KR101597696B1 - 표시 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 기판 및 이의 제조 방법에서, 표시 기판은 베이스 기판에 형성되고 탄소 나노 튜브들이 일 방향으로 정렬된 편광 패턴을 포함하는 편광층과, 베이스 기판에 형성된 복수의 단위 화소들을 포함하는 화소층을 포함한다. 이에 따라, 탄소 나노 튜브를 이용하여 중대형 표시 기판에 편광 패턴을 형성함으로써, 중대형 표시 패널의 두께를 감소시키고 편광의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
탄소 나노 튜브, CNT, 편광, 친수성, 소수성, PLLCD, 발광체

Description

표시 기판 및 이의 제조 방법{DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정표시장치에 이용되는 표시 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 기존의 CRT (Cathode-ray tube) 방식의 표시장치에 비하여, 두께가 얇고, 무게가 가벼운 장점이 있어, 널리 사용되고 있다. 그러나, 상기 액정표시장치는 액정층을 광셔터로 사용하여 영상을 표시하기 때문에, 액정표시패널에 조사되는 직선편광을 필요로 한다.
상기 백라이트 어셈블리로부터 출사된 랜덤한 편광을 직선편광으로 변경시키기 위해, 상기 액정표시패널의 외측에는 편광판들이 배치된다. 상기 편광판은 상기 백라이트 어셈블리로부터 출사된 광의 상당량을 흡수하기 때문에, 상기 액정표시장치의 백라이트 어셈블리로부터 출사된 광의 이용 효율은 매우 낮은 값에 불과하므로 이를 개선하기 위한 연구가 계속되고 있다.
일반 편광판을 대체하는 편광 기술로서, 격자선(wire grid) 패턴을 이용하는 기술이 개발되고 있다. 이때, 상기 격자선 패턴에 의한 편광이 상기 일반 편광판 과 동등한 수준의 편광도를 갖기 위해서는 상기 격자선들의 선폭 및 피치는 수백 나노미터 사이즈를 갖도록 형성되어야한다.
그러나, 포토마스크(photo-mask) 또는 나노 임프린트(nano imprint) 방식을 사용하여 상기 격자선 패턴을 형성하는 경우, 그 패턴의 정밀도가 우수하지 못하고 상기 포토마스크 및 나노임프린트 장치가 매우 고가여서 생산성을 저하시키는 문제점이 있다. 특히, 소비자의 요구에 따른 대형 텔레비전, 모니터 등 중대형 액정표시장치의 두께를 줄이기 위해 일반 편광판을 대체하여 격자선 패턴을 이용하는 경우, 대면적에 미세하고 정밀한 격자선 패턴을 형성하는데 한계가 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 중대형 표시 패널의 두께를 감소시키고, 편광의 신뢰성을 향상시킨 표시 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 기판은 편광층 및 화소층을 포함한다.
상기 편광층은 베이스 기판에 형성되고, 탄소 나노 튜브들이 일 방향으로 정렬된 편광 패턴을 포함한다.
상기 화소층은 상기 베이스 기판에 형성된 복수의 단위 화소들을 포함한다.
일례에서, 상기 화소층은 상기 편광층 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 상기 화소층은 상기 편광층이 형성된 베이스 기판의 일 면의 반대면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 편광층은 상기 화소층이 형성된 베이스 기판 상에 형성될 수 있다.
상기 표시 기판은 상기 편광 패턴 상에 형성되고, 상기 편광 패턴이 형성된 베이스 기판의 전체를 커버하는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 편광층은 서로 인접한 편광 패턴들 사이에 형성된 자기 조립 단분자층(self assembled monolayer)을 포함할 수 있다.
상기 표시 기판은 상기 베이스 기판과 상기 편광층 사이에 형성된 컬러층을 더 포함할 수 있다. 상기 컬러층은 광에 의해 컬러를 나타내는 발광체를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법에서, 베이스 기판 상에 탄소 나노 튜브들을 블레이드(blade) 코팅하여 편광 패턴을 포함하는 편광층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상에 복수의 단위 화소들을 포함하는 화소층을 형성한다.
상기 편광층을 형성하는 단계에서, 상기 베이스 기판의 비편광 영역에 자기 조립 단분자층을 형성하고, 상기 베이스 기판의 편광 영역에 수분층을 형성하며, 상기 수분층 상에 상기 편광 패턴을 형성할 수 있다.
상기 편광 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 탄소 나노 튜브들을 블레이드 코팅하는 방향과 동일한 방향으로 상기 베이스 기판에 전기장 또는 자기장을 형성할 수 있다.
상기 탄소 나노 튜브들 각각은 표면이 친수 처리될 수 있다.
이와 같은 표시 기판 및 이의 제조 방법에 따르면, 탄소 나노 튜브를 이용하여 편광 패턴을 표시 기판에 형성함으로써 미세하고 정밀한 편광 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기 탄소 나노 튜브를 블레이드 코팅하여 상기 편광 패턴을 형성함으로써 중대형 표시 패널의 대면적의 표시 기판에 용이하게 상기 편광 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라, 중대형 표시 패널의 두께를 감소시키고 편광의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단 지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막) 또는 패턴들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막) 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막) 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널(500)은 제1 표시 기판(100), 상기 제1 표시 기판(100)과 대향하는 제2 표시 기판(200), 및 상기 제1 표시 기판(100)과 상기 제2 표시 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300, 도 2 참조)을 포함한다.
상기 제1 표시 기판(100)은 제1 화소층(120) 및 제1 편광층(140)을 포함한다. 상기 제1 표시 기판(100)에서, 상기 제1 화소층(120)은 제1 베이스 기판(110)의 일 면에 형성되고, 상기 제1 편광층(140)은 상기 일 면의 반대면에 형성될 수 있다. 다른 실시예로서, 상기 제1 편광층(140)은 상기 제1 화소층(120)과 같은 면에 형성될 수 있다.
상기 제1 베이스 기판(110)은 유리 기판일 수 있다.
상기 제1 편광층(140)은 제1 편광 패턴(140a) 및 제1 비편광 패턴(140b)을 포함한다.
상기 제1 편광 패턴(140a)은 상기 표시 패널(500)의 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 복수개가 병렬로 배치된다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 수직한 방향이다. 다른 실시예로서, 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 예각을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 편광 패턴(140a)은 스트라이프 타입으로 형성될 수 있다. 상기 제1 편광 패턴(140a)은 상기 제1 편광층(140)에 도달하는 광 중에서 일부를 반사 및/또는 흡수 할 수 있다. 상기 제1 편광 패턴(140a)은 복수개의 탄소 나노 튜브(Carbon nanotube)들을 포함한다.
상기 제1 비편광 패턴(140b)은 서로 인접한 상기 제1 편광 패턴(140a)들 사이에 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제2 방향(D2)으로 복수개가 병렬로 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 비편광 패턴(140b)은 스트라이프 타입으로 형성될 수 있다. 상기 제1 비편광 패턴(140b)은 상기 제1 편광층(140)에 도달하는 광 중에서 일부 광을 투과시킬 수 있다.
상기 제1 편광층(140)에 도달하는 광 중에서 일부는 상기 제1 편광 패턴(140a)에 의해서 흡수 및/반사되고, 나머지는 상기 제1 비편광 패턴(140b)으로 투과됨으로써, 상기 제1 편광층(140)이 상기 제1 편광층(140)에 도달하는 광을 편광시킬 수 있다.
상기 제2 표시 기판(200)은 제2 화소층(220) 및 제2 편광층(240)을 포함한다. 상기 제2 표시 기판(200)에서, 상기 제2 화소층(220)은 제2 베이스 기판(210)의 일 면에 형성되고, 상기 제2 편광층(240)은 상기 일 면의 반대면에 형성될 수 있다. 다른 실시예로서, 상기 제2 편광층(240)은 상기 제2 화소층(220)과 같은 면에 형성될 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(210)은 유리 기판일 수 있다.
상기 제2 편광층(240)은 제2 편광 패턴(240a) 및 제2 비편광 패턴(240b)을 포함한다. 상기 제2 편광 패턴(240a)과 상기 제1 편광 패턴(140a)은 서로 교차할 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 편광 패턴(240a)과 상기 제1 편광 패턴(140a)은 서 로 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제2 편광 패턴(240a)은 상기 표시 패널(500)의 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 복수개가 병렬로 배치된다. 예를 들어, 상기 제2 편광 패턴(240a)은 스트라이프 타입으로 형성될 수 있다. 상기 제2 편광 패턴(240a)은 복수개의 탄소 나노 튜브들을 포함한다.
상기 제2 비편광 패턴(240b)은 서로 인접한 상기 제2 편광 패턴(240a)들 사이에 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 복수개가 병렬로 배치된다. 예를 들어, 상기 제2 비편광 패턴(240b)은 스트라이프 타입으로 형성될 수 있다.
이하에서는, 도 2를 참조하여 도 1에 도시된 제1 표시 기판(100) 및 제2 표시 기판(200)에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 화소층(120)은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 상기 제1 표시 기판(100)은 상기 제1 편광층(140) 상에 형성된 제1 보호층(150)을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 화소층(120)의 상기 단위 화소들 각각은 신호 배선들(미도시)과 연결된 스위칭 소자(TFT) 및 화소 전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제1 화소층(120)은 게이트 절연층(122) 및 보호 절연층(125)을 더 포함할 수 있다. 상기 신호 배선들은 일 방향으로 연장된 게이트 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 스위칭 소자(TFT)는 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된다. 상기 스위칭 소자(TFT)는 상기 게이트 라인과 연결된 게이트 전극(121), 상기 데이터 라인과 연결된 소스 전극(124a), 상기 소스 전극(124a)과 이격된 드레인 전극(124b) 및 액티브 패턴(123)을 포함한다. 상기 액티브 패턴(123)은 상기 게이트 절연층(122) 상에 순차적으로 형성된 반도체층(123a) 및 오믹 콘택층(123b)을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(126)은 상기 스위칭 소자(TFT)와 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(126)은 상기 보호 절연층(125) 상에 형성되고, 상기 보호 절연층(125)의 상기 드레인 전극(124b)의 일단을 노출시키는 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(124b)과 콘택할 수 있다.
상기 제1 편광층(140)의 상기 제1 편광 패턴(140a)은 복수개의 탄소 나노 튜브(Carbon nanotube, CNT)를 포함한다.
상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 탄소(carbon)로 형성되고, 나노 사이즈(nano size)를 갖는 파이프형의 물질이다. 상기 탄소 나노 튜브(CNT)의 크기는 대략 수 나노미터 내지 대략 수십 나노미터일 수 있다. 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 도전성을 가질 수 있다. 또한, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 소수성을 가질 수 있다. 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 상기 제1 베이스 기판(110)으로의 광의 투과를 차단할 수 있다. 상기 제1 편광 패턴(140a)은 상기 탄소 나노 튜브(CNT)들이 일 방향으로 방향성을 갖고 일렬로 배열됨으로써 형성된다. 상기 일 방향은 예를 들어, 상기 제1 방향(D1)일 수 있다.
상기 제1 편광층(140)의 상기 제1 비편광 패턴(140b)은 자기 조립 단분자층(20)을 포함한다. 상기 자기 조립 단분자층(20)은 서로 인접한 상기 제1 편광 패턴(140a)들 사이에 형성되어 상기 제1 비편광 패턴(140b)을 정의한다.
상기 자기 조립 단분자층(20)은 상기 제1 베이스 기판(110)과 결합하는 기판 결합부 및 상기 기판 결합부와 연결된 소수성부를 포함한다. 상기 기판 결합부는 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면과 결합하고, 상기 소수성부는 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 향하도록 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 자기 조립 단분자층(20)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)의 영역이, 유리 기판인 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면의 친수성과 다르게, 소수성을 가질 수 있다.
상기 제1 보호층(150)은 상기 제1 편광층(140)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성되어, 상기 제1 베이스 기판(110)의 전체를 커버한다. 상기 제1 보호층(150)은 상기 제1 편광 패턴(140a)의 상기 탄소 나노 튜브(CNT)들이 상기 제1 베이스 기판(110) 상에서 이탈하는 것을 방지하고, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)들이 상기 제1 베이스 기판(110)에 견고하게 부착된 상태를 유지할 수 있게 한다. 상기 제1 보호층(150)은 예를 들어, 열가소성 수지로 형성될 수 있다.
상기 제2 화소층(220)은 복수개의 단위 화소들을 포함한다. 상기 제2 표시 기판(200)은 상기 제2 편광층(240) 상에 형성된 제2 보호층(250)을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 화소층(220)의 상기 단위 화소들 각각은 공통 전극(228)을 포함한 다. 상기 제2 화소층(220)은 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 상기 제2 화소층(220)은 서로 인접한 단위 화소들을 구획하는 차광 패턴(222), 컬러필터(224) 및 오버 코팅층(226)을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 편광층(240)은 상기 제2 편광 패턴(240a) 및 상기 제2 비편광 패턴(240b)을 포함한다.
상기 제2 편광 패턴(240a)은 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 것을 제외하고는 상기 제1 편광 패턴(140a)과 실질적으로 동일하고, 상기 제2 비편광 패턴(240b)은 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 것을 제외하고는 상기 제2 편광 패턴(240b)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는, 도 3a, 도 3b, 도 4a 내지 도 4d, 도 5 및 도 6을 참조하여 도 2에 도시된 제1 표시 기판(100)의 제조 방법을 설명하기로 한다. 이하에서, "블레이드 코팅"은 기판에 적하된 코팅 물질을 상기 기판의 전면에 분포되도록 블레이드를 이용하여 긁음으로써 상기 기판에 상기 코팅 물질을 코팅하는 것으로 정의한다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 자기 조립 단분자층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 제1 베이스 기판(110) 상에 포토레지스트층(10)을 형성한다. 상기 포토레지스트층(10)은 예를 들어, 노광된 영역이 현상액에 의해 제거되고, 비노광 영역이 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 잔류하는 포지티브형의 포토레지스트 조성물로 형성될 수 있다.
상기 포토레지스트층(10)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(10)의 상부에 차광부(1) 및 투광부(2)를 포함하는 마스크를 배치시킨다. 상기 마스크의 상부에서 상기 포토레지스트층(10)을 향해 광을 조사한다. 상기 차광부(1)는 상기 제1 베이스 기판(110)의 편광 영역(A1)에 대응하여 배치되고, 상기 투광부(2)는 상기 제1 베이스 기판(110)의 비편광 영역(A2)에 대응하여 배치된다.
도 3b를 참조하면, 노광된 상기 포토레지스트층(10)을 현상하여 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 포토 패턴(12)을 형성한다.
상기 편광 영역(A1) 상의 상기 포토레지스트층(10)은 현상액에 의해 제거되지 않고 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 잔류하여 상기 포토 패턴(12)을 형성한다. 상기 비편광 영역(A2) 상의 상기 포토레지스트층(10)은 상기 현상액에 의해 제거되어 상기 비편광 영역(A2)을 노출시키는 개구(14)를 형성한다. 상기 포토 패턴(12)은 상기 제1 베이스 기판(110)의 일 방향으로 길게 연장된 스트라이프형을 갖는다.
이어서, 상기 개구(14)를 통해 노출된 상기 비편광 영역(A2)에 자기 조립 단분자층(20)을 형성한다.
상기 자기 조립 단분자층(20)은 광을 투과시키는 투명한 물질로 형성될 수 있다. 상기 투명한 물질의 예로서는, 에톡시실란(ethoxysilane), 메톡시실란(methoxysilane) 등을 포함하는 기판 결합부 및 상기 기판 결합부와 연결된 탄소 체인을 포함하는 소수성부를 포함하는 실리콘 화합물을 들 수 있다.
상기 자기 조립 단분자층(20)은 상기 실리콘 화합물을 포함하는 용액에, 상 기 포토 패턴(12)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)을 담구면 상기 비편광 영역(A2)의 표면과 상기 실리콘 화합물이 결합하여, 상기 비편광 영역(A2)에 상기 자기 조립 단분자층(20)이 형성될 수 있다. 상기 자기 조립 단분자층(20)은 상기 포토 패턴(12) 상에도 형성될 수 있다.
상기와 같은 공정을 거쳐 상기 비편광 영역(A2)에 상기 자기 조립 단분자층(20)이 형성됨으로써, 상기 비편광 영역(A2)은 소수성을 가질 수 있다. 상기 자기 조립 단분자층(20)의 형성에 의해, 후속 공정에서 상기 비편광 영역(A2)에는 편광 패턴이 형성될 수 없으므로 상기 비편광 영역(A2)에는 상대적으로 비편광 패턴이 형성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 도 2에 도시된 편광 패턴을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도 및 사시도들이다.
도 4a는 수분층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이고, 도 4b는 도 4a의 사시도이다.
도 4a 및 도 3b를 참조하면, 상기 자기 조립 단분자층(20) 및 상기 포토 패턴(12)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)에서 스트립 용액을 이용하여 상기 포토 패턴(12)을 제거한다. 상기 포토 패턴(12)을 제거함으로써, 상기 포토 패턴(12) 상에 형성된 상기 자기 조립 단분자층(20)이 제거되고, 상기 비편광 영역(A2)에만 상기 자기 조립 단분자층(20)이 잔류하게 된다. 상기 포토 패턴(12)을 제거함으로써, 상기 편광 영역(A1)의 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면이 노출된다.
이어서, 상기 편광 영역(A1)에 수분층(30)을 형성한다. 상기 수분층(30)은 물(H2O)을 포함한다. 상기 수분층(30)을 형성하기 위해서, 예를 들어 순수(Deionized Water, M1, 도 4b 참조)를 이용할 수 있다.
한편, 상기 수분층(30)을 형성하기 전에, 상기 편광 영역(A1)의 표면을 산소 가스(O2)를 이용하여 표면 처리할 수 있다. 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면은 유리의 성질에 의해 친수성을 가지지만, 공기와 접촉 및/또는 이물 유입에 의한 상기 편광 영역(A1)의 오염을 세정하고, 상기 편광 영역(A1)의 친수성을 향상시키기 위해 상기 산소 가스를 이용하여 표면 처리하는 공정을 거칠 수 있다.
도 4b를 참조하여 구체적으로 설명하면, 상기 자기 조립 단분자층(20)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)의 일측에 순수(M1)를 적하시키고, 상기 순수(M1)를 제1 블레이드(B1)를 이용하여 블레이드 코팅한다. 상기 순수(M1)의 블레이드 코팅 방향은 편광 패턴이 형성되어야 하는 방향과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 블레이드 코팅 방향은 제1 방향(D1)일 수 있다. 상기 제1 블레이드(B1)가 지나간 영역에는 상기 수분층(30)이 형성된다.
상기 수분층(30)은 상기 제1 베이스 기판(110)의 친수성을 갖는 영역에만 형성된다. 상기 비편광 영역(A2)에는 상기 자기 조립 단분자층(20)이 형성됨으로써, 소수성을 갖는 영역이 되므로 상기 순수(M1)가 상기 제1 베이스 기판(110)의 전체에 블레이드 코팅되더라도 상기 비편광 영역(A2)에는 상기 수분층(30)이 형성되지 않는다. 이에 따라, 상기 편광 영역(A1)에만 선택적으로 상기 수분층(30)을 형성 할 수 있다.
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 상기 수분층(30)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 탄소 나노 튜브(CNT)를 배치시킴으로써 상기 편광 영역(A1)에 제1 편광 패턴(140a)을 형성한다.
상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 포함하는 탄소 나노 튜브 분산액(M2)이 상기 수분층(30)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 적하되고, 상기 탄소 나노 튜브 분산액(M2)은 제2 블레이드(B2)에 의해 블레이드 코팅되어 상기 수분층(30) 상에 배치될 수 있다. 상기 블레이드에 의해, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치된 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 상기 제1 방향(D1)으로 방향성을 가지도록 일렬로 배열될 수 있다.
상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 도전성을 갖는다. 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 형성하는 공정에서는 금속성의 탄소 나노 튜브(CNT) 및 반도체성의 탄소 나노 튜브가 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 이들 중에서, 금속성의 탄소 나노 튜브(CNT)는 전기 영동법, 밀도 구매 원심 분리법 등을 통해서 상기 반도체성의 탄소 나노 튜브와 분리될 수 있고, 상기 금속성의 탄소 나노 튜브(CNT)를 선택적으로 이용할 수 있다.
상기 탄소 나노 튜브 분산액(M2)은 예를 들어, 1,4-디클로로부탄(1,4-dichlorobutane)을 포함하는 용제(solvent)를 포함할 수 있다. 상기 용제는 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 용해시키지 않으면서 상기 탄소 나노 튜브(CNT)들 사이의 인력을 방해하여 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 상기 탄소 나노 튜브 분산액(M2)에서 분산시킬 수 있다.
상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 탄소로 형성된 물질이므로, 그 자체는 소수성을 갖는다. 따라서, 상기 수분층(30) 상에 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 배치시키기 위해, 본 발명에 따른 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 그 표면이 친수 처리되어야 한다.
상기 친수 처리는 예를 들어, 1 vol %의 1-클로로이텔트리콜로실란(1-chloroethyltrichlorosilane)을 포함하고, 헥사데칸(hexadecan) 및 클로로포름(chloroform)이 약 4:1의 비율로 혼합된 용액에 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 가할 수 있다. 상기 상태로 약 3 시간동안 방치한 후, 건조한 질소 대기 상태에서 클로로 포름을 이용하여 린스함으로써 상기 탄소 나노 튜브(CNT)의 표면을 친수 처리할 수 있다.
이에 따라, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)가 블레이드 코팅될 때, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 상기 수분층(30)이 형성된 영역, 즉 상기 편광 영역(A1)에만 선택적으로 배열될 수 있다. 상기 탄소 나노 튜브 분산액(M2)이 상기 제2 블레이드(B2)에 의해 상기 제1 방향(D1)으로 블레이드 코팅될 때, 상기 제2 블레이드(B2)가 지나간 영역에는 상기 탄소 나노 튜브(CNT)들이 배열될 수 있다. 상기 블레이드 코팅에 의해 상기 탄소 나노 튜브(CNT)가 상기 수분층(30) 상에 두껍게 쌓이지 않고, 한 층으로 쌓일 수 있다.
블레이드 코팅 없이 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 일 방향으로 정렬시켜 편광 패턴을 형성하는 경우에는, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)가 상기 수분층(30) 상에 적 어도 2층 이상이 불균일하게 적층될 수 있다. 불균일한 상기 탄소 나노 튜브(CNT)의 적층은 편광 패턴의 밀도를 불균일하게 하므로, 편광 특성을 저하시킬 수 있다.
상기 제2 블레이드(B2)는 상기 수분층(30)을 밀어내면서 상기 제1 방향(D1)으로 이동할 수 있다. 실질적으로, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 상기 제2 블레이드(B2)가 상기 수분층(30)을 밀어낸 영역에 형성될 수 있다.
한편, 상기 제2 블레이드(B2)를 이용하여 상기 탄소 나노 튜브 분산액(M2)을 블레이드 코팅하는 공정에서는, 상기 제1 베이스 기판(110)에 상기 제1 방향(D1)으로 형성된 전기장(electro field) 및/또는 자기장(magnetic field)을 걸어줄 수 있다. 즉, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 도전성을 가지므로, 상기 전기장 및/또는 자기장에 의해 상기 탄소 나노 튜브(CNT)는 상기 전기장 및/또는 자기장의 방향과 동일한 방향으로 방향성을 가질 수 있다.
이와 같이, 상기 전기장 및/또는 자기장을 걸어준 상태에서 상기 제2 블레이드(B2)를 이용하여 상기 제1 편광 패턴(140a)을 형성함으로써, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 단층으로 적층시킬 수 있고, 상기 제1 방향(D1)으로 용이하게 배열시킬 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 보호층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 제1 편광 패턴(140a)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 제1 보호층(150)을 형성한다.
상기 제1 보호층(150)은 상기 제1 편광 패턴(140a)이 형성된 상기 제1 베이 스 기판(110)의 전면을 커버하도록 형성한다. 상기 제1 보호층(150)은 상기 제1 편광 패턴(140a)이 상기 편광 영역(A1)에서 이탈하는 것을 방지하고, 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 평탄화시킬 수 있다.
일례로, 상기 제1 보호층(150)은 상기 제1 편광 패턴(140a)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 열가소성 수지를 적하시키고, 상기 열가소성 수지를 스핀 코팅 및/또는 슬릿 코팅하여 상기 제1 베이스 기판(110)의 전면에 균일하게 형성할 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 화소층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 편광층(140) 및 상기 제1 보호층(150)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)의 일면의 반대면에 게이트 금속층(미도시)을 형성한다. 상기 게이트 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써, 상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(121)을 포함하는 게이트 패턴을 형성할 수 있다.
상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(122)을 형성하고, 상기 게이트 절연층(122) 상에 상기 액티브 패턴(123)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(122)을 형성하는 물질의 예로서는, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등을 들 수 있다. 상기 액티브 패턴(123)의 상기 반도체층(123a)은 예를 들어, 비정질 실리콘(a-Si)으로 형성될 수 있고, 상기 오믹 콘택층(123b)은 예를 들어, n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘(n+ a-Si)으로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 액티브 패턴(123)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 데이터 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 데이터 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써, 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극(124a) 및 상기 드레인 전극(124b)을 포함하는 데이터 패턴을 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 보호 절연층(125)을 형성하고, 상기 드레인 전극(124b)의 일단부 상의 상기 보호 절연층(125)를 제거하여 상기 콘택홀을 형성한다. 상기 보호 절연층(125)을 형성하는 물질의 예로서는, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등을 들 수 있다.
이어서, 상기 콘택홀을 포함하는 상기 보호 절연층(125) 상에 투명 도전층(미도시)을 형성하고, 상기 투명 도전층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 상기 화소 전극(126)을 형성할 수 있다. 상기 투명 도전층을 형성하는 물질의 예로서는, 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO) 등을 들 수 있다.
상기에서 설명한 바에 따르면, 상기 제1 편광층(140)을 상기 제1 베이스 기판(110)에 직접 형성함으로써, 상기 표시 패널(500)의 두께를 감소시킬 수 있다. 또한, 탄소 나노 튜브(CNT)를 이용하여 상기 제1 편광 패턴(140a)을 형성함으로써 미세하고 정밀한 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기 탄소 나노 튜브(CNT)를 블레이드 코팅함으로써, 중대형 표시 패널의 대면적의 상기 제1 표시 기판(100)에 용이하게 상기 제1 편광층(140)을 형성할 수 있다.
이하에서는, 도 2를 참조하여 도 1에 도시된 제2 표시 기판을 제조하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
상기 제2 표시 기판(200)을 제조하는 방법에서, 제2 편광층을 형성하는 단계 및 제2 보호층을 형성하는 단계는 도 3a, 도 3b, 도 4a 내지 도 4d 및 도 5에 따른 제1 편광층을 형성하는 단계 및 제1 보호층을 형성하는 단계와 실질적으로 동일하므로 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기 제2 표시 기판(200)을 제조하는 방법에서, 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 제2 편광층(220) 및 상기 제2 보호층(250)을 형성한다.
상기 제2 베이스 기판(210)의 상기 제2 편광층(220) 및 상기 제2 보호층(250)이 형성된 일면의 반대면에 상기 제2 화소층(220)을 형성한다.
상기 제2 화소층(220)을 형성하는 단계에서, 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 차광 패턴(222)을 형성한다. 상기 차광 패턴(222)은 예를 들어, 크롬을 스퍼터링(sputtering)하여 형성할 수 있다.
상기 차광 패턴(222)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 컬러 필터(224)를 형성한다. 상기 컬러 필터(224)는 예를 들어, 컬러 포토레지스트층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다.
이와 달리, 상기 컬러 필터(224)는 광에 의해서 컬러를 나타내는 발광체를 이용하여 형성할 수 있다. 상기 발광체는 상기 표시 패널(500)의 하부에서 제공되는 하부광을 제공받아, 상기 하부광을 흡수하고 이에 따른 에너지를 방출하면서 상기 에너지의 차이에 따라 컬러를 나타낼 수 있다. 일례로, 상기 발광체는 블루 컬러를 나타내는 BaMgAl10O17:Eu, 그린 컬러를 나타내는 ZnS, 레드 컬러를 나타내는 ZnCdS:AgCl 등을 포함할 수 있다. 상기 하부광은 자외선 발광 다이오드가 방출하는 광일 수 있다.
상기 차광 패턴(222) 및 상기 컬러 필터(224)가 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 오버 코팅층(226)을 형성할 수 있다. 상기 오버 코팅층(226)은 예를 들어, 아크릴 수지로 형성될 수 있다.
상기 오버 코팅층(226)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 공통 전극(228)을 형성한다. 상기 공통 전극(228)을 형성하는 물질의 예로서는, ITO, IZO 등을 들 수 있다.
도 1 내지 도 5에서는, 상기 제1 편광층(140)이 상기 제1 베이스 기판(110)에서 상기 제1 화소층(120)이 형성된 일면의 반대면에 형성된 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 상기 제1 화소층(120)이 상기 제1 편광층(140) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 편광층(140)이 상기 제1 화소층(120) 상에 형성될 수 있다. 이때에는, 상기 제1 화소층(120) 상에 상기 제1 표시 기판(100)을 평탄화시키기 위한 평탄화층(미도시)이 더 형성되고, 상기 제1 편광층(140)은 상기 평탄화층 상에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 화소층(220)은 상기 제2 편광층(240) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 편광층(240)이 상기 제2 화소층(220) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제2 화소층(220) 상에는 평탄화층이 더 형성되고, 상기 제2 편광층(240)은 상기 평탄화층 상에 형성될 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 제1 표시 기판의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이 다.
도 7에 도시된 표시 기판은, 제3 편광 패턴(140c) 및 제3 비편광 패턴(140d)을 제외하고는 도 1 및 도 2에 도시된 제1 표시 기판(100)과 실질적으로 동일하므로 동일한 부재는 동일한 명칭으로 지칭하고, 동일한 참조 부호로 설명하며, 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 편광 패턴의 다른 예로서, 제1 편광층(140)은 제3 편광 패턴(140c) 및 제3 비편광 패턴(140d)을 포함한다.
상기 제3 편광 패턴(140c)은 각 단위 화소의 사이즈와 대응하도록 형성되어, 상기 단위 화소에 각각 배치될 수 있다. 어느 하나의 상기 제3 편광 패턴(140c)을 기준으로, 하나의 상기 제3 편광 패턴(140c)의 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 복수개가 병렬로 배열될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 방향(D2)으로 상기 제3 편광 패턴(140c)이 일렬로 배열됨으로써 하나의 스트라이프 타입의 편광 패턴을 정의할 수 있다.
상기 제3 비편광 패턴(140d)은 상기 제3 편광 패턴(140c)의 외주를 감싸도록, 상기 제3 편광 패턴(140c)이 형성된 영역을 제외한 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성할 수 있다.
이에 따르면, 상기 제1 베이스 기판(110)의 영역들 중에서 상기 단위 화소에 대응하여 실제로 액정의 거동에 영향을 주는 부분에만 상기 제3 편광 패턴(140c)을 형성할 수 있어, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제3 편광 패턴(140c)을 형성하는데 필요한 탄소 나노 튜브의 양을 최소화시킬 수 있다. 이에 따라, 편광 패 턴 제조의 원가를 절감할 수 있어 표시 패널 제조의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 8은 도 7에 도시된 편광 패턴을 형성하기 위한 포토 패턴의 사시도이다.
도 8을 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 포토 패턴(16)을 형성한다. 상기 포토 패턴(16)은 상기 제1 베이스 기판(110)의 편광 영역을 커버하고, 비편광 영역을 개구(18)를 통해 노출시킨다. 상기 편광 영역은 스위칭 소자 및 화소 전극을 포함하는 상기 단위 화소와 대응하는 영역으로 정의한다.
상기 포토 패턴(16)을 형성한 후의 후속 공정들은, 형성되는 영역을 제외하고는, 도 3a, 도 3b, 도 4a 내지 도 4d, 도 5 및 도 6에 따른 자기 조립 단분자층, 수분층, 제1 편광 패턴 및 제1 보호층을 형성하는 단계과 실질적으로 동일하므로 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
한편, 도 7 및 도 8에서는, 제1 표시 기판을 일례로 들어 설명하였으나, 상기 제1 표시 기판과 대향하는 제2 표시 기판의 제2 편광층도 단위 화소와 대응하는 제2 편광 패턴을 포함할 수 있고, 도 8에 도시된 포토 패턴(16)을 이용하여 상기 제2 편광 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 도 7에 도시된 형태의 제2 편광 패턴을 포함하는 제2 표시 기판에 대한 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
실시예 2
도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 9에서, 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널(502)은 컬러필터(226)가 생략되고 상기 컬러필터(226)와 대응하는 컬러층(CL)이 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된 것과, 상기 제1 베이스 기판(110), 상기 컬러층(CL), 제1 편광층(140) 및 제1 화소층(120)의 적층 관계와, 제2 베이스 기판(210), 제2 편광층(240) 및 제2 화소층(220)의 적층 관계를 제외하고는 도 2에 도시된 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널(500)과 동일하므로, 동일한 부재에 대해서는 동일한 명칭으로 지칭하고 동일한 참조 번호를 부여하여 설명하며, 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널(502)은 제1 표시 기판(100), 제2 표시 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된 컬러층(CL), 제1 편광층(140), 제1 보호층(150) 및 제1 화소층(120)을 포함한다.
상기 컬러층(CL)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에, 상기 제1 베이스 기판(110)의 일 면과 접촉하여 형성될 수 있다. 상기 컬러층(CL)은 광을 흡수하여 컬러를 나타내는 발광체를 포함할 수 있다. 상기 발광체는 편광된 광을 제공받더라도, 비편광된 컬러광을 발하므로, 상기 컬러층(CL)이 상기 발광체를 포함하는 경우에는 상기 컬러층(CL)은 반드시 상기 제1 편광층(140)의 하부에 형성되어야 한다. 상기 발광체는 BaMgAl10O17:Eu, ZnS, ZnCdS:AgCl 등을 포함할 수 있다.
이와 달리, 상기 컬러층(CL)은 컬러 포토레지스트층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 컬러층(CL)은 상기 제1 베이스 기판(110)의 상기 일면 또는 상기 일면의 반대면에 형성될 수 있고, 상기 제1 편광층(140) 상에 형성될 수 있다.
상기 제1 편광층(140)은 상기 컬러층(CL) 상에 형성되고, 상기 제1 화소층(120)은 상기 제1 편광층(140) 상에 형성된다. 즉, 본 발명의 실시예 2에 따른 상기 제1 표시 기판(100)에서는 상기 제1 편광층(140)은 상기 제1 화소층(120)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)의 일면과 동일한 방향에 형성될 수 있다.
상기 제2 표시 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 제2 편광층(240), 상기 제2 편광층(240) 상에 형성된 제2 보호층(250) 및 상기 제2 보호층(250) 상에 형성된 제2 화소층(220)을 포함한다.
상기 제2 화소층(220)은, 상기 컬러층(CL)이 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성됨으로써 컬러필터가 생략되어 차광 패턴(222), 오버 코팅층(226) 및 공통 전극(228)을 포함할 수 있다.
도 9에서는, 상기 제1 편광층(140)과 상기 제2 편광층(240) 각각의 편광 패턴이 서로 평행하게 배열된 경우를 도시하였으나, 상기 제1 편광층(140)과 상기 제2 편광층(240) 각각의 편광 패턴은 서로 수직하거나, 일정한 각을 형성하도록 배열될 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 컬러층 및 자기 조립 단분자층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 컬러층(CL)을 형성한다.
상기 컬러층(CL)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 컬러 포토레지스트층(미도시)을 형성하고, 상기 컬러 포토레지스트층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러층(CL)은 광에 의해 컬러를 나타내는 발광체를 포함하는 용액을 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
이어서, 상기 컬러층(CL)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 포토레지스트층(미도시)을 형성하고, 상기 포토레지스트층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 포토 패턴(12)을 형성한다.
상기 포토 패턴(12)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110)을 실리콘 화합물을 포함하는 용액에 담구어, 비편광 영역(A2)에 자기 조립 단분자층(20)을 형성할 수 있다.
상기 자기 조립 단분자층(20)을 형성한 후에 후속 공정들은, 도 4a 내지 도 4d, 도 5 및 도 6에 따른 수분층, 제1 편광 패턴 및 제1 보호층을 형성하는 단계와 실질적으로 동일하므로 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 탄소 나노 튜브를 이용하여 편광 패턴을 표시 기판에 형성함으로써 미세하고 정밀한 편광 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기 탄소 나노 튜브를 블레이드 코팅하여 상기 편광 패턴을 형성함으로써 중대형 표시 패널의 대면적의 표시 기판에 용이하게 상기 편광 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 중대형 표시 패널의 대면적의 표시 기판에 탄소 나노 튜브를 이용하여 편광 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라, 중대형 표시 패널의 두께를 감소시키고 편광의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 자기 조립 단분자층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4d는 도 2에 도시된 편광 패턴을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도 및 사시도들이다.
도 5는 도 2에 도시된 보호층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 화소층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 제1 표시 기판의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 편광 패턴을 형성하기 위한 포토 패턴의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 컬러층 및 자기 조립 단분자층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
500, 502: 표시 패널 100, 200: 제1, 제2 표시 기판
110, 210: 제1, 제2 베이스 기판 120, 220: 제1, 제2 화소층
140, 240: 제1, 제2 편광층 140a, 240a: 제1, 제2 편광 패턴
140b, 240b: 제1, 제2 비편광 패턴 20: 자기 조립 단분자층
CNT: 탄소 나노 튜브 12, 16: 포토 패턴
A1: 편광 영역 A2: 비편광 영역
30: 수분층 B1, B2: 제1, 제2 블레이드
M1: 순수 M2: 탄소 나노 튜브 분산액
150: 보호층 143: 제3 편광층
140c: 제3 편광 패턴 140d: 제3 비편광 패턴
CL: 컬러층

Claims (20)

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  9. 베이스 기판에 탄소 나노 튜브들을 블레이드(blade) 코팅하여 편광 패턴을 포함하는 편광층을 형성하는 단계; 및
    상기 베이스 기판에 복수의 단위 화소들을 포함하는 화소층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 편광층을 형성하는 단계는,
    상기 베이스 기판의 비편광 영역에 자기 조립 단분자층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판의 편광 영역에 수분층을 형성하는 단계;
    상기 수분층 상에 상기 편광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 자기 조립 단분자층을 형성하는 단계는,
    상기 베이스 기판 상에 상기 비편광 영역을 노출시키고 상기 편광 영역을 커버하는 포토 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토 패턴 및 상기 자기 조립 단분자층이 형성된 베이스 기판에서, 상기 포토 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 화소층을 형성하는 단계는
    상기 편광층이 형성된 베이스 기판의 일 면의 반대면에 상기 화소층을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 화소층은
    상기 편광층이 형성된 베이스 기판의 상기 편광층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제9항에 있어서, 상기 수분층을 형성하는 단계는
    상기 베이스 기판 상에 물(H2O)을 블레이드 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 수분층을 형성하는 단계 이전에, 상기 편광 영역의 표면을 산소 가스를 이용하여 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브들 각각은 표면이 친수 처리된 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  19. 제9항에 있어서, 상기 블레이드 코팅하는 단계는
    상기 탄소 나노 튜브들을 블레이드 코팅하는 방향과 동일한 방향으로 전기장 또는 자기장을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  20. 제9항에 있어서, 상기 편광 패턴이 형성된 베이스 기판의 전면을 커버하는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
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