KR101596967B1

KR101596967B1 - Organic Light Emitting Display Device

Info

Publication number: KR101596967B1
Application number: KR1020090104360A
Authority: KR
Inventors: 유충근; 김민기
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-10-30
Filing date: 2009-10-30
Publication date: 2016-02-23
Also published as: KR20110047647A

Abstract

본 발명은, 기판 상에 위치하는 트랜지스터; 트랜지스터의 소오스전극 또는 드레인전극에 연결되며 적어도 3개의 층으로 구성되고 적어도 하나가 다른 재료로 이루어진 캐소드전극; 캐소드전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 애노드전극을 포함하며, 캐소드전극에 포함된 적어도 3개의 층 중 적어도 하나는 두께가 다른 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention provides a transistor comprising: a transistor located on a substrate; A cathode electrode connected to a source electrode or a drain electrode of the transistor, the cathode electrode being composed of at least three layers and at least one of which is made of another material; An organic light emitting layer disposed on the cathode electrode; And an anode electrode disposed on the organic light emitting layer, wherein at least one of the at least three layers included in the cathode electrode has a different thickness.

유기전계발광표시장치, 반사, 콘트라스트 Organic electroluminescence display device, reflection, contrast

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device,

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.An organic electroluminescent device used in an organic electroluminescent display device is a self-luminous device in which a light emitting layer is formed between two electrodes. The organic electroluminescent device injects electrons and holes from the electron injecting electrode and the hole injecting electrode into the light emitting layer, and excites the excited electrons and holes, And emits light when it is dropped to the ground state.

유기전계발광소자를 이용한 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 등이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어진다.The organic light emitting display device using the organic electroluminescent device has a top emission mode, a bottom emission mode, and a dual emission mode depending on a direction in which light is emitted, Passive matrix type and active matrix type according to the following.

유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다. 서브 픽셀에는 기판 상에 위치하는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드가 포함된다. 유기 발광다이오드의 경우 트랜지스터 상에 애노드, 유기 발광층 및 캐소드가 형성된 노말(Normal) 형과 트랜지스터 상에 캐소드, 유기 발광층 및 애노드가 형성된 인버티드(Inverted) 형이 있다. 유기 발광다이오드가 인버티드 형인 종래 유기전계발광표시장치는 콘트라스트(Contrast)를 향상시키기 위한 구조적 개선이 요구된다.In the organic light emitting display, when a scan signal, a data signal, a power supply, and the like are supplied to a plurality of subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixel emits light, thereby displaying an image. The subpixel includes a transistor located on the substrate and an organic light emitting diode located on the transistor. In the case of an organic light emitting diode, there is a normal type in which an anode, an organic light emitting layer and a cathode are formed on a transistor, and an inverted type in which a cathode, an organic light emitting layer and an anode are formed on a transistor. Conventional organic light emitting display devices in which an organic light emitting diode is an inverted type require a structural improvement to improve contrast.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 콘트라스트(Contrast)를 향상시키고 전자의 주입능력을 증가시켜 우수한 표시품질을 나타낼 수 있는 인버티드형 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention for solving the problems of the background art described above is to provide an inverted organic electroluminescent display device capable of improving contrast and increasing electron injecting ability to exhibit excellent display quality.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판 상에 위치하는 트랜지스터; 트랜지스터의 소오스전극 또는 드레인전극에 연결되며 적어도 3개의 층으로 구성되고 적어도 하나가 다른 재료로 이루어진 캐소드전극; 캐소드전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 애노드전극을 포함하며, 캐소드전극에 포함된 적어도 3개의 층 중 적어도 하나는 두께가 다르고, 캐소드전극을 구성하는 전극층의 반사율은, 제1캐소드전극층 > 제2캐소드전극층 < 제3캐소드전극층 순인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a transistor located on a substrate; A cathode electrode connected to a source electrode or a drain electrode of the transistor, the cathode electrode being composed of at least three layers and at least one of which is made of another material; An organic light emitting layer disposed on the cathode electrode; And at least one of the at least three layers included in the cathode electrode has a different thickness and the reflectance of the electrode layer constituting the cathode electrode is different from that of the first cathode electrode layer to the second cathode electrode layer, And a third cathode electrode layer.

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캐소드전극을 구성하는 전극층의 두께는, 제1캐소드전극층 > 제2캐소드전극층 > 제3캐소드전극층 순일 수 있다.The thickness of the electrode layer constituting the cathode electrode may be in the order of the first cathode electrode layer> the second cathode electrode layer> the third cathode electrode layer.

캐소드전극은, 소오스전극 또는 드레인전극에 연결되며 합금으로 이루어진 제1캐소드전극층과, 제1캐소드전극층 상에 위치하는 제2캐소드전극층과, 제2캐소드전극층 상에 위치하는 제3캐소드전극층을 포함하며, 제2캐소드전극층의 반사율은 제3캐소드전극층의 반사율보다 낮을 수 있다.The cathode electrode includes a first cathode electrode layer connected to a source electrode or a drain electrode and made of an alloy, a second cathode electrode layer positioned on the first cathode electrode layer, and a third cathode electrode layer positioned on the second cathode electrode layer , And the reflectance of the second cathode electrode layer may be lower than that of the third cathode electrode layer.

캐소드전극은, 소오스전극 또는 드레인전극에 연결되며 합금으로 이루어진 제1캐소드전극층과, 제1캐소드전극층 상에 위치하며 산화금속 또는 질화금속으로 이루어진 제2캐소드전극층과, 제2캐소드전극층 상에 위치하는 제3캐소드전극층을 포함하며, 제2캐소드전극층의 반사율은 제3캐소드전극층의 반사율보다 낮을 수 있다.The cathode electrode includes a first cathode electrode layer connected to a source electrode or a drain electrode and made of an alloy, a second cathode electrode layer positioned on the first cathode electrode layer and made of a metal oxide or a nitride metal, and a second cathode electrode layer disposed on the second cathode electrode layer And the reflectance of the second cathode electrode layer may be lower than that of the third cathode electrode layer.

제2캐소드전극층은, 산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second cathode electrode layer may be formed of any one of silicon oxide (SiO 2), chromium oxide (CrOx), copper oxide (CuOx), copper nitride (CuNx), molybdenum (Mo), and chromium (Cr).

제2캐소드전극층의 두께는, 10Å ~ 500Å일 수 있다.The thickness of the second cathode electrode layer may be 10 Å to 500 Å.

제1캐소드전극층은, 산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The first cathode electrode layer may be formed of any one of silicon oxide (SiO 2), chromium oxide (CrOx), copper oxide (CuOx), copper nitride (CuNx), molybdenum (Mo), and chromium (Cr).

제3캐소드전극층의 두께는, 10Å ~ 500Å일 수 있다.The thickness of the third cathode electrode layer may be between 10 Å and 500 Å.

본 발명은, 캐소드전극을 적어도 3개의 층으로 구성되고 적어도 하나가 다른 재료로 구성하여 콘트라스트를 향상시키고 전자의 주입능력을 증가시켜 우수한 표 시품질을 나타낼 수 있는 인버티드형 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 콘트라스트 향상에 따른 편광판의 제거로 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to an inverted organic light emitting display device in which a cathode electrode is formed of at least three layers and at least one of which is made of another material to improve contrast and increase electron injection capability to exhibit excellent display quality There is an effect to provide. Further, the present invention has the effect of reducing the cost by removing the polarizing plate in accordance with the improvement of the contrast.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로구성 예시도 이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of the subpixel shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀(SP)을 포함하는 패널(PNL), 서브 픽셀(SP)의 스캔배선(SL1..SLm)에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부(SDRV) 및 서브 픽셀(SP)의 데이터배선(DL1..DLn)에 데이터신호를 공급하는 데이터구동부(DDRV)를 포함한다.1 and 2, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a panel (PNL) including sub pixels (SP) arranged in a matrix form, a scan line And a data driver DDRV for supplying a data signal to the data lines DL1... DLn of the sub-pixels SP and the scan driver SDRV for supplying the scan signals to the scan lines SL1, ..., SLm.

서브 픽셀(SP)은 스위칭 트랜지스터(S1), 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(D)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 트랜지스터 또는 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다.The subpixel SP may comprise a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor S1, a driving transistor T1, a capacitor Cst and an organic light emitting diode D, Or the like.

2T1C 구조의 경우, 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자들은 다음과 같이 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(S1)는 스캔신호가 공급되는 스캔배선(SL1)에 게이트가 연결되고 데이터신호가 공급되는 데이터배선(DL1)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)는 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 저 전위의 전원이 공급되는 제2전원 배선(VSS)에 연결된 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 커패시터(Cst)는 제1노드(A)에 일단이 연결되고 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 유기 발광다이오드(D)는 고 전위의 전원이 공급되는 제1전원 배선(VDD)에 애노드전극이 연결되고 제2노드(B) 및 구동 트랜지스터(T1)의 일단에 캐소드전극이 연결된다.In the case of the 2T1C structure, the elements included in the subpixel SP can be connected as follows. In the switching transistor S1, a gate is connected to a scan line SL1 to which a scan signal is supplied, one end is connected to the data line DL1 to which a data signal is supplied, and the other end is connected to the first node A. [ The driving transistor Tl is connected to a third node C connected to the second power supply line VSS to which a gate is connected to the first node A and is connected at one end to the second node B, The other end is connected. The capacitor Cst has one end connected to the first node A and the other end connected to the third node C. [ In the organic light emitting diode D, an anode electrode is connected to a first power supply line VDD to which a high potential power is supplied, and a cathode electrode is connected to one end of the second node B and the driving transistor Tl.

위의 설명에서는 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터들(S1, T1)이 N-Type으로 구성된 것을 일례로 설명하였으나 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 그리고 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급되는 고 전위의 전원은 제2전원 배선(VSS)을 통해 공급되는 저 전위의 전원보다 높을 수 있으며, 제1전원 배선(VDD) 및 제2전원 배선(VSS)을 통해 공급되는 전원의 레벨은 구동방법에 따라 스위칭이 가능하다.In the above description, the transistors S1 and T1 included in the sub-pixel SP are N-type transistors. However, the present invention is not limited thereto. The power supply having a high potential supplied through the first power supply line VDD may be higher than the power supply having a low potential supplied through the second power supply line VSS and the first power supply line VDD and the second power supply line VSS) can be switched according to the driving method.

앞서 설명한 서브 픽셀(SP)은 다음과 같이 동작할 수 있다. 스캔배선(SL1)을 통해 스캔신호가 공급되면 스위칭 트랜지스터(S1)가 턴온된다. 다음, 데이터배선(DL1)을 통해 공급된 데이터신호가 턴온된 스위칭 트랜지스터(S1)를 거쳐 제1노드(A)에 공급되면 데이터신호는 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장된다. 다음, 스캔신호가 차단되고 스위칭 트랜지스터(S1)가 턴오프되면 구동 트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동된다. 다음, 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급된 고 전위의 전원이 제2전원 배선(VSS)을 통해 흐르게 되면 유기 발광다이오드(D)는 빛을 발광하게 된다. 그러나 이는 구동방법의 일례에 따른 것일 뿐, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.The above-described subpixel SP can operate as follows. When the scan signal is supplied through the scan line SL1, the switching transistor S1 is turned on. Next, when the data signal supplied through the data line DL1 is supplied to the first node A through the turned-on switching transistor S1, the data signal is stored as a data voltage in the capacitor Cst. Next, when the scan signal is interrupted and the switching transistor S1 is turned off, the driving transistor T1 is driven in response to the data voltage stored in the capacitor Cst. Next, when a high-potential power supplied through the first power supply line VDD flows through the second power supply line VSS, the organic light emitting diode D emits light. However, this is only an example of the driving method, and the embodiment of the present invention is not limited thereto.

이하, 본 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 A1-A2 영역의 단면도이다.FIG. 3 is a plan view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the region A1-A2 shown in FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 매트릭스형태로 형성된 서브 픽셀들(SP)에 의해 표시영역(AA)이 정의된 기판(110)과 기판(110) 상에 형성된 서브 픽셀들(SP)을 수분이나 산소로부터 보호하기 위한 밀봉기판(140)을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광다이오드를 포함하는 2T(Transistor) 1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 트랜지스터 및 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다.3 and 4, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110 having a display area AA defined by sub-pixels SP formed in a matrix, 110 for protecting the sub-pixels SP from moisture or oxygen. The subpixels SP may be formed of a 2T (Capacitor) structure including a switching transistor, a driving transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode, or may have a structure in which a transistor and a capacitor are further added.

기판(110)과 밀봉기판(140)은 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 비표시영역(NA)에 형성된 접착부재(180)에 의해 합착 밀봉된다. 기판(110)은 플라스틱, 유리, SUS(Steel Use Stainless) 등이 사용될 수 있다. 그리고 밀봉기판(140)은 유기, 무기 또는 유무기복합물질로 구성된 멀티보호막에 의해 밀봉될 수도 있다. 한편, 도시된 유기전계발광표시장치는 외부로부터 각종 신호나 전원을 공급받도록 기판(110)의 외곽에 패드부(170)가 마련되고, 하나의 칩으로 구성된 구동장치(160)에 의해 기판(110) 상에 형성된 소자들이 구동되는 것을 일례로 한 것이다. 구동장치(160)는 데이터구동부와 스캔구동부를 포함하는 구조로 도시하였으나, 스캔구동 부의 경우 비표시영역(NA)에 구분되어 형성될 수도 있다.The substrate 110 and the sealing substrate 140 are integrally sealed by an adhesive member 180 formed in a non-display area NA located outside the display area AA. The substrate 110 may be made of plastic, glass, steel use stainless steel (SUS), or the like. The sealing substrate 140 may be sealed by a multi-protective film composed of an organic, inorganic, or organic composite material. The organic light emitting display includes a pad unit 170 provided on an outer periphery of a substrate 110 to receive various signals or power from the outside and a driving unit 160 composed of a single chip, ) Are driven. Although the driving device 160 includes the data driver and the scan driver, the driver 160 may be divided into the non-display area NA in the case of the scan driver.

이하, 서브 픽셀의 구조에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the structure of subpixels will be described in more detail.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀의 단면 예시도 이고, 도 6은 캐소드전극의 구성 예시도 이며, 도 7은 유기 발광층의 계층도 이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of a subpixel according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is an exemplary configuration of a cathode electrode, and FIG. 7 is a hierarchical view of an organic emission layer.

도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치한다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.As shown in FIGS. 5 to 7, a buffer layer 111 is disposed on the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed to protect a thin film transistor formed in a subsequent process from an impurity such as an alkali ion or the like flowing out from the substrate 110. The buffer layer 111 may be made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or the like.

버퍼층(111) 상에는 게이트전극(112)이 위치한다. 게이트전극(112)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 112 is located on the buffer layer 111. The gate electrode 112 is formed of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper And may be formed of a single layer or a multilayer composed of any one or an alloy thereof.

게이트전극(112) 상에는 제1절연막(113)이 위치한다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A first insulating film 113 is located on the gate electrode 112. The first insulating layer 113 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 위치한다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(114)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다.An active layer 114 is located on the first insulating film 113. The active layer 114 may comprise amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not shown here, the active layer 114 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities. In addition, the active layer 114 may include an ohmic contact layer for lowering the contact resistance.

액티브층(114) 상에는 소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b)이 위치한다. 소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.On the active layer 114, a source electrode 115a and a drain electrode 115b are located. The source electrode 115a and the drain electrode 115b may be formed of a single layer or multiple layers. In the case where the source electrode 115a and the drain electrode 115b are a single layer, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, And copper (Cu), or an alloy thereof. Alternatively, when the source electrode 115a and the drain electrode 115b are multilayered, they may be formed of a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium, molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

소오스전극(115a) 및 드레인전극(115b) 상에는 제2절연막(116)이 위치한다. 제2절연막(116)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(116)은 패시베이션막일 수 있다.A second insulating film 116 is disposed on the source electrode 115a and the drain electrode 115b. The second insulating film 116 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. The second insulating film 116 may be a passivation film.

제2절연막(116) 상에는 제3절연막(117)이 위치한다. 제3절연막(117)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제3절연막(117)은 평탄화막일 수 있다.A third insulating film 117 is formed on the second insulating film 116. The third insulating film 117 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. The third insulating film 117 may be a planarizing film.

이상은 기판(110) 상에 위치하는 바탐 게이트형 구동 트랜지스터에 대한 설명이다. 이하에서는 구동 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드에 대해 설명한다.The above is a description of a totem gate type driving transistor located on the substrate 110. Hereinafter, the organic light emitting diode positioned on the driving transistor will be described.

제3절연막(117) 상에는 캐소드전극(119)이 위치한다. 캐소드전극(119)은 적어도 3개의 층으로 구성되고 적어도 하나가 다른 재료로 이루어진다. 캐소드전 극(119)에 포함된 적어도 3개의 층 중 적어도 하나는 두께가 다르다. 도 6과 같이, 캐소드전극(119)을 구성하는 전극층의 두께는 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) > 제3캐소드전극층(119c) 순이다. 그리고 캐소드전극(110)을 구성하는 전극층의 반사율은 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) < 제3캐소드전극층(119c) 순이다.A cathode electrode 119 is disposed on the third insulating film 117. The cathode electrode 119 is composed of at least three layers and at least one is made of another material. At least one of the at least three layers included in the cathode electrode 119 has a different thickness. 6, the thickness of the electrode layer constituting the cathode electrode 119 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b> the third cathode electrode layer 119c. The reflectance of the electrode layer constituting the cathode electrode 110 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b <the third cathode electrode layer 119c.

캐소드전극(119) 상에는 캐소드전극(119)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(120)이 위치한다. 뱅크층(120)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.On the cathode electrode 119, a bank layer 120 having an opening exposing a part of the cathode electrode 119 is located. The bank layer 120 may include organic materials such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin or polyimide resin, but is not limited thereto.

뱅크층(120)의 개구부 내에는 유기 발광층(121)이 위치한다. 유기 발광층(121)은 도 7과 같이, 전자주입층(121a), 전자수송층(121b), 발광층(121c), 정공수송층(121d) 및 정공주입층(121e)을 포함한다. 전자주입층(121a)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자수송층(121b)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 적어도 두 개의 호스트(Host)와 적어도 하나의 도판트(Dopant)를 포함한다. 발광층(121c)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3- bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 청색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공수송층(121d)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공주입 층(121e)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 실시예는 도 7에 한정되는 것은 아니며, 전자주입층(121a), 전자수송층(121b), 정공수송층(121d) 및 정공주입층(121e) 중 적어도 어느 하나가 생략되거나 기타 다른 기능층들이 더 포함될 수도 있다.The organic light emitting layer 121 is located in the opening of the bank layer 120. The organic light emitting layer 121 includes an electron injection layer 121a, an electron transport layer 121b, a light emitting layer 121c, a hole transport layer 121d and a hole injection layer 121e as shown in Fig. The electron injection layer 121a may function to facilitate the injection of electrons and may include but is not limited to Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq or SAlq . The electron transport layer 121b serves to smooth the transport of electrons and may be made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, But are not limited thereto. The light emitting layer 121c may include materials emitting red, green, blue, and white light, and includes at least two hosts and at least one dopant. When the light-emitting layer 121c emits red light, it contains a host material including CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl) ) acetylacetonate iridium, PQIr acac bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium, PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) (DBM) 3 (Phen) or perylene. Alternatively, the light emitting layer 121c may emit green light, and the light emitting layer 121c may be formed of CBP or mCP And a phosphorescent material including a dopant material including Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium), and alternatively, Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum) may be used as the fluorescent material (4,6-F2ppy) 2Irpic. In the case where the light-emitting layer 121c emits blue light, the light-emitting layer 121c may be made of a phosphorescent material containing a dopant material including a host material including CBP or mCP, Alternatively, it may be made of a fluorescent material containing any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distyrylbenzene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO- The hole transport layer 121d serves to smooth the transport of holes and may be formed by using NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, 3-methylphenyl-N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ' But the present invention is not limited thereto. The hole injection layer 121e may serve to smooth the injection of holes and may be formed of a material such as CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline) and NPD -N, N'-diphenyl benzidine), but the present invention is not limited thereto. The embodiment of the present invention is not limited to FIG. 7, and at least one of the electron injection layer 121a, the electron transport layer 121b, the hole transport layer 121d and the hole injection layer 121e may be omitted, May also be included.

유기 발광층(121) 상에는 애노드전극(122)이 위치한다. 애노드전극(122)은 투명한 재료 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.An anode electrode 122 is located on the organic light emitting layer 121. The anode electrode 122 may be formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

본 발명은 밀봉기판(140) 방향으로 빛을 발광하는 인버티드(Inverted) 형 유기전계발광표시장치 구성시 패널의 콘트라스트(Contrast)를 향상시키기 위한 구조이다. 이를 위해 실시예의 캐소드전극은 다음과 같이 형성된다.The present invention is a structure for improving the contrast of a panel when an inverted organic light emitting display device that emits light toward the sealing substrate 140 is constructed. To this end, the cathode electrode of the embodiment is formed as follows.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

표 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 캐소드전극 구조 예시이다.Table 1 is an example of the cathode electrode structure according to the first embodiment of the present invention.

제3캐소드전극층(119c)The third cathode electrode layer 119c, 알루미늄aluminum 제2캐소드전극층(119b)The second cathode electrode layer 119b, 반사율이 70% 이하인 금속Metal with a reflectance of 70% or less 제1캐소드전극층(119a)The first cathode electrode layer 119a, 알루미늄합금Aluminum alloy

표 1에 도시된 바와 같이, 제1캐소드전극층(119a)의 경우 알루미늄합금 예컨대, 알루미늄데오디뮴(AlNd)으로 선택될 수 있다. 그리고 제2캐소드전극층(119b)의 경우 반사율이 70%이하인 금속 예컨대, 산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 중 어느 하나로 선택될 수 있다. 그리고 제3캐소드전극층(119c)의 경우 알루미늄(Al)으로 선택될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 캐소드전극(119)을 구성하는 전극층의 두께는 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) > 제3캐소드전극층(119c) 순이다. 제2캐소드전극층(119b)과 제3캐소드전극층(119c)의 두께는 10Å ~ 500Å 범위 내에서 형성될 수 있으나 제3캐소드전극층(119c)의 두께 대비 제2캐소드전극층(119b)의 두께를 두껍게 형성한다. 그리고 캐소드전극(110)을 구성하는 전극층의 반사율은 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) < 제3캐소드전극층(119c) 순이다. 제2캐소드전극층(119b) 및 제3캐소드전극층(119c)의 두께를 10Å 이상으로 형성하면, 외부 광에 의한 반사율 및 흡수율을 높일 수 있고 발광층으로부터 발광된 빛의 반사율을 높일 수 있게 된다. 그리고 제2캐소드전극층(119b) 및 제3캐소드전극층(119c)이 두께를 500Å 이하로 형성하면, 제2캐소드전극층(119b)과의 반사율 차를 적게 하면서 전자의 주입 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 외부 광에 의한 반사율 및 흡수율을 높일 수 있고 발광층으로부터 발광된 빛의 반사율을 높일 수 있게 된다.As shown in Table 1, in the case of the first cathode electrode layer 119a, an aluminum alloy such as aluminum diiodide (AlNd) can be selected. In the case of the second cathode electrode layer 119b, a metal having a reflectance of 70% or less such as silicon oxide (SiO 2), chromium oxide (CrOx), copper oxide (CuOx), copper nitride (CuNx), molybdenum (Mo) ). &Lt; / RTI > And may be selected as aluminum (Al) in the case of the third cathode electrode layer 119c. As described above, the thickness of the electrode layer constituting the cathode electrode 119 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b> the third cathode electrode layer 119c. The thickness of the second cathode electrode layer 119b and the thickness of the third cathode electrode layer 119c may be in the range of 10 A to 500 A but the thickness of the second cathode electrode layer 119 B may be thicker than the thickness of the third cathode electrode layer 119c. do. The reflectance of the electrode layer constituting the cathode electrode 110 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b <the third cathode electrode layer 119c. When the thicknesses of the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c are set to 10 angstroms or more, the reflectance and absorption rate due to external light can be increased and the reflectance of light emitted from the light emitting layer can be increased. When the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c are formed to have a thickness of 500 angstroms or less, the difference in reflectance between the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c can be reduced and the injection ability of electrons can be improved. In addition, the reflectance and absorptivity of external light can be increased, and the reflectance of light emitted from the light emitting layer can be increased.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

표 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 캐소드전극 구조 예시이다.Table 2 is an example of the cathode electrode structure according to the second embodiment of the present invention.

제3캐소드전극층(119c)The third cathode electrode layer 119c, 알루미늄aluminum 제2캐소드전극층(119b)The second cathode electrode layer 119b, 산화금속 또는 질화금속Metal oxide or nitride metal 제1캐소드전극층(119a)The first cathode electrode layer 119a, 반사율이 70% 이하인 금속Metal with a reflectance of 70% or less

표 2에 도시된 바와 같이, 제1캐소드전극층(119a)의 경우 반사율이 70% 이하인 금속 예컨대, 산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 중 어느 하나가 선택될 수 있다. 그리고 제2캐소드전극층(119b)의 경우 산화금속 예컨대, 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 산화알루미늄(AlOx)이나 질화금속 예컨대, 질화크롬(CrNx), 질화구리(CuNx), 질화알루미늄(AlNx) 중 어느 하나로 선택될 수 있다. 그리고 제3캐소드전극층(119c)의 경우 알루미늄(Al)으로 선택될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 캐소드전극(119)을 구성하는 전극층의 두께는 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) > 제3캐소드전극층(119c) 순이다. 제2캐소드전극층(119b)과 제3캐소드전극층(119c)의 두께는 10Å ~ 500Å 범위 내에서 형성될 수 있으나 제3캐소드전극층(119c)의 두께 대비 제2캐소드전극층(119b)의 두께를 두껍게 형성한다. 그리고 캐소드전극(110)을 구성하는 전극층의 반사율은 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) < 제3캐소드전극층(119c) 순이다. 제2캐소드전극층(119b) 및 제3캐소드전극층(119c)의 두께를 10Å 이상으로 형성하면, 외부 광에 의한 반사율 및 흡수율을 높일 수 있고 발광층으로부터 발광된 빛의 반사율을 높일 수 있게 된다. 그리고 제2캐소드전극층(119b) 및 제3캐소드전극층(119c)이 두께를 500Å 이하로 형성하면, 제2캐소드전극층(119b)과의 반사율 차를 적게 하면서 전자의 주입 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 외부 광에 의한 반사율 및 흡수율을 높일 수 있고 발광층으로부터 발광된 빛의 반사율을 높일 수 있게 된다.As shown in Table 2, in the case of the first cathode electrode layer 119a, a metal having a reflectance of 70% or less such as silicon oxide (SiO2), chromium oxide (CrOx), copper oxide (CuOx), copper nitride (CuNx) (Mo), and chromium (Cr) may be selected. In the case of the second cathode electrode layer 119b, a metal oxide such as CrOx, CuOx, AlOx or a nitride such as CrNx, CuNx, (AlNx) may be selected. And may be selected as aluminum (Al) in the case of the third cathode electrode layer 119c. As described above, the thickness of the electrode layer constituting the cathode electrode 119 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b> the third cathode electrode layer 119c. The thickness of the second cathode electrode layer 119b and the thickness of the third cathode electrode layer 119c may be in the range of 10 A to 500 A but the thickness of the second cathode electrode layer 119 B may be thicker than the thickness of the third cathode electrode layer 119c. do. The reflectance of the electrode layer constituting the cathode electrode 110 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b <the third cathode electrode layer 119c. When the thicknesses of the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c are set to 10 angstroms or more, the reflectance and absorption rate due to external light can be increased and the reflectance of light emitted from the light emitting layer can be increased. When the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c are formed to have a thickness of 500 angstroms or less, the difference in reflectance between the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c can be reduced and the injection ability of electrons can be improved. In addition, the reflectance and absorptivity of external light can be increased, and the reflectance of light emitted from the light emitting layer can be increased.

<제3실시예>&Lt; Third Embodiment >

표 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 캐소드전극 구조 예시이다.Table 3 is an example of the cathode electrode structure according to the third embodiment of the present invention.

제3캐소드전극층(119c)The third cathode electrode layer 119c, 알루미늄aluminum 제2캐소드전극층(119b)The second cathode electrode layer 119b, 반사율이 70% 이하인 금속Metal with a reflectance of 70% or less 제1캐소드전극층(119a)The first cathode electrode layer 119a, 반사율이 70% 이하인 금속Metal with a reflectance of 70% or less

표 3에 도시된 바와 같이, 제1캐소드전극층(119a)의 경우 반사율이 60% ~ 70% 범위를 갖는 금속 예컨대, 산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 중 어느 하나로 선택될 수 있다. 그리고 제2캐소드전극층(119b)의 경우 반사율이 70% 이하인 금속 예컨대, 알루미늄네오디뮴(AlNd)으로 선택될 수 있다. 한편, 캐소드전극(119)을 구성하는 전극층의 두께는 제1캐소드전극층(119a) > 제2캐소드전극층(119b) > 제3캐소드전극층(119c) 순이다. 제3캐소드전극층(119c)의 두께는 10Å ~ 500Å 범위 내에서 형성될 수 있으나 제2캐소드전극층(119b)의 두께 대비 얇게 형성한다. 제3캐소드전극층(119c)의 두께를 10Å 이상으로 형성하면, 외부 광에 의한 반사율 및 흡수율을 높일 수 있고 발광층으로부터 발광된 빛의 반사율을 높일 수 있게 된다. 그리고 제3캐소드전극층(119c)이 두께를 500Å 이하로 형성하면, 제2캐소드전극층(119b)과의 반사율 차를 적게 하면서 전자의 주입 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 외부 광에 의한 반사율 및 흡수율을 높일 수 있고 발광층으로부터 발광된 빛의 반사율을 높일 수 있게 된다. As shown in Table 3, in the case of the first cathode electrode layer 119a, a metal having a reflectance in the range of 60% to 70% such as silicon oxide (SiO 2), chromium oxide (CrO x), copper oxide (CuO x) (CuNx), molybdenum (Mo), and chromium (Cr). In the case of the second cathode electrode layer 119b, a metal such as aluminum neodymium (AlNd) having a reflectance of 70% or less may be selected. The thickness of the electrode layer constituting the cathode electrode 119 is in the order of the first cathode electrode layer 119a> the second cathode electrode layer 119b> the third cathode electrode layer 119c. The thickness of the third cathode electrode layer 119c may be in the range of 10 Å to 500 Å, but may be thinner than the thickness of the second cathode electrode layer 119b. When the thickness of the third cathode electrode layer 119c is set to 10 angstroms or more, the reflectance and absorption rate due to external light can be increased and the reflectance of light emitted from the light emitting layer can be increased. When the thickness of the third cathode electrode layer 119c is less than or equal to 500 angstroms, the difference in reflectance between the second cathode electrode layer 119b and the second cathode electrode layer 119b can be reduced and the electron injecting capability can be improved. In addition, the reflectance and absorptivity of external light can be increased, and the reflectance of light emitted from the light emitting layer can be increased.

앞서 설명한 제1 내지 제3과 같이 캐소드전극을 구성하면, 제2캐소드전극층(119b)과 제3캐소드전극층(119c) 간의 반사율 차가 크게 나타나지 않게 되므로 콘트라스트를 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 제3캐소드전극층(119c)을 통한 전자의 주입 능력을 향상시킬 수 있고, 이와 더불어 제3캐소드전극층(119c)의 외곽 쪽으로 누설전류가 발생하는 문제를 방지할 수 있게 된다. 또한, 제1캐소드전극층(119a), 소오스전극(114a) 및 드레인전극(114b)을 유사 또는 동일한 재료로 형성할 수 있어 접촉 저항에 따른 구동 전압 상승 문제를 방지할 수 있게 된다.When the cathode electrode is formed as in the first to third embodiments described above, the difference in reflectance between the second cathode electrode layer 119b and the third cathode electrode layer 119c is not greatly increased, so that the contrast can be improved. Also, the ability to inject electrons through the third cathode electrode layer 119c can be improved, and the problem of leakage current to the outside of the third cathode electrode layer 119c can be prevented. In addition, the first cathode electrode layer 119a, the source electrode 114a, and the drain electrode 114b can be formed of similar or the same material, thereby preventing the driving voltage from rising due to the contact resistance.

이상 본 발명은 캐소드전극을 적어도 3개의 층으로 구성되고 적어도 하나가 다른 재료로 구성하여 콘트라스트를 향상시키고 전자의 주입능력을 증가시켜 우수한 표시품질을 나타낼 수 있는 인버티드형 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 콘트라스트 향상에 따른 편광판의 제거로 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention provides an inverted organic light emitting display device in which a cathode electrode is composed of at least three layers and at least one of which is made of another material to improve contrast and increase electron injection capability to exhibit excellent display quality . Further, the present invention has the effect of reducing the cost by removing the polarizing plate in accordance with the improvement of the contrast.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로구성 예시도.FIG. 2 is a diagram illustrating an exemplary circuit configuration of the subpixel shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도.3 is a plan view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 A1-A2 영역의 단면도.4 is a sectional view of the region A1-A2 shown in Fig. 3;

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀의 단면 예시도.5 is a cross-sectional exemplary view of a subpixel according to an embodiment of the present invention.

도 6은 캐소드전극의 구성 예시도.6 is a diagram illustrating a configuration example of a cathode electrode.

도 7은 유기 발광층의 계층도.7 is a hierarchical view of an organic light emitting layer.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

110: 기판 112: 게이트전극110: substrate 112: gate electrode

115a, 115b: 소오스전극 및 드레인전극 119: 캐소드전극115a and 115b: Source and drain electrodes 119: Cathode electrode

119a: 제1캐소드전극층 119b: 제2캐소드전극층119a: first cathode electrode layer 119b: second cathode electrode layer

119c: 제3캐소드전극층 121: 유기 발광층119c: Third cathode electrode layer 121: Organic light emitting layer

122: 애노드전극 140: 밀봉기판122: anode electrode 140: sealing substrate

Claims

기판 상에 위치하는 트랜지스터;A transistor located on a substrate;

상기 트랜지스터의 소오스전극 또는 드레인전극에 연결되며 적어도 3개의 층으로 구성되고 적어도 하나가 다른 재료로 이루어진 캐소드전극;A cathode electrode connected to a source electrode or a drain electrode of the transistor, the cathode electrode being composed of at least three layers and at least one of which is made of another material;

상기 캐소드전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및An organic light emitting layer disposed on the cathode electrode; And

상기 유기 발광층 상에 위치하는 애노드전극을 포함하며,And an anode electrode disposed on the organic light emitting layer,

상기 캐소드전극에 포함된 상기 적어도 3개의 층 중 적어도 하나는 두께가 다르고, 상기 캐소드전극을 구성하는 전극층의 반사율은,Wherein at least one of the at least three layers included in the cathode electrode has a different thickness,

제1캐소드전극층 > 제2캐소드전극층 < 제3캐소드전극층 순인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The first cathode electrode layer> the second cathode electrode layer <the third cathode electrode layer.

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제1항에 있어서,The method according to claim 1,

상기 캐소드전극을 구성하는 전극층의 두께는,The thickness of the electrode layer constituting the cathode electrode is preferably,

제1캐소드전극층 > 제2캐소드전극층 > 제3캐소드전극층 순인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The first cathode electrode layer> the second cathode electrode layer> the third cathode electrode layer.

제1항에 있어서,The method according to claim 1,

상기 캐소드전극은,The cathode electrode

상기 소오스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되며 합금으로 이루어진 제1캐소드전극층과,A first cathode electrode layer connected to the source electrode or the drain electrode and made of an alloy;

상기 제1캐소드전극층 상에 위치하는 제2캐소드전극층과,A second cathode electrode layer positioned on the first cathode electrode layer,

상기 제2캐소드전극층 상에 위치하는 제3캐소드전극층을 포함하며,And a third cathode electrode layer positioned on the second cathode electrode layer,

상기 제2캐소드전극층의 반사율은 상기 제3캐소드전극층의 반사율보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the reflectance of the second cathode electrode layer is lower than the reflectance of the third cathode electrode layer.

제1항에 있어서,The method according to claim 1,

상기 캐소드전극은,The cathode electrode

상기 제1캐소드전극층 상에 위치하며 산화금속 또는 질화금속으로 이루어진 제2캐소드전극층과,A second cathode electrode layer positioned on the first cathode electrode layer and made of a metal oxide or a nitride metal;

제4항 또는 제5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5,

상기 제2캐소드전극층은,Wherein the second cathode electrode layer comprises:

산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.Wherein the first electrode is made of any one of silicon oxide (SiO), chromium oxide (CrOx), copper oxide (CuOx), copper nitride (CuNx), molybdenum (Mo), and chromium (Cr).

제4항 또는 제5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5,

상기 제2캐소드전극층의 두께는,The thickness of the second cathode electrode layer may be,

10Å ~ 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.Lt; RTI ID = 0.0 > 500A. &Lt; / RTI >

제1항에 있어서,The method according to claim 1,

상기 캐소드전극은,The cathode electrode

상기 제2캐소드전극층의 반사율은 상기 제1캐소드전극층의 반사율보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.Wherein the reflectance of the second cathode electrode layer is lower than the reflectance of the first cathode electrode layer.

제8항에 있어서,9. The method of claim 8,

상기 제1캐소드전극층은,Wherein the first cathode electrode layer comprises:

산화실리콘(SiO), 산화크롬(CrOx), 산화구리(CuOx), 질화구리(CuNx), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.Wherein the first electrode is made of at least one of silicon oxide (SiO), chromium oxide (CrOx), copper oxide (CuOx), copper nitride (CuNx), molybdenum (Mo), and chromium (Cr).

제8항에 있어서,9. The method of claim 8,

상기 제3캐소드전극층의 두께는,The thickness of the third cathode electrode layer may be,