KR101596110B1 - Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it - Google Patents

Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it Download PDF

Info

Publication number
KR101596110B1
KR101596110B1 KR1020140004415A KR20140004415A KR101596110B1 KR 101596110 B1 KR101596110 B1 KR 101596110B1 KR 1020140004415 A KR1020140004415 A KR 1020140004415A KR 20140004415 A KR20140004415 A KR 20140004415A KR 101596110 B1 KR101596110 B1 KR 101596110B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mesh
pattern
plate
filling
mesh plate
Prior art date
Application number
KR1020140004415A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150084420A (en
Inventor
고종수
정경국
Original Assignee
부산대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 부산대학교 산학협력단 filed Critical 부산대학교 산학협력단
Priority to KR1020140004415A priority Critical patent/KR101596110B1/en
Publication of KR20150084420A publication Critical patent/KR20150084420A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101596110B1 publication Critical patent/KR101596110B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02Inorganic material
    • B01D71/0213Silicon
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D61/00Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/007Separation by stereostructure, steric separation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D67/00Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0039Inorganic membrane manufacture
    • B01D67/0053Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
    • B01D67/006Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods
    • B01D67/0062Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods by micromachining techniques, e.g. using masking and etching steps, photolithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D69/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/02Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor characterised by their properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D69/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/12Composite membranes; Ultra-thin membranes
    • B01D69/1213Laminated layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D69/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/12Composite membranes; Ultra-thin membranes
    • B01D69/1216Three or more layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2325/00Details relating to properties of membranes
    • B01D2325/02Details relating to pores or porosity of the membranes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2325/00Details relating to properties of membranes
    • B01D2325/08Patterned membranes

Abstract

본 발명은 서로 크기가 다른 미세 메쉬를 가지는 메쉬플레이트가 다단으로 결합된 다단 메쉬구조체 및 그 제조방법에 대한 것이다.
본 발명에 따른 다단 메쉬구조체는 미세 메쉬플레이트가 다층으로 적층되어 결합된다.
또한, 상기 다단 메쉬구조체는 다층으로 적층된 메쉬플레이트는 메쉬의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 측면에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 식각하여 제1패턴의 메쉬홈을 형성하는 단계와, 상기 메쉬홈에 충진물질을 채워서 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 상기 제1메쉬플레이트가 채워진 실리콘 웨이퍼에 포토레지스트를 이용하여 제1패턴보다 작은 크기의 메쉬를 가지는 제2패턴의 메쉬홈을 형성하는 단계와, 상기 제2패턴의 메쉬홈에 충진물질을 채워서 제2메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 화학적 용액 식각으로 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 얇은 두께를 가진 플레이트를 사용하여 아주 작은 크기의 미세메쉬플레이트를 제작하고, 두꺼운 두께를 가진 플레이트를 사용하여 상대적으로 큰 크기의 미세메쉬플레이트를 제작하여 이를 결합시킴으로써 메쉬구조체의 강도를 높이는 한편 메쉬의 크기를 작게 할 수 있다.
The present invention relates to a multi-stage mesh structure in which mesh plates having fine meshes of different sizes are coupled in multiple stages, and a method of manufacturing the same.
In the multi-stage mesh structure according to the present invention, the fine mesh plates are laminated and bonded in multiple layers.
In addition, the multi-layered mesh structure is preferably characterized in that the mesh sizes of the multi-layered mesh plates are different from each other.
According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-stage mesh structure, including: forming a mesh pattern of a first pattern by etching a silicon wafer; filling the mesh groove with a filling material to form a first mesh plate; Forming a mesh pattern of a second pattern having a mesh smaller than the first pattern by using a photoresist on a silicon wafer filled with the first mesh plate; filling the mesh grooves of the second pattern with fill material to form a second Fabricating a mesh plate, and removing the photoresist by chemical solution etching.
According to the present invention, a fine mesh plate having a very small size is fabricated using a plate having a small thickness, a relatively large mesh plate is fabricated using a plate having a large thickness, And the size of the mesh can be made small.

Description

다단 메쉬구조체 및 그 제조방법{Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a multi-layer mesh structure and a manufacturing method thereof,

본 발명은 서로 크기가 다른 미세 메쉬를 가지는 메쉬플레이트가 다단으로 결합된 다단 메쉬구조체 및 그 제조방법에 대한 것이다.The present invention relates to a multi-stage mesh structure in which mesh plates having fine meshes of different sizes are coupled in multiple stages, and a method of manufacturing the same.

미세메쉬구조체는 산업계에서 다양하게 적용된다. 등록특허 제10-0327600호에는 미세한 물체를 걸러내거나 선별하는데 사용하기 위하여 미세메쉬구조체를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 그리고 등록특허 제10-1230143호에는 기체는 통과시키지만 액체는 통과시키지 않는 미세메쉬구조체를 사용하여 센서를 제조하였다.Fine mesh structures are widely applied in the industry. EP-A-0 0 766 00 discloses a method for producing a fine mesh structure for use in screening and sorting microscopic objects. And 10-1230143, a sensor was fabricated using a fine mesh structure that passed gas but did not pass liquid.

이러한 미세메쉬구조체에서 메쉬들은 일반적으로 리소그래피 공정을 통해서 형성되며, 이렇게 형성된 종래의 미세메쉬구조체들은 하나의 층으로 형성되었다.In such a fine mesh structure, meshes are generally formed through a lithography process, and the conventional fine mesh structures thus formed are formed into a single layer.

미세메쉬구조체는 메쉬플레이트에서 메쉬의 크기를 미세하게 만드는 것이 중요하다. 그런데 메쉬의 크기를 작게 하기 위해서는 플레이트의 두께가 얇아진다. 즉 두꺼운 플레이트에서 메쉬의 크기를 작게하기 힘들므로 미세메쉬를 만들기 위해서는 얇은 플레이트를 사용하여 미세메쉬구조체를 만든다. 따라서 메쉬의 크기가 미세할수록 그 두께가 작아지므로 메쉬구조체의 강성이 약하다는 문제점이 있다.It is important that the fine mesh structure make the size of the mesh fine on the mesh plate. However, in order to reduce the size of the mesh, the thickness of the plate is reduced. That is, since it is difficult to reduce the size of the mesh on the thick plate, a fine mesh structure is formed by using a thin plate to make a fine mesh. Therefore, there is a problem that the rigidity of the mesh structure is weak because the thickness becomes smaller as the mesh size becomes finer.

즉 종래의 메쉬구조체는 강성을 크게 하면 메쉬의 크기가 커지며, 메쉬의 크기를 작게하면 메쉬구조체의 두께가 얇아져서 강성이 약하다는 문제점이 있었다.That is, in the conventional mesh structure, if the stiffness is increased, the size of the mesh is increased. If the size of the mesh is decreased, the thickness of the mesh structure is thinned and the stiffness is weak.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 본 발명은 메쉬구조체의 강성을 크게 하면서도 메쉬의 크기를 작게 할 수 있는 메쉬구조체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the above problems. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a mesh structure capable of reducing the size of a mesh while increasing the rigidity of the mesh structure and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따른 다단 메쉬구조체는 미세 메쉬플레이트가 다층으로 적층되어 결합된다.In the multi-stage mesh structure according to the present invention, the fine mesh plates are laminated and bonded in multiple layers.

또한, 상기 다단 메쉬구조체는 다층으로 적층된 메쉬플레이트는 메쉬의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In addition, the multi-layered mesh structure is preferably characterized in that the mesh sizes of the multi-layered mesh plates are different from each other.

또한, 상기 다단 메쉬구조체는 표면에 미세구조가 형성된 것이 바람직하다.In addition, the multi-stage mesh structure preferably has a fine structure on its surface.

본 발명의 일 측면에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 식각하여 제1패턴의 메쉬홈을 형성하는 단계와, 상기 메쉬홈에 충진물질을 채워서 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 상기 제1메쉬플레이트가 채워진 실리콘 웨이퍼에 포토레지스트를 이용하여 제1패턴보다 작은 크기의 메쉬를 가지는 제2패턴의 메쉬홈을 형성하는 단계와, 상기 제2패턴의 메쉬홈에 충진물질을 채워서 제2메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 화학적 용액 식각으로 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-stage mesh structure, including: forming a mesh pattern of a first pattern by etching a silicon wafer; filling the mesh groove with a filling material to form a first mesh plate; Forming a mesh pattern of a second pattern having a mesh smaller than the first pattern by using a photoresist on a silicon wafer filled with the first mesh plate; filling the mesh grooves of the second pattern with fill material to form a second Fabricating a mesh plate, and removing the photoresist by chemical solution etching.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법은 기판 위에 리소그래피를 통해 제1패턴의 메쉬홈을 가지는 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 상기 제1메쉬플레이트에 포토레지스트를 도포하여 리소그래피를 통해서 상기 제1패턴보다 큰 크기의 제2패턴의 메쉬를 형성하는 단계와, 상기 제2패턴의 메쉬에 충진물질을 채워서 도포하는 단계와, 상기 충진물질을 채운 후 화학적 용액 식각으로 포토레지스트를 제거하고 상기 기판을 제거하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a multi-stage mesh structure, including: fabricating a first mesh plate having a mesh pattern of a first pattern through lithography on a substrate; applying a photoresist to the first mesh plate Forming a mesh of a second pattern having a size larger than the first pattern through lithography; filling the mesh of the second pattern by filling the filling material; and filling the filling material with a chemical solution, And removing the substrate.

또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법은 제1패턴의 메쉬홈을 가지는 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 상기 제1패턴의 메쉬홈과 다른 크기를 가지는 제2패턴의 메쉬홈을 가지는 제2메쉬플레이트를 제작하는 단계와, 상기 제1메쉬플레이트와 상기 제2메쉬플레이트에 전기저항열을 이용하여 용융접합 시키거나, 공정접합을 이용하거나, 압력이나 열을 주어 접착제로 결합시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-stage mesh structure, including: fabricating a first mesh plate having a mesh groove of a first pattern; A step of forming a second mesh plate having a mesh groove of the first mesh plate and the second mesh plate by fusion bonding using the electric resistance heat, Lt; / RTI >

또한, 본 발명에 따른 상기의 다단 메쉬구조체의 제조방법은 상기 다단 메쉬구조체의 표면에 미세구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.The method for manufacturing a multi-stage mesh structure according to the present invention may further include forming a microstructure on a surface of the multi-stage mesh structure.

본 발명에 의하면 얇은 두께를 가진 플레이트를 사용하여 아주 작은 크기의 미세메쉬플레이트를 제작하고, 두꺼운 두께를 가진 플레이트를 사용하여 상대적으로 큰 크기의 미세메쉬플레이트를 제작하여 이를 결합시킴으로써 메쉬구조체의 강도를 높이는 한편 메쉬의 크기를 작게 할 수 있다.According to the present invention, a fine mesh plate having a very small size is fabricated using a plate having a small thickness, a relatively large mesh plate is fabricated using a plate having a large thickness, And the size of the mesh can be made small.

도 1은 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 일 실시예의 사시도,
도 2 내지 도 6은 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법의 일 실시예,
도 7 내지 도 11은 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법의 다른 실시예,
도 12는 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법의 또 다른 실시예이다.
1 is a perspective view of an embodiment of a multi-stage mesh structure according to the present invention,
2 to 6 show an embodiment of a method for manufacturing a multi-stage mesh structure according to the present invention,
7 to 11 are views showing another embodiment of the method for manufacturing a multi-stage mesh structure according to the present invention,
12 is another embodiment of a method of manufacturing a multi-stage mesh structure according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 일 실시예이다. 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체는 제1메쉬플레이트(10)와 제2메쉬플레이트(20)를 구비한다.1 is an embodiment of a multi-stage mesh structure according to the present invention. The multi-stage mesh structure according to the present invention includes a first mesh plate (10) and a second mesh plate (20).

제1메쉬플레이트(10)은 그 두께가 얇으며 제1패턴의 메쉬(11)가 형성된다. 제1메쉬플레이트(10)는 두께가 얇으므로 메쉬(11)의 크기를 작게 형성할 수 있다.The first mesh plate 10 is thin and the mesh 11 of the first pattern is formed. Since the thickness of the first mesh plate 10 is thin, the size of the mesh 11 can be reduced.

제2메쉬플레이트(20)는 두께가 제1메쉬플레이트(10)에 비하여 상대적으로 두꺼우며, 제2패턴의 메쉬(21)가 형성된다. 제2메쉬플레이트(20)는 두께가 두꺼우므로 메쉬(21)의 크기를 작게 형성하기 어렵다. 그래서 메쉬(21)를 크게 형성한다.The second mesh plate 20 is relatively thick in thickness than the first mesh plate 10, and the mesh 21 of the second pattern is formed. Since the thickness of the second mesh plate 20 is large, it is difficult to reduce the size of the mesh 21. Thus, the mesh 21 is formed to be large.

본 실시예의 다단 메쉬구조체는 제1메쉬플레이트(10)와 제2메쉬플레이트(20)가 결합되어 형성된다.The multi-stage mesh structure of the present embodiment is formed by combining the first mesh plate 10 and the second mesh plate 20.

이 경우 제1메쉬플레이트(10)는 두께가 얇으므로 강성이 약한 반면 제2메쉬플레이트(20)가 두꺼우므로 강성이 크다. 따라서 다단 메쉬구조체는 제2메쉬플레이트(20)가 제1메쉬플레이트(10)를 지지하므로 큰 강성을 가진다. 또한, 제1메쉬플레이트(10)의 제1패턴의 메쉬(11)가 작은 크기이므로 다단 메쉬구조체는 전체적으로 작은 크기의 메쉬를 가진다.In this case, the rigidity of the first mesh plate 10 is low because the first mesh plate 10 is thin, while the rigidity is large because the second mesh plate 20 is thick. Accordingly, the multi-stage mesh structure has a large rigidity because the second mesh plate 20 supports the first mesh plate 10. [ In addition, since the mesh 11 of the first pattern of the first mesh plate 10 is small in size, the multi-stage mesh structure has a small mesh as a whole.

플레이트에 메쉬를 형성할 때 플레이트의 두께가 두꺼우면 메쉬의 크기를 작게 형성할 수 없지만, 본 실시예의 경우 얇은 플레이트를 사용하여 작은 크기의 메쉬를 형성하고 두꺼운 플레이트를 사용하여 큰 크기의 메쉬를 형성하는 대신 두꺼운 플레이트가 얇은 플레이트를 지지하므로 강성을 크게 할 수 있다.If the thickness of the plate is too large to form the mesh when forming the mesh on the plate, the size of the mesh can not be made small, but in the case of this embodiment, a thin plate is used to form a mesh of small size and a thick plate is used to form a mesh But the thick plate supports the thin plate, so that the rigidity can be increased.

즉 본 실시예에 의하면 미세 메쉬의 크기를 작게 할 수 있는 한편 그 강성을 크게 할 수 있다.That is, according to the present embodiment, the size of the fine mesh can be reduced while the rigidity thereof can be increased.

본 실시예의 경우 다단 메쉬구조체를 2단으로 형성하였지만. 2단 이상의 다단으로 형성할 수도 있다.In the present embodiment, the multi-stage mesh structure is formed in two stages. But may be formed in two or more stages.

한편 본 실시예의 경우 다단 메쉬구조체는 그 외부 표면에 마이크로나 나노 구조가 형성될 수 있다. 즉 그 외부 표면에 마이크로나 나노 돌기나 홈 또는 기타 구조가 형성될 수 있다. 마이크로나 나노 구조는 전기도금이나 코팅 또는 식각 등의 방법으로 형성될 수 있다.On the other hand, in the case of this embodiment, the multi-stage mesh structure may have a micro or nanostructure formed on its outer surface. That is, micro-nano protrusions, grooves, or other structures may be formed on the outer surface thereof. The micro- or nanostructures can be formed by electroplating, coating or etching.

도 2 내지 도 6은 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 제조방법의 일 실시예이다. FIGS. 2 to 6 show an embodiment of a method for manufacturing a multi-stage mesh structure according to the present invention.

먼저 실리콘 웨이퍼(31)에 식각방지층(33)을 입힌 후 도 2와 같이 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 또는 RIE(Reactive Ion Etching)을 이용하여 식각하여 제1패턴의 메쉬홈(41)을 형성한다. 여기서 메쉬홈(41) 사이의 간격이 제1메쉬플레이트(43)의 메쉬가 된다.The silicon wafer 31 is first etched with the etch stop layer 33 and then etched using DRIE or RIE as shown in FIG. 2 to form a first patterned mesh groove 41 . Here, the distance between the mesh grooves 41 becomes the mesh of the first mesh plate 43.

그리고 도 3과 같이 메쉬홈(41)에 충진물질을 채워서 제1메쉬플레이트(43)를 제작한다.Then, as shown in FIG. 3, the first mesh plate 43 is manufactured by filling the mesh groove 41 with a filling material.

제1메쉬플레이트(43)가 채워진 실리콘 웨이퍼(31)에 포토레지스트를 이용하여 제1패턴보다 작은 크기의 메쉬를 가지는 제2패턴의 메쉬홈을 형성한다. 그리고 제2패턴의 메쉬홈에 충진물질을 채워서 도 4와 같이 제2메쉬플레이트(47)를 제작한다.A mesh pattern of a second pattern having a mesh smaller than the first pattern is formed on the silicon wafer 31 filled with the first mesh plate 43 using a photoresist. Then, the second mesh plate 47 is fabricated as shown in FIG. 4 by filling the mesh grooves of the second pattern with the filling material.

그리고 도 5와 같이 화학적 용액 식각으로 포토레지스트를 제거하고 다음으로 도 6과 같이 다른 화학적 용액으로 식각하여 실리콘 웨이퍼를 제거한다. Then, the photoresist is removed by chemical solution etching as shown in FIG. 5, and then the silicon wafer is removed by etching with another chemical solution as shown in FIG.

그러면 제1메쉬플레이트(43)의 메쉬(42)는 상대적으로 그 크기가 크며, 제2메쉬플레이트(47)의 메쉬(46)는 상대적으로 그 크기가 작다.The mesh 42 of the first mesh plate 43 is relatively large in size and the mesh 46 of the second mesh plate 47 is relatively small in size.

한편, 상기 제작 공정 순서와 반대로 먼저 실리콘 식각과 메쉬홈 채움을 통하여 메쉬 크기가 작은 제1메쉬플레이트를 먼저 제작하고 난 다음, 포토레지스트로 형성된 메쉬홈에 충진물질을 채워서 메쉬 크기가 큰 제2메쉬플레이트를 제작할 수 있다.On the other hand, a first mesh plate having a small mesh size is formed first by silicon etching and mesh filling, and then a filling material is filled in a mesh groove formed by a photoresist to form a second mesh having a large mesh size, Plates can be produced.

도 7 내지 도 12는 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 다른 제조방법이다. 먼저 도 7과 같이 기판(51) 위에 포토레지스트(62)를 도포하여 리소그패피를 통해서 제1패턴의 메쉬홈(61)을 형성한다. 그리고 도 8과 같이 메쉬홈(61)에 충진물질을 채워서 제1메쉬플레이트(62)를 제작한다. 그리고 도 9와 같이 제1메쉬플레이트(63)에 포토레지스트(65)를 도포하여 리소그래피를 통해서 제1패턴보다 큰 크기의 제2패턴의 메쉬홈(64)을 형성한다.FIGS. 7 to 12 show another method of manufacturing the multi-stage mesh structure according to the present invention. First, as shown in FIG. 7, a photoresist 62 is applied on a substrate 51 to form a mesh groove 61 of a first pattern through a lithographic pattern. Then, as shown in FIG. 8, the first mesh plate 62 is manufactured by filling the mesh groove 61 with a filling material. 9, a photoresist 65 is applied to the first mesh plate 63 to form a mesh groove 64 of a second pattern larger in size than the first pattern by lithography.

도 10과 같이 제2패턴의 메쉬홈(64)에 충진물질을 채워서 도포한다. 그리고 도 11과 같이 화학적 용액을 식각하여 포토레지스트를 제거하고 기판을 제거한다. 그러면 작은 크기의 메쉬를 가지는 제1메쉬플레이트(63)와 큰 크기의 메쉬를 가지는 제2메쉬플레이트(67)가 형성된다.The filling material is filled in the mesh grooves 64 of the second pattern as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 11, the chemical solution is etched to remove the photoresist and remove the substrate. Then, a first mesh plate 63 having a small size mesh and a second mesh plate 67 having a large size mesh are formed.

도 12는 본 발명에 따른 다단 메쉬구조체의 또 다른 제조방법이다. 12 is another method for producing a multi-stage mesh structure according to the present invention.

먼저 여러가지의 방법을 통해서 작은 크기의 메쉬를 가지는 제1메쉬플레이트(71)와, 큰 크기의 메쉬를 가지는 제2메쉬플레이트(73)를 제작한다. 그리고 제1메쉬플레이트(71)와 제2메쉬플레이트(73)에 전기저항열을 이용하여 용융접합 시키거나, 공정접합(eutectic bonding), 또는 접착제(74)를 도포한 후 열과 압력을 가하여 접착시킨다. 그러면 제1메쉬플레이트(71)와 제2메쉬플레이트(73)가 결합된 메쉬구조체를 제작할 수 있다.
First, a first mesh plate 71 having a mesh of a small size and a second mesh plate 73 having a mesh of a large size are manufactured through various methods. Then, the first mesh plate 71 and the second mesh plate 73 are fusion bonded using electrical resistance heat, or eutectic bonding, or an adhesive 74 is applied, followed by applying heat and pressure to the first mesh plate 71 and the second mesh plate 73 . Then, a mesh structure in which the first mesh plate 71 and the second mesh plate 73 are combined can be manufactured.

10 : 제1메쉬플레이트 11 : 제1패턴의 메쉬
20 : 제2메쉬플레이트 21 : 제2패턴의 메쉬
31 : 실리콘 웨이퍼 33 : 식각방지층
41 : 메쉬홈 42 : 메쉬
43 : 제1메쉬플레이트 46 : 메쉬
47 : 제2메쉬플레이트 51 : 기판
61, 64 : 메쉬홈 63 : 제1메쉬플레이트
62, 65 : 포토레지스트 67 : 제2메쉬플레이트
71 : 제1메쉬플레이트 73 : 제2메쉬플레이트
74 : 접착제
10: first mesh plate 11: mesh of first pattern
20: second mesh plate 21: mesh of the second pattern
31: silicon wafer 33: etching prevention layer
41: mesh groove 42: mesh
43: first mesh plate 46: mesh
47: second mesh plate 51: substrate
61, 64: mesh groove 63: first mesh plate
62, 65: Photoresist 67: Second mesh plate
71: first mesh plate 73: second mesh plate
74: Adhesive

Claims (7)

실리콘 웨이퍼를 식각하여 제1패턴의 메쉬홈을 형성하는 단계와,
상기 메쉬홈에 충진물질을 채워서 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와,
상기 제1메쉬플레이트가 채워진 실리콘 웨이퍼에 포토레지스트를 이용하여 제1패턴보다 작은 크기의 메쉬를 가지는 제2패턴의 메쉬홈을 형성하는 단계와,
상기 제2패턴의 메쉬홈에 충진물질을 채워서 제2메쉬플레이트를 제작하는 단계와,
화학적 용액 식각으로 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 메쉬구조체 제조방법.
Forming a mesh pattern of a first pattern by etching a silicon wafer;
Filling the mesh groove with a filling material to fabricate a first mesh plate;
Forming a mesh pattern of a second pattern having a mesh smaller than the first pattern on the silicon wafer filled with the first mesh plate using a photoresist;
Filling the mesh groove of the second pattern with a filling material to fabricate a second mesh plate;
Removing the photoresist by chemical solution etching. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >
기판 위에 리소그래피를 통해 제1패턴의 메쉬홈을 가지는 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와,
상기 제1메쉬플레이트에 포토레지스트를 도포하여 리소그래피를 통해서 상기 제1패턴보다 큰 크기의 제2패턴의 메쉬를 형성하는 단계와,
상기 제2패턴의 메쉬에 충진물질을 채워서 도포하는 단계와,
상기 충진물질을 채운 후 화학적 용액 식각으로 포토레지스트를 제거하고 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 메쉬구조체 제조방법.
Fabricating a first mesh plate having a mesh groove of a first pattern through lithography on a substrate,
Applying a photoresist to the first mesh plate to form a mesh of a second pattern larger in size than the first pattern through lithography,
Filling the mesh of the second pattern with a filling material;
Removing the photoresist by chemical solution etching after filling the filling material, and removing the substrate.
제1패턴의 메쉬홈을 가지는 제1메쉬플레이트를 제작하는 단계와,
상기 제1패턴의 메쉬홈과 다른 크기를 가지는 제2패턴의 메쉬홈을 가지는 제2메쉬플레이트를 제작하는 단계와,
상기 제1메쉬플레이트와 상기 제2메쉬플레이트에 전기저항열을 이용하여 용융접합 시키거나, 공정접합을 이용하거나, 압력이나 열을 주어 접착제로 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 메쉬구조체 제조방법.
Fabricating a first mesh plate having a mesh groove of a first pattern,
Fabricating a second mesh plate having a mesh groove of a second pattern having a size different from that of the mesh pattern of the first pattern;
Wherein the first mesh plate and the second mesh plate are formed by melt bonding using electrical resistance heat, using process bonding, or bonding with an adhesive by applying pressure or heat. Way.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다단 메쉬구조체의 표면에 미세구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 메쉬구조체 제조방법,
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Further comprising the step of forming a microstructure on the surface of the multi-stage mesh structure,
삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020140004415A 2014-01-14 2014-01-14 Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it KR101596110B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140004415A KR101596110B1 (en) 2014-01-14 2014-01-14 Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140004415A KR101596110B1 (en) 2014-01-14 2014-01-14 Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150084420A KR20150084420A (en) 2015-07-22
KR101596110B1 true KR101596110B1 (en) 2016-02-19

Family

ID=53874366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140004415A KR101596110B1 (en) 2014-01-14 2014-01-14 Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101596110B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114093574B (en) * 2021-11-22 2024-03-05 无锡变格新材料科技有限公司 Preparation method of conductive film and touch module

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100273674B1 (en) 1998-05-09 2000-12-15 이현구 Mesh filter of multi-plate type
KR100595010B1 (en) * 2006-01-25 2006-06-30 이승룡 Trapping apparatus for semiconductor residual product

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101145495B1 (en) * 2009-05-25 2012-05-15 부산대학교 산학협력단 The fabrication method of 3-dimensional substrate with fine structures

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100273674B1 (en) 1998-05-09 2000-12-15 이현구 Mesh filter of multi-plate type
KR100595010B1 (en) * 2006-01-25 2006-06-30 이승룡 Trapping apparatus for semiconductor residual product

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150084420A (en) 2015-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9738517B2 (en) Mold for forming complex 3D MEMS components
DE102016100056B4 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
Zahedinejad et al. Deep and vertical silicon bulk micromachining using metal assisted chemical etching
CN103979481B (en) MEMS aluminium germanium bonding structure and manufacture method thereof
US8877074B2 (en) Methods of manufacturing microdevices in laminates, lead frames, packages, and printed circuit boards
JP2004223708A (en) Multi-metal layer mems structure and process to manufacture it
WO2009005863A3 (en) Fabricating complex micro and nanoscale structures, electronic devices, and components
JP2013508254A5 (en)
CN104039687A (en) Method for etching a complex pattern
JP2009131951A5 (en)
JP2015019310A5 (en)
JP6333464B2 (en) Manufacturing method of sensor based on MEMS
JP6281883B2 (en) Package formation method
JP2008030189A (en) Silicone-on-metal for mems device
KR101596110B1 (en) Multi-layer mesh structure and manufacturing method of it
US7745308B2 (en) Method of fabricating micro-vertical structure
TWI378084B (en) Method for flattening glass substrate
US6930051B1 (en) Method to fabricate multi-level silicon-based microstructures via use of an etching delay layer
Tjerkstra et al. Method to pattern etch masks in two inclined planes for three-dimensional nano-and microfabrication
CN106915723B (en) Beam-mass block structure preparation method based on laser combination anisotropic etch
TWI606007B (en) Micro-eletromechanical element using composite substrate and manufacturing method thereof
CN108235217A (en) Vibrating membrane, microphone for microphone and preparation method thereof
KR101399459B1 (en) Fabrication method for nano-hole using compressing process
CN104045055A (en) Manufacturing method of cover plate
KR20070071429A (en) Glass micromachining using multi-step wet etching process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right