KR101397582B1 - Apparatus for manufacuring non-melting positive electrode for electro galvanic process and metod for thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전기도금용 불용성 양극의 제조장치에 관한 것으로서, 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅부와, 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭부와, 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공부와, 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅부와, 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 전기도금용 양극의 표면을 에칭과 방전가공에 의해 전처리하여 이리듐 코팅층을 형성함으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 효과를 제공한다.The present invention relates to an apparatus for producing an insoluble anode for electroplating, which comprises a sand blasting section for polishing the surface of an anode for electroplating, an etching section for pickling the contaminants generated on the surface of the polished anode, A coating part for forming an iridium coating layer by spraying on the surface of the anode whose surface roughness has been controlled and a heat treatment part for thermally curing the anode in which an iridium coating layer is formed on the surface, do. Therefore, according to the present invention, the surface of the anode for electroplating is pretreated by etching and electric discharge machining to form an iridium coating layer, thereby shortening the manufacturing time of the manufacturing process of the insoluble anode for electroplating, improving the productivity and reducing the manufacturing cost Provides an effect.

Description

전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법{Apparatus for manufacuring non-melting positive electrode for electro galvanic process and metod for thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing an insoluble positive electrode for electroplating,

본 발명은 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기도금용 양극의 표면에 이리듐 코팅층을 형성하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for producing an insoluble anode for electroplating, and more particularly, to an apparatus and a method for manufacturing an insoluble anode for electroplating which forms an iridium coating layer on the surface of an anode for electroplating.

전기도금공정은 양극에서 인가된 전류가 전해질의 도금용액을 통하여 음극으로 흘러가는 과정에서 급속 양이온이 전류의 영향으로 음극에 부착되는 것을 이용하는 방식이다. 이러한 전기도금공정의 전기화학 프로세스(process)는 양극이 용해되고 음극에 금속이온이 부착된다. In the electroplating process, rapid cations are adhered to the negative electrode due to the influence of the current in the process of flowing the current applied from the positive electrode to the negative electrode through the plating solution of the electrolyte. The electrochemical process in this electroplating process dissolves the anode and attaches the metal ion to the cathode.

이러한 상황에서 지속적으로 전기도금을 유지시키기 위해서는 양극의 용해가 억제되어야 하는데 이러한 양극의 소모, 즉 용해를 억제하는 방법으로는 일반적으로 사용되는 것이 귀금속계 양극을 사용하는 방법이다. In such a situation, in order to maintain the electroplating continuously, dissolution of the anode should be suppressed. As a method of suppressing consumption of the anode, that is, dissolution, a precious metal anode is generally used.

이러한 귀금속계 양극은 주로 백금족 금속으로서 백금(Pt), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta) 등을 주로 사용하게 되는데, 백금족원소들은 희원소로서 그 가격이 매우 높아 양극 전체를 구성하는 소재물질로 사용하기에는 문제가 있다. Such noble metal-based anode mainly uses platinum (Pt), iridium (Ir), tantalum (Ta) or the like as a platinum group metal. Platinum group elements are very expensive as a rare earth element. there is a problem.

일반적으로 이러한 백금족원소의 특성을 지니는 양극을 구성하기 위하여 사용되는 방법은, 양극을 구성하는 타이타늄(Ti) 판재 위에 결합을 위한 중간층으로 탄탈륨(Ta)을 코팅한 후 표면에 이산화 이리듐(IrO2) 코팅층을 형성하여 사용한다. In general, a method for forming an anode having the characteristics of the platinum group element is a method in which tantalum (Ta) is coated as an intermediate layer for bonding on a titanium (Ti) plate constituting an anode, iridium dioxide (IrO 2 ) A coating layer is formed and used.

이러한 표면 코팅층을 지니는 불용성양극은 제조 방법상 타이타늄 판재의 표면을 샌딩(sanding)공정을 이용하여 표면 조도를 지니는 층을 구성한 후 탄탈륨(Ta)을 코팅하고 이산화 이리듐(IrO2) 용액을 붓이나 브러시(brush)를 이용하여 바른 후 열경화 시키는 과정을 약 40회 반복하여 10㎛ 정도의 이산화 이리듐(IrO2) 층을 구성하게 된다. 이러한 기존의 과정의 큰 문제점은 2가지로 나타난다. The insoluble anode having such a surface coating layer is formed by forming a layer having a surface roughness using a sanding process on the surface of a titanium plate material in the manufacturing method, and then coating the tantalum (Ta) layer and the iridium dioxide (IrO 2 ) (IrO 2 ) layer having a thickness of about 10 μm is formed by repeating the process of applying a heat ray using a brush and then thermally curing it about 40 times. There are two major problems with this existing process.

먼저 타이타늄 판재의 표면에 조도를 형성하기 위한 샌딩(sanding)공정을 실시한 후 타이타늄의 표면이 드러나면, 그 즉시 공기중의 산소와 결합하여 산화되며 이러한 산화는 타이타늄 산화층(TiO2)을 형성하게 되는 데 이러한 타이타늄 산화층(TiO2)은 절연특성을 지니므로 양극의 형성과정의 저항을 증가시키는 문제가 있다. First, after a sanding process is performed to form roughness on the surface of the titanium plate, when the surface of the titanium is exposed, it is immediately oxidized in combination with oxygen in the air, and this oxidation forms a titanium oxide layer (TiO 2 ) Since the titanium oxide layer (TiO 2 ) has an insulating property, there is a problem of increasing the resistance of the process of forming the anode.

두번째 문제점은 이러한 타이타늄 판재의 표면에 이산화 이리듐(IrO2) 용액을 코팅하는 과정이 수작업을 통하여 이루어지는 공정으로 40회 반복의 브러시(brush) 공정 및 열경화 공정을 거쳐야 하므로 매우 장시간의 공정시간 및 다수의 인력이 소요되는 문제가 있다. The second problem is that the process of coating iridium dioxide (IrO 2 ) solution on the surface of such a titanium plate is performed manually through a brushing process and a thermal curing process of 40 times repeatedly, There is a problem in that the workforce of the robot is required.

상기한 문제점으로 인하여 불용성 양극의 제조과정이 복잡하고 제조비용이 증가 하게 되며, 특히 타이타늄의 표면에 산화층의 형성으로 전기적 특성이 변화하는 문제도 발생시키게 된다. Due to the above-mentioned problems, the manufacturing process of the insoluble anode is complicated and the manufacturing cost is increased. In particular, the formation of the oxide layer on the surface of the titanium causes a problem that the electrical characteristics are changed.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있고, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지할 수 있고, 이리듐 코팅층의 코팅효율을 향상시키며, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Disclosure of the Invention The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to shorten the manufacturing time of the insoluble anode for electroplating, improve the productivity and reduce the manufacturing cost, Which is capable of preventing the surface oxidation of the anode by the electrolytic solution, improving the coating efficiency of the iridium-coated layer, decreasing the repulsive force of the solution applied to the surface of the anode, and precisely applying a desired amount of the solution. And a manufacturing method thereof.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅부; 상기 샌드블라스팅부에 의해 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭부; 상기 에칭부에 의해 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공부; 상기 방전가공부에 의해 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅부; 및 상기 코팅부에 의해 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plating apparatus including: a sandblasting unit for polishing a surface of an anode for electroplating; An etching unit for pickling the contaminants generated on the surface of the polished anode by the sandblasting unit; A discharge gate for adjusting a surface roughness of a positive electrode pickled by the etching portion; A coating part for forming an iridium coating layer on the surface of the anode whose surface roughness is controlled by the discharge treatment by spraying; And a heat treatment unit for thermally curing the anode in which an iridium coating layer is formed on the surface by the coating unit.

본 발명의 상기 샌드블라스팅부, 상기 에칭부, 상기 방전가공부, 상기 코팅부 및 상기 열처리부 중 적어도 어느 하나는, 상기 양극의 표면산화를 방지하도록 불활성 가스의 분위기에서 이루어진다.At least one of the sandblasting, the etching, the discharge, the coating and the heat treatment of the present invention is performed in an inert gas atmosphere to prevent oxidation of the surface of the anode.

본 발명의 상기 방전가공부는, 상기 양극의 표면조도를 7㎛이하로 조절한다. 본 발명의 상기 코팅부는, 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용한다.In the discharging step of the present invention, the surface roughness of the anode is adjusted to 7 탆 or less. The coating portion of the present invention uses a low-pressure spray having a discharge pressure of 0.1 to 1.0 kgf / cm2.

또한, 본 발명은 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅 단계; The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: sandblasting a surface of an anode for electroplating;

상기 샌드블라스팅 단계에서 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭단계; An etching step of pickling the contaminants generated on the surface of the polished anode in the sandblasting step;

상기 에칭단계에서 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공단계; An electric discharge machining step of adjusting the surface roughness of the anode subjected to the pickling treatment in the etching step;

상기 방전가공단계에서 표면조도가 조절된 양극의 표면에 저압 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅단계; 및A coating step of forming an iridium coating layer on the surface of the anode whose surface roughness is controlled in the electric discharge machining step by low pressure spraying; And

상기 코팅단계에서 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a heat treatment step of thermally curing the anode in which an iridium coating layer is formed on the surface in the coating step.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 전기도금용 양극의 표면을 에칭과 방전가공에 의해 전처리하여 이리듐 코팅층을 형성함으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, the surface of the anode for electroplating is pretreated by etching and electric discharge machining to form an iridium coating layer, thereby shortening the manufacturing time of the insoluble anode for electroplating, Thereby providing a cost saving effect.

또한, 샌드블라스팅부, 에칭부, 방전가공부, 코팅부 및 열처리부는 불활성 가스 분위기에서 처리가 이루어짐으로써, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지할 수 있게 된다.In addition, since the sandblasting portion, the etching portion, the discharge portion, the coating portion, and the heat treatment portion are treated in an inert gas atmosphere, surface oxidation of the anode due to contact between the anode and air can be prevented.

또한, 양극의 표면을 방전가공하여 표면조도를 균일화함으로써, 이리듐 코팅층의 코팅효율을 향상시키게 된다.In addition, the coating efficiency of the iridium coating layer can be improved by uniformizing the surface roughness by electric discharge machining the surface of the anode.

또한, 양극의 표면에 이리듐 코팅층의 형성시 저압 스프레이를 사용함으로써, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by using a low-pressure spray when forming the iridium-coated layer on the surface of the anode, the repulsive force of the solution applied to the surface of the anode is reduced, thereby providing an effect of accurately spraying a desired amount of the solution.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 나타내는 흐름도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a configuration diagram showing an apparatus for producing an insoluble anode for electroplating according to an embodiment of the present invention; Fig.
2 is a flow chart showing a method for producing an insoluble anode for electroplating according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.FIG. 1 is a view showing an apparatus for producing an insoluble anode for electroplating according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart showing a method for producing an insoluble anode for electroplating according to an embodiment of the present invention.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조장치는 샌드블라스팅부(10), 에칭부(20), 방전가공부(30), 코팅부(40) 및 열처리부(50)를 포함하여 이루어져 있다.1, an apparatus for manufacturing an insoluble anode for electroplating according to the present embodiment includes a sandblasting unit 10, an etching unit 20, a discharge work 30, a coating unit 40, and a heat treatment unit 50 ).

샌드블라스팅부(10)는, 전기도금용 양극의 표면을 샌드블라스터에 의해 연마하는 연마수단으로서, 전기도금용 불용성 양극의 원소재인 타이타늄(titanium) 판재의 표면을 샌드블라스팅부(10)에 의해 연마하게 된다.The sand blasting section 10 is a polishing means for polishing the surface of the anode for electroplating by a sandblaster and the surface of a titanium plate material which is a raw material of the insoluble anode for electroplating is sandblasted by the sand blasting section 10 Polishing.

이때, 양극의 표면은 대략 7㎛ 내외의 표면조도를 가지게 되며, 이러한 양극의 표면조도는, 이후 처리공정에서 이리듐(Iridium) 코팅층, 즉 이산화 이리듐(IrO2)의 부착력을 향상시키는 주요한 역할을 하게 된다.At this time, the surface of the anode has a surface roughness of about 7 μm, and the surface roughness of such an anode plays a major role in improving the adhesion of iridium (Iridium) coating layer, ie, iridium dioxide (IrO 2 ) do.

에칭부(20)는, 샌드블라스팅부(10)의 하류에 설치되어 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 산세수단으로서, 일정한 조도가 얻어진 타이타늄 판재의 표면에 발생한 각종 오염물 및 타이타늄 산화층(TiO2)을 제거하기 위하여 에칭부(20)에 의해 산세처리하게 된다. The etching portion 20 is a pickling means provided downstream of the sandblasted portion 10 for picking up the contamination generated on the surface of the polished anode. The picking means 20 is a pickling means for picking up various contaminants generated on the surface of the titanium plate, (TiO 2 ) is removed by the etching section 20.

이러한 에칭부(20)의 산세처리시에는 양극 표면에 발생된 산화층이 제거하게 되며, 이후로부터 양극과 공기중의 산소가 결합하게 되면 즉시 타이타늄 산화층이 발생하게 되므로 철저히 공기와의 접촉을 차단하기 위해 불활성 가스 분위기로 유지하여 추가적인 타이타늄 산화층의 형성을 억제하는 것이 바람직하다. During the pickling treatment of the etching portion 20, the oxide layer generated on the surface of the anode is removed, and when the anode and the oxygen in the air are combined with each other, a titanium oxide layer is immediately formed. Therefore, It is preferable to keep the film in an inert gas atmosphere to suppress the formation of an additional titanium oxide layer.

방전가공부(30)는, 에칭부(20)의 하류에 설치되어 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 표면처리수단으로서, 샌드블라스팅부(10)에 의한 양극 표면의 조도형성과정에서 과다하게 발생한 조도부분, 즉 높은 산으로 형성되어 7㎛의 조도를 초과하는 부분을 제거하도록 방전가공부(30)에 의해 처리하게 된다. The discharge work 30 is a surface treatment means provided on the downstream side of the etching section 20 to adjust the surface roughness of the anode subjected to pickling treatment. It is processed by the discharging work 30 so as to remove the portion of the illuminance portion, that is, the high acid, exceeding the illuminance of 7 mu m.

방전가공부(30)는 고압의 전기에너지에 의한 아크방전을 양극인 타이타늄 판재의 표면에 형성시켜 불활성 가스 분위기에서 양극의 표면에 대한 방전가공을 통해 표면조도의 불균일층을 제거하게 된다. 따라서 이러한 방전가공부(30)는, 코팅부(40)에서 코팅효율을 향상시키기 위해 양극의 표면조도를 7㎛이하로 조절하는 것이 바람직하다.The discharge work 30 forms an arc discharge by a high-voltage electric energy on the surface of a titanium plate material, which is an anode, and removes a non-uniform layer of surface roughness through electric discharge machining on the surface of the anode in an inert gas atmosphere. Therefore, in order to improve the coating efficiency in the coating portion 40, it is preferable that the surface roughness of the anode is adjusted to 7 탆 or less.

코팅부(40)는, 방전가공부(30)의 하류에 설치되어 방전가공부(30)에 의해 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅수단이다. The coating portion 40 is a coating means provided downstream of the discharging work 30 to form an iridium coating layer on the surface of the anode whose surface roughness is controlled by the discharging work 30 by spraying.

이러한 코팅부(40)는, 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서 코팅부(40)에서 일반적인 토출압력이 1.0 ㎏f/㎠ 초과인 고압의 스프레이와 달리 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압의 스프레이를 사용하므로, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있게 된다. The coating portion 40 preferably uses a low-pressure spray having a discharge pressure of 0.1 to 1.0 kgf / cm2. Therefore, unlike a high-pressure spray having a general discharge pressure of 1.0 kgf / cm < 2 > or more in the coating portion 40, a low-pressure spray having a discharge pressure of 0.1 to 1.0 kgf / cm2 is used. The amount of the solution of the desired amount can be accurately applied.

이러한 저압 스프레이에 의한 코팅부(40)는 작업자의 수작업으로 이루어지는 붓질과정을 대체하게 되며, 보다 효과적으로 이리듐 코팅층의 형성이 가능할 뿐만 아니라 5회 미만의 반복적인 저압 스프레이의 분사에 의해 소망 두께의 이리듐 코팅층의 형성이 가능하게 된다.The coating portion 40 by the low pressure spray replaces the manual brushing process by the operator. In addition to the formation of the iridium coating layer, it is possible to form the iridium coating layer more effectively by spraying the repetitive low- Can be formed.

열처리부(50)는, 코팅부(40)의 하류에 설치되어 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리수단으로서, 코팅부(40)의 저압 스프레이에 의해 양극의 표면에 액체상태로 도포된 이리듐 코팅층을 가열에 의해 경화시켜 최종적으로 전기도금용 불용성 양극을 형성하게 된다. The heat treatment unit 50 is a heat treatment unit that is provided downstream of the coating unit 40 and thermally cures the anode having the iridium coating layer formed on the surface thereof. The applied iridium coating layer is cured by heating to finally form an insoluble anode for electroplating.

이러한 열처리부(50)는, 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 1차적으로 가열하는 전처리 히팅구간(51)과, 1차적으로 가열된 양극을 2차적으로 가열하여 건조시키는 히팅건조구간(52)과, 2차적으로 가열건조된 양극을 냉각시키는 냉각구간(53)으로 이루어져 있다.The heat treatment section 50 includes a pretreatment heating section 51 for primarily heating an anode having an iridium coating layer formed on the surface thereof, a heating drying section 52 for heating and drying the primarily heated anode, And a cooling section 53 for cooling the anode that is secondarily heated and dried.

또한, 샌드블라스팅부(10), 에칭부(20), 방전가공부(30), 코팅부(40) 및 열처리부(50)가 연속적으로 설치되어 양극이 컨베이어나 벨트 등과 같은 이송수단(70)에 의해 연속적으로 이동되면서 전기도금용 불용성 양극의 제조공정이 연속적으로 이루어져, 양극의 표면과 코팅층 사이의 경계층으로 사용되는 탄탈륨(Ta)의 사용이 불필요하게 됨으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 경제성이 향상되고, 자동화된 고품질의 전기도금용 불용성 양극을 제조할 수 있게 된다.The sand blasting section 10, the etching section 20, the discharging work 30, the coating section 40 and the heat treatment section 50 are continuously provided so that the anode is conveyed to the conveying means 70 such as a conveyor, The use of tantalum (Ta) used as a boundary layer between the surface of the positive electrode and the coating layer becomes unnecessary, so that the economical efficiency of the manufacturing process of the insoluble positive electrode for electroplating And an insoluble anode for electroplating with high quality can be manufactured.

이러한 이송수단(70)은, 양극을 외부로부터 샌드블라스팅부(10)을 통과해서 에칭부(20)로 이송시키는 제1 이송부(71)와, 양극을 에칭부(20)로부터 방전가공부(30)를 통과해서 코팅부(40)로 이송시키는 제2 이송부(72)와, 코팅부(40)로부터 열처리부(50)로 이송시키는 제3 이송부(73)와, 열처리부(50)로부터 외부로 이송시키는 제4 이송부(74)로 이루어져 있다.The transfer means 70 includes a first transfer portion 71 for transferring the positive electrode from the outside to the etching portion 20 through the sandblasting portion 10 and a second transfer portion 71 for transferring the positive electrode from the etching portion 20 to the discharging / A third transfer part 73 for transferring the coating part 40 from the coating part 40 to the heat treatment part 50 and a second transfer part 72 for transferring the coating part 40 from the heat treatment part 50 to the outside, And a fourth conveying portion 74 for conveying the sheet.

샌드블라스팅부(10), 에칭부(20), 방전가공부(30), 코팅부(40) 및 열처리부(50)에는, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지하도록 불활성 가스의 분위기가 이루어지도록 외부에서 불활성 가스가 공급되는 공급배관(60)이 설치되어 있는 것이 바람직하다.In order to prevent the oxidation of the surface of the anode due to the contact between the anode and air, an inert gas (e.g., argon) is added to the sandblasted portion 10, the etching portion 20, the discharge processing portion 30, the coating portion 40 and the heat treatment portion 50 It is preferable that a supply pipe 60 for supplying an inert gas from the outside is installed so that the atmosphere is formed.

이러한 공급배관(60)은, 외부에서 불활성 가스가 공급되는 메인배관(61)과, 메인배관(61)에서 샌드블라스팅부(10)로 분기된 제1 분기관(62)과, 메인배관(61)에서 에칭부(20)로 분기된 제2 분기관(63)과, 메인배관(61)에서 방전가공부(30)로 분기된 제3 분기관(64)과, 메인배관(61)에서 코팅부(40)로 분기된 제4 분기관(65)과, 메인배관(61)에서 열처리부(50)로 분기된 제5 분기관(66)으로 이루어져 있다.The supply pipe 60 includes a main pipe 61 to which inert gas is supplied from the outside, a first branch pipe 62 branched from the main pipe 61 to the sandblasting unit 10, a main pipe 61 A second branch pipe 63 branching from the main pipe 61 to the etching section 20 and a third branch pipe 64 branched from the main pipe 61 to the discharge chamber 30; A fourth branch pipe 65 branched to the first pipe 40 and a fifth branch pipe 66 branched from the main pipe 61 to the heat treatment unit 50.

또한, 도면을 참조해서 본 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 구체적으로 설명한다.A method for producing an insoluble anode for electroplating according to this embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법은 샌드블라스팅 단계(S10), 에칭단계(S20), 방전가공단계(S30), 코팅단계(S40) 및 열처리단계(S50)를 포함하여 이루어진다.2, the method of manufacturing an insoluble anode for electroplating according to the present embodiment includes a step of sand blasting S10, an etching step S20, an electric discharge machining step S30, a coating step S40, and a heat treatment step S50).

샌드블라스팅 단계(S10)는, 전기도금용 양극의 표면을 샌드블라스터에 의해 연마하는 연마단계로서, 전기도금용 불용성 양극의 원소재인 타이타늄(titanium) 판재의 표면을 샌드블라스팅부(10)에 의해 연마하게 된다.The sandblasting step S10 is a polishing step of polishing the surface of the anode for electroplating by a sandblaster, and the surface of the titanium plate, which is a raw material of the insoluble anode for electroplating, is sandblasted by the sandblasting unit 10 Polishing.

에칭단계(S20)는, 샌드블라스팅 단계(S10)에서 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 산세단계로서, 일정한 조도가 얻어진 타이타늄 판재의 표면에 발생한 각종 오염물 및 타이타늄 산화층(TiO2)을 제거하기 위하여 에칭부(20)에 의해 산세처리하게 된다. The etching step (S20) is a pollutant generated in the surface of the anode grinding of the sand blasting step (S10) as the pickling step of processing the pickling, and various contaminants, and the titanium oxide layer generated on the surface of the titanium sheet has a constant roughness obtained (TiO 2) The pickling treatment is carried out by the etching section 20 in order to remove the etching solution.

방전가공단계(S30)는, 에칭단계(S20)에서 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 표면처리단계로서, 샌드블라스팅부(10)에 의한 양극 표면의 조도형성과정에서 과다하게 발생한 조도부분, 즉 높은 산으로 형성되어 7㎛의 조도를 초과하는 부분을 제거하도록 방전가공부(30)에 의해 처리하게 된다. The electric discharge machining step S30 is a surface treatment step of adjusting the surface roughness of the anode subjected to pickling treatment in the etching step S20. The surface roughness of the roughness part, That is, formed of a high acid, to be treated by the discharge treatment 30 so as to remove a portion exceeding 7 mu m of illumination.

코팅단계(S40)는, 방전가공단계(S30)에서 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅단계로서, 양극의 표면에 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용하여 이리듐 코팅층을 형성하게 된다.The coating step S40 is a coating step for forming an iridium coating layer by spraying on the surface of the anode whose surface roughness is controlled in the electric discharge machining step S30, wherein the surface of the anode has a discharge pressure of 0.1 to 1.0 kgf / A low pressure spray is used to form the iridium coating layer.

열처리단계(S50)는, 코팅단계(S40)에서 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리단계로서, 코팅부(40)의 저압 스프레이에 의해 양극의 표면에 액체상태로 도포된 이리듐 코팅층을 가열에 의해 경화시켜 최종적으로 전기도금용 불용성 양극을 형성하게 된다. The heat treatment step (S50) is a heat treatment step of thermally curing the anode in which the iridium coating layer is formed on the surface in the coating step (S40), wherein the iridium coating layer Is cured by heating to finally form an insoluble anode for electroplating.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전기도금용 양극의 표면을 에칭과 방전가공에 의해 전처리하여 이리듐 코팅층을 형성함으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, the surface of the anode for electroplating is pretreated by etching and electric discharge machining to form an iridium coating layer, thereby shortening the manufacturing time of the insoluble anode for electroplating, Thereby providing a cost saving effect.

또한, 샌드블라스팅부, 에칭부, 방전가공부, 코팅부 및 열처리부는 불활성 가스 분위기에서 처리가 이루어짐으로써, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지할 수 있고, 양극의 표면을 방전가공하여 표면조도를 균일화함으로써, 이리듐 코팅층의 코팅효율을 향상시키게 된다.In addition, since the sandblasting, the etching, the discharge, the coating, and the heat treatment are treated in an inert gas atmosphere, surface oxidation of the anode due to contact between the anode and air can be prevented, Thereby improving the coating efficiency of the iridium coating layer.

또한, 양극의 표면에 이리듐 코팅층의 형성시 저압 스프레이를 사용함으로써, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by using a low-pressure spray when forming the iridium-coated layer on the surface of the anode, the repulsive force of the solution applied to the surface of the anode is reduced, thereby providing an effect of accurately spraying a desired amount of the solution.

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, the above embodiments are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting.

10: 샌드블라스팅부 20: 에칭부
30: 방전가공부 40: 코팅부
50: 열처리부10: Sand blasting part 20: Etching part
30: discharging work 40: coating part
50: Heat treatment unit

Claims (5)

전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅부;
상기 샌드블라스팅부에 의해 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭부;
상기 에칭부에 의해 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공부;
상기 방전가공부에 의해 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅부; 및
상기 코팅부에 의해 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치.A sandblasting unit for polishing the surface of the anode for electroplating;
An etching unit for pickling the contaminants generated on the surface of the polished anode by the sandblasting unit;
A discharge gate for adjusting a surface roughness of a positive electrode pickled by the etching portion;
A coating part for forming an iridium coating layer on the surface of the anode whose surface roughness is controlled by the discharge treatment by spraying; And
And a heat treatment part for thermally curing the anode in which an iridium coating layer is formed on the surface by the coating part. 제 1 항에 있어서,
상기 샌드블라스팅부, 상기 에칭부, 상기 방전가공부, 상기 코팅부 및 상기 열처리부 중 적어도 어느 하나는, 상기 양극의 표면산화를 방지하도록 불활성 가스의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치.The method according to claim 1,
Wherein at least one of the sandblasting, the etching, the discharge, the coating, and the heat treatment is performed in an inert gas atmosphere to prevent oxidation of the surface of the anode. Manufacturing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 방전가공부는, 상기 양극의 표면조도를 7㎛이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치.The method according to claim 1,
The apparatus for producing an insoluble anode for electroplating according to any one of claims 1 to 5, wherein the discharge is controlled so that the surface roughness of the anode is adjusted to 7 탆 or less. 제 1 항에 있어서,
상기 코팅부는, 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치.The method according to claim 1,
Wherein the coating portion uses a low-pressure spray having a discharge pressure of 0.1 to 1.0 kgf / cm < 2 >. 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅 단계;
상기 샌드블라스팅 단계에서 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭단계;
상기 에칭단계에서 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공단계;
상기 방전가공단계에서 표면조도가 조절된 양극의 표면에 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅단계; 및
상기 코팅단계에서 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조방법.A sandblasting step of polishing the surface of the anode for electroplating;
An etching step of pickling the contaminants generated on the surface of the polished anode in the sandblasting step;
An electric discharge machining step of adjusting the surface roughness of the anode subjected to the pickling treatment in the etching step;
A coating step of forming an iridium coating layer on the surface of the anode whose surface roughness is controlled in the electric discharge machining step by a low pressure spray having a discharge pressure of 0.1 to 1.0 kgf / cm 2; And
And a heat treatment step of thermally curing the anode in which an iridium coating layer is formed on the surface in the coating step.
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KR102393452B1 (en) * 2021-04-12 2022-05-03 유한회사 두루산업사 Manufacturing Method of MMO by sol-gel coating process of nano size particle on Ti electrode

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06101083A (en) * 1992-06-25 1994-04-12 Eltech Syst Corp Electrode with improved durable length of time
JPH08109490A (en) * 1994-08-16 1996-04-30 Daiso Co Ltd Production of anode for generating oxygen
KR100809855B1 (en) 2000-06-09 2008-03-04 데 노라 엘레트로디 에스.피.에이. Electrode characterized by highly adhering superficial catalytic layer
JP2008528804A (en) 2005-01-27 2008-07-31 インドゥストリエ・デ・ノラ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ Anode coating for highly efficient hypochlorite production

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06101083A (en) * 1992-06-25 1994-04-12 Eltech Syst Corp Electrode with improved durable length of time
JPH08109490A (en) * 1994-08-16 1996-04-30 Daiso Co Ltd Production of anode for generating oxygen
KR100809855B1 (en) 2000-06-09 2008-03-04 데 노라 엘레트로디 에스.피.에이. Electrode characterized by highly adhering superficial catalytic layer
JP2008528804A (en) 2005-01-27 2008-07-31 インドゥストリエ・デ・ノラ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ Anode coating for highly efficient hypochlorite production

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