KR101616739B1 - Gas supply unit and apparatus for processing substrate having the same - Google Patents

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남원식
연강흠
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(주)앤피에스
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Abstract

The present invention relates to a gas supply unit which supplies gases to a space wherein a substrate is processed. On an upper part of the processing space, the unit is connected to a central unit in a horizontal direction of a processing space and located at a distance outward from a process gas supply unit supplying process gases from the central unit to a lower part and the central unit. The gas supply unit supplies process gases to the central unit of the processing space wherein substrates are located on the upper part of the space where a substrate is processed, by including a cooling gas supply unit which supplies cooling gases, in order to be closer to the inside walls of the processing space than the process gases. The present invention adjusts a gas flow in the space where a substrate is processed to be suitable for the process by installing the gas supply unit such that the cooling gases can be supplied from a location outward from a place where the process gases are supplied. In addition, the present invention relates to a substrate processing apparatus comprising: a processing chamber having a processing space therein; a susceptor which is located in the processing chamber and divides horizontally the processing space; and a heat source unit which is located by penetrating at least a surface among surfaces extended from the outside of the susceptor to an upper and a lower directions of the processing chamber and at least a surface among surfaces horizontally extended in the processing chamber. Therefore, the heat source can be arranged away from the same distance or a similar distance from all regions in a substrate having curved surface, and heat is evenly transferred in the entire area of the substrate, thereby improving an efficiency and a productivity of a process for the substrate processing.

Description

가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 {Gas supply unit and apparatus for processing substrate having the same}Technical Field [0001] The present invention relates to a gas supply unit and a substrate processing apparatus including the gas supply unit.

본 발명은 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판이 처리되는 공간으로의 가스 공급을 용이하게 하고, 기판의 전체 영역을 균일하게 가열할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit and a substrate processing apparatus including the gas supply unit, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of facilitating gas supply to a space where a substrate is processed and uniformly heating an entire region of the substrate .

최근 들어, 기판 등을 열처리하는 방법으로 급속열처리(rapid thermal processing; RTP) 방법이 많이 사용되고 있다. In recent years, a rapid thermal processing (RTP) method has been widely used as a method of heat-treating a substrate or the like.

급속열처리 방법은 텅스텐 램프 등의 열원에서 나오는 방사광(放射光)을 기판에 조사하여 기판을 가열 처리하는 방법이다. 이러한 급속열처리 방법은 퍼니스(furnace)를 이용한 기존의 기판 열처리 방법과 비교하여, 신속하게 기판을 가열하거나 냉각시킬 수 있으며, 압력 조건이나 온도 대역의 조절 제어가 용이하여, 기판의 열처리 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The rapid thermal processing method is a method of heating a substrate by irradiating the substrate with radiation (emitted light) emitted from a heat source such as a tungsten lamp. Such a rapid thermal annealing method can heat or cool the substrate quickly, and can easily control the pressure condition and the temperature band, thereby improving the heat treatment quality of the substrate, compared with the conventional substrate heat treatment method using a furnace There are advantages to be able to.

이때, 기판 처리 장치에는 기판을 처리하기 위해 열원에서 나오는 방사광이 균일하게 기판에 도달하는 것이 요구되며, 이런 균일한 열처리 과정을 통해 기판상에 박막의 품질이 결정될 수 있다. At this time, in the substrate processing apparatus, it is required that the radiation emitted from the heat source reaches the substrate uniformly in order to process the substrate, and the quality of the thin film on the substrate can be determined through such a uniform heat treatment process.

특히, 곡면을 갖는 기판을 가열 처리함에 있어서, 열원유닛으로부터 방출되는 방사광이 균일하게 곡면을 갖는 기판의 표면으로 전달되는 것이 요구된다. In particular, in heat treatment of a substrate having a curved surface, it is required that the radiation light emitted from the heat source unit is uniformly transmitted to the surface of the substrate having a curved surface.

그러나, 기판 처리 장치 및 열원유닛의 구조적 특성상 곡면을 갖는 기판의 전체 영역으로 균일하게 열을 전달하는 것은 용이하지 않으며, 기판 처리 장치에서 열원유닛이 장착되는 공간의 한정으로 인해 열원유닛으로부터 방출되는 방사광이 도달하지 못하는 영역이 발생하게 된다. However, due to the structural characteristics of the substrate processing apparatus and the heat source unit, it is not easy to uniformly transfer heat to the entire area of the substrate having a curved surface. Due to the limitation of the space in which the heat source unit is mounted in the substrate processing apparatus, A region that can not be reached is generated.

이에, 기판의 전체 영역에 걸쳐 균일한 열전도성이 확보되지 않아 기판 상에 형성되는 박막의 품질이 저하되어 최종적으로 생산되는 제품의 품질이 저하되는 문제점을 야기하며, 불량상태의 제품에 의한 공정 설비의 효율성이 감소되는 문제점을 야기한다. Thus, uniform thermal conductivity is not ensured over the entire area of the substrate, resulting in a problem that the quality of the thin film formed on the substrate is lowered and the quality of the finally produced product is lowered. Thereby reducing the efficiency of the system.

한편, 그래핀(graphene)은 탄소원자들이 2차원 상에서 벌집 모양의 배열을 이루면서 원자 한 층의 두께를 가지는 전도성 물질로서, 다양한 저차원 나노 현상을 연구하는데 중요한 모델이 되어 왔다. 그리고 그래핀은 구조적, 화학적으로도 매우 안정할 뿐 아니라 매우 뛰어난 전도체로서, 실리콘에 비해 대략 100배 가량 빠르게 전자를 이동시킬 수 있으며, 구리에 비해 대략 100배 가량 더 많은 전자를 흐르게 할 수 있는 것으로 예측되었다.On the other hand, graphene has become an important model for studying various low-dimensional nano phenomena as a conductive material having a thickness of one layer of atoms while carbon atoms form a honeycomb arrangement in a two-dimensional phase. And graphene is not only very structurally and chemically stable, but also a very good conductor that can move electrons about 100 times faster than silicon and can flow about 100 times more electrons than copper Was predicted.

그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1차원 혹은 2차원 나노패턴을 가공하기가 매우 용이하다는 장점이 있다. 특히 이러한 장점을 활용하면 반도체-도체 성질을 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 탄소가 가지는 화학결함의 다양성을 이용해 센서, 메모리 등과 같은 광범위한 기능성 소자의 제작이 가능해 진다.Graphene is made up of carbon, which is a relatively light element, and it is very easy to fabricate 1D or 2D nanopatterns. Particularly, by utilizing these advantages, not only the semiconductor-conductor properties can be controlled, but also a wide variety of functional devices such as sensors, memories, and the like can be manufactured by utilizing the variety of the chemical defects of carbon.

다만, 상기에서 언급한 바와 같이 그래핀은 뛰어난 전기적/기계적/화학적 장점을 지니고 있음에도 불구하고, 아직까지도 실제 상용에 적용할 수 있는 현실적인 대량합성법이 소개되지 못하고 있다. 종래에는 주로 흑연을 기계적으로 분쇄하여 용액 상에 분산시킨 후 자기조립 현상을 이용해 박막으로 제조하는 방법이 알려져 있을 뿐, 이 경우 저 비용의 장점이 있으나 수많은 그래핀 조각들이 서로 겹치면서 연결된 구조로 이루어져 전기적, 기계적 성질은 기대에 미치지 못하였다. 또한, 최근 소개된 화학증기증착법에 의한 대면적 그래핀 합성 기술이 소개되면서 금속에 버금가는 전도성을 지닌 그래핀 박막을 제조하는 것이 가능하다고 알려진 바 있으나, 이 역시 고 비용이 요구되며, 상대적으로 높은 공정 온도가 요구되는 문제가 있었다.However, as mentioned above, although graphene has excellent electrical / mechanical / chemical advantages, a realistic mass synthesis method that can be applied to practical commercial applications is not yet introduced. Conventionally, a method of mechanically crushing graphite and dispersing it in a solution phase and then making it into a thin film by self-assembly phenomenon is known. In this case, although there is an advantage of low cost, many graphene pieces are stacked and connected to each other, , The mechanical properties did not meet expectations. Also, it is known that it is possible to manufacture a graphene thin film having a conductivity comparable to that of a metal by introducing a large area graphene thinning technique by a recently introduced chemical vapor deposition method. However, this is also required to have a high cost and a relatively high There is a problem that a process temperature is required.

KRKR 2010-01112982010-0111298 A1A1

본 발명은 설비의 증설이 요구되지 않고 곡면을 갖는 기판의 전체 영역을 균일하게 가열하여 기판상에 형성되는 박막의 품질을 증가시킬 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a gas supply unit and a substrate processing apparatus including the gas supply unit, which are capable of increasing the quality of a thin film formed on a substrate by uniformly heating the entire area of the substrate having no curved surface,

본 발명은 기판이 처리되는 공간 내부로 용이하게 가스를 공급할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a gas supply unit capable of easily supplying gas into a space where a substrate is processed and a substrate processing apparatus including the gas supply unit.

본 발명은 그래핀 박막의 상용화를 위하여 급속 열처리 방식으로 그래핀을 대량 생산할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a gas supply unit capable of mass-producing graphene by rapid thermal processing for commercialization of a graphene thin film, and a substrate processing apparatus including the gas supply unit.

본 발명은 공정 설비의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of increasing the efficiency and productivity of a process facility.

본 발명의 실시 예에 따른 기판이 처리되는 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛은 상기 처리 공간의 상부에서 상기 처리 공간의 수평방향으로의 중앙부에 연결되어, 상기 중앙부로부터 하부방향으로 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급부 및 상기 중앙부로부터 외곽방향으로 이격된 위치에 구비되어, 상기 공정가스보다 상기 처리 공간의 내벽에 근접하도록 냉각가스를 공급하기 위한 냉각가스 공급부를 포함한다.The gas supply unit for supplying the gas to the space in which the substrate is processed according to the embodiment of the present invention is connected to the horizontal central portion of the processing space at the upper portion of the processing space, And a cooling gas supply unit provided at a position spaced apart from the central part in the outward direction to supply a cooling gas closer to the inner wall of the processing space than the processing gas.

상기 공정가스 공급부는 상기 처리 공간의 상부에서 상기 처리 공간의 수평방향으로의 중앙부에 배치되는 가이드 부재와, 상기 가이드부재의 중앙을 상하방향으로 관통하여 연결되는 공정가스 공급관 및 상기 공정가스 공급관으로 상기 공정가스를 공급하는 공정가스 공급기를 포함할 수 있다. Wherein the process gas supply unit comprises: a guide member disposed at a central portion in a horizontal direction of the process space at an upper portion of the process space; a process gas supply pipe vertically penetrating the center of the guide member; And a process gas supplier for supplying the process gas.

상기 냉각가스 공급부는 상기 중앙부로부터 외곽방향으로 이격된 상기 처리 공간의 상부에 연결되는 제1 냉각가스 공급부 및 상기 처리 공간의 측부에 연결되어 상기 제1 냉각가스 공급부로부터 공급되는 냉각가스와 교차하는 방향으로 냉각가스를 공급하는 제2 냉각가스 공급부를 포함할 수 있다. Wherein the cooling gas supply unit includes a first cooling gas supply unit connected to an upper portion of the process space spaced from the central portion in the outward direction and a second cooling gas supply unit connected to a side of the process space, And a second cooling gas supply unit for supplying a cooling gas to the first cooling gas supply unit.

상기 제1 냉각가스 공급부로부터 공급되는 냉각가스는 상기 처리공간의 내측면을 따라 상기 처리 공간의 하부방향으로 공급될 수 있다.
The cooling gas supplied from the first cooling gas supply unit may be supplied in a lower direction of the processing space along the inner surface of the processing space.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리공간이 형성되는 처리 챔버와, 상하방향으로 연장 형성되어 상기 처리 챔버 내부에 배치되며, 상기 상하방향에 교차하는 수평방향으로 상기 처리공간을 분할하는 서셉터 및 상기 서셉터의 외측에서, 상기 처리챔버의 상하방향으로 연장되는 면 중 적어도 어느 한 곳 및 상기 처리챔버의 수평방향으로 연장되는 면 중 적어도 어느 한 곳을 관통하며 배치되는 열원유닛을 포함한다. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing chamber in which a processing space is formed, a processing chamber disposed in the processing chamber and extending in the vertical direction, and dividing the processing space in a horizontal direction crossing the up- And a heat source unit arranged to penetrate at least any one of a surface extending in the vertical direction of the processing chamber and a surface extending in the horizontal direction of the processing chamber from the outside of the susceptor, .

상기 처리 챔버는 상기 처리공간의 틀을 형성하며, 상기 상하방향 및 상기 수평방향으로 연장형성된 면 중 적어도 일부가 개방된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체의 개방된 면과 마주보는 일측이 개방 형성되며 상기 열원유닛이 장착되는 블록유닛을 포함할 수 있다. Wherein the processing chamber forms a frame of the processing space, and at least a part of the surfaces extending in the up-and-down direction and the horizontally extending direction is opened, a side of the chamber facing the open side of the chamber body is open, And a block unit to which the heat source unit is mounted.

상기 블록유닛은 상기 챔버 몸체의 상하방향으로의 개방면에 접촉 구비되는 제1 블록유닛과, 상기 챔버 몸체의 수평방향으로의 개방면에 접촉 구비되는 제2 블록유닛;을 포함할 수 있다. The block unit may include a first block unit that is in contact with an open top face of the chamber body, and a second block unit that is in contact with an opening face in a horizontal direction of the chamber body.

상기 제1 블록유닛은 상기 챔버 몸체의 상부에 탈착 가능하도록 구비되어 상기 챔버 몸체의 상부를 개폐하는 상부 블록 및 상기 상부 블록과 마주보는 상기 챔버 몸체의 하부에 탈착 가능하도록 구비되어, 상기 챔버 몸체의 하부를 개폐하는 하부 블록을 포함하고, 상기 제2 블록유닛은 상기 챔버 몸체의 수평방향으로의 개방면 중 적어도 어느 하나의 면에 각각 접촉 구비되는 측부 블록들을 ;을 포함할 수 있다. Wherein the first block unit is detachably mounted on the upper portion of the chamber body and is detachably mountable to a lower portion of the chamber body facing the upper block, And the second block unit includes side blocks each of which is in contact with at least one of the open faces in the horizontal direction of the chamber body.

상기 열원유닛은 상기 처리 챔버를 기준으로 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제1 열원유닛과, 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 8 방위 중 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제2 열원유닛을 포함할 수 있다. Wherein the heat source unit includes a first heat source unit positioned at least at one of four directions facing the horizontal side surfaces of the processing chamber relative to the processing chamber, And a second heat source unit positioned at least at one of the four orientations excluding the four orientations opposite to the horizontal sides of the processing chamber.

상기 제1 열원유닛은 수평방향으로 연장 형성되어 적어도 일단부가 상기 제2 블록유닛의 개방 형성된 일측에 교차하는 측벽을 관통하며 배치되며, 상기 제2 열원유닛은 상하방향으로 연장 형성되어 적어도 일단부가 상기 제1 블록유닛을 관통하며 배치될 수 있다. Wherein the first heat source unit extends horizontally and is disposed so as to penetrate a sidewall intersecting at least one end of the second block unit, the second heat source unit extending in the vertical direction, And may be disposed through the first block unit.

제2 열원유닛은 상기 제1 블록유닛에 일단부가 관통 배치되며, 상부 및 하부 중 어느 한 방향으로 연장 형성되는 제1 발열부 및 상기 제1 발열부의 연장방향에 교차하는 방향으로 상기 제1 발열부의 타단부에 연결되며, 상기 서셉터의 상단 또는 하단으로부터 이격되어 배치되는 제2 발열부를 포함할 수 있다. The second heat source unit may include a first heat generating unit that is disposed at one end of the first heat generating unit and extends in one of the upper and lower directions and a second heat generating unit that extends in a direction crossing the extending direction of the first heat generating unit, And a second heating part connected to the other end and spaced from the upper or lower end of the susceptor.

상기 열원유닛은 상기 서셉터의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳에 근접 배치되는 복수개의 열원바를 포함하며, 상기 복수개의 열원바 각각은 상기 서셉터의 상단 또는 하단으로부터 동일거리로 이격 배치되도록 형성될 수 있다. The heat source unit may include a plurality of heat source bars arranged close to at least one of an upper end and a lower end of the susceptor and each of the plurality of heat source bars may be spaced apart from the upper or lower end of the susceptor have.

상기 복수개의 열원바 각각의 단부를 수평방향으로 연결한 연결선의 평균직경은 상기 서셉터의 평균직경과는 동일하거나 작고, 상기 기판의 평균직경보다는 클 수 있다. The average diameter of the connection lines connecting the end portions of the plurality of heat source bars in the horizontal direction may be equal to or smaller than the average diameter of the susceptor and may be larger than the average diameter of the substrate.

상기 복수개의 열원바가 상기 서셉터의 상단에 근접 배치되는 복수개의 상부 열원바 및 상기 서셉터의 하단에 근접 배치되는 복수개의 하부 열원바로 구분될 때, 상기 복수개의 상부 열원바들의 단부를 수평방향으로 연결한 연결선의 평균직경은 상기 기판의 평균직경과 동일할 수 있다. When the plurality of heat source bars are divided into a plurality of upper heat source bars arranged close to the upper end of the susceptor and a plurality of lower heat sources arranged close to the lower end of the susceptor, The average diameter of the connected lines may be equal to the average diameter of the substrate.

상기 측부 블록들 각각은 상기 챔버 몸체와 마주보며 배치되며, 제1 열원유닛이 관통 장착되는 제1 블록부 및 상기 챔버 몸체와의 사이에 상기 제1 블록부가 배치되며, 상기 제1 블록부와 마주보는 일면에 반사유닛이 구비되는 제2 블록부를 포함할 수 있다. Wherein each of the side blocks is disposed to face the chamber body and includes a first block portion through which the first heat source unit is inserted and the first block portion between the chamber body and the first block portion, And a second block unit having a reflective unit on a viewing side.

상기 반사유닛은 상기 제2 블록부의 일면에 접촉 배치되는 접촉부 및 상기 접촉부에 대향 배치되며, 상기 제1 열원유닛의 외측 중 적어도 일부 영역을 둘러싸며 배치되는 반사부를 포함하며,Wherein the reflection unit includes a contact portion that is disposed in contact with one surface of the second block portion and a reflection portion that is disposed to face the contact portion and that is disposed so as to surround at least a part of the outer side of the first heat source unit,

상기 반사부는 상기 제1 블록부에 장착되는 제1 열원유닛의 개수와 대응되는 복수개의 오목홈 및 상기 복수개의 오목홈들을 상하방향으로 상호 연결하는 복수개의 연결면을 포함할 수 있다. The reflector may include a plurality of concave grooves corresponding to the number of the first heat source units mounted on the first block unit and a plurality of connecting surfaces interconnecting the plurality of concave grooves in the vertical direction.

상기 서셉터는 상기 열원유닛으로부터 이격 배치되어 상부 및 하부가 개방된 복수개의 조각들의 조합으로 구성되며, 상기 복수개의 조각들은 상하방향으로 적층되어 연결될 수 있다. The susceptor is composed of a combination of a plurality of pieces spaced from the heat source unit and opened at the top and the bottom, and the plurality of pieces can be stacked and connected in the vertical direction.

상기 복수개의 조각들은 서로 마주보는 단부가 요철(凹凸)구조로 결합할 수 있다. The ends of the plurality of pieces facing each other can be coupled to each other in a concavo-convex structure.

상기 기판을 상하방향으로 지지하며, 적어도 일부가 상기 처리 챔버의 내측 및 외측으로 이동 가능한 지지유닛이 구비되며, 상기 지지유닛에는 상기 처리 챔버를 개폐 가능하게 하는 도어가 설치될 수 있다. A support unit that supports the substrate in the vertical direction and at least a part of which can be moved inward and outward of the process chamber is provided, and the support unit is provided with a door for opening and closing the process chamber.

상기 지지유닛은 상하방향으로 연장 형성되어 상기 기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체의 하부에 일단이 연결되어 연장 형성되는 지지축 및 상기 지지축의 타단에 연결되어 상기 지지축을 승강 및 회전 가능하게 하는 구동기를 포함하며, 상기 도어는 상기 지지축의 상하방향으로의 어느 한 위치에서의 외측을 둘러싸며 배치될 수 있다. The support unit includes a support body extending vertically and supporting the substrate, a support shaft extending from one end of the support body and connected to the other end of the support shaft, and capable of lifting and lowering the support shaft, And the door may be disposed so as to surround the outside of the support shaft at any position in the vertical direction.

상기 처리 챔버의 하부에는 상기 처리 챔버 내의 처리 공간과 연통되는 보조공간을 형성하는 보조 유닛을 포함하고, 상기 보조 유닛은 상부 및 하부가 개방되고, 개방된 상단부가 상기 처리 챔버의 하면에 접촉 배치되는 보조 챔버와, 상기 보조 챔버의 측면을 관통하며 형성되는 배출홀 및 상기 배출홀에 적어도 일부가 삽입 배치되며, 상기 처리 공간과 연통되는 상기 보조 공간 내 기체를 상기 보조 챔버의 외부로 배출시키기 위한 배출부를 포함할 수 있다. And a lower portion of the processing chamber includes an auxiliary unit which forms an auxiliary space communicating with the processing space in the processing chamber, wherein the upper and lower portions of the auxiliary unit are open, and the opened upper end is disposed in contact with the lower surface of the processing chamber An auxiliary chamber, a discharge hole formed through the side surface of the auxiliary chamber, and at least a portion of the discharge hole for discharging the gas in the auxiliary space communicating with the processing space to the outside of the auxiliary chamber, Section.

상기 지지유닛에는 상기 지지체와 상기 지지축 사이에 구비되어 상기 지지체의 하단으로부터 하부로 연장 형성되는 연장체와, 일면에는 상기 지지축이 타면에는 상기 연장체가 연결되며, 상기 처리 공간 및 상기 보조 공간을 연통시키기 위한 연통홀이 형성될 수 있다. Wherein the supporting unit is provided with an extension body provided between the supporting body and the supporting shaft and extending downward from a lower end of the supporting body, and the extension body is connected to the other face of the supporting shaft on one side, A communication hole may be formed.

상기 지지체가 상기 처리공간에 배치되고, 상기 도어의 상면이 상기 보조 챔버의 하단부에 접촉 배치될 때, 상기 연통부재로부터 하부로 이격된 위치에서 상기 지지축의 외측을 둘러싸며 배치되며, 상기 보조 챔버의 하단부로부터 상기 배출홀이 형성된 위치까지의 높이와 동일하거나 작은 높이를 갖는 배출 유도부재를 포함할 수 있다.Wherein the supporting member is disposed in the processing space and is arranged to surround the outside of the supporting shaft at a position spaced apart from the communication member downward when the upper surface of the door is in contact with the lower end portion of the auxiliary chamber, And a discharge inducing member having a height equal to or smaller than a height from a lower end to a position where the discharge hole is formed.

상기 처리 챔버에는 상기 처리공간으로 공정가스 및 냉각가스 중 적어도 어느 하나를 공급하기 위한 가스 공급 유닛이 연결되며, 상기 가스 공급 유닛은 상기 처리 챔버의 상부에서 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 중앙부에 연결되는 공정가스 공급부 및 상기 중앙부로부터 외곽방향으로 이격되어 구비되는 냉각가스 공급부를 포함할 수 있다. Wherein the processing chamber is connected to a gas supply unit for supplying at least one of a process gas and a cooling gas to the process space, and the gas supply unit is connected to a horizontal central portion of the process chamber at an upper portion of the process chamber And a cooling gas supply unit spaced apart from the center of the process gas supply unit.

상기 공정가스 공급부로부터 공급되는 공정가스의 적어도 일부는 상기 서셉터의 안측면을 따라 상기 처리 챔버의 상부로부터 하부방향으로 이동하며, 상기 냉각가스 공급부로부터 공급되는 냉각가스의 적어도 일부는 상기 서셉터의 외측에서 이동할 수 있다. Wherein at least a part of the process gas supplied from the process gas supply section moves downward from the upper portion of the processing chamber along the inner side surface of the susceptor and at least a part of the coolant gas supplied from the cooling gas supply section flows into the susceptor It can move outside.

상기 가스 공급 유닛은 상기 상부 블록의 중앙부를 관통하며 연결되어 상기 처리공간으로 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급부 및 상기 상부 블록의 중앙부로부터 외곽방향으로의 상부 블록 및 상기 측부 블록 중 적어도 어느 한 곳을 관통하며 연결되어 상기 처리공간으로 냉각가스를 공급하기 위한 냉각가스 공급부를 포함할 수 있다. Wherein the gas supply unit includes a process gas supply unit for supplying a process gas to the process space through a central portion of the upper block and a process gas supply unit for supplying a process gas to at least one of the upper block and the side block from the central portion of the upper block, And a cooling gas supply unit for supplying the cooling gas to the process space.

상기 공정가스 공급부는 상기 상부블록 상에 배치되어 상기 공정가스가 이동하는 가이드 공간을 제공하는 가이드 부재와, 상기 가이드 부재의 중앙을 상하방향으로 관통하며 연결되어 상기 처리 공간과 연통되는 공정가스 공급관 및 상기 공정가스 공급관으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급기를 포함할 수 있다. The process gas supply unit includes a guide member disposed on the upper block to provide a guide space through which the process gas moves, a process gas supply pipe communicated with the process space vertically through the center of the guide member, And a process gas supplier for supplying the process gas to the process gas supply pipe.

상기 냉각가스 공급부는 상기 상부블록에 연결되는 제1 냉각가스 공급부; 및 상기 측부블록에 연결되는 제2 냉각가스 공급부;로 구분되고, 상기 제1 냉각가스 공급부는 상기 상부블록의 평면상에서의 상기 서셉터의 외측 위치에서 상기 상부블록을 상하방향으로 관통하며 연결되는 제1 냉각가스 경유관 및 상기 제1 냉각가스 경유관으로 냉각가스를 공급하기 위한 제1 냉각가스 공급기를 포함할 수 있다. Wherein the cooling gas supply unit includes: a first cooling gas supply unit connected to the upper block; And a second cooling gas supply unit connected to the side block, wherein the first cooling gas supply unit includes a first cooling gas supply unit that vertically penetrates the upper block at an outer position of the susceptor on a plane of the upper block, And a first cooling gas supply unit for supplying the cooling gas to the first cooling gas diesel pipe and the first cooling gas diesel pipe.

상기 냉각가스 공급부는 상기 상부블록에 연결되는 제1 냉각가스 공급부; 및 상기 측부블록에 연결되는 제2 냉각가스 공급부로 구분되고, 상기 제2 냉각가스 공급부는 상기 연결면들의 연장방향과 교차하는 방향으로 상기 제2 블록부 및 상기 연결면을 관통하며 적어도 일부가 삽입 배치되는 복수개의 제2 냉각가스 경유관, 상기 복수개의 제2 냉각가스 경유관들의 타단을 상호 연결하기 위한 경유관 연결부재 및 상기 경유관 연결부재에 연결되어 상기 냉각가스 공급관으로 냉각가스를 공급하기 위한 제2 냉각가스 공급기를 포함할 수 있다. Wherein the cooling gas supply unit includes: a first cooling gas supply unit connected to the upper block; And a second cooling gas supply unit connected to the side block, wherein the second cooling gas supply unit passes through the second block unit and the connection surface in a direction intersecting the extending direction of the connection surfaces, A plurality of second cooling gas diesel fuel pipes connected to the other end of the plurality of second cooling gas diesel fuel pipes for connecting the other ends of the plurality of second cooling gas diesel fuel pipes to each other, And a second cooling gas supply for the second cooling gas.

본 발명의 실시 예에 따른 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 의하면, 기판이 처리되는 공간으로의 가스의 공급을 용이하게 할 수 있으며, 곡면을 갖는 기판의 모든 측면으로 균일하게 열을 가할 수 있다. According to the gas supply unit and the substrate processing apparatus including the gas supply unit according to the embodiment of the present invention, it is possible to easily supply gas to the space where the substrate is processed and to uniformly heat the substrate on all sides of the curved substrate .

즉, 곡면을 갖는 기판의 모든 영역으로부터 이격거리가 동일하거나 유사하도록 열원을 근접 배치함으로써, 기판의 전체 영역에 균일하게 열이 전달됨으로 인한 기판 처리 공정의 효율성 및 생산성이 증가될 수 있다. 이처럼, 곡면을 갖는 기판의 모든 영역이 균일하게 가열될 수 있어, 기판의 일부 영역에 열화 및 냉점이 발생하는 것을 억제 및 방지할 수 있어, 최종적으로 생산되는 제품의 품질을 증가시킬 수 있다.That is, by arranging the heat sources close to each other so that the distance from the entire area of the substrate having the curved surface is the same or similar, the efficiency and productivity of the substrate processing process due to uniform heat transfer to the entire area of the substrate can be increased. As described above, all the regions of the substrate having a curved surface can be uniformly heated, and deterioration and cold point can be prevented and prevented from occurring in a part of the substrate, thereby increasing the quality of the finally produced product.

한편, 기판이 처리되는 공간의 상부에서 기판이 배치되는 처리 공간의 중앙부로 공정가스를 공급하고, 공정가스가 공급되는 위치보다 외곽방향으로 이격된 위치에서 냉각가스를 공급할 수 있도록 가스 공급 유닛을 설치함으로써, 기판이 처리되는 공간 내의 가스 흐름이 공정에 용이하도록 조절될 수 있다. On the other hand, a process gas is supplied to the central portion of the processing space where the substrate is disposed at the upper portion of the space where the substrate is processed, and a gas supply unit is installed so that the cooling gas can be supplied at a position spaced apart from the position where the process gas is supplied. , The gas flow in the space in which the substrate is processed can be adjusted to facilitate the process.

또한, 급속 열처리 방식을 응용하여 처리 챔버 내 수용된 기판을 가열하여 그래핀을 대량 생산할 수 있어, 전기적, 기계적 및 화학적으로 많은 장점을 지니고 있는 그래핀의 상용화를 도모할 수 있다. 따라서, 제품의 품질의 증가로 인해 공정의 수율 증가로 인한 공정설비의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있다. In addition, by applying the rapid thermal processing method, the substrate accommodated in the processing chamber can be heated to mass-produce the graphene, and the graphene having many advantages in terms of electrical, mechanical and chemical can be commercialized. Therefore, the efficiency of the process equipment and the productivity can be increased due to the increase of the yield of the process due to the increase of the quality of the product.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이다.
도 2a는 도 1의 기판 처리 장치의 A-A' 절단 사시도이다.
도 2b는 도 1의 기판 처리 장치의 A-A' 단면도이다.
도 2c는 도 1의 기판 처리 장치의 상부 평면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 열원유닛을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 서셉터를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 지지유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 작동 상태 및 기판 처리 장치 내부의 가스 흐름을 설명하기 위한 도면이다. 1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A is a cutaway AA 'of the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
2B is a cross-sectional view taken along line AA 'of the substrate processing apparatus of FIG.
2C is a top plan view of the substrate processing apparatus of FIG.
Figs. 3 to 5 are views showing a heat source unit according to an embodiment and a modification of the present invention. Fig.
6 is a view for explaining a susceptor according to an embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a support unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining the operating state of the substrate processing apparatus and the gas flow inside the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예를 첨부도면에 의거하여 상세하게 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있으며, 다양한 방법으로 수행될 수 있다. Before describing the embodiments of the present invention in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the invention is not limited to the details of construction and the arrangement of the elements described in the following detailed description or illustrated in the drawings. The invention may be embodied and carried out in other embodiments, and may be carried out in various ways.

여기서, 장치 또는 구성 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.Herein, it will be appreciated that the device or component orientation (e.g., "front", "back", "up", "down", "top" Quot ;, "left," " right, "" lateral," and the like) used herein are used merely to simplify the description of the present invention, It will be appreciated that the device or element does not indicate or imply that it should simply have a particular orientation. Also, terms such as " first "and" second "are used herein for the purpose of the description and the appended claims, and are not intended to indicate or imply their relative importance or purpose.

그리고, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
In addition, throughout the specification, when an element is referred to as "including " an element, it means that the element may include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

본 발명의 실시 예에 따른 가스 공급 유닛은 기판이 처리되는 공간으로의 가스 공급을 용이하게 할 수 있도록 구현된 유닛이고, 기판 처리 장치는 기판의 전체 영역을 균일하게 가열하며 기판에 박막이 균일하게 증착할 수 있도록 하기 위해 구현된 장치로서, 본 발명의 실시 예에서는 기판을 균일하게 가열하여 기판에 그래핀이 용이하게 증착되어 균일한 그래핀 박막을 형성하기 위한 장치로 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명의 가스 공급 유닛 및 기판 처리 장치가 사용되는 곳은 이에 한정되지 않고, 기판이 처리되는 공간으로 용이하게 공정 가스 또는 냉각가스를 공급할 수 있으며, 곡면을 갖는 기판의 모든 영역을 균일하게 가열하여야 하는 다양한 곳에 사용될 수 있다.
The gas supply unit according to the embodiment of the present invention is a unit implemented so as to facilitate gas supply to the space where the substrate is processed, and the substrate processing apparatus uniformly heats the entire area of the substrate and uniformly In the embodiment of the present invention, graphene can be easily deposited on a substrate by uniformly heating the substrate to form a uniform graphene thin film. However, the gas supply unit and the substrate processing apparatus of the present invention are not limited thereto. The substrate can be easily supplied with the process gas or the cooling gas into the space where the substrate is processed, and the entire area of the substrate having the curved surface can be uniformly It can be used in various places to be heated.

이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이며, 도 2a는 도 1의 기판 처리 장치의 A-A' 절단 사시도이고, 도 2b는 도 1의 기판 처리 장치의 A-A' 단면도이며 도 2c는 도 1의 기판 처리 장치의 상부 평면도이다. 그리고, 도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예 및 변형 예에 따른 열원유닛을 나타내는 도면이며, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 서셉터를 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 지지유닛을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 작동 상태 및 기판 처리 장치 내부의 가스 흐름을 설명하기 위한 도면이다. Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. 1, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. Is a top plan view of the substrate processing apparatus of Fig. FIG. 6 is a view for explaining a susceptor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a heat source unit according to an embodiment of the present invention. 1 is a view for explaining a support unit according to an embodiment. 8 is a view for explaining the operating state of the substrate processing apparatus and the gas flow inside the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 내부에 기판(S)이 처리되는 처리공간(P·A)이 형성되는 처리 챔버(100)와, 상하방향으로 연장 형성되어 처리 챔버(100)의 내부에 배치되며, 상하방향에 교차하는 수평방향으로 처리공간(P·A) 분할하는 서셉터(400) 및 서셉터(400)의 외측에서, 처리 챔버(100)의 상하방향으로의 측벽 중 적어도 어느 한 곳 및 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 측벽 중 적어도 어느 한 곳을 관통하며 배치되는 열원유닛(200)을 포함한다. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a processing chamber 100 in which a processing space P 占 in which a substrate S is processed is formed, The susceptor 400 is disposed inside the process chamber 100 and divides the processing space P in the horizontal direction crossing the vertical direction. And a heat source unit 200 arranged to penetrate at least any one of vertical and horizontal sidewalls of the processing chamber 100 and at least one of the sidewalls in the horizontal direction of the processing chamber 100.

또한, 기판 처리 장치(1)에는 기판(S)을 상하방향으로 지지하며, 적어도 일부가 처리 챔버(100)의 내측 및 외측으로 이동 가능한 지지유닛(500) 및 처리 챔버(100)의 하부에 배치되어, 처리 챔버(100) 내의 처리공간(P·A)과 연통되는 보조공간(E·A)을 형성하는 보조 유닛(600)이 추가로 구비될 수도 있다.
The substrate processing apparatus 1 is also provided with a support unit 500 which supports the substrate S in the vertical direction and at least a part of which can be moved inward and outward of the processing chamber 100, And an auxiliary unit 600 for forming an auxiliary space E · A in communication with the processing space P · A in the processing chamber 100 may be additionally provided.

처리 챔버(100)는 내부에 기판(S)을 수용하여 가열해주기 위한 공간(즉, 기판의 처리공간(P·A)이 마련된 구성으로서 진공의 가열 공간을 제공한다. 처리 챔버(100)는 내부가 빈 중공의 박스 형상을 나타낼 수 있다. 이와 같은 처리 챔버(100)는 하나의 몸체로 일체 제작될 수 있으나, 본 발명의 실시 예와 같이 하나 이상으로 분리되어 연결 또는 결합된 조립 몸체를 지닐 수 있다. 즉, 처리 챔버(100)는 처리공간(P·A)의 틀을 형성하며, 상하방향 및 수평방향으로의 측벽 중 적어도 일부가 개방된 챔버 몸체(110)와, 챔버 몸체(110)의 개방된 측벽과 마주보는 일측이 개방 형성되며, 열원유닛(200)이 상하방향 또는 수평방향으로 장착되는 블록유닛(130)을 포함한다. 또한, 처리 챔버(100)에는 처리공간(P·A) 내로 기판(S)이 이동 가능하도록 하는 것이 요구되는데, 이는 챔버 몸체(110)의 개방된 측벽을 폐쇄하는 블록유닛(130)이 챔버 몸체(110)에 탈착됨으로써 아동 경로를 형성할 수도 있으며, 블록유닛(130)에 추가로 게이트를 형성하여, 게이트를 개방 및 폐쇄하는 도어(150)로 기판(S)의 이송 경로를 형성할 수도 있다. 이때, 기판(S)이 상하방향으로 처리공간(P·A)에 로딩 및 언로딩 될 수 있도록 게이트는 기판(S)이 처리공간(P·A)에 반입 및 반출할 수 있을 정도의 크기로 형성되고, 더욱이, 기판(S)을 지지하는 후술하는 지지유닛(500)의 폭보다도 큰 크기로 형성되어 지지유닛(500)이 처리 챔버(100) 내로 용이하게 이동 가능하도록 형성될 수 있다. The processing chamber 100 is provided with a space for receiving and heating the substrate S therein (i.e., a vacuum heating space as a structure provided with a processing space P 占 of the substrate) The processing chamber 100 may be integrally formed with a single body, but may have at least one assembly body connected or coupled together as in the embodiment of the present invention. The processing chamber 100 forms a frame of the processing space P · A and includes a chamber body 110 in which at least a part of the sidewalls in the up and down direction and the horizontal direction is opened, The processing chamber 100 is provided with a processing space P · A and a processing unit 100. The processing unit 100 includes a block unit 130 that is open at one side facing the opened sidewall and in which the heat source unit 200 is installed vertically or horizontally. It is required that the substrate S be movable into the chamber < RTI ID = 0.0 > The block unit 130 closing the opened sidewall of the body 110 may be detached from the chamber body 110 to form a child path and further form a gate in the block unit 130 to open and close the gate. The gate may be connected to the substrate S so that the substrate S can be loaded and unloaded in the process space P · A in the vertical direction at this time. And is further formed to have a size larger than the width of a support unit 500 which will be described later that supports the substrate S and is supported by a support unit (not shown) 500 may be formed to be easily movable into the processing chamber 100.

이하에서는, 본 발명의 처리 챔버(100)가 상부, 하부 및 측부가 모두 개방된 챔버 몸체(110) 및 상부, 하부 및 측부가 모두 개방된 챔버 몸체(110)의 개방된 측면들에 장착되는 블록유닛(130)에 대해 자세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, the processing chamber 100 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the processing chamber 100 includes a chamber body 110 having upper, lower and side open both, The unit 130 will be described in detail.

챔버 몸체(110)는 상하방향 및 수평방향으로의 측면들이 모두 개방되고, 처리 공간(P·A)의 형상의 틀을 제공하기 위해 구비되는 것으로서, 처리 챔버(100)의 근본적인 구조물로 사용될 수 있다. 즉, 챔버 몸체(110)는 본 발명의 실시 예와 같이 처리 챔버(100)가 육면체의 구조를 나타내는 경우, 육면체의 면을 제외한 구조만 나타낼 수 있다.The chamber body 110 can be used as a fundamental structure of the processing chamber 100 as both side surfaces in the up-and-down direction and the horizontal direction are opened and provided to provide a frame of the shape of the processing space P · A . That is, when the processing chamber 100 exhibits a hexahedral structure as in the embodiment of the present invention, the chamber body 110 may show only the structure excluding the surface of the hexahedron.

블록유닛(130)은 챔버 몸체(110)의 상하방향 및 수평방향으로의 개방된 측면을 폐쇄하기 위해 구비되는 것으로서, 챔버 몸체(110)의 개방된 곳과 마주보는 일면이 개방 형성되도록 구비될 수 있다. 이때, 블록유닛(130)은 챔버 몸체(110)의 상하방향으로의 개방면에 접촉 배치되는 제1 블록유닛(131)과 챔버 몸체(110)의 수평방향으로의 개방면에 접촉 배치되는 제2 블록유닛(133)으로 구분될 수 있다. The block unit 130 is provided to close the open side surfaces of the chamber body 110 in the up and down directions and the horizontal direction and may be provided so as to open at one side thereof facing the opened position of the chamber body 110 have. The block unit 130 includes a first block unit 131 disposed in contact with the open top face of the chamber body 110 and a second block unit 131 disposed in contact with the open face of the chamber body 110 in the horizontal direction, And a block unit 133 as shown in FIG.

제1 블록유닛(131)은 챔버 몸체(110)의 상부 및 하부에 탈부착 가능하도록 구비되는 것으로서, 챔버 몸체(110)와 마주보는 일면이 개방 형성되는 커버(cover) 형태로 구비되어 챔버 몸체(110)에 구비될 수 있다. 이때, 제1 블록유닛(131)은 챔버 몸체(110)의 상부에 탈착 가능하도록 구비되어, 챔버 몸체(110)의 상부를 개폐하는 상부 블록(131a)과, 상부 블록(131a)과 마주보는 챔버 몸체(110)의 하부에 탈착 가능하도록 구비되어, 챔버 몸체(110)의 하부를 개폐하는 하부 블록(131b)을 포함한다. The first block unit 131 is detachably mounted on the upper and lower portions of the chamber body 110. The first block unit 131 is formed in a cover shape having a surface facing the chamber body 110, . The first block unit 131 is detachably mounted on the upper portion of the chamber body 110 and includes an upper block 131a for opening and closing an upper portion of the chamber body 110, And a lower block 131b that is detachably attached to the lower portion of the body 110 and opens and closes a lower portion of the chamber body 110. [

상부 블록(131a)은 처리 챔버(100)의 상부를 개폐 가능하게 하는 구조물로서, 상부 블록(131a)에는 기판(S)에 그래핀을 증착하기 위해 처리공간(P·A)으로 공정가스 및 냉각가스를 공급하기 위한 냉각가스 공급부(174)이 연결될 수 있다. 이는 후술하는 가스 공급유닛(170)을 설명할 때 보다 상세하게 설명하기로 한다. The upper block 131a is a structure for opening and closing the upper part of the process chamber 100. The upper block 131a is provided with a process gas P and a process gas P, A cooling gas supply unit 174 for supplying a gas may be connected. This will be described in more detail when the gas supply unit 170 described below is described.

하부 블록(131b)은 처리 챔버(100)의 하부를 개폐 가능하게 하는 구조물로서, 하부 블록(131b)에는 기판(S)을 처리공간(P·A) 내에 지지하는 지지유닛(500) 중 적어도 일부 구성이 처리공간(P·A)으로 이동할 수 있도록 하부 블록(131b)의 중앙영역을 관통하며 이동로(131b-1)가 형성될 수 있다. 이때, 하부 블록(131b)에 형성되는 이동로(131b-1)는 후술하는 보조 유닛(600)이 구비되지 않을 경우, 기판(S)의 반입 및 반출시 개방 및 폐쇄되는 게이트로 사용될 수 있다. The lower block 131b is a structure for opening and closing the lower part of the processing chamber 100 and the lower block 131b is provided with at least a part of the supporting unit 500 for supporting the substrate S in the processing space P · A The moving path 131b-1 may be formed through the central area of the lower block 131b so that the structure can move to the processing space P · A. At this time, the moving path 131b-1 formed in the lower block 131b can be used as a gate that is opened or closed when the substrate S is carried in and out, when the auxiliary unit 600 is not provided.

제2 블록유닛(133)은 챔버 몸체(110)의 수평방향으로의 측면들에 탈부착 가능하도록 복수의 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들을 포함하며 구비되는 것으로서, 후술하는 열원유닛(200) 중 일부 및 열원유닛(200)으로부터 방출되는 방사광을 서셉터(400) 쪽으로 집광시키기 위한 반사유닛(300)이 장착될 수 있다. The second block unit 133 includes a plurality of side blocks 133a, 133b, 133c and 133d so as to be attachable to and detachable from the lateral sides of the chamber body 110. The second block unit 133 includes a heat source unit 200 And a reflection unit 300 for condensing the radiation emitted from the heat source unit 200 toward the susceptor 400 can be mounted.

측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)은 챔버 몸체(110)의 수평 방향으로의 개방된 4개의 측면에 각각 접촉 구비되는 제1 내지 제 4 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)으로 구분되며, 제1 내지 제4 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들 각각은 챔버 몸체(110)와 마주보며 배치되며, 제1 열원유닛이 관통 장착되는 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)와 챔버 몸체(110)와의 사이에 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)가 배치되며, 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)와 마주보는 일면에 반사유닛(300)이 구비되는 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)를 포함한다. 이하에서는 복수개의 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들 중 하나를 기준으로 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1) 및 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)에 대해서 설명하나, 이는 제1 내지 제4 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d) 모두에 동일하게 적용되는 사항인 것은 자명하다. The side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d are divided into first to fourth side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d that are in contact with four open sides of the chamber body 110 in the horizontal direction. Each of the first to fourth side blocks 133a, 133b, 133c and 133d is disposed facing the chamber body 110. The first block parts 133a-1 and 133b 133b-1, 133c-1, and 133d-1 are disposed between the chamber body 110 and the chamber body 110, and the first block units 133a-1, 133c- The second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 having the reflection unit 300 on one surface thereof facing the first block units 133a-1, 133b-1, 133c- . Hereinafter, the first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1, and 133d-1 and the second block units 133a-1, 133b- 2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 of the first to fourth side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d.

제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)는 챔버 몸체(110)와 마주보는 일면 및 이와 마주보는 타면이 모두 개방 형성되며, 후술하는 열원유닛(200) 중 제1 열원유닛(230)이 일면 및 타면 방향(즉, 챔버 몸체와 마주보는 방향)과 교차하는 방향으로 관통하며 배치된다. 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)는 제1 열원유닛(230)이 상하방향으로 이격되어 측면을 관통하며 형성될 수 있다. The first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1, and 133d-1 are open on one surface facing the chamber body 110 and opposite surfaces thereof, The first heat source unit 230 is arranged to penetrate in a direction intersecting the one surface and the other surface direction (that is, the direction facing the chamber body). The first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1, and 133d-1 may be formed so that the first heat source unit 230 is vertically spaced and penetrates the side surface.

제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)는 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)와 마주보는 곳에 일면을 형성하여 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)의 타면쪽에 일면이 접촉 구비되어 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)을 형성한다. 이때, 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)와 마주보는 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)의 일면에는 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)에 장착되는 제1 열원유닛(230)의 적어도 일부를 감쌀 수 있는 반사유닛(300)이 구비되어, 제1 열원유닛(230)으로부터 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)쪽으로 방출되는 방사광을 반사유닛(300)으로 반사시켜 서셉터(400)쪽으로 집광되도록 할 수 있다. The second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 form one surface facing the first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1, and 133d- The side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d are formed on one side of the first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1, and 133d-1. At this time, on one surface of the second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 facing the first block units 133a-1, 133b-1, 133c- A reflection unit 300 is provided which can cover at least a part of the first heat source unit 230 mounted on the first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1 and 133d- The radiation emitted to the second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 from the unit 230 may be reflected by the reflection unit 300 to be converged toward the susceptor 400 .

반사유닛(300)은 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)에 접촉 구비되어, 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)의 타면과 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)의 일면이 접촉 배치될 때, 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)에 장착된 열원유닛(200)의 외측면 중 적어도 일부를 감싸며 배치될 수 있다. 즉, 반사유닛(300)은 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)의 일면에 접촉 배치되는 접촉부(310)와, 접촉부(310)에 대향 배치되며, 제1 열원유닛(230)의 외측 중 적어도 일부 영역을 둘러싸며 배치되는 반사부(330)를 포함한다. The reflection unit 300 is provided in contact with the second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 to form first block units 133a-1, 133b-1, 133c- The first block portions 133a-1, 133b-1, 133c-2, 133c-2 and 133c-2 are formed in such a manner that one surface of the second block portions 133a-2, 133b- 1 and 133d-1 of the heat source unit 200, as shown in FIG. That is, the reflection unit 300 includes a contact portion 310 disposed in contact with one surface of the second block portions 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2, And a reflector 330 surrounding at least a part of the outer side of the first heat source unit 230.

이때, 접촉부(310)는 일면과 접촉될 수 있도록 평평하게 형성되어 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)의 일면에 접촉 배치될 수 있으며, 반사부(330)는 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)에 장착되는 제1 열원유닛(230)의 개수와 대응되는 복수개의 오목홈(333)과, 복수개의 오목홈(333)들을 상하방향으로 상호 연결하는 복수개의 연결면(335)을 포함하여 구성될 수 있다. 즉, 복수개의 오목홈(333)들은 단면 모양이 반원형으로 형성되어 열원유닛(200)의 외측 중 적어도 일부 영역을 감싸며 배치될 수 있으며, 연결면(335)들은 열원유닛(200)이 삽입되는 오목홈(333)들을 상호 연결함으로써 반사유닛(300)을 구성할 수 있다. At this time, the contact portion 310 may be formed flat so as to be in contact with one surface, and may be disposed on one surface of the second block portions 133a-2, 133b-2, 133c-2 and 133d- 330 have a plurality of concave grooves 333 corresponding to the number of the first heat source units 230 mounted on the first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1, and 133d-1, And a plurality of connecting surfaces 335 connecting the concave grooves 333 in the vertical direction. That is, the plurality of concave grooves 333 may have a semicircular shape in cross section, and may be arranged to surround at least a part of the outer side of the heat source unit 200, and the connecting surfaces 335 may be arranged in a concave The reflection unit 300 can be constituted by interconnecting the grooves 333.

여기서, 반사유닛(300)의 재질은 특별히 한정하지는 않으나, 열원유닛(200)으로부터 방출되는 방사광을 반사시킬 수 있는 재질이 사용되는 것이 좋으며, 예컨대, 반사율이 우수한 재질인 세라믹이나 Ni 또는 Ni/Au 합금 등의 금속재질로 형성될 수 있다.The material of the reflection unit 300 is not particularly limited but may be a material capable of reflecting the radiation emitted from the heat source unit 200. For example, ceramic, Ni, or Ni / Au, Alloy or the like.

이와 같이, 본 발명의 처리 챔버(100)는 상하방향 및 수평방향으로의 측면이 모두 개방된 챔버 몸체(110)와 개방된 챔버 몸체(110)의 측면들에 접촉 배치되는 블록유닛(130)을 구비하여 조립형으로 형성됨으로써, 블록유닛(130)을 챔버 몸체(110)로부터 분리 및 장착함으로써, 처리 챔버(100)의 유지 보수 시 내부의 공정 설비들을 용이하게 처리공간(P·A)으로부터 반출 및 반입시킬 수 있다. 또한, 블록유닛(130) 중 제2 블록유닛(133)은 제1 블록부(133a-1, 133b-1, 133c-1, 133d-1)와 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)로 구분되어, 각각 열원유닛(200)과 반사유닛(300)이 장착될 수 있도록 함으로써, 열원유닛(200) 및 반사유닛(300)의 교체시에도 상호 충돌 발생을 억제 및 방지하면서 분리시킬 수 있다.
As described above, the processing chamber 100 of the present invention includes a chamber body 110 having both sides opened in the vertical direction and the horizontal direction, and a block unit 130 disposed in contact with the sides of the opened chamber body 110 The block unit 130 is detached from and attached to the chamber body 110 so that the process equipment inside the process chamber 100 can be easily removed from the process space P · A during maintenance of the process chamber 100. [ And import it. The second block unit 133 of the block unit 130 includes the first block units 133a-1, 133b-1, 133c-1 and 133d-1 and the second block units 133a-2 and 133b- The heat source unit 200 and the reflection unit 300 can be mounted on the heat source unit 200 and the reflection unit 300, Can be suppressed and prevented.

가스 공급 유닛(170)은 기판(S)이 처리되는 처리공간(P·A)을 형성하는 처리 챔버(100) 내로 공정가스(P·G) 및 냉각가스(C·G) 중 적어도 어느 하나를 공급하기 위해 처리 챔버(100)에 연결되는 것으로서, 가스 공급 유닛(170)은 처리공간(P·A)의 상부에서 처리공간(P·A)의 수평방향으로의 중앙부에 연결되어, 중앙부로부터 하부방향으로 공정가스(P·G)를 공급하기 위한 공정가스 공급부(172)와, 중앙부로부터 외곽방향으로 이격된 위치에 구비되어 공정가스(P·G)보다 처리공간(P·A)의 내벽에 근접하도록 냉각가스(C·G)를 공급하기 위한 냉각가스 공급부(174)를 포함한다. The gas supply unit 170 may supply at least any one of the process gas PG and the cooling gas CG into the process chamber 100 forming the process space P- The gas supply unit 170 is connected to the horizontal central portion of the processing space P · A at the upper portion of the processing space P · A and is connected to the processing chamber 100 for supplying, A process gas supply unit 172 for supplying the process gas P 占 in the direction of the process gas P 占 to the inner wall of the process space P 占 from the process gas P 占, And a cooling gas supply unit 174 for supplying the cooling gas (C G) to be close to each other.

즉, 가스 공급 유닛(170)은 상부 블록(131a)의 중앙부에 연결되어 처리공간(P·A)으로 공정가스(P·G)를 공급하기 위한 공정가스 공급부(172) 및 상부 블록(131a)의 중앙부로부터 외곽방향으로의 상부 블록(131a) 및 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d) 중 적어도 적어도 어느 한 곳에 연결되어 처리공간(P·A)으로 냉각가스를 공급하기 위한 냉각가스 공급부(174)를 포함함으로써, 처리공간(P·A) 내에서 기판(S)이 배치되는 위치와 연관되어 공정가스(P·G) 및 냉각가스(C·G)가 공급됨으로써 처리공간(P·A) 내에서의 가스의 흐름이 공정과 연관된 흐름을 형성할 수 있어 기판(S)의 처리가 용이하도록 할 수 있다.That is, the gas supply unit 170 is connected to the central portion of the upper block 131a and includes a process gas supply unit 172 and an upper block 131a for supplying the process gas P 占 to the process space P 占, A cooling gas supply part (not shown) connected to at least any one of the upper block 131a and the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d from the central part to the outermost part of the process chamber P, The process gas P · G and the cooling gas C · G are supplied in association with the position where the substrate S is disposed in the process space P · A, ) Can form a flow associated with the process so that the processing of the substrate S can be facilitated.

공정가스 공급부(172)는 기판(S)에 그래핀을 증착하기 위해 요구되는 탄소를 포함하는 가스를 공급하기 위한 것으로서, 처리공간(P·A)의 상부에서 처리공간(P·A)의 수평방향으로의 중앙부에 배치되는 가이드 부재(172a)와, 가이드 부재(172a)의 중앙을 상하방향으로 관통하며 연결되는 공정가스 공급관(172b) 및 공정가스 공급관(172b)으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급기(172c)를 포함한다. 이때, 가이드 부재(172a)에는 공정가스 공급관(172b)이 관통되어 장착될 수 있도록 공정가스 공급관(172b)이 삽입되는 곳에 공정가스 공급홀(172d)이 형성될 수도 있다. 즉, 공정가스 공급부(172)는 기판(S)에 그래핀을 증착할 수 있도록 기판(S)과 근접한 위치(즉, 기판(S)으로 열을 전달하는 서셉터(400) 및 직접적으로 그래핀 박막이 증착될 수 있는 기판(S)과 근접한 곳으)로 탄소를 포함하는 가스가 공급될 수 있도록 하기 위해서, 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 폭을 기준으로 수평방향으로의 중앙영역에 배치되는 기판(S)쪽으로 공정가스가 공급될 수 있도록 처리 챔버(100)의 상부에서 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 중앙부에 연결될 수 있다. 이에, 공정가스 공급부(172)로부터 공급되는 공정가스의 적어도 일부는 서셉터(400)의 안측면(즉, 내측면)을 따라 처리 챔버(100)의 상부로부터 하부방향으로 이동하여, 서셉터(400)가 분할하는 처리공간(P·A) 중 기판(S)이 배치되는 일부 처리공간으로 다량의 공정가스가 공급되도록 할 수 있다. The process gas supply unit 172 is for supplying a gas containing carbon required for depositing graphene on the substrate S, A process gas supply pipe 172b connected vertically through the center of the guide member 172a and a process gas supply pipe 172b for supplying a process gas to the process gas supply pipe 172b, And a feeder 172c. At this time, a process gas supply hole 172d may be formed in the guide member 172a where the process gas supply pipe 172b is inserted so that the process gas supply pipe 172b can be inserted through the guide member 172a. That is, the process gas supply unit 172 is disposed at a position close to the substrate S (i.e., the susceptor 400 that transfers heat to the substrate S) and the graphene (In the vicinity of the substrate S on which the thin film can be deposited), a gas containing carbon can be supplied to the central region in the horizontal direction with respect to the horizontal width of the processing chamber 100 To the center of the processing chamber 100 in the horizontal direction of the processing chamber 100 so that the process gas can be supplied toward the substrate S to be processed. At least a part of the process gas supplied from the process gas supply unit 172 moves downward from the top of the process chamber 100 along the inner side surface (i.e., the inner side surface) of the susceptor 400, A large amount of the process gas can be supplied to a part of the process space P · A in which the substrate S is divided.

가이드부재(172a)는 하부가 개방되어, 개방된 하부가 상부블록(131a)의 상부에 연결되는 것으로서, 보다 구체적으로는 상부블록의 연결홀(131a-1)을 커버하며 상부블록(131a) 상에 배치될 수 있다. 가이드부재(172a)는 공정가스 공급기(172c)로부터 공급된 공정가스가 서셉터(400) 및 기판(S)의 상부 쪽으로 용이하게 공급될 수 있도록 평면상에서의 평균직경이 처리 챔버(100)의 평균직경보다는 작고 서셉터(400)의 평균직경보다는 크게 형성되어 상부 블록(131a) 상에 구비될 수 있다. 이에, 공정가스(P·G) 공급 초기에 가이드부재(172a)로 이동하는 공정가스(P·G)가 처리공간(P·A)의 전체 영역으로 분산되어 공급되는 것이 억제되면서 확산 공급되기 전 서셉터(400)와 기판(S)쪽으로 공급될 수 있으므로 공정가스(P·G)의 공급을 보다 효율적으로 할 수 있다.
The lower end of the guide member 172a is connected to the upper portion of the upper block 131a and more specifically the upper end of the guide block 172a covers the connection hole 131a- As shown in FIG. The guide member 172a is provided so that the average diameter in the plane of the processing chamber 100 can be controlled so that the process gas supplied from the process gas supplier 172c can be easily supplied to the upper side of the susceptor 400 and the substrate S, May be smaller than the diameter and larger than the average diameter of the susceptor (400) and may be provided on the upper block (131a). Thus, while the process gas P · G moving to the guide member 172a at the initial stage of the supply of the process gas P · G is suppressed from being distributed to the entire region of the process space P · A, Can be supplied to the susceptor 400 and the substrate S, so that the process gas P · G can be supplied more efficiently.

냉각가스 공급부(174)는 기판 처리 장치(1) 내 공정이 완료된 후 구성품들의 열화를 억제 및 방지하기 위해 구성품의 온도를 낮추기 위한 냉각가스(C·G)를 공급하기 위한 것으로서, 공정가스 공급부(172)가 연결되는 중앙부로부터 외곽방향으로 이격된 위치에 구비되어, 처리공간(P·A)의 중앙부와 외곽방향으로 이격된 영역에 냉각가스(C·G)를 공급하기 위해 구비될 수 있다. 즉, 냉각가스 공급부(174)는 공정가스 공급부(172)에서 공급되는 공정가스(P·G)보다 처리공간(P·A)의 내벽에 근접하도록 냉각가스(C·G)를 공급하기 위해 구비될 수 있으며, 냉각가스 공급부(174)는 중앙부로부터 외곽방향으로 이격된 처리공간(P·A)의 상부에 연결되는 제1 냉각가스 공급부(174a) 및 처리공간(P·A)의 측부에 연결되어 제1 냉각가스 공급부(174a)로부터 공급되는 냉각가스와 교차하는 방향으로 냉각가스를 공급하는 제2 냉각가스 공급부(174b)로 구분될 수 있다. The cooling gas supply unit 174 supplies the cooling gas C · G for lowering the temperature of the components to suppress and prevent deterioration of components after the process in the substrate processing apparatus 1 is completed. 172 may be provided at a position spaced outward from the central portion to which cooling gas C * G is supplied to supply the cooling gas C · G to an area spaced apart from the central portion of the processing space P · A. That is, the cooling gas supply unit 174 is provided to supply the cooling gas C · G so as to be closer to the inner wall of the processing space P · A than the process gas P · G supplied from the process gas supply unit 172 And the cooling gas supply unit 174 is connected to the first cooling gas supply unit 174a connected to the upper part of the process space P · A spaced from the center part and to the side of the process space P · A, And a second cooling gas supply unit 174b for supplying the cooling gas in a direction crossing the cooling gas supplied from the first cooling gas supply unit 174a.

제1 냉각가스 공급부(174a)는 상부 블록(131a)에 연결되어 구비될 수 있으며, 보다 구체적으로, 제1 냉각가스 공급부(174a)는 상부블록(131a)의 중앙부에 연결되는 공정가스 공급부(172)의 외곽쪽에서 상부 블록(131a)을 상하방향으로 관통하며 배치되어, 공정가스 공급부(172)로부터 공급되는 공정가스(P·G)보다 처리 챔버(100)의 내측벽에 근접한 위치에서 처리 챔버(100) 내부로 냉각가스(C·G)를 공급할 수 있다. 이때, 제1 냉각가스 공급부(174a)는 상부 블록(131a)의 평면상에서 서셉터(400)의 외측 위치에서 상부 블록(131a)을 관통하며 형성되는 연결되는 제1 냉각가스 경유관(174a-1)과, 제1 냉각가스 경유관(174a-1)과 연결되어 냉각가스(C·G)를 제1 냉각가스 경유관(174a-1)으로 공급하는 제1 냉각가스 공급기(174a-2)를 포함한다. 이때, 제1 냉각가스 경유관(174a-1) 중 적어도 일부가 삽입 배치될 수 있도록 서셉터(400)의 외측 위치에서의 상부 블록(131a)에는 제1 냉각가스 공급홀(174a-3)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 냉각가스 공급부(174a)로부터 공급되는 냉각가스는 처리공간(P·A)의 내측벽을 따라서 처리공간(P·A)의 하부방향으로 공급될 수 있으며, 보다 구체적으로는 서셉터(400)가 분할하는 처리공간(P·A) 중 서셉터(400)의 외측의 처리공간으로 제1 냉각가스 공급부(174a)로부터 공급되는 냉각가스 중 적어도 일부가 공급될 수 있다. 따라서, 제1 냉각가스 공급부(174a)로부터 공급되는 냉각가스 중 적어도 일부는 서셉터(400)의 외측면 또는 처리 챔버(100)의 내측벽을 따라서 처리 챔버(100) 내에서 하부방향으로 이동할 수 있다. 이와 같이 제1 냉각가스 공급부(174a)가 공정가스가 공급되는 중앙부로부터 외곽방향으로 이격된 위치에서 공급되는 것은, 공정이 완료되고 구성품을 냉각할 때에, 기판(S)으로 냉각가스(C·G)가 다량 공급되는 것을 억제함으로써 기판(S)이 급속하게 냉각되어 기판(S)에 증착된 그래핀 박막의 성질이 변화하는 것을 억제 또는 방지하기 위함이다. The first cooling gas supply unit 174a may be connected to the upper block 131a and the first cooling gas supply unit 174a may include a process gas supply unit 172 connected to the center of the upper block 131a, The upper block 131a is vertically disposed on the outer side of the process chamber 100 and is located at a position closer to the inner wall of the process chamber 100 than the process gas PG supplied from the process gas supply unit 172 The cooling gas C · G can be supplied to the inside of the chamber 100. The first cooling gas supply unit 174a is connected to the first cooling gas diesel oil piping 174a-1, 174a-1 formed through the upper block 131a at the outer side of the susceptor 400 on the plane of the upper block 131a. And a first cooling gas feeder 174a-2 connected to the first cooling gas gas pipeline 174a-1 to supply the cooling gas C 占 to the first cooling gas gas pipeline 174a-1 . At this time, a first cooling gas supply hole 174a-3 is formed in the upper block 131a at an outer position of the susceptor 400 so that at least a part of the first cooling gas diesel fuel piping 174a-1 can be inserted and disposed . At this time, the cooling gas supplied from the first cooling gas supplying unit 174a can be supplied in the lower direction of the processing space P · A along the inner wall of the processing space P · A, At least a portion of the cooling gas supplied from the first cooling gas supply unit 174a may be supplied to the processing space outside the susceptor 400 among the processing spaces P 占 divided by the first cooling gas supply unit 174a. At least a part of the cooling gas supplied from the first cooling gas supplying portion 174a can move downward in the processing chamber 100 along the outer surface of the susceptor 400 or the inner wall of the processing chamber 100 have. The reason why the first cooling gas supply unit 174a is supplied at a position spaced outward from the central portion where the process gas is supplied is that the substrate S is cooled by the cooling gas So that the substrate S is rapidly cooled and the properties of the graphene thin film deposited on the substrate S are prevented from being changed or prevented.

제2 냉각가스 공급부(174b)는 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들 중 적어도 어느 한 곳에 연결되어 처리 챔버(100)의 수평방향으로 냉각가스(C·G)를 공급하기 위해 구비되며, 제2 냉각가스 공급부(174b)는 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)의 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2) 및 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)에 구비되는 반사유닛(300)을 적어도 일부 구성이 관통되어 설치되어 처리 챔버(100)의 수평방향으로 냉각가스(C·G)를 공급할 수 있다. 즉, 제2 냉각가스 공급부(174b)는 반사유닛(300)의 연결면(335)들의 연장 방향과 교차하는 방향으로 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2) 및 연결면(335)을 관통하며 적어도 일부가 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2) 및 연결면(335)에 적어도 일부가 삽입 배치되는 제2 냉각가스 경유관(174b-1), 제2 냉각가스 경유관(174b-1)들의 타단을 상호 연결하기 위한 경유관 연결부재(174b-3) 및 경유관 연결부재(174b-3)에 연결되어 제2 냉각가스 경유관(174b-1)으로 냉각가스를 공급하기 위한 제2 냉각가스 공급기(174b-2)를 포함한다. The second cooling gas supply unit 174b is connected to at least any one of the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d to supply the cooling gas C · G in the horizontal direction of the process chamber 100 133b-2, 133c-2, and 133d-2 of the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d and the second block portions 133a-1, 133b- At least a part of the structure of the reflection unit 300 provided in the processing chamber 100 is provided so as to supply the cooling gas C · G in the horizontal direction of the processing chamber 100 . That is, the second cooling gas supply unit 174b is provided with the second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 in the direction intersecting the extending direction of the connection surfaces 335 of the reflection unit 300 And at least part of which is inserted into the second block portions 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 and the connecting surface 335 through the connecting surface 335, And the other end of the second cooling gas gas piping 174b-1 is connected to the gas pipe connecting member 174b-3 and the gas pipe connecting member 174b-3 for interconnecting the other ends of the gas gas piping 174b-1, 2 and a second cooling gas supplier 174b-2 for supplying the cooling gas to the cooling gas light pipe 174b-1.

제2 냉각가스 경유관(174b-1)은 적어도 일부가 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)을 관통하며 배치되어 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)을 관통하며 냉각가스(C·G)가 처리공간(P·A)으로 공급될 수 있도록 한다. 이때, 제2 냉각가스 경유관(174b-1)은 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2) 및 반사유닛(300)의 연결면(335)을 관통하며 형성할 수 있으며, 처리 챔버(100)의 수평방향으로 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2)를 관통하는 제1 관통홀(133b-3) 및 제1 관통홀(133b-3)과 대응되는 반사유닛(300)의 연결면(335)의 위치에 형성된 제2 관통홀(350)에 삽입되어 장착될 수 있다. 여기서, 제2 블록부(133a-2, 133b-2, 133c-2, 133d-2) 및 반사유닛(300)을 관통하며 설치되는 냉각가스 공급관(174b-1)의 개수는 제1 관통홀(133b-3) 및 제2 관통홀(350)의 개수와 대응되어 구비될 수 있다. At least a part of the second cooling gas gas piping 174b-1 penetrates the side blocks 133a, 133b, 133c and 133d and passes through the side blocks 133a, 133b, 133c and 133d, G) can be supplied to the processing space P · A. At this time, the second cooling gas gas pipeline 174b-1 passes through the connecting surfaces 335 of the second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 and the reflecting unit 300 The first through hole 133b-3 passing through the second block portions 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 in the horizontal direction of the processing chamber 100, Through hole 350 formed at the position of the connection surface 335 of the reflection unit 300 corresponding to the through hole 133b-3. The number of the cooling gas supply pipes 174b-1 provided through the second block units 133a-2, 133b-2, 133c-2, and 133d-2 and the reflection unit 300 is larger than the number of the first through holes 133b-3, and the second through-holes 350, respectively.

여기서, 복수개의 제2 냉각가스 경유관(174b-1)이 구비되면, 제2 냉각가스 경유관(174b-1) 각각에는 제2 냉각가스 공급기(174b-2)가 연결될 수도 있으나, 도 1의 확대 도시된 것과 같이, 복수개의 제2 냉각가스 경유관(174b-1)의 타단을 연결하여 제2 냉각가스 공급기(174b-2)에는 하나의 관이 연결될 수 있도록 경유관 연결부재(174b-3)가 구비되어 하나의 제2 냉각가스 공급기(174b-2)로부터 복수개의 제2 냉각가스 경유관(174b-1)으로 냉각가스를 공급하도록 할 수 있다. If a plurality of second cooling gas diesel pipes 174b-1 are provided, the second cooling gas supply pipe 174b-2 may be connected to each of the second cooling gas diesel pipes 174b-1. However, The other end of the second cooling gas diesel fuel pipe 174b-1 is connected to the second cooling gas feeder 174b-2 so that one pipe can be connected to the second cooling gas feeder 174b- May be provided to supply the cooling gas from the one second cooling gas supply 174b-2 to the plurality of second cooling gas diesel pipes 174b-1.

이와 같이, 제2 냉각가스 공급부(174b)로부터 공급되는 냉각가스는 서셉터(400)의 연장방향과 교차하는 방향으로 냉각가스(C·G)를 분사함으로써 서셉터(400)의 온도를 보다 단시간에 감소시킬 수 있으며, 제2 냉각가스 공급부(174b)에서 공급되는 냉각가스는 적어도 일부 구성이 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)을 관통하며 냉각가스를 이동시킬 수 있어, 처리 챔버(100)의 측부에 배치된 구성들을 용이하게 냉각시킬 수 있다.
The cooling gas supplied from the second cooling gas supply part 174b injects the cooling gas C · G in a direction crossing the extending direction of the susceptor 400 to shorten the temperature of the susceptor 400 to a shorter time And at least a part of the cooling gas supplied from the second cooling gas supply part 174b can pass the cooling gas through the side blocks 133a, 133b, 133c and 133d, ) Can be easily cooled.

도 8을 참조하면, 서셉터(400)는 기판(S)이 가열되기 위해 처리공간(P·A) 내에 배치되는 것으로서, 상부 및 하부가 개방된 복수개의 조각(410, 420, 430)들의 조합으로 구성될 수 있으며, 서셉터(400)를 구성하는 복수개의 조각(410, 420, 430)들은 상하방향으로 적층되어 연결됨으로써 구성될 수 있다. 즉, 서셉터(400)는 후술하는 열원유닛(200)에서 방출되는 방사광에 기판(S)이 직접적으로 노출되면 기판(S)에 의해 방사광이 반사되는 현상을 억제하거나 방지하기 위해 열원유닛(200)과 기판(S) 사이에 위치하여 열원유닛(200)과 기판(S) 사이를 차단하는 역할을 한다. 즉, 기판(S)으로부터 방사광이 반사되어 기판(S)을 공정 온도까지 가열하는데 많은 시간과 전력이 소모될 수 있는데, 이를 억제 및 방지하고자 서셉터(400)는 방사광에 의해 가열되고, 복사열을 발생시켜 기판(S)을 간접적으로 가열하기 위한 역할을 한다. 이에, 서셉터(400)는 기판(S)을 일부 간접 가열할 수 있도록 열전도율 및 열 흡수율이 우수한 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminum nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.8, the susceptor 400 is disposed in the process space P · A for heating the substrate S, and a combination of a plurality of pieces 410, 420, and 430 And the plurality of pieces 410, 420, and 430 constituting the susceptor 400 may be stacked and connected in the vertical direction. That is, the susceptor 400 is provided with a heat source unit 200 (hereinafter, referred to as " heat sink ") for suppressing or preventing a phenomenon that, when a substrate S is directly exposed to radiation light emitted from a heat source unit 200 And the substrate S to shut off the heat source unit 200 and the substrate S. In other words, it takes much time and power to heat the substrate S to the process temperature by reflecting the radiation from the substrate S. To prevent or prevent the substrate S from being heated, the susceptor 400 is heated by the radiation, So as to indirectly heat the substrate S. The susceptor 400 may be formed of graphite or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide, silicon nitride, or the like, which is excellent in thermal conductivity and heat absorption rate so that the substrate S can be partially indirectly heated. nitride, alumina (Al 2 O 3), aluminum nitride, and quartz.

서셉터(400)는 처리공간(P·A)에서 상부 및 하부가 개방된 관 형의 복수개의 조각(410, 420, 430)들이 상하방향으로 서로 마주보는 단부가 요철(凹凸)구조로 결합되어 구성될 수 있다. 이때, 복수개의 조각(410, 420, 430)들의 결합 영역을 확대 도시하면 도 6의 (b) 및 (c)와 같이 결합될 수 있는데, 도 6의 (b)처럼 제1 조각(410)의 하단부 중 일부 영역이 하부로 돌출되고, 제2 조각(420)의 상단부 중 일부 영역이 상부로 돌출되어 서로 돌출된 부분이 비 돌출된 부분에 접촉 배치됨으로써 적층되며 결합할 수 있다. 또한, 도 6의 (c)와 같이 제1 조각(410)의 하단부(415b)의 폭을 기준으로 중심으로부터 소정 영역인 중앙영역이 내부로 파여 홈을 형성하고, 제2 조각(420)의 상단부(425a)의 폭을 기준으로 중심으로부터 소정 영역인 중앙영역(즉, 제1 조각(410)의 중앙영역과 대응하는 위치)이 상부로 돌출된 돌기를 형성함으로써 제2 조각(420)의 상단부(425a)가 제1 조각(410)의 하단부(415a)에 삽입되어 상하방향으로 연장 형성된 서셉터(400)를 형성할 수 있다. The susceptor 400 includes a plurality of tubular pieces 410, 420, and 430 having upper and lower openings in the process space P · A, and end portions facing each other in the up-and-down direction are coupled in a concave- Lt; / RTI > 6 (b) and 6 (c), when the engaging region of the plurality of pieces 410, 420, and 430 is enlarged, A portion of the lower end portion protrudes downward and a portion of the upper end portion of the second piece 420 protrudes upward and the protruded portions are disposed in contact with the non-protruding portion to be stacked and joined. 6 (c), a central region, which is a predetermined region from the center, is formed inwardly with reference to the width of the lower end portion 415b of the first piece 410, (I.e., a position corresponding to the central region of the first piece 410) is formed by projecting the upper portion of the second piece 420 from the center with respect to the width of the second piece 420, 425a may be inserted into the lower end portion 415a of the first piece 410 to form the susceptor 400 extending in the vertical direction.

본 발명에서는 서셉터(400)의 상부 단면 형상을 원형으로 설명하였으나, 서셉터(400)의 단면 형상은 이에 한정하지 않고, 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형상을 나타낼 수 있으며, 처리 챔버(100) 내에서 처리공간(P·A)을 상하방향으로 분할할 수 있도록 상하방향으로 연장 형성되고, 굴곡을 갖는 기판(S)을 둘러쌀 수 있는 형상으로 제작된다면 다양한 형상으로 변형 가능하다.
Although the upper cross-sectional shape of the susceptor 400 is described as being circular in the present invention, the cross-sectional shape of the susceptor 400 is not limited thereto, but may be circular, oval or polygonal, 100 can be deformed into various shapes if they are formed in a shape that can extend in the vertical direction so as to divide the processing space P · A in the vertical direction and can surround the substrate S having the curvature.

열원유닛(200)은 서셉터(400)의 외측에서 처리 챔버(100)의 상하방향으로의 측벽 중 적어도 어느 한 곳 및 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 측벽 중 적어도 어느 한 곳을 관통하도록 배치되어 기판(S) 및 서셉터(400)를 균일하게 가열하기 위해 구비된다. 즉, 열원유닛(200)은 처리 챔버(100)를 기준으로, 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제1 열원유닛(230)과, 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 8방위 중 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제2 열원유닛(210)을 포함한다. 이때, 열원유닛(200)은 방사광을 발생시키는 열원(200a)과, 열원(200a)을 감싸 보호하고 열원(200a)에서 발생되는 방사광을 외부로 투과시키는 윈도우(200b)로 구성될 수 있다. 이하, 열원유닛(200)에 포함되는 제1 열원유닛(230) 및 제2 열원유닛(210)을 설명하기 전에 열원유닛(200)을 구성하기 위한 열원(200a)과 윈도우(200b)에 대해 간략하게 설명하기로 한다. The heat source unit 200 is configured to penetrate at least any one of the upper and lower side walls of the processing chamber 100 and at least one of the side walls in the horizontal direction of the processing chamber 100 from the outside of the susceptor 400 To uniformly heat the substrate (S) and the susceptor (400). That is, the heat source unit 200 includes a first heat source unit 230 positioned at least at one of the four orientations facing the horizontal sides of the processing chamber 100 with respect to the processing chamber 100, The second heat source unit 210 positioned at least at one of the four orientations other than the four directions opposite to the horizontal sides of the processing chamber 100 in the horizontal direction of the processing chamber 100 in the horizontal direction . The heat source unit 200 may include a heat source 200a for generating radiation and a window 200b for covering the heat source 200a and protecting the heat source 200a and transmitting the radiation emitted from the heat source 200a to the outside. Before describing the first heat source unit 230 and the second heat source unit 210 included in the heat source unit 200, it is assumed that the heat source 200a and the window 200b, which constitute the heat source unit 200, .

열원(200a)은 텅스텐 할로겐 램프, 카본 램프 및 루비 램프 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있으며, 선형, 벌브(bulb) 형태 등 다양한 형태의 열원(200a)이 사용될 수 있다. 예컨대 선형의 열원을 사용하는 경우, 복수 개의 열원유닛(200)을 일정한 간격으로 나란하게 배열할 수 있다. 이와 같은 열원(200a)의 표면 일부에는 반사유닛(300)과 별개로 반사체(미도시)가 형성될 수도 있다. 선형 열원의 경우 방사광이 방사상으로 방출되는데, 가열 대상인 서셉터(400) 및 기판(S)은 열원과 대향하도록 배치되기 때문에 열원으로부터 방출되는 방사광의 진행 방향을 제어하여 서셉터(400) 및 기판(S)의 가열 효율을 높일 필요가 있다. 따라서 열원의 표면 일부에 방사광을 서셉터(400) 및 기판(S) 측으로 반사시키기 위한 반사체(미도시)를 형성될 경우, 반사유닛(300)의 역할과 동일하게 열원으로부터 방사되는 방사광을 서셉터(400)쪽으로 집광시킬 수 있다. 이와 같은 반사체는 방사광을 반사시킬 수 있는 반사율이 우수한 재질로 형성될 수 있으며, 세라믹이나 Ni 또는 Ni/Au 합금 등의 금속재질로 형성될 수 있다. At least one of a tungsten halogen lamp, a carbon lamp, and a ruby lamp may be used as the heat source 200a, and various types of heat sources 200a such as a linear type and a bulb type may be used. For example, when a linear heat source is used, a plurality of heat source units 200 can be arranged at regular intervals. A reflector (not shown) may be formed on a part of the surface of the heat source 200a. Since the susceptor 400 and the substrate S to be heated are disposed so as to face the heat source, the direction of the radiation emitted from the heat source is controlled so that the susceptor 400 and the substrate S It is necessary to increase the heating efficiency of the heaters S, When a reflector (not shown) for reflecting the radiation to the susceptor 400 and the substrate S side is formed on a part of the surface of the heat source, the same as the role of the reflection unit 300, The light can be condensed toward the light source 400. Such a reflector may be formed of a material having a high reflectance capable of reflecting radiation, and may be formed of a metal such as ceramic, Ni, or Ni / Au alloy.

윈도우(200b)는 열원(200a)을 보호하기 위하여 사용되고, 열원(200a)에서 방출되는 방사광을 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 윈도우(200b)는 투과율이 우수하고 내열성이 우수한 석영, 사파이어 등으로 형성될 수 있다. 윈도우(200b)는 내부에 열원(200a)을 배치할 수 있도록 중공형으로 형성될 수 있으며, 윈도우(200b) 내부에서 열원(200a)의 삽탈을 용이하게 하기 위하여 선형으로 형성되는 것이 좋다. 그 단면 형상은 원형, 타원형 및 다각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 특히, 윈도우(200b)의 단면형상을 원형으로 형성하게 되면, 처리 챔버(100) 내부 압력에 의한 영향을 감소시킬 수 있어 교체 주기를 연장하여 유지보수 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. 이와 같은 윈도우는 본 발명의 실시 예에서는 처리 챔버(100)를 구성하는 제2 블록유닛(133)에 구비되는 반사유닛(300)의 오목홈(333a, 333b, 333c)에 삽입되어 적어도 일부 영역이 오목홈(333a, 333b, 333c)에 둘러싸인 채로 처리 챔버(100) 내에 장착될 수 있다.
The window 200b is used to protect the heat source 200a and may be formed of a material capable of transmitting the radiation emitted from the heat source 200a. Accordingly, the window 200b may be formed of quartz, sapphire, or the like having excellent transmittance and excellent heat resistance. The window 200b may be formed in a hollow shape so as to dispose the heat source 200a therein and may be linearly formed in order to facilitate insertion and extraction of the heat source 200a inside the window 200b. The cross-sectional shape may be formed in various shapes such as a circle, an ellipse, and a polygon. Particularly, when the sectional shape of the window 200b is formed in a circular shape, the influence of the internal pressure of the processing chamber 100 can be reduced, and the replacement cycle can be extended to reduce the maintenance cost. Such a window is inserted into the concave grooves 333a, 333b and 333c of the reflection unit 300 provided in the second block unit 133 constituting the processing chamber 100 in the embodiment of the present invention, And can be mounted in the processing chamber 100 while being surrounded by the concave grooves 333a, 333b, and 333c.

제1 열원유닛(230)은 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하여 서셉터(400)를 가열하기 위해 구비되는 것으로서, 제1 열원유닛(230)은 수평방향으로 연장 형성되어 적어도 일단부가 제2 블록유닛(133)의 개방 형성된 일측에 교차하는 측벽을 관통하며 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 열원유닛(230)은 처리 챔버(100)의 평면상에서, 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4방위(즉, 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들과 마주보는 위치)에서 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)과 나란한 방향으로 연장 형성되어 챔버 몸체(110)와 접촉 배치되는 제2 블록유닛(133)의 일측에 교차하는 방향으로 제2 블록유닛(133)의 측벽을 관통하며 배치될 수 있다.
The first heat source unit 230 is provided for heating the susceptor 400 by being positioned at least one of four directions facing the horizontal sides of the processing chamber 100, 230 may extend in the horizontal direction so that at least one end of the second block unit 133 passes through a side wall that intersects the open formed side of the second block unit 133. More specifically, the first heat source unit 230 is disposed on the plane of the processing chamber 100 in four directions opposite to the horizontal sides of the processing chamber 100 (i.e., the side blocks 133a, 133b, 133c, 133b, 133c, and 133d in a direction intersecting one side of the second block unit 133 that is extended in a direction parallel to the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d and in contact with the chamber body 110 And may be disposed through the side wall of the second block unit 133.

제2 열원유닛(210)은 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 8 방위 중 처리 챔버(100)와 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하여 제1 열원유닛(230)에서 가장 큰 이격거리를 갖고 배치되는 서셉터(400)의 영역을 가열하기 위해 구비되는 것으로서, 제2 열원유닛(210)은 상하방향으로 연장 형성되어 적어도 일단부가 제1 블록유닛(131)을 관통하며 배치될 수 있다. The second heat source unit 210 is located at least one of four directions other than the four directions opposite to the horizontal direction side faces of the processing chamber 100 in the horizontal direction of the processing chamber 100 The second heat source unit 210 is provided to heat the region of the susceptor 400 disposed with the greatest separation distance in the first heat source unit 230. The second heat source unit 210 is extended in the vertical direction, And may be arranged to penetrate the block unit 131.

보다 구체적으로, 제2 열원유닛(210)은 처리 챔버(100)의 평면상에서, 처리 챔버(100)와 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4방위(즉, 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들과 마주보는 위치)를 제외한 나머지 4 방위(즉, 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들과 마주보지 않는 처리 챔버(100)의 모서리 위치)에서 제1 블록유닛(131)의 상부블록(131a) 및 하부블록(131b) 중 적어도 어느 하나를 관통하며 상하방향으로의 방사광이 방출될 수 있도록 수직형으로 설치될 수 있다. 이는 처리 챔버(100)의 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들의 수평방향으로의 나란한 방향으로 제1 열원유닛(230)이 연장 형성되기 때문에 제2 열원유닛(210)이 제1 열원유닛(230)이 설치된 위치를 제외한 위치에 장착할 수 있도록 수직형으로 제1 블록유닛(131)을 관통하며 장착된다. 이때, 제2 열원유닛(210)은 처리 챔버(100)의 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 중 적어도 어느 한 위치에서 상부블록(131a) 및 하부블록(131b) 중 적어도 어느 한 블록을 관통하며 배치될 수도 있으며, 처리 챔버(100)의 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 위치에 전부 구비되어 상부블록(131a) 및 하부블록(131b) 중 적어도 어느 한 블록을 관통하며 배치될 수도 있다. 이처럼, 제2 열원유닛(210)이 복수개(본 실시예 : 4개)가 구비되어 제1 열원유닛(230)에서 방사되는 방사광이 곡면을 갖는 기판(S)과의 이격거리 변화로 인해 온도 편차가 발생하는 것을 억제 및 방지하여 제1 열원유닛(230)과 기판(S)이 마주보는 기판(S)의 위치의 이격거리보다 큰 이격거리를 나타내는 기판(S)의 영역의 온도를 제2 열원유닛(210)이 보상해주는 역할을 할 수 있다. More specifically, the second heat source unit 210 is disposed on the plane of the processing chamber 100 in four directions opposite to the horizontal sides of the processing chamber 100 (i.e., the side blocks 133a, 133b, 133c, 133b, 133c, and 133d) of the first block unit 131 in four directions other than the first direction (i.e., the position facing the first block unit 131) And may be installed vertically so as to pass through at least one of the upper block 131a and the lower block 131b and emit the radiation in the vertical direction. This is because the first heat source unit 230 is extended in the horizontal direction of the side blocks 133a, 133b, 133c and 133d of the processing chamber 100, The first block unit 131 is vertically installed so as to be mounted at a position other than a position where the first block unit 230 is installed. At this time, the second heat source unit 210 is installed in the upper block 131a and / or the upper block 131a at at least one of the four orientations other than the four orientations facing the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d of the process chamber 100, 133b, 133c, and 133d of the process chamber 100. The four side walls of the processing chamber 100 may be disposed in all four directions other than the four sides facing the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d, And may be arranged to penetrate at least one block of the upper block 131a and the lower block 131b. As described above, since the plurality of second heat source units 210 (four embodiments in this embodiment) are provided so that the radiation light radiated from the first heat source unit 230 varies in temperature from the substrate S having a curved surface, The temperature of the region of the substrate S indicating a distance larger than the distance between the positions of the first heat source unit 230 and the substrate S facing the substrate S, The unit 210 can play a role of compensating.

제2 열원유닛(210)의 제1 열원유닛(230) 보상 역할을 자세하게 설명하면, 도 3의 (a)에 도시된 것처럼, 제1 열원유닛(230)은 처리 챔버(100)의 수평방향으로 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들과 마주보는 위치에서 수평방향(D1, D2)으로 연장 형성되어 구비된다. 이는 도 3의 (b)의 평면도 상에나타난 바와 같이, 기판(S)의 형상과 대응되는 원통형의 서셉터(400)의 외측면을 선형의 제1 열원유닛(230)이 둘러싸며 네모 틀을 형성한다. 이때, 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400)가 가장 근접할 때의 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400) 간의 이격거리는 W1을 나타내고, 제1 열원유닛(230)의 연장방향의 중심으로부터 양방향으로 외측으로 갈수록 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400) 간의 이격거리는 W2 및 W3을 나타내며, 이는 제1 열원유닛(230)으로부터 W1 이격거리로 떨어진 서셉터(400)의 위치와, 제1 열원유닛(230)으로부터 W2 및 W3 이격거리로 떨어진 서셉터(400)의 위치 간에 제1 열원유닛(230)에 의해 가열되는 온도의 편차가 발생할 수 있음을 나타낸다. 즉, 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400)가 가장 근접할 때(이격거리가 W1)의 서셉터(400) 위치의 온도와, 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400)의 이격거리가 점점 증가할 때(이격거리가 W2, W3)의 서셉터(400) 위치의 온도는 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400) 간의 이격거리 차이 값에 따라서 상이하게 달라진다. 3 (a), the first heat source unit 230 is disposed in the horizontal direction of the process chamber 100. The first heat source unit 230 may be disposed in the horizontal direction of the process chamber 100, And extend in the horizontal direction D1 and D2 at positions facing the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d. 3 (b), the linear first heat source unit 230 surrounds the outer surface of the cylindrical susceptor 400 corresponding to the shape of the substrate S, . The separation distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400 when the first heat source unit 230 and the susceptor 400 are closest is W1 and the distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400 is W1, The distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400 indicates W2 and W3 as it goes outward from the center of the susceptor 400 in a direction away from the center of the first heat source unit 230, And the position of the susceptor 400, which is spaced apart from the first heat source unit 230 by W2 and W3 distances, may occur due to temperature variations caused by the first heat source unit 230. [ That is, the temperature of the susceptor 400 when the first heat source unit 230 and the susceptor 400 are closest (distance W1) and the temperature of the first heat source unit 230 and the susceptor 400 The temperature of the position of the susceptor 400 when the spacing distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400 increases (the spacing distance is W2, W3) is different according to the difference value of the spacing distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400. [

이때, 제2 열원유닛(210)은 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)들에 각각 장착된 복수개의 제1 열원유닛(230)들의 단부들이 마주보는 모서리 위치에 구비되어, 제2 열원유닛(210)과 서섭터(400)가 가장 근접할 때의 제2 열원유닛(210)과 서셉터(400) 간의 이격거리는 W4를 나타내고, 이는 제1 열원유닛(230)의 연장방향으로 갈수록 제1 열원유닛(230)과 가장 근접한 위치로부터 멀어진 위치인 이격거리 W2 및 W3를 갖는 위치 기준에서는 제1 열원유닛(230)과 가장 근접할 때의 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400) 간의 이격거리인 W1과 동일한 이격거리를 나타낼 수 있다. 즉, 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400)가 가장 근접할 때의 이격거리(W1)보다 큰 이격거리(W2, W3)의 서셉터(400)의 위치와 제2 열원유닛(210) 간의 이격거리(W4)는 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400)가 가장 근접할 때의 이격거리(W1)와 동일한 이격거리(W4)로 형성되기 때문에, 제1 열원유닛(230)과 서셉터(400)가 가장 근접할 때의 이격거리(W1)보다 큰 이격거리(W2, W3)의 서셉터(400)의 위치를 제2 열원유닛(210)이 보조 가열함으로써 서셉터(400)의 전체 영역이 온도 편차 없이 균일하게 가열되어 기판(S) 상에 그래핀 박막이 용이하게 증착될 수 있도록 한다.
At this time, the second heat source unit 210 is provided at the corner positions where the ends of the plurality of first heat source units 230 mounted on the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d are opposed to each other, The separation distance between the second heat source unit 210 and the susceptor 400 when the first and second heat source units 210 and 400 are closest to each other is W4, The distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400 at the position closest to the first heat source unit 230 is a distance between the first heat source unit 230 and the susceptor 400, The distance may be the same as W1, which is the separation distance. That is, the position of the susceptor 400 having the separation distances W2 and W3 larger than the separation distance W1 when the first heat source unit 230 and the susceptor 400 are closest to each other and the position of the second heat source unit 210 Is formed at the same distance W4 as the distance W1 when the first heat source unit 230 and the susceptor 400 are closest to each other, the first heat source unit 230 The position of the susceptor 400 at the separation distances W2 and W3 that is larger than the separation distance W1 at which the susceptor 400 closest to the susceptor 400 is heated by the second heat source unit 210, 400 is uniformly heated without temperature variation so that the graphene thin film can be deposited on the substrate S with ease.

한편, 제2 열원유닛(210')은 도 4에 도시된 것처럼, 제1 블록유닛(131)의 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b) 중 어느 한 곳에 일단부가 관통 배치되며, 상부 및 하부 중 어느 한 방향으로 연장 형성되는 제1 발열부(212') 및 제1 발열부(212')의 연장방향에 교차하는 방향으로 제1 발열부(212')의 타단부에 연결되며, 서셉터(400)의 상단 또는 하단부로부터 이격되어 배치되는 제2 발열부(214')를 포함하여 형성될 수 있다. 즉, 제2 열원유닛(210)은 서셉터(400) 및 기판(S)의 상부 및 하부로 방사광을 용이하게 전달하기 위해서 서셉터(400) 및 기판(S)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳으로 방사광을 전달할 수 있도록 서셉터(400) 및 기판(S)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳으로부터 이격되어 위치할 수 있도록 형성될 수 있다. 4, one end of the second heat source unit 210 'is inserted into one of the upper block 131a and the lower block 131b of the first block unit 131, The first heat generating portion 212 'extending in one direction of the first heat generating portion 212' and the other end of the first heat generating portion 212 'in the direction crossing the extending direction of the first heat generating portion 212' And a second heat generating portion 214 'that is spaced apart from the upper end or the lower end of the first heat generating portion 400. The second heat source unit 210 may include at least one of an upper end and a lower end of the susceptor 400 and the substrate S to easily transmit the radiation to the upper and lower portions of the susceptor 400 and the substrate S, The susceptor 400 and the substrate S may be spaced apart from at least one of the upper and lower ends of the susceptor 400 and the substrate S,

제1 발열부(212')는 제2 열원유닛(210)으로 전력을 공급하기 위해 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b) 어느 한 블록의 외부로 제2 열원유닛(210)이 연장하기 위한 영역으로서, 제2 열원유닛(210)의 상하방향으로의 영역이 포함될 수 있다. 제1 발열부(212')는 앞서 설명한 실시 예의 제2 열원유닛(210)과 동일하게 제1 블록유닛(131)의 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b) 중 어느 한 블록을 관통하며 형성할 수 있으며, 제2 열원유닛(210)은 상하방향으로만 연장 형성되는 특성 상 상부 블록(131a)과 하부 블록(131b) 모두를 관통하며 배치될 수도 있으나, 제1 발열부(212')는 제2 발열부(214')가 연결되는 위치에 따라서 제2 발열부(214')가 연결되는 단부를 제외한 단부가 상부 블록(131a)과 하부 블록(131b) 중 어느 하나를 관통하며 배치될 수 있다. 즉, 도 4의 (a)에 도시된 것처럼, 처리 챔버(100) 내에 실시 예의 제2 열원유닛(210)과 마찬가지로 4개의 변형예 제2 열원유닛(210)이 구비될 때, 4개 중 2개는 상부 블록(131a)에 관통 배치되어 하부 방향으로 연장 형성된 후, 후술하는 제2 발열부(214')가 제1 발열부(212')의 하단에 연결되어 제2 열원유닛(210)을 형성하도록 할 수 있으며, 나머지 2개의 제1 발열부(212')는 하단부가 하부 블록(131b)을 관통하며 배치되어 상부방향으로 연장 형성된 후, 후술하는 제2 발열부(214')가 제1 발열부(212')의 상단에 연결되어 제2 열원유닛(210)을 형성하도록 할 수 있다. The first heat generating unit 212 'may be configured to extend the second heat source unit 210 out of any one block of the upper block 131a and the lower block 131b to supply power to the second heat source unit 210 Region of the second heat source unit 210 in the vertical direction may be included. Like the second heat source unit 210 of the above-described embodiment, the first heat generating unit 212 'penetrates through one block of the upper block 131a and the lower block 131b of the first block unit 131 The second heat source unit 210 may be arranged so as to penetrate both the upper block 131a and the lower block 131b due to the characteristic that the second heat source unit 210 extends only in the vertical direction, The end portion except for the end to which the second heat generating portion 214 'is connected may be disposed to pass through any one of the upper block 131a and the lower block 131b depending on the position where the second heat generating portion 214' have. That is, as shown in Fig. 4 (a), when the four second modified heat source units 210 are provided in the processing chamber 100 in the same manner as the second heat source unit 210 of the embodiment, The second heat generating unit 214 'is connected to the lower end of the first heat generating unit 212' and the second heat generating unit 210 'is connected to the second heat generating unit 210' And the remaining two first heat generating portions 212 'are formed so as to extend in the upward direction after the lower end portion is disposed through the lower block 131b, and the second heat generating portion 214', which will be described later, And may be connected to the upper end of the heat generating part 212 'to form the second heat source unit 210.

제2 발열부(214')는 제1 발열부(212')의 양단부 중 제1 블록유닛(131)을 관통하지 않는 단부에 제1 발열부(212')의 연장방향에 교차하는 방향으로 연장 형성되어 제2 열원유닛(210)을 구성하는 것으로서, 제2 열원유닛(210)이 제1 열원유닛(230)으로부터 이격거리가 큰 서셉터(400)의 영역을 가열하여 온도 보상하는 것 외에 서셉터(400) 및 기판(S)의 상단 혹은 하단을 용이하게 가열하기 위해 구비될 수 있다. 즉, 제2 발열부(214')는 앞선 복수개의 제1 발열부(212')의 설치 위치에 따라서 제1 발열부(212')의 상단 혹은 하단에 연결되어 제1 발열부(212')에서 서셉터(400) 쪽으로 제1 발열부(212')의 연장 방향에 교차하는 방향으로 연장 형성되어 서셉터(400) 및 기판(S)을 가열하도록 할 수 있다. The second heat generating portion 214 'extends in a direction crossing the extending direction of the first heat generating portion 212' at the end portion of the first heat generating portion 212 'that does not penetrate the first block unit 131 The second heat source unit 210 forms a second heat source unit 210. The second heat source unit 210 heats the region of the susceptor 400 having a large separation distance from the first heat source unit 230 to perform temperature compensation To easily heat the top or bottom of the susceptor 400 and the substrate S. [ That is, the second heat generating unit 214 'is connected to the upper or lower end of the first heat generating unit 212' according to the installation position of the plurality of first heat generating units 212 ', and the first heat generating unit 212' The susceptor 400 and the substrate S may be extended from the susceptor 400 toward the susceptor 400 in a direction intersecting the extending direction of the first heat generating portion 212 '.

이와 같이 형성되는 제1 발열부(212') 및 제2 발열부(214')로 구성된 제2 열원유닛(210)과 서셉터(400) 및 기판(S) 간의 상호 배치위치를 자세하게 설명하면, 도 4의 (b)에 도시된 것처럼, 제1 발열부(212')는 서셉터(400)의 상하방향으로의 연장 높이(H400)보다 동일하거나 큰 높이로 형성되어 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b) 중 어느 한 곳을 관통하며 상하방향으로 연장 형성된다. 그리고, 제2 발열부(214')는 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b)에 관통되지 않은 제1 발열부(212')의 단부에 연결되어 서셉터(400)쪽으로 연장형성되는데, 제1 발열부(212')의 단부로부터 제2 발열부(214')의 서셉터(400) 쪽으로의 연장길이(W214')는 제1 발열부(212')와 서셉터(400) 간의 이격거리(Wg)보다 증가된 길이를 나타내도록 제1 발열부(212')에 연결된다. 이에, 제2 발열부의 단부의 위치(P214')가 제2 발열부(214')의 직하부에 배치되는 서셉터(400)의 최외곽 위치(P400)보다는 기판(S)쪽으로 더 돌출되며, 제2 발열부(214')의 직하부에 배치되는 기판(S)의 최외곽 위치(PS)보다는 서셉터(400)쪽으로 배치되어, 제2 발열부(214')의 단부가 제2 발열부(214')의 직하부에 배치되는 서셉터(400)와 기판(S)의 최외곽 위치 사이에 배치되도록 형성될 수 있다. The mutual arrangement positions of the second heat source unit 210 including the first heat generating portion 212 'and the second heat generating portion 214' formed as described above and the susceptor 400 and the substrate S will be described in detail. 4B, the first heat generating portion 212 'is formed to have a height equal to or greater than an extension height H 400 of the susceptor 400 in the vertical direction, And extend in the vertical direction passing through any one of the lower blocks 131b. The second heat generating portion 214 'is connected to the end of the first heat generating portion 212' which is not penetrated through the upper block 131a and the lower block 131b and extends to the susceptor 400, The extension length W 214 ' of the second heating portion 214' from the end of the first heating portion 212 'to the susceptor 400 is smaller than the distance between the first heating portion 212' and the susceptor 400 Is connected to the first heating portion 212 'so as to show an increased length than the distance W g . The position P 214 ' of the end portion of the second heat generating portion is more protruded toward the substrate S than the outermost position P 400 of the susceptor 400 disposed immediately below the second heat generating portion 214' and, the second end of the heating portion (214 '), the substrate (S) the outermost position (P S) is than disposed toward the susceptor 400, a second heating portion (214 a disposed in the straight lower portion of') a 2 may be formed to be disposed between the susceptor 400 disposed immediately under the heat generating unit 214 'and the outermost position of the substrate S. [

이처럼, 제2 열원유닛(210)이 구성됨으로써 제2 열원유닛(210)이 서셉터(400) 및 기판(S)의 상단 또는 하단을 보다 용이하게 가열할 수 있어, 서셉터(400) 및 기판(S)의 수평방향뿐만 아니라 상하방향의 영역까지 골고루 가열되도록 할 수 있다.
The second heat source unit 210 can more easily heat the upper end or the lower end of the susceptor 400 and the substrate S so that the susceptor 400 and the substrate The heat can be uniformly heated not only in the horizontal direction but also in the vertical direction.

한편, 본 발명의 열원유닛(200)에는 서셉터(400)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳에 근접 배치되는 복수개의 열원바(250)들이 추가로 구비될 수 있으며, 복수개의 열원바(250) 각각은 서셉터(400)의 상단 또는 하단으로부터 동일거리로 이격 배치되어 제1 열원유닛(230) 및 제2 열원유닛(210)과 동일한 구성을 갖고 동일한 역할을 수행할 수 있다. 즉, 복수개의 열원바(250)은 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b) 중 적어도 어느 하나의 내벽으로부터 각각 하부방향 또는 상부방향으로 연장 형성되어 서셉터(400)의 하단 및 상단으로부터 동일한 거리로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 도 5 에 도시된 것처럼, 복수개의 열원바(250)들은 상부 블록(131a)의 내벽으로부터 하부방향으로 연장 형성되어 서셉터(400)의 상단으로부터 이격되어 배치되는 상부 열원바(250a)와, 하부 블록(131b)의 내벽으로부터 상부방향으로 연장 형성되어 서셉터(400)의 하단으로부터 이격되어 배치되는 하부 열원바(250b)를 포함한다. The heat source unit 200 may further include a plurality of heat source bars 250 disposed close to at least one of an upper end and a lower end of the susceptor 400, The first heat source unit 230 and the second heat source unit 210 are spaced apart from each other by the same distance from the upper or lower end of the susceptor 400, That is, the plurality of heat source bars 250 extend in the downward direction or the upward direction from the inner wall of at least one of the upper block 131a and the lower block 131b, and extend from the lower end and the upper end of the susceptor 400 to the same distance As shown in FIG. 5, the plurality of heat source bars 250 may include an upper heat source bar 250a extending in a downward direction from an inner wall of the upper block 131a and spaced apart from an upper end of the susceptor 400, And a lower heat source bar 250b extending upward from the inner wall of the lower block 131b and spaced apart from the lower end of the susceptor 400. [

복수개의 열원바(250)는 상부 블록(131a) 및 하부 블록(131b) 중 적어도 어느 한 블록의 내벽 둘레를 따라서 소정 거리 상부 또는 하부로 연장 형성되며 구비될 수 있는데, 이를 하부 열원바(250b)를 기준으로 설명하면, 하부 열원바(250b)는 하부 블록(131b)의 내벽으로부터 상부 방향으로 연장 형성되어 상부로 갈수록 안측으로 기울어지도록 형성될 수 있다. 즉, 하부 열원바(250b)는 하부 블록(131b)의 내벽으로부터 상부로 연장된 선과 θ의 각도를 갖도록 하부 블록(131b)을 관통하며 배치될 수 있다. 이처럼 하부 열원바(250b)가 서셉터(400)의 단부와 근접한 방향으로 연장될수록 안측으로(즉, 처리 챔버(100)의 수평방향으로의 폭을 기준으로 중심쪽으로) 기울어지도록 형성됨으로써 하부블록(131b)을 관통하며 이동할 수 있는 기타 구성이 하부 열원바(250b)에 충돌하는 것을 방지할 수 있다. The plurality of heat source bars 250 may be formed to extend upward or downward a predetermined distance along the inner wall of at least one of the upper block 131a and the lower block 131b. The lower heat source bar 250b may extend upward from the inner wall of the lower block 131b and may be inclined inward toward the upper portion. That is, the lower heat source bar 250b may be arranged to pass through the lower block 131b so as to have an angle with the line extending upward from the inner wall of the lower block 131b. The lower heat source bar 250b is formed to be inclined inward (that is, toward the center with respect to the horizontal direction width of the processing chamber 100) as it extends in the direction close to the end of the susceptor 400, 131b can be prevented from colliding with the lower heat source bar 250b.

또한, 복수개의 열원바(250) 각각의 외측을 수평 방향으로 연결한 연결선(L250)의 평균직경은 서셉터(400)의 평균직경(R400)과 동일하거나 작고, 기판(S)의 평균직경보다는 큰 평균직경을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 복수개의 열원바(250)들 각각의 외측을 수평 방향으로 연결한 연결선(L250)의 평균직경이 서셉터(400)의 평균직경(R400)과 동일하도록 구비되면, 복수개의 열원바(250)가 서셉터(400)의 직하부로부터 이격되어 배치되기 때문에 서셉터(400)의 가열이 용히가며, 서셉터(400)의 평균직경(R400)과 작거나 기판(S)의 평균직경보다는 큰 평균직경을 가지면 서셉터(400) 뿐만 아니라 기판(S)으로의 방사광의 전달이 용이한 이점이 있다. 그러나, 복수개의 열원바(250) 각각의 외측을 수평 방향으로 연결한 연결선(L250)의 평균직경이 기판(S)의 평균직경보다 작은 평균직경을 갖도록 형성되면, 후술하는 지지유닛(500)의 이동 영역과 중첩되는 영역에 하부 열원바(250b)가 배치될 수 있기 때문에 복수개의 열원바(250) 중 하부 열원바(250b)들의 외측을 수평 방향으로 연결한 연결선(L250)의 평균직경은 서셉터(400)의 평균직경(R400)과 동일하거나 작고, 기판(S)의 평균직경보다는 큰 평균직경을 갖도록 형성될 수 있다.The average diameter of the connection lines L 250 connecting the outer sides of the plurality of heat source bars 250 in the horizontal direction is equal to or smaller than the average diameter R 400 of the susceptor 400, May be formed to have an average diameter larger than the diameter. That is, if the average diameter of the connection lines L 250 connecting the outer sides of the plurality of heat source bars 250 in the horizontal direction is equal to the average diameter R 400 of the susceptor 400, the average of the susceptor 400 gamyeo heating yonghi, susceptor 400, the average diameter (R 400) and less than or equal to the substrate (S) of the, since 250 is up away from the straight lower part of the susceptor 400 is disposed It is advantageous that the irradiation of the synchrotron radiation to the substrate S as well as the susceptor 400 is facilitated by having an average diameter larger than the diameter. However, if the average diameter of the connection lines L 250 connecting the outer sides of the plurality of heat source bars 250 in the horizontal direction is formed to have an average diameter smaller than the average diameter of the substrate S, Since the lower heat source bar 250b can be disposed in an area overlapping the moving region of the lower heat source bars 250a and 250b, the average diameter of the connecting line L 250 connecting the outer sides of the lower heat source bars 250b among the plurality of heat source bars 250 in the horizontal direction It is equal to or smaller and up to the average diameter (R 400) of the susceptor 400 may be formed to have a larger average diameter than the average diameter of the substrate (S).

한편, 복수개의 열원바(250) 중 상부 열원바(250a)는 후술하는 지지 유닛(500)의 이동 영역과 중첩이 존재하지 않기 때문에 상부 열원바(250a)의 외측을 수평방향으로 연결한 연결선의 평균직경은 기판(S)의 평균직경과 동일한 크기를 갖도록 배치되어 기판(S)을 보다 용이하게 가열할 수 있도록 할 수 있다.
On the other hand, the upper heat-source bar 250a of the plurality of heat-source bars 250 does not overlap with the moving region of the support unit 500 to be described later, so that the outer side of the upper heat- The average diameter may be arranged to have the same size as the average diameter of the substrate S so that the substrate S can be heated more easily.

도 7을 참조하면, 지지유닛(500)은 처리 챔버(100) 내의 처리공간(P·A)에서 서셉터(400)의 안측으로 이격된 상태에서 기판(S)을 안정적으로 지지하고, 기판(S)을 처리 챔버(100) 내부 및 외부로 이동되도록 움직임을 부여하기 위해 구비될 수 있다. 즉, 지지유닛(500)은 적어도 일부가 처리 챔버(100) 내측 및 외측으로 이동 가능하도록 구비되며, 상하방향으로 연장 형성되어 기판(S)의 내측면 중 적어도 일부 영역에 접촉 배치되는 지지체(510)와, 지지체(510)의 하부에 일단이 연결되어 연장 형성되는 지지축(530) 및 지지축(530)의 타단에 연결되어 지지축(530)을 승강 및 회전 가능하게 하는 구동기(550)를 포함한다. 7, the supporting unit 500 stably supports the substrate S in a state of being spaced inward from the susceptor 400 in the processing space P 占 in the processing chamber 100, S to move into and out of the processing chamber 100. That is, the support unit 500 is provided so as to be movable at least a part inside and outside the process chamber 100, and includes a support 510 (not shown) extending in the vertical direction and disposed in contact with at least a part of the inner surface of the substrate S A support shaft 530 having one end connected to the lower portion of the support 510 and a driver 550 connected to the other end of the support shaft 530 to allow the support shaft 530 to move up and down .

지지체(510)는 기판(S)의 내측면 중 적어도 일부에 접촉되어 기판(S)을 안정적으로 지지하기 위한 틀을 제공하는 것으로서, 지지체(510)는 상부 및 하부로 상호 이격되어 배치되며, 굴곡을 갖는 기판(S)의 둘레방향으로의 내측면과 대향하는 형상으로 형성된 상부 접촉 프레임(511) 및 하부 접촉 프레임(513)과, 접촉 프레임(511, 513)들의 이격거리 만큼의 길이를 갖고 형성되어 상부 접촉 프레임(511)과 하부 접촉 프레임(513) 사이를 연결하며, 기판(S)의 내측면 중 일부 영역을 상하방향으로 접촉 지지할 수 있는 연결 프레임(515)으로 구성될 수 있다.The support 510 is provided to contact at least a part of the inner surface of the substrate S to provide a frame for stably supporting the substrate S such that the support 510 is spaced upward and downward from each other, The upper contact frame 511 and the lower contact frame 513 formed in a shape opposite to the inner side surface in the circumferential direction of the substrate S having the contact frames 511 and 513 and the contact frames 511 and 513, And a connection frame 515 connecting between the upper contact frame 511 and the lower contact frame 513 and supporting a part of the inner surface of the substrate S in a vertical direction.

상부 접촉 프레임(511) 및 하부 접촉 프레임(513)은 원형의 링 형상으로 형성되어 기판(S)의 내부상측면 및 내부하측면에 접촉 배치되어 기판(S)의 둘레방향에 따른 상부 및 하부 측면을 지지할 수 있다. The upper contact frame 511 and the lower contact frame 513 are formed in a circular ring shape and are disposed in contact with the inner side surface and the inner lower side surface of the substrate S, . ≪ / RTI >

연결 프레임(515)은 상부 접촉 프레임(511)과 하부 접촉 프레임(513)을 연결하며 지지체(510)의 상하방향으로의 연장 높이를 결정할 수 있다. 즉, 연결 프레임(515)은 기판(S)의 상하방향으로의 높이보다 증가 혹은 동일한 높이로 형성되어 상부 접촉 프레임(511)과 하부 접촉 프레임(513) 각각의 하단 및 상단에 각각 일단 및 타단이 연결되어 지지체(510)를 형성할 수 있다. The connection frame 515 connects the upper contact frame 511 and the lower contact frame 513 and determines the height of the support body 510 in the vertical direction. That is, the connection frame 515 is formed to have an increased or equal height than the height of the substrate S in the vertical direction, and one end and the other end of the connection frame 515 are formed at the lower end and the upper end of the upper contact frame 511 and the lower contact frame 513, respectively Thereby forming a support body 510. [0051]

이와 같이 형성된 지지체(510)에는 기판(S)이 상하방향으로 끼워지면서 형성될 수 있으며, 기판(S)이 박판 형태의 기판을 지지체(510)의 형상에 따라 굴곡을 형성하도록 하여 지지체(510)에 지지시킬 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 지지체(510)에 기판(S)을 연결할 수 있다. The substrate S may be formed by sandwiching the substrate S in the vertical direction so that the substrate S forms a curved shape in accordance with the shape of the substrate 510 to form the substrate 510, The substrate S may be connected to the support 510 by various methods.

한편, 지지체(510)에는 상부 접촉 프레임(511) 및 하부 접촉 프레임(513)의 안측면에서 접촉 프레임(511, 513)들의 형상을 유지할 수 있도록 고정 프레임(517)이 구비될 수도 있다. 즉, 평면상에서 상부 접촉 프레임(511) 및 하부 접촉 프레임(513)의 중심을 가로지르는 한 쌍의 바에 의해 고정 프레임(517)을 구비함으로써 상부 접촉 프레임(511) 및 하부 접촉 프레임(513)이 원형의 링 형상을 유지하여 접촉 프레임(511, 513)의 형상 변형에 의한 기판(S)의 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다. The support body 510 may be provided with a fixing frame 517 to maintain the shapes of the contact frames 511 and 513 on the inner side surfaces of the upper contact frame 511 and the lower contact frame 513. [ The upper contact frame 511 and the lower contact frame 513 are provided with the fixed frame 517 by a pair of bars that cross the center of the upper contact frame 511 and the lower contact frame 513, The deformation of the substrate S due to the deformation of the contact frames 511 and 513 can be prevented.

지지축(530)은 지지체(510)의 하면에 일단이 연결되어 하부 방향으로 연장 형성되는 것으로서, 지지축(530)은 지지체(510)가 처리 챔버(100) 내에 배치될 경우 연장 길이가 지지체(510)의 하면으로부터 처리 챔버(100)의 외부로까지 연장 형성될 수 있다. 이때, 지지축(530)은 후술하는 구동기(550)에 의해 상하방향으로의 길이가 조절됨으로써 지지축(530)에 연결된 지지체(510)를 처리 챔버(100) 내부에 투입시키거나 외부로 반출시킬 수 있다. 한편, 지지축(530)은 기판(S)이 처리되는 시간동안에 처리 챔버(100)의 내부에 배치되는 것이 아니라 일부가 처리 챔버(100) 외부에 배치되는 구조를 갖는데, 이에, 지지축(530)에는 처리 챔버(100)의 게이트를 개방 및 폐쇄할 수 있는 도어(150)가 설치될 수 있다. 즉, 지지축(530)의 상하방향으로의 어느 한 위치에서 지지축(530)의 외측을 둘러싸며 도어(150)가 배치될 수 있다. 이에, 도어(150)는 지지축(530)의 연장 길이가 변화에 따라서 게이트를 개방 및 폐쇄하면서 지지체(510)가 처리 챔버(100) 외부로 반출 및 반입될 수 있도록 할 수 있다. The supporting shaft 530 is connected to the lower surface of the supporting body 510 and extends in the downward direction so that the supporting shaft 530 can be fixed to the supporting body 510 when the supporting body 510 is disposed in the processing chamber 100 510) to the outside of the process chamber 100. The process chamber At this time, the supporting shaft 530 is vertically adjusted by a driver 550, which will be described later, so that the supporting body 510 connected to the supporting shaft 530 can be inserted into or out of the processing chamber 100 . The support shaft 530 has a structure in which a part of the support shaft 530 is disposed outside the process chamber 100 during the time the substrate S is processed, May be provided with a door 150 that can open and close the gate of the process chamber 100. [ That is, the door 150 may be disposed to surround the outside of the support shaft 530 at any position in the vertical direction of the support shaft 530. Thus, the door 150 can allow the support 510 to be taken out and carried out of the processing chamber 100 while opening and closing the gate as the extension length of the support shaft 530 changes.

구동기(550)는 지지축(530)을 상하방향으로 승강 및 수평방향으로 회전시키기 위한 동력을 제공하기 위해 구비된다. 이때, 구동기(550)는 지지축(530)의 상승 및 하강의 높이를 조절할 수 있으며, 승강 및 하강할 때의 속도를 조절할 수 있는 장치가 사용될 수 있다. 또한, 구동기(550)는 지지축(530)이 일정한 속도로 회전 가능하도록 동력을 제공함으로써 지지축(530)에 의해 지지체(510)가 일정 속도로 회전하면서 그래핀 박막 증착 처리가 진행되도록 할 수 있다.
The driver 550 is provided to provide power for vertically moving the support shaft 530 in the vertical direction. At this time, the driver 550 can adjust the height of the lifting and lowering of the support shaft 530, and a device capable of adjusting the speed of the lifting and lowering can be used. The driving unit 550 may provide power to rotate the support shaft 530 at a constant speed so that the support 510 may be rotated at a constant speed by the support shaft 530 to progress the deposition process of the graphene thin film. have.

한편, 전술한 바와 같이 형성되는 기판 처리 장치(1)에는 처리 챔버(100)의 하부에 배치되어 처리 챔버(100) 내의 처리공간(P·A)과 연통되는 보조공간(E·A)을 형성하는 보조 유닛(600)이 구비될 수도 있다. The substrate processing apparatus 1 formed as described above is provided with an auxiliary space E · A disposed at a lower portion of the processing chamber 100 and communicating with the processing space P · A in the processing chamber 100 May be provided.

보조 유닛(600)은 처리공간(P·A)과 연통하는 보조공간(E·A)을 형성하여, 처리공간(P·A)으로 공급되는 공정가스 및 냉각가스를 용이하게 배출시키기 위해 구비된다. 보조 유닛(600)은 상부 및 하부가 개방되고, 개방된 단부 중 상단부가 처리 챔버(100)의 하면에 접촉 배치되는 보조 챔버(610)와, 보조 챔버(610)의 측면을 관통하며 형성되는 배출홀(615) 및 배출홀(615)에 적어도 일부가 삽입 배치되며, 처리공간(P·A)과 연통되는 보조공간(E·A) 내 기체를 보조 챔버(610)의 외부로 배출시키기 위한 배출부(630)을 포함한다.The auxiliary unit 600 is provided for easily discharging the process gas and the cooling gas supplied to the process space P · A by forming an auxiliary space E · A communicating with the process space P · A . The auxiliary unit 600 includes an auxiliary chamber 610 having upper and lower openings and an upper end of which is disposed in contact with the lower surface of the processing chamber 100, At least a part of which is inserted into the hole 615 and the discharge hole 615 to discharge the gas in the auxiliary space E · A communicating with the processing space P · A to the outside of the auxiliary chamber 610 630 < / RTI >

보조 챔버(610)는 처리 챔버(100)의 하부에 배치되어 처리 챔버(100)의 처리공간(P·A)과 연통되는 소정영역의 보조공간(E·A)을 형성하기 위한 구조물로서, 상부 및 하부가 개방되고 측벽으로으로 구성되어 형성될 수 있다. 이때, 보조 챔버(610)는 상단부(611) 및 하단부(613) 중 상단부가 처리 챔버(100)의 하부 블록(131b)의 바닥면에 접촉 배치되어 연결될 수 있다. The auxiliary chamber 610 is a structure for forming an auxiliary space E · A disposed at a lower portion of the processing chamber 100 and communicating with the processing space P · A of the processing chamber 100, And the lower portion may be opened and formed as a side wall. At this time, the upper end of the upper end 611 and the lower end 613 of the auxiliary chamber 610 may be connected to the bottom surface of the lower block 131b of the process chamber 100 and connected thereto.

배출홀(615)은 보조 챔버(610)의 측벽의 어느 한 위치에서 측벽을 관통하며 형성되어, 보조 챔버(610)와 외부를 측방향으로 연통시킬 수 있다. 이때, 배출홀(615)은 후술하는 배출부(630)가 연결되어 보조공간(E·A)에 존재하는 기체가 보조 챔버(610) 외부로 나갈 수 있는 경로를 형성할 수 있다. The discharge hole 615 is formed through the side wall at any position of the side wall of the auxiliary chamber 610 so as to allow the auxiliary chamber 610 to communicate with the outside in the lateral direction. At this time, the discharge hole 615 may be connected to a discharging portion 630 described later to form a path through which gas existing in the auxiliary space E · A may flow out of the auxiliary chamber 610.

배출부(630)는 배출홀(615)에 적어도 일부가 삽입 배치되어 보조공간(E·A) 내 기체를 보조 챔버(610)의 외부로 배출시키기 위해 구비될 수 있으며, 배출부(630)는 일단이 보조 챔버(610)의 배출홀(615)에 삽입되어 배치되는 배출관(631)과, 배출관(631)의 타단에 연결되어 보조 챔버(610)의 보조공간(E·A)의 압력을 감소시킴으로써 보조공간(E·A) 내 기체가 배출관(631)을 통해 보조 챔버(610)의 외측으로 이동할 수 있게 보조공간(E·A)의 압력을 조절하는 압력조절기(633)를 포함한다. The discharge portion 630 may be disposed at least partially in the discharge hole 615 to discharge the gas in the auxiliary space E · A to the outside of the auxiliary chamber 610, A discharge pipe 631 whose one end is inserted into the discharge hole 615 of the auxiliary chamber 610 and a discharge pipe 631 connected to the other end of the discharge pipe 631 to reduce the pressure of the auxiliary space E · A of the auxiliary chamber 610 And a pressure regulator 633 for regulating the pressure of the auxiliary space E · A so that the gas in the auxiliary space E · A can move to the outside of the auxiliary chamber 610 through the discharge pipe 631.

이와 같이, 보조 유닛(600)이 처리 챔버(100)에 연통되어 구비됨으로써, 처리 챔버(100) 내의 처리공간(P·A)에 공급되는 공정가스 및 냉각가스가 처리 챔버(100)보다 형성공간이 작은 보조 챔버(610)의 보조공간(E·A)으로 유입되어 배출부(630)를 통해 외부로 빠져나갈 수 있다.
Since the auxiliary unit 600 is provided in communication with the processing chamber 100 as described above, the processing gas and the cooling gas supplied to the processing space P · A in the processing chamber 100 are formed in the forming space Can enter the auxiliary space E · A of the small auxiliary chamber 610 and can escape to the outside through the discharge portion 630.

한편, 처리 챔버(100)의 하부에 보조 유닛(600)이 구비됨으로써, 전술한 지지유닛(500)에는 지지체(510)와 지지축(530) 사이에 구비되어, 지지체(510)의 상단으로부터 지지축(530)의 하단까지의 총 길이를 증가시키기 위한 연장체(520)와, 일면에는 지지축(530)이 타면에는 연장체(520)가 연결되며, 처리공간(P·A) 및 보조공간(E·A)을 연통시키기 위한 연통홀(545)이 형성된 연통부재(540)가 추가로 구비될 수 있다. 또한, 지지체(510)가 처리공간(P·A)에 배치되고, 도어(150)의 상면이 보조 챔버(610)의 하단부(613)에 접촉 배치될 때, 연통부재(540)로부터 하부로 이격된 위치에서 지지축(530)의 외측을 둘러싸며 배치되는 배출 유도부재(560)를 포함할 수도 있다. The support unit 500 is provided between the support body 510 and the support shaft 530 to support the support body 510 from the upper end of the support body 510. [ And an extension body 520 is connected to the other surface of the support shaft 530 on one side of the extension body 520. The processing space P · A and the auxiliary space E The communication member 540 may be further provided with a communication hole 545 for communicating the air-fuel mixture A and the air. When the support 510 is disposed in the processing space P and the upper surface of the door 150 is disposed in contact with the lower end portion 613 of the auxiliary chamber 610, And a discharge inducing member 560 disposed around and surrounding the support shaft 530 at a predetermined position.

연장체(520)는 보조 챔버(610)가 처리 챔버(100)의 하부에 배치됨으로써 지지축(530) 및 지지체(510) 중 적어도 어느 하나의 길이가 보조 챔버(610)의 상하방향으로의 길이만큼 증가되어 구비되는 것을 대체하기 위한 구조물로써, 연장체(520)는 지지체(510)의 연결 프레임(515)과 대응되는 위치에서 지지체(510)의 하단으로부터 하부방향으로 연장 형성될 수 있다. 이때, 연장체(520)는 보조 챔버(610)의 상하방향으로의 길이만큼 지지체(510)의 하단으로부터 연장되어 구비되거나, 지지축(530) 및 지지체(510) 중 적어도 어느 하나의 길이가 짧아질 경우에도 지지체(510)를 처리 챔버(100)의 상하방향으로의 길이를 기준으로 중앙영역에 배치될 수 있도록 보조 챔버(610)의 상하방향으로의 길이보다 증가된 길이만큼 연장되어 구비될 수 있다. The extension 520 is disposed at the lower portion of the processing chamber 100 so that the length of at least one of the support shaft 530 and the support 510 is longer than the length of the auxiliary chamber 610 in the vertical direction The extension body 520 may be formed to extend downward from the lower end of the support body 510 at a position corresponding to the connection frame 515 of the support body 510. In this case, At this time, the extension 520 extends from the lower end of the support body 510 by the length of the auxiliary chamber 610 in the vertical direction, or the length of at least one of the support shaft 530 and the support body 510 is shortened The support body 510 may be extended by an increased length than the length of the auxiliary chamber 610 in the vertical direction so as to be disposed in the central region with respect to the vertical length of the processing chamber 100 .

연통부재(540)는 지지체(510)의 연결 프레임(515)과 대응되어 구비되는 연장체(520)와 지지축(530)을 상호 연결하기 위해 구비되는 것으로서, 일면은 연장체(520)의 하단에 타면은 지지축(530)의 상단이 각각 연결되는 판의 구조로 형성될 수 있다. 이때, 연통부재(540)에는 상하방향으로 관통되는 연통홀(545)이 형성될 수 있으며, 연통부재(540)가 판상으로 형성되어 처리 챔버(100)와 보조 챔버(610) 간의 공간을 일부 차단하더라도 연통홀(545)에 의해서 처리 챔버(100)와 보조 챔버(610)의 공간들이 상호 연통되도록 할 수 있다. The communication member 540 is provided for interconnecting the extension body 520 and the support shaft 530 provided in correspondence with the connection frame 515 of the support body 510. One side of the communication body 540 faces the lower end of the extension body 520, And the upper end of the support shaft 530 are connected to each other. The communication member 540 may be formed with a communication hole 545 penetrating in the vertical direction and the communication member 540 may be formed in a plate shape to partially block the space between the process chamber 100 and the auxiliary chamber 610 The spaces of the process chamber 100 and the auxiliary chamber 610 can be communicated with each other by the communication holes 545.

배출 유도부재(560)는 지지체(510)의 상하방향으로의 위치 중 도어(150)의 상부 및 연통부재(540)의 하부에서 지지체(510)에 관통 구비되는 것으로서, 보다 구체적으로, 배출 유도부재(560)는 지지체(510)가 처리공간(P·A)에 배치되고 도어(150)의 상면이 보조 챔버(610)의 하단부(613)에 접촉 배치될 때, 연통부재(540)로부터 하부로 이격된 위치에서 지지축(530)의 외측을 둘러싸며 배치되며, 보조 챔버(610)의 하단부로부터 배출홀(615)이 형성된 위치까지의 높이와 동일하거나 작은 높이를 갖는 판상으로 형성될 수 있다. 이때, 배출 유도부재(560)는 보조 챔버(610)의 하단부로부터 상부 방향으로의 소정 영역을 차지함으로써, 처리공간(P·A)으로부터 보조공간(E·A)으로 유입되는 기체들이 보조 챔버(610)의 하단부까지 이동하지 않고 배출홀(615)이 형성된 보조 챔버(610)의 상하방향으로의 위치에서 배출홀(615)을 통해 빠져나가도록 할 수 있다. 이때, 배출 유도부재(560)는 보조 챔버(610)의 수평방향으로의 평균직경 보다는 작은 크기로 형성되어 보조 챔버(610)의 내측 및 외측으로 용이하게 이동가능하도록 구비될 수 있다.
The discharge guide member 560 is provided to pass through the support body 510 at the upper portion of the door 150 and the lower portion of the communication member 540 among the positions of the support body 510 in the vertical direction, When the supporting body 510 is disposed in the processing space P and the upper surface of the door 150 is placed in contact with the lower end portion 613 of the auxiliary chamber 610, And may be formed in a plate shape having a height equal to or smaller than the height from the lower end of the auxiliary chamber 610 to the position where the discharge hole 615 is formed. At this time, since the discharge inducing member 560 occupies a predetermined area from the lower end of the auxiliary chamber 610 in the upward direction, the gases introduced into the auxiliary space E · A from the processing space P · 610 without moving to the lower end of the auxiliary chamber 610. In other words, the auxiliary chamber 610 can be moved out of the discharge hole 615 at a position in the vertical direction of the auxiliary chamber 610 formed with the discharge hole 615. At this time, the discharge inducing member 560 may be formed to be smaller than the average diameter in the horizontal direction of the auxiliary chamber 610, and may be provided to be easily movable inward and outward of the auxiliary chamber 610.

이하에서, 도 8을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판 상에 그래핀을 증착하는 방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, referring to FIG. 8, a method of depositing graphene on a substrate using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 작동 상태 및 기판 처리 장치 내부의 가스 흐름을 설명하기 위한 도면이다. 8 is a view for explaining the operating state of the substrate processing apparatus and the gas flow inside the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

먼저, 기판(S)을 도어(150)가 연결된 지지유닛(500)에 상하방향으로 고정한다. 즉, 지지축(530)을 하강시켜 도어(150)를 보조 챔버(610)로부터 분리시키고, 지지체(510)를 외부로 반출한다. 그리고, 지지체(510)에 상하방향으로 기판(S)을 끼워 고정시키거나, 기판(S)을 밴딩시켜 지지체(510)에 감아지도록 하여 고정시킨다. 이에, 기판(S)은 상부 및 하부의 내측면과 상하방향으로 접촉 프레임(511, 513)들 및 연결 프레임(515)이 고정하고 있기 때문에 굴곡이 있는 형상이 유지된 상태로 지지될 수 있다. 이때, 기판(S)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있다. First, the substrate S is vertically fixed to the support unit 500 to which the door 150 is connected. That is, the support shaft 530 is lowered to separate the door 150 from the auxiliary chamber 610, and the support 510 is taken out to the outside. Then, the substrate S is fixed to the support 510 by vertically sandwiching the substrate S, or the substrate S is bent and wound around the support 510 to be fixed. Accordingly, since the contact frames 511 and 513 and the connection frame 515 are fixed to the upper and lower inner side surfaces of the substrate S in the vertical direction, the substrate S can be supported in a state in which the curved shape is maintained. The substrate S may be at least one selected from the group consisting of nickel (Ni), copper (Cu), cobalt (Co), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), platinum (Pt), silver (Ag), chromium (Cr) ), Titanium (Ti), and tungsten (W) may be used.

지지체(510)에 기판(S)이 고정되면, 지지축(530)을 상승시켜 지지체(510)가 처리 챔버(100) 내의 처리공간(P·A)에 배치되어 기판(S)이 처리공간(P·A)으로 로딩되도록 하고, 도어(150)의 상면이 보조 챔버(610)의 하단부(613)에 접촉되도록 함으로써 게이트가 폐쇄된다. When the substrate S is fixed to the support body 510, the support shaft 530 is raised so that the support body 510 is disposed in the processing space P · A in the processing chamber 100, And the gate is closed by causing the upper surface of the door 150 to contact the lower end portion 613 of the auxiliary chamber 610. As a result,

이후, 보조 챔버(610)의 배출홀에 연결된 진공라인을 통해 처리 챔버(100) 및 보조 챔버(610) 내부 기체를 배출시켜 처리 챔버(100) 및 보조 챔버(610)의 내부 압력을 진공 상태로 만든다. 이때, 내부 압력은 0.01 내지 50torr 범위로 제어될 수 있다.The inner pressure of the processing chamber 100 and the auxiliary chamber 610 is evacuated by discharging the gas inside the processing chamber 100 and the auxiliary chamber 610 through the vacuum line connected to the discharge hole of the auxiliary chamber 610 I make it. At this time, the internal pressure can be controlled in the range of 0.01 to 50 torr.

이어서, 열원유닛(200)을 작동시켜 서셉터(400)를 가열하면서 처리 챔버(100)의 상부에 연결된 공정 가스 공급부(172)을 작동시켜 처리공간(P·A) 내에 공정가스를 공급하며 기판(S) 상에 그래핀을 증착한다. 즉, 굴곡을 갖는 기판(S)의 형상과 대응되어 구비되는 서셉터(400)의 굴곡진 측면으로 방사광이 고루 전달될 수 있도록 처리 챔버(100)의 측부 블록(133a, 133b, 133c, 133d)에 구비된 제1 열원유닛(230) 및 제1 열원유닛(230)에 가장 근접한 서셉터(400)의 위치에서 제1 열원유닛(230)과의 이격거리가 멀어진 위치의 서셉터(400)를 가열하기 위한 제2 열원유닛(210)을 작동시켜 서셉터(400)를 800 내지 1050℃ 로 가열하고, 공정가스로는 CH4, C2H6, C2H2, C6H6 등과 같이 탄소를 함유하는 가스를 주입할 수 있다. 이때, 기판(S) 상에 그래핀이 증착되는 동안 공정가스 공급부(172)을 통해 공정가스가 공급되는 동시에 미반응 가스 및 잔류물은 보조공간(E·A)측으로 이동하여 배출홀(615)을 통해 외부로 배출될 수 있다. Subsequently, the heat source unit 200 is operated to heat the susceptor 400 to operate the process gas supply unit 172 connected to the upper part of the process chamber 100 to supply the process gas into the process space P · A, (S). ≪ / RTI > That is, the side blocks 133a, 133b, 133c, and 133d of the processing chamber 100 are arranged so that the radiation can be uniformly transmitted to the curved side surfaces of the susceptor 400 provided in correspondence with the shape of the substrate S having the curvature, The susceptor 400 at a position spaced apart from the first heat source unit 230 by a distance from the first heat source unit 230 and the first heat source unit 230 closest to the susceptor 400 The second heat source unit 210 for heating may be operated to heat the susceptor 400 to 800 to 1050 DEG C and a gas containing carbon such as CH4, C2H6, C2H2, C6H6 or the like may be injected as the process gas. At this time, the process gas is supplied through the process gas supply unit 172 while the graphenes are deposited on the substrate S, and the unreacted gas and the residue move to the auxiliary space E · A side, As shown in FIG.

그래핀이 기판(S) 상에 증착되는 과정에서 열원으로부터 조사된 방사광은 윈도우를 투과한 후, 서셉터(400)로 조사된다. 이에, 서셉터(400)는 열원으로부터 조사되는 방사광에 의해 미리 설정된 온도까지 가열되고, 가열된 서셉터(400)의 열전달에 의해 기판(S)이 간접적으로 가열된다. 이때, 기판(S)은 처리 챔버(100) 내에서 서셉터(400)에 의해 분할된 비교적 작은 처리공간(P·A) 내에 구속되어 있는 상태로, 가열된 서셉터(400)의 열전달(즉, 복사 또는 전도)에 의해 신속하고 균일하게 가열될 수 있다. 또한, 기판(S)은 열전달에 의해 간접적으로 가열되기 때문에 고온에 의해 직접 가열됨으로써 발생할 수 있는 손상이 방지될 수 있다. 또한, 제1 열원유닛(230) 및 제2 열원유닛(210)에 의해 서셉터(400)의 전체 영역이 균일하게 가열되어 온도의 편차없이 일정하게 유지할 수 있기 때문에 그래핀이 증착되는 동안 기판(S)의 온도를 일정하게 유지하여 그래핀 박막이 균일하게 증착될 수 있다. In the process of deposition of the graphene on the substrate S, the radiation emitted from the heat source is transmitted through the window and then irradiated to the susceptor 400. Thus, the susceptor 400 is heated to a predetermined temperature by the radiation emitted from the heat source, and the substrate S is indirectly heated by the heat transfer of the heated susceptor 400. At this time, the substrate S is restrained in the relatively small processing space P 占 divided by the susceptor 400 in the processing chamber 100, and the heat transfer of the heated susceptor 400 , Radiation or conduction). ≪ / RTI > Further, since the substrate S is indirectly heated by heat transfer, damage which may be caused by direct heating by the high temperature can be prevented. Since the entire area of the susceptor 400 is uniformly heated by the first heat source unit 230 and the second heat source unit 210 and can be kept constant without temperature variation, S) can be maintained at a constant temperature, the graphene thin film can be uniformly deposited.

이후, 기판(S) 상에 원하는 두께의 그래핀 박막이 증착되면 열원유닛(200)의 작동을 정지시키고, 냉각가스 공급부(174)을 통해 처리 챔버(100)의 측방향 및 상하방향으로 처리공간(P·A)에 냉각가스를 공급하여 서셉터(400), 기판(S) 및 나머지 처리 챔버(100) 내 구성들을 냉각시킨다. 이때, 냉각가스 공급부(174)을 통해 공급되는 냉각가스는 질소(N), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 한 가지가 선택되어 사용될 수 있다. 냉각가스가 공급되면, 보조 챔버(610)의 배출홀(615)에 연결된 배출부(630)를 통해 냉각가스를 배출시킬 수 있다. Thereafter, when the graphene thin film having a desired thickness is deposited on the substrate S, the operation of the heat source unit 200 is stopped, and the cooling gas is supplied to the processing space 100 in the lateral direction and in the vertical direction of the processing chamber 100, To cool the susceptor 400, the substrate S, and the rest of the processing chamber 100 by supplying a cooling gas to the substrate P · A. At this time, at least one of nitrogen (N), argon (Ar), and helium (He) can be selected and used as the cooling gas supplied through the cooling gas supply unit 174. When the cooling gas is supplied, the cooling gas can be discharged through the discharge portion 630 connected to the discharge hole 615 of the auxiliary chamber 610.

S : 기판 P·A : 처리공간
E·A : 보조공간 1 : 기판 처리 장치
100 : 처리 챔버 110 : 챔버 몸체
130 : 블록유닛 131 : 제1 블록유닛
131a : 상부블록 131b : 하부블록
133 : 제2 블록유닛 133a, 133b, 133c, 133d : 측부블록
200 : 열원유닛 210, 210' : 제2 열원유닛
230 : 제1 열원유닛 212' : 제1 발열부
214' : 제2 발열부 250 : 열원바
300 : 반사유닛 400 : 서셉터
500 : 지지유닛 600 : 보조유닛S: substrate P · A: processing space
E · A: auxiliary space 1: substrate processing device
100: processing chamber 110: chamber body
130: block unit 131: first block unit
131a: upper block 131b: lower block
133: second block unit 133a, 133b, 133c, 133d: side block
200: heat source unit 210, 210 ': second heat source unit
230: first heat source unit 212 ': first heat source unit
214 ': second heat generating part 250: heat source bar
300: reflection unit 400: susceptor
500: support unit 600: auxiliary unit

Claims (29)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 내부에 처리공간이 형성되는 처리 챔버와;
상하방향으로 연장 형성되어 상기 처리 챔버 내부에 배치되며, 상기 상하방향에 교차하는 수평방향으로 상기 처리공간을 분할하는 서셉터; 및
상기 서셉터의 외측에서, 상기 처리챔버의 상하방향으로 연장되는 면 중 적어도 어느 한 곳 및 상기 처리챔버의 수평방향으로 연장되는 면 중 적어도 어느 한 곳을 관통하며 배치되는 열원유닛;을 포함하며,
상기 처리 챔버는,
상기 처리공간의 틀을 형성하며, 상기 상하방향 및 상기 수평방향으로 연장형성된 면 중 적어도 일부가 개방된 챔버 몸체와;
상기 챔버 몸체의 개방된 면과 마주보는 일측이 개방 형성되며, 상기 열원유닛이 장착되는 블록유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.A processing chamber in which a processing space is formed;
A susceptor extending in the vertical direction and disposed in the processing chamber, the susceptor dividing the processing space in a horizontal direction crossing the vertical direction; And
And a heat source unit arranged to penetrate at least any one of a surface extending in the vertical direction of the processing chamber and a surface extending in the horizontal direction of the processing chamber outside the susceptor,
Wherein the processing chamber comprises:
A chamber body forming a frame of the processing space, at least a part of the surfaces extending in the up-and-down direction and the horizontally extending direction being opened;
And a block unit to which the heat source unit is mounted, the heat source unit being open at one side facing the open side of the chamber body. 청구항 5 에 있어서,
상기 열원유닛은,
상기 처리 챔버를 기준으로 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제1 열원유닛과;
상기 처리 챔버의 수평방향으로의 8 방위 중 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제2 열원유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The heat source unit includes:
A first heat source unit positioned at least at one of four directions facing the horizontal sides of the processing chamber relative to the processing chamber;
And a second heat source unit located in at least one of four directions other than the four directions opposite to the horizontal sides of the processing chamber among the eight orientations in the horizontal direction of the processing chamber. 내부에 처리공간이 형성되는 처리 챔버와;
상하방향으로 연장 형성되어 상기 처리 챔버 내부에 배치되며, 상기 상하방향에 교차하는 수평방향으로 상기 처리공간을 분할하는 서셉터; 및
상기 서셉터의 외측에서, 상기 처리챔버의 상하방향으로 연장되는 면 중 적어도 어느 한 곳 및 상기 처리챔버의 수평방향으로 연장되는 면 중 적어도 어느 한 곳을 관통하며 배치되는 열원유닛;을 포함하며,
상기 열원유닛은,
상기 처리 챔버를 기준으로 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제1 열원유닛과;
상기 처리 챔버의 수평방향으로의 8 방위 중 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 측면들과 마주보는 4 방위를 제외한 나머지 4 방위 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 제2 열원유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.A processing chamber in which a processing space is formed;
A susceptor extending in the vertical direction and disposed in the processing chamber, the susceptor dividing the processing space in a horizontal direction crossing the vertical direction; And
And a heat source unit arranged to penetrate at least any one of a surface extending in the vertical direction of the processing chamber and a surface extending in the horizontal direction of the processing chamber outside the susceptor,
The heat source unit includes:
A first heat source unit positioned at least at one of four directions facing the horizontal sides of the processing chamber relative to the processing chamber;
And a second heat source unit located in at least one of four directions other than the four directions opposite to the horizontal sides of the processing chamber among the eight orientations in the horizontal direction of the processing chamber. 청구항 7 에 있어서,
상기 처리 챔버는,
상기 처리공간의 틀을 형성하며, 상기 상하방향 및 상기 수평방향으로 연장형성된 면 중 적어도 일부가 개방된 챔버 몸체와;
상기 챔버 몸체의 개방된 면과 마주보는 일측이 개방 형성되며, 상기 열원유닛이 장착되는 블록유닛;을 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 7,
Wherein the processing chamber comprises:
A chamber body forming a frame of the processing space, at least a part of the surfaces extending in the up-and-down direction and the horizontally extending direction being opened;
And a block unit to which the heat source unit is mounted, the heat source unit being open at one side facing the open side of the chamber body. 청구항 6 또는 청구항 8 에 있어서,
상기 블록유닛은,
상기 챔버 몸체의 상하방향으로의 개방면에 접촉 구비되는 제1 블록유닛과;
상기 챔버 몸체의 수평방향으로의 개방면에 접촉 구비되는 제2 블록유닛;을 포함하며,
상기 제1 블록유닛은,
상기 챔버 몸체의 상부에 탈착 가능하도록 구비되어 상기 챔버 몸체의 상부를 개폐하는 상부 블록; 및 상기 상부 블록과 마주보는 상기 챔버 몸체의 하부에 탈착 가능하도록 구비되어, 상기 챔버 몸체의 하부를 개폐하는 하부 블록;을 포함하고,
상기 제2 블록유닛은,
상기 챔버 몸체의 수평방향으로의 개방면 중 적어도 어느 하나의 면에 각각 접촉 구비되는 측부 블록들;을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 6 or claim 8,
Wherein the block unit comprises:
A first block unit provided in contact with an opening face of the chamber body in a vertical direction;
And a second block unit provided in contact with an opening face in the horizontal direction of the chamber body,
Wherein the first block unit comprises:
An upper block detachably mounted on the upper portion of the chamber body to open and close an upper portion of the chamber body; And a lower block which is detachably mounted on a lower portion of the chamber body facing the upper block and opens and closes a lower portion of the chamber body,
Wherein the second block unit comprises:
And side blocks which are respectively in contact with at least one of the open faces in the horizontal direction of the chamber body. 청구항 9 에 있어서,
상기 제1 열원유닛은 수평방향으로 연장 형성되어 적어도 일단부가 상기 제2 블록유닛의 개방 형성된 일측에 교차하는 측벽을 관통하며 배치되며,
상기 제2 열원유닛은 상하방향으로 연장 형성되어 적어도 일단부가 상기 제1 블록유닛을 관통하며 배치되는 기판 처리 장치. The method of claim 9,
Wherein the first heat source unit extends horizontally and is disposed so as to pass through at least one side wall of the second block unit which intersects the open side of the second block unit,
Wherein the second heat source unit extends vertically so that at least one end of the second heat source unit passes through the first block unit. 청구항 10 에 있어서,
제2 열원유닛은,
상기 제1 블록유닛에 일단부가 관통 배치되며, 상부 및 하부 중 어느 한 방향으로 연장 형성되는 제1 발열부; 및
상기 제1 발열부의 연장방향에 교차하는 방향으로 상기 제1 발열부의 타단부에 연결되며, 상기 서셉터의 상단 또는 하단으로부터 이격되어 배치되는 제2 발열부;를 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 10,
The second heat source unit,
A first heat generating unit having one end penetrated through the first block unit and extending in one of an upper direction and a lower direction; And
And a second heat generating unit connected to the other end of the first heat generating unit in a direction crossing the extending direction of the first heat generating unit and spaced apart from an upper end or a lower end of the susceptor. 청구항 5 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열원유닛은 상기 서셉터의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳에 근접 배치되는 복수개의 열원바;를 포함하며,
상기 복수개의 열원바 각각은 상기 서셉터의 상단 또는 하단으로부터 동일거리로 이격 배치되도록 형성되는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 5 to 8,
Wherein the heat source unit includes a plurality of heat source bars disposed close to at least one of an upper end and a lower end of the susceptor,
Wherein each of the plurality of heat source bars is spaced apart from an upper end or a lower end of the susceptor by the same distance. 청구항 12 에 있어서,
상기 복수개의 열원바 각각의 단부를 수평방향으로 연결한 연결선의 평균직경은 상기 서셉터의 평균직경과는 동일하거나 작고, 상기 기판의 평균직경보다는 큰 기판 처리 장치. The method of claim 12,
Wherein an average diameter of connecting lines connecting ends of the plurality of heat source bars in a horizontal direction is equal to or smaller than an average diameter of the susceptor and larger than an average diameter of the substrate. 청구항 12 에 있어서,
상기 복수개의 열원바가 상기 서셉터의 상단에 근접 배치되는 복수개의 상부 열원바 및 상기 서셉터의 하단에 근접 배치되는 복수개의 하부 열원바로 구분될 때,
상기 복수개의 상부 열원바들의 단부를 수평방향으로 연결한 연결선의 평균직경은 상기 기판의 평균직경과 동일한 기판 처리 장치. The method of claim 12,
When the plurality of heat source bars are directly divided into a plurality of upper heat source bars arranged close to the upper end of the susceptor and a plurality of lower heat sources arranged close to the lower end of the susceptor,
Wherein an average diameter of connecting lines connecting ends of the plurality of upper heat source bars in a horizontal direction is equal to an average diameter of the substrate. 청구항 9 에 있어서,
상기 측부 블록들 각각은,
상기 챔버 몸체와 마주보며 배치되며, 상기 제1 열원유닛이 관통 장착되는 제1 블록부; 및
상기 챔버 몸체와의 사이에 상기 제1 블록부가 배치되며, 상기 제1 블록부와 마주보는 일면에 반사유닛이 구비되는 제2 블록부;를 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 9,
Each of the side blocks comprising:
A first block portion disposed facing the chamber body and through which the first heat source unit is inserted; And
And a second block part in which the first block part is disposed between the first block part and the chamber body, and a reflection unit is provided on a surface facing the first block part. 청구항 15 에 있어서,
상기 반사유닛은,
상기 제2 블록부의 일면에 접촉 배치되는 접촉부; 및
상기 접촉부에 대향 배치되며, 상기 제1 열원유닛의 외측 중 적어도 일부 영역을 둘러싸며 배치되는 반사부;를 포함하며,
상기 반사부는,
상기 제1 블록부에 장착되는 제1 열원유닛의 개수와 대응되는 복수개의 오목홈; 및
상기 복수개의 오목홈들을 상하방향으로 상호 연결하는 복수개의 연결면;을 포함하는 기판 처리 장치. 16. The method of claim 15,
The reflection unit includes:
A contact portion disposed in contact with one surface of the second block portion; And
And a reflective part disposed to face the contact part and disposed to surround at least a part of the outer side of the first heat source unit,
The reflector includes:
A plurality of concave grooves corresponding to the number of first heat source units mounted on the first block portion; And
And a plurality of connecting surfaces interconnecting the plurality of concave grooves in a vertical direction. 청구항 5 또는 청구항 7 에 있어서,
상기 서셉터는 상기 열원유닛으로부터 이격 배치되어 상부 및 하부가 개방된 복수개의 조각들의 조합으로 구성되며,
상기 복수개의 조각들은 상하방향으로 적층되어 연결되는 기판 처리 장치. The method according to claim 5 or 7,
Wherein the susceptor is composed of a combination of a plurality of pieces spaced apart from the heat source unit and having upper and lower openings,
Wherein the plurality of pieces are vertically stacked and connected. 청구항 17 에 있어서,
상기 복수개의 조각들은 서로 마주보는 단부가 요철(凹凸)구조로 결합하는 기판 처리 장치. 18. The method of claim 17,
Wherein the plurality of pieces are joined to each other in a concave-convex structure. 청구항 8 에 있어서,
상기 기판을 상하방향으로 지지하며, 적어도 일부가 상기 처리 챔버의 내측 및 외측으로 이동 가능한 지지유닛;이 구비되며,
상기 지지유닛에는 상기 처리 챔버를 개폐 가능하게 하는 도어;가 설치되는 기판 처리 장치. The method of claim 8,
A support unit that supports the substrate in the vertical direction and at least a part of which can be moved inward and outward of the processing chamber,
Wherein the support unit is provided with a door for opening and closing the processing chamber. 청구항 19 에 있어서,
상기 지지유닛은,
상하방향으로 연장 형성되어 상기 기판을 지지하는 지지체와;
상기 지지체의 하부에 일단이 연결되어 연장 형성되는 지지축; 및
상기 지지축의 타단에 연결되어 상기 지지축을 승강 및 회전 가능하게 하는 구동기;를 포함하며,
상기 도어는 상기 지지축의 상하방향으로의 어느 한 위치에서의 외측을 둘러싸며 배치되는 기판 처리 장치. The method of claim 19,
The support unit includes:
A supporting body extending in the vertical direction and supporting the substrate;
A support shaft having one end connected to a lower portion of the support body to be extended; And
And a driver connected to the other end of the support shaft to allow the support shaft to move up and down,
Wherein the door is disposed so as to surround the outside at a position in the vertical direction of the support shaft. 청구항 20 에 있어서,
상기 처리 챔버의 하부에는 상기 처리 챔버 내의 처리 공간과 연통되는 보조공간;을 형성하는 보조 유닛;을 포함하고,
상기 보조 유닛은,
상부 및 하부가 개방되고, 개방된 상단부가 상기 처리 챔버의 하면에 접촉 배치되는 보조 챔버와;
상기 보조 챔버의 측면을 관통하며 형성되는 배출홀; 및
상기 배출홀에 적어도 일부가 삽입 배치되며, 상기 처리 공간과 연통되는 상기 보조 공간 내 기체를 상기 보조 챔버의 외부로 배출시키기 위한 배출부;을 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 20,
And an auxiliary space communicating with a processing space in the processing chamber at a lower portion of the processing chamber,
The sub-
An auxiliary chamber having upper and lower openings and an open upper end disposed in contact with a lower surface of the processing chamber;
An exhaust hole formed through a side surface of the auxiliary chamber; And
And a discharge part for discharging the gas in the auxiliary space at least partially inserted into the discharge hole and communicating with the processing space to the outside of the auxiliary chamber. 청구항 21 에 있어서,
상기 지지유닛에는,
상기 지지체와 상기 지지축 사이에 구비되어 상기 지지체의 하단으로부터 하부로 연장 형성되는 연장체와;
일면에는 상기 지지축이 타면에는 상기 연장체가 연결되며, 상기 처리 공간 및 상기 보조 공간을 연통시키기 위한 연통홀이 형성되는 연통부재;를 포함하는 기판 처리 장치.23. The method of claim 21,
In the supporting unit,
An extension body provided between the support body and the support shaft and extending downward from a lower end of the support body;
And a communicating member connected to the extension member at the other surface of the support shaft and having a communication hole for communicating the processing space and the auxiliary space. 청구항 22 에 있어서,
상기 지지체가 상기 처리공간에 배치되고, 상기 도어의 상면이 상기 보조 챔버의 하단부에 접촉 배치될 때,
상기 연통부재로부터 하부로 이격된 위치에서 상기 지지축의 외측을 둘러싸며 배치되며, 상기 보조 챔버의 하단부로부터 상기 배출홀이 형성된 위치까지의 높이와 동일하거나 작은 높이를 갖는 배출 유도부재;를 포함하는 기판 처리 장치. 23. The method of claim 22,
When the support is disposed in the processing space and the upper surface of the door is placed in contact with the lower end portion of the auxiliary chamber,
And a discharge inducing member disposed to surround the support shaft at a position spaced downward from the communication member and having a height equal to or less than a height from a lower end of the auxiliary chamber to a position where the discharge hole is formed, Processing device. 청구항 16 에 있어서,
상기 처리 챔버에는 상기 처리공간으로 공정가스 및 냉각가스 중 적어도 어느 하나를 공급하기 위한 가스 공급 유닛;이 연결되며,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 처리 챔버의 상부에서 상기 처리 챔버의 수평방향으로의 중앙부에 연결되는 공정가스 공급부; 및
상기 중앙부로부터 외곽방향으로 이격되어 구비되는 냉각가스 공급부;를 포함하는 기판 처리 장치. 18. The method of claim 16,
Wherein the processing chamber is connected to a gas supply unit for supplying at least one of a process gas and a cooling gas into the process space,
The gas supply unit includes:
A process gas supply unit connected to a horizontal central portion of the process chamber at an upper portion of the process chamber; And
And a cooling gas supply unit spaced apart from the central part in the outward direction. 청구항 24 에 있어서,
상기 공정가스 공급부로부터 공급되는 공정가스의 적어도 일부는 상기 서셉터의 안측면을 따라 상기 처리 챔버의 상부로부터 하부방향으로 이동하며,
상기 냉각가스 공급부로부터 공급되는 냉각가스의 적어도 일부는 상기 서셉터의 외측에서 이동하는 기판 처리 장치. 27. The method of claim 24,
Wherein at least a portion of the process gas supplied from the process gas supply section moves downward from the top of the process chamber along the inner side surface of the susceptor,
And at least a part of the cooling gas supplied from the cooling gas supply unit moves outside the susceptor. 청구항 25 에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 상부 블록의 중앙부를 관통하며 연결되어 상기 처리공간으로 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급부; 및
상기 상부 블록의 중앙부로부터 외곽방향으로의 상부 블록 및 상기 측부 블록 중 적어도 어느 한 곳을 관통하며 연결되어 상기 처리공간으로 냉각가스를 공급하기 위한 냉각가스 공급부;를 포함하는 기판 처리 장치. 26. The method of claim 25,
The gas supply unit includes:
A process gas supply unit for passing a process gas through the central portion of the upper block and connected to the process space; And
And a cooling gas supply unit connected to the at least one of the upper block and the side block in a direction from the center of the upper block to the outermost block to supply the cooling gas to the process space. 청구항 26 에 있어서,
상기 공정가스 공급부는,
상기 상부블록 상에 배치되어 상기 공정가스가 이동하는 가이드 공간을 제공하는 가이드 부재와;
상기 가이드 부재의 중앙을 상하방향으로 관통하며 연결되어 상기 처리 공간과 연통되는 공정가스 공급관; 및
상기 공정가스 공급관으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급기;를 포함하는 기판 처리 장치. 27. The method of claim 26,
Wherein the process gas supply unit includes:
A guide member disposed on the upper block to provide a guide space through which the process gas moves;
A process gas supply pipe communicating with the process space through a center of the guide member in a vertical direction; And
And a process gas supply unit for supplying a process gas to the process gas supply pipe. 청구항 26 에 있어서,
상기 냉각가스 공급부는,
상기 상부블록에 연결되는 제1 냉각가스 공급부; 및 상기 측부블록에 연결되는 제2 냉각가스 공급부;로 구분되고,
상기 제1 냉각가스 공급부는,
상기 상부블록의 평면상에서의 상기 서셉터의 외측 위치에서 상기 상부블록을 상하방향으로 관통하며 연결되는 제1 냉각가스 경유관 및
상기 제1 냉각가스 경유관으로 냉각가스를 공급하기 위한 제1 냉각가스 공급기;를 포함하는 기판 처리 장치. 27. The method of claim 26,
The cooling gas supply unit includes:
A first cooling gas supply unit connected to the upper block; And a second cooling gas supply unit connected to the side block,
Wherein the first cooling gas supply unit includes:
A first cooling gas gas pipeline penetrating the upper block in a vertical direction at an outer position of the susceptor on a plane of the upper block,
And a first cooling gas supply for supplying a cooling gas to the first cooling gas diesel pipe. 청구항 26 에 있어서,
상기 냉각가스 공급부는 상기 상부블록에 연결되는 제1 냉각가스 공급부; 및 상기 측부블록에 연결되는 제2 냉각가스 공급부;로 구분되고,
상기 제2 냉각가스 공급부는,
상기 연결면들의 연장방향과 교차하는 방향으로 상기 제2 블록부 및 상기 연결면을 관통하며 적어도 일부가 삽입 배치되는 복수개의 제2 냉각가스 경유관;
상기 복수개의 제2 냉각가스 경유관들의 타단을 상호 연결하기 위한 경유관 연결부재; 및
상기 경유관 연결부재에 연결되어 상기 복수개의 제2 냉각가스 경유관으로 냉각가스를 공급하기 위한 제2 냉각가스 공급기를 포함하는 기판 처리 장치.27. The method of claim 26,
Wherein the cooling gas supply unit includes: a first cooling gas supply unit connected to the upper block; And a second cooling gas supply unit connected to the side block,
Wherein the second cooling gas supply unit includes:
A plurality of second cooling gas diesel tubes passing through the second block portion and the connecting surface in a direction intersecting the extending direction of the connecting surfaces, at least a part of which is inserted and disposed;
A gas pipe connecting member for interconnecting the other ends of the plurality of second cooling gas gas piping; And
And a second cooling gas supply unit connected to the gas pipe connection member for supplying the cooling gas to the plurality of second cooling gas gas piping.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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