KR101193570B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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남원식
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Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to prevent the deformation of a substrate by loading a substrate stably fixed to a support unit on a chamber. CONSTITUTION: A chamber includes a heating block(102) and a door(104). One side of the heating block is opened. The heating block includes a heating block body and a lead. At least one heat source unit(160) is arranged in the heating block. A support unit(300) is formed on the other side of the heating block and loads and unloads the substrate.

Description

기판 처리 장치 {Apparatus for processing substrate}Substrate processing unit {Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구조가 간단하고, 대면적의 기판을 용이하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that has a simple structure and can easily process a large area substrate.

최근 들어, 기판 등을 열처리하는 방법으로 급속열처리(rapid thermal processing; RTP) 방법이 많이 사용되고 있다. Recently, a rapid thermal processing (RTP) method has been widely used as a method of heat-treating a substrate or the like.

급속열처리 방법은 텅스텐 램프 등의 열원에서 나오는 방사광(放射光)을 기판에 조사하여 기판을 가열 처리하는 방법이다. 이러한 급속열처리 방법은 퍼니스(furnace)를 이용한 기존의 기판 열처리 방법과 비교하여, 신속하게 기판을 가열하거나 냉각시킬 수 있으며, 압력 조건이나 온도 대역의 조절이 용이하여, 기판의 열처리 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The rapid heat treatment method is a method of heat treating a substrate by radiating light emitted from a heat source such as a tungsten lamp onto the substrate. Compared with the conventional substrate heat treatment method using a furnace, the rapid heat treatment method can quickly heat or cool the substrate, and can easily control the pressure conditions and temperature bands, thereby improving the heat treatment quality of the substrate. There is an advantage.

급속열처리 방법이 이용되었던 종래의 기판 처리 장치는, 주로 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버 몸체와, 챔버 몸체 내부에서 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와, 기판을 가열하도록 방사광을 조사하는 열원이 구비된 히팅블럭과, 히팅블럭과 챔버의 연결 부위에 배치되어 열원으로부터 조사된 방사광을 투과시키는 투과창을 포함하여 구성된다.Conventional substrate processing apparatuses in which rapid thermal processing methods have been used include a chamber body providing a space in which the substrate is processed, a susceptor for supporting the substrate inside the chamber body, and a heat source for radiating radiation to heat the substrate. The heating block is provided, and a transmission window disposed at a connection portion of the heating block and the chamber to transmit the radiation light emitted from the heat source.

이와 같은 종래의 기판 처리 장치는, 상부 및 하부가 개방되고 기판 처리를 위한 처리 공간을 형성하는 챔버 몸체와, 기판을 가열하기 위해 열원 유닛이 설치된 히팅블럭이 별도로 형성된다. 그리고 챔버 몸체의 일측 또는 양측에는 기판을 챔버 내부로 로딩 및 언로딩되는 게이트 밸브가 형성된다. 전술한 바와 같이 형성된 히팅블럭은 챔버 몸체의 상부 및 하부에 결합되고, 게이트 밸브는 챔버 몸체의 일측 또는 양측에 형성되어, 내부를 밀폐하여 챔버를 형성한다. 이와 같이 챔버가 부분적으로 결합하는 방식으로 제작됨으로써 구조는 복잡해지고, 장치의 제조단가가 상승하게 된다. 게다가, 결합부분이 증가함으로써, 내부 밀폐를 위한 밀폐부분이 증가하게 되고, 이는 챔버를 형성하기 위해 별도의 밀폐수단이 추가로 구비되거나 지속적으로 밀폐 수단을 교체해주어야 하는 불편함이 있다. 그리고, 장치의 유지보수시 결합부분을 분리해야 하는 불편함이 있어 시간 및 노력이 요구되는 문제점이 있다. Such a conventional substrate processing apparatus includes a chamber body having an upper portion and a lower portion open to form a processing space for processing a substrate, and a heating block provided with a heat source unit for heating the substrate. And one side or both sides of the chamber body is formed with a gate valve for loading and unloading the substrate into the chamber. The heating block formed as described above is coupled to the top and bottom of the chamber body, the gate valve is formed on one side or both sides of the chamber body, sealing the inside to form a chamber. As the chamber is manufactured in a partially coupled manner, the structure becomes complicated and the manufacturing cost of the device increases. In addition, as the coupling portion increases, the sealing portion for the internal sealing increases, which is inconvenient to additionally provide a separate sealing means or to constantly replace the sealing means to form a chamber. In addition, there is a problem in that it is inconvenient to separate the coupling portion during maintenance of the device, which requires time and effort.

또한, 종래의 기판 처리 장치는 기판이 수평방향으로 로딩 및 언로딩되어 진다. 따라서, 대면적 기판을 처리하기 위해서는 기판 처리 장치의 대형화가 불가피해진다. 이 때문에 기판 처리 장치의 설치공간도 확장이 요구되고, 이에 따른 공간 확장 비용 또한 소모되어 공간 효율성이 감소하게 된다. In addition, in the conventional substrate processing apparatus, the substrate is loaded and unloaded in the horizontal direction. Therefore, in order to process a large area substrate, enlargement of the substrate processing apparatus becomes inevitable. For this reason, the installation space of the substrate processing apparatus is required to be expanded, and thus, the space expansion cost is also consumed, thereby reducing the space efficiency.

KRKR 2010-00091492010-0009149 A1A1

본 발명은 장치의 구조를 단순하게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus that can simplify the structure of the apparatus.

본 발명은 대면적 기판의 처리가 용이하고, 공간 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus that can easily process a large-area substrate and can improve space efficiency.

본 발명은 장치의 제조비용을 절감시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of reducing the manufacturing cost of the apparatus.

본 발명의 장치의 유지보수를 용이하게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.Provided is a substrate processing apparatus that can facilitate maintenance of the apparatus of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 일측이 개방되고 내부에 처리 공간이 형성되는 히팅블럭과, 상기 히팅블럭의 일측을 개폐하는 도어를 포함하는 챔버로, 상기 히팅블럭 내부에 배치되는 적어도 하나의 열원 유닛과, 상기 히팅블럭의 타측에 구비되어 기판을 로딩 및 언로딩시키는 지지부를 포함한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a chamber including a heating block on which one side is opened and a processing space is formed therein, and a door that opens and closes one side of the heating block, the substrate being disposed at least inside the heating block. One heat source unit and a support provided on the other side of the heating block for loading and unloading the substrate.

또한, 일측이 개방되고 내부에 처리 공간이 각각 형성되며 각각의 개방된 일측이 결합 가능하도록 배치되는 제 1히팅블럭과 제 2히팅블럭을 포함하는 챔버로, 상기 제 1 히팅블럭과 제 2히팅블럭 내부에 각각 배치되는 적어도 하나의 열원 유닛과, 상기 제 1히팅블럭과 제 2히팅블럭의 타측에 각각 구비되어 기판을 로딩 및 언로딩시키는 지지부를 포함한다.In addition, a chamber including a first heating block and a second heating block in which one side is opened and a processing space is formed therein, and each one open side is coupled to each other, the first heating block and the second heating block. At least one heat source unit disposed in each of the inside, and provided on the other side of the first heating block and the second heating block, respectively, and a support for loading and unloading the substrate.

상기 히팅블럭은 양측이 개방되고 내부에 처리 공간이 형성되는 히팅블럭 몸체와, 상기 히팅블럭 몸체의 일측을 밀폐하는 리드를 포함할 수 있다. The heating block may include a heating block body having both sides open and a processing space formed therein, and a lid for sealing one side of the heating block body.

상기 기판 처리 장치는, 상기 히팅블럭 내부에 배치되는 서셉터를 포함하고,상기 지지부는 기판을 상기 서셉터와 나란하게 로딩 및 언로딩시킬 수 있다. The substrate processing apparatus may include a susceptor disposed inside the heating block, and the support may load and unload the substrate in parallel with the susceptor.

상기 도어는 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. The door may be formed in a plate shape.

상기 지지부는 상기 히팅블럭의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 기판을 지지하는 지지홈이 각각 형성되는 제 1지지바 및 제 2지지바와, 상기 제 1지지바 및 제 2지지바를 이동시키는 구동수단을 포함할 수 있다. The support part is disposed parallel to the other side of the heating block in a horizontal direction and parallel to each other, the first support bar and the second support bar is formed with a support groove for supporting a substrate, respectively, the first support bar and the second support bar It may include a driving means for moving.

상기 지지부는 상기 히팅블럭의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 기판이 삽입되어 지지되는 가이드홈이 각각 형성되는 제 1지지바 및 제 2지지바와, 상기 제 1지지바 및 제 2지지바를 이동시키는 구동수단을 포함할 수 있다.The support part is disposed on the other side of the heating block in parallel to each other in the horizontal direction, the first support bar and the second support bar is formed with a guide groove for supporting the substrate is inserted, respectively, the first support bar and the second It may include a driving means for moving the support bar.

상기 히팅블럭의 타측에는 상기 제 1지지바 및 제 2지지바의 하부에 이격되는 보조 지지바가 배치되고, 상기 보조 지지바는 상기 제 1지지바 및 제 2지지바의 이동방향을 따라 이동하도록 형성될 수 있다. An auxiliary support bar spaced apart from the lower portion of the first support bar and the second support bar is disposed on the other side of the heating block, and the auxiliary support bar is formed to move along the moving direction of the first support bar and the second support bar. Can be.

상기 서셉터는 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. The susceptor is graphite (graphite) or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide (Silicon Carbide), silicon nitride (Si), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride and quartz (Quartz) It may be formed of at least one of).

상기 서셉터에는 온도 측정부가 구비될 수 있다. The susceptor may be provided with a temperature measuring unit.

상기 챔버는 상하방향으로 연장 형성될 수 있다. The chamber may extend in the vertical direction.

상기 챔버 내부에는 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부가 구비될 수 있다. The chamber may be provided with a temperature measuring unit for measuring the temperature of the substrate.

상기 제 1히팅블럭 및 제 2히팅블럭 중 적어도 하나는 이동 가능하도록 형성될 수 있다. At least one of the first heating block and the second heating block may be formed to be movable.

상기 지지부에는 상기 기판의 적어도 양쪽 가장자리 부분이 고정되는 프레임이 장착될 수 있다. The support may be mounted with a frame to which at least both edges of the substrate are fixed.

상기 열원 유닛은 방사광을 방출하는 열원과, 내부에 상기 열원이 배치되는 투과창을 포함할 수 있다. The heat source unit may include a heat source emitting radiation and a transmission window in which the heat source is disposed.

본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 열원 유닛이 장착된 히팅블럭 내에 공정이 수행되는 공간을 형성함으로써, 장치구조를 간단하게 하고, 장치의 제조비용을 절감할 수 있다. 또한, 기판을 상하방향으로 유지한 상태에서 로딩 및 언로딩 할 수 있도록 기판 처리 장치를 상하방향으로 연장형성하여 설치함으로써, 대면적 기판의 처리를 용이하게 하고, 기판 처리 장치의 설치 공간을 획기적으로 감소시킬 수 있어 기판 설치 공간 확장 비용을 절감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention, by forming a space in which the process is performed in the heating block on which the heat source unit is mounted, the device structure can be simplified and the manufacturing cost of the device can be reduced. In addition, the substrate processing apparatus is extended in the vertical direction so as to be loaded and unloaded while the substrate is held in the vertical direction, thereby facilitating the processing of a large area substrate, and dramatically reducing the installation space of the substrate processing apparatus. This can reduce the cost of board footprint expansion.

또한, 히팅블럭의 일측은 기판을 상하방향 혹은 수직방향으로 로딩 및 언로딩 하기 위해 일측면이 완전 개방되기 때문에, 장치의 유지보수도 용이하게 할 수 있다. 그리고 박판형태의 기판을 사용하는 경우, 기판을 지지부에 안정적으로 고정한 상태로 챔버에 로딩하기 때문에 공정분위기에 의한 기판의 변형을 억제할 수 있고, 이에 따라 제품의 불량률을 낮춰 생산성을 높일 수 있다. In addition, since one side of the heating block is fully open for loading and unloading the substrate in the vertical direction or the vertical direction, maintenance of the apparatus can be facilitated. In the case of using a thin plate-shaped substrate, since the substrate is loaded into the chamber in a state where the substrate is stably fixed to the support unit, deformation of the substrate due to the process atmosphere can be suppressed, thereby lowering the defective rate of the product and increasing productivity.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 개방 단면도.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 밀폐 단면도.
도 4는 도 1의 변형 예에 따른 기판 처리 장치의 사시도 및 단면도.
도 5는 열원의 단면도.
도 6은 열원의 반사체에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 7은 지지바 제 1 실시 예에 대한 모식도.
도 8은 프레임을 이용한 기판 설치 모식도.
도 9는 도 7의 변형 예에 대한 모식도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개방 단면도.
도 11은 도 10의 기판 처리 장치의 밀폐 단면도.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 과정에서 기판이 가열되는 원리를 설명하기 위한 개념도.1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an open sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.
3 is a closed cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a perspective view and a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a modification of FIG. 1.
5 is a sectional view of a heat source.
6 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the reflector of the heat source.
7 is a schematic view of a support bar according to the first embodiment.
8 is a schematic diagram of substrate installation using a frame.
9 is a schematic view of a modification of FIG.
10 is an open sectional view of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
11 is a closed cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 10.
12 is a conceptual view illustrating a principle of heating a substrate in a substrate processing process using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 개방 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 밀폐 단면도이다. 1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an open cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a sealed cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는, 기판(S)이 처리되는 내부공간을 형성하며 일측이 개방된 히팅블럭(102)과, 히팅블럭(102)의 일측에 내부공간을 개폐가능하도록 배치되는 도어(104)를 포함하는 챔버(100)와, 히팅블럭(102) 내부에 배치되는 열원 유닛(160), 히팅블럭(102)의 내부에 상하방향으로 배치되는 서셉터(200) 및 기판(S)을 처리공간에 로딩 및 언로딩 시키는 지지부(300)가 구비된다. 히팅블럭(102)의 개방된 측면의 위치는 변경 가능하며 그에 따라 도어(104)가 배치되는 위치가 변경될 수 있다. 이 경우, 각 실시 예에 대한 구성 및 작용 효과는 동일하다. 따라서 이하에서는 도 1 내지 도 3에 도시된 기판 처리 장치를 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 대해서 설명한다. 1 to 3, the substrate processing apparatus may form an internal space in which the substrate S is processed, and may open and close the internal space on one side of the heating block 102 and one side of the heating block 102. The chamber 100 including the door 104 is disposed so as to be arranged, the heat source unit 160 disposed in the heating block 102, the susceptor 200 disposed in the vertical direction in the heating block 102 and A support 300 for loading and unloading the substrate S into the processing space is provided. The position of the open side of the heating block 102 can be changed and thus the position where the door 104 is disposed can be changed. In this case, the configuration and operation effects for each embodiment are the same. Therefore, hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the substrate processing apparatus shown in FIGS. 1 to 3.

전술한 바와 같이, 종래의 기판 처리 장치는 기판을 수평방향으로 로딩 및 언로딩 하고, 히팅블럭은 기판을 가열하도록 방사광을 조사하는 열원 유닛이 구비되고, 히팅블럭은 플레이트 형상으로 형성되어 챔버 몸체의 상부 및 하부에 결합된다. 또한, 기판을 로딩 및 언로딩 하기 위한 게이트 밸브가 별도로 형성된다. As described above, the conventional substrate processing apparatus has a heat source unit for loading and unloading a substrate in a horizontal direction, and the heating block is provided with a heat source unit for irradiating radiation to heat the substrate, and the heating block is formed in a plate shape to form a chamber body. It is coupled to the top and bottom. In addition, a gate valve for loading and unloading the substrate is formed separately.

이에 비해, 본 발명의 실시 예에서는 히팅블럭(102)의 일측을 연장형성하여 내부에 기판(S)을 처리하기 위한 내부공간을 형성하였다. 또한, 기판(S)을 상하방향 혹은 수직방향으로 로딩 및 언로딩 할 수 있도록 일측이 완전 개방된 중공형으로 형성된다.In contrast, in the embodiment of the present invention, one side of the heating block 102 is extended to form an internal space for processing the substrate S therein. In addition, one side of the substrate S is formed in a hollow shape so as to open and unload in a vertical direction or in a vertical direction.

히팅블럭(102)의 타측 내벽에는 오목홈(170)이 형성되어 있으며, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 단면 모양이 반원형으로 형성될 수 있으나, 오목홈(170)의 모양은 이에 한정되지 않고 반타원형, 사각형, 삼각형 등과 같이 다양하게 형성될 수도 있다. 본 실시 예에서는 오목홈(170)에 하나의 열원 유닛(160)이 장착되기 때문에 오목홈(170)의 폭은 열원 유닛(160)의 직경과 동일하게 설정될 수 있다. Concave grooves 170 are formed on the other inner wall of the heating block 102, and as shown in FIGS. 2 and 3, the cross-sectional shape may be formed in a semicircular shape, but the shape of the concave grooves 170 is limited thereto. It may be formed in various ways, such as semi-elliptic, square, triangle. In this embodiment, since one heat source unit 160 is mounted in the concave groove 170, the width of the concave groove 170 may be set to be equal to the diameter of the heat source unit 160.

도어(104)는 히팅블럭(102)의 개방된 일측에 개폐 가능하도록 배치되며, 도어(104)의 일측면은 히팅블럭(102)과 결합하여 히팅블럭(102)의 내벽과 함께 챔버(100)의 내벽을 형성한다. 도어(104)는 히팅블럭(102)의 개방된 일측을 개폐하기 위해 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. The door 104 is disposed to be opened and closed on an open side of the heating block 102, and one side of the door 104 is combined with the heating block 102 to form the chamber 100 together with the inner wall of the heating block 102. Forms the inner wall of the. The door 104 may be formed in a plate shape to open and close an open side of the heating block 102.

도 1 내지 도 3에 도시된 히팅블럭(102)은 일측이 개방된 형태로 제작되었지만, 히팅블럭(102)은 도 4에 도시된 것처럼 제작될 수도 있다.Although the heating block 102 shown in FIGS. 1 to 3 is manufactured in an open form, the heating block 102 may be manufactured as shown in FIG. 4.

도 4의 (a)는 히팅블럭 변형 예의 사시도이며, (b)는 히팅블럭 변형 예의 단면도이다. 4A is a perspective view of a heating block variant, and (b) is a sectional view of a heating block variant.

도 4를 참조하면, 히팅블럭(102)은 양측이 모두 개방되고 내부에 처리공간이 형성된 히팅블럭 몸체(102a)와, 히팅블럭 몸체(102)의 일측을 밀폐하는 리드(102b)가 결합되어 형성될 수 있다. 이때, 히팅블럭 몸체(102a)와 리드(102b)가 기밀하게 결합될 수 있도록, 그 연결부위에는 O-ring 등의 결합부재(101)가 사용될 수 있다.Referring to FIG. 4, the heating block 102 is formed by combining both a heating block body 102a having both sides open and a processing space formed therein, and a lid 102b sealing one side of the heating block body 102. Can be. At this time, the coupling member 101 such as an O-ring may be used at the connection portion so that the heating block body 102a and the lead 102b may be hermetically coupled.

이와 같은 구성으로 형성된 히팅블럭(102)은 히팅블럭 몸체(102a)에 가스주입구(106) 및 가스배출구(107)를 형성할 수 있다. 그리고 리드(102b)에는 냉각라인 및 열원 전원 공급부 등이 형성될 수 있으며, 기판(S)을 로딩 및 언로딩시키는 지지부(300)가 구비될 수도 있다. 또한 필요에 따라, 리드(102b)의 표면에는 불순물을 흡착시키는 라이너 또는 열원 유닛(160)에서 방출되는 방사광을 반사시키는 반사체가 구비될 수도 있다. The heating block 102 formed as described above may form a gas inlet 106 and a gas outlet 107 in the heating block body 102a. In addition, a cooling line, a heat source power supply, and the like may be formed in the lead 102b, and a support 300 for loading and unloading the substrate S may be provided. In addition, if necessary, the surface of the lead 102b may be provided with a liner for adsorbing impurities or a reflector for reflecting the emission light emitted from the heat source unit 160.

전술한 바와 같이, 히팅블럭(102)은 히팅블럭 몸체(102a)와 리드(102b)가 분리가능하도록 제작됨으로써, 공정 후 히팅블럭(102) 내벽 및 열원 유닛(160)에 형성되는 불순물을 용이하게 세정할 수 있어 히팅블럭(102)의 유지보수가 용이하다. 또한, 히팅블럭(102) 가공시 전체적인 히팅블럭(102)의 두께를 감소시킬 수 있어 소재의 비용 및 장비의 크기를 줄일 수 있고, 냉각속도를 증가시킬 수 있는 이점이 있다. As described above, the heating block 102 is manufactured so that the heating block body 102a and the lead 102b are separable, thereby easily removing impurities formed in the inner wall of the heating block 102 and the heat source unit 160 after the process. Cleaning can be facilitated maintenance of the heating block (102). In addition, the processing of the heating block 102 can reduce the overall thickness of the heating block 102 can reduce the cost of the material and the size of the equipment, there is an advantage that can increase the cooling rate.

챔버(100)는 기판(S)을 수용하여 열처리 되는 공간, 즉 진공의 가열공간을 내부에 형성하기 위한 구성으로서, 대략적인 형상은 상하방향으로 연장 형성되는 중공의 박스 형상 또한 블럭 형상으로 이루어질 수 있다.The chamber 100 is configured to form a space to be heat-treated by accommodating the substrate S, that is, a heating space for vacuum therein, and an approximate shape may be formed in a hollow box shape and a block shape extending in the vertical direction. have.

이와 같이 본 발명의 실시 예에서는 히팅블럭을 연장형성하여 기판이 처리되는 공정 챔버의 기능을 수행하도록 함으로써, 종래의 기판 처리 장치에서 챔버 몸체, 히팅블럭을 별도로 구성함으로 인한 제조비용 증가 현상을 해결하여 제조비용을 절감할 수 있다 또한, 히팅블럭의 일측이 완전 개방되어 있어 장치의 유지보수가 용이한 이점이 있다. 따라서, 상하방향으로 길게 챔버를 설치함으로써 대면적 기판의 공정을 용이하게 할 수 있어, 공간확장으로 인한 소모비용을 절감할 수 있다. As described above, in the embodiment of the present invention, the heating block is extended to perform a function of a process chamber in which the substrate is processed, thereby solving the manufacturing cost increase phenomenon by separately configuring the chamber body and the heating block in the conventional substrate processing apparatus. Manufacturing cost can be reduced In addition, since one side of the heating block is completely open, there is an advantage of easy maintenance of the device. Accordingly, by installing the chamber in the vertical direction, the process of the large-area substrate can be facilitated, and the consumption cost due to the space can be reduced.

도 2 및 도 3를 참조하면, 챔버(100)의 외부에는 챔버(100)의 내부공간으로 공정 가스를 공급하는 가스공급부(미도시)가 구비되고, 챔버(100)에는 가스 공급부로부터 공급되는 공정가스를 챔버(100) 내부로 주입하기 위한 가스 주입구(106)가 형성된다. 그리고 챔버(100)에는 챔버(100) 내부의 가스를 배출하기 위한 가스배출구(107)가 형성된다. 가스주입구(106)와 가스배출구(107)는 공정가스가 기판의 표면에 원활하게 접촉하면서 유동하도록 서로 대향 하도록 형성되는 것이 좋으며, 히팅블럭(102)의 상하부벽에 서로 대향하도록 형성될 수도 있고, 양 측벽에 서로 대향하도록 형성될 수도 있다. 가스주입구(106) 및 가스배출구(107)는 적어도 하나 이상씩 형성하여 공정가스를 챔버(100) 내부의 전 영역에 걸쳐 신속하게 확산시킬 수도 있다. 2 and 3, a gas supply unit (not shown) is provided outside the chamber 100 to supply a process gas to an internal space of the chamber 100, and the chamber 100 is supplied from a gas supply unit. A gas injection hole 106 for injecting gas into the chamber 100 is formed. And the chamber 100 is formed with a gas outlet 107 for discharging the gas in the chamber 100. The gas inlet 106 and the gas outlet 107 may be formed to face each other so that the process gas flows while smoothly contacting the surface of the substrate, may be formed to face each other on the upper and lower walls of the heating block 102, Both side walls may be formed to face each other. The gas inlet 106 and the gas outlet 107 may be formed at least one by one to rapidly diffuse the process gas over the entire area inside the chamber 100.

특히, 가스배출구(107)를 통해 히팅 챔버 내부의 가스를 보다 효과적으로 배출시키기 위해서는 가스배출구(107)와 연결되는 배기라인(미도시) 상에 펌프(미도시)를 장착할 수도 있다. 이와 같은 구성을 통해 챔버(100) 내부에 진공형성과 같은 압력 제어도 수행할 수 있다. In particular, a pump (not shown) may be mounted on an exhaust line (not shown) connected to the gas outlet 107 to more effectively discharge the gas inside the heating chamber through the gas outlet 107. Through such a configuration, pressure control such as vacuum formation may be performed in the chamber 100.

그리고 챔버(100) 에는 공정 후 열원 유닛(160) 및 서셉터(200)를 냉각시키기 위한 냉각 가스를 공급하는 냉각 라인(미도시)이 형성될 수도 있다. 냉각 라인은 히팅블럭(102) 및 도어(104) 중 적어도 어느 한군데에 형성될 수 있다. 여기서 냉각 라인을 챔버(100)의 여러 부분에 형성하게 되면, 공정 후 열원 유닛(160) 및 서셉터(200)를 냉각하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다. In the chamber 100, a cooling line (not shown) may be formed to supply a cooling gas for cooling the heat source unit 160 and the susceptor 200 after the process. The cooling line may be formed in at least one of the heating block 102 and the door 104. If the cooling line is formed in various parts of the chamber 100, there is an advantage that can shorten the time required to cool the heat source unit 160 and the susceptor 200 after the process.

또한, 챔버(100)의 내벽에는 라이너(미도시)가 형성될 수도 있다. 라이너는 챔버(100) 내부에서 공정 가스가 도달할 수 있는 모든 곳에 형성되어 공정 중 발생하는 오염물을 흡착시킨다. 이와 같이 라이너를 챔버(100) 내벽에 적용함으로써 장비 전체를 세정하지 않고 라이너만 교체하여 장비의 유지 보수 주기를 연장할 수 있다. 이때, 라이너는 별도의 구조물로 형성되어 챔버(100)의 내부에 구비될 수도 있고, 박막 형태로 챔버(100)의 상하 측면 내벽에 코팅되어 형성될 수도 있다. 이때, 라이너는 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.In addition, a liner (not shown) may be formed on the inner wall of the chamber 100. The liner is formed anywhere within the chamber 100 where the process gas can reach to adsorb contaminants generated during the process. In this way, by applying the liner to the inner wall of the chamber 100, it is possible to extend the maintenance cycle of the equipment by replacing only the liner without cleaning the entire equipment. In this case, the liner may be formed as a separate structure and provided in the interior of the chamber 100, or may be formed by coating the upper and lower side inner walls of the chamber 100 in a thin film form. In this case, the liner is graphite (graphite) or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide (Silicon Carbide), silicon nitride (silicon nitride), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (quartz) and quartz (Quartz) It may be formed of at least one of).

열원 유닛(160)은 방사광을 방출시키는 열원(164)과, 열원(164)을 감싸 보호하고 열원(164)에서 방출되는 방사광을 외부로 투과시키는 투과창(162)을 포함한다. 열원 유닛(160)은 히팅블럭(102)에 형성된 오목홈(170) 내부에 배치되어 히팅블럭(102)의 양 측벽에 형성되는 관통홀(미도시)에 삽입되어 히팅블럭(102)에 장착될 수 있다. 관통홀은 서로 대향하도록 형성될 수 있으며, 이때, 열원 유닛(160)을 장착하기 위해서는 별도의 고정부재(미도시) 및 밀폐 부재(미도시) 등이 사용될 수 있다. 또한, 히팅블럭(102) 내부에 투과창(162)과 함께 일체형으로 장착될 수도 있다. 전술한 내용에 따라 장착된 열원 유닛(160)은 챔버(100) 내부에 배치된 서셉터(200)를 가열한다. The heat source unit 160 includes a heat source 164 that emits radiation light, and a transmission window 162 that surrounds and protects the heat source 164 and transmits the radiation light emitted from the heat source 164 to the outside. The heat source unit 160 is disposed in the recessed groove 170 formed in the heating block 102 and inserted into a through hole (not shown) formed on both sidewalls of the heating block 102 to be mounted on the heating block 102. Can be. The through holes may be formed to face each other, and in this case, in order to mount the heat source unit 160, a separate fixing member (not shown) and a sealing member (not shown) may be used. In addition, the heating block 102 may be integrally mounted with the transmission window 162. The heat source unit 160 mounted according to the above description heats the susceptor 200 disposed inside the chamber 100.

투과창(162)은 열원(164)을 보호하기 위하여 사용되고, 열원(164)에서 방사되는 방사광을 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 투과창(162)은 투과율이 우수하고 내열성이 우수한 석영, 사파이어 등으로 형성될 수 있다. 투과창(162)은 내부에 열원(164)을 배치할 수 있도록 중공형으로 형성될 수 있으며, 투과창(162) 내부에서 열원(164)의 삽탈을 용이하게 하기 위하여 선형으로 형성되는 것이 좋다. 그 단면형상은 원형, 타원형 및 다각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 특히, 투과창(162)의 단면 형상을 원형으로 형성하게 되면, 공정 중 챔버(100) 내부 압력에 의한 영향을 적게 받기 때문에 교체 주기를 연장할 수 있어 유지 보수 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. The transmission window 162 may be used to protect the heat source 164, and may be formed of a material capable of transmitting radiation emitted from the heat source 164. Therefore, the transmission window 162 may be formed of quartz, sapphire or the like having excellent transmittance and excellent heat resistance. The transmission window 162 may be formed in a hollow shape so that the heat source 164 may be disposed therein, and the transmission window 162 may be linearly formed to facilitate the insertion and removal of the heat source 164 in the transmission window 162. The cross-sectional shape may be formed in various shapes such as circular, elliptical and polygonal. In particular, when the cross-sectional shape of the transmission window 162 is formed in a circular shape, since it is less affected by the pressure inside the chamber 100 during the process, the replacement cycle can be extended, thereby reducing maintenance costs. .

열원(164)은 히팅블럭(102)에 장착되어 서셉터(200)를 가열한다. 열원(164)은 히팅블럭(102)에 바로 장착되거나 또는 투과창(162)에 삽입되어 장착될 수 있다. 본 발명에서는 열원(164)이 투과창(162) 내부에 삽탈되어, 히팅블럭(102)에 장착 가능해야 하기 때문에 선형으로 형성되는 것이 좋으며, 상기 열원(164)은 텅스텐 할로겐 램프, 카본 램프 및 루비 램프 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있다. The heat source 164 is mounted to the heating block 102 to heat the susceptor 200. The heat source 164 may be mounted directly to the heating block 102 or inserted into the transmission window 162. In the present invention, since the heat source 164 is inserted into the transmission window 162 to be mounted on the heating block 102, it is preferable that the heat source 164 is formed in a linear shape, and the heat source 164 is a tungsten halogen lamp, a carbon lamp, and a ruby. At least one of the lamps may be used.

도 5를 참조하면, 열원(164)은 방사상으로 방사광을 방출한다. 때문에 상기 열원에서 방출되는 방사광에 의해 서셉터(200)는 물론 챔버(100)의 벽체가 가열될 수도 있다. 따라서, 도 5의 (a)처럼 열원(164a)의 표면에 반사체(166)가 구비되는 경우, 상기 반사체(166)는 박막 형태로 코팅되어 형성될 수도 있고, 별도의 구조물을 열원(164a)의 표면에 부착하여 형성될 수도 있다. 상기 열원(164a)의 표면 일부에 반사체(166)를 형성하는 경우, 반사체(166)는 열원(164a)에서 방출된 방사광을 서셉터(200) 측으로 반사시킬 수 있다. 상기 반사체(166)는 열원(164a)의 중심부로부터 20°내지 300°범위에 형성되는 것이 좋으며, 이때 반사체(166)가 제시된 범위보다 넓은 범위에 형성되는 경우 방사광이 투과되는 영역이 매우 좁아지게 되어 서셉터(200)를 균일하게 가열하기 어렵고, 제시된 범위보다 좁은 범위에 형성되는 경우에는 반사체(166)를 통해 방사광의 반사되는 정도가 감소하여 서셉터(200)를 효과적으로 가열하기 어렵다. Referring to FIG. 5, the heat source 164 emits radiant light radially. Therefore, the wall of the susceptor 200 as well as the chamber 100 may be heated by the radiation emitted from the heat source. Accordingly, when the reflector 166 is provided on the surface of the heat source 164a as shown in FIG. 5A, the reflector 166 may be formed by coating a thin film, and a separate structure may be formed in the heat source 164a. It may be formed by adhering to the surface. When the reflector 166 is formed on a portion of the surface of the heat source 164a, the reflector 166 may reflect the radiation emitted from the heat source 164a toward the susceptor 200. The reflector 166 may be formed in a range of 20 ° to 300 ° from the center of the heat source 164a. In this case, when the reflector 166 is formed in a wider range than a given range, a region through which radiation is transmitted is very narrow. When the susceptor 200 is difficult to uniformly heat, and when the susceptor 200 is formed in a narrower range than the suggested range, the degree of reflection of the emitted light through the reflector 166 is reduced, so that the susceptor 200 is difficult to heat effectively.

한편, 도 5의 (b)처럼, 열원(164b)의 표면에 반사체가 형성되지 않는 경우에는 도 6에 도시된 것처럼 열원(164b)이 배치되어있는 오목홈(170)의 굴곡을 따라 전 표면에 반사체(172)를 형성함으로써, 열원(164b)에서 방사되는 방사광을 서셉터(200) 측으로 반사시켜 챔버(100)의 과열현상을 방지하고 서셉터(200)를 가열할 수도 있다. 또한 도 4의 기판 처리 장치에서는 리드(102b)의 표면을 따라서 반사체가 형성될 수도 있다. On the other hand, as shown in Figure 5 (b), when the reflector is not formed on the surface of the heat source 164b, as shown in FIG. By forming the reflector 172, the radiation emitted from the heat source 164b may be reflected toward the susceptor 200 to prevent overheating of the chamber 100 and to heat the susceptor 200. In the substrate processing apparatus of FIG. 4, a reflector may be formed along the surface of the lead 102b.

서셉터(200)는 도 2 및 도 3에 도시된 것처럼, 히팅블럭(102) 내부에 상하방향으로 길게 배치되고, 히팅블럭(102)에 장착되는 열원 유닛(160)의 전방에 나란하게 배치된다. 2 and 3, the susceptor 200 is vertically disposed inside the heating block 102 and arranged side by side in front of the heat source unit 160 mounted on the heating block 102. .

서셉터(200)는 서셉터 지지대(202)를 사용하여 히팅블럭(102) 내부에 고정할 수 있다. 이때, 서셉터 지지대(202)는 히팅블럭(102)의 내벽의 열원 유닛(160) 사이에 배치될 수도 있고, 상하부 내벽 및 전후방부 내벽에 배치될 수도 있는데, 서셉터 지지대(202)가 열원 유닛(160) 사이에 배치되는 경우 서셉터 지지대(202)는 열원 유닛(160)이 기판(S)을 가열하는 것을 방해하지 않도록 배치되어야하고, 서셉터 지지대(202)가 히팅블럭(102)의 내벽에 배치되는 경우에는 기판(S)을 지지하는 지지부(300)의 이동경로에 방해가 되지 않는 위치에 배치되는 것이 좋다.The susceptor 200 may be fixed to the inside of the heating block 102 by using the susceptor support 202. At this time, the susceptor support 202 may be disposed between the heat source unit 160 of the inner wall of the heating block 102, and may be disposed on the upper and lower inner walls and the front and rear inner walls, the susceptor support 202 is a heat source unit The susceptor support 202 should be disposed so as not to prevent the heat source unit 160 from heating the substrate S when disposed between the 160, and the susceptor support 202 has an inner wall of the heating block 102. In the case of being disposed on the substrate S, it is preferable to be disposed at a position that does not interfere with the movement path of the support part 300 supporting the substrate S.

이와 같은 서셉터(200)는 열원 유닛(160)과 기판(S) 사이에 위치하여, 금속성 기판(S)이 열원(164)에서 방출되는 방사광에 직접적으로 노출되어 빛을 반사하는 현상을 방지하는 역할을 한다. 때문에 서셉터(200)는 기판(S)을 간접 가열할 수 있도록, 열전도율 및 열 흡수율이 우수한 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The susceptor 200 is positioned between the heat source unit 160 and the substrate S, and the metallic substrate S is directly exposed to the radiation emitted from the heat source 164 to prevent the phenomenon of reflecting light. Play a role. Therefore, the susceptor 200 has graphite or silicon carbide (SiC) coated with graphite, silicon carbide, and silicon nitride having excellent thermal conductivity and heat absorption to indirectly heat the substrate S. ), Alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride, and quartz.

서셉터(200)에는 서셉터(200)의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부(미도시)가 형성될 수 있다. 온도 측정부는 플레이트 형상의 서셉터(200) 상에 일정한 간격마다 형성될 수도 있고, 중심부와 각 가장자리부에 형성될 수도 있으며, 그 형성 위치는 이에 한정되지 않는다. 여기에서는 서셉터(200)가 히팅블럭(102) 내에 설치된 것으로 설명하나, 필요에 따라 선택적으로 구비될 수도 있다. The susceptor 200 may be formed with a temperature measuring unit (not shown) for measuring the temperature of the susceptor 200. The temperature measuring unit may be formed on the plate-shaped susceptor 200 at regular intervals, or may be formed at the center portion and each edge portion thereof, and the formation position thereof is not limited thereto. Here, although the susceptor 200 is described as being installed in the heating block 102, it may be selectively provided as necessary.

이에 따라, 서셉터(200)가 구비되지 않는 경우, 온도 측정부의 단부는 히팅블럭(102)의 타측에 연결되어, 열원 유닛(160) 사이에 막대 형상으로 형성되어 설치될 수 있고, 열원 유닛(160)에 의해 가열된 기판(S)의 온도를 측정할 수 있다. 이때, 온도 측정부는 적외선 온도계가 사용될 수 있고, 기판(S)에서 방출되는 방사율을 측정하여 기판(S)의 온도를 직접적으로 제어할 수 있어, 열원(166)의 용량 감소와 승온 시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다. Accordingly, when the susceptor 200 is not provided, an end portion of the temperature measuring unit is connected to the other side of the heating block 102, and may be installed in a rod shape between the heat source units 160, and the heat source unit ( The temperature of the substrate S heated by 160 may be measured. At this time, the temperature measuring unit may be an infrared thermometer, and can directly control the temperature of the substrate (S) by measuring the emissivity emitted from the substrate (S), reducing the capacity of the heat source 166 and shorten the temperature rise time There is an advantage to this.

지지부(300)는 개방되지 않은 히팅블럭(102)의 타측(즉, 도면에서 히팅블럭(102)의 개방되지 않은 타측)에 연결되어 기판(S)을 지지하는 제 1지지바(303a, 305a)와 제 2지지바(303b, 305b) 및 제 1지지바(303a, 305a)와 제 2지지바(303b, 305b)를 이동하는 구동수단(301)을 포함한다. 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)는 일자형의 막대형상으로 형성되고, 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)의 일단이 히팅블럭(102)의 타측에 연결되고, 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)의 타단은 히팅블럭(102)의 개방된 일측을 향하도록 챔버(100) 내부에 배치된다. 이때, 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)의 일단은 히팅블럭(102)의 타측을 관통하여 구동수단(301)에 연결되어 이동한다. 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)는 개별적으로 구동수단(301)에 연결될 수 있고, 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)의 단부가 연결되어 하나의 구동수단(301)에 연결될 수도 있다. The support part 300 is connected to the other side of the non-opened heating block 102 (ie, the other side of the non-opened side of the heating block 102 in the drawing) to support the first support bars 303a and 305a. And driving means 301 for moving the second support bars 303b and 305b, the first support bars 303a and 305a, and the second support bars 303b and 305b. The first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b are formed in a linear bar shape, and one end of the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b is formed. It is connected to the other side of the heating block 102, the other end of the first support bar (303a, 305a) and the second support bar (303b, 305b) to the open side of the heating block 102 in the chamber 100 Is placed on. At this time, one end of the first support bar (303a, 305a) and the second support bar (303b, 305b) is connected to the driving means 301 through the other side of the heating block 102 to move. The first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b may be individually connected to the driving means 301, and the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b may be connected to each other. End of the) may be connected to one driving means (301).

구동수단(301)은 지지부(300)를 처리공간 내부로 이동시키며, 예컨대 스테핑모터(stepping motor), 피스톤?실린더 기구(actuator), 솔레노이드(solenoid) 등이 사용될 수 있다. 일 예로 구동수단(301)으로 피스톤?실린더 기구를 사용하는 경우, 피스톤이 실린더 내부로 삽탈하며 왕복운동 함으로써 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b) 가 챔버(100) 내부로 이동될 수 있다. The driving means 301 moves the support part 300 into the processing space, and for example, a stepping motor, a piston-actuator, a solenoid, or the like may be used. For example, when the piston cylinder mechanism is used as the driving means 301, the piston is inserted into the cylinder and reciprocated to move the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b into the chamber 100. ) Can be moved inside.

이와 같이, 구동수단(301)에 연결된 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)는 챔버(100) 외부로 진퇴하며 왕복이동 함으로써, 기판(S)을 챔버(100)에 로딩 및 언로딩 할 수 있다.As such, the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b connected to the driving means 301 advance and exit the chamber 100 and reciprocate to move the substrate S to the chamber 100. ) Can be loaded and unloaded.

구동수단(301)에 이동되는 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)는 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b moved to the driving means 301 may be formed in various shapes as shown in FIGS. 7 and 9.

도 7은 지지바 실시 예를 나타내는 모식도이며, 도 8은 프레임을 이용한 기판 설치 모식도이다. 그리고, 도 9은 도 7의 변형 예를 나타내는 모식도이다. 7 is a schematic view showing an embodiment of the support bar, Figure 8 is a schematic diagram of the substrate installation using a frame. 9 is a schematic diagram which shows the modification of FIG.

지지부(300)는 도 7에 도시된 것처럼, 히팅블럭(102)의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되는 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)를 포함한다. As shown in FIG. 7, the support part 300 includes a first support bar 303a and a second support bar 303b which are spaced apart from each other in a horizontal direction and arranged in parallel on the other side of the heating block 102.

도 7의 (a)에 도시된 것처럼, 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)는 서셉터(200)의 표면에 직교하는 방향으로 배치되어 챔버(100) 외부로 왕복 이동가능하며, 상기 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)의 상부에는 기판(S)을 안착하기 위한 지지홈(304)이 형성된다. 그리고, 도 7의 (b)처럼 기판(S)을 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)에 형성된 지지홈(304)에 안착할 수 있다. 지지홈(304)은 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)의 상부면 및 측면 일부에 걸쳐 각각 형성되고, 각각의 지지홈(304)은 서로 마주보는 위치에 형성되어 있다. As shown in FIG. 7A, the first support bar 303a and the second support bar 303b are disposed in a direction orthogonal to the surface of the susceptor 200 to reciprocate out of the chamber 100. A support groove 304 for seating the substrate S is formed on the first support bar 303a and the second support bar 303b. As shown in FIG. 7B, the substrate S may be seated in the support groove 304 formed in the first support bar 303a and the second support bar 303b. The support grooves 304 are formed over the upper surface and a part of the side surfaces of the first support bar 303a and the second support bar 303b, respectively, and the support grooves 304 are formed at positions facing each other.

그리고 지지홈(304)은 복수의 기판(S)을 처리할 수 있도록 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b) 각각에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 또한, 챔버(100) 내에서 기판(S)을 더욱 안정적으로 지지할 수 있도록, 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)가 배치된 위치의 하부에 이격되어 배치되는 보조 지지바(303c, 303d)가 추가로 형성될 수도 있다. 이때, 도 7 에 도시된 것처럼, 기판(S)을 감싸는 프레임(310)은 보조 지지바(303c, 303d)에 형성된 지지홈(304)에 안착될 수 있다. 부가적으로, 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b) 와 보조 지지바(303c, 303d)에 기판(S)을 안착하는 방법은 프레임(310)에 장착된 기판(S)을 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)와 보조 지지바(303c, 303d)의 사이에 끼워 넣어 프레임(310)의 돌출부분을 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)와 보조 지지바(303c, 303d)의 상부에 형성된 지지홈(304)에 안착시킨다. 이때 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)와 보조 지지바(303c, 303d)의 이격된 폭은 기판(S)을 감싸는 프레임(310)의 폭보다는 넓어야 하며, 프레임(310)의 상하부 끝 부분은 돌출되어 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)에 형성된 지지홈(304)에 지지될 수 있도록 형성될 수 있다. At least one support groove 304 may be formed in each of the first support bar 303a and the second support bar 303b so as to process the plurality of substrates S. In addition, in order to more stably support the substrate S in the chamber 100, the auxiliary support bar spaced apart from the lower position where the first support bar 303a and the second support bar 303b are disposed. 303c and 303d may be further formed. In this case, as shown in FIG. 7, the frame 310 surrounding the substrate S may be seated in the support grooves 304 formed in the auxiliary support bars 303c and 303d. In addition, the method of seating the substrate S on the first support bar 303a and the second support bar 303b and the auxiliary support bars 303c and 303d may be performed by using the substrate S mounted on the frame 310. The protruding portion of the frame 310 is inserted between the first support bar 303a and the second support bar 303b and the auxiliary support bars 303c and 303d so that the protruding portion of the frame 310 is supported by the first support bar 303a and the second support bar ( 303b and the support grooves 304 formed on the auxiliary support bars 303c and 303d. At this time, the spaced apart width of the first support bar (303a) and the second support bar (303b) and the auxiliary support bar (303c, 303d) should be wider than the width of the frame 310 surrounding the substrate (S), the frame 310 The upper and lower end portions of the upper and lower ends may be formed to be supported by the support grooves 304 formed in the first support bar 303a and the second support bar 303b.

도 7에 도시된 것처럼, 프레임(310)은 기판(S)을 고정시켜 상에 지지하기 위해 사용되고, 도 8에 도시된 것처럼 기판(S)에 설치될 수 있다. 설치방법은 기판(S)의 전후방부 가장자리를 감싸는 프레임(310)의 네 모서리에 연결부재(315)를 고정할 수 있는 홀(SH)을 형성하고 프레임(310)의 홀(SH)과 같은 위치에 기판(S)에도 홀(SH)을 형성한다. 상기 기판(S)과 프레임(310)을 겹친 후 연결부재(315)를 이용해 기판(S)과 프레임(310)을 고정한다. 여기서, 프레임(310)의 형태는 도 9에 한정되지 않으며, 지지부(300)의 형태에 따라서 프레임(310)의 형태 또한 바뀔 수 있고, 상기 프레임(310)과 기판(S)에는 홀(SH)을 형성하지 않고 서로 끼움결합방식 등을 통해 기판(S)과 프레임(310)을 연결할 수도 있다. 또한, 프레임(310)은 지지부(300)에 장착되는 기판(S)의 적어도 양쪽 가장자리 부분을 고정할 수 있다. As shown in FIG. 7, the frame 310 is used to fix and support the substrate S, and may be installed on the substrate S as shown in FIG. 8. The installation method forms a hole (SH) for fixing the connecting member 315 in the four corners of the frame 310 surrounding the front and rear edges of the substrate (S) and the same position as the hole (SH) of the frame 310 The hole SH is also formed in the substrate S. After overlapping the substrate S and the frame 310, the substrate S and the frame 310 are fixed using the connection member 315. Here, the shape of the frame 310 is not limited to FIG. 9, and the shape of the frame 310 may also change according to the shape of the support part 300, and the hole SH may be formed in the frame 310 and the substrate S. The substrate S and the frame 310 may be connected to each other through a fitting method without forming a gap. In addition, the frame 310 may fix at least both edge portions of the substrate S mounted on the support part 300.

도 7의 지지바(303a, 303b)의 변형 예로, 도 9의 제 1지지바(305a) 및 제 2지지바(305b)처럼 제작될 수도 있다.As a modified example of the support bars 303a and 303b of FIG. 7, the first support bar 305a and the second support bar 305b of FIG. 9 may be manufactured.

상기 제 1지지바(305a) 및 제 2지지바(305b)는 서셉터(200)의 표면에 직교하는 방향으로 배치되어 챔버(100) 외부로 왕복 이동가능하며, 상기 제 1지지바(305a) 및 제 2지지바(305b) 각각의 하부면에는 기판(S)이 삽입되어 지지되기 위한 가이드홈(306)이 형성된다. 도 9의 (b)처럼 기판(S)을 제 1지지바(305a) 및 제 2지지바(305b)에 지지할 수 있다. 이때, 기판(S)의 상부 및 하부 가장자리에는 가이드홈(306)의 형상과 대응하는 형상의 프레임(310)을 결합할 수 있다. 그리고 가이드홈(306)은 복수의 기판(S)을 처리할 수 있도록 제 1지지바(303a) 및 제 2지지바(303b)에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 또한, 챔버(100) 내에서 기판(S)을 더욱 안정적으로 지지할 수 있도록, 제 1지지바(305a) 및 제 2지지바(305b)가 배치된 위치의 하부에 이격되어 배치되는 보조 지지바(305c, 305d)가 추가로 형성될 수도 있다. 이때, 도 9 에 도시된 것처럼, 기판(S)을 감싸는 프레임(310)은 보조 지지바(305c, 305d)의 상부면에 형성된 가이드홈(306)에 삽입되어 지지될 수 있다. 그리고 제 1지지바(305a) 및 제 2지지바(305b)에서 가이드홈(306)이 형성되는 단부, 그리고 보조 지지바(305c, 305d)에서 가이드홈(306)이 형성되는 단부는 서로 연결되어 가이드홈(306)이 연장형성될 수도 있다. The first support bar 305a and the second support bar 305b are disposed in a direction orthogonal to the surface of the susceptor 200 to reciprocate to the outside of the chamber 100, and the first support bar 305a. And guide grooves 306 for inserting and supporting the substrate (S) is formed on the lower surface of each of the second support bar (305b). As shown in FIG. 9B, the substrate S may be supported by the first support bar 305a and the second support bar 305b. At this time, the frame 310 of the shape corresponding to the shape of the guide groove 306 may be coupled to the upper and lower edges of the substrate (S). In addition, at least one guide groove 306 may be formed in the first support bar 303a and the second support bar 303b so as to process the plurality of substrates S. FIG. In addition, in order to more stably support the substrate S in the chamber 100, the auxiliary support bar spaced apart from the lower portion of the position where the first support bar 305a and the second support bar 305b are disposed. 305c and 305d may be further formed. In this case, as shown in FIG. 9, the frame 310 surrounding the substrate S may be inserted into and supported in the guide groove 306 formed on the upper surfaces of the auxiliary support bars 305c and 305d. In addition, ends of the guide grooves 306 are formed in the first and second support bars 305a and 305b, and ends of the guide grooves 306 are formed in the auxiliary support bars 305c and 305d. Guide groove 306 may be extended.

도 7 및 도 9에 도시된 것처럼, 기판(S)에는 프레임(310)이 장착되어 지지부(300)의 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b), 부가적으로 구비될 수 있는 보조 지지바(303c, 303d, 305c, 305d)에 의해 지지된다. 그러나 기판(S)이 프레임(310)에 장착되지 않고 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b) 및 보조 지지바(303c, 303d, 305c, 305d)에 고정되어 지지될 수 있다면 기판(S)은 단독으로 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)와 보조 지지바(303c, 303d, 305c, 305d)에 지지될 수도 있다. As shown in FIG. 7 and FIG. 9, the frame 310 is mounted on the substrate S to additionally support the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b of the support part 300. It is supported by auxiliary support bars 303c, 303d, 305c, 305d, which may be provided. However, the substrate S is not mounted to the frame 310 and is fixed to the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b and the auxiliary support bars 303c, 303d, 305c, and 305d. If possible, the substrate S may be supported by the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b and the auxiliary support bars 303c, 303d, 305c, and 305d alone.

도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개방 단면도이며, 도 11은 도 10의 기판 처리 장치의 밀폐 단면도이다. 10 is an open cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a closed cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 10.

도 10 및 도 11을 참조하면, 기판 처리 장치는, 기판(S)이 처리되는 내부공간을 형성하며 일측이 개방된 제 1히팅블럭(402) 및 제 2히팅블럭(404)과, 제 1히팅블럭(402)과 제 2히팅블럭(404)의 개방된 각각의 일측이 결합하여 형성되는 챔버(400)와, 제 1히팅블럭(402)과 제 2히팅블럭(404)의 내부에 각각 구비되는 열원 유닛(160), 제 1히팅블럭(402)과 제 2히팅블럭(404)의 내부에 각각 상하방향으로 배치되는 서셉터(200) 및 기판(S)을 처리공간에 로딩 및 언로딩시키는 지지부(300)가 각각 구비된다.Referring to FIGS. 10 and 11, the substrate processing apparatus includes a first heating block 402 and a second heating block 404 having one side opened and forming an inner space in which the substrate S is processed, and a first heating. The chamber 400 is formed by coupling the open sides of the block 402 and the second heating block 404, respectively, and are provided inside the first heating block 402 and the second heating block 404, respectively. Support portion for loading and unloading the susceptor 200 and the substrate S disposed in the vertical direction in the heat source unit 160, the first heating block 402 and the second heating block 404, respectively. 300 are provided respectively.

제 2 실시 예는 제 1 실시 예에서 설명한 히팅블럭의 개방된 일측에 다른 하나의 히팅블럭의 개방된 일측면을 결합하여 챔버를 구성하는 점 외에는 전술한 제 1 실시 예의 구성 및 작동원리가 거의 유사하다. The second embodiment is almost similar in configuration and operation to the first embodiment described above except that the open side of the other heating block is coupled to the open side of the heating block described in the first embodiment to form a chamber. Do.

즉, 제 2 실시 예의 기판 처리 장치에서 제 1 실시 예에 도시된 동일 부호를 가지는 구성 요소들은 제 1 실시 예에 설명된 요소들과 동일하게 적용된다. 또한, 제 1 실시 예에서 기판 처리 장치를 제작하는 방법 및 구성요소의 배치는 거의 동일하며, 도 4에 도시된 히팅블럭 변형 예 또한 거의 동일하게 적용될 수 있다. 즉, 제 1 실시 예의 도어(104)를 제외한 열원 유닛(160), 서셉터(200), 지지부(300) 등은 각각의 챔버(100, 400)에서 동일하게 적용된다. That is, in the substrate processing apparatus of the second embodiment, the components having the same reference numerals shown in the first embodiment are applied in the same manner as the elements described in the first embodiment. In addition, in the first embodiment, the method of fabricating the substrate processing apparatus and the arrangement of the components are almost the same, and the heating block modification illustrated in FIG. 4 may also be applied in almost the same manner. That is, the heat source unit 160, the susceptor 200, the support part 300, and the like except for the door 104 of the first embodiment are equally applied to the respective chambers 100 and 400.

따라서 이하에서는 도 10 및 10에 도시된 기판 처리 장치를 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 대해서 설명한다. Therefore, the second embodiment of the present invention will be described below with reference to the substrate processing apparatus illustrated in FIGS. 10 and 10.

제 1히팅블럭(402) 및 제 2히팅블럭(404)이 결합하여 챔버(400)를 형성하는 경우, 가스주입구(106) 및 가스 배출구(107)는 제 1히팅블럭(402) 및 제 2히팅블럭(404) 중 적어도 한 곳에 설치될 수 있고, 제 1히팅블럭(402) 및 제 2히팅블럭(404)에 각각 설치되어 챔버(400) 내부의 전 영역에 걸쳐 공정가스를 신속하게 확산시킬 수 있다. 이때, 가스주입구(106) 및 가스배출구(107)는 제 1 히팅블럭(402) 및 제 2 히팅블럭(404)의 상하부벽에 서로 대향하도록 각각 형성될 수도 있고, 양 측벽에 서로 대향하도록 각각 형성될 수도 있다. When the first heating block 402 and the second heating block 404 are combined to form the chamber 400, the gas inlet 106 and the gas outlet 107 are the first heating block 402 and the second heating. It may be installed in at least one of the blocks 404, respectively installed in the first heating block 402 and the second heating block 404 can quickly diffuse the process gas over the entire area inside the chamber 400 have. In this case, the gas inlet 106 and the gas outlet 107 may be formed to face each other on the upper and lower walls of the first heating block 402 and the second heating block 404, respectively, and formed to face each other on both side walls. May be

이때, 제 1히팅블럭(402)과 제 2히팅블럭(404)을 결합하여 챔버(400)를 형성하기 위해, 제 1히팅블럭(402) 및 제 2히팅블럭(404)의 하부에는 이동가능하게 하는 운반수단(미도시)이 설치되어 이동을 용이하게 할 수 있다. 도 10에서는 제 1히팅블럭(402)이 고정(●)되어 있고 제 2히팅블록(404)을 이동(→,←)시켜 챔버(400)를 형성하는 것으로 나타내었지만, 제 1히팅블럭(402) 및 제 2히팅블럭(404) 중 적어도 하나가 이동하여 챔버(400)를 형성할 수 있다.In this case, in order to form the chamber 400 by combining the first heating block 402 and the second heating block 404, the lower portion of the first heating block 402 and the second heating block 404 is movable. Carrying means (not shown) can be installed to facilitate the movement. In FIG. 10, although the first heating block 402 is fixed (●) and the second heating block 404 is moved (→, ←) to form the chamber 400, the first heating block 402 is shown. And at least one of the second heating blocks 404 may move to form the chamber 400.

제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 제 1히팅블럭(402)과 제 2히팅블럭(404)을 결합하여 챔버(400)를 형성하기 때문에, 제 1 실시 예의 기판 처리 장치보다 기판(S) 수용 공간이 넓어, 기판(S)의 처리량을 증가시킬 수 있는 장점이 있다. Since the substrate processing apparatus according to the second embodiment forms the chamber 400 by combining the first heating block 402 and the second heating block 404, the substrate processing apparatus accommodates the substrate S than the substrate processing apparatus of the first embodiment. The space is large, there is an advantage that can increase the throughput of the substrate (S).

도 12은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 과정에서 기판이 가열되는 원리를 설명하기 위한 개념도이다. 여기서 기판(S)에 증착되는 박막 물질은 그래핀(graphene)을 예로 두고 설명한다. 먼저, 지지부(300)에 포함된 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)에 기판(S)을 지지시킨 후 구동수단(301)을 작동시켜 제 1지지바(303a, 305a) 및 제 2지지바(303b, 305b)에 지지된 기판(S)을 히팅블럭(102) 내부로 이동시킨다. 여기서 기판(S)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있다.12 is a conceptual view illustrating a principle of heating a substrate in a substrate processing process using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. Herein, the thin film material deposited on the substrate S will be described using graphene as an example. First, the substrate S is supported on the first support bars 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b included in the support part 300, and then the driving means 301 is operated to operate the first support bar ( The substrate S supported by the 303a and 305a and the second support bars 303b and 305b is moved into the heating block 102. The substrate S is nickel (Ni), copper (Cu), cobalt (Co), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), platinum (Pt), silver (Ag), chromium (Cr), manganese (Mn) At least one of titanium (Ti) and tungsten (W) may be used.

히팅블럭(102)의 개방된 일측에 도어(104)를 결합하여, 챔버(100)를 형성한다.The door 104 is coupled to an open side of the heating block 102 to form a chamber 100.

다음, 챔버(100) 내의 가스를 배출시켜 챔버(100)의 내부 압력을 진공 상태로 만든다. 이때, 챔버(100)의 내부 압력은 0.01 내지 50 torr 범위로 제어될 수 있다. Next, the gas in the chamber 100 is discharged to make the internal pressure of the chamber 100 into a vacuum state. At this time, the internal pressure of the chamber 100 may be controlled in the range of 0.01 to 50 torr.

이어서 열원(164)을 작동시켜 서셉터(200)를 가열하며 가스주입구(106)를 통해 공정가스를 공급하여 기판(S) 상에 그래핀 박막을 형성한다. 이때, 서셉터(200)는 800℃ 내지 1050℃ 정도까지 가열될 수 있으며, 공정가스로는 CH4, C2H6, C2H2, C6H6와 같이 탄소를 함유하는 가스가 사용될 수 있다. 기판(S) 상에 그래핀 박막이 형성되는 동안 가스주입구(106)를 통해 공정가스가 공급되는 동시에 미반응 가스 및 잔류물 등이 가스배출구(107)를 통해 배출된다. Subsequently, the heat source 164 is operated to heat the susceptor 200 and supply a process gas through the gas inlet 106 to form a graphene thin film on the substrate S. At this time, the susceptor 200 may be heated to about 800 ℃ to 1050 ℃, a gas containing carbon such as CH 4 , C 2 H 6 , C 2 H 2 , C 6 H 6 may be used as a process gas. have. While the graphene thin film is formed on the substrate S, process gas is supplied through the gas inlet 106, and unreacted gas and residues are discharged through the gas outlet 107.

도 12을 보면, 그래핀이 기판(S)상에 증착되는 과정에서, 방사광은 열원(164)으로부터 조사되어 투과창(162)을 통해 서셉터(200)로 조사된다. 열원(164)으로부터 조사되는 방사광에 의해 서셉터(200)는 미리 설정된 온도까지 가열되며, 서셉터(200) 사이에 위치한 기판(S)은 가열된 서셉터(200)의 열전달(즉, 복사 또는 전도)에 의해 균일하게 가열된다. 본 발명에서는 기판(S)으로 Cu와 같은 금속 기판(S)을 사용하기 때문에 열원(164)에 직접적으로 기판(S)이 노출될 경우 빛이 반사되는 현상이 나타난다. 때문에, 열전도율 및 열 흡수율이 좋은 재료로 형성된 서셉터(200)를 열원(164)과 기판(S) 사이에 배치하여 열원(164)의 빛을 흡수해 가열된 서셉터(200)가 기판(S)을 간접가열하는 역할을 한다. 또한, 서셉터(200)가 기판(S)을 사이에 두고 단열구조를 형성하고 있기 때문에 그래핀이 증착되는 동안 기판(S)의 온도를 일정하게 유지할 수 있어 박막을 균일하게 증착할 수 있다.
Referring to FIG. 12, in the process of depositing graphene on the substrate S, radiated light is irradiated from the heat source 164 and irradiated to the susceptor 200 through the transmission window 162. The susceptor 200 is heated up to a preset temperature by the radiation emitted from the heat source 164, and the substrate S located between the susceptors 200 is configured to transfer heat (ie, radiation or heat) of the heated susceptor 200. Heated evenly). In the present invention, since a metal substrate S such as Cu is used as the substrate S, light is reflected when the substrate S is directly exposed to the heat source 164. Therefore, the susceptor 200 formed of a material having good thermal conductivity and heat absorption rate is disposed between the heat source 164 and the substrate S to absorb the light of the heat source 164 to heat the susceptor 200. ) Indirect heating. In addition, since the susceptor 200 forms an insulating structure with the substrate S interposed therebetween, the temperature of the substrate S may be kept constant while graphene is deposited, and thus the thin film may be uniformly deposited.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따르면, 열원 유닛(160)이 구비되는 히팅블럭(102, 402, 404)이 기판이 처리되는 공정챔버의 기능을 수행하도록 함으로써, 공정챔버의 별도 제작으로 인한 장치의 제조비용을 절감할 수 있으며, 히팅블럭(102, 402, 404)의 일측이 완전 개방되어있기 때문에 서셉터(200) 교체 및 장치의 유지보수가 용이한 장점이 있다. 그리고 히팅블럭(102, 402, 404)의 양측은 개방되어 제작될 수도 있기 때문에, 공정 후 불순물의 세정을 용이하게 할 수 있는 이점이 있다. As described above, according to the embodiment of the present invention, the heating blocks 102, 402, and 404 provided with the heat source unit 160 to perform the function of the process chamber in which the substrate is processed, The manufacturing cost of the device can be reduced, and since one side of the heating blocks 102, 402, and 404 is completely open, the susceptor 200 can be easily replaced and the device can be easily maintained. Since both sides of the heating blocks 102, 402, and 404 may be made open, there is an advantage of facilitating cleaning of impurities after the process.

또한, 챔버(100, 400)를 세로방향으로 길게 설치함으로써, 대면적 기판(S) 수용시 수평방향으로의 공간 확장이 불필요하기 때문에, 공간 확장에 소모되는 비용을 절약할 수 있고 공간 효율성 또한 높아질 수 있다.
In addition, by lengthening the chambers 100 and 400 in the longitudinal direction, it is unnecessary to expand the space in the horizontal direction when accommodating the large-area substrate S, thereby reducing the cost of space expansion and increasing the space efficiency. Can be.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술 되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the invention is not limited thereto, but is defined by the claims that follow. Accordingly, one of ordinary skill in the art may variously modify and modify the present invention without departing from the spirit of the following claims.

S : 기판
100, 400 : 챔버 102 : 히팅블럭
104 : 도어 402 : 제 1 히팅블럭
404 : 제 2 히팅블럭 106 : 가스주입구
107 : 가스배출구 160 : 열원 유닛
162 : 투과창 164 : 열원
170 : 오목홈 166, 172 : 반사체
200 : 서셉터 202 : 서셉터 지지대
300 : 지지부 301 : 구동수단
303a, 305a : 제 1지지바 303b, 305b : 제 2지지바
303c, 303d, 305c, 305d : 보조 지지바 304 : 지지홈
306 : 가이드홈 310 : 프레임
315 : 연결부재S: Substrate
100, 400: chamber 102: heating block
104: door 402: first heating block
404: second heating block 106: gas inlet
107: gas outlet 160: heat source unit
162: transmission window 164: heat source
170: concave grooves 166, 172: reflector
200: susceptor 202: susceptor support
300: support portion 301: driving means
303a, 305a: first support bar 303b, 305b: second support bar
303c, 303d, 305c, 305d: auxiliary support bar 304: support groove
306: guide groove 310: frame
315: connecting member

Claims (20)

일측이 개방되고 내부에 처리 공간이 형성되는 히팅블럭과, 상기 히팅블럭의 일측을 개폐하는 도어를 포함하는 챔버;
상기 히팅블럭 내부에 배치되는 적어도 하나의 열원 유닛; 및
상기 히팅블럭의 타측에 구비되어 기판을 로딩 및 언로딩시키는 지지부; 를 포함하고,
상기 히팅블럭은,
양측이 개방되고 내부에 처리 공간이 형성되는 히팅블럭 몸체와, 상기 히팅블럭 몸체의 일측을 밀폐하는 리드를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber including a heating block having one side open and a processing space formed therein, and a door for opening and closing one side of the heating block;
At least one heat source unit disposed in the heating block; And
A support part provided at the other side of the heating block to load and unload a substrate; Including,
The heating block,
And a heating block body having both sides open and a processing space formed therein, and a lid sealing one side of the heating block body. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 히팅블럭 내부에 배치되는 서셉터를 포함하고,
상기 지지부는 기판을 상기 서셉터와 나란하게 로딩 및 언로딩시키는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus,
A susceptor disposed in the heating block;
And the support portion loads and unloads a substrate in parallel with the susceptor. 청구항 1에 있어서,
상기 도어는,
플레이트 형상으로 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The door
Substrate processing apparatus formed in a plate shape. 청구항 1 에 있어서,
상기 지지부는,
상기 히팅블럭의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 기판을 지지하는 지지홈이 각각 형성되는 제 1지지바 및 제 2지지바와,
상기 제 1지지바 및 제 2지지바를 이동시키는 구동수단을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The support portion
A first support bar and a second support bar which are spaced apart from each other in a horizontal direction in parallel to the other side of the heating block and are formed with support grooves for supporting a substrate;
And a driving means for moving the first support bar and the second support bar. 청구항 1 에 있어서,
상기 지지부는,
상기 히팅블럭의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 기판이 삽입되어 지지되는 가이드홈이 각각 형성되는 제 1지지바 및 제 2지지바와,
상기 제 1지지바 및 제 2지지바를 이동시키는 구동수단을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The support portion
A first support bar and a second support bar, which are spaced apart from each other in a horizontal direction in parallel to the other side of the heating block and are formed with guide grooves into which the substrate is inserted and supported;
And a driving means for moving the first support bar and the second support bar. 청구항 5 또는 청구항 6 에 있어서,
상기 히팅블럭의 타측에는,
상기 제 1지지바 및 제 2지지바의 하부에 이격되는 보조 지지바가 배치되고,
상기 보조 지지바는 상기 제 1지지바 및 제 2지지바의 이동방향을 따라 이동하도록 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 5 or 6,
On the other side of the heating block,
An auxiliary support bar spaced apart from the lower part of the first support bar and the second support bar;
The auxiliary support bar is formed to move along the moving direction of the first support bar and the second support bar. 일측이 개방되고 내부에 처리 공간이 각각 형성되며 각각의 개방된 일측이 결합 가능하도록 배치되는 제 1히팅블럭과 제 2히팅블럭을 포함하는 챔버;
상기 제 1 히팅블럭과 제 2히팅블럭 내부에 각각 배치되는 적어도 하나의 열원 유닛;
상기 제 1히팅블럭과 제 2히팅블럭의 타측에 각각 구비되어 기판을 로딩 및 언로딩시키는 지지부;를 포함하고,
상기 제 1히팅블럭 및 제 2히팅블럭 중 적어도 어느 하나는,
양측이 개방되고 내부에 처리 공간이 형성되는 히팅블럭 몸체와, 상기 히팅블럭 몸체의 일측을 밀폐하는 리드를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber including a first heating block and a second heating block, one side of which is open and a processing space is formed therein, and each of which is opened to be coupled;
At least one heat source unit disposed in the first heating block and the second heating block, respectively;
And a support part provided at the other side of the first heating block and the second heating block to load and unload the substrate.
At least one of the first heating block and the second heating block,
And a heating block body having both sides open and a processing space formed therein, and a lid sealing one side of the heating block body. 삭제delete 청구항 8에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 제 1히팅블럭 및 제 2히팅블럭 내부에 각각 배치되는 서셉터를 포함하고,
상기 지지부는 기판을 상기 서셉터와 나란하게 로딩 및 언로딩시키는 기판 처리 장치.The method according to claim 8,
The substrate processing apparatus,
A susceptor disposed in the first heating block and the second heating block, respectively;
And the support portion loads and unloads a substrate in parallel with the susceptor. 청구항 3 또는 청구항 10 에 있어서,
상기 서셉터는 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 기판 처리 장치. The method according to claim 3 or 10,
The susceptor is graphite (graphite) or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide (Silicon Carbide), silicon nitride (Si), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride and quartz (Quartz) A substrate processing apparatus formed with at least one of). 청구항 3 또는 청구항 10 에 있어서,
상기 서셉터에는 온도 측정부가 구비되는 기판 처리 장치.The method according to claim 3 or 10,
The susceptor is provided with a temperature measuring unit. 청구항 1 또는 청구항 8 에 있어서,
상기 챔버는,
상하방향으로 연장 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 8,
The chamber may comprise:
Substrate processing apparatus extending in the vertical direction. 청구항 1 또는 청구항 8 에 있어서,
상기 챔버 내부에는,
상기 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부가 구비되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 8,
Inside the chamber,
The substrate processing apparatus provided with the temperature measuring part which measures the temperature of the said board | substrate. 청구항 8 에 있어서,
상기 제 1히팅블럭 및 제 2히팅블럭 중 적어도 하나는,
이동 가능하도록 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 8,
At least one of the first heating block and the second heating block,
A substrate processing apparatus formed to be movable. 청구항 8 에 있어서,
상기 지지부는,
상기 제 1히팅블럭과 제 2히팅블럭의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 기판을 지지하는 지지홈이 각각 형성되는 제 1지지바 및 제 2지지바와,
상기 제 1지지바 및 제 2지지바를 이동시키는 구동수단을 각각 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 8,
The support portion
A first support bar and a second support bar, which are spaced apart from each other in a horizontal direction and parallel to each other on the other side of the first heating block and the second heating block, and each having a support groove for supporting a substrate;
And a driving means for moving the first support bar and the second support bar, respectively. 청구항 8 에 있어서,
상기 지지부는,
상기 제 1히팅블럭과 제 2히팅블럭 각각의 타측에 수평방향으로 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 기판이 삽입되어 지지되는 가이드홈이 각각 형성되는 제 1지지바 및 제 2지지바와,
상기 제 1지지바 및 제 2지지바를 이동시키는 구동수단을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 8,
The support portion
A first support bar and a second support bar which are spaced apart from each other in a horizontal direction in parallel to each other on the other side of the first heating block and the second heating block, respectively and in which guide grooves are formed to support the substrate;
And a driving means for moving the first support bar and the second support bar. 청구항 16 또는 청구항 17 에 있어서,
상기 제 1히팅블럭 및 제 2히팅블럭 각각의 타측에는,
상기 제 1지지바 및 제 2지지바의 하부에 이격되는 보조 지지바가 각각 배치되고,
상기 보조 지지바는 상기 제 1지지바 및 제 2지지바의 이동방향을 따라 이동하도록 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 16 or 17,
On the other side of each of the first heating block and the second heating block,
Auxiliary support bars spaced below the first support bar and the second support bar are disposed, respectively,
The auxiliary support bar is formed to move along the moving direction of the first support bar and the second support bar. 청구항 1 또는 청구항 8 에 있어서,
상기 지지부에는,
상기 기판의 적어도 양쪽 가장자리 부분이 고정되는 프레임이 장착되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 8,
The support portion,
And a frame on which at least both edge portions of the substrate are fixed. 청구항 1 또는 청구항 8 에 있어서,
상기 열원 유닛은,
방사광을 방출하는 열원과,
내부에 상기 열원이 배치되는 투과창을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 8,
The heat source unit,
A heat source that emits radiation,
And a transmission window in which the heat source is disposed.
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KR101217638B1 (en) 2012-11-06 2013-01-22 (주)앤피에스 Substrate supporting apparatus and substrate processing apparatus having the same

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