KR101592858B1 - Apparatus and method for preventing contamintion of process chamber - Google Patents
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Abstract
본 발명은 프로세스 챔버의 오염 방지 장치 및 이를 이용한 프로세스 챔버의 오염 방지 방법으로서, 플라즈마 처리 장치의 프로세스 챔버에 배치되되, 금속 또는 유전체 물질로 형성되고, 내부가 관통되어 공간이 형성된 실드 바디와; 유전체 물질로 형성되고, 상기 실드 바디의 상부에 안착되는 실드 라이너를 포함하는 클리닝 실드를 포함하며, 상기 실드 바디에 상기 실드 라이너가 안착되어 형성되는 상기 클리닝 실드의 내부 공간은 상기 프로세스 챔버에 인입된 기판이 위치되는 공간과 상기 기판의 상부에 형성되는 플라즈마 유효 공간을 포함하여, 상기 클리닝 실드가 기판의 플라즈마 공정 수행에 따른 상기 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치와 이를 이용하여 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 플라즈마 처리 장치의 기판 처리 공정의 중단 없이 프로세스 챔버의 오염을 제거하는 방안을 도입하여 플라즈마 처리 장치의 제품 양산 능력을 더욱 높이면서 전체적인 비용을 절감시킬 수 있게 된다.The present invention relates to a process chamber contamination prevention apparatus and a process chamber contamination prevention method using the same, which comprises: a shield body disposed in a process chamber of a plasma processing apparatus, the shield body being formed of a metal or a dielectric material; And a cleaning shield including a shield liner formed of a dielectric material and seated on the shield body, wherein an inner space of the cleaning shield, on which the shield liner is seated, is inserted into the process chamber Wherein the cleaning shield includes a space in which the substrate is placed and a plasma effective space formed on the substrate so as to prevent contamination of the process chamber due to the plasma process of the substrate. According to the present invention, there is provided a method for removing contamination of a process chamber without interrupting a substrate processing process of the plasma processing apparatus, thereby increasing the product mass production capability of the plasma processing apparatus To reduce overall costs. It is.
Description
본 발명은 프로세스 챔버의 오염 방지 장치 및 이를 이용한 프로세스 챔버의 오염 방지 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 처리 장치에 구성된 프로세스 챔버의 유효 플라즈마 공간 상에 클리닝 실드를 배치하여 플라즈마 처리 장치에서 플라즈마 공정 수행에 따라 발생되는 오염 물질에 프로세스 챔버와 RF 윈도우가 직접 노출되는 것을 차단함으로써 프로세스 챔버와 RF 윈도우의 오염을 방지하고 오염된 클리닝 실드는 용이하게 교체할 수 있는 장치와 이를 이용하여 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 방법에 대한 것이다.
The present invention relates to a process chamber contamination prevention apparatus and a process chamber contamination prevention method using the same. More particularly, the present invention relates to a plasma processing apparatus, It prevents contamination of the process chamber and RF window by blocking the direct exposure of the process chamber and RF window to the pollutants generated by the process, and the contaminated cleaning shield can be replaced easily, And to prevent it.
플라즈마 발생장치로는 크게 용량 결합형 플라즈마 발생원(Capacitively coupled plasma source)과 유도결합형 플라즈마 발생원 (Inductively coupled plasma source) 및 플라즈마 웨이브(Plasma wave)를 이용한 헬리콘(Helicon)과 마이크로웨이브 플라즈마 발생원(Microwave plasma source) 등이 제안되어 있다. 그 중에서, 고밀도의 플라즈마를 쉽게 형성할 수 있는 유도결합형 플라즈마 발생원이 널리 사용되고 있다.As a plasma generating apparatus, there are a helicon and a microwave using a capacitively coupled plasma source, an inductively coupled plasma source and a plasma wave, plasma source) have been proposed. Among them, an inductively coupled plasma generation source capable of easily forming a high-density plasma is widely used.
이와 같은 플라즈마 발생장치를 이용한 플라즈마 처리 장치는 다양한 분야에서 이용되고 있는데, 특히 고밀도, 고직접화가 요구되는 반도체의 제조에서 증착, 에칭 등의 공정에 이용되고 있다.The plasma processing apparatus using such a plasma generating apparatus has been used in various fields. In particular, the plasma processing apparatus has been used for processes such as deposition and etching in the production of semiconductors requiring high density and high directivity.
플라즈마 처리 장치를 통한 기판 증착 공정의 수행시에 반응 생성물이 기판에만 증착되는 것이 아니라 프로세스 챔버의 내측 벽면과 RF 윈도우의 영역까지도 코팅이 이루어져, 이로 인해 프로세스 챔버와 RF 윈도우를 오염시키며, 또한 플라즈마 처리 장치를 통한 에칭 공정의 수행시에는 기판의 에칭 결과로 발생되는 에치 부산물들이 프로세스 챔버의 내측 벽면과 RF 윈도우 표면에 퇴적되어 프로세스 챔버의 내측 벽면과 RF 윈도우를 오염시킨다.Not only the reaction product is deposited only on the substrate during the substrate deposition process through the plasma processing apparatus, but also the inner wall of the process chamber and the region of the RF window are coated, thereby contaminating the process chamber and the RF window, Etch by-products generated as a result of etching of the substrate are deposited on the inner wall surface of the process chamber and the RF window surface to contaminate the inner wall surface of the process chamber and the RF window during the etching process through the apparatus.
일례로서, 도 1과 같이 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 에칭 공정을 수행하는 경우에 플라즈마를 통한 기판(50)의 에칭시 기판(50)으로부터 식각되어 발생하는 에치 부산물(55)이 프로세스 챔버(20)의 내측 벽면이나 RF 윈도우(23)를 오염시키게 된다.1, an etch by-
이와 같은 플라즈마 공정 수행에 따라 발생되는 프로세스 챔버와 RF 윈도우의 오염에 따른 잔류물은 이후 공정 수행시의 입자 오염이나 RF 인가 효율 저하 및 공정 부유이동을 방지하기 위해 반드시 제거될 필요가 있다.The residues resulting from contamination of the process chamber and the RF window generated by the plasma process must be removed in order to prevent particle contamination, RF application efficiency degradation, and process migration during subsequent processes.
프로세스 챔버의 오염을 제거하기 위해 일반적으로 프로세스 챔버를 세척하는 방식이 적용되는데, 도 2에 도시된 바와 같이 에칭 세척 가스(70)를 플라즈마 처리 장치(10)의 프로세스 챔버(20) 내로 도입시켜 프로세스 챔버(20)의 오염된 벽면을 세척하게 된다. 프로세스 챔버의 세척 방안으로서 일반적인 2가지 세척 방법이 공지되어 있다. 하나는 인-시투(In-situ) 세척 방식으로서, 세척 가스가 직접 프로세스 챔버 내에서 여기되는 방식이고, 다른 하나는 원격-플라즈마-세척 방식으로서, 세척 가스의 여기가 외부 장치에서 이루어지고 여기된 세척 가스를 낮은 압력에서 프로세스 챔버 내로 유입시키는 방식이다.A method of cleaning the process chamber is generally applied in order to remove the contamination of the process chamber by introducing the
이때 세척 가스로는 주로 삼불화질소(NF3)를 사용하는데, 삼불화질소의 여기에 의해 제공된 불소 라디칼이 프로세스 챔버의 오염 물질을 분리시킬 수 있다. 그러나 삼불화질소는 온실 가스로서 작용하고 수백 년의 방사성 반감기를 갖는 환경 유해 가스이며, 최근에는 급격한 수요 증가로 인해 가격이 비싼 문제점이 있다.The cleaning gas is mainly nitrogen trifluoride (NF 3 ), and the fluorine radicals provided by the excitation of the nitrogen trifluoride nitrogen can separate contaminants from the process chamber. However, nitrogen trifluoride is an environmentally harmful gas that acts as a greenhouse gas and has a radioactive half-life of several hundred years. Recently, there is a problem that the price is high due to a rapid increase in demand.
삼불화질소의 대체 가스로서, 다른 불소 가스 혼합물, 예컨대 테트라플루오로메탄(CF4), 황헥사플루오라이드(SF6) 또는 아르콘, 질소 및 불소의 혼합물(Ar/N2/F2) 등이 사용되기도 한다. Other fluorine gas mixtures such as tetrafluoromethane (CF 4 ), sulfur hexafluoride (SF 6 ) or a mixture of argon, nitrogen and fluorine (Ar / N 2 / F 2 ) It is.
그러나 이와 같은 프로세스 챔버의 세척 방안은, 프로세스 챔버의 세척을 위한 적지 않은 비용이 발생할 뿐만 아니라 프로세스 챔버의 세척 수행 시간 동안 제품 생산 공정이 정지됨으로써 제품 생산량에 지대한 영향이 미치면서 전체적인 생산 비용을 증가시키는 문제점이 있다.However, such a cleaning method of the process chamber causes not only a considerable cost for cleaning the process chamber but also the product production process is stopped during the cleaning execution time of the process chamber, thereby greatly affecting the product production and increasing the overall production cost There is a problem.
따라서 플라즈마 처리 장치의 기판 처리 공정의 중단 없이 프로세스 챔버의 오염을 제거하는 방안을 도입하여 제품 양산 능력을 더욱 높이면서 전체적인 비용도 절감시킬 수 있는 방안이 필요하다.
Accordingly, there is a need for a method of removing contamination of the process chamber without interruption of the substrate processing process of the plasma processing apparatus, thereby further increasing the mass production capability of the plasma processing apparatus and reducing the overall cost.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 플라즈마 처리 장치의 기판 처리 공정의 중단 없이 프로세스 챔버의 오염을 제거하는 방안을 도입하여 제품 양산 능력을 더욱 높이면서 전체적인 비용도 절감시킬 수 있는 방안을 제시하는 것을 주된 목적으로 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of reducing contamination of a process chamber without interrupting a substrate processing process, The main purpose is to present a plan that can be done.
특히, 종래 세척 가스를 이용하여 프로세스 챔버를 세척하는 방식의 경우에 환경 유해 가스가 발생됨에 따라 사용을 자제할 필요성이 있으므로 이를 대체할 수 있는 방안을 제시하며, 나아가서 프로세스 챔버의 세척 공정을 수행하는 동안 제품 생산 공정을 정지시켜야 하는 문제점을 해결하고자 한다.
In particular, in the case of cleaning the process chamber using the conventional cleaning gas, there is a need to refrain from using the environmentally harmful gas as the environmentally harmful gas is generated. Accordingly, a method for replacing the process chamber is proposed, In order to solve the problem that the production process should be stopped during the production process.
상기 기술적 과제를 달성하고자 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치는, 플라즈마 처리 장치의 프로세스 챔버에 배치되되, 금속 또는 유전체 물질로 형성되고, 내부가 관통되어 공간이 형성된 실드 바디와; 유전체 물질로 형성되고, 상기 실드 바디의 상부에 안착되는 실드 라이너를 포함하는 클리닝 실드를 포함하며, 상기 실드 바디에 상기 실드 라이너가 안착되어 형성되는 상기 클리닝 실드의 내부 공간은 상기 프로세스 챔버에 인입된 기판이 위치되는 공간과 상기 기판의 상부에 형성되는 플라즈마 유효 공간을 포함하여, 상기 클리닝 실드가 기판의 플라즈마 공정 수행에 따른 상기 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber contamination prevention apparatus comprising: a shield body disposed in a process chamber of a plasma processing apparatus, the shield body being formed of a metal or a dielectric material; And a cleaning shield including a shield liner formed of a dielectric material and seated on the shield body, wherein an inner space of the cleaning shield, on which the shield liner is seated, is inserted into the process chamber And a plasma effective space formed on the substrate, wherein the cleaning shield prevents contamination of the process chamber due to the plasma process of the substrate.
바람직하게는 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상에서 상기 실드 라이너를 인출하거나 인입하기 위해 상기 프로세스 챔버의 측면 일부분을 개방 또는 폐쇄하는 프로세스 챔버 개폐수단; 및 상기 실드 라이너의 교체를 위해 상기 프로세스 챔버 개폐수단을 통해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상에서 상기 실드 라이너를 인출하거나 인입하는 라이너 교체 수단을 더 포함할 수 있다.Preferably a process chamber opening / closing means for opening or closing a side portion of the process chamber to draw or draw the shield liner in the internal space of the process chamber; And liner replacement means for withdrawing or withdrawing the shield liner from the internal space of the process chamber through the process chamber opening / closing means for replacement of the shield liner.
보다 바람직하게는 상기 프로세스 챔버 개폐수단에 의해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 개방 또는 폐쇄되는 내부 공간이 형성된 로드락 챔버를 더 포함하고, 상기 라이너 교체 수단은 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 위치될 수 있다.The liner replacing means may be located in the inner space of the load lock chamber, and the liner changing means may be located in the inner space of the load lock chamber, have.
나아가서 상기 라이너 교체 수단은, 상기 실드 라이너를 선택적으로 파지 또는 흡착하는 라이너 홀더와; 끝단에 상기 라이너 홀더가 연결되며 상기 프로세스 챔버 개폐수단을 통해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상으로 신축 가능한 암을 포함할 수도 있다.Further, the liner replacing means includes a liner holder for selectively grasping or sucking the shield liner; And an arm which is connected to the liner holder at an end thereof and can be expanded and contracted onto the inner space of the process chamber through the process chamber opening / closing means.
한걸음 더 나아가서 다층 구조로 형성되며, 각 층마다 실드 라이너가 슬라이드 방식으로 삽입되어 보관되는 공간이 형성된 실드 라이너 보관대; 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 상하 이동시키는 보관대 이송 수단; 및 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 로드락 챔버 개폐수단을 더 포함할 수도 있다.A shield liner storage unit formed in a multi-layered structure and having a space in which a shielding liner is inserted and stored for each layer; A storage unit transfer means for moving the shield liner storage unit up and down at a layer interval; And a load lock chamber opening / closing means for opening or closing between an inner space of the load lock chamber and an outer space where the shield liner stand is located.
나아가서 상기 로드락 챔버는, 상기 프로세스 챔버의 양측면에 각각 연결되어 형성된 제1 로드락 챔버와 제2 로드락 챔버를 포함하며, 상기 라이너 교체 수단은, 상기 제1 로드락 챔버에 위치된 제1 라이너 교체 수단과 상기 제2 로드락 챔버에 위치된 제2 라이너 교체 수단을 포함하며, 상기 프로세스 챔버 개폐수단은, 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간을 개방 또는 폐쇄하는 제1 프로세스 챔버 개폐수단과 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간을 개방 또는 폐쇄하는 제2 프로세스 챔버 개폐수단을 포함하며, 상기 실드 라이너 보관대는, 상기 제1 로드락 챔버에 대응되어 위치된 제1 실드 라이너 보관대와 상기 제2 로드락 챔버에 대응되어 위치된 제2 실드 라이너 보관대를 포함하며, 상기 로드락 챔버 개폐수단은, 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제1 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 제1 로드락 챔버 개폐수단과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 제2 로드락 챔버 개폐수단을 포함할 수 있다.Further, the load lock chamber includes a first load lock chamber and a second load lock chamber formed respectively connected to both sides of the process chamber, and the liner replacement means includes a first load lock chamber and a second load lock chamber located in the first load lock chamber, And a second liner replacement means located in the second load lock chamber, wherein the process chamber opening / closing means opens and closes the inner space of the process chamber and the inner space of the first load lock chamber And a second process chamber opening / closing means for opening / closing a first process chamber opening / closing means and an inner space of the process chamber and an inner space of the second load lock chamber, wherein the shield liner storage unit And a second shield liner stand corresponding to the first load lock chamber and the second shield liner stand, The load lock chamber opening / closing means includes a first load lock chamber opening / closing means for opening / closing between an inner space of the first load lock chamber and an outer space where the first shield liner storage base is located, And a second load lock chamber opening / closing means for opening / closing between the space and the external space in which the second shield liner stand is located.
여기서 상기 실드 라이너는, 세라믹(Ceramic) 또는 유리로 형성되며, 상기 실드 바디는, 금속, 세라믹(Ceramic) 또는 유리로 형성될 수 있다.Here, the shield liner may be formed of ceramics or glass, and the shield body may be formed of metal, ceramic, or glass.
바람직하게는 상기 실드 라이너는, RF 윈도우의 하면에 근접 또는 밀착되어 위치될 수 있다.Preferably, the shield liner may be positioned in close proximity or in close contact with the lower surface of the RF window.
보다 바람직하게는 상기 실드 라이너는, 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성될 수 있다.More preferably, the shield liner may have at least one through hole for injecting the reactive gas into the inner space of the cleaning shield.
또는 상기 실드 라이너는, 평판 형태로 형성되며, 상기 실드 바디의 하부에 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 가스 주입로가 형성될 수도 있다.Alternatively, the shield liner may be formed in a flat plate shape, and a gas injection path for injecting the reactive gas into the inner space of the cleaning shield may be formed under the shield body.
나아가서 상기 실드 라이너는, RF 윈도우의 하부에 위치되며 평판 형태로 형성된 제1 실드 라이너와; 상기 제1 실드 라이너의 하부에 이격되어 위치되며 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 제2 실드 라이너를 포함하며, 상기 제1 실드 라이너와 상기 제2 실드 라이너 간의 이격 공간으로 가스 유동로가 형성될 수도 있다.Further, the shield liner includes: a first shield liner disposed at a lower portion of the RF window and formed in a flat plate shape; And a second shield liner spaced apart from a lower portion of the first shield liner and having at least one through hole for injecting a reactive gas into an inner space of the cleaning shield, wherein the first shield liner and the second shield The gas flow path may be formed in the spacing space between the liner.
또한 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 방법은 상기 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하여, 로드락 챔버의 내부 공간에 깨끗한 교체 실드 라이너를 준비하는 교체 실드 라이너 준비 단계; 프로세스 챔버 개폐수단이 프로세스 챔버의 내부 공간과 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 라이너 교체 수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하는 오염된 실드 라이너 인출 단계; 및 상기 라이너 교체 수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 교체 실드 라이너를 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치시키고, 상기 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 폐쇄시키는 교체 실드 라이너 안착 단계를 포함할 수 있다.In addition, the method for preventing contamination of a process chamber according to the present invention may further include: preparing an alternative shield liner for preparing a clean replacement shield liner in an internal space of the load lock chamber using the apparatus for preventing contamination of the process chamber according to the present invention; The process chamber opening / closing means opens between the inner space of the process chamber and the inner space of the load lock chamber, and the liner replacement means withdraws the contaminated shield liner located in the inner space of the process chamber to the inner space of the load lock chamber A contaminated shield liner withdrawing step for transporting the contaminated shield liner; And a replacement shield liner seating step in which the liner replacement means places a replacement shield liner stored in an internal space of the load lock chamber in an internal space of the process chamber and the process chamber opening and closing means closes an internal space of the process chamber . ≪ / RTI >
바람직하게는 상기 오염된 실드 라이너 인출 단계는, 상기 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시킬 수 있다.Preferably, the contaminated shield liner withdrawing step may form an internal space of the load lock chamber in a vacuum state before the process chamber opening / closing means opens the internal space of the process chamber.
그리고 상기 교체 실드 라이너 준비 단계 이전에, 상기 실드 라이너 보관대에 깨끗한 교체 실드 라이너가 적어도 하나 이상 삽입되어 보관되는 교체 실드 라이너 보관 단계를 더 포함할 수도 있다. And a replacement shield liner storing step in which at least one clean replacement shield liner is inserted and stored in the shield liner storage stand before the replacement shield liner preparing step.
나아가서 상기 교체 실드 라이너 안착 단계 이후에, 로드락 챔버 개폐수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 라이너 교체 수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 실드 라이너 보관대의 빈 층에 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계; 및 상기 라이너 교체 수단이 상기 실드 라이너 보관대에 보관된 교체 실드 라이너를 인출하여 상기 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 로드락 챔버 개폐수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 폐쇄시키는 단계를 더 포함할 수도 있다.Further, after the replacement shield liner seating step, the load lock chamber opening / closing means opens between the inner space of the load lock chamber and the outer space in which the shield liner stand is located, and the liner replacing means opens the inner space of the load lock chamber Inserting the contaminated shield liner into the empty layer of the shield liner stowage and storing the contaminated shield liner; And the liner replacing means draws out the replacement shield liner stored in the shield liner storage unit and transfers the replacement shield liner to the internal space of the load lock chamber, and the load lock chamber opening and closing means opens and closes the internal space of the load lock chamber and the shield liner storage unit And closing the space between the outer spaces.
바람직하게는 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계의 수행 후, 상기 라이너 교체 수단이 상기 실드 라이너 보관대에 보관된 다음번의 교체 실드 라이너의 인출이 가능하도록 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함할 수도 있다.Preferably, after performing the step of inserting and storing the contaminated shield liner, the liner replacing means transports the shield liner storage unit at a layer interval so that the next replacement shield liner stored in the shield liner storage unit can be taken out Step < / RTI >
한걸음 더 나아가서 상기 교체 실드 라이너 보관 단계는, 상기 실드 라이너 보관대의 첫번째 층 또는 마지막 층을 제외한 각 층에 깨끗한 교체 실드 라이너가 삽입되어 보관될 수 있다.Further, the replacement shield liner storage step may be carried out by inserting a clean replacement shield liner into each layer except the first or last layer of the shield liner storage stand.
또한 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 방법은, 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하여, 제2 로드락 챔버의 내부 공간에 깨끗한 교체 실드 라이너를 준비하는 교체 실드 라이너 준비 단계; 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 프로세스 챔버의 내부 공간과 제1 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 제1 라이너 교체 수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 폐쇄시키는 오염된 실드 라이너 인출 단계; 및 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 교체 실드 라이너를 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치시키고, 상기 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 폐쇄시키는 교체 실드 라이너 안착 단계를 포함할 수 있다.Further, the method for preventing contamination of a process chamber according to the present invention may further include: a replacement shield liner preparing step of preparing a clean replacement shield liner in an inner space of the second load lock chamber using the contamination preventing apparatus of the process chamber according to the present invention; The first process chamber opening / closing means opens between the inner space of the process chamber and the inner space of the first load lock chamber, and the first liner replacing means withdraws the contaminated shield liner located in the inner space of the process chamber, The first process chamber opening and closing means closing between the inner space of the process chamber and the inner space of the first load lock chamber; And the second process chamber opening / closing means opens between the inner space of the process chamber and the inner space of the second load lock chamber, and the second liner replacement means opens the inner space of the replacement load lock chamber And an alternative shield liner seating step in which the second process chamber opening and closing means closes the space between the inner space of the process chamber and the inner space of the second load lock chamber.
바람직하게는 상기 오염된 실드 라이너 인출 단계는, 상기 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키고, 상기 교체 실드 라이너 안착 단계는, 상기 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시킬 수 있다.Preferably, the contaminated shield liner withdrawing step forms a vacuum state in the internal space of the first load lock chamber before the first process chamber opening / closing means opens the internal space of the process chamber, The seating step may form a vacuum in the inner space of the second load lock chamber before the second process chamber opening / closing means opens the inner space of the process chamber.
그리고 상기 오염된 실드 라이너 인출 단계 이후에, 제1 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간과 제1 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 제1 라이너 교체 수단이 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 제1 실드 라이너 보관대의 빈 층에 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계를 더 포함할 수도 있다.And after the contaminated shield liner withdrawing step, the first load lock chamber opening / closing means opens between the inner space of the first load lock chamber and the outer space where the first shield liner storage base is located, And drawing the contaminated shield liner stored in the internal space of the first load lock chamber to insert the polluted shield liner into the empty layer of the first shield liner storage and storing the contaminated shield liner.
바람직하게는 상기 제1 라이너 교체 수단이 상기 제1 실드 라이너 보관대에 다음번의 오염된 실드 라이너의 삽입이 가능하도록 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함할 수도 있다.Preferably, the first liner replacing means may further include a step of transporting the shield liner storage unit at a layer interval so that the next contaminated shield liner can be inserted into the first shield liner storage unit.
또한 상기 교체 실드 라이너 준비 단계 이전에, 제2 실드 라이너 보관대에 깨끗한 교체 실드 라이너가 적어도 하나 이상 삽입되어 보관되는 교체 실드 라이너 보관 단계를 더 포함할 수 있다.Further, before the replacement shield liner preparation step, the replacement shield liner storage step may be further provided in which at least one clean replacement shield liner is inserted and stored in the second shield liner storage stand.
바람직하게는 상기 교체 실드 라이너 안착 단계 이후에, 상기 제2 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 제2 라이너 교체 수단이 제2 실드 라이너 보관대에 보관된 교체 실드 라이너를 인출하여 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 제2 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 폐쇄시키는 단계를 더 포함할 수 있다.Preferably, after said replacement shield liner seating step, said second load lock chamber opening / closing means opens between an inner space of said second load lock chamber and an outer space in which said second shield liner stand is located, The replacement means pulls out the replacement shield liner stored in the second shield liner storage unit and transfers it to the inner space of the second load lock chamber, and the second load lock chamber opening / And closing the space between the outer spaces where the second shield liner stand is located.
나아가서 상기 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 실드 라이너 보관대에 보관된 다음번의 교체 실드 라이너의 인출이 가능하도록 상기 제2 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함할 수도 있다.Further comprising the step of transferring the second shield liner storage unit at a layer interval so that the second liner replacement unit can take out the next replacement shield liner stored in the second shield liner storage unit.
보다 바람직하게는 상기 오염된 실드 라이너 인출 단계부터 상기 교체 실드 라이너 안착 단계는, 상기 프로세스 챔버의 기판 교체시에 수행될 수 있다.
More preferably, the replacement shield liner seating step from the contaminated shield liner withdrawing step can be performed upon substrate replacement of the process chamber.
이와 같은 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리 장치의 기판 처리 공정의 중단 없이 프로세스 챔버의 오염을 제거하는 방안을 도입하여 플라즈마 처리 장치의 제품 양산 능력을 더욱 높이면서 전체적인 비용을 절감시킬 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to reduce contamination of the process chamber without interrupting the substrate processing process of the plasma processing apparatus, thereby further improving the mass productivity of the plasma processing apparatus and reducing the overall cost.
특히, 프로세스 챔버와 RF 윈도우 등이 직접적으로 오염에 노출되는 것을 차단하는 클리닝 실드를 저렴한 비용으로 도입하여 프로세스 챔버 세척 비용을 절감시키며, 또한 프로세스 챔버의 내부 공간에 형성된 공정 환경을 유지시키면서 오염된 클리닝 실드를 깨끗한 클리닝 실드로 교체할 수 있어 플라즈마 처리 장치의 제품 양산 능력을 더욱 높일 수 있게 된다.
Particularly, a cleaning shield that prevents the process chamber and the RF window from being directly exposed to contamination is introduced at a low cost, thereby reducing the cleaning cost of the process chamber. Further, while maintaining the process environment formed in the inner space of the process chamber, The shield can be replaced with a clean cleaning shield, thereby further enhancing the mass production capability of the plasma processing apparatus.
도 1은 플라즈마 처리 장치에서 증착 및 에칭 공정 수행에 따라 프로세스 챔버가 오염되는 개념도를 도시하며,
도 2는 종래기술에 따른 플라즈마 처리 장치의 프로세스 챔버를 세척하기 위한 구성도를 도시하며,
도 3은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제1 실시예를 도시하며,
도 4는 상기 제1 실시예에서 가스 공급을 위한 가스 주입로가 형성된 실시예를 도시하며,
도 5는 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제2 실시예를 도시하며,
도 6은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제3 실시예를 도시하며,
도 7은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제4 실시예를 도시하며,
도 8은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제5 실시예를 도시하며,
도 9는 상기 도 8의 제5 실시예를 이용하여 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 수행하는 과정을 도시하며,
도 10은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제6 실시예를 도시하며,
도 11 및 도 12는 상기 도 10의 제6 실시예에서 라이너 교체 수단의 실시예에 대한 동작도를 도시하며,
도 13은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제7 실시예를 도시하며,
도 14는 상기 도 11의 제7 실시예를 이용하여 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 수행하는 과정을 도시한다.1 shows a conceptual diagram of a process chamber being contaminated by performing a deposition and an etching process in a plasma processing apparatus,
Figure 2 shows a schematic diagram for cleaning the process chamber of a plasma processing apparatus according to the prior art,
3 shows a first embodiment of a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to the present invention,
Fig. 4 shows an embodiment in which the gas injection path for gas supply is formed in the first embodiment,
5 shows a second embodiment of a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to the present invention,
6 shows a third embodiment of a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to the present invention,
7 shows a fourth embodiment of a plasma processing apparatus equipped with a contamination preventing apparatus for a process chamber according to the present invention,
8 shows a fifth embodiment of a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to the present invention,
FIG. 9 shows a process of performing a contamination prevention method for a process chamber using the fifth embodiment of FIG. 8,
10 shows a sixth embodiment of a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to the present invention,
Figs. 11 and 12 show operation diagrams of an embodiment of liner changing means in the sixth embodiment of Fig. 10,
13 shows a seventh embodiment of a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to the present invention,
FIG. 14 shows a process of performing a method of preventing contamination of a process chamber using the seventh embodiment of FIG.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings.
먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.First, the terminology used in the present application is used only to describe a specific embodiment, and is not intended to limit the present invention, and the singular expressions may include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. Also, in this application, the terms "comprise", "having", and the like are intended to specify that there are stated features, integers, steps, operations, elements, parts or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
본 발명은 프로세스 챔버의 유효 플라즈마 공간 내에 클리닝 실드를 배치하여 플라즈마 처리 장치에서 플라즈마 공정 수행에 따라 발생되는 오염 물질에 프로세스 챔버와 RF 윈도우 등이 직접 노출되는 것을 차단함으로써 프로세스 챔버와 RF 윈도우 등의 오염을 방지하고 오염된 클리닝 실드는 용이하게 교체할 수 있는 방안을 개시한다.
A cleaning shield is disposed in an effective plasma space of a process chamber to prevent a process chamber, an RF window, and the like from being directly exposed to contaminants generated in a plasma processing apparatus, And the contaminated cleaning shield can be easily replaced.
도 3은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치의 제1 실시예를 도시한다.Fig. 3 shows a first embodiment of a plasma processing apparatus provided with a contamination prevention apparatus for a process chamber according to the present invention.
상기 제1 실시예와 이하에서 살펴볼 실시예들에 도시된 플라즈마 처리 장치(100)는 유도결합형 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나(140)를 구비하며, 그와 별도로 자석 또는 코일(160)에 의해 자기장을 인가하여 자화 플라즈마의 특성을 이용하여 고밀도 플라즈마를 얻을 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치(100)로서, 본 발명자는 이를 M-ICP(Magnetized Inductively Coupled Plasma) 장치라 명명하였으며, 이의 기본적인 구성에 관해서는 본 발명자가 제안한 등록특허 제10-178847호를 인용한다.The
상기 제1 실시예와 이하에서 살펴볼 실시예들에서는 M-ICP에 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 적용하였으나, 이는 하나의 실시예에 불과하며 다양한 방식의 플라즈마 처리 장치에 본 발명이 적용될 수 있다.In the first and second embodiments of the present invention, the contamination prevention apparatus for the process chamber according to the present invention is applied to the M-ICP. However, this is only one embodiment and the present invention is applied to various types of plasma processing apparatuses .
본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치는, 프로세스 챔버(120)의 내부 공간에 위치되어 프로세스 챔버(120)와 RF 윈도우(130) 등이 오염 물질에 직접 노출되는 것을 방지하는 클리닝 실드(200)를 포함한다.The apparatus for preventing contamination of the process chamber according to the present invention includes a
클리닝 실드(200)는 실드 바디(220)와 실드 라이너(210)를 포함하여 구성될 수 있으며, 실드 바디(220)는 내부가 관통되어 공간이 형성된 구조로서 프로세스 챔버(120)의 내부 공간 형태와 처리 공정이 수행될 기판(50)의 형태 등에 대응하여 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The
그리고 실드 라이너(210)는 RF 윈도우(130)의 하부 상에 위치하며 실드 바디(220)의 상부에 안착되어 클리닝 실드(200)의 내부 공간(250)이 형성되는데, 실드 바디(220)의 길이 조절에 따라 상기 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 RF 윈도우(130)와 실드 라이너(210) 사이에 충분한 공간이 형성될 수도 있으나, 바람직하게는 상기 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 실드 라이너(210a)가 RF 윈도우(130)의 하부에 거의 밀착되거나 근접할 정도로 실드 바디(220a)의 길이가 조절됨으로써 클리닝 실드(200)의 내부 공간(250)이 보다 충분하게 확보될 수 있다.The
여기서 클리닝 실드(200)의 내부 공간(250)은 프로세스 챔버(120)에 인입된 기판(50)이 위치되는 공간과 기판(50)의 상부에 형성되는 플라즈마 유효 공간을 포함하는 것이 바람직하며, 플라즈마 공정 수행에 영향을 미치지 않도록 실드 라이너(210)는 세라믹(Ceramic) 또는 유리 등의 물질로 형성시키며, 실드 바디(220)는 세라믹(Ceramic) 또는 유리 등의 물질뿐만 아니라 금속 물질로도 형성시킬 수 있다.The
또한 클리닝 실드(200)가 프로세스 챔버(120) 내에 위치될 수 있도록 프로세스 챔버(120) 내에는 클리닝 실드(200)를 지지하는 클리닝 실드 안착부(170)가 형성될 수도 있다.A
도 4는 상기 제1 실시예에서 가스 공급을 위한 가스 주입로가 형성된 실시예를 도시하는데, 상기 도 3에 도시된 제1 실시예와 같이 실드 라이너(210)가 평판 형태로 형성된 경우에 상기 도 4에 도시된 바와 같이 클리닝 실드(200)의 내부 공간 상에 반응 가스를 공급하기 위해 실드 바디(220)의 하부 상의 프로세스 챔버(120) 하단부 일측에 가스 주입로(710)를 형성시키고, 실드 바디(220)의 하부 상의 프로세스 챔버(120) 하단부 타측에 가스 배출로(750)를 형성시켜, 가스 주입로(610)를 통해 클리닝 실드(200)의 내부 공간 상으로 반응 가스의 공급이 가능해진다.FIG. 4 illustrates an embodiment in which the gas injection path for gas supply is formed in the first embodiment. In the case where the
이와 같은 경우에 클리닝 실드(200)의 내부 공간 상에서 가스 주입로(710)에 인접한 일정 공간은 반응 가스의 밀도가 상대적으로 높아지고 가스 주입로(710)와 먼 공간은 반응 가스의 밀도가 상대적으로 낮아질 수 있다.In this case, the density of the reactive gas is relatively high in a certain space adjacent to the gas injection path 710 in the inner space of the
따라서 본 발명에서는 클리닝 실드를 적용하면서도 반응 가스 공급이 전체적으로 고루 이루어질 수 있도록 클리닝 실드를 변형시키는데, 이와 관련하여 도 5는 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제2 실시예를 도시한다.Therefore, in the present invention, the cleaning shield is deformed so that the reactive gas can be uniformly supplied while applying the cleaning shield. In this regard, FIG. 5 is a schematic view of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, Fig.
앞서 살펴본 바와 같이 실드 바디(220)와 실드 라이너(210)로 구성된 클리닝 실드(200)의 내부 공간(250)은 플라즈마 유효 공간을 포함하므로 플라즈마 처리 공정 수행을 위한 반응 가스가 클리닝 실드(200)의 내부 공간(250) 상에 균일하게 주입되는 것이 공정 효율을 위해 바람직한데, 이를 위해 상기 도 5에 도시된 제2 실시예에서는 클리닝 실드(200b)의 내부 공간(250)에 반응 가스를 주입시키기 위해 실드 라이너(210b)에 관통홀(215)이 형성되어 있다. 실드 라이너(210b)에는 관통홀(215)이 하나만 형성될 수도 있지만 관통홀(215)의 수가 적은 경우에 원활한 반응 가스 공급을 위해 실드 라이너(210b)의 관통홀(215) 직경이 그만큼 커질 필요가 있고 이로 인해 오염 입자가 관통홀(215)를 통해 RF 윈도우(130) 등을 오염시킬 수 있으므로 관통홀(215)을 가능한 작은 사이즈로 형성하되 충분한 가스 공급이 이루어질 수 있도록 복수개 형성시키는 것이 바람직하다.Since the
이와 같이 실드 라이너(210b)에 관통홀(215)이 형성되어 관통홀(215)을 통해 반응 가스를 공급하는 경우에 실드 라이너(210b)가 가스분배판(GDP; Gas Dispersion Plate)을 대체하는 구성이 될 수도 있다.The through
나아가서 상기 도 5의 제2 실시예와 같이 실드 라이너(210b)의 관통홀(215)을 통해 반응 가스를 클리닝 실드(200b)의 내부 공간(250)으로 공급하는 경우에 보다 원활한 가스 공급을 위해서 실드 라이너(210b)의 관통홀(215) 직경이 넓어질 수 있는데, 관통홀(215) 직경이 넓어질수록 플라즈마 공정에서 발생하는 오염물질이 관통홀(215)을 통해 유출되어 RF 윈도우(130)와 프로세스 챔버(120)의 내측 벽면을 오염시킬 수 있으므로 본 발명에서는 보다 안정적으로 RF 윈도우(130)와 프로세스 챔버(120)의 내측 벽면의 오염을 방지할 수 있는 클리닝 실드를 제시하는데, 도 6에 도시된 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제3 실시예를 참조하여 이를 살펴보기로 한다.When the reactive gas is supplied into the
상기 도 6의 제3 실시예에서는 클리닝 실드(200c)가 제1 실드 라이너(230c), 제2 실드 라이너(210c) 및 실드 바디(220c)를 포함하여 구성된다.In the third embodiment shown in FIG. 6, the
제1 실드 라이너(230c)는 평판 형태로서 가능한 RF 윈도우(130)의 하부에 밀착되거나 근접하는 것이 바람직하며, 제2 실드 라이너(210c)는 제1 실드 라이너(230c)의 하부에 이격되어 위치되며 앞서 상기 도 5의 제2 실시예에 살펴본 바와 같이 관통홀(215)이 형성되어 실드 바디(220c)의 상부에 안착된다.The
제1 실드 라이너(230c)와 제2 실드 라이너(210c) 사이를 이격시켜서 제1 실드 라이너(230c)를 지지시키기 위해서 상기 도 6에는 도시되지 않았으나 제2 실드 라이너(210c)의 상면에 제1 실드 라이너(230c)를 지지시키기 위한 지지 다리가 형성될 수 있으며, 나아가서 제1 실드 라이너(230c)와 제2 실드 라이너(210c)는 지지 다리로 연결된 일체형으로 형성될 수도 있다.The
그리고 제1 실드 라이너(230c)와 제2 실드 라이너(210c) 사이의 이격 공간은 반응 가스가 공급되는 가스 유동로(235)가 될 수 있으며, 가스 유동로(235)로 반응 가스를 주입시켜 제2 실드 라이너(210c)의 관통홀(215)을 통해 클리닝 실드(200c)의 내부 공간(250)으로 반응 가스를 공급할 수 있다.The space between the
상기 실시예와 같이 본 발명에 따른 클리닝 실드는 그 내부 공간이 플라즈마 유효 공간을 포함하면서 원활한 반응 가스의 공급이 이루어질 수 있는 다양한 형태로 변형이 가능할 것이다.As in the above embodiment, the cleaning shield according to the present invention may be modified into various forms in which the inner space of the cleaning shield includes a plasma effective space and smooth reaction gas can be supplied.
이와 같이 본 발명에서는 플라즈마 처리 장치에서 공정의 수행 중에 프로세스 챔버와 RF 윈도우 등이 오염 물질에 직접적으로 노출되지 않도록 클리닝 실드를 프로세스 챔버 내에 도입시켜 프로세스 챔버와 RF 윈도우 등의 오염을 방지할 수 있다.
As described above, in the plasma processing apparatus, a cleaning shield may be introduced into the process chamber to prevent contamination of the process chamber, the RF window, and the like so that the process chamber, the RF window, and the like are not directly exposed to the contaminant during the process.
나아가서 플라즈마 처리 장치의 공정 수행에 따라 클리닝 실드가 오염되면 세척 가스를 이용하여 클리닝 실드를 세척할 필요 없이 클리닝 실드를 단순히 교체함으로써 오염 잔류물을 제거할 수 있는데, 오염된 클리닝 실드를 교체하기 위해서 프로세스 챔버를 분해하여 오염된 클리닝 실드를 깨끗한 클리닝 실드로 교체할 수도 있지만 본 발명에서는 프로세스 챔버를 분해하지 않고 간단하게 클리닝 실드를 교체하는 방안을 제시한다. 이에 대하여 도 7에 도시된 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제4 실시예를 참조하여 살펴보기로 한다.Furthermore, if the cleaning shield is contaminated in accordance with the process of the plasma processing apparatus, the contamination residue can be removed by simply replacing the cleaning shield without using a cleaning gas to clean the cleaning shield. In order to replace the contaminated cleaning shield, Although the chamber may be disassembled to replace the contaminated cleaning shield with a clean cleaning shield, the present invention proposes a simple replacement of the cleaning shield without disassembling the process chamber. The plasma processing apparatus having the apparatus for preventing contamination of the process chamber according to the present invention shown in FIG. 7 will be described with reference to a fourth embodiment.
상기 도 7의 제4 실시예는 상기 도 3의 제1 실시예의 클리닝 실드를 적용하는 경우로서 클리닝 실드에 대한 대한 반복적인 설명은 생략하기로 하며, 나아가서 상기 도 5의 제2 실시예와 상기 도 6의 제3 실시예에서 제시된 클리닝 실드도 적용될 수 있으나 이의 적용에 대해서는 상기 도 7의 제4 실시예를 통해 유추될 수 있으므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.The fourth embodiment of FIG. 7 is a case of applying the cleaning shield of the first embodiment of FIG. 3, and a repetitive description of the cleaning shield will be omitted. Further, the second embodiment of FIG. The cleaning shield shown in the third embodiment of FIG. 6 can also be applied, but its application can be inferred through the fourth embodiment of FIG. 7, so a detailed description will be omitted.
상기 도 7의 제4 실시예에서는 클리닝 실드(200)의 실드 라이너(210)를 간단히 교체하기 위해서 프로세스 챔버(120)의 측면 일부분을 개폐하는 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 형성시켜 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 클리닝 실드(200)의 실드 라이너(210)를 용이하게 교체할 수 있다.In the fourth embodiment of FIG. 7, the process chamber opening / closing means 300 for opening and closing a part of the side surface of the
여기서 프로세스 챔버 개폐수단(300)은 클리닝 실드(200)의 전체 교체를 위해 실드 바디(220)와 실드 라이너(210)가 통과될 수 있을 정도의 사이즈로 프로세스 챔버(120)의 측면에 형성될 수도 있지만, 보다 바람직하게는 실드 바디(220)는 제외하고 실드 라이너(210)만의 교체가 가능한 사이즈로 프로세스 챔버(120)의 측면에 프로세스 챔버 개페수단(300)이 형성될 수 있다.The process chamber opening and closing means 300 may be formed on the side of the
실질적으로 플라즈마 처리 장치(100)에서 에칭 공정을 수행하는 경우에 기판(50)의 에칭에 따라 발생되는 오염 물질들은 주로 기판(50)의 상부 방향으로 발생하기 때문에 이로 인해 실드 바디(220)보다는 실드 라이너(210)의 오염이 심해지며, 나아가서 RF 윈도우(130)의 오염이나 RF 윈도우(130)의 하부에 위치된 가스분배판(GDP)의 오염이 플라즈마 처리 장치(100)의 공정 수행에 가장 큰 영향을 미치게 되므로 실드 라이너(210)의 교체는 수시로 이루어질 필요가 있다.The contaminants generated in accordance with the etching of the
따라서 상기 도 7의 제4 실시예에서는 프로세스 챔버(120)의 측면에 형성된 프로세스 챔버 개폐수단(300)이 실드 라이너(210)의 사이즈에 대응되는 사이즈로 형성되어, 프로세스 챔버(120) 자체를 분해할 필요없이 프로세스 챔버(120)의 측면에 형성된 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 오염된 실드 라이너(210)를 용이하게 깨끗한 실드 라이너(211)로 교체할 수 있다.
Therefore, in the fourth embodiment of FIG. 7, the process chamber opening / closing means 300 formed on the side surface of the
한걸음 더 나아가서 클리닝 실드(200)의 교체를 위해서 프로세스 챔버 개폐수단(300)의 개방시에 프로세스 챔버(120)의 내부 공간에 형성된 공정 환경이 외부 대기압으로 변화되므로 다시 공정 수행을 위해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 공정 환경으로 만들어야 하는 불편함이 존재하고 이는 제품 생산성의 저하를 유발시키므로, 본 발명에서는 프로세스 챔버(120)의 내부 공간에 형성된 공정 환경을 유지시키면서 클리닝 실드(200)의 실드 라이너(210)를 교체할 수 있는 방안을 제시한다.The process environment formed in the inner space of the
이와 관련하여 도 8은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제5 실시예를 도시한다.In this regard, FIG. 8 shows a fifth embodiment of a plasma processing apparatus provided with a contamination prevention apparatus for a process chamber according to the present invention.
상기 도 8에 도시된 제5 실시예는 상기 도 7에 도시된 제4 실시예를 기반으로 변형된 구성이므로 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.Since the fifth embodiment shown in FIG. 8 is modified based on the fourth embodiment shown in FIG. 7, a description of the overlapping configurations will be omitted.
상기 도 8에 도시된 제5 실시예에서는, 로드락 챔버(400)를 도입하는데, 로드락 챔버(400)에는 프로세스 챔버 개폐수단(300)에 의해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간과 개방 또는 폐쇄되는 내부 공간(410)이 형성되며, 프로세스 챔버 개폐수단(300)에 의해 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)이 프로세스 챔버(120)의 내부 공간과 개방되는 경우, 개방전에 먼저 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)을 진공 분위기로 형성시켜서 프로세스 챔버 개폐수단(300)에 의해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간이 개방되더라도 프로세스 챔버(120)의 내부 공간에 형성된 공정 환경이 유지되도록 한다.8, the
이와 같이 로드락 챔버(400)를 이용하여 프로세스 챔버(120)의 공정 환경을 유지시키면서 클리닝 실드(200)의 실드 라이너(210)의 교체가 가능한데, 실드 라이너(210)의 교체를 위해 로드락 챔버(400)에는 라이너 교체 수단이 구비된다.The
상기 라이너 교체 수단은 실드 라이너(210)의 운반이 가능한 라이너 홀더(450)와 끝단에 라이너 홀더(450)가 연결되며 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간 상으로 신축 가능한 암(430)을 포함한다.The liner replacing means includes a
라이너 홀더(450)는 실드 라이너(210)의 운반을 위해 실드 라이너(210)를 선택적으로 파지하거나 흡착할 수 있는데, 가령 파지수단을 장착하여 실드 라이너(210)를 이송시키는 경우에 상기 파지수단이 신축되어 실드 라이너(210)를 파지하고, 실드 라이너(210)를 일정 위치에 내려놓는 경우에 상기 파지수단이 신장하도록 구성될 수 있으며, 이를 위해 공지된 로봇 손 등이 적용될 수 있을 것이다. 또는 흡착수단을 장착하여 실드 라이너(210)를 이송하거나 내려 놓을 시에 선택적인 압축 방식을 적용할 수도 있을 것이다.The
그리고 상기 라이너 교체 수단의 암(430)은 신장과 수축을 통해 로드락 챔버(400)의 내부 공간과 프로세스 챔버(120)의 내부 공간 간의 이동이 가능한데, 이를 위해 다단의 유압 실린더나 회절가능한 공지된 로봇 팔 등이 적용될 수 있을 것이다.The
이와 같은 로드락 챔버(400)와 로드락 챔버(400)에 배치된 라이너 교체 수단을 통해 프로세스 챔버(120)의 공정 환경을 유지하면서 실드 라이너(210)의 교체가 가능한데, 도 9에 도시된 상기 도 8의 제5 실시예를 이용하여 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 수행하는 과정을 통해 이를 살펴보기로 한다.The
플라즈마 처리 장치(100)의 공정 수행에 따라 프로세스 챔버(120)에 위치된 실드 라이너(210)가 오염된 경우에, 먼저 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)을 진공 상태로 형성한 후 프로세스 챔버 개폐수단(300a)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 개방시킨다. 그리고 상기 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이 라이너 교체 수단의 암(430)이 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간으로 신장하여 오염된 실드 라이너(210)에 도달하면 라이너 교체 수단의 라이너 홀더(450)가 오염된 실드 라이너(210)를 파지 또는 흡착하여 오염된 실드 라이너(212)의 이송을 준비한다.When the
다음으로 상기 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 라이너 홀더(450)가 오염된 실드 라이너(210)를 파지 또는 흡착한 상태에서 암(430)이 수축하여 오염된 실드 라이너(210)를 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)으로 이송한다.9 (b), when the
오염된 실드 라이너(210)가 제거되면 상기 도 9의 (c)와 같이 라이너 홀더(450)는 교체할 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 파지 또는 흡착하고, 상기 도 9의 (d)와 같이 암(430)이 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간으로 신장하여 실드 바디(220)의 상부에 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 위치시킨 후 라이너 홀더(450)가 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 실드 바디(220)의 상부에 안착시킨다. 그리고 암(430)이 다시 수축하여 로드락 챔버(400)로 회귀하면 프로세스 챔버 개폐수단(300)은 프로세스 챔버(120)를 폐쇄시킨다.When the contaminated
여기서, 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)은 오염된 실드 라이너(210)와 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 모두 수용할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)에 교체할 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 적어도 하나 이상 보유한 상태에서 프로세스 챔버(120)의 오염된 실드 라이너(210)를 로드락 챔버(400)로 이송하여 보관하면서 바로 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 프로세스 챔버(120)로 이송할 수 있도록 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)이 충분한 크기를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. Here, the
이와 같은 과정을 통해 프로세스 챔버(120)의 공정 환경을 유지시키면서 용이하게 오염된 실드 라이너(210)를 깨끗한 교체 실드 라이너(211)로 교체할 수 있다.Through this process, the contaminated
나아가서 본 발명에서는 보다 많은 교체 실드 라이너를 보관한 상태에서 바로 오염된 실드 라이너를 수시로 교체 가능하도록 실드 라이너를 보관하는 구성이 추가적으로 채용될 수도 있는데, 이와 관련하여 도 10은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제6 실시예를 도시한다.Further, in the present invention, a configuration may be further adopted in which the shield liner is stored so that the contaminated shield liner can be replaced immediately at a time when more replacement shield liner is stored. In this regard, 6 shows a sixth embodiment of a plasma processing apparatus provided with a contamination prevention device.
상기 도 10의 제6 실시예는 상기 도 9의 제5 실시예에 오염된 실드 라이너와 깨끗한 교체 실드 라이너를 보관하기 위한 실드 라이너 보관대(550)를 추가한 구성인데, 실드 라이너 보관대(550)는 로드락 챔버(400)의 측면 외부 공간에 설치되며, 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)과 실드 라이너 보관대(550)가 위치된 외부 공간(510)은 로드락 챔버 개폐수단(600)을 통해 선택적으로 개방 또는 폐쇄된다.The sixth embodiment of FIG. 10 is the same as the fifth embodiment of FIG. 9 except that a shield
실드 라이너 보관대(550)는 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 보관하면서 프로세스 챔버(120)로부터 이송된 오염된 실드 라이너(212)를 보관할 수 있는데, 여기서 실드 라이너 보관대(550)는 로드락 챔버(400)의 측면 중 프로세스 챔버(120)가 연결되는 측면의 반대쪽 측면 외부에 위치되어야 실드 라이너의 이송이 용이할 것이나 장비가 배치되는 공간적 상황에 따라 실드 라이너 보관대(550)는 로드락 챔버(400)의 측면 중 프로세스 챔버(120)가 연결되는 측면의 반대쪽 측면 외의 다른 측면 외부에 위치될 수도 있다.The
그리고 실드 라이너 보관대(550)에는 실드 라이너가 슬라이드 방식으로 삽입되어 실드 라이너를 지지시키기 위한 지지대(551)가 다층 구조로 형성되며 각 층마다 실드 라이너가 삽입되어 보관되는 공간(555)이 형성된다.The shield liner is inserted into the shield
여기서 실드 라이너 보관대(550)는 순차적으로 각층에 보관된 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 제공하고 동시에 프로세스 챔버(120)로부터 이송된 오염된 실드 라이너(212)를 빈 층에 삽입시켜 보관할 수 있는데, 이를 위해서 실드 라이너 보관대(550)를 층 간격으로 상하 이동시키는 보관대 이송 수단이 형성될 수 있으며, 상기 보관대 이송 수단은 상기 도 10에 도시된 바와 같이 이송 레일(530) 상에서 실드 라이너 보관대(550)가 지지되면서 수직으로 층 간격만큼 실드 라이너 보관대(550)를 이동시키는 모터(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.Here, the shield
이와 같은 상기 도 10의 제6 실시예에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하여 플라즈마 처리 장치(100)의 공정 수행 도중에도 실드 라이너의 교체가 가능한데, 즉 플라즈마 처리 장치(100)에서 기판(50)에 대한 처리 공정이 완료되어 처리할 다음 기판으로 교체하는 과정 중에 상기 도 10의 제6 실시예에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하여 실드 라이너의 교체가 가능해진다.The shield liner can be replaced even during the process of the
이와 관련하여 도 11과 도 12에 도시된 상기 도 10의 제6 실시예를 적용하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 수행하는 과정을 참조하면, 먼저 실드 라이너 보관대(550)의 각 층에 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 삽입시켜 보관시키는데, 이때 프로세스 챔버(120)로부터 오염된 실드 라이너(212)를 보관하기 위해서 실드 라이너 보관대(550)의 어느 하나의 층은 빈 상태로 남겨 두는 것이 바람직하다. 또한 실드 라이너 보관대(550)의 상부 또는 하부로부터 순차적으로 오염된 실드 라이너(212)를 보관하면서 동시에 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 제공하기 위한 효율을 고려할 때 실드 라이너 보관대(550)의 첫번째 층 또는 마지막 층을 빈 상태로 남겨 두는 것이 효과적이다. 그리고 상기 보관대 이송 수단은 실드 라이너 보관대(550)의 빈 층이 라이너 교체 수단의 암(430)이 이동하는 수평 공간 상에 위치되도록 실드 라이너 보관대(550)를 이동시킨다.Referring to the process of performing the contamination prevention method of the process chamber according to the sixth embodiment shown in FIGS. 11 and 12 shown in FIGS. 11 and 12, first, a clean replacement shield The
또한 프로세스 챔버(120)의 공정 환경을 유지시키면서 프로세스 챔버(120)에서 기판(50)의 교체시에 실드 라이너의 교체가 이루어질 수 있도록 하나의 교체 실드 라이너(211)는 로드락 챔버(400) 내부 공간 상에 보관시키는 것이 바람직하다. 이를 위해 로드락 챔버(400)에는 깨끗한 교체 실드 라이너(211)와 프로세스 챔버(120)로부터 인출된 오염된 실드 라이너(210)를 동시에 보관 가능한 공간이 확보될 필요가 있다.One
로드락 챔버(400)의 내부 공간에 교체 실드 라이너(211)를 보관한 상태에서 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)을 진공으로 형성시키고, 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 개방시킨다.The
그리고 상기 도 11의 (a)와 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이 라이너 교체 수단의 암(430)이 프로세스 챔버(120)의 내부 공간으로 신장하여 라이너 홀더(450)가 오염된 실드 라이너(210)를 흡착한 후 상기 도 11의 (b)와 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이 암(430)이 수축하여 프로세스 챔버(120)로부터 오염된 실드 라이너(210)를 인출하는데, 상기 도 11과 상기 도 12의 실시예에서는 라이너 교체 수단의 암(430)은 회절하는 방식의 로봇 팔을 적용하였으며, 라이너 홀더(430)는 실드 라이너의 상면을 흡착하는 방식을 적용하였다.The
상기 도 11의 (b)와 상기 도 12의 (b)에 따른 과정을 수행하여 상기 라이너 교체 수단은 프로세스 챔버(120)로부터 오염된 실드 라이너(210)를 인출하고 이를 로드락 챔버(400)로 이송한 후 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410) 상에 오염된 실드 라이너(210)를 보관시킨다. 그리고 상기 도 11의 (c)와 상기 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이 상기 라이너 교체 수단은 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410) 상에 보관된 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 흡착한 후 상기 도 11의 (d)와 상기 도 12의 (d)에 도시된 바와 같이 라이너 홀더(430)가 교체 실드 라이너(211)를 흡착한 상태에서 암(430)이 프로세스 챔버(120)의 내부 공간으로 신장하여 교체 실드 라이너(211)를 실드 바디(220)의 상부까지 이송한 후 라이너 홀더(430)의 흡착을 풀어 실드 바디(220)의 상부에 교체 실드 라이너(211)를 안착시킨다. 정상적으로 실드 바디(220) 상부에 교체 실드 라이너(211)가 안착되면, 암(430)은 다시 로드락 챔버(400)로 회귀하고 프로세스 챔버 개폐수단(300)이 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 폐쇄시킨다.11B and 12B, the liner replacement means withdraws the contaminated
바람직하게는 상기 도 11의 (a) 내지 (d)와 상기 도 12의 (a) 내지 (d)에 도시된 과정은 프로세스 챔버(120)의 내부 공간에서 기판(50)이 교체되는 과정 중에 수행될 수 있다.Preferably, the processes shown in FIGS. 11A to 11D and FIGS. 12A to 12D are performed during the process of replacing the
나아가서 프로세스 챔버 개폐수단(300)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간과 로드락 챔버(400)의 내부 공간 간의 연결이 차폐된 후 상기 도 11의 (e)와 상기 도 12의 (e)에 도시된 바와 같이 로드락 챔버 개폐수단(600)을 통해 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)과 실드 라이너 보관대(550)가 위치하는 외부 공간(510) 간을 개방시키고, 상기 라이너 교체 수단이 로드락 챔버(400)의 내부 공간(410)에 보관된 오염된 실드 라이너를 실드 라이너 보관대(550)의 빈 층에 슬라이드 방식으로 삽입시켜 실드 라이너 보관대(550)의 지지대(551)에 오염된 실드 라이너(212)를 보관시킨다. 바람직하게는 다음 실드 라이너의 교체를 위해서 실드 라이너 보관대(550)에 보관된 깨끗한 교체 실드 라이너(213) 하나를 상기 라이너 교체 수단이 인출하여 로드락 챔버(400)의 내부 공간에 보관시킬 수도 있다.11 (e) and FIG. 12 (e) after the connection between the inner space of the
이와 같은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 통해 프로세스 챔버 상의 공정 환경을 유지시키면서 프로세스 챔버 내에서 처리 기판의 교체시에 오염된 실드 라이너의 교체가 가능해진다.
The method for preventing contamination of a process chamber according to the present invention enables replacement of the contaminated shield liner upon replacement of the process substrate in the process chamber while maintaining the process environment on the process chamber.
한걸음 더 나아가서 본 발명에서는 프로세스 챔버의 공중 수행이 실드 라이너의 교체로 인해 지체되지 않도록 보다 빠른 속도로 오염된 실드 라이너를 깨끗한 실드 라이너로 교체시키는 방안을 제시하는데, 이와 관련하여 도 13은 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치가 구비된 플라즈마 처리 장치에 대한 제7 실시예를 도시한다.Further, in the present invention, the present invention proposes to replace the contaminated shield liner with a clean shield liner at a faster rate so that the air performance of the process chamber is not delayed due to replacement of the shield liner. In this regard, And a plasma processing apparatus equipped with an apparatus for preventing contamination of a process chamber according to a seventh embodiment of the present invention.
상기 도 13의 제7 실시예에서는 프로세스 챔버(120)의 일측면에 제1 로드락 챔버(400a)와 제1 실드 라이너 보관대(550a)를 형성하고 프로세스 챔버(120)의 타측면에 제2 로드락 챔버(400b)와 제2 실드 라이너 보관대(550b)를 형성시켰는데, 기본적인 구성은 앞서 살펴본 도 10의 제6 실시예의 구성과 동일하지만, 제1 로드락 챔버(400a)와 제1 실드 라이너 보관대(550a)는 프로세스 챔버(120)로부터 오염된 실드 라이너(212)를 인출하여 보관하며, 제2 로드락 챔버(400b)와 제2 실드 라이너 보관대(550b)는 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 프로세스 챔버(120)로 제공하게 된다.13, the first
상기 도 13의 제7 실시예를 통해 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 수행하는 과정을 도 14를 참조하여 살펴보기로 한다.The process of performing the contamination prevention method of the process chamber through the seventh embodiment of FIG. 13 will be described with reference to FIG.
먼저 제1 로드락 챔버(400a)의 내부 공간(410a)과 제2 로드락 챔버(400b)의 내부 공간(410b)을 진공 상태로 형성시킨다. 이때 제2 로드락 챔버(400b)에는 미리 깨끗한 교체 실드 라이너(211)가 준비된다.The
그리고 상기 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이 제1 프로세스 챔버 개폐수단(300a)을 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 제1 로드락 챔버(400a)의 내부 공간(410a)에 개방시키고, 제2 프로세스 챔버 개폐수단(300b)를 통해 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 제2 로드락 챔버(400b)의 내부 공간(410b)에 개방시킨 후 제1 로드락 챔버(400a)에 위치된 제1 라이너 교체 수단의 암(410a)과 라이너 홀더(450a)를 통해 프로세스 챔버(120)에서 오염된 실드 라이너(210)를 인출하여 제1 로드락 챔버(400a)로 이송한다. 14A, the inner space of the
상기 도 14의 (a)에 도시된 과정이 수행되는 동시에 상기 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 로드락 챔버(400b)에 위치된 제2 라이너 교체 수단의 암(410b)과 라이너 홀더(450b)를 통해 제2 로드락 챔버(400b)에 보관된 교체 실드 라이너(211)를 프로세스 챔버(120)의 내부 공간으로 이송시켜 실드 바디(220)의 상부에 안착시킨 후 실드 바디(220)의 상부에 교체 실드 라이너(211)가 정상적으로 안착되면 상기 제2 라이너 교체 수단은 제2 로드락 챔버(400b)로 회귀한다.The process shown in FIG. 14A is performed while the
그리고 제1 프로세스 챔버 개폐수단(300a)과 제2 프로세스 챔버 개폐 수단(300b)은 프로세스 챔버(120)의 내부 공간을 폐쇄시킨다.The first process chamber opening / closing means 300a and the second process chamber opening / closing means 300b close the inner space of the
추가적으로 상기 도 14의 (c)에 도시된 바와 같이 프로세스 챔버(120)로부터 인출되어 제1 로드락 챔버(400a)에 보관중이던 오염된 실드 라이너(210)를 제1 실드 라이너 보관대(550a)로 이송하기 위해 제1 로드락 챔버 개폐수단(600a)을 통해 제1 로드락 챔버(400a)의 내부 공간(410a)을 제1 실드 라이너 보관대(550a)가 위치하는 외부 공간(510a)에 개방시킨 후 상기 제1 라이너 교체 수단이 제1 로드락 챔버(400a)에서 오염된 실드 라이너(210)를 인출하여 제1 실드 라이너 보관대(550a)의 빈 층에 보관시킨다.The contaminated
또한 다음번의 실드 라이너 교체를 위해서 제2 로드락 챔버 개폐수단(600b)을 통해 제2 로드락 챔버(400b)의 내부 공간(410b)을 제2 실드 라이너 보관대(550b)가 위치하는 외부 공간(510b)에 개방시킨 후 상기 제2 라이너 교체 수단이 제2 실드 라이너 보관대(550b)에서 깨끗한 교체 실드 라이너(213)를 인출하여 제2 로드락 챔버(400b)의 내부 공간(410b)으로 이송시킨다.The
오염된 실드 라이너(210)의 보관과 교체 실드 라이너(213)의 준비가 끝나면, 상기 도 14의 (d)에 도시된 바와 같이 제1 로드락 챔버 개폐수단(600a)은 제1 로드락 챔버(400a)의 내부 공간(410a)을 폐쇄시키고 제2 로드락 챔버 개폐수단(600a)은 제2 로드락 챔버(400b)의 내부 공간(410b)을 폐쇄시켜 다음번의 실드 라이너 교체를 위한 대기에 들어간다.Storage and Replacement of the Contaminated
나아가서 상기 도 14의 (d)에 도시된 바와 같이 다음번의 오염된 실드 라이너 보관을 위해서 제1 실드 라이너 보관대(550a)를 한층 간격만큼 수직 상승시키는데, 만약 제1 실드 라이너 보관대(550a)의 맨 아래층부터 순차적으로 오염된 실드 라이너(212)를 보관하는 경우에는 오염된 실드 라이너(212)가 보관될때마다 한층 간격만큼 제1 실드 라이너 보관대(550a)를 수직 하강시킬 수도 있다.Further, as shown in FIG. 14 (d), the first shield
또한 다음번 교체 실드 라이너의 인출을 용이하게 수행하기 위해서 제2 실드 라이너 보관대(550b)를 한층 간격만큼 수직 상승시킨다. 물론 원활한 교체 실드 라이너(213)의 공급을 위해서 사전에 제2 실드 라이너 보관대(550b)의 각 층에는 교체 실드 라이너(213)를 삽입하여 보관시키는 과정이 선행되어야 한다. 만약 제2 실드 라이너 보관대(550b)의 맨 아래층부터 순차적으로 교체 실드 라이너(213)를 인출하는 경우에는 교체 실드 라이너(213)가 인출될때마다 한층 간격만큼 제2 실드 라이너 보관대(550b)를 수직 하강시킬 수도 있다.Further, the second shield
이와 같이 프로세스 챔버(120)의 양측에 실드 라이너를 교체하기 위한 구성을 배치함으로써 한측에서는 프로세스 챔버(120)로부터 오염된 실드 라이너(210)를 인출하고 다른 한측에서는 프로세스 챔버(120)로 깨끗한 교체 실드 라이너(211)를 제공함으로써 보다 실드 라이너의 교체 시간을 더욱 단축시킬 수 있게 된다.By disposing the configuration for replacing the shield liner on both sides of the
또한 프로세스 챔버(120) 상에서 기판(50) 처리 공정이 수행된 후 다음 처리할 기판으로 교체하는 동안에 상기 도 14의 (a)와 (b)의 과정이 순차적으로 동시에 수행됨으로써 보다 빠른 시간내에 실드 라이너의 교체가 가능하며, 특히 프로세스 챔버 내에서 처리 기판의 교체가 이루어지는 짧은 시간 동안에 실드 라이너의 교체가 이루질 수 있어 플라즈마 처리 장치(100)의 전체적인 공정 수행이 정지없이 계속적으로 수행될 수 있게 된다.
14 (a) and 14 (b) are sequentially performed simultaneously while the
이상에서 살펴본 본 발명에 따른 프로세스 챔버의 오염 방지 장치와 이를 이용한 프로세스 챔버의 오염 방지 방법을 통해 플라즈마 처리 장치의 기판 처리 공정의 중단 없이 프로세스 챔버의 오염을 제거하는 방안을 도입하여 플라즈마 처리 장치의 제품 양산 능력을 더욱 높이면서 전체적인 비용을 절감시킬 수 있게 된다.
[0030] The present invention has been described in detail with reference to specific embodiments thereof, but it should be understood that variations and modifications can be effected within the spirit and scope of the invention. Thereby increasing the mass production capability and reducing the overall cost.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments of the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.
50 : 기판, 100 : 플라즈마 처리 장치,
120 : 프로세스 챔버, 130 : RF 윈도우,
140 : 안테나, 150 : 기판 홀더,
160 : 코일, 170 : 클리닝 실드 안착부,
200, 200a, 200b, 200c : 클리닝 실드,
210, 210a, 210b, 211, 212, 213 : 실드 라이너
215 : 관통홀,
210c : 제2 실드 라이너, 230c : 제1 실드 라이너,
220, 220a, 220c : 실드 바디, 250 : 클리닝 실드의 내부 공간,
300 : 프로세스 챔버 개폐수단,
300a : 제1 프로세스 챔버 개폐수단,
300b : 제2 프로세스 챔버 개폐수단,
400 : 로드락 챔버, 400a : 제1 로드락 챔버,
400b : 제2 로드락 챔버,
430, 430a, 430b : 암, 450, 450a, 450b : 라이너 홀더,
550 : 실드 라이너 보관대,
550a : 제1 실드 라이너 보관대, 550b : 제2 실드 라이너 보관대,
600 : 로드락 챔버 개폐수단,
600a : 제1 로드락 챔버 개폐수단,
600b : 제2 로드락 챔버 개폐수단,
710 :가스 주입로, 750 : 가스 배출로.50: substrate, 100: plasma processing apparatus,
120: process chamber, 130: RF window,
140: antenna, 150: substrate holder,
160: coil, 170: cleaning shield mounting part,
200, 200a, 200b, 200c: cleaning shield,
210, 210a, 210b, 211, 212, 213: shield liner
215: Through hole,
210c: a second shield liner, 230c: a first shield liner,
220, 220a, 220c: shield body, 250: inner space of the cleaning shield,
300: process chamber opening / closing means,
300a: first process chamber opening / closing means,
300b: second process chamber opening / closing means,
400: load lock chamber, 400a: first load lock chamber,
400b: a second load lock chamber,
430, 430a, 430b: arm, 450, 450a, 450b: liner holder,
550: Shield liner stand,
550a: first shield liner stand, 550b: second shield liner stand,
600: means for opening and closing the load lock chamber,
600a: first load lock chamber opening / closing means,
600b: second load lock chamber opening / closing means,
710: gas injection, 750: gas discharge.
Claims (25)
금속 또는 유전체 물질로 형성되고, 내부가 관통되어 공간이 형성된 실드 바디와; 유전체 물질로 형성되고, 상기 실드 바디의 상부에 안착되는 실드 라이너를 포함하는 클리닝 실드;
상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상에서 상기 실드 라이너를 인출하거나 인입하기 위해 상기 프로세스 챔버의 측면 일부분을 개방 또는 폐쇄하는 프로세스 챔버 개폐수단; 및
상기 실드 라이너의 교체를 위해 상기 프로세스 챔버 개폐수단을 통해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상에서 상기 실드 라이너를 인출하거나 인입하는 라이너 교체 수단을 포함하며,
상기 실드 바디에 상기 실드 라이너가 안착되어 형성되는 상기 클리닝 실드의 내부 공간은 상기 프로세스 챔버에 인입된 기판이 위치되는 공간과 상기 기판의 상부에 형성되는 플라즈마 유효 공간을 포함하여, 상기 클리닝 실드가 기판의 플라즈마 공정 수행에 따른 상기 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.A plasma processing apparatus, comprising:
A shield body formed of a metal or a dielectric material, the shield body having a space through which the inside is penetrated; A cleaning shield comprising a shield liner formed of a dielectric material and seated on top of the shield body;
A process chamber opening / closing means for opening or closing a side portion of the process chamber to draw out or draw in the shield liner in the internal space of the process chamber; And
And liner replacement means for withdrawing or withdrawing the shield liner from the internal space of the process chamber via the process chamber opening / closing means for replacement of the shield liner,
Wherein an inner space of the cleaning shield formed by seating the shield liner on the shield body includes a space in which the substrate drawn into the process chamber is positioned and a plasma effective space formed on the substrate, To prevent contamination of the process chamber due to the plasma process.
상기 프로세스 챔버 개폐수단에 의해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 개방 또는 폐쇄되는 내부 공간이 형성된 로드락 챔버를 더 포함하고,
상기 라이너 교체 수단은 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 위치되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.The method according to claim 1,
And a load lock chamber in which an internal space of the process chamber is opened and closed by the process chamber opening / closing means,
Wherein the liner replacement means is located in an internal space of the load lock chamber.
상기 라이너 교체 수단은,
상기 실드 라이너를 선택적으로 파지 또는 흡착하는 라이너 홀더와;
끝단에 상기 라이너 홀더가 연결되며 상기 프로세스 챔버 개폐수단을 통해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상으로 신축 가능한 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.The method of claim 3,
Wherein the liner replacement means comprises:
A liner holder for selectively grasping or adsorbing the shield liner;
And an arm which is connected to the liner holder at an end thereof and is extendable and retractable onto the inner space of the process chamber through the process chamber opening / closing means.
다층 구조로 형성되며, 각 층마다 실드 라이너가 슬라이드 방식으로 삽입되어 보관되는 공간이 형성된 실드 라이너 보관대;
상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 상하 이동시키는 보관대 이송 수단; 및
상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 로드락 챔버 개폐수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.5. The method of claim 4,
A shield liner storage unit formed in a multilayer structure and having a space in which a shield liner is slidably inserted and stored for each layer;
A storage unit transfer means for moving the shield liner storage unit up and down at a layer interval; And
Further comprising load lock chamber opening / closing means for opening / closing between an inner space of the load lock chamber and an outer space where the shield liner storage base is located.
상기 로드락 챔버는, 상기 프로세스 챔버의 양측면에 각각 연결되어 형성된 제1 로드락 챔버와 제2 로드락 챔버를 포함하며,
상기 라이너 교체 수단은, 상기 제1 로드락 챔버에 위치된 제1 라이너 교체 수단과 상기 제2 로드락 챔버에 위치된 제2 라이너 교체 수단을 포함하며,
상기 프로세스 챔버 개폐수단은, 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간을 개방 또는 폐쇄하는 제1 프로세스 챔버 개폐수단과 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간을 개방 또는 폐쇄하는 제2 프로세스 챔버 개폐수단을 포함하며,
상기 실드 라이너 보관대는, 상기 제1 로드락 챔버에 대응되어 위치된 제1 실드 라이너 보관대와 상기 제2 로드락 챔버에 대응되어 위치된 제2 실드 라이너 보관대를 포함하며,
상기 로드락 챔버 개폐수단은, 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제1 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 제1 로드락 챔버 개폐수단과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 제2 로드락 챔버 개폐수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the load lock chamber includes a first load lock chamber and a second load lock chamber formed on both sides of the process chamber,
Wherein said liner replacement means comprises a first liner replacement means located in said first load lock chamber and a second liner replacement means located in said second load lock chamber,
The process chamber opening / closing means includes a first process chamber opening / closing means for opening or closing an inner space of the process chamber and an inner space of the first load lock chamber, a second process chamber opening / closing means for opening / closing the inner space of the process chamber, And a second process chamber opening / closing means for opening or closing the space,
Wherein the shield liner stand comprises a first shield liner stand corresponding to the first load lock chamber and a second shield liner stand corresponding to the second load lock chamber,
The load lock chamber opening / closing means includes a first load lock chamber opening / closing means for opening / closing between an inner space of the first load lock chamber and an outer space where the first shield liner storage base is located, And a second load lock chamber opening / closing means for opening / closing between an inner space and an outer space where the second shield liner stand is located.
상기 실드 라이너는,
세라믹(Ceramic) 또는 유리로 형성되며,
상기 실드 바디는,
금속, 세라믹(Ceramic) 또는 유리로 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.The method according to claim 1,
In the shield liner,
Ceramic, or glass,
The shield body
Metal, ceramics or glass. ≪ Desc / Clms Page number 24 >
상기 실드 라이너는, RF 윈도우의 하면에 근접 또는 밀착되어 위치된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the shield liner is positioned close to or close to the lower surface of the RF window.
상기 실드 라이너는,
상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
In the shield liner,
Wherein at least one through hole for injecting a reaction gas into the inner space of the cleaning shield is formed.
상기 실드 라이너는,
평판 형태로 형성되며,
상기 실드 바디의 하부에 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 가스 주입로가 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
In the shield liner,
Formed in a flat plate shape,
And a gas injection path for injecting a reaction gas into the inner space of the cleaning shield is formed at a lower portion of the shield body.
상기 실드 라이너는,
RF 윈도우의 하부에 위치되며 평판 형태로 형성된 제1 실드 라이너와;
상기 제1 실드 라이너의 하부에 이격되어 위치되며 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 제2 실드 라이너를 포함하며,
상기 제1 실드 라이너와 상기 제2 실드 라이너 간의 이격 공간으로 가스 유동로가 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
In the shield liner,
A first shield liner disposed at a lower portion of the RF window and formed in a flat plate shape;
And a second shield liner spaced apart from a lower portion of the first shield liner and having at least one through hole for injecting a reactive gas into an inner space of the cleaning shield,
Wherein a gas flow path is formed in the space between the first shield liner and the second shield liner.
로드락 챔버의 내부 공간에 깨끗한 교체 실드 라이너를 준비하는 교체 실드 라이너 준비 단계;
프로세스 챔버 개폐수단이 프로세스 챔버의 내부 공간과 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 라이너 교체 수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하는 오염된 실드 라이너 인출 단계; 및
상기 라이너 교체 수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 교체 실드 라이너를 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치시키고, 상기 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 폐쇄시키는 교체 실드 라이너 안착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.5. A process chamber according to claim 4 or 5,
A replacement shield liner preparing step of preparing a clean replacement shield liner in the internal space of the load lock chamber;
The process chamber opening / closing means opens between the inner space of the process chamber and the inner space of the load lock chamber, and the liner replacement means withdraws the contaminated shield liner located in the inner space of the process chamber to the inner space of the load lock chamber A contaminated shield liner withdrawing step for transporting the contaminated shield liner; And
The liner replacement means places the replacement shield liner stored in the internal space of the load lock chamber in the internal space of the process chamber and the process chamber opening and closing means closes the internal space of the process chamber Wherein the method further comprises the steps of:
상기 오염된 실드 라이너 인출 단계는,
상기 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.13. The method of claim 12,
The contaminated shield liner withdrawing step comprises:
Wherein the process chamber opening / closing means forms an internal space of the load lock chamber in a vacuum state before opening the internal space of the process chamber.
제 5 항의 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하는 경우,
상기 교체 실드 라이너 준비 단계 이전에,
상기 실드 라이너 보관대에 깨끗한 교체 실드 라이너가 적어도 하나 이상 삽입되어 보관되는 교체 실드 라이너 보관 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.14. The method of claim 13,
When the contamination prevention device of the process chamber of claim 5 is used,
Prior to the replacement shield liner preparation step,
Further comprising a replacement shield liner storage step in which at least one clean replacement shield liner is inserted and stored in the shield liner storage stand.
상기 교체 실드 라이너 안착 단계 이후에,
로드락 챔버 개폐수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 라이너 교체 수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 실드 라이너 보관대의 빈 층에 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계; 및
상기 라이너 교체 수단이 상기 실드 라이너 보관대에 보관된 교체 실드 라이너를 인출하여 상기 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 로드락 챔버 개폐수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 폐쇄시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.15. The method of claim 14,
After the replacement shield liner seating step,
The load lock chamber opening and closing means opens between the internal space of the load lock chamber and the external space in which the shield liner stand is located and the liner replacing means takes out the contaminated shield liner stored in the internal space of the load lock chamber Inserting and storing the contaminated shield liner in a vacant layer of the shield liner storage unit; And
The liner replacing means pulls out the replacement shield liner stored in the shield liner storage unit and transfers the replacement shield liner to the internal space of the load lock chamber, and the load lock chamber opening / closing means opens and closes the internal space of the load lock chamber, Further comprising the step of closing between the outer spaces of the process chambers.
상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계의 수행 후,
상기 라이너 교체 수단이 상기 실드 라이너 보관대에 보관된 다음번의 교체 실드 라이너의 인출이 가능하도록 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.16. The method of claim 15,
After performing the step of inserting and storing the contaminated shield liner,
Further comprising the step of transferring the shield liner storage unit at a layer interval so that the liner replacement means can take out the next replacement shield liner stored in the shield liner storage unit.
상기 교체 실드 라이너 보관 단계는,
상기 실드 라이너 보관대의 첫번째 층 또는 마지막 층을 제외한 각 층에 깨끗한 교체 실드 라이너가 삽입되어 보관되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.15. The method of claim 14,
The replacement shield liner storage step may include:
Wherein a clean replacement shield liner is inserted and stored in each of the layers except the first or last layer of the shield liner stand.
제2 로드락 챔버의 내부 공간에 깨끗한 교체 실드 라이너를 준비하는 교체 실드 라이너 준비 단계;
제1 프로세스 챔버 개폐수단이 프로세스 챔버의 내부 공간과 제1 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 제1 라이너 교체 수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 폐쇄시키는 오염된 실드 라이너 인출 단계; 및
제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 교체 실드 라이너를 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치시키고, 상기 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 폐쇄시키는 교체 실드 라이너 안착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.Using the contamination prevention device of the process chamber of claim 6,
A replacement shield liner preparing step of preparing a clean replacement shield liner in an inner space of the second load lock chamber;
The first process chamber opening / closing means opens between the inner space of the process chamber and the inner space of the first load lock chamber, and the first liner replacing means withdraws the contaminated shield liner located in the inner space of the process chamber, The first process chamber opening and closing means closing between the inner space of the process chamber and the inner space of the first load lock chamber; And
The second process chamber opening / closing means opens between the inner space of the process chamber and the inner space of the second load lock chamber, and the second liner changing means opens the replacement shield liner stored in the inner space of the second load lock chamber And an alternative shield liner seating step in which the second process chamber opening and closing means closes the space between the inner space of the process chamber and the inner space of the second load lock chamber A method for preventing contamination of a process chamber.
상기 오염된 실드 라이너 인출 단계는,
상기 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키고,
상기 교체 실드 라이너 안착 단계는,
상기 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.19. The method of claim 18,
The contaminated shield liner withdrawing step comprises:
Wherein the first process chamber opening / closing means forms an internal space of the first load lock chamber in a vacuum state before opening the internal space of the process chamber,
The replacement shield liner seating step includes:
Wherein the second process chamber opening / closing means forms an internal space of the second load lock chamber in a vacuum state before opening the internal space of the process chamber.
상기 오염된 실드 라이너 인출 단계 이후에,
제1 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간과 제1 제1 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 제1 라이너 교체 수단이 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 제1 실드 라이너 보관대의 빈 층에 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.20. The method of claim 19,
After the contaminated shield liner withdrawing step,
The first load lock chamber opening / closing means opens between the inner space of the first load lock chamber and the outer space where the first first shield liner storage base is located, and the first liner replacement means opens the inside of the first load lock chamber Further comprising the step of withdrawing the contaminated shield liner stored in the space and inserting and storing the contaminated shield liner in the empty layer of the first shield liner storage bin.
상기 제1 라이너 교체 수단이 상기 제1 실드 라이너 보관대에 다음번의 오염된 실드 라이너의 삽입이 가능하도록 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.21. The method of claim 20,
Wherein said first liner replacing means further comprises the step of transferring said shield liner storage bed at a layer interval so that the next contaminated shield liner can be inserted into said first shield liner storage unit .
상기 교체 실드 라이너 준비 단계 이전에,
제2 실드 라이너 보관대에 깨끗한 교체 실드 라이너가 적어도 하나 이상 삽입되어 보관되는 교체 실드 라이너 보관 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.20. The method of claim 19,
Prior to the replacement shield liner preparation step,
Further comprising a replacement shield liner storing step in which at least one clean replacement shield liner is inserted and stored in the second shield liner storage base.
상기 교체 실드 라이너 안착 단계 이후에,
상기 제2 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 실드 라이너 보관대에 보관된 교체 실드 라이너를 인출하여 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 제2 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 폐쇄시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.23. The method of claim 22,
After the replacement shield liner seating step,
The second load lock chamber opening / closing means opens between an inner space of the second load lock chamber and an outer space where the second shield liner storage unit is located, and the second liner replacement means is opened / And the second load lock chamber opening / closing means opens and closes the space between the inner space of the second load lock chamber and the outer space where the second shield liner storage unit is located, by pulling out the replacement shield liner and transferring it to the inner space of the second load lock chamber, Further comprising the step of closing said process chamber.
상기 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 실드 라이너 보관대에 보관된 다음번의 교체 실드 라이너의 인출이 가능하도록 상기 제2 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.24. The method of claim 23,
Further comprising the step of transferring the second shield liner storage bed at a layer interval so that the second liner replacement means can take out the next replacement shield liner stored in the second shield liner storage unit How to Prevent Pollution.
상기 오염된 실드 라이너 인출 단계부터 상기 교체 실드 라이너 안착 단계는, 상기 프로세스 챔버의 기판 교체시에 수행되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the replacement shield liner seating step from the contaminated shield liner withdrawal step is performed upon substrate replacement of the process chamber.
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| US20030226503A1 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-11 | Han-Ming Wu | Shielding plate in plasma for uniformity improvement |
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2014
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Patent Citations (3)
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| JP2000223440A (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Anelva Corp | Sputtering apparatus and substrate processing apparatus |
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