KR101444982B1 - 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전지 모듈 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 231
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 231
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 22
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 13
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 11
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 9
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 8
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002964 rayon Substances 0.000 claims description 8
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 6
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 5
- DZSVIVLGBJKQAP-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methyl-5-propan-2-ylcyclohex-2-en-1-yl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1CC(C(C)C)CC=C1C DZSVIVLGBJKQAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WOAMRAPSJUZQJV-UHFFFAOYSA-N 3-oxopent-4-ene-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(C)C(=O)C=C WOAMRAPSJUZQJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006322 acrylamide copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 4
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 4
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 5
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 claims 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 58
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 58
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 5
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 5
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000247 superabsorbent polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100025250 C-X-C motif chemokine 14 Human genes 0.000 description 2
- 101000858068 Homo sapiens C-X-C motif chemokine 14 Proteins 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- CYKDLUMZOVATFT-UHFFFAOYSA-N ethenyl acetate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(=O)OC=C CYKDLUMZOVATFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
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- Y10T442/102—Woven scrim
- Y10T442/133—Inorganic fiber-containing scrim
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- Y10T442/2123—At least one coating or impregnation contains particulate material
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Abstract
본 발명은 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법, 광전지 모듈용 배면시트, 이의 제조 방법 및 광전지 모듈에 관한 것으로, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 다공성 기재의 표면에 코팅하거나 함침시킴으로써, 다공성 기재 및 상기 다공성 기재의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 포함하는 수지층을 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트를 제조할 수 있다. 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트를 광전지 모듈용 백시트의 외층에 부착하여 광전지 모듈용 배면 시트를 제조할 경우, 상기 고흡수성 수지에 함유된 유체, 특히 물의 증발에 의해 광전지의 발전 온도 상승을 억제하여 광전지 모듈의 발전 효율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법, 광전지 모듈용 배면 시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전지 모듈에 관한 것이다.
최근 지구 환경 문제와 화석 연료의 고갈 등에 따른 신 재생 에너지 및 청정 에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중 태양광 에너지는, 환경 오염 문제 및 화석 연료 고갈 문제를 해결할 수 있는 대표적인 무공해 에너지원으로 주목을 받고 있다.
태양광 발전원리가 적용되는 광전지는 태양광을 전기 에너지로 전환시키는 소자로서, 태양광을 용이하게 흡수할 수 있도록 외부환경에 장기간 노출되어야 하므로, 셀을 보호하기 위한 여러 가지 패키징이 수행되어 유닛(unit) 형태로 제조되며, 이러한 유닛을 광전지 모듈(Photovoltaic Modules)이라 한다.
일반적으로 광전지 모듈의 효율을 높이기 위해서는 광전지 표면에 가능한 다량의 태양광이 흡수되는 것이 좋다. 그러나, 다량의 태양광이 흡수되는 경우, 광전지의 발전 온도가 상승하여 광전지 자체의 출력 값이 낮아지며, 이로 인해 광전지 모듈의 전체 효율이 낮아질 수 있다. 따라서, 광전지 모듈의 효율을 향상시키기 위해서는 광전지의 발전 온도 상승을 억제할 필요가 있다.
최근 광전지 모듈의 열을 효과적으로 방출하기 위하여, 알루미늄 금속 등으로 이루어진 별도의 냉각핀 등을 광전지 모듈용 백시트 위에 설치함으로써 광전지 모듈의 효율을 향상시키려고 시도하고 있지만, 상기의 경우, 모든 추가 재료비 및 설치비가 증가하게 되는 문제점 있다.
이에 따라, 당 기술분야에서는 광전지의 발전 온도 상승을 효과적으로 억제하여 광전지 모듈의 효율을 향상시킬 수 있으면서도 생산 비용이 저렴하도록 하기 위하여, 간단한 구조를 가진 광전지 모듈에 대한 개발이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법, 광전지 모듈용 배면 시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전지 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 다공성 기재; 상기 다공성 기재의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 포함하는 수지층을 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트를 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재를 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트를 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 다공성 기재 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재의 표면에 코팅하고, 건조시켜 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 수지층이 형성된 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재에 함침하고, 건조시키는 단계; 및 상기 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 백시트; 및 상기 백시트의 표면에 형성되는 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트를 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 백시트의 표면에 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 부착하는 단계를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 백시트의 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 수지층의 표면에 다공성 기재를 형성하는 단계를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트를 포함하는 광전지 모듈을 제공한다.
본 발명은 광전지 모듈용 냉각시트 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 다공성 기재의 표면에 코팅하거나 함침시킴으로써 광전지 모듈용 냉각시트를 제조하고, 상기 광전지 모듈용 냉각시트를 광전지 모듈용 백시트의 외층에 부착하여 광전지 모듈용 배면 시트를 제조할 경우, 상기 고흡수성 수지에 함유된 유체, 특히 물의 증발에 의해 광전지 모듈의 발전 온도 상승을 억제하여 광전지 모듈의 발전 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 다양한 예시에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 6는 본 발명의 일 구체예에 따른 광전지 모듈용 배면 시트의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 7 및 8 은 본 발명의 다양한 예시에 따른 광전지 모듈의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 실시예 1의 시편의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하지 않는 비교예 1의 시편의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 12는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 시편의 전압 변화에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 13은 실시예 2 및 비교예 2에서 제조된 광전지 모듈의 태양광 발전에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6는 본 발명의 일 구체예에 따른 광전지 모듈용 배면 시트의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 7 및 8 은 본 발명의 다양한 예시에 따른 광전지 모듈의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 실시예 1의 시편의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하지 않는 비교예 1의 시편의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 12는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 시편의 전압 변화에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 13은 실시예 2 및 비교예 2에서 제조된 광전지 모듈의 태양광 발전에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
본 발명은 다공성 기재; 상기 다공성 기재의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 포함하는 수지층을 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트를 구체적으로 설명한다.
첨부된 도 1 및 도 2 는 본 발명의 일 구체예에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 단면도를 나타내는 도면이다. 첨부된 도 1 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트(10)는 다공성 기재(11); 및 상기 다공성 기재(11)의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지(12)를 포함하는 수지층(13)을 포함하는 구조일 수 있다.
또한, 첨부된 도 2 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트(20)는 다공성 기재(11); 상기 다공성 기재(11)의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지(12)를 포함하는 수지층(13); 및 상기 수지층(13)의 표면에 형성되는 다공성 기재(21)를 포함하는 구조일 수 있다.
본 발명에서 상기 광전지 모듈용 냉각시트에 포함되는 다공성 기재의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 공지된 다양한 소재를 사용할 수 있으나, 바람직하게는 부직포(non-woven fabric), 망사(mesh) 및 폼(foam)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 용어인 『부직포』는 섬유를 직포 공정을 거치지 않고, 평행 또는 부정방향으로 배열하고 합성수지 접착제로 결합하여 펠트 모양으로 만든 것을 의미한다.
또한, 본 발명에서 사용되는 용어인 『망사』는 그물과 같이 성기게 짠 것을 의미한다.
또한, 본 발명에서 사용되는 용어인 『폼』은 고체에 기체 또는 액체의 발포제를 분산시킨 복합 재료를 의미한다.
본 발명에서 상기 다공성 기재로는 구체적으로, 불소계 부직포, 폴리에스테르계 부직포, 폴리프로필렌계 부직포, 레이온계 부직포, 나일론계 부직포, 폴리에스테르계 망사, 폴리프로필렌계 망사, 레이온계 망사, 나일론계 망사 및 우레탄 폼으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 다공성 기재의 두께는 특별히 제한되지 않고, 그 적용 용도에 따라 적절히 선택될 수 있으나, 바람직하게는 0.01 mm 내지 10 mm, 보다 바람직하게는 0.05 mm 내지 1 mm일 수 있다. 상기 다공성 기재의 두께가 0.01 mm 미만이면, 고흡수성 수지의 무게를 지탱할 충분한 기계적 특성의 확보가 어려울 수 있고, 10 mm를 초과하면, 생산 원가 상승의 원인이 될 수 있다.
본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트는 상기 다공성 기재의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 포함하는 수지층을 포함할 수 있다. 본 발명에서 상기 수지층은 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 포함하고 있어, 수지층의 주변에 열이 발생하는 경우, 고흡수성 수지에 함유된 유체가 증발되면서 주변의 열을 흡수하기 때문에 수지층의 주변을 냉각시키는 역할을 할 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지에 함유되는 유체의 종류는 특별히 제한되지 않고, 증발에 의해 주변의 열을 흡수할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 유체의 예로서, 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 물을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지(SAP, super absorbent polymer)는 유체를 함유하고 있으며, 수지층 주변에 열이 발생함에 따라, 함유하고 있는 유체를 방출할 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 유체, 특히 물에 대한 흡수 능력이 뛰어난 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 고흡수성 수지의 예로서, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산염, 폴리아크릴산염 그래프트 중합체, 전분, 가교된 카르복시메틸화 셀룰로오스, 아크릴산 공중합체, 가수분해된 전분-아크릴니트릴 그래프트 공중합체, 전분-아크릴산 그래프트 공중합체, 비누화 비닐 아세테이트-아크릴산 에스테르 공중합체, 가수분해된 아크릴로니트릴 공중합체, 가수분해된 아크릴아미드 공중합체, 에틸렌-말레산 무수물 공중합체, 이소부틸렌-말레산 무수물 공중합체, 폴리비닐술폰산, 폴리비닐포스폰산, 폴리비닐인산, 폴리비닐황산, 술폰화 폴리스티렌, 폴리비닐아민, 폴리디알킬아미노알킬(메타)아크릴아미드, 폴리에틸렌이민, 폴리알릴아민, 폴리알릴구아니딘, 폴리디메틸디알릴암모늄 히드록시드, 4차화 폴리스티렌 유도체, 구아니딘-변성 폴리스티렌, 4차화 폴리(메타)아크릴아미드, 폴리비닐구아니딘 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 가교화된 폴리아크릴산 염, 가교화된 폴리아크릴산 및 가교화된 아크릴산 공중합체 로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지로 사용되는 아크릴산 공중합체의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 아크릴산 단량체와 말레산, 이타콘산, 아크릴아미드, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 2-(메타)아크릴로일에탄술폰산, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 스티렌술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 공단량체를 포함하는 공중합체일 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지는 물에 대한 흡수량이 10 g/g 내지 500 g/g, 바람직하게는 50 g/g 내지 200 g/g일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 상기 고흡수성 수지 1 g당 물 10 g 내지 500 g, 바람직하게는 50 g 내지 200 g을 흡수할 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지의 물에 대한 흡수량이 많을수록 냉각 효과의 지속 시간을 향상시킬 수 있으나, 500 g/g을 초과하면, 고흡수성 수지의 유동성이 증가하여 형태를 유지하기 어려워 효과적인 냉각을 발휘할 수 없다. 또한, 상기 고흡수성 수지의 물에 대한 흡수량이 10 g/g 미만이면, 냉각 효과의 지속 시간이 너무 짧아 광전지 모듈에 적용 시 비효율적일 수 있다.
본 발명에서 다공성 기재; 수지층; 또는 다공성 기재 및 수지층은 광전지 모듈용 냉각시트의 열전도도를 향상시키기 위하여, 열전도성 필러를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 열전도성 필러의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 열 전달 특성이 우수한 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 열전도성 필러의 예로서, 무기 산화물 필러, 금속 수산화물 필러, 무기 탄화물 필러, 질화물 필러, 금속 필러 및 탄소 필러로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 무기 산화물 필러의 예로는 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 아연 또는 산화 규소 등을 들 수 있고; 상기 금속 수산화물 필러의 예로는 수산화 알루미늄 또는 수산화 마그네슘 등을 들 수 있으며; 상기 무기 탄화물 필러의 예로는 탄화 규소 등을 들 수 있고; 상기 질화물 필러의 예로는 질화 알루미늄, 질화 붕소 또는 질화 규소 등을 들 수 있으며; 상기 금속 필러의 예로는 은, 구리, 아연, 철, 알루미늄, 니켈, 주석 또는 이들의 합금 등을 들 수 있고; 상기 탄소 필러의 예로는 카본 또는 그라파이트 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 열전도성 필러의 구체적인 형상은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 구상, 섬유상, 비늘 조각상, 평면상, 파쇄상 또는 부정형상 등을 들 수 있다.
본 발명에서 수지층은 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지와 함께 유체를 함유하고 있는 펄프를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서 유체를 함유하고 있는 펄프 또한, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지와 동일한 기능을 수행할 수 있으며, 유체를 함유하고 있는 펄프의 추가로 인해 광전지 모듈용 냉각시트의 냉각 효과 지속 시간을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 유체에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하며, 상기 펄프의 종류는 특별히 제한되지 않고, 유체, 특히 물을 흡수할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 수지층에 포함되는 유체를 함유하고 있는 펄의 함량은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 상기 유체를 함유하고 있는 펄프는 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지 100 중량부에 대하여 90 중량부 미만, 바람직하게는 70 중량부 미만으로 포함될 수 있다. 상기 유체를 함유하고 있는 펄프의 함량이 90 중량부를 초과하면, 냉각 효율이 저하될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 용어인 『중량부』는 중량 비율을 의미한다.
본 발명에서 상기 광전지 모듈용 냉각시트의 두께는 특별히 제한되지 않고, 그 적용 용도에 따라 적절히 선택될 수 있지만, 바람직하게는 0.1 mm 내지 100 mm, 보다 바람직하게는 0.1 mm 내지 10 mm일 수 있다. 상기 광전지 모듈용 냉각시트의 두께가 0.1 mm 미만이면, 냉각 효과를 발휘할 수 있는 시간이 너무 짧아 비효율적이고, 100 mm를 초과하면, 취급이 불편하고, 원가 상승의 원인이 될 수 있다.
본 발명은 또한, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재를 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트를 구체적으로 설명한다.
첨부된 도 3 내지 도 5 는 본 발명의 일 구체예에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 단면도를 나타내는 도면이다. 첨부된 도 3 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트(30)는 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지(12)가 함침되어 있는 다공성 기재(11)를 포함하는 구조일 수 있다.
또한, 첨부된 도 4 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트(40)는 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지(12)가 함침되어 있는 다공성 기재(11); 및 상기 다공성 기재(11)의 일면에 형성되는 다른 다공성 기재(41)를 포함하는 구조일 수 있고, 첨부된 도 5 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트(50)는 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지(12)가 함침되어 있는 다공성 기재(11); 및 상기 다공성 기재(11)의 양면에 형성되는 다른 다공성 기재(41, 51)를 포함하는 구조일 수도 있다.
본 발명에서 상기 광전지 모듈용 냉각시트에 포함되는 다공성 기재의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 공지된 다양한 소재를 사용할 수 있으나, 바람직하게는 부직포(non-woven fabric), 망사(mesh) 및 폼(foam)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있다.
본 발명에서 상기 다공성 기재로는 구체적으로, 불소계 부직포, 폴리에스테르계 부직포, 폴리프로필렌계 부직포, 레이온계 부직포, 나일론계 부직포, 폴리에스테르계 망사, 폴리프로필렌계 망사, 레이온계 망사, 나일론계 망사 및 우레탄 폼으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 다공성 기재의 두께는 특별히 제한되지 않고, 그 적용 용도에 따라 적절히 선택될 수 있으나, 바람직하게는 0.01 mm 내지 10 mm, 보다 바람직하게는 0.05 mm 내지 1 mm일 수 있다. 상기 다공성 기재의 두께가 0.01 mm 미만이면, 고흡수성 수지의 무게를 지탱할 충분한 기계적 특성의 확보가 어려울 수 있고, 10 mm를 초과하면, 생산 원가 상승의 원인이 될 수 있다.
본 발명에서 상기 다공성 기재에 함침되어 있는 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지의 경우, 다공성 기재의 주변에 열이 발생하는 경우, 고흡수성 수지에 함유된 유체가 증발되면서 주변의 열을 흡수하기 때문에 다공성 기재의 주변을 냉각시키는 역할을 할 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지에 함유되는 유체의 종류는 특별히 제한되지 않고, 증발에 의해 주변의 열을 흡수할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 유체의 예로서, 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 물을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지(SAP, super absorbent polymer)는 유체를 함유하고 있으며, 다공성 기재의 주변에 열이 발생함에 따라, 함유하고 있는 유체를 방출할 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 유체, 특히 물에 대한 흡수 능력이 뛰어난 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 고흡수성 수지의 예로서, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산염, 폴리아크릴산염 그래프트 중합체, 전분, 가교된 카르복시메틸화 셀룰로오스, 아크릴산 공중합체, 가수분해된 전분-아크릴니트릴 그래프트 공중합체, 전분-아크릴산 그래프트 공중합체, 비누화 비닐 아세테이트-아크릴산 에스테르 공중합체, 가수분해된 아크릴로니트릴 공중합체, 가수분해된 아크릴아미드 공중합체, 에틸렌-말레산 무수물 공중합체, 이소부틸렌-말레산 무수물 공중합체, 폴리비닐술폰산, 폴리비닐포스폰산, 폴리비닐인산, 폴리비닐황산, 술폰화 폴리스티렌, 폴리비닐아민, 폴리디알킬아미노알킬(메타)아크릴아미드, 폴리에틸렌이민, 폴리알릴아민, 폴리알릴구아니딘, 폴리디메틸디알릴암모늄 히드록시드, 4차화 폴리스티렌 유도체, 구아니딘-변성 폴리스티렌, 4차화 폴리(메타)아크릴아미드, 폴리비닐구아니딘 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 가교화된 폴리아크릴산 염, 가교화된 폴리아크릴산 및 가교화된 아크릴산 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지로 사용되는 아크릴산 공중합체의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 아크릴산 단량체와 말레산, 이타콘산, 아크릴아미드, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 2-(메타)아크릴로일에탄술폰산, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 스티렌술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 공단량체를 포함하는 공중합체일 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지는 물에 대한 흡수량이 10 g/g 내지 500 g/g, 바람직하게는 50 g/g 내지 200 g/g일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 상기 고흡수성 수지 1 g당 물 10 g 내지 500 g, 바람직하게는 50 g 내지 200 g을 흡수할 수 있다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지의 물에 대한 흡수량이 많을수록 냉각 효과의 지속 시간을 향상시킬 수 있으나, 500 g/g을 초과하면, 고흡수성 수지의 유동성이 증가하여 형태를 유지하기 어려워 효과적인 냉각을 발휘할 수 없다. 또한, 상기 고흡수성 수지의 물에 대한 흡수량이 10 g/g 미만이면, 냉각 효과의 지속 시간이 너무 짧아 광전지 모듈에 적용 시 비효율적일 수 있다.
본 발명에서 상기 다공성 기재는 광전지 모듈용 냉각시트의 열전도도를 향상시키기 위하여, 열전도성 필러를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 열전도성 필러의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 열 전달 특성이 우수한 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 열전도성 필러의 예로서, 무기 산화물 필러, 금속 수산화물 필러, 무기 탄화물 필러, 질화물 필러, 금속 필러 및 탄소 필러로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 무기 산화물 필러의 예로는 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 아연 또는 산화 규소 등을 들 수 있고; 상기 금속 수산화물 필러의 예로는 수산화 알루미늄 또는 수산화 마그네슘 등을 들 수 있으며; 상기 무기 탄화물 필러의 예로는 탄화 규소 등을 들 수 있고; 상기 질화물 필러의 예로는 질화 알루미늄, 질화 붕소 또는 질화 규소 등을 들 수 있으며; 상기 금속 필러의 예로는 은, 구리, 아연, 철, 알루미늄, 니켈, 주석 또는 이들의 합금 등을 들 수 있고; 상기 탄소 필러의 예로는 카본 또는 그라파이트 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 열전도성 필러의 구체적인 형상은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 구상, 섬유상, 비늘 조각상, 평면상, 파쇄상 또는 부정형상 등을 들 수 있다.
본 발명에서 상기 광전지 모듈용 냉각시트의 두께는 특별히 제한되지 않고, 그 적용 용도에 따라 적절히 선택될 수 있지만, 바람직하게는 0.1 mm 내지 100 mm, 보다 바람직하게는 0.1 mm 내지 10 mm일 수 있다. 상기 광전지 모듈용 냉각시트의 두께가 0.1 mm 미만이면, 냉각 효과를 발휘할 수 있는 시간이 너무 짧아 비효율적이고, 100 mm를 초과하면, 취급이 불편하고, 원가 상승의 원인이 될 수 있다.
본 발명은 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 다공성 기재 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트를 제조하기 위하여, 우선, 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조할 수 있다. 상기 고흡수성 수지 및 유체에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하게 되면, 유체가 고흡수성 수지에 흡수되어, 유체를 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지를 얻을 수 있다. 상기 고흡수성 수지 및 유체의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않지만, 전술한 고흡수성 수지의 물에 대한 흡수량을 고려하여, 고흡수성 수지 1 중량부에 대하여 유체 10 중량부 내지 500 중량부, 바람직하게는 유체 50 중량부 내지 200 중량부를 혼합할 수 있다.
본 발명에서 상기 유체를 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 다공성 기재의 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다. 상기 다공성 기재에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
상기 유체를 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지를 다공성 기재의 표면에 코팅하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 오프셋 인쇄법 또는 그라비어 인쇄법 등의 주지의 인쇄 방식이나, 롤 코트, 바 코트, 나이프 엣지 코트, 그라비어 코트 또는 닥터 블레이드 코트 등의 주지의 도포 방식을 포함하여, 균일한 수지층을 형성할 수 있는 것이라면 어떠한 방식도 적용 가능하다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 또한, 다공성 기재의 표면에 형성된 수지층을 고정시키기 위하여, 상기 수지층을 형성한 후, 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법에서는 라미네이션을 이용하여, 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 다공성 기재의 표면에 형성된 수지층의 이탈을 방지하기 위하여, 상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있고, 예를 들면, 본 발명에서는 접착제를 이용하여 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링할 수 있다. 상기 접착제의 종류 또한 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 요소계 접착제, 멜라민계 접착제, 페놀계 접착제, 불포화 폴리에스테르계 접착제, 에폭시계 접착제, 레졸시놀계 접착제, 폴리비닐알코올계 접착제, 염화비닐계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리에틸렌계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 폴리비닐아세틸계 접착제 또는 초산 비닐계 접착제 등을 사용할 수 있으며, 상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링할 수 있는 것이라면, 어떠한 것도 적용 가능하다.
본 발명은 또한, 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재의 표면에 코팅하고, 건조시켜 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 수지층이 형성된 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트를 제조하기 위하여, 우선, 고흡수성 수지를 용매에 분산시켜 고흡수성 수지 용액을 제조할 수 있다. 상기 고흡수성 수지에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 고흡수성 수지가 균일하게 분산될 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 용매의 예로서, 메틸에틸케톤(MEK), 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸아세트아미드(BMAC)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 용매의 함량은 특별히 제한되지 않고, 사용되는 고흡수성 수지의 함량을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
본 발명에서 고흡수성 수지를 용매에 분산시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 고흡수성 수지를 용매에 균일하게 분산시킬 수 있는 수단이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 고흡수성 수지를 용매에 분산시키기 위하여, 예를 들면, 교반하거나 초음파 처리를 수행할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서는 상기 고흡수성 수지 용액을 제조한 후, 이를 다공성 기재의 표면에 코팅하고, 건조시켜 수지층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다. 상기 다공성 기재에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재의 표면에 코팅하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 오프셋 인쇄법 또는 그라비어 인쇄법 등의 주지의 인쇄 방식이나, 롤 코트, 바 코트, 나이프 엣지 코트, 그라비어 코트 또는 닥터 블레이드 코트 등의 주지의 도포 방식을 포함하여, 균일한 수지층을 형성할 수 있는 것이라면 어떠한 방식도 적용 가능하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재의 표면에 코팅한 후, 이를 건조시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 고흡수성 수지 용액 중의 용매 성분을 제거할 수 있는 수단이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 건조 오븐을 이용하여 건조시킴으로써, 상기 고흡수성 수지 용액 중의 용매 성분을 제거할 수 있다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 또한, 상기 수지층의 고흡수성 수지가 유체를 함유하도록 하기 위하여, 상기 수지층이 형성된 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 다공성 기재의 표면에 수지층을 형성한 후, 이를 유체에 침지하여 고흡수성 수지가 유체를 함유할 수 있도록 할 수 있다. 본 발명에서 상기 유체에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지가 유체를 충분히 함유할 수 있도록 침지 시간을 조절할 수 있으며, 바람직하게는 1 분 내지 3 시간, 보다 바람직하게는 5 분 내지 30 분 동안 침지할 수 있다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 또한, 다공성 기재의 표면에 형성된 수지층을 고정시키기 위하여, 상기 수지층을 형성한 후, 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법에서는 라미네이션을 이용하여, 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 다공성 기재의 표면에 형성된 수지층의 이탈을 방지하기 위하여, 상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있고, 예를 들면, 본 발명에서는 접착제를 이용하여 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링할 수 있다. 상기 접착제의 종류 또한 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 요소계 접착제, 멜라민계 접착제, 페놀계 접착제, 불포화 폴리에스테르계 접착제, 에폭시계 접착제, 레졸시놀계 접착제, 폴리비닐알코올계 접착제, 염화비닐계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리에틸렌계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 폴리비닐아세틸계 접착제 또는 초산 비닐계 접착제 등을 사용할 수 있으며, 상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링할 수 있는 것이라면, 어떠한 것도 적용 가능하다.
본 발명은 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재에 함침하고, 건조시키는 단계; 및 상기 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 광전지 모듈용 냉각시트를 제조하기 위하여, 우선, 고흡수성 수지를 용매에 분산시켜 고흡수성 수지 용액을 제조할 수 있다. 상기 고흡수성 수지에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 고흡수성 수지가 균일하게 분산될 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 용매의 예로서, 메틸에틸케톤(MEK), 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸아세트아미드(BMAC)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 용매의 함량은 특별히 제한되지 않고, 사용되는 고흡수성 수지의 함량을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
본 발명에서 고흡수성 수지를 용매에 분산시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 고흡수성 수지를 용매에 균일하게 분산시킬 수 있는 수단이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 고흡수성 수지를 용매에 분산시키기 위하여, 예를 들면, 교반하거나 초음파 처리를 수행할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서는 상기 고흡수성 수지 용액을 제조한 후, 이를 다공성 기재에 함침하고, 건조시키는 단계를 수행할 수 있다. 상기 다공성 기재에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지 용액을 제조한 후, 이를 다공성 기재에 함침하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 고흡수성 수지 용액이 다공성 기재에 잘 스며들 수 있도록 할 수 있는 수단이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 상기 고흡수성 수지 용액에 다공성 기재를 담금으로써, 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재에 함침할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재에 함침한 후, 이를 건조시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 고흡수성 수지 용액 중의 용매 성분을 제거할 수 있는 수단이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 건조 오븐을 이용하여 건조시킴으로써, 상기 고흡수성 수지 용액 중의 용매 성분을 제거하였다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 또한, 상기 다공성 기재에 함침되어 있는 고흡수성 수지가 유체를 함유하도록 하기 위하여, 상기 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서는 상기 다공성 기재에 고흡수성 수지를 함침한 후, 이를 유체에 침지하여 상기 고흡수성 수지가 유체를 함유할 수 있도록 할 수 있다. 본 발명에서 상기 유체에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지가 유체를 충분히 함유할 수 있도록 침지 시간을 조절할 수 있으며, 바람직하게는 1 분 내지 3 시간, 보다 바람직하게는 5 분 내지 30 분 동안 침지할 수 있다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 또한, 다공성 기재에 함침되어 있는 고흡수성 수지를 고정시키기 위하여, 상기 다공성 기재에 고흡수성 수지를 함침한 후, 상기 다공성 기재의 일면 또는 양면에 다른 다공성 기재를 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재의 일면 또는 양면에 다른 다공성 기재를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법에서는 라미네이션을 이용하여, 상기 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 다공성 기재에 함침되어 있는 고흡수성 수지의 이탈을 방지하기 위하여, 상기 다공성 기재들의 가장자리를 실링하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다공성 기재들의 가장자리를 실링하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있고, 예를 들면, 본 발명에서는 접착제를 이용하여 다공성 기재들의 가장자리를 실링할 수 있다. 상기 접착제의 종류 또한 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 요소계 접착제, 멜라민계 접착제, 페놀계 접착제, 불포화 폴리에스테르계 접착제, 에폭시계 접착제, 레졸시놀계 접착제, 폴리비닐알코올계 접착제, 염화비닐계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리에틸렌계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 폴리비닐아세틸계 접착제 또는 초산 비닐계 접착제 등을 사용할 수 있으며, 상기 다공성 기재들의 가장자리를 실링할 수 있는 것이라면, 어떠한 것도 적용 가능하다.
본 발명은 또한, 백시트; 및 상기 백시트의 표면에 형성되는 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트에 관한 것이다.
첨부된 도 6 은 본 발명의 일 구체예에 따른 광전지 모듈용 배면 시트의 단면도를 나타내는 도면이다. 첨부된 도 6 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광전지 모듈용 배면 시트(60)는 백시트(61); 및 상기 백시트(61)의 표면에 형성되는 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트(62)를 포함하는 구조일 수 있다.
본 발명의 광전지 모듈용 배면 시트에 포함되는 백시트는 내후성 및 내구성을 부여하는 역할을 수행할 수 있고, 그 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 불소계 백시트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계 백시트 및 폴리아마이드계 백시트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
본 발명에서 상기 백시트는 광전지 모듈용 배면 시트의 열전도도를 향상시키기 위하여, 열전도성 필러를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 열전도성 필러의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 열 전달 특성이 우수한 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 열전도성 필러의 예로서, 무기 산화물 필러, 금속 수산화물 필러, 무기 탄화물 필러, 질화물 필러, 금속 필러 및 탄소 필러로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 무기 산화물 필러의 예로는 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 아연 또는 산화 규소 등을 들 수 있고; 상기 금속 수산화물 필러의 예로는 수산화 알루미늄 또는 수산화 마그네슘 등을 들 수 있으며; 상기 무기 탄화물 필러의 예로는 탄화 규소 등을 들 수 있고; 상기 질화물 필러의 예로는 질화 알루미늄, 질화 붕소 또는 질화 규소 등을 들 수 있으며; 상기 금속 필러의 예로는 은, 구리, 아연, 철, 알루미늄, 니켈, 주석 또는 이들의 합금 등을 들 수 있고; 상기 탄소 필러의 예로는 카본 또는 그라파이트 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 열전도성 필러의 구체적인 형상은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 구상, 섬유상, 비늘 조각상, 평면상, 파쇄상 또는 부정형상 등을 들 수 있다.
본 발명에서 상기 백시트의 두께는 특별히 제한되지 않고, 그 적용 용도에 따라 적절히 선택될 수 있으나, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 1000 ㎛, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 내지 500 ㎛일 수 있다. 상기 백시트의 두께가 10 ㎛ 미만이면, 충분한 기계적 특성 및 낮은 수분 투과율의 확보가 어려울 수 있고, 1000 ㎛를 초과하면, 취급이 불편하고, 생산 원가 상승의 원인이 될 수 있다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트는 상기 백시트와 함께 백시트의 표면에 형성되는 광전지 모듈용 냉각시트를 포함한다. 상기 광전지 모듈용 배면 시트에 포함되는 광전지 모듈용 냉각시트에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트는, 전술한 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 포함함으로써, 광전지의 발전 온도 상승을 억제하여 광전지 모듈의 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 또한, 백시트의 표면에 전술한 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 부착하는 단계를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 광전지 모듈용 배면 시트를 제조하기 위하여, 백시트의 표면에 전술한 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 부착할 수 있다. 상기 백시트 및 광전지 모듈용 냉각시트에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
상기 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 백시트의 표면에 부착하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 백시트의 표면에 상기 광전지 모듈용 냉각시트를 견고하게 부착할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 접착제를 이용하여 광전지 모듈용 냉각시트를 백시트의 표면에 부착할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 접첵제의 종류 또한, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 요소계 접착제, 멜라민계 접착제, 페놀계 접착제, 불포화 폴리에스테르계 접착제, 에폭시계 접착제, 레졸시놀계 접착제, 폴리비닐알코올계 접착제, 염화비닐계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리에틸렌계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 폴리비닐아세틸계 접착제 또는 초산 비닐계 접착제 등을 사용할 수 있으며, 상기 광전지 모듈용 냉각시트를 백시트의 표면에 부착할 수 있는 것이라면, 어떠한 것도 적용 가능하다.
본 발명은 또한, 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 백시트의 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 수지층의 표면에 다공성 기재를 형성하는 단계를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 광전지 모듈용 배면 시트를 제조하기 위하여, 우선, 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조할 수 있다. 상기 고흡수성 수지 및 유체에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하게 되면, 유체가 고흡수성 수지에 흡수되어, 유체를 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지를 얻을 수 있다. 상기 고흡수성 수지 및 유체의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않지만, 전술한 고흡수성 수지의 물에 대한 흡수량을 고려하여, 고흡수성 수지 1 중량부에 대하여 유체 10 중량부 내지 500 중량부, 바람직하게는 유체 50 중량부 내지 200 중량부를 혼합할 수 있다.
본 발명에서 상기 유체를 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 백시트의 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다. 상기 백시트에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
상기 유체를 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지를 백시트의 표면에 코팅하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 오프셋 인쇄법 또는 그라비어 인쇄법 등의 주지의 인쇄 방식이나, 롤 코트, 바 코트, 나이프 엣지 코트, 그라비어 코트 또는 닥터 블레이드 코트 등의 주지의 도포 방식을 포함하여, 균일한 수지층을 형성할 수 있는 것이라면 어떠한 방식도 적용 가능하다.
본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법은, 상기 형성된 수지층의 표면에 다공성 기재를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 다공성 기재에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명에서 상기 수지층의 표면에 다공성 기재를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법에서는 라미네이션을 이용하여, 상기 수지층의 표면에 다공성 기재를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법은 백시트의 표면에 형성된 수지층의 이탈을 방지하기 위하여, 상기 백시트, 수지층 및 다공성 기재의 가장자리를 실링하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 수단을 제한 없이 채용할 수 있고, 예를 들면, 본 발명에서는 접착제를 이용하여 다공성 기재 및 수지층의 가장자리를 실링할 수 있다. 상기 접착제의 종류 또한 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 요소계 접착제, 멜라민계 접착제, 페놀계 접착제, 불포화 폴리에스테르계 접착제, 에폭시계 접착제, 레졸시놀계 접착제, 폴리비닐알코올계 접착제, 염화비닐계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리에틸렌계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 폴리비닐아세틸계 접착제 또는 초산 비닐계 접착제 등을 사용할 수 있으며, 상기 백시트, 수지층 및 다공성 기재의 가장자리를 실링할 수 있는 것이라면, 어떠한 것도 적용 가능하다.
본 발명은 또한, 전술한 본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트를 포함하는 광전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 광전지 모듈의 구조는, 본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트를 포함하고 있는 한 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 공지되어 있는 다양한 구조를 제한 없이 채용할 수 있다.
본 발명에서 예를 들면, 광전지 모듈의 구조는, 배면 시트; 상기 배면 시트 상에 형성된 광전지 또는 광전지 어레이; 상기 광전지 또는 광전지 어레이 상에 형성된 수광 시트; 및 상기 배면 시트 및 수광 시트 사이에서 상기 광전지 또는 광전지 어레이를 봉지하고 있는 봉지재층을 포함할 수 있다.
본 발명의 광전지 모듈에서 배면 시트는 전술한 본 발명에 따른 배면 시트를 사용할 수 있으며, 상기 배면 시트의 두께는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 30 ㎛ 내지 2,000 ㎛, 바람직하게는 50 ㎛ 내지 1,000 ㎛, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 내지 600 ㎛일 수 있다. 본 발명에서는 상기 배면 시트의 두께를 30 ㎛ 내지 2,000 ㎛의 범위로 제어함으로써, 광전지 모듈을 보다 박형으로 구성하면서도, 광전지 모듈의 내후성 등의 물성을 우수하게 유지할 수 있다.
본 발명에서, 상기 배면 시트 위에 형성되는 광전지의 구체적인 종류로는, 광기전력을 일으킬 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에서 일반적으로 통용될 수 있는 광전지 소자를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 예를 들면, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 등의 결정 실리콘 광전지, 싱글(single) 결합형 또는 탠덤(tandem) 구조형 등의 무정형(amorphous) 실리콘 광전지, 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP) 등의 III-V족 화합물 반도체 광전지 및 카드뮴-텔루륨(CdTe), 구리-인듐-셀레나이드(CuInSe2) 등의 II-VI족 화합물 반도체 광전지 등을 사용할 수 있으며, 또한, 얇은 막 다결정성 실리콘 광전지, 얇은 막 미결정성 실리콘 광전지 및 얇은 막 결정 실리콘과 무정형(amorphous) 실리콘의 혼합형(hybrid) 광전지 등도 사용할 수 있다.
본 발명에서, 상기 광전지는 광전지와 광전지 사이를 연결하는 배선에 의해 광전지 어레이(광전지 집합체)를 형성할 수 있다. 본 발명의 광전지 모듈에 태양광을 비추면, 광전지 내부에서 전자(-)와 정공(+)이 발생되어, 광전지와 광전지를 연결하는 배선을 통해 전류가 흐르게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 광전지 또는 광전지 어레이 상에 형성된 수광 시트는, 광전지 모듈의 내부를 풍우, 외부 충격 또는 화재 등으로부터 보호하고, 광전지 모듈의 옥외 노출시 장기 신뢰성을 확보하는 기능을 수행할 수 있다. 본 발명의 상기 수광 시트의 구체적인 종류로는 광 투과성, 전기 절연성, 기계적 또는 물리, 화학적 강도가 우수한 것이라면, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 유리판, 불소계 수지 시트, 환상 폴리올레핀계 수지 시트, 폴리카보네이트계 수지 시트, 폴리(메타)아크릴계 수지 시트, 폴리아미드계 수지 시트 또는 폴리 에스테르계 수지 시트 등을 사용할 수 있다. 본 발명에서 있어서는, 내열성이 우수한 유리판을 사용하는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용되는 상기 수광 기판의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 0.5 mm 내지 10 mm, 바람직하게는 1 mm 내지 8 mm, 보다 바람직하게는 2 mm 내지 5 mm일 수 있다. 본 발명에서는 상기 수광 기판의 두께를 0.5 mm 내지 10 mm의 범위로 제어함으로써, 광전지 모듈을 보다 박형으로 구성하면서도, 광전지 모듈의 장기 신뢰성 등의 물성을 우수하게 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 광전지 모듈의 내부에서, 구체적으로 상기 배면 시트 및 수광 시트 사이에서 광전지 또는 광전지 어레이를 봉지하는 봉지재층은, 이 분야에서 일반적으로 공지되어 있는 봉지재를 제한 없이 채용할 수 있다.
첨부된 도 7 및 8 은 본 발명의 다양한 예시에 따른 광전지 모듈의 단면도를 나타내는 도면이다.
첨부된 도 7 는 본 발명의 광전지 모듈용 배면 시트를 포함하는 웨이퍼계 광전지 모듈(70)의 일 예를 나타내는 도면이다. 첨부된 도 7 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 구체예에 따른 광전지 모듈은 통상적으로 강유전체(ex. 유리)로 구성될 수 있는 수광 시트(71); 전술한 본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트(73); 상기 실리콘계 웨이퍼 등의 광전지 소자(74); 및 상기 광전지 소자(74)를 봉지하고 있는 봉지재층(72)을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 봉지재층(72)은, 광전지 소자(74)를 봉지하면서, 상기 수광 시트(71)에 부착되는 제 1층(72a) 및 광전지 소자(74)를 봉지하면서, 상기 배면 시트(73)에 부착되는 제 2층(72b)을 포함할 수 있다. 본 발명에 있어서, 상기 봉지재층(72)을 구성하는 제 1층 및 제 2층은 전술한 바와 같이, 이 분야에서 일반적으로 공지되어 있는 소재로 구성될 수 있다.
첨부된 도 8 은 본 발명의 다른 구체예에 따른 박막형 광전지 모듈(80)의 단면도를 나타내는 도면이다. 첨부된 도 8 에 나타난 바와 같이, 박막형 광전지 모듈(80)의 경우, 광전지 소자(84)는, 통상적으로 강유전체로 구성될 수 있는 수광 시트(81) 상에 형성될 수 있다. 이와 같은 박막 광전지 소자(84)는 통상적으로 화학적 증착(CVD) 등의 방법으로 침착될 수 있다. 첨부된 도 8 의 광전지 모듈(80)은, 도 7 의 광전지 모듈(20)과 유사하게 봉지재층(82) 및 배면 시트(83)를 포함하며, 상기 봉지재층(82)은 단층으로 구성될 수 있다. 상기 봉지재층(82) 및 배면 시트(83)에 대한 구체적인 설명은 전술한 바와 같다.
본 발명에서, 상기와 같은 광전지 모듈을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 당업자에게 공지된 다양한 방법을 제한 없이 채용하여 제조할 수 있다.
첨부된 도 7 및 8 에 도시된 광전지 모듈은 본 발명의 광전지 모듈의 다양한 예시 중 일 구체예에 불과하며, 전술한 본 발명에 따른 광전지 모듈용 배면 시트를 포함하는 경우라면, 모듈의 구조, 모듈을 구성하는 소재의 종류 및 크기 등은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 공지되어 있는 것을 제한 없이 채용할 수 있다.
[
실시예
]
이하 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<
제조예
1>
유체를 함유하는 고흡수성 수지의 제조
고흡수성 수지로인 아크릴계 공중합체(GS-4700, LG화학(제)) 5 g 및 유체인 물 500 g을 혼합하여 물을 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지 용액을 제조하였다.
수지층의 형성
두께가 0.37 mm인 폴리에스테르계 부직포(CF909, Seoul Semitech사(제)) 위에 상기 제조된 물을 함유하고 있는 졸 상태의 고흡수성 수지 용액을 코팅 두께가 10 mm가 되도록 닥터 블레이드를 이용하여 코팅함으로써, 수지층을 형성하였다.
광전지 모듈용 냉각시트의 제조
상기 형성된 수지층의 표면에 두께가 0.37 mm인 폴리에스테르계 부직포(CF909, Seoul Semitech사(제))를 양면 접착 테이프를 이용하여 부착하고, 상기 고흡수성 수지의 이탈을 방지하기 위하여, 상기 수지층 및 다공성 기재인 폴리에스테르계 부직포의 가장자리를 아크릴계 접착제로 실링함으로써, 광전지 모듈용 냉각시트를 제조하였다.
<
제조예
2>
상기 제조예 1에서 제조된 광전지 모듈용 냉각시트를 백시트(LBS-CF, LG화학(제)) 위에 양면 접착 테이프를 이용하여 부착함으로써, 광전지 모듈용 배면 시트를 제조하였다.
<
실시예
1>
본 발명에 따른 냉각시트(95b)의 냉각 효과를 알아보기 위하여 첨부된 도 9 와 같은 시편을 제조하였다. 구체적으로, 첨부된 도 9 와 같이, 일면에 ITO 투명 전극(92)이 코팅된 ITO 글라스(91)의 전극 면(91b) 중 양쪽 가장 자리에는 전도성 테이프(93)를 부착하고, 상기 ITO 글라스(91)의 전극면(91b) 중 중앙 부분에는 양면접착 테이프(94)를 이용하여 제조예 2에서 제조된 광전지 모듈용 배면시트(95)의 백시트(95a) 부분을 부착하였으며, 전원 공급을 위하여 양쪽 가장 자리에 부착된 전도성 테이프(93)에 전원 공급장치(power supply)(96)를 부착하였고, 전압 변화에 따른 ITO 글라스의 온도 변화를 측정하기 위하여 ITO 글라스(91)의 비전극 면(91a)의 중앙 부분에 열전쌍방식의 접촉식 온도계(97)를 연결함으로써, 본 발명에 따른 냉각 시트를 포함하는 시편(90)을 제조하였다.
<
비교예
1>
제조예 2에서 제조된 광전지 모듈용 배면시트를 사용하는 대신 냉각시트가 포함되지 않는 백시트(LBS-CF, LG화학(제))를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 첨부된 도 10 과 같은 시편을 제조하였다. 구체적으로, 첨부된 도 10 과 같이, 일면에 ITO 투명 전극(92)이 코팅된 ITO 글라스(91)의 전극 면(91b) 중 양쪽 가장 자리에는 전도성 테이프(93)를 부착하고, 상기 ITO 글라스(91)의 전극면(91b) 중 중앙 부분에는 양면접착 테이프(94)를 이용하여 백시트(95a)를 부착하였으며, 전원 공급을 위하여 양쪽 가장 자리에 부착된 전도성 테이프(93)에 전원 공급장치(power supply)(96)를 부착하였고, 전압 변화에 따른 ITO 글라스의 온도 변화를 측정하기 위하여 ITO 글라스(91)의 비전극 면(91a)의 중앙 부분에 열전쌍방식의 접촉식 온도계(97)를 연결함으로써, 본 발명에 따른 냉각 시트를 포함하지 않는 시편(100)을 제조하였다.
<
실시예
2>
첨부된 도 11 과 같이, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈을 제조하였다. 구체적으로 첨부된 도 11 과 같이, 글라스(glass)로 구성된 수광 시트(111); 백시트(LBS-CF, LG화학(제))(113); 실리콘계 웨이퍼로 구성된 광전지 4개를 직렬 연결한 광전지 어레이(114); 및 상기 광전지 어레이(114)를 봉지하고 있는 봉지재층(112)을 포함하는 광전지 모듈을 제조하고, 상기 백시트(113)의 표면에 제조예 1에서 제조된 광전지 모듈용 냉각시트(115)를 부착함으로써, 본 발명에 따른 광전지 모듈(110)을 완성하였다. 이 때, 상기 봉지재층(112)은, 광전지 어레이(114)를 봉지하면서, 상기 수광 시트(111)에 부착되는 제 1층(112a) 및 광전지 어레이(114)를 봉지하면서, 상기 백시트(113)에 부착되는 제 2층(112b)으로 구성되었으며, 상기 봉지재층으로는 광전지 모듈용 EVA(F406, Hangzhou First사(제))를 사용하였다. 또한, 온도 변화를 측정하기 위하여, 상기 수광 시트(111)의 중앙 부분에 열전쌍방식의 접촉식 온도계(97)를 부착하였다.
<
비교예
2>
백시트의 표면에 광전지 모듈용 냉각시트를 부착하지 않은 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 광전지 모듈을 제조하였다.
실시예 및 비교예에서 제조된 시편 및 광전지 모듈의 각 온도 변화를 하기의 방식으로 측정하였다.
1.
실시예
1 및
비교예
1의 온도 변화 측정
실시예 1 및 비교예 1의 시편에서 전원 공급장치를 이용하여 전류를 10 A로 고정하고, 전압을 각각 10 V, 15 V, 20 V 및 25 V로 변경하였으며, 각각의 전압 유지 시간은 5 분이었다. 이 때, 상기 시편의 각각의 전압에서의 온도를 측정하기 위하여, ITO 글라스의 비 전극면의 중앙 부분에 부착된 열전쌍방식의 접촉식 온도계를 이용하였다. 이 때, 상기 시편의 외기 온도는 27℃로 유지되었다.
첨부된 도 12 는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 시편의 전압 변화에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이고, 하기의 표 1은 첨부된 도 12의 그래프에 대한 결과를 나타낸다.
구분 | 전압 | ||
10 V | 15 V | 20 V | |
실시예 1 (℃) | 29.0 | 37.4 | 51.9 |
비교예 1 (℃) | 39.8 | 53.9 | 72.0 |
△T | -10.8 | -16.5 | -20.1 |
△T: 실시예 1의 온도 - 비교예 1의 온도 |
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하지 않는 비교예 1의 경우, 10 V의 전압에서 약 40℃를 나타내었으나, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 실시예 1의 경우, 10 V의 전압에서 약 29℃를 나타내어, 약 11℃ 정도의 냉각 효과를 보여주었다. 또한, 비교예 1의 경우, 20 V의 전압에서 약 72℃를 나타내었으나, 실시예 1의 경우, 20 V의 전압에서 약 52℃를 나타내어, 약 20℃ 정도의 냉각 효과를 보여주었다.
일반적으로 결정형 광전지 모듈의 온도계수가 0.5 정도이므로, 광전지 모듈의 발전 온도가 약 40℃ 내지 70℃인 경우, 본 발명에 따른 냉각시트를 이용함으로써, 광전지 모듈의 효율을 5% 내지 10% 정도 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
2.
실시예
2 및
비교예
2의 온도 변화 측정
실시예 2 및 비교예 2의 광전지 모듈을 이용하여 태양광 발전을 수행하였으며, 상기 태양광 발전을 수행하는 동안, 실시예 2 및 비교예 2의 광전지 모듈의 온도 변화를 측정하기 위하여, 글라스로 구성된 수광 시트의 중앙 부분에 부착된 열전쌍방식의 접촉식 온도계를 이용하였다. 이 때, 상기 온도 변화의 측정 시간은 오전 9시 30 분부터 오후 5시 30분까지 8 시간 이었고, 날씨는 맑았으며, 외기 온도는 약 30℃로 유지되었다.
첨부된 도 13 은 실시예 2 및 비교예 2에서 제조된 광전지 모듈의 태양광 발전에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다. 첨부된 도 12 에 나타난 바와 같이, 외기 온도가 약 30℃로 유지되는 동안, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하지 않는 비교예 2의 경우, 광전지 모듈의 발전 온도가 약 50℃로 유지되었고, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 실시예 2의 경우, 광전지 모듈의 발전 온도가 약 40℃ 수준으로 유지되었다.
즉, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈의 경우, 본 발명에 따른 냉각시트를 포함하지 않는 광전지 모듈에 비해 약 10℃ 정도의 발전 온도 상승 억제 효과가 있으며, 이는 결정형 광전지 모듈의 온도계수가 0.5 수준임을 고려할 때, 광전지 모듈의 효율을 5% 정도 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
10,20,30,40,50,61,95b,115: 냉각 시트
11,21,41,51: 다공성 기재
12: 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지
13: 수지층
60,73,83,95: 배면 시트 61,95a,113: 백시트
70,110: 웨이퍼계 광전지 모듈 80: 박막형 광전지 모듈
71,81,111: 수광 시트 72,82,112: 봉지재층
72a,112a: 제1층 82b,112b: 제2층
74, 84,114: 광전지 소자 90: 실시예 1의 시편
91: ITO 글라스 91a: ITO 글라스의 전극 면
91b: ITO 글라스의 비전극 면 92: ITO 투명 전극
93: 전도성 테이프 94: 양면접착 테이프
96: 전원 공급장치 97: 접촉식 온도계
100: 비교예 1의 시편
11,21,41,51: 다공성 기재
12: 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지
13: 수지층
60,73,83,95: 배면 시트 61,95a,113: 백시트
70,110: 웨이퍼계 광전지 모듈 80: 박막형 광전지 모듈
71,81,111: 수광 시트 72,82,112: 봉지재층
72a,112a: 제1층 82b,112b: 제2층
74, 84,114: 광전지 소자 90: 실시예 1의 시편
91: ITO 글라스 91a: ITO 글라스의 전극 면
91b: ITO 글라스의 비전극 면 92: ITO 투명 전극
93: 전도성 테이프 94: 양면접착 테이프
96: 전원 공급장치 97: 접촉식 온도계
100: 비교예 1의 시편
Claims (44)
- 다공성 기재; 및
상기 다공성 기재의 표면에 형성되고, 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지를 포함하는 수지층을 포함하고,
상기 다공성 기재, 수지층, 또는 다공성 기재 및 수지층은 열전도성 필러를 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항에 있어서,
수지층의 표면에 형성되는 다공성 기재를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
다공성 기재는 부직포, 망사 및 폼으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 3 항에 있어서,
다공성 기재는 불소계 부직포, 폴리에스테르계 부직포, 폴리프로필렌계 부직포, 레이온계 부직포, 나일론계 부직포, 폴리에스테르계 망사, 폴리프로필렌계 망사, 레이온계 망사, 나일론계 망사 및 우레탄 폼으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
다공성 기재의 두께는 0.01 mm 내지 10 mm인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항에 있어서,
유체는 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항에 있어서,
고흡수성 수지는 물에 대한 흡수량이 10 g/g 내지 500 g/g인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 7 항에 있어서,
고흡수성 수지는 물에 대한 흡수량이 50 g/g 내지 200 g/g인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항에 있어서,
고흡수성 수지는 폴리아크릴산, 폴리아크릴산염, 폴리아크릴산염 그래프트 중합체, 전분, 가교된 카르복시메틸화 셀룰로오스, 아크릴산 공중합체, 가수분해된 전분-아크릴니트릴 그래프트 공중합체, 전분-아크릴산 그래프트 공중합체, 비누화 비닐 아세테이트-아크릴산 에스테르 공중합체, 가수분해된 아크릴로니트릴 공중합체, 가수분해된 아크릴아미드 공중합체, 에틸렌-말레산 무수물 공중합체, 이소부틸렌-말레산 무수물 공중합체, 폴리비닐술폰산, 폴리비닐포스폰산, 폴리비닐인산, 폴리비닐황산, 술폰화 폴리스티렌, 폴리비닐아민, 폴리디알킬아미노알킬(메타)아크릴아미드, 폴리에틸렌이민, 폴리알릴아민, 폴리알릴구아니딘, 폴리디메틸디알릴암모늄 히드록시드, 4차화 폴리스티렌 유도체, 구아니딘-변성 폴리스티렌, 4차화 폴리(메타)아크릴아미드, 폴리비닐구아니딘 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 9 항에 있어서,
아크릴산 공중합체는 아크릴산 단량체와 말레산, 이타콘산, 아크릴아미드, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 2-(메타)아크릴로일에탄술폰산, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 스티렌술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 공단량체를 포함하는 공중합체인 광전지 모듈용 냉각시트. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
열전도성 필러는 무기 산화물 필러, 금속 수산화물 필러, 무기 탄화물 필러, 질화물 필러, 금속 필러 및 탄소 필러로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항에 있어서,
수지층은 유체를 함유하고 있는 펄프를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 1 항에 있어서,
냉각시트의 두께가 0.1 mm 내지 100 mm인 광전지 모듈용 냉각시트. - 유체를 함유하고 있는 고흡수성 수지가 함침되어 있고, 열전도성 필러를 포함하는 다공성 기재를 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트.
- 제 15 항에 있어서,
고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재의 일면 또는 양면에 형성되는 다른 다공성 기재를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
다공성 기재는 부직포, 망사 및 폼으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 17 항에 있어서,
다공성 기재는 불소계 부직포, 폴리에스테르계 부직포, 폴리프로필렌계 부직포, 레이온계 부직포, 나일론계 부직포, 폴리에스테르계 망사, 폴리프로필렌계 망사, 레이온계 망사, 나일론계 망사 및 우레탄 폼으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
다공성 기재의 두께는 0.01 mm 내지 10 mm인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 15 항에 있어서,
유체는 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 15 항에 있어서,
고흡수성 수지는 물에 대한 흡수량이 10 g/g 내지 500 g/g인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 21 항에 있어서,
고흡수성 수지는 물에 대한 흡수량이 50 g/g 내지 200 g/g인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 15 항에 있어서,
고흡수성 수지는 폴리아크릴산, 폴리아크릴산염, 폴리아크릴산염 그래프트 중합체, 전분, 가교된 카르복시메틸화 셀룰로오스, 아크릴산 공중합체, 가수분해된 전분-아크릴니트릴 그래프트 공중합체, 전분-아크릴산 그래프트 공중합체, 비누화 비닐 아세테이트-아크릴산 에스테르 공중합체, 가수분해된 아크릴로니트릴 공중합체, 가수분해된 아크릴아미드 공중합체, 에틸렌-말레산 무수물 공중합체, 이소부틸렌-말레산 무수물 공중합체, 폴리비닐술폰산, 폴리비닐포스폰산, 폴리비닐인산, 폴리비닐황산, 술폰화 폴리스티렌, 폴리비닐아민, 폴리디알킬아미노알킬(메타)아크릴아미드, 폴리에틸렌이민, 폴리알릴아민, 폴리알릴구아니딘, 폴리디메틸디알릴암모늄 히드록시드, 4차화 폴리스티렌 유도체, 구아니딘-변성 폴리스티렌, 4차화 폴리(메타)아크릴아미드, 폴리비닐구아니딘 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 23 항에 있어서,
아크릴산 공중합체는 아크릴산과 말레산, 이타콘산, 아크릴아미드, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 2-(메타)아크릴로일에탄술폰산, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 스티렌술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 공단량체를 포함하는 공중합체인 광전지 모듈용 냉각시트. - 삭제
- 제 15 항에 있어서,
열전도성 필러는 무기 산화물 필러, 금속 수산화물 필러, 무기 탄화물 필러, 질화물 필러, 금속 필러 및 탄소 필러로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트. - 제 15 항에 있어서,
냉각시트의 두께가 0.1 mm 내지 100 mm인 광전지 모듈용 냉각시트. - 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 다공성 기재 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,
유체는 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 제 28 항에 있어서,
수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재의 표면에 코팅하고, 건조시켜 수지층을 형성하는 단계; 및
상기 수지층이 형성된 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 제 31 항에 있어서,
유체는 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 제 31 항에 있어서,
수지층을 형성하는 단계 이후, 수지층의 표면에 다른 다공성 기재를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 고흡수성 수지 용액을 다공성 기재에 함침하고, 건조시키는 단계; 및
상기 고흡수성 수지가 함침되어 있는 다공성 기재를 유체에 침지하는 단계를 포함하는, 제 15 항에 따른 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 제 34 항에 있어서,
유체는 물, 알코올 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 제 34 항에 있어서,
다공성 기재에 고흡수성 수지 용액을 함침하고, 건조시키는 단계 이후, 상기 다공성 기재의 일면 또는 양면에 다른 다공성 기재를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 냉각시트의 제조 방법. - 백시트; 및
상기 백시트의 표면에 형성되는 제 1 항 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트. - 제 37 항에 있어서,
백시트는 불소계 백시트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계 백시트 및 폴리아마이드계 백시트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 배면 시트. - 제 37 항에 있어서,
백시트는 열전도성 필러를 추가로 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트. - 제 39 항에 있어서,
열전도성 필러는 무기 산화물 필러, 금속 수산화물 필러, 무기 탄화물 필러, 질화물 필러, 금속 필러 및 탄소 필러로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 광전지 모듈용 배면 시트. - 제 37 항에 있어서,
백시트의 두께는 10 ㎛ 내지 1000 ㎛인 광전지 모듈용 배면 시트. - 백시트의 표면에 제 1 항 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 광전지 모듈용 냉각시트를 부착하는 단계를 포함하는 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법.
- 고흡수성 수지 및 유체를 혼합하여 유체를 함유하는 고흡수성 수지를 제조한 후, 이를 백시트의 표면에 코팅하여 수지층을 형성하는 단계; 및
상기 수지층의 표면에 열전도성 필러를 포함하는 다공성 기재를 형성하는 단계를 포함하는, 광전지 모듈용 배면 시트의 제조 방법. - 제 37 항에 따른 광전지 모듈용 배면 시트를 포함하는 광전지 모듈.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110059487A KR101444982B1 (ko) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전지 모듈 |
US13/527,062 US9018514B2 (en) | 2011-06-20 | 2012-06-19 | Cooling sheet for photovoltaic modules, method of manufacturing the same and photovoltaic modules including the same |
CN201210211883.1A CN102838767B (zh) | 2011-06-20 | 2012-06-20 | 用于光电组件的冷却板、其制备方法以及包括该冷却板的光电组件 |
US14/695,937 US10355153B2 (en) | 2011-06-20 | 2015-04-24 | Cooling sheet for photovoltaic modules, method of manufacturing the same and photovoltaic modules including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110059487A KR101444982B1 (ko) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전지 모듈 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120139934A KR20120139934A (ko) | 2012-12-28 |
KR101444982B1 true KR101444982B1 (ko) | 2014-09-29 |
Family
ID=47366510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110059487A KR101444982B1 (ko) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 광전지 모듈용 냉각시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전지 모듈 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9018514B2 (ko) |
KR (1) | KR101444982B1 (ko) |
CN (1) | CN102838767B (ko) |
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- 2011-06-20 KR KR1020110059487A patent/KR101444982B1/ko active IP Right Grant
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2012
- 2012-06-19 US US13/527,062 patent/US9018514B2/en active Active
- 2012-06-20 CN CN201210211883.1A patent/CN102838767B/zh active Active
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- 2015-04-24 US US14/695,937 patent/US10355153B2/en active Active
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US20130019946A1 (en) | 2013-01-24 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
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