하게 분산된 혼련물 (25c) 이 된다. 이 혼련물 (25c) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (관통공) (37b) 로부터 끈상으로 압출함으로써, 도 24(d) 에 나타내는 바와 같이, 형광체가 실리콘 수지에 균일하게 분산된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조할 수 있다.
이와 같이, 형광체가 실리콘 수지에 균일하게 분산된 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 끈상으로 성형함으로써, 예를 들어, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지함으로써, 발광 디바이스간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있다.
또, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 끈상으로 함으로써, 예를 들어, 벌크상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 비해, 가열시의 실리콘 수지의 용융 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 형광체를 침강시키지 않게 2 차 가교 온도 T1 미만에서 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열 용융함으로써, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 상태를 유지한 채로, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 원하는 형상으로 용이하게 가공할 수 있다.
또한, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 의 수, 치수 및 형상은 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 변경 가능하다.
또, 본 실시형태에서는, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 함유되는 형광체 (22) 를 1 종류로 했지만, 발광색, 입경 또는 비중 등이 상이한 2 종류 이상의 형광체 (22) 를 사용해도 된다. 예를 들어, 적색 발광 형광체 및 녹색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조하여, 청색의 LED 칩 (발광 소자 (13)) 에 적용해도 된다. 또, 청색 발광 형광체 및 황색 발광 형광체의 조합을 함유하는 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조하여, 청자색의 LED 칩에 적용해도 된다.
이 경우에도, 1 차 가교가 형성된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 2 종류 이상의 형광체 (22) 의 분말을 혼합 상태가 균일해질 때까지 드라이 믹싱하여 분말 혼합물 (24) 을 얻는다.
그 후, 분말 혼합물 (24) 에 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 (부차적으로 점도를 저하시키는) 가소제 (23) 를 첨가한다.
다음으로, 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (혼련 압출 장치) (37) 에 투입하고, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하면서 혼련한다. 2 축 스크루 압출 장치 (37) 는, 평행하게 형성된 2 개에 스크루 (37a) 를 구비하고 있고, 이 2 개의 스크루 (37a) 가 각각 역방향으로 회전함으로써, 가열에 의해 실리콘 수지 (21) 를 용융하면서, 분말 혼합물 (24) 을 혼련한다.
이 가열과 혼련에 의해, 분말 혼합물 (24) 은 용융된 실리콘 수지 (21) 에 2 종류 이상의 형광체 (22) 가 균일하게 분산된 혼련물 (25c) 이 된다. 이 혼련물 (25c) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출함으로써, 2 종류 이상의 형광체 (22) 가 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 파장 변환 물질로서 형광체 (22) 를 사용했지만, 다른 파장 변환 물질을 사용해도 된다. 파장 변환 물질이란, 발광 소자 (13) 로부터 출사된 광을 파장 변환하여 상이한 파장의 광을 방출하는 기능을 갖는 것이다.
또, 본 실시형태에서는, 2 개의 스크루 (37a) 를 구비한 2 축 스크루 압출 장치 (37) 를 사용했지만, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 대신에, 1 개의 스크루 (37a) 를 구비한 1 축 스크루 압출 장치를 사용해도 된다. 혹은, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 대신에, 3 개 이상의 스크루 (37a) 를 구비한 다축 스크루 압출 장치를 사용해도 된다. 이로써, 분말 혼합물 (24) 의 혼련 효율, 및 혼련물 (25) 의 압출 효율을 향상시킬 수 있다.
여기서, 액상의 가소제 (23) 를 분말 혼합물 (24) 에 정량 또한 균일하게 혼련하기 위해서는, 배치 방식을 채용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 배치 방식의 니더를 사용할 수 있지만, 특히, 내부 귀환식의 고속 전단 교반 장치를 압출 장치로서 사용하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 1 개의 스크루를 구비한 내부 귀환식의 고속 전단 교반 장치를 사용한 경우, 스크루의 후단측으로부터 실린더 내에 투입된 가소제 (23) 및 분말 혼합물 (24) 은 스크루의 선단측으로 실린더 내를 이동한다. 그리고 스크루의 선단과 실린더의 내벽 사이에서 분말 혼합물 (24) 에 전단력이 부가되어 교반된다. 이 때, 실린더 내의 분말 혼합물 (24) 은 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열되어 있고, 스크루의 회전수는 2500 rpm 이상 3000 rpm 이하로 유지된다. 교반된 가소제 (23) 및 분말 혼합물 (24) 은, 스크루 내에 형성된 귀환부 경로를 지나 스크루의 후단측으로 이동한다.
이 순환을 일정 기간 반복함으로써, 가소제 (23) 와 분말 혼합물 (24) 은 충분히 교반되어 혼련물 (25c) 이 된다. 그 후, 실린더의 배출구로부터 혼련물 (25c) 을 끈상으로 압출함으로써, 형광체가 실리콘 수지에 균일하게 분산된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 얻을 수 있다.
<시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 성형 방법>
다음으로, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 시트상으로 가공하는 성형 방법 (가공 공정) 에 대해, 도 25 를 참조하여 설명한다.
도 25(a) ∼ 도 25(d) 는 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 시트상으로 가공하는 성형 방법을 나타내는 개략도이다. 이하에서는, 히트 프레스에 의해, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 시트상으로 가공하는 성형 방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 25(a) 에 나타내는 바와 같이, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 히터 플레이트 (31) 에 배치한다. 그리고 도 25(b) 에 나타내는 바와 같이, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하여, 형광체 함유 봉지 수지 (20) 에 함유되어 있는 형광체 (22) 를 침강시키지 않을 정도로 실리콘 수지의 점도를 저하시킨다.
다음으로, 도 25(c) 에 나타내는 바와 같이, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열된 가압 플레이트 (39) 에 의해 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가압한다. 이 때, 히터 플레이트 (31) 와 가압 플레이트 (39) 사이에 배치된 스페이서 (38) 에 의해, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 두께가 조정된다. 그리고 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 온도를 실온 T0 까지 저하시킴으로써, 도 25(d) 에 나타내는 바와 같이, 형광체가 균일하게 분산된 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 얻을 수 있다.
<발광 디바이스 (1d) 의 제조 방법>
다음으로, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 사용한 발광 디바이스 (발광 장치) (1d) 의 제조 방법에 대해, 도 26 을 참조하여 설명한다.
도 26(a) 및 도 26(b) 는 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 사용한 발광 디바이스 (1d) 의 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 발광 디바이스 (1d) 의 제조에는, 평면 회로 기판 (10a) 의 평탄한 표면에 발광 소자 (13) 가 종방향 및 횡방향으로 매트릭스상으로 실장된 평면 회로 기판 (10a) 이 사용된다. 이 평면 회로 기판 (10a) 을 사용함으로써, 다수의 발광 디바이스 (1d) 를 동시에 제조할 수 있다.
도 26(a) 에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트 (31) 상에, 복수의 발광 소자 (13) 가 실장된 평면 회로 기판 (10a) 과, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 이 순서로 적층한다. 그리고 히터 플레이트 (31) 에 의해 평면 회로 기판 (10a) 을 가열함으로써, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열 용융하여, 형광체 (22) 를 침강시키지 않을 정도로 실리콘 수지의 점도를 저하시킴과 함께, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 가열된 가압 플레이트 (39) 에 의해 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 평면 회로 기판 (10a) 의 방향으로 가압한다. 이로써, 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 발광 소자 (13) 의 상면 및 측면에 밀착시킬 수 있다.
다음으로, 이 상태에서, 히터 플레이트 (31) 에 의해 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 2 차 가교 온도 T1 에서 가열함으로써, 실리콘 수지에 2 차 가교를 형성시켜 전경화시킨다. 또한, 평면 회로 기판 (10a) 을 오븐 등으로 2 차 가교 온도 T1 이상의 온도에서 가열함으로써, 실리콘 수지를 완전하게 경화시킨 후, 평면 회로 기판 (10a) 을 취출하고, 실온 T0 까지 온도를 저하시킨다.
그리고 도 26(b) 에 나타내는 바와 같이, 평면 회로 기판 (10a) 을 1 개의 발광 소자 (13) 별로 각각 분할함으로써, 형광체 함유량이 균등화된 복수의 발광 디바이스 (1d) 를 제조할 수 있다.
<실시형태 4 의 총괄>
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법은, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지 (21) 의 분말과 형광체 (22) 의 분말을 혼합하는 혼합 공정과, 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물 (24) 에 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제 (23) 를 첨가하는 첨가 공정과, 가소제 (23) 를 첨가한 분말 혼합물 (24) 을 실리콘 수지 (21) 가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 T0 미만에서 가열 용융하면서, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 로 혼련하는 혼련 공정과, 혼련 공정에서 혼련한 혼련물 (25c) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 의 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고, 실리콘 수지 (21) 는, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 2 차 가교 온도 T1 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것이다.
본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지 (21) 를 사용하고 있기 때문에, 실온 T0 에서부터 2 차 가교 온도 T1 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 분말 혼합물 (24) 을 2 축 스크루 압출 장치 (37) 를 사용하여 가열 용융하면서 혼련할 때, 혼련된 형광체 (22) 의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지 (21) 의 점도를 조정함으로써, 혼련물 (25c) 에 있어서의 형광체 (22) 의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 혼련물 (25c) 을 적어도 1 개 이상의 관통공이나 형성된 배출구 (37b) 로부터 끈상으로 압출함으로써, 형광체 (22) 를 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산시킨 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 의하면, 예를 들어, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지함으로써, 발광 디바이스간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 의하면, 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 끈상으로 함으로써, 예를 들어, 벌크상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 비해, 가열시의 실리콘 수지 (21) 의 용융 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 형광체를 침강시키지 않게 실리콘 수지 (21) 의 점도를 조정하면서, 2 차 가교 온도 T1 미만에서 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열함으로써 효율적으로 용융시켜, 용도에 따른 원하는 형상으로 가공하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 형광체 (22) 를 실리콘 수지 (21) 에 균일하게 분산시킨 시트상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 로 가공하고, 이 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 사용하여 발광 소자 (13) 를 봉지함으로써, 발광 디바이스 (1d) 간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
그러므로, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 의하면, 발광 디바이스 (1d) 간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있는 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 제조할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 의하면, 분말 혼합물 (24) 에 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제 (23) 를 첨가하고 있다.
즉, 본 실시형태에 관련된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 의 제조 방법에 의하면, 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물 (24) 에 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제 (23) 를 첨가하는 첨가 공정을 포함하고, 상기 혼련 공정에서는, 가소제 (23) 를 첨가한 분말 혼합물 (24) 을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 2 축 스크루 압출 장치 (37) 로 혼련한다.
이 때문에, 발광 소자 (13) 를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 발광 디바이스 (1d) 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
[정리]
본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법은, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과 형광체의 분말을 혼합하는 혼합 공정과, 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물을 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치 (2 축 스크루 압출 장치 (37)) 로 혼련하는 혼련 공정과, 상기 혼련 공정에서 혼련한 혼련물을 적어도 1 개의 관통공이 형성된 상기 혼련 압출 장치의 배출구로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 분말 혼합물을 혼련 압출 장치를 사용하여 가열 용융하면서 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 혼련물에 있어서의 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 이 혼련물을 배출구로부터 끈상으로 압출함으로써, 실리콘 수지에 형광체를 균일하게 분산시킨 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 제조할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지에 의하면, 예를 들어, 형광체 함유 봉지 수지를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
또, 상기의 방법에 의하면, 형광체 함유 봉지 수지를 끈상으로 함으로써, 예를 들어, 벌크상의 형광체 함유 봉지 수지에 비해, 가열시의 실리콘 수지의 용융 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 형광체 (22) 를 침강시키지 않게 2 차 가교 온도 T1 미만에서 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 가열 용융함으로써, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 상태를 유지한 채로, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 원하는 형상으로 용이하게 가공할 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 원하는 형상의 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하는 것이 가능해진다.
그러므로, 상기의 방법에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있는 형광체 함유 봉지 수지의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법에서는, 추가로 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물에 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가하는 첨가 공정을 포함하고, 상기 혼련 공정에서는, 상기 가소제를 첨가한 상기 분말 혼합물을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치로 혼련한다.
상기의 방법과 같이, 분말 혼합물에 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가함으로써, 발광 소자를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법에서는, 상기 가소제는 상기 실리콘 수지의 가교 밀도를 저하시키는 것이어도 된다.
상기의 방법에 의하면, 가소제는, 실리콘 수지의 2 차 가교 밀도를 저하시키기 때문에, 실리콘 수지 (21) 의 2 차 가교 후의 탄성률을 바람직하게 저하시켜, 발광 소자를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지에 크랙 등이 발생하는 것을 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법에서는, 상기 가소제는, 1 차 가교에 의해 반경화된 상기 실리콘 수지의 점도를 저하시키는 것이어도 된다.
상기의 방법에 의하면, 가소제는, 1 차 가교에 의해 반경화된 상기 실리콘 수지의 점도를 저하시키기 때문에, 형광체 함유 봉지 수지의 가공 등이 용이해지고, 또, 분말 혼합물에 상용성을 가지게 함으로써, 실리콘 수지를 간극없이 하나로 합쳐지기 쉽게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법에서는, 상기 가소제는, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 것이어도 된다.
상기의 방법에 의하면, 가소제는, 실리콘 수지를 주성분으로 하기 때문에, 실리콘 수지에 대해 안정적으로 작용하여 탄성률이나 점도를 저하시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법에서는, 상기 압출 공정에서 끈상으로 압출된 상기 혼련물을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하고, 가압에 의해 평판상 혹은 시트상으로 가공하는 가공 공정을 추가로 포함하는 것이어도 된다.
상기의 방법에서는, 압출 공정에서 끈상으로 압출된 혼련물을 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하고, 가압에 의해 평판상 혹은 시트상으로 가공하는 가공 공정을 추가로 포함하는 것이기 때문에, 형광체를 침강시키지 않게 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 상태를 유지한 채로, 혼련물을 판상 또는 시트상으로 가공할 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 평판상 또는 시트상의 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법에서는, 상기 압출 공정에서 끈상으로 압출된 상기 혼련물을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하고, 가압에 의해 평판상 혹은 시트상으로 가공하는 가공 공정을 추가로 포함하는 것이어도 된다.
상기의 방법에서는, 압출 공정에서 끈상으로 압출된 혼련물을 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하고, 가압에 의해 평판상 혹은 시트상으로 가공하는 가공 공정을 추가로 포함하는 것이기 때문에, 형광체를 침강시키지 않게 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 상태를 유지한 채로, 혼련물을 판상 또는 시트상으로 가공할 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 평판상 또는 시트상의 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 분산된 형광체 함유 봉지재로서, 상기 실리콘 수지는 끈상으로 성형되어 있고, 또한 실온에서부터 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에서는, 상기 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지에 혼련된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 얻을 수 있다.
이와 같은 끈상의 형광체 함유 봉지 수지에 의하면, 예를 들어, 형광체 함유 봉지 수지를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
그러므로, 상기의 구성에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있는 형광체 함유 봉지 수지를 실현할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법은, 상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티에 발광 소자가 실장된 기판 (다연 캐비티 회로 기판 (10)) 의 상방에, 상기 캐비티에 대응하는 관통공 (다공 플레이트 관통공 (33a)) 이 형성된 다공판 (다공 플레이트 (33)) 을 대략 평행하게 설치하는 설치 공정과, 상기 다공판 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체를 혼련한 형광체 함유 봉지재를 재치하는 재치 공정과, 상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서, 또는 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 상기 관통공으로부터 상기 기판을 향하여 사상으로 압출하는 압출 공정과, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재를 소정의 길이로 절단하여 상기 캐비티에 충전하는 충전 공정과, 상기 캐비티에 충전된 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지에 혼련된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 형광체 함유 봉지 수지를 얻을 수 있다.
그리고 이 형광체 함유 봉지 수지를, 실온에 있어서, 또는 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 관통공으로부터 기판을 향하여 사상으로 압출하여 소정의 길이로 절단함으로써, 각 캐비티에 동량의 형광체 함유 봉지 수지 (20) 를 동시에 충전 (포팅) 할 수 있다. 여기서, 각 캐비티에 충전된 소정의 길이의 형광체 함유 봉지 수지의 형광체 함유량은 균등하기 때문에, 이 형광체 함유 봉지 수지를 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 발광 소자를 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지에 의해 봉지할 수 있다.
그러므로, 상기의 방법에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또, 상기의 방법에 의하면, 기판에 형성된 캐비티의 수나 치수 등에 따라, 다공판에 관통공을 형성함으로써, 각종 발광 장치의 제조에 용이하게 대응하는 것이 가능해지기 때문에, 발광 장치의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 재치 공정에서 상기 다공판 상에 재치되는 상기 형광체 함유 봉지재는, 상기 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에, 상기 형광체의 분말과, 또한 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 혼련한 것이어도 된다.
상기의 방법과 같이, 분말 혼합물에 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가함으로써, 발광 소자를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 관통공의 치수는, 상기 캐비티의 개구 치수보다 작아도 된다.
상기의 구성에 의하면, 관통공의 치수는, 캐비티의 개구 치수보다 작기 때문에, 캐비티에 형광체 함유 봉지 수지가 충전되기 쉬워지고, 또, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지의 길이를 조정함으로써, 캐비티의 용적에 맞춘 적당량의 형광체 함유 봉지 수지를 충전할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정 및 상기 경화 공정에 있어서, 상기 기판을 저면측에서 가열해도 된다.
상기의 방법에서는, 충전 공정 및 경화 공정에 있어서, 기판을 저면측에서 가열하기 때문에, 캐비티에 충전된 형광체 함유 봉지 수지는, 캐비티의 저부로부터 경화되기 시작한다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 형광체 함유 봉지 수지의 경화 수축에 의한 응력을 형광체 함유 봉지 수지의 상부, 즉, 캐비티의 개구부측에 분포시킬 수 있으므로, 발광 소자에 대한 응력 부하를 경감시켜 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정에 있어서, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 대략 평행하게 형성된 상기 관통공마다 형성된 복수의 칼날 (블레이드 (32b)) 을 갖는 절단판 (컷 플레이트 (32)) 을 상기 기판에 대해 평행한 방향으로 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
상기의 방법에 의하면, 관통공마다 형성된 복수의 칼날을 갖는 절단판을 기판에 대해 평행한 방향으로 이동시킴으로써, 칼날에 의해 형광체 함유 봉지재를 동시에 절단할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판 또는 상기 기판을, 그 기판에 대해 수직인 방향으로 이간하도록 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
상기의 방법에서는, 기판이 가열되어 있기 때문에, 기판에 도달한 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지의 하단부를 그 열에 의해 캐비티의 저부에 부착시킬 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 사상의 형광체 함유 봉지 수지의 하단부가 캐비티에 도달한 후, 다공판 또는 기판을 이간하도록 이동시킴으로써, 사상의 형광체 함유 봉지 수지를 절단하여 각 캐비티에 충전할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
상기의 방법에서는, 기판이 가열되어 있기 때문에, 기판에 도달한 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지의 하단부를 그 열에 의해 캐비티의 저부에 부착시킬 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 사상의 형광체 함유 봉지 수지의 하단부가 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 사상의 형광체 함유 봉지 수지를 절단하여 각 캐비티에 충전할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 디스펜서는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 분산된 형광체 함유 봉지재를 기판에 실장된 발광 소자에 사상으로 토출하는 디스펜서로서, 상기 형광체 함유 봉지재를 수용하는 수용부 (시린지 (36a)) 를 구비하고, 상기 수용부는, 수용한 상기 형광체 함유 봉지재를 가열 가능한 가열 기구를 갖고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지에 혼련된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 형광체 함유 봉지 수지를 얻을 수 있다.
그리고 디스펜서는, 수용한 형광체 함유 봉지재를 가열 가능한 가열 기구를 가지고 있기 때문에, 예를 들어, 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 수용한 상기 형광체 함유 봉지재를 가열 용융하는 것이 가능하다. 그 때문에, 실리콘 수지에 분산된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 수용부에 있어서 실리콘 수지에 분산된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해지므로, 이 디스펜서를 사용하여, 형광체의 분산 상태가 유지된 형광체 함유 봉지 수지를 캐비티에 충전할 수 있다.
따라서, 상기의 구성에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 디스펜서를 실현할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법은, 상기 디스펜서를 사용하여, 상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서, 또는 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 상기 발광 소자에 토출하여 상기 발광 소자의 표면에 밀착시키는 토출 공정과, 상기 발광 소자의 표면에 밀착시킨 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기의 방법에 의하면, 디스펜서를 사용하여, 형광체의 분산 상태가 유지된 형광체 함유 봉지 수지를 발광 소자에 토출할 수 있으므로, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 실현할 수 있다.
[정리 2]
본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법은, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과 형광체의 분말을 혼합하는 혼합 공정과, 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물에 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가하는 첨가 공정과, 상기 가소제를 첨가한 상기 분말 혼합물을 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치 (2 축 스크루 압출 장치 (37)) 로 혼련하는 혼련 공정과, 상기 혼련 공정에서 혼련한 혼련물을 적어도 1 개의 관통공이 형성된 상기 혼련 압출 장치의 배출구로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 분말 혼합물을 혼련 압출 장치를 사용하여 가열 용융하면서 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 혼련물에 있어서의 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 이 혼련물을 배출구로부터 끈상으로 압출함으로써, 실리콘 수지에 형광체를 균일하게 분산시킨 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 제조할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 끈상의 형광체 함유 봉지 수지에 의하면, 예를 들어, 형광체 함유 봉지 수지를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
또, 상기의 방법에 의하면, 형광체 함유 봉지 수지를 끈상으로 함으로써, 예를 들어, 벌크상의 형광체 함유 봉지 수지에 비해, 가열시의 실리콘 수지의 용융 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 형광체 (22) 를 침강시키지 않게 2 차 가교 온도 T1 미만에서 끈상의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 가열 용융함으로써, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 상태를 유지한 채로, 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 원하는 형상으로 용이하게 가공할 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 원하는 형상의 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하는 것이 가능해진다.
그러므로, 상기의 방법에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있는 형광체 함유 봉지 수지의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 분말 혼합물에 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가함으로써, 발광 소자를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 분산된 형광체 함유 봉지재로서, 상기 실리콘 수지는 끈상으로 성형되어 있고, 또한 실온에서부터 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에서는, 상기 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지에 혼련된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 끈상의 형광체 함유 봉지 수지를 얻을 수 있다.
이와 같은 끈상의 형광체 함유 봉지 수지에 의하면, 예를 들어, 형광체 함유 봉지 수지를 동일한 길이로 절단함으로써, 형광체 함유량이 동일한 복수의 형광체 함유 봉지 수지를 용이하게 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들 형광체 함유 봉지 수지를 사용하여 발광 소자를 봉지함으로써, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화할 수 있다.
그러므로, 상기의 구성에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시킬 수 있는 형광체 함유 봉지 수지를 실현할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법은, 상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티에 발광 소자가 실장된 기판 (다연 캐비티 회로 기판 (10)) 의 상방에, 상기 캐비티에 대응하는 관통공 (다공 플레이트 관통공 (33a)) 이 형성된 다공판 (다공 플레이트 (33)) 을 대략 평행하게 설치하는 설치 공정과, 상기 다공판 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에, 형광체와, 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 혼련한 형광체 함유 봉지재를 재치하는 재치 공정과, 상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서, 또는 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 상기 관통공으로부터 상기 기판을 향하여 사상으로 압출하는 압출 공정과, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재를 소정의 길이로 절단하여 상기 캐비티에 충전하는 충전 공정과, 상기 캐비티에 충전된 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 방법에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지에 혼련된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 형광체 함유 봉지 수지를 얻을 수 있다.
그리고 이 형광체 함유 봉지 수지를, 실온에 있어서, 또는 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 관통공으로부터 기판을 향하여 사상으로 압출하여 소정의 길이로 절단함으로써, 각 캐비티에 동량의 형광체 함유 봉지 수지 (20c) 를 동시에 충전 (포팅) 할 수 있다. 여기서, 각 캐비티에 충전된 소정의 길이의 형광체 함유 봉지 수지의 형광체 함유량은 균등하기 때문에, 이 형광체 함유 봉지 수지를 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 실리콘 수지를 전경화시킴으로써, 각 발광 소자를 형광체 함유량이 균등화된 형광체 함유 봉지 수지에 의해 봉지할 수 있다.
그러므로, 상기의 방법에 의하면, 발광 소자간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또, 상기의 방법에 의하면, 기판에 형성된 캐비티의 수나 치수 등에 따라, 다공판에 관통공을 형성함으로써, 각종 발광 장치의 제조에 용이하게 대응하는 것이 가능해지기 때문에, 발광 장치의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 분말 혼합물에 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가함으로써, 발광 소자를 봉지한 형광체 함유 봉지 수지에 크랙 등이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 관통공의 치수는, 상기 캐비티의 개구 치수보다 작아도 된다.
상기의 구성에 의하면, 관통공의 치수는, 캐비티의 개구 치수보다 작기 때문에, 캐비티에 형광체 함유 봉지 수지가 충전되기 쉬워지고, 또, 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지의 길이를 조정함으로써, 캐비티의 용적에 맞춘 적당량의 형광체 함유 봉지 수지를 충전할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정 및 상기 경화 공정에 있어서, 상기 기판을 저면측에서 가열해도 된다.
상기의 방법에서는, 충전 공정 및 경화 공정에 있어서, 기판을 저면측에서 가열하기 때문에, 캐비티에 충전된 형광체 함유 봉지 수지는, 캐비티의 저부로부터 경화되기 시작한다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 형광체 함유 봉지 수지의 경화 수축에 의한 응력을 형광체 함유 봉지 수지의 상부, 즉, 캐비티의 개구부측에 분포시킬 수 있으므로, 발광 소자에 대한 응력 부하를 경감시켜 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정에 있어서, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 대략 평행하게 형성된 상기 관통공마다 형성된 복수의 칼날 (블레이드 (32b)) 을 갖는 절단판 (컷 플레이트 (32)) 을 상기 기판에 대해 평행한 방향으로 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
상기의 방법에 의하면, 관통공마다 형성된 복수의 칼날을 갖는 절단판을 기판에 대해 평행한 방향으로 이동시킴으로써, 칼날에 의해 형광체 함유 봉지재를 동시에 절단할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판 또는 상기 기판을, 그 기판에 대해 수직인 방향으로 이간하도록 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
상기의 방법에서는, 기판이 가열되어 있기 때문에, 기판에 도달한 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지의 하단부를 그 열에 의해 캐비티의 저부에 부착시킬 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 사상의 형광체 함유 봉지 수지의 하단부가 캐비티에 도달한 후, 다공판 또는 기판을 이간하도록 이동시킴으로써, 사상의 형광체 함유 봉지 수지를 절단하여 각 캐비티에 충전할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
상기의 방법에서는, 기판이 가열되어 있기 때문에, 기판에 도달한 사상으로 압출된 형광체 함유 봉지 수지의 하단부를 그 열에 의해 캐비티의 저부에 부착시킬 수 있다.
따라서, 상기의 방법에 의하면, 사상의 형광체 함유 봉지 수지의 하단부가 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 사상의 형광체 함유 봉지 수지를 절단하여 각 캐비티에 충전할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 디스펜서는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 분산된 형광체 함유 봉지재를 기판에 실장된 발광 소자에 사상으로 토출하는 디스펜서로서, 상기 형광체 함유 봉지재를 수용하는 수용부 (시린지 (36a)) 를 구비하고, 상기 수용부는, 수용한 상기 형광체 함유 봉지재를 가열 가능한 가열 기구를 갖고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에서는, 상기의 특성을 갖는 실리콘 수지를 사용하고 있기 때문에, 실온에서부터 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에 있어서 온도를 변화시킴으로써, 실리콘 수지의 점도를 반복 조정할 수 있다.
그 때문에, 용융된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련할 때, 혼련된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 실리콘 수지에 혼련된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 형광체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시킨 형광체 함유 봉지 수지를 얻을 수 있다.
그리고 디스펜서는, 수용한 형광체 함유 봉지재를 가열 가능한 가열 기구를 가지고 있기 때문에, 예를 들어, 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서, 수용한 상기 형광체 함유 봉지재를 가열 용융하는 것이 가능하다. 그 때문에, 실리콘 수지에 분산된 형광체의 분산 상태를 유지할 수 있을 정도로 실리콘 수지의 점도를 조정함으로써, 수용부에 있어서 실리콘 수지에 분산된 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해지므로, 이 디스펜서를 사용하여 형광체의 분산 상태가 유지된 형광체 함유 봉지 수지를 캐비티에 충전할 수 있다.
따라서, 상기의 구성에 의하면, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 디스펜서를 실현할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법은, 상기 디스펜서를 사용하여, 상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서, 또는 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 상기 발광 소자에 토출하여 상기 발광 소자의 표면에 밀착시키는 토출 공정과, 상기 발광 소자의 표면에 밀착시킨 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기의 방법에 의하면, 디스펜서를 사용하여, 형광체의 분산 상태가 유지된 형광체 함유 봉지 수지를 발광 소자에 토출할 수 있으므로, 발광 장치간의 형광체 함유량을 균등화하여, 색도의 편차를 저감시키는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 실현할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 일 양태에 관련된 형광체 함유 봉지재의 제조 방법은, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과 형광체의 분말을 혼합하는 혼합 공정과, 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물에 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가하는 첨가 공정과, 상기 가소제를 첨가한 상기 분말 혼합물을 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치로 혼련하는 혼련 공정과, 상기 혼련 공정에서 혼련한 혼련물을 적어도 1 개의 관통공이 형성된 상기 혼련 압출 장치의 배출구로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 가소제는, 상기 실리콘 수지의 가교 밀도를 저하시켜도 된다.
또, 상기 가소제는, 1 차 가교에 의해 반경화된 상기 실리콘 수지의 점도를 저하시켜도 된다.
또, 상기 가소제는, 실리콘 수지를 주성분으로 해도 된다.
또, 상기 압출 공정에서 끈상으로 압출된 상기 혼련물을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하고, 가압에 의해 평판상 또는 시트상으로 가공하는 가공 공정을 추가로 포함해도 된다.
이상과 같이, 본 발명의 일 양태에 관련된 발광 장치의 제조 방법은, 상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티에 발광 소자가 실장된 기판의 상방에, 상기 캐비티에 대응하는 관통공이 형성된 다공판을 대략 평행하게 설치하는 설치 공정과, 상기 다공판 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에, 형광체의 분말과, 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 혼련한 형광체 함유 봉지재를 재치하는 재치 공정과, 상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서, 또는 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 상기 관통공으로부터 상기 기판을 향하여 사상으로 압출하는 압출 공정과, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재를 소정의 길이로 절단하여 상기 캐비티에 충전하는 충전 공정과, 상기 캐비티에 충전된 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 상기 관통공의 치수는, 상기 캐비티의 개구 치수보다 작아도 된다.
또, 상기 충전 공정 및 상기 경화 공정에 있어서, 상기 기판을 저면측에서 가열해도 된다.
또, 상기 충전 공정에 있어서, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 대략 평행하게 형성된 상기 관통공마다 형성된 복수의 칼날을 갖는 절단판을 상기 기판에 대해 평행한 방향으로 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
또, 상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판 또는 상기 기판을, 그 기판에 대해 수직인 방향으로 이간하도록 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
또, 상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단해도 된다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
산업상 이용가능성
본 발명은, LED 를 광원으로 하는 표시용 장치나 조명 기구, 디스플레이 등의 백라이트, 신호기, 옥외의 대형 디스플레이나 광고 간판 등에 사용되는 발광 디바이스의 제조에 바람직하게 이용할 수 있다.
1a 발광 디바이스 (발광 장치)
1b 발광 디바이스 (발광 장치)
1c 발광 디바이스 (발광 장치)
1d 발광 디바이스 (발광 장치)
10 다연 캐비티 회로 기판 (기판)
10a 평면 회로 기판 (기판)
11 회로 기판 (기판)
12 캐비티
13 발광 소자
20 형광체 함유 봉지 수지 (형광체 함유 봉지재)
20c 형광체 함유 봉지 수지 (형광체 함유 봉지재)
21 실리콘 수지
22 형광체
23 가소제
24 분말 혼합물
25 혼련물
25c 혼련물
32 컷 플레이트 (절단판)
32a 컷 플레이트 관통공 (관통공)
32b 블레이드 (칼날)
33 다공 플레이트 (다공판)
33a 다공 플레이트 관통공 (관통공)
36 디스펜서
36a 시린지 (수용부)
37 2 축 스크루 압출 장치 (혼련 압출 장치)
37b 배출구 (관통공)
T0 실온
T1 2 차 가교 온도
d 치수
D 치수 (개구 치수)

Claims (16)

1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과 형광체의 분말을 혼합하는 혼합 공정과,
상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물을 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치로 혼련하는 혼련 공정과,
상기 혼련 공정에서 혼련한 혼련물을 적어도 1 개의 관통공이 형성된 상기 혼련 압출 장치의 배출구로부터 끈상으로 압출하는 압출 공정을 포함하고,
상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
추가로, 상기 혼합 공정에서 혼합한 분말 혼합물에 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 첨가하는 첨가 공정을 포함하고,
상기 혼련 공정에서는, 상기 가소제를 첨가한 상기 분말 혼합물을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치로 혼련하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 가소제는, 상기 실리콘 수지의 가교 밀도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 가소제는, 1 차 가교에 의해 반경화된 상기 실리콘 수지의 점도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 가소제는, 실리콘 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압출 공정에서 끈상으로 압출된 상기 혼련물을 상기 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하고, 가압에 의해 평판상 또는 시트상으로 가공하는 가공 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 봉지재의 제조 방법.
삭제
상방을 향해 개구하는 복수의 캐비티에 발광 소자가 실장된 기판의 상방에, 상기 캐비티에 대응하는 관통공이 형성된 다공판을 평행하게 설치하는 설치 공정과,
상기 다공판 상에, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말을 혼련한 형광체 함유 봉지재를 재치하는 재치 공정과,
상기 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서 상기 관통공으로부터 상기 기판을 향하여 사상으로 압출하거나, 또는 상기 형광체 함유 봉지재를, 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서 상기 관통공으로부터 상기 기판을 향하여 사상으로 압출하는, 압출 공정과,
사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재를 소정의 길이로 절단하여 상기 캐비티에 충전하는 충전 공정과,
상기 캐비티에 충전된 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 경화시키는 경화 공정을 포함하고,
상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 재치 공정에서 상기 다공판 상에 재치되는 상기 형광체 함유 봉지재는, 상기 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에, 상기 형광체의 분말과, 또한 상기 실리콘 수지의 2 차 가교 후의 탄성률을 저하시키는 가소제를 혼련한 것인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 관통공의 치수는, 상기 캐비티의 개구 치수보다 작은 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 충전 공정 및 상기 경화 공정에 있어서, 상기 기판을 저면측에서 가열하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 충전 공정에 있어서, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 평행하게 형성된 상기 관통공마다 형성된 복수의 칼날을 갖는 절단판을 상기 기판에 대해 평행한 방향으로 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 11 항에 있어서,
상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판 또는 상기 기판을, 그 기판에 대해 수직인 방향으로 이간하도록 이동시킴으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 11 항에 있어서,
상기 충전 공정에 있어서, 사상으로 압출된 상기 형광체 함유 봉지재의 하단부가 상기 캐비티에 도달한 후, 상기 다공판과 상기 기판 사이에 압축한 공기를 분사함으로써, 상기 형광체 함유 봉지재를 절단하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
삭제
디스펜서 를 사용하여, 형광체 함유 봉지재를, 실온에 있어서 발광 소자에 토출하여, 상기 발광 소자의 표면에 밀착시키거나, 또는, 당해 디스펜서를 사용하여, 상기 형광체 함유 봉지재를, 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융하면서 상기 발광 소자에 토출하여 상기 발광 소자의 표면에 밀착시키는, 토출 공정과,
상기 발광 소자의 표면에 밀착시킨 상기 형광체 함유 봉지재를 상기 2 차 가교 온도 이상에서 가열하여 전경화시키는 경화 공정을 포함하 고,
상기 디스펜서는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지에 형광체의 분말이 분산된 형광체 함유 봉지재를 기판에 실장된 발광 소자에 사상으로 토출하는 디스펜서로서,
상기 형광체 함유 봉지재를 수용하는 수용부를 구비하고,
상기 수용부는, 수용한 상기 형광체 함유 봉지재를 가열 가능한 가열 기구를 갖고,
상기 실리콘 수지는, 실온에서부터 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만까지의 온도 영역에서 가역적으로 점도가 변화하고, 상기 2 차 가교 온도 이상의 온도 영역에서 전경화되고,
상기 디스펜서는, 1 차 가교에 의해 반경화된 실리콘 수지의 분말과 형광체의 분말을 혼합한 분말 혼합물이 상기 실리콘 수지가 2 차 가교를 형성하는 온도인 2 차 가교 온도 미만에서 가열 용융되면서, 1 축 이상의 스크루를 구비한 혼련 압출 장치로 혼련된 형광체 함유 봉지재를 상기 수용부에 수용하는, 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
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