KR101587482B1 - Chemical mechanical polishing apparatus and method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to chemical mechanical polishing device and method. The device comprises: a polishing table polishing a polishing surface of a wafer by being rotated while touching the polishing surface; a slurry supply part supplying slurry during a process of polishing the wafer while touching the polishing table; and a temperature control unit heating the wafer before the wafer is supplied to the polishing table. Therefore, the time required for an initial step in which a polishing amount by unit time is kept low can be reduced, so the whole time required for chemical mechanical processes is reduced to improve productivity, and an environment to minimize a polishing amount variation of the polishing surface is provided.

Description

화학 기계적 연마 장치 및 방법 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD}Technical Field [0001] The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing apparatus,

본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 시간을 단축하고, 연마면의 조절을 보다 정교하게 제어할 수 있게 하는 화학 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a chemical mechanical polishing apparatus that shortens the time required for a chemical mechanical polishing process and allows more precise control of the polishing surface.

화학기계적 연마(CMP) 장치(1)는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.The chemical mechanical polishing (CMP) apparatus 1 includes a wide-area planarization that removes a height difference between a cell region and a peripheral circuit region due to unevenness of a wafer surface generated while repeating masking, etching, and wiring processes during a semiconductor device fabrication process, And to improve the surface roughness of the wafer due to contact / wiring film separation for circuit formation and highly integrated elements.

이러한 화학 기계적 연마(CMP) 장치(1)는, 도1에 도시된 바와 같이 연마 헤드(20)는 연마공정 중에 웨이퍼(W)의 연마면이 연마 정반(10)의 연마 패드(11)와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼(W)를 가압하면서 회전(20d)시키고, 동시에 연마 패드(11)도 정반 몸체(12)와 함께 자전(11d)하면서 기계적 연마 공정을 행하도록 한다. 동시에 연마 패드(11) 상에 슬러리 공급부(30)의 공급구(32)로부터 슬러리가 연마 패드(11) 상에 공급되면, 슬러리가 웨이퍼(W)로 유입되면서 웨이퍼(W)의 화학적 연마 공정이 행해진다. 1, the polishing head 20 of the chemical mechanical polishing (CMP) apparatus 1 is so constructed that the polishing surface of the wafer W during the polishing process is opposed to the polishing pad 11 of the polishing platen 10 The polishing pad 11 is rotated with the polishing pad 12 while rotating the polishing pad 11 while pushing the wafer W while watching the polishing pad 11 while the polishing pad 11 is rotating. Simultaneously, when the slurry is supplied onto the polishing pad 11 from the supply port 32 of the slurry supply unit 30 on the polishing pad 11, the slurry is introduced into the wafer W and the chemical polishing process of the wafer W is performed Is done.

이와 동시에, 컨디셔너(40)의 컨디셔닝 디스크는 하방 가압하면서 회전(40d)하고 그 아암(41)이 정해진 각도를 왕복(41d)하면서 연마 패드(11)의 표면을 개질한다. Simultaneously, the conditioning disk of the conditioner 40 is rotated (40d) while pressing downward, and the arm 41 is reciprocated (41d) at a predetermined angle to modify the surface of the polishing pad 11.

웨이퍼(W)에 적층되는 연마층은 텅스텐 등의 금속막이나 산화막 등 다양한 소 재로 형성된다. 그러나, 연마층의 종류에 관계없이 도3에 도시된 바와 같이, 화학 기계적 연마 공정의 초기 단계(A1)에서는 연마 시간의 경과에도 불구하고 연마 두께(79)가 거의 변동하지 않으며, 일정한 시간(T1)이 경과한 이후의 주(主)연마 단계(A2)에 도달해서야 비로소 화학 기계적 연마 공정에 따른 연마량(89)이 증가하기 시작하여 최종 연마두께(dx)에 도달한다는 것이 실험적으로 확인되었다. The polishing layer to be laminated on the wafer W is formed of various materials such as a metal film such as tungsten or an oxide film. However, irrespective of the type of the polishing layer, as shown in Fig. 3, in the initial stage A1 of the chemical mechanical polishing process, the polishing thickness 79 hardly fluctuates despite the lapse of the polishing time, It is experimentally confirmed that the polishing amount 89 due to the chemical mechanical polishing process starts to increase and reaches the final polishing thickness dx only after reaching the main polishing step A2 after the lapse of the main polishing step A2.

그러나, 초기 단계(A1)에 소요되는 시간(T1)은 전체 연마 시간의 2/5 내지 1/2 정도로 오랜 시간을 차지하므로, 정해진 시간 내에 화학 기계적 연마 공정을 행하는 생산성이 저하되는 문제가 있었다. However, since the time (T1) required for the initial step (A1) takes a long time as 2/5 to 1/2 of the total polishing time, there is a problem that the productivity of carrying out the chemical mechanical polishing process within a predetermined time is deteriorated.

또한, 초기 단계(A1)에서 소요되는 시간(T1)이 길어짐에 따라, 단위 웨이퍼에 대한 화학 기계적 연마 시간을 단축하기 위하여, 주연마 단계(A2)에서 단위 시간당 연마량을 크게 제어하게 되므로, 웨이퍼 연마면의 연마 두께를 판면에 걸쳐 정교하게 제어하지 못하는 문제도 있었다.
Further, as the time (T1) required in the initial stage (A1) becomes longer, the amount of polishing per unit time is largely controlled in the main polishing step (A2) in order to shorten the chemical mechanical polishing time for the unit wafer. There is a problem that the polishing thickness of the polished surface can not be precisely controlled over the surface of the plate.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 시간을 단축하고, 연마면의 조절을 보다 정교하게 제어할 수 있게 하는 화학 기계적 연마 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a chemical mechanical polishing apparatus and method which can shorten the time required for a chemical mechanical polishing process and enable more precise control of the polishing surface .

즉, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정 중에 단위 시간당 연마량이 작은 초기 단계에 소요되는 시간을 단축함으로써, 전체적인 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 시간을 줄여 생산성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.That is, the object of the present invention is to shorten the time required for the initial stage in which the polishing amount per unit time is small during the chemical mechanical polishing process, thereby reducing the time required for the entire chemical mechanical polishing process, thereby improving the productivity.

이를 통해, 본 발명은, 동일한 시간 동안에 화학 기계적 연마 공정을 행할 경우에 단위 시간당 연마량을 더 작게 할 수 있으므로, 웨이퍼의 연마면의 두께 편차를 줄여 보다 정교한 두께 조절을 가능하게 하는 환경을 마련하는 것을 목적으로 한다.
It is therefore an object of the present invention to provide an environment in which a thickness variation of a polishing surface of a wafer can be reduced and a more precise thickness adjustment can be performed since the polishing amount per unit time can be further reduced when a chemical mechanical polishing process is performed for the same time .

상술한 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼의 연마층을 연마하는 화학 기계적 연마 장치로서, 상기 웨이퍼의 연마면과 접촉하면서 회전하여 상기 연마면을 연마하는 연마 정반과; 상기 웨이퍼가 상기 연마 정반과 접촉하면서 연마하는 공정 중에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부와; 상기 연마 정반에 웨이퍼를 공급하기 이전에 상기 웨이퍼를 가열하는 온도조절수단을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chemical mechanical polishing apparatus for polishing an abrasive layer of a wafer, comprising: an abrasive platen that rotates in contact with a polishing surface of the wafer to polish the abrasive surface; A slurry supply unit for supplying the slurry during a polishing process while the wafer is in contact with the polishing platen; Temperature adjusting means for heating the wafer before supplying the wafer to the polishing platen; The present invention also provides a chemical mechanical polishing apparatus comprising:

이는, 웨이퍼의 연마층이 화학 기계적 연마 공정에 의하여 단위 시간당 연마량이 높아지기 위하여, 웨이퍼를 가압하는 힘이 크더라도 웨이퍼의 단위 시간 당 연마량이 증가하지 않아 초기 단계에 소요되는 시간이 단축되지 않지만, 웨이퍼를 상온보다 높게 가열한 상태로 화학 기계적 연마 공정을 시작하게 함으로써, 웨이퍼 연마층에 입혀진 막이 보다 빨리 제거되고 슬러리의 화학 반응에 의한 화학적 연마 시간을 보다 단축할 수 있게 되어, 웨이퍼 연마층의 단위 시간당 연마량을 증가시키는 주(主)연마 단계로 보다 짧은 시간 내에 진입할 수 있도록 하기 위함이다.This is because the amount of polishing per unit time of the wafer does not increase even if the force for pressing the wafer is large so that the polishing amount of the polishing layer of the wafer is increased by the chemical mechanical polishing process per unit time, The chemical mechanical polishing process is started in a state in which the wafer polishing layer is heated to a temperature higher than room temperature so that the film deposited on the wafer polishing layer can be removed more quickly and the chemical polishing time due to the chemical reaction of the slurry can be further shortened, So that the main polishing step for increasing the amount of polishing can be performed in a shorter time.

이와 같이, 본 발명은 웨이퍼를 상온보다 높은 온도로 가열한 상태로 화학 기계적 연마 공정을 시작하도록 함으로써, 단위 시간당 연마량이 낮은 상태로 유지되는 초기 단계에 소요되는 시간을 단축할 수 있으므로, 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 전체 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. As described above, according to the present invention, since the chemical mechanical polishing process is started with the wafer heated to a temperature higher than the normal temperature, the time required for the initial process of maintaining the polishing amount per unit time can be shortened, It is possible to obtain an advantageous effect that productivity can be improved by shortening the total time required for the process.

이에 따라, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 전체 시간을 단축하면서도, 주 연마 단계에서 화학 기계적 연마 공정에 의하여 단위 시간당 연마되는 연마량을, 예를 들어 웨이퍼를 가압하는 가압력을 작게 조절하는 것 등에 의하여, 작게 유지하여, 웨이퍼 연마면의 연마량 편차를 작게 제어하기 용이한 환경을 제공할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Accordingly, it is an object of the present invention to shorten the total time required for the chemical mechanical polishing process and to adjust the polishing amount to be polished per unit time by the chemical mechanical polishing process in the main polishing step, for example, It is possible to obtain an effect that it is possible to provide an environment in which the deviation of the polishing amount of the wafer polishing surface can be controlled to be small.

이 때, 화학 기계적 연마 공정에 투입되는 웨이퍼를 가열하는 상기 온도조절수단은, 상온에 비하여 높은 온도인 거치 플레이트가 구비되어, 상기 웨이퍼가 화학 기계적 연마 공정을 행하기 이전에 상기 웨이퍼의 상기 연마면이 상기 거치 플레이트와 접촉하여, 거치 플레이트로부터 웨이퍼 연마면으로 열이 전도되게 하여 웨이퍼의 상기 연마면의 온도가 상온에 비하여 높은 온도가 되게 조절할 수 있다. At this time, the temperature controlling means for heating the wafer to be supplied to the chemical mechanical polishing process is provided with a mounting plate having a temperature higher than the room temperature, and the wafer is subjected to the chemical mechanical polishing process, Is brought into contact with the mounting plate to allow heat to be conducted from the mounting plate to the wafer polishing surface so that the temperature of the polishing surface of the wafer becomes higher than the room temperature.

이 때, 상기 거치 플레이트는 섭씨 35도 내지 200도로 유지되는 것이 좋다. 거치 플레이트의 온도가 섭씨 35도보다 낮은 경우에는 상온보다 웨이퍼의 온도를 높이는 것이 곤란하며, 거치 플레이트의 온도가 섭씨 200도를 초과하면 웨이퍼에 변형을 야기할 수 있기 때문이다.
At this time, it is preferable that the mounting plate is maintained at 35 to 200 degrees Celsius. When the temperature of the mounting plate is lower than 35 degrees Celsius, it is difficult to increase the temperature of the wafer than the room temperature, and if the temperature of the mounting plate exceeds 200 degrees Celsius, the wafer may be deformed.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 온도조절수단은, 화학 기계적 연마 공정을 위하여 상기 연마 정반으로 공급되는 웨이퍼를 보관하는 챔버와; 상기 챔버의 온도를 상온보다 높게 유지하는 온도 조절부를; 포함하여 구성되어, 상기 챔버에 웨이퍼를 수용한 상태에서 챔버의 온도를 조절하는 것에 의하여 웨이퍼의 온도를 적절한 온도로 가열할 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, the temperature regulating means comprises: a chamber for storing a wafer supplied to the polishing platen for a chemical mechanical polishing process; A temperature regulator for maintaining the temperature of the chamber higher than room temperature; And the temperature of the wafer may be heated to an appropriate temperature by adjusting the temperature of the chamber while the wafer is received in the chamber.

여기서, 상기 온도 조절부는, 상기 챔버 내의 온도를 측정하는 온도 센서와; 상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도가 정해진 온도보다 낮으면 상기 챔버 내에 가열된 공기를 주입하는 온풍 공급부를; 포함하여 구성되어, 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 슬러리, 연마 패드의 재질, 웨이퍼 연마층의 소재를 고려하여 온도 조절된다. 예를 들어, 화학 기계적 연마 공정에 투입되는 웨이퍼의 온도를 섭씨 30도 내지 섭씨 180도의 범위 내에서 조절한다. Here, the temperature controller may include: a temperature sensor for measuring a temperature in the chamber; A hot air supply unit for injecting heated air into the chamber if the measured temperature measured by the temperature sensor is lower than a predetermined temperature; And the temperature is adjusted in consideration of the slurry used in the chemical mechanical polishing process, the material of the polishing pad, and the material of the wafer polishing layer. For example, the temperature of the wafer introduced into the chemical mechanical polishing process is controlled within a range from 30 degrees Celsius to 180 degrees Celsius.

한편, 상기 온도 조절부는, 상기 연마 정반에 공급되기 직전의 웨이퍼를 거치시키는 거치 플레이트와; 상기 거치 플레이트의 온도를 측정하는 온도 센서와; 상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도가 정해진 온도보다 낮으면 상기 거치 플레이트를 가열하는 열선을; 포함하여 구성될 수도 있다. 이에 의하여, 열선에 의하여 제어된 거치대로부터 웨이퍼의 연마면에 열이 전도되어, 웨이퍼의 연마면의 온도를 섭씨 30도 내지 섭씨 180도로 조절된다.The temperature controller may include: a mounting plate for mounting a wafer immediately before being supplied to the polishing platen; A temperature sensor for measuring the temperature of the mounting plate; A heating line for heating the mounting plate when the measured temperature measured by the temperature sensor is lower than a predetermined temperature; . As a result, heat is transferred from the holder, which is controlled by the hot wire, to the polishing surface of the wafer, and the temperature of the polishing surface of the wafer is adjusted from 30 degrees Celsius to 180 degrees Celsius.

즉, 웨이퍼의 온도는 챔버 내부로 공급되는 온도 조절된 기체에 의한 대류 열전달에 의하여 조절될 수도 있고, 챔버 내부의 거치대로부터 전도 열전달에 의하여 조절될 수도 있다.
That is, the temperature of the wafer may be controlled by the convective heat transfer by the temperature-controlled gas supplied into the chamber, or may be controlled by conduction heat transfer from the holder inside the chamber.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 온도조절수단은, 화학 기계적 연마 공정을 위하여 상기 연마 정반으로 공급되는 웨이퍼에 상온에 비하여 높은 온도인 순수를 공급하는 순수 공급부를; 포함하여 구성될 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, the temperature regulating means includes a pure water supplying portion for supplying pure water, which is higher in temperature than room temperature, to the wafer supplied to the polishing platen for the chemical mechanical polishing process; .

즉, 화학 기계적 연마 공정에 투입되는 웨이퍼 연마면의 온도는 온도 제어된 순수를 웨이퍼 연마면에 공급하여, 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 슬러리, 연마 패드의 재질, 웨이퍼 연마층의 소재를 고려하여 웨이퍼 연마면의 온도를 상온보다 높게 가열시킨다. 예를 들어, 화학 기계적 연마 공정에 투입되는 웨이퍼의 온도를 섭씨 30도 내지 섭씨 180도의 범위 내에서 조절된다. That is, the temperature of the polishing surface of the wafer to be supplied to the chemical mechanical polishing process is controlled by supplying the temperature-controlled pure water to the wafer polishing surface, taking into account the slurry used in the chemical mechanical polishing process, the material of the polishing pad, And the temperature of the polishing surface is heated to a temperature higher than room temperature. For example, the temperature of the wafer introduced into the chemical mechanical polishing process is controlled within a range of 30 degrees Celsius to 180 degrees Celsius.

예를 들어, 상기 순수 공급부는 상기 웨이퍼를 순수에 담그는 수조를 포함하여 구성될 수도 있고, 상기 웨이퍼의 상기 연마면에 순수를 분사하는 순수 분사부를 포함하여 구성될 수도 있다. For example, the pure water supply unit may include a water tank for immersing the wafer in pure water, and may include a pure water injection unit for spraying pure water onto the polishing surface of the wafer.

예를 들어, 상기 순수는 섭씨 35도 내지 100도로 정해진다. 웨이퍼를 수조에 담그는 형태의 순수 공급부는 웨이퍼의 전체 표면이 순수로부터 열전달 받으므로, 순수 분사부로 이루어지는 순수 공급부에 비하여 온도를 더 낮게 조절할 수 있다. 다만, 순수는 섭씨 100도 이상으로 조절하는 것이 불가능하므로, 섭씨 100도 이상으로 가열할 필요가 있는 경우에는, 기체에 의한 대류 열전달이나 열선에 의한 전도 열전달에 의해 웨이퍼 연마면의 온도를 조절하는 것이 바람직하다.
For example, the pure water is set at 35 degrees centigrade to 100 degrees centigrade. Since the entire surface of the wafer is heat-transferred from the pure water, the temperature of the pure water supply portion in which the wafer is immersed in the water tank can be controlled to be lower than that of the pure water supply portion composed of the pure water spray portion. However, since pure water can not be adjusted to 100 degrees centigrade or more, it is necessary to control the temperature of the wafer polishing surface by convection heat transfer by gas or conduction heat transfer by heat when it is necessary to heat the wafer at 100 degrees centigrade or more desirable.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 웨이퍼의 연마면을 화학 기계적 연마하는 방법으로서, 웨이퍼의 연마면을 상온에 비하여 높은 온도로 가열하는 웨이퍼 가열단계와; 상기 웨이퍼 가열단계가 행해진 상기 웨이퍼를 연마 정반에 공급하여 연마하는 웨이퍼 연마단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of chemically and mechanically polishing a polished surface of a wafer, the method comprising: a wafer heating step of heating the polished surface of the wafer to a higher temperature than the normal temperature; A wafer polishing step of supplying the wafer, on which the wafer heating step has been performed, to the polishing platen and polishing the wafer; The present invention also provides a chemical mechanical polishing method comprising the steps of:

이를 통해, 웨이퍼를 상온보다 높은 온도로 가열한 상태에서 화학 기계적 연마 공정을 시작하도록 함으로써, 단위 시간당 연마량이 낮은 상태로 유지되는 초기 단계에 소요되는 시간을 단축할 수 있게 되어, 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 전체 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 웨이퍼 연마면의 연마량 편차를 작게 제어하기 용이한 환경이 마련되는 유리한 효과를 얻을 수 있다. Thus, by starting the chemical mechanical polishing process while the wafer is heated to a temperature higher than room temperature, it is possible to shorten the time required for the initial stage of maintaining the polishing amount per unit time, It is possible to improve the productivity by shortening the total time required and to obtain an advantageous effect of providing an environment in which the deviation of the polishing amount on the wafer polishing surface can be controlled to be small.

상기 웨이퍼 가열단계는 상기 웨이퍼의 상기 연마면이 상온보다 높은 온도의 액체에 접촉하는 것에 의해 행해질 수도 있고, 상기 웨이퍼의 상기 연마면이 상온보다 높은 온도의 고체에 접촉하여 열전도에 의하여 가열될 수도 있으며, 상온보다 높은 온도인 챔버에 상기 웨이퍼를 위치시켜 대류 열전달에 의해 행해질 수도 있다. The wafer heating step may be performed by bringing the polishing surface of the wafer into contact with a liquid at a temperature higher than normal temperature or the polishing surface of the wafer may be heated by heat conduction in contact with a solid at a temperature higher than normal temperature , And the wafer may be placed in a chamber at a temperature higher than room temperature and conducted by convective heat transfer.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '상온(常溫)'은 별도의 열처리 없는 상태의 실내 온도를 지칭하며, 본 명세서 및 특허청구범위의 '상온'은 섭씨 15도를 지칭하는 것으로 정의하기로 한다. The 'normal temperature' described in the present specification and claims refers to the room temperature without any additional heat treatment, and the 'room temperature' in the present specification and claims is defined as 15 degrees Celsius.

그리고, 본 명세서에 기재된 '적정 온도'란 웨이퍼 연마층의 재질, 슬러리의 종류, 연마 패드의 재질 및 사용기간 등 화학 기계적 연마 공정의 변수를 고려하여, 웨이퍼 연마층이 공기와 접하면서 발생된 미세한 산화막이 제거되기 쉬우면서 슬러리의 화학 반응이 원활히 이루어져 웨이퍼의 연마에 최적이 되는 상온보다 높은 온도(예를 들어, 섭씨 30도 내지 섭씨 180도)를 지칭한다. The " appropriate temperature " described in this specification refers to the temperature of the wafer polishing layer in consideration of the parameters of the chemical mechanical polishing process such as the material of the wafer polishing layer, the kind of slurry, the material of the polishing pad, Refers to a temperature higher than room temperature (for example, from 30 degrees Celsius to 180 degrees Celsius) which is easy to remove the oxide film and chemically reacts with the slurry and is optimal for polishing the wafer.

본 명세서에 기재된 '초기 단계'란 화학 기계적 연마 공정을 시작하면, 단위 시간당 연마량이 낮게 유지되는 연마 단계로 정의한다. 여기서 단위 시간당 연마량이 '낮다'는 것은 '초기 단계'가 경과한 이후에 단위 시간당 연마량이 '큰' 주(主) 연마 단계에서의 단위 시간당 연마량의 1/2이하로 유지되는 단계로 정의한다. 즉, 도3에서 A1으로 표시된 영역이 '초기 단계'이고, 도3에서 A2로 표시된 영역이 '주연마 단계'이다.
The 'initial stage' described herein is defined as a polishing step in which the amount of polishing per unit time is kept low when the chemical mechanical polishing process is started. Here, 'the polishing amount per unit time' is defined as a step in which the polishing amount per unit time after the 'initial step' has elapsed is maintained at 1/2 or less of the polishing amount per unit time in the 'major' polishing step . That is, the area indicated by A1 in FIG. 3 is the 'initial stage', and the area indicated by A2 in FIG. 3 is the 'starring stage'.

상술한 바와 같이 본 발명은, 웨이퍼를 상온보다 높게 온도 조절한 상태로 화학 기계적 연마 공정에 투입되어 화학 기계적 연마 공정을 시작하게 함으로써, 웨이퍼 연마층에 입혀진 막이 보다 빨리 제거되고 슬러리의 화학 반응에 의한 화학적 연마 시간을 보다 단축할 수 있게 되어, 단위 시간당 연마량이 낮은 상태로 유지되는 초기 단계에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the chemical mechanical polishing process is started with the temperature of the wafer being adjusted to a temperature higher than the room temperature to start the chemical mechanical polishing process, so that the film deposited on the wafer polishing layer is removed more quickly, It is possible to shorten the chemical polishing time and obtain an advantageous effect that the time required for the initial step of maintaining the polishing amount per unit time can be shortened.

이에 따라, 본 발명은, 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 전체 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. Thus, the present invention can obtain an advantageous effect that productivity can be improved by shortening the entire time required for the chemical mechanical polishing process.

또한, 본 발명은 주(主)연마 단계에서 화학 기계적 연마 공정에 의하여 단위 시간당 연마되는 연마량을, 예를 들어 웨이퍼를 가압하는 가압력을 작게 조절하는 것 등에 의하여, 작게 유지하여, 웨이퍼 연마면의 연마량 편차를 작게 제어하기 용이한 환경을 제공할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. The present invention also provides a method of polishing a semiconductor wafer by maintaining the amount of polishing polished per unit time by a chemical mechanical polishing process in the main polishing step small by controlling the pressing force for pressing the wafer to a small value, It is possible to obtain an effect that it is possible to provide an environment in which the deviation of the polishing amount can be controlled to be small.

도1은 일반적인 화학 기계적 연마 장치의 구성을 도시한 평면도,
도2는 도1의 정면도,
도3은 도1에 의한 화학 기계적 연마 공정의 시간에 따른 연마량 변화 그래프,
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 평면도,
도5는 도4의 온도조절수단에 적용 가능한 제1온도조절수단의 구성을 도시한 도면,
도6은 도4의 온도조절수단에 적용 가능한 제2온도조절수단의 구성을 도시한 도면,
도7은 도4의 온도조절수단에 적용 가능한 제3온도조절수단의 구성을 도시한 도면이다.
1 is a plan view showing the construction of a general chemical mechanical polishing apparatus,
Fig. 2 is a front view of Fig. 1,
FIG. 3 is a graph showing a change in amount of polishing time with time in the chemical mechanical polishing process according to FIG. 1,
4 is a top view of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention,
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of a first temperature adjusting means applicable to the temperature adjusting means of FIG. 4,
FIG. 6 is a view showing a configuration of a second temperature adjusting means applicable to the temperature adjusting means of FIG. 4;
7 is a diagram showing a configuration of a third temperature adjusting means applicable to the temperature adjusting means of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(9)에 대하여 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, a chemical mechanical polishing apparatus 9 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, well-known functions or constructions will be omitted for the sake of clarity of the present invention, and the same or similar function or configuration will be given the same or similar reference numerals.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(9)는, 웨이퍼(W)의 연마층을 연마하는 화학 기계적 연마 장치로서, 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하면서 회전하여 웨이퍼 연마면을 연마하는 연마 정반(10)과, 연마 정반(10)의 연마 패드(11) 상에 웨이퍼 연마면이 접촉한 상태로 웨이퍼(W)를 하방 가압하는 연마 헤드(20)와, 연마 패드(11)의 표면을 개질하는 컨디셔너(40)와, 웨이퍼(W)가 상기 연마 정반(10)과 접촉하면서 연마하는 공정 중에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(30)와, 연마 정반(10)에 웨이퍼(W)를 공급하기 이전에 웨이퍼를 가열하는 온도조절수단(100, 200, 300)을 포함하여 구성된다.As shown in the drawings, the chemical mechanical polishing apparatus 9 according to the first embodiment of the present invention is a chemical mechanical polishing apparatus for polishing an abrasive layer of a wafer W, And a polishing head 20 for pressing the wafer W downward in a state in which the wafer polishing surface is in contact with the polishing pad 11 of the polishing table 10, A conditioner 40 for modifying the surface of the polishing pad 11, a slurry supply unit 30 for supplying the slurry during the polishing process while the wafer W is in contact with the polishing surface plate 10, And temperature adjusting means (100, 200, 300) for heating the wafer before supplying the wafer (W) to the wafer (10).

즉, 본 발명의 제1실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(9)는 웨이퍼(W)가 화학 기계적 연마 공정을 행하기 위하여 연마 정반(10)에 공급되기 이전에 웨이퍼(W)의 연마면의 온도를 상온 이상으로 온도조절하는 온도조절수단(100, 200, 300)이 구비된 점에서 도1 및 도2에 도시된 종래의 화학 기계적 연마 장치(1)와 구성 상 차이가 있다.
Namely, the chemical mechanical polishing apparatus 9 according to the first embodiment of the present invention is a chemical mechanical polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention, in which the wafer W is polished before the polishing table 10 is fed to perform the chemical mechanical polishing process, There is a difference in constitution from the conventional chemical mechanical polishing apparatus 1 shown in Figs. 1 and 2 in that temperature adjusting means 100, 200 and 300 for adjusting the temperature to a temperature not lower than room temperature are provided.

상기 온도조절수단의 일례인 제1온도조절수단(100)이 도5에 도시되어 있다. 제1온도조절수단(100)은, 상온에 비하여 높은 온도로 조절되는 거치 플레이트(110)와, 거치 플레이트(110) 내부의 온도를 조절하는 열선(120)과, 거치 플레이트(110)의 온도를 측정하는 온도 센서(Tm)와, 거치 플레이트(110)의 측정 온도값을 온도 센서(Tm)로부터 수신하여 열선(120)에 인가되는 전류를 제어하는 제어부(130)와, 화학 기계적 연마 공정을 행하기 위하여 대기중인 웨이퍼(Wo)를 거치시키는 거치대(140)로 구성된다.A first temperature regulating means 100, which is an example of the temperature regulating means, is shown in Fig. The first temperature regulating means 100 includes a mounting plate 110 which is adjusted to a higher temperature than room temperature, a heat line 120 for regulating the temperature inside the mounting plate 110, A control unit 130 for receiving the measured temperature value of the mounting plate 110 from the temperature sensor Tm and controlling the current applied to the heating wire 120, And a holder 140 for holding awaiting wafer Wo.

여기서 거치 플레이트(110)는 열전도성과 내열성이 우수한 재질이면서, 열에 의하여 쉽게 용융되지 않는 재질로 형성된다. 예를 들어, 금속이나 석정반 등의 소재로 형성될 수 있다. 따라서, 거치 플레이트(110) 상에 거치되는 웨이퍼(Wx)의 온도가 상승하여 웨이퍼(Wx)와 화학적 반응이 일어나지 않는 소재로 형성되며, Here, the mounting plate 110 is formed of a material that is excellent in thermal conductivity and heat resistance, and is not easily melted by heat. For example, it may be formed of a material such as a metal or a stone quartz. Therefore, the wafer Wx placed on the mounting plate 110 is formed of a material which does not chemically react with the wafer Wx,

열선(120)은 거치 플레이트(110)의 내부에 골고루 배치되어, 열선(120)에 인가되는 전류에 의하여 발열량이 조절 가능하게 설치된다. 본 발명의 다른 실시 형태에서는, 열선(120)에 인가되는 전류는 일정하지만, 전류의 ON/OFF에 의하여 거치 플레이트(110)의 온도를 제어할 수도 있다.The heating line 120 is arranged in the interior of the mounting plate 110 so that the calorific power is adjustable by the current applied to the heating line 120. In another embodiment of the present invention, the current applied to the heating wire 120 is constant, but the temperature of the mounting plate 110 may be controlled by turning on / off the current.

온도 센서(Tm)는 접촉식 또는 비접촉식에 의하여 웨이퍼(Wx)로 열전도되는 거치 플레이트(110)의 상면의 온도를 지속적으로 측정하여 감시하며, 측정된 온도를 제어부(130)로 전송한다.The temperature sensor Tm continuously measures and monitors the temperature of the upper surface of the mounting plate 110, which is thermally conducted to the wafer Wx by contact or non-contact type, and transmits the measured temperature to the controller 130.

제어부(130)는 온도 센서(Tm)로부터 전송된 온도 측정값이 거치 플레이트(110)의 정해진 온도 범위(예를 들어, 섭씨 35도 내지 섭씨 200도) 이내에 있도록, 열선(120)으로 인가되는 전류의 세기를 단속적으로 제어한다. The controller 130 controls the current supplied to the heating wire 120 such that the temperature measurement value transmitted from the temperature sensor Tm is within a predetermined temperature range (for example, 35 degrees Celsius to 200 degrees Celsius) Intermittently.

이 때, 거치 플레이트(110)의 정해진 온도는 일률적으로 정해지는 것이 아니라, 웨이퍼 연마층이 산화막층인지 금속층인지 여부와, 슬러리, 연마 패드의 사용기간, 예정된 연마량 등의 화학 기계적 연마 공정의 변수를 종합적으로 고려하여 정해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 연마면의 온도는 거치 플레이트(110)에 비하여 약간 낮은 섭씨 30도 내지 섭씨 180도 정도의 적정 온도 범위로 조절된다. At this time, the predetermined temperature of the mounting plate 110 is not uniformly determined, but the temperature of the wafer polishing layer is determined depending on whether it is an oxide film layer or a metal layer and the parameters of the chemical mechanical polishing process such as slurry, . Accordingly, the temperature of the polishing surface of the wafer W is adjusted to a suitable temperature range of about 30 degrees Celsius to about 180 degrees Celsius, which is slightly lower than that of the mounting plate 110.

거치대(140)는 화학 기계적 연마 공정이 행해질 예정인 웨이퍼(Wo)가 대기하는 장소로, 도면에는 편의상 다수의 웨이퍼(Wo)를 적층시킨 상태로 도시되어 있지만, 카세트 등에 다수의 웨이퍼(Wo)가 서로 접촉하지 않은 상태를 유지하면서 대기되는 것이 바람직하다.
The shelf 140 is a place where the wafer Wo scheduled to be subjected to the chemical mechanical polishing process is waiting. In the figure, a plurality of wafers Wo are stacked for convenience. It is preferable to wait while maintaining the non-contact state.

이와 같이 구성된 거치 플레이트(110)에는 화학 기계적 연마 공정이 행해지기 위하여 그 다음에 공급될 웨이퍼(Wx)를 거치대(140)로부터 거치 플레이트(110)의 상면에 이동(88)하여 위치시키고, 거치 플레이트(110)의 상면의 온도를 제어하는 것에 의하여, 그 다음에 연마 정반(10)으로 공급될 웨이퍼(Wx)의 연마면에 열을 전도 형태로 전달하여, 웨이퍼 연마면의 온도를 상온보다 높은 온도(예를 들어, 섭씨 50도 내지 섭씨 120도)로 조절한다. In order to perform the chemical mechanical polishing process, the wafer Wx to be supplied next is moved (88) to the upper surface of the mounting plate 110 from the mounting table 140, The temperature of the upper surface of the wafer 110 is controlled so that the heat is transferred to the polishing surface of the wafer Wx to be supplied to the polishing table 10 in a conductive form so that the temperature of the wafer polishing surface is maintained at a temperature (E. G., From 50 degrees Celsius to 120 degrees Celsius).

그리고 나서, 연마 헤드(20)가 제1온도조절수단(100)의 거치 플레이트(110)에서 가열된 웨이퍼(Wx)의 상면(연마면의 반대면)을 파지하여, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마 정반(10)으로 이동한다. 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 연마 헤드(20)가 거치 플레이트(110)로 직접 이동해오지 않고, 별도의 로봇이나 이송 아암 등의 매개 수단에 의하여 거치 플레이트(110)로부터 연마 헤드(20)로 이송할 수도 있다.Then, the polishing head 20 grasps the upper surface (opposite surface of the polishing surface) of the heated wafer Wx in the mounting plate 110 of the first temperature adjusting means 100, and the chemical mechanical polishing step is performed And moves to the polishing platen 10. According to another embodiment of the present invention, the polishing head 20 is not directly moved to the mounting plate 110 but is moved from the mounting plate 110 to the polishing head 20 by a separate means such as a robot or a transfer arm It can also be transported.

이와 같이, 제1온도조절수단(100)은 내열성 소재이면서 열전도성이 우수한 소재의 플레이트(110)를 열선(120)으로 가열하여 연마 정반(10)에 공급되기 직전의 웨이퍼(Wx)를 가열하므로, 웨이퍼 연마면을 섭씨 100도 이상으로도 가열하는 것이 가능하다.
The first temperature regulating means 100 heats the wafer Wx immediately before being supplied to the polishing platen 10 by heating the plate 110 of a material having heat conductivity and excellent heat conductivity by the heating wire 120 , It is possible to heat the wafer polishing surface to 100 DEG C or more.

상기와 같이 화학 기계적 연마 공정에 투입되는 웨이퍼(Wx)가 상온보다 높은 온도, 바람직하게는 섭씨 50도 내지 섭씨 90도로 가열된 상태로 공급됨에 따라, 웨이퍼 연마층에 입혀진 막이 보다 빨리 제거되고 슬러리의 화학 반응에 의한 화학적 연마 시간을 보다 단축할 수 있게 되어, 화학 기계적 연마 공정에서 단위 시간당 연마량이 낮게 유지되는 초기 단계(도3의 A1)에 소요되는 시간(T1)을 전체 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 시간(Te)의 1/10이하로 단축할 수 있음이 실험적으로 확인되었다. As described above, since the wafer Wx to be supplied to the chemical mechanical polishing process is supplied at a temperature higher than normal temperature, preferably 50 degrees Celsius to 90 degrees Celsius, the film deposited on the wafer polishing layer is removed more quickly, It is possible to further shorten the chemical polishing time by the chemical reaction, and the time (T1) required for the initial stage (A1 in FIG. 3) in which the polishing amount per unit time is kept low in the chemical mechanical polishing process is required for the entire chemical mechanical polishing process (Te) that is less than 1/10 of the time (Te).

이를 통해, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 전체 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 주(主)연마 단계(도3의 A2)에 소요되는 시간을 보다 길게 연장할 수 있는 여유가 생기므로, 주 연마 단계에서 웨이퍼의 연마면 위치에 따라 연마량 편차가 발생되는 크기를 줄일 수 있는 제어가 보다 정확하게 행해지는 효과를 얻을 수 있다.
Accordingly, the present invention not only improves productivity by shortening the total time required for the chemical mechanical polishing process, but also improves productivity by increasing the time required for the main polishing step (A2 in FIG. 3) It is possible to obtain an effect that the control for reducing the size in which the deviation of the polishing amount is generated according to the position of the polishing surface of the wafer in the main polishing step can be more accurately performed.

이하, 도6을 참조하여 본 발명의 제2실시예를 설명한다. 다만, 본 발명의 제2실시예를 설명함에 있어서, 전술한 제1실시예의 구성, 작용, 효과와 유사한 구성, 작용, 효과에 대해서는 본 실시예를 명료하게 하기 위하여 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. However, in describing the second embodiment of the present invention, the structure, operation, and effect similar to those of the above-described first embodiment will not be described in order to clarify the present embodiment .

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 제2온도조절수단(200)은, 화학 기계적 연마 공정을 위하여 연마 정반(10)으로 공급될 예정인 웨이퍼(Wo, Wx)를 보관하는 챔버(210)와, 챔버(210)의 온도를 상온보다 높게 유지하는 온도 조절부로 구성될 수 있다.The second temperature control means 200 used in the chemical mechanical polishing apparatus according to another embodiment of the present invention stores the wafers Wo and Wx to be supplied to the polishing platen 10 for the chemical mechanical polishing process And a temperature control unit for maintaining the temperature of the chamber 210 higher than room temperature.

여기서, 챔버(210)는 완전히 밀폐된 상태로 형성되는 것이 바람직하지만, 온도조절된 웨이퍼(W)를 연마 정반(10)으로 이동할 수 있는 이동수단이 통과할 수 있는 경로는 개폐 가능하게 형성된다. Here, the chamber 210 is preferably formed in a completely closed state, but a path through which the moving means capable of moving the temperature-controlled wafer W to the polishing platen 10 can pass is formed to be openable and closable.

그리고, 온도 조절부는, 챔버(210) 내부의 온도를 측정하는 온도 센서(Tm)와, 온도 센서(Tm)에서 측정된 측정 온도값을 수신하여 측정 온도값이 챔버(210)의 정해진 온도보다 낮으면 챔버(210) 내에 가열된 공기 또는 기체를 주입하도록 제어하는 제어부(240)와, 제어부(240)에 의하여 공기 또는 기체를 가열하는 에어 온도조절부(220)와, 에어 온도조절부(220)에서 온도 조절된 공기 또는 기체를 챔버(210)의 내부로 유입시키는 온풍 공급부(230)와, 온풍을 직접 쐴 필요가 있는 경우에 웨이퍼(W)를 흡착 파지하고 구동부(M)에 의해 이동 가능한 파지부(250)로 구성된다. The temperature control unit includes a temperature sensor Tm for measuring the temperature inside the chamber 210 and a temperature measurement value measured at the temperature sensor Tm so that the measured temperature value is lower than a predetermined temperature of the chamber 210 A control unit 240 for controlling the injection of the heated air or gas into the chamber 210, an air temperature control unit 220 for heating the air or gas by the control unit 240, an air temperature control unit 220, A warm air supply unit 230 for introducing air or gas whose temperature is adjusted in the chamber 210 into the chamber 210 and a warm air supply unit 230 for holding the wafer W by suction, (250).

이에 따라, 온도 조절부는 챔버(210)의 내부 온도를 제어할 뿐만 아니라, 그 다음에 화학 기계적 연마 공정으로 투입될 웨이퍼(Wx)에 대해서는 온풍 공급부(230)로부터 직접 온풍(99)을 쐬도록 하여, 웨이퍼(Wx)의 정해진 온도값에 보다 정확하게 도달하게 할 수 있다. Accordingly, the temperature controller not only controls the internal temperature of the chamber 210, but also allows the warm air 99 to be directly applied from the hot air supply unit 230 to the wafer Wx to be introduced into the chemical mechanical polishing process , It is possible to more accurately reach the predetermined temperature value of the wafer Wx.

한편, 거치대(260)는 화학 기계적 연마 공정이 행해질 예정인 웨이퍼(Wo)가 대기하는 장소로, 도면에는 편의상 다수의 웨이퍼(Wo)를 적층시킨 상태로 도시되어 있지만, 카세트 등에 다수의 웨이퍼(Wo)가 서로 접촉하지 않은 상태를 유지하면서 대기되게 구성될 수 있다. A plurality of wafers Wo are stacked on the table 260 for convenience of illustration, and a plurality of wafers Wo are mounted on a cassette or the like. Can be configured to remain in a state in which they are not in contact with each other.

즉, 거치대(260)에서 대기 중인 다수의 웨이퍼들(Wo) 중에 그 다음에 화학 기계적 연마 공정이 행해질 웨이퍼(Wx)는 연마면이 드러나도록 파지부(250)에 의하여 흡착 파지되어, 구동부(M)에 의해 온풍 공급부(230)에 근접하게 이동한다. 그리고, 온풍 공급부(230)That is, the wafers Wx to be subjected to the next chemical mechanical polishing process among the plurality of wafers Wo waiting in the mount table 260 are attracted and held by the gripper 250 so that the polishing surface is exposed, To the warm air supply unit 230 by the heat exchanger (not shown). The warm air supply unit 230,

이와 같이, 제2온도조절수단(200)은 챔버(210) 내부의 온도를 제어함으로써, 다수의 웨이퍼(Wo, Wx)에 대하여 한꺼번에 온도를 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 기체 상태의 온풍(증기를 포함함)으로 연마 정반(10)에 공급될 웨이퍼(Wx)의 연마면을 가열함으로써, 섭씨 100도 이상으로도 가열하는 것도 가능해진다.
The second temperature regulating means 200 controls the temperature inside the chamber 210 so that the temperature can be adjusted for the plurality of wafers Wo and Wx at the same time as well as the gaseous warm air It is possible to heat the polished surface of the wafer Wx to be supplied to the polishing platen 10 to 100 DEG C or more.

한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 제2온도조절수단(200)은 챔버(210) 내부에는, 제1온도조절수단(100)에 개시된 것과 유사하게, 열선이 설치된 거치 플레이트가 구비되어, 온풍 공급부 대신에 거치 플레이트에 의한 열전도에 의하여 연마 정반(10)에 공급되기 직전의 웨이퍼(Wx)를 가열하도록 구성될 수도 있다.
Although not shown in the drawing, the second temperature regulating means 200 is provided with a mounting plate provided with a hot wire, similar to that described in the first temperature regulating means 100, inside the chamber 210, To heat the wafer Wx just before being supplied to the polishing platen 10 by thermal conduction by the mounting plate.

이하, 도7을 참조하여 본 발명의 제3실시예를 설명한다. 다만, 본 발명의 제3실시예를 설명함에 있어서, 전술한 제1실시예 및 제2실시예의 구성, 작용, 효과와 유사한 구성, 작용, 효과에 대해서는 본 제3실시예를 명료하게 하기 위하여 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. However, in describing the third embodiment of the present invention, the configurations, actions, and effects similar to those of the above-described first and second embodiments will be described in order to clarify the third embodiment. The description of which will be omitted.

한편, 본 발명의 제3실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 제3온도조절수단(300)은, 화학 기계적 연마 공정을 위하여 연마 정반(10)으로 공급되기 직전의 웨이퍼(Wx)에 상온에 비하여 높은 온도의 순수(77)를 공급하여, 연마 정반(10)에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 웨이퍼 연마면의 온도를 높게 조절한다. Meanwhile, the third temperature adjusting means 300 used in the chemical mechanical polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention is provided with a temperature control means (not shown) for heating the wafer Wx immediately before being supplied to the polishing platen 10 for chemical mechanical polishing And the temperature of the polishing surface of the wafer on which the chemical mechanical polishing process is performed in the polishing table 10 is controlled to be high.

이를 위하여, 도7에 도시된 바와 같이, 거치대(340)에 거치된 다수의 웨이퍼(Wo)들 가운데 연마 헤드(20) 또는 이송 수단(이송아암이나 로봇을 포함한다)이 화학 기계적 연마 공정을 행할 웨이퍼(Wx)를 파지하여, 연마 헤드(20) 또는 이송 수단이 순수 공급부(310)의 상측으로 이동한다. 7, the polishing head 20 or the transfer means (including the transfer arm or the robot) among the plurality of wafers Wo mounted on the holder 340 performs the chemical mechanical polishing process The polishing head 20 or the conveying means moves to the upper side of the pure water supplying portion 310 by holding the wafer Wx.

순수 공급부(310)에 설치된 감지 센서(320)에 의하여 웨이퍼(Wx)가 순수 공급부(310)의 상측에 위치한 것이 감지되면, 웨이퍼(W)의 연마면에 상온보다 높게 가열되어 온도조절된 순수(77)가 순수 공급부(310)로부터 분사되어, 웨이퍼(W)의 연마면을 상온보다 높은 정해진 온도에 도달하도록 가열한다. When it is detected by the detection sensor 320 installed on the pure water supply unit 310 that the wafer Wx is located on the upper side of the pure water supply unit 310, the wafer W is heated on the polishing surface of the wafer W higher than room temperature, 77 are sprayed from the pure water supply unit 310 to heat the polished surface of the wafer W so as to reach a predetermined temperature higher than the normal temperature.

이를 통해, 웨이퍼의 연마면은 곧바로 슬러리의 화학 반응이 일어날 수 있는 온도로 가열되어, 화학 기계적 연마 공정에서 단위 시간 당 연마량이 낮게 유지되는 초기 단계(A1)에 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 동시에 웨이퍼 연마면에 묻어있는 이물질을 깨끗하게 제거할 수 있는 부수적인 잇점도 얻을 수 있다.
Accordingly, the polishing surface of the wafer is heated to a temperature at which the chemical reaction of the slurry can take place, shortening the time required for the initial stage (A1) in which the polishing amount per unit time is kept low in the chemical mechanical polishing process, At the same time, it is possible to obtain a secondary advantage of being able to cleanly remove foreign matters on the wafer polishing surface.

한편, 도면에 도시되지 않았지만, 순수 공급부는 온도 조절된 순수를 담고 있는 수조로 형성되고, 이송 수단에 의하여 화학 기계적 연마 공정을 위하여 연마 정반으로 이송되기 직전의 웨이퍼(Wx)를 정해진 시간(예를 들어, 이전에 행하는 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정 시간 동안)에 담그는 것에 의해서도, 웨이퍼 연마면의 온도를 상온보다 높은 정해진 온도로 높일 수 있다. Although not shown in the drawing, the pure water supply portion is formed of a water tank containing pure water with temperature control, and the wafer Wx immediately before being transferred to the polishing platen for the chemical mechanical polishing process by the transferring means, The polishing surface of the wafer can be raised to a predetermined temperature higher than the room temperature by immersing the wafer in a chemical mechanical polishing process time of the wafer.

이는, 웨이퍼 전체 표면에 걸쳐 균일한 온도로 가열됨에 따라, 제3온도조절부(300)로부터 연마 정반(10)까지 이동하고 화학 기계적 연마 공정이 시작될 때까지의 시간 동안에 연마면에서 발생될 수 있는 열손실을 보다 줄일 수 있는 잇점을 얻을 수 있다.
This is because it is heated from the third temperature regulating portion 300 to the polishing platen 10 as it is heated to a uniform temperature over the entire surface of the wafer and can be generated on the polishing surface for a period of time until the chemical mechanical polishing process is started The heat loss can be further reduced.

또한, 도면에 도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 장치의 온도 조절부는 복사열에 의하여 연마 정반에 공급되기 이전의 웨이퍼 연마면을 가열할 수도 있다. 즉, 순수 공급부를 복사열 공급부로 대체할 수도 있다.
Further, although not shown in the drawings, the temperature control unit of the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention may heat the wafer polishing surface before being supplied to the polishing platen by radiant heat. That is, the pure water supply portion may be replaced by the radiation heat supply portion.

상기와 같이 구성된 본 발명은, 화학 기계적 연마 공정이 행해지기 이전의 웨이퍼에 대하여, 슬러리의 종류나 연마층의 소재, 연마량 등 화학 기계적 연마 공정의 변수를 고려하여, 전도 열전달, 대류 열전달, 복사 열전달 등 다양한 열전달 방식에 의하여 웨이퍼 연마면을 상온에 비하여 높은 적정 온도로 조절함으로써, 화학 기계적 연마 공정이 시작되어 단위 시간당 낮은 연마량을 나타내는 초기 단계(도3의 A1)에 소요되는 시간(T1)을 최소화함으로써, 화학 기계적 연마 공정에 소요되는 전체 시간을 단축하여 생산성을 향상시키고, 웨이퍼 연마면의 위치별 연마량 편차를 작게 제어할 수 있는 환경이 마련되는 유리한 효과를 얻을 수 있다. The present invention having the above-described structure can be applied to a wafer prior to the chemical mechanical polishing process, in consideration of variables of the chemical mechanical polishing process such as the kind of the slurry, the material of the polishing layer, The time (T1) required for the initial stage (A1 in FIG. 3) in which the chemical mechanical polishing process is started and the low polishing amount per unit time is indicated, by adjusting the wafer polishing surface by a variety of heat transfer methods such as heat transfer, It is possible to obtain an advantageous effect of improving the productivity by shortening the total time required for the chemical mechanical polishing process and providing an environment in which the variation of the polishing amount for each position of the wafer polishing surface can be controlled to be small.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 상기와 같은 특정 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And can be appropriately changed within the scope of the claims.

9: 화학 기계적 연마 장치 100, 200, 300 : 온도조절수단
110: 거치 플레이트 120: 열선
130: 제어부 Tm: 온도 센서
210: 챔버 220: 에어 온도조절부
230: 온풍 공급부 240: 제어부
310: 순수 공급부 W: 웨이퍼
Wx: 화학 기계적 연마 공정에 공급하기 직전의 웨이퍼9: Chemical mechanical polishing apparatus 100, 200, 300: Temperature control means
110: mounting plate 120: hot wire
130: control unit Tm: temperature sensor
210: chamber 220: air temperature regulator
230: Hot air supply unit 240:
310: pure supply part W: wafer
Wx: wafer immediately before supply to the chemical mechanical polishing process

Claims (15)

웨이퍼의 연마층을 연마하는 화학 기계적 연마 장치로서,
상기 웨이퍼의 연마면과 접촉하는 연마 패드를 상면에 구비하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하면서 상기 연마면을 연마하는 연마 정반과;
상기 웨이퍼가 상기 연마 정반과 접촉하면서 연마하는 공정 중에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부와;
상기 연마 정반에 웨이퍼를 공급하기 이전에 상기 웨이퍼를 가열하는 온도조절수단을;
포함하여 구성되어, 상기 온도조절수단에 의하여 상온보다 높게 가열한 상태로 상기 연마 정반에 공급되어 화학 기계적 연마 공정을 시작하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
A chemical mechanical polishing apparatus for polishing an abrasive layer of a wafer,
An abrasive platen provided on an upper surface thereof with a polishing pad in contact with the abrasive surface of the wafer and polishing the abrasive surface while rotating together with the polishing pad;
A slurry supply unit for supplying the slurry during a polishing process while the wafer is in contact with the polishing platen;
Temperature adjusting means for heating the wafer before supplying the wafer to the polishing platen;
And a chemical mechanical polishing apparatus comprising: a chemical mechanical polishing apparatus comprising: a chemical mechanical polishing apparatus for polishing a substrate;
제 1항에 있어서, 상기 온도조절수단은,
상온에 비하여 높은 온도인 거치 플레이트가 구비되어, 상기 웨이퍼가 화학 기계적 연마 공정을 행하기 이전에 상기 웨이퍼의 상기 연마면이 상기 거치 플레이트와 접촉하여 상기 웨이퍼의 상기 연마면의 온도가 상온에 비하여 높은 온도가 되게 하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
2. The apparatus according to claim 1,
Wherein the polishing surface of the wafer is brought into contact with the mounting plate so that the temperature of the polishing surface of the wafer is higher than the room temperature before the polishing surface of the wafer is subjected to the chemical mechanical polishing process, And the temperature of the chemical mechanical polishing apparatus is brought to a temperature.
제 2항에 있어서,
상기 거치 플레이트는 섭씨 35도 내지 200도 인것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein said mounting plate is between 35 degrees and 200 degrees Centigrade.
제 1항에 있어서, 상기 온도조절수단은,
화학 기계적 연마 공정을 위하여 상기 연마 정반으로 공급되는 웨이퍼를 보관하는 챔버와;
상기 챔버의 온도를 상온보다 높게 유지하는 온도 조절부를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
2. The apparatus according to claim 1,
A chamber for storing a wafer supplied to the polishing platen for a chemical mechanical polishing process;
A temperature regulator for maintaining the temperature of the chamber higher than room temperature;
Wherein the polishing pad is a polishing pad.
제 4항에 있어서, 상기 온도 조절부는,
상기 챔버 내의 온도를 측정하는 온도 센서와;
상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도가 정해진 온도보다 낮으면 상기 챔버 내에 가열된 공기를 주입하는 온풍 공급부를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
The apparatus according to claim 4,
A temperature sensor for measuring the temperature in the chamber;
A hot air supply unit for injecting heated air into the chamber if the measured temperature measured by the temperature sensor is lower than a predetermined temperature;
Wherein the polishing pad is a polishing pad.
제 4항에 있어서, 상기 온도 조절부는,
상기 연마 정반에 공급되기 직전의 웨이퍼를 거치시키는 거치 플레이트와;
상기 거치 플레이트의 온도를 측정하는 온도 센서와;
상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도가 정해진 온도보다 낮으면 상기 거치 플레이트를 가열하는 열선을;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
The apparatus according to claim 4,
A mounting plate for mounting a wafer immediately before being supplied to the polishing platen;
A temperature sensor for measuring the temperature of the mounting plate;
A heating line for heating the mounting plate when the measured temperature measured by the temperature sensor is lower than a predetermined temperature;
Wherein the polishing pad is a polishing pad.
제 1항에 있어서, 상기 온도조절수단은,
화학 기계적 연마 공정을 위하여 상기 연마 정반으로 공급되는 웨이퍼에 상온에 비하여 높은 온도인 순수를 공급하는 순수 공급부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
2. The apparatus according to claim 1,
A pure water supply unit for supplying pure water, which is higher in temperature than room temperature, to the wafer supplied to the polishing platen for the chemical mechanical polishing process;
Wherein the chemical mechanical polishing apparatus comprises a chemical mechanical polishing apparatus.
제 7항에 있어서,
상기 순수 공급부는 상기 웨이퍼를 순수에 담그는 수조를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the pure water supply unit comprises a water tank for immersing the wafer in pure water.
제 8항에 있어서,
상기 순수 공급부는 상기 웨이퍼의 상기 연마면에 순수를 분사하는 순수 분사부인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the pure water supply part is a pure water spray part for spraying pure water onto the polishing surface of the wafer.
제 7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 순수는 섭씨 35도 내지 100도인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
10. The method according to any one of claims 7 to 9,
Wherein the pure water is between 35 degrees centigrade and 100 degrees centigrade.
웨이퍼의 연마면을 화학 기계적 연마하는 방법으로서,
웨이퍼의 연마면을 상온에 비하여 높은 온도로 가열하는 웨이퍼 가열단계와;
상기 웨이퍼 가열단계가 행해진 상기 웨이퍼를 연마 정반에 공급하는 웨이퍼 공급단계와;
상기 연마 정반의 상면에 구비된 연마 패드와 상기 웨이퍼의 연마면이 접촉한 상태로 상기 연마 패드와 상기 웨이퍼 중 어느 하나 이상이 회전하고, 슬러리가 공급되면서 상기 웨이퍼의 연마면을 연마하는 웨이퍼 연마단계를;
포함하여 구성되어, 상온보다 높게 가열한 상태로 상기 연마 정반에 공급되어 화학 기계적 연마 공정을 시작하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법.
A method of chemically and mechanically polishing a polished surface of a wafer,
A wafer heating step of heating the polished surface of the wafer to a higher temperature than the normal temperature;
A wafer supplying step of supplying the wafer subjected to the wafer heating step to a polishing platen;
A wafer polishing step of polishing at least one of the polishing pad and the wafer in a state in which the polishing pad provided on the upper surface of the polishing table is in contact with the polishing surface of the wafer and the polishing surface of the wafer being supplied with the slurry, ;
Wherein the chemical mechanical polishing step is carried out by supplying the polishing platen while being heated to a temperature higher than room temperature to start the chemical mechanical polishing process.
제 11항에 있어서,
상기 웨이퍼 가열단계는 상기 웨이퍼의 상기 연마면이 상온보다 높은 온도의 액체에 접촉하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법.

12. The method of claim 11,
Wherein the wafer heating step is performed by bringing the polishing surface of the wafer into contact with a liquid at a temperature higher than normal temperature.

제 11항에 있어서,
상기 웨이퍼 가열단계는 상기 웨이퍼의 상기 연마면이 상온보다 높은 온도의 고체에 접촉하여 열전도에 의하여 가열되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the wafer heating step is such that the polishing surface of the wafer contacts a solid at a temperature higher than normal temperature and is heated by thermal conduction.
제 11항에 있어서,
상기 웨이퍼 가열단계는 상온보다 높은 온도인 챔버에 상기 웨이퍼를 위치시키는 것에 의하여 행해지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the heating of the wafer is performed by positioning the wafer in a chamber at a temperature higher than ambient temperature.
제 11항에 있어서,
상기 웨이퍼 가열단계는 상기 웨이퍼의 연마면에 복사열을 가하여 가열하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the heating of the wafer is performed by applying radiant heat to the polishing surface of the wafer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110576387A (en) * 2019-09-30 2019-12-17 靖江先锋半导体科技有限公司 surface grinding device for plasma CVD wafer heater

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275412A (en) * 1991-11-14 1993-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for cleaning and drying treatment of substrate
JPH1133897A (en) * 1997-07-24 1999-02-09 Matsushita Electron Corp Chemical-mechanical polishing method and device
KR20130053004A (en) * 2011-11-14 2013-05-23 고려대학교 산학협력단 Appratus and method of chemical mechanical polishing of gst film for pram
KR20130105776A (en) * 2012-03-16 2013-09-26 (주)네오텍 A device for mount of wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275412A (en) * 1991-11-14 1993-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for cleaning and drying treatment of substrate
JPH1133897A (en) * 1997-07-24 1999-02-09 Matsushita Electron Corp Chemical-mechanical polishing method and device
KR20130053004A (en) * 2011-11-14 2013-05-23 고려대학교 산학협력단 Appratus and method of chemical mechanical polishing of gst film for pram
KR20130105776A (en) * 2012-03-16 2013-09-26 (주)네오텍 A device for mount of wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110576387A (en) * 2019-09-30 2019-12-17 靖江先锋半导体科技有限公司 surface grinding device for plasma CVD wafer heater
CN110576387B (en) * 2019-09-30 2024-03-12 江苏先锋精密科技股份有限公司 Surface grinding device for plasma CVD wafer heater

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