KR101511426B1 - 극자외선 노광 공정용 마스크 - Google Patents

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Abstract

극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer)을 포함하는 반사막 및 상기 반사막 상의 위상 변조 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하고, 상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 이다.

Description

극자외선 노광 공정용 마스크 {Mask for extreme ultraviolet lithography process}
본 발명은 극자외선 노광 공정용 마스크에 관련된 것이다.
리소그래피(lithography) 공정은 반도체 소자의 미세화 및 집적도와 직결된 공정이다. 2008년에는 38nm 선폭을 갖는 IC chip이 양산되었으며, 2010년 이후에는 30nm 선폭의 소자들이 양산되고 있다.
이렇게 미세한 선폭을 갖는 반도체 소자를 생성하기 위한 것으로, 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 노광 기술이 있다. 이러한 극자외선 광원을 이용하여, 2014년에는 19nm 선폭을 갖는 반도체 소자를 제작할 수 있을 것으로 예상되고 있다.
한편, 극자외선이 대부분의 물질 및 공기 중에서 산란되는 특성을 갖기 때문에, 투과형 마스크를 사용하지 못하고, 13.5nm 파장 대역의 극자외선에 대한 반사형 마스크를 사용한다.
극자외선 노광 공정으로 반도체 소자의 선폭을 감소시키기 위해, NA(numerical aperture)가 증가될 것으로 예상된다. NA를 증가시키기 위한 방법으로, 축소 투영 비율을 증가시키거나 극자외선의 입사 각도가 증가시킬 수 있다. 하지만, 축소 투영 비율을 증가하기 위해서는 공정 수율이 저하되기 때문에, 극자외선 노광 공정용 마스크에 입사하는 극자외선의 입사 각도가 증가될 것으로 예상된다.
이에 따라, 반사형 마스크에 대한 극자외선의 입사 각도가 증가하더라도, 13.5nm 파장 대역에서 일정 수준 이상의 반사도를 갖는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크의 연구개발이 필요한 실정이다.
본 발명의 일 기술적 과제는 증가된 극자외선 입사 각도에 대해 고반사도를 갖는 극자외선 노광 공정용 마스크를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 고신뢰성의 극자외선 노광 공정용 마스크를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는 고내광성의 극자외선 노광 공정용 마스크를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는 고집적화된 반도체 소자의 제조 공정에 사용할 수 있는 극자외선 노광 공정용 마스크를 제공하는 데 있다.
상술된 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 극자외선 노광 공정용 마스크를 제공한다.
상기 극자외선 노광 공정용 마스크는, 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer)을 포함하는 반사막, 및 상기 반사막 상의 위상 변조 패턴을 포함하되, 상기 단위막은 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하고, 상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 인 것을 포함한다.
상기 단위막에 포함된 상기 제1 물질막의 두께의 상기 단위막의 두께에 대한 비율이 0.5인 것을 포함할 수 있다.
상기 극자외선 노광 공정용 마스크는, 상기 반사막 및 상기 위상 변조 패턴 사이에 배치된 캡핑막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 물질막과 상기 제2 물질막의 두께는 서로 동일한 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막의 두께는 3.5~3.6nm인 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 물질막과 상기 제2 물질막은 서로 다른 굴절률을 갖는 것을 포함할 수 있다.
13.5nm 이하의 제1 파장 대역에서, 상기 반사막의 상부면의 법선에 대해 제1 각도로 입사하는 제1 극자외선에 대한 반사율이, 상기 법선에 대해 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 입사하는 제2 극자외선에 대한 반사율보다, 높은 것을 포함할 수 있다.
13.5nm 이상의 제2 파장 대역에서, 상기 반사막의 상부면의 법선에 대해 제1 각도로 입사하는 제1 극자외선에 대한 반사율이, 상기 법선에 대해 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 입사하는 제2 극자외선에 대한 반사율보다, 낮은 것을 포함할 수 있다.
상기 극자외선 노광 공정용 마스크는, 상기 위상 변조 패턴 상에 배치된 극자외선 흡수 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 반사막의 두께는 280~288nm인 것을 포함할 수 있다.
상기 극자외선 노광 공정용 마스크는, 기판 상에 교대로 그리고 반복적으로 적층되고, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 물질막 및 제2 물질막을 포함하는 반사막, 상기 반사막 상에 배치된 위상 변조 패턴, 상기 위상 변조 패턴 상의 흡수 패턴, 및 상기 반사막과 상기 위상 변조 패턴 사이에 배치되고 금속 산화물을 포함하는 캡핑막을 포함한다.
상기 캡핑막의 두께가 증가할수록, 극자외선 반사율이 감소하는 것을 포함할 수 있다.
상기 캡핑막은 나이오븀 산화물, 루테늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 캡핑막의 두께의 최대 값은 3nm 인 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 극자외선 노광 공정용 마스크는, 기판 상에 적층된 복수의 단위막을 포함하는 반사막을 포함한다. 상기 단위막은 상기 기판 상에 적층된 제1 물질막 및 제2 물질막을 포함하고, 상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 이다. 이로 인해, 증가된 극자외선 입사 각도에 대해 고반사도를 갖는 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 반사막 상에 금속 산화물을 포함하는 캡핑막이 배치될 수 있다. 이로 인해, 내광성이 우수하고 고반사도를 갖는 극자외선 노광 공저용 마스크가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크를 설명하기 위한 것으로, 감마 비율(γ ratio) 및 극자외선 입사 각도에 따라 반사율을 측정한 것이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크를 설명하기 위한 것으로, 반사막에 포함된 단위막의 두께 및 극자외선의 입사 각도에 따라 반사율을 측정한 그래프들이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크의 반사율을 극자외선 파장 및 극자외선 입사 각도에 따라 측정한 그래프이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크에 포함된 캡핑막의 두께에 따른 반사율을 설명하기 위한 것으로, 도 6a 내지 도 6d는 극자외선 노광 공정용 마스크의 캡핑막으로 각각 루테늄, 니오븀 산화물, 루테늄 산화물, 및 티타늄 산화물을 사용한 것이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정영역 또는 막을 다른 영역 또는 막과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제 2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크는 기판(100), 반사막(120), 캡핑막(130), 위상 변조 패턴(140), 및 흡수 패턴(150)을 포함할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판(100) 상에 상기 반사막(120)이 배치된다. 상기 반사막(120)의 두께는 280~288nm 일 수 있다.
상기 반사막(120)은 상기 기판(100) 상에 적층된 복수의 단위막(120U, unit layer)을 포함할 수 있다. 각각의 상기 복수의 단위막(120U)의 두께는 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 각각의 상기 복수의 단위막(120U)의 두께는 7.1nm 일 수 있다. 또는, 각각의 상기 복수의 단위막(120U)의 두께는 7.0~7.2nm 일 수 있다.
각각의 상기 복수의 단위막(120U)은 상기 기판(100) 상의 제1 물질막(121), 및 상기 제1 물질막(121) 상의 제2 물질막(122)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 상기 반사막(120)은 상기 기판(100) 상에 교대로 그리고 반복적으로 적층된 상기 제1 물질막(121) 및 상기 제2 물질막(122)을 포함할 수 있다.
상기 제1 물질막(121) 및 상기 제2 물질막(122)은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질막(121) 및 상기 제2 물질막(122)의 두께는 3.55nm 일 수 있다. 이 경우, 상기 단위막(120U)의 두께는 7.1nm일 수 있다. 또는 상기 제1 물질막(121) 및 상기 제2 물질막(122)의 두께는 3.5~3.6nm 일 수 있다. 이 경우, 상기 단위막(120U)의 두께는 7.0~7.2nm일 수 있다. 상기 상기 단위막(120U)의 두께에 대한 단위막(120U)에 포함된 상기 제1 물질막(121)의 두께의 비는 0.5일 수 있다.
상기 제1 물질막(121)의 굴절률과 및 상기 제2 물질막(122)의 굴절률은 서로 다를 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 물질막(121)의 굴절률이 상기 제2 물질막(122)의 굴절률보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질막(121)은 실리콘(Si)을 포함하고, 상기 제2 물질막(122)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다.
상기 캡핑막(130)이 상기 반사막(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 캡핑막(130)은, 상기 반사막(120)에 포함된 상기 제1 물질막(121) 및 상기 제2 물질막(122)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 캡핑막(130)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑막(130)은 나이오븀 산화물, 루테늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 캡핑막(130)의 두께가 증가할수록, 상기 극자외선 노광 공정용 마스크에 입사되는 극자외선에 대한 반사율이 감소할 수 있다. 상기 캡핑막(130)의 두께의 최대 값은 3nm 일 수 있다. 상기 캡핑막(130)의 두께가 3nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선에 대한 반사율이 감소하여, 극자외선 노광 공정용 마스크의 캡핑막으로 부적합할 수 있다.
상기 위상 변조 패턴(140)이 상기 캡핑막(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 위상 변조 패턴(140)은 금속 물질(예를 들어, 몰리브덴(Mo))로 형성될 수 있다. 상기 위상 변조 패턴(140)의 두께에 의해, 상기 위상 변조 패턴(140)에 입사되는 극자외선과, 상기 반사막(120)에 입사하는 극자외선의 광 경로 차이가 발생하여, 극자외선의 위상 변조가 발생될 수 있다.
상기 위상 변조 패턴(140) 상에 흡수 패턴(150)이 배치된다. 상기 흡수 패턴(150)은 입사되는 극자외선을 흡수할 수 있다. 상기 흡수 패턴(150)은 탄탈륨 질화물로 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크를 설명하기 위한 것으로, 감마 비율(γ ratio) 및 극자외선 입사 각도에 따라 반사율을 측정한 것이다.
도 2를 참조하면, 두께가 6.9nm 인 단위막으로 구성된 반사막을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크의 극자외선 반사율을, 감마 비율(γ ratio) 및 극자외선 입사 각도를 달리하여 측정한 것이다.
상기 단위막 및 상기 반사막은 도 2를 참조하여 설명된 것과 같이 제공될 수 있다. 도 2에서 감마 비율(γ ratio)이란, 상기 단위막의 두께에 대한 상기 단위막에 포함된 제1 물질막의 두께의 비율을 의미한다. 그리고, 본 명세서에서 극자외선 입사 각도란, 상기 반사막의 상부면의 법선에 대하여 극자외선이 입사하는 각도를 의미한다.
극자외선 입사 각도가 4°인 경우, 감마 비율(γ ratio)의 조절에 따라 극자외선 반사율이 조절되는 것을 알 수 있다. 하지만, 이와는 달리, 극자외선 입사 각도가 14°인 경우, 감마 비율((γ ratio)의 조절에 따라 극자외선 반사율이 용이하게 조절되지 않음을 알 수 있다. 다시 말해, NA(numerical aperture)의 증가를 위해 극자외선 입사각도를 증가시키는 경우, 감마 비율(γ ratio)의 조절만으로, 극자외선 반사도의 조절이 용이하지 않음을 알 수 있다.
또한, 극자외선 입사 각도가 14°인 경우와 비교하여, 극자외선 입사 각도가 4°인 경우, 극자외선 반사율이 높게 측정 되었다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크를 설명하기 위한 것으로, 반사막에 포함된 단위막의 두께 및 극자외선의 입사 각도에 따라 반사율을 측정한 그래프들이다.
구체적으로, 도 3a 내지 도 3c는, 각각 감마 비율(γ ratio)이 0.3, 0.4, 및 0.5인 상태에서 단위막의 두께 및 극자외선의 입사 각도에 따라 반사율을 측정한 그래프들이다.
도 3a 를 참조하면, 감마 비율(γ ratio)이 0.3이고 극자외선 입사 각도가 4°인 경우, 상기 단위막의 두께가 6.9nm에서 극자외선 반사율이 가장 높은 것으로 측정되었다. 이 경우, 상기 단위막의 두께가 7.0nm보다 두꺼운 경우 극자외선 반사율이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다. 그리고, 감마 비율(γ ratio)이 0.3이고 극자외선 입사 각도가 14°인 경우, 상기 단위막의 두께가 7.1nm 에서 극자외선 반사율이 가장 높은 것으로 측정되었다. 이 경우, 상기 단위막의 두께가 7.0nm 보다 얇거나 또는 7.2nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선 반사율이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다.
도 3b를 참조하면, 감마 비율(γ ratio)이 0.4이고 극자외선 입사 각도가 4°인 경우, 상기 단위막의 두께가 6.9nm 에서 극자외선의 반사율이 가장 높은 것으로 측정되었다. 이 경우, 상기 단위막의 두께가 7.1nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선 반사율이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다. 그리고, 감마 비율(γ ratio)이 0.4이고 극자외선 입사 각도가 14°인 경우, 상기 단위막의 두께가 7.1nm에서 극자외선 반사율이 가장 높은 것으로 측정되었다. 이 경우, 상기 단위막의 두께가 7.0nm 보다 얇거나 또는 7.2nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선 반사율이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다.
상술된 것과 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크의 상기 단위막의 두께가 7.0~7.2nm인 경우, 상기 단위막의 두께가 7.0nm 보다 얇거나 또는 상기 단위막의 두께가 7.2nm 보다 두꺼운 경우와 비교하여, 14°의 입사각도를 갖는 극자외선에 대해서 현저하게 높은 반사율을 갖는 것으로 측정되었다.
도 3c를 참조하면, 감마 비율(γ ratio)이 0.5이고 극자외선 입사 각도가 4°인 경우, 상기 단위막의 두께가 6.9~7.1nm 에서 극자외선의 반사율이 높은 것으로 측정되었다. 이 경우, 상기 단위막의 두께가 7.1nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선 반사율이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다. 그리고, 감마 비율(γ ratio)이 0.5이고 극자외선 입사 각도가 14°인 경우, 상기 단위막의 두께가 7.1nm에서 극자외선 반사율이 가장 높은 것으로 측정되었다. 이 경우, 상기 단위막의 두께가 7.1nm 보다 얇거나 또는 7.3nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선 반사율이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다.
감마 비율(γ ratio)이 0.5이고 상기 단위막의 두께가 7.1nm인 경우, 4° 및 14°의 입사 각도를 갖는 극자외선들에 대해서 모두 현저하게 높은 반사율을 갖는 것으로 측정되었다. 구체적으로, 이 경우, 4°의 입사 각도를 갖는 극자외선에 대해서 65%의 반사율이 측정되었고, 14°의 입사 각도를 갖는 극자외선에 대해서 67%의 반사율이 측정되었다. 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크는 극자외선의 입사 각도가 증가하더라도 고반사율을 유지할 수 있어, 고집적화된 반도체 소자의 제조 방법에 이용될 수 있다.
또한, 도 3a 내지 도 3c에서 알 수 있듯이, 감마 비율(γ ratio)이 고정된 상태에서 상기 단위막의 두께가 변경되는 경우, 극자외선 노광 공정용 마스크의 반사율이 용이하게 변화되었다. 특히, 극자외선은 파장이 짧기 때문에, 상기 단위막의 두께가 1nm 증감하더라도 극자외선 반사율의 차이가 큰 것으로 측정되었다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크의 반사율을 극자외선 파장 및 극자외선 입사 각도에 따라 측정한 그래프이다.
도 4를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 극자외선 노광 공정용 마스크의 단위막의 두께는 7.1nm로 하고, 감마 비율(γ ratio)을 0.5로 하여 극자외선 파장 대역 및 극자외선 입사 각도에 따라 반사율을 측정하였다. 도 4에 도시되는 것과 같이, 4° 및 14°의 입사각도를 갖는 극자외선들 모두에서, 극자외선 노광 공정에 사용되는 13.5nm 파장 대역의 극자외선에 대해서 높은 반사율을 갖는 것으로 측정되었다.
또한, 13.5nm 이하의 제1 파장 대역에서, 14°의 입사 각도를 갖는 극자외선에 대한 반사율은, 4°의 입사 각도를 갖는 극자외선에 대한 반사율보다 높게 측정되었다.
그리고, 13.5nm 이상의 제2 파장 대역에서, 4°의 입사 각도를 갖는 극자외선에 대한 반사율은, 14°의 입사 각도를 갖는 극자외선에 대한 반사율보다 높게 측정되었다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크에 포함된 캡핑막의 두께에 따른 반사율을 설명하기 위한 것으로, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크의 캡핑막으로 각각 루테늄, 니오븀 산화물, 루테늄 산화물, 및 티타늄 산화물을 사용한 것이다.
도 5a 내지 도 5d를 참조하면, 일반적으로, 캡핑막의 두께가 증가할수록, 극자외선 반사율이 감소함을 알 수 있다. 특히, 캡핑막의 두께가 3nm 보다 두꺼운 경우, 극자외선 입사 각도가 4° 및 14°인 경우 모두에서 극자외선 반사율이 60% 이하로 현저하게 감소하였다.
또한, 도 5a의 루테늄 캡핑막을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크의 반사율과, 도 5b 내지 도 5c의 니오븀 산화물, 루테늄 산화물, 및 티타늄 산화물 캡핑막을 포함하는 극자외선 노광 공저용 마스크의 반사율이 유사한 것으로 측정되었다.
루테늄 캡핑막과 비교하여, 니오븀 산화물, 루테늄 산화물, 및 티타늄 산화물 캡핑막은 내광성(light stability)이 우수한다. 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크는 극자외선에 장시간 노출될 수 있다. 만약, 내광성이 낮은 물질의 캡핑막이 마스크에 사용되는 경우, 반사율이 감소하여 마스크의 신뢰성이 저하될 수 있다.
하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 노광 공정용 마스크는 내광성이 우수한 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 고신뢰성 및 고내광성을 갖는 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 기판 120: 반사막
120U: 단위막 121: 제1 물질막
122: 제2 물질막 130: 캡핑막
140: 위상 변조 패턴 150: 흡수 패턴

Claims (14)

  1. 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer)을 포함하는 반사막; 및
    상기 반사막 상의 위상 변조 패턴을 포함하되,
    상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하고,
    상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 인 것을 포함하되,
    상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막의 두께는 3.5~3.6nm인 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 단위막의 두께에 대한 상기 단위막에 포함된 상기 제1 물질막의 두께의 비율은 0.5인 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 반사막 및 상기 위상 변조 패턴 사이에 배치된 캡핑막을 더 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 물질막과 상기 제2 물질막의 두께는 서로 동일한 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 캡핑막은 금속 산화물로 형성된 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 물질막과 상기 제2 물질막은 서로 다른 굴절률을 갖는 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  7. 제1 항에 있어서,
    13.5nm 이하의 제1 파장 대역에서,
    상기 반사막의 상부면의 법선에 대해 제1 각도로 입사하는 제1 극자외선에 대한 반사율이, 상기 법선에 대해 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 입사하는 제2 극자외선에 대한 반사율보다, 높은 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  8. 제1 항에 있어서,
    13.5nm 이상의 제2 파장 대역에서,
    상기 반사막의 상부면의 법선에 대해 제1 각도로 입사하는 제1 극자외선에 대한 반사율이, 상기 법선에 대해 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 입사하는 제2 극자외선에 대한 반사율보다, 낮은 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 위상 변조 패턴 상에 배치된 극자외선 흡수 패턴을 더 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 반사막의 두께는 280~288nm인 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 반사막과 상기 위상 변조 패턴 사이에 배치되고, 금속 산화물을 포함하는 캡핑막을 포함하되,
    상기 캡핑막의 두께가 증가할수록, 극자외선 반사율이 감소하는 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 캡핑막은 나이오븀 산화물, 루테늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 캡핑막의 두께의 최대 값은 3nm 인 것을 포함하는 극자외선 노광 공정용 마스크.
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