KR101566271B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 덮개막, 상기 덮개막 위에 형성되어 있으며 박막이 존재하는 복수의 제1 부분과 박막이 존재하지 않는 복수의 제2 부분을 포함하는 박막 패턴, 상기 박막 패턴 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있다.
OLED, 마이크로 캐비티, 공기층, DBR patterning, 오버 에치, 굴절률, scattering

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표기 장치 중 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED)는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.
유기 발광 표시 장치는 적색 화소, 청색 화소, 또는 녹색 화소 등의 복수의 화소(pixel)를 포함하며, 이들 화소를 조합하여 풀 컬러(full color)를 표현할 수 있다. 각 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다.
유기 발광 소자는 애노드와 캐소드 및 그 사이의 유기 발광 부재 등을 포함하는데, 유기 발광 부재는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색의 빛을 내거나 흰색의 빛을 낸다. 유기 발광 부재가 내는 색상에 따라서 재료가 달라지며, 백색광을 내는 경우에는 적색, 녹색, 청색의 빛을 내는 발광 재료들을 적층하여 합성광이 백색이 되 도록 하는 방법을 주로 사용하고 있다. 또한, 유기 발광 부재가 백색광을 내는 경우에는 색필터를 부가하여 원하는 색상의 빛을 얻기도 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 발광 표시 장치의 정면 및 측면에서의 색의 선명도를 높이면서 시야각에 따른 표시 특성을 좋게 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 광 효율을 높이는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 덮개막, 상기 덮개막 위에 형성되어 있으며 박막이 존재하는 복수의 제1 부분과 박막이 존재하지 않는 복수의 제2 부분을 포함하는 박막 패턴, 상기 박막 패턴 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있다.
상기 덮개막과 상기 박막 패턴 사이에 형성되어 있는 하부 투명 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 패턴은 투명 무기물을 포함할 수 있다.
상기 박막 패턴의 굴절률은 상기 제1 전극의 굴절률과 다를 수 있다.
상기 박막 패턴의 굴절률은 상기 하부 투명 부재의 굴절률과 다를 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 하부 투명 부재 사이에 공기층을 더 포함할 수 있다.
상기 공기층은 상기 박막 패턴의 상기 제1 부분의 가장자리를 따라 형성되어 있을 수 있다.
상기 박막 패턴의 상기 제1 부분과 상기 공기층 위에만 위치하는 상부 투명 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 투명 도전성 물질을 포함하고, 상기 박막 패턴은 투명 무기물을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO 또는 IZO를 포함하고, 상기 투명 패턴은 산화규소 또는 질화규소를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO, IZO, 또는 질화규소를 포함하고, 상기 투명 패턴은 산화규소를 포함할 수 있다.
상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분 각각의 모양은 다각형, 원형, 또는 타원형 수 있다.
상기 박막 패턴은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반투과 금속 부재를 포함할 수 있다.
상기 박막 패턴은 상기 반투과 금속 부재의 위 또는 아래에 형성되어 있는 산화물 도전 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 산화물 도전 부재는 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하며, 상기 제1, 제2 및 제3 화소는 각각 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 하부 투명 부재, 상기 하부 투명 부재 위에 형성되어 있는 투명 패턴, 상기 투명 패턴 위에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1화소의 투명 패턴은 투명막이 존재하는 제1 부분과 투명막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있다.
상기 투명 패턴의 굴절률은 상기 제1 전극의 굴절률과 다를 수 있다.
상기 제1 화소의 상기 제1 전극과 상기 하부 투명 부재 사이에 공기층을 더 포함할 수 있다.
상기 공기층은 상기 투명 패턴의 상기 제1 부분의 가장자리를 따라 형성되어 있을 수 있다.
상기 투명 패턴의 상기 제1 부분과 상기 공기층 위에만 위치하는 상부 투명 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO 또는 IZO를 포함하고, 상기 투명 패턴은 산화규소 또는 질화규소를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO, IZO, 또는 질화규소를 포함하고, 상기 투명 패턴은 산화규소를 포함할 수 있다.
상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 적어도 하나의 상기 투명 패턴 위에 형성되어 있는 부가 투명 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 부가 투명 부재는 ITO, IZO, 산화규소 및 질화규소 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 부가 투명 부재는 상기 제1 화소에 형성되어 있을 수 있다.
상기 제3 화소의 상기 투명 패턴은 투명막이 연속으로 존재하며 상기 하부 투명 부재를 드러내는 접촉 구멍을 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2 화소는 적색 또는 청색을 표시하고, 제3 화소는 녹색을 표시할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서, 기판 위에 복수의 하부 투명 부재를 형성하는 단계, 상기 복수의 하부 투명 부재 위에 투명 무기물을 적층하여 투명 무기막층을 형성하는 단계, 상기 투명 무기막층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 투명 무기막이 존재하는 제1 부분과 투명 무기막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하는 복수의 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각의 상기 투명 무기막 패턴 위에 도전층을 적층하고 사진 식각하여 복수의 제1 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 복수의 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 적어도 하나의 화소의 상기 투명 무기막 패턴을 덮는 제3 부분을 포함하는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막 패턴 위에 투명 부재층을 적층하는 단계, 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중, 상기 제1 감광막 패턴의 상기 제3 부분이 위치하지 않는 화소의 상기 투명 부재층을 덮는 제4 부분을 포함하는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 투명 부재층을 식각하여 복수의 부가 투명 부재를 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 및 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 한 화소 또는 두 화소에서 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있을 수 있고, 나머지 화소에서 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제1 부분이 연속으로 존재하며 상기 제2 부분은 상기 하부 투명 부재를 드러내는 접촉 구멍을 포함할 수 있다.
상기 복수의 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 투명 무기막 패턴 위에 투명 부재층을 적층하는 단계, 그리고 상기 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 상기 한 화소 또는 두 화소의 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제2 부분을 채우는 복수의 부가 투명 부재와 상기 나머지 화소의 상기 투명 무기막 패턴의 상기 접촉 구멍을 채우는 투명 연결 부재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제1색 을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서, 기판 위에 하부 투명 부재층, 투명 무기막층, 그리고 상부 투명 부재층을 차례대로 적층하는 단계, 상기 상부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 투명막이 존재하는 제1 부분과 투명막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하는 복수의 상부 투명 패턴을 형성하는 단계, 상기 상부 투명 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 투명 무기막층을 오버 에치하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분의 경계 안에 위치하는 제3 부분을 포함하는 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계, 상기 상부 투명 패턴 위에 제1 투명 도전층을 적층하여 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제3 부분 가장자리에 위치하며 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분 아래에 위치하는 공기층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 투명 도전층 및 상기 하부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 위치하는 복수의 하부 투명 부재 및 복수의 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 투명 도전층을 적층하는 단계 이후에, 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 한 화소 또는 두 화소의 상기 제1 투명 도전층을 덮는 제4 부분을 포함하는 감광막 패턴을 형성하는 단계, 그리고 제1, 제2 및 제3 화소의 상기 감광막 패턴 위에 제2 투명 도전층을 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 하부 투명 부재 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제2 투명 도전층을 상기 제1 투명 도전층 및 상기 하부 투명 부재층과 함께 식각하여 상기 감광막 패턴의 상기 제4 부분을 포함하지 않는 화소에 복수의 부가 투명 부재를 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서, 기판 위에 하부 투명 부재층, 투명 무기막층, 그리고 상부 투명 부재층을 차례대로 적층하는 단계, 상기 상부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 한 화소 또는 두 화소에 투명막이 존재하는 제1 부분과 투명막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하는 복수의 상부 투명 패턴을 형성하고, 나머지 화소의 투명 무기막층을 드러내는 단계, 상기 나머지 화소의 상기 드러난 투명 무기막층을 덮는 제3 부분을 포함하는 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 투명 무기막층을 오버 에치하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 상기 상부 투명 패턴을 포함하는 화소에 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분의 경계 안에 위치하는 제4 부분을 포함하는 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 드러난 투명 무기막층 위에 투명 도전층을 적층하여 상기 제4 부분 가장자리에 위치하며 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분 아래에 위치하는 공기층을 형성하는 단계, 그리고 상기 투명 도전층 및 상기 하부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 복수의 하부 투명 부재 및 복수의 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면 시야각에 따른 스펙트럼 및 휘도 변화, 색변이를 줄일 수 있다.
또한 유기 발광 표시 장치의 광 효율이 증가하고 유기 발광 소자의 저항을 낮출 수 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 도 1을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172) 등을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 유기 발광 소자(LD)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나 또는 하나 이상의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 포함하거나, 백색을 내는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 유기 발광 표시 장치는 이들 색의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
그러면 이러한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 및 도 3을 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 박막의 여러 가지 패턴 형태를 보여주는 평면도이다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 스위칭 트랜지스터(도시하지 않음) 및 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함하는 복수의 박막 트랜지스터 어레이(thin film transistor array)가 형성되어 있다. 스위칭 트랜지스터(도시하지 않음) 및 구동 트랜지스터(Qd)에 대한 설명은 앞에서 하였으므로 생략한다.
박막 트랜지스터 어레이(Qd) 위에는 절연막(112)이 형성되어 있다.
절연막(112) 위에는 적색 화소(R)에 적색 색필터(230R), 녹색 화소(G)에 녹색 색필터(230G), 청색 화소(B)에 청색 색필터(230B), 그리고 백색 화소(W)에는 투명한 백색 색필터(230W)가 각각 형성되어 있다. 백색 화소(W)의 백색 색필터(230W)는 생략될 수 있다.
색 필터(230R, 230G, 230B, 230W) 및 절연막(112) 위에는 덮개막(180)이 형성되어 있다. 덮개막(180)은 유기물로 만들어질 수 있으며 표면이 평탄할 수 있다.
절연막(112) 및 덮개막(180)에는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자(도시하지 않음)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185R, 185G, 185B, 185W)이 형성되어 있다.
적색 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 덮개막(180) 위에는 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)가 형성되어 있다. 하부 투명 부재 (193R, 193G, 193B)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위로 만들어질 수 있으며, 접촉 구멍(185R, 185G, 185B)을 통하여 하부의 구동 트랜지스터(Qd)와 전기적으로 연결되어 있다. 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)의 두께는 각 색상(R, G, B)에 해당하는 파장의 1/4의 정수배일 수 있다.
적색 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 위에는 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)이 형성되어 있다.
투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)은 투명 무기막이 존재하는 A 영역과 투명 무기막이 존재하지 않는 B영역을 포함하며, A 및 B 영역은 규칙성을 가지고 교대로 배열되어 있을 수 있다.
이러한 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 형태에 대하여 도 3을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 3(a) 및 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 투명 무기막이 존재하지 않는 복수의 B 영역 또는 투명 무기막이 존재하는 복수의 A 영역이 면심 육각형 구조 또는 삼각형 구조를 이루며 배열되어 있을 수 있다. 이와 다르게 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 A 영역 또는 B 영역은 불규칙한 모양을 이루며 배열되거나 도 3(a) 및 도 3(b)의 배열 구조와는 다각형, 원형 또는 타원형 등 다른 여러 가지 모양을 이루며 규칙적으로 배열되어 있을 수도 있다. 각각의 A 영역 또는 B 영역의 모양은 다각형, 원형, 타원형 등 다양할 수 있다. 이외에도 각 화소(R, G, B)에서 A 영역 또는 B 영역의 개수, 배열된 A 영역 또는 B 영역 간 거리, 각각의 A 영역 또는 B 영역의 모양 또는 면적도 다양하게 변화시킬 수 있다.
한편 도 3(c)에 도시한 실시예를 참고하면, A 영역과 B 영역이 세로 방향으로 긴 띠 형태를 가지며 교대로 배열되어 있을 수 있다. 띠 형태의 A 영역과 B 영역의 폭 또한 조건에 따라 다양하게 변화시킬 수 있다.
도 3과 달리, 각 화소(R, G, B)의 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)이 하나의 A 영역과 하나의 B영역으로 이분될 수도 있다.
투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx)와 같은 투명한 무기물 따위로 만들어지며, 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 굴절률은 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)의 굴절률보다 작을 수 있다. 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 두께는 각 색상(R, G, B)에 해당하는 파장의 1/4의 정수배일 수 있다.
적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 무기막 패턴(194R, 194B) 위에는 투명 부재(196R, 196B)가 형성되어 있다. 투명 부재(196R, 196B)는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질로 만들어질 수 있으며, 투명 부재(196R, 196B)의 두께는 서로 실질적으로 동일하다.
적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 부재(196R, 196B), 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194G), 그리고 백색 화소(W)의 덮개막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W)이 형성되어 있으며, 각 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W)은 각각의 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)에 대응하는 영역에 위치한다. 백 색 화소(W)의 화소 전극(191W)은 접촉 구멍(185W)을 통하여 구동 트랜지스터(Qd)와 전기적으로 연결되어 있다.
이와 같이 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 A 영역에서는 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)와 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 굴절률 차이와 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)과 투명 부재(196R, 196B) 또는 화소 전극(191G)의 굴절률 차이로 인해 상부로부터의 입사광의 일부가 이들 경계에서 반사된다. 덮개막(180)과 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)의 굴절율에 차이가 있는 경우, 상부로부터의 입사광이 덮개막(180) 및 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)의 경계에서도 일부 반사될 수 있다. 이로써 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B), 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B), 투명 부재(196R, 196B) 또는 화소 전극(191G)은 함께 입사광의 일부를 반사하거나 투과시키는 반투과 특성을 가지게 된다.
이웃하는 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W) 사이에는 절연을 위한 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있다. 절연 부재(361)는 생략될 수 있다.
절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W) 위에는 백색 유기 발광 부재(370)가 전면에 형성되어 있으며, 그 위에는 공통 전압(Vss)을 전달하는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
백색 유기 발광 부재(370)는 기본색 중 서로 다른 색의 빛을 내는 복수의 유기 물질층이 적층된 구조를 가질 수 있으며, 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등을 포함하는 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
이와 다르게, 적색, 녹색, 청색 및 백색 화소(R, G, B, W)에 적색, 녹색 및 청색의 빛을 고유하게 내는 유기 발광 부재(도시하지 않음)와 백색 유기 발광 부재가 각각 형성되어 있을 수 있다. 이 경우 적색, 녹색, 청색 또는 백색 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 생략될 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에서, 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W)이 애노드, 공통 전극(270)이 캐소드가 된다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다. 유기 발광 부재(370)에서 기판(110) 쪽으로 방출된 빛은 백색 화소(W)에서는 화소 전극(191W)을 통하여 바깥으로 나가며, 나머지 화소(R, G, B)에서는 화소 전극(191R, 191G, 191B) 및 투명 부재(196R, 196B)[단, 녹색 화소(G) 제외]를 통과하여 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B) 상부에 이른다. 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 B 영역에 이른 입사광은 직접 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)에 이르지만, 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 A 영역에 이른 입사광은 공통 전극(270) 쪽으로 반사되며 공통 전극(270)은 이를 다시 반사한다. 한편 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 A 영역을 통과한 입사광은 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)와 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 경계에서 반사되며, 그 위상은 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 상부에서 반사된 빛의 위상과 동일할 수 있다. 이와 같이 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 A 영역의 위 또는 아래 경계와 공통 전극(270) 사이에서 왕복하는 빛은 간섭 등의 광학적 과 정을 거치고 적절한 조건이 되면 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 및 색필터(230R, 230G, 230B)를 통과하여 바깥으로 나간다.
이때, 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)과 공통 전극(270) 사이에 있는 투명 부재(196R, 196B)를 비롯한 여러 박막들의 두께와 굴절률 등에 따라 빛의 경로가 달라지므로 이들 박막의 두께와 재질 등을 적절하게 선택하여 적색, 녹색 및 청색 각각에 해당하는 파장의 빛을 강화시킬 수 있다. 이와 같이 하면 원하는 광학적 특성, 예를 들면 적색, 녹색 및 청색의 원하는 범위의 파장과 색순도를 가지는 빛을 얻을 수 있다.
이와 같이 한 화소(R, G, B)에 해당 파장의 빛이 보강 간섭되는 영역(A)과 그렇지 않은 영역(B)을 함께 둠으로써 시야각에 따른 스펙트럼 및 휘도 변화를 줄일 수 있고 시야각에 따른 색변이도 줄일 수 있다.
또한 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)에 의해 전반사가 줄어 들어 광 효율이 증가하고, 빛의 스캐터링(scattering)에 의해 시야각에 따른 휘도 변화 및 색변이가 줄어들어 표시 특성이 향상된다.
또한 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 형태가 위에 위치하는 화소 전극(191R, 191G, 191B)에도 전사되어 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 유기 발광 부재(370)와 접촉하는 단면적이 증가하여 저항이 낮아질 수 있다.
본 실시예와 다르게, 백색의 시야각에 따른 색변이를 줄이고 휘도를 높이기 위해 백색 화소(W)에도 적색, 청색 및 녹색 화소(R, G, B)의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B), 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B) 및 투명 부재(196R, 196B)를 포 함하는 구조가 집약되어 모두 형성되어 있을 수 있다. 또는 백색 화소(W)가 생략될 수도 있다.
또한 본 실시예와 다르게 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 또는 부가 투명 부재(196R, 196B)는 산화규소 또는 질화규소로 이루어질 수 있으며, 이 경우 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)은 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 및 부가 투명 부재(196R, 196B)와는 다른 투명한 무기물로 이루어진다. 이때 각 화소(R, G, B)의 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통해 직접 구동 트랜지스터(Qd)와 연결될 수 있다.
그러면, 도 4 내지 도 9를 참고하여 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4 내지 도 9는 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이다.
도 4를 참고하면, 절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함하는 복수의 박막 트랜지스터 어레이를 형성하고, 그 위에 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B, 230W) 및 덮개막(180)을 차례대로 형성한다.
이어서 절연막(112) 및 덮개막(180)을 패터닝하여 구동 트랜지스터(Qd)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185R, 185G, 185B, 185W)을 형성하고, 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 덮개막(180) 위에 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)를 형성한다. 이어서 덮개막(180)과 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 위에 질화규소 또는 산화규소 따위의 투명 무기물을 적층 하여 투명 무기막층(194)을 형성한다.
다음 도 5를 참고하면, 투명 무기막층(194)을 사진 식각하여 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)에 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)을 형성한다.
다음 도 6을 참고하면, 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 감광막 패턴(52)을 형성한다. 감광막 패턴(52)은 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194G) 및 하부 투명 부재(193G)를 덮는다.
이어서, ITO 또는 IZO 따위의 투명 부재층(195)을 스퍼터링(sputtering) 따위의 방법으로 적층한 후, 그 위에 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 부재층(195)을 덮는 감광막 패턴(54)을 형성한다.
다음 도 7을 참고하면, 감광막 패턴(54)을 마스크로 하여 투명 부재층(195)을 식각하여 부가 투명 부재(196R, 196B)를 형성하고 감광막 패턴(52, 54)을 제거한다. 이때 감광막 패턴(52)은 투명 부재층(195)을 식각할 때 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194G)을 식각액으로부터 보호한다.
다음 도 8 및 도 9를 참고하면, 기판 전면에 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전층(190)을 적층하고 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W)을 형성한다.
마지막으로 도 2에 도시한 바와 같이 복수의 절연 부재(361), 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 차례로 형성한다.
그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 10을 도 1 및 도 2와 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
전술한 실시예와 동일한 설명은 생략하며 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 박막 트랜지스터 어레이(Qd), 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B, 230W), 덮개막(180), 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B, 193W), 복수의 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B, 194W), 부가 투명 부재(196G, 196Wg)[녹색 및 백색 화소(G, W)만 해당], 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W), 절연 부재(361), 유기 발광 부재(370R, 370G, 370B, 370W) 및 공통 전극(270)이 차례대로 형성되어 있다.
본 실시예에서는 도 2에 도시한 실시예와 달리 백색 화소(W)에도 하부 투명 부재(193W) 및 투명 무기막 패턴(194W)이 형성되어 있다. 또한 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194G) 위에 부가 투명 부재(196G)가 형성되어 있으며, 백색 화소(W)의 투명 무기막 패턴(194W) 위에도 일부분 부가 투명 부재(196Wg)가 형성되어 있다. 녹색 화소(G)의 부가 투명 부재(196G)와 백색 화소(W)의 부가 투명 부재(196Wg)의 두께와 굴절률은 서로 동일하다.
각 화소(R, G, B, W)에서 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B, 194W)과 공통 전극(270) 사이를 왕복하는 빛은 앞선 실시예와는 다른 광로 길이를 가지고 보강 간섭을 한다. 특히 백색 화소(W)에서는 투명 무기막 패턴(194W)과 공통 전극(270) 사이를 왕복하는 빛 중 부가 투명 부재(196Wg)를 통과하는 빛은 녹색 화소(G)와 동일하게 녹색 파장에 해당하는 빛의 세기가 강화되고, 부가 투명 부재(196Wg)를 통 과하지 않는 빛은 적색 및 청색 파장에 해당하는 빛의 세기가 강화된다. 따라서 부가 투명 부재(196Wg)의 넓이를 적절히 선택하면 보강 간섭으로 강화되는 기본 색상(R, G, B)에 해당하는 빛의 세기를 조절할 수 있고 고휘도의 백색의 빛을 내보낼 수 있다. 이로써 색의 선명도를 더욱 높일 수 있으며 시야각에 따른 색변이 및 색좌표의 변형을 줄일 수 있다.
또한 백색 화소(W)에도 나머지 화소(R, G, B)와 동일하게 하부 투명 부재(193W), 투명 무기막 패턴(194W) 및 부가 투명 부재(196Wg)를 형성함으로써 백색 화소(W)와 나머지 화소(R, G, B) 간 단차를 없앨 수 있고 제조 공정에서 제품의 완성도를 높일 수 있다.
본 실시예와 다르게 적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 무기막 패턴(194R, 194B) 위에 부가 투명 부재(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 백색 화소(W)의 투명 무기막 패턴(194W)의 일부 위에도 적색 및 청색 화소(R, B)의 부가 투명 부재(도시하지 않음)과 동일한 조건의 부가 투명 부재(도시하지 않음)가 형성되어 있을 수도 있다.
한편 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 화소(R, G, B, W)에 위치하며 절연 부재(361)로 둘러싸인 개구부에 적색, 녹색, 청색 및 백색 유기 발광 부재(370R, 370G, 370B, 370W)가 각각 형성되어 있다. 이와 같이 하면 각 기본색의 색순도를 더욱 높일 수 있다. 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 생략될 수 있다.
이외에 앞선 실시예의 여러 특징 및 효과가 본 실시예에도 적용될 수 있다.
그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 11 을 도 1 내지 도 3과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
전술한 실시예와 동일한 설명은 생략하며 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 박막 트랜지스터 어레이(Qd), 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B), 덮개막(180), 복수의 반투과 부재 패턴(192R, 192G, 192B, 192W), 부가 투명 부재(196R, 196B, 196Wr, 196Wb)[녹색 화소(G) 제외], 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W), 절연 부재(361), 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)이 차례대로 형성되어 있다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2의 실시예와 달리 백색 화소(W)에 색필터가 존재하지 않는다.
또한 적색, 녹색, 청색 및 백색 화소(R, G, B, W)의 덮개막(180) 위에는 반투과 부재 패턴(192R, 192G, 192B, 192W)이 각각 형성되어 있다.
반투과 부재 패턴(192R, 192G, 192B, 192W)은 금속으로 만들어진 반투과 금속 부재(198R, 198G, 198B, 198W)와 ITO 또는 IZO 따위로 만들어진 하부 및 상부 산화물 도전 부재(197R, 197G, 197B, 197W, 199R, 199G, 199B, 199W)를 포함하며 이들의 평면 모양은 서로 동일하다. 반투과 부재 패턴(192R, 192G, 192B, 192W)은 반투과 부재가 존재하는 A' 영역과 반투과 부재가 존재하지 않는 B' 영역을 포함하며, 도 2에 도시한 실시예의 투명 무기막 패턴(194R, 194G, 194B)의 패턴 모양과 동일할 수 있다.
반투과 금속 부재(198R, 198G, 198B, 198W)는 은 또는 알루미늄 따위의 반사도가 높은 금속으로 만들어질 수 있으며 두께는 약 50 Å~ 200 Å 일 수 있다. 이와 같이 금속이라도 두께가 얇으면 입사광이 반사되기도 하고 투과되기도 하는 반투과 특성을 가지게 된다.
하부 산화물 도전 부재(197R, 197G, 197B, 197W) 및 상부 산화물 도전 부재(199R, 199G, 199B, 199W)는 각각 반투과 금속 부재(198R, 198G, 198B, 198W)의 아래 및 위에 위치하여 반투과 금속 부재(198R, 198G, 198B, 198W)와 다른 층과의 접착성을 향상시키고 부식을 방지한다. 하부 산화물 도전 부재(197R, 197G, 197B, 197W)의 일부는 접촉 구멍(185R, 185G, 185B, 185W)을 통해 구동 트랜지스터(Qd)와 연결되어 있다.
한편 본 실시예에서는 도 2에 도시한 실시예와 달리 백색 화소(W)의 반투과 부재 패턴(192W) 위에도 부가 투명 부재(196Wr, 196Wb)가 형성되어 있다. 적색 및 청색 화소(R, B)의 부가 투명 부재(196R, 196B)와 백색 화소(W)의 부가 투명 부재(196Wr, 196Wb)의 두께와 굴절률은 서로 동일하다.
백색 유기 발광 부재(370)로부터 방출된 빛은 A' 영역의 반투과 부재 패턴(192R, 192G, 192B, 192W)과 공통 전극(270) 사이를 왕복하며 보강 간섭을 거치고 반투과 부재 패턴(192R, 192G, 192B, 192W)의 B' 영역에 이른 빛은 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)를 거쳐 바깥으로 나간다. 특히 백색 화소(W)에서는 반투과 부재 패턴(192W)의 A' 영역과 공통 전극(270) 사이를 왕복하는 빛 중 부가 투명 부재(196Wr, 196Wb)를 통과하는 빛은 적색 및 청색 화소(R, B)와 동일하게 적 색 및 청색 파장에 해당하는 빛의 세기가 강화되고, 부가 투명 부재(196Wr, 196Wb)를 통과하지 않는 빛은 녹색 파장에 해당하는 빛의 세기가 강화된다. 따라서 부가 투명 부재(196Wr, 196Wb)의 넓이를 적절히 선택하여 보강 간섭으로 강화되는 기본 색상(R, G, B)에 해당하는 빛의 세기를 조절할 수 있고 고휘도의 백색의 빛을 내보낼 수 있다.
이외에도 도 2 및 도 10에 도시한 실시예의 여러 특징 및 효과가 본 실시예에도 적용될 수 있다.
그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 12를 도 1 내지 도 3과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
전술한 도 2의 실시예와 동일한 설명은 생략하며 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 박막 트랜지스터 어레이(Qd), 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B, 230W), 덮개막(180), 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B), 복수의 투명 무기막 패턴(194R, 194Ga, 194B), 복수의 부가 투명 부재(196R, 196B) 및 복수의 투명 연결 부재(196Ga)[녹색 화소(G)에 해당], 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W), 절연 부재(361), 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)이 차례대로 형성되어 있다.
도 2에 도시한 실시예와 달리, 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194Ga)은 적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 무기막 패턴(194R, 194B)과 다른 형태를 갖는다. 즉, 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194Ga)은 녹색 화소(G)의 하부 투명 부재(193G) 전면에 연속되게 형성되어 있다.
또한 투명 무기막 패턴(194Ga)에는 하부 투명 부재(193G)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(194G1)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(194G1) 안에는 투명 연결 부재(196Ga)가 형성되어 있고, 이 투명 연결 부재(196Ga)를 통하여 화소 전극(191G)이 하부 투명 부재(193G)와 연결되어 있다.
녹색 화소(G)에서 유기 발광 부재(370)로부터 방출된 빛은 하부 투명 부재(193G)의 윗면 또는 투명 무기막 패턴(194Ga)의 윗면에서 공통 전극(270) 쪽으로 반사되며 공통 전극(270)은 이를 다시 반사한다. 이와 같이 투명 무기막 패턴(194Ga)의 위 또는 아래와 공통 전극(270) 사이를 왕복하는 빛은 보강 간섭 등의 광학적 과정을 거쳐 녹색 파장의 빛이 강화될 수 있다.
본 실시예와 달리, 녹색 화소(G)의 구조와 적색 및 청색 화소(R, B)의 구조는 뒤바뀔 수 있으며, 백색 화소(W)에도 하부 투명 부재(도시하지 않음), 투명 무기막 패턴(도시하지 않음) 및 부가 투명 부재(도시하지 않음)가 형성되어 있을 수 있다.
이외에도 도 2, 도 10 및 도 11에 도시한 실시예들의 여러 특징 및 효과가 본 실시예에도 적용될 수 있다.
그러면 도 12에 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 13 내지 도 16을 참고하여 설명한다.
도 13 내지 도 16은 도 12에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실 시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이다.
먼저 도 13을 참고하면, 절연 기판(110) 위에 복수의 박막 트랜지스터 어레이(Qd)를 형성하고, 그 위에 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B, 230W) 및 덮개막(180)을 차례로 형성한다.
이어서, 절연막(112) 및 덮개막(180)을 패터닝하여 구동 트랜지스터(Qd)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185R, 185G, 185B, 185W)을 형성하고, 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 덮개막(180) 위에 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)를 형성한다. 이어서 덮개막(180)과 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 위에 질화규소 또는 산화규소 따위의 투명 무기물을 적층하여 투명 무기막층(194)을 형성한다.
다음 도 14를 참고하면, 투명 무기막층(194)을 사진 식각하여 적색 및 청색 화소(R, B)에 투명 무기막 패턴(194R, 194B)을 형성하고, 녹색 화소(G)에 접촉 구멍(194G1)을 갖는 투명 무기막 패턴(194Ga)를 형성한다.
다음 도 15를 참고하면, ITO 또는 IZO 따위의 투명 부재층(도시하지 않음)을 적층한 후 사진 식각하여 복수의 부가 투명 부재(196R, 196B), 그리고 접촉 구멍(194G1) 안의 복수의 투명 연결 부재(196Ga)를 형성한다.
다음 도 16을 참고하면, 기판 전면에 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전층(도시하지 않음)을 적층하고 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B, 191W)을 형성한다.
마지막으로 도 12에 도시한 바와 같이 복수의 절연 부재(361), 백색 유기 발 광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 차례로 형성한다.
이와 같이 하면 도 4 내지 도 9에 도시한 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법과 비교하여 적어도 하나의 사진 공정을 줄일 수 있어 제조 공정을 간단히 할 수 있다.
다음 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 17을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 17은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
전술한 도 2의 실시예와 동일한 설명은 생략하며 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여한다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 적색, 녹색 및 청색 화소(R, G, B)를 포함한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 스위칭 트랜지스터(도시하지 않음) 및 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이, 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B), 덮개막(180), 그리고 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질로 만들어질 수 있는 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)가 형성되어 있다.
절연막(112) 및 덮개막(180)에는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자(도시하지 않음)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185R, 185G, 185B)이 형성되어 있다. 각 화소(R, G, B)의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)는 접촉 구멍(185R, 185G, 185B)을 통하여 하부의 구동 트랜지스터(Qd)와 전기적으로 연결되어 있다.
하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 위에는 질화규소 또는 산화규소와 같은 투명한 무기물 따위로 만들어질 수 있는 복수의 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)이 형성되어 있다. 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)의 형태는 앞에서 설명한 도 2 및 도 3의 실시예에 대한 설명과 동일하므로 생략한다. 다만 본 실시예에서는 투명 무기막이 존재하는 A 영역의 외곽을 따라 형성되어 있는 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)이 존재한다.
투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb) 및 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc) 위에는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질로 만들어질 수 있는 복수의 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)이 형성되어 있다. 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)은 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb) 및 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc) 위에만 존재하며 그 평면 모양은 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb) 및 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)의 평면 모양과 실질적으로 동일하다.
적색 및 청색 화소(R, B)의 상부 투명 패턴(195R, 195B) 및 하부 투명 부재(193R, 193B) 위에는 복수의 부가 투명 부재(196Rb, 196Bb)가 형성되어 있고, 녹색 화소(G)의 상부 투명 패턴(195G) 및 하부 투명 부재(193G) 위에는 복수의 화소 전극(191G)이 형성되어 있다. 부가 투명 부재(196Rb, 196Bb) 및 화소 전극(191G)은 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질로 만들어질 수 있으며, 부가 투명 부재(196Rb, 196Bb)의 두께는 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
적색 및 청색 화소(R, B)의 부가 투명 부재(196Rb, 196Bb) 위에는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질로 만들어질 수 있는 복수의 화소 전극(191R, 191B)이 형성되어 있다.
이웃하는 화소 전극(191R, 191G, 191B) 사이에는 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있고, 절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)이 차례대로 형성되어 있다.
본 실시예에서는 유기 발광 부재(370)로부터 방출된 빛이 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)의 투명 무기막이 존재하는 A 영역의 윗면 또는 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)의 윗면에서 공통 전극(270) 쪽으로 반사된다. 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)과 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)의 굴절률 차보다 굴절률이 1인 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)과 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)의 굴절률 차이가 더 크므로 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)의 윗면에서 더 강한 반사가 일어난다. 따라서 각 색상(R, G, B)의 색순도 및 휘도를 더욱 높일 수 있다.
또한 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)의 투명 무기막이 존재하는 A 영역의 아랫면 또는 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)의 아랫면에서도 입사광의 반사가 일어날 수 있으며, 이때 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)의 두께는 각 색상(R, G, B)에 해당하는 파장의 1/4의 정수배일 수 있다. 이와 유사하게, 굴절율에 차이가 있는 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 및 덮개막(180) 사이의 경계에서도 입사광의 반사가 일어날 수 있으며, 이 경우에도 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)의 두께는 각 색상(R, G, B)에 해당하는 파장의 1/4의 정수배일 수 있다.
본 실시예와 다르게 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 또는 상부 투명 패 턴(195R, 195G, 195B)은 산화규소 또는 질화규소로 이루어질 수 있으며, 이 경우 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)은 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B) 및 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)과는 다른 투명한 무기물로 이루어질 수 있다. 이때 각 화소(R, G, B)의 화소 전극(191R, 191G, 191B) 또는 부가 투명 부재(196Rb, 196Bb)가 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통해 직접 구동 트랜지스터(Qd)와 연결될 수 있다.
이외에도 앞에서 설명한 도 2의 유기 발광 표시 장치의 여러 특징 및 효과들이 본 실시예에도 적용될 수 있다.
그러면, 도 18 내지 도 22를 참고하여 도 17에 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 18 내지 도 22는 도 17에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이다.
우선 도 18을 참고하면, 절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이를 형성하고, 그 위에 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B) 및 덮개막(180)을 차례대로 형성한다.
이어서 절연막(112) 및 덮개막(180)을 패터닝하여 구동 트랜지스터(Qd)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185R, 185G, 185B)을 형성한다.
이어서 덮개막(180) 위에 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질 또는 질화규소 또는 산화규소와 같은 투명 무기물로 이루어진 하부 투명 부재층(193), 하부 투명 부재층(193)과는 다른 무기물로 이루어진 투명 무기막층(194), 그리고 ITO 또 는 IZO 따위의 투명 도전성 물질 또는 질화규소 또는 산화규소와 같은 투명 무기물로 이루어진 상부 투명 부재층(195a)을 차례대로 적층한다.
다음 도 19를 참고하면, 상부 투명 부재층(195a)을 사진 식각하여 복수의 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)을 형성한다.
다음 도 20을 참고하면, 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)을 식각 마스크로 투명 무기막층(194)을 오버에치(over etch)하여 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)보다 면적이 작은 언더컷(undercut) 구조의 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)을 형성한다. 이때 건식 식각을 이용할 수 있고, 상부 투명 패턴(195R, 195G, 195B)과 투명 무기막층(194)에 대한 식각비가 큰 식각액 또는 식각 기체를 사용할 수 있다.
다음 도 21을 참고하면, 전면에 ITO 또는 IZO 따위의 하부 투명 도전층(190a)을 적층한다. 이로써 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gb, 194Bb)의 투명 무기막이 존재하는 각 영역(A) 주변에 공기층(194Rc, 194Gc, 194Bc)이 만들어진다. 이어서, 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 녹색 화소(G)의 하부 투명 도전층(190a)을 덮는 감광막 패턴(56)을 형성한다.
이어서, 전면에 ITO 또는 IZO 따위의 상부 투명 도전층(190b)을 적층한다.
다음 도 22를 참고하면, 상부 투명 도전층(190b), 하부 투명 도전층(190a) 및 하부 투명 부재층(193)을 사진 식각하여 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B), 적색 및 청색 화소(R, B)의 부가 투명 부재(196Rb, 196Bb) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B)을 한꺼번에 형성한다. 이어서 감광막 패턴(56)을 제거한다.
마지막으로 도 17에 도시한 바와 같이 복수의 절연 부재(361), 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 차례로 형성한다.
그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 23을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 23은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
전술한 도 17에 도시한 실시예와 동일한 설명은 생략하며 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 스위칭 트랜지스터(도시하지 않음) 및 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이, 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B), 덮개막(180), 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B), 복수의 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Gd, 194Bb) 및 복수의 공기층(194Rc, 194Bc)[녹색 화소(G) 제외], 복수의 상부 투명 패턴(195R, 195B)[녹색 화소(G) 제외], 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B), 절연 부재(361), 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)이 차례대로 형성되어 있다.
본 실시예에서는 녹색 화소(G)의 구조가 나머지 화소(R, B)의 구조와 다르다. 즉, 녹색 화소(G)에는 상부 투명 패턴이 존재하지 않으며, 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194Gd)의 형태가 적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Bb)의 형태와 다르게 녹색 화소(G)의 하부 투명 부재(193G) 전면에 형성되어 있다. 따라서 녹색 화소(G)에는 투명 무기막 패턴(194Gd) 주위에 공기층이 존재하지 않으며 투명 무기막 패턴(194Gd)의 윗면 또는 아랫면에서의 광 반사율 이 적색 및 청색 화소(R, B)에서보다 낮다.
본 실시예에서는 녹색 화소(G)의 투명 무기막 패턴(194Gd)과 공통 전극(270) 사이의 광로 길이를 적절히 선택하여 녹색 파장의 빛을 강화시킬 수 있고, 적색 및 청색 화소(R, B)에만 존재하는 상부 투명 패턴(195R, 195B)의 두께를 적절히 조절하여 적색 및 청색 파장의 빛을 강화시킬 수 있다.
이외에도 앞에서 설명한 도 17의 유기 발광 표시 장치의 여러 특징 및 효과들이 본 실시예에도 적용될 수 있다.
그러면, 도 24 내지 도 27을 참고하여 도 23에 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 24 내지 도 27은 도 23에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이다.
우선 도 24를 참고하면, 절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함하는 복수의 박막 트랜지스터 어레이를 형성하고, 그 위에 절연막(112), 복수의 색필터(230R, 230G, 230B) 및 덮개막(180)을 차례대로 형성한다.
이어서 절연막(112) 및 덮개막(180)을 패터닝하여 구동 트랜지스터(Qd)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185R, 185G, 185B)을 형성한다.
이어서 덮개막(180) 위에 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질 또는 질화규소 또는 산화규소와 같은 투명 무기물로 이루어진 하부 투명 부재층(193), 하부 투명 부재층(193)과는 다른 무기물로 이루어진 투명 무기막층(194), 그리고 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 물질 또는 질화규소 또는 산화규소와 같은 투명 무기물 로 이루어진 상부 투명 부재층(195a)을 차례대로 적층한다.
다음 도 25를 참고하면, 상부 투명 부재층(195a)을 사진 식각하여 적색 및 청색 화소(R, B)에 위치하는 복수의 상부 투명 패턴(195R, 195B)을 형성한다. 이때 녹색 화소(G)의 상부 투명 부재층(195a)은 모두 제거된다.
다음 도 26을 참고하면, 녹색 화소(G)의 투명 무기막층(194)을 덮는 감광막 패턴(58)을 형성한 후, 적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 무기막층(194)을 오버에치(over etch)하여 상부 투명 패턴(195R, 195B)보다 면적이 작은 언더컷 구조의 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Bb)을 형성한다. 이때 녹색 화소(G)의 투명 무기막층(194)은 감광막 패턴(58)에 의해 보호된다.
다음 도 27을 참고하면, 감광막 패턴(58)을 제고하고 전면에 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전층(도시하지 않음)을 적층한다. 이어서 투명 도전층(도시하지 않음) 및 하부 투명 부재층(193)을 함께 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B) 및 복수의 하부 투명 부재(193R, 193G, 193B)를 형성한다. 이때 적색 및 청색 화소(R, B)의 투명 무기막 패턴(194Rb, 194Bb)의 투명 무기막이 존재하는 각 영역의 주변에 공기층(194Rc, 194Bc)이 형성된다.
마지막으로 도 23에 도시한 바와 같이 복수의 절연 부재(361), 백색 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 차례로 형성한다.
이와 같이 하면 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 보다 간단히 할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 실시예와 같이 공통 전극(270)과 함께 빛을 공진시켜 기본색의 파장에 해당하는 빛을 강화시키는 무기막 또는 반투과 부재로 이루어진 층을 패터닝하여 시야각 특성을 좋게 할 수 있다. 또한 이러한 패터닝된 층에 공기층을 함께 형성하여 반사 특성을 향상시킴으로써 유기 발광 부재의 색 재현성을 더욱 좋게 할 수 있다. 본 발명은 위로 빛을 내보내는 방식의 유기 발광 표시 장치를 비롯한 여러 가지 다른 구조의 유기 발광 표시 장치에도 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 박막의 여러 가지 패턴 형태를 보여주는 평면도이고,
도 4 내지 도 9는 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이고,
도 10 내지 도 12는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고,
도 13 내지 도 16은 도 12에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이고,
도 17은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고,
도 18 내지 도 22는 도 17에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이고,
도 23은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고,
도 24 내지 도 27은 도 23에 도시한 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 과정의 중간 단계에서의 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
110: 절연 기판 112: 절연막
121: 게이트선 171: 데이터선
172: 구동 전압선 180: 덮개막
185R, 185G, 185B, 185W, 194G1: 접촉 구멍
191R, 191G, 191B, 191W: 화소 전극
192R, 192G, 192B, 192W: 반투과 부재 패턴
193R, 193G, 193B, 193W: 하부 투명 부재
194R, 194G, 194B, 194W: 투명 무기막 패턴
195R, 195G, 195B: 상부 투명 패턴
196R, 196G, 196B, 196Wr, 196Wg, 196Wb: 투명 부재
230R, 230G, 230B, 230W: 색필터
270: 공통 전극 361: 절연 부재
370, 370R, 370G, 370B, 370W: 유기 발광 부재
Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류
LD: 유기 발광 소자 PX, R, G, B, W: 화소
Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터

Claims (35)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 덮개막,
    상기 덮개막 위에 위치하는 하부 투명 부재,
    상기 하부 투명 부재 위에 형성되어 있으며 박막이 존재하는 복수의 제1 부분과 박막이 존재하지 않는 복수의 제2 부분을 포함하는 박막 패턴,
    상기 하부 투명 부재 위에 형성되어 있으며 상기 박막 패턴의 상기 제1 부분의 가장자리를 따라 형성되어 있는 공기층,
    상기 박막 패턴 위에 형성되어 있는 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극
    을 포함하고,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있는
    유기 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 박막 패턴은 투명 무기물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 박막 패턴의 굴절률은 상기 제1 전극의 굴절률과 다른 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 박막 패턴의 굴절률은 상기 하부 투명 부재의 굴절률과 다른 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 공기층은 상기 제1 전극과 상기 하부 투명 부재 사이에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 제6항에서,
    상기 박막 패턴의 상기 제1 부분과 상기 공기층 위에만 위치하는 상부 투명 패턴을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 전극, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 투명 도전성 물질을 포함하고, 상기 박막 패턴은 투명 무기물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제1 전극, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO 또는 IZO를 포함하고, 상기 상부 투명 패턴은 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제8항에서,
    상기 제1 전극, 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO, IZO, 또는 질화규소를 포함하고, 상기 상부 투명 패턴은 산화규소를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분 각각의 모양은 다각형, 원형, 또는 타원형인 유기 발광 표시 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 박막 패턴은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반투과 금속 부재를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 박막 패턴은 상기 반투과 금속 부재의 위 또는 아래에 형성되어 있는 산화물 도전 부재를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 산화물 도전 부재는 ITO 또는 IZO를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하며,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소는 각각
    박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 하부 투명 부재,
    상기 하부 투명 부재 위에 형성되어 있는 투명 패턴,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 적어도 하나의 상기 투명 패턴 위에 형성되어 있는 부가 투명 부재,
    상기 투명 패턴 위에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극
    을 포함하고,
    상기 제1화소의 투명 패턴은 투명막이 존재하는 제1 부분과 투명막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있고,
    상기 부가 투명 부재는 상기 투명 패턴과 상기 제1 전극 사이에 위치하는
    유기 발광 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 투명 패턴의 굴절률은 상기 제1 전극의 굴절률과 다른 유기 발광 표시 장치.
  18. 제16항에서,
    상기 제1 화소의 상기 제1 전극과 상기 하부 투명 부재 사이에 공기층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 공기층은 상기 투명 패턴의 상기 제1 부분의 가장자리를 따라 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 투명 패턴의 상기 제1 부분과 상기 공기층 위에만 위치하는 상부 투명 패턴을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  21. 제20항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO 또는 IZO를 포함하고, 상기 투명 패턴은 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  22. 제20항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 상부 투명 패턴 및 상기 하부 투명 부재 중 적어도 하나는 ITO, IZO, 또는 질화규소를 포함하고, 상기 투명 패턴은 산화규소를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  23. 삭제
  24. 제16항에서,
    상기 부가 투명 부재는 ITO, IZO, 산화규소 및 질화규소 중 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  25. 제16항에서,
    상기 부가 투명 부재는 상기 제1 화소에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  26. 제16항에서,
    상기 제3 화소의 상기 투명 패턴은 투명막이 연속으로 존재하며 상기 하부 투명 부재를 드러내는 접촉 구멍을 갖는 유기 발광 표시 장치.
  27. 제26항에서,
    상기 제1 및 제2 화소는 적색 또는 청색을 표시하고, 제3 화소는 녹색을 표시하는 유기 발광 표시 장치.
  28. 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서,
    기판 위에 복수의 하부 투명 부재를 형성하는 단계,
    상기 복수의 하부 투명 부재 위에 투명 무기물을 적층하여 투명 무기막층을 형성하는 단계,
    상기 투명 무기막층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 투명 무기막이 존재하는 제1 부분과 투명 무기막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하는 복수의 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 적어도 하나의 화소의 상기 투명 무기막 패턴을 덮는 제3 부분을 포함하는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 제1 감광막 패턴 위에 투명 부재층을 적층하는 단계,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 중, 상기 제1 감광막 패턴의 상기 제3 부분이 위치하지 않는 화소의 상기 투명 부재층을 덮는 제4 부분을 포함하는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 투명 부재층을 식각하여 복수의 부가 투명 부재를 형성하는 단계,
    상기 제1 및 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각의 상기 투명 무기막 패턴 또는 상기 부가 투명 부재 위에 도전층을 적층하고 사진 식각하여 복수의 제1 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  29. 삭제
  30. 제28항에서,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 한 화소 또는 두 화소에서 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 교대로 배열되어 있고,
    나머지 화소에서 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제1 부분이 연속으로 존재하며 상기 제2 부분은 상기 하부 투명 부재를 드러내는 접촉 구멍을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제30항에서,
    상기 복수의 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계 이후에,
    상기 투명 무기막 패턴 위에 투명 부재층을 적층하는 단계, 그리고
    상기 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 상기 한 화소 또는 두 화소의 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제2 부분을 채우는 복수의 부가 투명 부재와 상기 나머지 화소의 상기 투명 무기막 패턴의 상기 접촉 구멍을 채우는 투명 연결 부재를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  32. 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서,
    기판 위에 하부 투명 부재층, 투명 무기막층, 그리고 상부 투명 부재층을 차례대로 적층하는 단계,
    상기 상부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 투명막이 존재하는 제1 부분과 투명막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하는 복수 의 상부 투명 패턴을 형성하는 단계,
    상기 상부 투명 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 투명 무기막층을 오버 에치하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분의 경계 안에 위치하는 제3 부분을 포함하는 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 상부 투명 패턴 위에 제1 투명 도전층을 적층하여 상기 투명 무기막 패턴의 상기 제3 부분 가장자리에 위치하며 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분 아래에 위치하는 공기층을 형성하는 단계, 그리고
    상기 제1 투명 도전층 및 상기 하부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 위치하는 복수의 하부 투명 부재 및 복수의 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제32항에서,
    상기 제1 투명 도전층을 적층하는 단계 이후에,
    상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 한 화소 또는 두 화소의 상기 제1 투명 도전층을 덮는 제4 부분을 포함하는 감광막 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    제1, 제2 및 제3 화소의 상기 감광막 패턴 위에 제2 투명 도전층을 적층하는 단계
    를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제33항에서,
    상기 하부 투명 부재 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계에서,
    상기 제2 투명 도전층을 상기 제1 투명 도전층 및 상기 하부 투명 부재층과 함께 식각하여 상기 감광막 패턴의 상기 제4 부분을 포함하지 않는 화소에 복수의 부가 투명 부재를 형성하는
    유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제1색을 표시하는 제1 화소, 제2색을 표시하는 제2 화소, 그리고 제3색을 표시하는 제3 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에서,
    기판 위에 하부 투명 부재층, 투명 무기막층, 그리고 상부 투명 부재층을 차례대로 적층하는 단계,
    상기 상부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 한 화소 또는 두 화소에 투명막이 존재하는 제1 부분과 투명막이 존재하지 않는 제2 부분을 포함하는 복수의 상부 투명 패턴을 형성하고, 나머지 화소의 투명 무기막층을 드러내는 단계,
    상기 나머지 화소의 상기 드러난 투명 무기막층을 덮는 제3 부분을 포함하는 감광막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 상부 투명 패턴 및 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 투명 무기막층을 오버 에치하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 중 상기 상부 투명 패턴을 포함하는 화소에 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분의 경계 안에 위치하는 제4 부분을 포함하는 투명 무기막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 감광막 패턴을 제거하는 단계,
    상기 상부 투명 패턴 및 상기 드러난 투명 무기막층 위에 투명 도전층을 적층하여 상기 제4 부분 가장자리에 위치하며 상기 상부 투명 패턴의 상기 제1 부분 아래에 위치하는 공기층을 형성하는 단계, 그리고
    상기 투명 도전층 및 상기 하부 투명 부재층을 사진 식각하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 각각에 복수의 하부 투명 부재 및 복수의 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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