KR101511806B1 - Tape for processing wafer - Google Patents

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KR101511806B1
KR101511806B1 KR20100032600A KR20100032600A KR101511806B1 KR 101511806 B1 KR101511806 B1 KR 101511806B1 KR 20100032600 A KR20100032600 A KR 20100032600A KR 20100032600 A KR20100032600 A KR 20100032600A KR 101511806 B1 KR101511806 B1 KR 101511806B1
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구니히꼬 이시구로
신이찌 이시와따
야스마사 모리시마
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑을 저감할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공한다.
웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 기재 필름(12a)과 그 위에 형성된 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 점착 필름(12) 상에 적층된 접착제층(13)을 갖는다. 점착 필름(12)의 80℃에서의 손실 정접 tanδfilm과 접착제층(13)의 80℃에서의 손실 정접 tanδad와의 비 tanδad/tanδfilm이 5.0 이하이다. 다이싱 블레이드(21)의 회전 진동을 점착 필름(12)에 의해 충분히 흡수시킬 수 있다. 다이싱시에, 접착제층(13)의 다이싱 블레이드(21)의 회전 진동에 의한 진동이 점착제층(12b)에 의해 저감되어, 반도체 칩(2)에 전달되기 어려워진다.The present invention provides a wafer processing tape capable of reducing chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing.
The wafer processing tape 10 has an adhesive film 12 composed of a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b formed thereon and an adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive adhesive film 12. [ The ratio tan? Ad / tan? Film between the loss tangent tan? Film at 80 占 폚 of the adhesive film 12 and the loss tangent tan? Ad at 80 占 폚 of the adhesive layer 13 is 5.0 or less. The rotational vibration of the dicing blade 21 can be sufficiently absorbed by the adhesive film 12. The vibration due to the rotational vibration of the dicing blade 21 of the adhesive layer 13 is reduced by the pressure-sensitive adhesive layer 12b and is hardly transmitted to the semiconductor chip 2 at the time of dicing.

Description

웨이퍼 가공용 테이프 {TAPE FOR PROCESSING WAFER}[0001] TAPE FOR PROCESSING WAFER [0002]

본 발명은, 반도체 웨이퍼를 반도체 소자(칩)로 절단하는 다이싱 공정과, 절단된 칩을 리드 프레임이나 다른 칩에 접착하는 다이 본딩 공정의 양쪽 공정에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing tape used in both of a dicing step of cutting a semiconductor wafer into semiconductor elements (chips) and a die bonding step of bonding the cut chips to a lead frame or another chip.

반도체 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 칩 단위로 절단(다이싱)하는 공정, 절단된 반도체 소자(칩)를 픽업하는 공정, 또한 픽업된 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하는 다이 본딩(마운트) 공정이 실시된다.The semiconductor device manufacturing process includes a process of cutting (dicing) a semiconductor wafer into chips, a process of picking up a cut semiconductor device (chip), and a die bonding ) Process is carried out.

상기 반도체 장치의 제조 공정에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프로서, 기재 필름 상에, 점착제층과 접착제층이 이 순서대로 형성된 웨이퍼 접착용 점착 필름이 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조).As the wafer processing tape used in the manufacturing process of the semiconductor device, there is known a pressure-sensitive adhesive film for wafer bonding in which a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer are formed in this order on a base film (see, for example, Patent Document 1).

그러나, 가장 일반적인 다이싱 방법인 고속 회전하는 박형 지석(다이싱 블레이드)에 의해 칩을 절단하면, 칩의 박형화에 수반하여, 다이싱 블레이드의 회전 진동에 의해 인접하는 칩끼리 접촉하여, 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑이 발생한다는 문제가 있었다.However, when a chip is cut by a thin, high-speed rotating type thin grinding wheel (dicing blade), which is the most common dicing method, adjacent chips come into contact with each other due to rotational vibration of the dicing blade, There is a problem that chipping such as chip cutting occurs.

이러한 다이싱시의 칩핑을 저감하기 위해, 반도체 소자의 두께를 W(㎛)로 하고, 접착제층의 두께를 A(㎛), 접착제층의 경화 후의 25℃에서의 저장 탄성률을 E(GPa)로 하였을 때, W×E/A=Q로 나타내어지는 Q의 값을 0.5 내지 80으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 2 참조)In order to reduce the chipping during the dicing, the thickness of the semiconductor element is W (占 퐉), the thickness of the adhesive layer is A (占 퐉), the storage elastic modulus at 25 占 폚 after curing of the adhesive layer is E (GPa) , The value of Q represented by W x E / A = Q is set to 0.5 to 80 (for example, refer to Patent Document 2 below)

일본 특허 공개 제2002-226796호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-226796 일본 특허 공개 제2005-026547호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-026547

상기 특허문헌 2에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 접착제층과 점착제층의 관계가 고려되어 있지 않고, 접착제층과 점착제층의 조합에 따라서는, 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑을 방지할 수 없다는 문제가 있었다.In the wafer processing tape described in Patent Document 2, there is a problem that the relationship between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer is not taken into consideration, and chipping such as chip cracking or chip cutting can not be prevented depending on the combination of the adhesive layer and the pressure- there was.

따라서, 본 발명의 목적은, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑을 저감할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a wafer processing tape capable of reducing chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing.

본 발명자들은, 기재 필름과, 기재 필름 상에 형성된 점착제층과, 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 다이싱시에 있어서의 칩끼리의 접촉은, 다이싱 블레이드의 회전 진동에 의해 발생하는 것이기 때문에, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결을 저감하기 위해서는, 점착 필름에, 진동을 흡수하는 기능(응력 흡수 성능)을 갖게 하는 것이 유효한 것을 발견하였다.The present inventors have found that when a semiconductor device is manufactured using a wafer processing tape having a base film, a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film, and an adhesive layer formed on the pressure-sensitive adhesive layer, Is generated by the rotational vibration of the dicing blade. Therefore, in order to reduce chip cracking and chip cut-off at the time of dicing, it is effective to provide the adhesive film with a function of absorbing vibration (stress absorption performance) Respectively.

본 발명은 상술한 사실에 기초하여 이루어진 것이다.The present invention has been made based on the above facts.

본 발명의 제1 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프는, 기재 필름과 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며, 상기 점착 필름에, 진동을 흡수하는 기능을 갖게 한 것을 특징으로 한다.A wafer processing tape according to a first aspect of the present invention is a wafer processing tape having an adhesive film comprising a base film and a pressure sensitive adhesive layer formed on the base film and an adhesive layer formed on the pressure sensitive adhesive layer, And has a function of absorbing vibrations.

이 구성에 따르면, 점착 필름에 진동을 흡수하는 기능을 갖게 하였으므로, 다이싱시에 있어서, 접착제층의 다이싱 블레이드의 회전 진동에 의한 진동이 점착 필름에 의해 흡수되어, 칩에 전달되기 어려워져, 인접하는 칩끼리의 접촉이 저감된다. 이에 의해, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑이 저감된다.According to this configuration, since the adhesive film has the function of absorbing the vibration, the vibration due to the rotational vibration of the dicing blade of the adhesive layer is absorbed by the adhesive film during dicing, Contact between adjacent chips is reduced. As a result, chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing is reduced.

본 발명의 제2 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프는, 상기 점착 필름의 80℃에서의 손실 정접을 tanδfilm, 상기 접착제층의 80℃에서의 손실 정접을 tanδad로 하였을 때, tanδad/tanδfilm이 5.0 이하인 것을 특징으로 한다.The wafer processing tape according to the second aspect of the present invention is characterized in that when the loss tangent at 80 deg. C of the adhesive film is tan delta fiilm and the loss tangent at 80 deg. C of the adhesive layer is tan delta, tan delta tan / tan delta fiil is 5.0 or less .

이 구성에 따르면, tanδad/tanδfilm을 5.0 이하로 한 것에 의해, 점착 필름이 진동을 충분히 흡수할 수 있을 정도로 부드러워진다. 이로 인해, 접착제층의 다이싱 블레이드의 회전 진동에 의한 진동이 점착 필름에 의해 흡수되어, 칩에 전달되기 어려워져, 인접하는 칩(개별 조각화된 접착제층을 갖는 칩)끼리의 접촉이 저감된다. 이에 의해, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑이 저감된다. 바람직하게는, tanδad/tanδfilm이 3.4 이하이다.According to this constitution, by setting tan? Ad / tan? Fil to not more than 5.0, the pressure-sensitive adhesive film becomes soft enough to sufficiently absorb vibration. As a result, the vibration due to the rotational vibration of the dicing blade of the adhesive layer is absorbed by the adhesive film and is hardly transmitted to the chip, so that the contact between adjacent chips (chips having individual pieces of adhesive layer) is reduced. As a result, chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing is reduced. Preferably, tan? Ad / tan? Film is 3.4 or less.

본 발명에 따르면, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑을 저감할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 실현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to realize a wafer processing tape capable of reducing chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 도시하는 단면도.
도 2는 웨이퍼 가공용 테이프 상에 반도체 웨이퍼를 접합한 도면.
도 3은 다이싱 공정을 설명하기 위한 도면.
도 4는 익스팬드 공정을 설명하기 위한 도면.
도 5는 픽업 공정을 설명하기 위한 도면.1 is a sectional view showing a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a semiconductor wafer bonded on a wafer processing tape;
3 is a view for explaining a dicing step.
4 is a view for explaining an expanding process.
5 is a view for explaining a pickup process;

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 도시하는 단면도이다. 이 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 기재 필름(12a)과 그 위에 형성된 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 이 점착 필름(12) 상에 적층된 접착제층(13)을 갖는다. 이와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에서는, 기재 필름(12a)과 점착제층(12b)과 접착제층(13)이 이 순서대로 형성되어 있다.1 is a sectional view showing a wafer processing tape 10 according to one embodiment. The wafer processing tape 10 has an adhesive film 12 composed of a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b formed on the adhesive film 12 and an adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive adhesive film 12. Thus, in the tape for wafer processing 10, the base film 12a, the pressure-sensitive adhesive layer 12b, and the adhesive layer 13 are formed in this order.

또한, 점착제층(12b)은 1층의 점착제층으로 구성되어 있어도 되고, 2층 이상의 점착제층이 적층된 것으로 구성되어 있어도 된다. 또한, 도 1에 있어서는, 접착제층(13)을 보호하기 위해, 박리 라이너(11)가 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 설치되어 있는 모습이 도시되어 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 12b may be composed of one pressure-sensitive adhesive layer or two or more pressure-sensitive adhesive layers laminated. 1 shows a state in which the release liner 11 is provided on the wafer processing tape 10 in order to protect the adhesive layer 13.

점착 필름(12) 및 접착제층(13)은, 사용 공정이나 장치에 맞추어 미리 소정 형상으로 절단(예비 절단)되어 있어도 된다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프는, 반도체 웨이퍼 1매분마다 절단된 형태와, 이것이 복수 형성된 긴 시트를 롤 위에 권취한 형태를 포함한다.The adhesive film 12 and the adhesive layer 13 may be cut (preliminarily cut) into a predetermined shape in advance in accordance with the use process or apparatus. The wafer processing tape according to the present invention includes a form in which the semiconductor wafer is cut one by one and a form in which a long sheet having a plurality of these is wound on a roll.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 이하의 구성을 갖는 점에 특징이 있다. 점착 필름(12)의 80℃에서의 손실 정접을 tanδfilm, 접착제층(13)의 80℃에서의 손실 정접을 tanδad로 하였을 때, tanδad/tanδfilm이 5.0 이하이다. 바람직하게는, tanδad/tanδfilm이 3.4 이하이다.The wafer processing tape 10 according to the present embodiment is characterized in that it has the following configuration. The loss tangent at 80 占 폚 of the adhesive film 12 is tan? Fil, and the loss tangent at 80 占 폚 of the adhesive layer 13 is tan? Ad, tan? Ad / tan? Preferably, tan? Ad / tan? Film is 3.4 or less.

일반적으로, 샘플에 대하여 주기적으로 왜곡 ε을 부여하면, 샘플이 완전한 탄성체이면, 그것에 대응하는 응력 σ는, 시간적인 지연의 발생은 없어, 동일 위상에서 나타난다. 그러나, 샘플에 점성 요소가 존재하면, 응답에 지연(왜곡의 입력과 응답의 위상차 δ)이 발생한다. 이 시간적인 지연을 가진 왜곡 ε과 응력 σ는, 하기의 수학식 1에 의해 복소 탄성률(E*)로서 나타내어진다.Generally, if the sample is a completely elastic body, the stress? Corresponding to the sample periodically appears at the same phase without occurrence of a time delay. However, if there is a viscous element in the sample, the delay (the phase difference δ of the input of the distortion and the response) occurs in the response. The distortion? And the stress? Having this temporal delay are expressed as a complex elastic modulus (E * ) by the following equation (1).

Figure 112010022681565-pat00001
Figure 112010022681565-pat00001

또한, 본 발명에서 사용되는 손실 정접 tanδ는, 하기의 수학식 2에 의해 나타내어진다.The loss tangent tan? Used in the present invention is represented by the following equation (2).

Figure 112010022681565-pat00002
Figure 112010022681565-pat00002

여기서, E'는 저장 탄성률, E"는 손실 탄성률이다.Here, E 'is storage elastic modulus and E "is loss elastic modulus.

저장 탄성률 E'는 탄성적인 성질을 나타내고, 손실 탄성률 E"나 손실 정접 tanδ는 점성적, 즉 에너지 손실의 성질을 나타낸다.The storage elastic modulus E 'exhibits elastic properties, and the loss elastic modulus E' 'and the loss tangent tan delta indicate viscosity, that is, properties of energy loss.

이와 같이, 점성에 상당하는 손실 탄성률 E"와 탄성에 상당하는 저장 탄성률 E'의 비(E"/E')로 나타내어지는 손실 정접 tanδ는, 진동 흡수성을 반영하고, 그 값이 클수록 점성이 높아져(부드러워져) 진동 흡수성이 높아진다. 반대로, 그 값이 작을수록 점성이 낮아져(단단해져) 진동 흡수성이 낮아진다.As described above, the loss tangent tan? Represented by the ratio of the loss elastic modulus E "corresponding to viscosity to the storage elastic modulus E 'corresponding to elasticity (E" / E') reflects the vibration absorbability and the larger the value, the higher the viscosity (Softened) and the vibration absorbing property is enhanced. Conversely, the smaller the value, the lower the viscosity (hardening) and the lower the vibration absorbing property.

tanδad/tanδfilm이 5.0을 초과하면, 접착제층(13)에 대하여 점착 필름(12)이 지나치게 단단하기 때문에, 다이싱시에, 다이싱 블레이드(21)(도 3)의 회전 진동이 점착 필름(12)에 충분히 흡수되지 않고, 그 회전 진동에 의한 접착제층(13)의 진동이 반도체 칩(2)에 전달된다. 이에 의해, 인접하는 반도체 칩(2)(개별 조각화된 접착제층을 갖는 반도체 칩(2))끼리 접촉하여, 칩 균열이나 칩 절결이 발생하게 된다. tanδad/tanδfilm이 5.0 이하, 바람직하게는 3.4 이하이면, 점착 필름(12)도 부드럽기 때문에, 접착제층(13)의 다이싱 블레이드(21)의 회전 진동에 의한 진동이 점착 필름(12)에 의해 충분히 흡수됨으로써 저감되어, 반도체 칩(2)에 전달되기 어려워진다. 이에 의해, 인접하는 반도체 칩(2)끼리의 접촉이 저감된다. 이에 의해, 다이싱시에서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑이 저감된다.When the tan δad / tan δfilm is more than 5.0, the adhesive film 12 is excessively hard with respect to the adhesive layer 13, so that the rotational vibration of the dicing blade 21 (Fig. 3) And the vibration of the adhesive layer 13 due to the rotational vibration is transmitted to the semiconductor chip 2. [ As a result, the adjacent semiconductor chips 2 (semiconductor chips 2 having the individual fragmented adhesive layers) come into contact with each other, causing chip cracking and chip breaking. the vibration due to the rotational vibration of the dicing blade 21 of the adhesive layer 13 is sufficiently suppressed by the adhesive film 12 because the adhesive film 12 is also soft if the tan delta ad / tan delta fil is not more than 5.0, preferably not more than 3.4. And is less likely to be transmitted to the semiconductor chip 2. As a result, contact between adjacent semiconductor chips 2 is reduced. As a result, chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing is reduced.

이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component of the wafer processing tape 10 of the present embodiment will be described in detail.

(접착제층)(Adhesive layer)

접착제층(13)은 반도체 웨이퍼(1) 등이 접합되어 다이싱된 후, 반도체 칩(2)을 픽업할 때에, 점착 필름(12)으로부터 박리되어 반도체 칩(2)에 부착되고, 반도체 칩(2)을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 따라서, 접착제층(13)은, 픽업 공정에 있어서, 개별 조각화된 반도체 칩(2)에 부착된 채의 상태로, 점착 필름(12)으로부터 박리할 수 있는 박리성을 갖고, 또한, 다이 본딩 공정에 있어서, 반도체 칩(2)을 기판이나 리드 프레임에 접착 고정하기 때문에, 충분한 접착 신뢰성을 갖는 것이다.The adhesive layer 13 is peeled from the adhesive film 12 and adhered to the semiconductor chip 2 when the semiconductor wafer 1 is bonded and diced and then picked up. 2) is fixed to a substrate or a lead frame. Therefore, the adhesive layer 13 has peelability that can be peeled off from the adhesive film 12 in a state of being attached to the individual fragmented semiconductor chips 2 in the pick-up process, , The semiconductor chip 2 is adhered and fixed to the substrate or the lead frame, so that the semiconductor chip 2 has sufficient adhesion reliability.

접착제층(13)은, 접착제를 미리 필름화한 것이며, 예를 들어, 접착제에 사용되는 공지된 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 멜라민 수지 등이나 그의 혼합물을 사용할 수 있다.The adhesive layer 13 is a film obtained by preliminarily bonding an adhesive to a film. For example, a known polyimide resin, a polyamide resin, a polyetherimide resin, a polyamideimide resin, a polyester resin, A resin such as a resin, a phenoxy resin, a polysulfone resin, a polyether sulfone resin, a polyphenylene sulfide resin, a polyether ketone resin, a chlorinated polypropylene resin, an acrylic resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a polyacrylamide resin, Its mixture can be used.

경화 후의 내열성이 양호한 점에서 특히 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지는 경화하여 접착 작용을 나타내는 것이면 된다. 에폭시 수지로서는, 고Tg(유리 전이 온도)화를 목적으로 다관능 에폭시 수지를 첨가하여도 되고, 다관능 에폭시 수지로서는 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등이 예시된다. 에폭시 수지의 경화제는, 에폭시 수지의 경화제로서 통상 사용되고 있는 것을 사용할 수 있고, 아민, 폴리아미드, 산 무수물, 폴리술피드, 3불화 붕소 및 페놀성 수산기를 1 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물인 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S 등을 예로 들 수 있다. 특히 흡습시의 내전식성이 우수하기 때문에 페놀 수지인 페놀 노볼락 수지나 비스페놀 노볼락 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 경화제와 함께 경화 촉진제를 사용하는 것이, 경화를 위한 열처리의 시간을 단축할 수 있는 점에서 바람직하다. 경화 촉진제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨 트리멜리테이트와 같은 각종 이미다졸류 등의 염기를 사용할 수 있다.It is particularly preferable to use an epoxy resin in view of good heat resistance after curing. The epoxy resin may be any one which hardens and exhibits an adhesive action. As the epoxy resin, a polyfunctional epoxy resin may be added for the purpose of making a high Tg (glass transition temperature). Examples of the polyfunctional epoxy resin include phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and the like. As the curing agent of the epoxy resin, those generally used as a curing agent of an epoxy resin can be used, and bisphenol A, which is a compound having two or more amine, polyamide, acid anhydride, polysulfide, boron trifluoride and phenolic hydroxyl groups in one molecule , Bisphenol F, bisphenol S, and the like. Particularly, it is preferable to use phenol novolac resin, bisphenol novolac resin, or the like which is a phenol resin because of excellent corrosion resistance at the time of moisture absorption. Further, it is preferable to use a curing accelerator together with the curing agent in that the time for the heat treatment for curing can be shortened. As the curing accelerator, there may be mentioned 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate And the like can be used.

또한, 반도체 칩(2)이나 리드 프레임(20)에 대한 접착력을 강화하기 위해, 실란 커플링제 혹은 티타늄 커플링제를 첨가제로서 상기 재료나 그의 혼합물에 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 내열성의 향상이나 유동성의 조절을 목적으로 충전제를 첨가하여도 된다. 이러한 충전제로서는 실리카, 알루미나, 안티몬 산화물 등이 있다. 이들 충전제는 최대 입자 직경이 접착제층(13)의 두께보다 작은 것이면, 상이한 입자 직경의 것을 임의의 비율로 배합할 수 있다.It is also preferable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent as an additive to the above material or a mixture thereof in order to enhance the adhesive force to the semiconductor chip 2 or the lead frame 20. [ A filler may also be added for the purpose of improving heat resistance and controlling fluidity. Examples of such fillers include silica, alumina, antimony oxide and the like. If the maximum particle diameter of these fillers is smaller than the thickness of the adhesive layer 13, those having different particle diameters can be blended at an arbitrary ratio.

tanδad를 높게 하기 위해서는, 에폭시 수지나 페놀 수지 등의 저분자량 성분을 많게 하고, 아크릴 수지 등의 고분자량 성분을 적게 하면 된다. 또한, 충전제를 배합하는 경우는 충전제 배합량을 적게 하여도 되고, tanδ를 낮게 하기 위해서는 상기한 것을 반대로 행하면 된다.In order to increase the tan δad, a low molecular weight component such as an epoxy resin or a phenol resin may be increased and a high molecular weight component such as an acrylic resin may be decreased. In the case of mixing the filler, the amount of the filler to be blended may be reduced, and in order to lower the tan delta, the above-mentioned procedure may be reversed.

접착제층(13)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 5 내지 100㎛정도가 바람직하다. 또한, 접착제층(13)은 점착 필름(12)의 점착제층(12b)의 전체면에 적층하여도 되지만, 미리 접합되는 반도체 웨이퍼(1)에 따른 형상으로 절단된(예비 절단된) 접착제층을 점착제층(12b)의 일부에 적층하여도 된다. 반도체 웨이퍼(1)에 따른 형상으로 절단된 접착제층(13)을 적층한 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)가 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 다이싱용의 링 프레임(20)이 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 없고 점착 필름(12)의 점착제층(12b)만이 존재한다. 일반적으로, 접착제층(13)은 피착체와 박리되기 어렵기 때문에, 예비 절단된 접착제층(13)을 사용함으로써, 링 프레임(20)은 점착 필름(12)에 접합할 수 있고, 사용 후의 시트 박리시에 링 프레임에의 접착제 잔류물을 발생시키기 어렵다는 효과를 얻을 수 있다.The thickness of the adhesive layer 13 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 mu m. The adhesive layer 13 may be laminated on the entire surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12, but the adhesive layer 13 may be laminated on the pressure- Or may be laminated on a part of the pressure-sensitive adhesive layer 12b. In the case where the adhesive layer 13 cut in the shape corresponding to the semiconductor wafer 1 is laminated, as shown in Fig. 2, the adhesive layer 13 is present at the bonding portion of the semiconductor wafer 1, There is no adhesive layer 13 in the area where the ring frame 20 is bonded and only the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12 is present. Generally, since the adhesive layer 13 is difficult to peel off from the adherend, the ring frame 20 can be bonded to the adhesive film 12 by using the preliminarily cut adhesive layer 13, It is possible to obtain an effect that it is difficult to generate an adhesive residue on the ring frame upon peeling.

(점착 필름)(Adhesive film)

점착 필름(12)은, 반도체 웨이퍼(1)를 다이싱할 때에는 반도체 웨이퍼(1)가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 반도체 칩(2)을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(13)으로부터 박리할 수 있도록 낮은 점착력을 갖는 것이다. 본 실시 형태에 있어서, 점착 필름(12)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재 필름(12a)에 점착제층(12b)을 형성한 것을 사용하였다.The adhesive film 12 has a sufficient adhesion force so that the semiconductor wafer 1 is not peeled off when dicing the semiconductor wafer 1. The adhesive film 12 is easily adhered to the adhesive layer 13 when picking up the semiconductor chip 2 after dicing, So that it can be peeled off. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive film 12, as shown in Fig. 1, is used in which the pressure-sensitive adhesive layer 12b is formed on the base film 12a.

점착 필름(12)의 기재 필름(12a)으로서는, 종래 공지된 것이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 점착제층(12b)으로서, 에너지 경화성의 재료 중 방사선 경화성의 재료를 사용하는 점에서, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용한다.The base film 12a of the adhesive film 12 is not particularly limited as long as it is conventionally known and can be used. As described later, in the present embodiment, as the pressure-sensitive adhesive layer 12b, the radiation- A material having radiation transmittance is used.

예를 들어, 기재 필름(12a)의 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 공중합체 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름(12a)은 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다. 기재 필름(12a)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니고 적절히 설정하면 되지만, 50 내지 200㎛가 바람직하다Examples of the material of the base film 12a include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as ethylene-propylene copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer and ionomer, or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene copolymer or pentene- Amide-polyol copolymers, and mixtures thereof. The base film 12a may be a mixture of two or more kinds of materials selected from these groups, or may be a single layer or a multi-layered film. The thickness of the base film 12a is not particularly limited and may be suitably set, but is preferably 50 to 200 占 퐉

tanδfilm은, 기재 필름(12a)에 사용하는 수지의 구조에 기인한다. 보다 상세하게는, 분자량이 높고, 서로 얽혀 점간 분자량이 작은 것일수록 tanδfilm이 높아진다.tan delta fil is caused by the structure of the resin used for the base film 12a. More specifically, as the molecular weight is high and the inter-molecular weight is small, the tan delta film becomes higher.

본 실시 형태에 있어서는, 자외선 등의 방사선을 점착 필름(12)에 조사함으로써, 점착제층(12b)을 경화시켜, 점착제층(12b)을 접착제층(13)으로부터 박리하기 쉽게 하고 있는 점에서, 점착제층(12b)의 수지에는, 점착제에 사용되는 공지된 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 부가 반응형 오르가노폴리실록산계 수지, 실리콘 아크릴레이트 수지, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 폴리이소프렌이나 스티렌ㆍ부타디엔 공중합체나 그 수소 첨가물 등의 각종 엘라스토머 등이나 그의 혼합물에, 방사선 중합성 화합물을 적절히 배합하여 점착제를 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 각종 계면 활성제나 표면 평활화제를 첨가하여도 된다. 점착제층의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니라 적절히 설정하여도 되지만, 5 내지 30㎛가 바람직하다.In the present embodiment, since the pressure-sensitive adhesive layer 12b is cured by irradiating the adhesive film 12 with radiation such as ultraviolet rays, the pressure-sensitive adhesive layer 12b is easily peeled from the adhesive layer 13, As the resin of the layer 12b, known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, addition reaction type organopolysiloxane resin, silicone acrylate resin, ethylene-acetic acid Vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, polyisoprene, styrene-butadiene copolymer or hydrogenated product thereof, and mixtures thereof, Is suitably blended to produce a pressure-sensitive adhesive. In addition, various surfactants and surface smoothing agents may be added. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 5 to 30 占 퐉.

그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광 조사에 의해 3차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이나, 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합기를 치환기에 갖는 중합체나 올리고머가 사용된다. 구체적으로는, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6 헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트나, 올리고에스테르 아크릴레이트 등, 실리콘 아크릴레이트 등, 아크릴산이나 각종 아크릴산 에스테르류의 공중합체 등이 적용 가능하다.The radiation-polymerizable compound is, for example, a low-molecular-weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of being three-dimensionally reticularized by light irradiation, a photopolymerizable carbon- Polymers and oligomers having substituents are used. Specific examples include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene Acrylic esters such as acrylic acid and various acrylic esters such as acrylic acid, glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate and the like, and silicone acrylate.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄 아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다. 또한, 점착제층(12b)에는, 상기한 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers may also be used. The urethane acrylate oligomer is obtained by reacting a polyol compound such as polyester type or polyether type with a polyisocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3- Xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) is reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a hydroxyl group-containing acrylate or methacrylate ( Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, and the like) . The pressure-sensitive adhesive layer 12b may be a mixture of two or more kinds selected from the above-mentioned resins.

또한, 점착제층(12b)의 수지에는, 방사선을 점착 필름(12)에 조사하여 점착제층(12b)을 경화시키는 방사선 중합성 화합물 외에, 아크릴계 점착제, 광 중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제층(12b)을 제조할 수도 있다.The resin of the pressure-sensitive adhesive layer 12b is appropriately blended with an acrylic pressure-sensitive adhesive, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like in addition to the radiation-polymerizable compound for curing the pressure-sensitive adhesive layer 12b by irradiating the adhesive film 12 with radiation, (12b).

광 중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필 벤조인에테르, 이소부틸 벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러 케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광 중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.When a photopolymerization initiator is used, for example, isopropylbenzoin ether, isobutylbenzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone , Benzyl dimethyl ketal,? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane and the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(웨이퍼 가공용 테이프의 사용 방법)(Method of using wafer processing tape)

반도체 장치의 제조 공정 중에서, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 이하와 같이 사용된다. 도 2에 있어서는, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에, 반도체 웨이퍼(1)와 링 프레임(20)이 접합된 모습이 도시되어 있다. 우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 점착 필름(12)의 점착제층(12b)을 링 프레임(20)에 부착하고, 반도체 웨이퍼(1)를 접착제층(13)에 접합한다. 이들의 부착 순서에 제한은 없고, 반도체 웨이퍼(1)를 접착제층(13)에 접합한 후에 점착 필름(12)의 점착제층(12b)을 링 프레임(20)에 부착하여도 된다. 또한, 점착 필름(12)의 링 프레임(20)으로의 부착과, 반도체 웨이퍼(1)의 접착제층(13)으로의 접합을 동시에 행하여도 된다.In the semiconductor device manufacturing process, the wafer processing tape 10 is used as follows. 2 shows a state in which the semiconductor wafer 1 and the ring frame 20 are bonded to the wafer processing tape 10. As shown in Fig. First, as shown in Fig. 2, the adhesive layer 12b of the adhesive film 12 is attached to the ring frame 20, and the semiconductor wafer 1 is bonded to the adhesive layer 13. Next, as shown in Fig. The adhesive layer 12b of the adhesive film 12 may be attached to the ring frame 20 after the semiconductor wafer 1 is bonded to the adhesive layer 13 without any limitation. The attachment of the adhesive film 12 to the ring frame 20 and the bonding to the adhesive layer 13 of the semiconductor wafer 1 may be performed at the same time.

그리고, 반도체 웨이퍼(1)의 다이싱 공정을 실시하고(도 3), 계속해서, 점착 필름(12)에 에너지선, 예를 들어 자외선을 조사하는 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱 블레이드(21)에 의해 반도체 웨이퍼(1)와 접착제층(13)을 다이싱하기 위해, 흡착 스테이지(22)에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 점착 필름(12) 면측으로부터 흡착 지지한다. 그리고, 다이싱 블레이드(21)에 의해 반도체 웨이퍼(1)와 접착제층(13)을 반도체 칩(2) 단위로 절단하여 개별 조각화하고, 그 후, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 에너지선을 조사한다. 이 에너지선 조사에 의해, 점착제층(12b)을 경화시켜 그의 점착력을 저하시킨다. 또한, 에너지선의 조사 대신에, 가열 등의 외부 자극에 의해 점착 필름(12)의 점착제층(12b)의 점착력을 저하시켜도 된다. 점착제층(12b)이 2층 이상의 점착제층에 의해 적층되어 구성되어 있는 경우, 각 점착제층 내의 일층 또는 전체 층을 에너지선 조사에 의해 경화시켜, 각 점착제층 내의 일층 또는 전체 층의 점착력을 저하시켜도 된다.Then, a dicing step of the semiconductor wafer 1 is performed (Fig. 3), and then a step of irradiating the adhesive film 12 with energy rays, for example ultraviolet rays, is carried out. The wafer processing tape 10 is adhered to the surface of the adhesive film 12 by the suction stage 22 in order to dice the semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 13 by the dicing blade 21. [ As shown in Fig. The semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 13 are cut into individual pieces by the dicing blade 21 in the unit of the semiconductor chip 2 and thereafter the energy lines are cut from the lower surface side of the adhesive film 12 Investigate. By this energy ray irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer 12b is cured to deteriorate its adhesive force. Instead of irradiating the energy ray, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12 may be lowered by external stimulation such as heating. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 12b is formed by laminating two or more pressure-sensitive adhesive layers, one or all of the pressure-sensitive adhesive layers may be cured by energy ray irradiation to lower the adhesive force of one or all of the pressure- do.

그 후, 도 4에 도시한 바와 같이, 다이싱된 반도체 칩(2) 및 접착제층(13)을 유지한 점착 필름(12)을 링 프레임(20)의 주위 방향으로 잡아늘이는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱된 복수의 반도체 칩(2) 및 접착제층(13)을 유지한 상태의 점착 필름(12)에 대하여, 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(30)를, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 상승시켜, 점착 필름(12)을 링 프레임(20)의 주위 방향으로 잡아늘인다. 익스팬드 공정에 의해, 반도체 칩(2)끼리의 간격을 넓혀, CCD 카메라 등에 의한 반도체 칩(2)의 인식성을 높임과 함께, 픽업시에 인접하는 반도체 칩(2)끼리 접촉함으로써 발생하는 반도체 칩끼리의 재접착을 방지할 수 있다.Thereafter, as shown in Fig. 4, the expanding process of stretching the adhesive film 12 holding the diced semiconductor chip 2 and the adhesive layer 13 in the peripheral direction of the ring frame 20 is carried out do. Concretely, a hollow cylinder-shaped push-up member 30 is attached to the adhesive film 12 in a state in which a plurality of diced semiconductor chips 2 and an adhesive layer 13 are held, So that the adhesive film 12 is stretched in the peripheral direction of the ring frame 20. The distance between the semiconductor chips 2 is widened by the expanding process so that the recognizability of the semiconductor chip 2 by the CCD camera or the like is increased and at the same time the semiconductor chips 2, It is possible to prevent re-adhesion between the chips.

익스팬드 공정을 실시한 후, 도 5에 도시한 바와 같이, 점착 필름(12)을 익스팬드한 상태인 채로, 반도체 칩(2)을 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 반도체 칩(2)을 핀(31)에 의해 밀어올림과 함께, 점착 필름(12)의 상면측으로부터 흡착 지그(32)로 반도체 칩(2)을 흡착함으로써, 개별 조각화된 반도체 칩(2)을 접착제층(13)과 함께 픽업한다.After the expand process, as shown in Fig. 5, a pick-up process for picking up the semiconductor chip 2 is carried out while the adhesive film 12 is expanded. Concretely, the semiconductor chip 2 is pushed up by the pins 31 from the lower surface side of the adhesive film 12 and the semiconductor chip 2 is transferred from the upper surface side of the adhesive film 12 to the suction jig 32, The semiconductor chip 2 is picked up together with the adhesive layer 13. [0050]

그리고, 픽업 공정을 실시한 후, 다이 본딩 공정을 실시한다. 구체적으로는, 픽업 공정에서 반도체 칩(2)과 함께 픽업된 접착제층(13)에 의해, 반도체 칩(2)을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착한다.After the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, the semiconductor chip 2 is bonded to a lead frame, a package substrate, or the like by the adhesive layer 13 picked up together with the semiconductor chip 2 in the pickup process.

다음에, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

표 1에 나타낸 접착제층 (A) 내지 (C)를 갖는 접착 필름 및 점착 필름 (1) 내지 (3)을, 각각 직경 370mm, 320mm의 원형으로 커트하고, 점착 필름 (1) 내지 (3)의 어느 하나의 점착제층과, 접착제층 (A) 내지 (C) 중 어느 하나를 갖는 접착 필름의 접착제층을 접합하였다. 마지막으로, 접착 필름의 PET 필름을 접착제층으로부터 박리하여, 표 1에 나타낸 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5의 각 웨이퍼 가공용 테이프를 얻었다.The adhesive films (1) to (3) having the adhesive layers (A) to (C) shown in Table 1 were cut into a circle having a diameter of 370 mm and 320 mm, respectively, One of the adhesive layers and the adhesive layer of the adhesive film having any one of the adhesive layers (A) to (C) were bonded. Finally, the PET film of the adhesive film was peeled from the adhesive layer to obtain the respective tapes for wafer processing of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 shown in Table 1.

(접착제층의 제작)(Preparation of adhesive layer)

<접착제층 (A)>&Lt; Adhesive Layer (A) >

에폭시 수지로서 YDCN-703(도또 가세이(주)제 상품명, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 210g/eq, 분자량 1,200, 연화점 80℃) 50중량부, 페놀 수지로서 미렉스 XLC-LL(미쯔이 가가꾸(주)제 상품명, 수산기 당량 175g/eq, 흡수율 1.8％, 350℃에서의 가열 중량 감소율 4％) 50중량부, 실란 커플링제로서 Z-6044(도레이ㆍ다우코닝(주)제 상품명, 3-글리시독시프로필메틸 메톡시실란) 0.35중량부, 실리카 충전제로서 S0-C2(애드마파인(주)제 상품명, 비중 2.2g/cm3, 모스 경도 7, 평균 입경 0.5㎛, 비표면적 6.0m2/g) 35중량부, 경화 촉진제로서 큐어졸 2PZ(시꼬꾸 가세이(주)제 상품명, 2-페닐이미다졸) 3중량부, 아크릴 수지로서 SG-P3(나가세 켐텍스(주)제 상품명, 중량 평균 분자량 85만, 유리 전이 온도 10℃) 250중량부를 유기 용제 중에서 교반하여, 접착제층 조성물을 얻었다. 이 접착제층 조성물을, 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포 시공, 건조하여 막 두께 20㎛의 접착제층 (A)를 갖는 접착 필름을 제작하였다. 이 접착제층 (A)의 동적 점탄성 측정에 의한 경화 전 80℃에서의 손실 정접 tanδad는 0.162였다. 이 손실 정접 tanδad의 측정 방법은 후술한다.50 parts by weight of YDCN-703 (trade name, manufactured by TOYOTA CHEMICAL CO., LTD .; cresol novolak type epoxy resin, epoxy equivalent weight 210 g / eq, molecular weight 1,200, softening point 80 캜) as an epoxy resin, Mirex XLC-LL (Trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) as a silane coupling agent, 50 parts by weight of a silane coupling agent having a hydroxyl group equivalent of 175 g / eq, a water absorption rate of 1.8% -Glycidoxypropylmethylmethoxysilane), 0.35 parts by weight of a silica filler S0-C2 (trade name of Admpahin Co., specific gravity 2.2 g / cm 3 , Mohs hardness 7, average particle diameter 0.5 μm, specific surface area 6.0 m 2 / g) 35 parts by weight of a curing accelerator 2PZ cured sol (upon kkokku Kasei Co., Ltd. trade name, 2-phenyl imidazole), 3 parts by weight, SG-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. as trade name of acrylic resin , Weight average molecular weight: 8,500, glass transition temperature: 10 占 폚) were stirred in an organic solvent to obtain an adhesive layer composition. This adhesive layer composition was coated on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film and dried to produce an adhesive film having an adhesive layer (A) having a thickness of 20 mu m. The loss tangent tan deltaad at 80 deg. C before curing by measurement of the dynamic viscoelasticity of the adhesive layer (A) was 0.162. The method of measuring the loss tangent tan δad will be described later.

<접착제층 (B)>&Lt; Adhesive layer (B) >

에폭시 수지로서 YDCN-703(도또 가세이(주)제 상품명, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 210g/eq, 분자량 1,200, 연화점 80℃) 55중량부, 페놀 수지로서 미렉스 XLC-LL(미쯔이 가가꾸(주)제 상품명, 수산기 당량 175g/eq, 흡수율 1.8％, 350℃에서의 가열 중량 감소율 4％) 45중량부, 실란 커플링제로서 Z-6044(도레이ㆍ다우코닝(주)제 상품명, 3-글리시독시프로필메틸 메톡시실란) 0.3중량부, 실리카 충전제로서 S0-C2(애드마파인(주)제 상품명, 비중 2.2g/cm3, 모스 경도 7, 평균 입경 0.5㎛, 비표면적 6.0m2/g) 30중량부, 경화 촉진제로서 큐어졸 2PZ(시꼬꾸 가세이(주)제 상품명, 2-페닐이미다졸) 0.4중량부, 아크릴 수지로서 SG-P3(나가세 켐텍스(주)제 상품명, 중량 평균 분자량 85만, 유리 전이 온도 10℃) 275중량부를 유기 용제 중에서 교반하고, 접착제층 조성물을 얻었다. 이 접착제층 조성물을, 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포 시공, 건조하여 막 두께 20㎛의 접착제층 (B)을 갖는 접착 필름을 제작하였다. 이 접착제층 (B)의 동적 점탄성 측정에 의한 경화 전 80℃에서의 손실 정접 tanδad는 0.232였다.55 parts by weight of YDCN-703 (trade name, a cresol novolak type epoxy resin, an epoxy equivalent weight of 210 g / eq, a molecular weight of 1,200, a softening point of 80 占 폚) as an epoxy resin, Mirex XLC-LL 45 parts by weight of a silane coupling agent Z-6044 (trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name; manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name, hydroxyl equivalent 175 g / eq, absorption rate 1.8% 0.3 part by weight of glycidoxypropylmethylmethoxysilane as a silica filler, S0-C2 (trade name of Admpain Co., Ltd., specific gravity 2.2 g / cm 3 , Mohs hardness 7, average particle diameter 0.5 m, specific surface area 6.0 m 2 / g) 30 parts by weight of a curing accelerator 2PZ cured sol (upon kkokku Kasei Co., Ltd. trade name, 2-phenyl imidazole) 0.4 parts by weight, SG-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. as trade name of acrylic resin , Weight average molecular weight: 8,500, glass transition temperature: 10 占 폚) were stirred in an organic solvent to obtain an adhesive layer composition. This adhesive layer composition was coated on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film and dried to produce an adhesive film having an adhesive layer (B) having a thickness of 20 mu m. The loss tangent tan? Ad at 80 占 폚 before curing by the dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive layer (B) was 0.232.

<접착제층 (C)>&Lt; Adhesive Layer (C) >

에폭시 수지로서 YDCN-703(도또 가세이(주)제 상품명, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 210g/eq, 분자량 1,200, 연화점 80℃)55중량부, 페놀 수지로서 미렉스 XLC-LL(미쯔이 가가꾸(주)제 상품명, 수산기 당량 175g/eq, 흡수율 1.8％, 350℃에서의 가열 중량 감소율 4％) 45중량부, 실란 커플링제로서 Z-6044(도레이ㆍ다우코닝(주)제 상품명, 3-글리시독시프로필메틸 메톡시실란) 1.5중량부, 실리카 충전제로서 S0-C2(애드마파인(주)제 상품명, 비중 2.2g/cm3, 모스 경도 7, 평균 입경 0.5㎛, 비표면적 6.0m2/g) 150중량부, 경화 촉진제로서 큐어졸 2PZ(시꼬꾸 가세이(주)제 상품명, 2-페닐이미다졸) 0.5중량부, 아크릴 수지로서 SG-P3(나가세 켐텍스(주)제 상품명, 중량 평균 분자량 85만, 유리 전이 온도 10℃) 100중량부를 유기 용제 중에서 교반하여, 접착제층 조성물을 얻었다. 이 접착제층 조성물을, 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포 시공, 건조하여 막 두께 20㎛의 접착제층 (C)를 갖는 접착 필름을 제작하였다. 이 접착제층 (C)의 동적 점탄성 측정에 의한 경화 전 80℃에서의 손실 정접 tanδad는 0.619였다.55 parts by weight of YDCN-703 (trade name, a cresol novolak type epoxy resin, an epoxy equivalent weight of 210 g / eq, a molecular weight of 1,200, a softening point of 80 占 폚) as an epoxy resin, Mirex XLC-LL 45 parts by weight of a silane coupling agent Z-6044 (trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name; manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name, hydroxyl equivalent 175 g / eq, absorption rate 1.8% - glycidoxypropyl methyl trimethoxysilane), 1.5 parts by weight, S0-C2 (Ad mapo of (Co., Ltd.) trade name, specific gravity 2.2g / cm 3, Mohs hardness of 7, an average particle size 0.5㎛, a specific surface area of 6.0m as a silica filler 2 / g) 150 parts by weight of a curing accelerator 2PZ cured sol (upon kkokku Kasei Co., Ltd. trade name, 2-phenyl imidazole) SG-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. as an acrylic resin, 0.5 part by weight, trade name , Weight average molecular weight: 8,500, glass transition temperature: 10 占 폚) were stirred in an organic solvent to obtain an adhesive layer composition. The adhesive layer composition was coated on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film and dried to produce an adhesive film having an adhesive layer (C) having a thickness of 20 mu m. The loss tangent tan del of the adhesive layer (C) at 80 DEG C before the curing by measurement of the dynamic viscoelasticity was 0.619.

(점착 필름의 제작)(Production of adhesive film)

<점착 필름 (1)>&Lt; Adhesive film (1) >

부틸아크릴레이트 65중량부, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 25중량부, 아크릴산 10중량부를 라디칼 중합시키고, 2-이소시아네이토에틸 메타크릴레이트를 적하 반응시켜 합성한 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체에 경화제로서 폴리이소시아네이트 3중량부, 광 중합 개시제로서 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤 1중량부를 첨가하여 혼합하고, 점착제층 조성물로 하였다.65 parts by weight of butyl acrylate, 25 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and 10 parts by weight of acrylic acid were subjected to radical polymerization and dropwise addition of 2-isocyanatoethyl methacrylate to obtain an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 3 parts by weight of a polyisocyanate as a curing agent and 1 part by weight of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone as a photopolymerization initiator were added and mixed to obtain a pressure-sensitive adhesive layer composition.

제작한 점착제층 조성물을 건조막 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공용 필름(기재 필름(12a) 이외의 도포 시공용 필름)에 도포 시공하고, 120℃에서 3분간 건조한다. 이 후, 그 필름에 도포 시공한 점착제층 조성물을, 기재 필름(12a)으로서, 두께 100㎛의 폴리프로필렌-엘라스토머(PP:HSBR=80:20의 엘라스토머) 수지 필름 상에 전사시킴으로써 점착 필름 (1)을 제작하였다. 이 점착 필름 (1)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδfilm은 0.098이었다.The applied pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to a coating film (film for application other than the base film 12a) so as to have a dry film thickness of 10 占 퐉, and dried at 120 占 폚 for 3 minutes. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer composition applied and applied to the film was transferred onto a resin film of a polypropylene-elastomer (PP: HSBR = 80: 20) having a thickness of 100 m as a base film 12a, ). The loss tangent tan? Film at 80 占 폚 measured by dynamic viscoelasticity measurement of the pressure-sensitive adhesive film (1) was 0.098.

또한, 폴리프로필렌(PP)은, 닛본 폴리켐 가부시끼가이샤제의 노바텍 FG4를 사용하고, 수소 첨가 스티렌 부타디엔(HSBR)은 JSR 가부시끼가이샤제의 다이나론 1320P를 사용하였다. 또한, 도포 시공용 필름은 실리콘 이형 처리된 PET 필름(데진: 휴피렉스 S-314, 두께 25㎛)을 사용하였다.The polypropylene (PP) used was Novartec FG4 manufactured by Nippon Polychem Co., Ltd., and the hydrogenated styrene butadiene (HSBR) used was Dynalon 1320P manufactured by JSR Corporation. In addition, a PET film (Degene: Hufirax S-314, thickness 25 占 퐉) having a silicon release treatment was used as the film for application.

<점착 필름 (2)>&Lt; Adhesive film (2) >

기재 필름(12a)으로서, MFR 1.2, 융점 71℃의 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원 공중합체-Zn++-아이오노머 수지(미쯔이ㆍ듀퐁 폴리케미컬사제, 하이밀란 AM-7316)을 사용한 것 이외에는 점착 필름 (1)과 마찬가지로 제작하였다. 이 점착 필름 (2)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδfilm은 0.068이었다.Ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) ternary copolymer-Zn ++ -ionomer resin having an MFR of 1.2 and a melting point of 71 占 폚 (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., Hi Milan AM- 7316) was used instead of the adhesive film (1). The loss tangent tan? Film at 80 占 폚 measured by dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive film 2 was 0.068.

<점착 필름 (3)>&Lt; Adhesive film (3) >

기재 필름(12a)으로서, MFR 2.2, 융점 97℃의 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원 공중합체 수지(미쯔이ㆍ듀퐁 폴리케미컬사제, 뉴크렐 AN4217-3C)를 사용한 것 이외에는 점착 필름 (1)과 마찬가지로 제작하였다. 이 점착 필름 (3)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδfilm은 0.016이었다.As the base film 12a, an ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) ternary copolymer resin having MFR of 2.2 and a melting point of 97 占 폚 (New Cleans AN4217-3C manufactured by Mitsui-Dupont Polychemical Co.) Except that the adhesive film 1 was used. The loss tangent tan? Film at 80 占 폚 measured by the dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive film 3 was 0.016.

(접착제층 (A) 내지 (C)의 손실 정접)(Loss tangent of the adhesive layers (A) to (C)

세퍼레이터 필름(PET)에 접착제층 (A)를 20㎛ 도포 시공한 것을 2개 준비하고, 접착제층 (A)끼리 접합하고, 세퍼레이터 필름을 박리한 후, 또한, 세퍼레이터 필름에 접착제층 (A) 20㎛를 도포 시공한 것을 접착제층 (A)끼리 접합하는 공정을 반복하여 1mm의 두께가 될 때까지 적층하고, 8mmΦ로 펀칭하여 접착제층 (A)의 샘플로 하였다.Two pieces of the adhesive layer (A) coated on the separator film (PET) were prepared, and the adhesive layers (A) were bonded to each other. The separator film was peeled off and then the adhesive layer (A) The adhesive layer (A) was laminated by repeating the steps of applying the adhesive layer (A) to a thickness of 1 mm and punching the adhesive layer (A) with a thickness of 8 mm.

동적 점탄성 측정 장치 ARES(레올로지카제)를 사용하여 경화 전의 접착제층 (A)의 샘플에 대하여, 샘플 두께 1mm, 플레이트 직경 8mmΦ, 주파수 1Hz의 전단 조건에서 실온으로부터 200℃까지 승온 속도 10℃/분의 조건에서 승온하였을 때의 80℃에서의 접착제층 (A)의 손실 정접 tanδad를 측정하였다.Using a dynamic viscoelasticity measuring device ARES (Rheology Company), a sample of the adhesive layer (A) before curing was heated from room temperature to 200 DEG C at a heating rate of 10 DEG C / minute under a shear condition of a sample thickness of 1 mm, a plate diameter of 8 mm, The loss tangent tan delta ad of the adhesive layer (A) at 80 deg. C was measured.

접착제층 (B) 및 접착제층 (C)의 각 손실 정접 tanδad도, 접착제층 (A)의 손실 정접 tanδad와 마찬가지로 측정하였다.The loss tangent tan delta ad of each of the adhesive layer (B) and the adhesive layer (C) was also measured in the same manner as the loss tangent tan del in the adhesive layer (A).

(점착 필름 (1) 내지 (3)의 손실 정접)(Loss tangent of the pressure-sensitive adhesive films (1) to (3)

상기 점착 필름 (1) 내지 (3)을, 각각 폭 5mm로 절단하여 샘플로 하였다. 동적 점탄성 측정 장치 RSAIII(TA 인스트루먼트제)을 사용하여 척간 거리 20mm, 주파수 10Hz의 인장 조건에서 -10℃로부터 150℃까지 승온 속도 10℃/분의 조건에서 승온하였을 때의 80℃에서의 점착 필름 (1)의 손실 정접 tanδfilm을 측정하였다. 점착 필름 (2) 및 점착 필름 (3)의 각 손실 정접 tanδfilm도, 점착 필름 (1)의 손실 정접 tanδfilm과 마찬가지로 측정하였다.The pressure-sensitive adhesive films (1) to (3) were each cut into a width of 5 mm to obtain a sample. An adhesive film at 80 DEG C when the temperature was elevated from -10 DEG C to 150 DEG C at a temperature raising rate of 10 DEG C / min under a tensile condition of a distance between chucks of 20 mm and a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device RSAIII (manufactured by TA Instruments) 1) was measured. The loss tangent tan? Film of each of the adhesive film 2 and the adhesive film 3 was also measured in the same manner as the loss tangent tan? Film of the adhesive film 1.

(칩핑 성능)(Chipping performance)

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5에 관한 각 웨이퍼 가공용 테이프를, 두께 200㎛의 실리콘 웨이퍼의 이면에 부착하고, 7.5mm×7.5mm로 다이싱한 후, 다이의 단면을 광학 현미경으로 관찰하여 칩 절결의 유무를 평가하였다. 표 1에 나타낸 바와 같이, 칩이 균열되어 있는 것이 있는 경우를 ××, 칩 절결이 다발하고 있는 것을 ×, 칩 절결을 볼 수 있는 것을 △, 칩 절결이 거의 관찰되지 않은 것을 ○로 하여, 칩핑 성능 평가를 행하였다.Each of the wafer processing tapes according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 was attached to the back surface of a silicon wafer having a thickness of 200 占 퐉 and diced into 7.5 mm 占 7.5 mm and then observed with an optical microscope And the presence or absence of chip breakage was evaluated. As shown in Table 1, the case where the chip is cracked is represented by xx, the case where the chip cutout is frequently observed is indicated by x, the case where chip cutout is seen is indicated by DELTA, Performance evaluation was performed.

Figure 112010022681565-pat00003
Figure 112010022681565-pat00003

실시예 1 내지 4에서는, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑(다이싱시의 칩핑)이 충분히 저감되고 있는 것을 표 1로부터 알 수 있다.It can be seen from Table 1 that in Examples 1 to 4, chipping (chipping at the time of dicing) such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing was sufficiently reduced.

이에 반해, 비교예 1 내지 5에서는, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑이 발생하고 있다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5, chipping such as chip cracking and chip cutting occurred during dicing.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 따르면, 점착 필름(12)의 80℃에서의 손실 정접 tanδfilm과 접착제층(13)의 80℃에서의 손실 정접 tanδad의 비 tanδad/tanδfilm을 5.0 이하로 하고 있으므로, 다이싱 블레이드(21)(도 3)의 회전 진동을 점착 필름(12)에 의해 충분히 흡수시킬 수 있다. 다이싱시에, 접착제층(13)의 다이싱 블레이드(21)의 회전 진동에 의한 진동이 점착 필름(12)에 의해 충분히 흡수됨으로써 저감되어, 반도체 칩(2)에 전달되기 어려워진다. 이에 의해, 인접하는 반도체 칩(2)끼리의 접촉이 저감되어, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑이 저감된다.According to the wafer processing tape 10 of the present embodiment, the loss tangent tan? Film at 80 占 폚 of the adhesive film 12 and the tan tan? Ad / tan? Film of the loss tangent tan? Ad at 80 占 폚 of the adhesive layer 13 are 5.0 or less The rotational vibration of the dicing blade 21 (Fig. 3) can be sufficiently absorbed by the adhesive film 12. The vibration due to the rotational vibration of the dicing blade 21 of the adhesive layer 13 is sufficiently absorbed by the adhesive film 12 to be reduced and it is difficult to be transmitted to the semiconductor chip 2 at the time of dicing. As a result, contact between adjacent semiconductor chips 2 is reduced, and chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing is reduced.

상기 비 tanδad/tanδfilm을 3.4 이하로 함으로써, 표 1에 나타낸 바와 같이, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결이 거의 발생하지 않는다. 따라서, 다이싱시에 있어서의 칩 균열이나 칩 절결 등의 칩핑을 충분히 저감할 수 있다.When the ratio tan? Ad / tan? Film is set to 3.4 or less, as shown in Table 1, chip cracking and chip cutting at the time of dicing hardly occur. Therefore, chipping such as chip cracking and chip cutting at the time of dicing can be sufficiently reduced.

1: 반도체 웨이퍼
2: 반도체 칩(반도체 소자)
10: 웨이퍼 가공용 테이프
12: 점착 필름
12a: 기재 필름
12b: 점착제층
13: 접착제층1: semiconductor wafer
2: Semiconductor chip (semiconductor device)
10: Wafer processing tape
12: Adhesive film
12a: base film
12b: pressure-sensitive adhesive layer
13: Adhesive layer

Claims (3)

기재 필름과 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프로서,
상기 점착 필름의 80℃에서의 손실 정접을 tanδfilm, 상기 접착제층의 80℃에서의 손실 정접을 tanδad로 하였을 때, tanδad/tanδfilm을 5.0 이하로 함으로써,
상기 점착 필름에, 진동을 흡수하는 기능을 갖게 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.1. A wafer processing tape having an adhesive film comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film, and an adhesive layer formed on the pressure-
When the loss tangent at 80 占 폚 of the adhesive film is tan? Fil and the loss tangent at 80 占 폚 of the adhesive layer is tan? Ad, by setting tan? Ad / tan?
Characterized in that the adhesive film has a function of absorbing vibration. 제1항에 있어서, 상기 tanδad/tanδfilm이 3.4 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The wafer for processing a wafer according to claim 1, wherein tan? Ad / tan? Fil is not more than 3.4. 삭제delete
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