KR101427194B1 - 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료 및 그 제조방법 - Google Patents

크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료에 관한 것으로서, MnSi1.75-δ(0≤δ≤0.03)의 조성을 갖는 망간-규소계 열전재료에 Cr이 도핑된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법에 관한 것으로서, MnSi1.75-δ(0≤δ≤0.03)의 조성에 맞추어 준비된 망간 분말과 실리콘 분말 및 도펀트로 준비된 크롬 분말을 원료분말로서 혼합하는 제1단계; 혼합된 원료분말에 대하여 고망간실리사이드 상을 형성하는 제2단계; 및 상기 고망간실리사이드 상이 형성된 열전재료 분말을 소결하는 제3단계를 포함한다.
본 발명은 망간과 치환되는 도펀트로서 크롬을 사용함으로써, 열전성능이 향상된 망간-규소계 열전재료를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상술한 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법은, MnSi 상을 조절함으로써, 열정성능이 뛰어난 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료 및 그 제조방법{Cr-DOPED Mn-Si THERMOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 열전재료와 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 망간-규소계 물질에 크롬을 첨가하여 열전성능을 향상시킨 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 대체 에너지의 개발 및 절약에 대한 관심이 고조되고 있는 가운데, 효율적인 에너지 변환 물질에 관한 조사 및 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 열을 전기 에너지로 변환하는 재료인 열전재료에 대한 연구가 가속화되고 있다.
이러한 열전재료는 열을 전기로 또는 전기를 열로 직접 변화시키는 기능을 갖는 금속 또는 세라믹재로서, 온도차만 부여하면 가동 부분 없이도 발전이 가능하다는 장점이 있다.
잠재적인 열전 실리사이드에 대한 연구는 Nikitin1에 의해 처음 보고되었으며, 열전 실리사이드 후보군으로서 MnSi, MnSi2, CrSi2, CoSi가 보고되었다.
이들 중에 망간 실리사이드는 값이 싸고 자원이 풍부한 구성성분과 친환경적이면서 고온에서의 높은 산화저항성 때문에 고온에서 작동하는 열전재료로서 주목되었으며, 열전 성능이 뛰어난 조성은 MnSi2가 아닌 고망간실리사이드(HMS, higher manganese silicides)라 불리는 MnSi1.72~1.75 범위(Si content: 63.0~63.6%)의 조성이며, 고망간실리사이드는 0.4~0.7eV의 좁은 밴드갭 에너지를 가지는 p-형 반도체의 거동을 보인다.
고망간실리사이드는 서로 다른 당량비를 나타내는 Mn4Si7(MnSi1.75), Mn11Si19(MnSi1.72), Mn15Si26(MnSi1.73) 및 Mn27Si47(MnSi1.74)의 네 가지 상을 가지는 정방정계 구조로 알려져 있으며, 각 상들은 구성물질의 작용에 의해서 a 축에 비해 상당히 긴 c축을 갖는다. 이러한 상들은 Nowotny chimney-ladder 상으로 불린다.
고망간실리사이드는 일반적으로 용해법, 결정성장법, 화학반응법 및 박막공정 등의 방법으로 제조하나, c축을 수직으로 분리하는 MnSi 2차상이 잔류하여 열전특성을 악화시키는 요인이 되고 있다.
이러한 MnSi 2차상은 Si 원자의 느린 확산 속도와 고망간실리사이드의 포정반응 때문에 고망간실리사이드의 기지 내에서 제거하기 어렵지만, MnSi 상의 크기와 분포 패턴을 조절하는 방법으로 열전성능을 개선하고 있다.
하지만, 이러한 고망간실리사이드의 열전성능 개선 노력은 제조방법의 변경에 한정되고 있으며, 열전성능을 향상시키기 위한 도핑재료 등에 대한 결과가 부족한 실정이다.
1. T. Itoh and M. Yamada, J. Elec. Mater., 38(7), (2009), 925-929. 2. W. Luo, H. Li, Y. Yang, Z. Lin, X. Tang, Q. Zhang, and C. Uher, Intermetallics, 19, (2011), 404-408
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 열전성능을 향상시킨 망간-규소계 열전재료 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료는, MnSi1.75-δ(0≤δ≤0.03)의 조성을 갖는 망간-규소계 열전재료에 Cr이 도핑된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발명자들은 고망간실리사이드의 열전성능을 더욱 향상시키기 위하여 Cr을 도펀트로 사용한 본 발명을 발명하였다. Cr은 p-형의 도펀트로서 Mn보다 더 적은 밸런스 전자를 제공하면서도 고망간실리사이드의 결정구조를 변화시키지 않기 때문에, Cr에 의한 Mn의 부분적인 치환은 캐리어(hole) 농도를 효과적으로 증가시켜 고망간실리사이드의 열전성능을 향상시킨다.
특히, 종래에는 Cr의 첨가가 열전전도를 향상시켜 열전성능을 저해하는 것으로 알려져 있었지만, 본 발명의 실시예에서 Cr의 첨가에 따른 열전전도의 변화는 거의 없으며 전기전도도의 향상에 의해서 열전 성능이 향상됨을 확인하였다.
이때, 열전재료의 조성이 MnSi1.75-δ:Crx (0≤δ≤0.03, 0<x≤0.1)인 것이 바람직하다. Cr 첨가의 효과는 매우 미량을 첨가하는 경우에도 나타나지만, 0.1이상으로 첨가하는 경우에는 열전성능이 감소하는 문제가 발생한다.
상기 목적을 달성하기 위한 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법은, MnSi1.75-δ(0≤δ≤0.03)의 조성에 맞추어 준비된 망간 분말과 실리콘 분말 및 도펀트로 준비된 크롬 분말을 원료분말로서 혼합하는 제1단계; 혼합된 원료분말에 대하여 고망간실리사이드 상을 형성하는 제2단계; 및 상기 고망간실리사이드 상이 형성된 열전재료 분말을 소결하는 제3단계를 포함한다.
이때, 제1단계에서 혼합되는 원료분말이 MnSi1.75-δ:Crx (0≤δ≤0.03, 0<x≤0.1)의 조성에 맞추어 혼합되는 것이 바람직하다.
또한, 제2단계는 기계적 합금화법 또는 고상 반응법 중에 하나의 방법으로 수행될 수 있으며, 고상 반응법으로 수행되는 경우에는 진공상태로 1100K~1400K의 온도 범위에서 수행되는 것이 바람직하다.
그리고 제3단계는 진공 열간 프레싱에 의해서 수행되는 것이 좋으며, 진공 열간 프레싱은 1073K 이상의 온도에서 60MPa 이상의 압력으로 1시간 이상의 시간동안 수행되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 구성된 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료는, 망간과 치환되는 도펀트로서 크롬을 사용함으로써, 열전성능이 향상된 망간-규소계 열전재료를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상술한 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법은, MnSi 상을 조절함으로써, 열정성능이 뛰어난 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료를 제조할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 실시예로 제조된 열전재료 시편에 대한 XRD분석 결과이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대한 전기전도도 측정 결과이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 제벡계수를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 출력인자를 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 열전도도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 열전 성능지수를 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
먼저 본 실시예의 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법은 화학 양론적 비율에 맞추어 원료분말을 혼합한다. (제1단계)
본 실시예는 MnSi1.75-δ:Crx (δ=0, 0.01, 0.02, 0.03, x=0.01)의 조성식에 맞추어, 직경이 45㎛ 미만인 순도 99.9%의 Mn분말과 직경이 45㎛ 미만인 순도 99.99%의 Si분말 및 45㎛ 미만인 순도 99.9%의 Cr분말을 화학 양론적 비율에 맞추어 혼합하였다.
다음으로 혼합된 분말에 고상 반응 공정을 수행하여 고망간실리사이드를 형성한다. (제2단계)
상기한 조성으로 혼합된 원료분말을 알루미나 도가니에 넣고 진공상태에서 1273K의 온도로 6시간동안 고상 반응 공정을 수행하였다.
마지막으로 고상 반응 공정으로 제조된 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료를 실린더형의 고강도 흑연 틀에 넣고 진공 열간 프레싱을 수행한다. (제3단계)
본 실시예에서는 지름이 10mm인 흑연 틀을 이용하였고, 소결과정에서의 상변화를 방지하기 위하여 진공상태를 유지하였으며, 1173K의 온도에서 70MPa의 압력으로 1시간 동안 열간 프레싱을 수행하여 열전재료 시편을 제조하였다.
도 1은 본 발명에 따른 실시예로 제조된 열전재료 시편에 대한 XRD분석 결과이다. (a)는 MnSi1.75:Cr0.01 조성인 경우, (b)는 MnSi1.74:Cr0.01 조성인 경우, (c)는 MnSi1.73:Cr0.01 조성인 경우 및 (d)는 MnSi1.72:Cr0.01 조성인 경우의 XRD분석 결과이다.
각 조성에 대한 상 패턴은 ICDD 표준회절자료의 Mn11Si19(PDF# 03-065-2862), Mn15Si26(PDF#00-020-0724), Mn27Si47(PDF#00-026-1251) 및 Mn4Si7(PDF#01-072-2069)과 일치하여 Cr의 첨가에 따른 상변화는 없었으며, 제 2상으로 금속성의 MnSi(0~0.8%)가 분석되었지만 X-선 분석 검출한계 이내이다. 또한, 모든 시편은 정방정계 결정구조를 가지고 있었으며, 표 1과 같이 문헌에 보고된 격자상수와 아주 유사한 것으로 보아 본 실시예에 따른 고상 반응 공정과 연간 프레싱에 의해 고망간실리사이드 상이 성공적으로 합성된 것을 확인할 수 있다.
표 1은 본 실시예에 따른 Cr를 도핑한 열전재료와 비교를 위해서 Cr을 첨가하지 않은 비교예의 열전재료에 대하여 격자상수를 측정한 결과이다. Cr를 첨가하지 않은 비교예의 열전재료에 대한 격자상수의 이론값은 과거에 수행된 연구자료들에서 선택하였다.
조성 실시예와 비교예의 격자상수 이론상 격자상수
a (nm) c (nm) a (nm) c (nm)
Mn11Si19(MnSi1.72) 0.5517 4.8090 0.5518 4.8136
Mn11Si19(MnSi1.72):Cr0.01 0.5535 4.8145 - -
Mn15Si26(MnSi1.73) 0.5517 6.5415 0.5531 6.5311
Mn15Si26(MnSi1.73):Cr0.01 0.5524 6.5439 0.5525 6.5504
Mn27Si47(MnSi1.74) 0.5524 11.758 0.5530 11.790
Mn27Si47(MnSi1.74):Cr0.01 0.5529 11.789 - -
Mn4Si7(MnSi1.75) 0.5526 1.7467 0.5525 1.7436
Mn4Si7(MnSi1.75):Cr0.01 0.5532 1.7478 - -
표 1에 나타난 것과 같이, Cr 도핑에 의해 격자상수가 증가한 것으로 나타났으며, 특히 상대적으로 a 축보다 c 축이 더욱 증가한 것으로부터 Cr이 Mn의 자리에 잘 치환된 고망간실리사이드 열전재료가 제조된 것을 확인할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대한 전기전도도 측정 결과이다.
도시된 것과 같이, 본 실시예의 열전재료와 비교예의 열전재료는 모든 조성에서 온도의 상승에 따라서 전기전도도가 약간 감소하는 축퇴 반도체 특성을 보인다.
Cr이 도핑된 본 실시예의 열전재료는 비교예에 비하여 전체적으로 전기전도도가 높아진 것으로 확인되었으며, 이는 Cr이 Mn보다 더 적은 밸런스 전자를 제공하기 때문에 Cr에 의한 Mn의 부분적인 치환으로 캐리어(hole) 농도가 증가한 결과인 것으로 생각된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 제벡계수를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도시된 것과 같이, 본 실시예의 열전재료와 비교예의 열전재료는 모든 조성에서 제백계수가 양(positive)의 값을 갖는 p형 전도성을 나타낸다. 그리고 온도 증가에 따라 제벡계수가 증가하였고, 고온에서도 고유전도가 없이 제벡계수는 계속 증가하였다.
또한 Cr을 도핑한 본 실시예의 열전재료는 비교예의 열전재료에 비하여 전체적으로 제벡계수가 감소하였으며, MnSi1.75의 경우가 823K에서 234㎶/K의 제백계수를 나타낸 반면에, MnSi1.75:Cr0.01의 경우는 823K에서 224㎶/K의 제벡계수를 나타내었다. MnSi1.75:Crx조성에서 최대 제벡계수를 보인 것은 각 조성의 밴드 캡 크기 때문인 것으로 판단된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 출력인자를 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
도시된 것과 같이, Cr의 도핑에 의해 출력인자가 증가하였고, MnSi1.73:Cr0.01 조성의 경우 723K에서 1.01 mW/mK2의 최대 출력인자를 나타내었다. Cr 도핑에 의한 출력인자의 변화 경향은 전기전도도의 변화 경향과 유사하며, 전기전도도 증가에 의해 출력인자가 증가한 것으로 보인다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 열전도도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다. 내부에 삽입된 그래프는 격자 열전도도를 측정한 결과이다.
고망간실리사이드의 조성 및 Cr의 도핑여부에 관계없이 전체적으로 유사한 열전도도 값을 나타내었다. 모든 조성의 열전재료가 623 K에서 최솟값을 보였고, Cr이 도핑된 본 실시예의 열전재료는 2.1~2.6 W/mK을 나타내었다.
한편 종래의 연구에서는 고망간실리사이드에 Cr을 도핑하면 전자-정공 쌍에 의한 바이폴라 효과로 인해 고온에서 열전도도가 크게 증가하는 것으로 보고되었다. 하지만 본 실시예의 열전재료는 측정 온도 범위에서 비교예의 열전재료보다 약간 낮거나 유사한 열전도도를 보였으며, 이는 삽입된 도면에 나타난 것과 같이 격자 열전도도가 감소하였기 때문인 것으로 으로 판단된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 열전재료와 비교예의 열전재료에 대하여 열전 성능지수를 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
본 실시예의 열전재료와 비교예의 열전재료는 모든 조성에서 온도가 상승함에 따라 성능지수가 증가하였으며, Cr이 도핑된 열전재료가 비교예의 열전재료에 비하여 성능지수가 향상된 것을 확인할 수 있다.
앞서 살펴본 것과 같이, Cr 도핑을 통해 열전도도의 변화보다는 전기전도도의 증가로 인한 출력인자의 증가가 열전 성능지수의 증가로 이어졌다. 최대 성능지수는 MnSi1.73:Cr0.01조성의 열전재료가 823 K에서 0.36의 성능지수를 보였다.
이상과 같이, 본 실시예의 Cr가 도핑된 열전재료는 전기전도도가 향상되어 열전성능이 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. MnSi1.75-δ(0≤δ≤0.03)의 조성을 갖는 망간-규소계 열전재료에 Cr이 도핑된 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 열전재료의 조성이 MnSi1 .75-δ:Crx (0≤δ≤0.03, 0<x≤0.1)인 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료.
  3. MnSi1.75-δ(0≤δ≤0.03)의 조성에 맞추어 준비된 망간 분말과 실리콘 분말 및 도펀트로 준비된 크롬 분말을 원료분말로서 혼합하는 제1단계;
    혼합된 원료분말에 대하여 고망간실리사이드 상을 형성하는 제2단계; 및
    상기 고망간실리사이드 상이 형성된 열전재료 분말을 소결하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1단계에서 혼합되는 원료분말이 MnSi1 .75-δ:Crx (0≤δ≤0.03, 0<x≤0.1)의 조성에 맞추어 혼합되는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2단계가 기계적 합금화법 또는 고상 반응법 중에 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2단계가 고상 반응법으로 수행되고, 상기 고상 반응법은 진공상태로 1100K~1400K의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 제3단계가 진공 열간 프레싱에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 진공 열간 프레싱이 1073K 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 진공 열간 프레싱이 60MPa 이상의 압력으로 1시간 이상의 시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 크롬이 첨가된 망간-규소계 열전재료의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016145653A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 株式会社豊田自動織機 太陽熱集熱管、太陽光−熱変換装置及び太陽熱発電装置
KR20180075294A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 연세대학교 산학협력단 열전성능이 향상된 망간-규소계 열전재료 및 이의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235083A (ja) 2005-08-25 2007-09-13 Komatsu Ltd 熱電材料及びその製造方法
JP2011210845A (ja) 2010-03-29 2011-10-20 Ibaraki Univ ＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法
JP2013070044A (ja) 2011-09-08 2013-04-18 Hitachi Chemical Co Ltd 熱電変換モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235083A (ja) 2005-08-25 2007-09-13 Komatsu Ltd 熱電材料及びその製造方法
JP2011210845A (ja) 2010-03-29 2011-10-20 Ibaraki Univ ＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法
JP2013070044A (ja) 2011-09-08 2013-04-18 Hitachi Chemical Co Ltd 熱電変換モジュールおよびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016145653A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 株式会社豊田自動織機 太陽熱集熱管、太陽光−熱変換装置及び太陽熱発電装置
KR20180075294A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 연세대학교 산학협력단 열전성능이 향상된 망간-규소계 열전재료 및 이의 제조방법
KR102026517B1 (ko) * 2016-12-26 2019-09-27 연세대학교 산학협력단 열전성능이 향상된 망간-규소계 열전재료 및 이의 제조방법

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