KR101508251B1 - Diffusion furnace for making solar battery - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양전지 제조용 확산로에 관한 것으로서, 웨이퍼에 반응가스를 균일하게 증착하는 공정 등에서 사용하는 확산로에 있어서, 상기 확산로는 내부에 빈 공간을 갖는 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내부에 복수의 웨이퍼가 장착되는 공정 보트; 및 외부에서 상기 공정 튜브의 내부로 관통되어 형성되고, 상기 웨이퍼들 전체를 커버할 수 있는 길이로 상기 웨이퍼들에 인접되게 형성되며, 상기 웨이퍼들의 길이 방향으로 수평되게 분사되는 복수의 가스 분사구를 가지는 하나 이상의 가스 인입부를 포함하여 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 반응가스가 균일하게 증착되는 효과를 갖는다.Disclosed herein is a diffusion furnace for use in a process for uniformly depositing a reactive gas on a wafer, such as a diffusion furnace for manufacturing solar cells, wherein the diffusion furnace includes: a process tube having an empty space therein; A process boat in which a plurality of wafers are mounted in the process tube; And a plurality of gas ejection holes formed to penetrate from the outside to the inside of the process tube and formed adjacent to the wafers so as to cover the entire wafers and horizontally ejected in the longitudinal direction of the wafers The effect of uniformly depositing the reactive gas on all the wafers mounted on the process boat, including one or more gas inlet portions.
또한, 본 발명을 사용하면 반응가스의 양이 많이 필요하지 않으므로 반응가스의 양을 줄일 수 있는 효과를 갖는다.In addition, since the present invention does not require a large amount of the reactive gas, it has an effect of reducing the amount of the reactive gas.
또한, 본 발명을 사용하면 반응가스가 공정보트에 장착된 모든 웨이퍼에 균일하게 증착되므로 더미 웨이퍼의 수량을 감소시켜서 원하는 수량의 웨이퍼에 반응가스를 증착하기 위한 공정의 횟수를 줄일 수 있고, 장비의 가동효율을 상승시키는 효과를 갖는다.In addition, since the reactive gas is uniformly deposited on all the wafers mounted on the process boat, the number of dummy wafers can be reduced to reduce the number of processes for depositing the reactive gas on a desired number of wafers, It has an effect of raising the operation efficiency.
확산로, 증착, 웨이퍼 Diffusion furnace, deposition, wafer
Description
본 발명은 태양전지 제조용 확산로에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 반응가스를 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 균일하게 증착시키고, 단일 웨이퍼 내에서의 증착의 균일성을 향상시키기 위한 태양전지 제조용 확산로에 관한 것이다. The present invention relates to a diffusion furnace for manufacturing a solar cell, and more particularly, to a diffusion furnace for manufacturing a solar cell, in which a reactive gas is uniformly deposited on all the wafers mounted on a process boat and the uniformity of deposition in a single wafer is improved, .
태양전지란 태양광 에너지를 직접 전기에너지로 변화시키는 반도체 소자로써 p형의 반도체와 n형 반도체의 접합형태를 가지며, 그 기본구조는 다이오드와 동일하다. A solar cell is a semiconductor device that converts solar energy directly into electrical energy. It has the form of a junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, and its basic structure is the same as a diode.
그 원리는 태양광에 의해서 발생된 전자 혹은 정공을 다른 쪽으로 이동시켜 전류를 생성시켜 전기를 발생시키는 것이다. 태양전지 제조기술은 태양전지 종류에 따라 실리콘 태양전지와 화합물 반도체 태양전지 등으로 크게 분류할 수 있으며, 현재 상용화되어 시판되고 있는 태양전지는 실리콘 태양전지이다. The principle is to generate electricity by moving electrons or holes generated by sunlight to the other side. The solar cell manufacturing technology can be broadly divided into silicon solar cell and compound semiconductor solar cell depending on the type of solar cell, and the commercially available solar cell is a silicon solar cell.
실리콘 태양전지는 크게 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지로 분류된다. 실리콘 태양전지는 웨이퍼 표면형상 처리를 통하여 전기를 발생시키는 광전효율을 높일 수 있다. 태양전지의 광전효율을 높이기 위하여 태양전지 웨이퍼는 낮은 반사도를 가져야 한다. 낮은 반사도를 얻기 위해서 웨이퍼 기판표면에 미세한 요철구조를 형성시켜 태양광이 웨이퍼 표면에서 반사되는 정도를 최소화하여, 입사광의 효율을 최대한 높이는 방법이 이용되고 있다. 이러한 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지의 제조 공정 중에서 PN 접합을 형성하기 위하여 확산로(diffusion furnace)를 이용하여 P 형 실리콘 기판상에 N 형의 도핑층을 형성하기 위해 삼염화인산(POCl₃)(반응가스)을 기판에 증착한다. Silicon solar cells are largely classified into monocrystalline and polycrystalline silicon solar cells. Silicon solar cells can improve the photoelectric efficiency that generates electricity through wafer surface shape processing. In order to increase the photoelectric efficiency of solar cells, solar cell wafers should have low reflectivity. In order to obtain a low reflectivity, a method of minimizing the degree of reflection of sunlight on the surface of the wafer by forming a fine concave-convex structure on the surface of the wafer substrate and maximizing the efficiency of incident light is used. In order to form a PN junction in the manufacturing process of single crystal and polycrystalline silicon solar cells, POCl 3 (reaction gas) is added to form an N-type doped layer on a P-type silicon substrate by using a diffusion furnace, Is deposited on the substrate.
단결정 및 다결정 실리콘 태양전지 제작에 있어서 삼염화인산(POCl3)을 증착(Doping)하기 위한 방법으로는 일괄형태(batch type)의 확산로(diffusion furnace)에 웨이퍼를 주입하여 삼염화인산을 산소와 질소 등의 반송자 가스(carrier gas)와 함께 확산로 내에 주입하여 P 형 실리콘 기판상에 N 형 불순물이 확산되어 PN 접합을 형성하게 된다. As a method for doping trichloro-phosphoric acid (POCl3) in the fabrication of monocrystalline and polycrystalline silicon solar cells, a wafer is injected into a diffusion furnace in a batch type, and trichloro-phosphoric acid is introduced into a diffusion furnace Type impurity is diffused into the diffusion furnace together with the carrier gas to form a PN junction on the P-type silicon substrate.
이때 불순물 영역에 균일하게 인(P)이 확산되도록 형성되어야 태양전지의 품질이 향상된다.At this time, phosphor (P) should be uniformly diffused in the impurity region to improve the quality of the solar cell.
또한, 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 삼염화인산을 원하는 양만큼 증착시킬 수 있어야 일정한 수의 웨이퍼를 얻기 위해 공정횟수를 줄일 수 있고, 생산효율을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to deposit a desired amount of trichloro-phosphoric acid on all the wafers mounted on the process boat, so that the number of processes can be reduced to obtain a certain number of wafers, and the production efficiency can be improved.
이에 따라 단일 웨이퍼 내에서 반응가스 증착의 균일도를 향상시키고 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 반응가스를 증착시킬 수 있게 하는 연구가 진행되고 있다.Research has thus been conducted to improve the uniformity of reactive gas deposition in a single wafer and to deposit reactive gases on all wafers mounted on process boats.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 원하는 양만큼의 반응가스를 증착시켜 생산 효율을 향상시키고, 단일 웨이퍼내의 반응가스 증착의 균일도를 향상시키는 태양전지 제조용 확산로를 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to solve the problems described above and to provide a method of manufacturing a solar cell which can improve the production efficiency by depositing a desired amount of reaction gas on all wafers mounted on a process boat, Diffusion furnace.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 태양전지 제조용 확산로는 웨이퍼에 반응가스를 증착하는 확산로에 있어서 상기 확산로는, 내부에 빈 공간을 갖는 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내부에 복수의 웨이퍼가 장착되는 공정 보트; 및 외부에서 상기 공정 튜브의 내부로 관통되어 형성되고, 상기 웨이퍼들 전체를 커버할 수 있는 길이로 상기 웨이퍼들에 인접되게 형성되며, 상기 웨이퍼들의 길이 방향으로 수평되게 분사되는 복수의 가스 분사구를 가지는 하나 이상의 가스 인입부를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a diffusion furnace for depositing a reactive gas on a wafer, the diffusion furnace including: a process tube having an empty space therein; A process boat in which a plurality of wafers are mounted in the process tube; And a plurality of gas ejection holes formed to penetrate from the outside to the inside of the process tube and formed adjacent to the wafers so as to cover the entire wafers and horizontally ejected in the longitudinal direction of the wafers And at least one gas inlet.
여기서, 상기 가스 분사구는 상기 가스 인입부의 말단부로 갈수록 직경이 크게 형성되는 것을 포함한다.Here, the gas injection hole includes a larger diameter toward the distal end of the gas inlet.
상기 가스 인입부에는 상기 가스 분사구들의 피치가 상기 공정 보트에 장착되는 웨이퍼들의 피치와 동일 하게 형성되는 것을 포함한다.Wherein the gas inlet portion is formed such that the pitch of the gas injection holes is equal to the pitch of the wafers mounted on the process boat.
상기 가스 인입부는 상기 웨이퍼들의 길이 방향에 수평되게 복수의 방향에서 반응가스가 분사되도록 복수가 상기 웨이퍼에 인접하여 설치되는 것을 특징으로 한 다.And a plurality of the gas inlet portions are provided adjacent to the wafer so that the reaction gas is injected in a plurality of directions parallel to the longitudinal direction of the wafers.
상기 반응가스는 상기 웨이퍼상에 불순물 영역을 형성하기 위한 불순물 가스또는 상기 불순물 가스를 이송을 돕는 반송자 가스를 포함한다. The reaction gas includes an impurity gas for forming an impurity region on the wafer or a carrier gas for facilitating the transfer of the impurity gas.
또한, 상기 반응가스는 산화막 또는 질화막을 형성하기 위한 산소, 수증기, 또는 질소인 것을 포함한다.Also, the reaction gas includes oxygen, water vapor, or nitrogen for forming an oxide film or a nitride film.
상기한 본 발명의 태양전지 제조용 확산로에 따르면, 웨이퍼에 반응가스를 균일하게 증착하는 공정 등에서 사용하는 확산로에 있어서, 상기 확산로는 내부에 빈 공간을 갖는 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내부에 웨이퍼가 장착되는 공정 보트; 외부에서 상기 공정 튜브의 내부로 관통되어 형성되고, 상기 웨이퍼들 전체를 커버할 수 있는 길이로 상기 웨이퍼들에 인접되게 형성되며, 상기 웨이퍼들의 길이 방향으로 수평되게 분사되는 복수의 가스 분사구를 가지는 하나 이상의 가스 인입부를 포함하여 반응가스의 양이 부족하게 되더라도 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 반응가스가 균일하게 증착되는 효과를 갖는다.According to the diffusion furnace for manufacturing solar cells of the present invention, the diffusion furnace is used in a process of uniformly depositing a reactive gas on a wafer, etc., wherein the diffusion furnace has a process tube having an empty space therein; A process boat in which a wafer is mounted within the process tube; A plurality of gas injection openings formed to penetrate from the outside into the inside of the process tube and formed adjacent to the wafers so as to cover the entire wafers and horizontally injected in the longitudinal direction of the wafers; Even if the amount of the reactive gas is insufficient including the gas inlet, the reaction gas is uniformly deposited on all the wafers mounted on the process boats.
또한, 본 발명을 사용하면 반응가스의 양이 많이 필요하지 않으므로 반응가스의 양을 줄일 수 있는 효과를 갖는다.In addition, since the present invention does not require a large amount of the reactive gas, it has an effect of reducing the amount of the reactive gas.
종래 기술에 의하면 반응가스가 공정보트에 장착된 모든 웨이퍼에 균일하게 증착되지 못하기 때문에 실제 증착되는 웨이퍼의 수량은 얼마 되지 않고 더 미(dummy)웨이퍼의 수량만 증가하게 되어 원하는 수량의 웨이퍼를 증착하기 위해서는 공정의 횟수도 증가하게 되어 장비의 가동효율이 나빠지게 되는 원인이 되었다. According to the prior art, since the reactive gas can not be uniformly deposited on all the wafers mounted on the process boat, the actual number of wafers to be deposited is small and the number of dummy wafers is increased, In order to increase the number of processes, the operation efficiency of the equipment is deteriorated.
본 발명을 사용하면 반응가스가 공정보트에 장착된 모든 웨이퍼에 균일하게 증착되어 더미 웨이퍼의 수량을 감소시키므로 원하는 수량의 반응가스가 증착된 웨이퍼를 얻기 위해 공정의 횟수를 줄일 수 있고, 장비의 가동효율을 상승시키는 효과를 갖는다.Since the reaction gas is uniformly deposited on all the wafers mounted on the process boat to reduce the number of dummy wafers, the number of processes can be reduced in order to obtain a wafer on which a desired number of reaction gases are deposited, It has an effect of increasing the efficiency.
또한, 공정보트의 앞 뒷면에 더미웨이퍼를 넣지 않고 공정을 진행할 수 있어서 수율 향상에 따른 생산성을 높이는 효과를 갖는다.Further, since the process can be performed without inserting dummy wafers on the front and back surfaces of the process boat, the productivity can be improved by improving the yield.
또한, 공정보트의 일측에 장착하는 단열재를 설치할 필요가 없으므로 단열재 비용이 절감된다.Further, since it is not necessary to provide a heat insulating material mounted on one side of the process boat, the cost of the heat insulating material is reduced.
또한, 웨이퍼에 반응가스를 직접 전달하여 단일 웨이퍼 내에서 증착의 균일도가 향상되어 광전효율이 높은 웨이퍼를 얻을 수 있는 효과를 갖는다. In addition, since the reaction gas is directly transferred to the wafer, the uniformity of deposition in a single wafer is improved, and thus a wafer with high photoelectric efficiency can be obtained.
상기 가스 인입부가 복수로 구성되어 다수의 방향에서 반응가스를 분사하므로 단일 웨이퍼 내에서 가스 분사구에 가까운 부분과 먼 부분 간에 생길 수 있는 균일도의 차이를 줄이는 효과를 가지고, 웨이퍼의 광전효율을 향상시키는 효과를 갖는다.Since the gas inlet portion is composed of a plurality of gas injection nozzles, the reaction gas is injected in a plurality of directions, thereby reducing the difference in uniformity that may occur between a portion near the gas injection port and a portion far from the gas injection port in a single wafer. .
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하 는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지 제조용 확산로의 정면을 도시한 개략도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 인입부의 단면도이다.FIG. 2 is a schematic view showing a front view of a diffusion furnace for manufacturing a solar cell according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view of a gas inlet according to the first embodiment of the present invention.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 태양전지 제조용 확산로는, 웨이퍼에 반응가스를 균일하게 증착하는 공정 등에서 사용하는 확산로에 있어서, 상기 확산로는 공정 튜브(20)와, 공정 보트(30) 및 가스 인입부(10)를 포함한다.1, the diffusion furnace for producing solar cells according to the present invention is a diffusion furnace used in a process of uniformly depositing a reactive gas on a wafer or the like. The diffusion furnace includes a
상기 공정 튜브(20)는 내부에 빈 공간을 가지고, 내부에서 웨이퍼와 반응가스의 반응이 일어나는 공간이다. 반응가스가 삼염화인산(POCl₃)인 경우 상기 공정 튜브(20)와 반응가스의 반응을 막기 위해 상기 공정 튜브(20)의 재질은 석영재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The
상기 공정 튜브(20)의 일측에는 가스 배출부(60)가 포함될 수 있다.A
상기 공정 보트(30)는 상기 공정 튜브(20)의 내부에 위치하고, 웨이퍼(50)들이 장착되는 곳이다.The
상기 웨이퍼(50)들은 태양전지의 제조에 필요한 반도체를 만들 때 쓰는 얇은 판을 말한다.The wafers (50) are thin plates used to make semiconductors necessary for manufacturing solar cells.
상기 가스 인입부(10)는 외부에서 상기 공정 튜브(20)의 내부로 관통되어 형성되고, 상기 웨이퍼(50)들 전체를 커버할 수 있는 길이로 상기 웨이퍼(50)들에 인 접되게 형성되며, 상기 웨이퍼(50)들의 길이 방향으로 수평되게 분사되는 복수의 가스 분사구(11)를 가진다. 반응가스가 삼염화인산(POCl₃)인 경우 상기 가스 인입부(10)와 반응가스의 반응을 막기 위해 상기 가스 인입부(10)의 재질은 석영재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The
본 발명을 통해 반응가스를 상기 공정 보트(30)에 장착된 웨이퍼(50)들 사이의 측면 공간으로 가스를 분사할 수 있다.Through the present invention, it is possible to inject the reaction gas into the side space between the
종래 공지된 기술 부분에서는 도 1에서 도시하는 바와 같이 일측에 가스 인입부(1)와 다른 일측에 가스 배출부(6)를 가지고 내부에 빈 공간을 가지는 공정 튜브(2)와, 상기 공정 튜브(2)의 내부에 웨이퍼(5)가 장착되는 공정 보트(3)와, 상기 공정 보트(3)에 인접하여 위치하는 단열재(4)로 구성되어 반응가스가 가스 인입부(1)에서 확산되는 구조여서 반응가스의 양이 충분하지 못한 경우 공정 보트(3)에 장착된 웨이퍼(5) 중에서 가스 인입부(1)에서 거리가 먼 쪽에 있는 웨이퍼(5)는 반응가스가 충분히 공급되지 않아 원하는 양의 반응가스가 증착되지 않는 문제점이 있다.1, a
또한, 반응가스가 상기 공정 보트(3)에 장착된 모든 웨이퍼(5)에 균일하게 증착되지 못하기 때문에 원하는 양의 반응가스가 증착되는 웨이퍼 수량은 얼마 되지 않고 더미(dummy)웨이퍼의 수량만 증가하게 되어 원하는 수량의 반응가스가 증착된 웨이퍼를 얻기 위한 공정횟수가 증가하고 결과적으로 생산효율이 저하되는 문제점이 있다. In addition, since the reaction gas is not uniformly deposited on all the
또한, 웨이퍼에 반응가스의 증착의 균일성을 증가 시키기 위하여 반응가스의 양을 증가시키는 방법이 있지만 이는 반응가스를 많이 사용하게 되고, 포화점을 넘게 되면 더 이상 개선 되지 않는 문제점이 있다.Further, there is a method of increasing the amount of the reactive gas in order to increase the uniformity of the deposition of the reactive gas on the wafer, but this causes a problem that the reactive gas is used a lot and is not further improved if it exceeds the saturation point.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 반응가스를 웨이퍼(50)들에 인접한 위치에서 웨이퍼(50)들의 길이 방향에 수평되게 분사시켜 공정 보트(30)에 장착된 웨이퍼(50)들의 사이 공간에 직접 반응가스를 분사하게 되므로 반응가스의 양이 부족하게 되더라도 공정 보트에 장착된 모든 웨이퍼에 반응가스가 균일하게 증착되는 효과를 가지고, 반응가스의 양이 많이 필요하지 않으므로 반응가스의 양을 줄일 수 있는 효과를 가지며, 반응가스가 공정보트에 장착된 모든 웨이퍼에 균일하게 증착되어서 더미 웨이퍼의 수량을 감소시키므로 원하는 수량의 반응가스가 증착된 웨이퍼를 얻기 위한 공정의 횟수를 줄일 수 있고, 장비의 가동효율을 상승시키는 효과를 갖는다. According to one embodiment of the present invention, the reaction gas is injected horizontally in the longitudinal direction of the
따라서, 본 발명의 일 실시예에 의하면 상기한 공지 기술의 문제점을 해결할 수 있다.Therefore, according to an embodiment of the present invention, it is possible to solve the problems of the known art.
상기 가스 분사구(11)의 직경은 상기 가스 인입부(10)의 말단부로 갈수록 크기가 크게 형성된다.The diameter of the gas injection port (11) is increased toward the distal end of the gas inlet (10).
상기 가스 분사구(11)의 직경이 상기 가스 인입부(10)의 말단부로 갈수록 크게 형성되면 가스 인입부(10)의 말단부에서 반응가스의 압력이 떨어지는 것에 대응하여 반응가스의 분사량을 모든 가스 분사구(11)에서 동일하게 유지할 수 있으므로 공정 보트(30) 에 장착된 모든 웨이퍼(50)에 균등하게 반응가스를 증착시키는 효과를 갖는다.When the diameter of the
상기 가스 인입부(10)에는 상기 가스 분사구(11)들의 피치가 상기 공정 보트(30)에 장착되는 웨이퍼(50)들의 피치와 동일 하게 형성된다. 반응가스를 공정 보트(30)에 장착된 모든 웨이퍼(50)에 균등하게 증착시키는 효과를 갖는다.The pitch of the
이하, 본 발명의 제2 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하며, 상기한 제1 실시예와 동일 및 상당한 구성에 대해서는 같은 참조부호를 사용하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략한다. Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate like or corresponding parts to those of the first embodiment, and redundant description thereof will be omitted.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지 제조용 확산로의 평면을 도시한 개략도이다.4 is a schematic view showing a plane of a diffusion furnace for manufacturing a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
도 4를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 태양전지 제조용 확산로는 상기 제 1 실시예와 비교하여 복수의 가스 인입부(10)를 더 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 4, the diffusion furnace for manufacturing solar cells according to the present embodiment further comprises a plurality of
상기 가스 인입부(10)는 상기 웨이퍼(50)들의 길이 방향에 수평되게 복수의 방향에서 반응가스가 분사되도록 복수가 상기 웨이퍼(50)에 인접하여 설치된다.A plurality of the
본 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼(50)들에 복수의 방향에서 반응가스를 분사하므로 단일 웨이퍼(50)내에서 가스 분사구에 가까운 부분과 먼 부분 간에 생길 수 있는 반응가스 증착의 균일도의 차이를 줄이는 효과를 갖는다.According to this embodiment, since the reaction gas is injected in a plurality of directions on the
상기 반응가스는 상기 웨이퍼(50)상에 불순물 영역을 형성하기 위한 불순물가스 또는 상기 불순물 가스를 이송을 돕는 반송자 가스 인것을 특징으로 한다.The reaction gas is an impurity gas for forming an impurity region on the
상기 불순물 가스는 삼염화인산인 것을 특징으로한다.And the impurity gas is trichloro-phosphoric acid.
상기 반응가스는 산화막 또는 질화막을 형성하기 위한 산소, 수증기, 또는 질소인 것을 특징으로 한다.The reaction gas is characterized by being oxygen, water vapor, or nitrogen for forming an oxide film or a nitride film.
다만, 본 발명은 다른 종류의 반응가스를 사용할 수 있어 질화막(Nitride layer)이나 산화막 증착에도 사용할 수 있다.However, the present invention can use another kind of reaction gas and can be used for a nitride layer or an oxide film deposition.
상기 웨이퍼(50)는 단결정 실리콘 웨이퍼 또는 다결정 실리콘 웨이퍼 인 것을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명은 다른 종류의 웨이퍼에도 사용될 수 있다.The
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. And it goes without saying that they belong to the scope of the present invention.
도 1은 일반적인 태양전지 제조용 확산로를 도시한 개략도이다.1 is a schematic view showing a diffusion furnace for general solar cell production.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지 제조용 확산로의 정면을 도시한 개략도이다. 2 is a schematic view showing a front view of a diffusion furnace for manufacturing a solar cell according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 인입부의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a gas inlet according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지 제조용 확산로의 평면을 도시한 개략도이다.4 is a schematic view showing a plane of a diffusion furnace for manufacturing a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
<주요 도면 부호의 설명>Description of Main Drawings:
10: 가스 인입부 11: 가스 분사구10: gas inlet part 11: gas nozzle part
20: 공정 튜브 30: 공정 보트20: process tube 30: process boat
50: 웨이퍼 60: 가스 배출부50: wafer 60: gas discharge part
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