KR101598657B1 - Wafer chamfering device - Google Patents
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Abstract
복수의 가공 테이블에서 병행해서 웨이퍼를 모따기 가공하고, 스루풋을 향상시키는 동시에, 숫돌의 총수를 억제해서 장치 전체의 비용이나 사이즈를 저감시키고, 유지 관리도 용이한 웨이퍼의 모따기 장치를 제공한다. 웨이퍼(1)를 얹어놓는 복수의 가공 테이블(2A∼D)과, 상기 웨이퍼(1)의 테두리를 모따기하기 위한 복수 종류의 가공 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성을 갖는 복수의 숫돌(3,4,5,6)과, 상기 각 숫돌을 각각 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 숫돌 이동수단을 갖고, 상기 각 숫돌(3,4,5,6)이, 각각 1개의 가공 테이블(2)에 접근해서 웨이퍼(1)를 모따기 가공하고, 이어서 다른 가공 테이블(2)에 차례차례 이동해서 가공하는 것을 반복함으로써, 복수의 상기 웨이퍼(1,…,1)를 상기 복수의 숫돌(3,4,5,6)이 동시 병행해서 모따기한다.Provided is a chamfering apparatus for chamfering a wafer in which chamfering is performed in parallel on a plurality of machining tables to improve the throughput, suppress the total number of grinding wheels, reduce the cost and size of the entire apparatus, and maintain maintenance. A plurality of processing tables 2A to D on which a wafer 1 is placed and a plurality of grinding wheels 3 and 4 having different processing characteristics corresponding to a plurality of types of processing steps for chamfering the rim of the wafer 1 , 5, 6), and a grindstone moving means for moving the respective grindstones between the processing tables, wherein each of the grindstones (3, 4, 5, 6) The plurality of wafers 1, ..., 1 are placed on the plurality of grindstones 3, 4, 5, and 6 by repeating the chamfering of the wafer 1, 6) are chamfered simultaneously.
Description
본 발명은, 반도체소자의 소재로 되는 실리콘 등의 웨이퍼의 바깥둘레의 모따기 가공을 행하는 웨이퍼 모따기 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
각종 결정 웨이퍼 그 외의 반도체 디바이스 웨이퍼 등의 집적회로용 기판으로서 이용되는 원반형상 박판재, 그 외 금속재료를 포함하는 딱딱한 재료로 이루어지는 원반형상 박판재, 예를 들면 실리콘(Si) 단결정, 갈륨비소(GaAs), 수정, 석영, 사파이어, 페라이트, 탄화규소(SiC) 등으로 이루어지는 것(이것들을 총칭해서 단지 웨이퍼라고 한다)은, 잉곳 상태로부터 슬라이싱 머신으로 얇게 잘라진 후, 엣지(테두리)를 숫돌로 연삭하고, 소정의 형상과 소정의 표면거칠기로 모따기 가공된다.(Si) monocrystal, gallium arsenide (GaAs), or the like, which is made of a disc-shaped thin plate material used as a substrate for an integrated circuit such as various crystal wafers or other semiconductor device wafers, (Hereinafter, simply referred to as "wafers") made of quartz, sapphire, ferrite, silicon carbide (SiC), or the like are thinly sliced from the ingot state into a slicing machine, And is chamfered with a predetermined shape and a predetermined surface roughness.
이러한 모따기 가공이 이루어지는 웨이퍼(1)에는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 둘레방향의 기준 위치를 나타내기 위한 V자형 또는 U자형의 노치(1n)가 새겨 만들어져 있으며, 이것도 모따기 가공된다.As shown in Fig. 13, the
웨이퍼(1)의 엣지(1a)에 대해서는, 도 14에 도시하는 바와 같이, 상부 평면에 대해 각도(α1)(약 22°)만큼 경사진 상부 경사면(1au)과, 하부 평면에 대해 각도(α1)(약 22°)만큼 경사진 하부 경사면(1ad)과, 이들 사이를 매끄럽게 접속하는 반지름(R1)의 원호(1c)로 이루어지는 단면 형상(전체적으로 거의 삼각형상)으로 가공하는 경우가 있다.As shown in Fig. 14, the
이 경우, 상부 경사면(1au)의 수평 길이를 「모따기 폭(X1)」으로 부르고, 하부 경사면(1ad)의 수평 길이를 「모따기 폭(X2)」으로 부른다.In this case, the horizontal length of the upper inclined plane 1au is called "chamfer width X1", and the horizontal length of the lower inclined plane 1ad is called "chamfer width X2".
또, 도 15에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 엣지(1a)를, 상부 평면에 대해 각도(α2)만큼 경사진 상부 경사면(1au)과, 하부 평면에 대해 각도(α2)만큼 경사진 하부 경사면(1ad)과, 엣지(1a)의 단면을 형성하는 수직인 테두리 단면(周端面)(1b)과, 동일 반지름(R2)을 갖는 2개의 원호로서 상부 경사면(1au)과 테두리 단면(1b)과의 사이 및 하부 경사면(1ad)과 테두리 단면(1b)과의 사이를 매끄럽게 접속하는 원호(1c,1c)로 이루어지는 단면 형상(거의 사다리꼴 형상)으로 가공하는 경우가 있다.15, the
이 경우도, 상부 경사면(1au)의 수평 길이를 「모따기 폭(X1)」, 하부 경사면(1ad)의 수평 길이를 「모따기 폭(X2)」, 테두리 단면(1b)의 면폭의 길이를 「모따기 폭(X3)」으로 각각 부른다.In this case as well, the horizontal length of the upper inclined plane 1au is referred to as the "chamfer width X1", the horizontal length of the lower inclined plane 1ad as the "chamfer width X2", and the length of the plane width of the
종래의 모따기 장치에는, 웨이퍼(1)를 얹어놓는 1개의 가공 테이블(41)과 웨이퍼(1)를 모따기 가공하기 위한 숫돌(42,43)을 갖는 1개의 가공부(40)가 마련되어 있었다(도 16, 17 참조).The conventional chamfering apparatus is provided with one machining table 41 on which the
또, 이 모따기 장치에는, 이 가공부(40) 외에, 가공전의 웨이퍼(1)를 격납하는 2개의 카세트(12)와, 가공전에 웨이퍼(1)의 두께를 측정하는 동시에 웨이퍼(1)의 중심과 노치(1n)의 방향(웨이퍼의 원둘레 방향)을 설정하는 전방 설정부(45)와, 가공한 웨이퍼(1)를 세정하는 세정부(47)와, 가공한 웨이퍼의 형상 치수를 측정하는 후방 측정부(50)와, 가공이 완료된 웨이퍼(1)를 격납하는 카세트(13)가 마련되어 있었다.This chamfering apparatus is provided with two
이 모따기 장치에서는, 웨이퍼(1)를 실어서 반송할 수 있는 반입 아암(48)에 의해서 카세트(12)로부터 꺼내진 웨이퍼(1)는, 전방 설정부(45)로 반송되고, 두께를 측정 및 원둘레 방향을 개략 설정한다. 이어서, 웨이퍼(1)는 반입 아암(48)에 의해서 가공 테이블(41)의 상방까지 반송되고, 반입 아암(48)으로부터 가공 반송부(44)로 주고 받아진다. 이 가공 반송부(44)는, 2개의 롤러와 1개의 위치 결정마로 웨이퍼(1)를 끼워 지지하고, 상하 이동이 가능하고, 웨이퍼(1)의 중심과 가공 테이블(41)의 중심을 일치시켜, 웨이퍼(1)의 원둘레 방향 위치를 정확하게 위치 결정해서 가공 테이블(41)에 얹어놓는다.In this chamfering apparatus, the
가공부(40)에는, 웨이퍼(1)의 원주부 엣지(1a)를 연삭하는 숫돌(42)과, 노치(1n)를 연삭하는 숫돌(43)을 갖고 있었다. 가공부(40)에는, 엣지용 숫돌(42)과 노치용 숫돌(43)과의 각각에 대해, 조연용(粗硏用)과 정연용(精硏用)의 2 종류를 구비하도록 해도 좋다. 웨이퍼(1)는, 가공 테이블(41)에 부압 등으로 흡착 고정되고, 가공 테이블(41)에 수반하여 회전하는 동시에, 회전하는 숫돌(42)을 꽉 눌러서 엣지(1a)를 모따기 가공한다.The
또, 가공 테이블(41)을 정지(靜止)시킨 상태로 웨이퍼(1)의 노치(1n)에 숫돌(43)이 꽉 눌러져서, 모따기 가공된다.Further, the
가공 완료 웨이퍼(1)는, 4개의 롤러를 갖는 세정 반송부(46)에 끼워지지되어 가공 테이블(41)로부터 세정부(47)로 반송되고, 세정부(47)에서 세정된다. 이어서, 웨이퍼(1)는 세정 반송부(46)에 의해 세정부(47)로부터 후방 측정부(50)로 반송된다. 후방 측정부(50)에서 형상 치수를 측정한 웨이퍼(1)는, 반출 아암(49)에 실려서 카세트(13)로 반송되어 수납된다.The processed
이러한 종래의 웨이퍼의 모따기 장치 중에서는, 카세트(12)로부터 웨이퍼(1)를 꺼내는 시간, 가공전에 웨이퍼(1)의 원주 위치를 설정하는 시간, 웨이퍼(1)를 가공부(40)에서 모따기 가공하는 시간, 가공한 웨이퍼(1)를 세정하는 시간, 세정된 웨이퍼(1)의 형상 치수를 측정하는 시간, 카세트(13)에 가공한 웨이퍼(1)를 격납하는 시간을 비교하면, 일반적으로 모따기 가공의 시간이 가장 길어지고 있었다.In this conventional chamfering apparatus for a wafer, the time for taking out the
따라서, 웨이퍼의 모따기 장치의 스루풋(단위시간당의 처리량)은, 모따기 가공의 시간 길이에 영향을 받고 있었다.Therefore, the throughput (the throughput per unit time) of the chamfering device of the wafer was influenced by the time length of chamfering.
그 때문에, 특허문헌 1에는, 복수의 가공부를 마련하여 스루풋을 향상시킨 웨이퍼의 모따기 장치가 기재되어 있다. 도 16, 도 17은, 특허문헌 1의 도 1 및 도 2를 인용한 것이다.Therefore,
이 모따기 장치는 복수의 가공부(40)를 갖고, 각 가공부(40)에, 가공 테이블(41)과, 가공 특성(웨이퍼의 가공 개소나 거칠기 등)이 다른 숫돌(42,43)의 유닛을 각각 구비하고 있다.This chamfering device has a plurality of machining
또, 가공 반송부(44)는 전방 설정부(45)로부터 각 가공부(40)에 웨이퍼(1)를 공급할 수 있는 가동 범위를 갖고, 동일하게 세정 반송부(46)도, 각 가공부(40)로부터 세정부(47)에 웨이퍼(1)를 반송할 수 있는 가동 범위를 갖고 있다.The
그 외의 구성에 있어서는, 상기 종래의 모따기 장치와 대체로 동일하다.The other configurations are substantially the same as those of the conventional chamfering device.
이 모따기 장치에서는, 전방 설정부(45)에서 두께가 측정되어 원주 방향 위치가 개략 설정된 웨이퍼(1)는, 반입 아암(48)과 가공 반송부(44)에 의해서 가공부(40)로 반송되고, 모따기 가공된다. 가공부(40)에서 앞의 웨이퍼(1)가 모따기 가공되고 있는 동안에 전방 설정부(45)에서의 측정 및 설정이 완료된 다음의 웨이퍼(1)는, 반입 아암(48)과 가공 반송부(44)에 의해 다른 가공부(40)로 반입되고, 모따기 가공된다.In this chamfering apparatus, the
이와 같이, 특허문헌 1의 모따기 장치에서는, 복수의 가공부(40)에 차례차례 웨이퍼(1)를 공급하고, 복수의 가공부(40)에서 동시 병행해서 웨이퍼(1)를 모따기 가공하고, 가공이 완료된 웨이퍼(1)를 차례차례 세정부(47)로 반송함으로써, 스루풋을 크게 할 수 있었다.As described above, in the chamfering device of
또, 다른 모따기 장치로서, 1매의 웨이퍼에 대해, 요구되는 웨이퍼 단면 형상과 일치하는 홈을 새겨 만들고 있는 총형(總形) 숫돌로 조연삭(粗硏削)한 후, 회전하는 원반형상의 레진 본드 숫돌 또는 고무 숫돌로 정연삭(精硏削)하여, 모따기 정밀도와 표면거칠기를 개선한 것이 있었다(특허문헌 2, 특허문헌 3).As another chamfering apparatus, a single wafer is subjected to rough grinding with a grindstone which is formed with a groove matching the required wafer cross-sectional shape, and then a rotating disk-shaped resin bond A grindstone or a rubber grindstone to improve the chamfer precision and surface roughness (
그러나, 특허문헌 1의 모따기 장치에서는, 복수의 가공부(40)를 설치하고, 각각의 가공부(40)에 복수 종류의 숫돌(42,43)을 1조씩 마련하고 있었기 때문에, 1개의 모따기 장치에서, 가공부(40)의 수에 숫돌(42,43)의 종류를 곱한 수인 숫돌 및 숫돌 위치를 정밀 이동시키는 장치를 마련할 필요가 있어, 장치의 비용과 사이즈가 큰 것으로 되고 있었다.However, in the chamfering device of
또, 모따기 장치 전체에서 동일 가공 특성의 숫돌(예를 들면 숫돌(42))을 복수 갖고 있었기 때문에, 동일 가공 특성의 숫돌(42)의 사이에서 마모 정도에 차이가 난 경우에는 웨이퍼(1)의 품질에 편차를 발생시키게 되고, 게다가, 복수의 숫돌(42)을 관리하는 시간이 걸리고 있었다. 예를 들면, 1개의 숫돌(42)을 교환하는 경우에는, 다른 가공부(40)의 동일 가공 특성의 숫돌(42)과의 사이에서 모따기 정밀도에 편차가 나지 않도록, 직경이나 모따기 폭 등의 가공 마무리 치수를 입력하는 제어부의 설정을 조정할 필요가 있었다.Since the entire chamfering apparatus has a plurality of grindstones (for example, grindstones 42) having the same machining characteristics, if there is a difference in the degree of abrasion between the
게다가, 숫돌(42,43)을 회전시키는 스핀들 모터는, 일단 모따기 가공을 개시하면, 통상, 숫돌(42,43)이 웨이퍼(1)를 가공하고 있지 않은 동안도 계속 가동시켜두기 때문에, 가공부(40)를 늘린 분만큼 전력과 냉각수를 낭비하는 양이 증대하고, 러닝 코스트의 증가를 초래하고 있었다.Further, since the spindle motor for rotating the
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 복수의 가공 테이블에서 병행해서 웨이퍼를 모따기 가공하고, 스루풋을 향상시키는 동시에, 숫돌의 총수를 억제하고 장치 전체의 비용이나 사이즈를 저감시켜, 유지 관리도 용이한 웨이퍼의 모따기 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a method for chamfering wafers in parallel on a plurality of machining tables to improve throughput, reduce the total number of grinding wheels, It is an object of the present invention to provide a chamfering device for an easy wafer.
또, 다른 과제는, 1매의 웨이퍼를 모따기 가공할 때에, 모따기 가공전의 처리, 모따기 가공, 모따기 가공후의 처리의 대부분을 1개의 가공 테이블 및 그 근방에서 행할 수 있어서, 장치 전체의 비용이나 사이즈를 저감시킬 수 있는 웨이퍼의 모따기 장치를 제공하는 것에 있다.Another problem is that most of the processing before the chamfering, the chamfering and the chamfering can be performed on one processing table and its vicinity when chamfering a single wafer, And to provide a chamfering device for a wafer which can be reduced.
본 발명에 있어서, 상기 과제가 해결되는 수단은 이하와 같다.Means for solving the above problems in the present invention are as follows.
제1의 발명에 관한 웨이퍼의 모따기 장치는, 웨이퍼를 얹어놓는 복수의 가공 테이블과, 상기 웨이퍼의 테두리를 모따기하기 위한 복수 종류의 가공 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성을 갖는 복수의 숫돌과, 상기 각 숫돌을 각각 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 숫돌 이동수단을 갖고, 상기 각 숫돌이, 각각 1개의 가공 테이블에 접근해서 웨이퍼를 모따기 가공하고, 이어서 다른 가공 테이블에 차례차례 이동해서 가공하는 것을 반복함으로써, 복수의 상기 웨이퍼를 상기 복수의 숫돌이 동시 병행해서 모따기하는 것을 특징으로 한다.A wafer chamfering apparatus according to a first aspect of the present invention includes: a plurality of processing tables for placing a wafer; a plurality of grindstones having different processing characteristics corresponding to a plurality of types of processing steps for chamfering the edge of the wafer; And each of the grindstones has a grindstone moving means for moving each of the grindstones between the processing tables, and each of the grindstones chamfering the wafer by approaching one of the processing tables, And the plurality of grinders simultaneously chamfer the plurality of wafers in parallel.
제2의 발명에 관한 웨이퍼의 모따기 장치는, 상기 숫돌 이동수단이, 상기 가공 테이블에 얹어놓여진 상기 웨이퍼를 모따기할 때에, 상기 가공 테이블 사이의 이동 방향으로 상기 숫돌의 위치를 정밀 이동시키는 것을 특징으로 한다.The chamfering device of the wafer according to the second invention is characterized in that when the grindstone moving means chamfers the wafer placed on the machining table, the position of the grindstone is precisely moved in the moving direction between the machining tables do.
제3의 발명에 관한 웨이퍼의 모따기 장치는, 웨이퍼를 얹어놓는 복수의 가공 테이블과, 상기 웨이퍼의 테두리 단면을 모따기하는 숫돌과, 상기 웨이퍼의 모따기 전에 웨이퍼의 형상 또는 얹어놓는 위치를 검출하기 위해 각각 다른 측정 대상을 측정하는 1 이상의 가공전 센서와, 상기 가공전 센서를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 가공전 센서 이동수단을 갖고, 상기 가공전 센서가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓는 위치에서 상기 웨이퍼의 형상 또는 얹어놓는 위치를 검출하는 것을 특징으로 한다.A chamfering apparatus for a wafer according to a third aspect of the present invention includes a plurality of machining tables for placing a wafer thereon, a grindstone for chamfering a cross-section of the wafer, and a position sensor for detecting a shape or a position of the wafer before chamfering the wafer And at least one pre-machining sensor for measuring another object to be measured, and pre-machining sensor moving means for moving the machining sensor between the machining tables, wherein the pre-machining sensor holds the wafer above each machining table The position of the wafer or the position of the wafer placed on each of the processing tables.
가공전 센서의 측정 대상으로서는, 예를 들면, 웨이퍼의 직경, 두께, 중심 위치, 노치 위치 등을 들 수 있다.Examples of the object to be measured of the sensor before machining include the diameter, thickness, center position, notch position, and the like of the wafer.
모따기 장치가 상기 가공전 센서를 복수 갖는 경우에는, 각 가공전 센서마다 상기 가공전 센서 이동수단을 마련해도 좋고, 몇 개의 가공전 센서를 1개의 가공전 센서 이동수단에 의해 이동하는 유닛으로서 형성해도 좋다.In the case where the chamfering device has a plurality of pre-machining sensors, the pre-machining sensor moving means may be provided for each pre-machining sensor, or several machining sensors may be formed as a unit for moving by one pre-machining sensor moving means good.
제4의 발명에 관한 웨이퍼의 모따기 장치는, 웨이퍼를 얹어놓는 복수의 가공 테이블과, 상기 웨이퍼의 테두리 단면을 모따기하기 위한 숫돌과, 상기 웨이퍼의 모따기 후에 웨이퍼의 형상을 검출하기 위해서 각각 다른 측정 대상을 측정하는 1 이상의 가공후 센서와, 상기 가공후 센서를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 가공후 센서 이동수단을 갖고, 상기 가공후 센서가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼의 형상을 측정하는 것을 특징으로 한다.A chamfering apparatus for a wafer according to a fourth aspect of the present invention includes a plurality of machining tables on which a wafer is placed, a grindstone for chamfering a cross-section of the wafer, And a post-processing sensor moving means for moving the post-processing sensor between the processing tables, wherein the post-processing sensor detects a position or an angle at which the wafer is held above each processing table, And the shape of the wafer is measured at a position placed on the processing table.
모따기 장치가 상기 가공후 센서를 복수 갖는 경우에는, 각 가공후 센서마다 상기 가공후 센서 이동수단을 마련해도 좋고, 또, 몇 개의 가공후 센서를 일체화해서 1개의 가공후 센서 이동수단에 의해 이동하도록 형성해도 좋다.In the case where the chamfering device has a plurality of post-processing sensors, the post-processing sensor moving means may be provided for each post-processing sensor, and several post-processing sensors may be integrated and moved by one post-processing sensor moving means May be formed.
제5의 발명에 관한 웨이퍼의 모따기 장치는, 웨이퍼를 얹어놓는 복수의 가공 테이블과, 상기 웨이퍼의 테두리 단면을 모따기하기 위한 숫돌과, 상기 웨이퍼의 모따기 후에 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정기구와, 세정후에 상기 웨이퍼를 건조시키는 웨이퍼 건조기구와, 상기 웨이퍼 세정기구 및 웨이퍼 건조기구를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 후처리 기구 이동수단을 갖고, 상기 웨이퍼 세정기구 또는 웨이퍼 건조기구가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼를 세정 또는 건조하는 것을 특징으로 한다.A chamfering apparatus for a wafer according to a fifth aspect of the present invention includes a plurality of processing tables for placing a wafer thereon, a grindstone for chamfering a cross-section of the wafer, a wafer cleaning mechanism for cleaning the wafer after chamfering the wafer, And a post-processing mechanism moving means for moving the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism between the processing table, wherein the wafer cleaning mechanism or the wafer drying mechanism includes: And the wafer is cleaned or dried at a position held above the processing table or at a position placed on each processing table.
이러한 모따기 장치에서는, 웨이퍼 세정기구와 웨이퍼 건조기구에 각별한 후처리 기구 이동수단을 마련해도 좋고, 또, 웨이퍼 세정기구 및 웨이퍼 건조기구가 1개의 후처리 기구 이동수단에 의해 이동하는 유닛으로서 형성해도 좋다.In such a chamfering apparatus, a post-processing mechanism moving means may be provided for each of the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism, or the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism may be formed as a unit moved by one post-processing mechanism moving means .
제6의 발명은, 상기 웨이퍼를 상기 가공 테이블의 상방에 유지하고 상기 웨이퍼 세정기구에 의해 세정하는 동시에 상기 가공 테이블을 세정하고, 이어서 상기 웨이퍼 건조기구에 의해 웨이퍼를 건조시키는 동시에 상기 가공 테이블을 건조시키는 것을 특징으로 한다.A sixth aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: holding the wafer above the processing table, cleaning the processing table with the wafer cleaning mechanism, drying the wafer with the wafer drying mechanism, .
제7의 발명은, 상기 가공전 센서, 상기 가공후 센서, 상기 웨이퍼 세정기구, 또는 상기 웨이퍼 건조기구 중 어느 하나를, 모따기 가공의 전후에 상기 웨이퍼를 격납하는 카세트와 상기 각 가공 테이블과의 사이에 상기 웨이퍼를 반송하는 아암에 마련한 것을 특징으로 한다.The seventh invention is characterized in that any one of the pre-machining sensor, the post-machining sensor, the wafer-cleaning mechanism, or the wafer-drying mechanism is installed between a cassette for storing the wafer before and after chamfering, Is provided on an arm that carries the wafer.
제8의 발명은, 상기 복수의 가공 테이블이 직선 형상으로 배치되는 것을 특징으로 한다.The eighth invention is characterized in that the plurality of machining tables are arranged in a straight line.
제9의 발명은, 상기 숫돌 이동수단, 상기 가공전 센서 이동수단, 상기 가공후 센서 이동수단, 또는 상기 후처리 기구 이동수단 중 어느 하나의 이동 방향에 대해 수평 직교 방향으로 상기 가공 테이블을 이동시키는 가공 테이블 접근 이간 수단과, 상기 가공 테이블을 회전시키는 가공 테이블 회전수단을 마련한 것을 특징으로 한다.A ninth aspect of the present invention is a method for moving a processing table in a direction perpendicular to a moving direction of any one of the grindstone moving means, the pre-machining sensor moving means, the post-machining sensor moving means, and the post- A machining table approaching and separating means, and a machining table rotating means for rotating the machining table.
제1의 발명에 의하면, 웨이퍼를 얹어놓는 복수의 가공 테이블과, 상기 웨이퍼의 테두리를 모따기하기 위한 복수 종류의 가공 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성을 갖는 복수의 숫돌과, 상기 각 숫돌을 각각 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 숫돌 이동수단을 갖고, 상기 각 숫돌이, 각각 1개의 가공 테이블에 접근해서 웨이퍼를 모따기 가공하고, 이어서 다른 가공 테이블에 차례차례 이동해서 가공하는 것을 반복함으로써, 복수의 상기 웨이퍼를 상기 복수의 숫돌이 동시 병행해서 모따기하는 것에 의해, 모따기 장치의 스루풋을 높일 수 있다. 또, 모따기 장치 전체의 숫돌의 수가 억제되기 때문에, 숫돌의 비용을 저감할 수 있는 동시에 숫돌의 관리 부담을 경감할 수 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a wafer processing apparatus comprising: a plurality of processing tables on which wafers are placed; a plurality of grindstones having different processing characteristics corresponding to a plurality of types of processing steps for chamfering the rim of the wafers; And each of the grindstones chamfering the wafer by approaching one of the processing tables and then successively moving the other of the grinding wheels to another processing table, The chamfering device can increase the throughput of the chamfering device by simultaneously chamfering the plurality of grindstones in parallel. Further, since the number of grinding wheels of the entire chamfering device is suppressed, the cost of the grinding wheel can be reduced and the burden of management of the grinding wheel can be reduced.
또, 모따기 장치에서는, 웨이퍼를 모따기 가공하고 있지 않는 여유 시간에도 숫돌을 계속 회전시켜, 스핀들 모터에 냉각수를 사용할 필요가 있지만, 제1의 발명에 따른 모따기 장치에서는, 숫돌의 수가 억제되는 동시에 각 숫돌의 여유 시간이 적어지게 되기 때문에, 전력 및 냉각수의 낭비를 저감시킬 수 있다.In the chamfering device, it is necessary to continuously rotate the grinding wheel even during a time when the wafer is not chamfered and to use cooling water for the spindle motor. In the chamfering device according to the first invention, The wasteful time of power and cooling water can be reduced.
제2의 발명에 의하면, 상기 숫돌 이동수단이, 상기 가공 테이블에 얹어놓여진 상기 웨이퍼를 모따기할 때에, 상기 가공 테이블 사이의 이동 방향으로 상기 숫돌의 위치를 정밀 이동시킴으로써, 1개의 숫돌 이동수단으로 가공 테이블 사이의 큰 이동과 웨이퍼의 모따기 가공시의 정밀한 이동을 겸할 수 있고, 모따기 장치에 있어서의 숫돌 이동수단의 비용을 저감할 수 있다.According to the second aspect of the present invention, when the grindstone moving means grinds the wafer placed on the machining table, the position of the grindstone is moved precisely in the moving direction between the machining tables, A large movement between the tables and a precise movement during chamfering of the wafer can be combined, and the cost of the grinding wheel moving means in the chamfering device can be reduced.
제3의 발명에 의하면, 상기 웨이퍼의 모따기 전에 웨이퍼의 형상 또는 얹어놓는 위치를 검출하기 위해서 각각 다른 측정 대상을 측정하는 1 이상의 가공전 센서와, 상기 가공전 센서를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 가공전 센서 이동수단을 갖고, 상기 가공전 센서가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼의 형상 또는 얹어놓는 위치를 검출함으로써, 모따기 전의 측정을 위해 독립된 스페이스를 마련할 필요가 없기 때문에, 모따기 장치를 공간 절약화하는 동시에, 웨이퍼의 이동에 걸리는 시간을 생략해서 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a wafer processing apparatus comprising at least one pre-processing sensor for measuring different measurement targets in order to detect a shape or a placement position of a wafer before chamfering the wafer, Wherein the pre-machining sensor detects the shape or the position of the wafer at a position where the wafer is held above each machining table or at a position placed on each machining table, It is possible to save space of the chamfer device and to improve the throughput by omitting the time required for the movement of the wafer.
제4의 발명에 의하면, 상기 웨이퍼의 모따기 후에 웨이퍼의 형상을 검출하기 위해서 각각 다른 측정 대상을 측정하는 1 이상의 가공후 센서와, 상기 가공후 센서를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 가공후 센서 이동수단을 갖고, 상기 가공후 센서가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼의 형상을 측정함으로써, 모따기 후의 측정을 위해 독립된 스페이스를 마련할 필요가 없기 때문에, 모따기 장치를 공간 절약화하는 동시에, 웨이퍼의 이동에 걸리는 시간을 생략해서 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: at least one post-processing sensor for measuring a different measurement object to detect the shape of the wafer after chamfering the wafer; It is necessary to provide a separate space for measurement after chamfering by measuring the shape of the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or at a position placed on each processing table It is possible to save space of the chamfer device and to improve the throughput by omitting the time required for the movement of the wafer.
제5의 발명에 의하면, 상기 웨이퍼의 모따기 후에 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정기구와, 세정후에 상기 웨이퍼를 건조시키는 웨이퍼 건조기구와, 상기 웨이퍼 세정기구 및 웨이퍼 건조기구를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 후처리 기구 이동수단을 갖고, 상기 웨이퍼 세정기구 또는 웨이퍼 건조기구가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼를 세정 또는 건조하는 것에 의해, 세정 및 건조를 위한 독립된 스페이스를 마련할 필요가 없기 때문에, 모따기 장치를 공간 절약화하는 동시에, 웨이퍼의 이동에 걸리는 시간을 생략해서 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또, 세정전에 웨이퍼를 가공 테이블 부근으로부터 이동시킬 필요가 없기 때문에, 이동에 따라 오염을 주위에 흩뿌리는 일이 없다.According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a wafer cleaning apparatus comprising: a wafer cleaning mechanism for cleaning a wafer after chamfering of the wafer; a wafer drying mechanism for drying the wafer after cleaning; And the wafer cleaning mechanism or the wafer drying mechanism may clean or dry the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or at a position placed on each processing table, It is not necessary to provide a separate space for drying, so that the chamfering device can be saved in space and the throughput can be improved by omitting the time required to move the wafer. In addition, since it is not necessary to move the wafer from the vicinity of the processing table before cleaning, the contamination is not scattered around by the movement.
제6의 발명에 의하면, 상기 웨이퍼를 상기 가공 테이블의 상방에 유지하고 상기 웨이퍼 세정기구에 의해 세정하는 동시에 상기 가공 테이블을 세정하고, 이어서 상기 웨이퍼 건조기구에 의해 웨이퍼를 건조시키는 동시에 상기 가공 테이블을 건조시킴으로써, 가공 테이블의 세정 및 건조를 위해 특별한 시간을 마련할 필요가 없고, 충분한 세정 및 건조의 시간을 확보할 수 있는 동시에 모따기 가공 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the sixth aspect of the present invention, the wafer is held above the processing table, and the wafer is cleaned by the wafer cleaning mechanism while the processing table is cleaned. Then, the wafer is dried by the wafer drying mechanism, By drying it, there is no need to prepare a special time for washing and drying the processing table, sufficient time for washing and drying can be ensured, and the throughput of the chamfering apparatus can be improved.
제7의 발명에 의하면, 상기 가공전 센서, 상기 가공후 센서, 상기 웨이퍼 세정기구, 또는 상기 웨이퍼 건조기구 중 어느 하나를, 모따기 가공의 전후에 상기 웨이퍼를 격납하는 카세트와 상기 각 가공 테이블과의 사이에서 상기 웨이퍼를 반송하는 아암에 마련함으로써, 이 아암이, 가공전 센서 이동수단, 가공후 센서 이동수단, 또는 후처리 기구 이동수단의 역할을 겸하고, 모따기 장치 전체의 비용을 저감하는 동시에 공간 절약화할 수 있다.According to the seventh aspect of the present invention, any one of the pre-machining sensor, the post-machining sensor, the wafer-cleaning mechanism, or the wafer-driv- ing mechanism is mounted on a cassette for storing the wafer before and after chamfering, It is possible to reduce the cost of the entire chamfering device and to reduce the space saving, and to reduce the cost of the entire chamfering device. In addition, by providing the arm for transferring the wafer between the pre-processing sensor moving means, It can be changed.
제8의 발명에 의하면, 상기 복수의 가공 테이블이 직선 형상으로 배치되는 것에 의해, 데드 스페이스가 적은 모따기 장치로 할 수 있다.According to the eighth aspect of the invention, since the plurality of machining tables are arranged in a straight line, a chamfering device with a small dead space can be provided.
제9의 발명에 의하면, 상기 숫돌 이동수단, 상기 가공전 센서 이동수단, 상기 가공후 센서 이동수단, 또는 상기 후처리 기구 이동수단 중 어느 하나의 이동 방향에 대해 수평 직교 방향으로 상기 가공 테이블을 이동시키는 가공 테이블 접근 이간 수단과, 상기 가공 테이블을 회전시키는 가공 테이블 회전수단을 마련한 것에 의해, 필요에 따라서 가공 테이블을 숫돌 등에 접근 이간시켜, 소망하는 단면 형상으로 되도록 웨이퍼의 모따기 가공을 행하는 동시에, 가공 테이블을 회전시켜서, 웨이퍼의 엣지의 전체 둘레 및 노치를 모따기할 수 있다.According to the ninth aspect of the present invention, the machining table is moved in the horizontal orthogonal direction with respect to the moving direction of the grindstone moving means, the pre-machined sensor moving means, the post-machined sensor moving means, or the post- And a machining table rotating means for rotating the machining table are provided so that the machining table is chamfered so as to have a desired cross sectional shape by making the machining table approach to the grindstone or the like as required, By rotating the table, the entire circumference of the edge of the wafer and the notch can be chamfered.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 관한 웨이퍼의 모따기 장치를 나타내는 평면 설명도이다.
도 2는, 상기 모따기 장치를 나타내는 정면 설명도이다.
도 3은, 반입 아암을 나타내는 도면이며, (a)는 평면 설명도, (b)는 정면 설명도이다.
도 4는, 엣지 조연 숫돌을 이용한 모따기 가공을 나타내는 측방 설명도이다.
도 5는, 엣지 조연 숫돌 및 노치 조연 숫돌의 조연 숫돌 지지장치를 나타내는 사시 설명도이다.
도 6은, 엣지 정연 숫돌을 이용한 모따기 가공을 나타내는 사시 확대도이다.
도 7은, 엣지 정연 숫돌의 숫돌 지지장치를 나타내는 정면도이다.
도 8은, 엣지 정연 숫돌의 숫돌 지지장치를 나타내는 측방도이다.
도 9는, 엣지 정연 숫돌을 이용한 다른 모따기 가공을 나타내는 정면 설명도이다.
도 10은, 노치 정연 숫돌의 숫돌 지지장치를 나타내는 사시도이다.
도 11은, 반출 아암을 나타내는 도면이며, (a)는 평면 설명도, (b)는 정면 설명도이다.
도 12는, 모따기 장치에서 웨이퍼를 모따기할 때의 타이밍 차트이다.
도 13은, 웨이퍼의 평면 형상을 나타내는 도면이다.
도 14는, 모따기 가공에 의한 웨이퍼의 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 15는, 모따기 가공에 의한 다른 웨이퍼의 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 16은, 특허문헌 1의 모따기 장치를 나타내는 평면 설명도이다.
도 17은, 특허문헌 1의 모따기 장치를 나타내는 사시 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan explanatory view showing a chamfering apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention. Fig.
2 is a front view showing the chamfering device.
Fig. 3 is a view showing a carry-in arm, wherein (a) is a plan view explanatory view, and Fig. 3 (b) is a front view explanatory view.
4 is a lateral explanatory view showing a chamfering process using an edge supporting stone.
Fig. 5 is an explanatory view showing a supporting stone grinding machine of an edge grinding stone and a notch grinding stone. Fig.
6 is an enlarged view showing a chamfering process using an edge smoothing grindstone.
7 is a front view showing a grindstone holding device of an edge smokable grindstone.
8 is a side view showing the grindstone holding device of the edge smokable grindstone.
Fig. 9 is a frontal explanatory view showing another chamfering process using an edge smoothing grindstone. Fig.
10 is a perspective view showing a grindstone holding device of a notched square grindstone.
11 is a view showing the carry-out arm, wherein (a) is a plan view explanatory view and (b) is a front view explanatory view.
12 is a timing chart when chamfering the wafer in the chamfering device.
13 is a view showing a planar shape of the wafer.
Fig. 14 is a view showing the cross-sectional shape of the wafer by chamfering.
Fig. 15 is a view showing a cross-sectional shape of another wafer by chamfering.
Fig. 16 is a planar explanatory view showing the chamfering device of
Fig. 17 is an explanatory view showing a chamfering device of
이하, 본 발명의 실시형태에 관한 웨이퍼의 모따기 장치에 대해서, 도면에 기초하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a chamfering apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1에 도시하는 바와 같이, 이 모따기 장치는, 웨이퍼(1)를 얹어놓는 복수의 가공 테이블(2)을 갖고, 또, 복수의 모따기 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성(거칠기나 웨이퍼의 가공 개소 등)을 갖는 복수의 숫돌(3,4,5,6)을 갖는 것으로서, 각 숫돌(3,4,5,6)이 가공 테이블(2)의 사이에서 이동 가능한 것을 특징으로 한다.As shown in Fig. 1, this chamfering apparatus has a plurality of machining tables 2 on which a
또 마찬가지로, 모따기 가공의 전후에 웨이퍼(1)의 측정, 세정 및 건조를 행하는 센서(7,8,9), 세정기구(10), 건조기구(11)가, 가공 테이블(2)의 사이에서 이동 가능한 것을 특징으로 한다.Similarly, the
이하에서 상세히 설명한다.This will be described in detail below.
이 모따기 장치는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 미가공의 웨이퍼(1)를 격납해 두는 2개의 카세트(12,12)와, 웨이퍼(1)를 얹어놓고 모따기 가공하는 4대의 가공 테이블(2(2A∼2D))과, 가공 완료 웨이퍼(1)를 격납해 두는 2개의 카세트(13,13)를 갖는다.As shown in Fig. 1, this chamfering apparatus includes two
또, 모따기 장치에는, 웨이퍼(1)를 반송하기 위해서, 웨이퍼(1)를 카세트(12)로부터 꺼내고 혹은 카세트(13)에 격납하는 카세트 아암(14)과, 이 카세트 아암(14)으로부터 웨이퍼(1)를 받아서 각 가공 테이블(2)에 얹어놓는 반입 아암(15)과, 가공된 웨이퍼(1)를 가공 테이블(2)로부터 카세트 아암(14)에 받아넘기는 반출 아암(16)이 마련되어 있다.The chamfering apparatus is provided with a
웨이퍼(1)의 모따기 가공을 위해서, 이 모따기 장치는, 엣지(1a)의 조연용 총형 숫돌(3)과, 엣지(1a)의 윤곽(contouring) 가공(정연)용 한 쌍의 원반 숫돌(4a,4a)과, 노치(1n)의 조연용 총형 숫돌(5)과, 노치(1n)의 정연용 숫돌(6)을 갖고 있다.For chamfering the
도 1에 도시하는 바와 같이, 4대의 가공 테이블(2)은, 대략 일직선상에 직렬로 배치되어 있다. 이하, 이 나열의 방향을 X축 방향이라고 한다.As shown in Fig. 1, the four processing tables 2 are arranged in series on a substantially straight line. Hereinafter, the direction of this arrangement is referred to as the X-axis direction.
도 2에 도시하는 바와 같이, 가공 테이블(2)의 상부에는, 웨이퍼(1)가 얹어놓여지는 스테이지(17)가 마련되어 있다. 이 스테이지(17)는 웨이퍼(1)보다도 작은 지름으로 형성되고, 얹어놓여진 웨이퍼(1)를 부압에 의해서 고정하는 흡착 척을 갖고 있다.As shown in Fig. 2, a
또, 도 2, 도 7에 도시하는 바와 같이, 가공 테이블(2)에는, 모터를 이용한 가공 테이블 회전기구(18)가 마련되고, 웨이퍼(1)의 모따기 가공시에 스테이지(17)를 회전시켜서, 웨이퍼(1)의 엣지(1a)를 전체 둘레에 걸쳐서 모따기 가공할 수 있도록 되어 있다. 게다가, 가공 테이블(2)은, 레일 또는 볼 나사 등으로 구성되는 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의해서, X축과 직교하는 수평인 방향(이하, Y축 방향이라고 한다)으로 이동이 가능하고, 웨이퍼(1)를 상기 각 숫돌(3,4,5,6)과 접근 이간시켜서 모따기 가공할 수 있다.2 and 7, a machining
도 1에 도시하는 바와 같이, 미가공의 웨이퍼(1)를 격납해 두는 카세트(12) 및 가공 완료 웨이퍼(1)를 격납해 두는 카세트(13)도, X축 방향에 따라서 배치되어 있다.1, a
카세트(12,13)의 열(列)과 가공 테이블(2)의 열의 사이에는, 카세트 아암(14)이 마련되어 있다. 이 카세트 아암(14)은, 웨이퍼(1)를 실어서 반송하는 대략 Y자 형상의 아암부(14a)를 갖고 있다. 게다가, 카세트 아암(14)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, X축 방향으로 이동하기 위한 카세트 아암 X축 이동기구(20)가 마련되는 동시에, 아암부(14a)를 Y축 방향으로 이동하기 위한 카세트 아암 Y축 이동기구(21), 승강시키는 카세트 아암 승강기구(22) 및 수평으로 선회시키는 카세트 아암 선회기구(23)가 마련되어 있다.Between the rows of the
반입 아암(15)은, 도 2, 도 3에 도시하는 바와 같이, 가공 테이블(2) 근방의 천정측으로부터 매달려지고, 수평방향으로 아암부(15a)를 돌출설치하고 있으며, 이 아암부(15a)의 선단에는, 부압에 의해서 상방으로부터 웨이퍼를 흡착하는 흡착 척(15b)이 마련되어, 웨이퍼(1)를 유지할 수 있다. 흡착 척(15b)의 바로 위에는 다이렉트 드라이브 모터(15c)가 마련되고, 유지된 웨이퍼(1)를 원주 방향으로 회전시켜서, 후술과 같이 측정 및 얹어놓을 수 있다.As shown in Figs. 2 and 3, the carry-in
반입 아암(15)에는, X축 방향으로 이동하기 위한 반입 아암 이동기구(24)(도 2) 및 아암부(15a)를 승강시키는 반입 아암 승강기구(도시하지 않음)가 마련되어 있으며, 카세트 아암(14)으로부터 각 가공 테이블(2)로 미가공 웨이퍼(1)의 받아넘기기를 행할 수 있다.2) for moving in the X-axis direction and a carry-in arm elevating mechanism (not shown) for moving the
또, 반입 아암(15)에는, 아암부(15a)와 대략 동일 높이에, 상하 한 쌍으로 웨이퍼(1)의 직경(도 13 중 D) 또는 반지름(동일 R), 중심, 노치(1n)의 위치를 측정하는 얼라이먼트 센서(7)가 마련되어 있다(도 2에서는 얼라이먼트 센서(7)를 생략하고 있다).The diameter of the wafer 1 (D in FIG. 13) or the radius (the same R), the center of the
도 3에 도시하는 바와 같이, 얼라이먼트 센서(7)는 반입 아암(15)에 대해 선회 가능하게 장착되기 때문에, 웨이퍼(1)를 흡착 척(15b)과 흡착 또는 떼어낼 때에는 얼라이먼트 센서(7)가 접촉하지 않도록 후퇴될 수 있으며, 반입 아암(15)이 웨이퍼(1)를 유지한 상태로 얼라이먼트 센서(7)를 웨이퍼(1)의 상하로 선회시켜서 웨이퍼(1)를 측정할 수 있다. 또, 반입 아암(15)에 대해서 얼라이먼트 센서(7)를 승강시키는 얼라이먼트 센서 승강기구(도시하지 않음)가 마련되어, 웨이퍼(1)의 측정시에 얼라이먼트 센서(7)의 높이를 조정할 수 있다.3, the
반입 아암(15)은, 얼라이먼트 센서(7)의 측정 결과로부터 설정된 웨이퍼(1)의 원주 방향의 얹어놓는 각도(재치 각도)에 기초하여, 웨이퍼(1)를 회전시켜서 소망하는 재치 각도로 가공 테이블(2)에 얹어놓는다. 이때, 웨이퍼(1)의 중심과 가공 테이블(2)의 스테이지(17)의 중심이 일치하도록 한다.The
게다가 반입 아암(15)에는, 아암부(15a)보다도 하방에, 상하 한 쌍의 두께 센서(8)를 마련하고 있으며, 웨이퍼(1)를 가공 테이블(2)에 얹어놓은 후에 웨이퍼(1)의 상면 및 하면의 높이를 측정하고, 그 차이로부터 웨이퍼(1)의 두께를 검출한다.The
한편, 두께 센서(8)는, 반입 아암(15)이 웨이퍼(1)를 유지한 상태로 웨이퍼(1)의 두께를 측정하도록 구성해도 좋다.On the other hand, the
엣지 조연 숫돌(3)은, 도 4, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(1)가 요구하는 단면 형상과 일치하는 홈이 테두리 단면에 새겨 만들어져 있는, 수평인 총형 숫돌로서, 가공 테이블(2)과 서로 역방향으로 다른 회전 속도로 회전시킨 채, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의해서 가공 테이블(2)을 Y축 방향으로 이동시키고, 웨이퍼(1)의 엣지(1a)를 숫돌 홈에 꽉 눌러서, 엣지(1a)의 조연삭을 행한다.As shown in Figs. 4 and 5, the
노치 조연 숫돌(5)은, 도 5에 도시하는 바와 같이, 엣지 조연 숫돌(3)과 동일하게 웨이퍼(1)가 요구하는 단면 형상과 일치하는 홈을 테두리 단면에 새겨 만들어져 있는 총형 숫돌로서, 엣지 조연 숫돌(3)과 동일 방향으로 회전시킨 채, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의한 가공 테이블(2)의 Y축 방향 이동과, 후술하는 조연 숫돌 이동기구(27)에 의한 노치 조연 숫돌의 X축 방향 이동을 이용하여, 노치(1n)의 형상에 따라서 조연삭을 행한다.As shown in Fig. 5, the
도 2, 도 5에 도시하는 바와 같이, 엣지 조연 숫돌(3) 및 노치 조연 숫돌(5)은, 1개의 숫돌 지지장치(26)에 장착되고, 웨이퍼(1)를 모따기 가공한다. 또, 숫돌 지지장치(26)는 모따기 장치의 측벽(29) 상부에 장착되고, X축 방향으로 이동하기 위한 조연 숫돌 이동기구(27) 및 승강하기 위한 조연 숫돌 승강기구(28)를 갖고 있다. 일례로서, 조연 숫돌 이동기구(27)는, 측벽(29)에 장착되는 X축 방향의 나사축과 숫돌 지지장치(26)에 장착되는 너트로 이루어지는 볼 나사를 이용하여, 서보모터를 구동력으로 해서 구성할 수 있다. 마찬가지로, 조연 숫돌 승강기구(28)도, 볼 나사를 이용하여 구성할 수 있다.2 and 5, the
엣지 정연 숫돌(4)은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 근방에서 반면(盤面)을 대향시킨 한 쌍의 수직인 원반형상의 숫돌(4a,4a)로 이루어지고, 각각을 수직 또한 서로 역방향으로 회전시키고, 수평으로 회전하는 웨이퍼(1)에 꽉 누르는 것으로, 엣지(1a)의 정밀한 모따기 가공을 행한다.As shown in Fig. 6, the
이 때문에, 도 2, 도 7, 도 8에 도시하는 바와 같이, 엣지 정연 숫돌(4)은 숫돌 지지장치(30)에 지지되고, 각 숫돌(4a,4a)은 숫돌을 회전시키는 스핀들 모터를 통하여 숫돌 지지장치(30)에 장착되어 있다. 또, 숫돌 지지장치(30) 전체를 승강시키는 지지장치 승강기구(31)를 마련하는 동시에, 각 숫돌(4a,4a)을 각별히 승강시키는 엣지 정연 숫돌 승강기구(32,32)를 마련하고 있으며, 각 숫돌(4a,4a)을 동일 높이로 유지해서 웨이퍼(1)의 엣지(1a)를 모따기 가공하는(도 6) 것도 가능하지만, 각 숫돌(4a,4a)의 높이를 다르게 하고, 웨이퍼(1)를 상하로부터 끼우도록 해서 상부 경사면(1au) 및 하부 경사면(1ad)의 모따기 가공을 할 수도 있다(도 9).2, 7 and 8, the edge
또, 도 2에 도시하는 바와 같이, 엣지 정연 숫돌(4)을 장착하는 숫돌 지지장치(30)는 모따기 장치의 측벽(29) 하부에 조립부착되고, X축 방향으로 이동하기 위한 엣지 정연 숫돌 이동기구(33)를 갖고 있다. 일례로서, 엣지 정연 숫돌 이동기구(33)는, 측벽(29)에 장착되는 X축 방향의 나사축과 숫돌 지지장치(30)에 장착되는 너트로 이루어지는 볼 나사를 이용하여, 서보모터를 구동력으로 해서 구성할 수 있다.2, the grinding
노치 정연 숫돌(6)은, 도 10에 도시하는 바와 같이, 연마재를 포함한 고무로 형성된 얇은 원반형상의 숫돌로서, 수직으로 마련되고, 수직방향으로 회전시킨 채, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의한 가공 테이블(2)의 Y축 방향 이동과, 후술하는 노치 정연 숫돌 이동기구(35)에 의한 노치 정연 숫돌(6)의 X축 방향 이동을 이용하여, 노치(1n)의 형상에 따라서 정밀한 연삭을 행한다.As shown in Fig. 10, the notched
도 10에 도시하는 바와 같이, 노치 정연 숫돌(6)은 숫돌 지지장치(34)에 지지되고, 숫돌을 회전시키는 스핀들 모터의 회전을 선단부(34a)에서 변환하는 것으로, 수직방향으로 회전하도록 장착되어 있다.As shown in Fig. 10, the notched square
또, 도 2, 도 10에 도시하는 바와 같이, 노치 정연 숫돌(6)을 장착하는 숫돌 지지장치(34)는, 가공 테이블(2)과 카세트(12,13)와의 사이에 설치되는 모따기 장치의 중벽(37) 하부에 장착되고, X축 방향으로 이동하기 위한 노치 정연 숫돌 이동기구(35) 및 승강하기 위한 노치 정연 숫돌 승강기구(36)를 갖고 있다. 일례로서, 노치 정연 숫돌 이동기구(35)는, 중벽(37)에 장착되는 X축 방향의 나사축과 숫돌 지지장치(34)에 장착되는 너트로 이루어지는 볼 나사를 이용하여, 서보모터를 구동력으로 해서 구성할 수 있다. 마찬가지로, 노치 정연 숫돌 승강기구(36)도, 볼 나사를 이용하여 구성할 수 있다.2 and 10, the grinding
도 2, 도 11에 도시하는 바와 같이, 반출 아암(16)은, 가공 테이블(2) 근방에서 측벽(29)측의 천정측으로부터 매달려지고, 수평방향으로 아암부(16a)를 돌출설치하고 있으며, 이 아암부(16a)의 선단에는, 부압에 의해서 상방으로부터 웨이퍼를 흡착하는 흡착 척(16b)이 마련되어, 웨이퍼(1)를 유지할 수 있다. 흡착 척(16b)의 바로 위에는 다이렉트 드라이브 모터(16c)가 마련되고, 유지된 웨이퍼(1)를 원주 방향으로 회전시켜서, 후술하는 바와 같이 세정, 건조 및 측정할 수 있다.As shown in Figs. 2 and 11, the carry-out
반출 아암(16)에는, X축 방향으로 이동하기 위한 반출 아암 이동기구(38), 아암부(16a)를 승강시키는 반출 아암 승강기구(도시하지 않음) 및 아암부(16a)를 선회시키는 반출 아암 선회기구(도시하지 않음)가 마련되어 있으며, 각 가공 테이블(2)로부터 카세트 아암(14)으로 가공 완료 웨이퍼(1)의 받아넘기기를 행할 수 있다.The carry-out
또, 도 11에 도시하는 바와 같이, 반출 아암(16)은, 세정액을 방출하는 상하 3개의 물노즐(10a,10b,10c)로 이루어지는 세정기구(10)와, 건조풍을 방출하는 상하 3개의 에어 노즐(11a,11b,11c)로 이루어지는 건조기구(11)를 구비하고 있다. 반출 아암(16)의 아암부(16a)에서 웨이퍼(1)를 유지한 경우, 상단의 물노즐(10a) 및 에어 노즐(11a)은 웨이퍼(1)보다 상위이고 하방으로 경사져서 설치되고, 웨이퍼(1)의 상면을 세정하여, 건조시킨다. 중단의 물노즐(10b) 및 에어 노즐(11b)은 웨이퍼(1)보다 하위이고 상방으로 경사져서 설치되고, 웨이퍼(1)의 하면을 세정하여, 건조시킨다. 하단의 물노즐(10c) 및 에어 노즐(11c)은 하방으로 경사져서 설치되고, 가공 테이블(2)의 스테이지(17)를 세정하여, 건조시킨다.11, the carry-out
본 실시예에서는, 웨이퍼(1)를 가공 테이블(2)의 상방에 유지하고, 웨이퍼(1)의 세정 및 건조를 행하면서, 가공 테이블(2)의 스테이지(17)의 세정 및 건조를 행할 수 있도록 세정기구(10)와 건조기구(11)를 구성했지만, 웨이퍼(1)를 가공 테이블(2)에 얹어놓은 상태에서 웨이퍼(1)의 세정 및 건조를 행하도록 구성해도 좋다.The
게다가, 반출 아암(16)에는, 상하 한 쌍의 부재로 이루어지고 웨이퍼(1)의 반지름, 노치(1n)의 형상을 측정하는 가공후 센서(9)가 마련되어 있다. 가공후 센서(9)는 상측의 부재로부터 레이저를 조사하고, 하측의 부재에서 수용하는 레이저가 웨이퍼(1)에 차단되는 것으로, 웨이퍼(1)의 테두리 단면(1b) 및 노치(1n)의 형상을 측정하고, 웨이퍼(1)의 중심과의 거리로부터 웨이퍼(1)의 반지름을 검출한다.In addition, the carry-out
가공후 센서(9)는 반출 아암(16)에 대해 선회 가능하게 장착되기 때문에, 웨이퍼(1)의 형상을 측정하려면, 우선, 반출 아암(16)이 웨이퍼(1)를 유지한 상태에서 가공후 센서(9)를 웨이퍼(1)의 바로 위로부터 후퇴시킨다. 이어서, 아암부(16a)의 높이를 가공후 센서(9)의 높이로 상승시켜, 가공후 센서(9)를 선회시켜서 웨이퍼(1)의 상하에 배치하고, 웨이퍼(1)의 형상을 측정할 수 있다. 또, 가공후 센서(9)는, 세정기구(10) 또는 건조기구(11)의 상방에 마련하고 있으며, 웨이퍼(1)의 세정 또는 건조시에 더러워지지 않도록 되어 있다. 이 밖에, 웨이퍼(1)를 가공 테이블(2)에 얹어놓은 상태로, 가공후 센서(9)가 웨이퍼(1)의 형상을 측정하도록 구성해도 좋다.Since the
또, 필요에 따라, 가공후 센서(9)에 카메라를 탑재하고, 엣지(1a)의 모따기 폭(X1,X2,X3)이나 칩핑(파편)의 유무를 측정할 수 있도록 해도 좋다.If necessary, a camera may be mounted on the
다음에, 이 모따기 장치에 있어서의 웨이퍼(1)의 모따기 공정 및 각부의 제어에 대해 설명한다.Next, the chamfering process and control of each part of the
이 모따기 장치에서는, 1대의 가공 테이블(2)에 대해 제1 공정, 제2 공정, 제3 공정, 제4 공정을 순서대로 반복함으로써, 4대의 가공 테이블(2)로 효율적으로 웨이퍼(1)를 모따기 가공할 수 있다.In this chamfering apparatus, the first process, the second process, the third process, and the fourth process are repeated in order on one machining table 2, so that the four machining tables 2 can efficiently transfer the
제1 공정에서는, 가공 테이블(2)에 가공 완료 웨이퍼(1)가 있는 경우에는 반출 아암(16)이 이것을 흡착해서 가공 테이블(2) 상방에서 회전시키면서 웨이퍼(1) 및 가공 테이블(2)을 세정하고, 건조시켜, 가공후 센서(9)에서 웨이퍼(1)의 형상을 측정하고(도 11 참조), 반출 아암(16)으로부터 카세트 아암(14)으로 웨이퍼(1)를 받아넘기고, 카세트(13)에 격납한다(도 2 참조). 이어서, 카세트 아암(14)에 의해 카세트(12)로부터 미가공 웨이퍼(1)를 꺼내, 반입 아암(15)이 이것을 받고(도 2 참조), 얼라이먼트 센서(7)의 측정에 기초한, 정확한 얹어놓는 위치로 가공 테이블(2)에 얹어놓고, 두께 센서(8)에서 웨이퍼(1)의 두께를 측정한다(도 3 참조).In the first step, when the machining table 2 has the machined
제2 공정에서는, 조연 숫돌 이동기구(27)에 의해 숫돌 지지장치(26)를 X축 방향으로 가공 테이블(2)의 위치까지 이동시키고, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의해 가공 테이블(2)을 숫돌 지지장치(26)에 접근시켜서, 엣지 조연 숫돌(3)로 웨이퍼(1)의 엣지(1a)를 모따기 가공하고, 이어서 노치 조연 숫돌(5)로 노치(1n)를 모따기 가공한다(도 5 참조).In the second step, the grinding
모따기 가공에 있어서, 웨이퍼(1)에 대한 엣지 조연 숫돌(3) 또는 노치 조연 숫돌(5)의 위치를 X축 방향으로 이동시키면서 정밀 가공할 때에는, 조연 숫돌 이동기구(27)에 의해 정밀하게 이동시킬 수 있다.When the position of the edge supporting smoothing
제3 공정에서는, 엣지 정연 숫돌 이동기구(33)에 의해 숫돌 지지장치(30)를 X축 방향으로 가공 테이블(2)의 위치까지 이동시키고, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의해 가공 테이블(2)을 숫돌 지지장치(30)에 접근시켜서, 엣지 정연 숫돌(4)로 웨이퍼(1)의 엣지(1a)를 모따기 가공한다(도 6, 도 7 참조).In the third step, the grinding
모따기 가공에 있어서, 웨이퍼(1)에 대한 엣지 정연 숫돌(4)의 위치를 X축 방향으로 이동시키면서 정밀 가공할 때에는, 엣지 정연 숫돌 이동기구(33)에 의해 정밀하게 이동시킬 수 있다.In chamfering, when the position of the
제4 공정에서는, 노치 정연 숫돌 이동기구(35)에 의해 숫돌 지지장치(34)를 X축 방향으로 가공 테이블(2)의 위치까지 이동시키고, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)에 의해 가공 테이블(2)을 숫돌 지지장치(34)에 접근시켜서, 노치 정연 숫돌(6)로 웨이퍼(1)의 노치(1n)를 모따기 가공한다(도 10 참조).In the fourth step, the
모따기 가공에 있어서, 웨이퍼(1)에 대한 노치 정연 숫돌(6)의 위치를 X축 방향으로 이동시키면서 정밀 가공할 때에는, 노치 정연 숫돌 이동기구(35)에 의해 정밀하게 이동시킬 수 있다.When the position of the notched square
이 모따기 장치에 있어서는, 제1 공정, 제2 공정, 제3 공정, 제4 공정의 시공(施工) 시간이 모두 80∼120초 정도로 되고, 시공시간의 편차가 적어진다.In this chamfering apparatus, the time required for the first step, the second step, the third step and the fourth step is 80 to 120 seconds, and the variation in the construction time is reduced.
도 12는, 모따기 장치에서 웨이퍼(1)의 모따기 가공을 행하는 타이밍 차트이다. 도 12 중, 세로 방향은 각 가공 테이블(2)을, 가로 방향은 경과시간을 나타내고 있다.12 is a timing chart for chamfering the
이하에서는, 4대의 가공 테이블(2)을, 가공 테이블(2A,2B,2C,2D)로 해서 구별한다.Hereinafter, the four machining tables 2 are distinguished from the machining tables 2A, 2B, 2C and 2D.
이 모따기 장치에서, 모든 가공 테이블(2)에 웨이퍼(1)가 얹어놓여져 있지 않은 상태로부터 모따기 가공을 개시하면, 우선, 가공 테이블(2A)에 있어서, 제1 공정의 후반 공정, 즉 카세트(12)의 웨이퍼(1)를 꺼내고 나서 가공 테이블(2A)상에서 두께를 측정할 때까지의 공정이 행해진다(t1).In this chamfering apparatus, when the chamfering is started from a state in which no
그것이 완료되면, 다음에, 가공 테이블(2A)에서 제2 공정이 행해지는 동시에, 가공 테이블(2B)에서 제1 공정의 후반 공정이 행해진다(t2).Then, the second process is performed on the machining table 2A, and the second process of the first process is performed on the machining table 2B (t2).
가공 테이블(2A,2B)의 동작이 함께 완료되면, 다음에, 가공 테이블(2A)에서 제3 공정이 행해지는 동시에, 가공 테이블(2B)에서 제2 공정이 행해지고, 가공 테이블(2C)에서 제1 공정의 후반 공정이 행해진다(t3).When the operations of the machining tables 2A and 2B are completed together, the third step is performed on the machining table 2A, the second step is performed on the machining table 2B, A second stage of the one stage is performed (t3).
가공 테이블(2A∼2C)의 동작이 전부 완료되면, 다음에, 가공 테이블(2A)에서 제4 공정이 행해지는 동시에, 가공 테이블(2B)에서 제3 공정이 행해지고, 가공 테이블(2C)에서 제2 공정이 행해지고, 가공 테이블(2D)에서 제1 공정의 후반 공정이 행해진다(t4).When the operations of the machining tables 2A to 2C are all completed, the fourth step is performed on the machining table 2A, the third step is performed on the machining table 2B, 2, and the second half of the first process is performed in the machining table 2D (t4).
모든 가공 테이블(2A∼2D)에서 동작이 완료되면, 다음에, 가공 테이블(2A)에서는 제1 공정의 전체 공정이 행해지고, 웨이퍼(1)의 모따기 가공에 수반하는 전 공정을 종료하여, 새로운 웨이퍼(1)의 모따기 가공을 개시한다. 동시에, 가공 테이블(2B)에서 제4 공정이 행해지고, 가공 테이블(2C)에서 제3 공정이 행해지고, 가공 테이블(2D)에서 제2 공정이 행해진다(t5).When the operation is completed on all the processing tables 2A to 2D, the entire process of the first process is performed on the processing table 2A, the entire process accompanying the chamfering of the
그 후도 각 가공 테이블(2)에서 제1 공정으로부터 제4 공정까지가 순서대로 반복되고, 각 가공 테이블(2)에서는, 숫돌 등에 따라서 다른 공정이 동시 병행해서 행해진다.Subsequently, the first to fourth steps in each of the machining tables 2 are repeated in order. In each of the machining tables 2, other machining steps are carried out simultaneously in parallel with the grindstone and the like.
각 숫돌(3,4,5,6), 반입 아암(15) 및 반출 아암(16)은, 각각 1개의 가공 테이블(2)에 접근해서 웨이퍼(1)를 가공 또는 처리하고, 이어서 다른 가공 테이블(2)에 차례차례 이동해서 가공 또는 처리하는 것을 반복하게 된다. 그 가공 테이블(2)간의 이동에 있어서는, 숫돌 지지장치(26)와 숫돌 지지장치(30), 및 반입 아암(15)과 반출 아암(16)이 엇갈리는 경우가 있지만, 그때에는 각각의 승강기구에 따라 높이를 다르게 하여, 이것들이 접촉하는 일 없이 엇갈릴 수 있도록 한다(도 2).Each of the
이러한 모따기 장치에서는, 웨이퍼(1)의 모따기에 있어서의 복수 종류의 가공 공정(제1 공정으로부터 제4 공정)에 각각 대응하는 복수의 숫돌(3,4,5,6), 센서(7,8,9), 세정기구(10) 및 건조기구(11)에, 각각을 가공 테이블(2)간에서 이동시키는 이동기구를 마련한 것에 의해, 복수의 가공 테이블(2)에서 다른 가공 공정을 동시 병행해서 행할 수 있으며, 모따기 장치의 스루풋을 높일 수 있다. 또, 모따기 장치 전체에 있어서의 숫돌, 센서, 세정기구 및 건조기구의 수가 억제되기 때문에, 모따기 장치의 비용을 저감하는 동시에 숫돌의 관리 부담을 경감할 수 있다.In this chamfering apparatus, a plurality of grindstones (3, 4, 5, 6), sensors (7, 8) corresponding to a plurality of types of machining steps (first to fourth steps) The
또, 조연 숫돌 이동기구(27), 엣지 정연 숫돌 이동기구(33), 노치 정연 숫돌 이동기구(35)에 볼 나사 등을 이용하는 것으로, 각 숫돌(3,4,5,6)을 가공 테이블(2) 사이(X축 방향)에서 이동시키는 동시에, 모따기 가공시에 각 숫돌(3,4,5,6)을 X축 방향으로 정밀 이동할 수 있도록 했기 때문에, 모따기 장치 전체에 있어서의 숫돌의 정밀 이동용 기계의 비용을 절감할 수 있다.It is also possible to use a ball screw or the like for the smoothing
또, 센서(7,8,9), 세정기구(10) 및 건조기구(11)가, 웨이퍼(1)를 각 가공 테이블(2)의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블(2)에 얹어놓인 위치에서, 측정, 세정 및 건조를 행함으로써, 웨이퍼(1)의 모따기 가공에 수반하는 전체 공정을 1대의 가공 테이블(2)의 부근에서 행할 수 있으며, 측정, 세정 및 건조를 위한 독립된 스페이스를 마련할 필요가 없기 때문에, 모따기 장치를 공간 절약화하는 동시에, 모따기 가공에 수반하는 제1 공정의 시간을 단축해서 스루풋을 향상시킬 수 있다.The
특히, 반출 아암(16)이 웨이퍼(1)를 가공 테이블(2)의 상방에 유지하고, 세정기구(10)에 의해 웨이퍼(1)를 세정하는 동시에 가공 테이블(2)을 세정하고, 이어서 건조기구(11)에 의해 웨이퍼(1)를 건조하는 동시에 가공 테이블(2)을 건조시킴으로써, 제1 공정에 걸리는 시간을 한층 단축하고, 모따기 가공 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Particularly, when the carry-out
또, 미가공 웨이퍼(1)를 카세트(12)로부터 각 가공 테이블(2)로 반송하는 반입 아암(15)에 얼라이먼트 센서(7) 및 두께 센서(8)를 마련하는 동시에, 가공 완료 웨이퍼(1)를 각 가공 테이블(2)로부터 카세트(13)로 반송하는 반출 아암(16)에 가공후 센서(9), 세정기구(10) 및 건조기구(11)를 마련한 것에 의해, 각 센서(7,8,9), 세정기구(10) 및 건조기구(11)의 X축 방향의 이동용 기계를 독립으로 마련할 필요가 없고, 모따기 장치 전체의 비용을 저감하는 동시에 공간 절약화할 수 있다.The
또, 4대의 가공 테이블(2)을 직선 형상으로 배치했기 때문에, (환상으로 배치되는 경우 등에 비교해서) 데드 스페이스가 작고, 모따기 장치를 공간 절약화할 수 있다.Further, since the four machining tables 2 are arranged in a straight line, the dead space is small (as compared with the case of being arranged in an annular shape), and the chamfering device can be saved in space.
또, 각 가공 테이블(2)에, 가공 테이블 접근 이간 기구(19)와 가공 테이블 회전기구(18)를 마련한 것에 의해, 필요에 따라 가공 테이블(2)을 숫돌(3,4,5,6)에 접근 이간시키고, 요구되는 단면 형상으로 모따기 가공하는 동시에, 가공 테이블(2)을 회전시켜서, 웨이퍼(1)의 엣지(1a)의 전체 둘레 및 노치(1n)를 모따기할 수 있다.The machining
1 : 웨이퍼
1a : 엣지
1b : 테두리 단면
1n : 노치
2 : 가공 테이블
3 : (엣지 조연)숫돌
4 : (엣지 정연)숫돌
4a : (원반)숫돌
5 : (노치 조연)숫돌
6 : (노치 정연)숫돌
7 : (얼라이먼트)센서
8 : (두께)센서
9 : (가공후)센서
10 : 세정기구
10a∼c : 물노즐
11 : 건조기구
11a∼c : 에어 노즐
12 : 카세트
13 : 카세트
14 : 카세트 아암
14a : 아암부
15 : 반입 아암
15a : 아암부
15b : 흡착 척
15c : 다이렉트 드라이브 모터
16 : 반출 아암
16a : 아암부
16b : 흡착 척
16c : 다이렉트 드라이브 모터
17 : 스테이지
18 : 가공 테이블 회전기구
19 : 가공 테이블 접근 이간 기구
20 : 카세트 아암 X축 이동기구
21 : 카세트 아암 Y축 이동기구
22 : 카세트 아암 승강기구
23 : 카세트 아암 선회기구
24 : 반입 아암 이동기구
26 : 숫돌 지지장치
27 : 조연 숫돌 이동기구
28 : 조연 숫돌 승강기구
30 : 숫돌 지지장치
31 : 지지장치 승강기구
32 : 엣지 정연 숫돌 승강기구
33 : 엣지 정연 숫돌 이동기구
34 : 숫돌 지지장치
35 : 노치 정연 숫돌 이동기구
36 : 노치 정연 숫돌 승강기구
38 : 반출 아암 이동기구
40 : 가공부
41 : 가공 테이블
42 : 숫돌
43 : 숫돌
45 : 전방 설정부
47 : 세정부
X, Y : 수평방향1: wafer
1a: Edge
1b:
1n: Notch
2: machining table
3: (edge support) wheel
4: (Edge Jung Yeon) Whetstone
4a: (disc) wheel
5: (Notch support) Whetstone
6: (Notch Jung Yeon) Whetstone
7: (Alignment) sensor
8: (Thickness) sensor
9: (after machining) sensor
10: Cleaning device
10a-c: water nozzle
11: Drying apparatus
11a to c: Air nozzle
12: Cassette
13: Cassette
14: Cassette arm
14a:
15:
15a:
15b: adsorption chuck
15c: Direct drive motor
16:
16a:
16b:
16c: Direct drive motor
17: stage
18: machining table rotation mechanism
19: Machining table approaching and separating mechanism
20: Cassette arm X-axis moving mechanism
21: cassette arm Y axis moving mechanism
22: Cassette arm lift mechanism
23: Cassette arm turning mechanism
24: Transfer arm movement mechanism
26: Wheel holder
27: Support grinding wheel
28: Support grinding wheel elevator
30: Wheel holder
31: support device elevator
32: Edged square stone wheel lift
33: Edge Edge Stone Wheel
34: Wheel holding device
35: Notch square knurl moving device
36: Notch Jungyeon grinding wheel elevator
38: Exit arm moving mechanism
40:
41: machining table
42: Whetstone
43: Whetstone
45:
47: The three governments
X, Y: Horizontal direction
Claims (11)
상기 복수의 가공 테이블에 각각 얹어놓여진 웨이퍼의 테두리를 모따기하기 위한 복수 종류의 가공 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성을 갖는 복수의 숫돌과,
상기 복수 종류의 가공 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성을 가지는 복수의 숫돌을 각각 독립하여 상기 복수의 가공 테이블 사이에서 이동시키는 숫돌 이동수단을 갖고,
하나의 숫돌이 하나의 가공 테이블에 얹어놓여진 웨이퍼를 가공하고 있는 사이에 다른 하나의 숫돌이 다른 가공 테이블에 얹어놓여진 다른 웨이퍼를 가공하는 동시에, 각 숫돌이, 복수의 가공 테이블을 차례차례 이동하여 각 가공 테이블에 얹어놓인 웨이퍼를 차례차례 가공함으로써,
복수의 상기 웨이퍼를 상기 복수의 숫돌이 동시 병행해서 모따기하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.A plurality of processing tables for placing one wafer each,
A plurality of grindstones having different machining characteristics respectively corresponding to a plurality of types of machining steps for chamfering the rim of the wafer placed on the plurality of machining tables,
And a plurality of grindstone moving means for moving a plurality of grindstones having different machining characteristics respectively corresponding to the plurality of types of machining steps independently between the plurality of machining tables,
While one of the grinding wheels is machining a wafer placed on one machining table, another grinding wheel is machined on another wafer placed on another machining table. At the same time, the grinding wheels successively move the plurality of machining tables, By sequentially processing the wafers placed on the machining table,
And the plurality of grinders simultaneously chamfer the plurality of wafers in parallel.
상기 숫돌 이동수단이, 상기 가공 테이블에 얹어놓여진 상기 웨이퍼를 모따기할 때에, 상기 가공 테이블 사이의 이동 방향으로 상기 숫돌의 위치를 정밀 이동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method according to claim 1,
Wherein the grindstone moving means precisely moves the position of the grindstone in a moving direction between the processing tables when chamfering the wafer placed on the processing table.
상기 웨이퍼의 모따기 전에, 상기 웨이퍼를 얹어놓아야 할 가공 테이블의 상방에 유지한 위치에서 웨이퍼의 두께, 형상 또는 얹어놓는 위치를 검출하는 가공전 센서와,
상기 가공전 센서를 상기 복수의 가공 테이블 사이에서 이동시키는 가공전 센서 이동수단을 갖고,
상기 숫돌이 하나의 가공 테이블에 얹어놓인 웨이퍼를 가공하고 있는 사이에 동시 병행해서 상기 가공전 센서가 다른 가공 테이블의 상방에서 다른 웨이퍼의 두께, 형상 또는 얹어놓는 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method according to claim 1,
A pre-processing sensor for detecting a thickness, a shape, or a placement position of the wafer at a position held above the processing table to be placed on the wafer before chamfering the wafer;
And pre-machining sensor moving means for moving the machining sensor between the plurality of machining tables,
Characterized in that the pre-machining sensor detects the thickness, the shape or the position of another wafer from above the other machining table while the grindstone is machining the wafer placed on one machining table Chamfer device.
상기 웨이퍼의 모따기 후에 웨이퍼의 형상을 검출하기 위해서 각각 다른 측정 대상을 측정하는 1 이상의 가공후 센서와,
상기 가공후 센서를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 가공후 센서 이동수단을 갖고,
상기 가공후 센서가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼의 형상을 측정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method according to claim 1,
At least one post-processing sensor for measuring different measurement targets in order to detect the shape of the wafer after chamfering of the wafer,
And post-processing sensor moving means for moving the post-processing sensor between the processing tables,
Wherein the post-processing sensor measures the shape of the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or at a position placed on each processing table.
상기 웨이퍼의 모따기 후에 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정기구와,
세정후에 상기 웨이퍼를 건조시키는 웨이퍼 건조기구와,
상기 웨이퍼 세정기구 및 웨이퍼 건조기구를 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 후처리 기구 이동수단을 갖고,
상기 웨이퍼 세정기구 또는 웨이퍼 건조기구가, 상기 웨이퍼를 각 가공 테이블의 상방에 유지한 위치 또는 각 가공 테이블에 얹어놓인 위치에서 상기 웨이퍼를 세정 또는 건조하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method according to claim 1,
A wafer cleaning mechanism for cleaning the wafer after chamfering of the wafer,
A wafer drying mechanism for drying the wafer after cleaning,
And a post-processing mechanism moving means for moving the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism between the processing tables,
Wherein the wafer cleaning mechanism or the wafer drying mechanism cleans or dries the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or at a position placed on each processing table.
상기 웨이퍼를 상기 가공 테이블의 상방에 유지하고 상기 웨이퍼 세정기구에 의해 세정하는 동시에 상기 가공 테이블을 세정하고, 이어서 상기 웨이퍼 건조기구에 의해 웨이퍼를 건조시키는 동시에 상기 가공 테이블을 건조시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the wafer is held above the processing table and is cleaned by the wafer cleaning mechanism and the processing table is cleaned and then the wafer is dried by the wafer drying mechanism and the processing table is dried. Of the chamfer.
상기 가공전 센서를, 모따기 가공의 전후에 상기 웨이퍼를 격납하는 카세트와 상기 각 가공 테이블과의 사이에 상기 웨이퍼를 반송하는 아암에 마련한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method of claim 3,
Wherein the pre-machining sensor is provided on a cassette for storing the wafer before and after chamfering, and an arm for transferring the wafer between the chambers.
상기 가공후 센서를, 모따기 가공의 전후에 상기 웨이퍼를 격납하는 카세트와 상기 각 가공 테이블과의 사이에 상기 웨이퍼를 반송하는 아암에 마련한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.5. The method of claim 4,
Wherein said post-processing sensor is provided on a cassette for storing said wafer before and after chamfering, and an arm for transferring said wafer between said processing table and said chamfer.
상기 웨이퍼 세정기구 또는 상기 웨이퍼 건조기구를, 모따기 가공의 전후에 상기 웨이퍼를 격납하는 카세트와 상기 각 가공 테이블과의 사이에 상기 웨이퍼를 반송하는 아암에 마련한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the wafer cleaning mechanism or the wafer drying mechanism is provided on an arm that carries the wafer between the cassette for storing the wafer before and after chamfering and the processing table.
상기 복수의 가공 테이블이 직선 형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of machining tables are arranged in a straight line.
상기 숫돌 이동수단의 이동 방향에 대해 직교 방향으로 상기 가공 테이블을 이동시키는 가공 테이블 접근 이간 수단과,
상기 가공 테이블을 회전시키는 가공 테이블 회전수단을 마련한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 모따기 장치.
The method according to claim 1,
A machining table approaching / separating means for moving the machining table in a direction orthogonal to the moving direction of the grinding wheel moving means;
And a machining table rotating means for rotating the machining table is provided.
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