KR101491136B1 - Organic light emitting diode display and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자들의 형성 영역이 확장 가능한 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display device in which a formation region of elements can be expanded and a manufacturing method thereof.

이 유기 발광 다이오드 표시장치는 기판상에 형성되어 광을 발생하는 유기 발광 다이오드; 상기 유기 발광 다이오드를 제어하는 적어도 하나의 구동 소자; 및 상기 구동 소자를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 다이오드, 상기 구동 소자 및 상기 스위칭 소자는 상기 기판상의 서로 다른 층에 형성된다.The organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode formed on a substrate to generate light; At least one driving element for controlling the organic light emitting diode; And at least one switching element for controlling the driving element, wherein the organic light emitting diode, the driving element, and the switching element are formed in different layers on the substrate.

Description

유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND FABRICATING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 소자들의 형성 영역이 확장 가능한 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다. 평판표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : "LCD"), 전계방출표시장치(Field Emission Display : "FED"), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : "PDP") 및 발광 다이오드 표시장치(Light Emitting Diodes Display) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. As a flat panel display device, a liquid crystal display ("LCD"), a field emission display ("FED"), a plasma display panel ("PDP" Light Emitting Diodes Display).

PDP는 구조와 제조공정이 비교적 단순하기 때문에 대화면화에 가장 유리하지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. LCD는 반도체공정을 이용하기 때문에 대화면화가 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 크다. 또 한, LCD는 편광필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학 소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 단점이 있다. 이에 비하여, 발광 다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The PDP has a disadvantage in that it is most advantageous in a large screen because of its relatively simple structure and manufacturing process, but has a low luminous efficiency, low luminance and high power consumption. Since the LCD uses a semiconductor process, it is difficult to make a large screen and the power consumption is large due to the backlight unit. In addition, the LCD is disadvantageous in that it has a large optical loss and narrow viewing angle due to optical elements such as a polarizing filter, a prism sheet, and a diffusion plate. On the other hand, the light emitting diode display device is advantageous in that the response speed is high and the luminous efficiency, luminance and viewing angle are large.

발광 다이오드 표시장치는 사용하는 재료에 따라 무기 발광 다이오드 표시장치와 유기 발광 다이오드 표시장치로 크게 나누어진다.The light-emitting diode display device is broadly divided into an inorganic light-emitting diode display device and an organic light-emitting diode display device depending on the material used.

유기 발광 다이오드 표시장치는 100~200V의 높은 전압을 필요로 하는 무기 발광 다이오드 표시장치에 비해 5~20V 정도의 낮은 전압으로 구동됨으로써 직류 저전압 구동이 가능하다. 또한, 유기 발광 다이오드 표시장치는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트비(Contrast Ratio) 등의 뛰어난 특성을 가지고 있으므로 그래픽 디스플레이의 픽셀(pixel), 텔레비전 영상 디스플레이나 표면 광원(Surface Light Source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼울 뿐 아니라 색감이 좋아 차세대 평면 디스플레이에 적합한 소자이다.The organic light emitting diode display device is driven by a voltage as low as about 5 to 20 V as compared with an inorganic light emitting diode display device requiring a high voltage of 100 to 200 V, The organic light emitting diode display device has excellent characteristics such as a wide viewing angle, a high-speed response, and a high contrast ratio. Therefore, a pixel of a graphic display, a pixel of a television image display, or a surface light source And is thin and light as well as good in color and suitable for next generation flat panel displays.

이러한 유기 발광 다이오드 표시장치를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(Passive Matrix type)과 능동 매트릭스형(Active Matrix type)으로 나눌 수 있다.The driving method of the organic light emitting diode display device can be classified into a passive matrix type and an active matrix type.

수동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.The passive matrix type organic light emitting diode display device has a simple structure and a simple manufacturing method. However, it is difficult to increase the power consumption and the size of the display device, and the aperture ratio is lowered as the number of wirings increases.

반면 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치는 높은 발광효율과 고화질 구현의 장점이 있다.On the other hand, the active matrix type organic light emitting diode display device has advantages of high luminous efficiency and high image quality.

도 1은 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치를 간략하게 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram briefly showing an active matrix type organic light emitting diode display device.

도 1을 참조하면, 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode : OLED), 다수의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT) 및 스토리지 캐패시터(Cst)를 구비한다. TFT는 OLED를 제어하는 구동 TFT(TFT_D)와 구동 TFT(TFT_D)를 제어하는 스위칭 TFT(TFT_S)를 포함한다. OLED, 스위칭 TFT(TFT_S), 구동 TFT(TFT_D) 및 스토리지 캐패시터(Cst)는 모두 동일한 평면상에 형성된다. 즉, 기판상의 동일층에 모든 소자가 형성되게 된다.Referring to FIG. 1, an active matrix organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode (OLED), a plurality of thin film transistors (TFT), and a storage capacitor Cst. The TFT includes a driving TFT (TFT_D) for controlling the OLED and a switching TFT (TFT_S) for controlling the driving TFT (TFT_D). The OLED, the switching TFT (TFT_S), the driving TFT (TFT_D), and the storage capacitor (Cst) are all formed on the same plane. That is, all elements are formed on the same layer on the substrate.

능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치의 구동을 설명하면, 먼저 게이트 전압(Vg)이 공급되어 턴-온된 스위칭 TFT(TFT_S)를 통해 구동 TFT(TFT_D)의 게이트전극에 데이터전압(Vd)이 공급된다. 턴-온된 구동 TFT(TFT_D)로부터 일측단으로 공급되는 고전위 구동전압(Vdd)과 타측단으로 공급되는 저전위 구동전압(Vss)을 통해 OLED가 구동된다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 스위칭 TFT(TFT_S)를 통해 공급된 데이터전압(Vd)과 고전위 구동전압(Vdd) 사이에 캐패시터를 형성하여 스위칭 TFT(TFT_S)가 턴-오프된 이후에도 구동 TFT(TFT_D)가 턴-온 상태를 안정적으로 유지할 수 있도록 한다.Driving of the active matrix type organic light emitting diode display device First, the data voltage Vd is supplied to the gate electrode of the driving TFT TFT_D through the switching TFT (TFT_S) supplied with the gate voltage (Vg) and turned on . The OLED is driven through the high potential driving voltage Vdd supplied to the one end from the turn-on driving TFT TFT_D and the low potential driving voltage Vss supplied to the other end. The storage capacitor Cst forms a capacitor between the data voltage Vd and the high potential driving voltage Vdd supplied through the switching TFT TFT_S so that even after the switching TFT TFT_S is turned off, Thereby making it possible to stably maintain the turn-on state.

이러한 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치는 갈수록 대형화되고 있기 때문에, 안정적인 구동을 위하여 TFT들도 그 사이즈가 커져야 한다. 또한, 휘도 편차나 전류 편차를 보상하기 위한 보상 TFT가 더 형성되어야 하는 경우가 발 생하기도 한다. 하지만, 상술한 바와 같이 종래의 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치는 OLED, 구동 TFT(TFT_D) 및 스위칭 TFT(TFT_S)가 모두 동일한 평면상에 형성되기 때문에 구동 TFT(TFT_D), 스위칭 TFT(TFT_S) 또는 보상 TFT와 같은 소자가 형성될 수 있는 영역에 한계가 있다. 이로 인해 종래의 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치는 대화면화 될수록 안정적으로 구동되기 어려운 문제점이 있다.Since the active matrix type organic light emitting diode display device is becoming larger and larger, the size of the TFTs must also be increased for stable driving. Further, a compensation TFT for compensating for the luminance deviation and the current deviation may be formed in some cases. However, in the conventional active matrix organic light emitting diode display device as described above, since the OLED, the driving TFT (TFT_D) and the switching TFT (TFT_S) are all formed on the same plane, the driving TFT (TFT_D), the switching TFT Or a region where a device such as a compensation TFT can be formed is limited. As a result, the conventional active matrix organic light emitting diode display device is difficult to be stably driven as it becomes larger.

본 발명의 목적은 소자들의 형성 영역이 확장 가능한 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법을 제공함에 있다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device in which a formation region of devices can be expanded and a manufacturing method thereof.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 다른 유기 발광 다이오드 표시장치는 기판상에 형성되어 광을 발생하는 유기 발광 다이오드; 상기 유기 발광 다이오드를 제어하는 적어도 하나의 구동 소자; 및 상기 구동 소자를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 다이오드, 상기 구동 소자 및 상기 스위칭 소자는 상기 기판상의 서로 다른 층에 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode formed on a substrate to emit light; At least one driving element for controlling the organic light emitting diode; And at least one switching element for controlling the driving element, wherein the organic light emitting diode, the driving element, and the switching element are formed in different layers on the substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 상기 구동 소자와 상기 스위칭 소자 사이에 형성된 그라운드 금속층을 더 구비한다.The organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention further includes a ground metal layer formed between the driving device and the switching device.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 상기 그라운드 금속층과 상기 구동 소자 사이에 형성된 제1 평탄화막; 및 상기 구동 소자와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 형성된 제2 평탄화막을 더 구비한다.An organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes: a first planarization layer formed between the ground metal layer and the driving element; And a second planarization layer formed between the driving device and the organic light emitting diode.

상기 스위칭 소자의 소스전극은 상기 구동 소자의 게이트전극에 접속되고, 상기 구동 소자의 소스전극은 상기 유기 발광 다이오드에 접속된다.A source electrode of the switching element is connected to a gate electrode of the driving element, and a source electrode of the driving element is connected to the organic light emitting diode.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 상기 스위칭 소자의 소스전극과 상기 구동 소자의 드레인전극 사이에 형성된 스토리지 캐패시터를 더 구비한다.The organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention further includes a storage capacitor formed between a source electrode of the switching device and a drain electrode of the driving device.

상기 스토리지 캐패시터는 상기 스위칭 소자와 동일한 층에 형성된다.The storage capacitor is formed in the same layer as the switching element.

상기 스토리지 캐패시터는 상기 유기 발광 다이오드, 상기 구동 소자 및 상기 스위칭 소자와 다른 층에 형성된다.The storage capacitor is formed on a different layer from the organic light emitting diode, the driving element, and the switching element.

상기 구동 소자들은 상기 기판상의 서로 다른 층에 형성되고, 상기 스위칭 소자들은 상기 기판상의 서로 다른 층에 형성된다.The driving elements are formed in different layers on the substrate, and the switching elements are formed in different layers on the substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법은 기판상에 스위칭 소자를 형성하는 단계; 상기 스위칭 소자상에 상기 스위칭 소자에 의해 제어되는 구동 소자를 형성하는 단계; 및 상기 구동 소자상에 상기 구동 소자에 의해 제어되어 광을 발생하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes: forming a switching device on a substrate; Forming a driving element controlled by the switching element on the switching element; And forming an organic light emitting diode on the driving element, the organic light emitting diode being controlled by the driving element to generate light.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법은 상기 스위칭 소자와 상기 구동 소자 사이에 그라운드 금속층을 형성하는 단계를 더 포함한다.The method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention further includes forming a ground metal layer between the switching element and the driving element.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법은 상기 그라운드 금속층과 상기 구동 소자 사이에 제1 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 구동 소자와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 제2 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes: forming a first planarization layer between the ground metal layer and the driving device; And forming a second planarization layer between the driving device and the organic light emitting diode.

본 발명의 실시 예에 다른 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법은 유 기 발광 다이오드와 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 소자들을 각각 다른 층에 형성함으로써, 소자들의 형성 영역이 확장된다.In the organic light emitting diode display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention, the organic light emitting diode and the elements for driving the organic light emitting diode are formed in different layers, respectively.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description of preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 2 내지 도 3o를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 3O.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes Display : OLED)(100), OLED를 제어하는 적어도 하나의 구동 소자(90), 및 구동 소자(90)를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자(60)를 구비한다. 여기서, OLED(100), 구동 소자(90), 및 스위칭 소자(60)는 기판(2)상의 서로 다른 층에 형성된다.2, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) 100 for generating light, at least one driving device 90 for controlling an OLED And at least one switching element 60 for controlling the driving element 90. Here, the OLED 100, the driving element 90, and the switching element 60 are formed in different layers on the substrate 2. [

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 구동 소자(90)를 안정적으로 구동시키기 위한 스토리지 캐패시터(70)를 더 구비한다. 도 2에서는 스토리지 캐패시터(70)가 스위칭 소자(60)와 동일한 층에 형성되어 있지만, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치에서 스토리지 캐패시터(70)는 OLED(100), 구동 소자(90) 및 스위칭 소자(60)와 서로 다른 층에 형성될 수 있다.The organic light emitting diode display device according to the embodiment of the present invention further includes a storage capacitor 70 for stably driving the driving device 90. 2, the storage capacitor 70 is formed on the same layer as the switching element 60. However, in the organic light emitting diode display according to the present invention, the storage capacitor 70 includes the OLED 100, the driving element 90, And may be formed on different layers from the element 60.

상세히 하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 기판(2)상의 제1 층에 형성된 스위칭 소자(60), 스토리지 캐패시터(70) 및 그라운드부(80)를 구비한다. 그라운드부(80)는 유기 발광 다이오드 표시장치 내의 그라운드 레벨을 안정화하는 역할을 한다.The organic light emitting diode display device according to the embodiment of the present invention includes a switching element 60, a storage capacitor 70, and a ground portion 80 formed on a first layer on a substrate 2. The ground portion 80 serves to stabilize the ground level in the organic light emitting diode display.

스위칭 소자(60)는 박막 트랜지스터로서, 기판(2)상에 형성된 제1 게이트전극(4), 제1 게이트 절연막(10)을 사이에 두고 제1 게이트전극(4)과 중첩된 제1 반도체층(12), 및 제1 반도체층(12)상에 서로 이격되어 형성된 제1 소스전극(16)과 제1 드레인전극(18)을 포함한다. 제1 게이트전극(4)에 게이트전압이 인가되면, 제1 반도체층(12)에 의해 제1 소스전극(16)과 제1 드레인전극(18)이 도통되고, 제1 드레인전극(18)을 통해 공급된 데이터전압이 제1 소스전극(16)으로 공급된다.The switching element 60 is a thin film transistor which includes a first gate electrode 4 formed on a substrate 2 and a first semiconductor layer 4 overlying the first gate electrode 4 with a first gate insulating film 10 therebetween, And a first source electrode 16 and a first drain electrode 18 formed on the first semiconductor layer 12 and spaced apart from each other. When the gate voltage is applied to the first gate electrode 4, the first source electrode 16 and the first drain electrode 18 are electrically connected by the first semiconductor layer 12, and the first drain electrode 18 The data voltage supplied through the first source electrode 16 is supplied to the first source electrode 16.

스토리지 캐패시터(70)는 기판(2)상에 형성된 스토리지 하부전극(6), 게이트 절연막(10)을 사이에 두고 스토리지 하부전극(6)과 중첩된 스토리지 반도체층(14), 및 스토리지 반도체층(14)상에 형성되고 스위칭 소자(60)의 제1 소스전극(16)과 연결된 스토리지 상부전극(20)을 포함한다.The storage capacitor 70 includes a storage lower electrode 6 formed on the substrate 2, a storage semiconductor layer 14 overlapped with the storage lower electrode 6 with the gate insulating film 10 interposed therebetween, 14 and a storage upper electrode 20 connected to the first source electrode 16 of the switching element 60.

스위칭 소자(60), 스토리지 캐패시터(70)상에는 제1 홀(24)을 포함하는 제1 보호막(22)이 형성된다.A first protective film 22 including a first hole 24 is formed on the switching element 60 and the storage capacitor 70.

그라운드부(80)는 기판(2)상에 형성된 그라운드전극(8), 및 제1 게이트 절연막(10)과 제1 보호막(22)을 관통하는 제2 홀(26)을 통해 그라운드전극(8)에 접속된 그라운드 금속층(28)을 포함한다. 그라운드 금속층(28)은 제1 홀(24)을 제외한 제1 보호막(22)상의 전 영역에 형성되어 유기 발광 다이오드 표시장치의 그라운드 레 벨을 안정화시킴과 아울러 스위칭 소자(60)와 구동 소자(90)간의 전기적인 간섭을 차단하는 역할을 한다.The ground portion 80 is connected to the ground electrode 8 through the ground electrode 8 formed on the substrate 2 and the second hole 26 penetrating the first gate insulating film 10 and the first protective film 22. [ And a ground metal layer 28 connected to the ground metal layer 28. The ground metal layer 28 is formed in the entire region of the first protective film 22 except for the first hole 24 to stabilize the ground level of the organic light emitting diode display device and to electrically connect the switching device 60 and the driving device 90 ) In order to block the electrical interference between them.

기판(2)상의 제1 층에는 제1 평탄화막(32)이 더 형성된다. 제1 평탄화막(32)은 제1 보호막(22)의 제1 홀(24)에 대응되는 제3 홀(34)을 포함하여 그라운드 금속층(28)상에 형성된다. 즉, 제1 평탄화막(32)은 그라운드 금속층(28)상에 그라운드 금속층(28)의 형성 영역에 대응되도록 형성되며, 상부가 평탄하도록 형성된다.A first planarization film 32 is further formed on the first layer on the substrate 2. [ The first planarization layer 32 is formed on the ground metal layer 28 including a third hole 34 corresponding to the first hole 24 of the first protective layer 22. That is, the first planarization layer 32 is formed on the ground metal layer 28 to correspond to the formation region of the ground metal layer 28, and the upper portion of the first planarization layer 32 is formed to be flat.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 기판(2)상의 제2 층에 형성된 구동 소자(90)를 구비한다.An organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a driving element 90 formed on a second layer on a substrate 2. [

구동 소자(90)는 박막 트랜지스터로서, 제1 홀(24) 및 제3 홀(34)을 통해 스위칭 소자(60)의 제1 소스전극(16)과 접속되는 제2 게이트전극(36), 제2 게이트절연막(38)을 사이에 두고 제2 게이트전극(36)과 중첩되는 제2 반도체층(40), 및 제2 반도체층(40)상에 서로 이격되어 형성된 제2 소스전극(42)과 제2 드레인전극(44)을 포함한다. 스위칭 소자(60)의 제1 소스전극(16)을 통해 데이터전압이 구동 소자(90)의 제2 게이트전극(36)에 공급되면, 제2 반도체층(40)에 의해 제2 소스전극(42)과 제2 드레인전극(44) 사이가 도통되고, 제2 드레인전극(44)을 통해 공급된 고전위 구동전압이 제2 소스전극(42)으로 공급된다.The driving element 90 is a thin film transistor and includes a second gate electrode 36 connected to the first source electrode 16 of the switching element 60 through the first hole 24 and the third hole 34, A second semiconductor layer 40 overlapped with the second gate electrode 36 with a two-gate insulating film 38 interposed therebetween and a second source electrode 42 formed apart from the second semiconductor layer 40 on the second semiconductor layer 40, And a second drain electrode 44. When the data voltage is supplied to the second gate electrode 36 of the driving element 90 through the first source electrode 16 of the switching element 60 and the second source electrode 42 And the second drain electrode 44 are connected to each other and the high potential driving voltage supplied through the second drain electrode 44 is supplied to the second source electrode 42.

제2 소스전극(42)과 제2 드레인전극(44)상에는 제4 홀(48)을 가지는 제2 보호막(46)이 형성된다. 제2 보호막(46)은 제2 소스전극(42), 제2 드레인전극(44), 및 제2 반도체층(40)을 보호하는 역할뿐만 아니라 제2 평탄화막으로서의 역할을 한 다. 이를 위해, 제2 보호막(46)의 상부는 제1 평탄화막(32)의 상부와 마찬가지로 평탄하게 형성된다.A second passivation layer 46 having a fourth hole 48 is formed on the second source electrode 42 and the second drain electrode 44. The second protective film 46 serves not only to protect the second source electrode 42, the second drain electrode 44, and the second semiconductor layer 40 but also to serve as a second planarizing film. For this, the upper portion of the second protective film 46 is formed in a flat manner as in the upper portion of the first planarization film 32.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 기판(2)상의 제3 층에 형성된 OLED(100)를 구비한다.An organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes an OLED 100 formed on a third layer on a substrate 2.

OLED(100)는 제4 홀(48)을 통해 구동 소자(90)의 제2 소스전극(42)과 접속되는 애노드(Anode)전극(50), 애노드전극(50)상에 형성된 유기 발광층(52), 및 유기 발광층(52)상에 형성된 캐소드(Cathode)전극(54)을 포함한다. 유기 발광층(52)은 정공 주입 및 수송층, 발광층, 및 전자 주입 및 수송층을 포함할 수 있다. 구동 소자(90)의 제2 소스전극(42)을 통해 고전위 구동전압이 애노드전극(50)에 인가되면, 애노드전극(50)으로부터 발생된 정공은 정공 주입 및 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동된다. 또한, 캐소드전극(54)으로부터 발생된 전자는 전자 주입 및 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동된다. 이에 따라, 유기 발광층(52)의 발광층에서는 정공과 전자가 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 되고, 이 빛은 캐소드전극(54)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 된다. 이를 위하여, 캐소드전극(54)은 투명 전극으로 형성된다.The OLED 100 includes an anode electrode 50 connected to the second source electrode 42 of the driving element 90 through a fourth hole 48, an organic light emitting layer 52 formed on the anode electrode 50 ), And a cathode electrode 54 formed on the organic light-emitting layer 52. The organic light emitting layer 52 may include a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and an electron injecting and transporting layer. When a high potential driving voltage is applied to the anode electrode 50 through the second source electrode 42 of the driving element 90, the holes generated from the anode electrode 50 are moved toward the light emitting layer through the hole injecting and transporting layer. Further, the electrons generated from the cathode electrode 54 are moved toward the light emitting layer through the electron injecting and transporting layer. Accordingly, in the light emitting layer of the organic light emitting layer 52, holes and electrons collide and recombine to generate light. The light is emitted to the outside through the cathode electrode 54 to display an image. For this purpose, the cathode electrode 54 is formed as a transparent electrode.

이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 유기 발광 다이오드와 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 소자들을 각각 다른 층에 형성함으로써, 소자들의 형성 영역이 확장된다.As described above, in the organic light emitting diode display device according to the embodiment of the present invention, the organic light emitting diode and the elements for driving the organic light emitting diode are formed in different layers, so that the formation region of the elements is extended.

도 2의 실시 예에서는 구동 소자(90)와 스위칭 소자(60)가 각각 하나씩 도시되어 있지만, 구동 소자(90)와 스위칭 소자(60)가 다수 개씩 형성되는 경우 각각의 구동 소자(90)들과 스위칭 소자(60)들은 서로 다른 층에 형성될 수 있다. 또한, 도 2의 실시 예에서는 유기 발광층(52)에서 발생된 빛이 캐소드전극(54)을 통해 상부로 방출되는 상부 발광 방식을 설명하였지만, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 빛이 하부로 방출되는 하부 발광 방식도 적용 가능하다.Although the driving device 90 and the switching device 60 are shown one by one in the embodiment of FIG. 2, when a plurality of the driving devices 90 and the switching devices 60 are formed, The switching elements 60 may be formed on different layers. In the embodiment of FIG. 2, the top emission type in which the light emitted from the organic emission layer 52 is emitted upward through the cathode 54 is described. However, in the organic light emitting diode display according to the present invention, The lower emission scheme is also applicable.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법에 대해 도 3a 내지 도 3o를 참조하여 설명하기로 한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3O.

먼저 도 3a를 참조하면, 기판(2)상에 제1 게이트전극(4), 스토리지 하부전극(6) 및 그라운드전극(8)이 형성된다. 제1 게이트전극(4), 스토리지 하부전극(6) 및 그라운드전극(8)으로는 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)계 등의 금속이 단일층 또는 다중층 구조로 이용된다.First, referring to FIG. 3A, a first gate electrode 4, a storage lower electrode 6, and a ground electrode 8 are formed on a substrate 2. A metal such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), or chromium (Cr) is used as the first gate electrode 4, the storage lower electrode 6 and the ground electrode 8 in a single layer or multilayer structure .

제1 게이트전극(4), 스토리지 하부전극(6) 및 그라운드전극(8)이 형성된 기판(2)상에, 도 3b와 같이 제1 게이트 절연막(10)이 도포된다. 제1 게이트 절연막(10)의 재료로는 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 이용된다.The first gate insulating film 10 is coated on the substrate 2 on which the first gate electrode 4, the storage lower electrode 6 and the ground electrode 8 are formed as shown in FIG. 3B. As the material of the first gate insulating film 10, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is used.

제1 게이트 절연막(10)상에, 도 3c와 같이 제1 반도체층(12) 및 스토리지 반도체층(14)이 형성된다. 제1 반도체층(12) 및 스토리지 반도체층(14)은 아모퍼스 실리콘(a-Si)을 포함하여 형성되며, n+ 불순물이 주입된 채널 영역을 포함한다.The first semiconductor layer 12 and the storage semiconductor layer 14 are formed on the first gate insulating film 10 as shown in FIG. The first semiconductor layer 12 and the storage semiconductor layer 14 are formed to include amorphous silicon (a-Si), and include a channel region into which n + impurity is implanted.

제1 반도체층(12) 및 스토리지 반도체층(14)상에, 도 3d와 같이 제1 소스전극(16), 제1 드레인전극(18) 및 스토리지 상부전극(20)이 형성된다. 이때, 스토리지 상부전극(20)과 제1 소스전극(16)은 서로 연결되게 형성된다. 제1 소스전 극(16), 제1 드레인전극(18) 및 스토리지 상부전극(20)으로는 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄, 탄탈륨, 몰리브덴 합금(Mo alloy)계 등의 금속이 단일층 또는 다중층 구조로 이용된다.A first source electrode 16, a first drain electrode 18 and a storage upper electrode 20 are formed on the first semiconductor layer 12 and the storage semiconductor layer 14 as shown in FIG. At this time, the storage upper electrode 20 and the first source electrode 16 are formed to be connected to each other. (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium, tantalum, a molybdenum alloy (Mo) alloy may be used for the first source electrode 16, the first drain electrode 18 and the storage upper electrode 20. [ Or the like is used as a single layer or a multilayer structure.

제1 소스전극(16) 및 제1 드레인전극(18)상에, 도 3e와 같이 제1 홀(24)을 포함하는 제1 보호막(22)이 형성된다. 이때, 그라운드전극(8)상에는 제1 게이트 절연막(10) 및 제1 보호막(22)을 관통하는 제2 홀(26)이 형성된다. 제1 보호막(22)의 재료로는 제1 게이트 절연막(10)과 같은 무기 절연 물질이나 유전상수가 작은 아크릴(Acryl)계 유기 화합물, BCB 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연 물질이 이용된다.A first protective film 22 including a first hole 24 is formed on the first source electrode 16 and the first drain electrode 18 as shown in FIG. At this time, a second hole 26 penetrating the first gate insulating film 10 and the first protective film 22 is formed on the ground electrode 8. As the material of the first protective film 22, an inorganic insulating material such as the first gate insulating film 10, an acrylic organic compound having a small dielectric constant, or an organic insulating material such as BCB or PFCB is used.

제1 보호막(22)상에, 도 3f와 같이 제1 홀(24)이 형성된 영역을 제외하고 그라운드 금속층(28)이 형성된다. 그라운드 금속층(28)은 제2 홀(26)을 통해 그라운드전극(8)과 접속된다. 그라운드 금속층(28)의 재료로는 그라운드전극(8)과 같은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)계 등의 금속이 이용된다.A ground metal layer 28 is formed on the first protective film 22 except for the region where the first hole 24 is formed as shown in FIG. The ground metal layer 28 is connected to the ground electrode 8 through the second hole 26. As the material of the ground metal layer 28, a metal such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), or chromium (Cr) is used as the ground electrode 8.

그라운드 금속층(28)상에, 도 3g와 같이 제3 홀(34)을 포함하는 제1 평탄화막(32)이 형성된다. 제3 홀(34)은 제1 홀(24)의 위치에 대응되게 형성된다. 제1 평탄화막(32)은 폴리 아크릴(Poly acryl) 등의 고분자 물질을 도포함으로써 형성 가능하며, 스핀 온 글래스(Spin on glass) 등의 방법으로도 증착 가능하다.On the ground metal layer 28, a first planarizing film 32 including a third hole 34 is formed as shown in FIG. 3G. The third hole 34 is formed corresponding to the position of the first hole 24. The first planarization layer 32 may be formed by applying a polymer material such as polyacryl or the like and may be formed by a method such as spin on glass.

제1 평탄화막(32)상에, 도 3h와 같이 제2 게이트전극(36)이 형성된다. 제2 게이트전극(36)은 제3 홀(34)을 통해 제1 소스전극(16)과 접속된다. 제2 게이트전극(36)으로는 제1 게이트전극(4)과 같은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)계 등의 금속이 단일층 또는 다중층 구조로 이용된다.A second gate electrode 36 is formed on the first planarization film 32 as shown in FIG. 3H. The second gate electrode 36 is connected to the first source electrode 16 through the third hole 34. As the second gate electrode 36, a metal such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), or chromium (Cr), such as the first gate electrode 4, is used as a single layer or a multilayer structure.

제2 게이트전극(36)상에, 도 3i와 같이 제2 게이트 절연막(38)이 도포된다. 제2 게이트 절연막(38)의 재료로는 제1 게이트 절연막(10)과 같은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 이용된다.On the second gate electrode 36, a second gate insulating film 38 is applied as shown in FIG. 3I. As the material of the second gate insulating film 38, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) such as the first gate insulating film 10 is used.

제2 게이트 절연막(38)상에, 도 3j와 같이 제2 반도체층(40)이 형성된다. 제2 반도체층(40)은 제1 반도체층(12)과 같이 아모퍼스 실리콘(a-Si)을 포함하여 형성되며, n+ 불순물이 주입된 채널 영역을 포함한다.On the second gate insulating film 38, a second semiconductor layer 40 is formed as shown in FIG. 3J. The second semiconductor layer 40 is formed of amorphous silicon (a-Si) like the first semiconductor layer 12 and includes a channel region into which n + impurity is injected.

제2 반도체층(40)상에, 도 3k와 같이 제2 소스전극(42) 및 제2 드레인전극(44)이 형성된다. 제2 소스전극(42) 및 제2 드레인전극(44)으로는 제1 소스전극(16) 및 제1 드레인전극(18)과 같이 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄, 탄탈륨, 몰리브덴 합금(Mo alloy)계 등의 금속이 단일층 또는 다중층 구조로 이용된다.A second source electrode 42 and a second drain electrode 44 are formed on the second semiconductor layer 40 as shown in FIG. The second source electrode 42 and the second drain electrode 44 may be formed of a metal such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium , Tantalum, molybdenum alloy (Mo alloy) and the like are used as a single layer or a multilayer structure.

제2 소스전극(42) 및 제2 드레인전극(44)상에, 도 3l와 같이 제4 홀(48)을 포함하는 제2 보호막(46)이 형성된다. 제2 보호막(46)은 제2 평탄화막으로서의 역할을 하기 때문에, 제1 평탄화막(32)과 같이 폴리 아크릴(Poly acryl) 등의 고분자 물질을 도포하여 형성될 수 있으며, 스핀 온 글래스(Spin on glass) 등의 방법으로도 증착 가능하다.A second protective film 46 including a fourth hole 48 is formed on the second source electrode 42 and the second drain electrode 44 as shown in FIG. Since the second protective film 46 serves as the second flattening film, it may be formed by applying a polymer material such as polyacryl or the like as the first flattening film 32, and may be formed by spun on glass glass) or the like.

제2 보호막(46)상에, 도 3m과 같이 애노드전극(50)이 형성된다. 애노드전극(50)은 제4 홀(48)을 통해 제2 소스전극(42)과 접속된다. 애노드전극(50)의 재료로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide : ITO)이나 주석 산화물(Tin Oxide :TO) 또는 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 등의 투명 금속 이용 가능하며, 상부 발광 방식의 경우 불투명 금속도 이용 가능하다.An anode electrode 50 is formed on the second protective film 46 as shown in FIG. The anode electrode 50 is connected to the second source electrode 42 through the fourth hole 48. As the material of the anode electrode 50, a transparent metal such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), or indium zinc oxide (IZO) may be used. Opaque metals are also available.

애노드전극(50)상에, 도 3n과 같이 유기 발광층(52)이 형성된다. 유기 발광층(52)은 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으며, 다중층으로 구성되는 경우에는 정공 주입 및 수송층, 발광층, 전자 주입 및 수송층이 순차적으로 형성된다.An organic light emitting layer 52 is formed on the anode electrode 50 as shown in FIG. The organic luminescent layer 52 may be composed of a single layer or a multilayer, and in the case of a multilayer structure, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, an electron injecting and transporting layer are sequentially formed.

유기 발광층(52)상에, 도 3o와 같이 캐소드전극(54)이 형성된다. 캐소드전극(54)의 재료로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide : ITO)이나 주석 산화물(Tin Oxide :TO) 또는 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 등의 투명 금속이 이용된다.On the organic light-emitting layer 52, a cathode electrode 54 is formed as shown in FIG. As the material of the cathode electrode 54, a transparent metal such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), or indium zinc oxide (IZO) is used.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 제조방법은 구동 소자(90)와 스위칭 소자(60)의 반도체층이 비결정질의 아모퍼스 실리콘으로 형성되기 때문에 구동 소자(90)와 스위칭 소자(60)가 다중층으로 증착 가능하다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 OLED의 크기만큼 소자들의 크기를 크게 형성할 수 있으며, 소자들을 다수 개 형성하더라도 소자들의 형성 영역이 확보됨에 따라, 대형화되는 유기 발광 다이오드 표시장치에서도 안정적인 구동이 가능하다. 뿐만 아니라 OLED의 형성 영역도 확보되기 때문에 개구율 측면에서도 효과적이다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 소자들이 형성된 층 사이에 그라운드 금속층(28)을 형성함으로써 소자간에 전기적인 간섭을 방지할 수 있다.As described above, since the semiconductor layers of the driving device 90 and the switching device 60 are formed of amorphous silicon having amorphousness, the driving device 90 And the switching element 60 can be deposited in multiple layers. Therefore, the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention can enlarge the size of the OLED to a large extent, and even if a plurality of elements are formed, It is possible to drive stablely in the device. In addition, since the formation region of the OLED is also secured, it is effective also in terms of the aperture ratio. In addition, the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention can prevent the electrical interference between the devices by forming the ground metal layer 28 between the layers in which the devices are formed.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하 는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

도 1은 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드 표시장치를 간략하게 나타내는 회로도.1 is a circuit diagram schematically showing an active matrix type organic light emitting diode display device.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3o는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면.3A to 3O are views showing a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.

2 : 기판 4 : 제1 게이트전극2: substrate 4: first gate electrode

6 : 스토리지 하부전극 8 : 그라운드전극6: storage lower electrode 8: ground electrode

10 : 제1 게이트 절연막 12 : 제1 반도체층10: first gate insulating film 12: first semiconductor layer

14 : 스토리지 반도체층 16 : 제1 소스전극14: storage semiconductor layer 16: first source electrode

18 : 제1 드레인전극 20 : 스토리지 상부전극18: first drain electrode 20: storage upper electrode

22 : 제1 보호막 24, 26, 34, 48 : 홀22: first protective film 24, 26, 34, 48: hole

28 : 그라운드 금속층 32 : 제1 평탄화막28: ground metal layer 32: first planarization film

36 : 제2 게이트전극 38 : 제2 게이트 절연막36: second gate electrode 38: second gate insulating film

40 : 제2 반도체층 42 : 제2 소스전극40: second semiconductor layer 42: second source electrode

44 : 제2 드레인전극 46 : 제2 보호막44: second drain electrode 46: second protective film

50 : 애노드전극 52 : 유기 발광층50: anode electrode 52: organic light emitting layer

54 : 캐소드전극54: cathode electrode

Claims (11)

기판상에 형성되어 광을 발생하는 유기 발광 다이오드;An organic light emitting diode formed on the substrate to generate light; 상기 유기 발광 다이오드를 제어하는 적어도 하나의 구동 소자; 및At least one driving element for controlling the organic light emitting diode; And 상기 구동 소자를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자를 구비하고,And at least one switching element for controlling the driving element, 상기 유기 발광 다이오드, 상기 구동 소자 및 상기 스위칭 소자는 상기 기판상의 서로 다른 층에 형성되고, 상기 구동 소자와 상기 스위칭 소자 사이에 형성된 그라운드 금속층을 더 구비하고, 상기 그라운드 금속층은 상기 유기 발광 다이오드와 중첩되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.Wherein the organic light emitting diode, the driving element, and the switching element are formed on different layers on the substrate, and further include a ground metal layer formed between the driving element and the switching element, wherein the ground metal layer overlaps with the organic light emitting diode Wherein the organic light emitting diode display device comprises: 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 그라운드 금속층과 상기 구동 소자 사이에 형성된 제1 평탄화막; 및A first planarization film formed between the ground metal layer and the driving element; And 상기 구동 소자와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 형성된 제2 평탄화막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.And a second planarization layer formed between the driving device and the organic light emitting diode. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 스위칭 소자의 소스전극은 상기 구동 소자의 게이트전극에 접속되고, 상기 구동 소자의 소스전극은 상기 유기 발광 다이오드에 접속된 것을 특징으로 하 는 유기 발광 다이오드 표시장치.Wherein a source electrode of the switching element is connected to a gate electrode of the driving element, and a source electrode of the driving element is connected to the organic light emitting diode. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 기판에 형성된 스토리지 하부전극, 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 스토리지 하부전극과 중첩된 스토리지 반도체층, 및 상기 스토리지 반도체층상에 형성되고 상기 스위칭 소자의 소스전극과 연결된 스토리지 상부전극을 포함하는 스토리지 캐패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.A storage capacitor including a storage lower electrode formed on the substrate, a storage semiconductor layer overlapping the storage lower electrode with a gate insulating film interposed therebetween, and a storage upper electrode formed on the storage semiconductor layer and connected to the source electrode of the switching device, The organic light emitting diode display device comprising: 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 스토리지 캐패시터는 상기 스위칭 소자와 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.Wherein the storage capacitor is formed on the same layer as the switching element. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 스토리지 캐패시터는 상기 유기 발광 다이오드, 상기 구동 소자 및 상기 스위칭 소자와 다른 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.Wherein the storage capacitor is formed on a different layer from the organic light emitting diode, the driving element, and the switching element. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 구동 소자와 상기 스위칭 소자가 다수 개씩 형성되는 경우, 상기 구동 소자들과 상기 스위칭 소자들은 서로 다른 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치.Wherein when the plurality of driving elements and the plurality of switching elements are formed, the driving elements and the switching elements are formed on different layers. 기판상에 스위칭 소자를 형성하는 단계;Forming a switching element on the substrate; 상기 스위칭 소자상에 상기 스위칭 소자에 의해 제어되는 구동 소자를 형성하는 단계; 및Forming a driving element controlled by the switching element on the switching element; And 상기 구동 소자상에 상기 구동 소자에 의해 제어되어 광을 발생하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 스위칭 소자와 상기 구동 소자 사이에 그라운드 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 그라운드 금속층은 상기 유기 발광 다이오드와 중첩되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법.And forming an organic light emitting diode on the driving element, the organic light emitting diode being controlled by the driving element to generate light, the method further comprising forming a ground metal layer between the switching element and the driving element, Is formed to overlap with the organic light emitting diode (OLED). 삭제delete 제 9 항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 그라운드 금속층과 상기 구동 소자 사이에 제1 평탄화막을 형성하는 단계; 및Forming a first planarization film between the ground metal layer and the driving element; And 상기 구동 소자와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 제2 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조방법.Further comprising forming a second planarization layer between the driving device and the organic light emitting diode.
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