KR101525767B1 - Apparatus for Measuring Electrical Property of Film Element with Light Scan and Method for the Same - Google Patents
Apparatus for Measuring Electrical Property of Film Element with Light Scan and Method for the Same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101525767B1 KR101525767B1 KR1020130095969A KR20130095969A KR101525767B1 KR 101525767 B1 KR101525767 B1 KR 101525767B1 KR 1020130095969 A KR1020130095969 A KR 1020130095969A KR 20130095969 A KR20130095969 A KR 20130095969A KR 101525767 B1 KR101525767 B1 KR 101525767B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- resistance
- film
- thickness
- conductive film
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
Abstract
본 발명은 광 스캔에 의한 필름 소자의 전기 특성 측정 장치 및 그 측정 방법에 관한 것이고, 구체적으로 일정 수준의 광 투과율을 가지는 필름 형태의 소자에 스캔 방식으로 광을 조사시키고 그리고 필름 소자의 서로 다른 위치에서 투과 또는 반사된 광을 탐지하여 필름 소자의 전기 특성의 측정이 가능하도록 하는 전기 특성의 측정 장치 및 그 측정 방법에 관한 것이다. 측정 방법은 동일 소재의 서로 다른 증착 두께를 가진 전도성 필름의 저항 및 두께 특성을 결정하는 단계; 상기 광 특성이 결정된 전도성 필름에 스캔 방식으로 광을 투사시키는 단계; 상기 스캔에 따른 상기 전도성 필름의 광 탐지 프로파일을 획득하는 단계; 및 상기 광 탐지 프로파일로부터 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 저항 및 두께 특성에 기초하여 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 표면 저항 값을 얻는 단계를 포함한다. The present invention relates to an apparatus for measuring electrical characteristics of a film element by optical scanning and a method of measuring the same. More specifically, the present invention relates to an apparatus for measuring electrical characteristics of a film element by light scanning, The present invention relates to an apparatus for measuring electrical characteristics and a method for measuring electrical characteristics of a film element. Determining a resistance and a thickness characteristic of the conductive film having different deposition thicknesses of the same material; Projecting light onto the conductive film having the optical characteristics determined by a scanning method; Obtaining a light detection profile of the conductive film according to the scan; And obtaining a surface resistance value for different positions of the conductive film based on resistance and thickness characteristics for different positions of the conductive film from the light detection profile.
Description
본 발명은 광 스캔에 의한 필름 소자의 전기 특성 측정 장치 및 그 측정 방법에 관한 것이고, 구체적으로 일정 수준의 광 투과율을 가지는 필름 형태의 소자에 스캔 방식으로 광을 조사시키고 그리고 필름 소자의 서로 다른 위치에서 투과 또는 반사된 광을 탐지하여 필름 소자의 전기 특성의 측정이 가능하도록 하는 전기 특성의 측정 장치 및 그 측정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for measuring electrical characteristics of a film element by optical scanning and a method of measuring the same. More specifically, the present invention relates to an apparatus for measuring electrical characteristics of a film element by light scanning, The present invention relates to an apparatus for measuring electrical characteristics and a method for measuring electrical characteristics of a film element.
전기 특성이란 비저항, 온도에 따른 저항 값의 변화 패턴, 절연 파괴 전압 또는 전자기파에 의하여 유도되는 전류 형태와 같은 물질이 가진 고유한 성질을 말한다. 전기 특성은 정해진 온도에서 전기 저항, 면 저항 또는 표면 저항을 측정하거나 온도 변화에 따라 이와 같은 저항을 측정하는 것에 의하여 밝혀질 수 있다. 그러므로 일반적으로 전기 특성을 알기 위하여 필름 또는 소자의 저항 특성이 측정될 필요가 있다. Electrical properties refer to the inherent properties of materials such as resistivity, change pattern of resistance value according to temperature, breakdown voltage of electric current or type of current induced by electromagnetic wave. Electrical properties can be determined by measuring electrical resistance, surface resistance, or surface resistance at a given temperature or by measuring such resistance in response to temperature changes. Therefore, in general, the resistance characteristic of a film or a device needs to be measured in order to know the electric characteristics.
전도성 필름의 전기 특성과 관련된 선행기술로 특허공개번호 제2004-0012895호가 있다. 상기 선행기술은 투명 전도막에 와전류를 발생시켜 온도를 측정하면서 표면 저항을 산출하고, 온도가 미리 설정된 기준 온도로부터 벗어나면 이에 해당되는 와전류의 증가 또는 감소되는 양을 구하여 보정을 하고 그리고 보정된 값에 기초하여 투명 전도 막의 표면 저항을 산출하는 비접촉식 표면 저항 측정 장치에 대하여 개시한다. Prior art relating to the electrical properties of conductive films is disclosed in Patent Publication No. 2004-0012895. In the prior art, an eddy current is generated in a transparent conductive film to calculate a surface resistance while measuring a temperature. When the temperature deviates from a predetermined reference temperature, the amount of increase or decrease of the eddy current corresponding thereto is corrected, Based on the surface resistance of the transparent conductive film.
표면 저항의 측정과 관련된 다른 선행기술로 특허공개번호 제2006-0104797호 ‘초전도체의 고주파 고유 표면 저항 측정 방법’이 있다. 상기 선행기술은 특정 모드에서 사파이어 유전체 공진기의 Q-인자(factor)를 측정하는 단계; 유전체 공진기의 Q-인자를 이용하여 이트륨-바륨-구리-산소 고온 초전도체의 유효 표면 저항 및 공진기 내에 위치된 유전체 로드 손실 탄젠트를 결정하는 단계; 상기 유전체 공진기 내의 아랫면 초전도체와 유전체 로드의 온도는 일정하게 유지시키면서 윗면에 위치된 초전도체의 온도만을 변화시킬 수 있는 상태에서 초전도체 전자파 침투 깊이를 측정하는 제3단계; 및 결정된 초전도체의 유효 표면 저항 및 측정된 초전도체의 전자파 침투 깊이를 이용한 초전도체의 고유 표면 저항을 계산하는 단계로 이루어지고, 상기 초전도체의 두께가 전자파 침투 깊이의 3배보다 작은 것을 특징으로 하는 초전도체의 고주파 고유 표면 저항의 측정 방법에 대하여 개시한다. Another prior art related to measurement of surface resistance is Patent Publication No. 2006-0104797 'Method of measuring high frequency specific surface resistance of superconductor'. The prior art includes measuring a Q-factor of a sapphire dielectric resonator in a particular mode; Determining the effective surface resistivity of the yttrium-barium-copper-oxygen high temperature superconductor and the dielectric load loss tangent located in the resonator using the Q-factor of the dielectric resonator; A third step of measuring a penetration depth of the superconducting electromagnetic wave in a state in which the temperature of the lower surface superconductor and the dielectric rod in the dielectric resonator are kept constant while changing only the temperature of the superconductor positioned on the upper surface; And calculating the intrinsic surface resistance of the superconductor using the determined effective surface resistance of the superconductor and the penetration depth of the measured superconductor, wherein the thickness of the superconductor is less than three times the penetration depth of the electromagnetic wave. A method of measuring intrinsic surface resistance will be described.
제시된 선행기술은 측정 과정이 복잡하거나 또는 제한된 소재에 대해서만 측정이 가능하다는 단점을 가진다. The presented prior art has the disadvantage that the measurement process is complicated or can only be measured for limited materials.
본 발명은 선행기술이 가진 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다. The present invention has been made to solve the problems of the prior art and has the following purpose.
본 발명의 목적은 측정이 간단하면서 다양한 소재의 투과 또는 반투과성 전도성 필름에 적용될 수 있도록 하면서 측정 결과의 누적에 따른 데이터베이스화가 가능하도록 하는 광 스캔에 의한 필름 소자의 전기 특성의 측정 장치를 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide an apparatus for measuring electric characteristics of a film element by optical scanning, which makes it possible to apply a measurement to a permeable or semi-permeable conductive film of various materials,
본 발명의 다른 목적은 광 스캔 방식에 의하여 전도성 필름의 표면 저항 특성의 측정이 가능하도록 하는 필름 소자의 전기 특성의 측정 방법을 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide a method of measuring electrical characteristics of a film element that enables measurement of a surface resistance characteristic of a conductive film by an optical scanning method.
본 발명의 다른 목적은 기존의 샘플의 특정 부분의 전기 특성만을 측정하는 것과 달리 광 스캔을 통하여 샘플 면적 전체에 대한 전기 특성의 균일성을 간단하게 측정할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide a method and an apparatus which can easily measure the uniformity of electric characteristics over the entire sample area through optical scanning, unlike the conventional method of measuring only the electrical characteristics of a specific portion of a sample.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 필름 소자의 전기 특성의 측정 방법은 동일 소재의 서로 다른 증착 두께를 가진 전도성 필름의 저항 및 두께 특성을 결정하는 단계; 상기 광 특성이 결정된 전도성 필름에 스캔 방식으로 광을 투사시키는 단계; 상기 스캔에 따른 상기 전도성 필름의 광 탐지 프로파일을 획득하는 단계; 및 상기 광 탐지 프로파일로부터 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 저항 및 두께 특성에 기초하여 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 표면 저항 값을 얻는 단계를 포함한다. According to a preferred embodiment of the present invention, a method of measuring electrical characteristics of a film element comprises the steps of: determining a resistance and a thickness characteristic of a conductive film having a different deposition thickness of the same material; Projecting light onto the conductive film having the optical characteristics determined by a scanning method; Obtaining a light detection profile of the conductive film according to the scan; And obtaining a surface resistance value for different positions of the conductive film based on resistance and thickness characteristics for different positions of the conductive film from the light detection profile.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 표면 저항 값은 미리 결정된 저항 결정 데이터로부터 얻어진다. According to another preferred embodiment of the present invention, the surface resistance value is obtained from the predetermined resistance determination data.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 필름 소자의 전기 특성의 측정 장치는 정해진 방향으로 광 투사가 가능한 광 스캔 유닛; 서로 다른 위치에서 광 스캐너로부터 투사된 광의 양을 탐지하기 위한 광 탐지 유닛; 상기 광 탐지 유닛의 서로 다른 위치에서 탐지된 광의 양을 저항 값을 변환시키는 저항 변환 유닛; 및 상기 저항 변환 유닛으로 전달된 신호에 기초하여 서로 다른 위치에 대한 두께 프로파일 또는 저항 프로파일을 생성하는 처리 프로세서를 포함한다. According to another preferred embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for measuring electric characteristics of a film element, comprising: an optical scanning unit capable of projecting light in a predetermined direction; A light detection unit for detecting the amount of light projected from the light scanner at different positions; A resistance conversion unit for converting the amount of light detected at different positions of the light detection unit to a resistance value; And a processing processor for generating a thickness profile or a resistance profile for different positions based on the signal transferred to the resistance conversion unit.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 광 스캔 유닛은 전도성 필름의 정해진 위치로 광을 유도하기 위한 유도 슬릿을 가진다. According to another preferred embodiment of the present invention, the optical scanning unit has an induction slit for guiding light to a predetermined position of the conductive film.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 광 스캔에 의한 필름 소자의 전기 특성의 측정 방법 광 투과성 또는 반투과성을 가진 전도성 필름의 광 투과 양에 대한 두께 및 전기 저항 특성을 결정하여 상기 두께 및 전기 저항 특성을 나타내는 함수를 결정하고 그리고 두께 또는 전기 저항 특성의 측정이 요구되는 전도성 필름을 광 스캔하여 상기 함수에 기초하여 전도성 필름의 두께 또는 전기 특성의 균일성을 탐지한다. According to another preferred embodiment of the present invention, a method for measuring electrical characteristics of a film element by optical scanning is determined by determining thickness and electrical resistance characteristics of a light transmitting amount of a light transmitting or semi-permeable conductive film, Determining a function indicative of the characteristics and scanning the conductive film requiring measurement of thickness or electrical resistance characteristics to detect the uniformity of the thickness or electrical characteristics of the conductive film based on the function.
본 발명에 따른 장치는 간단한 방법으로 예를 들어 콘덴서용 금속 증착 필름 또는 ITO 투명 전극과 같은 필름 전극의 전기 특성의 측정이 가능하도록 한다는 이점을 가진다. 본 발명은 샘플의 특정 부분의 전기 특성만을 측정할 수 있는 기존의 방법과 달리 본 발명은 상당한 면적의 샘플을 간단하게 광 스캔을 하여 샘플의 일정 면적의 전기 특성 균일성을 간편하게 측정할 수 있도록 한다는 장점을 가진다. 또한 본 발명에 따른 방법은 다양한 소재에 적용이 가능하도록 하면서 측정 데이터의 누적에 의하여 데이터베이스화가 가능하도록 하고 이에 따라 공정 과정에서 발생되는 다양한 종류의 공정 오류의 탐지가 가능하도록 한다는 장점을 가진다. The device according to the present invention has the advantage that it is possible to measure the electrical properties of a film electrode, for example a metal vapor deposition film for a capacitor or an ITO transparent electrode, in a simple manner. The present invention differs from the conventional method in which only electrical characteristics of a specific portion of a sample can be measured. In the present invention, a large area of a sample is simply scanned by light, . In addition, the method according to the present invention has an advantage in that it can be applied to various materials and can be stored in a database by accumulation of measurement data, thereby enabling detection of various types of process errors occurring in the process.
도 1은 본 발명에 따른 측정 방법의 적용 과정에 대한 실시 예를 도시한 것이다.
도 2a는 본 발명에 따른 방법의 적용을 위한 측정 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2b는 전도성 필름이 스캔이 되는 과정에 대한 실시 예를 도시한 것이다.
도 2c 내지 도 2g는 센서에서 탐지된 값이 처리되는 과정에 대한 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 측정 장치에 적용될 수 있는 유도 슬릿의 실시 예를 도시한 것이다.FIG. 1 shows an embodiment of the application process of the measurement method according to the present invention.
Figure 2a shows an embodiment of a measuring device for the application of the method according to the invention.
FIG. 2B shows an embodiment of a process of scanning a conductive film.
FIGS. 2C-2G illustrate an embodiment of a process in which values detected in a sensor are processed.
Fig. 3 shows an embodiment of an induction slit which can be applied to a measuring device according to the present invention.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, components having the same reference numerals in different drawings have similar functions, so that they will not be described repeatedly unless necessary for an understanding of the invention, and the known components will be briefly described or omitted. However, It should not be understood as being excluded from the embodiment of Fig.
도 1은 본 발명에 따른 측정 방법의 적용 과정에 대한 실시 예를 도시한 것이다. FIG. 1 shows an embodiment of the application process of the measurement method according to the present invention.
도 1을 참조하면, 필름 소자의 전기 특성을 측정 방법은 동일 소재의 서로 다른 증착 두께를 가진 전도성 필름의 광 특성을 결정하는 단계(S11); 상기 광 특성이 결정된 전도성 필름에 스캔 방식으로 광을 투사시키는 단계(S12); 상기 스캔에 따른 상기 전도성 필름의 광 탐지 프로파일을 획득하는 단계(S13); 및 상기 광 탐지 프로파일로부터 상기 전도성 필름의 광 특성에 기초하여 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 표면 저항 값을 얻는 단계(S15)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a method of measuring electrical characteristics of a film device includes the steps of: (S11) determining optical characteristics of a conductive film having different deposition thicknesses of the same material; Projecting light onto the conductive film having the optical characteristics determined in a scanning manner (S12); Obtaining a light detection profile of the conductive film according to the scan (S13); And obtaining a surface resistance value for different positions of the conductive film based on the optical characteristics of the conductive film from the light detection profile (S15).
본 발명에 방법은 광 투과율을 가지는 임의의 필름에 적용될 수 있고 예를 들어 베이스 필름이 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 나이론(PA), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), CPP(casting polypropylene) 또는 OPP(oriented poly Propylene)이 되고 그리고 예를 들어 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 동(Cu), 크롬(Cr), 주석(Sn), 아연(Zn), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 티타늄(Ti)와 같은 금속 또는 ITO, IZO, ATO 등의 도전성 투명 금속이 증착이 된 필름이 될 수 있다. 베이스 필름은 4~250 ㎛의 두께를 가질 수 있고 그리고 증착 두께는 사용 분야에서 따라 0.5 ㎛ 내지 0.01 ㎛이 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 금속의 증착은 예를 들어 진공 증착과 같은 방법이 이용될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. The method of the present invention can be applied to any film having a light transmittance, and for example, when the base film is made of polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), nylon (PA), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PC), CPP (casting polypropylene) or OPP (oriented polypropylene), and may be made of, for example, Al, Au, Ag, Cu, Cr, , Zinc (Zn), nickel (Ni), cadmium (Cd), titanium (Ti) or conductive transparent metals such as ITO, IZO and ATO. The base film may have a thickness of 4 to 250 mu m and the deposition thickness may be 0.5 mu m to 0.01 mu m depending on the field of use, but is not limited thereto. The deposition of the metal can be performed by, for example, a method such as vacuum deposition, but is not limited thereto.
본 발명에 따른 필름은 베이스 필름에 금속 증착이 된 임의의 필름에 적용될 수 있고 다만 일정 수준의 광 투과율을 가져야 한다. 일정 수준의 광 투과율은 서로 다른 두께가 되는 것이 탐지될 수 있는 투과율을 의미한다. 그러므로 광 투과율이 예를 들어 250 ㎛에서 1 % 이상 또는 5 % 이상 또는 10 % 이상이 되고 그리고 두께에 따라 투과율이 선형적으로 변한다면 본 발명에 따른 방법이 적용될 수 있다. The film according to the present invention can be applied to any film that has been metallized on the base film and must have a certain level of light transmittance. A certain level of light transmittance refers to the transmittance at which different thicknesses can be detected. Therefore, the method according to the present invention can be applied if the light transmittance is, for example, 1% or more, or 5% or more, or 10% or more at 250 占 퐉 and the transmittance varies linearly depending on the thickness.
광원은 자외선, 가시광선 또는 적외선과 같이 임의의 파장을 가진 광원이 될 수 있고 엘이디 광원, 레이저 광원 또는 할로겐 광원과 같은 것이 될 수 있고 단일 색 또는 백색 광원이 될 수 있다. 다만 광원은 베이스 필름 및 증착 금속에 따라 적절하게 선택이 될 수 있다. The light source may be a light source having an arbitrary wavelength such as an ultraviolet ray, a visible ray, or an infrared ray, and may be an LED light source, a laser light source, or a halogen light source, and may be a single color or a white light source. However, the light source can be appropriately selected depending on the base film and the deposited metal.
아래의 설명에서 필름은 베이스 필름 및 증착 금속을 포함하는 것으로 설명이 된다. 다만 필요에 따라 특별히 구분이 될 필요가 있다면 필름은 베이스 필름만을 의미할 수도 있다. In the following description, the film is described as comprising a base film and a deposited metal. However, the film may only refer to the base film if it needs to be specifically classified as necessary.
본 발명에 따른 방법의 적용을 위하여 먼저 필름의 광 특성이 결정이 되어야 한다(S11). 필름의 광 특성은 필름의 투과도를 결정하는 것(S111)과 필름의 저항 특성을 결정하는 것(S112)로 나누어질 수 있다. 일반적으로 필름의 광 투과도는 선형적으로 변하고 예를 들어 광학 밀도 값으로부터 산출될 수 있고 그리고 광학 밀도(OD) = log10(I0/I)(I0는 입사광 그리고 I는 투과광을 나타낸다)로 표시될 수 있다. 예를 들어 PP 베이스에 알루미늄이 증착된 경우 두께에 따라 광학 밀도는 다음과 같이 변할 수 있다. In order to apply the method according to the present invention, the optical characteristics of the film must first be determined (S11). The optical characteristics of the film can be divided into the determination of the transmittance of the film (S111) and the determination of the resistance characteristic of the film (S112). In general, the light transmittance of the film changes linearly and can be calculated, for example, from optical density values and can be expressed as optical density (OD) = log10 (I0 / I) where I0 is the incident light and I is the transmitted light have. For example, when aluminum is deposited on a PP base, the optical density may vary as a function of thickness.
매질 흡광 계수와 매질 농도가 필름에 따라 일정하다면 광 투과율은 매질두께에 반비례 한다고 볼 수 있다. 그리고 매질 두께에 대한 광 투과율은 선형적이라고 볼 수 있다. If the medium extinction coefficient and the medium concentration are constant depending on the film, the light transmittance is inversely proportional to the thickness of the medium. The light transmittance for the medium thickness can be regarded as linear.
필름의 광 투과율이 결정되면 두께가 결정될 수 있고 그리고 두께에 따른 표면 저항이 결정될 수 있다(S112). 표면 저항은 두께에 선형적으로 또는 비선형적으로 변할 수 있고 미리 실험적으로 결정될 필요가 있다. Once the light transmittance of the film is determined, the thickness can be determined and the surface resistance according to the thickness can be determined (S112). The surface resistance can vary linearly or non-linearly with thickness and needs to be determined experimentally in advance.
본 발명에 따르면, 광 투과율과 두께의 관계는 선형적이며 광 투과율과 표면 저항의 관계는 비선형적일 수 있다. 그러므로 광 투과율과 두께의 관계를 얻기 위하여 적어도 2개의 서로 다른 두께에 대한 측정값이 요구되며 광 투과율과 표면 저항의 관계를 얻기 위하여 적어도 2개, 바람직하게 적어도 3개 그리고 가장 바람직하게 적어도 4개의 측정값이 요구된다. 두께와 광 투과율의 관계는 2개의 측정값을 연결하는 선형이 되고 그리고 광 투과율과 표면 저항의 관계는 2개, 3개, 4개 또는 그 이상의 측정값을 연결하는 포물선, 지수 또는 로그 함수와 같은 것이 될 수 있다. 곡선의 선택은 필름의 특성 또는 금속의 종류에 따라 적절하게 결정될 수 있고 바람직하게 지수 또는 로그 함수가 될 수 있다. 그리고 가장 바람직하게 y = ae^(-bx) 형태의 지수 함수가 될 수 있다. 상기에서 y 는 표면저항 이며, x 는 광학 밀도(OD) 로 표시되는 광 투과율 이며, a 와 b 는 물질 또는 공정조건에 따라 정해지는 상수를 나타낸다. According to the present invention, the relationship between the light transmittance and the thickness is linear, and the relationship between the light transmittance and the surface resistance may be non-linear. Therefore, in order to obtain the relationship between light transmittance and thickness, at least two different thickness measurements are required and at least two, preferably at least three, and most preferably at least four measurements Value is required. The relationship between thickness and light transmittance is linear, connecting the two measured values, and the relationship between light transmittance and surface resistance can be expressed as a parabolic, exponent, or logarithmic function that connects two, three, four, Can be. The choice of the curve can be suitably determined depending on the nature of the film or the type of metal and can preferably be an exponent or a logarithmic function. And most preferably an exponential function of the form y = ae ^ (- bx). Where y is the surface resistance, x is the optical transmittance in optical density (OD), and a and b are constants determined by the material or process conditions.
다른 한편으로 광 투과율과 표면 저항의 관계는 실험값에 의하여 구간별로 결정이 된 저항 결정 데이터 형태로 만들어질 수 있다. 저항 결정 데이터는 각각의 증착 금속에 따라 결정될 수 있고 그리고 각각의 베이스 필름에 따라 만들어질 수 있다. 베이스 필름은 실질적으로 표면 저항에 영향을 미치지 않거나 미치는 정도가 극히 미약하다고 볼 수 있으므로 증착 금속의 두께에 의해서만 결정된다고 볼 수 있다. 다만 베이스 필름은 광 투과율에 선형적으로 영향을 미칠 수 있다. On the other hand, the relationship between the light transmittance and the surface resistance can be made in the form of resistance determination data determined by intervals according to experimental values. The resistance determination data can be determined according to each deposition metal and can be made according to each base film. The base film does not substantially affect the surface resistance or the degree of the effect is considered to be extremely weak, so that it can be considered to be determined only by the thickness of the deposited metal. However, the base film may have a linear effect on the light transmittance.
다양한 방법으로 필름의 광 특성이 결정될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. The optical properties of the film can be determined in a variety of ways and the invention is not limited to the embodiments shown.
필름의 광 특성이 결정되면 필름에 대한 광 스캔이 진행될 수 있다(S12). 광 스캔은 필름의 아래쪽 또는 위쪽 방향에서 광원이 이동하면서 필름에 광을 투사하거나 또는 광원이 고정된 상태에서 필름이 일정 속도로 이동하는 방식으로 이루어질 수 있다. 필름을 투과한 광은 이미지 센서에서 탐지가 전기적 신호로 변환될 수 있다. 예를 들어 이미지 센서는 광전 변환 소자 및 A/D 변환기를 포함할 수 있다. 광전 변환 소자는 고체 촬상 소자(Solid State Pick-up Device) 또는 상보성 금속 산화막 반도체(Complementary Metal Oxide Semiconductor)과 같은 것이 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 필름을 투과한 광은 두께에 따라 서로 다른 값으로 이미지 센서에 의하여 탐지될 수 있다. 그리고 이미지 센서에 의하여 탐지된 값에 기초하여 필름에 대한 광 탐지 프로파일이 획득될 수 있다(S13). When the optical characteristics of the film are determined, light scanning for the film can proceed (S12). The optical scan may be performed in such a manner that the light source is moved in the downward direction or the upward direction of the film, or the film is moved at a constant speed while the light source is fixed. The light transmitted through the film can be converted into an electrical signal by the image sensor. For example, the image sensor may include a photoelectric conversion element and an A / D converter. The photoelectric conversion element may be, but is not limited to, a solid state pick-up device or a complementary metal oxide semiconductor. The light transmitted through the film can be detected by the image sensor at different values depending on the thickness. And a light detection profile for the film may be obtained based on the value detected by the image sensor (S13).
광 탐지 프로파일은 이차원 또는 삼차원 영상으로 얻어질 수 있고 디지털 시그널 프로세스에 의하여 처리될 수 있다. 광 탐지 프로파일이 얻어지는 과정은 이 분야에서 공지된 방법에 따라 이루어질 수 있고 본 발명은 이에 제한되지 않는다. The light detection profile can be obtained as a two-dimensional or three-dimensional image and can be processed by a digital signal process. The process of obtaining the light detection profile can be performed according to a method known in the art, and the present invention is not limited thereto.
광 탐지 프로파일이 획득이 되면(S13) 이에 기초하여 필름의 서로 다른 위치에서 두께 및 저항 값이 얻어질 수 있다. 두께는 광 투과율에 기초하여 얻어질 수 있고 그리고 저항 값은 위에서 설명이 된 미리 결정된 저항 결정 데이터에 기초하여 얻어질 수 있다. 예를 들어 표면 저항은 4포인트 프로빙 방법에 의하여 얻어질 수 있고 두께는 의도적으로 만든 필름의 단차를 기계적인 탐침을 이용하여 측정할 수 있다. 본 발명에 따르면, 동일하거나 서로 다른 두께를 가지는 서로 다른 2점, 3점 또는 4점에서 미리 결정된 저항 결정 데이터가 준비될 수 있다. 그리고 탐지된 두께에 기초하여 서로 다른 2점, 3점 또는 4점에서 표면 저항이 저항 결정 데이터와 비교하는 방법으로 광 투과율로부터 서로 다른 지점의 두께 변화를 탐지하고 그리고 그에 기초하여 서로 다른 지점에서 표면 저항이 얻어질 수 있다. 그리고 각각의 서로 다른 지점에서 얻어진 표면 저항에 기초하여 필름 전체의 표면 저항 프로파일이 얻어질 수 있다(S15). When the light detection profile is obtained (S13), the thickness and the resistance value at different positions of the film can be obtained based thereon. The thickness can be obtained based on the light transmittance and the resistance value can be obtained based on the predetermined resistance determination data described above. For example, the surface resistance can be obtained by a four-point probing method, and the thickness can be measured using a mechanical probe, which is an intentional film step. According to the present invention, predetermined resistance determination data at two different points, three points, or four points having the same or different thicknesses can be prepared. Then, based on the detected thickness, the surface resistance is compared with the resistance determination data at two different points, three points or four points, and the thickness variation at different points is detected from the light transmittance, A resistance can be obtained. And the surface resistance profile of the entire film can be obtained based on the surface resistance obtained at each different point (S15).
제시된 방법에 의해 2지점 이상의 위치에서 광 투과율과 두께 또는 광 투과율과 표면 저항의 관계인 기본 데이터가 얻어질 수 있다. 본 발명에 따르면 이와 같이 실험적으로 얻어진 데이터들을 이용하여 가장 최적의 함수를 구하는 작업이 진행되고 그에 기초하여 요구되는 필름 소자의 전기 특성이 광 스캔에 의하여 간단하게 측정될 수 있다. Basic data that is a relationship between light transmittance and thickness or light transmittance and surface resistance at two or more positions can be obtained by the proposed method. According to the present invention, the most optimal function is obtained by using experimentally obtained data, and the electrical characteristics of the required film element can be simply measured by the optical scanning.
아래에서 본 발명에 따른 방법이 적용을 위한 스캐너 장치에 대하여 설명된다. The following will describe a scanner device for application to a method according to the present invention.
도 2a는 본 발명에 따른 방법의 적용을 위한 측정 장치의 실시 예를 도시한 것이다. Figure 2a shows an embodiment of a measuring device for the application of the method according to the invention.
도 2a를 참조하면, 필름 소자의 전기 특성의 측정 장치는 정해진 방향으로 광 투사가 가능한 광 스캔 유닛(21); 서로 다른 위치에서 광 스캐너로부터 투사된 광의 양을 탐지하기 위한 광 탐지 유닛(22); 상기 광 탐지 유닛의 서로 다른 위치에서 탐지된 광의 양을 저항 값을 변환시키는 저항 변환 유닛(24); 및 상기 저항 변환 유닛(24)으로 전달된 신호에 기초하여 서로 다른 위치에 대한 두께 프로파일 또는 저항 프로파일을 생성하는 처리 프로세서(25)를 포함할 수 있다. 2A, an apparatus for measuring electrical characteristics of a film device includes an
광 스캔 유닛(21)은 엘이디 광원 또는 레이저 광원과 같이 정해진 위치로 광을 투사할 수 있는 임의의 장치가 될 수 있다. 필요에 따라 광 스캔 유닛(21)은 이동 가능하도록 형성될 있다. 광 탐지 유닛(22)은 전도성 필름을 투과한 광을 탐지하기 위한 임의의 장치가 될 수 있고 탐지된 광은 디지털 신호 처리 장치(23)로 전달될 수 있다. 그리고 디지털 신호 처리 장치(23)은 디지털 값으로 변환된 서로 다른 위치에서 탐지되어 전기 신호로 변환된 광 투과율을 저항 변환 유닛(24)으로 전달할 수 있다. 저항 변환 유닛(24)은 비교기와 미리 결정된 저항 결정 데이터를 가진다. 비교기는 미리 결정된 저항 결정 데이터에 기초하여 전도성 필름의 서로 다른 위치에서 표면 저항 값을 결정할 수 있다. 그리고 결정된 값은 처리 프로세서(25)로 전달될 수 있다. 그리고 처리 프로세서(25)는 전달된 값에 기초하여 전도성 필름에 대한 이차원 또는 삼차원 프로파일을 생성할 수 있다. 필요에 따라 서로 다른 위치에 대한 두께 프로파일이 먼저 생성이 되고 그리고 두께 프로파일에 기초하여 저항 프로파일이 생성될 수 있다. The
도 2b는 전도성 필름이 스캔이 되는 과정에 대한 실시 예를 도시한 것이다. FIG. 2B shows an embodiment of a process of scanning a conductive film.
도 2b를 참조하면, 전도성 필름(CF)은 폴리프로필렌(PP)과 같은 투명 베이스 필름(BF) 위에 ITO 등 도전성 투명금속(CM)이 증착되는 구성으로 화살표 방향(M2)으로 이동이 될 수 있고, 또한 광원(LS)와 광 디텍터(LD)가 화살표 방향(M1)으로 이동이 될 수 있으며 이동 속도가 적절이 조절이 될 수 있다. 광원(LS)에서 발생되는 광은 전도성 필름(CF)에 대하여 수직으로 입사될 수 있고 입사광(LI)은 전도성 필름(CF)의 두께에 따라 투과되는 양이 달라지고 그리고 투과된 광(LO)은 수광 센서(LD)에 의하여 탐지될 수 있다. 필요에 따라 필터와 같은 광투과율 데이터를 알 수 있는 특수한 특성 필름(PF)이 광 투과율의 비교확인을 위하여 전도성 필름(CF)의 위쪽에 설치될 수 있다. 특성 필름(PF)은 특정 파장대의 투과 또는 슬릿이 형성된 필름과 같은 것이 될 수 있다. 광원(LS)이 반드시 전도성 필름(CF) 또는 센서에 대하여 수직으로 배치되어야 하는 것은 아니다. 달리 말하면 입사 광(LI)의 입사각은 적절하게 조절이 될 수 있다. 센서에 의하여 탐지된 값의 처리 과정이 아래에서 설명이 된다. Referring to FIG. 2B, the conductive film CF can be moved in the direction of arrow M2 in a configuration in which a conductive transparent metal CM such as ITO is deposited on a transparent base film BF such as polypropylene (PP) The light source LS and the photodetector LD can be moved in the arrow direction M1 and the moving speed can be appropriately adjusted. The light emitted from the light source LS can be incident perpendicular to the conductive film CF and the amount of incident light LI transmitted through the conductive film CF varies depending on the thickness of the conductive film CF, It can be detected by the light receiving sensor LD. A special characteristic film (PF) capable of recognizing light transmittance data such as a filter as required can be provided above the conductive film (CF) for comparison of light transmittance. The characteristic film (PF) can be the same as the film having the transmission or slit of a specific wavelength band. The light source LS does not necessarily have to be arranged perpendicular to the conductive film CF or the sensor. In other words, the incident angle of the incident light LI can be appropriately adjusted. The processing of the values detected by the sensor is described below.
도 2c 내지 도 2g는 센서에서 탐지된 값이 처리되는 과정에 대한 실시 예를 도시한 것이다. FIGS. 2C-2G illustrate an embodiment of a process in which values detected in a sensor are processed.
도 2c는 광학 밀도(OD)와 실험적으로 구한 필름 두께 및 전기저항 데이터를 함수화 하여 나타낸 것이다. 필름 두께는 광학 밀도(OD)에 대하여 선형성을 나타내고 그리고 표면저항은 광학 밀도 또는 두께에 대하여 지수 함수 형태의 비선형성을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 보다 정확한 함수 관계를 구하기 위해 수학적인 최소자승법 등의 방법을 적용할 수 있다. 상술한 바와 같이 저항 결정 데이터가 만들어지면 전도성 필름에 대한 광 스캔이 진행될 수 있다. 전도성 필름에 대한 광 스캔이 진행되고 그리고 센서에 의하여 탐지된 결과가 도 2d에 제시되었다. 각각 표시된 영역에 대하여 광학 밀도 및 표면 저항이 결정될 수 있다. 도 2d에서 센서에 의하여 탐지된 값에 기초하여 전도성 필름의 거리에 따른 광학 밀도가 연결된 곡선 형태의 그래프로 만들어질 수 있고 도 2e 및 도 2f에 제시되었다. 달리 말하면 거리에 따른 광학 밀도의 이차원 프로파일이 생성될 수 있다. 그리고 이차원 프로파일에 기초하여 도 2g에 제시된 것처럼, 삼차원 광학 밀도 프로파일이 생성될 수 있다. 삼차원 광학 밀도 프로파일은 베이스 필름에 대한 증착 금속의 두께 프로파일을 의미한다. 이후 도 2b에 제시된 저항 결정 데이터에 기초하여 이차원 또는 삼차원 표면 저항 프로파일이 생성될 수 있다. 이와 같이 본 발명에 따른 측정 방법 또는 측정 장치는 증착 금속에 따라 미리 결정된 광학 밀도 데이터 또는 저항 결정 데이터에 기초하여 간단한 방법으로 증착 필름의 두께 또는 표면 저항의 측정이 가능하도록 한다는 이점을 가진다. 예를 들어 본 발명에 따른 측정 방법 또는 측정 장치에 롤 투 롤(Roll to Roll) 필름의 가공 과정에서 실시간으로 특성 값이 획득이 될 수 있고 이로 인하여 생산된 필름의 균일화가 가능해지도록 하면서 제품 불량이 방지될 수 있도록 한다. FIG. 2C shows the optical density (OD) and the film thickness and resistance data obtained experimentally. It can be seen that film thickness exhibits linearity with respect to optical density (OD) and surface resistance exhibits nonlinearity in the form of exponential function with respect to optical density or thickness. A mathematical least squares method can be applied to obtain more accurate function relations. As described above, when the resistance determination data is generated, light scanning for the conductive film can proceed. The light scan for the conductive film proceeds and the results detected by the sensor are shown in Figure 2D. The optical density and surface resistance can be determined for each of the displayed areas. The optical density along the distance of the conductive film, based on the values detected by the sensor in Fig. 2d, can be made into a graph of the connected curves and is shown in Figs. 2e and 2f. In other words, a two-dimensional profile of optical density along the distance can be generated. Based on the two-dimensional profile, a three-dimensional optical density profile can be generated, as shown in Figure 2g. The three-dimensional optical density profile refers to the thickness profile of the deposited metal relative to the base film. Thereafter, a two-dimensional or three-dimensional surface resistance profile may be generated based on the resistance determination data shown in Fig. 2B. As described above, the measuring method or measuring apparatus according to the present invention has an advantage that the thickness or the surface resistance of the deposited film can be measured by a simple method based on predetermined optical density data or resistance determination data according to the deposited metal. For example, in a measuring method or a measuring apparatus according to the present invention, a property value can be obtained in real time during the processing of a roll-to-roll film, thereby making it possible to uniformize the produced film, .
아래에서 본 발명에 따른 본 발명에 따른 측정 장치에서 서로 다른 위치에서 표면 저항이 얻어질 수 있도록 하는 가이드 유닛에 대하여 설명된다. Hereinafter, a guide unit capable of obtaining surface resistance at different positions in a measuring apparatus according to the present invention will be described.
도 3은 본 발명에 따른 측정 장치에 적용될 수 있는 유도 슬릿의 실시 예를 도시한 것이다. Fig. 3 shows an embodiment of an induction slit which can be applied to a measuring device according to the present invention.
도 3을 참조하면, 광원의 아래쪽에 유도 슬릿(31)이 설치되어 전도성 필름의 정해진 위치로 광이 유도되도록 할 수 있다. 전도성 필름의 연속적으로 분리된 위치에서 광학 밀도가 측정되면 분리된 위치 사이의 광학 두께는 연속적인 것으로 가정될 수 있다. 그러므로 입사 광(LI)이 유도 슬릿(31)에 형성된 다수 개의 슬릿(311)을 통하여 유도될 수 있고 센서는 슬릿(311)을 통하여 입사된 광 및 그에 따라 전도성 필름을 투과한 광을 탐지한다. 그리고 이산된 형태의 탐지 값을 가지게 된다. 슬릿(311)은 적어도 하나가 될 수 있고 그리고 슬릿(311) 간격은 광원의 파장에 따라 적절하게 선택이 될 수 있다. 구체적으로 회절이 발생되지 않는 간격으로 설정이 될 수 있다. 도 3의 (나)에 도시된 것처럼, 각각의 슬릿(311)에 렌즈(313)가 형성되어 광을 정해진 방향으로 유도할 수 있다. 다른 한편으로 도 3의 (다)에 도시된 것처럼, 유도 슬릿(31)에 다수 개의 핀 홀(312)이 형성될 수 있다. 핀 홀(312)을 통과한 입사 광(LI)이 센서에 의하여 탐지될 수 있고 그리고 서로 다른 위치에서 광학 밀도 및 표면 저항 값의 측정이 가능하다. 슬릿(311) 또는 핀 홀(312)은 가로 또는 세로 방향으로 형성될 수 있고 적절한 크기 또는 수로 배치가 될 수 있다. Referring to FIG. 3, an induction slit 31 is provided under the light source to guide light to a predetermined position of the conductive film. If the optical density is measured at successively separated positions of the conductive film, the optical thickness between the separated positions can be assumed to be continuous. Therefore, the incident light LI can be guided through the plurality of
다양한 구조를 가지는 유도 슬릿(31) 또는 특성 필름이 본 발명에 따른 장치에 적용이 될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. The induction slit 31 or the characteristic film having various structures can be applied to the apparatus according to the present invention and the present invention is not limited to the embodiments shown.
본 발명에 따른 장치는 간단한 방법으로 예를 들어 금속 증착 필름 또는 ITO 투명 전극과 같은 필름 전극의 전기 특성의 측정이 가능하도록 한다는 이점을 가진다. 본 발명에 따른 방법은 기존 방법이 국부적인 특정위치에서의 전기 특성을 측정하는 것과 달리 광이 스캔하는 비교적 넓은 면적의 특성 균일성을 간단하게 볼 수 있으며 다양한 소재에 적용이 가능하도록 하면서 측정 데이터의 누적에 의하여 데이터베이스화가 가능하도록 하고 이에 따라 공정 과정에서 발생되는 다양한 종류의 공정 오류의 탐지가 가능하도록 한다는 장점을 가진다. 본 발명을 다양한 소재에 적용할 경우에 대한 구체적인 실시 방법을 부연 설명하면, 상기에 상술한 바와 같이 적용 소재에 맞는 특성함수를 재도출할 필요가 있다. 이와 같이 어떤 특정 재료에 대해 특성 함수가 도출되면 그 다음은 단순히 광 스캔만으로 스캔 면적 전체에 대한 전기 저항 및 두께 데이터를 쉽게 취득 가능하게 된다.The device according to the invention has the advantage that it makes it possible to measure the electrical properties of film electrodes, for example metal deposited films or ITO transparent electrodes, in a simple manner. The method according to the present invention can display the characteristic uniformity of a relatively large area which is scanned by light unlike the conventional method which measures the electric characteristic at a local specific position, It is possible to make a database by accumulation and thus it is possible to detect various kinds of process errors generated in the process. As described above, it is necessary to derive a characteristic function suitable for a material to be applied. When the characteristic function is derived for a specific material as described above, the electrical resistance and thickness data for the entire scan area can be easily obtained only by optical scanning.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention . The invention is not limited by these variations and modifications, but is limited only by the claims appended hereto.
21: 광 스캔 유닛 22: 광 탐지 유닛
23: 디지털 신호 처리 장치 24: 저항 변환 유닛
25: 처리 프로세서 31: 유도 슬릿21: light scanning unit 22: light detection unit
23: digital signal processing device 24: resistance conversion unit
25: processing processor 31: induction slit
Claims (5)
상기 광 투과도가 결정된 광학 필름에 대하여 적어도 2개의 서로 다른 두께에 대한 저항을 측정하여 두께에 따른 저항 특성을 결정하는 단계;
상기 결정된 광 투과도 및 저항 특성에 따라 동일 소재의 서로 다른 증착 두께를 가진 전도성 필름의 저항 및 두께 특성을 결정하는 단계;
상기 광 특성이 결정된 전도성 필름에 스캔 방식으로 광을 투사시키는 단계;
상기 스캔에 따른 상기 전도성 필름의 광 탐지 프로파일을 획득하는 단계; 및
상기 광 탐지 프로파일로부터 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 저항 및 두께 특성에 기초하여 전도성 필름의 서로 다른 위치에 대한 표면 저항 값을 얻는 단계를 포함하는 필름 소자의 전기 특성의 측정 방법. Determining a light transmittance according to a thickness of the film based on the optical density of the film;
Measuring a resistance for at least two different thicknesses of the optical film on which the light transmittance is determined to determine a resistance characteristic according to the thickness;
Determining resistance and thickness characteristics of the conductive film having different deposition thicknesses of the same material according to the determined light transmittance and resistance characteristics;
Projecting light onto the conductive film having the optical characteristics determined by a scanning method;
Obtaining a light detection profile of the conductive film according to the scan; And
And obtaining a surface resistance value for different positions of the conductive film based on resistance and thickness characteristics of the conductive film from the light detection profile to different positions.
서로 다른 위치에서 광 스캐너로부터 투사된 광의 양을 탐지하기 위한 광 탐지 유닛;
상기 광 탐지 유닛의 서로 다른 위치에서 탐지된 광의 양을 저항 값을 변환시키는 저항 변환 유닛; 및
상기 저항 변환 유닛으로 전달된 신호에 기초하여 서로 다른 위치에 대한 두께 프로파일 또는 저항 프로파일을 생성하는 처리 프로세서를 포함하고,
상기 저항 프로파일은 필름의 광학 밀도에 기초하여 결정된 필름의 두께; 및
상기 광 투과도가 결정된 광학 필름에 대하여 적어도 2개의 서로 다른 두께에 대한 저항을 측정하여 결정된 두께에 따른 저항 특성에 기초하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 필름 소자의 전기 특성의 측정 장치.An optical scanning unit capable of projecting light in a predetermined direction;
A light detection unit for detecting the amount of light projected from the light scanner at different positions;
A resistance conversion unit for converting the amount of light detected at different positions of the light detection unit to a resistance value; And
And a processing processor for generating a thickness profile or a resistance profile for different positions based on the signal transferred to the resistance conversion unit,
The resistive profile comprising a thickness of the film determined based on the optical density of the film; And
Wherein the light transmittance is made on the basis of a resistance characteristic according to a thickness determined by measuring a resistance to at least two different thicknesses of the optical film on which the light transmittance is determined.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130095969A KR101525767B1 (en) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | Apparatus for Measuring Electrical Property of Film Element with Light Scan and Method for the Same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130095969A KR101525767B1 (en) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | Apparatus for Measuring Electrical Property of Film Element with Light Scan and Method for the Same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150019291A KR20150019291A (en) | 2015-02-25 |
| KR101525767B1 true KR101525767B1 (en) | 2015-06-04 |
Family
ID=52578452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130095969A KR101525767B1 (en) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | Apparatus for Measuring Electrical Property of Film Element with Light Scan and Method for the Same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101525767B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05156439A (en) * | 1991-12-05 | 1993-06-22 | Toyobo Co Ltd | Production of transparent conductive film and measuring instrument |
| JPH07167625A (en) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Hewtec:Kk | Method and equipment for inspecting deposited film |
| JPH10293015A (en) * | 1997-04-21 | 1998-11-04 | Sony Corp | Optical detection device |
| JP2010043904A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method and device for inspecting resistivity |
-
2013
- 2013-08-13 KR KR1020130095969A patent/KR101525767B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05156439A (en) * | 1991-12-05 | 1993-06-22 | Toyobo Co Ltd | Production of transparent conductive film and measuring instrument |
| JPH07167625A (en) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Hewtec:Kk | Method and equipment for inspecting deposited film |
| JPH10293015A (en) * | 1997-04-21 | 1998-11-04 | Sony Corp | Optical detection device |
| JP2010043904A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method and device for inspecting resistivity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150019291A (en) | 2015-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015508160A (en) | Caliper coating measurement on web with continuous non-uniformity using THZ sensor | |
| CA3113441C (en) | Apparatus for composite sheet weight determinations | |
| EP2385354A3 (en) | Optical encoder having contamination and defect resistant signal processing | |
| US10215554B2 (en) | Apparatus and method for non-contact sample analyzing using terahertz wave | |
| JP4679313B2 (en) | Surface smoothness measuring device | |
| KR101925677B1 (en) | Apparatus and method for non-contact sample analyzing using teraherz wave | |
| GB2380258A (en) | Measurement of thickness and optical characteristics of multi-layer films | |
| US10697834B2 (en) | Contrast phantoms and uses thereof for active millimeter wave imaging systems | |
| CN111811718A (en) | Transparent object stress detection device based on micro-polaroid array | |
| KR101525767B1 (en) | Apparatus for Measuring Electrical Property of Film Element with Light Scan and Method for the Same | |
| JP2021504696A (en) | Methods and Devices for Determining the Properties of Coatings on Transparent Films, and Methods for Manufacturing Capacitor Films | |
| US9891041B2 (en) | Apparatus and method for measuring thickness of transparent and/or translucent mediums using a reflecting signal that is normal or near normal to the mediums | |
| US20180045758A1 (en) | Arrangement for spatially resolved determination of the specific electrical resistance and/or the specific electrical conductivity of samples | |
| US20220276185A1 (en) | BOEHMITE DETECTION AND WARNING SYSTEM, AND CONCENTRATION INDICATOR FOR LiB SEPARATOR SHEET MANUFACTURING | |
| JP6657794B2 (en) | Light diffusivity measuring apparatus and light diffusivity measuring method | |
| CN109916345A (en) | A kind of pad detection device | |
| CN103913649A (en) | Method for achieving linear shading detection structure of common light dependent resistor | |
| JP4644809B2 (en) | Object measuring device | |
| US20220412896A1 (en) | Systems and methods of characterizing semiconductor materials | |
| CN209623630U (en) | A kind of image measuring apparatus of cable section | |
| CN108317961A (en) | Electronic fine-grained technology high-precision optical micrometer based on equivalent area method | |
| JP3421649B2 (en) | Appearance inspection method | |
| CN101245993A (en) | Measuring method for detecting surface profile of object under test | |
| JP4967130B2 (en) | Object measuring device | |
| JP2023059546A (en) | Surface property measurement device and surface property measurement method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |