KR101267077B1 - Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 개구율을 높이고 구동 전류를 안정화시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of increasing an aperture ratio and stabilizing a driving current and a method of manufacturing the same.

본 발명의 유기 전계 발광 표시소자는 불투명 캐소드전극, 투명 애노드전극, 상기 캐소드전극과 상기 애노드전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층을 포함한 전계 발광 셀; 상기 캐소드전극에 드레인전극이 접속되고 기저전압원에 소스전극이 접속되어 상기 전계 발광 셀에 흐르는 전류를 조절하는 구동용 박막 트랜지스터를 구비하고; 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태인 것을 특징으로 한다.The organic light emitting display device of the present invention comprises an electroluminescent cell comprising an opaque cathode electrode, a transparent anode electrode, at least one organic layer formed between the cathode electrode and the anode electrode; A driving thin film transistor for controlling a current flowing in the electroluminescent cell by connecting a drain electrode to the cathode electrode and a source electrode to a ground voltage source; The source electrode of the driving thin film transistor may have a ring shape surrounding the drain electrode.

Description

유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법{ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}Organic electroluminescent display device and manufacturing method therefor {ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도 1은 종래 유기 전계 발광 표시소자의 서브 화소를 등가적으로 나타내는 회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a sub pixel of a conventional organic electroluminescent display.

도 2는 종래 유기 전계 발광 표시소자의 단면도.2 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 3 및 도 4는 종래의 유기 전계 발광 표시소자의 서브 화소를 나타내는 개략적인 회로도.3 and 4 are schematic circuit diagrams showing sub-pixels of a conventional organic electroluminescent display.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 서브 화소를 등가적으로 나타내는 회로도.FIG. 5 is a circuit diagram of an equivalent subpixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전압 구동식 구동 제어회로를 구비한 유기 전계 발광 표시소자의 서브 화소를 등가적으로 나타내는 회로도.6 is an equivalent circuit diagram of a sub pixel of an organic light emitting display device having a voltage driven driving control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 EL 셀과 구동용 TFT를 나타내는 개략적인 평면도.Fig. 7 is a schematic plan view showing an EL cell and a driving TFT of an organic electroluminescent display device according to the present invention.

도 8은 도 7을 A - A'에 따라 절취하여 나타내는 단면도.8 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 7.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>       <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

60,160 : 서브 화소 62,162 : 셀 구동부60,160: sub-pixel 62,162: cell driver

210 : 게이트 전극 220 : 게이트 절연막210: gate electrode 220: gate insulating film

230 : 반도체 층 242 : 소스 전극230: semiconductor layer 242: source electrode

244 : 드레인 전극 250 : 층간 절연막244: drain electrode 250: interlayer insulating film

260 : 캐소드 전극 270 : 유기층260 cathode electrode 270 organic layer

280 : 애노드 전극280: anode electrode

본 발명은 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 개구율을 높이고 구동 전류를 안정화시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of increasing an aperture ratio and stabilizing a driving current and a method of manufacturing the same.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시소자들이 개발되고 있다. 이러한 평판표시소자는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : 이하, “LCD”라 함), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하, “PDP”라 함) 및 유기 전계 발광(Electro-luminescence;EL) 표시소자 등이 있다. 2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such a flat panel display device may be a liquid crystal display device (hereinafter referred to as "LCD"), a field emission display device (FED), or a plasma display panel (hereinafter referred to as "PDP"). And organic electroluminescence (EL) display devices.

이들 중 PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력 이 큰 단점이 있다. 이에 비하여, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, “TFT”라 함)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체 공정을 이용하기 때문에 대화면화에 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있다. 또한, LCD는 편광필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학 소자들에 의해 광 손실이 많고 시야각이 좁은 특성이 있다. Among them, PDP is attracting attention as the most advantageous display device for light and small size and large screen because of its simple structure and manufacturing process, but it has the disadvantages of low luminous efficiency, low luminance and high power consumption. On the other hand, an active matrix LCD having a thin film transistor (hereinafter, referred to as “TFT”) as a switching element has a disadvantage in that large screens are difficult to use due to the semiconductor process and power consumption is large due to the backlight unit. In addition, the LCD has a large optical loss and a narrow viewing angle due to optical elements such as a polarizing filter, a prism sheet, and a diffusion plate.

이에 비하여, 전계 발광 표시소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계 발광 표시소자와 유기 전계 발광 표시소자로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 무기 전계 발광 표시소자는 유기 전계 발광 표시소자에 비하여 전력소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며 R(Red), G(Green), B(Blue)의 다양한 색을 발광시킬 수 없다. 반면에, 유기 전계 발광 표시소자는 수십 볼트의 낮은 직류 전압에서 구동됨과 아울러, 빠른 응답속도를 가지고, 고휘도를 얻을 수 있으며 R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 있어 차세대 평판 디스플레이소자에 적합하다.In contrast, electroluminescent display devices are classified into inorganic electroluminescent display devices and organic electroluminescent display devices according to the material of the light emitting layer, and emit light by themselves, and have fast response speed and high luminous efficiency, luminance, and viewing angle. In comparison with the organic light emitting display device, the inorganic electroluminescent display device has higher power consumption and cannot obtain high brightness, and cannot emit various colors of R (Red), G (Green), and B (Blue). On the other hand, the organic light emitting display device is driven at a low DC voltage of several tens of volts, has a fast response speed, high brightness, and can emit various colors of R, G, and B, which is suitable for next-generation flat panel display devices. Do.

유기 전계 발광 표시소자는 도 1에 도시된 바와 같이 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차로 정의된 영역에 각각 배열된 서브 화소(60)를 구비한다. 서브 화소(60)는 게이트 라인(GL)에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호를 공급받아 그 데이터 신호에 상응하는 빛으로 발광함으로써 화상을 표시한다.As illustrated in FIG. 1, the organic light emitting display device includes subpixels 60 arranged in regions defined by intersections of the gate line GL and the data line DL. When the gate pulse is supplied to the gate line GL, the sub pixel 60 receives a data signal from the data line DL and emits light with light corresponding to the data signal to display an image.

이를 위하여, 서브 화소(60)는 기저 전압원(VSS)에 캐소드 전극이 접속된 EL 셀(OEL)과, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 고전위 전압원(VDD)에 접속되고 EL 셀(OEL)의 애노드 전극에 접속된 셀 구동부(62)를 구비한다. 셀 구동부(62)는 P형 MOSFET으로 구성된 스위칭용 TFT(SW)와, P형 MOSFET으로 구성된 구동용 TFT(DT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.To this end, the sub-pixel 60 is connected to the EL cell OEL having the cathode electrode connected to the base voltage source VSS, the gate line GL, the data line DL, and the high potential voltage source VDD, and is connected to the EL cell OEL. The cell drive part 62 connected to the anode electrode of (OEL) is provided. The cell driver 62 includes a switching TFT (SW) composed of a P-type MOSFET, a driving TFT (DT) composed of a P-type MOSFET, and a storage capacitor Cst.

스위칭용 TFT(SW)는 게이트 라인(GL)에 로우(LOW) 상태의 게이트 펄스가 공급되면 턴-온(Turn-On)되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호가 노드(N1)에 공급되게 한다. 노드(N1)에 공급된 데이터 신호는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 게이트 펄스의 공급시간 동안 유지된다. 이러한, 스토리지 커패시터(Cst)는 저장된 데이터 전압을 1프레임 동안 홀딩(Holding) 시킨다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 게이트 펄스가 하이(HIGH) 상태로 반전되면 저장된 데이터 전압을 구동 TFT(DT)에 공급하여 구동 TFT(DT)가 턴-온되게 한다. 구동용 TFT(DT)는 게이트 단자로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전위 전압원(VDD)으로부터 EL 셀(OEL)에 공급되는 전류량(I)을 제어함으로써 EL 셀(OEL)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위칭용 TFT(SW)가 턴-오프(Turn-Off)되더라도 커패시터(Cst)에 충전된 데이터 신호가 방전되므로 구동용 TFT(DT)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 고전위 전압원(VDD)으로부터의 전류(I)를 EL 셀(OEL)에 공급하여 EL 셀(OEL)이 발광을 유지하게 한다.The switching TFT SW is turned on when a gate pulse having a low state is supplied to the gate line GL, and a data signal supplied to the data line DL is supplied to the node N1. To be. The data signal supplied to the node N1 is charged in the storage capacitor Cst and maintained for the supply time of the gate pulse. The storage capacitor Cst holds the stored data voltage for one frame. When the gate pulse supplied to the gate line GL is inverted to the high state, the storage capacitor Cst supplies the stored data voltage to the driving TFT DT to turn on the driving TFT DT. The driving TFT DT controls the amount of light emitted from the EL cell OEL by controlling the amount of current I supplied from the high potential voltage source VDD to the EL cell OEL in response to the data signal supplied to the gate terminal. . Since the data signal charged in the capacitor Cst is discharged even when the switching TFT SW is turned off, the driving TFT DT is a high potential voltage source until the data signal of the next frame is supplied. The current I from VDD is supplied to the EL cell OEL so that the EL cell OEL maintains light emission.

도 2는 도 1에 도시된 서브 화소를 자세히 나타내는 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating in detail a sub-pixel illustrated in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 유기 전계 발광 표시소자는 EL 셀이 형성되는 상부 어레이 기판(1)과, EL 셀을 구동시키기 위한 구동용 TFT(DT)가 형성되는 하부 어레이 기판(21)과, EL 셀의 애노드 전극(12)과 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)을 접속시 키는 스페이서(50)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting display device includes an upper array substrate 1 on which an EL cell is formed, a lower array substrate 21 on which a driving TFT DT for driving the EL cell is formed, and an EL cell. And a spacer 50 for connecting the anode electrode 12 of the electrode to the drain electrode 28 of the driving TFT DT.

상부 어레이 기판(1)은 상부 기판(2) 위에 유기 발광층(10)이 그 사이에 형성되며 절연막(6)에 의하여 절연되는 애노드 전극(12) 및 캐소드 전극(4)을 포함하는 EL 셀과, EL 셀의 분리를 위한 격벽(8)을 구비한다. 그리고, 유기 전계 발광 표시소자는 상부 어레이 기판(1)의 애노드 전극(12)과 하부 어레이 기판(21)의 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)을 접속시키기 위한 스페이서(50)를 구비한다.The upper array substrate 1 includes an EL cell including an anode electrode 12 and a cathode electrode 4 having an organic light emitting layer 10 formed thereon on the upper substrate 2 and insulated by an insulating film 6; A partition wall 8 for separating the EL cell is provided. The organic light emitting display device includes a spacer 50 for connecting the anode electrode 12 of the upper array substrate 1 and the drain electrode 28 of the driving TFT DT of the lower array substrate 21. do.

상부 어레이 기판(1)에 있어서, 캐소드 전극(4)은 상부 기판(2) 위에 금속 물질이 전면 증착되어 형성된다. 이 캐소드 전극(4)에는 기저 전압원(VSS) 으로부터 전자를 방출시키기 위한 구동 신호가 공급된다. In the upper array substrate 1, the cathode electrode 4 is formed by depositing a metal material over the upper substrate 2. The cathode electrode 4 is supplied with a drive signal for emitting electrons from the ground voltage source VSS.

애노드 전극(12)은 상부 기판(2) 위에 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전성 물질이 증착된 후 패터닝 되어 격벽(8)의 의하여 분리된 EL 셀 영역에 형성된다. 이 애노드 전극(12)에는 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)으로부터 정공을 방출시키기 위한 구동 신호가 공급된다. 이때, 애노드 전극(12)은 스페이스(50)를 감싸도록 형성되어 하부 어레이 기판(21)의 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)과 접속된다.  The anode electrode 12 is formed in the EL cell region separated by the partition wall 8 after the transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is deposited on the upper substrate 2. The anode electrode 12 is supplied with a driving signal for releasing holes from the drain electrode 28 of the driving TFT DT. At this time, the anode electrode 12 is formed to surround the space 50 and is connected to the drain electrode 28 of the driving TFT DT of the lower array substrate 21.

격벽(8)은 인접한 EL 셀을 구분하게 형성되어 유기 발광층(10) 및 애노드 전극(12)을 분리한다. The partition 8 is formed to separate adjacent EL cells to separate the organic light emitting layer 10 and the anode electrode 12.

유기 발광층(10)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층이 적층되어 형성된다. 이 유기 발광층(10)은 구동 신호가 공급됨에 따라 애노드 전극(12)에서 방출된 정공과 캐소드 전극(4)에서 방출된 전자를 재결합시킴 으로써 가시광을 발생한다. 이때, 발생된 가시광이 투명전극인 애노드 전극(12)을 통하여 외부로 나오게 됨으로써 유기 전계 발광 표시소자는 소정의 화상 또는 영상을 표시한다. The organic light emitting layer 10 is formed by stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer. As the driving signal is supplied, the organic light emitting layer 10 generates visible light by recombining the holes emitted from the anode electrode 12 and the electrons emitted from the cathode electrode 4. In this case, the generated visible light is emitted to the outside through the anode electrode 12, which is a transparent electrode, so that the organic light emitting display device displays a predetermined image or image.

스페이서(50)는 하부 어레이 기판(21)의 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)과 중첩되는 상부 기판(2) 위에 형성되어 하부 어레이 기판(21)의 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)과 EL 셀의 애노드 전극(12)을 접속시킨다.The spacer 50 is formed on the upper substrate 2 overlapping with the drain electrode 28 of the driving TFT DT of the lower array substrate 21 to drain the driving TFT DT of the lower array substrate 21. The electrode 28 and the anode electrode 12 of the EL cell are connected.

하부 어레이 기판(21)은 스위칭용 TFT(SW, 도 1 참조)와, 스위칭용 TFT의 드레인 전극에 게이트 전극(24)이 접속되는 구동용 TFT(DT)를 구비한다. The lower array substrate 21 includes a switching TFT (SW, see Fig. 1), and a driving TFT DT to which the gate electrode 24 is connected to the drain electrode of the switching TFT.

하부 어레이 기판(21)에 있어서, 스위칭용 TFT의 게이트 전극은 게이트 라인과 접속되고, 소스 전극은 데이터 라인에 접속되며 드레인 전극은 구동용 TFT(DT)의 게이트 전극(24)과 접속된다.In the lower array substrate 21, the gate electrode of the switching TFT is connected with the gate line, the source electrode is connected with the data line, and the drain electrode is connected with the gate electrode 24 of the driving TFT DT.

구동용 TFT(DT)의 게이트 전극(24)은 게이트 라인과 함께 하부 기판(22) 위에 형성되며, 구동용 TFT(DT)의 게이트 전극(24)과 게이트 절연막(36)을 사이에 두고 중첩되는 반도체층(38)과, 반도체층(38)을 사이에 두고 데이터 라인과 함께 형성되는 구동용 TFT(DT)의 소스 전극(26) 및 드레인 전극(28)을 구비한다. 구동용 TFT(DT)의 소스 전극(26)은 고전위 전압원(VDD, 도 1 참조)과 접속되며 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)은 상부 어레이 기판(1)의 애노드 전극(12)과 접속된다. 구동용 TFT(DT)의 드레인 전극(28)은 보호막(30)을 관통하는 드레인 접촉홀(34)을 통하여 보호막(30) 위에 노출된 접촉 전극(32)을 통하여 상부 어레이 기판(1)의 애노드 전극(12)과 접속된다. The gate electrode 24 of the driving TFT DT is formed on the lower substrate 22 together with the gate line, and overlaps the gate electrode 24 of the driving TFT DT with the gate insulating layer 36 interposed therebetween. The semiconductor layer 38 and the source electrode 26 and the drain electrode 28 of the driving TFT DT formed with the data line with the semiconductor layer 38 therebetween are provided. The source electrode 26 of the driving TFT DT is connected to the high potential voltage source VDD (see FIG. 1), and the drain electrode 28 of the driving TFT DT is the anode electrode 12 of the upper array substrate 1. ) Is connected. The drain electrode 28 of the driving TFT DT is connected to the anode of the upper array substrate 1 through the contact electrode 32 exposed on the passivation layer 30 through the drain contact hole 34 passing through the passivation layer 30. It is connected to the electrode 12.

이와 같은 구조의 종래의 유기 전계 발광 표시소자는 도 3에 도시된 바와 같이 P형 MOSFET으로 구성된 구동용 TFT(DT)의 소스(S)가 고전위 전압원(VDD)에 접속되어 구동전압(Vgs)이 안정적이다. 그러나, 투명전극인 EL 셀의 애노드 전극(12, 도 2 참조)이 구동용 TFT(DT)가 형성되는 하부 어레이 기판(21, 도 2 참조) 쪽으로 형성되므로 EL 셀(OEL)은 하부 발광(Bottom Emission) 방식에 따라 발광하게 된다. 따라서, P형 MOSFET을 구동용 TFT(DT)로 사용하는 종래 유기 전계 발광 표시소자는 구동용 TFT(DT)가 형성되는 영역만큼 발광 면적이 줄어들게 되어 개구율이 저하되는 문제점이 있다. In the conventional organic light emitting display device having such a structure, as shown in FIG. 3, the source S of the driving TFT DT composed of the P-type MOSFET is connected to the high potential voltage source VDD, thereby driving voltage Vgs. This is stable. However, since the anode electrode 12 (see Fig. 2) of the EL cell, which is a transparent electrode, is formed toward the lower array substrate 21 (see Fig. 2) on which the driving TFT DT is formed, the EL cell OEL emits bottom light. It emits light according to the emission method. Therefore, the conventional organic electroluminescent display device using the P-type MOSFET as the driving TFT (DT) has a problem that the light emitting area is reduced by the area where the driving TFT (DT) is formed and the aperture ratio is lowered.

이러한 문제점을 해결하기 위해 도 4에 도시된 바와 같이 EL 셀의 애노드 전극을 상부 어레이 기판 (1, 도 2 참조)쪽으로 형성하여 상부 발광 (Top Emission) 방식으로 EL 셀(OEL)을 발광시키는 경우에는 개구율은 증가되지만, 구동용 TFT(DT)의 소스(S)가 EL 셀의 캐소드 전극에 연결되어 소스(S) 전압의 변화에 따라 구동전압(Vgs)이 변하므로 구동전류의 불안정이라는 또 다른 문제점을 낳는다.In order to solve this problem, as shown in FIG. 4, when the anode electrode of the EL cell is formed toward the upper array substrate 1 (see FIG. 2), the EL cell OEL is emitted in a top emission manner. Although the aperture ratio is increased, another problem of instability of the driving current is because the source S of the driving TFT DT is connected to the cathode electrode of the EL cell and the driving voltage Vgs changes according to the change of the source S voltage. Lays

더욱이, 이와 같은 종래의 유기 전계 발광 표시소자는 폴리 실리콘 TFT(Poly Silicon TFT)를 사용하므로 폴리실리콘 결정화 공정과정에서 레이저의 출력 파워 불안정으로 인하여 패널내의 TFT들 간의 문턱전압(Vth)이 불균일하게 되고, 이로 인해 동일한 데이터 전압이 공급됨에도 불구하고 구동 TFT(DT)의 출력전류가 변화되어 화질이 불균일해지게 되는 문제점이 있다. In addition, since the conventional organic light emitting display device uses a poly silicon TFT, the threshold voltage Vth between the TFTs in the panel becomes uneven due to the output power instability of the laser during the polysilicon crystallization process. As a result, although the same data voltage is supplied, there is a problem in that the output current of the driving TFT DT is changed so that the image quality becomes uneven.

따라서, 본 발명의 목적은 개구율을 높이고 구동 전류를 안정화시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of increasing the aperture ratio and stabilizing a driving current and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명의 다른 목적은 구동 전류를 안정화시켜 화질을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can improve image quality by stabilizing a driving current.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 불투명 캐소드전극, 투명 애노드전극, 상기 캐소드전극과 상기 애노드전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층을 포함한 전계 발광 셀; 상기 캐소드전극에 드레인전극이 접속되고 기저전압원에 소스전극이 접속되어 상기 전계 발광 셀에 흐르는 전류를 조절하는 구동용 박막 트랜지스터를 구비하고; 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention comprises an electroluminescent cell comprising an opaque cathode electrode, a transparent anode electrode, at least one organic layer formed between the cathode electrode and the anode electrode; A driving thin film transistor for controlling a current flowing in the electroluminescent cell by connecting a drain electrode to the cathode electrode and a source electrode to a ground voltage source; The source electrode of the driving thin film transistor may have a ring shape surrounding the drain electrode.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 상기 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 구동 제어회로를 더 구비한다.The organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention further includes a driving control circuit for controlling the driving thin film transistor.

상기 구동 제어회로는,상기 구동용 박막 트랜지스터의 게이트전극과 상기 캐소드전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 및 데이터신호가 공급되는 데이터라인에 드레인전극, 상기 데이터라인과 교차하고 스캔신호가 공급되는 스캔라인에 게이트전극, 및 상기 구동용 박막 트랜시스터의 게이트전극에 소스전극이 접속된 제1 스위칭용 박막 트랜지스터를 구비한다.The driving control circuit may include: a storage capacitor connected between the gate electrode and the cathode of the driving thin film transistor; And a first switching thin film having a drain electrode connected to a data line supplied with a data signal, a gate electrode intersecting the data line and supplied with a scan signal, and a source electrode connected to a gate electrode of the driving thin film transistor. A transistor is provided.

상기 구동 제어회로는,상기 구동용 박막 트랜지스터와 접속되어 상기 구동용 박막 트랜지스터와 함께 전류미러를 형성하는 제2 스위칭용 박막 트랜지스터를 구비할 수도 있다.The driving control circuit may include a second switching thin film transistor connected to the driving thin film transistor to form a current mirror together with the driving thin film transistor.

상기 구동용 박막 트랜지스터에 포함되는 반도체 층은 n+ 비정질 실리콘을 포함하여 이루어진다.The semiconductor layer included in the driving thin film transistor includes n + amorphous silicon.

상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나의 투명 도전성 물질을 포함하여 이루어진다.The anode electrode includes at least one transparent conductive material of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO).

상기 캐소드 전극은 일함수(Work Function) 값이 낮은 불투명 금속 물질을 포함하여 이루어진다.The cathode electrode includes an opaque metal material having a low work function value.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 제조방법은 기판 상에 구동용 박막 트랜지스터의 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상에 반도체 패턴을 형성하는 단계; 상기 반도체 패턴 상에 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 소스전극과 드레인전극이 형성된 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성하여 상기 드레인전극을 노출시키는 단계; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극에 접속되는 전계 발광 셀의 불투명 캐소드전극을 형성하는 단계; 상기 캐소드전극 상에 적어도 하나 이상의 유기층을 적층하는 단계; 및 최상층의 상기 유기층 상에 상기 전계 발광 셀의 투명 애노드전극을 형성하는 단계를 포함하고; 상기 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태로 패터닝되는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a gate electrode of a driving thin film transistor on a substrate; Forming a gate insulating film on the substrate to cover the gate electrode; Forming a semiconductor pattern on the gate insulating film; Forming a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor on the semiconductor pattern; Forming an interlayer insulating film on a substrate on which the source and drain electrodes are formed; Forming a contact hole in the interlayer insulating film to expose the drain electrode; Forming an opaque cathode electrode of an electroluminescent cell connected to the drain electrode through the contact hole; Stacking at least one organic layer on the cathode; And forming a transparent anode electrode of the electroluminescent cell on the organic layer of the uppermost layer; The source electrode may be patterned in a ring shape surrounding the drain electrode.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 5 내지 도 를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 서브 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram of an equivalent subpixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차로 정의된 영역에 각각 배열된 서브 화소(160)를 구비한다. 서브 화소(160)는 게이트 라인(GL)에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호를 공급받아 그 데이터 신호에 상응하는 빛으로 발광함으로써 화상을 표시한다.Referring to FIG. 5, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment includes subpixels 160 arranged in regions defined by intersections of a gate line GL and a data line DL. When the gate pulse is supplied to the gate line GL, the sub pixel 160 receives a data signal from the data line DL and emits light with light corresponding to the data signal to display an image.

이를 위하여, 서브 화소(160)는 고전위 전압원(VDD)에 애노드 전극이 접속된 EL 셀(OEL)과, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 기저 전압원(VSS)에 접속되고 EL 셀(OEL)의 캐소드 전극에 접속된 셀 구동부(162)를 구비한다. 셀 구동부(162)는 N형 MOSFET으로 구성된 구동용 TFT(DT)와 구동용 TFT(DT)를 제어하는 구동 제어회로(166)를 구비한다. 일반적으로 구동 제어회로(166)는 크게 전압 구동식과 전류 구동식으로 대별된다. 전압 구동식의 경우, 구동용 TFT(DT)는 구동 제어회로(166)의 제어에 따라 게이트 단자로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전위 전압원(VDD)으로부터 EL 셀(OEL)에 공급되는 전류량(I)을 제어함으로써 EL 셀(OEL) 의 발광량을 조절하게 된다. 이에 반해, 전류 구동식의 경우, 구동용 TFT(DT)는 구동 제어회로(166)와 함께 전류미러를 형성하여 구동 제어회로(166)에 흐르는 전류량에 따라 고전위 전압원(VDD)으로부터 EL 셀(OEL)에 공급되는 전류량(I)을 제어함으로써 EL 셀(OEL)의 발광량을 조절하게 된다. To this end, the sub-pixel 160 is connected to an EL cell OEL having an anode electrode connected to a high potential voltage source VDD, a gate line GL, a data line DL, and a base voltage source VSS, and connected to an EL cell. A cell driver 162 connected to the cathode electrode of the (OEL) is provided. The cell driver 162 includes a driving TFT DT composed of an N-type MOSFET and a driving control circuit 166 for controlling the driving TFT DT. In general, the driving control circuit 166 is roughly classified into a voltage driving type and a current driving type. In the case of the voltage driving type, the driving TFT DT is the amount of current supplied from the high potential voltage source VDD to the EL cell OEL in response to a data signal supplied to the gate terminal under the control of the driving control circuit 166. By controlling I), the amount of light emitted by the EL cell OEL is adjusted. On the other hand, in the case of the current driving type, the driving TFT DT forms a current mirror together with the driving control circuit 166 to form an EL cell (eg, an EL cell) from the high potential voltage source VDD according to the amount of current flowing through the driving control circuit 166. The amount of light emitted by the EL cell OEL is controlled by controlling the amount of current I supplied to the OEL.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전압 구동식 구동 제어회로를 구비한 유기 전계 발광 표시소자의 서브 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a sub pixel of an organic light emitting display device having a voltage driven driving control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차로 정의된 영역에 각각 배열된 서브 화소(160)를 구비한다. 서브 화소(160)는 게이트 라인(GL)에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호를 공급받아 그 데이터 신호에 상응하는 빛으로 발광함으로써 화상을 표시한다.Referring to FIG. 6, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment includes subpixels 160 arranged in regions defined by intersections of the gate line GL and the data line DL. When the gate pulse is supplied to the gate line GL, the sub pixel 160 receives a data signal from the data line DL and emits light with light corresponding to the data signal to display an image.

이를 위하여, 서브 화소(160)는 고전위 전압원(VDD)에 애노드 전극이 접속된 EL 셀(OEL)과, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 기저 전압원(VSS)에 접속되고 EL 셀(OEL)의 캐소드 전극에 접속된 셀 구동부(162)를 구비한다. To this end, the sub-pixel 160 is connected to an EL cell OEL having an anode electrode connected to a high potential voltage source VDD, a gate line GL, a data line DL, and a base voltage source VSS, and connected to an EL cell. A cell driver 162 connected to the cathode electrode of the (OEL) is provided.

셀 구동부(162)는 N형 MOSFET으로 구성된 스위칭용 TFT(SW)와, N형 MOSFET으로 구성된 구동용 TFT(DT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.The cell driver 162 includes a switching TFT (SW) composed of an N-type MOSFET, a driving TFT (DT) composed of an N-type MOSFET, and a storage capacitor Cst.

스위칭용 TFT(SW)는 게이트 라인(GL)에 하이(HIGH) 상태의 게이트 펄스가 공급되면 턴-온(Turn-On)되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호가 노드(N2)에 공급되게 한다. 노드(N2)에 공급된 데이터 신호는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전됨과 아울러 구동용 TFT(DT)의 게이트 단자로 공급된다. 구동용 TFT(DT)는 게이트 단자로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전위 전압원(VDD)으로부터 EL 셀(OEL)에 공급되는 전류량(I)을 제어함으로써 EL 셀(OEL)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 게이트 펄스가 로우(LOW) 상태로 반전되어 스위칭용 TFT(SW)가 턴-오프(Turn-Off)되더라도 커패시터(Cst)에 충전된 데이터 신호가 방전되므로 구동용 TFT(DT)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 고전위 전압원(VDD)으로부터의 전류(I)를 EL 셀(OEL)에 공급하여 EL 셀(OEL)이 발광을 유지하게 한다.The switching TFT SW is turned on when a gate pulse having a high state is supplied to the gate line GL, and a data signal supplied to the data line DL is supplied to the node N2. To be. The data signal supplied to the node N2 is charged to the storage capacitor Cst and supplied to the gate terminal of the driving TFT DT. The driving TFT DT controls the amount of light emitted from the EL cell OEL by controlling the amount of current I supplied from the high potential voltage source VDD to the EL cell OEL in response to the data signal supplied to the gate terminal. . Further, even when the gate pulse is inverted to a low state and the switching TFT SW is turned off, the data signal charged in the capacitor Cst is discharged, so that the driving TFT DT is moved to the next frame. The current I from the high-potential voltage source VDD is supplied to the EL cell OEL until the data signal is supplied so that the EL cell OEL maintains light emission.

이와 같이 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 N형 MOSFET으로 구성된 구동용 TFT(DT)의 소스(S)가 기저 전압원(VSS)에 접속되어 안정된 구동전압(Vgs)을 EL 셀(OEL)에 공급할 수 있게 되고, 이에 따라 구동전류가 안정화 된다. 또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 투명전극인 EL 셀의 애노드 전극을 구동용 TFT(DT)가 형성되는 기판의 반대쪽으로 배치하여 EL 셀(OEL)이 상부 발광(Top Emission) 방식에 따라 발광하게 한다. 결과적으로, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 안정적인 구동전압 및 개구율 증가를 동시에 보장할 수 있게 된다. 이러한 효과를 달성할 수 있는 본 발명의 구조를 살펴보면 다음과 같다.As described above, in the organic light emitting display device according to the present invention, as shown in FIGS. 5 and 6, the source S of the driving TFT DT composed of the N-type MOSFETs is connected to the ground voltage source VSS, thereby providing a stable driving voltage. It is possible to supply (Vgs) to the EL cell OEL, whereby the driving current is stabilized. In addition, the organic electroluminescent display device according to the present invention arranges the anode electrode of the EL cell, which is a transparent electrode, on the opposite side of the substrate on which the driving TFT (DT) is formed so that the EL cell (OEL) is in the top emission mode. To emit light. As a result, the organic light emitting display device according to the present invention can ensure stable driving voltage and increase in aperture ratio at the same time. Looking at the structure of the present invention that can achieve this effect is as follows.

도 7은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 EL 셀(OEL)과 구동용 TFT(DT)를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 8은 도 7을 A - A'에 따라 절취하여 도시한 단면도이다.FIG. 7 is a schematic plan view illustrating an EL cell OEL and a driving TFT DT of an organic light emitting display device according to the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 7. .

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자는 불투명 캐소드전극(260), 투명 애노드전극(280), 캐소드전극(260)과 애노드전극(280) 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층(270)을 포함한 EL 셀(OEL), 캐소드전극(260)에 드레인전극(244)이 접속되고 기저전압원(VSS)에 소스전극(242)이 접속되어 EL 셀(OEL)에 흐르는 전류를 조절하는 구동용 TFT(DT)를 구비한다.7 and 8, at least one organic light emitting display device according to the present invention may include at least one opaque cathode electrode 260, a transparent anode electrode 280, a cathode electrode 260, and an anode electrode 280. The EL cell OEL including the organic layer 270 and the drain electrode 244 are connected to the cathode electrode 260 and the source electrode 242 is connected to the base voltage source VSS to control the current flowing through the EL cell OEL. A driving TFT DT is provided.

구동용 TFT(164)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)의 교차영역에 위치함과 아울러 게이트 라인(GL)에 접속되도록 형성되는 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220)을 사이에 두고 게이트 전극(210)과 중첩되게 형성되는 반도체 층(230), 반도체 층(230) 상에 링 형태로 형성되는 소스 전극(242), 소스 전극(242)에 의해 노출되는 링 형상의 소스전극(242) 내부의 반도체 층(230) 상에 형성되는 드레인 전극(244)을 구비한다. The driving TFT 164 is located at the intersection of the gate line GL and the data line DL, and has a gate electrode 210 and a gate insulating film 220 formed therebetween so as to be connected to the gate line GL. A semiconductor layer 230 formed to overlap the gate electrode 210, a source electrode 242 formed in a ring shape on the semiconductor layer 230, and a ring-shaped source electrode exposed by the source electrode 242 ( 242 and a drain electrode 244 formed on the semiconductor layer 230 therein.

반도체 층(230)은 비정질 실리콘층으로 형성되어 소스 전극(242)과 드레인 전극(244) 사이에 채널을 형성하는 활성층(232)과, 활성층(232) 상에 n+ 비정질 실리콘층으로 형성되어 활성층(232)과 소스/드레인 전극(242,244)간의 접촉저항을 줄이는 오믹접촉층(234) 으로 구성된다. 비정질 실리콘층으로 구성되는 반도체 층(230)을 포함하는 구동용 TFT(164)는 폴리 실리콘 TFT에 비해 전계효과 이동도는 떨어지지만, 별도의 폴리 실리콘 결정화 공정을 거치지 않으므로 패널내의 TFT들의 문턱전압을 일정하게 유지시켜 안정적인 출력 전류가 EL 셀(OEL)에 공급될 수 있게 한다.The semiconductor layer 230 is formed of an amorphous silicon layer to form a channel between the source electrode 242 and the drain electrode 244, and an n + amorphous silicon layer formed on the active layer 232 to form an active layer ( 232 and an ohmic contact layer 234 that reduces the contact resistance between the source / drain electrodes 242 and 244. The driving TFT 164 including the semiconductor layer 230 composed of an amorphous silicon layer has a lower field effect mobility than the polysilicon TFT, but does not undergo a separate polysilicon crystallization process, thereby increasing the threshold voltage of the TFTs in the panel. It is kept constant so that a stable output current can be supplied to the EL cell OEL.

소스 전극(242) 및 드레인 전극(244)에 의해 형성되는 링 형상의 채널은 소스 전극(242) 영역의 면적을 넓히고, 드레인 전극(244) 영역을 좁힘으로써 소스 전극(242)에 형성되는 스토리지 용량(Cst)을 증가시키고 드레인 전극(244)에 형성되 는 기생 용량(Cgd)를 감소시키는 효과를 나타낸다.The ring-shaped channel formed by the source electrode 242 and the drain electrode 244 increases the area of the source electrode 242 area and the storage capacitor formed in the source electrode 242 by narrowing the drain electrode 244 area. It has an effect of increasing (Cst) and reducing the parasitic capacitance (Cgd) formed in the drain electrode 244.

또한, 소스 전극(242)은 기저 전압원(VSS, 도 6 참조)에 접속되어 구동 전압(Vgs)을 안정되게 하여 출력 전류를 안정화 시킨다.In addition, the source electrode 242 is connected to the base voltage source VSS (see FIG. 6) to stabilize the driving voltage Vgs to stabilize the output current.

EL 셀(OEL)은 층간 절연막(250)을 관통하여 드레인 전극(244)과 접속된다. 이러한 EL 셀(OEL)은 층간 절연막(250)을 관통하여 드레인 전극(244)과 접속되는 캐소드 전극(260), 캐소드 전극(260)상에 형성되는 유기층(270) 및 유기층(270) 상에 형성되는 애노드 전극(280)을 구비한다.The EL cell OEL is connected to the drain electrode 244 through the interlayer insulating film 250. The EL cell OEL is formed on the cathode electrode 260 connected to the drain electrode 244 through the interlayer insulating film 250, the organic layer 270 and the organic layer 270 formed on the cathode electrode 260. An anode electrode 280 is provided.

층간절연막(250)은 질화실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연 물질로 형성된다. 드레인 전극(244)은 층간절연막(250)에 대한 콘택홀 공정을 통해 노출되게 된다.The interlayer insulating film 250 is formed of an inorganic insulating material including silicon nitride (SiNx). The drain electrode 244 is exposed through a contact hole process on the interlayer insulating layer 250.

캐소드 전극(260)은 노출된 드레인 전극(244)을 포함하여 서브 화소(160) 전면에 형성되도록 패터닝 된다. 이러한 캐소드 전극(260)은 구동용 TFT(164)의 드레인 전극(244)으로부터 구동 신호를 공급받아 유기층(270)으로 전자를 방출하는 역할을 하며, 유기층(270)으로의 전자 주입을 원활히 할 수 있도록 일함수(Work Function) 값이 낮은 불투명 금속으로 이루어진다.The cathode electrode 260 is patterned to be formed on the entire surface of the sub pixel 160 including the exposed drain electrode 244. The cathode electrode 260 receives a driving signal from the drain electrode 244 of the driving TFT 164 to emit electrons to the organic layer 270, and smoothly injects electrons into the organic layer 270. The work function is made of low opaque metal.

유기층(270)은 캐소드 전극(260)으로부터 발생된 전자를 발광층(274)으로 이동시키는 전자수송층(272), 애노드 전극(280)으로부터 발생된 정공을 발광층(274)으로 이동시키는 정공수송층(276) 및 전자 수송층(272)과 정공 수송층(276)으로부터 공급되어진 전자와 정공을 충돌, 재결합함으로써 가시광선을 발생하는 발광층(274)으로 구성된다. 이 빛은 애노드 전극(280)을 통해 외부로 방출되고 이에 따라 화상이 표시되게 된다.The organic layer 270 includes an electron transport layer 272 for moving electrons generated from the cathode electrode 260 to the light emitting layer 274, and a hole transport layer 276 for moving holes generated from the anode electrode 280 to the light emitting layer 274. And a light emitting layer 274 which generates visible light by colliding and recombining holes and electrons supplied from the electron transporting layer 272 and the hole transporting layer 276. This light is emitted to the outside through the anode electrode 280, so that an image is displayed.

애노드 전극(280)은 유기층(270) 위에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나의 투명 도전성 물질이 전면 증착되어 형성된다. 이 애노드 전극(280)은 고전위 전압원(VDD, 도 6 참조) 으로부터 구동 신호를 공급받아 유기층(270)으로 정공을 방출하는 역할을 한다. 본 발명은 투명전극인 EL 셀의 애노드 전극(280)이 캐소드 전극(272)을 사이에 두고 구동용 TFT(164)와는 반대쪽에 형성되므로 상부 발광 방식을 취하게 된다. 이로써 본 발명은 구동 전압을 안정적으로 유지시키면서도 개구율을 증가시킬 수 있다.The anode electrode 280 is formed by depositing at least one transparent conductive material on the organic layer 270 in at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO). The anode electrode 280 receives a driving signal from a high potential voltage source VDD (see FIG. 6) and emits holes to the organic layer 270. In the present invention, since the anode electrode 280 of the EL cell, which is a transparent electrode, is formed on the opposite side from the driving TFT 164 with the cathode electrode 272 interposed therebetween, the top emission method is adopted. As a result, the present invention can increase the aperture ratio while maintaining the driving voltage stably.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 제조방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described as follows.

먼저, 기판상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층을 형성하고, 게이트 금속층 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 구동용 TFT(164)의 게이트 전극(210)을 형성한다.First, a gate metal layer is formed on a substrate through a deposition method such as a sputtering method, a photoresist is entirely coated on the gate metal layer, and then the gate electrode 210 of the driving TFT 164 is formed through a photolithography process using a mask. To form.

구동용 TFT(164)의 게이트 전극(210)이 형성된 기판상에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 게이트 절연막(220)을 전면 증착시킨다. 여기서, 게이트 절연막(220)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연물질로 구성된다.The gate insulating film 220 is entirely deposited on the substrate on which the gate electrode 210 of the driving TFT 164 is formed by a deposition method such as PECVD or sputtering. Here, the gate insulating layer 220 is made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

게이트 절연막(220) 상에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 비정질 실리콘층(134a), n+ 비정질 실리콘층(135a)을 순차적으로 증착시킨다. The amorphous silicon layer 134a and the n + amorphous silicon layer 135a are sequentially deposited on the gate insulating layer 220 through a deposition method such as PECVD or sputtering.

이어서, 기판상에 금속층을 전면 증착시킨 후, 포토레지스트를 전면 도포한 후 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 소스전극(242), 드레인전극(244), 및 반도체층(230)을 이용하여 채널을 형성한다. 여기서, 소스전극(242)은 드레인전극(244)을 둘러싸도록 링 형태로 형성된다.Subsequently, a metal layer is entirely deposited on the substrate, and then the photoresist is completely coated, and then a channel is formed using the source electrode 242, the drain electrode 244, and the semiconductor layer 230 through a photolithography process using a mask. Form. Here, the source electrode 242 is formed in a ring shape to surround the drain electrode 244.

소스전극(242) 및 드레인전극(244)이 형성된 기판상에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 층간 절연막(250)을 전면 증착시킨다. 여기서, 층간 절연막(250)은 비정질 질화 실리콘층으로 수소를 다량 포함하고 있다.The interlayer insulating layer 250 is entirely deposited on the substrate on which the source electrode 242 and the drain electrode 244 are formed by a deposition method such as PECVD or sputtering. Here, the interlayer insulating film 250 includes a large amount of hydrogen as an amorphous silicon nitride layer.

이어서, 층간 절연막((250)에 콘택홀을 형성하여 드레인전극(244)을 노출시킨다.Next, a contact hole is formed in the interlayer insulating film 250 to expose the drain electrode 244.

드레인 전극(244)을 콘택홀에 의해 노출시킨 후, 일함수가 낮은 불투명 금속을 적층한 후 서브 화소(160) 별로 패터닝하여 캐소드 전극(260)을 형성한다.After exposing the drain electrode 244 through a contact hole, an opaque metal having a low work function is stacked and patterned for each sub pixel 160 to form a cathode electrode 260.

캐소드 전극(260)이 형성된 기판상에 전자수송층(272), 발광층(274),정공 수송층(276)을 순서적으로 적층하여 유기층(270)을 형성한다.The organic layer 270 is formed by sequentially stacking the electron transport layer 272, the light emitting layer 274, and the hole transport layer 276 on the substrate on which the cathode electrode 260 is formed.

이어서, 유기층(270)이 형성된 기판상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나의 투명 도전성 물질을 전면 증착하여 애노드 전극(280)을 형성한다.Subsequently, the anode electrode 280 is formed by completely depositing at least one transparent conductive material among indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO) on the substrate on which the organic layer 270 is formed. Form.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법은 링 형태로 형성되는 구동용 TFT의 소스 전극을 기저 전압원에 접속시킴과 아울러, 고전위 전압원에 접속되는 EL 셀의 애노드 전극을 캐소드 전극을 사이에 두고 구동용 TFT가 형성되는 위치와 반대쪽에 형성함으로써, 안정된 구동전압을 발생할 수 있을 뿐만 아니라 개구율을 증가시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention connect the source electrode of the driving TFT formed in the ring shape to the base voltage source, and also to the EL cell connected to the high potential voltage source. By forming the anode electrode on the opposite side to the position where the driving TFT is formed with the cathode electrode therebetween, not only a stable driving voltage can be generated but also the aperture ratio can be increased.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

Claims (8)

불투명 캐소드전극, 투명 애노드전극, 상기 캐소드전극과 상기 애노드전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층을 포함한 전계 발광 셀;An electroluminescent cell comprising an opaque cathode electrode, a transparent anode electrode and at least one organic layer formed between the cathode electrode and the anode electrode; 상기 캐소드전극에 드레인전극이 접속되고 기저전압원에 소스전극이 접속되어 상기 전계 발광 셀에 흐르는 전류를 조절하는 구동용 박막 트랜지스터를 구비하고;A driving thin film transistor for controlling a current flowing in the electroluminescent cell by connecting a drain electrode to the cathode electrode and a source electrode to a ground voltage source; 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고, 상기 애노드전극은 상기 캐소드전극 상에 형성된 상기 유기층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.The source electrode of the driving thin film transistor has a ring shape surrounding the drain electrode, the cathode electrode is formed on the entire front of the subpixel including the drain electrode, and the anode electrode is formed on the cathode electrode. An organic light emitting display device, characterized in that formed on. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 구동 제어회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.And a driving control circuit for controlling the driving thin film transistor. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 구동 제어회로는, The drive control circuit, 상기 구동용 박막 트랜지스터의 게이트전극과 상기 캐소드전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 및 A storage capacitor connected between the gate electrode and the cathode of the driving thin film transistor; And 데이터신호가 공급되는 데이터라인에 드레인전극, 상기 데이터라인과 교차하고 스캔신호가 공급되는 스캔라인에 게이트전극, 및 상기 구동용 박막 트랜시스터 의 게이트전극에 소스전극이 접속된 제1 스위칭용 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.A first switching thin film transistor having a drain electrode connected to a data line supplied with a data signal, a gate electrode intersecting the data line and a scan signal supplied thereto, and a source electrode connected to a gate electrode of the driving thin film transistor. An organic light emitting display device comprising: a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 구동 제어회로는,The drive control circuit, 상기 구동용 박막 트랜지스터와 접속되어 상기 구동용 박막 트랜지스터와 함께 전류미러를 형성하는 제2 스위칭용 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.And a second switching thin film transistor connected to the driving thin film transistor to form a current mirror together with the driving thin film transistor. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 구동용 박막 트랜지스터에 포함되는 반도체 층은 n+ 비정질 실리콘을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.The semiconductor layer included in the driving thin film transistor comprises n + amorphous silicon. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나의 투명 도전성 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.The anode electrode comprises at least one transparent conductive material of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO). 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 캐소드 전극은 일함수(Work Function) 값이 낮은 불투명 금속 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자.The cathode includes an opaque metal material having a low work function value. 기판 상에 구동용 박막 트랜지스터의 게이트전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode of the driving thin film transistor on the substrate; 상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the substrate to cover the gate electrode; 상기 게이트 절연막 상에 반도체 패턴을 형성하는 단계;Forming a semiconductor pattern on the gate insulating film; 상기 반도체 패턴 상에 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;Forming a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor on the semiconductor pattern; 상기 소스전극과 드레인전극이 형성된 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;Forming an interlayer insulating film on a substrate on which the source and drain electrodes are formed; 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성하여 상기 드레인전극을 노출시키는 단계;Forming a contact hole in the interlayer insulating film to expose the drain electrode; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극에 접속되는 전계 발광 셀의 불투명 캐소드전극을 형성하는 단계;Forming an opaque cathode electrode of an electroluminescent cell connected to the drain electrode through the contact hole; 상기 캐소드전극 상에 적어도 하나 이상의 유기층을 적층하는 단계; 및 Stacking at least one organic layer on the cathode; And 최상층의 상기 유기층 상에 상기 전계 발광 셀의 투명 애노드전극을 형성하는 단계를 포함하고;Forming a transparent anode electrode of said electroluminescent cell on said organic layer of a top layer; 상기 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태로 패터닝되고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조방법.And the source electrode is patterned in a ring shape surrounding the drain electrode, and the cathode is formed on the entire subpixel including the drain electrode.
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