KR101480511B1 - 금속-계면활성제층으로 코팅된 나노 결정의 제조 방법 - Google Patents

금속-계면활성제층으로 코팅된 나노 결정의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 구현예에 따르면, 콜로이드 상의 반도체 나노 결정을 합성하는 단계; 및 상기 콜로이드 상의 반도체 나노 결정에 금속염을 부가한 후 가열하여 일정시간 반응 온도를 유지함으로써 상기 반도체 나노 결정의 표면이 식각되고, 상기 식각된 표면부에 상기 금속염에서 유래한 금속-계면활성제층이 형성되는 단계를 포함하는 나노 결정의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 in-situ 식각 공정으로 나노 결정의 표면부를 식각하고, 그 표면부에 금속-계면활성제층을 형성함으로써, 표면 결함을 최소화하고, 발광 효율과 안정성이 우수한 나노 결정을 제조한다.
반도체 나노 결정, 금속-계면활성제층, 식각

Description

금속-계면활성제층으로 코팅된 나노 결정의 제조 방법{Preparation Method of Nanocrystal Passivated Metal-Surfactants Shells}
본 발명은 금속-계면활성제층으로 코팅된 나노 결정의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표면 결함을 최소화하고 발광 효율과 안정성이 우수한 나노 결정의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 나노 결정(semiconductor nanocrystal, quantum dot 이라고도 함)은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 반도체 물질로서, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되어 있다. 반도체 나노 결정은 크기가 매우 작기 때문에 단위 부피당 표면적이 넓고, 양자 구속(quantum confinement) 효과 등을 나타낸다. 따라서 반도체 물질 자체의 고유한 특성과는 다른 독특한 물리화학적 특성을 나타낸다. 특히, 나노 결정의 크기를 조절하는 방법 등을 통하여 나노 결정의 광전자로서의 특성을 조절할 수 있으며, 디스플레이 소자 또는 생체 발광 표시 소자 등으로의 응용 개발이 이루어지고 있다.
하지만 반도체 나노 결정의 표면은 산화되기 쉬운 특성을 가지고 있으므로 표면에 결함이 발생하기 쉽다. 그 결과, 반도체 나노 결정의 발광 효율이 저하되기 쉽고, 코어-쉘(core-shell) 구조의 형성이 용이하지 않다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 기존에 HF 등을 이용하여 나노 결정의 표면 결함을 제거는 방법이 사용되었으나, 이러한 방법은 오히려 나노 결정의 표면에 존재하는 유기 물질을 다량으로 제거함으로써 나노 결정의 안정성을 감소시킨다.
본 발명의 일 구현예는 표면 결함을 최소화하고 발광 효율과 안정성이 우수한 나노 결정의 제조 방법 및 이로부터 제조되는 나노 결정을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 제조 방법으로 제조된 나노 결정을 포함하는 색필터 또는 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어를 합성하는 단계; 상기 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어에 금속염을 부가한 후 가열하여 반응 온도를 유지함으로써 상기 반도체 나노 결정 코어의 표면이 식각되고, 상기 식각된 표면부에 상기 금속염에서 유래한 금속-계면활성제층이 쉘로 형성되는 단계를 포함하는 나노 결정의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 금속-계면활성제층이 형성된 후, 하기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드를 부가함으로써, 상기 금속-계면활성제층이 금속-유기리간드층으로 치환되는 단계를 더 포함하는 나노 결정의 제조 방법을 제 공한다.
[화학식 1]
Figure 112008087554337-pat00001
상기 화학식 1에서,
R은 탄화수소 화합물로서, 단량체, 올리고머, 폴리머 등을 모두 포함할 수 있고,
X는 SH, P, P=O, NH2, 및 COOH로 이루어지는 군에서 선택되는 것이고,
Y는 H, OH, N, NH2, COOH, 및 SO3 -로 이루어지는 군에서 선택되는 것이다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 나노 결정의 제조 방법으로 제조된 나노 결정을 제공한다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 나노 결정을 포함하는 색필터를 제공한다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 나노 결정을 발광 재료로 포함하는 표시 소자를 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 나노 결정의 제조 방법은 in-situ 식각 공정으로 반도체 나노 결정 코어를 식각하고, 금속-계면활성제층을 형성함으로써, 표면 결함을 최소화하고, 발광 효율과 안정성이 우수한 나노 결정을 제공한다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서, "코팅"의 의미는 피코팅물의 표면을 전부 감싸서 코어-쉘 구조를 형성하는 것을 의미한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 나노 결정의 제조 방법은 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어를 합성하는 단계; 상기 반도체 나노 결정 코어에 금속염을 부가한 후 가열하여 반응 온도를 유지함으로써 상기 반도체 나노 결정 코어의 표면이 식각되고, 상기 식각된 표면부에 상기 금속염에서 유래한 금속-계면활성제층이 형성되는 단계를 포함한다.
이하 상기 제조 방법의 각 단계에 대하여 자세하게 설명하도록 한다.
먼저, 콜로이드 상의 반도체 나노 결정을 합성한다. 상기 콜로이드 상의 반도체 나노 결정을 합성하는 방법의 일 예로는 유기 용매, 계면 활성제 및 양이온 전구체를 혼합하고, 상기 혼합물을 가열한 후 반응 온도를 유지하면서 음이온 전구체를 부가하는 방법이 있다. 유기 용매, 계면 활성제 및 양이온 전구체를 혼합하는 방법에는 유기 용매와 계면 활성제 중에 양이온 전구체를 부가하거나 유기 용매, 계면 활성제 및 양이온 전구체를 동시에 혼합하는 방법을 모두 포함하며, 특별히 이에 한정되지 않는다.
상기 유기 용매로는 탄소수 6 내지 24의 일차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 24의 이차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 24의 삼차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 24의 일차 알코올, 탄소수 6 내지 24의 이차 알코올, 탄소수 6 내지 24의 삼차 알코올, 탄소수 6 내지 24의 케톤 및 에스테르, 탄소수 6 내지 24의 질소 또는 황을 포함한 헤테로 고리 화합물, 탄소수 6 내지 24의 알칸, 탄소수 6 내지 24의 알켄, 탄소수 6 내지 24의 알킨, 트리옥틸포스핀과 같은 탄소수 6 내지 24의 트리알킬포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드와 같은 탄소수 6 내지 24의 트리알킬 포스핀 옥사이드 등을 예로 들 수 있다.
상기 계면 활성제로는 말단에 -COOH기를 가진 탄소수 6 내지 24의 알칸 또는 알켄, 말단에 -POOH기를 가진 탄소수 6 내지 24의 알칸 또는 알켄, 말단에 -SOOH기를 가진 탄소수 6 내지 24의 알칸 또는 알켄, 말단에 -NH2기를 가진 탄소수 6 내지 24의 알칸 또는 알켄 등을 예로 들 수 있다. 구체적으로, 올레인산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스폰산(hexyl phosphonic acid), n-옥틸 포스폰산(n-octyl phosphonic acid), 테트라데실 포스폰산(tetradecyl phosphonic acid), 옥타데실포스폰산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민(n-octylamine), 헥사데실아민(hexadecyl amine) 등이 있다.
상기 양이온 전구체의 예로는 Zn, Cd, Hg 등의 II족 원소의 전구체; Al, Ga, In, Ti 등의 III족 원소의 전구체; 또는Si, Ge, Sn, Pb 등의 IV족 원소의 전구체를 들 수 있다. 상기 음이온 전구체의 예로는 P, As, Sb, Bi등의 V족 원소의 전구체; O, S, Se, Te 등의 VI족 원소의 전구체를 들 수 있다. 아울러, 이들 양이온 및 음이온 전구체는 각 원소의 카르복실레이트(carboxylate), 카르보네이트(carbonate), 할라이드(halide), 나이트레이트(nitrate), 포스페이트(phosphate), 설페이트(sulfate) 등의 염 형태로 사용된다. 나아가, II족 원소의 전구체와 VI 족 원소의 전구체; III족 원소의 전구체와 V족 원소의 전구체; 그리고 IV족 원소의 전구체와 VI족 원소의 전구체를 각각 사용하여 II-VI족 반도체, III-V족 반도체, IV족 반도체 및 IV-VI족 반도체로 이루어지는 군에서 선택되는 반도체 나노 결정 코어를 합성한다.
상기 혼합물을 제조할 때, 진공 중에서 100℃ 이상의 반응 온도를 1 내지 3 시간 정도 유지함으로써, 상기 혼합물 중의 소량의 물과 불순물을 제거한다. 불활성 기체 분위기 하에 상기 혼합물을 가열하여 대략 100 내지 350℃ 정도의 반응 온도를 일정하게 유지하는 상태에서, 상기 혼합물에 상기 음이온 전구체를 부가하여 1 분 이상의 소정의 시간 동안 반응시킨다. 이러한 반응 온도는 반응물의 특성에 따라 정해진다. 이 후, 반응물을 상온으로 냉각하면, 콜로이드 상의 반도체 나노 결정이 생성된다.
그런 다음, 상기 얻어진 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어에 금속염을 부가한 후 가열하여 반응 온도를 유지한다.
상기 금속염을 이루는 금속의 예로는 Mg, Al, Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, W 등이 있다.
상기 금속염은 이온화되어 유기산 또는 무기산을 형성할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 즉 상기 금속을 포함하는 유기산염 또는 무기산염이 사용될 수 있다. 이들의 구체적인 예로는 상기 금속을 포함하는 카르복실레이트, 카르보네이트, 할라이드, 나이트레이트, 포스페이트, 설페이트 등이 있다. 상기 카르복실레이트의 구체적인 예로는 아세테이트, 프로피오네이트 등이 있다. 이와 같은 유기산염 또는 무기산염의 분해에 의해 말단에 -COOH기를 가진 탄소수 1 내지 16의 알칸 또는 알켄을 생성할 수 있다.
상기 금속염은 반도체 나노 결정 코어 1몰에 대하여 0.1 내지 10 몰의 양으로 사용될 수 있다. 상기 금속염의 사용량이 상기 범위로 사용될 경우 적절한 정도의 식각을 유도하면서 안정된 금속-계면활성제층이 형성된 코어-쉘 구조의 나노결정을 얻을 수 있다.
상기 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어에 상기 금속염을 부가할 때, 상온에서 상기 금속염을 부가한 후, 가열하여 대략 150 내지 260℃ 정도의 반응 온도를 일정하게 유지한다. 이때, 상기 반도체 나노 결정 코어의 표면이 식각되고, 상기 식각된 표면부에 상기 금속-계면활성제층이 형성된다. 상기 부가된 금속염이 분해되면 산(acid)이 생성되며, 이러한 산이 상기 반도체 나노 결정 코어의 표면을 식각한다. 나아가, 상기 금속염에서 유래한 금속은 자유롭게 존재하는 계면활성제와 결합하여 식각된 표면부에 금속-계면활성제층으로 변할 수도 있고, 또는 상기 금속염에서 유래한 금속이 상기 콜로이드 상의 반도체 나노 결정의 표면에 존재하는 계면 활성제와 결합하여 금속-계면활성제층을 형성할 수도 있다.
예를 들어, 상기 반도체 나노 결정 코어로 InP를 사용하고 금속염으로 아연 아세테이트를 사용하는 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 아연 아세테이트의 분해에 의하여 생성된 아세트산에 의해 InP 코어의 표면이 식각되어 아연-팔미테이트로 바뀌는데, 이러한 in-situ 식각 공정은 산화가 쉽게 되는 반도체 나노 결정 코어를 공기 중에 노출시키지 않기 때문에, 반도체 나노 결정 코어의 표면 결함을 최소화한 상태에서 금속-계면활성제층을 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 반응에 의하여 반도체 나노 결정 코어의 표면에 금속-계면활성제층이 형성된 코어-쉘 구조의 나노 결정이 얻어진다. 상기 금속-계면활성제층이 식각된 코어의 표면부에 형성되어 있는 반도체 나노 결정은 이 층이 없는 경우보다 발광 효율이 크게 향상되며, 공기 중에서 산화 안정성이나 열 안정성이 증가한다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 나노 결정의 식각된 표면부에 상기 금속-계면활성제층이 형성된 후, 하기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드를 부가함으로써, 상기 금속-계면활성제층의 계면활성제가 유기 리간드로 치환되어 금속-유기 리간드 층을 형성하게 되고, 금속-유기 리간드층이 금속-계면활성제보다 더욱 강한 결합을 유지할 수 있으면 결함이 줄어드는 효과가 있어, 반도체 나노 결정의 효율 및 안정성이 더욱 증가한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 것처럼, 표면이 아연-팔미테이트인 나노 결정에 유기 리간드로서 1-도데칸티올을 첨가하는 경우, 팔미테이트가 티올레이트로 치환되어 표면에 아연-티올레이트가 형성된다.
[화학식 1]
Figure 112008087554337-pat00002
상기 화학식 1에서,
R은 탄화수소 화합물이고, 단량체, 올리고머, 폴리머 등을 모두 포함할 수 있고,
X는 SH, P, P=O, NH2, 및 COOH로 이루어지는 군에서 선택되는 것이고,
Y는 H, OH, N, NH2, COOH, 및 SO3 -로 이루어지는 군에서 선택되는 것이다.
상기 유기 리간드의 구체적인 예로는 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올 등의 티올; 머캅토 메탄올, 머캅토 에탄올, 머캅토 프로판올, 머캅토 부탄올, 머캅토 펜탄올, 머캅토 헥산올 등의 머캅토 스페이서 알코올; 머캅토 아세트산, 머캅토 프로피온산, 머캅토 부탄산, 머캅토 헥산산, 머캅토 헵탄산 등의 머캅토 스페이서 카르본산; 머캅토 메탄 술폰산, 머캅토 에탄 술폰산, 머캅토 프로판 술폰산, 머캅토 벤젠 술폰산 등의 머캅토 스페이서 술폰산; 머캅토 메탄 아민, 머캅토 에탄 아민, 머캅토 프로판 아민, 머캅토 부탄 아민, 머캅토 펜탄 아민, 머캅토 헥산 아민, 머캅토 피리딘 등의 머캅토 스페이서 아민; 머캅토 메틸 티올, 머캅토 에틸 티올, 머캅토 프로필 티올, 머캅토 부틸 티올, 머캅토 펜틸 티올 등의 머캅토 스페이서 티올; 메탄 아민, 에탄 아민, 프로판 아민, 부탄 아민, 펜탄 아민, 헥산 아민, 옥탄 아민, 도데칸 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디피리필 아민 등의 아민; 아미노 메탄올, 아미노 에탄올, 아미노 프로판올, 아미노 부탄올, 아미노 펜탄올, 아미노 헥산올 등의 아미노 스페이서 알코올; 아미노 아세트산, 아미노 프로피온산, 아미노 부탄산, 아미노 헥산산, 아미노 헵탄산 등의 아미노 스페이서 카르본산; 아미노 메탄 술폰산, 아미노 에탄 술폰산, 아미노 프로판 술폰산, 아미노 벤젠 술폰산 등의 아미노 스페이서 술폰산; 아미노 메탄 아민, 아미노 에탄 아민, 아미노 프로판 아민, 아미노 부틸 아민, 아미노 펜틸 아민, 아미노 헥실 아민, 아미노 벤젠 아민, 아미노 피리딘 등의 아미노 스페이서 아민 또는 디아민; 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산 등의 카르복시산; 카르복시산 메탄올, 카르복시산 에탄올, 카르복시산 프로판올, 카르복시산 부탄올, 카르복시산 펜탄올, 카르복시산 헥산올 등의 카르복시산 스페이서 알코올; 카르복시산 메탄 술폰산, 카르복시산 에탄 술폰산, 카르복시산 프로판 술폰산, 카르복시산 벤젠 술폰산 등의 카르복시산 스페이서 술폰산, 카르복시산 메탄 카르복시산, 카르복시산 에탄 카르복시산, 카르복시산 프로판 카르복시산, 카르복시산 프로판 카르복시산, 카르복시산 벤젠 카르복시산 등의 카르복시산 스페이서 카르복시산; 메틸 포스핀, 에틸 포스핀, 프로필 포스핀, 부틸 포스핀, 펜틸 포스핀 등의 포스핀; 포스핀 메탄올, 포스핀 에탄올, 포스핀 프로판올, 포스핀 부탄올, 포스핀 펜탄올, 포스핀 헥산올 등의 포스핀 스페이서 알코올; 포스핀 메탄 술폰산, 포스핀 에탄 술폰산, 포스핀 프로판 술폰산, 포스핀 벤젠 술폰산 등의 포스핀 스페 이서 술폰산; 포스핀 메탄 카르복시산, 포스핀 에탄 카르복시산, 포스핀 프로판 카르복시산, 포스핀 벤젠 카르복시산 등의 포스핀 스페이서 카르복시산; 포스핀 메탄 아민, 포스핀 에탄 아민, 포스핀 프로판 아민, 포스핀 벤젠 아민 등의 포스핀 스페이서 아민; 메틸 포스핀 옥사이드, 에틸 포스핀 옥사이드, 프로필 포스핀 옥사이드, 부틸 포스핀 옥사이드 등의 포스핀 옥사이드; 포스핀 옥사이드 메탄올, 포스핀 옥사이드 에탄올, 포스핀 옥사이드 프로판올, 포스핀 옥사이드 부탄올, 포스핀 옥사이드 펜탄올, 포스핀 옥사이트 헥산올 등의 포스핀 옥사이드 알코올; 포스핀 옥사이드 메탄 술폰산, 포스핀 옥사이드 에탄 술폰산, 포스핀 옥사이드 프로판 술폰산, 포스핀 옥사이드 벤젠 술폰산 등의 포스핀 옥사이드 스페이서 술폰산; 포스핀 옥사이드 메탄 카르복시산, 포스핀 옥사이드 에탄 카르복시산, 포스핀 옥사이드 프로판 카르복시산, 포스핀 옥사이드 벤젠 카르복시산 등의 포스핀 옥사이드 스페이서 카르복시산; 포스핀 옥사이드 메탄 아민, 포스핀 옥사이드 에탄 아민, 포스핀 옥사이드 프로판 아민, 포스핀 옥사이드 벤젠 아민 등의 포스핀 옥사이드 스페이서 아민을 들 수 있다. 상기 스페이서의 예로는 탄소수 1 내지 16의 알킬렌, 탄소수 6 내지 24의 아릴렌 등이 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 나노 결정을 포함하는 색필터가 제공된다. 색필터는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD) 등의 표시 장치에 사용되며, 일반적으로 적색, 녹색, 청색의 기본색(primary color)을 가진다. 또한 표시 장치에서 일반적으로 하나의 화소(pixel)에는 한 개의 색필터가 포함된다. 색필터는 반도체 나노 결정 외에도 안료, 감광성 유기물, 무기물 등 을 포함할 수 있다. 또한 색필터는 필름의 형태로 제조되어 표시 장치의 적절한 위치에 부착될 수 있고, 또는 용액의 상태로 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅 등의 방법으로 코팅될 수도 있다. 색필터를 제조하는 방법 자체는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명을 생략하기로 한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 나노 결정을 발광 재료로 포함하는 표시 소자가 제공되며, 표시 소자로는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 등이 있다. 일반적으로 유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극 사이에 유기 발광층을 형성하고, 2개의 전극으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 유기 발광층 내로 주입시켜 전자와 정공의 결합에 따른 여기자(exciton)를 생성하고, 이 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 광이 발생하는 원리를 이용한 소자이다.
예를 들어, 도 2에 도시된 것처럼, 유기 발광 표시 장치는 유기 기판(10) 위에 양극(anode)(20)이 위치한다. 상기 양극 물질로는 정공의 주입이 가능하도록 높은 일 함수(work function)를 갖는 물질로 이루어지는 것이 바람직한데, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐 산화물의 투명산화물 등이 사용될 수 있다.
양극(20) 위에는 정공 전달층(hole transport layer, HTL)(30), 발광층(emission layer, EL)(40), 전자 전달층(electron transport layer, ETL)(50)이 차례로 형성되어 있다. 정공 전달층(30)은 p 형 반도체를 포함할 수 있으며, 전자 전달층(50)은 n형 반도체 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 발광층(40)은 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 코어-쉘 구조의 나노 결정을 포함한다.
전자 전달층(50) 위에는 음극(cathode)(60)이 형성되어 있다. 상기 음극 물질로는 통상 전자 전달층(50)으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 및 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al, 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 양극(20), 정공 전달층(30), 발광층(40), 전자 전달층(50), 및 음극(60) 각각을 제조하는 방법과 이들을 조립하는 방법 자체는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명을 생략하기로 한다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
　 < 실시예 1>: 520 nm 발광 InP / Zn - palmitate 나노 결정의 제조
인듐 아세테이트(0.04 mmol, 11.34 mg)를 팔미트 산(0.12 mmol, 30.77 mg)과 옥타데센(2 mL)의 혼합물에 첨가하였고, 110℃로 가열한 후, 소량의 물을 제거하기 위하여 1.5 시간 동안 진공 상태로 유지하였다. 한편, 옥타데센(3 mL)에 트리메틸실릴-3-포스핀(0.02 mmol, 5 mg)을 녹여 용액을 제조하였다. 진공 상태로 유지한 상기 혼합물을 아르곤 분위기 하에서 300 ℃로 가열한 후 상기 용액을 부가하였다. 그런 다음, 상온으로 빠르게 냉각하여 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하였다.
상온의 상기 콜로이드 상의 InP 나노 결정에 아연 아세테이트(0.1 mmol, 18.35 mg)를 첨가한 후, 가열하여 온도를 230℃로 증가시켰다. 다음, PL 강도가 증가할 때까지 1-2 시간 간격으로 결정의 성장을 관찰한 후, 상온으로 냉각시켜 콜로이드 상의 InP 코어/Zn-palmitate 쉘 구조의 나노 결정을 제조하였다. 다음, 이소프로판올(40 mL)에 침전시킨 후 분리하였고, 다시 톨루엔에 용해시킴으로써, 불필요한 부산물이 제거된InP코어/ Zn-palmitate 쉘 구조의 나노 결정을 얻었다. 상기 InP/Zn-palmitate 나노 결정은, 도 3에 도시된 것처럼, 520 nm에서 발광을 한 것을 알 수 있다.
　 < 실시예 2>: 580 nm 발광 InP / Zn - palmitate 나노 결정의 제조
인듐 아세테이트 0.12 mmol(34.034 mg)을 팔미트 산 0.36 mmol(92.31 mg)과 옥타데센 2 mL의 혼합물에 첨가하였고, 옥타데센 1 mL에 트리메틸실릴-3-포스핀 0.06 mmol(15 mg)을 녹여 주입 용액을 제조하였고, 270℃로 가열한 후 30분 동안 유지 한 후 상온으로 냉각시켰고, 아연 아세테이트 0.30 mmol(55.04 mg)를 첨가하였고, 3-4 시간 간격으로 결정의 성장을 관찰한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 아연 옥사이드가 표면에 생성된 InP 나노 결정을 제조하였다. 상기 InP/Zn-palmitate 나노 결정은, 도 4에 도시된 것처럼, 580 nm에서 발광을 한 것을 알 수 있다.
　 < 실시예 3>: 600 nm 발광 InP / Zn - palmitate 나노 결정의 제조
인듐 아세테이트 0.16 mmol(46.71 mg)을 팔미트 산 0.48 mmol(122.94 mg)과 옥타데센 8 mL의 혼합물에 첨가하였고, 옥타데센 1 mL에 트리메틸실릴-3-포스핀 0.08 mmol(20 mg)을 녹여 주입 용액을 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 실시하여 InP 코어/Zn-palmitate 쉘 구조의 나노 결정을 제조하였다. 상기 InP/Zn-palmitate 나노 결정은, 도 5에 도시된 것처럼, 600 nm에서 발광을 한 것을 알 수 있다.
< 실시예 4>: InP / Zn - thiolate 나노 결정의 제조
실시예 2에서 PL 강도가 증가할 때까지 1-2 시간 간격으로 결정의 성장을 관찰한 후, 상온으로 냉각시키기 전, 1-도데칸티올 0.04 mmol(8.09 mg)을 주입하여 1 시간 동안 반응시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 실시하였다.
　 < 비교예 1>: InP 나노 결정의 제조
실시예 1에서 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하는 방법과 동일하게 실시하여 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하였다.
　 < 비교예 2>: InP 나노 결정의 제조
실시예 2에서 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하는 방법과 동일하게 실 시하여 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하였다.
　 < 비교예 3>: InP 나노 결정의 제조
실시예 3에서 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하는 방법과 동일하게 실시하여 콜로이드 상의 InP 나노 결정을 제조하였다.
흡수 및 발광 스펙트럼의 측정
실시예 1 내지 3에 따른 콜로이드 상의 InP코어/Zn-palmitate 쉘 구조의 나노 결정과 비교예 1 내지 3에서 제조된 콜로이드 상의InP 나노 결정의 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼을 측정하였다.
도 3은 실시예 1과 비교예 1의 결과를 나타내는 그래프이다. 흡수 스펙트럼 곡선의 피크가 좌측으로 이동한 사실로부터, 실시예 1에서 제조된 InP/Zn-palmitate에서 InP의 반경이 비교예 1에서 제조된 InP의 반경보다 작다는 것을 알 수 있다. 따라서 실시예 1에서 InP의 표면이 식각된 것이다.
아울러 InP/ Zn-palmitate의 발광 스펙트럼은 520 nm에서 강한 피크로 보였지만, InP의 발광 스펙트럼은 미세한 피크를 보였다는 사실로부터, InP/Zn-palmitate 의 발광 효율이 크게 증가하였다는 것을 알 수 있다.
도 4는 실시예 2와 비교예 2의 결과를 나타내는 그래프이다. InP/ Zn-palmitate의 발광 스펙트럼이 580 nm에서 강한 피크를 보였다는 것을 제외하고는 상술한 도 3의 설명이 동일하게 적용된다.
도 5는 실시예 3와 비교예 3의 결과를 나타내는 그래프이다. InP/ Zn-palmitate 의 발광 스펙트럼이 600 nm에서 강한 피크를 보였다는 것을 제외하고는 상술한 도 3의 설명이 동일하게 적용된다.
결정 크기 측정
실시예 2에서 제조된 InP/Zn-palmitate 나노 결정 입자의 TEM 사진을 촬영하였다. 도 6은 실시예 2에서 제조된 나노 결정 입자의 TEM 사진이다. 입자의 크기는 약 3.6 nm임을 확인하였다.
안정성 측정
실시예 2, 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조된 콜로이드 상의 나노 결정을 공기 중에 방치하여 양자수율의 변화를 측정하였다.
도 7은 실시예 2, 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조된 콜로이드 상의 나노 결정의 공기 중에서의 안정성을 나타내는 그래프이다. 이로부터 Zn-palmitate가 표면에 형성되거나, 표면에 티올이 결합되었을 때 안정성이 우수하다는 것을 알 수 있다.
실시예 2, 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조된 콜로이드 상의 나노 결정에 대하여 양자 수율의 변화를 측정하였다.
도 8은 실시예 2, 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조된 콜로이드 상의 나노 결정의 열적 안정성을 나타내는 그래프이다. 이로부터 Zn-palmitate가 표면에 형성 되거나, 표면에 티올이 결합되었을 때 안정성이 우수하다는 것을 알 수 있다
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 나노 결정의 한 가지 예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 나노 결정을 포함하는 표시 소자를 나타내는 개략도이다.
도 3은 각각 실시예 1에 따른 InP/Zn-palmitate와 비교예 1에 따른 InP의 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼을 비교하는 그래프이다.
도 4는 각각 실시예 2에 따른 InP/Zn-palmitate와 비교예 2에 따른 InP의 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼을 비교하는 그래프이다.
도 5는 각각 실시예 3에 따른 InP/Zn-palmitate와 비교예 3에 따른 InP의 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼을 비교하는 그래프이다.
도 6은 실시예 2에 따른 InP/Zn-thiolate의 TEM 사진이다.
도 7은 실시예 2, 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조된 InP, InP/Zn-palmitate, InP/Zn-thiolate 산화 안정성을 비교하는 그래프이다.
도 8은 실시예 2, 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조된 InP, InP/Zn-palmitate, InP/Zn-thiolate 열적 안정성을 비교하는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 20: 양극 (anode)
30: 정공 전달층(HTL) 40: 발광층(EL)
50: 전자 전달층(ETL) 60: 음극 (cathode)

Claims (13)

  1. 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어를 합성하는 단계;
    상기 콜로이드 상의 반도체 나노 결정 코어에 금속염을 부가한 후 가열하여 반응 온도를 유지하는 단계를 포함하고, 상기 반도체 나노 결정 코어의 표면이 식각되고, 상기 식각된 표면부에 상기 금속염에서 유래하는 금속-계면활성제층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속-계면활성제층이 형성된 후, 하기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드를 부가함으로써, 상기 금속-계면활성제층이 금속-유기리간드층으로 치환되는 단계를 포함하는 나노 결정의 제조 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112014089883218-pat00012
    상기 화학식 1에서,
    R은 C와 H로 이루어지는 탄소 화합물이고,
    X는 SH, P, P=O, NH2, 및 COOH로 이루어지는 군에서 선택되는 것이고,
    Y는 H, OH, N, NH2, COOH, 및 SO3 -로 이루어지는 군에서 선택되는 것이다.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노 결정 코어는 II-VI족 반도체, III-V족 반도체, IV족 반도체 및 IV-VI족 반도체로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 나노 결정의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 금속염은 Mg, Al, Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, W 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 나노 결정의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 금속염은 카르복실레이트(carboxylate), 카르보네이트(carbonate), 할라이드(halide), 나이트레이트(nitrate), 포스페이트(phosphate), 설페이트(sulfate) 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 나노 결정의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 금속염은 반도체 나노 결정 코어 1몰에 대하여 0.1 내지 5 몰의 양으로 사용되는 것인 나노결정의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 반응 온도는 150 내지 260 ℃인 나노 결정의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노 결정 코어를 합성하는 단계는
    유기 용매, 계면 활성제 및 양이온 전구체를 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합물을 가열한 후 반응 온도를 유지하면서 음이온 전구체를 부가하는 단계를 포함하는 나노 결정의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 반응 온도는 150℃ 내지 350℃인 나노 결정의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 양이온 전구체와 상기 음이온 전구체는 II족 원소 전구체와VI족 원소 전구체, III족 원소 전구체와 V족 원소 전구체, 및IV족 원소 전구체와 VI족 원소 전구체로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 나노 결정의 제조 방법.
  11. 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 결정의 제조 방법으로 제조된 나노 결정.
  12. 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 결정의 제조 방법으로 제조된 나노 결정을 포함하는 색필터.
  13. 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 결정의 제조 방법으로 제조된 나노 결정을 발광 재료로 포함하는 표시 소자.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110049442A1 (en) * 2009-03-31 2011-03-03 Schreuder Michael A Surface structures for enhancement of quantum yield in broad spectrum emission nanocrystals
EP2675618B1 (en) * 2011-02-17 2018-07-04 Vanderbilt University Enhancement of light emission quantum yield in treated broad spectrum nanocrystals
JP5964744B2 (ja) * 2012-12-26 2016-08-03 富士フイルム株式会社 半導体膜の製造方法
US11746290B2 (en) 2013-09-26 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same
KR102571056B1 (ko) 2016-12-27 2023-08-29 삼성전자주식회사 양자점 제조 방법, 이로부터 제조된 양자점, 및 이를 포함하는 전자 소자
US10768485B2 (en) 2017-07-05 2020-09-08 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot architectures for color filter applications
WO2020053429A2 (en) * 2018-09-14 2020-03-19 Seaborough Ip I B.V. Method for treating a luminescent material comprising organic ligands
EP3623448A1 (en) * 2018-09-14 2020-03-18 Seaborough IP I B.V. Method for treating a luminescent material comprising organic ligands
CN109468134B (zh) * 2018-10-18 2020-12-01 浙江大学 量子点、制作方法、单光子源和qled

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621308B1 (ko) * 2004-05-28 2006-09-14 삼성전자주식회사 다중 파장에서 발광하는 황화 카드뮴 나노 결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 황화 카드뮴 나노 결정
KR20070029915A (ko) * 2005-09-12 2007-03-15 삼성전기주식회사 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된나노결정

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5505928A (en) 1991-11-22 1996-04-09 The Regents Of University Of California Preparation of III-V semiconductor nanocrystals
WO2002029140A1 (en) 2000-10-04 2002-04-11 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Synthesis of colloidal nanocrystals
US6939604B1 (en) * 2000-10-19 2005-09-06 Arch Development Corporation Doped semiconductor nanocrystals
EP1412563B1 (en) 2001-07-30 2010-02-10 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Method of preparation of colloidal nanocrystals in non-coordinating solvents
JP2003064278A (ja) 2001-08-23 2003-03-05 Mitsubishi Chemicals Corp コアシェル型半導体ナノ粒子
EP1436844B1 (en) 2001-09-05 2016-03-23 Rensselaer Polytechnic Institute Passivated nanoparticles, method of fabrication thereof, and devices incorporating nanoparticles
EP1590171B1 (en) 2003-01-22 2011-06-08 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
FR2862955B1 (fr) * 2003-12-02 2006-03-10 Commissariat Energie Atomique Nanocristaux inorganiques a couche de revetement organique, leur procede de preparation, et materiaux constitues par ceux-ci.
WO2005110916A2 (en) * 2004-05-10 2005-11-24 Evident Technologies Iii-v semiconductor nanocrystal complexes and methods of making same
EP1812335A4 (en) 2004-11-19 2009-07-01 Agency Science Tech & Res PREPARATION OF CORE / SHELL SEMICONDUCTOR ANOKRISTALS IN AQUEOUS SOLUTIONS
US8134175B2 (en) 2005-01-11 2012-03-13 Massachusetts Institute Of Technology Nanocrystals including III-V semiconductors
TWI273719B (en) 2005-12-30 2007-02-11 Ind Tech Res Inst Nanocrystal and photovoltaics applying the same
KR100841186B1 (ko) 2007-03-26 2008-06-24 삼성전자주식회사 다층 쉘 구조의 나노결정 및 그의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621308B1 (ko) * 2004-05-28 2006-09-14 삼성전자주식회사 다중 파장에서 발광하는 황화 카드뮴 나노 결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 황화 카드뮴 나노 결정
KR20070029915A (ko) * 2005-09-12 2007-03-15 삼성전기주식회사 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된나노결정

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